【発明の詳細な説明】（技術分野）この発明は、薄ｊ１メトランシスター基板、詳しくは全
体として可撓性を有する。、ｊ９．１１タトランジスタ
ー基板に関する。
（従来技術）ン鼻ｊ喘トランジスター、すなわち、薄膜状に形成され
たトランジスターが知られている（特開昭５８−１０６
８６０号公報、ｑＸ＋開昭５８−１０（ｉ８６１号公報
、特開昭５６−２３７８０号公報等）。
しかし、従来知られている薄膜トランジスターは、ガラ
スや７リコン等、硬質の基板を用い、この硬質基板上に
薄膜トランジスターを形成しており、このため、薄１１
・゛Ｙトランジスターｈ１．板の形状が、硬ａ基板によ
り限定されてしまう、薄、塾トランジスター基板が１ｈ
衝！Ｉ逃に弱い、基板を薄くすることが困難である、汁
、′扱いにおける作業性が戸、い、等の問題があった。
（目 的）そこで、本発明は、上ａＣ間鵡を解決した、Ａ７？親な
、薄膜トランジスター基、坂の１是イ其を目的とする。
（＋１ν ｂ’ｔ ）以下、本発明を説明する。
朴゛発明による、薄膜トランジスター基（反は、可撓性
を′７にする基板上に、薄膜トランジスターを形ωこす
ることによりイノ４成される。 河ｉ’ｌｊ ｌ・ラン
シスター＆に−、ケート知（ψ、絶綴脱、半導体膜、ン
ソー電伊、ドレイン電極を有する。
可撓性を有する基板は、本所、ゆ１の」１ｊ徴の一端を
なすものであるが、各植の可撓性樹脂、例えは、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ボリイミド、ポリプロピレ
ン、セルロースアセテート、セルローストリアセテート
、イム＋成ポリエステル等がな１適である、以下、具体的な例に即して説明する。
発明者らは、本発明の１実悔例として、液晶表示素子の
液晶、；萬勅用アクティブマ） ＋１クス型基板を、薄
膜トランジスター基板として作製してみた。
２′１図−′、ｉ−１液晶表示素子の１画素単位の等価
回路を示している。図中、わ号１０１ 、 １０２は、
それぞれ１、行目、１＋１行目のゲート酊り液を、杓号
１（１３はＪ夕１１目のデータ自己年頃を示す。また、
若干刊１０４は、〕行Ｊ列のスイッチング薄喚トランジ
スター、わ号ｉｏｓは、重荷保持用のキャパシター、符
号１０６は、液晶によるキャパシターを、それぞれ示す
。
さて、薄７１、・箒トランジスターの作製方法は、前シ
１（の特開昭５６−２３７８０号公報等に開示された方
法が知られているが、これらの方法は、いずれも、堆積
（テポジション）、表面酸化、熱拡散等、高温で処理す
る工程を含むから、可鉱性を有する基板として、プラス
チックフィルム等、耐熱性のないものを用いる場合には
、使用できない。
そこで、発明肴らは、以下の如き手働で１．町膜トラン
ジスターマトリックスを形成した。これを、牙２図を参
照して説明する。
矛２図において、で１号】ば、可撓性を治する臥板であ
って、ポリエーテルスルボンの透明フィルムである。
この基板ＩＫ、ゲート電険２と、爾′４ドｒ 、、′、
：持用のキャパシターの一方の１も雛とたーる昂、（１
・１１：３とを、形成した（ン：・２図（１））。これ
ら箱俺２．３の形成は、蒸着形成により行った。
ゲートＭｔ１２は、牙１図のトランジスター１０４のゲ
−１ｔａ’％となるべぎもので、矛ｌＩ￥ｉから明らか
なように、ゲート酉已線１０１Ｖｃ接続される。士た、
電極３ば、キャパシター１（１５の−カの電極となるべ
きものであって、ゲート配置１ｄｒｏｚに接Ｆｊｌされ
る。。
なお、電極２，３は、ｌ・々化インジウムで形成したが
、金、アルミニウム衡−を用いてもよい。
次に、とのす（傘２．３の±からさらに、Ｑｌ！緑Ｗ４
を形成した（男・２図（１））。絶縁膜４の材料は五酸
化タンクル、膜形成は蒸着形成である。
さらに、この絶縁膜４の上から、ゲート電極２の上部に
、半導体膜５を形成した。半導体膜５の材料はテルル、
膜形成は蒸着形成である。
次ぎに、酸化インジウムの蒸着によって、ソース箱棒６
、トビイン市極７を形成した。この状態な牙２図（］Ｖ
）に示す。
ソース電極６ば、２・１図に示す如く、データ配線１０
３に接続される。
また、ドレイン電極７は、電■３とともに、キャパシタ
ーＩυ５を構成し、がっ、液晶駆産Ｉ用電極となる。
このようにして、薄膜トランジスターマトリックス基板
が得られた。電極２．３の形成からソース、ドレイン電
＠ ６ 、 ７の形成に到るまで、すべて、蒸着で行っ
た訳であるが、蒸着形成では、基板ｌを基板の変形高温
以上に加熱することなく膜形成が可能であるので、薄膜
トランジスターの作製のきい、基板１が熱でそこなわれ
ることがない。
なお、膜形成手段として、蒸着のかわりにスパッタリン
グを用いても同様の効果が得られろ。
このようにして得られた、薄膜トランジスターにつき、
坩・３図の如きスイッチング特性を確認した。各曲線３
−１．３−２．３−３．３−４に対し、パラメーターと
しての、データ配線１０３の電圧ＶＤ は、それぞれ、
＋２Ｖ、ＵＶ、’−２Ｖ、−４Ｖである。
トレイン電流か流れると、これにズ・」応する液晶画素
が側角されることになる。
その後、この薄膜トランジスター基板の表面に、配向処
理膜をさらに形成し、表面をラビングした。
また、酸化インジウム膜を形成した板部材に配向処理を
殉し、１０μｍ径のプラスチックビーズを、分散させ、
この板部材と、上ｇピの如く得られた、液晶駆動用アク
ティブマトリクス型基Ｉ７ｇとを、ヌ・Ｊ向させ、周辺
を接着材により／−ルし、内部？１…に液晶を封入して
液晶セルとした。さらに偏光方向が互いに直交した偏光
板の間に、液晶セルを挟持させることにより、ムＪ撓件
のある、アクティブマ） ｌ）クス型液晶表示装音が得
られた。
（効 果）以上、本発明によれば新規な、薄膜トランジスター基板
を掠供でとる。
この薄膜トランジスター基板は、Ｔｈｌ撓性を有１“る
基板上に、薄膜トランジスターを形成するので、形状の
自由度か犬とく、また喧−硅化も容易で、１１衝察性に
もすぐれ、作業性も極めて良好である。
従って、センザー、能動素子９回路基板４・−として用
いられる際、これらの設置態位や、作業手１１１ｉに大
ぎな自由度か得られ、設計の自由串“も九・犬する。な
お、基板として、各種プラスチックをｌｌ−１いること
に関しては、従来、プラスチック中の不純物の存在の影
きょ５等から、プラスチックをノル−板として薄膜トラ
ンジスターを作製しても充分な機能を有するトランジス
ターがイ；、トられないとの見解が文献的であったが、
本発明者らの発明によれば、硬質基板を用いる場合に比
して優劣つけがたい機能を有する薄膜トランジスター基
板か得られた。
【図面の簡単な説明】矛１図は、本発明の１実殉例の、１儀位の２を価回路を
示す図、１・２図は、薄：ｊｔ４ トランジスター作製
の手順を示すｈ９９図、坩・３図は、本発明によるン、
ｆ Ｉｔ雉トランジスター基４反の、スイッチング心１
１−を示す図である。■・・・可撓性を有Ｎ′７）基板、２・・ゲート市ｔｉ
４Ｉ、４・絶１ぺＪ嘆、５・・半導体膜、６・ソース雷
障、７・・トレイン１■１（酎’？’１ Ｋゲート電圧