【発明の詳細な説明】この発明は半導体素子の製造法に関する。[Detailed description of the invention]The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体素子の製造は、一般にＳｉ，ＧａＡＳ，Ｇａｐな
どの一枚の半導体基板上にェピタキシャル成長や不純物
拡散などの処理をほどこして所望の機能を有する複数の
半導体素子領域を形成し、しかる後これにダィシングな
どを施して分割溝により各素子間を機械的に分割して素
子を得、この素子を製品にくみたてている。Generally, semiconductor devices are manufactured by forming a plurality of semiconductor device regions having desired functions on a single semiconductor substrate such as Si, GaAS, or GAP by performing treatments such as epitaxial growth and impurity diffusion. The elements are obtained by performing dicing or the like and mechanically dividing each element using dividing grooves, and these elements are assembled into products.
この分割の手段として第１図に示すように接着剤２の塗
布された伸展性に富むシート３に半導体基板１を貼着し
、分割溝４を形成して後シートに外力を加えることによ
って分割を達成して素子５を得ると同時に、分割後の微
小な素子の散乱を防止する方法が広く行なわれているが
、分割して後分割面が相互に衝接したりして相互に干渉
し合うといった不具合がある。このような半導体素子を
くみたてて製品とする工程が自動化されるに際し、各素
子を一定の配列に並べて供給することが要望され、これ
にはシートに貼付して分割するときにはある程度強く貼
付でき、シートから素子をはがすときには容易にとれる
ことが必要であって、これには従来の方法では所望通り
十分にその要望に添うことができなかつた。この発明は
この点にかんがみなされたものであって、第１のシート
に半導体基板を貼付したまま半導体素子に分割し、第１
のシートの貼付されていない半導体基板の他の王面に第
２のシートを貼付して後、第１のシートを剥離して第２
のシート上に所定の配列の半導体素子を得る製造方法を
提供するものである。As a means of this division, as shown in FIG. 1, the semiconductor substrate 1 is pasted on a highly extensible sheet 3 coated with an adhesive 2, a dividing groove 4 is formed, and an external force is applied to the rear sheet. A widely used method is to obtain the element 5 by achieving this and at the same time prevent the scattering of minute elements after division. There are some problems. When the process of assembling such semiconductor elements into products becomes automated, it is required to supply each element in a fixed array, and this requires a certain degree of strength when pasting it onto a sheet and dividing it. It is necessary that the element be easily peeled off from the sheet, and conventional methods have not been able to fully meet this requirement. This invention has been made in view of this point, and the semiconductor substrate is divided into semiconductor elements while being attached to the first sheet, and the first sheet is divided into semiconductor elements.
After pasting the second sheet on the other top surface of the semiconductor substrate to which the sheet has not been pasted, the first sheet is peeled off and the second sheet is pasted.
The present invention provides a manufacturing method for obtaining semiconductor elements in a predetermined arrangement on a sheet.
すなわち半導体基板を第１のシートに貼着するとき、シ
ートに対向する基板の主面に樹脂薄膜を形成してシート
に貼付し、素子に分割後容易に第１のシ−トが剥離でき
て、第２のシート上に素子が貼付され配列される。以下
この発明の実施例について説明する。That is, when a semiconductor substrate is attached to a first sheet, a thin resin film is formed on the main surface of the substrate facing the sheet and attached to the sheet, so that the first sheet can be easily peeled off after being divided into elements. , the elements are attached and arranged on the second sheet. Examples of the present invention will be described below.
半導体素子としてＧａｐ発光素子を例として次に述べる
。第２図に示すように１１はェピタキシャル成長や不純
物拡散などがほどこされたＧａｐ基板にして、この基板
１ １の一主面に溶剤に溶解したビニール系樹脂を塗布
して後乾燥し、樹脂薄膜１２をタ生成する。この樹脂薄
膜を有する主面をアクリル系接着剤１４の塗布された第
１のシート１３に対向させて基板１１を第′１のシート
・１３に貼着する。次いで第２図に示すようにシートの
貼付されていない基板１１の他の主面１５から所定の大
きさの発光素子が得られるように分割溝１６をダィシン
グによって形成する。シートを介して加圧しながらシー
トを外周方向にひつばると、分割溝に沿って所定通り基
板が割れ、所定通りのＧａｐ発光素子１７が得られる。
この状態を第２図Ｃに示す。第１のシート１３上に分割
されたＧａｐ発光素子１７が得られ、樹脂薄膜１２も同
じように分割されて発光素子１７の一面に付着している
。次いで接着剤１８が表面に塗布された第２のシート１
９を第１のシート１３が貼着されていない基板の他の主
面２０に（この主面は引きのばしたままの状態の第１の
シート上にはりついている素子の第１のシートと反対側
の主面であって）接着剤の塗布された面を対向させて貼
付して後、第２図０に示すように、矢印の方向に第１の
シート１３を剥離する。このとき樹脂薄膜１２は第１の
シートの接着剤に付着したまま素子からはなれ、発光素
子群は第２のシート上に付着、配列されることになる。
このような状態にされた発光素子を半導体発光装置に組
みこむときには、何れの素子も同一の主面を上にしてシ
ート上に適切な間隔をおいて配列されているので、きわ
めて能率よく作業をすすめることができる。このように
この発明の方法によると、樹脂薄膜をシートと基板との
間に介在させて基板を貼着しているので、貼着時は薄膜
が溶液の状態で塗布され乾燥されて基板の表面にある凹
凸部の凹部にまで入りこんで、シートへの基板の密着性
がきわめてよくなり、他方シート面や基板の貼着主面と
直角方向の力に対しては樹脂薄膜の抗剥理強度は弱く、
第１のシートからはがすためにシートに直角方向の力を
加えたときにはきわめて容易に剥離させることができる
。A gap light emitting device will be described below as an example of a semiconductor device. As shown in FIG. 2, 11 is a gap substrate that has been subjected to epitaxial growth and impurity diffusion, and one main surface of this substrate 11 is coated with vinyl resin dissolved in a solvent, and then dried. A thin film 12 is produced. The substrate 11 is attached to the '1st sheet 13 with the main surface having the resin thin film facing the first sheet 13 coated with the acrylic adhesive 14. Next, as shown in FIG. 2, dividing grooves 16 are formed by dicing from the other main surface 15 of the substrate 11 to which no sheet is attached so that light emitting elements of a predetermined size can be obtained. When the sheet is stretched in the outer circumferential direction while applying pressure through the sheet, the substrate is cracked in a predetermined manner along the dividing grooves, and a predetermined Gap light emitting element 17 is obtained.
This state is shown in FIG. 2C. A Gap light emitting element 17 is obtained which is divided on the first sheet 13, and the resin thin film 12 is also divided in the same way and attached to one surface of the light emitting element 17. Then a second sheet 1 with adhesive 18 applied to the surface
9 to the other main surface 20 of the substrate to which the first sheet 13 is not attached (this main surface is attached to the first sheet of the element stuck on the stretched first sheet). After affixing the first sheet 13 with the adhesive-coated surfaces facing each other (the opposite main surface), the first sheet 13 is peeled off in the direction of the arrow, as shown in FIG. 20. At this time, the resin thin film 12 is separated from the elements while remaining attached to the adhesive of the first sheet, and the light emitting elements are attached and arranged on the second sheet.
When the light emitting elements in this state are assembled into a semiconductor light emitting device, the work can be done extremely efficiently since all the elements are arranged with the same main surface facing up and at appropriate intervals on the sheet. I can recommend it. As described above, according to the method of the present invention, the resin thin film is interposed between the sheet and the substrate to attach the substrate, so that the thin film is applied in a solution state and dried to cover the surface of the substrate. The adhesiveness of the substrate to the sheet is extremely good by penetrating into the concave portions of the uneven parts, and on the other hand, the anti-peeling strength of the resin thin film is low against forces in the direction perpendicular to the sheet surface and the main surface to which the substrate is attached. weak,
When a force is applied to the sheet in a perpendicular direction to separate it from the first sheet, it can be peeled off very easily.
このために前述したように引きのばした状態のシート上
にではなく、第２のシート上に所定通りの間隔を保って
半導体素子を配列させることができ、シートからの半導
体素子の取りだしも何らの損傷もなくきわめて容易に行
なうことができて、従釆のものに比べ能率的で、特性に
むらがなく、工程の自動化に寄与することができる。以
上はＧａｐ発光素子について説明したが、これに限るも
のではなく、半導体基板から半導体素子を分割して形成
するものについては何れの種類のものに対しても適用さ
れるこというまでもない。For this reason, the semiconductor elements can be arranged at predetermined intervals on the second sheet rather than on the stretched sheet as described above, and there is no need to take out the semiconductor elements from the sheet. It can be carried out extremely easily without any damage to the structure, is more efficient than conventional methods, has uniform properties, and can contribute to process automation. Although the above description has been made regarding a gap light emitting element, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that the present invention can be applied to any type of element formed by dividing a semiconductor element from a semiconductor substrate.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]第１図Ａ，Ｂ，Ｃは従来の半導体素子を形成する工程を
示す断面図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄはこの発明の半導体
基板から半導体素子をシート上に配列させて形成する工
程を示す断面図である。１ １・…・・半導体基板、１２・・…・樹脂薄膜、１
３・・・・・・第１のシート、１４・・・…接着剤、１
６…・・・分割溝、１７・・・・・・半導体素子、１８
・・・・・・接着剤、１９……第２のシート。第２図第１図第２図FIGS. 1A, B, and C are cross-sectional views showing the process of forming a conventional semiconductor device, and FIGS. 2A, B, C, and D are sectional views showing the process of forming a conventional semiconductor device, and FIGS. 2A, B, C, and D show semiconductor devices formed by arranging them on a sheet from the semiconductor substrate of the present invention. It is a sectional view showing a process. 1 1... Semiconductor substrate, 12... Resin thin film, 1
3...First sheet, 14...Adhesive, 1
6... Division groove, 17... Semiconductor element, 18
...Adhesive, 19...Second sheet. Figure 2 Figure 1 Figure 2