【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は、マウント上に半導体ＰＮ接合素子を配設し、
そのマウント上にかかる半導体ＰＮ接合素子をけさんで
その両側に、当該半導体ＰＮ接合素子の活性層と光学的
に結合された１対の光入出力部、例えば入出力導波路ま
たは入出カレンＸＡを配設した、小型のハイブリッド形
光モジュールを製造するための光モジユール製造法に関
するものである。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention provides a semiconductor PN junction element disposed on a mount,
The semiconductor PN junction device placed on the mount is spaced apart, and a pair of optical input/output portions, such as input/output waveguides or input/output currents XA, which are optically coupled to the active layer of the semiconductor PN junction device are installed on both sides of the semiconductor PN junction device. The present invention relates to an optical module manufacturing method for manufacturing a small-sized hybrid optical module.
との極光モジュールの一例として、かかる半導体ＰＮ接
合素子を有するレーザダイオード光スイッチ（ＬＤ光Ｓ
Ｗ）のモジュール構造の一例を第１図に示す。ここで、
１は半導体ＰＮ接合素子、２゜２′は半導体ＰＮ接合素
子１の活性層と光学的に結合された結合用球レンズ、３
．３’は球レンズ２に対して光学的に結合された結合用
集束性ロッドレンズ、４，４’けロッドレンズ４に対し
て光学的に結合された入出力用単一モードファイバであ
り、これら各部分１〜３をモジュール化用マウント５上
に配設する・Ｖは半、〒体ＰＨ接合素子１への電源端子
、Ｒは電流制限抵抗である。６は光ファイバ４に結合さ
れた光パワ）−タ、７は光ファイバー４に光を入射させ
る光源である。As an example of a polar light module with a laser diode optical switch (LD optical switch) having such a semiconductor PN junction element,
An example of the module structure of W) is shown in FIG. here,
1 is a semiconductor PN junction element, 2°2' is a coupling ball lens optically coupled to the active layer of the semiconductor PN junction element 1, and 3
．． 3' is a coupling focusing rod lens optically coupled to the ball lens 2; 4, 4' is a single mode fiber for input/output optically coupled to the rod lens 4; Each part 1 to 3 is arranged on a modularization mount 5.V is a power supply terminal to the half body PH junction element 1, and R is a current limiting resistor. 6 is an optical power source coupled to the optical fiber 4, and 7 is a light source for inputting light into the optical fiber 4.
従来は、このような光モジュールを以下のよう 。Conventionally, such optical modules were constructed as follows.
な工程で製造していた。まず、半導体ＰＮ接合素子１を
マウント５に固定し、電流駆動端子■より発振闇値電流
以上の順方向電流を流して光を放射させる。しかる後に
、一方の側の球レンズ２をＸＩｙ、りの３軸方向に光軸
調整して半導体ＰＮ接合素子１からの出力光を平行ビー
ムにする。次に、集束性ロッドレンズ３の光軸を調整し
て光パワメータ６の振れが最大になるように調整する。It was manufactured using a similar process. First, the semiconductor PN junction element 1 is fixed to the mount 5, and a forward current higher than the oscillation dark value current is caused to flow from the current drive terminal (2) to emit light. Thereafter, the optical axis of the ball lens 2 on one side is adjusted in the three axes directions of XIy and R to convert the output light from the semiconductor PN junction element 1 into a parallel beam. Next, the optical axis of the focusing rod lens 3 is adjusted so that the deflection of the optical power meter 6 is maximized.
次に、もう一方のレンズ系２’ 、 ３’ 、 ４”の
光軸合せを同様の手続きによって行う。最後に、光パワ
メータ６の代わりに光＠７を他端の光ファイバ４′に接
続して光スイツチング素子としてのＰＮ接合素子１を通
過する光が最大になるようにレンズ系３．３′の光軸調
整を行ってから、マウント５にこれら各部を固定して光
モジュールとする。Next, the optical axes of the other lens system 2', 3', and 4'' are aligned using the same procedure.Finally, instead of the optical power meter 6, the light @7 is connected to the optical fiber 4' at the other end. After adjusting the optical axis of the lens system 3,3' so that the light passing through the PN junction element 1 as an optical switching element is maximized, these parts are fixed to the mount 5 to form an optical module.
続′固定する場合には従来の方法を用いることができる
が、入出力用導波路があらかじめ形成されている所へ光
ＳＷ素子をマウントするようにしてノ・イブリッド形集
積化モジュールを製造する場合には、上述した従来の方
法を適用することはできない０また、ＬＤ光ＳＷ素子を温度制御なしで使用する場合に
は、半導体ＰＮ接合素子１０両端面の反射率が１％以下
とする必要がある。したがって、実用上重要表紙反射率
の半導体ＰＮＮ金倉素子を光ＳＷ素子として用いる場合
には、大電流を注入してもレーザ発振に至らず、ＩＪ：
Ｄ動作となり、出力光パワは非常に小さい。Conventional methods can be used to secure the connection, but when manufacturing a no-brid type integrated module by mounting the optical SW element in a place where input/output waveguides have been formed in advance, it is possible to use conventional methods. In addition, when the LD optical SW element is used without temperature control, the reflectance of both end faces of the semiconductor PN junction element 10 must be 1% or less. be. Therefore, when using a semiconductor PNN Kanakura element with a practically important cover reflectance as an optical SW element, even if a large current is injected, laser oscillation does not occur, and IJ:
It becomes D operation, and the output optical power is very small.
したがって、従来の製造法をとる場合においても、光パ
ワが小さいため、光軸調整は困難である。Therefore, even when using the conventional manufacturing method, optical axis adjustment is difficult because the optical power is small.
しかもまた、ＬＥＤ動作で発光した光パワで光軸を合わ
せた場合には、その調整位置は、半導体ＰＮ接合素子１
の導波モードの結合最適位置とは異なるという欠点があ
った。Moreover, when the optical axis is aligned with the optical power emitted by the LED operation, the adjusted position is the semiconductor PN junction element 1.
The disadvantage is that the optimum coupling position of the waveguide mode is different from the one shown in FIG.
そこで、本発明の目的は、これらの欠点を解決す、るた
めに、半導体ＰＮ接合素子を発光させない状態で光軸合
わせを行う光モジュールの製造法を提供することにある
。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve these drawbacks, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical module in which optical axis alignment is performed in a state where the semiconductor PN junction element does not emit light.
かかる目的を達成するために、本発明では、マウント上
に配設された半導体ＰＮ接合素子と、前記マウント上に
前記半導体ＰＮ接合素子をはさんで両側に配設され、前
記半導体ＰＮ接合素子の活性層と光学的に結合された１
対の先人中力部とを有する光モジュールを製造するにあ
たって、前記１対の巻入出力部を互の光軸を合わせて前
記マ？ント上に固定し、前記１対の入出力部から前記半
導体ＰＮ接合素子の両端面に異なる周波、数で変調され
た光信号をそれぞれ同時に入射さ、せ、前記周波数の各
々において前記半導体ＰＭ接合素子の端子電圧変化が最
大にな今ように前記半導体ＰＮ接合素子の位置を調整し
、その調整が終了した後に前記半導体ＰＮ接合素子を前
記マウント上に固定する。In order to achieve such an object, the present invention includes a semiconductor PN junction element disposed on a mount, and a semiconductor PN junction element disposed on both sides of the semiconductor PN junction element on the mount with the semiconductor PN junction element sandwiched therebetween. 1 optically coupled to the active layer
In manufacturing an optical module having a pair of predecessor center force sections, the pair of winding input/output sections are aligned with each other's optical axes, and the optical axes of the pair of winding input/output sections are aligned with each other. optical signals modulated at different frequencies and numbers are simultaneously incident on both end faces of the semiconductor PN junction element from the pair of input/output parts, and the semiconductor PM junction element is fixed at each of the frequencies. The position of the semiconductor PN junction element is adjusted so that the terminal voltage change of the element is maximized, and after the adjustment is completed, the semiconductor PN junction element is fixed on the mount.
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
本発明によシ半導体ＰＭ接合素子１を発光させることな
く最適結合位置を検出するだめの構成の基本を第２図に
より説明する。ここで、７′は半導体ＰＨ接合素子１と
同程度の発振波長を持つ光源用レーザダイオード、８は
とのレーザダイオード７１にバイアス電流工０を印加す
るだめの直流電源、９．９′はレーザダイオード７′か
らの出力を半導体ＰＮ接合素子１に集光する集光用レン
ズ、１０はレンズ９と９′との間に配置した光アイソレ
ータ、１１は半導体ＰＮ接合素子１の負荷抵抗ＲＬに対
してコンデンサを介して結合した、例えば利得が２２
ｄＢのＲＦ増幅器、１２は増幅器１１からの出力、を受
けるトラッキングスコープを示す。The basic structure for detecting the optimum bonding position without causing the semiconductor PM junction element 1 to emit light according to the present invention will be explained with reference to FIG. Here, 7' is a laser diode for a light source having an oscillation wavelength comparable to that of the semiconductor PH junction element 1, 8 is a DC power supply for applying a bias current of 0 to the laser diode 71, and 9.9' is a laser diode. A condensing lens that condenses the output from the diode 7' onto the semiconductor PN junction element 1; 10 is an optical isolator placed between the lenses 9 and 9'; 11 is a lens for the load resistance RL of the semiconductor PN junction element 1; For example, if the gain is 22
dB RF amplifier, 12 shows a tracking scope that receives the output from amplifier 11.
このトラッキングスコープから、例えば１００ＭＨｚに
固定した電流を測定用光源７′に供給して、１００ Ｍ
Ｈｚで変調し、得られた出力光を２０倍の対物レンズ９
，９′で半導体ＰＮ接合素子１の活性層に注入する。こ
の素子１の端子電圧のＲＦパワをトラッキングスコープ
１２で測定する。From this tracking scope, a current fixed at, for example, 100 MHz is supplied to the measuring light source 7', and the current is 100 MHz.
The output light is modulated at Hz and then passed through a 20x objective lens 9.
, 9' into the active layer of the semiconductor PN junction device 1. The RF power of the terminal voltage of this element 1 is measured with a tracking scope 12.
第３図は、このようにして、半導体ＰＮ接合素子１の端
子電圧で検出されるＲＦパワのビームスポット位置依存
性を測定した結果を示したものである。ここで、Δｙは
活性層の厚さ方向、ΔＸは活性層の平行方向、およびΔ
２は光軸方向にビームスポットをそれぞれ変位させたと
きのＲＦパワの変動を示す。FIG. 3 shows the results of measuring the beam spot position dependence of the RF power detected by the terminal voltage of the semiconductor PN junction element 1 in this manner. Here, Δy is the thickness direction of the active layer, ΔX is the parallel direction of the active layer, and Δ
2 shows the fluctuation of RF power when the beam spot is respectively displaced in the optical axis direction.
この結果から、ＲＦパワが３ （ＩＢ落ちる変位量は、
ΔＸ、Δ２共に１５μｍ、Δｙは±１μｍと々ることが
わかる。したがって、レンズによる結合のかわりに入出
力用光導波路から光ビームを１０μｍ程度の間隙で活性
層に注入し、このＰＮ接合素子の端子電圧の変化を測定
することによって高精度に光軸合せを行うことができる
。From this result, the RF power is 3 (the amount of displacement where IB falls is
It can be seen that both ΔX and Δ2 are 15 μm, and Δy is ±1 μm. Therefore, instead of coupling using a lens, a light beam is injected from an input/output optical waveguide into the active layer with a gap of about 10 μm, and the optical axis can be aligned with high precision by measuring the change in the terminal voltage of this PN junction element. be able to.
本発明はかかる実験結果に基いてなしたものであって、
第４図は本発明を実施する一例を示す構成図である。こ
とで、１は結合用入出力導波路に対して光軸合せをした
後に固定されるべき半導体ＰＮ接合素子である。１３お
よび１４は光源としてのレーザダイオード７′および７
′をそれぞれ周波数ｆ、およびｆ２で変調するだめのド
ライバ、１５は変調周波数ｆ、およびｆ２に同調してＲ
Ｆパワを検出する選択レベルメータであり、ドライバ１
３および１４からの周波数ｆ１およびｆ２の信号によシ
、それぞれ独立に同調して、入力レベルを測定すること
ができる。１６および１６′はそれぞれ光ファイバ４お
よび４′に結合されたモジュール用入出力導波路のコア
であり、両コア１６と１６′との間に半導体ＰＮ接合素
子１を配置する。１７はこの素子１へ接続されたリード
ワイヤ、１８はＡｕめっき層などによる端子用導通層で
ある。The present invention was made based on such experimental results, and
FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of implementing the present invention. Thus, 1 is a semiconductor PN junction element to be fixed after optical axis alignment with respect to the coupling input/output waveguide. 13 and 14 are laser diodes 7' and 7 as light sources.
′ are modulated at frequencies f and f2, respectively; 15 is a driver R tuned to the modulation frequencies f and f2;
It is a selection level meter that detects F power, and is a driver 1
The input level can be measured by tuning independently to the signals of frequencies f1 and f2 from signals 3 and 14, respectively. Numerals 16 and 16' are cores of module input/output waveguides coupled to optical fibers 4 and 4', respectively, and a semiconductor PN junction element 1 is disposed between both cores 16 and 16'. 17 is a lead wire connected to this element 1, and 18 is a conductive layer for terminals such as an Au plating layer.
第４図に示した導波路部分をＧＶＤ法や、スパッタ法等
で形成した光導波路とした徊を第５図に示す。第５図に
おいて、２１は基板であり、熱伝導性を考慮してシリコ
ンやセラミックスガとを用いる。この基板２１上には上
述した端子用導通層１８を配置し、その導通層１８上に
ＯＶＤ法を用いてクラッド層２２を配置し、そのクラッ
ド層２２内に１本の連続したコア１６ 、１６’を埋め
込んで入出力導波路を構成する。この導波路の途中を反
応性スパッタ法やダイシングマシンなどで導通層１８ま
で切シ欠く。その切欠部にヒートシンク２３−を導電性
ロウ剤、たとえばハンダ２４によって固定する。ヒート
シンク２３上には半導体Ｐ−Ｎ接合素子１を載置し、以
てその両端面が入出力導波路と対向し、その活性層はコ
ア１６ 、１６’と対向するようにする。FIG. 5 shows how the waveguide portion shown in FIG. 4 is made into an optical waveguide formed by the GVD method, sputtering method, or the like. In FIG. 5, 21 is a substrate, which is made of silicon or ceramics in consideration of thermal conductivity. The above-described conductive layer 18 for terminals is placed on this substrate 21, and a cladding layer 22 is placed on the conductive layer 18 using the OVD method. ' to configure the input/output waveguide. A cutout is made in the middle of this waveguide up to the conductive layer 18 using a reactive sputtering method, a dicing machine, or the like. A heat sink 23- is fixed to the notch using a conductive brazing agent, such as solder 24. The semiconductor PN junction element 1 is placed on the heat sink 23, so that its both end faces face the input/output waveguide, and its active layer faces the cores 16 and 16'.
クラッド層２２を上部電極となし、ここにリードワイヤ
１７を接続し、ロウ剤２４により導通状態となっている
導通層１８を下部電極となして、これら両電極間の電圧
を選択レベルメータ１５に供給し、周波数ｆ１およびｆ
２の電圧のレベルを測定する。そのために、ドライバ１
３および１４からの信号により選択レベルメータ１５を
周波数ｆ１およびｆ２に同調させておき、その状態で、
光源７′および７′をそれぞれ周波数ｆ、およびｆ２で
変デすることにより、入出力導波路からそれぞれ異なっ
た周波数ｆ１およびｆ２で変調された光信号を半導体Ｐ
Ｎ接合素子１の活性層に注入する。ここで、選択レベル
メータ１５はｆｌおよびｆ２に各々独立して同一を取る
ことができるので、入射側お゛よび出射側とも別個に光
軸合せを行うことができ、したがって入出力導波路と半
導体ＰＮ接合素子とを容易に最適位置に合わすことがで
きる。そこで、ロウ剤２３を溶かした状態で、半導体Ｐ
Ｎ接合素子１を最適位置に定め、その位置でロウ剤２３
を冷却して素子１を固定する。々お、入出力導波路と半
導体ＰＮ接合素子１との間隙が１０μｍ以上になると、
結合損失が増大するので、ビームスポットサイズの整合
を取る必要がある。The cladding layer 22 is used as an upper electrode, the lead wire 17 is connected thereto, the conductive layer 18 which is in a conductive state by the brazing agent 24 is used as a lower electrode, and the voltage between these two electrodes is measured by a selected level meter 15. and frequencies f1 and f
Measure the voltage level of step 2. For that, driver 1
The selection level meter 15 is tuned to frequencies f1 and f2 by the signals from 3 and 14, and in that state,
By varying the frequencies f and f2 of the light sources 7' and 7', respectively, optical signals modulated at different frequencies f1 and f2 are transmitted from the input and output waveguides to the semiconductor P.
It is implanted into the active layer of the N-junction device 1. Here, since the selection level meter 15 can independently take the same values for fl and f2, the optical axis alignment can be performed separately on the incident side and the output side, and therefore the input/output waveguide and the semiconductor The PN junction element can be easily adjusted to the optimum position. Therefore, with the soldering agent 23 dissolved, the semiconductor P
Set the N-junction element 1 at the optimum position, and apply the brazing agent 23 at that position.
The element 1 is fixed by cooling. When the gap between the input/output waveguide and the semiconductor PN junction element 1 becomes 10 μm or more,
Since the coupling loss increases, it is necessary to match the beam spot size.
第６図は入出力導波路として光ファイバを用いた例であ
り、コア１６ 、１６’とクラッド２２とを光ファイバ
３０の形態とする。本例にｔいては、まず、導通層１８
の上に光ファイバ３０を固定層３１で固定する。固定層
３０の材料としては、接着剤あるいはハンダを用いるこ
とができる。次に、反応性スパッタ法やダイシングマシ
ンを用いて、光ファイバ３０から導通層１８にまで至る
切欠をうがち、導通層１８を露出させる。この段階で光
ファイバ３０の端面を緩衝濃酸で軽く選択エツチングす
ることによってそのコア１６ 、１６’を突出させて集
光レンズとして作用させる。次に、基板２１を加熱して
ロウ剤２４を溶かした状態で上述の光軸合せを行ってか
ら半導体ＰＮ接合素子１を最適位置で固定する。FIG. 6 shows an example in which an optical fiber is used as an input/output waveguide, and the cores 16 and 16' and the cladding 22 are in the form of an optical fiber 30. In this example, first, the conductive layer 18
An optical fiber 30 is fixed thereon with a fixing layer 31. As the material for the fixing layer 30, adhesive or solder can be used. Next, using a reactive sputtering method or a dicing machine, a notch extending from the optical fiber 30 to the conductive layer 18 is made to expose the conductive layer 18. At this stage, the end face of the optical fiber 30 is lightly selectively etched with buffered concentrated acid to cause its cores 16, 16' to protrude and act as a condenser lens. Next, the substrate 21 is heated to melt the brazing agent 24, and the optical axis is aligned as described above, and then the semiconductor PN junction element 1 is fixed at an optimal position.
本発明では、入出力導波路の光軸はあらかじめ合ってい
るため、半導体ＰＮｉ合素子の位置の調整が容易である
。しかも、調整された位置の固定はｑつ剤を用いて行う
ため、光フアイバモジュールの作製時間が短かく１かつ
非常にコンパクトな光モジュールを作製することが・で
きる。In the present invention, since the optical axes of the input and output waveguides are aligned in advance, it is easy to adjust the position of the semiconductor PNi composite element. Moreover, since the adjusted position is fixed using the Q agent, the manufacturing time of the optical fiber module is short, and a single and very compact optical module can be manufactured.
なお、本発明の方法は、半導体ＰＮ接合素子に対する入
出力部にレンズ系を用いたモジュール構造の場合でも容
易に光軸合わせを行うことができることは自明である。It is obvious that the method of the present invention can easily align the optical axis even in the case of a module structure in which a lens system is used as an input/output section for a semiconductor PN junction element.
また、レーザ素子のように光出力を大きくとれる素子の
モジュール化においても、本発明の方法を有効に適用で
きることは明らかである。Furthermore, it is clear that the method of the present invention can be effectively applied to the modularization of elements such as laser elements that can provide a large optical output.
本発明の方法により製造される光モジュールとしては、
次のような種々の形態のものとすることができる。The optical module manufactured by the method of the present invention includes:
It can be of various forms as follows.
（１）発光モジュール活性層の両側から発光する半導体ＰＮ接合素子を用いる
ことによって、両側の入出力導波路から光を取シ出す。(1) By using semiconductor PN junction elements that emit light from both sides of the light emitting module active layer, light is extracted from the input/output waveguides on both sides.
（２） スイッチモジュール入力導波路から半導体ＰＮ接合素子に光を入れ、この半
導体ＰＮ接合素子に電流を流すか流さないかの制御によ
シ、出力導波路から出力光を取シ出すかあるいは遮断す
るかの制御を行う。(2) Input light from the switch module input waveguide to the semiconductor PN junction element, control whether or not current flows through the semiconductor PN junction element, and extract or block output light from the output waveguide. Control what happens.
（６）増幅モジュール半導体ＰＮ接合素子に発振閾値以下の順方向電流を流し
ておくことにより、入力導波路から光信号が入射したと
きＫのみ、増幅された光信号を出力導波路から取シ出す
。(6) By flowing a forward current below the oscillation threshold through the amplification module semiconductor PN junction element, when an optical signal enters from the input waveguide, only K can extract the amplified optical signal from the output waveguide. .
以上のような機能をもつ光モジュールを、光集積回路の
中の一基本構成単位とすることができる。An optical module having the above-mentioned functions can be used as one basic structural unit in an optical integrated circuit.
以上説明したように、本発明によれば半導体ＰＮ接合素
子の入力部および出力部の双方からそれぞれ異攻っだ周
波数で変調された光信号をこの半導体ＰＮｉ合素子に注
入して光軸合わせな行うので、以下のような利点がある
。As explained above, according to the present invention, optical signals modulated at different frequencies from both the input and output parts of a semiconductor PN junction element are injected into this semiconductor PNi junction element to align the optical axis. This has the following advantages:
（１） 完全無反射端の素子でもモジュール化できる。(1) Even completely non-reflective end elements can be modularized.
（２）組み立て時に半導体ＰＭ接合素子に電流を注入し
て発光させるようにしないから、信頼度が高い。(2) High reliability is achieved because no current is injected into the semiconductor PM junction element to cause it to emit light during assembly.
（６） 入・出力側の光軸を同時に調整することができ
る０（４）作製時間が短かい。、（５） 変位検出感度が高い。(6) Optical axes on the input and output sides can be adjusted simultaneously (4) Manufacturing time is short. , (5) High displacement detection sensitivity.
（６） 製造の自動化が容易である。(6) Manufacturing automation is easy.
第１図は従来の光スイッチモジュール―適法の説明図、第２図は半導体ＰＮ接合素子の端子電圧を測定する本発
明における測定系の原理を示す構成図、第３図はＭ２図
の測定系において半導体ＰＮ接合素子の端子電圧で検出
したＲＦパワのビームスポット位置依存性を示す図、第４図は本発明の光スイツチモジュール製造法を実施す
るための系を示す構成図、第５図は第４図における導波路として堆積型光導波路を
用いた例を示す断面図、第６図は同じく導波路として光ファイバを用いた例を示
す断面図である。１・・・半導体ＰＮ接合素子、２・・・球レンズ、３・・・集束性ロッドレンズ、４・・・光ファイバ、５・・・モジュール用マウント１６・・・光パワメータ、７．７’、？’・・・光源用レーザダイオード、８・・
・直流電源、９．９′・・・集光用レンズ、１０・・・光アイソレータ、１１・・・′ＲＦ増幅器、１２・・・トラッキングスコープ、１３．１４・・・ドライバ、１５・・・選択レベルメータ、１６ 、１６’・・・入出力用光導波路のコア、１７・
・・す、−ドワイヤ、１８・・・導通層、２１・・・基板、２２・・・クラッド層、２３・・・ヒートシンク、２４・・・ロウ剤、３０・・・光ファイバ、３１・・・固定層。特許出願人 日本電信電話公社代理人 弁理士 谷 義 −Figure 1 is an explanatory diagram of the conventional optical switch module - compliance method. Figure 2 is a configuration diagram showing the principle of the measurement system in the present invention that measures the terminal voltage of a semiconductor PN junction element. Figure 3 is the measurement system of M2 diagram. Figure 4 is a diagram showing the beam spot position dependence of the RF power detected by the terminal voltage of the semiconductor PN junction element, Figure 4 is a configuration diagram showing a system for implementing the optical switch module manufacturing method of the present invention, Figure 5 is FIG. 4 is a sectional view showing an example in which a deposited optical waveguide is used as the waveguide, and FIG. 6 is a sectional view showing an example in which an optical fiber is used as the waveguide. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor PN junction element, 2... Ball lens, 3... Focusing rod lens, 4... Optical fiber, 5... Module mount 1 6... Optical power meter, 7.7 ',? '...Laser diode for light source, 8...
・DC power supply, 9.9'... Focusing lens, 10... Optical isolator, 11...'RF amplifier, 12... Tracking scope, 13.14... Driver, 15... Selection level meter, 16, 16'... Core of input/output optical waveguide, 17.
...su, -d wire, 18... conductive layer, 21... substrate, 22... cladding layer, 23... heat sink, 24... brazing agent, 30... optical fiber, 31...・Fixed layer. Patent Applicant Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation Agent Patent Attorney Yoshi Tani −
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11665084AJPS60261186A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Manufacture of optical module |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11665084AJPS60261186A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Manufacture of optical module |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261186Atrue JPS60261186A (en) | 1985-12-24 |
| JPH0262958B2 JPH0262958B2 (en) | 1990-12-27 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11665084AGrantedJPS60261186A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Manufacture of optical module |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261186A (en) |
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