【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体基
板の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置の前段工程に
おいて半導体基板を予熱するに際して、基板搬送用の保
持アームに半導体基板が保持されているか否かを判別す
るための基板の検出方法に関するものである。The present invention relates to a method for preheating a semiconductor substrate in a pre-process of a CVD film forming apparatus for forming a thin film on the surface of a semiconductor substrate, the semiconductor substrate being held by a holding arm for transporting the substrate. The present invention relates to a method of detecting a substrate for determining whether or not there is a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、集積回路などの半導体装置の製造
システムでは、一般にシリコンからなる半導体基板（ウ
エハ）の表面に、例えば減圧ＣＶＤ法を用いて薄膜が形
成されるが、この成膜に先立って半導体基板を低真空の
環境下において予熱したのちに、この半導体基板をＣＶ
Ｄ成膜装置に送給するようにしている。このように半導
体基板を予熱するのは、半導体基板を大気圧の環境から
いきなり成膜室に供給して薄膜を形成すると、円滑に成
膜できない、形成された薄膜が半導体基板から剥離し易
い、所要の特性を有する薄膜を形成できない等の不都合
が生じ易いからである。2. Description of the Related Art Conventionally, in a system for manufacturing a semiconductor device such as an integrated circuit, a thin film is generally formed on a surface of a semiconductor substrate (wafer) made of silicon by, for example, a low pressure CVD method. After the semiconductor substrate is preheated in a low vacuum environment,
The D film is supplied to the film forming apparatus. Preheating the semiconductor substrate in this way is because, when the semiconductor substrate is suddenly supplied from the environment of the atmospheric pressure to the film forming chamber to form a thin film, the film cannot be formed smoothly, and the formed thin film is easily peeled from the semiconductor substrate. This is because problems such as the inability to form a thin film having the required characteristics are likely to occur.
【０００３】上述のようにＣＶＤ成膜装置の前段工程に
設置されて半導体基板を予熱するためのプリヒート装置
は、一般に図３に示すような構成になっている。すなわ
ち、真空加熱室１の内部は、図示しない真空ポンプなど
の真空装置の駆動により排気されて低真空状態とされる
とともに、耐急熱急冷性を有する石英ガラスからなる上
蓋１４の外面側に設置された基板加熱用ランプヒータ９
からの放熱によって高温に保たれている。予熱するため
の半導体基板２は、支持部材３に片持ち式に支持された
平面視リング形状の保持アーム４に保持されて、駆動源
のステッピングモータ７の回転力を受けて支持部材３を
移動させる搬送駆動機構８の作動により、真空加熱室１
内に搬入されたのちに、ランプヒータ９に対向する加熱
処理部まで移送される。なお、半導体基板２は、保持ア
ーム４おける円形の透孔４ａ内に挿入されると共に透孔
４ａの周縁の保持段部４ｂ上に載置されて保持される。[0003] As described above, a preheating apparatus which is installed in a preceding step of a CVD film forming apparatus and preheats a semiconductor substrate is generally configured as shown in FIG. That is, the inside of the vacuum heating chamber 1 is evacuated to a low vacuum state by driving a vacuum device such as a vacuum pump (not shown), and is installed on the outer surface side of an upper lid 14 made of quartz glass having resistance to rapid heat and rapid cooling. Substrate heating lamp heater 9
It is kept at a high temperature by the heat radiation. The semiconductor substrate 2 for preheating is held by a holding arm 4 having a ring shape in a plan view and supported in a cantilever manner by a support member 3, and moves the support member 3 by receiving the rotational force of a stepping motor 7 as a driving source. The operation of the transport drive mechanism 8 causes the vacuum heating chamber 1
After being carried into the inside, it is transferred to a heat treatment section facing the lamp heater 9. The semiconductor substrate 2 is inserted into the circular through hole 4a of the holding arm 4, and is placed and held on the holding step 4b at the periphery of the through hole 4a.
【０００４】装置全体を制御するマイクロコンピュータ
１０は、ステッピングモータ７の回転を制御して搬送駆
動機構８を作動させ、保持アーム４を、これに保持した
半導体基板２の全体がランプヒータ９に対向するよう加
熱処理部に位置決めして停止させる。それにより、半導
体基板２は低真空の環境下においてランプヒータ９の放
熱により加熱処理される。A microcomputer 10 for controlling the entire apparatus controls the rotation of a stepping motor 7 to operate a transport drive mechanism 8, and causes the holding arm 4 to face the lamp heater 9 with the entire semiconductor substrate 2 held by the holding arm 4. And stop it. Thus, the semiconductor substrate 2 is subjected to heat treatment by heat radiation of the lamp heater 9 in a low vacuum environment.
【０００５】また、マイクロコンピュータ１０は、加熱
処理部に設けられた上部または下部の反射型光センサ１
１，１２からの信号に基づいて保持アーム４上の半導体
基板２の存在の有無を判別し、その判別結果を記憶装置
１３に記憶する。半導体基板２に対する所要時間の加熱
処理が終了すると、マイクロコンピュータ１０は、再び
ステッピングモータ７を回転制御して搬送駆動機構８を
作動させることにより、半導体基板２を次工程のＣＶＤ
成膜装置に送給する。なお、図３には、説明の便宜上、
二つの保持アーム４，４の何れにも半導体基板２が共に
保持されている状態を図示しているが、実際には二つの
保持アーム４，４のうちの何れか一方に交互に半導体基
板２が保持される。The microcomputer 10 includes an upper or lower reflective optical sensor 1 provided in a heat treatment section.
The presence / absence of the semiconductor substrate 2 on the holding arm 4 is determined based on the signals from the first and second 12, and the determination result is stored in the storage device 13. When the heating process on the semiconductor substrate 2 for a required time is completed, the microcomputer 10 controls the rotation of the stepping motor 7 again to operate the transport driving mechanism 8 so that the semiconductor substrate 2 is subjected to the next CVD process.
It is sent to the film forming device. In FIG. 3, for convenience of explanation,
Although the state where the semiconductor substrate 2 is held by both of the two holding arms 4 and 4 is illustrated, in practice, the semiconductor substrate 2 is alternately held on one of the two holding arms 4 and 4. Is held.
【０００６】また、上記の反射型光センサ１１，１２
は、それぞれ投光素子と受光素子とが並設されて、検出
すべき物体からの反射光が受光素子に入射したか否かの
有無により物体を検出するものであるから、検出すべき
物体に対して自体の焦点距離だけ離間する位置決め状態
に設置する必要がある。したがって、下部反射型光セン
サ１２は、その焦点が下方の保持アーム４に保持される
半導体基板２の下面に合致するよう位置調整して、真空
加熱室１の底板部に設置される。一方、上部反射型光セ
ンサ１１は、その焦点が上方の保持アーム４に保持され
た半導体基板２の上面に合致するよう位置調整して、上
蓋１４に設置される。また、上蓋１４は、真空加熱室１
の内部を真空に排気する必要から、リング状のパッキン
１７を介在して真空加熱室１の上壁部の開口に着脱自在
に嵌め込まれている。The above-mentioned reflection type optical sensors 11 and 12
The light-emitting element and the light-receiving element are arranged side by side, and the object is detected based on whether or not the reflected light from the object to be detected has entered the light-receiving element. On the other hand, it is necessary to set it in a positioning state separated by its own focal length. Therefore, the position of the lower reflection type optical sensor 12 is adjusted so that the focal point thereof coincides with the lower surface of the semiconductor substrate 2 held by the lower holding arm 4, and is installed on the bottom plate of the vacuum heating chamber 1. On the other hand, the position of the upper reflection type optical sensor 11 is adjusted so that the focal point thereof coincides with the upper surface of the semiconductor substrate 2 held by the upper holding arm 4, and is installed on the upper lid 14. In addition, the upper lid 14 is provided in the vacuum heating chamber 1.
The inside of the vacuum heating chamber 1 is detachably fitted into the opening of the upper wall portion of the vacuum heating chamber 1 via a ring-shaped packing 17 because it is necessary to evacuate the inside of the chamber to a vacuum.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
プリヒート装置における半導体基板２の検出手段では、
反射型光センサ１１，１２を検出対象の半導体基板２に
対して焦点距離だけ正確に離間するよう位置決めして設
置しなければならないので、反射型光センサ１１，１２
の設置が面倒であって取付作業に手間取ることが多い。
しかも、反射型光センサ１１，１２は、移動中の半導体
基板２を検出するのが困難であることから、半導体基板
２が加熱処理のために静止される加熱処理部に止むなく
設置している。そのため、反射型光センサ１１，１２を
正確に位置決めして設置しても、上部反射型光センサ１
１を設けた上蓋１４は、真空加熱室１の内部が真空に排
気されたときに、外部の大気圧を受けてパッキン１７を
圧潰させながら２点鎖線で示すように真空加熱室１の内
方へ変位する。そのため、上蓋１４に取り付けられた上
部反射型光センサ１１と、上部の保持アーム４に保持さ
れる半導体基板２の上面との間隔は、予め位置決めした
反射型光センサ１１の焦点距離に一致しなくなる。その
結果、上部反射型光センサ１１は、上方の保持アーム４
上に半導体基板２が保持されている場合においても所定
光量の反射光を受光できなくなり、マイクロコンピュー
タ１０は半導体基板２が無いと誤判別する不都合が生じ
る。However, the means for detecting the semiconductor substrate 2 in the above-mentioned preheating apparatus is:
Since the reflection type optical sensors 11 and 12 must be positioned and installed so as to be accurately separated from the semiconductor substrate 2 to be detected by the focal length, the reflection type optical sensors 11 and 12 are required.
Installation is troublesome and installation work is often time-consuming.
Moreover, since it is difficult to detect the moving semiconductor substrate 2, the reflection-type optical sensors 11 and 12 are constantly installed in the heat processing section where the semiconductor substrate 2 is stopped for the heat processing. . Therefore, even if the reflection type optical sensors 11 and 12 are accurately positioned and installed, the upper reflection type optical sensor 1
When the inside of the vacuum heating chamber 1 is evacuated to a vacuum, the upper lid 14 provided with the gasket 1 receives the external atmospheric pressure and crushes the packing 17 as shown by a two-dot chain line. Is displaced. Therefore, the distance between the upper reflective optical sensor 11 attached to the upper lid 14 and the upper surface of the semiconductor substrate 2 held by the upper holding arm 4 does not match the focal length of the reflective optical sensor 11 positioned in advance. . As a result, the upper reflection type optical sensor 11 moves the upper holding arm 4
Even when the semiconductor substrate 2 is held thereon, it is impossible to receive a predetermined amount of reflected light, and the microcomputer 10 may inadvertently determine that there is no semiconductor substrate 2.
【０００８】また、上部および下部の反射型光センサ１
１，１２は、上述のように真空加熱室１の加熱処理部に
おいて内部に突出する状態で上蓋１４および真空加熱室
１の底板部にそれぞれ取り付けられているから、ランプ
ヒータ９により加熱される。Further, the upper and lower reflective optical sensors 1
The lamps 1 and 12 are heated by the lamp heater 9 because they are attached to the upper lid 14 and the bottom plate of the vacuum heating chamber 1 so as to protrude inside in the heat treatment section of the vacuum heating chamber 1 as described above.
【０００９】そのため、反射型光センサ１１，１２の外
装体からはそれの樹脂成分の漏出ガスが発生するという
問題もあった。For this reason, there is also a problem that the resin component of the reflection type optical sensors 11 and 12 leaks from the outer package.
【００１０】そこで、本発明は、基板検出手段を容易な
取付作業で熱影響を受けない箇所に設置しながらも基板
の有無を正確に検出することができる基板の検出方法を
提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of detecting a board which can accurately detect the presence or absence of a board while installing the board detecting means in a place not affected by heat by an easy mounting operation. And
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、保持アームで保持しながら真空加熱室内
の加熱処理部に移送されて加熱処理を施される基板を、
非接触で検出する方法において、前記真空加熱室におけ
る前記加熱処理部から離間した所定箇所に、前記保持ア
ームに保持されて移送中の基板を検出するための透過型
光センサを配置し、前記保持アームが移動を開始してか
ら前記所定箇所を通過する時点を検知し、この検知時点
のタイミングで前記透過型光センサの信号を取り込むと
ともに、その取り込んだ信号に基づき保持アームにおけ
る基板の存在の有無を判別するようにした。In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate which is transferred to a heat treatment section in a vacuum heating chamber and subjected to heat treatment while being held by a holding arm.
In the non-contact detection method, a transmission optical sensor for detecting a substrate being transferred and held by the holding arm is disposed at a predetermined location in the vacuum heating chamber that is separated from the heat treatment unit, and the holding is performed. Detecting a point in time when the arm starts moving and passing the predetermined location, fetching the signal of the transmission type optical sensor at the timing of this detection time, and determining whether or not the substrate exists in the holding arm based on the fetched signal. Was determined.
【００１２】この基板の検出方法は、例えば、保持アー
ムが移動を開始した時点からその移動距離の計測を開始
して、この計測距離により保持アームが所定位置を通過
する時点を検知し、その検知したタイミングで透過型光
センサの信号を取り込むようにする。このときの透過型
光センサの信号は、保持アームに保持された基板が透過
型光センサの光を横切る時点での信号であるから、移動
中の保持アームにおける基板の有無を確実に検出でき
る。In this method of detecting a substrate, for example, the measurement of the moving distance is started from the time when the holding arm starts moving, and the time when the holding arm passes a predetermined position is detected based on the measured distance. At this time, the signal of the transmission type optical sensor is taken in. The signal of the transmission type optical sensor at this time is a signal at the time when the substrate held by the holding arm crosses the light of the transmission type optical sensor, so that the presence or absence of the substrate in the moving holding arm can be reliably detected.
【００１３】この基板の検出方法では、基板検出手段と
して透過型光センサを用いるので、この検出手段の設置
に際しては、単に投光部と受光部とを対向させるだけで
よく、極めて容易に設置できる。また、透過型光センサ
は、検出対象物をこれが遮光することにより検出するも
のであるから、移動中の検出対象物であっても正確に検
出できる。そのため、透過型光センサは加熱処理部から
離間して熱影響を受けない所定位置に設置できるから、
透過型光センサの外装体が加熱されることに起因して樹
脂成分の漏出ガスが発生するといったことは生じない。
さらに、透過型光センサは、設置箇所の変形などによっ
て投光部と受光部との設置間隔が相違しても検出精度が
変わらないので、基板の有無を誤判別することがない。In this method for detecting a substrate, a transmission type optical sensor is used as the substrate detecting means. Therefore, when installing the detecting means, it is only necessary to make the light projecting part and the light receiving part face each other, and it is extremely easy to install. . Further, since the transmission type optical sensor detects a detection target object by blocking the detection target object, it can accurately detect a moving detection target object. Therefore, since the transmission type optical sensor can be installed at a predetermined position that is not affected by heat by being separated from the heat treatment unit,
Heat generation of the exterior body of the transmission type optical sensor does not cause generation of leakage gas of the resin component.
Further, in the transmission type optical sensor, the detection accuracy does not change even if the installation interval between the light emitting unit and the light receiving unit is different due to deformation of the installation location or the like.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照しながら詳述する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１５】図１は本発明の基板の検出方法を具現化し
た一実施の形態に係るプリヒート装置を示す概略構成図
であり、同図において、図３と同一若しくは同等のもの
には同一の符号を付してその説明を省略し、以下、図３
と相違する構成についてのみ説明する。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a preheating apparatus according to an embodiment embodying the method for detecting a substrate according to the present invention. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. The description is omitted here, and FIG.
Only the configuration different from the above will be described.
【００１６】半導体基板２の検出手段としては、従来の
半導体基板２を個々に検出していた二つの反射型光セン
サ１１，１２に代えて、投光部１９と受光部２０とから
なる単一の透過型光センサ１８を用いるとともに、この
透過型光センサ１８を、真空加熱室１におけるランプヒ
ータ９に対向する加熱処理部から熱影響を受けない位置
まで離間した箇所の底板部と天壁部とに投光部１９と受
光部２０とを対向させて設置している。As a means for detecting the semiconductor substrate 2, a single light emitting unit 19 and a light receiving unit 20 are used instead of the conventional two reflection type optical sensors 11 and 12 which individually detect the semiconductor substrate 2. And a bottom plate portion and a top wall portion of the vacuum heating chamber 1 which are separated from a heat treatment section facing the lamp heater 9 to a position where the heat treatment section is not thermally affected. At this time, the light projecting unit 19 and the light receiving unit 20 are installed facing each other.
【００１７】また、ステッピングモータ７にはこれの回
転角度を検出するロータリエンコーダ２１を付設してあ
る。このロータリーエンコーダ２１は、光を通す多数の
スリットを一定角度間隔に形成した回転遮蔽板をモータ
７のモータ軸と一体回転するよう設けるとともに、この
回転遮蔽板の両側に光線の投，受光素子を配置して、回
転遮蔽板の回転により光線を通過するスリット数をカウ
ンとする一般的な構成になっている。マイクロコンピュ
ータ１０は、ロータリーエンコーダ２１からのカウント
信号を参照してモータ７を回転制御し、搬送駆動機構８
を介して保持アーム４の移動および停止を制御するとと
もに、透過型光センサ１８の信号を取り込んで記憶装置
１３に記憶させる。The stepping motor 7 is provided with a rotary encoder 21 for detecting a rotation angle of the stepping motor 7. The rotary encoder 21 is provided with a rotary shield plate having a large number of slits through which light passes at a fixed angular interval so as to rotate integrally with the motor shaft of the motor 7, and has light emitting and light receiving elements on both sides of the rotary shield plate. It has a general configuration in which the number of slits through which light beams pass by rotation of the rotary shield plate is counted. The microcomputer 10 controls the rotation of the motor 7 with reference to the count signal from the rotary encoder 21 and
The movement and the stop of the holding arm 4 are controlled via the, and the signal of the transmission type optical sensor 18 is fetched and stored in the storage device 13.
【００１８】つぎに、マイクロコンピュータ１０による
信号処理について、図２のフローチャートを参照しなが
ら説明する。先ず、マイクロコンピュータ１０は、例え
ばロボットのハンドがカセットから半導体基板２を取り
出して保持アーム４に保持させる作動を完了したと判別
するのを待って（ステップＳ１）、保持アーム４の搬送
開始を指令する（ステップＳ２）。すなわち、マイクロ
コンピュータ１０は、モータ７を回転始動させて搬送駆
動機構８を作動させ、保持アーム４を図１の矢印方向に
移動させると同時に、ロータリーエンコーダ２１にカウ
ントの開始を指令し（ステップＳ３）、このカウント値
が所定値に達したか否かを監視し続ける（ステップＳ
４）。この所定値は、保持アーム４が搬送を開始して図
１に２点鎖線で示すように半導体基板２の中央部が透過
型光センサ１８に対向する時点までの移動距離に予め設
定されている。Next, signal processing by the microcomputer 10 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, the microcomputer 10 waits for, for example, the robot hand to determine that the operation of taking out the semiconductor substrate 2 from the cassette and holding the semiconductor substrate 2 on the holding arm 4 is completed (step S1), and instructs the start of transport of the holding arm 4. (Step S2). That is, the microcomputer 10 starts the rotation of the motor 7, activates the transport drive mechanism 8, moves the holding arm 4 in the direction of the arrow in FIG. 1, and instructs the rotary encoder 21 to start counting (step S3). ), And continuously monitors whether this count value has reached a predetermined value (step S).
4). This predetermined value is set in advance to a moving distance until the holding arm 4 starts the conveyance and the center of the semiconductor substrate 2 faces the transmission optical sensor 18 as shown by the two-dot chain line in FIG. .
【００１９】マイクロコンピュータ１０は、ロータリー
エンコーダ２１から入力されるカウント値が所定値に達
した時点で保持アーム４つまり半導体基板２が透過型光
センサ１８に対向する位置に達したと判別して（ステッ
プＳ４）、その時点で透過型光センサ１８の信号を取り
込んで保持アーム４上の半導体基板２の有無を判別する
（ステップＳ５）。ここで、この実施の形態では、二つ
の保持アーム４が上下方向に配置されているが、この二
つの保持アーム４，４には前述のように何れか一方に交
互に半導体基板２が保持されるだけであるから、透過型
光センサ１８を用いて半導体基板２を支障無く検出する
ことができる。なお、透過型光センサ１８の信号による
半導体基板２の有無の判別は、半導体基板２が往復移動
するのに合わせて２回行われる。When the count value input from the rotary encoder 21 reaches a predetermined value, the microcomputer 10 determines that the holding arm 4, that is, the semiconductor substrate 2 has reached the position facing the transmission type optical sensor 18 ( At step S4), the signal of the transmission type optical sensor 18 is taken in at that time, and the presence or absence of the semiconductor substrate 2 on the holding arm 4 is determined (step S5). Here, in this embodiment, the two holding arms 4 are arranged in the vertical direction, but the semiconductor substrate 2 is alternately held on one of the two holding arms 4, 4 as described above. Therefore, the semiconductor substrate 2 can be detected using the transmission optical sensor 18 without any problem. The determination of the presence or absence of the semiconductor substrate 2 based on the signal of the transmission type optical sensor 18 is performed twice as the semiconductor substrate 2 reciprocates.
【００２０】いま、マイクロコンピュータ１０は、保持
アーム４に半導体基板２が存在すると判別した場合、半
導体基板２の検出結果を記憶装置１３に記憶させる（ス
テップＳ６）。ここで、半導体基板２を保持する保持ア
ーム４は、搬送駆動機構８により停止することなく加熱
処理部に向け移動されていくが、マイクロコンピュータ
１０は引き続きロータリーエンコーダ２１からのカウン
ト値を監視して、保持アーム４が加熱処理部の所定位置
まで移動するのに要するカウント値に達した時点でモー
タ７の回転を停止させる。それにより、半導体基板２
は、その全体がランプヒータ９に対向する状態に位置決
めして静止され（ステップＳ７）、低真空状態の環境下
において加熱処理される。When the microcomputer 10 determines that the semiconductor substrate 2 exists on the holding arm 4, the microcomputer 10 stores the detection result of the semiconductor substrate 2 in the storage device 13 (step S6). Here, the holding arm 4 for holding the semiconductor substrate 2 is moved toward the heat treatment unit without being stopped by the transport driving mechanism 8, but the microcomputer 10 continuously monitors the count value from the rotary encoder 21. The rotation of the motor 7 is stopped when the count value required for the holding arm 4 to move to the predetermined position of the heat treatment section is reached. Thereby, the semiconductor substrate 2
The whole is positioned so as to face the lamp heater 9 and is stopped (step S7), and is heated in an environment of a low vacuum.
【００２１】マイクロコンピュータ１０は、保持アーム
４の移動を停止させたときに、ロータリーエンコーダ２
１のカウント値をリセットする（ステップＳ８）と同時
に、自体に内蔵のタイマを駆動させて予め設定された処
理時間の計時を開始し（ステップＳ９）、そのタイマが
カウントアップするのを監視する（ステップＳ１０）。
タイマがカウントアップすると、マイクロコンピュータ
１０は、半導体基板２に対する所要の加熱処理が終了し
たと判別して、再びモータ７を回転させて搬送駆動機構
８を作動させ、加熱処理を施された半導体基板２を真空
加熱室１の外部に搬出する（ステップＳ１１）。この搬
出された半導体基板２はロボットのハンドなどにより保
持アーム４から取り出されて次工程のＣＶＤ成膜装置に
搬送される。When the movement of the holding arm 4 is stopped, the microcomputer 10
At the same time as resetting the count value of 1 (step S8), a timer incorporated therein is driven to start measuring a preset processing time (step S9), and it is monitored that the timer counts up (step S9). Step S10).
When the timer counts up, the microcomputer 10 determines that the required heating process on the semiconductor substrate 2 has been completed, and again rotates the motor 7 to operate the transport driving mechanism 8 so that the semiconductor substrate 2 on which the heating process has been performed. 2 is carried out of the vacuum heating chamber 1 (step S11). The unloaded semiconductor substrate 2 is taken out of the holding arm 4 by a robot hand or the like, and is transported to the next CVD film forming apparatus.
【００２２】一方、マイクロコンピュータ１０は、透過
型光センサ１８の信号に基づき保持アーム４に半導体基
板２が存在しないと判別した場合（ステップＳ５）に、
保持アーム４を加熱処理部で停止させることなく連続的
に移動するよう制御して、真空加熱室１の外部に搬出さ
せる（ステップＳ１１）。最後に、マイクロコンピュー
タ１０は、全ての半導体基板２の処理が終了したか否か
の判別を行い（ステップＳ１２）、終了したと判別する
までステップＳ１にリターンして上述と同様の信号処理
を繰り返す。On the other hand, when the microcomputer 10 determines that the semiconductor substrate 2 does not exist on the holding arm 4 based on the signal of the transmission type optical sensor 18 (step S5),
The holding arm 4 is controlled to move continuously without being stopped in the heat treatment section, and is carried out of the vacuum heating chamber 1 (step S11). Finally, the microcomputer 10 determines whether or not processing of all the semiconductor substrates 2 has been completed (step S12), and returns to step S1 until it is determined that processing has been completed, and repeats the same signal processing as described above. .
【００２３】上記の実施の形態では、半導体基板２の検
出手段として透過型光センサ１８を用いるので、図３に
示す従来の半導体基板２の検出手段である反射型光セン
サ１１，１２のような焦点距離に対する正確な位置決め
が不要であって、単に投光部１９と受光部２０とを対向
させればよく、半導体基板２の検出手段の設置が極めて
容易となる。しかも、透過型光センサ１８は、遮光によ
り半導体基板２を検出するものであるから、移動中の半
導体基板２をも正確に検出できるので、真空加熱室１に
おける加熱処理部から熱影響を受けない位置まで離間し
た箇所に設置している。そのため、投光部１９および受
光部２０は、それらの外装体が加熱されることに起因し
て樹脂成分の漏出ガスが発生するといったことは生じる
ことがない。さらに、透過型光センサ１８は、真空排気
によって真空加熱室１の内方へ変位する上蓋１４には設
置しない上に、投光部１９と受光部２０との設置間隔の
相違によって検出精度が変わることがないので、半導体
基板２の有無の正確な検出結果を得ることができる。In the above embodiment, since the transmission type optical sensor 18 is used as the detecting means of the semiconductor substrate 2, the reflection type optical sensors 11 and 12 which are the conventional detecting means of the semiconductor substrate 2 shown in FIG. Accurate positioning with respect to the focal length is not required, and the light projecting unit 19 and the light receiving unit 20 only have to be opposed to each other, and the installation of the detecting means of the semiconductor substrate 2 becomes extremely easy. In addition, since the transmission type optical sensor 18 detects the semiconductor substrate 2 by blocking light, it can accurately detect the moving semiconductor substrate 2, so that the transmission type optical sensor 18 is not affected by heat from the heat processing unit in the vacuum heating chamber 1. It is installed in a place away from the position. For this reason, in the light projecting unit 19 and the light receiving unit 20, there is no possibility that the leakage gas of the resin component is generated due to the heating of the exterior body. Further, the transmission type optical sensor 18 is not installed on the upper cover 14 which is displaced inward of the vacuum heating chamber 1 by evacuation, and the detection accuracy changes due to a difference in the installation interval between the light projecting unit 19 and the light receiving unit 20. Therefore, an accurate detection result of the presence or absence of the semiconductor substrate 2 can be obtained.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上のように本発明の基板の検出方法に
よれば、保持アームに保持された基板が透過型光センサ
の光を横切る時点での当該センサの信号に基づいて移動
中の基板を検出するようにし、透過型光センサは投光部
と受光部とを単に対向させて設置すればよいことから、
基板の検出手段の設置が極めて容易である。また、透過
型光センサは、加熱処理部から離間して熱影響を受けな
い所定位置に設置できるので、この透過型光センサの外
装体が加熱されることに起因する樹脂成分の漏出ガスの
発生といった不都合が生じない。さらに、透過型光セン
サは、設置箇所の変形などによって投光部と受光部との
設置間隔が相違しても検出精度が変わらないので、基板
の有無を正確に検出することができる。As described above, according to the method for detecting a substrate of the present invention, the substrate being moved based on the signal of the transmission type optical sensor at the time when the substrate held by the holding arm crosses the light of the transmission type optical sensor. And the transmission type optical sensor may be installed with the light emitting unit and the light receiving unit simply facing each other,
It is very easy to install the substrate detecting means. In addition, since the transmission type optical sensor can be installed at a predetermined position which is separated from the heat treatment section and is not affected by heat, generation of leakage gas of resin components due to heating of the exterior body of the transmission type optical sensor. Such inconvenience does not occur. Further, the transmission type optical sensor can accurately detect the presence or absence of the substrate because the detection accuracy does not change even if the installation interval between the light emitting unit and the light receiving unit is different due to deformation of the installation location or the like.
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板の検出方法を
適用した半導体製造システムにおけるプリヒート装置を
示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a preheating apparatus in a semiconductor manufacturing system to which a substrate detection method according to an embodiment of the present invention is applied.
【図２】同上装置におけるマイクロコンピュータの信号
処理を示すフロチャート。FIG. 2 is a flowchart showing signal processing of a microcomputer in the above device.
【図３】従来の基板の検出方法を用いたプリヒート装置
を示す概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a preheating apparatus using a conventional substrate detection method.
１ 真空加熱室 ２ 半導体基板（基板） ４ 保持アーム １８ 透過型光センサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum heating chamber 2 Semiconductor substrate (substrate) 4 Holding arm 18 Transmission optical sensor
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253451AJPH1192944A (en) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | Substrate detection method |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253451AJPH1192944A (en) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | Substrate detection method |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192944Atrue JPH1192944A (en) | 1999-04-06 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9253451APendingJPH1192944A (en) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | Substrate detection method |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192944A (en) |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
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