【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を被加工
物に集光させて加工するレーザ加工装置に関する。特に
は、半導体デバイスの製造プロセス等において用いるの
に好適な、加工レーザのビーム位置を安定的かつ高精度
に検出することができ、加工精度の優れたレーザ加工装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for processing a laser beam by condensing the laser beam on a workpiece. In particular, the present invention relates to a laser processing apparatus which can detect a beam position of a processing laser stably and with high accuracy and is excellent in processing accuracy, which is suitable for use in a semiconductor device manufacturing process or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスにおけるヒューズ加工を
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した配線部分が設け
られることがある。例えばＤＲＡＭにおいては、設計・
製造時に各メモリセル列にヒューズを付設しておくとと
もに予備のメモリセル列を配置しておき、検査時に不良
が判明したメモリセル列のヒューズを切断することによ
り該セル列をデバイス中で隔離するとともに、予備のメ
モリセル列を不良列のアドレスに指定するためのヒュー
ズを切断することにより予備列に代替させ、ＤＲＡＭの
歩留り向上を図っている（特開平１−２２４１８９号参
照）。また、ゲートアレイにおいては、プログラムリン
クと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し一部を選
択的に残すことにより、特定のプログラムをデバイス中
に造り込むことが行われている。前者をレーザリペア、
後者をレーザトリミングと呼ぶ。2. Description of the Related Art An example of fuse processing in a semiconductor device will be described. In a semiconductor device, there is a case where a wiring portion called a fuse for cutting a laser beam is provided. For example, in DRAM,
A fuse is attached to each memory cell column at the time of manufacture, and a spare memory cell column is arranged. The fuse of the memory cell column that has been found defective during inspection is cut off to isolate the cell column in the device. At the same time, a spare memory cell column is replaced with a spare column by cutting a fuse for designating an address of a defective column, thereby improving the yield of DRAM (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-224189). In a gate array, a specific program is built into a device by cutting a part of a fuse in a circuit called a program link and selectively leaving a part of the fuse. Laser repair for the former,
The latter is called laser trimming.
【０００３】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線（幅０．８〜１．５μm 、厚０．３〜１．０μm 、
切断部長さ３〜１０μm ）である。このヒューズにＹＡ
Ｇレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。なお、ヒューズは、通常、透明なＳｉＯ2 膜（０．
２〜０．５μm ）の下に形成されている。切断すべきヒ
ューズの位置データについては、不良部分を検査する別
装置であるテスターからのデータが、オンライン通信や
ＦＤなどのメディアを介してレーザリペア装置に入力さ
れる。レーザリペア装置では、ウェハをＸ−Ｙテーブル
上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの位置を
レーザ光の集光点に自動的に位置合わせしながらヒュー
ズを順次切断する。[0003] A fuse in such a semiconductor device is generally formed of a thin line made of polysilicon or aluminum (a width of 0.8 to 1.5 μm, a thickness of 0.3 to 1.0 μm,
The cut length is 3 to 10 μm). YA to this fuse
A laser beam from a processing laser light source such as a G laser is condensed and irradiated, and the material constituting the fuse is heated and evaporated with light energy to remove the fuse. The fuse is usually made of a transparent SiO2 film (0.
2 to 0.5 μm). As for the position data of the fuse to be blown, data from a tester, which is another device for inspecting a defective portion, is input to the laser repair device via a medium such as online communication or FD. In the laser repair apparatus, the wafer is placed on an XY table and positioned, and the fuses are sequentially cut while automatically aligning the position of the fuse to be cut with the focal point of the laser beam.
【０００４】このようなレーザ加工装置におけるビーム
の位置は、基本的には照射光学系の光軸と同じ位置であ
る。しかし、アライメントレーザ光との位置関係が、温
度等各種条件により変化し、その結果ビーム位置と被加
工部位が数μm 程度変動することがある。上述の半導体
デバイスにおけるヒューズ加工のような高精度を要する
加工では、ビーム位置を計測してそのズレを補正した上
で、被加工部位がぴったりとビーム位置に来るようにウ
ェハステージを位置決めする必要がある。The beam position in such a laser processing apparatus is basically the same as the optical axis of the irradiation optical system. However, the positional relationship with the alignment laser beam changes depending on various conditions such as temperature, and as a result, the beam position and the processed portion may fluctuate by several μm. In processing that requires high precision, such as fuse processing in semiconductor devices described above, it is necessary to measure the beam position, correct the deviation, and then position the wafer stage so that the processed part is exactly at the beam position. is there.
【０００５】従来、このビーム位置計測は、金属の蒸着
膜からなる計測用パターンをステージ上に配置してお
き、この計測用パターンを連続光の加工レーザ光に対し
てスキャンさせ、パターンから反射する光を検出し、こ
の反射光信号とステージの位置信号を処理してビーム位
置を求めていた。信号処理のロジックは、ステージ位置
（座標）をパラメータとして反射光の強度を信号波形と
して描き、この波形をある閾値（スライスレベル）で切
り、波形と閾値と交点を２カ所（立上り、立下り）求
め、その交点の中間点をビーム（中心位置）としてい
た。Conventionally, in this beam position measurement, a measurement pattern formed of a metal deposition film is arranged on a stage, and the measurement pattern is scanned by a continuous processing laser beam and reflected from the pattern. Light was detected, and the reflected light signal and the stage position signal were processed to determine the beam position. The signal processing logic draws the intensity of the reflected light as a signal waveform using the stage position (coordinates) as a parameter, cuts this waveform at a certain threshold (slice level), and intersects the waveform with the threshold at two points (rising and falling). Then, an intermediate point between the intersections was defined as a beam (center position).
【０００６】ところで、レーザ加工装置において、加工
レーザ光を高調波とするために光学系に非線形結晶素子
を組み込むことがあった。例えばＹＡＧレーザの本来の
波長である１，０６４nm（赤外光）を２倍高調波として
波長５３２nm（可視光）としたり、３倍又は４倍高調波
として波長３５５nm又は２６６nm（紫外光）とすること
があった。このように高調波とするのは、波長を短くす
ることによりビーム径を小さくすることができ、加工ヒ
ューズの微細化に対応することが可能になるためであ
る。なお、短波長レーザとしては、ＫｒＦレーザ等のエ
キシマレーザを用いることも考えられるが、エキシマレ
ーザではガスを用いているため、装置のメンテナンスが
大変である。それに対して、ＹＡＧレーザ等を高周波変
調して用いれば装置のメンテナンスが楽という利点があ
る。Incidentally, in a laser processing apparatus, a nonlinear crystal element may be incorporated in an optical system in order to make a processing laser beam a harmonic. For example, 1,064 nm (infrared light), which is the original wavelength of a YAG laser, is 532 nm (visible light) as a second harmonic, or 355 nm or 266 nm (ultraviolet light) as a third or fourth harmonic. There was something. The reason for setting the harmonics in this way is that the beam diameter can be reduced by shortening the wavelength, and it is possible to cope with the miniaturization of the processed fuse. As a short-wavelength laser, an excimer laser such as a KrF laser may be used. However, since an excimer laser uses a gas, maintenance of the apparatus is difficult. On the other hand, if a YAG laser or the like is used after being modulated at a high frequency, there is an advantage that maintenance of the apparatus is easy.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、高調波の連
続光レーザ光は、非線系結晶素子による高調波への変換
効率が極端に悪いので、レーザ出力が極端に小さくな
る。そのため、反射光が弱くなってパターン位置検出信
号のＳ／Ｎ比が下がり、ビーム位置の高精度測定が困難
になるという問題点があった。However, the continuous wave laser light of the harmonic has extremely low conversion efficiency to the harmonic by the non-linear crystal element, so that the laser output becomes extremely small. Therefore, there is a problem that the reflected light is weakened, the S / N ratio of the pattern position detection signal is reduced, and it becomes difficult to measure the beam position with high accuracy.
【０００８】本発明は、高調波のレーザ光を用いた場合
にも、加工レーザのビーム位置を安定的にかつ高精度で
検出することができ、加工精度の優れたレーザ加工装置
を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus which is capable of detecting a beam position of a processing laser stably and with high accuracy even when a harmonic laser beam is used, and which is excellent in processing accuracy. With the goal.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置は、 パルスレーザの加工
光源と、 該光源から出射されたパルスレーザ光を被加
工部位に集光する照射光学系と、 被加工物をパルスレ
ーザ光に対して走査するステージと、 該ステージの位
置検出器と、 該ステージ上であって、上記被加工部位
と実質的に同一の走査平面上に設置された、レーザ光を
反射する計測用パターンと、 該計測用パターンからの
反射光を検出するセンサと、 上記ステージ位置検出器
及び該センサからの信号を入力されて、レーザ光の集光
点（ビーム位置）を算出するビーム位置算出部と、 を
備えることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a laser processing apparatus according to the present invention comprises: a processing light source of a pulse laser; and an irradiation optical system for condensing a pulse laser beam emitted from the light source on a portion to be processed. A system, a stage for scanning the workpiece with the pulsed laser beam, a position detector of the stage, and a stage that is disposed on the same scanning plane as the workpiece to be processed. A measurement pattern that reflects laser light; a sensor that detects light reflected from the measurement pattern; a signal from the stage position detector and the sensor; And b) calculating a beam position.
【００１０】連続光ではなくパルスレーザを使用するこ
とでＳ／Ｎ比の高い反射光信号が得られる。そしてこの
信号から信号波形の近似曲線を導出する等の処理を行
い、その後は従来同様に処理することによりビーム位置
を精度良く計測することができる。By using a pulse laser instead of a continuous light, a reflected light signal having a high S / N ratio can be obtained. Then, a process such as deriving an approximate curve of a signal waveform from this signal is performed, and thereafter, the beam position can be accurately measured by performing the same process as in the related art.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図１は、本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の
全体構成を示すブロック図である。図１のレーザ加工装
置は、加工レーザ光源１、可変アパーチャ３、対物レン
ズ７等からなる加工レーザ照射光学系と、観察光源１
４、対物レンズ７、ＣＣＤカメラ１５等からなる観察光
学系とを有する。加工レーザ光源１は、ＹＡＧレーザ等
のレーザ光源であり、出口部に非線形結晶素子１ａを組
み込んで高調波としてある。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a laser processing apparatus according to one embodiment of the present invention. The laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a processing laser irradiation optical system including a processing laser light source 1, a variable aperture 3, an objective lens 7, and the like;
4, an observation optical system including an objective lens 7, a CCD camera 15, and the like. The processing laser light source 1 is a laser light source such as a YAG laser or the like and has a nonlinear crystal element 1a incorporated in an exit portion to generate a harmonic.
【００１２】加工レーザ光源１から出射されたレーザ光
Ｌ１は、光量可変部２に入射する。光量可変部２には、
透過率の異なる複数のＮＤフィルタが装備されており、
これらのフィルタを選択的に光路に介在させることによ
りレーザ光量が調整される。光量可変部２を出たレーザ
光は、可変アパーチャ３に入射し、同アパーチャ３で断
面形状が整形される。光量可変部２及び可変アパーチャ
３は、いずれも制御部１２にコントロールされる。The laser light L 1 emitted from the processing laser light source 1 is incident on the light quantity variable section 2. In the light amount variable unit 2,
Equipped with multiple ND filters with different transmittance,
By selectively interposing these filters in the optical path, the amount of laser light is adjusted. The laser light that has exited the light amount variable unit 2 enters the variable aperture 3, where the cross-sectional shape is shaped. The light amount variable unit 2 and the variable aperture 3 are both controlled by the control unit 12.
【００１３】可変アパーチャ３を出たレーザ光は、加工
光学系と観察光学系の光軸の交点に配置されているダイ
クロイックミラー４に当って下方に反射される。ダイク
ロイックミラー４から反射したレーザ光は、ダイクロイ
ックミラー４の下に配置されているハーフミラー５を通
過し、次に対物レンズ７に入射し、同レンズ７によって
被加工物（ウェハ）８上の加工点に集光される。The laser beam that has exited the variable aperture 3 is reflected downward by a dichroic mirror 4 disposed at the intersection of the optical axes of the processing optical system and the observation optical system. The laser beam reflected from the dichroic mirror 4 passes through a half mirror 5 disposed below the dichroic mirror 4 and then enters an objective lens 7, where the laser beam is processed on a workpiece (wafer) 8. Focused on a point.
【００１４】被加工物であるウェハ８は、ステージ１１
上に載置されている。ステージ１１は、制御部１２の指
令によって、光軸方向（Ｚ方向）及び光軸直角面内
（Ｘ、Ｙ、θ方向）において走査される。なお、加工レ
ーザ光のフォーカス調整はステージ１１のＺ方向移動に
より行う。ステージ１１の位置は、干渉測長計であるス
テージ位置検出器１０によって±０．０５μm の高精度
で測定される。A wafer 8 to be processed is placed on a stage 11
Is placed on top. The stage 11 is scanned in the optical axis direction (Z direction) and in the plane perpendicular to the optical axis (X, Y, θ directions) according to a command from the control unit 12. Note that the focus adjustment of the processing laser light is performed by moving the stage 11 in the Z direction. The position of the stage 11 is measured with high accuracy of ± 0.05 μm by the stage position detector 10 which is an interferometer.
【００１５】ステージ１１の左端部にはエネルギメータ
１８が置かれている。エネルギメータ１８にレーザビー
ムを当ててレーザエネルギがモニタされ、制御部１２
は、予めわかっている被加工物８に適切な所定のエネル
ギになるように光量可変部２を調整し照射エネルギの設
定を行う。At the left end of the stage 11, an energy meter 18 is placed. The laser energy is monitored by applying a laser beam to the energy meter 18, and the control unit 12
Sets the irradiation energy by adjusting the light quantity variable unit 2 so as to have a predetermined energy appropriate for the workpiece 8 known in advance.
【００１６】次に、図１のレーザ加工装置における観察
光学系について説明する。このレーザ加工装置は、ハロ
ゲンランプ等の観察光源１４を備える。同光源１４から
出射された観察光Ｌ２は、ハーフミラー１３に当って下
方に反射され、前述のダイクロイックミラー４、ハーフ
ミラー５及び対物レンズ７を通って被加工物８を照明す
る。被加工物８から反射した観察光は、対物レンズ７、
ハーフミラー５、ダイクロイックミラー４、ハーフミラ
ー１３を通過してＣＣＤカメラ１５の光電変換面に達
し、同面に被加工物表面の像を結像する。被加工物表面
の像はＴＶモニタ１６に表示されるとともに、図示せぬ
画像処理装置で処理されてアライメント等の用に供され
る。Next, the observation optical system in the laser processing apparatus shown in FIG. 1 will be described. This laser processing apparatus includes an observation light source 14 such as a halogen lamp. The observation light L2 emitted from the light source 14 strikes the half mirror 13, is reflected downward, and illuminates the workpiece 8 through the dichroic mirror 4, the half mirror 5, and the objective lens 7. The observation light reflected from the workpiece 8 is
The light passes through the half mirror 5, the dichroic mirror 4, and the half mirror 13, reaches the photoelectric conversion surface of the CCD camera 15, and forms an image of the surface of the workpiece on the same surface. The image of the surface of the workpiece is displayed on the TV monitor 16 and processed by an image processing device (not shown) to be used for alignment or the like.
【００１７】次にレーザ照射位置（ビーム位置）の測定
について説明する。前述のハーフミラー５の右方にはビ
ーム位置測定用の光量センサ６が配置されている。この
光量センサ６は、加工レーザ光の反射光を、対物レンズ
７及びハーフミラー５を介して受け、その光量を検出す
る。また、ステージ１１の右端部上面には計測用パター
ン９が配置されている。計測用パターン９のステージ１
１上の高さは被加工物８の上面（被加工面）の高さと同
じである。すなわち、計測用パターン９は、被加工面と
Ｚ方向高さの等しい同一走査平面上にある。Next, measurement of the laser irradiation position (beam position) will be described. A light amount sensor 6 for measuring a beam position is disposed on the right side of the half mirror 5 described above. The light amount sensor 6 receives the reflected light of the processing laser light via the objective lens 7 and the half mirror 5, and detects the light amount. The measurement pattern 9 is arranged on the upper surface of the right end of the stage 11. Stage 1 of measurement pattern 9
The height above 1 is the same as the height of the upper surface (work surface) of the work 8. That is, the measurement pattern 9 is on the same scanning plane having the same height as the processing surface in the Z direction.
【００１８】ビーム位置測定におけるビーム走査につい
て説明する。まず、ステージ１１を駆動させ、計測用パ
ターン９に加工ビームが照射されるように、同パターン
９を対物レンズの下に移動する。次に加工レーザ光源１
からパルスレーザを発振させながら、ステージ１１を動
かしてレーザ加工ビームに対して計測用パターン９を
Ｘ、Ｙ方向にスキャンさせる。その反射光は、対物レン
ズ７、ハーフミラー５を介して光量センサ６に入射し、
反射光の光量がモニタされる。また、この時のステージ
１１の位置もステージ位置検出器１０によってモニタさ
れる。これらのセンサと検出器の反射光信号及びステー
ジ位置信号は、制御部１２内のビーム位置算出部１７に
送られる。The beam scanning in the beam position measurement will be described. First, the stage 11 is driven, and the measurement pattern 9 is moved below the objective lens so that the processing beam is irradiated on the measurement pattern 9. Next, the processing laser light source 1
While the pulse laser is oscillating from above, the stage 11 is moved to scan the measurement pattern 9 with respect to the laser beam in the X and Y directions. The reflected light enters the light amount sensor 6 via the objective lens 7 and the half mirror 5,
The amount of reflected light is monitored. The position of the stage 11 at this time is also monitored by the stage position detector 10. The reflected light signal and the stage position signal of these sensors and detectors are sent to a beam position calculator 17 in the controller 12.
【００１９】図２に、加工用レーザに対し計測用パター
ン９をスキャンしたときの出力信号波形及びビーム位置
の算出手法の例を説明するためのグラフを示す。各グラ
フにおいて、横軸はステージ位置、縦軸は反射光光量を
示す。図２（ａ）は、光量の棒グラフである。ビームと
パターンとが重なり始めた位置で光量が立ち上がり、両
者が完全に合致している範囲でフラットな最大光量が得
られ、重なりが少なくなると光量が下がっている。FIG. 2 is a graph for explaining an example of a calculation method of an output signal waveform and a beam position when the measurement pattern 9 is scanned by the processing laser. In each graph, the horizontal axis indicates the stage position, and the vertical axis indicates the amount of reflected light. FIG. 2A is a bar graph of the light amount. The amount of light rises at the position where the beam and the pattern start to overlap, and a flat maximum amount of light is obtained in a range where the two completely match, and the amount of light decreases as the overlap decreases.
【００２０】次に、図２（ａ）の棒グラフのピーク値を
プロットしたのが図２（ｂ）である。なお、このような
グラフが実際にビーム位置算出部１７で描かれる訳では
なく、光量センサ６よりの信号はＡ／Ｄ変換され数値的
な処理が施され、ここで説明するロジックに基づいてビ
ーム位置を求める。Next, FIG. 2 (b) is a plot of the peak values of the bar graph of FIG. 2 (a). Note that such a graph is not actually drawn by the beam position calculation unit 17, but the signal from the light amount sensor 6 is A / D converted and subjected to numerical processing, and the beam is calculated based on the logic described here. Find the position.
【００２１】図２（ｃ）は、図２（ｂ）のピーク値の立
ち上がり部分を拡大して示す。ここでは立ち上がり部に
おける６点のピーク値がプロットされている。さらに、
それらの６点をつなぐ近似曲線５１が実線で描かれてい
る。この近似曲線５１の決定の仕方は次のとおりであ
る。近似曲線は次数ｎとすると以下の式で表わされる。 ｙ＝ａn ｘn ＋ａn-1 ｘn-1 ＋………＋ａｘ＋ｂ （ｎ≧２） したがって、ａn 、ａn-1 ………ａ、ｂの未知の値を求
めるには、以下のようにｎ＋１個のサンプルが必要であ
る。 （例）FIG. 2C is an enlarged view of the rising portion of the peak value in FIG. 2B. Here, the peak values at six points in the rising portion are plotted. further,
The approximate curve 51 connecting these six points is drawn by a solid line. The method of determining the approximate curve 51 is as follows. The approximate curve is represented by the following equation, where the order is n.y = a n x n + a n-1 x n-1 + ......... + ax + b (n ≧ 2)Thus, a n, a n-1 ......... a, to determine the unknown value of b, the following Thus, n + 1 samples are required. (Example)
【００２２】次に、この近似曲線５１とスライスレベル
（閾値）５３との交点を求める。スライスレベル５３の
光量は、計測用パターンから反射される最大光量の５０
％程度に設定する。そして、その交点の座標位置Ｘ１を
読み取る。Next, the intersection between the approximate curve 51 and the slice level (threshold) 53 is determined. The light quantity at the slice level 53 is 50, which is the maximum light quantity reflected from the measurement pattern.
Set to about%. Then, the coordinate position X1 of the intersection is read.
【００２３】図２（ｄ）は、立ち上がり部・立ち下がり
部の近似曲線を含む信号波形である。ここで、立ち下が
り部の近似曲線５５の求め方は、前述の立ち上がり部の
近似曲線５１の求め方と同じである。近似曲線５５とス
ライスレベル５３との交点の座標位置はＸ２である。次
に、Ｘ＝（Ｘ１＋Ｘ２）÷２で信号波形の中心の座標位
置Ｘを求め、これをビーム位置とする。なお、このよう
な操作をＹ座標についても行いビーム位置の算出を完了
する。次に、ビーム位置とウェハステージとの座標補正
を行った後、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集
光点に自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断
する。FIG. 2D shows a signal waveform including an approximate curve of a rising portion and a falling portion. Here, the method of obtaining the approximate curve 55 of the falling portion is the same as the method of obtaining the approximate curve 51 of the rising portion described above. The coordinate position of the intersection between the approximate curve 55 and the slice level 53 is X2. Next, the coordinate position X of the center of the signal waveform is obtained by X = (X1 + X2) / 2, and this is set as the beam position. Such an operation is also performed for the Y coordinate to complete the calculation of the beam position. Next, after correcting the coordinates of the beam position and the wafer stage, the fuses are sequentially cut while automatically aligning the position of the fuse to be cut with the focal point of the laser beam.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、高調波のレーザ光を用いた場合にも加工レー
ザのビーム位置を安定的にかつ高精度で検出することが
でき、加工精度の優れたレーザ加工装置を提供すること
ができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the beam position of the processing laser can be detected stably and with high accuracy even when using the harmonic laser light. A laser processing apparatus with excellent processing accuracy can be provided.
【図１】本発明の１実施例に係るレーザ加工装置の全体
構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a laser processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図２】加工用レーザビームに対し計測用パターンをス
キャンしたときの出力信号波形の例、及び、ビーム位置
の算出手法の例を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing an example of an output signal waveform when a measurement pattern is scanned with respect to a processing laser beam, and an example of a beam position calculation method.
１ レーザ光源 １ａ 非線形結晶
素子 ２ 光量可変部 ３ 可変アパーチ
ャ ４ ダイクロイックミラー ５ ハーフミラー ６ 光量センサ ７ 対物レンズ ８ 被加工物 ９ 計測用パター
ン １０ ステージ位置検出器 １１ ステージ １２ 制御部 １３ ハーフミラ
ー １４ 観察光源 １５ ＣＣＤカメ
ラ １６ ＴＶモニタ １７ ビーム位置
算出部 ５１、５５ 近似曲線 ５３ スライスレ
ベル（閾値）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser light source 1a Nonlinear crystal element 2 Light quantity variable part 3 Variable aperture 4 Dichroic mirror 5 Half mirror 6 Light quantity sensor 7 Objective lens 8 Workpiece 9 Measurement pattern 10 Stage position detector 11 Stage 12 Controller 13 Half mirror 14 Observation light source 15 CCD camera 16 TV monitor 17 Beam position calculator 51, 55 Approximate curve 53 Slice level (threshold)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9167868AJPH115185A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Laser processing equipment |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9167868AJPH115185A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Laser processing equipment |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH115185Atrue JPH115185A (en) | 1999-01-12 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9167868APendingJPH115185A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Laser processing equipment |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH115185A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006187782A (en)* | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing equipment |
| JP2008030092A (en)* | 2006-07-28 | 2008-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Laser processing apparatus and position detection method of workpiece |
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