【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶用ガラス基板などの基板を加熱する基板加熱装置に
関する。The present invention relates to a substrate heating apparatus for heating a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の基板加熱装置としては、基板加熱
用に昇温されるホットプレートを備え、このホットプレ
ートの上面にスペーサとしての複数のボールを配設し、
これらボールの上端に基板をホットプレートの上面から
浮かせた状態で支持するとともに、ホットプレート上方
にホットプレートカバーを配置し、半密閉空間を形成し
て基板を加熱する構成のものが知られている。この構成
によれば、基板裏面の汚染を防止した上で、基板を加熱
することができる。2. Description of the Related Art A conventional substrate heating apparatus includes a hot plate which is heated to heat a substrate, and a plurality of balls as spacers are arranged on an upper surface of the hot plate.
A configuration is known in which a substrate is supported on the upper ends of these balls in a state of being lifted from the upper surface of the hot plate, and a hot plate cover is disposed above the hot plate to form a semi-enclosed space and heat the substrate. . According to this configuration, the substrate can be heated while preventing contamination of the back surface of the substrate.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板を各基
板間において均一に加熱処理するためには、基板を加熱
するためのホットプレート自身の設定温度を所望の温度
に保つことが要求される他に、基板自身が加熱処理時に
置かれる周辺の雰囲気温度も一定に保つ必要がある。In order to heat a substrate uniformly between the substrates, it is necessary to maintain a set temperature of a hot plate itself for heating the substrate at a desired temperature. In addition, the ambient temperature around the substrate itself during the heat treatment must be kept constant.
【０００４】しかしながら、この従来の装置において
は、装置の立ち上げ時や、加熱温度をより高く設定した
りまた加熱温度をより低く設定したりする設定温度の変
更時において、ホットプレートの温度は比較的早く設定
温度まで追従させることができるが、基板が支持されて
置かれるべき周辺の雰囲気温度は、ホットプレートから
間接的に熱が伝えられるにすぎないため、温度の追従性
は非常に悪い。そのため、基板が置かれるべき周辺の雰
囲気温度が所望の定常状態の温度となるまでに多大な時
間を要し、装置の稼働効率が低下するといった問題が生
じることとなる。However, in this conventional apparatus, the temperature of the hot plate is not compared when the apparatus is started or when the set temperature is changed such that the heating temperature is set higher or the heating temperature is set lower. Although it is possible to follow up to the set temperature as quickly as possible, the ambient temperature at which the substrate is to be supported and placed is only indirectly transferred from the hot plate, so that the temperature followability is very poor. Therefore, it takes a long time for the ambient temperature at which the substrate is to be placed to reach a desired steady state temperature, which causes a problem that the operation efficiency of the apparatus is reduced.
【０００５】以上のことからこの発明の基板加熱装置
は、装置の立ち上げ時や加熱温度の設定変更が生じたよ
うな場合でも、基板が加熱処理時に置かれる周辺の雰囲
気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させるこ
とのできるようにすることを目的とする。[0005] From the above, the substrate heating apparatus of the present invention quickly adjusts the ambient temperature at which the substrate is placed during the heat treatment to a desired steady state even when the apparatus is started up or the setting of the heating temperature is changed. It is an object of the present invention to be able to shift to a state temperature.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】前
述した課題を解決するための手段として、以下に示す構
成をとった。Means for Solving the Problems and Their Functions / Effects As means for solving the above-mentioned problems, the following configuration is adopted.
【０００７】この発明の基板加熱装置は、上面を昇温可
能なホットプレート上に基板を支持して当該基板を加熱
する基板加熱装置において、前記ホットプレートの少な
くとも上方を覆う部材に、温度を調整可能な温調手段を
設けたことを特徴としている。A substrate heating apparatus according to the present invention is a substrate heating apparatus for supporting a substrate on a hot plate whose upper surface can be heated and heating the substrate. It is characterized in that possible temperature control means are provided.
【０００８】この構成の発明によれば、ホットプレート
の少なくとも上方を覆う材料に、温調手段を設けている
ことから、ホットプレート上方の雰囲気の温度を、温調
手段によっても調整することにより、装置の立ち上げ時
や加熱温度の設定変更が生じたような場合でも、基板が
加熱処理時に置かれる周辺の雰囲気温度を素早く所望の
定常状態の温度まで移行させることができる。According to the invention having this configuration, since the material covering at least the upper portion of the hot plate is provided with the temperature adjusting means, the temperature of the atmosphere above the hot plate is also adjusted by the temperature adjusting means. Even when the apparatus is started up or when the setting of the heating temperature is changed, the ambient temperature at which the substrate is placed during the heating process can be quickly shifted to a desired steady state temperature.
【０００９】前記発明の基板加熱装置において、温調手
段が設けられる部材が、ホットプレートの上方を覆うカ
バーである構成とすることができる。また、温調手段が
設けられる部材が、基板加熱装置全体を収容する筐体に
設けた構成とすることができる。[0009] In the substrate heating apparatus of the invention, the member provided with the temperature control means may be a cover for covering the upper part of the hot plate. In addition, a configuration in which the member provided with the temperature control unit is provided in a housing that houses the entire substrate heating apparatus can be adopted.
【００１０】さらには、前記発明の基板加熱装置におい
て、前記温調手段がペルチェ素子を含む構成とすること
ができる。ペルチェ素子は温度の調整を素早くできるこ
とから、この構成によれば、基板が置かれるべき周辺の
雰囲気の温度をより一層素早く変更することができる。
また、ペルチェ素子を利用した構成であることから、構
造が簡単で小型化が可能となる。Further, in the substrate heating apparatus according to the present invention, the temperature control means may include a Peltier element. Since the temperature of the Peltier element can be quickly adjusted, according to this configuration, the temperature of the surrounding atmosphere where the substrate is to be placed can be changed more quickly.
Further, since the configuration uses the Peltier element, the structure is simple and the size can be reduced.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に基づき説明する。Next, embodiments of the present invention will be described based on examples.
【００１２】Ａ．全体の構成：図１は、この発明の第１
実施例に係わる基板加熱装置が配設された基板処理装置
の全体構成を示す斜視図である。A. Overall Configuration: FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a perspective view illustrating an overall configuration of a substrate processing apparatus provided with a substrate heating apparatus according to an embodiment.
【００１３】図示するように、この基板処理装置は、半
導体ウエハ（以下、基板と呼ぶ）Ｗに対して、塗布処
理、現像処理、加熱処理および冷却処理を行なうための
装置であり、未処理基板や処理済み基板を保管するイン
デクサ部１と、基板Ｗに対して前記一連の処理を行なう
基板処理部２とを有している。1, this substrate processing apparatus is an apparatus for performing a coating process, a developing process, a heating process, and a cooling process on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a substrate) W. An indexer unit 1 for storing the processed substrates and a substrate processing unit 2 for performing the series of processes on the substrate W.
【００１４】インデクサ部１は、基台３の水平な上面に
一列に配置される４個のカセットＣと、カセットＣの配
列方向に沿って移動可能な移載ロボット４とを有してい
る。カセットＣは、それぞれ基板Ｗを上下方向に多段で
収納できるようになっている。また、移載ロボット４
は、カセットＣに対して基板Ｗを出し入れし、基板処理
部２との間で基板Ｗの受け渡しを行なう。The indexer unit 1 has four cassettes C arranged in a row on the horizontal upper surface of the base 3 and a transfer robot 4 movable along the direction in which the cassettes C are arranged. The cassette C can store the substrates W in multiple stages in the vertical direction. In addition, the transfer robot 4
Transfers the substrate W to / from the cassette C and transfers the substrate W to / from the substrate processing unit 2.
【００１５】基板処理部２は、カセットＣの配列方向に
対して直交する方向に配列されたスピンコータ１０およ
びそれぞれ現像処理を行なう２つのスピンデベロッパ１
１、１２と、スピンコータ１０および２つのスピンデベ
ロッパ１１、１２のそれぞれに対向するように配置され
たクーリングユニット１５およびホットユニット１６と
を有している。そして、スピンコータ１０およびスピン
デベロッパ１１、１２とクーリングユニット１５および
ホットユニット１６との間には、これらが配列された方
向に移動可能な搬送ロボット１７が設けられている。The substrate processing section 2 includes spin coaters 10 arranged in a direction orthogonal to the arrangement direction of the cassettes C and two spin developers 1 for performing development processing.
1 and 12, and a cooling unit 15 and a hot unit 16 arranged to face the spin coater 10 and the two spin developers 11 and 12, respectively. A transfer robot 17 is provided between the spin coater 10 and the spin developers 11 and 12 and the cooling unit 15 and the hot unit 16 in a direction in which they are arranged.
【００１６】スピンコータ１０は、基板Ｗの表面にフォ
トレジスト液等を塗布処理するためのものであり、スピ
ンデベロッパ１１、１２は現像処理を行なうためのもの
である。また、クーリングユニット１５およびホットユ
ニット１６は互いに積層されており、それぞれ基板Ｗの
冷却、加熱を行なうためのものである。搬送ロボット１
７は、水平方向および上下方向に移動可能な移動台２０
と、基板Ｗを支持可能なアーム２１とを有している。ア
ーム２１は、移動台２０に対して進退可能に設けられる
とともに、その進退は、移動台２０が水平面内で旋回す
ることによりいずれの方向にも可能となっている。この
ような搬送ロボット１７により、スピンコータ１０およ
びスピンデベロッパ１１、１２とクーリングユニット１
５およびホットユニット１６との間で、またクーリング
ユニット１５とホットユニット１６との間で、さらにイ
ンデクサ部１の移載ロボット４との間で基板Ｗの受け渡
しが可能である。The spin coater 10 is for applying a photoresist solution or the like to the surface of the substrate W, and the spin developers 11 and 12 are for performing a developing process. The cooling unit 15 and the hot unit 16 are stacked on each other, and are for cooling and heating the substrate W, respectively. Transfer robot 1
7 is a movable platform 20 that can be moved horizontally and vertically.
And an arm 21 capable of supporting the substrate W. The arm 21 is provided so as to be able to advance and retreat with respect to the moving table 20, and the arm 21 can move in any direction by turning the moving table 20 in a horizontal plane. By such a transfer robot 17, the spin coater 10, the spin developers 11, 12 and the cooling unit 1 are provided.
The substrate W can be transferred between the transfer unit 4 and the hot unit 16, between the cooling unit 15 and the hot unit 16, and between the transfer robot 4 of the indexer unit 1.
【００１７】このような基板処理装置では、インデクサ
部１にカセットＣが搬入されてくると、そのカセットＣ
内の基板Ｗが移載ロボット４によって基板処理部２の搬
送ロボット１７に引き渡される。搬送ロボット１７は、
予めプログラムされた搬送順序に従ってスピンコータ１
０、スピンデベロッパ１１、１２、クーリングユニット
１５およびホットユニット１６の間で基板Ｗを搬送す
る。各処理部で処理された基板Ｗは、搬送ロボット１７
によってインデクサ部１の移載ロボット４に引き渡さ
れ、カセットＣ内に収納される。In such a substrate processing apparatus, when the cassette C is carried into the indexer section 1, the cassette C
The substrate W is transferred to the transfer robot 17 of the substrate processing unit 2 by the transfer robot 4. The transfer robot 17
Spin coater 1 according to a pre-programmed transfer order
0, the substrate W is transferred between the spin developers 11 and 12, the cooling unit 15 and the hot unit 16. The substrate W processed in each processing unit is transferred to the transfer robot 17.
Is transferred to the transfer robot 4 of the indexer unit 1 and stored in the cassette C.
【００１８】Ｂ．基板加熱装置の構成：次に、基板加熱
装置としてのホットユニット１６の構成を説明する。図
２は、ホットユニット１６の構成を示す説明図である。B. Configuration of Substrate Heating Device: Next, the configuration of the hot unit 16 as a substrate heating device will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating the configuration of the hot unit 16.
【００１９】図示するように、ホットユニット１６の外
側を構成する筐体３０の内部には、ヒータなどの加熱手
段を内部に有して基板Ｗを所望の温度で加熱するための
ホットプレート４０と、基板Ｗの熱処理時にホットプレ
ート４０上に降下して保温のための半密閉空間を形成す
るホットプレートカバー６０とが設けられている。As shown, a hot plate 40 for heating a substrate W at a desired temperature with a heating means such as a heater therein is provided inside a housing 30 constituting the outside of the hot unit 16. And a hot plate cover 60 which is lowered onto the hot plate 40 during heat treatment of the substrate W to form a semi-enclosed space for keeping heat.
【００２０】ホットプレート４０は、筐体３０外から搬
入された基板Ｗを３点支持によって受け取るリフタピン
４２と、このリフタピン４２から基板Ｗを受け取ってホ
ットプレート４０上に支持するプロキシミティギャップ
用ボール４４とを備える。各リフタピン４２は、図示を
省略するアクチュエータによって昇降自在となってお
り、アクチュエータを動作させることにより基板Ｗを水
平に保って昇降させることが可能になる。プロキシミテ
ィギャップ用ボール４４は、ホットプレート４０上に埋
め込まれており、このプロキシミティギャップ用ボール
４４の上端はホットプレート４０の表面から若干突出し
ている。リフタピン４２の下降に伴って下降してきた基
板Ｗをホットプレート４０上にホットプレート４０表面
と平行になるように浮かして支持する。したがって、基
板Ｗは、ホットプレート４０と直接接触することなくプ
ロキシミティギャップ用ボール４４上に支持され、裏面
の汚染が防止されるようになっている。The hot plate 40 includes lifter pins 42 for receiving the substrate W carried in from outside the housing 30 by three-point support, and a proximity gap ball 44 for receiving the substrate W from the lifter pins 42 and supporting the substrate W on the hot plate 40. And Each lifter pin 42 can be moved up and down by an actuator not shown. By operating the actuator, the substrate W can be moved up and down while being kept horizontal. The proximity gap ball 44 is embedded on the hot plate 40, and the upper end of the proximity gap ball 44 slightly protrudes from the surface of the hot plate 40. The substrate W, which has been lowered with the lifter pins 42 being lowered, is floated on the hot plate 40 and supported so as to be parallel to the surface of the hot plate 40. Therefore, the substrate W is supported on the proximity gap balls 44 without directly contacting the hot plate 40, so that contamination on the back surface is prevented.
【００２１】ホットプレートカバー６０は、基板Ｗを上
方から覆う上板部６２と、この上板部６２の周縁から下
方に延びるスカート状の４枚の側板部６４とを備える。
このホットプレートカバー６０は、図示を省略する昇降
機構によって上下動可能となっており、基板Ｗの加熱処
理に際して降下して、ホットプレート４０上に半密閉空
間を形成する。すなわち、ホットプレートカバー６０
は、下方に開口部を有する箱状の形状を有しており、こ
の開口部がホットプレート４０によってわずかな隙間を
残してほぼ密閉される。The hot plate cover 60 includes an upper plate portion 62 that covers the substrate W from above, and four skirt-shaped side plate portions 64 extending downward from the periphery of the upper plate portion 62.
The hot plate cover 60 can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown). The hot plate cover 60 is lowered during the heat treatment of the substrate W to form a semi-enclosed space on the hot plate 40. That is, the hot plate cover 60
Has a box-like shape having an opening at the bottom, and this opening is substantially sealed by the hot plate 40 with a slight gap left.
【００２２】ホットプレートカバー６０の外側の面に
は、温度を調整可能な温調部６６が固着されている。温
調部６６は、ペルチェ効果を利用したペルチェ素子によ
って構成されるもので、ペルチェ素子に供給する電流の
方向を切り換えることにより、加熱も冷却も行なうこと
ができる。温調部６６は、図示しないコントローラによ
って制御された電流を受けることで温度が調整される。
なお、ホットプレートカバー６０は、アルミニウムもし
くはステンレス製である。On the outer surface of the hot plate cover 60, a temperature controller 66 capable of adjusting the temperature is fixed. The temperature control section 66 is configured by a Peltier element utilizing the Peltier effect, and can perform both heating and cooling by switching the direction of the current supplied to the Peltier element. The temperature adjustment unit 66 adjusts the temperature by receiving a current controlled by a controller (not shown).
The hot plate cover 60 is made of aluminum or stainless steel.
【００２３】次にホットユニット１６の動作について、
ホットプレート４０の加熱温度を従前の設定温度であっ
た９０℃から１１０℃に上昇させる場合を例にとり説明
する。まず、ホットプレート４０のヒータなどの加熱手
段の出力を上げ、ホットプレート４０自身の温度を９０
℃から１１０℃まで昇温させるとともに、温調部６６を
構成するベルチェ素子に正方向の所定の電流を供給し、
ホットプレートカバー６０を昇温させる。ホットプレー
トカバー６０が昇温するとホットプレート４０とホット
プレートカバー６０によって形成される半密閉空間内の
雰囲気温度を高めることができる。その結果、基板Ｗが
置かれるべき周辺の雰囲気温度を所望の定常状態の温度
に素早く移すことができる。Next, the operation of the hot unit 16 will be described.
The case where the heating temperature of the hot plate 40 is increased from the previously set temperature of 90 ° C. to 110 ° C. will be described as an example. First, the output of the heating means such as the heater of the hot plate 40 is increased, and the temperature of the hot plate 40 itself is reduced by 90%.
The temperature is raised from 110 ° C. to 110 ° C., and a predetermined positive current is supplied to the Peltier element constituting the temperature control unit 66.
The temperature of the hot plate cover 60 is raised. When the temperature of the hot plate cover 60 rises, the ambient temperature in the semi-enclosed space formed by the hot plate 40 and the hot plate cover 60 can be increased. As a result, the ambient temperature at which the substrate W is to be placed can be quickly shifted to a desired steady state temperature.
【００２４】ホットプレート４０自身の温度を１１０℃
に設定することが完了するとともに、基板Ｗが置かれる
べき周辺の雰囲気温度を所望の定常状態の温度に移すこ
とが完了すると、ホットプレート４０にて基板Ｗの加熱
処理が行なえる状態となる。そこで、搬送ロボット１７
により基板Ｗをホットユニット１６に搬入し、基板Ｗの
加熱処理を行なう。基板Ｗをホットユニット１６へ搬入
するにあたっては、予めホットプレートカバー６０およ
びリフトピン４２を上昇させておき、搬送ロボット１７
のアーム２１に支持された未処理基板をリフトピン４２
に載せる。そして、リフトピン４２を降下させてプロキ
シミティギャップ用ボール４４上に基板Ｗを載せ替え、
ホットプレート４０上に載置して所定時間基板Ｗの加熱
処理を行なう。加熱処理が終了すると、リフトピン４２
を上昇させて再び基板Ｗをリフトピン４２上に支持し、
搬送ロボット１７のアーム２１によりホットユニット１
６から基板Ｗの搬出を行なう。このようにして基板Ｗの
加熱処理が行なえるようになった以降は、順次基板がホ
ットユニット１６に搬入されて基板Ｗの加熱処理が行な
われていく。The temperature of the hot plate 40 itself is 110 ° C.
Is completed, and when the ambient temperature at which the substrate W is to be placed is shifted to the desired steady-state temperature, the hot plate 40 is ready to be heated. Therefore, the transfer robot 17
Then, the substrate W is carried into the hot unit 16, and the substrate W is heated. When carrying the substrate W into the hot unit 16, the hot plate cover 60 and the lift pins 42 are raised in advance, and the transfer robot 17
The unprocessed substrate supported by the arm 21
Put on. Then, the substrate W is placed on the proximity gap balls 44 by lowering the lift pins 42, and
The substrate W is placed on the hot plate 40 and heat-treated for a predetermined time. When the heating process is completed, the lift pins 42
To support the substrate W on the lift pins 42 again,
Hot unit 1 by arm 21 of transfer robot 17
The substrate W is unloaded from 6. After the substrate W can be heated in this manner, the substrates are sequentially carried into the hot unit 16 and the substrate W is heated.
【００２５】一方、ホットプレート４０における加熱の
設定温度を従前の設定温度から降下させる場合、従来
は、ホットプレート４０の温度を次の目標とする設定温
度に設定するだけで、基板Ｗの置かれるべき周辺の雰囲
気温度は自然冷却により降下させるようにしていたが、
この実施例では、温調部６６を構成するペルチェ素子に
負方向の所定の電流を供給し、ホットプレートカバー６
０を降温させる。ホットプレートカバー６０が降温する
とホットプレート４０とホットプレートカバー６０によ
って形成される半密閉空間内の雰囲気温度を低下させる
ことができる。その結果、基板Ｗが置かれるべき周辺の
雰囲気温度を所望の定常状態の温度に素早く移すことが
できる。したがって、低温側への温度変更時にも雰囲気
温度を素早く所望の定常状態の温度に移すことができ
る。On the other hand, when the set temperature for heating in the hot plate 40 is lowered from the previously set temperature, conventionally, the substrate W is placed only by setting the temperature of the hot plate 40 to the next target set temperature. The ambient temperature around the power should be lowered by natural cooling,
In this embodiment, a predetermined negative current is supplied to the Peltier element constituting the temperature control section 66 and the hot plate cover 6
0 is cooled down. When the temperature of the hot plate cover 60 drops, the ambient temperature in the semi-enclosed space formed by the hot plate 40 and the hot plate cover 60 can be reduced. As a result, the ambient temperature at which the substrate W is to be placed can be quickly shifted to a desired steady state temperature. Therefore, even when the temperature is changed to a lower temperature, the ambient temperature can be quickly shifted to a desired steady state temperature.
【００２６】さらに、この実施例では、温調部６６をペ
ルチェ素子から構成していることから、ホットプレート
カバー６０の温度を素早く変更することができる。した
がって、基板Ｗが置かれるべき周辺の雰囲気温度の変更
をより一層素早く行なうことができる。また、ペルチェ
素子を利用した構成であることから、ホットプレートカ
バー６０の厚みをそれ程厚くすることもない。Further, in this embodiment, the temperature of the hot plate cover 60 can be changed quickly because the temperature control section 66 is formed of a Peltier element. Therefore, the ambient temperature around which the substrate W is to be placed can be changed more quickly. Further, since the configuration uses the Peltier element, the thickness of the hot plate cover 60 does not increase so much.
【００２７】次に、この発明の第２実施例について説明
する。この発明の第２実施例は、第１実施例と比較し
て、ホットユニット１６の構成が相違し、ホットユニッ
ト１６を除く基板処理装置のその他の構成は同一であ
る。図３は、この第２実施例のホットユニット１１６の
構成を示す説明図である。Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment of the present invention differs from the first embodiment in the configuration of the hot unit 16, and the other configuration of the substrate processing apparatus except for the hot unit 16 is the same. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the configuration of the hot unit 116 of the second embodiment.
【００２８】図示するように、この第２実施例のホット
ユニット１１６は、第１実施例と同一のホットプレート
４０とホットプレートカバー６０とを備える。なお、図
中、第１実施例と同一の構成には第１実施例と同じ番号
をつけた。この第２実施例のホットユニット１１６と第
１実施例のホットユニット１６との相違する点は、ホッ
トユニット１６の外側を構成する筐体１３０にある。As shown, the hot unit 116 of the second embodiment has the same hot plate 40 and hot plate cover 60 as in the first embodiment. In the figure, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment. The difference between the hot unit 116 of the second embodiment and the hot unit 16 of the first embodiment lies in a housing 130 that forms the outside of the hot unit 16.
【００２９】この筐体１３０は、その外側の面に温度を
調整可能な第２の温調部１３２が固着されている。第２
の温調部１３２は、ホットプレートカバー６０に設けた
温調部（以下、第１の温調部と呼ぶ）６６と同様のもの
であり、ペルチェ素子によって構成され、ペルチェ素子
に供給する電流の方向を切り換えることにより、加熱も
冷却も行なうことができる。この第２の温調部１３２
も、図示しないコントローラによって制御された電流を
受けることで温度が調整される。The casing 130 has a second temperature control section 132 capable of adjusting the temperature fixed to the outer surface thereof. Second
The temperature control unit 132 is similar to a temperature control unit (hereinafter, referred to as a first temperature control unit) 66 provided on the hot plate cover 60, is configured by a Peltier device, and controls the current supplied to the Peltier device. By switching directions, both heating and cooling can be performed. This second temperature control section 132
Also, the temperature is adjusted by receiving a current controlled by a controller (not shown).
【００３０】上記構成によれば、ホットプレート４０の
加熱温度を所定の目標温度に設定して、ホットプレート
４０の加熱処理を行なうときに、第１の温調部６６を構
成するペルチェ素子に正方向の所定の電流を供給し、ホ
ットプレートカバー６０を昇温させるとともに、第２の
温調部１３２を構成するペルチェ素子に正方向の所定の
電流を供給し、筐体１３０を昇温させる。According to the above configuration, when the heating temperature of the hot plate 40 is set to the predetermined target temperature and the heating process of the hot plate 40 is performed, the Peltier element constituting the first temperature control section 66 is properly adjusted. A predetermined current in the direction is supplied to raise the temperature of the hot plate cover 60, and a predetermined current in the positive direction is supplied to the Peltier element constituting the second temperature control unit 132 to raise the temperature of the housing 130.
【００３１】上記構成により、第１実施例と同様に、装
置の立ち上げ時や温度変更時に、基板が置かれるべき周
辺の雰囲気温度を素早く変更することができるといった
効果を奏する。According to the above configuration, similarly to the first embodiment, when the apparatus is started up or when the temperature is changed, the ambient temperature at which the substrate is to be placed can be quickly changed.
【００３２】なお、上記第２実施例では、温調手段とし
ての第１および第２の温調部６６、１３２を、ホットプ
レートカバー６０と筐体１３０との両方に設けていた
が、これに換えて、筐体１３０に第２の温調部１３２だ
けを設ける構成としてもよい。In the second embodiment, the first and second temperature control sections 66 and 132 as temperature control means are provided on both the hot plate cover 60 and the housing 130. Alternatively, a configuration in which only the second temperature control unit 132 is provided in the housing 130 may be adopted.
【００３３】さらには、温調手段としての第１および第
２の温調部６６、１３２を、ペルチェ素子により構成す
るのに替えて、温調水を流す配管により構成してもよ
い。図４は、温調部を温調水の配管２１０により構成し
た場合のホットプレートカバー２６０の平面図である。
図示するように、ホットプレートカバー２６０の上面に
は、配管２１０が蛇行状に張り巡らされて固着されてい
る。Further, the first and second temperature adjusting sections 66 and 132 as temperature adjusting means may be constituted by pipes through which temperature adjusting water flows, instead of being constituted by Peltier elements. FIG. 4 is a plan view of the hot plate cover 260 in the case where the temperature control unit is configured by the temperature control water pipe 210.
As shown in the drawing, the pipe 210 is fixed to the upper surface of the hot plate cover 260 in a meandering manner.
【００３４】上記構成によれば、ホットプレートの加熱
温度を所定の目標温度に設定して、ホットプレートの加
熱処理を行なうときに、配管２１０に図示しない供給源
から温水を供給して、配管２１０を発熱させる。なお、
温度を低下させる場合には、配管２１０に冷水を供給す
る構成とする。According to the above configuration, when the heating temperature of the hot plate is set to the predetermined target temperature and the heating process of the hot plate is performed, hot water is supplied to the pipe 210 from a supply source (not shown). To generate heat. In addition,
When lowering the temperature, cold water is supplied to the pipe 210.
【００３５】この構成により、第１実施例および第２実
施例と同様に、装置の立ち上げ時や温度変更時に、基板
が置かれるべき周辺の雰囲気温度を素早く変更すること
ができるといった効果を奏する。With this configuration, as in the first and second embodiments, there is an effect that the ambient temperature at which the substrate is to be placed can be quickly changed when the apparatus is started or when the temperature is changed. .
【００３６】なお、上記配管２１０を張り巡らせた構成
では、ホットプレートカバー２６０の上面に配管２１０
を固着した構成としたが、この構成に替えて、ホットプ
レートカバー２６０の裏面（即ち、ホットプレート側の
面）に配管を固着する構成としてもよい。In the configuration in which the pipe 210 is stretched, the pipe 210 is placed on the upper surface of the hot plate cover 260.
However, instead of this configuration, a configuration may be adopted in which a pipe is fixed to the back surface of the hot plate cover 260 (that is, the surface on the hot plate side).
【００３７】以上、この発明の一実施例を詳述してきた
が、この発明は、こうした実施例に何等限定されるもの
ではなく、例えば、図４で示した配管２１０に替えてヒ
ータ線を張り巡らすことで、基板Ｗを昇温制御する場合
だけに対応した構成、あるいは、ホットプレート上に基
板を浮かせて載置する構成に替えて、直接接触させて載
置する構成等、この発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々なる態様にて実施することが可能である。Although one embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to such an embodiment. For example, a heater wire is provided in place of the pipe 210 shown in FIG. The gist of the present invention, such as a configuration corresponding only to the case where the temperature of the substrate W is controlled to increase by heating, or a configuration in which the substrate W is placed in direct contact, instead of a configuration in which the substrate is floated and placed on a hot plate Can be implemented in various modes without departing from the scope.
【図１】この発明の第１実施例に係わる基板加熱装置が
配設された基板処理装置の全体構成を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus provided with a substrate heating apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】基板加熱装置としてのホットユニット１６の構
成を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of a hot unit 16 as a substrate heating device.
【図３】第２実施例に係わる基板加熱装置としてのホッ
トユニット１１６の構成を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a hot unit 116 as a substrate heating device according to a second embodiment.
【図４】温調手段を温調水の配管２１０により構成した
実施態様のホットプレートカバー２６０の平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view of a hot plate cover 260 according to an embodiment in which a temperature control unit is configured by a temperature control water pipe 210;
１…インデクサ部 ２…基板処理部 ３…基台 ４…移載ロボット １０…スピンコータ １１…スピンデベロッパ １５…クーリングユニット １６…ホットユニット １７…搬送ロボット ２０…移動台 ２１…アーム ３０…筐体 ４０…ホットプレート ４２…リフタピン ４４…プロキシミティギャップ用ボール ６０…ホットプレートカバー ６２…上板部 ６４…側板部 ６６…温調部 １１６…ホットユニット １３０…筺体 １３２…第２の温調部 ２１０…配管 ２６０…ホットプレートカバー Ｗ…基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Indexer part 2 ... Substrate processing part 3 ... Base 4 ... Transfer robot 10 ... Spin coater 11 ... Spin developer 15 ... Cooling unit 16 ... Hot unit 17 ... Transport robot 20 ... Moving table 21 ... Arm 30 ... Housing 40 ... Hot plate 42 Lifter pin 44 Proximity gap ball 60 Hot plate cover 62 Upper plate 64 Side plate 66 Temperature controller 116 Hot unit 130 Housing 132 132 Second temperature controller 210 Piping 260 … Hot plate cover W… Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/38 Ｈ０１Ｌ 23/38 Ｈ０５Ｂ 3/00 ３３０ Ｈ０５Ｂ 3/00 ３３０Ａ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl.6 Identification code FI H01L 23/38 H01L 23/38 H05B 3/00 330 H05B 3/00 330A
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35537996AJP3525022B2 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Substrate heating device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35537996AJP3525022B2 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Substrate heating device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189429Atrue JPH10189429A (en) | 1998-07-21 |
| JP3525022B2 JP3525022B2 (en) | 2004-05-10 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35537996AExpired - LifetimeJP3525022B2 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Substrate heating device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3525022B2 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237157A (en)* | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment device |
| JP2003515949A (en)* | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ， インコーポレイテッド | Single wafer annealing oven |
| US6744020B2 (en) | 2001-01-04 | 2004-06-01 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus |
| GB2401613A (en)* | 2003-05-13 | 2004-11-17 | Agere Systems Inc | Method and apparatus for producing a <111> orientation aluminium film for an integrated circuit device |
| JP2006303125A (en)* | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2007027617A (en)* | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heat treatment apparatus |
| JP2018046070A (en)* | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate heating apparatus, substrate heating method, and storage medium |
| KR20180073477A (en) | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus, heat treatment method and computer storage medium |
| JP2020092165A (en)* | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| CN111403308A (en)* | 2020-03-30 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Automatic control method and automatic control system for thermal budget |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515949A (en)* | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ， インコーポレイテッド | Single wafer annealing oven |
| JP2001237157A (en)* | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Tokyo Electron Ltd | Heat treatment device |
| US6744020B2 (en) | 2001-01-04 | 2004-06-01 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus |
| GB2401613A (en)* | 2003-05-13 | 2004-11-17 | Agere Systems Inc | Method and apparatus for producing a <111> orientation aluminium film for an integrated circuit device |
| JP2006303125A (en)* | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2007027617A (en)* | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heat treatment apparatus |
| US7467901B2 (en) | 2005-07-21 | 2008-12-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate heat treatment apparatus |
| JP2018046070A (en)* | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate heating apparatus, substrate heating method, and storage medium |
| KR20180073477A (en) | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus, heat treatment method and computer storage medium |
| US11087983B2 (en) | 2016-12-22 | 2021-08-10 | Tokyo Electron Limited | Thermal treatment apparatus, thermal treatment method, and non-transitory computer storage medium |
| JP2020092165A (en)* | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| CN111403308A (en)* | 2020-03-30 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Automatic control method and automatic control system for thermal budget |
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3525022B2 (en) | 2004-05-10 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3665826B2 (en) | Substrate heat treatment equipment | |
| KR100274127B1 (en) | Substrate Temperature Control Method, Substrate Heat Treatment Apparatus and Substrate Support Apparatus | |
| US7371998B2 (en) | Thermal wafer processor | |
| US8383990B2 (en) | Substrate transport apparatus and heat treatment apparatus | |
| KR101070520B1 (en) | Substrate treatment method and apparatus | |
| JP4765750B2 (en) | Heat treatment apparatus, heat treatment method, storage medium | |
| JPH10189429A (en) | Substrate heating apparatus | |
| JP2001168022A (en) | Device and method for heating treatment | |
| TW201117257A (en) | Temperature increase control method for heating device for substrate treatment system, program, computer recording medium, and substrate treatment system | |
| JP2005340286A (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JPH11111823A (en) | Heat treatment device for substrate | |
| JP4334486B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3803487B2 (en) | Substrate cooling device and substrate cooling method | |
| JP3451166B2 (en) | Substrate heat treatment equipment | |
| JP7027198B2 (en) | Board processing equipment | |
| JP4164034B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JPH09289152A (en) | Substrate heat treatment apparatus | |
| JP7200638B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JP2002203779A (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3811247B2 (en) | Substrate heating device | |
| JPH10340835A (en) | Substrate heat processor | |
| JP3688098B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2002203778A (en) | Heat treatment equipment | |
| JP2001237171A (en) | Heat treatment equipment | |
| JPH11238674A (en) | Heat-treatment device |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date:20040210 | |
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date:20040216 | |
| R250 | Receipt of annual fees | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20080220 Year of fee payment:4 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment:5 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment:6 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment:6 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment:6 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment:7 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment:7 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment:8 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment:8 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment:8 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment:9 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment:9 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment:10 | |
| R250 | Receipt of annual fees | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | |
| R250 | Receipt of annual fees | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | |
| S533 | Written request for registration of change of name | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 | |
| R350 | Written notification of registration of transfer | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 | |
| R250 | Receipt of annual fees | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 | |
| EXPY | Cancellation because of completion of term |