【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、基板を１枚ずつ
ホルダに保持して基板に１枚ずつイオン注入を行う、い
わゆる枚葉式のイオン注入装置に関し、より具体的に
は、そのビーム電流計測系の異常を速やかに検出する手
段に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called single-wafer type ion implantation apparatus in which substrates are held one by one in a holder and ions are implanted one by one into the substrates. The present invention relates to means for quickly detecting an abnormality in a measurement system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種のイオン注入装置の従来例を図３
に示す。このイオン注入装置は、図示しないイオン源か
ら引き出され、かつ必要に応じて質量分離、加速、集束
等の行われたスポット状のイオンビーム２を、一組のＹ
走査電極４によってＹ方向（例えば垂直方向）に走査
し、かつ一組のＸ走査電極６によってＸ方向（例えば水
平方向）に走査して、ホルダ１８に１枚ずつ保持される
基板（例えば半導体ウェーハ）２０に照射して、当該基
板２０にイオン注入を行うよう構成されている。2. Description of the Related Art A conventional example of this type of ion implantation apparatus is shown in FIG.
Shown in This ion implantation apparatus converts a spot-shaped ion beam 2 extracted from an ion source (not shown) and subjected to mass separation, acceleration, focusing and the like as necessary into a set of Y beams.
Substrates (for example, semiconductor wafers) held one by one on the holder 18 by scanning in the Y direction (for example, vertical direction) by the scanning electrodes 4 and in the X direction (for example, horizontal direction) by a set of X scanning electrodes 6 ) To perform ion implantation on the substrate 20.
【０００３】上記Ｘ走査電極６は、この例では、イオン
ビーム２を、イオン注入時はホルダ１８上の基板２０に
入射する注入方向Ａ（図中に実線で示す方向）に向け、
イオン注入の前および後は同基板２０に入射しない待機
方向Ｂ（図中に２点鎖線で示す方向）に向ける偏向手段
を兼ねている。即ち、Ｘ走査電極６は、イオン注入時
は、イオンビーム２をその待機方向Ｂ（この例では直進
方向）から所定の角度α（例えば７度程度）だけＸ方向
に偏向させかつそこを中心にしてＸ方向に走査し、１枚
の基板２０に対するイオン注入の前および後は、イオン
ビーム２を全く偏向させずに待機方向Ｂに直進させる。
このようなビーム偏向の切り換えは、具体的には、Ｘ走
査電極６に印加する電圧の切り換えによって行うことが
できる。この待機方向Ｂ上には、この例では、イオンビ
ーム２を受け止めてそれが不所望な場所に当たるのを防
止するビームダンプ２８が設けられている。In this example, the X-scanning electrode 6 directs the ion beam 2 in an implantation direction A (a direction indicated by a solid line in the drawing) which is incident on the substrate 20 on the holder 18 during ion implantation.
Before and after the ion implantation, it also serves as a deflecting unit for directing in a standby direction B (a direction shown by a two-dot chain line in the figure) not entering the substrate 20. That is, during ion implantation, the X scanning electrode 6 deflects the ion beam 2 in the X direction by a predetermined angle α (for example, about 7 degrees) from its standby direction B (in this example, the straight traveling direction) and centers it there. The ion beam 2 is moved straight in the standby direction B without any deflection before and after the ion implantation for one substrate 20.
Specifically, such switching of the beam deflection can be performed by switching the voltage applied to the X scanning electrode 6. In this standby direction B, a beam dump 28 that receives the ion beam 2 and prevents it from hitting an undesired place is provided in this example.
【０００４】ホルダ１８は、図４中に矢印Ｄで示すよう
に、回転軸２２によって、基板２０にイオン注入を行う
ための起立状態と、基板２０の交換を行うための倒した
状態とに回転させられる。[0004] As shown by an arrow D in FIG. 4, the holder 18 is rotated by a rotating shaft 22 into a standing state for performing ion implantation on the substrate 20 and a tilted state for exchanging the substrate 20. Let me do.
【０００５】ホルダ１８の周りからその上流側にかけ
て、イオンビーム２が基板２０やホルダ１８等に当たっ
た際に放出される二次電子がアースへ逃げるのを防止し
てイオンビーム２のビーム電流の計測を正確に行うため
のファラデーケージ８が設けられている。このファラデ
ーケージ８の上流側には、イオンビーム２を整形するマ
スク４８と、ファラデーケージ８からの二次電子の上流
側への漏れを防止するサプレッサ電極５０とが配置され
ている。サプレッサ電極５０にはサプレッサ電源５２か
ら負電圧が印加される。[0005] From the periphery of the holder 18 to the upstream side thereof, secondary electrons emitted when the ion beam 2 hits the substrate 20 or the holder 18 are prevented from escaping to the ground, and the beam current of the ion beam 2 is reduced. A Faraday cage 8 for performing accurate measurement is provided. A mask 48 for shaping the ion beam 2 and a suppressor electrode 50 for preventing leakage of secondary electrons from the Faraday cage 8 to the upstream side are arranged on the upstream side of the Faraday cage 8. A negative voltage is applied to the suppressor electrode 50 from a suppressor power supply 52.
【０００６】更にこの例では、必須ではないけれども、
ファラデーケージ８内におけるホルダ１８の上流側に、
回転軸１６によって矢印Ｃのように起立状態と倒した状
態（図１および図３はこの倒した状態を示す）とに回転
させられるフラッグ１０が設けられており、その孔１２
の背面側には絶縁物１３を介してファラデーカップ１４
が設けられている。このファラデーカップ１４とフラッ
グ１０との間には、ファラデーカップ１４からの二次電
子の漏れを防止するサプレッサ電極１５が配置されてお
り、このサプレッサ電極１５にはこの例では上述したサ
プレッサ電源５２から負電圧が印加される。Further, in this example, although not required,
On the upstream side of the holder 18 in the Faraday cage 8,
A flag 10 is provided which is rotated by a rotating shaft 16 in an upright state as shown by an arrow C and in a down state (FIGS. 1 and 3 show this down state).
On the back side of the Faraday cup 14 via an insulator 13
Is provided. A suppressor electrode 15 for preventing secondary electrons from leaking from the Faraday cup 14 is disposed between the Faraday cup 14 and the flag 10. The suppressor electrode 15 is connected to the suppressor power supply 52 described above in this example. A negative voltage is applied.
【０００７】そしてファラデーケージ８はそのまま、か
つフラッグ１０、ファラデーカップ１４およびホルダ１
８は切換スイッチ２４を経由して、それらに流れるイオ
ンビーム２のビーム電流Ｉを計測するビーム電流計測器
２６に接続されている。The Faraday cage 8 is kept as it is, and the flag 10, the Faraday cup 14 and the holder 1
Numeral 8 is connected via a changeover switch 24 to a beam current measuring device 26 for measuring the beam current I of the ion beam 2 flowing through them.
【０００８】上記イオン注入装置の全体的な動作例を説
明すると、通常は、複数枚の基板２０に対する一連のイ
オン注入処理を行う前に、所定の注入条件に装置を立ち
上げるために、イオンビーム２の調整等が行われる。そ
の場合は、イオンビーム２を前述した注入方向Ａに向
け、かつフラッグ１０を起立させて、走査されていない
スポット状のイオンビーム２をファラデーカップ１４で
受けてそこに流れる電流をビーム電流計測器２６で計測
してイオンビーム２のビーム電流Ｉを計測したり、ある
いは走査されているイオンビーム２をフラッグ１０で受
けてイオンビーム２の走査波形の調整等を行ったりす
る。切換スイッチ２４は計測したいものの側に切り換え
ておく。An example of the overall operation of the above-described ion implantation apparatus will be described. Usually, before performing a series of ion implantation processes on a plurality of substrates 20, an ion beam is used to start up the apparatus under predetermined implantation conditions. 2, etc. are performed. In this case, the ion beam 2 is directed in the above-described implantation direction A, the flag 10 is erected, and the unscanned spot-shaped ion beam 2 is received by the Faraday cup 14 and the current flowing therethrough is measured by a beam current measuring device The beam current I of the ion beam 2 is measured by measuring at 26, or the scanning of the ion beam 2 is adjusted by receiving the scanned ion beam 2 by the flag 10. The changeover switch 24 is switched to the side of the object to be measured.
【０００９】装置の立ち上げ調整完了後、基板２０にイ
オン注入を行うときは、フラッグ１０を倒し、代わりに
ホルダ１８を起立させて、それに保持された基板２０に
イオンビームをＸＹ方向に走査しながら照射する。この
とき、基板２０に対するイオン注入量を計測するため
に、切換スイッチ２４をホルダ１８側に切り換えて、ホ
ルダ１８に流れるイオンビーム２のビーム電流Ｉをビー
ム電流計測器２６によって計測する。When ion implantation is performed on the substrate 20 after the start-up adjustment of the apparatus is completed, the flag 10 is tilted, the holder 18 is raised instead, and the ion beam is scanned on the substrate 20 held in the XY direction. While irradiating. At this time, in order to measure the amount of ion implantation into the substrate 20, the changeover switch 24 is switched to the holder 18 side, and the beam current I of the ion beam 2 flowing through the holder 18 is measured by the beam current measuring device 26.
【００１０】１枚の基板２０に対するイオン注入が完了
して、ホルダ１８に対して、注入済の基板２０と次の未
注入の基板２０とを入れ換える間は、上記のように立ち
上げたイオンビーム２の状態を維持するために、イオン
源からのイオンビーム２の引き出しを中止することはせ
ずイオンビーム２を引き出したままにしておいて、イオ
ンビーム２を前述した待機方向Ｂに向けておく。そして
ホルダ１８に対する基板２０の入れ換えが完了したら、
イオンビーム２を再び注入方向Ａに向けてイオン注入を
開始する。以降は、所望枚数の基板２０のイオン注入が
完了するまで上記と同様の動作が繰り返される。[0010] While the ion implantation for one substrate 20 is completed and the implanted substrate 20 and the next unimplanted substrate 20 are exchanged into the holder 18, the ion beam started up as described above. In order to maintain the state 2, the extraction of the ion beam 2 from the ion source is not stopped, the ion beam 2 is kept extracted, and the ion beam 2 is directed in the standby direction B described above. . When the replacement of the substrate 20 with the holder 18 is completed,
The ion implantation is started with the ion beam 2 directed in the implantation direction A again. Thereafter, the same operation as described above is repeated until the ion implantation of the desired number of substrates 20 is completed.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おいては、イオンビーム２のビーム電流Ｉの計測系は一
系統であるため、そのビーム電流計測系で何か異常があ
ったとしても、それを検出することができず、注入中の
ビーム電流Ｉの誤計測によって誤注入（過少注入や過多
注入）が生じ、不良注入の基板２０が続出するという問
題がある。In the above-described ion implantation apparatus, since the measurement system of the beam current I of the ion beam 2 is one system, even if there is any abnormality in the beam current measurement system, the abnormality is detected. It cannot be detected, and there is a problem that erroneous injection (under-injection or over-injection) occurs due to erroneous measurement of the beam current I during injection, and the substrate 20 with poor injection continues.
【００１２】そこでこの発明は、ビーム電流計測系の異
常を速やかに検出することを主たる目的とする。Accordingly, it is a primary object of the present invention to quickly detect an abnormality in a beam current measurement system.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】この発明のイオン注入装
置は、前記待機方向に向けられたイオンビームを受ける
ファラデー装置と、このファラデー装置に流れるビーム
電流を計測する第２ビーム電流計測器と、この第２ビー
ム電流計測器で計測したイオン注入前のビーム電流を記
憶する記憶装置と、この記憶装置に記憶したイオン注入
前のビーム電流とイオン注入中に前記ビーム電流計測器
で計測するビーム電流との比率を求める演算回路と、こ
の演算回路で求めた比率を予め設定された基準範囲と比
較して、当該比率が基準範囲外になったときに警報信号
を出力する比較回路とを備えることを特徴としている。An ion implantation apparatus according to the present invention comprises: a Faraday device for receiving an ion beam directed in the standby direction; a second beam current measuring device for measuring a beam current flowing through the Faraday device; A storage device for storing a beam current before ion implantation measured by the second beam current measuring device; a beam current before ion implantation stored in the storage device; and a beam current measured by the beam current measuring device during ion implantation. And a comparison circuit that compares the ratio obtained by the calculation circuit with a preset reference range and outputs an alarm signal when the ratio falls outside the reference range. It is characterized by.
【００１４】上記ファラデー装置とホルダとには、注入
前および注入中の違いはあるけれども、通常は同一条件
のイオンビームが入射する。従って、上記ビーム電流計
測器および第２ビーム電流計測器で計測するビーム電流
の比率は、通常は所定の基準範囲内に納まる。この比率
が上記演算回路によって求められる。Although there is a difference between the Faraday apparatus and the holder before and during implantation, an ion beam under the same conditions is usually incident on the Faraday apparatus and the holder. Therefore, the ratio of the beam currents measured by the beam current measuring device and the second beam current measuring device usually falls within a predetermined reference range. This ratio is determined by the arithmetic circuit.
【００１５】基板へのイオン注入中にそのビーム電流計
測系に異常が生じてそれで計測するビーム電流が正常で
なくなると、上記比率は上記基準範囲外になり、それが
比較回路で検出され、この比較回路から警報信号が出力
される。このようにして、ビーム電流計測系の異常を基
板に対するイオン注入中に速やかに検出することがで
き、注入不良品の続出を未然に防止することができる。If an abnormality occurs in the beam current measuring system during the ion implantation into the substrate and the beam current measured thereby becomes abnormal, the above ratio falls outside the reference range, which is detected by the comparison circuit. An alarm signal is output from the comparison circuit. In this way, an abnormality in the beam current measurement system can be quickly detected during the ion implantation into the substrate, and the occurrence of defective implants can be prevented.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を部分的に示す概略平面図である。図２
は、図１中のファラデー装置の具体例を拡大して示す縦
断面図である。図３および図４に示した従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。FIG. 1 is a schematic plan view partially showing an example of an ion implantation apparatus according to the present invention. FIG.
FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing a specific example of the Faraday device in FIG. 1. Parts that are the same as or correspond to those of the conventional example shown in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals, and differences from the conventional example will be mainly described below.
【００１７】この実施例においては、従来のビームダン
プ２８の代わりに、Ｘ走査電極６によって前述した待機
方向Ｂに向けられたイオンビーム２を受けるファラデー
装置３０を設けている。In this embodiment, instead of the conventional beam dump 28, a Faraday device 30 for receiving the ion beam 2 directed in the standby direction B by the X scanning electrode 6 is provided.
【００１８】このファラデー装置３０は、この例では図
２に示すように、Ｙ走査電極４によってＹ方向に走査さ
れた縦に細長いイオンビーム２を必要形状に整形するマ
スク３２と、その下流側に設けられていてイオンビーム
２を受けるファラデーカップ３８と、このファラデーカ
ップ３８とマスク３２との間に設けられていてイオンビ
ーム２がファラデーカップ３８に当たった際に放出され
る二次電子がファラデーカップ３８外に漏れ出るのを抑
制するサプレッサ電極３４と、このサプレッサ電極３４
に負電圧を印加するサプレッサ電源３６とを備えてい
る。このファラデー装置３０をファラデーカップ３８だ
けで構成しても良いけれども、上記のような構造にする
方が、二次電子の漏れを抑えてイオンビーム２のビーム
電流計測をより正確に行うことができるので好ましい。In this example, as shown in FIG. 2, the Faraday apparatus 30 includes a mask 32 for shaping a vertically elongated ion beam 2 scanned in the Y direction by a Y scanning electrode 4 into a required shape, and a mask 32 downstream of the mask 32. A Faraday cup 38 that is provided and receives the ion beam 2, and secondary electrons that are provided between the Faraday cup 38 and the mask 32 and are emitted when the ion beam 2 hits the Faraday cup 38 are Faraday cups. 38, a suppressor electrode 34 for suppressing leakage to the outside,
And a suppressor power supply 36 for applying a negative voltage to the power supply. Although the Faraday device 30 may be constituted only by the Faraday cup 38, the structure as described above enables more accurate measurement of the beam current of the ion beam 2 while suppressing leakage of secondary electrons. It is preferred.
【００１９】上記ファラデー装置３０（より具体的には
そのファラデーカップ３８）には、当該ファラデー装置
３０に流れるイオンビーム２のビーム電流を計測する第
２ビーム電流計測器４０が接続されている。この第２ビ
ーム電流計測器４０は、例えば上記ビーム電流計測器２
６と同一構成の物で良い。A second beam current measuring device 40 for measuring the beam current of the ion beam 2 flowing through the Faraday device 30 is connected to the Faraday device 30 (more specifically, the Faraday cup 38). The second beam current measuring device 40 is, for example, the beam current measuring device 2
6 may have the same configuration.
【００２０】上記第２ビーム電流計測器４０には記憶装
置４２が接続されている。この記憶装置４２には、第２
ビーム電流計測器４０で計測した、基板２０に対するイ
オン注入前の、より具体的には前述した装置の立ち上げ
調整完了後イオン注入前のイオンビーム２のビーム電流
Ｉ0が取り込まれ、記憶される。A storage device 42 is connected to the second beam current measuring device 40. The storage device 42 has a second
The beam current I0 of the ion beam 2 measured by the beam current measuring device 40 before the ion implantation into the substrate 20, more specifically, after the start-up adjustment of the above-described apparatus is completed and before the ion implantation is performed, is captured and stored. .
【００２１】この記憶装置４２と前述したビーム電流計
測器２６に演算回路４４が接続されている。この演算回
路４４は、記憶装置４２に記憶したイオン注入前のビー
ム電流Ｉ0と、基板２０に対するイオン注入中にビーム
電流計測器２６で計測するビーム電流Ｉとの比率Ｋ（例
えばＫ＝Ｉ／Ｉ0）を求める。An arithmetic circuit 44 is connected to the storage device 42 and the beam current measuring device 26 described above. The arithmetic circuit 44 calculates a ratio K (for example, K = I / I) between the beam current I0 stored in the storage device 42 before ion implantation and the beam current I measured by the beam current measuring device 26 during ion implantation into the substrate 20. I0 ).
【００２２】この演算回路４４には比較回路４６が接続
されている。この比較回路４６は、演算回路４４で求め
た比率Ｋを、予め設定された基準範囲Ｒと比較して、当
該比率Ｋが基準範囲Ｒ外になったときに警報信号Ｓを出
力する。この比較回路４６は、例えばウインドウコンパ
レータであり、入力される上記比率Ｋが、上記基準範囲
Ｒの下限値Ｒ1よりも小さいか上限値Ｒ2よりも大きく
なったときに上記警報信号Ｓを出力する。The operation circuit 44 is connected to a comparison circuit 46. The comparison circuit 46 compares the ratio K obtained by the arithmetic circuit 44 with a preset reference range R, and outputs an alarm signal S when the ratio K falls outside the reference range R. The comparison circuit 46 is, for example, a window comparator, and outputs the alarm signal S when the input ratio K is smaller than the lower limit value R1 of the reference range R or larger than the upper limit value R2. I do.
【００２３】上記ファラデー装置３０と基板２０を保持
したホルダ１８とには、注入前および注入中の違いはあ
るけれども、前述したように通常は同一条件の、即ち立
ち上げ調整完了状態のイオンビーム２が入射する。従っ
て、上記ビーム電流計測器２６および第２ビーム電流計
測器４０で計測するビーム電流の比率Ｋは、通常は一定
値になる。具体的には、ホルダ１８で受けるイオンビー
ム２の面積とファラデーカップ３８で受けるイオンビー
ム２の面積とが同一であればＫ＝１となり、同一でなけ
ればＫ≠１の一定値となる。また、イオンビーム２の若
干の変動や、計測誤差を考慮しても、上記比率Ｋは通常
は所定の基準範囲Ｒ内に納まる。この比率Ｋが、ホルダ
１８上の所定の基板２０に対するイオン注入中に上記演
算回路４４によって求められる。Although the Faraday apparatus 30 and the holder 18 holding the substrate 20 have a difference before and during the implantation, they are usually under the same conditions as described above, that is, the ion beam 2 in a state where the start-up adjustment is completed. Is incident. Therefore, the ratio K of the beam current measured by the beam current measuring device 26 and the second beam current measuring device 40 is usually a constant value. Specifically, if the area of the ion beam 2 received by the holder 18 and the area of the ion beam 2 received by the Faraday cup 38 are the same, K = 1, otherwise K ≠ 1. In addition, the above ratio K usually falls within a predetermined reference range R even when slight fluctuations of the ion beam 2 and measurement errors are taken into consideration. The ratio K is obtained by the arithmetic circuit 44 during the ion implantation for the predetermined substrate 20 on the holder 18.
【００２４】基板２０へのイオン注入中に、その上記フ
ァラデーケージ８、ホルダ１８、ビーム電流計測器２６
等から成るビーム電流計測系に異常が生じてそれで計測
するビーム電流Ｉが正常でなくなると、上記比率Ｋは上
記基準範囲Ｒ外になり、それが比較回路４６で検出さ
れ、この比較回路４６から警報信号Ｓが出力される。こ
のようにして、ビーム電流計測系の異常を、基板２０に
対するイオン注入中に速やかに検出することができる。
ある基板２０に対するイオン注入中に異常を検出して
も、その基板２０に対して注入不良が生じるのを防止す
ることは難しいけれども、少なくともそれ以降の基板２
０に対して、誤計測によって注入不良が生じるのを未然
に防止することができる。従って、注入不良品の続出を
未然に防止することができる。During ion implantation into the substrate 20, the Faraday cage 8, the holder 18, and the beam current measuring device 26 are used.
When the beam current I to be measured becomes abnormal due to the occurrence of an abnormality in the beam current measuring system composed of the above, the ratio K falls outside the reference range R, and the ratio K is detected by the comparison circuit 46. An alarm signal S is output. In this way, an abnormality in the beam current measurement system can be quickly detected during ion implantation into the substrate 20.
Even if an abnormality is detected during ion implantation into a certain substrate 20, it is difficult to prevent the occurrence of implantation failure in that substrate 20, but at least the subsequent substrate 2
With respect to 0, it is possible to prevent injection failure from occurring due to erroneous measurement. Therefore, it is possible to prevent the subsequent injection of defective products.
【００２５】なお、上記比較回路４６から出力される警
報信号Ｓの用い方としては、当該警報信号Ｓに基づいて
運転員等に警報を出すだけでも良いし、更に進んで、当
該警報信号Ｓに基づいて基板２０に対するイオン注入を
自動的に停止させるようにしても良い。The method of using the alarm signal S output from the comparison circuit 46 may be to simply issue an alarm to an operator or the like based on the alarm signal S, or to proceed further. Alternatively, the ion implantation for the substrate 20 may be automatically stopped based on this.
【００２６】また、以上の例では、フラッグ１０および
ファラデーカップ１４を設け、かつビーム電流計測器２
６を共用するための切換スイッチ２４を設けているけれ
ども、これらを設けるか否かは、この発明の本質に影響
するものではなく、任意である。In the above example, the flag 10 and the Faraday cup 14 are provided, and the beam current measuring device 2
Although a changeover switch 24 for sharing the device 6 is provided, it is optional whether or not to provide the changeover switch 24 without affecting the essence of the present invention.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ビーム
電流計測系の異常を基板に対する注入中に速やかに検出
することができるので、注入不良品の続出を未然に防止
することができ、イオン注入装置としての信頼性も向上
する。As described above, according to the present invention, an abnormality in the beam current measurement system can be detected promptly during the implantation of the substrate, so that the occurrence of defective implants can be prevented. The reliability as an ion implanter is also improved.
【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を部分的
に示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view partially showing an example of an ion implantation apparatus according to the present invention.
【図２】図１中のファラデー装置の具体例を拡大して示
す縦断面図である。FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing a specific example of the Faraday device in FIG.
【図３】従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す概
略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view partially showing an example of a conventional ion implantation apparatus.
【図４】図１および図３中のファラデーケージ周りを拡
大して示す縦断面図である。FIG. 4 is an enlarged longitudinal sectional view showing a periphery of a Faraday cage in FIGS. 1 and 3;
２ イオンビーム ６ Ｘ走査電極（偏向手段） １８ ホルダ ２０ 基板 ２６ ビーム電流計測器 ３０ ファラデー装置 ４０ 第２ビーム電流計測器 ４２ 記憶装置 ４４ 演算回路 ４６ 比較回路 Ａ 注入方向 Ｂ 待機方向 2 Ion beam 6 X scanning electrode (deflecting means) 18 Holder 20 Substrate 26 Beam current measuring device 30 Faraday device 40 Second beam current measuring device 42 Storage device 44 Arithmetic circuit 46 Comparison circuit A Injection direction B Standby direction
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35347196AJP3440734B2 (en) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | Ion implanter |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35347196AJP3440734B2 (en) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | Ion implanter |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172501Atrue JPH10172501A (en) | 1998-06-26 |
| JP3440734B2 JP3440734B2 (en) | 2003-08-25 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005076329A1 (en)* | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion doping apparatus, ion doping method, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device |
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| WO2007013869A1 (en)* | 2005-06-06 | 2007-02-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
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