【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は突起電極を用いた表
面実装構造及び中間基板に係り、特に熱膨張率が異なる
二種類の基板を突起電極を用いて表面実装する突起電極
を用いた表面実装構造及び中間基板に関する。
【０００２】近年、コンピュータ等の情報・通信の分野
においては、信号処理の高速化が要求されている。これ
に対応すべく、半導体チップを１個づつ配線基板に実装
していた従来の実装構造に代わり、システムを構成する
上で互いに関連する複数の半導体チップをひとつの基板
に予め実装したモジュール（マルチチップモジュール）
を作成し、これをマザーボードとしてのプリント基板上
に実装する方法が採用されている。
【０００３】上記実装構造において、半導体チップを搭
載する基板としてはセラミック基板が一般に用いられて
おり、またセラミック基板とマザーボードとの接続は突
起電極（半田バンプ等）を用いて行っている。このよう
に材質の異なるセラミック基板とマザーボードとを突起
電極により接続する場合、熱膨張差に起因したストレス
が突起電極に印加されないよう構成する必要がある。
【０００４】
【従来の技術】図７は、マルチチップモジュールを構成
するセラミック基板１をマザーボードとなるプリント基
板２に表面実装する従来の実装構造を示している。セラ
ミック基板１は多層セラミック基板であり、その上面に
は半導体チップ３が実装されている。また、セラミック
基板１には突起電極である半田バンプ４が接続されるバ
ンプパッド５が形成されている。この半導体チップ３と
バンプパッド５とは、セラミック基板１の内部に形成さ
れた内部配線により電気的に接続された構成とされてい
る。
【０００５】また、プリント基板２は例えばガラス・エ
ポキシ製の基板であり、その上面には半田バンプ４が接
続されるバンプパッド６が形成されている。半田バンプ
４は、セラミック基板１に形成されたバンプパッド５と
プリント基板２に形成されたバンプパッド６との間に配
設され、これによりセラミック基板１はプリント基板２
上に表面実装され電気的に接続される構造とされてい
た。
【０００６】ところで、半田バンプ４を用いてセラミッ
ク基板１をプリント基板２に実装する構造では、バンプ
接合時に半田バンプ４を溶融させるために加熱処理を行
う必要がある。しかるに、セラミック基板１とプリント
基板２とは熱膨張率が異なるため、上記加熱処理時にお
いてセラミック基板１とプリント基板２との間に熱膨張
差が発生する。
【０００７】具体的には、セラミック基板１に対してプ
リント基板２の熱膨張率は高いため、セラミック基板１
の熱膨張に対してプリント基板２の熱膨張が大きくな
り、よって両基板１，２間に配設されている半田バンプ
４には水平方向（図中におけるＸ１或いはＸ２方向）に
ストレスが印加される。
【０００８】そして、このストレスが半田バンプ４と各
バンプパッド５，６とを接合する接合力より大きくなっ
た場合には、半田バンプ４とバンプパッド５，６との間
で剥離が生じてしまう。よって、図７に示す従来の実装
構造では、実装時において十分な信頼性を得ることがで
きないという問題点があった。
【０００９】そこで、セラミック基板１とプリント基板
２との熱膨張差に起因した半田バンプ４の剥離を防止す
るため、図８に示されるように、セラミック基板１とプ
リント基板２との間に形成されるバンプ形成エリアに樹
脂（アンダーフィルレジン）７を介装することが提案さ
れている。
【００１０】このように、バンプ形成エリアにアンダー
フィルレジン７を介装することにより、アンダーフィル
レジン７はセラミック基板１及びプリント基板２に広い
面積で接合し、よって各基板１，２に熱膨張が発生する
ことを抑制する。よってセラミック基板１とプリント基
板２との間に配設された半田バンプ４に印加されるスト
レスを軽減でき、半田バンプ４とバンプパッド５，６と
の間に剥離が発生することを抑制することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、図８
に示すバンプ形成エリアにアンダーフィルレジン７を介
装する実装構造では、半田バンプ４に水平方向に印加さ
れるストレスを軽減することができる。
【００１２】しかるに、アンダーフィルレジン７はバン
プ形成エリアに装填された後に樹脂収縮が発生する。即
ち、アンダーフィルレジン７は加熱され流動状態でバン
プ形成エリアに装填され、その後に冷却されることによ
り固化するが、この冷却時においてアンダーフィルレジ
ン７に樹脂収縮が発生する。この樹脂収縮は、樹脂成形
時において必ず発生するものである。
【００１３】上記のようにアンダーフィルレジン７に樹
脂収縮が発生すると、セラミック基板１に対して機械的
強度の低いプリント基板２はアンダーフィルレジン７の
樹脂収縮に伴い変形し、よって図８に一点鎖線で示すよ
うにプリント基板２には反りが発生してしまう。
【００１４】このプリント基板２に発生する反りは、半
田バンプ４に対して垂直方向（図中、矢印Ｚ１，Ｚ２で
示す方向）に印加させるストレスとして作用する。よっ
て、アンダーフィルレジン７を介装した構成では、半田
バンプ４に対し水平方向に印加されるストレスは軽減で
きるものの、垂直方向に印加されるストレスが増大し、
結果として半田バンプ４とバンプパッド５，６との間に
剥離が発生し、実装における信頼性が低下してしまうと
いう問題点があった。
【００１５】更に、バンプ形成エリアにアンダーフィル
レジン７を介装する実装構造では、アンダーフィルレジ
ン７が接着剤と同等の機能を奏するため、セラミック基
板１とプリント基板２とはアンダーフィルレジン７によ
り強固に固定された状態となる。よって、メンテナンス
時等においてセラミック基板１をプリント基板２から取
り外そうとしてても、セラミック基板１をプリント基板
２から取り外す作業は困難となり、よってメンテナンス
性が悪いという問題点もある。
【００１６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、高い信頼性を得られる突起電極を用いた表面実装
構造及び中間基板を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、第１の回路基板を、この第１の回路基
板と熱膨張差を有した第２の回路基板上に第１及び第２
の突起電極を用いて表面実装する突起電極を用いた表面
実装構造において、前記第１の回路基板と前記第２の回
路基板との間に、各基板の熱膨張を緩和する熱膨張吸収
機構を有する中間基板を介装し、かつ、前記第１の回路
基板と前記中間基板とを電気的に接続する第１の突起電
極が配設される突起電極形成空間内に、前記第１の回路
基板と前記中間基板の熱膨張差により前記第１の突起電
極に印加されるストレスを抑制するアンダーフィルレジ
ンを介装したことを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の突起電極を用いた表面実装構造において、前
記第２の回路基板の熱膨張率と前記中間基板の熱膨張率
を略等しく設定したことを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の突起電極を用いた表面実装構造にお
いて、前記熱膨張吸収機構を前記中間基板内に形成した
空間部により構成したことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項３記載の表面実装構造において、前記空間部の形成位
置を前記突起電極の形成位置と対向する位置に設定する
と共に、前記空間部の大きさを前記突起電極が接続され
る電極パッドの大きさよりも大きく形成したことを特徴
とするものである。
【００２１】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１乃至４のいずれかに記載された突起電極を用いた表
面実装構造に用いる中間基板であって、熱膨張を吸収す
るため設けられた第１の孔部と、スルーホールとなる第
２の孔部とが形成された第１の基板層と、前記第１の基
板層を挟んで積層配設されており、夫々熱膨張を吸収す
るため設けられた第３の孔部と、スルーホールとなる第
４の孔部とが形成された一対の第２の基板層と、前記第
２の基板層を挟んで積層配設されており、夫々前記突起
電極が接続される電極パッドと、スルーホールとなる第
５の孔部とが形成された一対の表面基板層とを設けたこ
とを特徴とするものである。
【００２２】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項５記載の中間基板において、前記第１の基板層，前記
第２の基板層，及び前記表面基板層とを積層した状態
で、第２の孔部，第４の孔部，及び第５の孔部が連通し
てスルーホールを形成するよう構成し、該スルーホール
を介して各表面基板層に形成された電極パッドが電気的
に接続される構成としたことを特徴とするものである。
【００２３】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項５または６記載の中間基板において、前記第１の基板
層，前記第２の基板層，及び前記表面基板層とを積層し
た状態で、前記第１の基板層に形成された第１の孔部
と、前記第２の基板層に形成された第３の孔部とが、連
通状態を維持しつつ積層方向に対して異なる位置となる
よう構成したことを特徴とするものである。
【００２４】更に、請求項８記載の発明では、前記請求
項７記載の中間基板において、前記第１及び第３の孔部
が、基板端面部まで連通状態を維持した構成としたこと
を特徴とするものである。
【００２５】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、第１の回路基板と第２の
回路基板との間に熱膨張率に相違があり、よって加熱時
等に第１の回路基板と第２の回路基板との間に熱膨張差
が発生しても、この熱膨張は中間基板に形成された熱膨
張吸収機構により吸収されるため、水平方向及び垂直方
向の双方向において第１及び第２の突起電極にストレス
が発生することを抑制できる。
【００２６】また、第１の回路基板と中間基板の熱膨張
差により第１の突起電極に発生するストレスを抑制する
アンダーフィルレジンを突起電極形成空間内に介装する
ことにより、第１の突起電極に印加される特に水平方向
のストレスは軽減され、第１の突起電極に剥離が発生す
ることを防止することができる。
【００２７】また、請求項２記載の発明によれば、第２
の回路基板の熱膨張率と中間基板の熱膨張率を略等しく
設定したことにより、第２の回路基板と中間基板との間
に配設される第２の突起電極にストレスが印加されるこ
とを防止でき、第２の突起電極に剥離が発生することを
防止することができる。
【００２８】また、請求項３記載の発明によれば、熱膨
張吸収機構を中間基板内に形成した空間部により構成し
たことにより、中間基板はこの空間部形成位置において
は垂直方向に可撓変位可能な構成となる。よって、第１
或いは第２の回路基板に熱膨張差が存在してもこの熱膨
張差は中間基板により吸収することができ、第１及び第
２の突起電極に垂直方向のストレスが印加されることは
防止され、第１及び第２の突起電極に剥離が発生するこ
とを防止することができる。
【００２９】また、請求項４記載の発明によれば、空間
部の形成位置を突起電極の形成位置と対向する位置とす
ることにより、突起電極にストレスが印加されることを
有効に防止することができる。即ち、空間部の形成位置
は最も中間基板の可撓量が多い部位であり、よってスト
レスが印加された場合に最もその影響が大きい突起電極
位置に空間部を形成することにより、突起電極にストレ
スが印加されることを有効に防止することができる。
【００３０】また、空間部の大きさを突起電極が接続さ
れる電極パッドの大きさよりも大きく形成したことによ
り、ストレスが印加された場合に電極パッドが中間基板
から剥離することを有効に防止することができる。ま
た、請求項５記載の発明によれば、第１の孔部，第３の
孔部により中間基板を挟んで配設される各回路基板の熱
膨張を吸収することができ、よって突起電極に剥離が発
生することを防止することができる。また、第２の孔
部，第４の孔部，及び第５の孔部は協働してスルーホー
ルを形成するため、一対の表面基板層に夫々形成される
突起電極が接続される電極パッドをこのスルーホールを
介して電気的に接続することができる。即ち、中間基板
を挟んで配設される各回路基板の熱膨張を吸収しつつ、
電気的接続を行うことができる。
【００３１】また、請求項６記載の発明によれば、第１
の基板層，第２の基板層，及び表面基板層とを積層した
状態で、第２の孔部，第４の孔部，及び第５の孔部が連
通してスルーホールを形成するよう構成し、このスルー
ホールを介して各表面基板層に形成された電極パッドが
電気的に接続される構成としたことにより、第１の基板
層，第２の基板層，及び表面基板層を夫々別個の構成と
しても、形成されるスルーホールにより各表面基板層に
形成された電極パッドを電気的に接続することが可能と
なる。よって、各表面基板層に形成される電極パッドを
簡単な構成で確実に接続することができる。
【００３２】また、請求項７記載の発明によれば、第１
の基板層，第２の基板層，及び表面基板層とを積層した
状態で、第１の基板層に形成された第１の孔部と、第２
の基板層に形成された第３の孔部とが、連通状態を維持
しつつ積層方向に対して異なる位置となるよう構成した
ことにより、各孔部内に水分が存在しこれが実装時の加
熱により水分膨張したとしても、各孔部が連通された状
態であるため、水分膨張で発生した蒸気は各孔部を逃げ
道として外部に排出される。よって、水分膨張により中
間基板に損傷が発生することを確実に防止することがで
きる。
【００３３】また、各層を積層した状態で各孔部が積層
方向に対して異なる位置となるよう構成されているた
め、垂直方向にストレスが印加されたとしても、中間基
板の可撓領域は確保されているため、中間基板を挟んで
配設される各回路基板の熱膨張を確実に吸収することが
できる。
【００３４】更に、請求項８記載の発明によれば、前記
第１及び第３の孔部が基板端面部まで連通状態を維持し
た構成としたことにより、上記のように各孔部内に水分
が存在しこれが実装時の加熱により水分膨張したとして
も、各孔部は基板端面部まで連通状態を維持しているた
め、発生した蒸気の逃げ道は基板端面部まで確保されて
おり、よって発生した蒸気を確実に中間基板の外部に排
出することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１乃至図３は、本発明の一実施
例である突起電極を用いた表面実装構造１０を示してい
る。図１及び図２は表面実装構造１０の断面図であり、
図３は表面実装構造１０の平面図である。また、図１は
図３におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であり、また図２
は図３におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、
以下の説明ではセラミック基板を用いたＢＧＡ(Ball Gr
id Array）表面実装モジュールに本発明を適用した例に
ついて説明する。
【００３６】本実施例に係る表面実装構造１０は、第１
の回路基板となるセラミック回路基板１１と第２の回路
基板となるプリント回路基板１２との間に中間基板１３
を介装したことを特徴とするものである。また、セラミ
ック回路基板１１と中間基板１３とは第１の突起電極と
なる第１の半田バンプ１４により接続され、プリント回
路基板１２と中間基板１３とは第２の突起電極となる第
２の半田バンプ１５により接続されている。以下、各構
成要素について具体的に説明する。
【００３７】セラミック回路基板１１は多層セラミック
基板であり、その上面には半導体チップ（図示せず）が
実装されている。また、セラミック回路基板１１には第
１の半田バンプ１４が接続されるバンプパッド１６が形
成されている。実装された半導体チップとバンプパッド
１６とは、セラミック回路基板１１の内部に形成された
内部配線により電気的に接続されている。
【００３８】また、プリント回路基板１２は例えばガラ
ス・エポキシ製の基板であり、その上面には第２の半田
バンプ１５が接続されるバンプパッド１７が形成されて
いる。このプリント回路基板１２は、いわゆるマザーボ
ードとして機能する。尚、上記のセラミック回路基板１
１及びプリント回路基板１２は、従来の実装構造に用い
ていたものと同一構成である。
【００３９】また、第１及び第２の半田バンプ１４，１
５は、例えばハンダボールまたは転写法等により形成さ
れている。第１の半田バンプ１４は、セラミック回路基
板１１或いは後述する中間基板１３のいずれかに形成さ
れ、また第２の半田バンプ１５はプリント回路基板１２
或いは中間基板１３のいずれかに形成されている。
【００４０】ところで、上記したようにセラミック回路
基板１１はセラミック製の回路基板であり、その熱膨張
係数は例えば6.5 〜7.0 ×１０-6／℃である。また、プ
リント回路基板１２は例えばガラス・エポキシ製の回路
基板であり、その熱膨張係数は例えば4.0 〜8.0 ×１０
-5／℃である。
【００４１】このように、セラミック回路基板１１の熱
膨張係数とプリント回路基板１２の熱膨張係数とは大き
く相違し、よってバンプ接合時に各半田バンプ１４，１
５を溶融させるために加熱処理を行った場合にセラミッ
ク回路基板１１とプリント回路基板１２との間に熱膨張
差が発生する。
【００４２】具体的には、セラミック回路基板１１に対
してプリント回路基板１２の熱膨張率は高いため、セラ
ミック回路基板１１の熱膨張に対してプリント回路基板
１２の熱膨張は大きくなる。よってセラミック回路基板
１１とプリント回路基板１２とを直接半田バンプにより
接合した場合には、両基板１１，１２間に配設されてい
る半田バンプにストレスが印加され剥離等の不都合が発
生してしまうことは前述した通りである。
【００４３】そこで本実施例では、セラミック回路基板
１１とプリント回路基板１２との間に、各回路基板１
１，１２の熱膨張差に起因したストレスを緩和する中間
基板１３を配設したことを特徴とする。以下、中間基板
１３の具体的構成について説明する。
【００４４】中間基板１３は、大略すると第１の基板層
１８と、この第１の基板層１８を挟んで配設された一対
の第２の基板層１９Ａ，１９Ｂと、更にこの第２の基板
層１９Ａ，１９Ｂを挟んで配設された一対の表面基板層
２０Ａ，２０Ｂとにより構成されている。即ち、中間基
板１３は、垂直方向上部より表面基板層２０Ａ，第２の
基板層１９Ａ，第１の基板層１８，第２の基板層１９
Ｂ，表面基板層２０Ｂの順で積層された構成とされてい
る。
【００４５】また、中間基板１３を構成する各基板層１
８，１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂは、プリント回路
基板１２と同様の材料により形成されている（例えば、
ガラス・エポキシ製）。従って、プリント回路基板１２
と中間基板１３の熱膨張率は略等しい値となっている。
以下、各基板層１８，１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ
の構成について夫々説明する。
【００４６】第１の基板層１８は、図１乃至図３に加え
図４に示すように、熱膨張を吸収するため設けられた第
１の孔部２２と、スルーホール２１（後に詳述する）と
なる第２の孔部２３とが多数個整列して形成された構成
とされている。また、一対の第２の基板層１９Ａ，１９
Ｂは夫々同一構成とされており、図１乃至図３に加え図
５に示すように、夫々熱膨張を吸収するため設けられた
第３の孔部２４と、スルーホール２１となる第４の孔部
２５とが多数個整列して形成された構成とされている。
【００４７】また、一対の表面基板層２０Ａ，２０Ｂは
夫々同一構成とされており、図１乃至図３に加え図６に
示すように、スルーホール２１となる第５の孔部２６
と、第１或いは第２の半田バンプ１４，１５が接続され
る電極パッド２７とが多数個整列して形成された構成と
されている。
【００４８】この電極パッド２７は例えば銅（Ｃｕ）等
の導電性膜により形成されており、第１或いは第２の半
田バンプ１４，１５が接続されるバンプパッド部２８
と、このバンプパッド部２８から第５の孔部２６に向け
延出した延出部２９とを一体的に形成した構成されてい
る。また、バンプパッド部２８の上部には、半田バンプ
１４，１５との接合性を向上させるため、半田及び銅に
対し共に接合性の良好な金属材料によりメッキ膜３０が
形成されている。
【００４９】上記構成とされた第１の基板層１８，第２
の基板層１９Ａ，１９Ｂ，及び表面基板層２０Ａ，２０
Ｂは、前記した順番で積層されて接合（例えば、接着に
より）されることにより中間基板１３を形成する。各基
板層１８，１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂが積層され
た状態（以下、この積層された状態を積層状態という）
において、第１及び第２基板層１８，１９Ａ，１９Ｂに
形成されている孔部２２，２４は中間基板１３内におい
て空間部を形成する。
【００５０】また、積層状態において、第２の孔部２
３，第４の孔部２５，及び第５の孔部２６は連通するよ
う構成されている。この連通された各孔部２３，２５，
２６内には導電性部材（例えば、銀。尚、導通を図らな
い場合には選択的に絶縁部材でも可）が充填されること
によりスルーホール２１が形成される（図２参照）。
【００５１】また、スルーホール２１の上部は表面基板
層２０Ａに形成された電極パッド２７の延出部２９に電
気的に接続するよう構成されており、またスルーホール
２１の下部は表面基板層２０Ｂに形成された電極パッド
２７の延出部２９に電気的に接続するよう構成されてい
る。
【００５２】従って、中間基板１３の最上層に位置する
表面基板層２０Ａに形成された電極パッド２７と、中間
基板１３の最下層に位置する表面基板層２０Ｂに形成さ
れた電極パッド２７とは、スルーホール２１を介して電
気的に接続された構成となる。よって、離間配設された
一対の表面基板層２０Ａ，２０Ｂに形成された電極パッ
ド２７を簡単な構成で確実に接続することができる。
【００５３】また、第１の孔部２２と第３の孔部２４の
形成位置に注目すると、上記積層状態において、第１の
基板層１８に形成された第１の孔部２２と、第２の基板
層１９Ａ，１９Ｂに形成された第３の孔部２４とは、連
通状態を維持しつつ積層方向（垂直方向。即ち、図中矢
印Ｚで示す方向）に対して異なる位置となるよう構成さ
れている。
【００５４】即ち、図１及び図３に示されるように、第
１の孔部２２と第３の孔部２４とは一部で重なり合い連
通するものの、完全には重なり合ってはおらず、その形
成位置がずれた構成となっている。更に、この第１及び
第３の孔部２２，２４は、中間基板１３の端部まで形成
されている。
【００５５】ここで、仮に中間基板１３に形成された第
１の孔部２２と第３の孔部２４とが連通されておらず、
各孔部２２，２３が夫々密閉された構成を想定してみ
る。本実施例では、中間基板１３として比較的高い吸水
性を有するガラス・エポキシ製基板を用いている。よっ
て、加熱時に中間基板１３に吸水されていた水分が蒸発
し水分膨張（約1000倍に膨張する）すると、各孔部２
２，２３が密閉された構成の中間基板１３では水分の膨
張力により中間基板１３が破損するおそれがある。
【００５６】しかるに本実施例では、積層状態において
第１の孔部２２と第３の孔部２４とが連通する構成とさ
れており、かつ第１及び第３の孔部２２，２４は中間基
板１３の端面部まで形成されている。従って、孔部２
２，２４内に水分が存在しこれが実装時の加熱等により
水分膨張したとしても、第１の孔部２２と第３の孔部２
４とが連通されているため、水分膨張で発生した蒸気は
第１及び第３の孔部２２，２４を逃げ道として中間基板
１３の外部に排出される（排出される蒸気の流れの一例
を図１に破線の矢印で示す）。よって、水分膨張により
中間基板１３に損傷が発生することを確実に防止するこ
とができる。
【００５７】続いて、図１及び図２を主に用いて、上記
構成とされた中間基板１３を用いてセラミック回路基板
１１をプリント回路基板１２に表面実装する場合におけ
る、各構成要素の作用について説明する。尚、以下の説
明では、第１の半田バンプ１４はセラミック回路基板１
１のバンプパッド１６に予め形成されており、また第２
の半田バンプ１５は中間基板１３に形成されたバンプパ
ッド部２８に予め形成されているものとする。
【００５８】セラミック回路基板１１をプリント回路基
板１２に表面実装するには、セラミック回路基板１１と
プリント回路基板１２との間に中間基板１３を介装し、
更にセラミック回路基板１１と中間基板１３とを電気的
に接続する第１の半田バンプ１４が配設される突起電極
形成空間内にアンダーフィルレジン３１を介装する。そ
して、加熱処理を行うことにより第１の半田バンプ１４
を中間基板１３の表面基板層２０Ａに形成されたバンプ
パッド部２８に接合すると共に、第２の半田バンプ１５
をプリント回路基板１２に形成されたバンプパッド１７
に接合する。
【００５９】上記したように、中間基板１３はセラミッ
ク回路基板１１と熱膨張率が異なる材質により形成され
ているため、上記加熱時にセラミック回路基板１１と中
間基板１３との間に熱膨張差が発生する。しかるに、本
実施例に係る実装構造１０では、第１の半田バンプ１４
が配設される突起電極形成空間内にアンダーフィルレジ
ン３１が介装されている。このため、アンダーフィルレ
ジン３１はセラミック回路基板１１及び中間基板１３と
広い面積で接合し、よってセラミック回路基板１１と中
間基板１３との間に配設された第１の半田バンプ１４に
水平方向に印加されるストレスを軽減でき、第１の半田
バンプ１４とバンプパッド１６との間、及び第１の半田
バンプ１４とバンプパッド部２８との間で剥離が発生す
ることを抑制することができる。
【００６０】一方、上記のように第１の半田バンプ１４
が配設される突起電極形成空間内にアンダーフィルレジ
ン３１を介装することにより、第１の半田バンプ１４に
水平方向に印加されるストレスは軽減できるが、この構
成では新たにアンダーフィルレジン３１が樹脂収縮する
ことにより第１の半田バンプ１４に垂直方向（図中、矢
印Ｚで示す方向）に印加されるストレスが問題となる。
【００６１】しかるに、中間基板１３は第１及び第２の
基板層１８，１９Ａ，１９Ｂに熱膨張を吸収する第１及
び第３の孔部２２，２４が形成されており、この第１及
び第３の孔部２２，２４の形成位置は中間基板内におい
て空間部を形成する。従って、中間基板１３はこの空間
部形成位置（即ち、第１及び第３の孔部２２，２４の形
成位置）においては垂直方向に可撓変位可能な構成とな
る。
【００６２】よって、アンダーフィルレジン３１の樹脂
収縮に起因して第１の半田バンプ１４に垂直方向にスト
レスが印加されたとしても、このストレスは中間基板１
３が垂直方向に可撓変形することにより吸収することが
できる。これにより、第１の半田バンプ１４に垂直方向
のストレスが印加されることはなくなり、第１の半田バ
ンプ１４とバンプパッド１６との間、及び第１の半田バ
ンプ１４とバンプパッド部２８との間で剥離が発生する
ことを防止することができる。
【００６３】また、上記したように第２の基板層１９
Ａ，１９Ｂに形成されている第３の孔部２４は第１の基
板層１８に形成された第１の孔部２２より大きな径寸法
とされているが、本実施例ではこの大径とされた第３の
孔部２４の形成位置が第１及び第２の半田バンプ１４，
１５の形成位置と対向するよう構成されている。更に、
第３の孔部２４の径寸法は、第１及び第２の半田バンプ
１４，１５が接続されるバンプパッド部２８の径寸法よ
り大きく設定されている。
【００６４】上記構成とすることにより、第１の半田バ
ンプ１４に印加される垂直方向のストレスをより有効に
防止することができる。即ち、径寸法の大きな第３の孔
部２４の形成位置、換言すれば大きな空間部の形成位置
は最も中間基板１３の可撓量が多い部位であり、よって
ストレスが印加された場合に最もその吸収率が良好な部
位である。
【００６５】従って、このストレス吸収効率の良い第３
の孔部２４の形成位置をストレスの影響が最も大きい各
半田バンプ１４，１５の形成位置と対向する位置とする
ことにより、各半田バンプ１４，１５にストレスが印加
されることを有効に防止することができる。
【００６６】また、第３の孔部２４（空間部）の大きさ
をバンプパッド部２８の大きさよりも大きく形成したこ
とにより、ストレスが印加された場合においてバンプパ
ッド部２８が表面基板層２０Ａ，２０Ｂから剥離するこ
とを防止することができる。即ち、バンプパッド部２８
の剥離が発生し易い位置はバンプパッド部２８の外周位
置である。よって、第３の孔部２４（空間部）の大きさ
がバンプパッド部２８と等しいか、或いはそれより小さ
いとストレスは強度の弱いバンプパッド部２８の外周部
に印加されてしまう。
【００６７】しかるに、第３の孔部２４の大きさをバン
プパッド部２８の大きさよりも大きく形成することによ
り、ストレスがバンプパッド部２８の外周部に印加され
ることを防止でき、バンプパッド部２８の剥離を防止す
ることができる。一方、プリント回路基板１２と中間基
板１３との接続に注目すると、プリント回路基板１２及
び中間基板１３は共に同一材質により形成されており、
各基板１２，１３の熱膨張率は略等しくなっている。
【００６８】よって、加熱処理を行っても各基板１２，
１３に発生する熱膨張差は小さく、第２の半田バンプ１
５にストレスが発生することはない。従って、プリント
回路基板１２と中間基板１３との接合に際しては、セラ
ミック回路基板１１と中間基板１３との接合構造と異な
りアンダーフィルレジンを配設する必要はない。
【００６９】このようにプリント回路基板１２と中間基
板１３との接合においてアンダーフィルレジンが不要と
なることにより、一旦プリント回路基板１２をセラミッ
ク回路基板１１に接合した後においても、このプリント
回路基板１２と中間基板１３との接合においてセラミッ
ク回路基板１１をプリント回路基板１２から取り外す
（リプレイス）することが可能となり、これによりメン
テナンス性を向上させることができる。
【００７０】尚、上記した実施例においては、第１の回
路基板としてセラミック回路基板１１を用いると共に第
２の回路基板としてプリント回路基板１２を用いた例に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、熱膨張率の異なる複数（３枚以上の可能）の回路
基板を表面実装する際に広く適用できるものである。
【００７１】また、本実施例においては、中間基板１３
として第１の基板層１８、第２の基板層１９Ａ，１９
Ｂ、及び表面基板層２０Ａ，２０Ｂを５層積層した構造
を示したが、中間基板１３の構造はこの構造に限定され
るものではなく、層数は適宜設定すればよく、かつ各孔
部２２〜２６の形成位置及び大きさも各回路基板の熱膨
張差及び突起電極数により適宜選定すればよい。
【００７２】
【発明の効果】上述した如く、本発明によれば次に述べ
る各種効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、第１の回路基板と第２の回路基板との間に
熱膨張率に相違があり、よって加熱時等に第１の回路基
板と第２の回路基板との間に熱膨張差が発生しても、こ
の熱膨張は中間基板に形成された熱膨張吸収機構により
吸収されるため、水平方向及び垂直方向の双方向におい
て第１及び第２の突起電極にストレスが発生することを
抑制できる。これにより、突起電極に剥離が発生するこ
とを防止でき、実装構造の信頼性を向上することができ
る。
【００７３】また、第１の突起電極に印加される特に水
平方向のストレスが軽減されるため、第１の突起電極に
剥離が発生することを防止することができる。また、請
求項２記載の発明によれば、第２の回路基板と中間基板
との間に配設される第２の突起電極にストレスが印加さ
れることを防止でき、よって第２の突起電極に剥離が発
生することを防止することができる。
【００７４】また、請求項３記載の発明によれば、熱膨
張吸収機構を中間基板内に形成した空間部により構成し
たことにより、中間基板はこの空間部形成位置において
は垂直方向に可撓変位可能な構成となり、よって第１或
いは第２の回路基板に熱膨張差が存在してもこの熱膨張
差は中間基板により吸収することができ、第１及び第２
の突起電極に垂直方向のストレスが印加されることは防
止され、第１及び第２の突起電極に剥離が発生すること
を防止することができる。
【００７５】また、請求項４記載の発明によれば、空間
部の形成位置を突起電極の形成位置と対向する位置とす
ることにより、突起電極にストレスが印加されることを
有効に防止することができる。また、空間部の大きさを
突起電極が接続される電極パッドの大きさよりも大きく
形成したことにより、ストレスが印加された場合に最も
その影響が大きい位置において中間基板の可撓変位量を
十分に確保することができ、これによっても突起電極に
ストレスが印加されることを有効に防止することができ
る。
【００７６】また、請求項５記載の発明によれば、第１
の孔部，第３の孔部により中間基板を挟んで配設される
各回路基板の熱膨張を吸収することができ、また第２の
孔部，第４の孔部，及び第５の孔部は協働してスルーホ
ールを形成するため、中間基板を挟んで配設される各回
路基板の熱膨張を吸収しつつ、電気的接続を行うことが
できる。
【００７７】また、請求項６記載の発明によれば、第１
の基板層，第２の基板層，及び表面基板層を夫々別個の
構成としても、形成されるスルーホールにより各表面基
板層に形成された電極パッドを電気的に接続することが
可能となり、よって各表面基板層に形成される電極パッ
ドを簡単な構成で確実に接続することができる。
【００７８】また、請求項７記載の発明によれば、孔部
内に水分が存在しこれが実装時の加熱により水分膨張し
たとしても、水分膨張で発生した蒸気は各孔部を逃げ道
として外部に排出されため、中間基板に損傷が発生する
ことを確実に防止することができる。
【００７９】また、各層を積層した状態で各孔部が積層
方向に対して異なる位置となるよう構成されているた
め、垂直方向にストレスが印加されたとしても中間基板
の可撓領域は確保されているため、中間基板を挟んで配
設される各回路基板の熱膨張を確実に吸収することがで
きる。
【００８０】更に、請求項８記載の発明によれば、各孔
部は基板端面部まで連通状態を維持し、よって発生した
蒸気の逃げ道は基板端面部まで確保されているため、発
生した蒸気を確実に中間基板の外部に排出することがで
きる。
【図面の簡単な説明】【図１】本発明の第１実施例である実装構造の断面図
（図３におけるＡ−Ａ線に沿う断面図）である。
【図２】本発明の第１実施例である実装構造の断面図
（図３におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図）である。
【図３】本発明の第１実施例である実装構造の平面図で
ある。
【図４】表面基板層を示す平面図である。
【図５】第１の基板層を示す平面図である。
【図６】第２の基板層を示す平面図である。
【図７】従来の実装構造の一例を示す図である。
【図８】従来の実装構造の一例を示す図（アンダーフィ
ルレジン有り）である。
【符号の説明】 １０ 表面実装構造 １１ セラミック回路基板 １２ プリント回路基板 １３ 中間基板 １４ 第１の半田バンプ １５ 第２の半田バンプ １６，１７ バンプパッド １８ 第１の基板層 １９Ａ，１９Ｂ 第２の基板層 ２０Ａ，２０Ｂ 表面基板層 ２１ スルーホール ２２ 第１の孔部 ２３ 第２の孔部 ２４ 第３の孔部 ２５ 第４の孔部 ２６ 第５の孔部 ２７ 電極パッド ２８ バンプパッド部 ２９ 延出部 ３０ メッキ膜