【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、バンドギャプが異
なる複数の半導体を利用して発光させる多色発光素子に
関し、特に、外部量子効率が高く、長時間使用時の信頼
性及び混色性に優れた多色発光素子及びそれを用いた表
示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multicolor light emitting device that emits light by using a plurality of semiconductors having different band gaps, and in particular, has high external quantum efficiency and excellent reliability and color mixing property during long-term use. The present invention relates to a multicolor light emitting element and a display device using the same.
【従来の技術】今日、ＬＳＩ等のシリコンテクノロジー
及び光通信等の発展により、大量の情報を処理及び伝送
することが可能となった。これに伴い、多量な画像情報
処理可能なフルカラー化及び大型化した表示装置に対す
る社会の要求が、ますます高まりを見せている。2. Description of the Related Art Today, with the development of silicon technology such as LSI and optical communication, a large amount of information can be processed and transmitted. Along with this, society's demands for full-color and large-sized display devices capable of processing a large amount of image data are increasing.
【０００２】特に、不特定多数の人々が視認する大型表
示装置については、極めて要求が高い。この様な大型表
示装置としては、冷陰極管を多数組み合わせて表示する
マルチビジョンや液晶フィルターを利用した液晶プロジ
ェクター等が知られている。[0002] In particular, there is an extremely high demand for a large-sized display device that can be viewed by an unspecified number of people. As such a large-sized display device, there are known a multi-vision which displays a combination of many cold cathode tubes and a liquid crystal projector which uses a liquid crystal filter.
【０００３】しかしながら、前述の方式は装置重量、装
置体積が大きい。また、駆動のために高電圧を使用する
ため保守点検がしにくい。或いは使用環境が制限される
などの問題がある。そのため、大型表示装置は、本格的
に普及するまでには至っていない。However, the above-mentioned method has a large device weight and a large device volume. Moreover, since a high voltage is used for driving, maintenance and inspection is difficult. Alternatively, there is a problem that the usage environment is limited. For this reason, large-scale display devices have not come into widespread use.
【０００４】一方、最近フルカラー表示が可能であるＲ
ＧＢ（赤、緑、青）三原色がそれぞれ高輝度に発光可能
な固体発光素子（以下、ＬＥＤと呼ぶ。）が開発され
た。このＬＥＤの開発にともない大型表示装置等として
にわかにＬＥＤが注目されている。ＬＥＤを用いた表示
装置は、従来の表示装置と比べ装置体積、装置重量が極
めて小さくすることが可能であると同時に長寿命化が可
能である。また、従来の冷陰極管を使用したデイスプレ
イ等と比較して製造が比較的容易であり、駆動電圧及び
消費電力が極めて小さいために大型表示装置として特に
有望視されている。On the other hand, recently, R which is capable of full-color display
A solid-state light emitting device (hereinafter, referred to as an LED) capable of emitting light of each of the three primary colors of GB (red, green, blue) with high brightness has been developed. With the development of the LED, the LED is suddenly attracting attention as a large display device and the like. A display device using an LED can have an extremely small device volume and device weight as compared with a conventional display device, and at the same time, can have a long life. Further, it is relatively easy to manufacture as compared with a display using a conventional cold cathode fluorescent lamp, and the driving voltage and power consumption are extremely small, so that it is particularly promising as a large-sized display device.
【０００５】このＬＥＤとしては、共通基板であるステ
ム等の上に赤色、緑色及び青色からなる３つ以上のＬＥ
Ｄチップを配置しそれぞれの発光色の組み合わせにより
フルカラー表示させることができる発光素子いわゆる
「多色発光素子」が挙げられる。（以下、本願明細書に
おける多色発光素子とは、共通基板上に設けられた発光
波長が異なる電磁波を発光しうる半導体が複数設けられ
たものを示す。）具体的には、全てのＬＥＤチップを点
灯させると白色になり、赤と緑でイエロー、緑と青でシ
アンとなる。さらに、各ＬＥＤの明るさを調整して種種
の発光色とすることができる。この様な、多色発光素子
として特開平６ー１７７４３０号、特開平６ー１７７４
２５号等が挙げられる。This LED has three or more LEs of red, green and blue on a common substrate such as a stem.
A light-emitting element, which is a so-called "multicolor light-emitting element", in which a D chip is arranged and a full-color display can be performed by combining the respective emission colors can be given. (Hereinafter, the multicolor light emitting element in the present specification refers to an element provided with a plurality of semiconductors provided on a common substrate and capable of emitting electromagnetic waves having different emission wavelengths.) Specifically, all LED chips When turned on, it becomes white, red and green become yellow, and green and blue become cyan. Further, the brightness of each LED can be adjusted to produce various kinds of emission colors. As such a multicolor light emitting device, JP-A-6-177430 and JP-A-6-1774 are available.
25, etc. are mentioned.
【０００６】ＲＧＢ３原色を使用したＬＥＤ構成の具体
的一例を図４及び図５に示す。このフルカラー表示可能
なＬＥＤは、足ピン４０４、４０５、４０６を備え、ス
テム４０７上に赤色ＬＥＤチップ４０１と緑色ＬＥＤチ
ップ４０２及び青色ＬＥＤチップ４０３を配置してあ
る。赤色ＬＥＤチップ４０１、緑色ＬＥＤチップ４０２
及び青色ＬＥＤチップ４０３は、それぞれの半導体に設
けられた一方の電極とステム４０７とをそれぞれＡｇペ
ーストを介して電気的に接続し他方の電極と足ピン４０
４、４０５、４０６とは電気的接続部材４０８を用いて
結線してある。次に図５に示すように、光拡散剤を低濃
度で分散させたエポキシ樹脂等の光分散部材５０１と、
透明のエポキシ樹脂などからなる透明部材５０２と、を
有するモールド５０３が形成される。即ち、モールド５
０３は、各ＬＥＤチップ４０１、４０２、４０３からの
光を混色等させるためのレンズとして機能している。上
記構成の各ＬＥＤチップをそれぞれ発光させることによ
って所望の発光色がえられる多色発光素子として機能さ
せることができる。この多色発光素子をマトリックス状
や所望の幾何学的形状に配置することによって表示装置
として利用することができる。A specific example of an LED configuration using the RGB three primary colors is shown in FIGS. The LED capable of full-color display includes foot pins 404, 405, and 406, and a red LED chip 401, a green LED chip 402, and a blue LED chip 403 are arranged on a stem 407. Red LED chip 401, green LED chip 402
In the blue LED chip 403, one electrode provided on each semiconductor and the stem 407 are electrically connected through Ag paste, and the other electrode and the foot pin 40 are connected.
4, 405 and 406 are connected to each other using an electrical connection member 408. Next, as shown in FIG. 5, a light dispersion member 501 such as an epoxy resin in which a light diffusing agent is dispersed at a low concentration,
A mold 503 having a transparent member 502 made of a transparent epoxy resin or the like is formed. That is, the mold 5
Reference numeral 03 functions as a lens for mixing the colors of light from the LED chips 401, 402, and 403. It is possible to function as a multicolor light emitting element that can obtain a desired color by emitting light from each LED chip having the above configuration. By arranging this multicolor light emitting element in a matrix shape or a desired geometrical shape, it can be used as a display device.
【０００７】しかしながら、視認性及び信頼性の向上が
求められる今日においては上記構成の多色発光素子では
十分ではなく更なる高輝度低電力化、混色性の向上及び
耐久性が求められている。又上記構成の多色発光素子を
表示装置として用いた場合においては見る角度によって
著しく生じる混色不良現象を改善することが求められて
いる。However, in the present day when the visibility and the reliability are required to be improved, the multicolor light emitting device having the above structure is not sufficient, and further higher brightness and lower power consumption, improvement of color mixture and durability are required. Further, when the multicolor light emitting device having the above-mentioned structure is used as a display device, it is required to improve the phenomenon of defective color mixing which is remarkably caused by the viewing angle.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、上記課題
に鑑み信頼性が高く更なる高輝度化及び高混色性を達成
する多色発光素子及びそれを用いた表示装置を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention provides a multicolor light emitting device which is highly reliable and achieves higher brightness and higher color mixture, and a display device using the same. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本願発明は、共通基板上
に発光波長が異なる少なくとも３つ以上の半導体をそれ
ぞれ有する多色発光素子において、第１の発光波長を有
する第１の半導体が前記第１の発光波長より短い発光波
長を発光する第２及び第３の半導体の間にあって、且、
前記第２及び第３の半導体のそれぞれの発光観測面側に
少なくとも２以上の電気的接続部材が接続されている多
色発光素子である。According to the present invention, in a multicolor light emitting device each having at least three semiconductors having different emission wavelengths on a common substrate, the first semiconductor having a first emission wavelength is the first semiconductor. Between the second and third semiconductors that emit an emission wavelength shorter than the emission wavelength of 1, and
It is a multicolor light emitting device in which at least two or more electrical connecting members are connected to the respective light emission observation surfaces of the second and third semiconductors.
【００１０】また、本願発明は前記第１の半導体の発光
波長が６１０から７００ｎｍであり、前記第２の半導体
の発光波長が４９５から５６５ｎｍであり、前記第３の
半導体の発光波長が４３０から４９０ｎｍの多色発光素
子である。According to the present invention, the emission wavelength of the first semiconductor is 610 to 700 nm, the emission wavelength of the second semiconductor is 495 to 565 nm, and the emission wavelength of the third semiconductor is 430 to 490 nm. Is a multicolor light emitting element.
【００１１】さらに、前記発光観測面側に設けられた第
１の半導体の電気的接続部材が１つの多色発光素子であ
る。Further, the first semiconductor electrical connection member provided on the side of the light emission observation surface is one multicolor light emitting element.
【００１２】前記第２及び第３の半導体の電気的接続部
材が少なくともそれぞれの発光観測面側の発光中心から
ずれて設けれた多色発光素子である。[0012] In the multicolor light emitting device, the second and third semiconductor electrical connection members are provided so as to be displaced from at least the light emission center on the light emission observation surface side.
【００１３】さらにまた、各半導体が実質的に一直線上
に配置された多色発光素子をマトリクス状に配置し該半
導体直線配置方向とマトリクスの上下方向が略平行であ
る表示パネルと、該表示パネルと電気的に接続された駆
動回路と、を有する表示装置である。Furthermore, a display panel in which the multicolor light emitting elements in which the respective semiconductors are arranged substantially in a straight line are arranged in a matrix and the semiconductor straight line arrangement direction and the vertical direction of the matrix are substantially parallel to each other, and the display panel. And a drive circuit electrically connected to the display device.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本願発明の請求項１の構成とすることに
より長時間使用時の輝度低下を抑え信頼性が向上すると
ともに混色性を向上させることが出来る。By adopting the constitution of claim 1 of the present invention, it is possible to suppress a decrease in luminance during long-term use, improve reliability, and improve color mixing.
【００１５】本願発明の請求項２の構成とすることによ
ってフルカラー表示においても混色性が向上する。With the structure of claim 2 of the present invention, the color mixing property is improved even in full-color display.
【００１６】本願発明の請求項３の構成とすることによ
り、光度保持率を維持しつつ製造を簡略化することがで
きる。With the structure according to the third aspect of the present invention, the manufacturing can be simplified while maintaining the luminous intensity retention rate.
【００１７】本願発明の請求項４の構成とすることによ
って、発光効率を向上させることができる。With the structure according to claim 4 of the present invention, the luminous efficiency can be improved.
【００１８】本願発明の請求項５の構成とすることによ
って、多色発光素子が１画素として繰り返し近接して多
数配置された表示パネルを用いる表示装置においても混
色性を向上させることができる。即ち、見る角度におけ
る混色性が崩れることを低減させることができる。With the structure according to claim 5 of the present invention, color mixing can be improved even in a display device using a display panel in which multiple multicolor light emitting elements are repeatedly arranged in close proximity as one pixel. That is, it is possible to reduce the deterioration of the color mixing property at the viewing angle.
【００１９】[0019]
【実施態様例】本願発明者らは種種の実験の結果、多色
発光素子においては混色性、輝度及び信頼性が各ＬＥＤ
チップに設けられた電気的接続部材と、波長の異なる各
ＬＥＤの特定配置によって大きく変わることを見いだ
し、これに基づいて発明するに至った。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As a result of various kinds of experiments, the inventors of the present invention have shown that multicolor light emitting elements have different color mixture, brightness, and reliability for each LED.
It has been found that the electric connection member provided on the chip and the specific arrangement of the LEDs having different wavelengths greatly change the present invention, and based on this, the present invention has been completed.
【００２０】本願発明の構成による特性向上の理由は定
かではないが、バンドギャプの大きさによってほぼ発熱
量が比例すること及びＬＥＤチップの配置によって熱が
集中することが光度保持率に大きな関係があるためと考
えられる。Although the reason for the improvement of the characteristics by the structure of the present invention is not clear, the fact that the amount of heat generation is almost proportional to the size of the band gap and that the heat is concentrated due to the arrangement of the LED chips have a great relationship with the luminous intensity retention ratio. It is thought to be because.
【００２１】即ち、ＬＥＤチップは、熱を受けることで
発光波長がずれるなどの悪影響が生じるが、多色発光素
子では個々ＬＥＤチップの発光色を混色させる必要があ
るためある程度接近して設けなければならず各ＬＥＤチ
ップが発生する熱を無視することが出来ない。特に混色
性向上のために３つ以上直線的に並べた場合、中央ほど
両側から熱を貰うため影響が大きい。さらに、個々の半
導体のバンドギャップは発光波長を決定すると供に発熱
量をも決定する。したがって、発光波長の異なるＬＥＤ
チップを直線的に配置した場合熱の影響が顕著に現れ光
度保持率が大きく変化すると考えられる。That is, the LED chips are adversely affected by the heat, such as the shift of the emission wavelength. However, in the multicolor light emitting element, it is necessary to mix the emission colors of the individual LED chips. In addition, the heat generated by each LED chip cannot be ignored. In particular, when three or more lines are arranged in a straight line to improve color mixing, heat is received from both sides toward the center, which has a great effect. Further, the bandgap of each semiconductor determines the amount of heat generated when the emission wavelength is determined. Therefore, LEDs with different emission wavelengths
It is considered that when the chips are arranged in a straight line, the effect of heat becomes remarkable, and the luminous intensity retention rate changes greatly.
【００２２】したがって、発熱量の大きいＬＥＤチップ
を中央から離すと供に電気的接続部材を増やすことによ
って放熱量を多し光度保持率の向上が図られる。Therefore, by increasing the number of electrical connecting members together with the LED chip that generates a large amount of heat from the center, the amount of heat dissipation is increased and the luminous intensity retention rate is improved.
【００２３】一方、混色性の変化は半導体や電気的接続
部材によって遮られ方が変化することによって生じる為
と考えられる。発光波長の長い電磁波を放出する半導体
から放出された光は、半導体のバンドギャプの関係から
前記発光波長より短い電磁波を放出する半導体を比較的
通過しやすいがこの逆の場合は吸収され易くなること及
び短波長光の方が長波長光よりワイヤーなどと接続され
た電気的接続部に吸収されやすいこと、との相乗効果に
より混色性に差ができるものと考えられる。On the other hand, it is considered that the change in the color mixing property is caused by the change in the way of being blocked by the semiconductor or the electrical connection member. Light emitted from a semiconductor that emits an electromagnetic wave having a long emission wavelength is relatively easy to pass through a semiconductor that emits an electromagnetic wave having a shorter emission wavelength due to the band gap of the semiconductor, but in the opposite case, it is likely to be absorbed, and It is considered that the short-wavelength light is more easily absorbed by the electrical connection portion connected to the wire than the long-wavelength light, and it is considered that the difference in color mixing property can be caused by the synergistic effect.
【００２４】また、ＬＥＤをパネルに実装しパネルの上
下方向に対してＬＥＤチップの並びがほぼ平行にして使
用する場合は、ＲＧＢ３色とも左右方向から混色性良く
みることができる。上下方向において赤色を中心として
緑色及び青色によって挟まれた構造では、人間の色差に
対する感度は青−緑間に比べイエローやマゼンタ系で高
いため赤色と緑色、赤色と青色とが接近させることによ
って混色を向上させることができる。従って、デイスプ
レイ全体として良好な混色性が得ることができると考え
られる。When the LEDs are mounted on the panel and the LED chips are arranged substantially parallel to the vertical direction of the panel for use, the three RGB colors can be seen with good color mixture from the horizontal direction. In the structure sandwiched between green and blue with red as the center in the up-down direction, humans have higher sensitivity to color difference in yellow and magenta than blue-green, so red and green and red and blue are mixed so that they are mixed. Can be improved. Therefore, it is considered that good color mixing property can be obtained as the entire display.
【００２５】以下、図を用いて本願発明を詳細に説明す
る。図１は、本願発明の概略断面図であり、図２は、本
願発明の概略模式図である。発光波長の異なる各ＬＥＤ
チップとして緑色（発光波長５５５ｎｍ）を発光するＬ
ＥＤチップ１０１、赤色（発光波長６６０ｎｍ）を発光
するＬＥＤチップ１０２及び青色（発光波長４８０ｎ
ｍ）を発光するＬＥＤチップ１０３が共通基板であるス
テム１０４上に接着剤を使用して固定してある。ここ
で、ＬＥＤチップは、発光波長の最も長い赤色を中心と
して両側に緑色と青色を配置する構成としてある。各Ｌ
ＥＤチップ１０１、１０２、１０３は、それぞれ電力を
供給するための電極であるリードフレーム１０５、１０
６、１０７及び共通電極として機能させるステム１０４
と電気的に接続されている。電気的接続としてはダイボ
ンド等の機器を用いて金線などの電気的接続部材１０８
をワイヤーボンデイングしてある。ステム１０４及び各
リードフレーム１０５は、樹脂モールド２０９としてエ
ポキシ樹脂などにより封入することによって多色発光が
可能なＬＥＤとしている。（なお、本願明細書における
多色発光素子とは、共通基板上に設けられた少なくとも
３以上の発光波長が異なる半導体を呼ぶ。）以下各々の
構成部品について説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view of the present invention, and FIG. 2 is a schematic schematic diagram of the present invention. LEDs with different emission wavelengths
L that emits green light (wavelength 555 nm) as a chip
ED chip 101, LED chip 102 that emits red light (emission wavelength 660 nm), and blue (light emission wavelength 480 n
The LED chip 103 for emitting m) is fixed on the stem 104, which is a common substrate, using an adhesive. Here, the LED chip has a configuration in which green and blue are arranged on both sides centering on red, which has the longest emission wavelength. Each L
The ED chips 101, 102, 103 are lead frames 105, 10 which are electrodes for supplying electric power, respectively.
6, 107 and stem 104 functioning as a common electrode
Is electrically connected to For electrical connection, a device such as a die bond is used to make an electrical connection member 108 such as a gold wire.
Is wire bonded. The stem 104 and each lead frame 105 are LEDs that are capable of multicolor light emission by encapsulating a resin mold 209 with epoxy resin or the like. (Note that the multicolor light emitting element in the present specification refers to a semiconductor provided on a common substrate and having at least three or more different emission wavelengths.) Each component will be described below.
【００２６】（ＬＥＤチップ１０１、１０２、１０３）
半導体発光素子である各ＬＥＤチップは、液相成長法や
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａ
Ｐ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を
発光層として形成させた物が用いられる。半導体の構造
としては、ＭＩＳ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘ
テロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられ
る。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫
外光から赤外光まで種種選択することができる。(LED chips 101, 102, 103)
Each LED chip, which is a semiconductor light emitting element, has GaAlN, ZnS, Z on the substrate by a liquid phase growth method, a MOCVD method, or the like.
nSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGa
A material in which a semiconductor such as P, InGaN, GaN, or AlInGaN is formed as a light emitting layer is used. Examples of the semiconductor structure include a homo structure, a hetero structure, and a double hetero structure having a MIS junction and a PN junction. The emission wavelength can be selected from ultraviolet light to infrared light depending on the material of the semiconductor layer and its degree of mixed crystal.
【００２７】次に、上記構成の半導体が形成された半導
体ウエハー等をダイヤモンド製の刃先を有するブレード
が回転するダイシングソーにより直接フルカットする
か、または刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後（ハ
ーフカット）、外力によって半導体ウエハーを割る。あ
るいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスク
ライバーにより半導体ウエハーに極めて細いスクライブ
ライン（経線）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によ
ってウエハーを割り半導体ウエハーからチップ状にカッ
トする。Next, a semiconductor wafer or the like on which the semiconductor having the above-mentioned structure is formed is directly full-cut by a dicing saw in which a blade having a diamond edge is rotated, or a groove having a width wider than the edge width is cut. (Half cut), the semiconductor wafer is broken by external force. Alternatively, an extremely thin scribe line (meridian) is drawn on the semiconductor wafer, for example, in a checkerboard pattern by a scriber in which a diamond needle at the tip reciprocates linearly, and then the wafer is cut by an external force and cut into chips from the semiconductor wafer.
【００２８】発光観測面側に複数の電極を形成するため
には各半導体を所望の形状にエッチングしてあることが
好ましい。エッチングとしては、ドライエッチングや、
ウエットエッチングがある。ドライエッチングとしては
例えば反応性イオンエッチング、イオンミリング、集束
ビームエッチング、ＥＣＲエッチング等が挙げられる。
又、ウエットエッチングとしては、硝酸と燐酸の混酸を
用いることが出来る。ただし、エッチングを行う前に所
望の形状に窒化珪素や二酸化珪素等の材料を用いてマス
クを形成することは言うまでもない。In order to form a plurality of electrodes on the light emission observation surface side, it is preferable that each semiconductor is etched into a desired shape. As etching, dry etching,
There is wet etching. Examples of the dry etching include reactive ion etching, ion milling, focused beam etching, and ECR etching.
For wet etching, a mixed acid of nitric acid and phosphoric acid can be used. However, it goes without saying that a mask is formed in a desired shape using a material such as silicon nitride or silicon dioxide before etching.
【００２９】野外などの使用を考慮する場合、高輝度な
半導体材料として緑色及び青色を窒化ガリウム系化合物
半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウ
ム、アルミニュウム、砒素系の半導体やアルミニュウ
ム、インジュウム、ガリウム、燐系の半導体を用いるこ
とが好ましいが、用途によって種種利用できることは言
うまでもない。In consideration of use outdoors, it is preferable to use gallium nitride-based compound semiconductors for green and blue as a high-luminance semiconductor material, and gallium, aluminium, arsenic-based semiconductors and aluminium, indium for red. It is preferable to use gallium or phosphorus based semiconductors, but it goes without saying that various kinds of semiconductors can be used depending on the application.
【００３０】なお、窒化ガリウム系化合物半導体を使用
した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い
窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用
いることが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、
ＡｌＮ等のバッファー層を形成しその上にＰ−Ｎ接合を
有する窒化ガリウム半導体を形成させる。窒化ガリウム
系半導体は、不純物をドープしない状態でＮ型導電性を
示す。なお、発光効率を向上させる等所望のＮ型窒化ガ
リウム半導体を形成させる場合は、Ｎ型ドーパントとし
てＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが
好ましい。一方、Ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる
場合は、Ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化ガリウム半導体
は、Ｐ型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにく
いためＰ型ドーパント導入後に、低電子線照射させた
り、プラズマ照射等によりアニールすることでＰ型化さ
せる必要がある。When a gallium nitride compound semiconductor is used, the semiconductor substrate is made of sapphire, spinel or Si.
Materials such as C, Si, and ZnO are used. A sapphire substrate is preferably used to form gallium nitride having good crystallinity. GaN on this sapphire substrate,
A buffer layer of AlN or the like is formed, and a gallium nitride semiconductor having a PN junction is formed thereon. The gallium nitride based semiconductor exhibits N-type conductivity in a state where it is not doped with impurities. When forming a desired N-type gallium nitride semiconductor such as improving the luminous efficiency, it is preferable to appropriately introduce Si, Ge, Se, Te, C or the like as an N-type dopant. On the other hand, when forming a P-type gallium nitride semiconductor, Zn, Mg, Be, and C which are P-type dopants are used.
a, Sr, Ba and the like are doped. The gallium nitride semiconductor is difficult to become P-type only by doping with a P-type dopant, and therefore it is necessary to make it a P-type by irradiating it with a low electron beam or annealing it by plasma irradiation after introducing the P-type dopant.
【００３１】こうしてできた波長の異なるＬＥＤチップ
は、所望によって複数用いることができ、例えば青色を
２個、緑色及び赤色をそれぞれ１個ずつとすることが出
来る。また、発光波長は必ずしも青色、緑色、赤色に限
られる物ではなく、所望に応じて黄色などが発光できる
ように半導体のバンドギャプを調節すれば良い。また、
ＬＥＤチップの配置としては、発光波長の長いＬＥＤチ
ップほど中央側に配置されればよい。光学的には、それ
ぞれの発光素子を直線状に配置することが好ましい。具
体的な例としては、青緑色ＬＥＤチップに挟まれた黄色
ＬＥＤチップを用いて白色光を発光させることが出来
る。なお、表示装置用の多色発光素子として利用するた
めには赤色の発光波長が６１０ｎｍから７００ｎｍ、緑
色が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色の発光波長が４３
０ｎｍから４９０ｎｍであることが好ましい。If desired, a plurality of LED chips having different wavelengths can be used. For example, two blue chips and one green and one red chip can be used. Further, the emission wavelength is not necessarily limited to blue, green, and red, and the band gap of the semiconductor may be adjusted so that yellow or the like can be emitted as desired. Also,
As for the arrangement of the LED chips, the LED chips having a longer emission wavelength may be arranged closer to the center. Optically, it is preferable to arrange the respective light emitting elements linearly. As a specific example, white light can be emitted using a yellow LED chip sandwiched between blue-green LED chips. In order to use as a multicolor light emitting element for a display device, a red emission wavelength is 610 nm to 700 nm, a green emission wavelength is 495 nm to 565 nm, and a blue emission wavelength is 43 nm.
It is preferably 0 nm to 490 nm.
【００３２】（電気的接続部材１０８）電気的接続部材
１０８としては、各ＬＥＤ電極とのオーミック性、機械
的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求めら
れる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ
／℃以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃ
ｍ2／ｃｍ／℃以上である。具体的には、金、銅、白
金、アルミニュウム等及びそれらの合金を用いたボンデ
イングワイヤーが挙げられる。また、銀、カーボン等の
フィラーを樹脂で充填した導電性接着剤等を用いること
もできる。作業性を考慮してアルミニュウム線あるいは
金線が好ましい。(Electrical Connection Member 108) The electrical connection member 108 is required to have good ohmic contact with each LED electrode, mechanical connectability, electrical conductivity and thermal conductivity. The thermal conductivity is 0.01 cal / cm2 / cm
/ C or higher is preferable, more preferably 0.5 cal / c
m2 / cm / ° C. or more. Specific examples thereof include bonding wires using gold, copper, platinum, aluminum and the like and alloys thereof. Alternatively, a conductive adhesive or the like in which a filler such as silver or carbon is filled with a resin can be used. Aluminum wire or gold wire is preferable in consideration of workability.
【００３３】本発明において用いられる電気的接続部材
としては、放熱性向上の目的で複数設けることが出来る
が、多くなると発光面積が制限されるために輝度が低下
する。したがって、１つのＬＥＤチップとしては発光面
側に２〜６カ所が好ましい。A plurality of electrical connecting members used in the present invention can be provided for the purpose of improving heat dissipation, but if the number is increased, the light emitting area is limited and the brightness is lowered. Therefore, it is preferable that one LED chip has 2 to 6 locations on the light emitting surface side.
【００３４】しかしながら、本願発明においては中央側
のＬＥＤチップは、バンドギャプが小さいために発熱量
が少なく電気的接続部材を１つ設ける構成でも十分とな
る。電気的接続部材が１つであると両側のＬＥＤチップ
が２本以上であっても配線の自由度を大きくできると共
に製造工程を簡略化できる。However, in the present invention, since the central LED chip has a small band gap, the amount of heat generation is small and one electrical connecting member is sufficient. If there is one electrical connection member, the degree of freedom of wiring can be increased and the manufacturing process can be simplified even if the number of LED chips on both sides is two or more.
【００３５】（電気的接続部）本願発明において用いら
れる電気的接続部１０９とは、各ＬＥＤチップに電力を
供給するために設けられたＬＥＤチップ上の電気的接点
であって、少なくともＬＥＤチップから放出された発光
波長の一部を吸収する物をいい、接続部においてＬＥＤ
からの発光を２０％以上遮光する物を言う。具体的に
は、ワイヤーボンデイングの際に生じるボール、ＬＥＤ
からの発光が吸収されるＬＥＤ上の電極や電気的接続を
させるための導電性樹脂等があげられる。電気的接続部
材を２以上設ける場合発光効率を向上させるには発光面
中心からずれていることが好ましい。(Electrical Connection Section) The electrical connection section 109 used in the present invention is an electrical contact on the LED chip provided for supplying electric power to each LED chip, and at least from the LED chip. An LED that absorbs part of the emitted light wavelength, and is an LED at the connection.
It refers to an object that blocks 20% or more of the light emitted from. Specifically, balls and LEDs generated during wire bonding
Examples thereof include electrodes on the LED that absorb the emitted light from the LED and a conductive resin for electrical connection. When two or more electrical connecting members are provided, it is preferable that they are displaced from the center of the light emitting surface in order to improve the light emitting efficiency.
【００３６】なお、本願発明でいうＬＥＤチップの発光
面中心とは、発光面の重心をいう。また、発光面中心か
らずれるとは、少なくとも電気的接続部が発光面中心に
かかっていないことを言う。The center of the light emitting surface of the LED chip in the present invention means the center of gravity of the light emitting surface. Further, “shifting from the center of the light emitting surface” means that at least the electrical connection portion does not extend to the center of the light emitting surface.
【００３７】（電極）本願発明に用いられるＬＥＤチッ
プの電極としては、種種の方法によって形成される。導
電性基板結晶上にＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ等の半導体を形
成させたＬＥＤの場合、基板結晶を除去するためアルミ
ナや炭化珪素の細粒によるラッピング、表面の平滑性を
向上させるためのポリシング及び洗浄の工程をへた後、
金や白金等を含有する材料を蒸着材料やスパッタ材料と
して用いそれぞれ所望の場所に蒸着方法やスパッタリン
グ方法などによって電極を形成させる。また、形成され
た半導体側に蒸着方法やスパッタ方法を利用して金、白
金等の金属を一部分堆積させ電極として利用することも
できる。なお、堆積させた金属と半導体とを溶着合金さ
せるために不活性ガス中において３００〜４００℃で数
秒から数分間熱処理することが好ましい。(Electrodes) The electrodes of the LED chip used in the present invention are formed by various methods. In the case of an LED in which a semiconductor such as GaP or GaAlAs is formed on a conductive substrate crystal, lapping with fine particles of alumina or silicon carbide for removing the substrate crystal, polishing and cleaning steps for improving surface smoothness After losing
A material containing gold, platinum, or the like is used as a vapor deposition material or a sputtering material, and electrodes are formed at desired places by a vapor deposition method or a sputtering method. Further, a metal such as gold or platinum can be partially deposited on the formed semiconductor side by using a vapor deposition method or a sputtering method, and can be used as an electrode. Preferably, heat treatment is performed at 300 to 400 ° C. for several seconds to several minutes in an inert gas in order to cause a deposited alloy of the deposited metal and the semiconductor to be welded.
【００３８】発光素子の電極を介して発光させる場合
は、金属薄膜等で形成させた透光性（なお、ここで透光
性とは発光素子の発光する光の波長に対して電極を通過
すれば良い。）の電極とする必要がある。また、Ｐ型導
電性を有する半導体と接続させる電極（以下、Ｐ型電極
と呼ぶ。）としてはＰ型導電性を有する半導体層とオー
ミック接触させる必要がある。When light is emitted through the electrode of the light emitting element, the light-transmitting property formed by a metal thin film or the like (here, the light-transmitting property means that the light passing through the electrode with respect to the wavelength of light emitted by the light-emitting element) It is necessary to use it as an electrode. Further, as an electrode (hereinafter referred to as a P-type electrode) connected to a semiconductor having P-type conductivity, it is necessary to make ohmic contact with a semiconductor layer having P-type conductivity.
【００３９】窒化ガリウム系半導体の場合、これらの条
件を満たす材料として、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｒｈ等
の金属及びそれらの合金が挙げられる。また、透光性を
有する電極材料としてＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯ２等の
金属酸化物もあげられる。さらには、これらの上に前記
金属薄膜を積層することも可能である。金属等を透光性
とするためには蒸着方法、スパッタ方法等を用いて極め
て薄く形成させれば良い。また、金属を蒸着あるいはス
パッタ方法等によって形成させた後、アニーリングして
金属をＰ型導電性を有する半導体層中に拡散させると共
に外部に飛散させて所望の膜厚（透光性となる電極の膜
厚）に調整させた電極を形成させることもできる。透光
性となる金属電極の膜厚は、所望する発光波長や金属の
種類によっても異なるが、好ましくは、０．００１〜
０．１μｍであり、より好ましくは、０．０５〜０．２
μｍである。更に、電極を透光性とした場合、Ｐ型電極
の形状としては、線状、平面状等目的に応じて形成させ
ることができる。Ｐ型導電性を有する半導体層全体に形
成された平面状電極は、電流を全面に広げ全面発光とす
ることができる。In the case of gallium nitride-based semiconductor, materials satisfying these conditions are, for example, Au, Ni, Pt and A.
Examples include metals such as 1, Cr, Mo, W, In, Ga, Ti, Ag, and Rh, and alloys thereof. In addition, metal oxides such as ITO, SnO2, and NiO2 can also be used as a light-transmitting electrode material. Furthermore, it is also possible to stack the metal thin film on these. In order to make a metal or the like light-transmitting, it may be formed to be extremely thin using an evaporation method, a sputtering method, or the like. In addition, after the metal is formed by a vapor deposition or sputtering method, the metal is annealed to diffuse the metal into the semiconductor layer having P-type conductivity and to be scattered to the outside to obtain a desired film thickness (the electrode having a light-transmitting property). It is also possible to form electrodes whose thickness is adjusted. The film thickness of the light-transmissive metal electrode varies depending on the desired emission wavelength and the type of metal, but is preferably 0.001 to
0.1 μm, more preferably 0.05 to 0.2
μm. Further, when the electrode is translucent, the shape of the P-type electrode may be linear, planar, or the like depending on the purpose. A planar electrode formed over the entire semiconductor layer having P-type conductivity can spread current over the entire surface and emit light over the entire surface.
【００４０】さらにまた、Ｐ型電極を極めて薄く形成さ
せた場合、電極上に直接ワイヤーボンデイングすると、
ボールがＰ型電極と合金化せず接続しにくくなる傾向が
あるため密着性向上のためにＰ型電極とは別にボンデイ
ング用の台座電極を形成させたり、Ｐ型電極を多層構成
とすることが好ましい。台座電極の材質としては、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ａｌ等を使用することができる。台座電極の
膜厚としてはミクロンオーダーとすることが好ましい。
又、Ｐ型電極の少なくとも一部を多層構成とする場合、
窒化ガリウムと接触させる接触電極にはＣｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｇから選択され
る金属あるいは、これらの合金が好適に用いられボンデ
イングと接触するボンデイング電極としてはＡｌ、Ａｕ
等の金属あるいはこれらの合金が好適に用いられる。な
お、半導体素子通電時、Ｐ型電極中にボンデイング用電
極材料がマイグレーションする場合があるためボンデイ
ング用電極Ａｕ単体あるいはＡｌ及び／Ｃｒ含有量が少
ないＡｕ合金とすることが特に好ましい。Furthermore, when the P-type electrode is formed extremely thin, if wire bonding is directly performed on the electrode,
Since the ball does not alloy with the P-type electrode and tends to be difficult to connect, a pedestal electrode for bonding may be formed separately from the P-type electrode to improve adhesion, or the P-type electrode may have a multi-layered structure. preferable. The material of the pedestal electrode is A
u, Pt, Al and the like can be used. The thickness of the pedestal electrode is preferably on the order of microns.
When at least a part of the P-type electrode has a multilayer structure,
The contact electrodes that come into contact with gallium nitride are Cr, Mo,
A metal selected from W, Ni, Al, In, Ga, Ti, and Ag, or an alloy thereof is preferably used, and Al and Au are used as a bonding electrode that comes into contact with the bonding.
Or an alloy thereof is preferably used. Since the bonding electrode material may migrate into the P-type electrode when the semiconductor element is energized, it is particularly preferable to use the bonding electrode Au alone or an Au alloy containing a small amount of Al and / Cr.
【００４１】サファイヤ基板を用いた窒化ガリウム系半
導体の場合、Ｎ型導電性を有する半導体と電気的に接続
される電極（以下、Ｎ型電極と呼ぶ。）としてはＣｒま
たはＮｉまたは、Ａｌの単体、合金としてはＡｕ、Ｐ
ｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｗより選択された
一種の金属と、Ｃｒとの合金、またはＮｉとの合金、Ｃ
ｒ−Ｎｉ合金または、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗやその合金
を使用することができる。又、それらの多層膜とするこ
ともできる。Ｎ型電極としては、特にＣｒ単独、Ｃｒ−
Ｎｉ合金、Ｃｒ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｔｉ−Ａ
ｌまたはＴｉ−Ａｇ合金が好ましい。合金のＣｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ａｇ含有量は、合金材料や半導体材料によっ
て種種選択されるが多いほど好ましい。上記電極材料を
窒化ガリウム系化合物半導体に形成させるには予め合金
化させておいた金属、または金属単体を蒸着材料あるい
はスパッタ材料とすることによって電極を形成させるこ
とができる。In the case of a gallium nitride-based semiconductor using a sapphire substrate, an electrode electrically connected to a semiconductor having N-type conductivity (hereinafter referred to as an N-type electrode) is Cr, Ni, or a simple substance of Al. , As alloy, Au, P
Alloy of one kind of metal selected from t, Mo, Ti, In, Ga, Al and W with Cr, or alloy with Ni, C
An r-Ni alloy, Ag, Al, Ti, W, or an alloy thereof can be used. Further, a multilayer film thereof can be used. As the N-type electrode, especially Cr alone or Cr-
Ni alloy, Cr-Au alloy, Ni-Au alloy, Ti-A
1 or Ti-Ag alloy is preferred. Alloy Cr, N
The i, Ti, and Ag contents are selected depending on the alloy material and the semiconductor material, but the more preferable the content is. In order to form the above-mentioned electrode material on the gallium nitride-based compound semiconductor, the electrode can be formed by using a metal that has been alloyed in advance or a simple metal as a vapor deposition material or a sputtering material.
【００４２】なお、窒化ガリウム半導体の場合は、電極
材料と半導体材料をなじませオーミック特性を向上させ
るために４００℃以上でアニールすることが好ましい。
また、窒化ガリウム半導体の分解を抑制する目的から１
１００℃以下でアニールすることが好ましい。さらに、
アニーリングを窒素雰囲気中で行うことにより、窒化ガ
リュウム系化合物半導体中の窒素が分解して出て行くの
を抑制することができ、結晶性を保つことが出きる。In the case of gallium nitride semiconductor, it is preferable to anneal at 400 ° C. or higher in order to make the electrode material and the semiconductor material conform to each other and to improve the ohmic characteristics.
Further, for the purpose of suppressing the decomposition of the gallium nitride semiconductor, 1
It is preferable to anneal at 100 ° C. or lower. further,
By performing annealing in a nitrogen atmosphere, it is possible to prevent nitrogen in the gallium nitride-based compound semiconductor from decomposing and going out, and it is possible to maintain crystallinity.
【００４３】（共通基板１０４）共通基板としては、各
ＬＥＤチップを配置するために用いられるものであれば
よく、半導体基板やステム等種種の物が利用できる。ス
テムを共通基板１０４として利用する場合は各ＬＥＤチ
ップをダイボンド等の機器で積置するのに十分な大きさ
があれば良く絶縁体を介してリードフレームと接続させ
てもよい。ステム１０４を各ＬＥＤの共通電極として利
用する場合においては十分な電気伝導性とボンデイング
ワイヤー等との接続性が求められる。(Common Substrate 104) The common substrate may be any one used for arranging the LED chips, and various kinds of semiconductor substrates, stems and the like can be used. When the stem is used as the common substrate 104, each LED chip may have a size large enough to be stacked in a device such as a die bond and may be connected to a lead frame via an insulator. When the stem 104 is used as a common electrode of each LED, sufficient electrical conductivity and connectivity with a bonding wire or the like are required.
【００４４】各ＬＥＤチップとステムとの接続は熱硬化
性樹脂などによって行うことが出来る。具体的には、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられ
る。また、ＬＥＤチップとステムとを接着させると共に
電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペ
ースト、金属バンプ等を用いることができる。さらに、
各ＬＥＤの発光効率を向上させるためにステム表面に反
射機能を持たせても良い。具体的な電気抵抗としては３
００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μ
Ω−ｃｍ以下である。また、ステム上に複数のＬＥＤチ
ップを積置する場合は、ＬＥＤからの発熱量が多くなる
ため熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、
０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより
好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上であ
る。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入
り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック等
が挙げられる。The connection between each LED chip and the stem can be made with a thermosetting resin or the like. Specifically, an epoxy resin, an acrylic resin, an imide resin, or the like can be given. Further, Ag paste, carbon paste, metal bumps or the like can be used to bond the LED chip and the stem and to electrically connect them. further,
The stem surface may have a reflecting function in order to improve the luminous efficiency of each LED. 3 as concrete electric resistance
00 μΩ-cm or less is preferable, and more preferably 3 μ
Ω-cm or less. Further, when a plurality of LED chips are stacked on the stem, the amount of heat generated from the LEDs is large, and therefore, good thermal conductivity is required. In particular,
0.01cal / cm2 / cm / ℃ or more preferably preferably 0.5cal / cm2 / cm / ℃ above. Materials satisfying these conditions include iron, copper, copper with iron, copper with tin, and ceramics with metallized patterns.
【００４５】（リードフレーム１０５、１０６、１０
７）リードフレームとしては、ボンデイングワイヤー等
との接続性及び電気伝導性が求められる。具体的な電気
抵抗としては、３００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より
好ましくは３μΩ−ｃｍ以下である。これらの条件を満
たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅等が挙
げられる。(Lead frames 105, 106, 10
7) The lead frame is required to have connectivity and electrical conductivity with a bonding wire or the like. The specific electric resistance is preferably 300 μΩ-cm or less, and more preferably 3 μΩ-cm or less. Materials satisfying these conditions include iron, copper, iron-containing copper, tin-containing copper, and the like.
【００４６】（モールド２０９）モールド２０９は、各
ＬＥＤチップ及び電気的接続部材等を外部から保護する
ために設けることが好ましく一般には樹脂を用いて形成
させることができる。また、樹脂モールドに拡散剤を含
有させることによってＬＥＤからの指向性を緩和させ視
野角を増やすことができる。更に、樹脂モールドを所望
の形状にすることによってＬＥＤからの発光を集束させ
たり拡散させたりするレンズ効果を持たせることができ
る。従って、樹脂モールドは複数積層した構造でもよ
い。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状やそれら
を複数組み合わせた物である。さらに樹脂モールド自体
に着色させ所望外の波長をカットするフィルターの役目
をもたすこともできる。上記樹脂モールドの材料として
は、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透
明樹脂が好適に用いられる。また、拡散剤としては、チ
タン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニュウム、酸
化珪素等が好適に用いられる。(Mold 209) The mold 209 is preferably provided in order to protect each LED chip, electrical connection member and the like from the outside, and generally can be formed using resin. Further, by including a diffusing agent in the resin mold, it is possible to reduce the directivity from the LED and increase the viewing angle. Further, by forming the resin mold into a desired shape, it is possible to have a lens effect of converging or diffusing the light emitted from the LED. Therefore, the resin mold may have a laminated structure. Specifically, it is a convex lens shape, a concave lens shape, or a combination thereof. Further, the resin mold itself may be colored to serve as a filter for cutting out unwanted wavelengths. As a material of the resin mold, a transparent resin having excellent weather resistance such as an epoxy resin and a urea resin is suitably used. As the diffusing agent, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide and the like are preferably used.
【００４７】（表示装置３０１）表示装置３０１として
は、本願発明の多色発光素子を複数個配置した表示パネ
ル３０２と駆動回路３０３である点灯回路など電気的に
接続されたものが用いられる。具体的には、多色発光素
子を任意形状に配置し標識などに利用できるが、本願発
明における表示装置としては、マトリクッス状に配置し
駆動回路からの出力パルスによってデイスプレイ等に使
用できる物を言う。駆動回路としては、入力される表示
データを一時的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａ
ｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）と、該ＲＡＭに記憶される
データからＬＥＤを所定の明るさに点灯させるための階
調信号を演算する階調制御回路と、階調制御回路の出力
信号でスイッチングされて、ＬＥＤ３０４を点灯させる
ドライバーとを備える。階調制御回路は、ＲＡＭに記憶
されるデータからＬＥＤの点灯時間を演算してパルス信
号を出力する。階調制御回路から出力されるパルス信号
である階調信号は、ＬＥＤのドライバーに入力されてド
ライバをスイッチングさせる。ドライバーがオンになる
とＬＥＤが点灯され、オフになると消灯される。(Display Device 301) As the display device 301, a display panel 302 in which a plurality of multicolor light emitting elements of the present invention are arranged and a lighting circuit which is a driving circuit 303 are electrically connected to each other. Specifically, the multicolor light emitting element can be arranged in an arbitrary shape and used as a sign or the like, but as the display device in the present invention, it is arranged in a matrix shape and can be used for a display or the like by an output pulse from a driving circuit. . As the drive circuit, a RAM (Random, A) for temporarily storing the input display data is used.
access, a gradation control circuit for calculating a gradation signal for lighting the LED to a predetermined brightness from the data stored in the RAM, and an output signal of the gradation control circuit to switch the LED 304. And a driver that lights up. The gradation control circuit calculates the lighting time of the LED from the data stored in the RAM and outputs a pulse signal. The gradation signal, which is a pulse signal output from the gradation control circuit, is input to the driver of the LED to switch the driver. The LED is turned on when the driver is turned on and turned off when the driver is turned off.
【００４８】以下、本願発明の実施例について説明する
が、本願発明は具体的実施例のみに限定されるものでは
ないことは言うまでもない。The embodiments of the present invention will be described below, but it goes without saying that the present invention is not limited to the specific embodiments.
【００４９】[0049]
［実施例１］多色発光素子に用いられる各ＬＥＤチッ
プ、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体としてそれぞ
れＧａＰ（発光波長５５５ｎｍ）、ＳｉＣ（発光波長４
７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波長６６０ｎｍ）を使
用して構成させた。[Example 1] GaP (emission wavelength: 555 nm) and SiC (emission wavelength: 4) as LED chips used in a multicolor light emitting element, and semiconductors of green, blue, and red light emitting layers, respectively.
70 nm) and GaAlAs (emission wavelength 660 nm).
【００５０】具体的には、赤色を発光するＬＥＤチップ
は温度差液晶成長法で連続的にＰ型ガリウム・砒素基板
上にＰ型ＧａＡｌＡｓを成長し、その上にＮ型ＧａＡｌ
Ａｓを成長し、発光領域であるＰ型ＧａＡｌＡｓを形成
させる。青色を発光するＬＥＤチップは、Ｎ型基板上に
液相エピタキシャル結晶成長法を用いてＳｉＣを発光領
域にしたＰＮ接合半導体を形成させる。緑色を発光する
ＬＥＤチップは、液相成長法によりＮ型ガリウム・リン
基板結晶上にＮ型及びＰ型エピタキシャル成長法で連続
して成長する同種接合によりＰーＮ接合を形成する。Specifically, for an LED chip that emits red light, P-type GaAlAs is continuously grown on a P-type gallium-arsenide substrate by the temperature difference liquid crystal growth method, and N-type GaAl is grown on the P-type GaAlAs.
As is grown to form P-type GaAlAs which is a light emitting region. In the LED chip that emits blue light, a PN junction semiconductor having SiC as a light emitting region is formed on an N-type substrate by using a liquid phase epitaxial crystal growth method. The LED chip that emits green light forms a PN junction by a homogenous junction that continuously grows on the N-type gallium-phosphorus substrate crystal by the N-type and P-type epitaxial growth methods by the liquid phase growth method.
【００５１】各ＬＥＤチップとなる半導体は、それぞれ
発光観測面側に発光中心をずらして電気的接続が形成で
きるようＰ型半導体あるいはＮ型半導体を部分的にドラ
イエッチングしてある。この後、金を各半導体に真空蒸
着させて電極を形成させた。こうしてできた各半導体ウ
エハーをＬＥＤチップとして使用するためにスクライバ
ーによってスクライブラインを引いた後、外力によって
３５０μｍ角の大きさに切断した。As for the semiconductors to be LED chips, a P-type semiconductor or an N-type semiconductor is partially dry-etched so that an electrical connection can be formed by shifting the emission center on the emission observation surface side. Then, gold was vacuum-deposited on each semiconductor to form electrodes. A scribe line was drawn by a scriber to use each of the semiconductor wafers thus formed as an LED chip, and then the semiconductor wafer was cut into a size of 350 μm square by an external force.
【００５２】このＬＥＤチップを表面反射性が良い銅製
ステム上にダイボンデング機器を用いて熱硬化性エポキ
シ樹脂によって図１の如く配置した。図１は、発光波長
の長い赤色（６６０ｎｍ）を発光するＬＥＤチップがそ
れよりも発光波長が短い青色（４８０ｎｍ）、緑色（５
５５ｎｍ）のＬＥＤチップにはさまれて中心となるよう
に固定されている。次にワイヤーボンデイング機器を用
いて直径０．０３ｍｍのＡｕ線をＬＥＤの各電極、ステ
ム及びリードフレームにワイヤーボンデイングした。こ
れを無着色のエポキシ樹脂が充填されたカップ中に入れ
１２０℃、５時間で硬化させた。こうして多色発光素子
が封入されたＬＥＤを５００個形成した。This LED chip was placed on a copper stem having good surface reflectivity by a thermosetting epoxy resin using a die bonding machine as shown in FIG. FIG. 1 shows that an LED chip that emits red (660 nm), which has a long emission wavelength, has a shorter emission wavelength than blue (480 nm) and green (5 nm).
It is fixed so as to be centered by being sandwiched by a 55 nm) LED chip. Next, an Au wire with a diameter of 0.03 mm was wire-bonded to each electrode, stem and lead frame of the LED using a wire-bonding device. This was placed in a cup filled with a non-colored epoxy resin and cured at 120 ° C. for 5 hours. In this way, 500 LEDs in which the multicolor light emitting element was enclosed were formed.
【００５３】次に、このＬＥＤを基板上に７×７個のマ
トリックス状に配置しそれぞれ駆動回路と電気的に接続
させ図３に示した表示装置を１０個形成した。ＴＯＰＵ
ＫＯＮ社製ＢＭー７によってＬＥＤがｘ・ｙ色度図（Ｋ
ｅｌｌ Ｃｈａｒｔ）上で白色（ｘ＝０．３１、ｙ＝
０．３１）となる各ＬＥＤチップの光度（ａ）及び１０
００時間の連続点灯後の光度（ｂ）をそれぞれ測定し光
度保持率（（ａ／ｂ）×１００）として表した。測定結
果は、それぞれＬＥＤの１０個平均を実施例及び比較例
で比較し表１に示した。Next, the LEDs were arranged in a matrix of 7 × 7 pieces on a substrate and electrically connected to respective drive circuits to form ten display devices shown in FIG. TOPU
The BM-7 made by KON enables the LED to display the xy chromaticity diagram (K
white (x = 0.31, y =
0.31) and the luminous intensity (a) of each LED chip and 10
The luminous intensity (b) after continuous lighting for 00 hours was measured and expressed as a luminous intensity retention rate ((a / b) × 100). The measurement results are shown in Table 1 by comparing the average of 10 LEDs for each of the example and the comparative example.
【００５４】［比較例１］各ＬＥＤチップの電気的接続
部材を発光観測面側の発光中心に１つ設けた以外は実施
例１と同様にして多色発光素子及び表示装置を形成させ
た。このＬＥＤ及び表示装置を実施例１と同様にして測
定した。Comparative Example 1 A multicolor light emitting device and a display device were formed in the same manner as in Example 1 except that one electrical connecting member for each LED chip was provided at the light emission center on the light emission observation surface side. The LED and the display device were measured in the same manner as in Example 1.
【００５５】［比較例２］発光波長の最も短い青色を発
光する半導体を中心にし両端に赤色及び緑色を発光する
半導体を配置した以外は実施例１と同様にして多色発光
素子及び表示装置を形成させた。このＬＥＤ及び表示装
置を実施例１と同様にして測定した。[Comparative Example 2] A multicolor light emitting element and a display device were prepared in the same manner as in Example 1 except that a semiconductor emitting blue light having the shortest emission wavelength was centered and semiconductors emitting red and green light were arranged at both ends. Formed. The LED and the display device were measured in the same manner as in Example 1.
【００５６】［実施例２］中央のＬＥＤチップの電気的
接続部材を発光観測面側の発光中心に１つ設けた以外は
実施例１と同様にして多色発光素子及び表示装置を形成
させた。このＬＥＤ及び表示装置を実施例１と同様にし
て測定した。Example 2 A multicolor light emitting device and a display device were formed in the same manner as in Example 1 except that one electrical connecting member for the central LED chip was provided at the emission center on the emission observation surface side. . The LED and the display device were measured in the same manner as in Example 1.
【００５７】［実施例３］多色発光素子に用いられる各
ＬＥＤチップ、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体と
してそれぞれＩｎＧａＮ（発光波長５２５ｎｍ）、Ｉｎ
ＧａＮ（発光波長４７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波
長６６０ｎｍ）を使用して構成させた。[Embodiment 3] InGaN (emission wavelength of 525 nm) and In are used as the semiconductors of the LED chips, green, blue and red light emitting layers used in the multicolor light emitting device, respectively.
It was configured using GaN (emission wavelength 470 nm) and GaAlAs (emission wavelength 660 nm).
【００５８】具体的には、赤色を発光するＬＥＤチップ
用の半導体ウエハーは、温度差液晶成長法で連続的にＰ
型ガリウム・砒素基板上にＰ型ＧａＡｌＡｓを成長し、
その上にＮ型ＧａＡｌＡｓを成長し、発光領域であるＰ
型ＧａＡｌＡｓを形成させる。青色及び緑色を発光する
半導体ウエハーは、厚さ４００μｍのサファイヤ基板上
にＮ型及びＰ型窒化ガリウム化合物半導体をＭＯＣＶＤ
成長法でそれぞれ５μｍ、１μｍ堆積させヘテロ構造の
ＰーＮ接合を形成した２インチ径のものである。 な
お、Ｐ型窒化ガリウム半導体は、Ｐ型ドーパントである
Ｍｇをドープした後アニールした形成させる。Specifically, semiconductor wafers for LED chips that emit red light are continuously exposed to P by the temperature difference liquid crystal growth method.
P-type GaAlAs is grown on a type gallium arsenide substrate,
N-type GaAlAs is grown on top of this to form the P
A type GaAlAs is formed. For semiconductor wafers emitting blue and green light, MOCVD of N-type and P-type gallium nitride compound semiconductors is performed on a sapphire substrate having a thickness of 400 μm.
It has a diameter of 2 inches and a heterostructure PN junction is formed by depositing 5 μm and 1 μm respectively by a growth method. The P-type gallium nitride semiconductor is formed by doping P-type Mg and annealing it.
【００５９】緑色及び青色のＬＥＤチップは、発光観測
面側に発光中心をずらして電気的接続が形成できるよう
Ｐ型半導体あるいはＮ型半導体を部分的にドライエッチ
ングする。次に、Ｎ型電極としてＴｉ−Ａｌ合金を各半
導体にスパッタリングし、Ｐ型電極としてＡｕを各半導
体にスパッタリングして電極を形成させた。その後、各
半導体ウエハーをＬＥＤチップとして使用するためにス
クライバーによってスクライブラインを引いた後、外力
によって３５０μｍ角の大きさに切断した。In the green and blue LED chips, the P-type semiconductor or the N-type semiconductor is partially dry-etched so that the emission center is shifted to the emission observation surface side so that electrical connection can be formed. Next, a Ti-Al alloy was sputtered on each semiconductor as an N-type electrode, and Au was sputtered on each semiconductor as a P-type electrode to form an electrode. After that, a scribe line was drawn by a scriber to use each semiconductor wafer as an LED chip, and then the semiconductor wafer was cut into a size of 350 μm square by an external force.
【００６０】一方、赤色ＬＥＤチップは発光観測側電極
として発光中心に直径０．１５ｍｍの円状の白金金属膜
を電極層として真空蒸着によって形成させた。また、非
発光観測側であるＰ型ＧａＡｌＡｓ基板上に金を電極層
として真空蒸着によって形成させた。このＬＥＤチップ
を銅製のステム上に図１と同様に発光波長の長い赤色を
発光するＬＥＤチップが中心となるように接着剤を用い
て固定させた。なお、緑色ＬＥＤチップ及び青色ＬＥＤ
チップは、実施例１と同様にして接着させたが赤色ＬＥ
Ｄチップに関しては接着剤としてＡｇペーストを用いて
固定させると共に共通基板であるステムと電気的にも接
続させてある。On the other hand, the red LED chip was formed by vacuum vapor deposition as a light emitting observation side electrode at the light emission center using a circular platinum metal film having a diameter of 0.15 mm as an electrode layer. Further, gold was formed by vacuum vapor deposition as an electrode layer on the P-type GaAlAs substrate which is the non-emission observation side. This LED chip was fixed on a copper stem with an adhesive so that the LED chip emitting red light with a long emission wavelength was the center, as in FIG. In addition, green LED chip and blue LED
The chips were adhered in the same manner as in Example 1, but red LE was used.
The D chip is fixed by using Ag paste as an adhesive and is also electrically connected to the stem which is a common substrate.
【００６１】次に、ワイヤーホンデング機器を用いて直
径０．０３ｍｍのＡｕ線をＬＥＤチップの各電極、ステ
ム及びリードフレームにワイヤーボンデイングした。な
お、赤色ＬＥＤチップに関しては、電流を均等に流し発
光を均一にするために中央に電気的接続部材を形成し
た。これを無着色のエポキシ樹脂が充填されたカップ中
に入れ１２０℃５時間で硬化させた。こうして多色発光
素子が封入されたＬＥＤを５００個形成した。Next, an Au wire having a diameter of 0.03 mm was wire-bonded to each electrode, the stem and the lead frame of the LED chip using a wire-bonding device. Regarding the red LED chip, an electric connection member was formed in the center in order to make the current flow evenly and to make the light emission uniform. This was placed in a cup filled with a non-colored epoxy resin and cured at 120 ° C. for 5 hours. In this way, 500 LEDs in which the multicolor light emitting element was enclosed were formed.
【００６２】次に、このＬＥＤを基板上に７×７個のマ
トリックス状に配置しそれぞれ駆動回路と電気的に接続
させ表示装置を形成した。このＬＥＤ及び表示装置を実
施例１と同様にして測定した。Next, the LEDs were arranged in a matrix of 7 × 7 on a substrate and electrically connected to a driving circuit to form a display device. The LED and the display device were measured in the same manner as in Example 1.
【００６３】表１の結果から本願発明の多色発光素子が
比較のために示した多色発光素子より明らかに光度保持
率が優れていることが分かった。また、光度保持率が優
れていることにより結果的にＬＥＤとして消費電力も少
く寿命も延びる。また、本願発明の表示装置はいずれも
各比較例の表示装置よりも平均的に上下左右方向におけ
る混色性が優れていた。From the results shown in Table 1, it was found that the multicolor light emitting device of the present invention was clearly superior in luminous intensity retention rate to the multicolor light emitting devices shown for comparison. Further, the excellent luminous intensity retention rate results in less power consumption and longer life of the LED. In addition, the display devices of the invention of the present application were superior to the display devices of the comparative examples on average in color mixing in the vertical and horizontal directions.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上説明したように、本願発明の多色発
光素子及びそれを用いた表示装置は、長時間使用時にお
ける輝度低下を抑制するとともに混色性を向上させるこ
とが出来る。更に、表示装置として用いた場合は、見る
角度における混色性が崩れることを低減させたることが
できる。As described above, the multicolor light emitting device of the present invention and the display device using the same can suppress a decrease in luminance during long-term use and improve color mixing. Further, when it is used as a display device, it is possible to reduce the deterioration of the color mixing property at the viewing angle.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本願発明の多色発光素子のＬＥＤ概略断面図で
ある。FIG. 1 is an LED schematic cross-sectional view of a multicolor light emitting device of the present invention.
【図２】本願発明の多色発光素子を利用したＬＥＤの概
略模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of an LED using the multicolor light emitting device of the present invention.
【図３】本願発明の多色発光を利用した表示装置の概略
模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a display device using multicolor emission of the present invention.
【図４】本願発明と比較のために示した多色発光素子を
利用したＬＥＤ概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an LED using a multicolor light emitting device shown for comparison with the present invention.
【図５】本願発明と比較のために示した多色発光素子を
利用したＬＥＤの概略模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of an LED using a multicolor light emitting element shown for comparison with the present invention.
１０１ 緑色ＬＥＤチップ １０２ 赤色ＬＥＤチップ １０３ 青色ＬＥＤチップ １０４ 共通基板であるステム １０５、１０６、１０７ リードフレーム １０８ 電気的接続部材 １０９ 電気的接続部 ２０９ モールド ３０１ 表示装置 ３０２ 表示パネル ３０３ 駆動回路 ３０４ ＬＥＤ ４０４、４０５、４０６足ピン ４０７ ステム ４０１ 赤色ＬＥＤチップ ４０２ 緑色ＬＥＤチップ ４０３ 青色ＬＥＤチップ ５０１ 光分散部材 ５０２ エポキシ樹脂などからなる透明部材 ５０３ 樹脂モールド 101 Green LED chip 102 Red LED chip 103 Blue LED chip 104 Stem 105, 106, 107 Lead substrate 108 Electrical connection member 109 Electrical connection part 209 Mold 301 Display device 302 Display panel 303 Drive circuit 304 LED 404, 405, 406 Foot pin 407 Stem 401 Red LED chip 402 Green LED chip 403 Blue LED chip 501 Light dispersion member 502 Transparent member made of epoxy resin 503 Resin mold
【表１】なお、括弧内はＬＥＤ内のＬＥＤチップが配置された場
所における半導体材料を示す。[Table 1] The parentheses indicate the semiconductor material in the place where the LED chip in the LED is arranged.
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|---|---|---|---|---|
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| WO2003083810A1 (en)* | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Inax Corporation | Solidified material with electric part, luminous solidified material and method for producing luminous solidified material, and led lamp and led lamp assembly for use in luminous solidified material |
| US7102283B2 (en) | 2003-06-25 | 2006-09-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Full-color light emitting device with four leads |
| US7109529B2 (en) | 1998-05-13 | 2006-09-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| US7132785B2 (en) | 1999-11-18 | 2006-11-07 | Color Kinetics Incorporated | Illumination system housing multiple LEDs and provided with corresponding conversion material |
| JP2006332692A (en)* | 1996-07-29 | 2006-12-07 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
| US7161311B2 (en) | 1997-08-26 | 2007-01-09 | Color Kinetics Incorporated | Multicolored LED lighting method and apparatus |
| US7161313B2 (en) | 1997-08-26 | 2007-01-09 | Color Kinetics Incorporated | Light emitting diode based products |
| US7255457B2 (en) | 1999-11-18 | 2007-08-14 | Color Kinetics Incorporated | Methods and apparatus for generating and modulating illumination conditions |
| JP2007226250A (en)* | 2000-07-25 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | Light emitting head |
| JP2008010562A (en)* | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Leiz Co Ltd | Light source device and plane lighting apparatus |
| US7453217B2 (en) | 1997-08-26 | 2008-11-18 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Marketplace illumination methods and apparatus |
| US7572028B2 (en) | 1999-11-18 | 2009-08-11 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions |
| US7598686B2 (en) | 1997-12-17 | 2009-10-06 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Organic light emitting diode methods and apparatus |
| JP2011253158A (en)* | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | Display unit and image display device using the same |
| JP2012227249A (en)* | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Citizen Electronics Co Ltd | Led package |
| US8421910B2 (en) | 2000-07-25 | 2013-04-16 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| WO2016047132A1 (en)* | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 東芝ホクト電子株式会社 | Light-emission module |
| CN108288668A (en)* | 2018-01-11 | 2018-07-17 | 宜兴市旭航电子有限公司 | A kind of five foot Full-color LED encapsulation structures |
| JP2020096102A (en)* | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | Electronic module |
| US10720412B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-07-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI677976B (en)* | 2018-06-29 | 2019-11-21 | 相豐科技股份有限公司 | Composite layer structure of luminous imaging unit |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332692A (en)* | 1996-07-29 | 2006-12-07 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
| US7161311B2 (en) | 1997-08-26 | 2007-01-09 | Color Kinetics Incorporated | Multicolored LED lighting method and apparatus |
| US7161313B2 (en) | 1997-08-26 | 2007-01-09 | Color Kinetics Incorporated | Light emitting diode based products |
| US7462997B2 (en) | 1997-08-26 | 2008-12-09 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Multicolored LED lighting method and apparatus |
| US7453217B2 (en) | 1997-08-26 | 2008-11-18 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Marketplace illumination methods and apparatus |
| US7274160B2 (en) | 1997-08-26 | 2007-09-25 | Color Kinetics Incorporated | Multicolored lighting method and apparatus |
| US7387405B2 (en) | 1997-12-17 | 2008-06-17 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Methods and apparatus for generating prescribed spectrums of light |
| US7598686B2 (en) | 1997-12-17 | 2009-10-06 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Organic light emitting diode methods and apparatus |
| US7520634B2 (en) | 1997-12-17 | 2009-04-21 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Methods and apparatus for controlling a color temperature of lighting conditions |
| US7109529B2 (en) | 1998-05-13 | 2006-09-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| JP2012142616A (en)* | 1999-06-08 | 2012-07-26 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | METHOD OF FORMING TRANSLUCENT CONTACT PART IN P-TYPE GaN LAYER |
| JP2001007398A (en)* | 1999-06-08 | 2001-01-12 | Agilent Technol Inc | Method for forming translucent contact portion in p-type GaN layer |
| US7572028B2 (en) | 1999-11-18 | 2009-08-11 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions |
| US7255457B2 (en) | 1999-11-18 | 2007-08-14 | Color Kinetics Incorporated | Methods and apparatus for generating and modulating illumination conditions |
| US7350936B2 (en) | 1999-11-18 | 2008-04-01 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | Conventionally-shaped light bulbs employing white LEDs |
| US7132785B2 (en) | 1999-11-18 | 2006-11-07 | Color Kinetics Incorporated | Illumination system housing multiple LEDs and provided with corresponding conversion material |
| US10250863B2 (en) | 2000-07-25 | 2019-04-02 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| US10326970B1 (en) | 2000-07-25 | 2019-06-18 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| JP2007226250A (en)* | 2000-07-25 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | Light emitting head |
| US9479751B2 (en) | 2000-07-25 | 2016-10-25 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| US8675124B2 (en) | 2000-07-25 | 2014-03-18 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| US8634021B2 (en) | 2000-07-25 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| US8421910B2 (en) | 2000-07-25 | 2013-04-16 | Fujifilm Corporation | Electronic flash, electronic camera and light emitting head |
| JP2002170986A (en)* | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | Semiconductor light emitting device |
| WO2003083810A1 (en)* | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Inax Corporation | Solidified material with electric part, luminous solidified material and method for producing luminous solidified material, and led lamp and led lamp assembly for use in luminous solidified material |
| US7102283B2 (en) | 2003-06-25 | 2006-09-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Full-color light emitting device with four leads |
| JP2008010562A (en)* | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Leiz Co Ltd | Light source device and plane lighting apparatus |
| JP2011253158A (en)* | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | Display unit and image display device using the same |
| JP2012227249A (en)* | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Citizen Electronics Co Ltd | Led package |
| WO2016047132A1 (en)* | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 東芝ホクト電子株式会社 | Light-emission module |
| US10096581B2 (en) | 2014-09-26 | 2018-10-09 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting module |
| JPWO2016047132A1 (en)* | 2014-09-26 | 2017-07-13 | 東芝ホクト電子株式会社 | Light emitting module |
| US10629570B2 (en) | 2014-09-26 | 2020-04-21 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting module |
| US10720412B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-07-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US11508701B2 (en) | 2015-02-13 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| CN108288668A (en)* | 2018-01-11 | 2018-07-17 | 宜兴市旭航电子有限公司 | A kind of five foot Full-color LED encapsulation structures |
| JP2020096102A (en)* | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | Electronic module |
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3476611B2 (en) | 2003-12-10 |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3476611B2 (en) | Multicolor light emitting device and display device using the same | |
| US8288787B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| JP4805831B2 (en) | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting device, surface mount component, and display device | |
| US7935974B2 (en) | White light emitting device | |
| US7291865B2 (en) | Light-emitting semiconductor device | |
| JP3065258B2 (en) | Light emitting device and display device using the same | |
| JP4572597B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| JP4932078B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
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| JP2008160046A (en) | Light emitting device package and manufacturing method thereof | |
| JPH08102549A (en) | Semiconductor light emitting element | |
| JP2002314142A (en) | Light emitting device | |
| JPH1140858A (en) | Light emitting diode and method of forming the same | |
| EP4141971A1 (en) | Single-chip multi band light-emitting diode and applications thereof | |
| JP2007258326A (en) | Light emitting element | |
| JP2003243700A (en) | Group III nitride compound semiconductor light emitting device | |
| JP2000077713A (en) | Semiconductor light-emitting element | |
| JP2004006227A (en) | Illumination device and control method thereof | |
| JPH10190066A (en) | Light emitting diode and LED display device using the same | |
| JP3604298B2 (en) | Method of forming light emitting diode | |
| JP2956594B2 (en) | Light emitting diode and display device using the same | |
| JP2002198561A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| CN100426537C (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| JP4122552B2 (en) | Light emitting device | |
| JP2001028459A (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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