【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、サファイア基板
上にヘテロエピタキシャル成長させた六方晶ＧａＮ（窒
化ガリウム）系半導体層を劈開するための劈開方法に関
し、特に半導体層の劈開面に平行な溝をサファイア基板
に形成した後溝に沿って半導体層を劈開することにより
平行且つ平滑な反射面を有するチップが簡単に得られる
ようにしたものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleavage method for cleaving a hexagonal GaN (gallium nitride) based semiconductor layer heteroepitaxially grown on a sapphire substrate. The semiconductor layer is cleaved along the groove after it is formed on the substrate so that a chip having parallel and smooth reflecting surfaces can be easily obtained.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体レーザーとしては、図１０
に示すものが提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor laser, FIG.
The following has been proposed.
【０００３】基板１の上にＮ型クラッド層２、活性層
３、Ｐ型クラッド層４を順次にヘテロエピタキシャル成
長してダブルヘテロ構造とした後、基板１の下面には下
部電極５を、Ｐ型クラッド層４の上面には上部電極６を
それぞれ形成する。そして、基板１及び層２〜６からな
るウエハを複数のチップに分離すべく切断する。この結
果得られた複数のチップのうちの１つを示したのが図１
０である。After a N-type clad layer 2, an active layer 3, and a P-type clad layer 4 are sequentially heteroepitaxially grown on the substrate 1 to form a double hetero structure, a lower electrode 5 is formed on the lower surface of the substrate 1 and a P-type Upper electrodes 6 are formed on the upper surface of the cladding layer 4, respectively. Then, the wafer consisting of the substrate 1 and the layers 2 to 6 is cut so as to be divided into a plurality of chips. One of the resulting chips is shown in FIG.
0.
【０００４】図１０の半導体レーザーにあっては、電極
５及び６の間に順方向電圧を印加することで活性層３に
電子及びホールを閉じ込める。活性層３において電極６
の下方に位置する部分が発光層となる。また、互いに対
向する面Ｓ1 及びＳ2 を平行な鏡面とすることでファブ
リー・ペロー型共振器（光共振器）を構成する。この結
果、光は定在波となって共振器内に閉じ込められ、光の
帰還が可能となる。In the semiconductor laser shown in FIG. 10, electrons and holes are confined in the active layer 3 by applying a forward voltage between the electrodes 5 and 6. Electrode 6 in active layer 3
The portion located below the is the light emitting layer. In addition, a Fabry-Perot resonator (optical resonator) is formed by making the surfaces S1 and S2 facing each other parallel to each other. As a result, the light becomes a standing wave and is confined in the resonator, so that the light can be returned.
【０００５】一般に、ファブリー・ペロー型共振器を構
成するＳ1 ，Ｓ2 のような対向面には、平行性と平滑性
とが要求される。このような平行性及び平滑性を満足す
るチップ化方法としては、劈開性を利用したものが知ら
れている。例えば、六方晶で劈開性のあるＺｎＳｅを用
いてレーザーを構成する場合、六方晶で劈開のあるＧａ
Ａｓ基板上にＺｎＳｅをエピタキシャル成長させて劈開
面を揃え、ＺｎＳｅ層をＧａＡｓ基板と共に劈開する方
法が採用されている。In general, the facing surfaces such as S1 and S2 which constitute the Fabry-Perot resonator are required to have parallelism and smoothness. As a chip forming method that satisfies such parallelism and smoothness, a method utilizing cleavage is known. For example, when a laser is formed using ZnSe having a cleavage property of hexagonal crystal, Ga having a cleavage property of hexagonal crystal is used.
A method is employed in which ZnSe is epitaxially grown on an As substrate to align the cleavage planes and the ZnSe layer is cleaved together with the GaAs substrate.
【０００６】近年、半導体レーザーは、短波長化の傾向
にあり、青色レーザー等が求められている。青色レーザ
ーの発光材料候補としては、ＧａＮ系の化合物半導体が
注目されている。これは、ＧａＮ系化合物半導体がバン
ドギャップが広く、直接遷移型であり、しかも結晶が丈
夫であることによるものである。In recent years, semiconductor lasers tend to have shorter wavelengths, and blue lasers and the like are required. GaN-based compound semiconductors are attracting attention as candidates for blue laser light emitting materials. This is because the GaN-based compound semiconductor has a wide band gap, is a direct transition type, and has a strong crystal.
【０００７】従来、ＧａＮでファブリー・ペロー型共振
器に必要な平行且つ平滑な対向面を得る方法としては、
（１）準安定相である立方晶ＧａＮを、立方晶で劈開性
のあるＧａＡｓなどの基板上にエピタキシャル成長さ
せ、立方晶ＧａＮ層を基板と共に劈開する方法、（２）
ドライエッチング処理により平面を出す方法の二つの方
法が提案されている。Conventionally, as a method for obtaining parallel and smooth facing surfaces required for a Fabry-Perot resonator with GaN,
(1) A method in which cubic GaN, which is a metastable phase, is epitaxially grown on a substrate, such as GaAs, which is cubic and has cleavage properties, and the cubic GaN layer is cleaved together with the substrate, (2)
Two methods have been proposed: a method for forming a flat surface by dry etching.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記した（１）及び
（２）の方法によると、それぞれ次の（Ａ１）及び（Ａ
２）のような問題点があった。According to the above methods (1) and (2), the following (A1) and (A)
There was a problem like 2).
【０００９】（Ａ１）立方晶ＧａＮでは良質な結晶が得
られていない。(A1) Good quality crystals have not been obtained with cubic GaN.
【００１０】（Ａ２）ドライエッチングされた面は、劈
開された面に比べて平行性や平滑性が劣る。(A2) The dry-etched surface is inferior in parallelism and smoothness to the cleaved surface.
【００１１】一方、サファイア基板上にエピタキシャル
成長させた六方晶ＧａＮでは、ＧａＡｓなどの基板上に
成長させた立方晶ＧａＮに比べて格段に良質の結晶が得
られている。結晶の完全性を評価するには、Ｘ線のロッ
キングカーブの半値幅で比較するのがよいが、それによ
ると、立方晶ＧａＮは２３ｍｉｎであるのに対して六方
晶ＧａＮは２７ｓｅｃであり、サファイア基板上に成長
させた六方晶ＧａＮの方がはるかに結晶性良好である。
なお、ｍｉｎ及びｓｅｃは角度の単位であり、１°＝６
０ｍｉｎ、１ｍｉｎ＝６０ｓｅｃの関係にある。On the other hand, hexagonal GaN epitaxially grown on a sapphire substrate has significantly higher quality crystals than cubic GaN grown on a substrate such as GaAs. In order to evaluate the crystal perfection, it is better to compare by the half width of the rocking curve of X-ray. According to it, cubic GaN is 23 min, while hexagonal GaN is 27 sec, and sapphire is Hexagonal GaN grown on the substrate has much better crystallinity.
Note that min and sec are units of angle, and 1 ° = 6
There is a relationship of 0 min and 1 min = 60 sec.
【００１２】レーザーを実現するには、結晶の完全性が
必須条件であるので、サファイア基板上に成長させた六
方晶ＧａＮを用いるのが得策である。しかし、サファイ
アには劈開性がないため、ＺｎＳｅや立方晶ＧａＮのよ
うに基板と共に劈開するという方法を採用することがで
きない。Since crystal perfection is an essential condition for realizing a laser, it is advisable to use hexagonal GaN grown on a sapphire substrate. However, since sapphire has no cleavage property, it is not possible to adopt a method of cleaving with sapphire unlike ZnSe and cubic GaN.
【００１３】従来、サファイア基板とその上にエピタキ
シャル成長させたＧａＮ層とからなるウエハをチップ化
すべく切断する方法としては、特開平５−１６６９２３
号公報、特開平５−３１５６４６号公報、特開平５−３
４３７４２号公報、特開平６−２８３７５８号公報等に
よりいくつかの方法が提案されている。しかし、これら
の方法はいずれも、ウエハが劈開性を有しないことを前
提にしてスクライビング、ダイシング、エッチング等を
用いてチップ化を行なうものであり、ＧａＮ層の切断面
において平行性及び平滑性が良好でなかった。このた
め、ファブリー・ペロー型共振器を実現することができ
なかった。Conventionally, as a method for cutting a wafer composed of a sapphire substrate and a GaN layer epitaxially grown on the sapphire substrate into chips, JP-A-5-166923 is known.
JP-A-5-315646, JP-A-5-3
Some methods have been proposed in Japanese Patent No. 43742, Japanese Patent Laid-Open No. 6-283758, and the like. However, in all of these methods, scribing, dicing, etching and the like are used to form chips on the premise that the wafer does not have a cleavage property. It wasn't good. Therefore, the Fabry-Perot resonator could not be realized.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】この発明は、サファイア
基板が劈開性を有していなくても、サファイア基板上に
ヘテロエピタキシャル成長させた六方晶ＧａＮ系半導体
層が劈開性を有する点に着目してなされたものである。
すなわち、この発明は、サファイア基板上にヘテロエピ
タキシャル成長させた六方晶ＧａＮ系半導体層を劈開す
るための劈開方法において、前記半導体層の劈開面に平
行に前記サファイア基板に溝を形成する工程と、前記半
導体層に外力を加えることにより前記溝に沿って前記半
導体層を劈開する工程とを含むことを特徴とするもので
ある。The present invention focuses on the fact that the hexagonal GaN-based semiconductor layer heteroepitaxially grown on the sapphire substrate has the cleavage property even if the sapphire substrate does not have the cleavage property. It was made.
That is, the present invention is a cleavage method for cleaving a hexagonal GaN-based semiconductor layer heteroepitaxially grown on a sapphire substrate, a step of forming a groove in the sapphire substrate parallel to the cleavage plane of the semiconductor layer, and A step of cleaving the semiconductor layer along the groove by applying an external force to the semiconductor layer.
【００１５】この発明の劈開方法によれば、サファイア
基板上に成長させた半導体層を劈開によりチップに分離
することができる。従って、チップは、平行且つ平滑な
反射面を有するものとなり、ファブリー・ペロー型共振
器を容易に実現することができる。According to the cleavage method of the present invention, the semiconductor layer grown on the sapphire substrate can be separated into chips by cleavage. Therefore, the chip has parallel and smooth reflecting surfaces, and the Fabry-Perot resonator can be easily realized.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】図１は、この発明の実施に使用さ
れるサファイア基板を示すものである。1 shows a sapphire substrate used for carrying out the present invention.
【００１７】サファイア基板１０は、ＧａＮを成長すべ
き面が（０００１）面を呈するものとし、ＧａＮの劈開
面に平行な面にオリエンテーションフラット１０Ｆを設
けておくとよい。具体的には、六方晶ＧａＮは、（１１
−２０）面又は（１０−１０）面で劈開する。サファイ
アも六方晶であるが、サファイア基板上にヘテロエピタ
キシャル成長されるＧａＮ層は、結晶軸が３０度回転し
ている。このため、ＧａＮ層を（１１−２０）面で劈開
したい場合は、サファイア基板１０のオリエンテーショ
ンフラット１０Ｆを（０１−１０）面に設けておき、Ｇ
ａＮ層を（１０−１０）面で劈開したい場合は、サファ
イア基板１０のオリエンテーションフラット１０Ｆを
（１１−２０）面に設けておくとよい。The sapphire substrate 10 has a (0001) plane on which GaN is to be grown, and an orientation flat 10F is preferably provided on a plane parallel to the cleavage plane of GaN. Specifically, hexagonal GaN has (11
It is cleaved at the (-20) plane or the (10-10) plane. Although sapphire is also hexagonal, the crystal axis of the GaN layer heteroepitaxially grown on the sapphire substrate is rotated by 30 degrees. Therefore, when it is desired to cleave the GaN layer on the (11-20) plane, the orientation flat 10F of the sapphire substrate 10 is provided on the (01-10) plane and G
When it is desired to cleave the aN layer on the (10-10) plane, the orientation flat 10F of the sapphire substrate 10 may be provided on the (11-20) plane.
【００１８】図１に示したサファイア基板１０の上に
は、図２に示すように六方晶ＧａＮ系化合物半導体層２
０をヘテロエピタキシャル成長させる。一例として、Ｇ
ａＮからなるバッファ層１２を低温で成長させた後、Ｎ
型ＧａＮからなるクラッド層１４、ＩｎＧａＮからなる
活性層１６、Ｐ型ＧａＮからなるクラッド層１８を順次
に成長させる。バッファ層１２は、その後の結晶成長を
良好にするためのもので、３０［ｎｍ］程度の厚さにす
る。層１４，１６，１８の厚さは、それぞれ５［μ
ｍ］、２０［ｎｍ］、５［μｍ］程度にすることができ
る。成長方法としては、ＭＢＥ(Molecular Beam Epitax
y)法又はＭＯＣＶＤ(Metalorganic Chemical Vapor Dep
ositoin)法等を用いることができる。On the sapphire substrate 10 shown in FIG. 1, a hexagonal GaN compound semiconductor layer 2 is provided as shown in FIG.
0 is heteroepitaxially grown. As an example, G
After the buffer layer 12 made of aN is grown at a low temperature, N
The clad layer 14 made of p-type GaN, the active layer 16 made of InGaN, and the clad layer 18 made of p-type GaN are sequentially grown. The buffer layer 12 is for improving the subsequent crystal growth, and has a thickness of about 30 [nm]. The thickness of each of the layers 14, 16 and 18 is 5 [μ
m], 20 [nm], and 5 [μm]. As a growth method, MBE (Molecular Beam Epitax
y) method or MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Dep
ositoin) method and the like can be used.
【００１９】ここではダブルヘテロ構造を示したが、レ
ーザーの性能を向上させるためにさらに複雑なＳＱＷ−
ＳＣＨ(Single Quantum Well-Separate Confinement St
ructure)のような量子井戸構造としてもよいこと勿論で
ある。Although a double hetero structure is shown here, a more complicated SQW-type is used to improve the performance of the laser.
SCH (Single Quantum Well-Separate Confinement St
It is of course possible to use a quantum well structure such as a ructure).
【００２０】次に、電極を形成する。基板１０がサファ
イアからなり、絶縁体であるので、図１０に示したよう
に下部電極５を設けることができない。そこで、図８，
９に示すようにホトリソグラフィ及び選択的ドライエッ
チング処理により凹部Ｒ1 ，Ｒ2 を形成し、凹部Ｒ2 の
底部にＮ型クラッド層１４につながる電極層２２を形成
する。電極層２２は、例えばＴｉ−Ａｌ合金をスパッタ
法により被着し、被着層をパターニングして形成する。Next, electrodes are formed. Since the substrate 10 is made of sapphire and is an insulator, the lower electrode 5 cannot be provided as shown in FIG. Therefore, in FIG.
As shown in FIG. 9, the recesses R1 and R2 are formed by photolithography and selective dry etching, and the electrode layer 22 connected to the N-type cladding layer 14 is formed at the bottom of the recess R2 . The electrode layer 22 is formed by depositing, for example, a Ti—Al alloy by a sputtering method and patterning the deposit layer.
【００２１】この後、Ｐ型クラッド層１８において、凹
部Ｒ1 ，Ｒ2 に挟まれた部分に図８，９に示すように電
極層２４を形成する。電極層２４は、例えばＮｉ−Ａｕ
合金をスパッタ法により被着し、被着層をパターニング
して形成する。Thereafter, in the P-type cladding layer 18, the electrode layer 24 is formed in the portion between the recesses R1 and R2 as shown in FIGS. The electrode layer 24 is, for example, Ni-Au.
The alloy is deposited by the sputtering method, and the deposition layer is patterned to form.
【００２２】次に、図３に示すように基板１０にダイシ
ングにより溝を形成する。すなわち、基板１０及び半導
体層２０を含むウエハにおいて半導体２０側にチップ散
乱防止用の粘着シート３０を貼付した後、粘着シート３
０をダイサーステージ３２の上に載置する。そして、軸
Ｑを中心にして回転するダイサー刃３４により基板１０
をダイシングする。ダイシングは、図５に示すようにＸ
方向及びＹ方向の２方向で行なう。Next, as shown in FIG. 3, a groove is formed in the substrate 10 by dicing. That is, in a wafer including the substrate 10 and the semiconductor layer 20, after the adhesive sheet 30 for preventing chip scattering is attached to the semiconductor 20 side, the adhesive sheet 3
0 is placed on the dicer stage 32. Then, the substrate 10 is moved by the dicer blade 34 that rotates about the axis Q.
Dicing. Dicing is performed as shown in FIG.
Direction and Y direction.
【００２３】Ｘ方向は、オリエンテーションフラット１
０Ｆに平行な方向（半導体層２０の劈開面に平行な方
向）であり、ファブリー・ペロー型共振器の反射面を構
成するために平行性及び平滑性が要求される。そこで、
サファイア基板１０の厚さ分だけダイシングする。この
とき、ダイサー刃３４は、図４に断面を示すように尖っ
ている方がよい。このようにすると、この後の劈開が容
易となる。図５において、１０ｘは、Ｘ方向のダイシン
グで形成された溝を示す。Orientation flat 1 in the X direction
The direction is parallel to 0F (direction parallel to the cleavage plane of the semiconductor layer 20), and parallelism and smoothness are required to form the reflection surface of the Fabry-Perot resonator. Therefore,
Dicing is performed by the thickness of the sapphire substrate 10. At this time, the dicer blade 34 is preferably pointed as shown in the cross section in FIG. In this way, the subsequent cleavage becomes easy. In FIG. 5, 10x indicates a groove formed by dicing in the X direction.
【００２４】Ｙ方向は、オリエンテーションフラット１
０Ｆに直角な方向であり、切断面に平行性及び平滑性が
要求されない。従って、Ｙ方向のダイシングでは、基板
１０のみならず半導体層２０も一緒にダイシングする。
図５において、１０ｙは、Ｙ方向のダイシングで形成さ
れた溝を示す。Orientation flat 1 in the Y direction
The direction is perpendicular to 0F, and the cut surface is not required to have parallelism and smoothness. Therefore, in dicing in the Y direction, not only the substrate 10 but also the semiconductor layer 20 is diced together.
In FIG. 5, 10y represents a groove formed by dicing in the Y direction.
【００２５】Ｙ方向のダイシングにより基板１０と半導
体層２０とを一緒に切断する場合、Ｘ方向のダイシング
は、Ｙ方向のダイシングの前に行なうのが好ましい。Ｙ
方向のダイシングを行なう前は、基板１０及び半導体層
２０を含むウエハは分断されておらず、Ｘ方向のダイシ
ングを精度よく行なえるからである。When the substrate 10 and the semiconductor layer 20 are cut together by dicing in the Y direction, dicing in the X direction is preferably performed before dicing in the Y direction. Y
This is because the wafer including the substrate 10 and the semiconductor layer 20 is not divided before the dicing in the X direction, and the dicing in the X direction can be performed accurately.
【００２６】次に、図６に示すように劈開を行なう。す
なわち、ゴムパッド３６の上に粘着シート３０を上にし
て基板１０を載置する。そして、ローラー３８で粘着シ
ート３０を介して半導体層２０を加圧しつつローラー３
８を矢印Ｌ方向に移動させる。すると、半導体層２０
は、下方に凸となる方向に応力を受け、溝１０ｘに沿っ
て劈開する。Next, cleavage is performed as shown in FIG. That is, the substrate 10 is placed on the rubber pad 36 with the adhesive sheet 30 facing upward. Then, while the roller 38 pressurizes the semiconductor layer 20 via the adhesive sheet 30, the roller 3
8 is moved in the direction of arrow L. Then, the semiconductor layer 20
Receives a stress in a downward convex direction and cleaves along the groove 10x.
【００２７】図７は、他の劈開方法を示すものである。
この場合、粘着シート３０は、基板１０が上になるよう
にして周辺部をクランプしておく。そして、粘着シート
３０側から大きな曲率半径の球型金型４０を押し当て
る。この結果、半導体層２０は、上方に凸となる方向に
応力を受け、溝１０ｘに沿って劈開する。図７の方法
は、図６の方法に比べて半導体層２０にかかる圧縮応力
が小さいので、チップ欠けが少ない利点がある。FIG. 7 shows another cleavage method.
In this case, the adhesive sheet 30 is clamped at the peripheral part so that the substrate 10 faces upward. Then, the spherical mold 40 having a large radius of curvature is pressed from the adhesive sheet 30 side. As a result, the semiconductor layer 20 is subjected to stress in the upward convex direction and cleaves along the groove 10x. The method of FIG. 7 has a smaller compressive stress applied to the semiconductor layer 20 than the method of FIG.
【００２８】図６又は図７のいずれの方法を用いた場合
にも、劈開の後は、粘着テープ３０から個々のチップを
分離する。In either case of FIG. 6 or FIG. 7, the individual chips are separated from the adhesive tape 30 after the cleavage.
【００２９】図８，９は、上記した一連の工程によりウ
エハから分離された多数のレーザーチップの１つを示す
ものである。１０Ａ、１２Ａ、１４Ａ、１６Ａ、１８Ａ
は、それぞれ基板１０、バッファ層１２、Ｎ型クラッド
層１４、活性層１６、Ｐ型クラッド層１８の各一部を示
す。対向面Ｓ11，Ｓ12がファブリー・ペロー型共振器を
構成するものである。8 and 9 show one of a large number of laser chips separated from the wafer by the above-mentioned series of steps. 10A, 12A, 14A, 16A, 18A
Indicates a part of each of the substrate 10, the buffer layer 12, the N-type clad layer 14, the active layer 16, and the P-type clad layer 18. Opposing surfaces S11 and S12 form a Fabry-Perot resonator.
【００３０】この発明によれば、対向面Ｓ11，Ｓ12とし
て、劈開により平行性及び平滑性が良好な反射面が得ら
れるので、半導体層２０の結晶性が良好であることと相
俟って高性能の半導体レーザーを実現可能となる。According to the present invention, as the facing surfaces S11 and S12 , reflecting surfaces having good parallelism and smoothness can be obtained by cleavage, which is combined with good crystallinity of the semiconductor layer 20. And a high-performance semiconductor laser can be realized.
【００３１】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、次の（１）〜（３）のような変更が可能で
ある。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented in various modified forms. For example, the following changes (1) to (3) are possible.
【００３２】（１）六方晶ＧａＮ層としては、Ａｌ又は
Ｉｎ等を含むものであってもよい。(1) The hexagonal GaN layer may contain Al, In, or the like.
【００３３】（２）サファイア基板に溝を形成するに
は、ダイシングの代りに又はダイシングの後、スクライ
ビング又はエッチング等を用いてもよい。(2) In order to form the groove in the sapphire substrate, scribing or etching may be used instead of dicing or after dicing.
【００３４】（３）サファイア基板に溝を形成する前
に、研磨等によりサファイア基板を薄くしてもよい。(3) Before forming the groove in the sapphire substrate, the sapphire substrate may be thinned by polishing or the like.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、六方
晶ＧａＮ系半導体層を劈開してチップ化するようにした
ので、平行且つ平滑な反射面を有する高性能半導体レー
ザーを簡単に実現できる効果が得られるものである。As described above, according to the present invention, the hexagonal GaN-based semiconductor layer is cleaved into chips, so that a high-performance semiconductor laser having parallel and smooth reflecting surfaces can be easily realized. The effect that can be obtained is obtained.
【図１】 この発明の実施に使用されるサファイア基板
を示す上面図である。FIG. 1 is a top view showing a sapphire substrate used for implementing the present invention.
【図２】 図１の基板上へのＧａＮのエピタキシャル成
長工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of epitaxially growing GaN on the substrate of FIG.
【図３】 図２の工程に続くダイシング工程を示す断面
図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a dicing process that follows the process of FIG.
【図４】 図３のＡ−Ａ’線に沿うダイサー刃の断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the dicer blade taken along the line AA ′ of FIG.
【図５】 ダイシングされたサファイア基板を示す裏面
図である。FIG. 5 is a back view showing a sapphire substrate that has been diced.
【図６】 図３の工程に続く劈開工程を示す断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a cleavage step following the step of FIG.
【図７】 図６の工程の代りに用いられる他の劈開工程
を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing another cleaving process used instead of the process of FIG.
【図８】 この発明の劈開方法によりウエハから分離さ
れたレーザーチップを示す上面図である。FIG. 8 is a top view showing a laser chip separated from a wafer by the cleavage method of the present invention.
【図９】 図８のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG.
【図１０】 従来の半導体レーザーの一例を示す斜視図
である。FIG. 10 is a perspective view showing an example of a conventional semiconductor laser.
１０：サファイア基板、１２：ＧａＮからなるバッファ
層、１４：Ｎ型ＧａＮからなるクラッド層、１６：Ｉｎ
ＧａＮからなる活性層、１８：Ｐ型ＧａＮからなるクラ
ッド層、２０：半導体層、３０：粘着テープ、３２：ダ
イサーステージ、３４：ダイサー刃、３６：ゴムパッ
ド、３８：ローラー、４０：球型金型。10: Sapphire substrate, 12: GaN buffer layer, 14: N-type GaN cladding layer, 16: In
GaN active layer, 18: P-type GaN clad layer, 20: semiconductor layer, 30: adhesive tape, 32: dicer stage, 34: dicer blade, 36: rubber pad, 38: roller, 40: spherical mold .
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28787595AJPH09106965A (en) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | Cleavage of hexagonal gallium nitride semiconductor layer |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28787595AJPH09106965A (en) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | Cleavage of hexagonal gallium nitride semiconductor layer |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106965Atrue JPH09106965A (en) | 1997-04-22 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JPH09106965A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000068559A (en)* | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN GROUP CRYSTAL MATERIAL AND MANUFACTURE THEREOF |
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