【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ等を切
削するダイシング装置等の精密切削装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a precision cutting device such as a dicing device for cutting semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のダイシング装置は、通常図１２に
示すように半導体ウェーハ１を回路パターンが形成され
た表面１ａが上になるようにして図１に示すようなチャ
ックテーブル１４０に保持し、アライメント手段３例え
ば顕微鏡による目視若しくはＣＣＤカメラによる画像処
理等によって切断すべき被切削領域即ちストリートの位
置合わせを行い、そのストリートに沿ってブレード１６
１により精密切削するようになっている。この場合、ウ
ェーハ表面に切削屑（コンタミ）が付着してボンディン
グパット等を汚染する問題があり、ウェーハの表面をコ
ンタミから保護するには裏面からダイシングするか、又
は表面にポリイミド等の保護膜を形成した状態で表面か
らダイシングすることが望まれている。又、それとは異
なる観点からダイシングされたチップの強度面について
云うと、半導体ウェーハ１の裏面１ｂ側にチッピングと
称する細かい欠けが生じ、つまり図１３に示すように切
断されたチップ５の裏面５ｂの周縁部にチッピング６が
生じてチップ５の強度を低下させてしまう。このような
欠点を防止するには、例えばストリートの真下に当たる
裏面箇所にベベルカット等の溝入れ加工を予め施してお
けば、表面５ａからストリートをダイシングする際に切
削負荷が裏面５ｂの溝により吸収若しくは緩和され、チ
ッピングの発生を未然に防止することが出来る。2. Description of the Related Art A conventional dicing apparatus normally holds a semiconductor wafer 1 on a chuck table 140 as shown in FIG. 1 so that a surface 1a having a circuit pattern formed thereon faces upward as shown in FIG. The alignment means 3 aligns a cut region to be cut, that is, a street by visual observation with a microscope, image processing with a CCD camera, or the like, and the blade 16 along the street.
1 is for precision cutting. In this case, there is a problem that cutting debris (contamination) adheres to the wafer surface and contaminates the bonding pads, etc. To protect the surface of the wafer from contamination, dicing from the back side or a protective film such as polyimide on the surface It is desired to perform dicing from the surface in the formed state. In terms of the strength surface of the dicing chip from a different viewpoint, a fine chipping called chipping occurs on the back surface 1b side of the semiconductor wafer 1, that is, the back surface 5b of the chip 5 cut as shown in FIG. The chipping 6 is generated at the peripheral edge, and the strength of the chip 5 is reduced. In order to prevent such a defect, for example, if a grooved process such as bevel cutting is performed in advance on the back surface portion just below the street, the cutting load is absorbed by the groove on the back surface 5b when dicing the street from the front surface 5a. Alternatively, it can be mitigated and the occurrence of chipping can be prevented.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェー
ハ１の裏面１ｂからダイシングしたり又は予め溝入れ加
工を施すには、裏面１ｂを上にしてチャックテーブルに
保持しなければならないため、表面１ａが下側になって
ストリートが見えなくなり、そのストリートに対応して
裏面からダイシングし又は溝入れすべき箇所をアライメ
ントすることが出来ず現実には実施出来ないことにな
る。又、表面１ａにポリイミド等の不透明な保護膜が形
成されている場合も同様にアライメントすることが出来
ず、保護膜上からのダイシングが不可能になる。本発明
は、このような従来の不都合を解消するためになされ、
ウェーハの裏面を上にしてチャックテーブルに保持して
も、下になった表面のストリートに対応して裏面からダ
イシングすることが出来、又は溝入れ加工すべき箇所を
アライメントすることが出来、若しくは表面に不透明な
保護膜が形成されていてもその表面からアライメント出
来るようにした、ダイシング装置等の精密切削装置を提
供することを課題としたものである。However, in order to perform dicing from the back surface 1b of the wafer 1 or to perform grooving in advance, it is necessary to hold the back surface 1b on the chuck table, so that the front surface 1a is lowered. The street becomes invisible on the side, and it is not possible to actually perform it because the location to be diced or grooved from the back surface cannot be aligned corresponding to the street. Also, when an opaque protective film such as polyimide is formed on the surface 1a, alignment cannot be performed similarly, and dicing from above the protective film becomes impossible. The present invention is made to eliminate such conventional inconveniences,
Even if the wafer is held on the chuck table with the back side facing up, dicing can be performed from the back side corresponding to the streets on the lower side, or the place to be grooved can be aligned, or It is an object of the present invention to provide a precision cutting device such as a dicing device, which can be aligned from its surface even if an opaque protective film is formed on it.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、被加工物の被切削領
域と、ブレードとの位置合わせを遂行するアライメント
ユニットが装着された精密切削装置において、前記アラ
イメントユニットには赤外線を認識出来る赤外線カメラ
が装着されている精密切削装置を要旨とするものであ
る。更にアライメントユニットは、照明装置と、顕微鏡
と、赤外線カメラとを含み、照明装置側或は顕微鏡側い
ずれか一方に又は双方に波長０．８μｍ〜１０μｍ好ま
しくは解像度を考慮し０．８μｍ〜２．０μｍの赤外線
のみを透過する狭帯域フィルターが装着されていること
を特徴とする。As a means for technically solving this problem, the present invention provides a precision unit equipped with an alignment unit for aligning a cutting region of a workpiece with a blade. In the cutting device, the gist is a precision cutting device in which an infrared camera capable of recognizing infrared rays is attached to the alignment unit. Further, the alignment unit includes an illuminating device, a microscope, and an infrared camera, and has a wavelength of 0.8 μm to 10 μm on either the illuminating device side or the microscope side or both, preferably 0.8 μm to 2. It is characterized by being equipped with a narrow band filter that transmits only infrared rays of 0 μm.
【０００５】[0005]
【作 用】ウェーハの裏面を上にしてチャックテーブル
に保持し、このウェーハの裏面にウェーハの内部まで透
過する赤外線を照射し、下側になった表面のストリート
に対応させてダイシングし、又は溝入れ加工すべき箇所
をアライメントすることが出来る。このアライメントに
基づいて裏面要所に予め溝入れを施しておけば、後でひ
っくり返して表面をダイシングする時に裏面側のチッピ
ングの発生を未然に防止することが出来る。又、ウェー
ハの表面に保護膜が形成されていてもその保護膜の上か
らアライメントすることが出来、その保護膜上からダイ
シングし或は溝入れ加工することが出来る。[Operation] Hold the backside of the wafer on the chuck table, irradiate the backside of this wafer with infrared rays that penetrate to the inside of the wafer, and perform dicing in accordance with the streets on the lower side or groove. It is possible to align the place to be processed. By grooving the back surface in advance on the basis of this alignment, it is possible to prevent chipping on the back surface side when turning over and dicing the surface later. Even if a protective film is formed on the surface of the wafer, alignment can be performed from above the protective film, and dicing or grooving can be performed from above the protective film.
【０００６】[0006]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。図１は本発明に係る精密切削装置の一実施例
として、半導体ウェーハをダイシング（切削）するダイ
シング装置１００を示したものである。この装置の構成
について説明すると、カセット載置領域１０１に載置さ
れたカセット内にはフレームに装着された半導体ウェー
ハが複数枚収納されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a dicing apparatus 100 for dicing (cutting) a semiconductor wafer as an example of a precision cutting apparatus according to the present invention. Explaining the configuration of this apparatus, a plurality of semiconductor wafers mounted on a frame are housed in a cassette mounted in the cassette mounting area 101.
【０００７】ダイシング前のウェーハは、ウェーハ搬出
入手段１２０の把持部材１２１によってフレームが把持
され搬出入領域１１０まで搬出される。搬出入領域１１
０に位置付けられたウェーハは防塵カバー１３１を有す
る旋回アーム１３０によってチャックテーブル１４０ま
で搬送される。The wafer before dicing is carried out to the carry-in / carry-out area 110 with the frame held by the gripping member 121 of the wafer carry-in / out means 120. Loading / unloading area 11
The wafer positioned at 0 is transferred to the chuck table 140 by the swing arm 130 having the dustproof cover 131.
【０００８】ウェーハを保持したチャックテーブル１４
０はアライメント領域１５０の下部まで移動し、所定の
アライメントが遂行される。アライメントが完了する
と、チャックテーブル１４０は更に移動してウェーハを
切削領域１６０に位置付ける。Chuck table 14 holding a wafer
0 moves to the lower part of the alignment region 150 and a predetermined alignment is performed. When the alignment is complete, the chuck table 140 moves further to position the wafer in the cutting area 160.
【０００９】切削領域１６０には切削ブレード１６１を
装着したスピンドルユニット１６２が配設されており、
チャックテーブル１４０上のウェーハに所要のダイシン
グを遂行する。ダイシングが完了した後、チャックテー
ブル１４０はウェーハを保持した最初の位置まで戻る。In the cutting area 160, a spindle unit 162 having a cutting blade 161 mounted is arranged,
The required dicing is performed on the wafer on the chuck table 140. After the dicing is completed, the chuck table 140 returns to the initial position of holding the wafer.
【００１０】この後、チャックテーブル１４０に保持さ
れているダイシング済みのウェーハは搬送手段１７０に
よってスピン洗浄領域１８０まで搬送され、スピン洗浄
される。このスピン洗浄の際、洗浄液が飛散しないよう
に搬送手段１７０に装着されている蓋部材１７１が下降
してスピン洗浄領域１８０の開口部１８１を閉塞する。After that, the wafer that has been diced and held on the chuck table 140 is transferred to the spin cleaning area 180 by the transfer means 170 and is spin cleaned. At the time of this spin cleaning, the lid member 171 attached to the transporting unit 170 descends to block the opening 181 of the spin cleaning area 180 so that the cleaning liquid does not scatter.
【００１１】スピン洗浄が完了すると、ウェーハは旋回
アーム１３０によって搬出入領域１１０まで搬送され位
置付けられる。その後搬出入手段１２０の把持部材１２
１によってフレームが把持され、カセット内の所要位置
に戻される。以上のようにしてウェーハはダイシングさ
れる。When the spin cleaning is completed, the wafer is carried to the carry-in / carry-out area 110 by the swing arm 130 and positioned. After that, the gripping member 12 of the carry-in / out means 120
The frame is gripped by 1 and returned to the required position in the cassette. The wafer is diced as described above.
【００１２】次に、アライメント領域１５０に配設され
て本発明を構成するアライメントユニットについて説明
する。このアライメントユニット７は、図２に示すよう
に照明装置８と顕微鏡９と赤外線カメラ１０とから構成
されている。Next, the alignment unit arranged in the alignment region 150 and constituting the present invention will be described. As shown in FIG. 2, this alignment unit 7 is composed of an illumination device 8, a microscope 9 and an infrared camera 10.
【００１３】前記照明装置８は、内部にハロゲンランプ
等の発光体８ａが設けられ、この発光体８ａは調光器８
ｂを介して電源（図示せず）に接続されており、発光体
８ａの前方に熱線吸収フィルター８ｃと赤外線透過の狭
帯域フィルター８ｄが取り付けられて赤外線を照射す
る。The illuminating device 8 is internally provided with a light emitting body 8a such as a halogen lamp, and the light emitting body 8a is a dimmer 8
It is connected to a power source (not shown) through b, and a heat ray absorption filter 8c and an infrared ray transmitting narrow band filter 8d are attached in front of the light emitting body 8a to irradiate infrared rays.
【００１４】前記顕微鏡９は、対物レンズ９ａとハーフ
ミラー９ｂを有し、このハーフミラー９ｂと前記照明装
置８とはグラスファイバー１１で接続され、更にハーフ
ミラー９ｂの上方には赤外線透過の狭帯域フィルター１
２が取り付けられ、この顕微鏡９に対し前記赤外線カメ
ラ１０を光軸が一致するように取り付けてある。尚、狭
帯域フィルター８ｄ又は１２のいずれか一方を設けない
で実施しても良く、前記グラスファイバー１１を介在さ
せないで照明装置８からハーフミラー９ｂに直接赤外線
を入射させる構成にしても良い。更に、照明装置８を顕
微鏡９から独立させて直接ウェーハ１を照射するように
しても良い。The microscope 9 has an objective lens 9a and a half mirror 9b, the half mirror 9b and the illuminating device 8 are connected by a glass fiber 11, and a narrow band of infrared transmission is provided above the half mirror 9b. Filter 1
2 is attached, and the infrared camera 10 is attached to the microscope 9 so that the optical axes thereof coincide with each other. It should be noted that the narrow band filter 8d or 12 may not be provided, and the infrared ray may be directly incident on the half mirror 9b from the illumination device 8 without the glass fiber 11 interposed. Furthermore, the illumination device 8 may be independent of the microscope 9 and the wafer 1 may be directly irradiated.
【００１５】前記照明装置８から照射された赤外線１３
は顕微鏡９を介してウェーハ１の内部まで透過し、ウェ
ーハ１の表面１ａで反射した赤外線を顕微鏡９で見て赤
外線カメラ１０で撮像し、画像処理手段（図示せず）を
経てモニター１９０に表示し、表面１ａのストリートに
対応して切削すべき裏面１ｂ箇所をアライメントするこ
とが出来る。Infrared rays 13 emitted from the illuminating device 8
Is transmitted through the microscope 9 to the inside of the wafer 1 and reflected by the surface 1a of the wafer 1 is seen by the microscope 9 and is imaged by the infrared camera 10 and displayed on the monitor 190 via an image processing means (not shown). However, it is possible to align the location of the back surface 1b to be cut corresponding to the street of the front surface 1a.
【００１６】図３(イ) は表面に回路パターンが形成され
たウェーハを裏面より観察した例であり、表面より観察
したもの(ロ) と殆ど同程度の鮮明度で写し出され、実際
に十字型のストリートを明確に見分けることが出来る。
表面から見た場合には、ボンディングパット（ほぼ中央
部の４つの四角形）にプローバピンの跡が黒く写ってい
るが、裏面から見るとその跡が写らないためプローバピ
ン跡に起因するアライメントミスが生じ難くなってアラ
イメント操作がし易くなる。FIG. 3 (a) is an example of observing a wafer having a circuit pattern formed on the front surface from the back surface. The image is projected with almost the same degree of sharpness as that observed from the front surface (b), and is actually a cross shape. You can clearly identify the streets.
When viewed from the front side, the traces of the prober pins are shown in black on the bonding pads (four squares in the center part), but when viewed from the back side, the traces are not visible, so alignment errors due to the prober pin traces are less likely to occur. Therefore, the alignment operation becomes easy.
【００１７】図４は半導体ウェーハとして用いられるシ
リコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウ
ム燐（ＩｎＰ）等結晶の光透過率を示すグラフであり、
波長が０．８〜１０μｍの赤外線領域で高い透過率が見
られた。従って、前記照明装置８の狭帯域フィルター８
ｄ及び顕微鏡９の狭帯域フィルター１２は、０．８μｍ
〜１０μｍの赤外線のみを透過させる狭帯域フィルター
を用いれば良いことが判る。但し、解像度を高くするた
めには０．８μｍ〜２．０μｍの赤外線を透過する狭帯
域フィルターを用いることが好ましい。前記顕微鏡９内
に取り付けた狭帯域フィルター１２により、赤外線１３
の狭い範囲の波長のみを通過させることで更に解像度を
高めることが可能となる。又、図示は省略したが顕微鏡
９内に可視光カットフィルターを取り付け、ウェーハ１
の表面１ａで反射する可視光線（０．３８μｍ〜０．７
７μｍの範囲）をカットすることも可能である。FIG. 4 is a graph showing the light transmittance of crystals such as silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), and indium phosphide (InP) used as semiconductor wafers.
High transmittance was observed in the infrared region having a wavelength of 0.8 to 10 μm. Therefore, the narrow band filter 8 of the lighting device 8
d and the narrow band filter 12 of the microscope 9 are 0.8 μm
It is understood that a narrow band filter that transmits only infrared rays of 10 μm can be used. However, in order to increase the resolution, it is preferable to use a narrow band filter that transmits infrared rays of 0.8 μm to 2.0 μm. The narrow band filter 12 installed in the microscope 9 allows infrared rays 13
It is possible to further increase the resolution by passing only the wavelengths in a narrow range. Although not shown, a visible light cut filter is attached to the inside of the microscope 9 so that the wafer 1
Visible light (0.38 μm-0.7
It is also possible to cut (7 μm range).
【００１８】次に、本発明に係る精密切削装置の使い方
について説明する。前記赤外線によるアライメントの
後、ウェーハ１の裏面１ｂにブレード１６１を作用させ
てダイシング工程又は溝入れ工程がなされる。溝入れ工
程の場合は、例えば図５に示すようにベベルカット用ブ
レード１６１′を用いてＶ溝型の裏面溝入れ１４が遂行
される。Next, how to use the precision cutting device according to the present invention will be described. After the infrared alignment, a blade 161 is applied to the back surface 1b of the wafer 1 to perform a dicing process or a grooving process. In the case of the grooving step, for example, as shown in FIG. 5, the V-groove type rear surface grooving 14 is performed using a bevel cutting blade 161 '.
【００１９】溝入れ加工を施した後、ウェーハ１をひっ
くり返して表面１ａを上にして再度チャックテーブル１
４０に保持し、表面１ａのストリートをアライメント手
段３によりアライメントし、通常のブレード１６１でス
トリートに沿ってダイシングが遂行される。After performing the grooving process, the wafer 1 is turned over so that the front surface 1a faces upward, and the chuck table 1 is turned on again.
40, the streets on the surface 1a are aligned by the alignment means 3, and dicing is performed along the streets by the normal blade 161.
【００２０】このようにして、ウェーハ１の表面１ａを
ストリートに沿ってダイシングすると、図６(2) に示す
ようにウェーハ１の表面１ａから裏面１ｂのＶ溝型の裏
面溝入れ１４部の真ん中を抜ける切断となる。切削され
たチップ５′は図７に示すように、裏面の周縁部に沿っ
てあたかも面取り５′ｃが施されたような形状となり、
表面のダイシング時にウェーハ１のＶ溝型の裏面溝入れ
１４部が切削負荷を吸収し又は緩和するのでウェーハ１
の裏面１ｂにチッピングが生じることはない。When the front surface 1a of the wafer 1 is diced along the streets in this way, as shown in FIG. 6 (2), the center of the V-groove type rear surface grooving portion 14 from the front surface 1a to the rear surface 1b of the wafer 1 is formed. It becomes a disconnection through the. As shown in FIG. 7, the cut tip 5'has a shape as if chamfered 5'c was provided along the peripheral portion of the back surface,
Since the V-groove-shaped rear surface grooving portion 14 of the wafer 1 absorbs or relieves the cutting load during dicing of the front surface, the wafer 1
Chipping does not occur on the back surface 1b of the.
【００２１】又、図８(1) のようにウェーハ２１の裏面
２１ｂに予めＶ溝型の裏面溝入れ２２を施し、(2) のよ
うにこれをひっくり返してウェーハ２１の表面２１ａの
ストリートに沿って同じくＶ溝型の表面溝入れ２３を施
すと共に、(3) のようにＶ溝型の表面溝入れ２３部の真
ん中を切断する。このようにして切断されたチップ２４
は、図９に示すように表裏面いずれの周縁部にも面取り
２４ｃが施されたような形状になり、強度が強いものと
なる。Further, as shown in FIG. 8 (1), the back surface 21b of the wafer 21 is preliminarily subjected to V-groove type back surface grooving 22, and it is turned over as shown in FIG. Similarly, the V-groove type surface grooving 23 is applied along with cutting the middle of the V-groove type surface grooving 23 portion as shown in (3). Chip 24 cut in this way
As shown in FIG. 9, each of the front and back surfaces has a chamfered portion 24c on its peripheral edge, and has a high strength.
【００２２】前記ウェーハ２１の表面２１ａ側にも表面
溝入れ２３を施したのは、表面２１ａからのダイシング
時にウェーハ２１の表面２１ａ側にもチッピングが生じ
ないようにとの配慮からであり、この場合図８(2) の工
程と(3) の工程とは二工程に分けて行っても良いが、同
時に一工程で行っても良い。同時に一工程で行うには２
本のスピンドルが装着された精密切削装置を用いて前記
ベベルカット用ブレード１６１′と通常のブレード１６
１とを左右に配設し、これらを同時に同方向に移動させ
ることによってＶ溝型の表面溝入れ２３に連続させて通
常のダイシングをするように構成すれば良い。The surface grooving 23 is provided on the front surface 21a side of the wafer 21 in order to prevent chipping on the front surface 21a side of the wafer 21 during dicing from the front surface 21a. In the case, the step of FIG. 8 (2) and the step of (3) may be performed in two steps, but may be performed in one step at the same time. 2 to do in one step at the same time
The bevel-cutting blade 161 'and the normal blade 16 are formed by using a precision cutting device equipped with two spindles.
1 and 1 may be arranged on the left and right sides, and they may be moved in the same direction at the same time so as to be continuous with the V-groove type surface grooving 23 and perform normal dicing.
【００２３】図１０は本発明に係る精密切削装置の他の
使い方を示すもので、ウェーハの裏面を研磨し所要厚さ
に形成する研磨装置との関連で、ウェーハの裏面にベベ
ルカット用ブレードでＶ溝又は凹溝を形成する最も合理
的な使用方法である。先ず、(1) のようにウェーハ３１
の表面３１ａに保護テープ３２を貼った状態でその表面
３１ａを下にして研磨装置のチャックテーブル３３に保
持し、ウェーハ３１の裏面３１ｂを回転砥石３４で研磨
する第１の工程を行う。次に(2) のようにウェーハ３１
の裏面研磨が完了した後、ダイシング装置のチャックテ
ーブルにウェーハ３１を搬送し、保護テープ３２側を下
にして保持する第２の工程を行い、このウェーハ３１の
裏面３１ｂにアライメントユニット３６から赤外線を照
射して裏面３１ｂ側からアライメントを遂行する第３の
工程を行う。このアライメント結果に基づいて、ベベル
カット用回転ブレード３７′によりウェーハ３１の裏面
３１ｂにＶ溝３８又は凹溝３９を形成する第４の工程を
行う。FIG. 10 shows another usage of the precision cutting device according to the present invention. In connection with a polishing device for polishing the back surface of a wafer to form a required thickness, a bevel cutting blade is used on the back surface of the wafer. This is the most rational use method for forming a V groove or a concave groove. First, as shown in (1), the wafer 31
The first step of polishing the back surface 31b of the wafer 31 with the rotary grindstone 34 is performed by holding the front surface 31a of the wafer 31 with the protective tape 32 on the chuck table 33 of the polishing apparatus with the surface 31a facing downward. Next, as in (2), the wafer 31
After the polishing of the back surface of the wafer 31 is completed, the second step of carrying the wafer 31 to the chuck table of the dicing device and holding it with the protective tape 32 side down is performed, and infrared rays are emitted from the alignment unit 36 to the back surface 31b of the wafer 31. A third step of performing irradiation and performing alignment from the back surface 31b side is performed. Based on this alignment result, the fourth step of forming the V groove 38 or the concave groove 39 on the back surface 31b of the wafer 31 by the bevel cutting rotary blade 37 'is performed.
【００２４】この後、図１０(3) のようにウェーハ３１
の裏面３１ｂ側にテープ４０ａを貼着しフレーム４０と
一体にすると共に、前記回路形成面（表面３１ａ）に貼
着してある保護テープ３２を剥離する第５の工程を行
う。次いで、(4) のようにダイシング装置のチャックテ
ーブル上にフレーム４０と一体になったウェーハ３１を
保持し、回路形成面に基づいてアライメントユニット３
６によりアライメントを遂行し、Ｖ溝を形成し又は形成
しないでブレード３７によりダイシングを遂行する第６
の工程を行う。尚、第５の工程において保護テープ３２
の剥離作業を先に行っても良い。Thereafter, as shown in FIG. 10 (3), the wafer 31
A fifth step is performed in which the tape 40a is attached to the back surface 31b side to be integrated with the frame 40, and the protective tape 32 attached to the circuit forming surface (front surface 31a) is peeled off. Next, as shown in (4), the wafer 31 integrated with the frame 40 is held on the chuck table of the dicing device, and the alignment unit 3 is formed based on the circuit forming surface.
6 performs alignment, and performs dicing with the blade 37 with or without forming V groove
Process. In the fifth step, the protective tape 32
The peeling work may be performed first.
【００２５】このようにしてダイシングの結果得られた
チップの断面形状は、例えば図１０(4)(イ)、(ロ) 、(ハ)
のようになり、いずれもウェーハ３１の裏面３１ｂにチ
ッピングが生じることはない。従って、強度の強いチッ
プが得られる。The cross-sectional shape of the chip obtained as a result of the dicing in this manner is shown in, for example, FIG. 10 (4) (a), (b), (c).
In all cases, the back surface 31b of the wafer 31 is not chipped. Therefore, a strong chip can be obtained.
【００２６】この外、図１１に示すように最初からウェ
ーハ４１をその裏面を上にしてフレーム４２のテープ４
２ａに貼り、このフレーム４２を介して各工程を行うこ
とも可能である。この場合、ウェーハ４１の取り扱いが
し易くなり且つ各工程の作業能率を向上させることが出
来る。従って、例えば図１１に示す状態のままウェーハ
４１の裏面を研磨する装置に搬送して所定の裏面研磨を
遂行し、その後フレーム４２ごとダイシング装置のチャ
ックテーブルに搬送し、裏面からアライメントを行って
所定のダイシングを行うことが出来る。In addition to the above, as shown in FIG. 11, the wafer 4 is placed from the beginning with the back surface of the wafer 41 facing upward and the tape 4 of the frame 42.
It is also possible to attach it to 2a and perform each process through this frame 42. In this case, the wafer 41 can be easily handled and the work efficiency of each process can be improved. Therefore, for example, in the state shown in FIG. 11, the wafer 41 is conveyed to a device for polishing the back surface of the wafer 41 to perform a predetermined back surface polishing, and thereafter, the frame 42 is conveyed to a chuck table of a dicing device to perform alignment from the back surface to a predetermined position. Can be used for dicing.
【００２７】尚、使用例においてウェーハ表面にポリイ
ミド等の不透明な保護膜が形成されている場合について
説明しなかったが、可視光によって表面を認識出来ない
ことから赤外線を用いてアライメントをする必要があ
り、前記した裏面からのダイシングと変わるところはな
く、詳細な説明は省略する。前記裏面の溝入れダイシン
グの使用例ではウェーハの裏面にＶ溝型の裏面溝入れを
施し、その後表面から通常のダイシングをする方法であ
ったが、必要に応じてウェーハの表面のストリートに沿
ってＶ溝型の表面溝入れを施し、その後裏面から通常の
ダイシングをするようにしても良い。又、Ｖ溝等のベベ
ルカットを施すことなく裏面から、保護膜上から直接ダ
イシングしても良い。更に、精密切削装置が大型化する
と共に赤外線に比べて危険であり、取り扱いが不便なの
であまり好ましくはないが、アライメントユニットにお
いて赤外線の代わりに軟Ｘ線を用いて実施することも可
能である。In the use example, the case where an opaque protective film such as polyimide is formed on the wafer surface was not described, but since the surface cannot be recognized by visible light, it is necessary to perform alignment using infrared rays. However, there is no difference from the above-mentioned backside dicing, and detailed description thereof will be omitted. In the usage example of the grooving dicing on the back surface, the V-groove type back surface grooving is performed on the back surface of the wafer, and then the normal dicing is performed from the front surface, but if necessary, along the streets on the front surface of the wafer. V-groove surface grooving may be performed, and then normal dicing may be performed from the back surface. Alternatively, dicing may be performed directly from the back surface or from the protective film without performing the bevel cut such as the V groove. Further, the precision cutting device becomes larger and more dangerous than infrared rays, and it is not preferable because it is inconvenient to handle, but it is also possible to use soft X-rays instead of infrared rays in the alignment unit.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
精密切削装置においてウェーハの裏面を上にしてチャッ
クテーブルに保持し、このウェーハの裏面にウェーハの
内部まで透過する光を照射して、下側になった表面のス
トリートに対応させてダイシング又は溝入れ加工すべき
裏面箇所をアライメント出来るようにしたので、ウェー
ハの裏面箇所に予め溝入れ加工を施すこと、裏面からフ
ルカット又はハーフカットのダイシングを遂行すること
が出来る。フルカットする場合は、ウェーハの表面から
のダイシングが省略出来るので、表面にコンタミが付着
することがなく、ボンディングパット等を汚染すること
もない。又、ウェーハ表面に保護膜が形成されていて、
保護膜上からアライメントを行ってダイシングを遂行す
る場合もウェーハの表面にコンタミが付着することがな
く、ボンディングパット等を汚染することもない。更
に、裏面に予め溝入れを施しておけば、表面からダイシ
ングする際にその溝が切削負荷を吸収若しくは緩和しウ
ェーハの裏面側にチッピングが生じないので、強度の強
いチップが得られる等の優れた効果を奏する。As described above, according to the present invention,
A precision cutting machine holds the backside of the wafer on a chuck table, irradiates the backside of this wafer with light that penetrates to the inside of the wafer, and dices or groves the streets on the lower surface. Since the rear surface portion to be processed can be aligned, it is possible to perform grooving processing on the rear surface portion of the wafer in advance and perform full-cut or half-cut dicing from the rear surface. In the case of full cutting, since dicing from the surface of the wafer can be omitted, contamination does not adhere to the surface and the bonding pad and the like are not contaminated. In addition, a protective film is formed on the wafer surface,
Even when the alignment is performed from above the protective film and the dicing is performed, the contamination does not adhere to the surface of the wafer and the bonding pads and the like are not contaminated. Furthermore, if the backside is grooved in advance, the grooves absorb or relieve the cutting load when dicing from the front side and chipping does not occur on the backside of the wafer, so that a chip with strong strength can be obtained. Produce the effect.
【図１】 本発明に係る精密切削装置の一実施例を示す
ダイシング装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a dicing device showing an embodiment of a precision cutting device according to the present invention.
【図２】 アライメントユニット部分の概略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view of an alignment unit portion.
【図３】 図２のアライメントユニットによりウェーハ
を実際に観察したもので、(イ) はウェーハの裏面側から
見た図、(ロ) は表面側から見た図である。3A and 3B are actual observations of the wafer by the alignment unit of FIG. 2, where FIG. 3A is a view seen from the back side of the wafer, and FIG. 3B is a view seen from the front side.
【図４】 シリコンウェーハ等の光透過率を示すグラフ
図である。FIG. 4 is a graph showing the light transmittance of a silicon wafer or the like.
【図５】 ウェーハの裏面溝入れの一例を示す説明図で
ある。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of rear surface grooving of a wafer.
【図６】 (1) 〜(3) は裏面溝入れ後に表面からダイシ
ングを遂行する状態を示すウェーハの部分断面図であ
る。6 (1) to (3) are partial cross-sectional views of a wafer showing a state in which dicing is performed from the front surface after grooving the back surface.
【図７】 ダイシングされたチップの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a diced chip.
【図８】 本発明に係る精密切削装置の使用例を示すも
ので、(1) 〜(3) はダイシングを遂行する状態を示すウ
ェーハの部分断面図である。FIG. 8 shows an example of use of the precision cutting device according to the present invention, and (1) to (3) are partial cross-sectional views of the wafer showing a state of performing dicing.
【図９】 ダイシングされたチップの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a diced chip.
【図１０】(1) 〜(4) は本発明に係る精密切削装置の他
の使用例を工程順に示す説明図である。10 (1) to 10 (4) are explanatory views showing another usage example of the precision cutting device according to the present invention in the order of steps.
【図１１】フレームと一体にされたウェーハの平面図で
ある。FIG. 11 is a plan view of a wafer integrated with a frame.
【図１２】従来例の説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of a conventional example.
【図１３】従来例におけるチップの断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a chip in a conventional example.
１…ウェーハ １ａ…表面 １ｂ…裏面 ３…ア
ライメント手段 ５…チップ ５ａ…表面 ５ｂ
…裏面 ５′…チップ ５′ｃ…面取り ６…チッピング ７…アライメントユニット ８…
照明装置 ８ａ…発光体 ８ｂ…調光器 ８ｃ…
熱線吸収フィルター ８ｄ…狭帯域フィルター ９
…顕微鏡 ９ａ…対物レンズ ９ｂ…ハーフミラー
１０…赤外線カメラ １１…グラスファイバー
１２…狭帯域フィルター １３…赤外線 １４…
裏面溝入れ ２１…ウェーハ ２１ａ…表面 ２１ｂ…裏面
２２…裏面溝入れ ２３…表面溝入れ ２４…チップ ２４ｃ…面取り ３１…ウェーハ ３１ａ…表面 ３１ｂ…裏面
３２…保護テープ ３３…チャックテーブル ３４…回転砥石 ３５…
チャックテーブル ３６…アライメントユニット
３７…回転ブレード ３７′…ベベルカット用回転ブ
レード ３８…Ｖ溝 ３９…凹溝 ４０…フレー
ム ４０ａ…テープ ４１…ウェーハ ４２…フレーム ４２ａ…テープ １００…ダイシング装置 １０１…カセット載置領域
１１０…搬出入領域 １２０…搬出入手段 １
２１…把持部材 １３０…旋回アーム １３１…防
塵カバー １４０…チャックテーブル １５０…ア
ライメント領域 １６０…切削領域 １６１…切削ブレード １６
１′…ベベルカット用ブレード １６２…スピンドル
ユニット １７０…搬送手段 １７１…蓋部材
１８０…スピン洗浄領域 １８１…開口部 １９０
…モニター1 ... Wafer 1a ... Front surface 1b ... Back surface 3 ... Alignment means 5 ... Chip 5a ... Front surface 5b
... Back surface 5 '... Chip 5'c ... Chamfer 6 ... Chipping 7 ... Alignment unit 8 ...
Lighting device 8a ... Light-emitting body 8b ... Dimmer 8c ...
Heat ray absorption filter 8d ... Narrow band filter 9
… Microscope 9a… Objective lens 9b… Half mirror 10… Infrared camera 11… Glass fiber
12 ... Narrow band filter 13 ... Infrared 14 ...
Back surface grooving 21 ... Wafer 21a ... Front surface 21b ... Back surface
22 ... Back surface grooving 23 ... Surface grooving 24 ... Chip 24c ... Chamfer 31 ... Wafer 31a ... Front surface 31b ... Back surface
32 ... Protective tape 33 ... Chuck table 34 ... Rotating whetstone 35 ...
Chuck table 36 ... Alignment unit
37 ... rotary blade 37 '... rotary blade for bevel cutting 38 ... V groove 39 ... concave groove 40 ... frame 40a ... tape 41 ... wafer 42 ... frame 42a ... tape 100 ... dicing device 101 ... cassette loading area 110 ... carry-in / out area 120 ... loading / unloading means 1
21 ... Gripping member 130 ... Revolving arm 131 ... Dustproof cover 140 ... Chuck table 150 ... Alignment area 160 ... Cutting area 161 ... Cutting blade 16
1 '... Bevel cutting blade 162 ... Spindle unit 170 ... Conveying means 171 ... Lid member
180 ... Spin cleaning region 181 ... Opening 190
…monitor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｇ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl.6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/68 G
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