【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はパワー用トランジスタ
等、チップ厚を薄くする必要のある半導体チップの加工
方法及びチップを加工する装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing a semiconductor chip, such as a power transistor, which requires a thin chip, and an apparatus for processing the chip.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイス／ＩＣは通常ＳｉやＧａ
Ａｓなどの半導体ウエハ上に多数形成され、スクライブ
やダイシング等のチップ加工プロセスにより単体チップ
に分割され、組立／実装して使用される。従来のチップ
加工の例を断面模式図２を用いて説明する。ウエハはま
ず、加工しやすいよう適当な厚さに研磨あるいはエッチ
ングされる。例えば、図２（ａ）に示したように、デバ
イスの形成されたウエハ３の表面３０をエレクトロンワ
ックス２等を用いて研磨治具１に接着し、裏面を研磨あ
るいはエッチングすることでウエハの厚さを所望の厚さ
まで薄化する。次に、溶剤にてエレクトロンワックス２
を除去することで薄化されたウエハ３を研磨治具１から
はずし、同図（ｂ）に示す様にデバイス形成面（表面）
３０を上にして裏面をダイシングシートにはりつける。
さらに、同図（ｃ）に示す様に、通常のダイシング装置
を用いてウエハ表面３０にパターン形成されたスクライ
ブラインラインに沿ってウエハを切断し、個々のチップ
に分割する。図において５はダイシングブレードを示し
ている。図では断面の一部しか示していないが、ダイシ
ングブレード５は通常薄い円盤状の形状をしており、高
速回転することでウエハを切断する。次に、分割された
ウエハののったダイシングシートをエクスパンドと呼ば
れる工程でシートを拡張してエクスパンドリング８に固
定した後、同図（ｄ）に示すように下から針６等で所望
のチップを押し上げ、ダイシングシートから分離して真
空吸着器７等で取り出すことにより、個々の半導体チッ
プを得る。2. Description of the Related Art Semiconductor devices / ICs are usually Si or Ga.
A large number of semiconductors such as As are formed on a semiconductor wafer, divided into individual chips by a chip processing process such as scribing or dicing, and assembled / mounted for use. An example of conventional chip processing will be described with reference to a schematic sectional view 2. The wafer is first polished or etched to a suitable thickness for easy processing. For example, as shown in FIG. 2A, the front surface 30 of the wafer 3 on which the device is formed is adhered to the polishing jig 1 by using the electron wax 2 or the like, and the back surface is polished or etched to obtain the wafer thickness. Thickness to the desired thickness. Next, electron wax 2 with a solvent
The wafer 3 thinned by removing the film is removed from the polishing jig 1, and as shown in FIG.
The back side is attached to the dicing sheet with 30 facing up.
Further, as shown in FIG. 3C, the wafer is cut along a scribe line line patterned on the wafer surface 30 by using an ordinary dicing device, and divided into individual chips. In the figure, 5 indicates a dicing blade. Although only a part of the cross section is shown in the figure, the dicing blade 5 is usually in the shape of a thin disk and cuts the wafer by rotating at high speed. Next, the dicing sheet with the divided wafers is expanded and fixed to the expanding ring 8 in a process called expanding, and then, as shown in FIG. Is lifted up, separated from the dicing sheet and taken out by the vacuum suction device 7 or the like to obtain individual semiconductor chips.
【０００３】ところが近年、パワートランジスタ等の分
野において、放熱向上のためにチップ厚を極めて薄くす
る必要がでてきた。また、高周波ＭＭＩＣ等の分野にお
いてもチップ裏面に形成された接地導体と表面に形成さ
れた配線導体によるマイクロストリップ線路のインピー
ダンス調整のために、チップ厚の薄いＩＣチップが必要
になってきている。However, in recent years, in the field of power transistors and the like, it has become necessary to make the chip thickness extremely thin in order to improve heat dissipation. Also in the field of high frequency MMIC and the like, an IC chip having a small chip thickness is required for impedance adjustment of a microstrip line by a ground conductor formed on the back surface of the chip and a wiring conductor formed on the front surface.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チップ加工の方法では、特にＧａＡｓなどの機械的強度
の低い化合物半導体ウエハを加工する場合、ウエハ厚を
薄くすると、研磨治具からウエハをはずす際あるいはそ
の後の工程でウエハが割れてしまうという問題を有して
いた。However, in the conventional chip processing method, particularly when processing a compound semiconductor wafer having a low mechanical strength such as GaAs, the wafer must be thin to remove the wafer from the polishing jig. Alternatively, there is a problem that the wafer is broken in the subsequent process.
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、ウエハ厚を薄
くしてもウエハを割ること無く、容易にチップ厚の薄い
半導体チップを得るチップ加工方法及びチップを加工す
る装置を提供するものである。In view of the above problems, the present invention provides a chip processing method and a chip processing apparatus for easily obtaining a semiconductor chip having a thin chip thickness without breaking the wafer even if the wafer thickness is reduced. .
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、ウエハの裏面のパターンをモニタする装
置と、前記装置でモニタされた情報に基づいてウエハを
切断する装置を備えたダイシング装置を用い、デバイス
の形成された半導体ウエハの表面をダイシングシートに
はりつける工程と、前記半導体ウエハを前記シートには
りつけたままウエハの裏面を研磨あるいはエッチングす
る工程と、前記半導体ウエハの表面パターンをモニタし
ながら裏面よりダイシングする工程を有するものであ
る。In order to solve the above problems, the present invention comprises an apparatus for monitoring a pattern on the back surface of a wafer, and an apparatus for cutting the wafer based on the information monitored by the apparatus. Using a dicing device, a step of attaching the surface of a semiconductor wafer on which a device is formed to a dicing sheet, a step of polishing or etching the back surface of the wafer while attaching the semiconductor wafer to the sheet, and a surface pattern of the semiconductor wafer It has a step of dicing from the back surface while monitoring.
【０００７】[0007]
【作用】本発明は上記した構成のダイシング装置によっ
てウエハの裏面からのダイシングが可能となり、そのた
め始めからウエハを表面を下にしてダイシングシートに
はりつけたままの裏面加工が可能になり、ウエハの取り
外し工程が不要となってウエハの割れが防止でき、また
工程が削減できる。The present invention enables the dicing from the back surface of the wafer by the dicing apparatus having the above-described structure, which allows the back surface processing from the beginning with the front surface of the wafer facing downward while being stuck to the dicing sheet. The process becomes unnecessary and the cracking of the wafer can be prevented, and the process can be reduced.
【０００８】[0008]
【実施例】本発明の実施例を断面模式図１を用いて説明
する。従来例とは異なり、まず、同図（ａ）に示すよう
にウエハ３を表面３０側を下にしてダイシングシート４
にはりつける。ウエハ３の表面３１にはデバイスと同時
にチップ分割のためのスクライブラインパターンが形成
されている。また、ダイシングシート４としては紫外線
照射で粘着力の低下する紫外線硬化型シートを使用する
と都合がよい。EXAMPLE An example of the present invention will be described with reference to the schematic sectional view 1. Unlike the conventional example, first, as shown in FIG. 1A, the wafer 3 is placed with the front surface 30 side facing down, and the dicing sheet 4 is formed.
Stick to it. A scribe line pattern for chip division is formed on the surface 31 of the wafer 3 at the same time as the device. Further, as the dicing sheet 4, it is convenient to use an ultraviolet curable type sheet whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays.
【０００９】次に、同図（ｂ）に示すようにダイシング
シート４にウエハ３をはりつけたままウエハ３の裏面３
１を研磨あるいはエッチングすることで、ウエハの厚さ
を所望の厚さまで薄化する。この時ウエハの表面側はダ
イシングシート４にて保護されている。Next, as shown in FIG. 1B, the back surface 3 of the wafer 3 is kept with the wafer 3 attached to the dicing sheet 4.
By polishing or etching No. 1, the wafer is thinned to a desired thickness. At this time, the front side of the wafer is protected by the dicing sheet 4.
【００１０】次に、ダイシングによりウエハを切断し、
個々のチップに分割するのであるが、この時、本発明の
赤外線カメラ付きのダイシング装置を用いる。すなわ
ち、通常ダイシングはウエハ表面に形成されたスクライ
ブラインのパターンをモニタしながら、このラインに沿
って切断するのであるが、本実施例では赤外線カメラを
用いて、ダイシング装置からみたウエハの裏面側である
ウエハ３の表面３１に形成されたスクライブラインをモ
ニタし、これに沿ってウエハを切断する。この様にして
チップ分割した後は、従来例と同様にしてチップを取り
外せば良い。図１（ｄ）に示した様にエクスパンドリン
グにセット後、紫外線照射を行ってダイシングシートの
粘着力を低下させれば取り外しが容易である。Next, the wafer is cut by dicing,
It is divided into individual chips, and at this time, the dicing device with an infrared camera of the present invention is used. That is, normally, dicing is performed while monitoring the pattern of the scribe line formed on the front surface of the wafer, and cutting is performed along this line. However, in the present embodiment, the infrared camera is used to detect the back side of the wafer viewed from the dicing apparatus. A scribe line formed on the surface 31 of a certain wafer 3 is monitored, and the wafer is cut along the scribe line. After dividing the chip in this way, the chip may be removed in the same manner as in the conventional example. As shown in FIG. 1 (d), if the dicing sheet is set on the expanding ring and then irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength, it can be easily removed.
【００１１】以上説明したように、本実施例ではウエハ
厚を薄化してからは、チップ分割するまでダイシングシ
ートにはりつけられたままであり、ウエハの取り外しを
行わないことから、ウエハ厚を薄くしてもウエハの割れ
を防止することが可能となる。また、最終的にダイシン
グで使用するシートに始めからウエハをはりつけてある
ので、その分従来例に比べて工程が削減できる。As described above, in this embodiment, after the wafer is thinned, it is still attached to the dicing sheet until the chips are divided, and the wafer is not removed. Also makes it possible to prevent the cracking of the wafer. Further, since the wafer is finally attached to the sheet used for dicing from the beginning, the number of steps can be reduced as compared with the conventional example.
【００１２】なお、本実施例では裏面研磨／エッチング
時のウエハ表面保護としてダイシングシートそのものを
用いているが、ワックス等でさらに補強を行ってもよ
い。In the present embodiment, the dicing sheet itself is used for protecting the wafer surface during back surface polishing / etching, but it may be further reinforced with wax or the like.
【００１３】また、本実施例では示していないが、薄化
したウエハの裏面に金属のコーティングやバイアホール
の形成等の加工を行ってもよい。この際も、ダイシング
シートにはりつけたまま加工を行うことで同様の効果が
得られる。Although not shown in this embodiment, processing such as metal coating or via hole formation may be performed on the back surface of the thinned wafer. Also in this case, the same effect can be obtained by performing the processing while being attached to the dicing sheet.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上示した様に本発明は、ウエハの裏面
からのダイシングを可能とし、始めからウエハを表面を
下にしてダイシングシートにはりつけたままの裏面加工
をおこなうことによってウエハの取り外し工程をなく
し、ウエハの割れを防止することができる。また同時に
工程数の削減ができる。INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention enables the dicing from the back surface of the wafer, and from the beginning, the wafer is removed with the front surface facing downward while the back surface processing is performed while the wafer is attached to the dicing sheet. It is possible to prevent the cracking of the wafer. At the same time, the number of steps can be reduced.
【図１】本発明の実施例におけるチップ加工の断面模式
図FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of chip processing in an example of the present invention.
【図２】従来のチップ加工の例を示した断面模式図FIG. 2 is a schematic sectional view showing an example of conventional chip processing.
１ 研磨治具 ２ エレクトロンワックス ３ ウエハ ４ ダイシングシート ５ ダイシングブレード ６ 針 ７ 真空吸引器 ８ エクスパンドリング ９ 赤外線カメラ ３０ ウエハの表面 ３１ ウエハの裏面 1 Polishing jig 2 Electron wax 3 Wafer 4 Dicing sheet 5 Dicing blade 6 Needle 7 Vacuum suction device 8 Expanding ring 9 Infrared camera 30 Front side of wafer 31 Back side of wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｓ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl.6 Identification code Internal reference number FI technical display area S
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| JP5218333AJPH0774131A (en) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | Dicing device and semiconductor chip processing method |
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