【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、静電チャック、これを
用いたプラズマ処理装置及びこの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck, a plasma processing apparatus using the electrostatic chuck, and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体製品の製造工程において
は、半導体ウエハにＣＶＤ処理、エッチング処理、スパ
ッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の
処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場
合がある。2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of semiconductor products, a semiconductor wafer is subjected to a CVD process, an etching process, a sputtering process and the like. A plasma processing apparatus is used as an apparatus for performing such various kinds of processing. May be
【０００３】この種の従来のプラズマ処理装置の一例と
しては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に２
つの平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極を
接地し、他方、下部電極に高周波電源としてＲＦパワー
を印加すると共にこれにウエハを載置支持させるように
なっている。そして、両電極間にエッチングガスを導入
してプラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すよ
うになっている。As an example of a conventional plasma processing apparatus of this type, for example, two processing chambers made of aluminum or the like are used.
Two flat plate type electrodes are arranged in parallel, the upper electrode of the electrodes is grounded, while RF power is applied as a high frequency power source to the lower electrode and the wafer is placed and supported on it. Then, an etching gas is introduced between both electrodes to induce plasma, and the wafer is subjected to plasma processing.
【０００４】これを図４に基づいて説明すると、アルミ
ニウム等よりなる処理容器２内に上部電極４が配置され
ると共にその下方にはサセプタとしての下部電極６が設
置され、この下部電極６には高周波電源８が接続されて
いる。この下部電極６の上面には、静電チャック１０が
設けられており、この表面に半導体ウエハＷを静電吸着
するようになっている。下部電極６は、冷却ジャケット
１２を有するサセプタ支持台１４上に支持され、プラズ
マ処理時に加熱された下部電極６を冷却するようになっ
ている。Explaining this with reference to FIG. 4, an upper electrode 4 is arranged in a processing container 2 made of aluminum or the like, and a lower electrode 6 as a susceptor is installed below the upper electrode 4, and the lower electrode 6 is provided with the lower electrode 6. A high frequency power source 8 is connected. An electrostatic chuck 10 is provided on the upper surface of the lower electrode 6, and the semiconductor wafer W is electrostatically attracted to the surface of the electrostatic chuck 10. The lower electrode 6 is supported on a susceptor support 14 having a cooling jacket 12, and cools the lower electrode 6 heated during plasma processing.
【０００５】また、上部電極４には、処理ガスを処理空
間Ｓへ供給するための処理ガス供給ヘッダ１６が設けら
れており、ここに形成した多数のガス孔１８から処理空
間Ｓへシャワー状に処理ガスを供給するようになってい
る。Further, the upper electrode 4 is provided with a processing gas supply header 16 for supplying the processing gas to the processing space S, and a shower shape is provided from the numerous gas holes 18 formed therein to the processing space S. Processing gas is supplied.
【０００６】また、上記静電チャック１０は、導電性材
料、例えば銅等を薄く延ばしてなる導電膜２０をポリイ
ミド樹脂等のフィルム状の絶縁膜２２によりサンドイッ
チ状に被覆して構成されており、この導電膜２０に直流
高電圧源２４より高圧直流を印加することにより発生す
るクーロン力によりこの上面に上述のようにウエハＷが
吸着保持される。The electrostatic chuck 10 is formed by sandwiching a conductive film 20 made of a conductive material, such as copper, thinly, with a film-like insulating film 22 made of polyimide resin or the like. The wafer W is adsorbed and held on the upper surface of the conductive film 20 by the Coulomb force generated by applying a high voltage DC from the DC high voltage source 24 as described above.
【０００７】プラズマ処理を行う場合には、上述のよう
なクーロン力により静電チャック１０の上面にウエハＷ
を吸着保持させた状態で上下の電極４、６間に高周波電
力を供給しつつ処理空間Ｓに処理ガスを供給し、所定の
減圧下に維持することによりこの処理空間Ｓにプラズマ
が立ち、ウエハ表面にエッチング等のプラズマ処理が施
されることになる。When performing the plasma processing, the wafer W is placed on the upper surface of the electrostatic chuck 10 by the Coulomb force as described above.
Is adsorbed and held, the processing gas is supplied to the processing space S while supplying high-frequency power between the upper and lower electrodes 4 and 6, and plasma is generated in the processing space S by maintaining the gas under a predetermined reduced pressure. The surface is subjected to plasma treatment such as etching.
【０００８】また、静電チャック１０の構造としては、
上述のように導電膜２０をフィルム状のポリイミド樹脂
絶縁膜２２で被覆するようにしたものの他に、導電膜２
０を耐久性に優れたセラミック材でその全面を被覆する
ようにしたものも知られている。The structure of the electrostatic chuck 10 is as follows.
As described above, the conductive film 20 is covered with the film-shaped polyimide resin insulating film 22, and the conductive film 2
There is also known one in which 0 is covered with a ceramic material having excellent durability.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
にポリイミド樹脂により構成された静電チャックにあっ
ては、クーロン力によるウエハ吸着力をある程度以上確
保するために、ポリイミド樹脂製の絶縁膜２２の厚みを
例えば５０μｍ程度に非常に薄くしなければならず、機
械的強度を高く設定することが比較的困難である。その
ため、例えば微小粒子であるパーティクルが静電チャッ
ク表面に落下して付着し、この状態でウエハＷを吸着保
持するとウエハ下面と静電チャック上面との間に挟み込
まれたパーティクルがウエハ吸着力によってポリイミド
樹脂製の絶縁膜２２を突き破って内部の導電膜２０に達
し、このために絶縁破壊を生じてしまうという問題点が
あった。By the way, in the electrostatic chuck made of the polyimide resin as described above, the insulating film 22 made of the polyimide resin is used in order to secure the wafer attracting force due to the Coulomb force to some extent or more. Has to be extremely thin, for example, about 50 μm, and it is relatively difficult to set high mechanical strength. Therefore, for example, particles that are fine particles drop and adhere to the surface of the electrostatic chuck, and when the wafer W is suction-held in this state, the particles sandwiched between the lower surface of the wafer and the upper surface of the electrostatic chuck are polyimide by the wafer suction force. There is a problem in that the insulating film 22 made of resin is pierced and reaches the conductive film 20 inside, which causes dielectric breakdown.
【００１０】このため、ポリイミド樹脂を用いた静電チ
ャックの場合には、絶縁破壊を生ずる前に交換しなけれ
ばならず、例えば通常の使用状態においては数ケ月に１
回程度の割合で静電チャックを交換しなければならない
ことからメンテナンス作業が煩雑になるのみならず、装
置の稼働率も低下してしまうという問題があった。For this reason, in the case of an electrostatic chuck using a polyimide resin, it must be replaced before dielectric breakdown occurs.
Since the electrostatic chuck must be replaced at a rate of about once, not only the maintenance work becomes complicated, but also the operation rate of the device is lowered.
【００１１】これに対して、ポリイミド樹脂に代えてセ
ラミックにより導電膜２０を被覆した静電チャックの場
合には、機械的強度が比較的高くなることから上述した
ようなパーティクルによる絶縁破壊は生じ難くなって寿
命も延ばすことができる反面、価格がポリイミド樹脂製
の静電チャックに対して数倍も高くなり、コスト高を招
来するという問題がある。On the other hand, in the case of the electrostatic chuck in which the conductive film 20 is coated with ceramic instead of the polyimide resin, the mechanical strength is relatively high, so that the dielectric breakdown due to the particles as described above is unlikely to occur. Although the life can be extended, the price is several times higher than that of the electrostatic chuck made of polyimide resin, which causes a problem of high cost.
【００１２】また、高圧直流を導電膜２０に印加する
と、絶縁膜自体が分極され、高圧電源を切ると放電によ
り分極状態が元に戻るが、この絶縁膜がポリイミド樹脂
により形成されている場合には、分極電荷が放電する時
の時定数は短いことからほとんど問題は生じないが、こ
の絶縁膜がセラミックにより形成している場合には、分
極電荷が放電する時の時定数はかなり大きくなり、その
ために残留吸着がかなり発生して吸着力が解除されるま
でにかなりの時間を要するという問題点があった。その
ために、残留吸着がなくなるまでの間、ウエハのリフタ
ピンによる持ち上げを待たねばならず、スループットの
低下の原因にもなっていた。Further, when a high voltage DC is applied to the conductive film 20, the insulating film itself is polarized, and when the high voltage power is turned off, the polarized state returns to the original state by discharge. However, when this insulating film is formed of a polyimide resin, Causes almost no problem because the time constant when the polarization charge is discharged is short, but when this insulating film is made of ceramic, the time constant when the polarization charge is discharged becomes considerably large. Therefore, there has been a problem that a considerable amount of residual adsorption occurs and it takes a considerable time before the adsorption force is released. Therefore, the lifting of the wafer by the lifter pins has to be waited until the residual adsorption is eliminated, which causes a decrease in throughput.
【００１３】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、ポリイミド樹脂とセラミックの両長所を兼ね
備えるようにして耐久性のある安価な静電チャック、こ
の製造方法及びプラズマ処理装置を提供することにあ
る。The present invention focuses on the above problems,
It was created to solve this effectively. An object of the present invention is to provide a durable and inexpensive electrostatic chuck that has both advantages of a polyimide resin and a ceramic, a manufacturing method thereof, and a plasma processing apparatus.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、第１の発明は、プラズマ処理室内の載置台に被処
理体を吸着保持するために設けられた、樹脂フィルムに
より絶縁された導電膜よりなる静電チャックにおいて、
前記樹脂フィルムの被処理体載置面にセラミックコーテ
ィング膜を形成するように構成したものである。In order to solve the above problems, the first invention is insulated by a resin film provided for adsorbing and holding an object to be processed on a mounting table in a plasma processing chamber. In an electrostatic chuck made of a conductive film,
A ceramic coating film is formed on the surface of the resin film on which the object to be processed is placed.
【００１５】第２の発明は、プラズマ処理室内の載置台
に被処理体を吸着保持するために、樹脂フィルムにより
絶縁された導電膜よりなる静電チャックを備えたプラズ
マ処理装置の製造方法において、前記静電チャックを予
め前記載置台の上部に取り付ける工程と、前記載置台上
に取り付けた少なくとも前記静電チャックの表面にセラ
ミックコーティング膜を形成する工程と前記載置台を前
記処理室内に取り付ける工程とを具備するようにしたも
のである。A second aspect of the present invention is a method of manufacturing a plasma processing apparatus comprising an electrostatic chuck made of a conductive film insulated by a resin film for adsorbing and holding an object to be processed on a mounting table in a plasma processing chamber, Attaching the electrostatic chuck to the upper part of the mounting table in advance, forming a ceramic coating film on at least the surface of the electrostatic chuck mounted on the mounting table, and mounting the mounting table in the processing chamber; It is equipped with.
【００１６】第３の発明は、プラズマ処理室内に載置台
を設け、この載置台上に被処理体を吸着保持するため
に、樹脂フィルムにより絶縁された導電膜よりなる静電
チャックを設けてなるプラズマ処理装置において、前記
静電チャックの被処理体載置面にセラミックコーティン
グ膜を形成するように構成したものである。According to a third aspect of the present invention, a mounting table is provided in the plasma processing chamber, and an electrostatic chuck made of a conductive film insulated by a resin film is provided on the mounting table to attract and hold the object to be processed. In the plasma processing apparatus, a ceramic coating film is formed on the surface of the electrostatic chuck on which the object to be processed is placed.
【００１７】[0017]
【作用】第１の発明によれば、樹脂フィルムの被処理体
載置面にセラミックコーティング膜を形成したので、樹
脂フィルムとセラミックの両者の長所を兼ね備えること
ができ、従って、残留吸着が少なく且つ耐久性にも優れ
た静電チャックを提供することができる。According to the first aspect of the invention, since the ceramic coating film is formed on the surface of the resin film on which the object to be treated is placed, the advantages of both the resin film and the ceramic can be provided, and therefore the residual adsorption is small and It is possible to provide an electrostatic chuck having excellent durability.
【００１８】第２の発明によれば、樹脂フィルムにより
絶縁された導電膜よりなる静電チャッをプラズマ処理室
内に組み立て、装置を製造するに際して、まず、プラズ
マ処理室内へ装着する前の載置台に静電チャックを取り
付けて、この静電チャック表面に薄いセラミックコーテ
ィング膜を例えばイオンプレーティング法等により予め
形成する。その後、この載置台をプラズマ処理室内へ取
り付けるようにしたので、薄くて割れ易いセラミックコ
ーティング膜を壊すことなく形成することが可能とな
る。According to the second invention, when the electrostatic chuck made of the conductive film insulated by the resin film is assembled in the plasma processing chamber to manufacture the apparatus, first, the mounting table before being mounted in the plasma processing chamber is used. An electrostatic chuck is attached, and a thin ceramic coating film is previously formed on the surface of the electrostatic chuck by, for example, an ion plating method. After that, since the mounting table is attached to the plasma processing chamber, it is possible to form the thin and easily broken ceramic coating film without breaking it.
【００１９】第３の発明によれば、プラズマ処理室内
に、セラミックコーティング膜の施された静電チャック
を設けるようにしたので、前述のように残留吸着も少な
く、耐久性も向上させることができ、従って、静電チャ
ックの交換回数も、絶縁膜として樹脂のみを用いた静電
チャックの場合と比較して少なくできる。従って、その
分、稼働効率を上げてスループットを向上させることが
できる。According to the third aspect of the invention, since the electrostatic chuck having the ceramic coating film is provided in the plasma processing chamber, the residual adsorption is small and the durability can be improved as described above. Therefore, the number of times of exchanging the electrostatic chuck can be reduced as compared with the case of the electrostatic chuck using only the resin as the insulating film. Therefore, the operation efficiency can be increased and the throughput can be improved accordingly.
【００２０】[0020]
【実施例】以下に、本発明に係る静電チャック、この製
造方法及びプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基
づいて詳述する。図１は本発明に係る静電チャックを用
いたプラズマ処理装置の一例を示す断面図、図２は本発
明に係る静電チャックの取り付け状態を示す部分拡大
図、図３は本発明に係る静電チャックにセラミックコー
ティング膜を施す方法を説明するための説明図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an electrostatic chuck, a method of manufacturing the same, and a plasma processing apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of a plasma processing apparatus using an electrostatic chuck according to the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged view showing a mounting state of the electrostatic chuck according to the present invention, and FIG. 3 is a static view according to the present invention. It is explanatory drawing for demonstrating the method of applying a ceramic coating film to an electric chuck.
【００２１】本実施例においてはプラズマ処理装置をプ
ラズマエッチング装置に適用した場合について説明す
る。図示するようにプラズマ処理装置としてのこのプラ
ズマエッチング装置２６は、例えばアルミニウム等の導
体により筒体状に成形されたプラズマ処理室２８を有し
ており、このプラズマ処理室２８は密閉状態になされて
接地されている。In this embodiment, the case where the plasma processing apparatus is applied to a plasma etching apparatus will be described. As shown in the figure, the plasma etching apparatus 26 as a plasma processing apparatus has a plasma processing chamber 28 formed in a cylindrical shape by a conductor such as aluminum, and the plasma processing chamber 28 is kept in a sealed state. It is grounded.
【００２２】この処理室２８内には、上下方向に例えば
２０〜３０ｍｍ程度離間された一対の電極、すなわち上
部電極３０と載置台（サセプタ）としての下部電極３２
とが平行に配置されており、これらの電極間がプラズマ
処理空間Ｓとして構成される。In the processing chamber 28, a pair of electrodes vertically separated by, for example, about 20 to 30 mm, that is, an upper electrode 30 and a lower electrode 32 as a mounting table (susceptor).
And are arranged in parallel, and a plasma processing space S is formed between these electrodes.
【００２３】載置台としての下部電極３２は、例えばア
ルマイト処理したアルミニウム等により中央部が凸状に
平坦になされた略円柱状に成形されており、この下部は
同じくアルミニウム等により円柱状になされたサセプタ
支持台３４により支持されると共にこのサセプタ支持台
３４は、処理室内の底部に絶縁材３６を介して設置され
ている。この下部電極３２は、高周波給電路３７を介し
てマッチングボックス３９及び例えば１３．５６ＭＨｚ
の高周波電源４１に接続されている。The lower electrode 32, which serves as a mounting table, is formed into a substantially cylindrical shape having a convex central portion made of, for example, anodized aluminum or the like, and the lower portion is also made of aluminum or the like into a cylindrical shape. The susceptor support 34 is supported by the susceptor support 34, and the susceptor support 34 is installed at the bottom of the processing chamber via an insulating material 36. The lower electrode 32 is connected to the matching box 39 and, for example, 13.56 MHz via the high frequency power supply path 37.
Connected to the high frequency power source 41.
【００２４】上記下部電極３２の上面平坦部には本発明
に係る静電チャック３８が接着剤により貼り付け固定さ
れており、この上面すなわち被処理体載置面に被処理体
としての半導体ウエハＷをクーロン力により吸着保持し
得るようになっている。この静電チャック３８は、例え
ば銅のような導電体の箔よりなる円形の導電膜４０とこ
の上下面を覆ってサンドイッチ状に積層して絶縁する、
例えばポリイミド樹脂等よりなる樹脂フィルム４２、４
４により主に形成される。An electrostatic chuck 38 according to the present invention is adhered and fixed to an upper surface flat portion of the lower electrode 32 with an adhesive, and a semiconductor wafer W as an object to be processed is attached to the upper surface, that is, the object mounting surface. Can be adsorbed and held by the Coulomb force. The electrostatic chuck 38 is covered with a circular conductive film 40 made of a conductive foil such as copper, and is laminated in a sandwich shape so as to cover the upper and lower surfaces thereof for insulation.
For example, resin films 42 and 4 made of polyimide resin or the like
4 mainly.
【００２５】この静電チャック３８を、下部電極３２の
上面に形成するには、図２に示すように例えばまず下部
電極３２の上面に接着剤４６を塗ってこの上に下側樹脂
フィルム４２を貼り付け、このフィルム４２上にこれよ
りも直径が僅かに小さな上記導電膜４０を付着させる。
更に、この導電膜４０の上面を含む下側樹脂フィルム４
２の露出面に接着剤４８を塗ってこの上に上側樹脂フィ
ルム４４を付着固定して取り付けを完了する。そして、
このように取り付けられた静電チャック３８の上面及び
側面及びこれに続く下部電極３２の上部側壁には、本発
明の特長とするセラックコーティング膜５０が形成され
ている。このコーティング膜５０の材料としては、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＡｌＮ等のセラミック材を用いるこ
とができ、このコーティング膜５０の厚みＬ１は、過度
に厚くなると残留吸着力が大きくなることから１〜５μ
ｍの範囲内に設定する。この時、銅箔よりなる導電膜４
０の厚みＬ２は数μｍ以下、上側及び下側樹脂フィルム
４４、４６の厚みＬ３は２５〜５０μｍの範囲内にそれ
ぞれ設定される。尚、図２において接着剤４４、４６の
厚みは明確化のために大きく記載されているが実際には
数μｍ程度である。To form the electrostatic chuck 38 on the upper surface of the lower electrode 32, for example, as shown in FIG. 2, first, an adhesive 46 is applied to the upper surface of the lower electrode 32, and the lower resin film 42 is formed thereon. Then, the conductive film 40 having a diameter slightly smaller than that of the conductive film 40 is attached onto the film 42.
Further, the lower resin film 4 including the upper surface of the conductive film 40
Adhesive 48 is applied to the exposed surface of No. 2 and the upper resin film 44 is adhered and fixed on the exposed surface to complete the attachment. And
A shellac coating film 50, which is a feature of the present invention, is formed on the upper surface and the side surface of the electrostatic chuck 38 thus mounted and on the upper side wall of the lower electrode 32 subsequent thereto. The material of the coating film 50 is Al
A ceramic material such as2 O3 , SiO2 , and AlN can be used, and the thickness L1 of the coating film 50 is 1 to 5 μm because the residual adsorption force becomes large if the thickness L1 becomes excessively thick.
Set within the range of m. At this time, the conductive film 4 made of copper foil
The thickness L2 of 0 is set to several μm or less, and the thickness L3 of the upper and lower resin films 44 and 46 is set to the range of 25 to 50 μm. In FIG. 2, the thickness of the adhesives 44 and 46 is shown large for the sake of clarity, but it is actually about several μm.
【００２６】そして、上記静電チャック３８の導電膜４
０には、、下部電極３２、サセプタ支持台３４及びプラ
ズマ処理室２８の底部に対して絶縁状態になされた給電
ライン５２が接続され、このライン５２に抵抗５４及び
直流高電圧源５６を接続して上記導電膜４０に直流高電
圧を印加することによりウエハ吸着のためのクーロン力
を発生するようになっている。また、この給電ライン５
２は、抵抗５４と直流高電圧源５６との間で切替スイッ
チ５８が介設され、このスイッチ５８にはアースにつな
がる分岐ライン６０が接続されており、ウエハの吸引を
解除する時に導電膜４０に貯まった電荷を逃がすように
なっている。Then, the conductive film 4 of the electrostatic chuck 38.
0 is connected to the lower electrode 32, the susceptor support 34, and the bottom of the plasma processing chamber 28 in an insulated state, and a power supply line 52 is connected. A resistor 54 and a DC high voltage source 56 are connected to the line 52. By applying a high DC voltage to the conductive film 40, a Coulomb force for attracting the wafer is generated. Also, this power supply line 5
2, a changeover switch 58 is provided between the resistor 54 and the DC high voltage source 56, and a branch line 60 connected to the ground is connected to the switch 58, and the conductive film 40 is released when the wafer suction is released. It is designed to release the charge stored in.
【００２７】また、セラミックコーティング膜５０、静
電チャック３８、下部電極３２及びサセプタ支持台３４
を貫通して内部にリフタピン６２を挿通させたリフタピ
ン挿通孔６４が設けられており、このピン６２を上下動
することによりウエハの持ち上げ及び持ち下げが行なわ
れる。図１中においてはこのリフタピン６２は１本しか
記載していないが実際には載置面内に均等に例えば３本
配置されており、ウエハ下面を３点支持するようになっ
ている。The ceramic coating film 50, the electrostatic chuck 38, the lower electrode 32, and the susceptor support 34 are also provided.
There is provided a lifter pin insertion hole 64 through which the lifter pin 62 is inserted, and the vertical movement of this pin 62 raises and lowers the wafer. Although only one lifter pin 62 is shown in FIG. 1, in practice, for example, three lifter pins 62 are evenly arranged in the mounting surface to support the lower surface of the wafer at three points.
【００２８】そして、サセプタ支持台３４におけるリフ
タピン挿通孔６４の途中には拡張室６６が設けられ、こ
の部分を通るリフタピン６２にベローズ６８を介在させ
てこのリフタピン６２の上下動を許容しつつ処理室内の
シール性を維持している。An extension chamber 66 is provided in the middle of the lifter pin insertion hole 64 in the susceptor support 34, and a bellows 68 is interposed between the lifter pin 62 passing through this portion to allow the lifter pin 62 to move up and down. Maintains the sealability of.
【００２９】同様にセラミックコーティング膜５０、静
電チャック３８、下部電極３２等を貫通して熱伝導ガス
供給路７０が形成され、これより熱伝導ガスとして例え
ばＨｅガスをウエハ裏面に供給することによりウエハと
静電チャック３８との間の熱伝導性を改善してウエハ温
度を適切に制御するようになっている。このガス供給路
７０に連通するガス放出孔は、静電チャック表面に多数
設けられている。また、プラズマ処理中にはウエハが加
熱することからこれを冷却する目的でサセプタ支持台３
４には、例えば冷却水を流す冷却ジャケット７２が設け
られる。Similarly, a heat conduction gas supply path 70 is formed by penetrating the ceramic coating film 50, the electrostatic chuck 38, the lower electrode 32 and the like, and by supplying, for example, He gas as a heat conduction gas to the back surface of the wafer. The thermal conductivity between the wafer and the electrostatic chuck 38 is improved to properly control the wafer temperature. A large number of gas discharge holes communicating with the gas supply passage 70 are provided on the surface of the electrostatic chuck. Further, since the wafer is heated during the plasma processing, the susceptor support base 3 is used for the purpose of cooling the wafer.
4 is provided with a cooling jacket 72 for flowing cooling water, for example.
【００３０】一方、上部電極３０は、例えばエッチング
ガスやＡｒガスを供給するためにシャワーヘッド構造に
なされており、例えばアルミニウム等よりなる容器状の
シャワーヘッド７２に多数の拡散孔７４を有する２枚の
バッフル板７６、７８が配置されている。そして、内部
で拡散されたガスを上部電極３０の下面に設けた多数の
噴出孔８０から処理空間Ｓ内に均一にガスを供給するよ
うになっている。On the other hand, the upper electrode 30 has a shower head structure for supplying, for example, an etching gas or an Ar gas. For example, a container-like shower head 72 made of aluminum or the like has two diffusion holes 74. Baffle plates 76 and 78 are arranged. The gas diffused inside is uniformly supplied into the processing space S from a large number of ejection holes 80 provided on the lower surface of the upper electrode 30.
【００３１】そして、プラズマ処理室２８の側壁には、
室内にウエハの搬入・搬出を行なう時に開閉されるゲー
トバルブ８２が設けられると共に底部には図示しない真
空ポンプに接続された排気口８４が設けられている。On the side wall of the plasma processing chamber 28,
A gate valve 82 that is opened and closed when loading and unloading wafers is provided in the chamber, and an exhaust port 84 connected to a vacuum pump (not shown) is provided at the bottom.
【００３２】ここで、前述のように静電チャック３８の
表面にセラミックコーティング膜５０を形成する方法の
一例を具体的に説明する。コーティング膜５０は非常に
薄く且つ静電チャック３８自体も非常に可撓性に富むこ
とから単独の静電チャック３８にコーティング膜５０を
施し、これを下部電極であるサセプタ３２上に貼り付け
ようとすると、貼り付け工程時にチャック自体が撓んで
コーティング膜５０が割れてしまう恐れがある。そこ
で、本発明方法では静電チャック３８を予めサセプタ３
２上に貼り付けて支持させておき、この状態で表面全体
にコーティング膜５０を形成するようにする。Here, an example of a method of forming the ceramic coating film 50 on the surface of the electrostatic chuck 38 as described above will be specifically described. Since the coating film 50 is very thin and the electrostatic chuck 38 itself is very flexible, it is attempted to apply the coating film 50 to a single electrostatic chuck 38 and attach it to the susceptor 32 that is the lower electrode. Then, the chuck itself may be bent during the attaching process, and the coating film 50 may be broken. Therefore, in the method of the present invention, the electrostatic chuck 38 is previously attached to the susceptor 3.
The coating film 50 is attached and supported on the surface 2, and in this state, the coating film 50 is formed on the entire surface.
【００３３】セラミックコーティング膜を施すイオンプ
レーディング装置は、図３に示すように例えばアルミニ
ウム合金よりなる真空チャンバ８６の側壁に放電電力源
８９に接続された陰極システム８８を備えたプラズマガ
ン９０を有しており、このプラズマガン９０には、環状
の永久磁石を備えた第１の電極９２と、磁気コイルを備
えた第２の電極９４と、大口径磁気コイル９６が設けら
れ、導入されたキャリアガス９８をプラズマ化して放出
するようになっている。An ion plating apparatus for applying a ceramic coating film has a plasma gun 90 having a cathode system 88 connected to a discharge power source 89 on the side wall of a vacuum chamber 86 made of, for example, an aluminum alloy as shown in FIG. The plasma gun 90 is provided with a first electrode 92 having an annular permanent magnet, a second electrode 94 having a magnetic coil, and a large-diameter magnetic coil 96. The gas 98 is turned into plasma and released.
【００３４】真空チャンバ８６内の下部にはアルミニウ
ム等の材料ペレット１００を収容した炉１０２がアース
状態で設置され、その上方にはチャンバ壁から絶縁され
てコーティングすべき処理体を保持するホルダ１０４が
設けられる。上記炉１０２とホルダ１０４との間には不
純物イオンをカットするために開閉可能になされたシャ
ッタ１０６が設けられると共にこれらの間にはバイアス
電源１０８が電気的に接続され、発生したイオンンバイ
アス電圧によりホルダ側へ吸引するようになっている。
また、真空チャンバ８６の側壁には、処理ガスを供給す
る処理ガス供給管１１０と図示しない真空ポンプに接続
された排気口１１２が設けられている。In the lower part of the vacuum chamber 86, a furnace 102 containing a material pellet 100 of aluminum or the like is installed in a grounded state, and above it, a holder 104 for holding a processing object to be coated is insulated from the chamber wall. It is provided. A shutter 106 that can be opened and closed for cutting impurity ions is provided between the furnace 102 and the holder 104, and a bias power supply 108 is electrically connected between them to generate a generated ion bias voltage. The suction is made to the holder side.
Further, a processing gas supply pipe 110 for supplying a processing gas and an exhaust port 112 connected to a vacuum pump (not shown) are provided on the side wall of the vacuum chamber 86.
【００３５】このような装置を用いてセラミック例えば
Ａｌ2 Ｏ3 のコーティング膜を形成する方法を説明す
る。まず、静電チャック３８を予め下部電極であるサセ
プタ３２に貼り付けてなる処理体をホルダ１０４に静電
チャック３８を下方にして取り付け固定する。この時、
バイアス電源１０８を印加するラインとして高周波給電
路３７や導電膜４０に接続された給電ライン５２を用い
ればよい。A method of forming a coating film of ceramic such as Al2 O3 using such an apparatus will be described. First, a processing body obtained by pasting the electrostatic chuck 38 to the susceptor 32 that is the lower electrode is attached and fixed to the holder 104 with the electrostatic chuck 38 facing downward. At this time,
The power supply line 52 connected to the high frequency power supply path 37 and the conductive film 40 may be used as a line for applying the bias power supply 108.
【００３６】真空チャンバ８６内をベース圧力まで真空
排気し、プラズマのキャリアガスとして一定量のＡｒガ
スをプラズマガン９０を通してチャンバ内に導入する。
チャンバ内の圧力が所定の値に達した後に、プラズマガ
ン９０と炉１０２の間で放電を行ない、放電によって生
成したプラズマＰの電子ビーム成分は各電極９２、９４
やコイル９６によって下方向に直角に曲げられて炉１０
２中の、アルミニウムよりなる材料ペレットに集中され
これを溶解する。The inside of the vacuum chamber 86 is evacuated to the base pressure, and a certain amount of Ar gas as a plasma carrier gas is introduced into the chamber through the plasma gun 90.
After the pressure in the chamber reaches a predetermined value, discharge is performed between the plasma gun 90 and the furnace 102, and the electron beam component of the plasma P generated by the discharge is applied to the electrodes 92, 94.
The furnace 10 is bent downward at a right angle by the coil 96 and the coil 96.
The material pellet made of aluminum in 2 is concentrated and melted.
【００３７】溶解したアルミニウムの温度が上がるとそ
の温度に応じた蒸気圧で蒸発を開始し、アルミニウムの
蒸発量が安定したらチャンバ内に処理ガス供給管１１０
を介して酸素を導入する。この時、炉１０２からある程
度離れている部分では蒸発したアルミニウムは酸素と反
応し、初期の不純物成分はシャッタ１０６によって捕獲
される。When the temperature of the molten aluminum rises, vaporization starts at a vapor pressure corresponding to the temperature, and when the amount of vaporized aluminum stabilizes, the process gas supply pipe 110 is placed in the chamber.
Oxygen is introduced via. At this time, the evaporated aluminum reacts with oxygen in a portion apart from the furnace 102 to some extent, and the initial impurity component is captured by the shutter 106.
【００３８】酸素導入後、プラズマが安定するとシャッ
タ１０６を開けて成膜を開始する。すなわちアルミニウ
ムと酸素と反応してＡｌ2 Ｏ3 イオンとなりこれがホル
ダ１０４に取り付けた静電チャック３８の表面やサセプ
タ３２の露出表面に付着堆積し、セラミックコーティン
グ膜５０が施されることになる。プラズマ中の電子はイ
オンよりも動き易いため、ホルダ１０４側には電子の方
が先に到達し、積極的にバイアスをかけなくてもサセプ
タ３２等はプラズマに対して数ボルトから数１０ボルト
の負の電位を持つことになり、イオンプレーティングが
進行する。コーティング膜の堆積時においては、イオン
は直進性に優れることから静電チャック表面に形成され
ているリフタピン用孔や熱伝導ガス放出孔が塞がれるこ
とはない。After the introduction of oxygen, when the plasma stabilizes, the shutter 106 is opened and film formation is started. That is, aluminum and oxygen react with each other to form Al2 O3 ions, which are deposited and deposited on the surface of the electrostatic chuck 38 attached to the holder 104 and the exposed surface of the susceptor 32, and the ceramic coating film 50 is applied. Since the electrons in the plasma move more easily than the ions, the electrons reach the holder 104 side first, and the susceptor 32 or the like is several volts to several tens of volts with respect to the plasma without being positively biased. It will have a negative potential and the ion plating will proceed. At the time of depositing the coating film, the ions are excellent in the straight traveling property, so that the lifter pin holes and the heat conduction gas discharge holes formed on the surface of the electrostatic chuck are not blocked.
【００３９】このようにしてセラミックコーティング膜
の施された静電チャック３８は、サセプタ３２ごとホル
ダ１０４から取り外され、この状態でプラズマ処理室２
８内のサセプタ支持台３４上に取り付け固定されること
になる。The electrostatic chuck 38 thus coated with the ceramic coating film is removed from the holder 104 together with the susceptor 32, and in this state, the plasma processing chamber 2 is removed.
8 will be mounted and fixed on the susceptor support base 34 in FIG.
【００４０】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について述べる。まず、ゲートバルブ８２を介して
半導体ウエハＷを図示しない搬送アームによりプラズマ
処理室２８内に収容し、これをリフタピン６２を上昇さ
せることによりピン側に受け渡し、更にこのリフタピン
６２を降下させることによりウエハＷを静電チャック３
８の上面である被処理体載置面側に載置する。この静電
チャック３８内の導電膜４０には、直流高電圧源５６か
ら例えば、２．０ＫＶの直流電圧が印加され、分極によ
るクーロン力によりウエハＷを吸着保持する。Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. First, the semiconductor wafer W is housed in the plasma processing chamber 28 by a transfer arm (not shown) via the gate valve 82, and the lifter pin 62 is moved up to be delivered to the pin side. W is electrostatic chuck 3
The object 8 is placed on the object placing surface side, which is the upper surface of 8. A DC voltage of, for example, 2.0 KV is applied to the conductive film 40 in the electrostatic chuck 38 from the DC high voltage source 56, and the wafer W is attracted and held by the Coulomb force due to polarization.
【００４１】そして、このプラズマ処理室２８内を所定
のプロセス圧力、例えば１０-1Ｔｏｒｒ程度に維持し
て、シャワーヘッド７２からエッチングガス、例えばＨ
ＦガスやＡｒガス等を流量制御しつつ供給し、同時に高
周波電源４１より、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を
下部電極であるサセプタ３２に印加する。これにより、
サセプタ３２と上部電極３０との間にプラズマが発生
し、ウエハＷに対して異方性の高いエッチングを施す。Then, the inside of the plasma processing chamber 28 is maintained at a predetermined process pressure, for example, about 10-1 Torr, and an etching gas such as H 2 is supplied from the shower head 72.
F gas, Ar gas, etc. are supplied while controlling the flow rate, and at the same time, a high frequency of 13.56 MHz, for example, is applied from the high frequency power supply 41 to the susceptor 32 which is the lower electrode. This allows
Plasma is generated between the susceptor 32 and the upper electrode 30, and highly anisotropic etching is performed on the wafer W.
【００４２】ここでウエハＷのエッチング処理時にあっ
ては、プラズマによりウエハが加熱されるがサセプタ支
持台３４に設けた冷却ジャケット７２によりウエハＷは
冷却され、例えば静電チャック３８に用いた接着剤の耐
熱温度である１５０℃以下で処理を行なう。この場合、
熱伝導ガス供給路７０を介してウエハ下面と静電チャッ
ク上面との間には例えばＨｅガスが所定量供給されてい
るので、これらの間の熱伝導率は比較的高く維持され、
ウエハＷを効率的に冷却することができる。At the time of etching the wafer W, the wafer is heated by the plasma, but the wafer W is cooled by the cooling jacket 72 provided on the susceptor support 34. For example, the adhesive used for the electrostatic chuck 38 is used. The treatment is performed at 150 ° C. or lower, which is the heat resistant temperature of in this case,
Since a predetermined amount of He gas, for example, is supplied between the lower surface of the wafer and the upper surface of the electrostatic chuck via the heat transfer gas supply passage 70, the thermal conductivity between them is kept relatively high.
The wafer W can be cooled efficiently.
【００４３】このようにして、ウエハＷのプラズマ処理
が終了したならばエッチングガスの供給や高周波電圧の
供給を停止すると共に、給電ライン５２に設けた切替ス
イッチ５８を切替えて静電チャック３８の導電膜４０を
アースすることによりここに貯まっていた電荷を逃し
て、ウエハＷの吸着を解除する。In this way, when the plasma processing of the wafer W is completed, the supply of the etching gas and the supply of the high frequency voltage are stopped, and the changeover switch 58 provided in the power supply line 52 is switched to change the conductivity of the electrostatic chuck 38. By grounding the film 40, the electric charge stored here is released, and the adsorption of the wafer W is released.
【００４４】そして、ウエハＷの吸着が解除されたなら
ば再度リフタピン６２を上昇させることによりウエハを
持ち上げ、搬入時と逆の操作を行なって開いたゲートバ
ルブ８２よりこの処理済みウエハＷを搬出する。When the suction of the wafer W is released, the lifter pin 62 is again raised to lift the wafer, and the reverse operation to the loading operation is performed to carry out the processed wafer W from the opened gate valve 82. .
【００４５】ところで、このような一連のプラズマ処理
工程において僅かなパーティクルが静電チャック表面に
付着した場合に、このパーティクルがウエハ下面と静電
チャック表面との間に挟まれて吸着されると、従来のポ
リイミド樹脂単独のチャックの場合には、パーティクル
がポリイミド樹脂内にめり込んで導電膜４０まで到達し
て絶縁破壊を生ずる恐れがあったが、本実施例にあって
はポリイミド製の樹脂フィルム４４の表面に硬くて薄い
セラミックコーティング膜５０が施してあることからパ
ーティクルがめり込まず、従って、絶縁破壊が起こり難
くなり、その分、耐久性を向上させることができる。従
って、ポリイミド樹脂を単独で用いた静電チャック交換
のためのメンテナンス作業も大幅に減少させることがで
きる。By the way, when a small amount of particles adhere to the surface of the electrostatic chuck in such a series of plasma processing steps, when the particles are sandwiched between the lower surface of the wafer and the surface of the electrostatic chuck and adsorbed, In the case of the conventional chuck using only the polyimide resin, there is a possibility that particles may get into the polyimide resin and reach the conductive film 40 to cause dielectric breakdown, but in this embodiment, the polyimide resin film 44 is used. Since the hard and thin ceramic coating film 50 is applied to the surface of the, the particles do not sink into the surface, and thus the dielectric breakdown is less likely to occur, and the durability can be improved accordingly. Therefore, the maintenance work for replacing the electrostatic chuck using the polyimide resin alone can be greatly reduced.
【００４６】また、セラミックは、ポリイミド樹脂と比
較して分極状態から放電がなされて通常の状態に戻るま
での時定数が比較的長いことからこのコーティング膜５
０の厚みをあまり厚くすると耐久性が向上する反面、切
替スイッチ５８をアース側に切替えた後の残留吸着力の
接続時間が長くなり、その分、搬出時間が長くなってス
ループットが低下するが、本実施例にあっては、コーテ
ィング膜５０の厚みＬ１を、ある程度以上の機械的強度
を維持しつつ且つ残留吸着力の接続時間も少ない厚み、
例えば１〜５μｍの範囲内に設定しているのでスループ
ットが低下することがなく、これを高く維持することが
できる。また、従来のセラミック製静電チャックの場合
と比較して、その用いるセラミック量は非常に少ないの
で、これと比較して安価に提供することが可能となる。Further, since the ceramic has a relatively long time constant from the polarized state until the discharge returns to the normal state as compared with the polyimide resin, this coating film 5 is used.
If the thickness of 0 is made too thick, the durability is improved, but on the other hand, the connection time of the residual suction force after the changeover switch 58 is switched to the ground side becomes long, and the carry-out time becomes longer and the throughput is reduced by that much. In the present embodiment, the thickness L1 of the coating film 50 is set to a thickness that maintains the mechanical strength above a certain level and that the connection time of the residual suction force is short,
For example, since it is set within the range of 1 to 5 μm, the throughput does not decrease and it can be maintained high. Further, since the amount of ceramic used is very small as compared with the case of the conventional electrostatic chuck made of ceramic, it is possible to provide it at a lower cost than this.
【００４７】更には、静電チャック表面にセラミックコ
ーティング膜５０を形成する際は、可撓性に富む静電チ
ャック単独の状態にコーティング膜を形成するのではな
く、これをサセプタに予め貼り付けて支持させた状態で
コーティング膜を形成し、そのままこのサセプタをプラ
ズマ処理室内に取り付けるようにしたので、取り付け時
にコーティング膜が割れたりして破損する恐れがなく、
安定的にこの取り付け作業を行なうことが可能となる。Further, when the ceramic coating film 50 is formed on the surface of the electrostatic chuck, the coating film is not formed in a state in which the electrostatic chuck having a high degree of flexibility is formed alone, but is adhered to the susceptor in advance. Since the coating film is formed in a supported state and the susceptor is mounted as it is in the plasma processing chamber, there is no risk of the coating film cracking or being damaged during mounting.
This attachment work can be performed stably.
【００４８】尚、上記実施例においては、コーティング
膜形成方法との関係で、静電チャック表面のみならずサ
セプタの露出面にもコーティング膜を施した場合につい
て説明したが、静電チャック表面のみにコーティング膜
を施すようにしてもよいのは勿論である。また、コーテ
ィング膜の形成方法は、単に一例を示したに過ぎず、他
の成膜方法により形成してもよい。In the above embodiment, the coating film is formed not only on the surface of the electrostatic chuck but also on the exposed surface of the susceptor in relation to the method of forming the coating film. However, only the surface of the electrostatic chuck is described. Of course, a coating film may be applied. Further, the method for forming the coating film is merely an example, and the film may be formed by another film forming method.
【００４９】更に、上記実施例ではコーティング膜付き
の静電チャックを平行平板型のプラズマエッチング装置
に適用した場合について説明したが、これに限定されず
例えば処理室の天井部外側に永久磁石を回転可能に設置
した誘導磁界型プラズマ装置、上部電極に替えてマイク
ロ波を発射するアンテナを設けた誘導結合型プラズマ装
置等にも適用することができる。また、プラズマエッチ
ング装置のみならず他のプラズマ処理装置、例えばプラ
ズマアッシング装置にも本発明を適用することができ
る。Further, in the above embodiment, the case where the electrostatic chuck with the coating film is applied to the parallel plate type plasma etching apparatus has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, a permanent magnet is rotated outside the ceiling of the processing chamber. The present invention can also be applied to an induction magnetic field type plasma device installed as possible, an inductively coupled plasma device provided with an antenna for emitting microwaves instead of the upper electrode, and the like. Further, the present invention can be applied not only to the plasma etching apparatus but also to other plasma processing apparatuses such as a plasma ashing apparatus.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば次の
ように優れた作用効果を発揮することができる。第１の
発明によれば、導電膜を絶縁する樹脂フィルム上に硬い
僅かな厚さのセラミックコーティング膜を施すようにし
たので、残留吸着力をほとんど発生させることなく機械
的強度を高くして耐久性を向上させることができる。従
って、表面に付着したパーティクルが内部にめり込んだ
りすることがなく、絶縁破壊等を生ずる恐れを大幅に減
少させることができる。また、セラミック製の静電チャ
ックと比較して使用するセラミックも少ないので安価に
提供することができる。第２の発明によれば、静電チャ
ックをサセプタよりなる載置台上に支持固定させた状態
でその表面にセラミックコーティング膜を施すようにし
たので、コーティング膜を破損することなく静電チャッ
クをプラズマ処理室内に設置することができる。第３の
発明によれば、上述のように耐久性のある静電チャック
を用いることにより、交換のための煩雑なメンテナンス
作業を少なくすることができ、その分、スループットを
向上させることができる。As described above, according to the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. According to the first aspect of the present invention, since the hard ceramic coating film having a small thickness is formed on the resin film that insulates the conductive film, the mechanical strength is increased and the durability is improved with almost no residual adsorption force. It is possible to improve the sex. Therefore, the particles adhering to the surface do not sink into the interior, and the risk of dielectric breakdown or the like can be greatly reduced. Further, since less ceramic is used as compared with the electrostatic chuck made of ceramic, it can be provided at a low cost. According to the second invention, the ceramic coating film is applied to the surface of the electrostatic chuck while the electrostatic chuck is supported and fixed on the mounting table made of the susceptor. Therefore, the electrostatic chuck can be plasma-treated without damaging the coating film. It can be installed in the processing chamber. According to the third invention, by using the durable electrostatic chuck as described above, it is possible to reduce the complicated maintenance work for replacement, and to improve the throughput accordingly.
【図１】本発明に係る静電チャックを用いたプラズマ処
理装置の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a plasma processing apparatus using an electrostatic chuck according to the present invention.
【図２】本発明に係る静電チャックの取り付け状態を示
す部分拡大図である。FIG. 2 is a partial enlarged view showing an attached state of the electrostatic chuck according to the present invention.
【図３】本発明に係る静電チャックにセラミックコーテ
ィング膜を施す方法を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a method of applying a ceramic coating film to an electrostatic chuck according to the present invention.
【図４】従来のプラズマ処理装置の一例を示す断面図で
ある。FIG. 4 is a sectional view showing an example of a conventional plasma processing apparatus.
２６ プラズマエッチング装置（プラズマ処理装
置） ２８ プラズマ処理室 ３０ 上部電極 ３２ 下部電極（サセプタ、載置台） ３４ サセプタ支持台 ３８ 静電チャック ４０ 導電膜 ４１ 高周波電源 ４２、４４ 樹脂フィルム ４６、４８ 接着剤 ５０ セラミックコーティング膜 ７２ シャワーヘッド ８６ 真空チャンバ ８８ 陰極システム ９０ プラズマガン １００ 材料ペレット １０２ 炉 １０４ ホルダ Ｓ プラズマ処理空間 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）26 plasma etching apparatus (plasma processing apparatus) 28 plasma processing chamber 30 upper electrode 32 lower electrode (susceptor, mounting table) 34 susceptor support 38 electrostatic chuck 40 conductive film 41 high frequency power supply 42, 44 resin film 46, 48 adhesive 50 Ceramic coating film 72 Shower head 86 Vacuum chamber 88 Cathode system 90 Plasma gun 100 Material pellet 102 Furnace 104 Holder S Plasma processing space W Semiconductor wafer (object to be processed)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15516894AJPH07335732A (en) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | Electrostatic chuck, plasma treatment equipment using electrostatic chuck and its manufacture |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15516894AJPH07335732A (en) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | Electrostatic chuck, plasma treatment equipment using electrostatic chuck and its manufacture |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335732Atrue JPH07335732A (en) | 1995-12-22 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15516894AWithdrawnJPH07335732A (en) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | Electrostatic chuck, plasma treatment equipment using electrostatic chuck and its manufacture |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335732A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861086A (en)* | 1997-03-10 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body |
| KR20010063394A (en)* | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 고석태 | Ceramic Coating Method And Coated Ceramic On It's Surface |
| JP2007027315A (en)* | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Electrostatic attraction electrode, method of manufacturing the same and substrate processing apparatus |
| WO2008053934A1 (en)* | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Tomoegawa Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| JP2009105412A (en)* | 1997-03-27 | 2009-05-14 | Applied Materials Inc | Technical measures to improve the reproducibility of chucking |
| JP2009200393A (en)* | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Nhk Spring Co Ltd | Electrostatic chuck and method of manufacturing the same |
| WO2009085991A3 (en)* | 2007-12-20 | 2009-09-17 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method of forming it |
| US7604845B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-10-20 | Tokyo Electron Limited | Method for coating internal member having holes in vacuum processing apparatus and the internal member having holes coated by using the coating method |
| US7837828B2 (en) | 2003-03-12 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device |
| JP2013172013A (en)* | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of changing substrate temperature settable band |
| CN105531810A (en)* | 2013-09-16 | 2016-04-27 | 株式公司品维斯 | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
| WO2016158110A1 (en)* | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
| CN110517982A (en)* | 2019-09-05 | 2019-11-29 | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 | A kind of semiconductor anti-etch electrostatic chuck and its manufacturing method |
| WO2020138179A1 (en)* | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck device |
| JP2020107881A (en)* | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table and substrate processing apparatus |
| JP2021057549A (en)* | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck device and manufacturing method of the same |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861086A (en)* | 1997-03-10 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body |
| JP2009105412A (en)* | 1997-03-27 | 2009-05-14 | Applied Materials Inc | Technical measures to improve the reproducibility of chucking |
| KR20010063394A (en)* | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 고석태 | Ceramic Coating Method And Coated Ceramic On It's Surface |
| US7604845B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-10-20 | Tokyo Electron Limited | Method for coating internal member having holes in vacuum processing apparatus and the internal member having holes coated by using the coating method |
| US7837828B2 (en) | 2003-03-12 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate supporting structure for semiconductor processing, and plasma processing device |
| JP2007027315A (en)* | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Electrostatic attraction electrode, method of manufacturing the same and substrate processing apparatus |
| JPWO2008053934A1 (en)* | 2006-10-31 | 2010-02-25 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck device |
| JP5054022B2 (en)* | 2006-10-31 | 2012-10-24 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck device |
| WO2008053934A1 (en)* | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Tomoegawa Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| WO2009085991A3 (en)* | 2007-12-20 | 2009-09-17 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method of forming it |
| JP2009200393A (en)* | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Nhk Spring Co Ltd | Electrostatic chuck and method of manufacturing the same |
| JP2013172013A (en)* | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of changing substrate temperature settable band |
| US9410753B2 (en) | 2012-02-21 | 2016-08-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate temperature adjusting method and a method of changing the temperature control range of a heater in a substrate processing apparatus |
| JP2018129539A (en)* | 2013-09-16 | 2018-08-16 | ぺムヴィックス コーポレーションFemvix Corp. | Electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck |
| CN105531810A (en)* | 2013-09-16 | 2016-04-27 | 株式公司品维斯 | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
| JP2016533039A (en)* | 2013-09-16 | 2016-10-20 | ぺムヴィックス コーポレーションFemvix Corp. | Electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck |
| WO2016158110A1 (en)* | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
| JPWO2016158110A1 (en)* | 2015-03-31 | 2018-01-18 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
| US10622239B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-04-14 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| WO2020138179A1 (en)* | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck device |
| JP2020107881A (en)* | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table and substrate processing apparatus |
| US11217470B2 (en)* | 2018-12-27 | 2022-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate placing table and substrate processing apparatus |
| US20220084867A1 (en)* | 2018-12-27 | 2022-03-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate placing table and substrate processing apparatus |
| US11508603B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate placing table and substrate processing apparatus |
| US11676847B2 (en) | 2018-12-27 | 2023-06-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate placing table and substrate processing apparatus |
| JP2024022653A (en)* | 2018-12-27 | 2024-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate supporter and plasma processing equipment |
| JP2025026909A (en)* | 2018-12-27 | 2025-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate support and plasma processing apparatus |
| CN110517982A (en)* | 2019-09-05 | 2019-11-29 | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 | A kind of semiconductor anti-etch electrostatic chuck and its manufacturing method |
| JP2021057549A (en)* | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 株式会社巴川製紙所 | Electrostatic chuck device and manufacturing method of the same |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100978957B1 (en) | Board Mount and Board Processing Unit | |
| US5382311A (en) | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same | |
| US5539179A (en) | Electrostatic chuck having a multilayer structure for attracting an object | |
| CN109256326B (en) | Member for plasma processing apparatus and sputtering method thereof | |
| JP5580760B2 (en) | Physical vapor deposition apparatus and method using multi-point clamp | |
| JPH07335732A (en) | Electrostatic chuck, plasma treatment equipment using electrostatic chuck and its manufacture | |
| JP2006060212A (en) | Method and apparatus for opening a substrate | |
| JP2004055703A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2694668B2 (en) | Substrate holding device | |
| JP7083080B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2011179119A (en) | Apparatus and method of physical vapor deposition with heat diffuser | |
| WO2003019618A2 (en) | Plasma treating apparatus and plasma treating method | |
| JPH06349938A (en) | Vacuum processing device | |
| JP3423186B2 (en) | Processing method | |
| JP2012186489A (en) | Substrate placement board and substrate processing apparatus | |
| JPH07147311A (en) | Transfer arm | |
| JPH01200625A (en) | Semiconductor wafer processing equipment | |
| JPH06124998A (en) | Plasma process equipment | |
| JP4185179B2 (en) | Sputtering equipment | |
| JP4129152B2 (en) | Substrate mounting member and substrate processing apparatus using the same | |
| JP3193815B2 (en) | Plasma processing apparatus and control method therefor | |
| JP4602528B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| KR19980070035A (en) | Sputtering apparatus for making barrier film for integrated circuit | |
| JPH08167595A (en) | Plasma treatment device | |
| JPH11111830A (en) | Electrostatic sucking device and method, and method and device for treatment apparatus using them |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date:20010904 |