【０００１】本発明は、ｐ−ｎ接合の形成された半導体
ペレットを備えた半導体装置に係り、特に、ＧａＰ、Ｇ
ａＡｓＰあるいはＧａＡｌＡｓ等からなる発光ダイオー
ド等の半導体装置に関する。The present invention relates to a semiconductor device provided with a semiconductor pellet having a pn junction, and more particularly to GaP and G.
The present invention relates to a semiconductor device such as a light emitting diode made of aAsP or GaAlAs.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＳＭＤ（表面実装デバイス）タイプＬＥ
Ｄの需要が、最近（ここ２〜３年）急増しており、これ
に対応して、種々のタイプのＳＭＤタイプＬＥＤが提案
されている。以下に、従来の代表的な例を図面を参照し
て示す。2. Description of the Related Art SMD (Surface Mount Device) type LE
The demand for D has been rapidly increasing (for the last 2-3 years), and in response to this, various types of SMD type LEDs have been proposed. Hereinafter, a typical example of the related art will be described with reference to the drawings.
【０００３】（１） 図３に示すタイプは、ガラスエポ
キシや紙フェノールなどからなる基板２０にＣｕ板２１
を積層したようないわゆるプリント板をステム基板とし
ている。このステム基板のパターン上にＬＥＤペレット
２２をマウントの後、金線によりボンディング２３を行
い、樹脂２４でモールド封止を行う。実際の場合は連結
した基板で複数個組立の後に、個々に切断する。(1) In the type shown in FIG. 3, a Cu plate 21 is provided on a substrate 20 made of glass epoxy or paper phenol.
A so-called printed board, which is formed by stacking, is used as the stem substrate. After mounting the LED pellets 22 on the pattern of the stem substrate, bonding 23 is performed with a gold wire and mold sealing is performed with a resin 24. In a practical case, the plurality of substrates are assembled with each other and then they are individually cut.
【０００４】（２） 図４に示すタイプにおいては、Ｃ
ｕのリードフレーム２８に反射板効果を持たせるためと
ステムの役目をもたせるため、予め第一の樹脂で白色反
射板２５をトランスファーあるいはインジェクションで
モールド成型し、そのステムの中にＬＥＤペレット２６
をマウント・ボンディングし、窓部を光透光性の第二の
樹脂２７を液状にして注入してモールドする。(2) In the type shown in FIG. 4, C
In order to give the u lead frame 28 a reflection plate effect and also to serve as a stem, the white reflection plate 25 is previously molded by transfer or injection with the first resin, and the LED pellet 26 is formed in the stem.
Is mounted and bonded, and the window portion is made into a liquid state with the light-transmissive second resin 27 and then injected and molded.
【０００５】（３） 図５に示すタイプにおいては、通
常のＩＣと同様のリードフレーム２９に、ＬＥＤペレッ
ト３０をマウント、ボンディングの後、光透光性樹脂３
１でトランスファーモルドを行い、枠部やタイバーなど
を切断する。(3) In the type shown in FIG. 5, the LED pellet 30 is mounted on and bonded to the lead frame 29 similar to a normal IC, and then the light-transmitting resin 3 is used.
Transfer mold at 1 and cut the frame and tie bar.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術におい
ては以下のような問題点があった。 １．信頼性上、最も重要なポイントとしては、（ａ）
半田付けや半田リフローによるＬＥＤの断線（ワイヤオ
ープンやペレットハガレ）や、樹脂のクラックが生じ易
いこと、（ｂ） ＬＥＤボンディングワイヤの温度サイ
クルテストによる断線（オープン）が生じやすいこと、
（ｃ） 高温高湿通電試験によるＬＥＤの光度の劣化が
生じやすいこと、などが上げられる。The above-mentioned prior art has the following problems. 1. The most important point in terms of reliability is (a)
LED disconnection (wire open or pellet peeling) due to soldering or solder reflow, resin cracks easily occur, (b) LED bonding wire temperature cycle test easily causes disconnection (open),
(C) The deterioration of the luminous intensity of the LED due to the high temperature and high humidity current test is likely to occur.
【０００７】これは従来技術の図３乃至図５に示した３
種の構造において、共通の問題であり、特に図４及び図
５に示したタイプは、半田付けによる断線に問題が多
い。This is the same as the prior art shown in FIGS.
This is a common problem in all kinds of structures, and in particular, the types shown in FIGS. 4 and 5 have many problems in disconnection due to soldering.
【０００８】また、樹脂のクラック（割れや、樹脂とリ
ードフレームや樹脂と基板への間の界面のはくり、など
を含む）の発生は、パッケージが小さいことや光透過性
樹脂を使うことの宿命である。クラックの発生を防止し
ようとしても、樹脂の中に色々な充てん剤（フィラー）
などを入れることができず、熱変形温度を上げたり、リ
ードフレームや基板との密着性を上げたり、熱膨脹係数
をコントロールすることが殆どできないなどのためであ
る。また、樹脂特性が、要求する特性に対し相反すると
ころがあり、設計上、全てを満足させることは難しく、
例えば、熱変形温度やＴｇ点（ガラス転移温度）を上げ
れば、クラックが出やすくまた低温通電での光度劣化が
起こり、樹脂にフィラーを充てんすれば光度（明るさ）
が下がる等のためである。The occurrence of resin cracks (including cracks and peeling of the interface between the resin and the lead frame or between the resin and the substrate) is due to the small size of the package and the use of the light transmissive resin. It is a fate. Even if you try to prevent the occurrence of cracks, various fillers in the resin
It is because, for example, the heat expansion temperature cannot be increased, the adhesion with the lead frame or the substrate can be increased, and the thermal expansion coefficient can hardly be controlled. In addition, the resin properties may conflict with the required properties, and it is difficult to satisfy all of them in terms of design.
For example, if the heat distortion temperature or Tg point (glass transition temperature) is raised, cracks are likely to occur and the luminous intensity deterioration occurs at low temperature energization. If the resin is filled with a filler, luminous intensity (brightness)
It is because of the decrease.
【０００９】また、ＬＥＤ特有の問題として、ＬＥＤペ
レットには高温高湿下での通電試験でＬＥＤの光度劣化
を起こす問題があり、ＬＥＤペレットの小型パッケージ
化はさらに不利である。Further, as a problem peculiar to LEDs, there is a problem that the LED pellets cause deterioration of the luminous intensity of the LEDs in an electric current test under high temperature and high humidity, and it is further disadvantageous to make the LED pellets into a small package.
【００１０】２． 小型素子の組立、特に光透過性樹脂
による封止は、前述したように充てん剤の添加ができな
いため、モールドまたは液状樹脂の注入による成型に於
いてバリが出やすく、組立においてバリ取りや、金型メ
ンテ、寸法測定等のムダな工程が多いという問題点があ
った。2. As mentioned above, when assembling small elements, especially sealing with light-transmissive resin, since no filler can be added, burrs are likely to occur during molding or molding by injection of liquid resin. There is a problem that there are many wasteful processes such as mold maintenance and dimension measurement.
【００１１】３． ＬＥＤチップのマウント、ボンディ
ング、モールドと工程が長く複雑であり、生産性に問題
があり、コストが高くなるという問題点があった。3. The process of mounting, bonding, and molding the LED chip is long and complicated, and there is a problem in productivity and cost.
【００１２】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
有する問題を解消し、信頼性を向上させるとともにデザ
インを単純化した発光ダイオードを提供することであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a light emitting diode which solves the above problems of the prior art, improves reliability and simplifies the design.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体装置は、ｐ−ｎ接合の形成され
た半導体ペレットを備えた半導体装置において、前記半
導体ペレットのｐ型面とｎ型面の各々の表面を覆う導電
性の薄膜層と、この薄膜層の上に形成された電極層と、
前記半導体ペレットの側面にこの側面を囲むように形成
された光透過性のガラス層とを備えることを特徴とす
る。In order to achieve the above-mentioned object, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device provided with a semiconductor pellet having a pn junction. A conductive thin film layer covering each surface of the mold surface, an electrode layer formed on the thin film layer,
The semiconductor pellet is provided with a light-transmissive glass layer formed on a side surface of the semiconductor pellet so as to surround the side surface.
【００１４】[0014]
【作用】導電性の薄膜層がｐ型面とｎ型面の各々の表面
に形成し半導体ペレットと薄膜層とをオーミック接触さ
せる。ｐ型面とｎ型面の各々の表面は薄膜層によって覆
われているとともに半導体ペレットの側面は光透過性の
ガラス層によって囲まれているので、半導体ペレットが
外気に晒されることはなく、ガラスの耐熱性が例えば７
００〜８００°と高いことより樹脂を用いた場合に生じ
ていたクラック等の発生を防止できる。金線等でボンデ
ィングして半導体ペレットと電極とを結線する金線等で
ボンディングして半導体ペレットと電極とを結線するの
ではなく、電極層が薄膜層を介して直接半導体ペレット
上に形成されているので、金線等でボンディング等した
場合に半田付けや半田リフロー等において生じやすい断
線等を防止することができる。A conductive thin film layer is formed on each surface of the p-type surface and the n-type surface to make ohmic contact between the semiconductor pellet and the thin film layer. Since the surface of each of the p-type surface and the n-type surface is covered with a thin film layer and the side surface of the semiconductor pellet is surrounded by a light-transmissive glass layer, the semiconductor pellet is not exposed to the outside air. Has a heat resistance of 7
Since it is as high as 00 to 800 °, it is possible to prevent the occurrence of cracks and the like that occur when a resin is used. Bonding the semiconductor pellet and the electrode by bonding with a gold wire, etc. Instead of bonding the semiconductor pellet and the electrode by bonding with a gold wire, the electrode layer is formed directly on the semiconductor pellet through the thin film layer. Therefore, it is possible to prevent disconnection or the like that is likely to occur in soldering, solder reflow, or the like when bonding is performed with a gold wire or the like.
【００１５】[0015]
【実施例】本発明による半導体装置の実施例を図面を参
照して説明する。図１は本発明による半導体装置の一例
としてＧａＰの光ダイオード１を示す。図１（ａ）は発
光ダイオード１の斜視断面図であり、図１（ｂ）は発光
ダイオード１の上面を示す平面図である。なお、ＧａＰ
以外のＧａＡｌＡｓやＧａＡｌＡｓなどの発光ダイオー
ドでも類似の構造である。Embodiments of a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a GaP photodiode 1 as an example of a semiconductor device according to the present invention. FIG. 1A is a perspective sectional view of the light emitting diode 1, and FIG. 1B is a plan view showing an upper surface of the light emitting diode 1. GaP
Other light emitting diodes such as GaAlAs and GaAlAs have similar structures.
【００１６】図１において、発光ダイオード１の半導体
ペレット２は、ｎ型基板３上に形成されたｎ型ＧａＰ層
４と、ｎ型ＧａＰ層４上に形成されたｐ型ＧａＰ層５
と、ｎ型ＧａＰ層４とｐ型ＧａＰ層５の境界に発光領域
であるｐ−ｎ接合領域６とを備えている。ｎ型ＧａＰ層
４とｐ型ＧａＰ層５とは、液相エピタキシャル法によっ
て結晶成長して積層される。In FIG. 1, the semiconductor pellet 2 of the light emitting diode 1 includes an n-type GaP layer 4 formed on an n-type substrate 3 and a p-type GaP layer 5 formed on the n-type GaP layer 4.
And a pn junction region 6 which is a light emitting region at the boundary between the n-type GaP layer 4 and the p-type GaP layer 5. The n-type GaP layer 4 and the p-type GaP layer 5 are crystal-grown by the liquid phase epitaxial method and laminated.
【００１７】半導体ペレット２の上下の表面を形成する
ｎ型基板３の表面とｐ型ＧａＰ層５の表面には、オーミ
ック接触を形成するために薄膜層７、８が形成されてい
る。薄膜層７、８は、半導体ペレット２の上下の表面を
覆うようにより広い面積で形成されている。薄膜層７、
８の上面には、電極層９、１０が形成されている。On the surface of the n-type substrate 3 forming the upper and lower surfaces of the semiconductor pellet 2 and the surface of the p-type GaP layer 5, thin film layers 7 and 8 are formed for forming ohmic contact. The thin film layers 7 and 8 are formed in a wider area so as to cover the upper and lower surfaces of the semiconductor pellet 2. Thin film layer 7,
Electrode layers 9 and 10 are formed on the upper surface of 8.
【００１８】ダイオードとしての機能をもたせるため
に、薄膜層７、８は次のように形成される。すなわち、
薄膜層７は、不純物として０．５〜１％のＢｅやＺｎを
含んだＡｕをｐ型ＧａＰ層５の表面に約０．３〜１．５
μｍの厚さで蒸着し、この蒸着の後、合金層を形成する
ために熱処理されてオーミック接触の形成と密着性の向
上が図られる。また、薄膜層８は、不純物としてＧｅや
Ｓｉを０．２〜１．０％含んだＡｕを０．２〜１．０μ
ｍの厚さで蒸着し、この後、同様の熱処理をしてオーミ
ック接触の形成と密着性の向上が図られる。In order to have the function as a diode, the thin film layers 7 and 8 are formed as follows. That is,
In the thin film layer 7, Au containing 0.5 to 1% of Be or Zn as an impurity is formed on the surface of the p-type GaP layer 5 by about 0.3 to 1.5.
After vapor deposition with a thickness of μm, after this vapor deposition, heat treatment is performed to form an alloy layer to form ohmic contact and improve adhesion. Further, the thin film layer 8 has 0.2 to 1.0 μm of Au containing 0.2 to 1.0% of Ge or Si as an impurity.
After vapor deposition with a thickness of m, the same heat treatment is performed thereafter to form ohmic contact and improve adhesion.
【００１９】電極層９、１０は、半導体ペレット２のｐ
面側及びｎ面側の両方にＬＥＤとしての実装を目的とし
たＡｇ、ＡｕあるいはＡｇの上にＡｕを積層にしたメッ
キ層として形成されている。The electrode layers 9 and 10 are formed of p of the semiconductor pellet 2.
It is formed on both the surface side and the n-side as Ag, Au or a plated layer in which Au is laminated on Ag for the purpose of mounting as an LED.
【００２０】半導体ペレット２の側面には、この側面を
囲むように光透過性のガラス層１１が形成されている。
ガラス層１１の端部は薄膜層７、８の間に内方へ入り込
んでいる。ガラス層１１はｐ−ｎ接合領域６を保護し、
半導体ペレット２に所定の機械的強度を与える。On the side surface of the semiconductor pellet 2, a light transmissive glass layer 11 is formed so as to surround the side surface.
The end portion of the glass layer 11 penetrates inward between the thin film layers 7 and 8. The glass layer 11 protects the pn junction region 6,
A predetermined mechanical strength is given to the semiconductor pellet 2.
【００２１】ガラス層１１は、ＧａＰウエハ等の場合に
は、あらかじめウエハの状態でウエハを途中ダイシング
し、例えば３００μｍの厚さのウエハの場合、２５０μ
ｍ程度の深さで掘り込み、その上に例えばＰｂＯ−Ｓｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3よりなるガラス粉末をアルコール系の
溶剤を溶液としウエハ上に遠心分離機などによりウエハ
上に沈降させ、蒸発乾固後、７００〜８００℃の熱処理
を行い得られる。なお、実際のプロセスでは、蒸着およ
び熱処理により薄膜層７、８を形成する前の工程でガラ
ス層１１が形成され、その後オーミック接触及び電極層
を形成しガラス層１１をグレードダイシング等によりに
より分割し個々の発光ダイオードを形成することができ
る。In the case of a GaP wafer or the like, the glass layer 11 is preliminarily diced in the state of a wafer, and in the case of a wafer having a thickness of 300 μm, for example, 250 μm.
It is dug to a depth of about m and, for example, PbO-Si
Glass powder made of O2 —Al2 O3 can be obtained by subjecting the glass powder to a solution in an alcohol solvent to settle on the wafer by a centrifugal separator or the like, evaporating to dryness, and then performing heat treatment at 700 to 800 ° C. In the actual process, the glass layer 11 is formed in a step before forming the thin film layers 7 and 8 by vapor deposition and heat treatment, and then ohmic contact and electrode layers are formed, and the glass layer 11 is divided by grade dicing or the like. Individual light emitting diodes can be formed.
【００２２】また、図３に示すように、ガラス層１１を
半導体ペレット２および薄膜層７、８、電極層９、１０
を側部から包囲するように形成することも可能である。Further, as shown in FIG. 3, the glass layer 11 is replaced with the semiconductor pellet 2, the thin film layers 7 and 8, the electrode layers 9 and 10.
It is also possible to form so that it may be surrounded from the side.
【００２３】このように構成された発光ダイオード１に
おいて、電極層９、１０の間に電流を流すことによりｐ
−ｎ接合領域６から放射された光線は、光透過性のガラ
ス層１１を通過して半導体ペレット２の側部から外方へ
放射される。In the light emitting diode 1 having the above-described structure, by passing a current between the electrode layers 9 and 10, p
The light beam emitted from the −n junction region 6 passes through the light transmissive glass layer 11 and is emitted outward from the side portion of the semiconductor pellet 2.
【００２４】発光ダイオード１は、電極層９、１０が薄
膜層７、８を介して半導体ペレット２上に直接形成され
ているので、超小型に製造することが可能であり、この
ようにマイクロチップ化された発光ダイオード１をＳＭ
Ｄ（表面実装デバイス）として用い、ＬＥＤランプやＬ
ＥＤディスプレーの部品として応用することができる。Since the light emitting diode 1 has the electrode layers 9 and 10 directly formed on the semiconductor pellet 2 through the thin film layers 7 and 8, it can be manufactured in a very small size. The light emitting diode 1
Used as a D (surface mount device), LED lamp or L
It can be applied as a part of ED display.
【００２５】従来の発光ダイオードの構造は形状の違い
はあるが、いずれも、半導体ペレットを基板（又はリー
ドフレーム）にマウント固着させ、半導体ペレットの電
極と他リード（一般的にアノードリード）を結ぶボンデ
ィング（一般に金線を用い）を行い、光透過性の樹脂で
封止し、単品に切断する工程より成っていた。これに対
して、本実施例においては、ボンディングの代りにウエ
ハ状態で薄膜層７、８を蒸着しその後メッキを施して電
極層９、１０を形成し、金線等を用いてボンディングす
る必要がない。また、樹脂の代りにガラスを封止材とし
て用いているので、樹脂を用いた場合には最高１５０〜
２００℃の高温処理しか可能でないのに対し、７００〜
８００℃の高温で電極取り出しなどの高温処理を行うこ
とができる。Although the structure of the conventional light emitting diode is different in shape, in each case, the semiconductor pellet is mounted and fixed to the substrate (or the lead frame), and the electrode of the semiconductor pellet and the other lead (generally the anode lead) are connected. It consisted of a step of bonding (generally using a gold wire), sealing with a light-transmissive resin, and cutting into individual pieces. On the other hand, in this embodiment, instead of bonding, it is necessary to deposit the thin film layers 7 and 8 in a wafer state and then perform plating to form the electrode layers 9 and 10 and perform bonding using a gold wire or the like. Absent. Further, since glass is used as a sealing material instead of resin, when resin is used, the maximum is 150-
Only high temperature treatment of 200 ° C is possible, while 700 ~
High temperature processing such as electrode removal can be performed at a high temperature of 800 ° C.
【００２６】従来では、チップで電極形成し、ダイシン
グし、ペレット化し、そのチップを再び基板やフレーム
によせ集めてマウントし、ボンディングの電極取り出し
を行い、樹脂封止後再び切断するというように、いわば
２重の加工を行っていたことに対し、本実施例の発光ダ
イオードは、いわば１回の加工で製造することが可能に
なる。Conventionally, electrodes are formed by chips, diced and pelletized, the chips are again collected and mounted on a substrate or frame, electrodes for bonding are taken out, and after resin sealing, they are cut again. In contrast to the double processing, the light emitting diode of this embodiment can be manufactured by a single processing.
【００２７】以上説明した本発明の構成によれば、大別
して２つの大きな効果が得られる。１つは、信頼性の向
上であり、もう１つはデザインの単純化である。According to the configuration of the present invention described above, two major effects can be obtained. One is improved reliability, and the other is simplified design.
【００２８】まず、信頼性の向上は、樹脂を使わず、ボ
ンディングレス構造とすることにより、 （１） 半田付けや半田リフローによるＬＥＤの断線や
樹脂のクラックの発生防止に効果がある。ガラスの耐熱
性が７００〜８００°と高いからである。 （２） 一般に品質レベルをチェックする方法の１つと
して温度サイクルテスト（ＴＣＴ）や熱衝撃テスト（Ｔ
ＳＴ）などが用いられるが従来構造は、２５〜３０μｍ
中の金線を用いているため断線し易い。本実施例ではワ
イヤーレスとしており断線の危険性はない。 （３） 高温高湿通電に於ける光度（明るさ）は劣化
は、水分によるペレット表面の酸化層や光吸収層の形成
であることがわかっており、その原因は、基板と樹脂の
界面からの水分の侵入や、樹脂の吸湿である。本実施例
では、封止材にガラス層を形成することにより、密着性
と耐水性を大幅に向上することでき、光度の劣化も大幅
に改善することができる。 （４） 樹脂は半田リフローなどで変形や変質が起る
が、ガラスを用いることにしてより大幅、耐熱性を向上
できる。 （５） ＵＬなどで代表される樹脂の燃焼などの安定性
も大幅に改善ができる。 （６） リードフレームタイプの場合、樹脂の軟化によ
り、リードの抜けや、リードがグラグラ動くような問題
があるが、そのような問題もなくなる。First, the reliability is improved by using a bondingless structure without using a resin. (1) It is effective in preventing the LED from breaking or the resin from cracking due to soldering or solder reflow. This is because the heat resistance of glass is as high as 700 to 800 °. (2) Generally, one of the methods for checking the quality level is a temperature cycle test (TCT) or thermal shock test (TCT).
ST) is used, but the conventional structure is 25 to 30 μm.
Since the inner gold wire is used, it is easy to break. In this embodiment, there is no risk of disconnection because it is wireless. (3) It is known that the deterioration of the luminous intensity (brightness) at high temperature and high humidity is due to the formation of an oxidation layer or a light absorption layer on the pellet surface due to moisture, which is caused by the interface between the substrate and the resin. Infiltration of water and absorption of resin. In this embodiment, by forming a glass layer on the encapsulant, the adhesion and water resistance can be greatly improved, and the deterioration of luminous intensity can also be greatly improved. (4) The resin may be deformed or deteriorated by solder reflow or the like, but the heat resistance can be significantly improved by using glass. (5) Stability such as combustion of resin typified by UL can be greatly improved. (6) In the case of the lead frame type, the softening of the resin causes the lead to come off and the lead to wobble, but such a problem also disappears.
【００２９】もう一方の効果のデザインの単純化は、下
記効果が期待できる。 （１） ウエハの加工のみの製造工程で発光ダイオード
の製造が可能となり、工程が短縮化され、いわゆる組立
工程が不要となる。 （２） ウエハ単位での加工化により、同時に１０，０
００ケ〜２０，０００ケを処置でき、大量生産に向いて
いる。 （３） 組立工程が不要となり、マウント、ボンディン
グ、モールトなどの設備が不要となり、少い設備投資で
製品の製造が可能となり、省スペース化にも大きなメリ
ットがある。 （４） 形状が略直方体の素子外形となり、製造工程中
の取扱いや、このあとの実際にはテーピング包装などを
行う場合の処置が簡単となる。 （５） この直方体の形状により、ユーザーがこの発光
ダイオードを扱う場合、自動挿入機での実装率（歩留）
がほぼ１００％近い高実装率が期待できる。（通常は９
５〜９９％） （６） 上述したように、製造工程が短縮され高価な製
造設備も不要化が可能となり、低価格化が可能となる。 （７） 小さい外形（０．４〜０．５×０．４mmのサイ
ズ）が可能となり、これらの素子を複数個配列したドッ
トマトリックスが可能となり、高精細、高信頼性のＬＥ
Ｄディスプレーなど新しい分野の製品への拡大も可能と
なる。The following effects can be expected by simplifying the design of the other effect. (1) The light emitting diode can be manufactured by the manufacturing process only by processing the wafer, the process is shortened, and the so-called assembling process is unnecessary. (2) 10,0 at the same time by processing wafer by wafer
It can treat 00 to 20,000 pieces and is suitable for mass production. (3) No assembly process is required, and equipment such as mounting, bonding, and molding are not required, and it is possible to manufacture products with a small investment in equipment, which is a great advantage in saving space. (4) The element has a substantially rectangular parallelepiped outer shape, which simplifies the handling during the manufacturing process and the subsequent steps when actually performing taping packaging and the like. (5) Due to the shape of this rectangular parallelepiped, when the user handles this light emitting diode, the mounting rate with an automatic insertion machine (yield)
However, a high mounting rate close to 100% can be expected. (Usually 9
5 to 99%) (6) As described above, it is possible to shorten the manufacturing process, eliminate the need for expensive manufacturing equipment, and reduce the cost. (7) A small outer shape (0.4 to 0.5 × 0.4 mm size) is possible, and a dot matrix in which a plurality of these elements are arranged is possible, which is a LE with high definition and high reliability.
It is possible to expand to products in new fields such as D displays.
【００３０】なお、以上の説明において、半導体装置と
して発光ダイオードを例にして説明したが、本発明はこ
れに限らず、ｐ−ｎ接合を有する他の型のダイオードで
あってもよい。In the above description, a light emitting diode is taken as an example of the semiconductor device, but the present invention is not limited to this, and another type of diode having a pn junction may be used.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、金線等でボンディングして半導体ペレットと電極
とを結線する金線等でボンディングして半導体ペレット
と電極とを結線するのではなく、電極層が薄膜層を介し
て直接半導体ペレット上に形成されているので、金線等
でボンディング等した場合に半田付けや半田リフロー等
において生じやすい断線等を防止することができ、信頼
性を向上させるとともにデザインを単純化した発光ダイ
オードを提供することができる。As described above, according to the configuration of the present invention, the semiconductor pellet and the electrode are connected by bonding with a gold wire or the like to connect the semiconductor pellet and the electrode. Instead, since the electrode layer is formed directly on the semiconductor pellet through the thin film layer, it is possible to prevent disconnection that tends to occur during soldering or solder reflow when bonding with a gold wire etc. It is possible to provide a light emitting diode having improved design and a simplified design.
【図１】本発明の半導体発光装置の実施例を示す断面斜
視図（ａ）と上面平面図（ｂ）。FIG. 1 is a sectional perspective view (a) and a top plan view (b) showing an embodiment of a semiconductor light emitting device of the present invention.
【図２】本発明の半導体発光装置の変形例を示す断面斜
視図（ａ）と上面平面図（ｂ）。FIG. 2 is a sectional perspective view (a) and a top plan view (b) showing a modified example of the semiconductor light emitting device of the present invention.
【図３】従来の半導体発光装置を示す斜視図（ａ）、Ａ
−Ａにおける断面図（ｂ）および下面平面図（ｃ）。FIG. 3A is a perspective view showing a conventional semiconductor light emitting device, FIG.
-Sectional view (b) and bottom plan view (c) in -A.
【図４】従来の他の型の半導体発光装置を示す斜視図
（ａ）、Ａ−Ａにおける断面図（ｂ）および下面平面図
（ｃ）。FIG. 4 is a perspective view (a) showing a conventional semiconductor light emitting device of another type, a sectional view (b) taken along the line AA, and a bottom plan view (c).
【図５】従来のさらに他の型の半導体発光装置を示す斜
視図（ａ）、上面平面図（ｂ）および下面平面図
（ｃ）。FIG. 5 is a perspective view (a), a top plan view (b) and a bottom plan view (c) showing still another conventional semiconductor light emitting device.
１ 発光ダイオード ２ 半導体ペレット ３ ｎ型基板 ４ ｎ型ＧａＰ層 ５ ｐ型ＧａＰ層 ６ ｐ−ｎ接合領域 ７ 薄膜層 ８ 薄膜層 ９ 電極層 １０ 電極層 1 light emitting diode 2 semiconductor pellet 3 n-type substrate 4 n-type GaP layer 5 p-type GaP layer 6 pn junction region 7 thin film layer 8 thin film layer 9 electrode layer 10 electrode layer
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