【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体装置に用いられるリードフレームの加工方法に関す
る。詳しくは、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度
化、小型化に伴い、リードフレーム多ピン化やインナー
リードピッチの狭ピッチ化に対応できるリードフレーム
の加工方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of processing a lead frame used in a semiconductor device such as an IC or LSI. More specifically, the present invention relates to a lead frame processing method capable of accommodating a large number of lead frame pins and a narrow inner lead pitch as semiconductor devices such as ICs and LSIs are highly integrated and miniaturized.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームは、半導体素子をパッケ
ージングする際の部品であり、半導体素子は、その端子
部とインナーリード部とを導電性のワイヤにて接続し、
インナーリードに引き続くアウターリード部をへて、外
部回路と接続するものである。図３に示すリードフレー
ム２０の場合は、半導体素子はアイランド部２２に搭載
され、その外部端子とインナーリード２１先端部とを金
線等のワイヤでボンデイング接続される。ところが、リ
ードフレーム素材は、４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）、５０合金（５０％ニッケル−鉄合金）等の鉄系合
金や銅合金であり、金等のワイヤとはボンデイング接続
しにくい為、ボンデイング接続する際には、インナーリ
ード先端部にリードフレーム部材とは異なる、金等のワ
イヤとボンデイングし易い銀等の金属部を設けておくこ
とが必要である。又、半導体素子自体もアイランド部に
固定しておくことが必要で、ハンダにより固定し易いよ
うに、銀等の金属部を設けておくことが必要である。こ
のように、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置に用いられるリ
ードフレームのインナーリード部の先端部やアイランド
部には、銀等の金属部を設けておくことが必要であり、
従来は、エッチング加工やプレス加工によりリードフレ
ーム素材の外形加工を行った後に、部分メッキ用治具
（装置）を用いて、必要部のみを部分的に銀等の金属で
メッキしていた。しかしながら、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体装置の高集積度化、小型化に伴い、リードフレーム多
ピン化やインナーリードピッチの狭ピッチ化が進み、従
来の部分メッキ用治具（装置）では、サイズ的、精度
的、品質的に対応できない場合が出てきた。2. Description of the Related Art A lead frame is a component for packaging a semiconductor element, and the semiconductor element has its terminal portion and inner lead portion connected by a conductive wire.
The outer lead portion following the inner lead is connected to an external circuit. In the case of the lead frame 20 shown in FIG. 3, the semiconductor element is mounted on the island portion 22, and its external terminal and the tip portion of the inner lead 21 are bonded and connected by a wire such as a gold wire. However, the lead frame material is an iron-based alloy such as 42 alloy (42% nickel-iron alloy), 50 alloy (50% nickel-iron alloy), or a copper alloy, and is difficult to bond with a wire such as gold. At the time of bonding connection, it is necessary to provide a wire portion made of gold or the like and a metal portion made of silver or the like, which is easy to bond, at the tip of the inner lead, which is different from the lead frame member. Also, the semiconductor element itself needs to be fixed to the island portion, and it is necessary to provide a metal portion such as silver so as to be easily fixed by soldering. As described above, it is necessary to provide a metal part such as silver at the tip of the inner lead part of the lead frame used for the semiconductor device such as IC, LSI and the island part.
Conventionally, after the lead frame material is externally processed by etching or pressing, only a necessary part is partially plated with a metal such as silver by using a jig (apparatus) for partial plating. However, as semiconductor devices such as ICs and LSIs have been highly integrated and miniaturized, the lead frame has been increased in number of pins and the inner lead pitch has been narrowed. However, there are cases in which we cannot respond in terms of accuracy and quality.
【０００３】これに対応するものとして、特開平５−２
２６５３６号に記載されているリードフレームの製造方
法がある。この方法は、部分的に銀メッキした後にレジ
ストパターンを表裏に形成し、銀部、次いでリードフレ
ーム部材をエッチング加工するものである。しかし、こ
の方法においては、リードフレーム用素材のエッチング
の際には、該リードフレーム素材のサイドエッチングが
進み、素材上の銀メッキ部の下側が、図４に示すように
大きくえぐり取られるのが一般的である。このえぐり取
られる部分を「えぐれ」と呼ぶ。図４において、素材上
の銀部が一部突き出た状態になるが、これを「張り出し
部」と呼ぶ。特開平５−２２６５３６号に記載の方法に
おいて、１００μｍの板厚のリードフレーム素材を両面
からエッチング加工する場合には、インナーリード先端
部の片側で３０〜４０μｍ、両側では略板厚の半分の６
０〜８０μｍ強が張り出し部となり、板の厚さが厚くな
れば、それに従い張り出し部の長さも長くなる。銀メッ
キの厚さは、５μ程度が一般的であり、張り出し部は薄
く、長いものとなり、この方法においては、特に、レジ
ストを剥離した後は不安定となる。張り出し部により、
エッチング工程を含めた以降の工程で、剥がれ易くなっ
たり、張り出し部分のみが折れ易くなる。その結果、張
り出し部分のみ折れて銀メッキ部の幅が変化したり、折
れた張り出し部分が他の箇所に障害を与えたりしてい
た。又、この方法では、エッチングの際、銀メッキ部が
薄い場合、乃至銀メッキ部がリードフレーム素材のエッ
チング中に薄くなる場合においては、張り出し部が薄く
てエッチング時のスプレー圧に対抗できず、折れが生じ
たり、レジストに割れ目ができ、加工されたリードフレ
ームの形状が局所的に悪くなる不具合がどうしても発生
する。As a means for dealing with this, Japanese Patent Laid-Open No. 5-2 is known.
There is a manufacturing method of a lead frame described in No. 26536. In this method, a resist pattern is formed on the front and back sides after partially silver plating, and the silver portion and then the lead frame member are etched. However, in this method, during the etching of the lead frame material, side etching of the lead frame material proceeds, and the lower side of the silver-plated portion on the material is largely removed as shown in FIG. It is common. The part that is dug out is called "egure". In FIG. 4, a part of the silver portion on the material is projected, which is referred to as an “overhang portion”. In the method described in JP-A-5-226536, when a lead frame material having a plate thickness of 100 μm is etched from both sides, 30 to 40 μm on one side of the tip of the inner lead and half of the plate thickness on both sides is 6
The overhang of 0 to 80 μm becomes the overhang, and the thicker the plate, the longer the overhang becomes. The thickness of silver plating is generally about 5 μ, and the overhanging portion is thin and long, and in this method, it becomes unstable after the resist is peeled off. By the overhang part,
In the subsequent steps including the etching step, peeling easily occurs, or only the protruding portion easily breaks. As a result, the width of the silver-plated portion was changed by breaking only the overhanging portion, or the broken overhanging portion caused an obstacle to other places. Further, in this method, during etching, when the silver-plated portion is thin, or when the silver-plated portion becomes thin during the etching of the lead frame material, the overhanging portion is thin and cannot be opposed to the spray pressure during etching. Inevitably, there is a problem that the resist is broken or the resist is cracked and the shape of the processed lead frame is locally deteriorated.
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況のもと、リードフレームの多ピン化やインナーリー
ドピッチの狭ピッチ化に対応でき、且つ、インナーリー
ド先端部等のメッキ処理部分に張り出し部のない、品質
的に信頼性の高いリードフレームの加工方法を提供しよ
うとするものである。Under the circumstances, the present invention can cope with the increase in the number of pins of the lead frame and the narrowing of the inner lead pitch, and the plated portion such as the inner lead tip portion. It is an object of the present invention to provide a method of processing a lead frame which has no overhang and is highly reliable in terms of quality.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の加工方法は、半導体素子とワイヤボンデングされる先
端部に所望のメッキ層を形成した、複数のインナーリー
ドを有するリードフレームを金属箔からなるリードフレ
ーム素材から形成する加工方法であって、順に、（Ａ）
少なくとも、リードフレーム素材の一方の面に第一のメ
ッキ処理を行ない第一のメッキ層を形成する工程、
（Ｂ）第一のメッキ処理を行った、リードフレーム素材
の片側の面上の所定領域に、第二のメッキ処理を行ない
所望のメッキ層である第二のメッキ層を形成する工程、
（Ｃ）メッキ処理されたリードフレーム素材の両面にレ
ジストを塗布し、第二のメッキ層側でない片面にレジス
トパターンを形成する工程、（Ｄ）第二のメッキ層領域
を含み、リードフレーム素材の第二のメッキ層側面をレ
ジストの上から、補強材により補強する工程、（Ｅ）第
二のメッキ層側でない、リードフレーム素材の他方の面
側から、第一のメッキ層及びリードフレーム素材をエッ
チングして貫通させる第一のエッチング工程、（Ｆ）第
二のメッキ層からなる張り出し部のみをエッチングする
第二のエッチング工程、（Ｇ）補強材を除去し、レジス
トを剥離する工程、を有するものである。According to the method of processing a lead frame of the present invention, a lead frame having a plurality of inner leads, in which a desired plating layer is formed on a tip portion of a semiconductor element and wire bonding, is formed from a metal foil. Is a processing method of forming the lead frame material from
At least a step of performing a first plating treatment on one surface of the lead frame material to form a first plating layer,
(B) A step of performing a second plating treatment to form a second plating layer which is a desired plating layer in a predetermined region on one surface of the lead frame material subjected to the first plating treatment,
(C) a step of applying a resist on both sides of the plated lead frame material to form a resist pattern on one side other than the second plating layer side, (D) including a second plated layer region, A step of reinforcing the side surface of the second plating layer from above the resist with a reinforcing material, (E) removing the first plating layer and the lead frame material from the other surface side of the lead frame material, which is not the second plating layer side. It has a first etching step of etching and penetrating, (F) a second etching step of etching only the overhang portion formed of the second plating layer, and (G) a step of removing the reinforcing material and peeling the resist. It is a thing.
【０００５】以下、本発明のリードフレームの加工方法
を図１をもとに、更に詳述する。先ず、少なくともリー
ドフレーム素材１の片面に第一メッキ処理をして第一メ
ッキ層２を形成する。（Ａ） リードフレーム素材１としては、４２合金（４２％ニッ
ケル−鉄合金）、５０％（５０％ニッケル−鉄合金）や
銅合金やコバールが用いられる。通常、リードフレーム
素材１の汚れ等をとる為、第一メッキ処理する前処理と
して脱脂処理、電解研磨処理、化学研磨処理等を行う
が、これらを組合せて行っても良い。又、リードフレー
ム素材１の板厚としては、後述するように、片側からの
みでリードフレーム素材をエッチング加工する為、１５
０μｍ以下が好ましい。第一のメッキ処理は、引き続き
メッキ処理を行い形成する第二メッキ層３のリードフレ
ーム素材１への密着性を上げるのためで、リードフレー
ム素材１がニッケル−鉄合金や銅の場合は、銅ストライ
クメッキが一般に用いられ、１０００〜５０００Å程度
薄くつける。The lead frame processing method of the present invention will be described in more detail below with reference to FIG. First, at least one surface of the lead frame material 1 is subjected to the first plating treatment to form the first plating layer 2. (A) As the lead frame material 1, 42 alloy (42% nickel-iron alloy), 50% (50% nickel-iron alloy), copper alloy or Kovar is used. Usually, in order to remove stains on the lead frame material 1, degreasing treatment, electrolytic polishing treatment, chemical polishing treatment and the like are performed as a pretreatment for the first plating treatment, but these treatments may be combined. Further, the plate thickness of the lead frame material 1 is 15 because the lead frame material is etched only from one side, as described later.
It is preferably 0 μm or less. The first plating treatment is to improve the adhesion of the second plating layer 3 formed by subsequent plating treatment to the lead frame material 1. When the lead frame material 1 is a nickel-iron alloy or copper, copper is used. Strike plating is generally used, and it is applied thinly by 1000 to 5000Å.
【０００６】次いで、第一メッキ層２が形成された面上
の所定領域に第二のメッキ処理を行い、第二メッキ層３
を形成する。（Ｂ） 第二メッキ層３としては、金等のワイヤボンデイングに
対する接続性、半導体素子のアイランド部への半田密着
性から、金、銀、パラジウム等が好ましく、リードフレ
ーム素材の片面側のみに設けるのが一般的である。第二
メッキ層３のメッキ厚としては、１μｍでもワイヤボン
デイングできるが、ポーラスでないメッキ膜を得るには
３μｍ以上は必要とされており、安定したワイヤボンデ
イング接続性には一般に３μｍ以上の膜厚が必要とされ
ている。この第二のメッキ処理はインナーリード先端
部、アイランド部等の所定領域を含む範囲であれば良
く、高い位置精度は要求されないが、メッキに用いる
金、銀、パラジウム等の金属は高価な為、できるだけ狭
い範囲とする。このメッキの範囲を限定する方法として
はメッキ用治具を使用する方法、レジスト製版による方
法、製版されたドライフイルム等をリードフレーム素材
へ転写する方法が挙げられる。メッキ用治具を使用する
方法の場合、メッキ用治具としては高い位置精度は要求
されないし、従来の外形加工後にメッキ処理する場合の
リードフレームに合わせた複雑な構造を必要としない。
このメッキ用治具は、開口部を有するシリコンゴム等の
弾性体をリードフレーム素材に密着させ、開口部のみに
メッキ液をあててメッキを施す方式のもので、ガラスエ
ポキシ等の基材にシリコンゴム等の弾性体を積層し、メ
ッキすべき領域を開口した構造のものである。メッキ処
理は、図５に示すようなメッキ装置の場合、リードフレ
ームをプレス部にてメッキ用治具のシリコンゴム等の弾
性体面側に押しつけ、メッキ用治具の開口部にメッキ液
をノズル等により吹きつけ行う。レジスト製版による方
法の場合、リードフレーム素材上にレジストを製版し、
所定領域のみ開口したパターンを形成するものである
が、工程が長く、複雑になる欠点がある。転写する方式
の場合は、粘着性のある製版され、所定の開口部を有す
るドライフイルム等をリードフレーム素材へ転写し、第
二メッキ処理のマスクとするものである。Then, a second plating process is performed on a predetermined region on the surface on which the first plating layer 2 is formed, and the second plating layer 3 is formed.
To form. (B) The second plating layer 3 is preferably gold, silver, palladium, or the like, in view of the connectivity with respect to wire bonding of gold or the like and the solder adhesion to the island portion of the semiconductor element, and is provided only on one side of the lead frame material. Is common. As for the plating thickness of the second plating layer 3, wire bonding can be performed even at 1 μm, but 3 μm or more is required to obtain a plating film that is not porous, and stable wire bonding connectivity generally requires a film thickness of 3 μm or more. is necessary. The second plating treatment may be performed within a range including a predetermined region such as the inner lead tip portion and the island portion, and high positional accuracy is not required, but gold, silver, palladium, and other metals used for plating are expensive. Keep as narrow as possible. Examples of the method of limiting the plating range include a method of using a plating jig, a method of resist plate making, and a method of transferring the plate-made dry film to a lead frame material. In the case of using the plating jig, the plating jig is not required to have high positional accuracy, and does not require a complicated structure that matches the lead frame when plating is performed after the conventional outer shape processing.
This plating jig is a method in which an elastic body such as silicon rubber having an opening is brought into close contact with the lead frame material, and the plating solution is applied only to the opening to perform plating. It has a structure in which an elastic body such as rubber is laminated and an area to be plated is opened. In the case of a plating apparatus as shown in FIG. 5, the plating is performed by pressing the lead frame against the elastic body surface of the plating jig such as silicon rubber in the pressing section, and then applying the plating solution to the nozzle of the plating jig at the opening. Spray by. In the case of the resist plate making method, the resist is made on the lead frame material,
Although a pattern is formed in which only a predetermined area is opened, it has a drawback that the process is long and complicated. In the case of the transfer method, an adhesive plate-making dry film or the like having a predetermined opening is transferred to a lead frame material and used as a mask for the second plating treatment.
【０００７】次いで、メッキ処理されたリードフレーム
素材１の両面にレジスト４を塗布し、リードフレーム素
材の第二メッキ層部側と反対の面に所定のレジストパタ
ーン４ａを形成する。（Ｃ） このレジストとしては、後のエッチング工程に耐えるも
ので、剥離性の良いものが好ましく、一般には重クロム
酸カリウムを感光剤とした水系のカゼインやＰＶＡが用
いられるがこれに限定されない。各種ネガ型、ポジ型の
液状レジスト、場合によってはドライフイルムでも良
い。レジストパターン４ａの形成は、リードフレーム素
材の第二メッキ層側とは反対側の片面からのみのエッチ
ングで、リードフレーム素材を貫通させエッチング加工
する為、リードフレーム素材の第二メッキ層側とは反対
側の片面のレジストに対して行う。リードフレーム素材
の第二メッキ層側の面はレジストが全面を覆うようにし
ておく。Next, resist 4 is applied to both surfaces of the lead frame material 1 that has been plated, and a predetermined resist pattern 4a is formed on the surface of the lead frame material opposite to the second plating layer side. (C) As this resist, a resist that can withstand the subsequent etching step and has a good peeling property is preferable. Generally, water-based casein or PVA using potassium dichromate as a photosensitizer is used, but the resist is not limited thereto. Various negative or positive liquid resists, and dry film may be used depending on the case. The resist pattern 4a is formed only by etching from one side of the lead frame material opposite to the second plating layer side, and the lead frame material is penetrated and etched. Do this for the resist on the opposite side. The surface of the lead frame material on the second plating layer side is covered with the resist.
【０００８】次いで、第二のメッキ層形成側の、リード
フレーム素材の片面側をレジストの上から、補強材５に
より補強する。（Ｄ） 補強材５としては耐エッチング性があり、補強性がある
粘着フイルムが挙げられるが、これに限定されない。Next, one side of the lead frame material on the second plating layer forming side is reinforced with a reinforcing material 5 from above the resist. (D) The reinforcing material 5 includes, but is not limited to, an adhesive film having etching resistance and reinforcing properties.
【０００９】次いで、第一のエッチング処理を行い、リ
ードフレーム素材１及び第一メッキ層２をレジストパタ
ーンに従いリードフレーム素材１の片面からエッチング
して貫通させる。（Ｅ） 第一のエッチング処理は、第二のメッキ層が、その上の
レジストとフイルム等の補強材と一体でエッチングスプ
レー圧に対抗できる状態で行う。第二のメッキ層はでき
るだけ薄くした方が、経済性、作業性の面から良いこと
から、補強材５にて補強して、エッチングスプレー圧に
対抗できるものとしている。第一のエッチング処理にお
けるエッチング液としては、第一メッキ層２とリードフ
レーム素材１をエッチングできるものであり、ニッケル
−鉄合金や銅合金をリードフレーム素材とする場合に
は、塩化鉄、塩化銅が用いられ、第二メッキ層部はエッ
チングされずに残る。Next, a first etching process is performed, and the lead frame material 1 and the first plating layer 2 are etched from one surface of the lead frame material 1 according to a resist pattern to penetrate the lead frame material 1. (E) The first etching treatment is performed in such a state that the second plating layer is integrated with the resist thereon and the reinforcing material such as a film so as to withstand the etching spray pressure. Since it is better in terms of economy and workability to make the second plating layer as thin as possible, the second plating layer is reinforced by the reinforcing material 5 so that it can resist the etching spray pressure. The etchant used in the first etching treatment is one that can etch the first plating layer 2 and the lead frame material 1. When nickel-iron alloy or copper alloy is used as the lead frame material, iron chloride, copper chloride are used. Is used, and the second plating layer portion remains without being etched.
【００１０】次いで、第二のエッチング処理を行い、第
一のエッチング処理により形成された第二のメッキ層部
からなる余分な部分３ａをエッチングにより除去する。
（Ｆ） 余分な部分３ａを除去する際の第二のエッチング処理に
おけるエッチング液は、この部分のみを選択的にエッチ
ングすることが必要で、第一のメッキ処理によるメッキ
層２やリードフレーム素材１をエッチングしないもの
か、エッチングしにくいものである。Then, a second etching process is performed, and an extra portion 3a formed by the first etching process and formed of the second plating layer is removed by etching.
(F) The etching solution in the second etching process for removing the extra portion 3a needs to selectively etch only this portion, and the plating layer 2 and the lead frame material 1 formed by the first plating treatment 1 Is not etched or is difficult to etch.
【００１１】次いで補強材５を除去し、レジスト４を剥
離する（Ｇ） レジスト４の剥離材としては、レジスト４を溶解除去で
き、且つ、リードフレーム素材１、メッキ層２をいため
ないものが好ましく、カゼインレジストの場合には、剥
離材としては苛性ソーダを主成分とする剥離溶液を用い
る。Next, the reinforcing material 5 is removed and the resist 4 is peeled off. (G) As a peeling material for the resist 4, it is preferable that the resist 4 can be dissolved and removed and the lead frame material 1 and the plating layer 2 are not damaged. In the case of casein resist, a stripping solution containing caustic soda as a main component is used as the stripping material.
【００１２】尚、レジスト４を剥離した後、露出してい
る第一のメッキ層部は必要に応じて、第四のエッチング
処理により除去する。レジスト４を除去した後の第四の
エッチング処理におけるエッチング液は、第一メッキ層
２のみをエッチングできるものが好ましい。第一メッキ
処理を銅ストライクメッキとした場合には、レジストを
剥離した後に露出している第一のメッキ層部である銅部
はリードフレーム素材がニッケル−鉄系の合金の場合に
は除去するが、リードフレーム素材が銅である場合には
除去しない。After the resist 4 is peeled off, the exposed first plating layer portion is removed by a fourth etching treatment, if necessary. The etching liquid in the fourth etching treatment after removing the resist 4 is preferably one that can etch only the first plating layer 2. When the first plating treatment is copper strike plating, the copper portion, which is the first plating layer portion exposed after peeling the resist, is removed when the lead frame material is a nickel-iron alloy. However, if the lead frame material is copper, do not remove it.
【００１３】尚、第一のメッキ層２及びリードフレーム
素材１をエッチングして貫通させる第二のエッチング方
法としては、エッチングの穿孔性、貫通孔の断面形状の
点から、通常はスプレーエッチング方法が用いられる。
第二メッキ層３をエッチングする方法、及び貫通後に残
った不要な第一のメッキ処理部を除去するためのエッチ
ング方法も、スプレーエッチング方法が一般的である
が、場合によっては浸漬エッチング方法、浸漬電解エッ
チング方法を用いても良い。As a second etching method for etching the first plating layer 2 and the lead frame material 1 to penetrate therethrough, a spray etching method is usually used in view of the piercing property of etching and the sectional shape of the through hole. Used.
A spray etching method is generally used as a method for etching the second plating layer 3 and an etching method for removing an unnecessary first plating treatment portion remaining after penetration, but depending on the case, a dipping etching method or a dipping method may be used. An electrolytic etching method may be used.
【００１４】[0014]
【作用】本発明のリードフレームの加工方法は、このよ
うな構成にすることにより、従来の外形加工後にメッキ
処理をする場合のような、リードフレーム形状に合わせ
た、複雑な部分メッキ治具や、その際の高い精度での位
置合わせを必要とせず、リードフレームのインナーリー
ド部の小ピッチ化、微細化に対応できるものとしてい
る。リードフレーム素材の第二メッキ部側を補強するこ
とにより、エッチング時に従来の特開平５−２２６５３
６号に記載の方法における、張り出し部の剥がれや折れ
が発生することを無くしている。そして、第二のエッチ
ング工程により、張り出し部のない構造としており、エ
ッチング工程より後の工程に十分耐えるものとしてい
る。これらにより、結果として、リードフレームを品質
的に信頼性の高いものとしている。又、第二のメッキ処
理をメッキ用治具等を用い、所定の範囲を含む領域に行
い、且つ、後にレジストパターンに従い第一のエッチン
グを行うことにより、第二のメッキ処理の作業には高い
位置精度は要求されず、作業性、生産性を良くしてい
る。本発明のリードフレームの加工方法は、銀メッキ処
理を行った後に、リードフレーム素材をエッチングによ
り外形加工していることにより、インナーリード部やア
ウターリード部の側面へ銀が形成されずパッケージされ
た際の銀マイグレーションの問題を皆無としている。そ
して、従来の外形加工後に銀めっき処理する場合の、部
分メッキによるリードフレームの裏面（銀メッキ処理面
と反対側の面）への銀の回り込みを無くしており、ワイ
ヤボンデイング時における、リードフレームのヒートブ
ロックへの付着を無くしている。The method of processing a lead frame according to the present invention has such a structure that a complicated partial plating jig or a jig suitable for the shape of the lead frame, such as the case where plating is performed after the conventional outer shape processing, can be performed. In this case, it is possible to cope with the miniaturization of the pitch and the miniaturization of the inner lead parts of the lead frame without requiring the alignment with high accuracy. By reinforcing the side of the second plating portion of the lead frame material, there is a problem in the prior art when the etching is performed.
In the method described in No. 6, the occurrence of peeling or breaking of the overhanging portion is eliminated. Then, the structure without protrusions is formed by the second etching process, and the structure can sufficiently withstand the processes subsequent to the etching process. As a result, the lead frame is made highly reliable in quality. In addition, the second plating process is expensive for the second plating process because the second plating process is performed on a region including a predetermined range using a plating jig or the like and the first etching is performed according to the resist pattern later. Positioning accuracy is not required, improving workability and productivity. According to the lead frame processing method of the present invention, after the silver plating treatment is performed, the lead frame material is externally processed by etching, so that silver is not formed on the side surfaces of the inner lead portion and the outer lead portion and packaged. There is no silver migration problem. And, when the silver plating is performed after the conventional external processing, the wraparound of silver to the back surface of the lead frame (the surface opposite to the silver-plated surface) due to partial plating is eliminated, and the lead frame is not Eliminates adhesion to the heat block.
【００１５】[0015]
【実施例】本発明の実施例１を以下、図にそって説明す
る。図２は実施例１の工程概略図で、各図は、リードフ
レームの断面を示す。本実施例で加工するリードフレー
ムは、図３に示す、アイランドを有するリードフレーム
で、素材は４２合金からなり、インナーリード部先端及
びアイランド部に銀メッキを施したもので、銀メッキの
下引き層として銅ストライクメッキをし、薄い銅メッキ
層を設けている。先ず、板厚１００μの４２合金からな
るリードフレーム素材１１を用意し（ａ）、素材の汚れ
等をとる為の、前処理として〜処理を行った後に、その
両面に銅ストライクメッキを施し、銅メッキ層１２を４
０００Åの厚さで形成した（ｂ）。銅ストライクメッキ
液としては、シアン化銅、シアン混合液を用いた。次い
で、銅メッキ層１２上に簡単な四角状の開口部を持つシ
リコンゴムからなるメッキ用治具を密着させ、開口部の
みを銀メッキし、メッキ厚５μの銀メッキ層１３をリー
ドフレームの片面側にのみ形成した（ｃ）。銀メッキ液
としては、シアン化銀カリウム（ＫＡｇ（ＣＮ）2）液
を用いた。メッキ処理されたリードフレーム用素材１１
を浸漬により、重クロム酸カリウムを含むカゼインレジ
スト１４を両面に塗布し、所定のパターンを用いて露
光、現像し、リードフレーム用素材１１の第二メッキ層
と反対側の片面にカゼインレジストパターン１４ａを形
成した。（ｄ） 次いで、銀メッキ層形成側の、リードフレーム素材の片
面側をレジストの上から、粘着性のフイルム１５を貼付
した。（ｅ） 次いで、カゼインレジストパターン１４ａをエッチング
レジストとして、レジストパターン１４ａ側から、塩化
第二鉄溶液を用い、リードフレーム素材である４２合金
部１１ａと銅メッキ層１２ａ部及びをエッチングし貫通
させた。（ｆ） 次いで、銀メッキ層からなる余分の部分１３ａを錯化剤
（シルバーストリッパーＤ−２３、高純度化学株式会社
製）により浸漬エッチングして除去した。（ｇ） これで、インナーリード部７、７ａやアイランド部１８
以外の不要部分は貫通された。次いで、粘着性のフイル
ム１５を剥がした後、リードフレーム素材両面のカゼイ
ンレジスト１４（１４ａ）を苛性ソーダを主成分とした
剥離液により除去した。（ｈ） 更に、露出している銅メッキ層１２ｂを錯化剤を主成分
とるエッチング液（製品名ハクレックスＣＳ、日本高純
度化学株式会社製）により除去し、リードフレームのイ
ンナーリード先端部、アイランド部に銀メッキを施した
リードフレームを得た。（ｉ） このようにして得られた、リードフレームは、従来の加
工後にメッキを施した場合にみられたインナーリード側
面の銀の付着や裏面の銀の付着はなく、且つ、張り出し
部は除去されている為、銀部剥離や銀部の折れは無く、
パッケージング後も、これに起因するインナーリード間
のショート等の問題は皆無であった。Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic view of the process of the first embodiment, and each drawing shows a cross section of the lead frame. The lead frame processed in this example is a lead frame having an island as shown in FIG. 3, which is made of 42 alloy, and the inner lead tip and the island portion are silver-plated. Copper strike plating is applied as a layer, and a thin copper plating layer is provided. First, a lead frame material 11 made of 42 alloy having a plate thickness of 100 μ is prepared (a), and after performing ~ treatment as a pretreatment for removing stains of the material, copper strike plating is applied to both surfaces of the lead frame material 11 and copper. 4 plating layer 12
It was formed with a thickness of 000Å (b). As the copper strike plating solution, a mixed solution of copper cyanide and cyan was used. Next, a plating jig made of silicon rubber having a simple square opening is adhered onto the copper plating layer 12, and only the opening is silver-plated, and the silver plating layer 13 having a plating thickness of 5 μ is formed on one surface of the lead frame. It was formed only on the side (c). A silver potassium cyanide (KAg (CN)2 ) solution was used as the silver plating solution. Plated lead frame material 11
Is applied to both sides of the casein resist 14 containing potassium dichromate, exposed and developed using a predetermined pattern, and the casein resist pattern 14a is formed on one side of the lead frame material 11 opposite to the second plating layer. Was formed. (D) Next, one side of the lead frame material on the side where the silver plating layer was formed was adhered from above the resist to the adhesive film 15. (E) Next, using the casein resist pattern 14a as an etching resist, the ferric chloride solution was used to etch and penetrate the 42 alloy part 11a and the copper plating layer 12a part, which are the lead frame material, from the resist pattern 14a side. . (F) Next, the excess portion 13a formed of the silver plating layer was removed by immersion etching with a complexing agent (Silver Stripper D-23, manufactured by Kojundo Chemical Co., Ltd.). (G) With this, the inner lead portions 7 and 7a and the island portion 18 are
Other unnecessary parts were penetrated. Next, after the adhesive film 15 was peeled off, the casein resist 14 (14a) on both surfaces of the lead frame material was removed by a peeling solution containing caustic soda as a main component. (H) Further, the exposed copper plating layer 12b is removed by an etching solution (product name: Hakulex CS, manufactured by Nippon Kojundo Chemical Co., Ltd.) containing a complexing agent as a main component, and the inner lead tip of the lead frame is removed. A lead frame with silver plating on the island part was obtained. (I) The lead frame thus obtained does not have the silver adhesion on the inner lead side surface or the silver adhesion on the back surface, which is observed when plating is applied after the conventional processing, and the overhang is removed. Therefore, there is no peeling of the silver part or breakage of the silver part,
Even after packaging, there was no problem such as a short between inner leads due to this.
【００１６】実施例２として、実施例１において、リー
ドフレーム素材を銅とした場合のものである。実施例１
において、銅ストライクメッキの剥離を行わない点を除
き、処理条件は実施例１と同じであった。The second embodiment is the same as the first embodiment except that the lead frame material is copper. Example 1
In the above, the treatment conditions were the same as in Example 1 except that the copper strike plating was not peeled off.
【００１７】実施例３として、実施例２において、第一
のメッキを銅ストライクメッキに代えてＮｉメッキと
し、第二のメッキを銀メッキに代えてＰｄメッキとした
ものである。実施例２、実施例３により加工されて得ら
れた、リードフレームは、実施例１と同様、インナーリ
ード側面の銀の付着や裏面の銀の付着はなく、且つ、張
り出し部は除去されている為、銀部剥離や銀部の折れは
無く、パッケージング後も、これに起因するインナーリ
ード間等のショート等の問題は皆無であった。As a third embodiment, in the second embodiment, the first plating is Ni plating in place of copper strike plating, and the second plating is Pd plating in place of silver plating. As in Example 1, the lead frames obtained by processing in Examples 2 and 3 did not have silver adhesion on the side surfaces of the inner leads or silver on the back surface, and the protruding portions were removed. Therefore, there was no peeling of the silver portion or breakage of the silver portion, and even after packaging, there was no problem such as a short circuit between inner leads due to this.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明のリードフレームの加工方法は、
上記のように、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度
化、小型化に伴う、リードフレーム多ピン化やインナー
リードピッチの狭ピッチ化に対応でき、且つ、品質的に
も信頼性の高い、少なくともインナーリード先端にワイ
ヤボンデイング用のメッキ層部を設けたリードフレーム
の加工を可能とするものである。又、本発明の加工方法
は、第二メッキ処理を簡単な治具で、高い位置精度を必
要とせず行い、第二のメッキ処理面側に所定のレジスト
パターンを形成する際にも、銀部との見当位置精度合わ
せを格別必要としない為、作業性、生産性の面でも優れ
ている。The processing method of the lead frame of the present invention is
As described above, it is possible to cope with the increase in the number of pins of the lead frame and the narrowing of the inner lead pitch accompanying the higher integration and downsizing of semiconductor devices such as ICs and LSIs, and high reliability in terms of quality. It is possible to process a lead frame in which a plating layer portion for wire bonding is provided at least at the tips of the inner leads. Further, the processing method of the present invention performs the second plating treatment with a simple jig without requiring high positional accuracy, and when forming a predetermined resist pattern on the second plating treatment surface side, the silver portion It is also excellent in workability and productivity because it does not require special registration alignment accuracy with.
【図１】本発明のリードフレーム加工方法工程概略図FIG. 1 is a schematic view of a lead frame processing method according to the present invention.
【図２】本発明の実施例１工程概略図FIG. 2 is a schematic view of a process of Example 1 of the present invention.
【図３】本発明の実施例におけるリードフレーム平面図FIG. 3 is a plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図４】従来のリードフレーム加工方法における加工断
面図FIG. 4 is a processing cross-sectional view of a conventional lead frame processing method.
【図５】本発明の第二のメッキ処理を説明する図FIG. 5 is a diagram illustrating a second plating process of the present invention.
１ リードフレーム素材 ２ 、２ａ 第一メッキ層 ３ 、３ａ 第二メッキ層 ４ 、４ａ レジスト ５ 張り出し部 ６ えぐれ部 ７ 、７ａ インナーリード部 ８ アイランド部 １１ ４２合金部（リードフレー
ム素材） １２、１２ａ、１２ｂ 銅メッキ層 １３、１３ａ、 銀メッキ層 １４、１４ａ カゼインレジスト １５ 張り出し部 １６ えぐれ部 １７、１７ａ インナーリード部 １８ アイランド部 ２０ リードフレーム ２１ インナーリード部 ２２ アイランド部 ２３ 銀メッキ部1 Lead frame material 2, 2a First plating layer 3, 3a Second plating layer 4, 4a Resist 5 Overhanging portion 6 Engraved portion 7, 7a Inner lead portion 8 Island portion 11 42 Alloy portion (lead frame material) 12, 12a, 12b Copper plating layer 13, 13a, silver plating layer 14, 14a Casein resist 15 Overhanging portion 16 Engraved portion 17, 17a Inner lead portion 18 Island portion 20 Lead frame 21 Inner lead portion 22 Island portion 23 Silver plating portion
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337594AJPH07231063A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Lead frame processing method |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337594AJPH07231063A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Lead frame processing method |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231063Atrue JPH07231063A (en) | 1995-08-29 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337594AWithdrawnJPH07231063A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Lead frame processing method |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07231063A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101383899B1 (en)* | 2009-08-11 | 2014-04-10 | 삼성테크윈 주식회사 | Method of manufacturing lead frame and method of manufacturing semiconductor package |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101383899B1 (en)* | 2009-08-11 | 2014-04-10 | 삼성테크윈 주식회사 | Method of manufacturing lead frame and method of manufacturing semiconductor package |
| Publication | Publication Date | Title |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date:20010508 |