【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体装置に用いられるリードフレームの加工方法に関し，
詳しくは，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化，
小型化に伴なうリードフレーム多ピン化やインナーリー
ドピッチの狭ピッチ化に対応できるリードフレームの加
工方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing a lead frame used in a semiconductor device such as an IC or LSI.
More specifically, high integration of semiconductor devices such as IC and LSI,
The present invention relates to a lead frame processing method capable of accommodating a large number of lead frame pins and a narrow inner lead pitch accompanying miniaturization.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置
に用いられるリードフレームは，鉄，ニッケル合金であ
る４２合金や銅合金を用い，エッチング加工やプレス加
工によりその外形加工を行った後に，部分メッキ用治具
（装置）を用いて，必要部のみを部分的にメッキしてい
た。しかしながら，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集
積度化，小型化に伴い，リードフレーム多ピン化やイン
ナーリードピッチの狭ピッチ化が進み，従来の部分メッ
キ用治具（装置）では，サイズ的，精度的，品質上対応
出来ない場合が出てきた。2. Description of the Related Art Conventionally, a lead frame used in a semiconductor device such as an IC or an LSI is made of iron, nickel alloy 42 alloy or copper alloy, and after its outer shape is processed by etching or pressing, Only the necessary parts were partially plated using a jig (device) for partial plating. However, as semiconductor devices such as ICs and LSIs have become highly integrated and miniaturized, the lead frame has been increased in number of pins and the inner lead pitch has been made narrower. , In some cases, we could not respond in terms of accuracy and quality.
【０００３】これに対応するものとして，特開平５−２
２６５３６号公報に示すような提案もなされている。こ
の方法では，部分的に銀メッキした後に，レジストパタ
ーンを表裏に形成し，銀部，次いでリードフレーム部材
をエッチング加工するものである。しかし，この方法に
おいては，リードフレーム用素材のエッチングの際に
は，該リードフレーム素材のサイドエッチングが進み，
素材上の銀メッキ部の下側が大きくえぐり取られるのが
一般的である。このえぐり取られる部分を「えぐれ」と
呼ぶ。また，リードフレーム素材の端部にエッチングが
不完全な銀部が一部突き出た状態になるが，これを「張
り出し部」と呼ぶ。例えば，１５０μｍの板厚のリード
フレーム素材を両面からエッチング加工する場合には，
片側で３０〜４０μｍ程度で，インナーリード先端部で
は，両側でほぼ板厚の半分の６０〜８０μｍ強が張り出
し部となる。銀メッキ厚さは，５μｍ程度で，特に，レ
ジストを剥離した後は，不安定となる。張り出し部によ
り，エッチング工程を含めた以降の工程で，変形し易
く，剥がれ易くなったり，張り出し部分のみが折れ易く
なる。その結果張り出し部分のみが折れて，銀メッキ部
の幅が変化したり，折れた張り出し部分が他の箇所に付
着する等障害となっていた。As a means for dealing with this, Japanese Patent Laid-Open No. 5-2 is known.
A proposal as shown in Japanese Patent No. 26536 is also made. In this method, after partially silver-plating, resist patterns are formed on the front and back surfaces, and the silver portion and then the lead frame member are etched. However, in this method, when the lead frame material is etched, side etching of the lead frame material proceeds,
Generally, the lower side of the silver-plated part on the material is largely removed. The part that is dug out is called "egure". In addition, a part of the incompletely etched silver part is protruding from the edge of the lead frame material, which is called the "overhang part". For example, when etching a lead frame material with a plate thickness of 150 μm from both sides,
It is about 30 to 40 μm on one side, and 60 to 80 μm, which is about half of the plate thickness on both sides, becomes the protruding portion at the tip of the inner lead. The silver plating thickness is about 5 μm, and it becomes unstable after the resist is peeled off. Due to the overhanging portion, in subsequent steps including the etching step, the overhanging portion is easily deformed and peeled off, or only the overhanging portion is easily broken. As a result, only the overhanging portion was broken, the width of the silver-plated portion changed, and the broken overhanging portion adhered to other places, which was an obstacle.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は，前記のよう
な問題点を排除して，後加工用のメッキ用の治具を必要
としない上に，母材の金属材料をエッチングする際に
も，予め施した部分メッキが影響されず，部分メッキを
所定の箇所とサイズに的確に設けることを課題とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention eliminates the above-mentioned problems, does not require a jig for plating for post-processing, and is suitable for etching a base metal material. Also, it is an object to provide the partial plating accurately at a predetermined place and size without being affected by the partial plating applied in advance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
手段は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられるリー
ドフレームの加工方法であって，順に，（Ａ）少なくと
も，リードフレーム材料の一方の面に第１のメッキ処理
を行って第１のメッキ層を形成する工程，（Ｂ）第２の
メッキ処理を部分的に行うための第１のレジストパター
ンを形成する工程，（Ｃ）前記第１のレジストパターン
が形成されず露出している前記第１のメッキ層の表面に
第２のメッキ処理を行う工程，（Ｄ）前記第１のレジス
トパターンを除去する工程，（Ｅ）前記第２のメッキ処
理により形成された第２のメッキパターンの上から，前
記第２のメッキパターンの表面のすべてを覆う第２のレ
ジストパターンを形成する工程，（Ｆ）エッチング加工
により前記リードフレーム材料を貫通エッチングさせる
工程，（Ｇ）前記第２のレジストパターンを除去する工
程，を有することを特徴とするリードフレームの加工方
法である。本発明の請求項２記載の手段は，第１のメッ
キ処理を銅ストライクメッキ処理としたことを特徴とす
る請求項１記載のリードフレームの加工方法である。本
発明の請求項３記載の手段は，第２のメッキ処理を銀メ
ッキ処理としたことを特徴とする請求項１ないし２記載
のリードフレームの加工方法である。本発明の請求項４
記載の手段は，第１のメッキ処理をニッケルメッキ処理
とし，第２のメッキ処理をパラジュームメッキ処理とし
たことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの加
工方法である。本発明の請求項５記載の手段は，第２の
メッキパターンの表面をすべて覆う第２のレジストパタ
ーンの大きさの量を，リードフレームをエッチングする
際のサイドエッチング量に対応して大きく設けたことを
特徴とする請求項１ないし４記載のリードフレームの加
工方法である。本発明の請求項６記載の手段は，エッチ
ング加工により前記リードフレーム材料を貫通エッチン
グさせる工程に用いるエッチング液を，第２のメッキパ
ターンを実質的にエッチングしないエッチング液とした
ことを特徴とする請求項１ないし５記載のリードフレー
ムの加工方法である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of processing a lead frame used for a semiconductor device such as an IC or an LSI, which comprises, in order, (A) at least a lead frame material. A step of performing a first plating treatment on one surface to form a first plating layer, (B) a step of forming a first resist pattern for partially performing the second plating treatment, (C) Performing a second plating treatment on the exposed surface of the first plating layer where the first resist pattern is not formed, (D) removing the first resist pattern, (E) the above A step of forming a second resist pattern covering the entire surface of the second plating pattern on the second plating pattern formed by the second plating treatment; (F) the lead by etching. Step of etching through the frame material, a processing method of a lead frame and having a step of removing (G) the second resist pattern. According to a second aspect of the present invention, the lead frame processing method according to the first aspect is characterized in that the first plating treatment is a copper strike plating treatment. According to a third aspect of the present invention, the lead frame processing method according to the first or second aspect is characterized in that the second plating treatment is a silver plating treatment. Claim 4 of the present invention
The method described in the above is the method for processing a lead frame according to claim 1, wherein the first plating treatment is nickel plating treatment and the second plating treatment is palladium plating treatment. In the means according to claim 5 of the present invention, the size of the second resist pattern that covers the entire surface of the second plating pattern is set large corresponding to the side etching amount when the lead frame is etched. The lead frame processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein: The means according to claim 6 of the present invention is characterized in that the etching solution used in the step of penetrating etching the lead frame material by etching is an etching solution which does not substantially etch the second plating pattern. The method for processing a lead frame according to items 1 to 5.
【０００６】以下，本発明のリードフレームの加工方法
を図１をもとに，各工程を順を追ってさらに詳述する。
まず，少なくともリードフレーム素材（以下金属材料１
と呼ぶ）の汚れ等をとるため，第１のメッキ処理をする
前処理として，脱脂処理，電解研磨処理，化学研磨処理
等を行うが，これらを組み合わせて行ってもよい。〔図
１（ａ）〕Hereinafter, the method of processing the lead frame of the present invention will be described in more detail with reference to FIG.
First, at least the lead frame material (hereinafter referred to as metal material 1
In order to remove stains, etc.), degreasing treatment, electrolytic polishing treatment, chemical polishing treatment, etc. are performed as pretreatments for the first plating treatment, but these may be combined. [Fig. 1 (a)]
【０００７】（Ａ）工程 少なくとも金属材料１の片面に第１のメッキ処理をし，
第１のメッキ層２を形成する。〔図１（ｂ）〕 通常，リードフレームの材料としては，４２合金（４２
％ニッケル−鉄合金），５０合金（５０％ニッケル−鉄
合金），銅合金，コバール等が用いられる。第１のメッ
キ処理としては，引き続く第２のメッキ層４の金属材料
１への密着性をあげるためのもので，金属材料１がニッ
ケル−鉄合金や銅合金の場合は，銅ストライクメッキが
一般に用いられ，０．１〜０．５μｍ程度に薄くつけ
る。なお，金属材料１に銅を使用した場合でも母材であ
る銅合金には，銅以外に不純物が含まれており，材種に
よって第２のメッキ層４の密着性のバラツキがでるの
で，均一な銅層を作る必要があり，銅ストライクメッキ
を行うことが効果的である。また，この工程では，裏面
のメッキ付着防止用シートあるいはレジストにより被覆
して，裏面の銅ストライクめっきは必ずしも行わなくて
も良い。Step (A) At least one surface of the metal material 1 is subjected to a first plating treatment,
The first plated layer 2 is formed. [Fig. 1 (b)] Usually, as a material of the lead frame, 42 alloy (42
% Nickel-iron alloy), 50 alloy (50% nickel-iron alloy), copper alloy, Kovar, etc. are used. The first plating treatment is to increase the adhesion of the subsequent second plating layer 4 to the metal material 1. When the metal material 1 is a nickel-iron alloy or a copper alloy, copper strike plating is generally used. It is used and is thinly applied to the thickness of 0.1 to 0.5 μm. Even when copper is used for the metal material 1, the copper alloy as the base material contains impurities other than copper, and the adhesiveness of the second plating layer 4 varies depending on the material type. It is necessary to form a thick copper layer, and copper strike plating is effective. Further, in this step, the back surface is not necessarily coated with the plating adhesion preventing sheet or the resist, and the back surface copper strike plating is not necessarily performed.
【０００８】（Ｂ）工程 所定部分に第２のメッキ処理を部分的に行うための第１
のレジストパターンを形成する。第１のレジストパター
ン３ａは高い位置精度は要求されない〔図１（ｃ）〕 次に行う第２のメッキ処理は，インナーリード部１２の
先端部，アイランド部１３の所定領域を含む範囲であれ
ば良いが，メッキに用いる金，銀，パラジューム等の金
属は高価なため，できるだけ狭い範囲とすることが好ま
しい。レジスト材料としては，カゼイン，ＰＶＡ等の水
系レジスト，ネガ型，ポジ型の液状レジスト，ドライフ
ィルム等を使用できる。Step (B) First for partially performing a second plating treatment on a predetermined portion
Forming a resist pattern. High positional accuracy is not required for the first resist pattern 3a [FIG. 1 (c)] The second plating process to be performed next is within a range including the tip portion of the inner lead portion 12 and the predetermined region of the island portion 13. It is good, but metals such as gold, silver, and palladium used for plating are expensive, so it is preferable to make the range as narrow as possible. As the resist material, an aqueous resist such as casein or PVA, a negative or positive liquid resist, a dry film or the like can be used.
【０００９】（Ｃ）工程 前記第１のレジストパターン３ａが形成されず露出して
いる前記第１のメッキ層の表面に第２のメッキ処理を行
い，第２のメッキパターン４ａを形成する。〔図１
（ｄ）〕 第２のメッキ層４としては，金などのワイヤボンディン
グに対する接続性，半導体素子のアイランド部１３への
半田密着性から，金，銀，パラジューム等が好ましい。
第２のメッキ層４の厚みは，ワイヤボンディングに対す
る接続性等から，また，ポーラスでない膜を得るために
は，３μｍ程度は必要である。Step (C) A second plating process is performed on the exposed surface of the first plating layer where the first resist pattern 3a is not formed to form a second plating pattern 4a. [Fig. 1
(D)] The second plated layer 4 is preferably made of gold, silver, palladium or the like in view of the connectivity with respect to wire bonding of gold or the like and the solder adhesion to the island portion 13 of the semiconductor element.
The thickness of the second plating layer 4 needs to be about 3 μm in order to obtain a non-porous film due to the connectivity to wire bonding and the like.
【００１０】（Ｄ）工程 前記第１のレジストパターンを，それぞれのレジストに
対応するレジスト除去剤により除去する。〔図１
（ｅ）〕Step (D) The first resist pattern is removed by a resist removing agent corresponding to each resist. [Fig. 1
(E)]
【００１１】（Ｅ）工程 前記第２のメッキ処理により形成された第２のメッキ層
の上に，エッチング加工用の第２のレジストパターンを
形成する。〔図１（ｆ）〕 第２のレジストとしては，後のエッチング工程に耐える
もので，後の剥離工程で剥離性の良いものが好ましく，
一般には，重クロム酸塩を感光剤とした水系のカゼイン
やＰＶＡが用いられるがこれに限定されない。各種ネガ
型，ポジ型の液状レジスト，場合によっては，感光性の
ドライフィルムでもよい。第２のレジストパターン５ａ
の形成は，後工程において金属材料１を表裏両面からエ
ッチング加工する場合は，金属材料１の両面のレジスト
に対して行うが，片面エッチングのみで金属材料１をエ
ッチング加工する場合には，第２のメッキ層４と反対側
は行わずに，レジストが全面を覆うようにしておく。Step (E) A second resist pattern for etching is formed on the second plating layer formed by the second plating process. [FIG. 1 (f)] The second resist is preferably one that can withstand the subsequent etching step and has good releasability in the subsequent peeling step.
Generally, water-based casein or PVA using dichromate as a photosensitizer is used, but not limited thereto. It may be various negative or positive liquid resists, or in some cases, photosensitive dry film. Second resist pattern 5a
Is formed on the resists on both sides of the metal material 1 when the metal material 1 is etched from both the front and back sides in a later step, but when the metal material 1 is etched by only one-sided etching, The surface opposite to the plating layer 4 is not formed, and the entire surface is covered with the resist.
【００１２】（Ｆ）工程 少なくとも，前記第２のメッキパターン側から，リード
フレーム材料を貫通エッチングするエッチング加工工程
である。〔図１（ｇ）〕 エッチング加工は，通常は，金属材料１の両面からエッ
チングして加工するが，金属材料１自体が板厚１００μ
ｍ程度以下と薄くなった場合には，両面からのエッチン
グに代え，片面からのみのエッチングを行うこともでき
る。前述のように，片面からのみのエッチングの際に
は，金属材料１のエッチングされない側の面は，レジス
トを全面塗布しておく等の処置をしておく。エッチング
加工におけるエッチング液は，第１のメッキ層２と金属
材料１をエッチングできるものであり，好ましくは，第
２のメッキパターン４ａを実質的にエッチングしないエ
ッチング液を使用する。実質的にエッチングしないエッ
チング液とは，相手をエッチングしない，または，しに
くいエッチング液をいう（以下同様）。ニッケル−鉄合
金や銅を金属材料１とした場合には，エッチング液とし
ては，塩化第二鉄，塩化第二銅が用いられる。ここで
は，第２のメッキパターン４ａ部分をその側面を含めて
第２のレジストパターン５ａですべて覆ってある上に，
さらに，請求項６記載のように，第２のメッキパターン
４ａ部分を実質的にエッチングしないエッチング液を使
用することにより，第２のメッキパターン４ａ部分のエ
ッジまでエッチング加工がされ，仮に，エッチングがさ
らに進んでも第２のメッキパターン４ａ部分は残存す
る。Step (F): At least an etching step for penetrating the lead frame material from the side of the second plating pattern. [Fig. 1 (g)] Usually, the etching process is performed by etching from both sides of the metal material 1, but the metal material 1 itself has a plate thickness of 100 μm.
When the thickness is reduced to about m or less, it is possible to perform etching from only one side instead of etching from both sides. As described above, when etching is performed from only one side, the surface of the metal material 1 that is not etched is coated with a resist. The etching solution used in the etching process is one that can etch the first plating layer 2 and the metal material 1, and preferably an etching solution that does not substantially etch the second plating pattern 4a is used. An etchant that does not substantially etch means an etchant that does not or does not easily etch the other party (the same applies below). When nickel-iron alloy or copper is used as the metal material 1, ferric chloride or cupric chloride is used as the etching solution. Here, the second plating pattern 4a including the side surface thereof is entirely covered with the second resist pattern 5a.
Further, as described in claim 6, by using an etching solution that does not substantially etch the second plating pattern 4a portion, etching is performed up to the edge of the second plating pattern 4a portion. Even if it proceeds further, the portion of the second plating pattern 4a remains.
【００１３】（Ｇ）工程 次いで，前記第２のレジストパターンを，それぞれのレ
ジストに対応するレジスト除去剤により除去する。〔図
１（ｈ）〕 第２のレジストパターン５ａの除去剤としては，第２の
レジストパターン５ａを除去でき，かつ，金属材料１，
第２のメッキパターン４ａをいためないものが好まし
く，カゼインレジストの場合には，除去剤としては，カ
セイソーダを主成分とする除去溶液を用いる。Step (G) Next, the second resist pattern is removed by a resist removing agent corresponding to each resist. [FIG. 1 (h)] As a removing agent for the second resist pattern 5a, the second resist pattern 5a can be removed, and the metal material 1,
It is preferable that the second plating pattern 4a is not damaged. In the casein resist, a removing solution containing caustic soda as a main component is used as the removing agent.
【００１４】さらに，第２のレジストパターン５ａを剥
離した後，露出している第１のメッキ層２の部分は必要
に応じて除去する。〔図１（ｉ）〕 この際の除去液としては，第１のメッキ層２のみを実質
的にエッチングできるものが好ましい。金属材料１がニ
ッケル−鉄系の合金であり，第１のメッキ層２を銅スト
ライクとした場合には，第２のレジストパターン５ａを
剥離した後に露出している第１のメッキ層２である銅部
は不安定であるため，除去するが，金属材料１が銅であ
り，第１のメッキ層２を銅ストライクとした場合には，
メッキによる純銅の方が酸化銅層がうすいため変色しに
くいというメリットがあり，この工程は必要ではない。Further, after the second resist pattern 5a is peeled off, the exposed portion of the first plating layer 2 is removed as necessary. [FIG. 1 (i)] As the removing liquid at this time, it is preferable to use a liquid capable of substantially etching only the first plating layer 2. When the metal material 1 is a nickel-iron-based alloy and the first plating layer 2 is a copper strike, the first plating layer 2 is exposed after the second resist pattern 5a is peeled off. Since the copper part is unstable, it is removed, but when the metal material 1 is copper and the first plating layer 2 is a copper strike,
Pure copper obtained by plating has the merit that the copper oxide layer is lighter and is less likely to discolor, and this step is not necessary.
【００１５】なお，本発明のリードフレームの加工方法
は，金属材料１を素材の両面からエッチングを行った方
が，片面のみからエッチングした場合に比べ，エッチン
グ工程における安定性は優れる。また，第１のメッキ層
２及び金属材料１を貫通させるエッチング加工として
は，通常はスプレーエッチング方法が用いられるが，浸
漬エッチング方法を用いる場合もある。また，エッチン
グ加工の貫通後に残った不要な第１のメッキ層２を除去
する方法におけるエッチング方法としては，スプレーエ
ッチング方法，浸漬エッチング方法，浸漬電解エッチン
グ方法のいずれも使用できる。In the method of processing a lead frame according to the present invention, the stability of the metal material 1 in the etching process is superior when the metal material 1 is etched from both sides, compared with the case where only one side is etched. Further, as the etching process for penetrating the first plating layer 2 and the metal material 1, a spray etching method is usually used, but an immersion etching method may be used in some cases. Further, as the etching method for removing the unnecessary first plating layer 2 remaining after the penetration of the etching process, any of a spray etching method, an immersion etching method, and an immersion electrolytic etching method can be used.
【００１６】[0016]
【作用】本発明のリードフレームの加工方法は，前記の
ような構成，特に，（Ｅ）第２のメッキ処理により形成
された第２のメッキパターンの上から，第２のメッキパ
ターンの表面のすべてを覆う第２のレジストパターンを
形成する工程を有することにより，部分メッキの原形の
変化しない第２のメッキパターンを所定の位置に設ける
ことができる。より具体的には，前記の（Ｅ）工程にに
おいて，第２のメッキパターンの上から当該第２のメッ
キパターンの表面をすべて覆う第２のレジストパターン
の大きさの量を，リードフレームをエッチングする際の
サイドエッチング量に対応して大きく設けたことことに
より，通常，当該リードフレームのサイドエッチングが
進み，リードフレーム上の第２のメッキパターンの下側
が大きく「えぐり」取られて，第２のメッキパターンが
剥がれたり，張り出し部分が折れて第２のメッキパター
ンの幅が変化してしまったり，折れた張り出し部分が，
エッチング工程以降，他の箇所に付着する等の障害とな
ることの問題点を解決することができる。さらに，リー
ドフレーム材料を貫通エッチングさせる工程に用いるエ
ッチング液を，第２のメッキを実質的にエッチングしな
いエッチング液としたことにより上記の効果を確実にす
ることができる。According to the method of processing a lead frame of the present invention, in particular, (E) from the top of the second plating pattern formed by the second plating treatment, to the surface of the second plating pattern. By including the step of forming the second resist pattern that covers the entire surface, the second plating pattern that does not change the original shape of the partial plating can be provided at a predetermined position. More specifically, in the step (E), the lead frame is etched by an amount corresponding to the size of the second resist pattern covering the entire surface of the second plating pattern from above the second plating pattern. By providing a large amount corresponding to the side etching amount at the time of forming, the side etching of the lead frame normally progresses, and the lower side of the second plating pattern on the lead frame is largely “scooped” and removed. The plating pattern of is peeled off, the overhanging part is broken and the width of the second plating pattern is changed, the broken overhanging part is
After the etching step, it is possible to solve the problem that it becomes an obstacle such as adhesion to other places. Furthermore, the above effect can be ensured by using an etching solution used in the step of etching the lead frame material through so as not to substantially etch the second plating.
【００１７】[0017]
【実施例】以下，図を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は，本発明の実施例の加工方法の工程を説明す
る模式断面図である。図２は，本発明の実施例の加工方
法により形成されたリードフレームの平面図を示す。 （実施例１）図１（ａ）は，前処理の工程である。リー
ドフレームの金属材料１として板厚０．１５ｍｍの４２
合金を用い，汚れ等をとるための脱脂処理を行った。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A to 1D are schematic cross-sectional views illustrating steps of a processing method according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a lead frame formed by the processing method according to the embodiment of the present invention. (Example 1) FIG. 1A shows a pretreatment process. 42 with a plate thickness of 0.15 mm as the metal material 1 of the lead frame
An alloy was used to perform degreasing treatment to remove stains.
【００１８】（Ａ）工程 前記金属材料１の表裏面に約０．３μｍ厚みの銅ストラ
イクメッキを行い，第１のメッキ層２を形成した。ここ
ではメッキ液としてシアン化銅を主成分としたメッキ液
を使用した。〔図１（ｂ）〕 （Ｂ）工程 図１（ｄ）で行う第２のメッキパターン４ａ形成の前処
理として第２のメッキパターン４ａの不要な箇所に第１
のレジストパターン３ａを形成した。第１のレジストパ
ターン３ａとしては，カゼイン系のレジストを使用し
た。〔図１（ｃ）〕 （Ｃ）工程 前記第１のレジストパターン３ａが形成されず露出して
いる第１のメッキ層２の表面に第２のメッキであるＫＡ
ｇ（ＣＮ）2シアン化銀カリウム（日本高純度化学
（株）テンペレジストＡＧＲ−Ｈタイプ）により，約５
μｍ厚みの銀メッキ処理を行った。〔図１（ｄ）〕Step (A) Copper strike plating having a thickness of about 0.3 μm was performed on the front and back surfaces of the metal material 1 to form a first plating layer 2. Here, a plating liquid containing copper cyanide as a main component was used as the plating liquid. [FIG. 1 (b)] (B) step As a pretreatment for forming the second plating pattern 4a performed in FIG.
Resist pattern 3a was formed. A casein-based resist was used as the first resist pattern 3a. [FIG. 1 (c)] (C) Step The surface of the first plating layer 2 which is exposed without the formation of the first resist pattern 3a is the second plating KA.
About 5 g (CN)2 silver potassium cyanide (Tempe resist AGR-H type, manufactured by Nippon Kojundo Chemical Co., Ltd.)
A μm-thick silver plating treatment was performed. [Fig. 1 (d)]
【００１９】（Ｄ）工程 前記塗布された第１のレジストパターン３ａを，第２の
メッキパターン４ａの部分メッキ終了後に，カセイソー
ダを主成分とした剥離液を使用することにより除去し
た。〔図１（ｅ）〕 （Ｅ）工程 第１のメッキ層２（銅ストライクメッキ層）の表面上に
は，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）を形成して
あるが，この第２のメッキパターン４ａを覆うようにリ
ードフレームエッチング用の第２のレジストパターン５
ａを形成した。ここで用いるレジスト製版用ネガは，従
来，第２のメッキパターン４ａと同一寸法のレジストパ
ターン寸法の場合に，リードフレームのサイドエッチン
グが進み，リードフレーム上の銀メッキのパターンの下
側が，大きく「えぐり」取られる領域を考慮して，第２
のレジストパターン５ａが第２のメッキパターン４ａの
表面と両側面を覆うように大きなものを用いる。つま
り，第２のメッキパターン４ａの表面をすべて覆う第２
のレジストパターン５ａの大きさの量を，リードフレー
ムをエッチングする際のサイドエッチング量に対応して
大きく設けたものである。その量は７０μｍである。第
２のレジスト層５としては，カゼイン系のレジストを使
用した。〔図１（ｆ）〕Step (D) The applied first resist pattern 3a was removed by using a stripper containing caustic soda as a main component after the partial plating of the second plating pattern 4a was completed. [FIG. 1 (e)] (E) Step A second plating pattern 4a (silver plating) is formed on the surface of the first plating layer 2 (copper strike plating layer). The second resist pattern 5 for etching the lead frame so as to cover the plating pattern 4a
a was formed. In the conventional resist plate negative used here, when the resist pattern size is the same as that of the second plating pattern 4a, side etching of the lead frame progresses, and the lower side of the silver plating pattern on the lead frame is largely " Second, considering the area to be taken
A large resist pattern 5a is used so as to cover the surface and both side surfaces of the second plating pattern 4a. That is, the second plating pattern 4a that covers the entire surface of the second plating pattern 4a
The resist pattern 5a has a large size corresponding to the side etching amount when the lead frame is etched. The amount is 70 μm. As the second resist layer 5, a casein resist was used. [Fig. 1 (f)]
【００２０】（Ｆ）工程 第１のメッキ層２（銅ストライクメッキ）を有する金属
材料１をエッチング処理により，金属材料１の表裏面よ
り加工して，金属材料１を貫通させた。ここでは，すく
なくとも第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）部分を
その側面を含めて第２のレジストパターン５ａで覆って
ある上に，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）部分
を実質的にエッチングしない塩化第二鉄エッチング液を
使用するため，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）
部分のエッジまでエッチング加工がされ，仮に，エッチ
ングがさらに進んでも第２のメッキパターン４ａ（銀メ
ッキ）部分は残存した。〔図１（ｇ）〕 （Ｇ）工程 カセイソーダを主成分とした剥離液を使用することによ
り塗布形成した第２のレジストパターン５ａを剥離，除
去した。〔図１（ｈ）〕Step (F) The metal material 1 having the first plating layer 2 (copper strike plating) was processed from the front and back surfaces of the metal material 1 by etching to penetrate the metal material 1. Here, at least the second plating pattern 4a (silver plating) portion including the side surface thereof is covered with the second resist pattern 5a, and the second plating pattern 4a (silver plating) portion is substantially etched. Second plating pattern 4a (silver plating) because ferric chloride etching solution is used
Etching processing was performed up to the edge of the portion, and even if the etching proceeded further, the second plating pattern 4a (silver plating) portion remained. [FIG. 1 (g)] Step (G) The second resist pattern 5a formed by coating was peeled and removed by using a peeling solution containing caustic soda as a main component. [Fig. 1 (h)]
【００２１】次に，図１（ｉ）は，不要な第１のメッキ
層２（銅メッキ）除去する工程である。第２のメッキパ
ターン４ａ（銀メッキ）の下地でない第１のメッキ層２
（銅メッキ）部分のみ及び裏面の第１のメッキ層２をシ
アン化カリウムと水酸化カリウムと錯化剤（日本高純度
化学（株）ハクレックスＣＳ）との混合物を主成分とし
た錯化剤を使用することにより除去して，図２に平面図
を示す所望のリードフレーム１１を得ることができた。
このようにして得られた，リードフレームは，従来の加
工後にメッキを施した場合にみられたインナーリード側
面の銀の付着や裏面の銀の付着はなく，かつ，張り出し
部が発生しないため，銀部剥離や銀部の折れは無く，パ
ッケージング後も，これに起因するインナーリード間の
ショート等の問題は皆無であった。Next, FIG. 1 (i) shows a step of removing the unnecessary first plating layer 2 (copper plating). The first plating layer 2 which is not the base of the second plating pattern 4a (silver plating)
Only the (copper plating) portion and the first plating layer 2 on the back surface are formed by using a complexing agent whose main component is a mixture of potassium cyanide, potassium hydroxide and a complexing agent (Hakurex CS, Japan High Purity Chemical Co., Ltd.). By doing so, the desired lead frame 11 whose plan view is shown in FIG. 2 can be obtained.
The lead frame obtained in this way has neither the silver adhesion on the inner lead side nor the silver adhesion on the back side, which is seen when plating is applied after the conventional processing, and since no overhang is generated, There was no peeling of the silver part or breakage of the silver part, and there was no problem such as a short circuit between inner leads caused by this even after packaging.
【００２２】（実施例２）前記実施例１において，リー
ドフレーム１１の金属材料１を銅板とし，（Ａ）工程の
第１のメッキ層２をスルファミン酸ニッケル浴を用いて
ニッケル層を形成し，（Ｃ）工程の第２のメッキパター
ン４ａを日本高純度化学（株）パラプライトＳＳＴ浴を
用いてパラジュームで形成し，図１（ｉ）の不要の第１
のメッキ層２（ニッケル）の除去工程は実施しなかった
ほか，ほぼ同一の条件で実施し，同様の結果を得た。(Example 2) In Example 1, the metal material 1 of the lead frame 11 was a copper plate, and the first plating layer 2 in the step (A) was formed with a nickel sulfamate bath to form a nickel layer. The second plating pattern 4a in the step (C) is formed in paradium using a Japan Pure Chemicals Co., Ltd. Paraplite SST bath, and the unnecessary first pattern shown in FIG.
The plating layer 2 (nickel) removal process of No. 1 was not performed, and the same result was obtained under the same conditions.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明によれば，後加工用のメッキ用の
治具を必要としない上に，母材の金属材料をエッチング
する際にも，予め施した部分メッキが影響されず，部分
メッキを所定の箇所とサイズに的確に設けることがで
き，エッチング工程以降に問題点となる部分メッキの張
り出し部を発生させることなく，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体装置の高集積度化，小型化に伴なうリードフレーム多
ピン化やインナーリードピッチの狭ピッチ化に対応でき
る。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, a plating jig for post-processing is not required, and the pre-applied partial plating is not affected even when the metal material of the base material is etched. The plating can be accurately provided at a predetermined location and size, and a semiconductor device such as an IC or LSI can be highly integrated and miniaturized without generating an overhang portion of the partial plating, which is a problem after the etching process. Accommodates the accompanying increase in lead frame pin count and narrow inner lead pitch.
【図１】本発明の実施例の加工方法の工程を説明する模
式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a process of a processing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例の加工方法により形成されたリ
ードフレームの平面図を示す。FIG. 2 is a plan view of a lead frame formed by the processing method according to the embodiment of the present invention.
１ 金属材料 ２ 第１のメッキ層 ２ａ 第１のメッキパターン ３ 第１のレジスト層 ３ａ 第１のレジストパターン ４ 第２のメッキ層 ４ａ 第２のメッキパターン ５ 第２のレジスト層 ５ａ 第２のレジストパターン １１ リードフレーム １２ インナーリード部 １３ アイランド部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal material 2 1st plating layer 2a 1st plating pattern 3 1st resist layer 3a 1st resist pattern 4 2nd plating layer 4a 2nd plating pattern 5 2nd resist layer 5a 2nd resist Pattern 11 Lead frame 12 Inner lead part 13 Island part
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337394AJPH07231061A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Lead frame processing method |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337394AJPH07231061A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Lead frame processing method |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231061Atrue JPH07231061A (en) | 1995-08-29 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337394AWithdrawnJPH07231061A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Lead frame processing method |
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| JP (1) | JPH07231061A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014130925A (en)* | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2017092186A (en)* | 2015-11-06 | 2017-05-25 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Lead frame manufacturing method |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080418A (en)* | 2007-11-08 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | Circuit protective device and method for manufacturing the same |
| US9035740B2 (en) | 2007-11-08 | 2015-05-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Circuit protective device and method for manufacturing the same |
| JP2014130925A (en)* | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2017092186A (en)* | 2015-11-06 | 2017-05-25 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Lead frame manufacturing method |
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