【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、電池１本で動作する
受信機などに好適なミューティング回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a muting circuit suitable for a receiver or the like which operates on one battery.
【０００２】[0002]
【従来の技術】オーディオ信号を赤外線によりヘッドホ
ンに伝送し、ヘッドホンをワイヤレス化することが考え
られている。2. Description of the Related Art It has been considered to transmit an audio signal to headphones by infrared rays to make the headphones wireless.
【０００３】図５は、そのようなワイヤレスヘッドホン
システムにおけるワイヤレスヘッドホンの外観の一例を
示すもので、この例においては、左及び右チャンネルの
音響ユニット４Ｌ、４Ｒがヘッドバンド４Ｈにより支持
されている。そして、ヘッドバンド４Ｈの頭頂部に受信
回路２が設けられ、この受信回路２により、送信回路か
ら送られてくる赤外線が受光されて左及び右チャンネル
のオーディオ信号が取り出され、そのオーディオ信号が
音響ユニット４Ｌ、４Ｒに供給される。FIG. 5 shows an example of the appearance of wireless headphones in such a wireless headphone system. In this example, the left and right channel acoustic units 4L, 4R are supported by a headband 4H. Then, a receiving circuit 2 is provided on the top of the headband 4H, and the receiving circuit 2 receives the infrared rays sent from the transmitting circuit, extracts the left and right channel audio signals, and outputs the audio signals. It is supplied to the units 4L and 4R.
【０００４】図６において、１はその送信回路の一例を
示す。すなわち、ステレオの左及び右チャンネルのオー
ディオ信号Ｌ、Ｒが、入力端子１１Ｌ、１１Ｒ→プリエ
ンファシス回路１２Ｌ、１２Ｒ→ＡＧＣアンプ１３Ｌ、
１３Ｒの信号ラインを通じてＦＭ変調回路１４Ｌ、１４
Ｒにそれぞれ供給されてＦＭ信号ＳL、ＳRに変換され
る。In FIG. 6, reference numeral 1 shows an example of the transmission circuit. That is, the stereo left and right audio signals L, R are input terminals 11L, 11R → pre-emphasis circuit 12L, 12R → AGC amplifier 13L,
FM modulation circuits 14L and 14 through a signal line of 13R
The signals are supplied to R and converted into FM signals SL and SR.
【０００５】この場合、一例として、ＦＭ信号ＳL、ＳR
は、 ＦＭ信号ＳLのキャリア周波数 ：2.3ＭHz ＦＭ信号ＳRのキャリア周波数 ：2.8ＭHz 信号ＳL、ＳRの最大周波数偏移：±150ｋHz とされる。In this case, as an example, FM signals SL, SR
Is the carrier frequency of the FM signal SL: 2.3 MHz, the carrier frequency of the FM signal SR: 2.8 MHz, the maximum frequency deviation of the signals SL and SR: ± 150 kHz.
【０００６】そして、これら信号ＳL、ＳRが、バンドパ
スフィルタ１５Ｌ、１５Ｒを通じてドライブアンプ１６
に供給され、加算されて加算信号Ｓ16とされるととも
に、この信号Ｓ16が赤外線発光ダイオード１６に供給さ
れ、このＬＥＤ１６からは信号Ｓ16により光量の変調さ
れた赤外線ＬIRが出力される。The signals SL and SR are passed through the bandpass filters 15L and 15R to drive the drive amplifier 16
The signal S16 is supplied to the infrared light emitting diode 16, and the LED 16 outputs an infrared LIR whose light amount is modulated by the signal S16.
【０００７】また、図７は、受信回路２の一例を示す。
すなわち、赤外線受光素子、例えば赤外線フォトダイオ
ード２１により送信回路１からの赤外線ＬIRが受光され
て加算信号Ｓ16が取り出され、この信号Ｓ16が、バンド
パスフィルタ２２及び高周波アンプ２３を通じてバンド
パスフィルタ２４に供給され、加算信号Ｓ16に含まれる
左チャンネルのＦＭ信号ＳLと、右チャンネルのＦＭ信
号ＳRとが分離して取り出される。Further, FIG. 7 shows an example of the receiving circuit 2.
That is, the infrared ray receiving element, for example, the infrared photodiode 21 receives the infrared ray LIR from the transmitting circuit 1 to extract the addition signal S16, and the signal S16 is supplied to the bandpass filter 24 through the bandpass filter 22 and the high frequency amplifier 23. Then, the left channel FM signal SL and the right channel FM signal SR included in the addition signal S16 are separated and taken out.
【０００８】そして、この取り出された左チャンネルの
ＦＭ信号ＳLが、左チャンネルの受信回路２０Ｌに供給
される。この受信回路２０Ｌにおいては、これに供給さ
れたＦＭ信号ＳLが、周波数コンバータ回路２５に供給
されて中間周波信号（中間周波数は、例えば10.7ＭHz）
に周波数変換され、この中間周波信号が、セラミックフ
ィルタ及び広帯域アンプを有する中間周波アンプ２６を
通じてＦＭ復調回路２７に供給されてオーディオ信号Ｌ
が復調される。The extracted left channel FM signal SL is supplied to the left channel receiving circuit 20L. In the receiving circuit 20L, the FM signal SL supplied thereto is supplied to the frequency converter circuit 25 to be an intermediate frequency signal (the intermediate frequency is, for example, 10.7 MHz).
And the intermediate frequency signal is supplied to the FM demodulation circuit 27 through the intermediate frequency amplifier 26 having a ceramic filter and a wide band amplifier, and the audio signal L
Is demodulated.
【０００９】そして、この復調されたオーディオ信号Ｌ
が、ディエンファシス回路２８及びドライブアンプ２９
を通じてヘッドホン４の左チャンネルの音響ユニット４
Ｌに供給される。Then, the demodulated audio signal L
However, the de-emphasis circuit 28 and the drive amplifier 29
Through the left channel acoustic unit 4 of the headphones 4
Supplied to L.
【００１０】なお、この場合、コンバータ回路２５〜ア
ンプ２９までの受信回路２０Ｌは、一般のＦＭ受信機用
として作られている１チップＩＣ（及びセラミックフィ
ルタ）をそのまま使用することができる。In this case, as the receiving circuit 20L from the converter circuit 25 to the amplifier 29, the one-chip IC (and ceramic filter) made for a general FM receiver can be used as it is.
【００１１】また、３０Ｌは左チャンネルのミューティ
ング回路を示す。すなわち、フォトダイオード２１が赤
外線ＬIRを受光しているときには、復調回路２７からは
オーディオ信号Ｌが出力されるが、フォトダイオード２
１が赤外線ＬIRを受光していないときには、復調回路２
７からは、各種の周波数成分を有するリミッタノイズ信
号ＳNが出力される。Reference numeral 30L denotes a left channel muting circuit. That is, when the photodiode 21 receives the infrared ray LIR, the audio signal L is output from the demodulation circuit 27.
When 1 does not receive infrared LIR, demodulation circuit 2
From 7, a limiter noise signal SN having various frequency components is output.
【００１２】そこで、復調回路２７の出力信号が、例え
ば100ｋHz付近を通過帯域とするバンドパスフィルタ３
１に供給され、フォトダイオード２１が赤外線ＬIRを受
光していないときには、ノイズ信号ＳNが取り出され
る。そして、この信号ＳNがアンプ３２を通じて検波用
のダイオードＤ31に供給されてノイズ信号ＳNのレベル
に対応したレベルの直流電圧ＶNに検波され、この電圧
ＶNが、ミューティング用のトランジスタＱ31のベース
にミューティング電圧として供給されるとともに、この
トランジスタＱ31のコレクタ・エミッタ間が、例えばア
ンプ２９の信号ラインに並列接続される。Therefore, the output signal of the demodulation circuit 27 has a band pass filter 3 having a pass band near 100 kHz, for example.
1 and the photodiode 21 does not receive the infrared ray LIR, the noise signal SN is taken out. Then, this signal SN is supplied to the detection diode D31 through the amplifier 32 and detected as the DC voltage VN having a level corresponding to the level of the noise signal SN, and this voltage VN is applied to the base of the muting transistor Q31. It is supplied as a power supply voltage, and the collector and emitter of the transistor Q31 are connected in parallel to the signal line of the amplifier 29, for example.
【００１３】したがって、フォトダイオード２１が、送
信回路１からの赤外線ＬIRを受光している場合には、復
調回路２７からオーディオ信号Ｌが出力されるが、ノイ
ズ信号ＳNは出力されないので、ＶN＝０であり、トラン
ジスタＱ31はオフである。したがって、復調回路２７に
より復調されたオーディオ信号Ｌは、そのままアンプ２
９を通じて音響ユニット４Ｌに供給される。Therefore, when the photodiode 21 receives the infrared ray LIR from the transmission circuit 1, the demodulation circuit 27 outputs the audio signal L but does not output the noise signal SN, so that VN = 0. And transistor Q31 is off. Therefore, the audio signal L demodulated by the demodulation circuit 27 is directly input to the amplifier 2
9 is supplied to the acoustic unit 4L.
【００１４】しかし、フォトダイオード２１が、送信回
路１からの赤外線ＬIRを受光していない場合には、復調
回路２７Ｌからはノイズ信号ＳNは出力されるので、ＶN
＞０であり、トランジスタＱ31はオンとなる。したがっ
て、復調回路２７からノイズ信号ＳNが出力されても、
これはアンプ２９においてミューティングされ、音響ユ
ニット４Ｌには供給されない。However, when the photodiode 21 does not receive the infrared ray LIR from the transmission circuit 1, the noise signal SN is output from the demodulation circuit 27L, so VN
> 0, the transistor Q31 is turned on. Therefore, even if the noise signal SN is output from the demodulation circuit 27,
This is muted in the amplifier 29 and is not supplied to the acoustic unit 4L.
【００１５】さらに、バンドパスフィルタ２４から右チ
ャンネルのＦＭ信号ＳRも、受信回路２０Ｌ及びミュー
ティング回路３０Ｌと同様の右チャンネルの受信回路２
０Ｒ及びミューティング回路３０Ｒにより、左チャンネ
ルのＦＭ信号ＳLと同様に処理されて右チャンネルのオ
ーディオ信号Ｒが取り出され、この信号Ｒがヘッドホン
ユニット４の右チャンネルの音響ユニット４Ｒに供給さ
れる。Further, the FM signal SR of the right channel from the bandpass filter 24 also receives the right channel receiving circuit 2 similar to the receiving circuit 20L and the muting circuit 30L.
The 0R and muting circuit 30R processes the left channel FM signal SL in the same manner as the right channel audio signal R, and supplies this signal R to the right channel acoustic unit 4R of the headphone unit 4.
【００１６】なお、上述のワイヤレスヘッドホン４の電
源は電池であり、一般には、単３タイプの乾電池あるい
はＮｉ-Ｃｄ電池（ニッケル・カドミウム電池）を２本
直列に使用している。The power source of the above-mentioned wireless headphones 4 is a battery, and generally, two AA type dry batteries or Ni-Cd batteries (nickel-cadmium batteries) are used in series.
【００１７】参考文献：実開平２−１２３１３８号公報Reference: Japanese Utility Model Publication No. 2-123138
【００１８】[0018]
【発明が解決しようとする課題】ところで、展覧会や展
示会などの会場によっては、いわゆるイヤホンガイドシ
ステムが用意され、見学者の一人一人が、イヤホンやヘ
ッドホンを通じて音声により、展示品の説明を聴くこと
ができるようにしている。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, so-called earphone guide systems are prepared at some venues such as exhibitions and exhibitions, and each visitor listens to the explanation of the exhibit by voice through earphones or headphones. I am able to do that.
【００１９】この場合、そのイヤホンガイドシステム
を、上述のように赤外線を使用したワイヤレス方式とす
ることができる。そして、そのとき、展示品ごとに送信
回路１を用意しておくとともに、送信回路１から出力さ
れる赤外線ＬIRの指向性を考慮しておけば、見学者が展
示品から次の展示品へと場所を移動するにつれ、説明が
自動的に切り換わり、非常に便利である。In this case, the earphone guide system can be a wireless system using infrared rays as described above. At that time, if the transmitter circuit 1 is prepared for each exhibit and the directivity of the infrared LIR output from the transmitter circuit 1 is taken into consideration, the visitor changes from one exhibit to the next. As you move from place to place, the explanation will change automatically, which is very convenient.
【００２０】ところが、イヤホンガイドシステムとし
て、上述の送信回路１及びワイヤレスヘッドホン４を採
用する場合、ヘッドホン４の保守や点検の簡易化、小型
化や軽量化のため、受信回路２の電源は、乾電池あるい
はＮｉ-Ｃｄ電池を１本だけとすることが要求される。However, when the transmission circuit 1 and the wireless headphones 4 described above are used as the earphone guide system, the reception circuit 2 is powered by a dry battery in order to simplify the maintenance and inspection of the headphones 4 and reduce the size and weight. Alternatively, only one Ni-Cd battery is required.
【００２１】そして、マンガン乾電池の公称出力電圧は
1.5Ｖであり、Ｎｉ-Ｃｄ電池の公称出力電圧は1.2Ｖで
あるが、電池の消耗を考慮すると、マンガン乾電池のと
きには、1.0Ｖ程度まで、Ｎｉ-Ｃｄ電池のときには、0.
9Ｖ程度まで、それらの出力電圧が低下しても、受信回
路２が正常に動作することが要求される。The nominal output voltage of the manganese dry battery is
The output voltage is 1.5V, and the nominal output voltage of Ni-Cd battery is 1.2V. However, considering the consumption of the battery, the manganese dry battery has a voltage of about 1.0V, and the Ni-Cd battery has a nominal output voltage of 0.1V.
The receiving circuit 2 is required to operate normally even if the output voltages thereof drop to about 9V.
【００２２】そして、トランジスタのコレクタ・エミッ
タ間電圧の必要最小値は0.2Ｖ程度であるから、電池の
出力電圧が1.0Ｖとすると、ミューティング回路３０Ｌ
（及び３０Ｒ）において、アンプ３２から取り出すこと
のできるノイズ信号ＳNのレベルは、ピークー・ツー・
ピーク値でも、 1.0−0.2Ｖ＝0.8Ｖp-p となってしまう。Since the minimum required collector-emitter voltage of the transistor is about 0.2V, if the output voltage of the battery is 1.0V, the muting circuit 30L
(And 30R), the level of the noise signal SN that can be extracted from the amplifier 32 is peak-to-peak.
Even the peak value is 1.0-0.2V = 0.8Vp-p.
【００２３】一方、ダイオードＤ31の順方向電圧ＶF
や、トランジスタＱ31のベース・エミッタ間電圧ＶBE
は、0.6Ｖ程度である。On the other hand, the forward voltage VF of the diode D31
Or the base-emitter voltage VBE of transistor Q31
Is about 0.6V.
【００２４】したがって、受信回路２の電源を、１本の
乾電池あるいはＮｉ-Ｃｄ電池にすると、ミューティン
グ電圧ＶNがレベル不足となり、トランジスタＱ31を確
実にオンさせることができない、すなわち、確実にミュ
ーティングをかけることのできないことがある。Therefore, when the power source of the receiving circuit 2 is one dry battery or Ni-Cd battery, the muting voltage VN becomes insufficient and the transistor Q31 cannot be turned on without fail, that is, the muting is surely performed. There are times when you can't apply.
【００２５】そして、ミューティングがかからないと、
例えば上述のように展覧会や展示会の会場で、見学者が
ある展示品から次の展示品へと場所を移動することによ
り、送信回路１０からの赤外線ＬIRが受信できないと
き、ヘッドホン４からノイズ信号ＳNによるノイズ音が
出力されてしまう。And, if muting is not applied,
For example, when an observer moves from one exhibit to the next in the exhibition or exhibition venue as described above, and the infrared LIR from the transmission circuit 10 cannot be received, noise from the headphones 4 is lost. A noise sound due to the signal SN is output.
【００２６】このような問題を解決するため、ミューテ
ィング回路３０Ｌのノイズ検波用のダイオードＤ31に順
方向のバイアス電圧を与え、ミューティング電圧ＶNの
直流レベルを大きくすることが考えられる。In order to solve such a problem, it can be considered that a forward bias voltage is applied to the noise detection diode D31 of the muting circuit 30L to increase the DC level of the muting voltage VN.
【００２７】しかし、詳細は後述するが、単に、ノイズ
検波用のダイオードＤ31に順方向バイアス電圧を与える
だけでは、電池の出力電圧の変化によって、ミューティ
ングの動作開始点（ミューティング感度）が変化してし
まう。However, as will be described in detail later, if the forward bias voltage is simply applied to the diode D31 for noise detection, the muting operation starting point (muting sensitivity) changes due to changes in the output voltage of the battery. Resulting in.
【００２８】この発明は、以上のような問題点を解決し
ようとするものである。The present invention is intended to solve the above problems.
【００２９】[0029]
【課題を解決するための手段】このため、この発明にお
いては、各部の参照符号を後述の実施例に対応させる
と、オーディオ信号の信号ラインに接続されてオーディ
オ信号Ｌ（あるいはＲ）をオン・オフするミューティン
グ用のトランジスタＱ31と、信号ラインのうち、トラン
ジスタＱ31よりも前段に接続され、オーディオ信号ライ
ンにオーディオ信号Ｌが供給されないときのノイズ信号
ＳNを取り出すフィルタ回路３１と、このフィルタ回路
３１により取り出されたノイズ信号ＳNを増幅するアン
プ３２と、このアンプ３２により増幅されたノイズ信号
ＳNを検波してミューティング電圧ＶNを形成する検波素
子Ｄ31とを設け、ミューティング電圧ＶNをトランジス
タＱ31に供給してオーディオ信号Ｌをミューティングす
るようにしたミューティング回路３０Ｌ（あるいは３０
Ｒ）において、検波素子Ｄ31に順方向の直流バイアス電
圧ＶD31を供給する素子Ｒ33、Ｒ34と、ミューティング
電圧ＶNのレベルを、電源電圧Ｖ5にかかわずほぼ一定と
なるように補正する素子Ｄ32とを設けるようにしたもの
である。Therefore, in the present invention, when the reference numerals of the respective parts correspond to the embodiments described later, they are connected to the signal line of the audio signal to turn on the audio signal L (or R). A muting transistor Q31 that is turned off, a filter circuit 31 that is connected to a stage before the transistor Q31 in the signal line and that extracts a noise signal SN when the audio signal L is not supplied to the audio signal line, and the filter circuit 31. An amplifier 32 that amplifies the noise signal SN extracted by and a detection element D31 that detects the noise signal SN amplified by the amplifier 32 to form a muting voltage VN are provided, and the muting voltage VN is applied to the transistor Q31. Muting for supplying and muting the audio signal L Circuit 30L (or 30
In R), the elements R33 and R34 for supplying the forward direction DC bias voltage VD31 to the detection element D31 and the element D32 for correcting the level of the muting voltage VN to be substantially constant regardless of the power supply voltage V5. It is provided.
【００３０】[0030]
【作用】ノイズ検波用のダイオードＤ31は、順方向の直
流バイアス電圧ＶD31によりバイアスされ、電圧Ｖ5が低
くてもミューティング電圧ＶNが形成される。また、素
子Ｄ32により、その直流バイアス電圧ＶD31が補正さ
れ、電圧Ｖ5が変化しても、ミューティングの動作開始
点は、ほぼ一定に保たれる。The diode D31 for noise detection is biased by the forward DC bias voltage VD31, and the muting voltage VN is formed even if the voltage V5 is low. Further, the element D32 corrects the DC bias voltage VD31, and even if the voltage V5 changes, the muting operation starting point is kept substantially constant.
【００３１】[0031]
【実施例】図１において、５は電池を示す。この電池５
は、ミューティング回路３０Ｌ（及び３０Ｒ）を含む受
信回路２の電源であり、上述のように、１本の単３タイ
プのマンガン乾電池あるいはＮｉ-Ｃｄ電池などとされ
ている。したがって、その出力電圧Ｖ5は、上記のよう
な大きさであるが、この出力電圧Ｖ5が、それぞれの回
路にその動作電圧として供給される。EXAMPLE In FIG. 1, 5 indicates a battery. This battery 5
Is a power source of the receiving circuit 2 including the muting circuit 30L (and 30R), and is one AA type manganese dry battery or Ni—Cd battery as described above. Therefore, although the output voltage V5 has the magnitude as described above, this output voltage V5 is supplied to each circuit as its operating voltage.
【００３２】また、この例においては、ミューティング
回路３０Ｌ（及び３０Ｒ）がＦＭ復調回路２７の次段に
設けられた場合である。このため、ＦＭ復調回路２７
と、ディエンファシス回路２８との間の信号ラインに、
抵抗器Ｒ31が直列接続されるとともに、この抵抗器Ｒ31
の出力側において、その信号ラインに並列に、トランジ
スタＱ31のコレクタ・エミッタ間が接続される。Further, in this example, the muting circuit 30L (and 30R) is provided in the next stage of the FM demodulation circuit 27. Therefore, the FM demodulation circuit 27
And the signal line between the de-emphasis circuit 28,
The resistor R31 is connected in series and the resistor R31
On the output side of the transistor Q31, the collector and emitter of the transistor Q31 are connected in parallel to the signal line.
【００３３】さらに、バンドパスフィルタ３１が、コイ
ル及びコンデンサの並列共振回路により構成され、これ
が復調回路２７の出力端に接続される。また、ノイズア
ンプ３２は、トランジスタＱ32、Ｑ33が縦続接続されて
構成される。この場合、トランジスタＱ32、Ｑ33のコレ
クタと、電池５との間に、負荷抵抗器Ｒ32、Ｒ33がそれ
ぞれ接続されてトランジスタＱ32、Ｑ33は、エミッタ接
地とされる。Further, the bandpass filter 31 is composed of a parallel resonance circuit of a coil and a capacitor, which is connected to the output terminal of the demodulation circuit 27. Further, the noise amplifier 32 is configured by connecting transistors Q32 and Q33 in cascade. In this case, load resistors R32 and R33 are respectively connected between the collectors of the transistors Q32 and Q33 and the battery 5 so that the transistors Q32 and Q33 are grounded.
【００３４】また、抵抗器Ｒ32には、ダイオードＤ32が
電池５から見て順方向に並列接続される。そして、アン
プ３２の入力端が、フィルタ３１に接続され、ノイズ信
号ＳNが供給される。A diode D32 is connected in parallel to the resistor R32 in the forward direction when viewed from the battery 5. Then, the input end of the amplifier 32 is connected to the filter 31 and the noise signal SN is supplied.
【００３５】さらに、トランジスタＱ33のコレクタに、
ノイズ検波用のダイオードＤ31のカソードが接続され、
そのアノードと電池５との間に、平滑用のコンデンサＣ
31及び直流バイアス用を兼ねた抵抗器Ｒ34が接続され
る。Further, in the collector of the transistor Q33,
The cathode of the diode D31 for noise detection is connected,
A smoothing capacitor C is provided between the anode and the battery 5.
31 and a resistor R34 also serving as a DC bias are connected.
【００３６】そして、ダイオードＤ31のアノードが、直
流増幅用のトランジスタＱ34のベースに接続される。こ
のトランジスタＱ34は、電池５のホット側を基準電位点
としたエミッタ接地とされている。そして、このトラン
ジスタＱ34のコレクタが、トランジスタＱ31のベースに
接続される。The anode of the diode D31 is connected to the base of the transistor Q34 for DC amplification. This transistor Q34 has its emitter grounded with the hot side of the battery 5 as a reference potential point. The collector of the transistor Q34 is connected to the base of the transistor Q31.
【００３７】このような構成によれば、フォトダイオー
ド２１が、送信回路１からの赤外線ＬIRを受光している
場合には、復調回路２７からオーディオ信号Ｌが出力さ
れるがノイズ信号ＳNは出力されないので、アンプ３２
からもノイズ信号ＳNは出力されない。According to this structure, when the photodiode 21 receives the infrared ray LIR from the transmission circuit 1, the demodulation circuit 27 outputs the audio signal L but does not output the noise signal SN. So amplifier 32
Does not output the noise signal SN.
【００３８】したがって、ダイオードＤ31から検波出力
電圧、すなわち、ミューティング電圧ＶNは得られず、
これによりトランジスタＱ34はオフでトランジスタＱ31
もオフである。したがって、復調回路２７からのオーデ
ィオ信号Ｌは、抵抗器Ｒ31を通じてディエンファシス回
路２８にそのまま供給され、すなわち、ミューティング
はオフである。Therefore, the detection output voltage, that is, the muting voltage VN cannot be obtained from the diode D31,
As a result, the transistor Q34 turns off and the transistor Q31
Is also off. Therefore, the audio signal L from the demodulation circuit 27 is directly supplied to the de-emphasis circuit 28 through the resistor R31, that is, the muting is off.
【００３９】しかし、フォトダイオード２１が、送信回
路１からの赤外線ＬIRを受光していない場合には、復調
回路２７からはノイズ信号ＳNは出力され、これがバン
ドパスフィルタ３１により選択されてからアンプ３２に
より増幅され、ダイオードＤ31に供給される。したがっ
て、ダイオードＤ31からは、その検波出力電圧、すなわ
ち、ミューティング電圧ＶNが出力される。However, when the photodiode 21 does not receive the infrared ray LIR from the transmission circuit 1, the demodulation circuit 27 outputs the noise signal SN, which is selected by the bandpass filter 31 and then the amplifier 32. And is supplied to the diode D31. Therefore, the detection output voltage, that is, the muting voltage VN is output from the diode D31.
【００４０】そして、このミューティング電圧ＶNによ
りトランジスタＱ34はオンとなってトランジスタＱ31も
オンとなる。したがって、復調回路２７からのノイズ信
号ＳNは、抵抗器Ｒ31及びトランジスタＱ31を通じてバ
イパスされ、ディエンファシス回路２８には供給されな
い。すなわち、ミューティングはオンである。Then, the muting voltage VN turns on the transistor Q34 and turns on the transistor Q31. Therefore, the noise signal SN from the demodulation circuit 27 is bypassed through the resistor R31 and the transistor Q31 and is not supplied to the de-emphasis circuit 28. That is, muting is on.
【００４１】こうして、ノイズ信号ＳNのレベルが十分
な大きさであれば、ミューティングは正常に行われる。Thus, if the level of the noise signal SN is sufficiently large, the muting is performed normally.
【００４２】そして、ノイズ信号ＳNのレベルが小さい
場合であるが、抵抗器Ｒ33、Ｒ34の大きさをあらかじめ
設定しておくことにより、 ＶCD＜ＶAN ＶCD：ダイオードＤ31のカソード電位 ＶAN：ダイオードＤ31のアノード電位 としておくことができ、この電位ＶCD、ＶANにより、ダ
イオードＤ31に順方向の直流バイアス電圧ＶD31 ＶD31＝ＶAN−ＶCD ・・・ (1) を与えておくことができる。In the case where the level of the noise signal SN is small, VCD <VAN VCD: cathode potential of the diode D31 VAN: anode of the diode D31 by presetting the sizes of the resistors R33 and R34. The potential can be set to a potential, and a forward DC bias voltage VD31 VD31 = VAN-VCD (1) can be applied to the diode D31 by the potentials VCD and VAN.
【００４３】そして、このような直流バイアス電圧ＶD3
1がダイオードＤ31に供給されている場合には、ノイズ
信号ＳNは、そのバイアス電圧ＶD31により直流レベルが
バイアス（シフト）されてダイオードＤ31に供給され
る。したがって、ノイズ信号ＳNのレベルが小さくて
も、ダイオードＤ31からはミューティング電圧ＶNを得
ることができる。Then, such a DC bias voltage VD3
When 1 is supplied to the diode D31, the DC level of the noise signal SN is biased (shifted) by the bias voltage VD31 and supplied to the diode D31. Therefore, the muting voltage VN can be obtained from the diode D31 even if the level of the noise signal SN is low.
【００４４】さらに、この発明においては、特に、ダイ
オードＤ32を設けているので、電池５の出力電圧Ｖ5が
低下しても、ミューティング感度（ミューティングの動
作開始点）の変化することがない。Further, in the present invention, since the diode D32 is particularly provided, the muting sensitivity (starting point of muting operation) does not change even if the output voltage V5 of the battery 5 decreases.
【００４５】すなわち、電池５の出力電圧Ｖ5の低下に
ともなって、抵抗器Ｒ33における降下電圧ＶR33は、図
２に示すように、ほぼ一定の割り合いで低下するが、こ
の低下の割り合いは、電池電圧Ｖ5の低下の割り合いよ
りも緩やかである。That is, as the output voltage V5 of the battery 5 decreases, the voltage drop VR33 in the resistor R33 decreases at a substantially constant rate as shown in FIG. 2, but the rate of this decrease is: It is slower than the rate of decrease in battery voltage V5.
【００４６】したがって、電池電圧Ｖ5が低下していく
とき、ダイオードＤ31のカソード電位ＶCDは、そのアノ
ード電位ＶANよりも緩やかに低下していくことになる。
そして、このことは、(1)式によれば、電池電圧Ｖ5のが
低下していくとき、ダイオードＤ31の順方向バイアス電
圧ＶD31が、次第に小さくなること意味する。言い換え
れば、電池電圧Ｖ5が低下するにつれて、ダイオードＤ3
1の検波感度が低下し、ノイズ信号ＳNのレベルを大きく
しないと、ミューティング電圧ＶNが得られないことに
なる。Therefore, as the battery voltage V5 decreases, the cathode potential VCD of the diode D31 gradually decreases from its anode potential VAN.
This means that, according to the equation (1), the forward bias voltage VD31 of the diode D31 gradually decreases as the battery voltage V5 decreases. In other words, as the battery voltage V5 decreases, the diode D3
If the detection sensitivity of 1 is lowered and the level of the noise signal SN is not increased, the muting voltage VN cannot be obtained.
【００４７】一方、トランジスタＱ32のコレクタにダイ
オードＤ32が接続されていない場合、トランジスタＱ33
のコレクタにおけるノイズ信号ＳNのレベルは、図３に
破線で示すように、電池電圧Ｖ5の低下に対して、低電
圧側で急速に低下する。On the other hand, when the diode D32 is not connected to the collector of the transistor Q32, the transistor Q33
As shown by the broken line in FIG. 3, the level of the noise signal SN at the collector of the battery decreases rapidly with the decrease of the battery voltage V5 on the low voltage side.
【００４８】したがって、トランジスタＱ32のコレクタ
にダイオードＤ32が接続されていない場合には、ダイオ
ードＤ31の検波感度の低下と、ノイズ信号ＳNのレベル
の低下とにより、図４に破線で示すように、電池電圧Ｖ
5が低下するにつれて、ミューティングの動作開始点が
急速に低下していく。Therefore, when the diode D32 is not connected to the collector of the transistor Q32, the detection sensitivity of the diode D31 is lowered and the level of the noise signal SN is lowered, as shown by the broken line in FIG. Voltage V
As 5 decreases, the starting point of muting operation decreases rapidly.
【００４９】このため、例えば電池電圧Ｖ5の高い場合
を標準としてミューティングの動作開始点を設定する
と、電池電圧Ｖ5が低下したとき、ミューティングの動
作開始点が低い入力信号レベル側に移動するので、ミュ
ーティングがかからなくなってしまう。Therefore, for example, if the muting operation starting point is set with the high battery voltage V5 as a standard, when the battery voltage V5 decreases, the muting operation starting point moves to the lower input signal level side. , Muting is lost.
【００５０】逆に、電池電圧Ｖ5の低い場合を標準とし
てミューティングの動作開始点を設定すると、電池電圧
Ｖ5が高いとき、ミューティングの動作開始点が高い入
力信号レベル側に移動してミューティングがかかりやす
くなる。この結果、電池５を新しい乾電池に交換した
り、充電を行ったりすると、電池電圧Ｖ5が高いので、
受信したＦＭ信号ＳLやオーディオ信号ＬのＳ／Ｎが高
いときでも、ミューティングがかかってしまい、イヤホ
ンガイドであれば、サービスエリアが狭くなってしま
う。On the contrary, if the muting operation starting point is set with the low battery voltage V5 as a standard, the muting operation starting point moves to the high input signal level side when the battery voltage V5 is high. It is easy to get As a result, since the battery voltage V5 is high when the battery 5 is replaced with a new dry battery or charged,
Muting occurs even when the S / N of the received FM signal SL and audio signal L is high, and if it is an earphone guide, the service area becomes narrow.
【００５１】しかし、この発明においては、トランジス
タＱ32のコレクタ負荷抵抗器Ｒ32に、ダイオードＤ32を
並列接続しているので、電池電圧Ｖ5が変化してもミュ
ーティングの動作開始点はほぼ一定に補正される。However, in the present invention, since the diode D32 is connected in parallel to the collector load resistor R32 of the transistor Q32, the muting operation starting point is corrected to be substantially constant even if the battery voltage V5 changes. It
【００５２】すなわち、電池５の出力電圧Ｖ5の低下に
ともなって、抵抗器Ｒ33における降下電圧ＶR33は、図
２に示すように、ほぼ一定の割り合いで低下するが、抵
抗器Ｒ32における降下電圧ＶR32も、図２に示すよう
に、電圧ＶR33と同様の特性で低下する。That is, as the output voltage V5 of the battery 5 decreases, the voltage drop VR33 in the resistor R33 decreases at an almost constant rate as shown in FIG. 2, but the voltage drop VR32 in the resistor R32 decreases. Also, as shown in FIG. 2, the voltage drops with the same characteristics as the voltage VR33.
【００５３】そして、電池電圧Ｖ5が高いときには、降
下電圧ＶR32が大きいとともに、この電圧ＶR32がダイオ
ードＤ32に供給されているので、ダイオードＤ32のイン
ピーダンスは小さくなっている。したがって、トランジ
スタＱ32は、そのコレクタ負荷が小さいので、利得は小
さくなっている。When the battery voltage V5 is high, the voltage drop VR32 is large and the voltage VR32 is supplied to the diode D32. Therefore, the impedance of the diode D32 is small. Therefore, since the collector load of the transistor Q32 is small, the gain is small.
【００５４】また、電池電圧Ｖ5が低いときには、降下
電圧ＶR32が小さいので、ダイオードＤ32のインピーダ
ンスは大きくなっているので、トランジスタＱ32は、そ
のコレクタ負荷が大きく、利得は大きくなっている。When the battery voltage V5 is low, the drop voltage VR32 is small, and therefore the impedance of the diode D32 is large. Therefore, the transistor Q32 has a large collector load and a large gain.
【００５５】この結果、トランジスタＱ33のコレクタに
おけるノイズ信号ＳNのレベルは、図３に実線で示すよ
うに、電池電圧Ｖ5が低下するにつれて緩やかに大きく
なる。As a result, the level of the noise signal SN at the collector of the transistor Q33 gradually increases as the battery voltage V5 decreases, as shown by the solid line in FIG.
【００５６】そして、このように、電池電圧Ｖ5の低下
につれてノイズ信号ＳNのレベルが上昇すると、このノ
イズ信号ＳNのレベルの上昇により、電池電圧Ｖ5の低下
に起因するダイオードＤ31の検波感度の低下がキャンセ
ルされ、ダイオードＤ31の検波出力、すなわち、ミュー
ティング電圧ＶNは、電池電圧Ｖ5にかかわらず、ほぼ一
定となる。When the level of the noise signal SN rises as the battery voltage V5 lowers, the detection sensitivity of the diode D31 lowers due to the lowering of the battery voltage V5 due to the higher level of the noise signal SN. After being canceled, the detection output of the diode D31, that is, the muting voltage VN becomes almost constant regardless of the battery voltage V5.
【００５７】したがって、図４に実線で示すように、電
池電圧Ｖ5が低下しても、ミューティングの動作開始点
はほぼ一定に保たれる。Therefore, as shown by the solid line in FIG. 4, even if the battery voltage V5 is lowered, the muting operation starting point is kept substantially constant.
【００５８】こうして、このミューティング回路３０Ｌ
（及び３０Ｒ）によれば、ノイズ信号ＳNを検波してミ
ューティング電圧ＶNを形成するダイオードＤ31に、直
流バイアス電圧ＶD31を供給して検波感度を上昇させて
いるので、電池５が１本のマンガン電池やＮｉ-Ｃｄ電
池であっても、ミューティング電圧ＶNを形成すること
ができる。Thus, this muting circuit 30L
According to (and 30R), since the DC bias voltage VD31 is supplied to the diode D31 that detects the noise signal SN to form the muting voltage VN, the detection sensitivity is increased, so that the battery 5 has one manganese. The muting voltage VN can be generated even with a battery or a Ni-Cd battery.
【００５９】また、その場合、電池電圧Ｖ5が変化する
と、バイアス電圧ＶD31が変化するので、ダイオードＤ3
1の検波感度が変化するが、上述のミューティング回路
３０Ｌにおいては、ノイズ検波用のダイオードＤ31に供
給されるノイズ信号ＳNのレベルを、電池電圧Ｖ5に対応
して補正してほぼ一定のレベルのミューティング電圧Ｖ
Nを形成しているので、電池電圧Ｖ5が低下しても、ミュ
ーティングの動作開始点の変化することがない。Further, in that case, when the battery voltage V5 changes, the bias voltage VD31 changes, so that the diode D3
Although the detection sensitivity of 1 changes, in the muting circuit 30L described above, the level of the noise signal SN supplied to the diode D31 for noise detection is corrected in accordance with the battery voltage V5, and the level of the noise signal SN becomes substantially constant. Muting voltage V
Since N is formed, the muting operation starting point does not change even if the battery voltage V5 decreases.
【００６０】さらに、ノイズ信号ＳNのレベルを電池電
圧Ｖ5に対応して補正するとき、これを、ダイオードＤ3
2によりトランジスタＱ32の利得を変化させて実現して
いるので、その構成がきわめて簡単であるとともに、ロ
ーコストである。Further, when the level of the noise signal SN is corrected corresponding to the battery voltage V5, this is corrected by the diode D3.
Since it is realized by changing the gain of the transistor Q32 by 2, the configuration is extremely simple and the cost is low.
【００６１】なお、上述においては、ノイズ信号ＳNの
検波を専用のダイオードＤ31により行ったが、トランジ
スタＱ34により検波を行うとともに、得られるミューテ
ィング電圧ＶNを増幅することもできる。Although the noise signal SN is detected by the dedicated diode D31 in the above description, it is also possible to detect the noise signal SN by the transistor Q34 and amplify the obtained muting voltage VN.
【００６２】さらに、上述においては、ダイオードＤ32
によりノイズ信号ＳNのレベルを補正して電池電圧Ｖ5の
低下によるダイオードＤ31の検波感度の低下をキャンセ
ルしたが、ノイズ信号ＳNのレベルを補正する代わり
に、トランジスタＱ33のコレクタに、電圧-電流特性が
非直線の素子を接続してダイオードＤ31の直流バイアス
電圧を、電池電圧Ｖ5にかかわず所定値に補正し、これ
により電池電圧Ｖ5にかかわらず一定のミューティング
電圧ＶNを得ることもできる。Further, in the above, the diode D32
By the above, the level of the noise signal SN was corrected by canceling the decrease of the detection sensitivity of the diode D31 due to the decrease of the battery voltage V5. Instead of correcting the level of the noise signal SN, the collector of the transistor Q33 has It is also possible to connect a non-linear element to correct the DC bias voltage of the diode D31 to a predetermined value regardless of the battery voltage V5, thereby obtaining a constant muting voltage VN regardless of the battery voltage V5.
【００６３】また、上述においては、赤外線ＬIRにより
オーディオ信号Ｌ、Ｒを送信した場合であるが、電波に
より送信する場合の受信回路にも適用することができ
る。さらに、電池５も、マンガン乾電池、Ｎｉ-Ｃｄ電
池に限らず、他の種類の１次電池あるいは２次電池であ
ってもよい。Further, in the above description, the audio signals L and R are transmitted by the infrared rays LIR, but the invention can be applied to a receiving circuit when transmitting by radio waves. Further, the battery 5 is not limited to the manganese dry battery or the Ni-Cd battery, and may be another type of primary battery or secondary battery.
【００６４】[0064]
【発明の効果】この発明によれば、ノイズ信号ＳNを検
波してミューティング電圧ＶNを形成するダイオードＤ3
1に、直流バイアス電圧ＶD31を供給して検波感度を上昇
させているので、電池５が１本のマンガン電池やＮｉ-
Ｃｄ電池であっても、ミューティング電圧ＶNを形成す
ることができる。According to the present invention, the diode D3 for detecting the noise signal SN to form the muting voltage VN.
1, the DC bias voltage VD31 is supplied to increase the detection sensitivity, so the battery 5 is a single manganese battery or Ni-
The muting voltage VN can be generated even with a Cd battery.
【００６５】また、その場合、電池電圧Ｖ5が変化して
バイアス電圧ＶD31が変化し、これによりダイオードＤ3
1の検波感度が変化しても、ノイズ検波用のダイオード
Ｄ31に供給されるノイズ信号ＳNのレベルを、電池電圧
Ｖ5に対応して補正しているので、電池電圧Ｖ5が変化し
ても、ほぼ一定のレベルのミューティング電圧ＶNを形
成することができ、電池電圧Ｖ5が低下しても、ミュー
ティングの動作開始点の変化することがない。In that case, the battery voltage V5 changes and the bias voltage VD31 changes, which causes the diode D3 to change.
Even if the detection sensitivity of 1 changes, the level of the noise signal SN supplied to the diode D31 for noise detection is corrected in accordance with the battery voltage V5. Therefore, even if the battery voltage V5 changes, A constant level muting voltage VN can be generated, and even if the battery voltage V5 drops, the muting operation starting point does not change.
【００６６】さらに、ノイズ信号ＳNのレベルを電池電
圧Ｖ5に対応して補正するとき、これを、ダイオードＤ3
2によりトランジスタＱ32の利得を変化させて実現して
いるので、その構成がきわめて簡単であるとともに、ロ
ーコストである。Further, when the level of the noise signal SN is corrected according to the battery voltage V5, this is corrected by the diode D3.
Since it is realized by changing the gain of the transistor Q32 by 2, the configuration is extremely simple and the cost is low.
【図１】この発明の一例を示す接続図である。FIG. 1 is a connection diagram showing an example of the present invention.
【図２】図１の回路の動作を説明するための特性図であ
る。FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining the operation of the circuit of FIG.
【図３】図１の回路の動作を説明するための特性図であ
る。FIG. 3 is a characteristic diagram for explaining the operation of the circuit of FIG.
【図４】図１の回路の動作を説明するための特性図であ
る。FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining the operation of the circuit of FIG.
【図５】ワイヤレスヘッドホンの一例を示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing an example of wireless headphones.
【図６】送信回路の一例を示す系統図である。FIG. 6 is a system diagram showing an example of a transmission circuit.
【図７】受信回路の一例を示す系統図である。FIG. 7 is a system diagram showing an example of a receiving circuit.
１ 送信回路 ２ 受信回路 ４ ワイヤレスヘッドホン １４Ｌ ＦＭ変調回路（左チャンネル） １４Ｌ ＦＭ変調回路（右チャンネル） １７ 赤外線発光ダイオード ２０Ｌ 受信回路（左チャンネル） ２０Ｒ 受信回路（右チャンネル） ２１ 赤外線フォトダイオード ２４ バンドパスフィルタ ２５ 周波数コンバータ回路 ２７ ＦＭ復調回路 ３０Ｌ ミューティング回路（左チャンネル） ３０Ｒ ミューティング回路（右チャンネル） ３１ バンドパスフィルタ ３２ アンプ Ｄ31 ノイズ検波用のダイオード Ｄ32 利得補正用のダイオード Ｑ31 ミューティング用のトランジスタ 1 transmitter circuit 2 receiver circuit 4 wireless headphones 14L FM modulator circuit (left channel) 14L FM modulator circuit (right channel) 17 infrared light emitting diode 20L receiver circuit (left channel) 20R receiver circuit (right channel) 21 infrared photodiode 24 bandpass Filter 25 Frequency converter circuit 27 FM demodulation circuit 30L Muting circuit (left channel) 30R Muting circuit (right channel) 31 Bandpass filter 32 Amplifier D31 Diode for noise detection D32 Diode for gain correction Q31 Transistor for muting
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317439AJPH07147517A (en) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Muting circuit |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317439AJPH07147517A (en) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Muting circuit |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147517Atrue JPH07147517A (en) | 1995-06-06 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5317439APendingJPH07147517A (en) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | Muting circuit |
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH07147517A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006524474A (en)* | 2003-04-22 | 2006-10-26 | レイセオン・カンパニー | Radio frequency limiter circuit |
| JP2007037144A (en)* | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Mitac Technology Corp | Sound source processing circuit structure and processing method therefor |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006524474A (en)* | 2003-04-22 | 2006-10-26 | レイセオン・カンパニー | Radio frequency limiter circuit |
| JP2007037144A (en)* | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Mitac Technology Corp | Sound source processing circuit structure and processing method therefor |
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