【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、微細な組織および均
一な厚さを有するダイヤモンド厚膜を効率よく製造する
方法に関するものであり、さらに、上記ダイヤモンド厚
膜をろう付けして得られたダイヤモンド切削工具に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for efficiently producing a diamond thick film having a fine structure and a uniform thickness, and further a diamond obtained by brazing the diamond thick film. It relates to cutting tools.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、気相合成ダイヤモンド膜を作製
する方法として、熱フィラメント法、マイクロ波法、高
周波熱プラズマ法、直流アークプラズマ法などが知られ
ている。2. Description of the Related Art Generally, a hot filament method, a microwave method, a high frequency thermal plasma method, a direct current arc plasma method and the like are known as methods for producing a vapor phase synthetic diamond film.
【０００３】これらの方法にうちでも熱フィラメント法
およびマイクロ波法による気相合成ダイヤモンド膜は粒
径が１〜５μｍと微細でかつ緻密な膜質を有するが、成
膜速度が遅く、これらの方法で厚さ：２００〜１０００
μｍの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成しようとすると
２００〜３００時間かかると言われている。Among these methods, the vapor phase synthetic diamond film by the hot filament method and the microwave method has a fine and dense film quality with a grain size of 1 to 5 μm, but the film formation rate is slow, and these methods are used. Thickness: 200-1000
It is said that it takes 200 to 300 hours to form a thick film of vapor-phase synthetic diamond having a thickness of μm.
【０００４】したがって、近年、厚さ：２００〜１００
０μｍもの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するには、
主として成膜速度の早い高周波熱プラズマ法または直流
アークプラズマ法（以下、これらを高温プラズマ法と称
する）が採用されている。Therefore, in recent years, the thickness: 200 to 100
To form a thick film of 0 μm vapor-phase synthetic diamond,
A high frequency thermal plasma method or a direct current arc plasma method (hereinafter, referred to as a high temperature plasma method) having a high film formation rate is mainly used.
【０００５】これらの方法で作製された気相合成ダイヤ
モンド厚膜は、切削工具基体にろう付けされてダイヤモ
ンド切削工具を製造している（特開平１−１５３２８号
公報、特開平１−２１２７６６号公報など参照）。The vapor phase synthetic diamond thick film produced by these methods is brazed to a cutting tool base to manufacture a diamond cutting tool (Japanese Patent Laid-Open Nos. 1-15328 and 1-212766). Etc.).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記高温プラ
ズマ法は、初期の核発生が遅く、さらに初期核が発生し
ても初期核発生密度が低くかつその分布が不均一であ
り、早期に初期核が発生した所では急速にダイヤモンド
成長が起ってひげ成長になりやすく、一方、遅れて初期
核が発生した所では気相合成ダイヤモンド厚膜の厚さが
不足し、均一な厚さの膜状に気相合成ダイヤモンドが成
長しにくいため、得られた気相合成ダイヤモンド厚膜全
体の厚さが不均一になると共に粒径も９０μｍ以上とな
って組織も不均一となり、かかる気相合成ダイヤモンド
厚膜をＷＣ基超硬合金切削工具基体にろう付けして得ら
れた切削工具を用いてＡｌまたはＡｌ合金などを切削し
ても平滑な切削面が得られないなどの課題があった。However, in the above-mentioned high temperature plasma method, the initial nucleation is slow, and even if initial nuclei are generated, the initial nucleation density is low and the distribution is non-uniform, and the early nucleation is early. Where nucleation occurs, diamond growth occurs rapidly and whiskers tend to grow.On the other hand, where initial nucleation occurs late, the thickness of the vapor phase synthetic diamond thick film is insufficient and a uniform thickness film is formed. Since it is difficult for the vapor-phase synthetic diamond to grow in a uniform shape, the thickness of the obtained vapor-phase synthetic diamond thick film becomes non-uniform, and the grain size becomes 90 μm or more and the structure becomes non-uniform. There was a problem that a smooth cutting surface could not be obtained even if Al or Al alloy was cut using a cutting tool obtained by brazing a thick film to a WC-based cemented carbide cutting tool substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる課題を解決し、厚さおよび組織が均一な気相合成
ダイヤモンド厚膜を高温プラズマ法により製造すべく研
究を行った結果、熱フィラメント法またはマイクロ波法
は初期核発生密度が高くかつ均一に分布し、これらの方
法で形成された気相合成ダイヤモンド薄膜は、１〜５μ
ｍの粒径を有する緻密な組織と均一な厚さを有するとこ
ろから、Ｍｏ、Ｗなどの基板表面に予め上記熱フィラメ
ント法またはマイクロ波法により厚さ：１〜２０μｍの
緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜を形成しておき、この
１〜２０μｍの厚さの緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜
を被覆した複合基板を基体として使用し、この複合基板
表面に高温プラズマ法により厚さ：１００〜１０００μ
ｍの気相合成ダイヤモンド厚膜を形成しても、粒径は３
０〜６０μｍの範囲内にとどまり、このようにして得ら
れたダイヤモンド厚膜を取り出し、超硬合金切削工具基
体にろう付けして熱フィラメント法またはマイクロ波法
により形成した緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜面を切
削面としたダイヤモンド切削工具は優れた切削性能を示
し、このダイヤモンド切削工具を用いて得られた被削面
も極めて平滑なものとなるという知見を得たのである。Therefore, the present inventors have
As a result of solving these problems and producing a vapor-phase synthetic diamond thick film having a uniform thickness and structure by a high temperature plasma method, the hot filament method or the microwave method has a high initial nucleation density and is uniform. The vapor-phase synthetic diamond thin film distributed and formed by these methods has a thickness of 1 to 5 μm.
Since it has a dense structure having a grain size of m and a uniform thickness, a dense vapor-phase synthetic diamond having a thickness of 1 to 20 μm previously formed on the surface of a substrate such as Mo or W by the hot filament method or the microwave method. A thin film is formed and a composite substrate coated with the dense vapor phase synthetic diamond thin film having a thickness of 1 to 20 μm is used as a substrate, and the surface of the composite substrate is 100 to 1000 μm thick by a high temperature plasma method.
Even if a vapor phase synthetic diamond thick film of m is formed, the grain size is 3
Dense vapor phase synthetic diamond thin film formed by the hot filament method or the microwave method, which remains within the range of 0 to 60 μm, takes out the diamond thick film thus obtained, and is brazed to the cemented carbide cutting tool substrate. It has been found that a diamond cutting tool whose surface is a cutting surface exhibits excellent cutting performance, and the surface to be cut obtained by using this diamond cutting tool is also extremely smooth.
【０００８】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、（１） 熱フィラメント法またはマ
イクロ波法により基板表面に厚さ：１〜２０μｍの気相
合成ダイヤモンド薄膜を被覆した複合基板を作製し、こ
の複合基板の気相合成ダイヤモンド薄膜の上に高温プラ
ズマ法を使って気相合成ダイヤモンド厚膜を形成するダ
イヤモンド厚膜の製造法、（２） 上記方法で得られた
ダイヤモンド厚膜の上記熱フィラメント法またはマイク
ロ波法により得られた厚さ：１〜２０μｍの気相合成ダ
イヤモンド薄膜が切削面となるように切削工具基体にろ
う付けしてなるダイヤモンド切削工具、に特徴を有する
ものである。The present invention has been made based on the above findings, and (1) a composite substrate in which a vapor phase synthetic diamond thin film having a thickness of 1 to 20 μm is coated on the surface of the substrate by a hot filament method or a microwave method. And a method for producing a diamond thick film, which comprises forming a vapor phase synthetic diamond thick film on the vapor phase synthetic diamond thin film of the composite substrate by using a high temperature plasma method, (2) the diamond thick film obtained by the above method The diamond cutting tool obtained by brazing a vapor phase synthetic diamond thin film having a thickness of 1 to 20 μm obtained by the hot filament method or the microwave method onto a cutting tool substrate so as to form a cutting surface. Is.
【０００９】この発明のダイヤモンド厚膜の製造法にお
いて、熱フィラメント法またはマイクロ波法による気相
合成ダイヤモンド薄膜の形成および高温プラズマ法によ
る気相合成ダイヤモンド厚膜の形成とを繰り返し行なう
ことによりダイヤモンド厚膜を作製することもできる。In the method for producing a diamond thick film according to the present invention, the diamond thickness is increased by repeatedly forming a vapor phase synthetic diamond thin film by a hot filament method or a microwave method and forming a vapor phase synthetic diamond thick film by a high temperature plasma method. Membranes can also be made.
【００１０】上記熱フィラメント法またはマイクロ波法
により基板表面に形成された複合基板上の気相合成ダイ
ヤモンド薄膜は、初期核発生密度が高く、組織が微細で
かつ膜の厚さが均一であり、この気相合成ダイヤモンド
薄膜の上に高温プラズマ法により気相合成ダイヤモンド
厚膜を形成すると、上記熱フィラメント法またはマイク
ロ波法による気相合成ダイヤモンド薄膜のもつ性質が高
温プラズマ法による厚膜に引き継がれて成長し、厚さが
均一で微細な組織を有する気相合成ダイヤモンド厚膜が
生成され、全体として優れた特性を有するダイヤモンド
厚膜が得られるものと考えられる 上記熱フィラメント法またはマイクロ波法による気相合
成ダイヤモンド薄膜の厚さを１〜２０μｍに限定した理
由は、厚さが１μｍ未満であると高温プラズマ法開始初
期に高温ブラズマ流にさらされてエッチングまたは変質
し、吹き飛ばされなくなってしまうことがあるので好ま
しくなく、一方、２０μｍを越えて厚くすると熱フィラ
メント法またはマイクロ波法では時間がかかりすぎて不
経済であり、また膜厚が厚くなるにつれて粒成長も促進
し、微細組織を維持することができなくなって好ましく
ないことによるものである。The vapor phase synthetic diamond thin film on the composite substrate formed on the substrate surface by the above-mentioned hot filament method or microwave method has a high initial nucleus generation density, a fine structure and a uniform film thickness, When a vapor-phase synthetic diamond thick film is formed on this vapor-phase synthetic diamond thin film by a high-temperature plasma method, the properties of the vapor-phase synthetic diamond thin film produced by the hot filament method or microwave method are carried over to the thick film produced by the high-temperature plasma method. It is considered that a vapor-phase synthetic diamond thick film having a uniform structure and a fine structure is produced, and a thick diamond film having excellent properties as a whole is obtained by the hot filament method or the microwave method. The reason for limiting the thickness of the vapor phase synthetic diamond thin film to 1 to 20 μm is that if the thickness is less than 1 μm, high temperature It is not preferable because it may be exposed or exposed to a high-temperature plasma flow at the beginning of the Zuma method to cause etching or deterioration, and it may not be blown away. This is because it is uneconomical, and as the film thickness increases, grain growth is promoted, and it becomes impossible to maintain a fine structure, which is not preferable.
【００１１】[0011]
実施例１ 直径：３０mmの円板状Ｍｏ基板を用意し、このＭｏ基板
の表面に下記の条件の熱フィラメント法またはマイクロ
波法により表１に示される合成時間をかけて表１に示さ
れる平均粒径および厚さの気相合成ダイヤモンド薄膜を
形成し、複合基板を作製した。Example 1 A disk-shaped Mo substrate having a diameter of 30 mm was prepared, and the surface of the Mo substrate was subjected to the synthesis time shown in Table 1 by the hot filament method or the microwave method under the following conditions, and the average shown in Table 1 was obtained. A vapor-phase synthetic diamond thin film having a grain size and a thickness was formed to prepare a composite substrate.
【００１２】（１） 熱フィラメント法の条件 反応容器：直径が２００mmの石英管、 使用フィラメント：金属タングステン、 フィラメント温度：２０３０℃、 基体温度：８５０℃、 雰囲気：８TorrのＣＨ4＋Ｈ2、 反応ガス割合：ＣＨ4／Ｈ2＝０．０１、 （２） マイクロ波法の条件 反応容器：直径が４０mmの石英管、 周波数：２．４５ＧＨｚ、 マイクロ波出力：６００Ｗ、 雰囲気圧力：３０TorrＨ2＋ＣＨ4、 基体温度：８５０℃、 反応ガス割合：ＣＨ4／Ｈ2＝０．０１、 ついで、上記複合基板を通常の高周波熱プラズマ装置の
基板ホルダーに載置し、 シースガス：Ａｒガス（３５ｌ／min ）＋水素ガス（１
０ｌ／min ）、 プラズマガス：Ａｒガス（４ｌ／min ）＋水素ガス（３
ｌ／min ）、 原料ガス：メタンガス（０．２ｌ／min ）、 キャリアガス：Ａｒガス（５ｌ／min ）＋水素ガス（３
ｌ／min ）、 となるように流しながら、上記高周波熱プラズマ装置に
３．５ＭＨｚの高周波を５０kw加え、上記複合基板に気
相合成ダイヤモンド厚膜を形成し、本発明法１〜７およ
び比較法１〜２を実施した。(1) Conditions of the hot filament method Reaction vessel: quartz tube having a diameter of 200 mm, filament used: tungsten metal, filament temperature: 2030 ° C., substrate temperature: 850 ° C., atmosphere: CH4 + H2 at 8 Torr, reaction gas Ratio: CH4 / H2 = 0.01, (2) Conditions of microwave method Reaction vessel: Quartz tube with diameter of 40 mm, Frequency: 2.45 GHz, Microwave output: 600 W, Atmospheric pressure: 30 TorrH2 + CH4 , Substrate temperature: 850 ° C., reaction gas ratio: CH4 / H2 = 0.01, then the above composite substrate was placed on a substrate holder of a usual high frequency thermal plasma device, and sheath gas: Ar gas (35 l / min) + Hydrogen gas (1
0 l / min), plasma gas: Ar gas (4 l / min) + hydrogen gas (3
l / min), raw material gas: methane gas (0.2 l / min), carrier gas: Ar gas (5 l / min) + hydrogen gas (3
1 / min), a high frequency of 3.5 MHz is applied to the high frequency thermal plasma device at a rate of 50 kw to form a vapor phase synthetic diamond thick film on the composite substrate, and the present invention methods 1 to 7 and comparative method are performed. 1-2 were carried out.
【００１３】この複合基板に形成された気相合成ダイヤ
モンド厚膜の中心部の膜厚および平均結晶粒径、並びに
周辺部の膜厚および平均結晶粒径を測定し、その測定結
果を表１に示した。The thickness and average crystal grain size of the central portion and the thickness and average crystal grain size of the peripheral portion of the vapor phase synthetic diamond thick film formed on this composite substrate were measured, and the measurement results are shown in Table 1. Indicated.
【００１４】さらに比較のために、円板状Ｍｏ基板に直
接上記条件の高周波熱プラズマ法により気相合成ダイヤ
モンド厚膜を形成し、従来法１を実施した。この従来法
１による気相合成ダイヤモンド厚膜についても中心部の
膜厚および平均結晶粒径、並びに周辺部の膜厚および平
均結晶粒径を測定し、それらの結果を表１に示した。Further, for comparison, the conventional method 1 was carried out by directly forming a vapor phase synthetic diamond thick film on the disk-shaped Mo substrate by the high frequency thermal plasma method under the above conditions. The thickness and average crystal grain size of the central portion and the thickness and average crystal grain size of the peripheral portion were also measured for the vapor phase synthesized diamond thick film according to the conventional method 1, and the results are shown in Table 1.
【００１５】[0015]
【表１】表１に示される結果から、本発明法１〜７の複合基板上
に高周波熱プラズマ法により形成した気相合成ダイヤモ
ンド厚膜は、中心部と周辺部の膜厚およびダイヤモンド
の平均結晶粒径に大きな差は見られず、均一な膜厚およ
び微細な組織を有するが、従来法１のようにＭｏ基板に
直接高周波熱プラズマ法により気相合成ダイヤモンド厚
膜を被覆すると、得られた気相合成ダイヤモンド厚膜の
結晶粒は粗大化するとともに中心部と周辺部で大きく相
違し、さらに膜厚も中心部と周辺部では相違し、不均一
な気相合成ダイヤモンド厚膜が形成されることがわか
る。[Table 1] From the results shown in Table 1, the vapor phase synthetic diamond thick film formed by the high frequency thermal plasma method on the composite substrate of the methods 1 to 7 of the present invention shows that the thickness of the central portion and the peripheral portion and the average crystal grain size of diamond are No significant difference is observed, and it has a uniform film thickness and a fine structure. However, when the Mo substrate is directly coated with the vapor phase synthetic diamond thick film by the high frequency thermal plasma method as in the conventional method 1, the obtained vapor phase synthesis is obtained. It can be seen that the crystal grains of the diamond thick film are coarsened and greatly differ between the central part and the peripheral part, and the film thickness is also different between the central part and the peripheral part, and a non-uniform vapor-phase synthetic diamond thick film is formed. .
【００１６】また、熱フィラメント法またはマイクロ波
法による複合基板の気相合成ダイヤモンド薄膜が１μｍ
未満の複合基板を用いた比較法１により形成しても均一
な気相合成ダイヤモンド厚膜が得られないこと、さらに
気相合成ダイヤモンド薄膜が２０μｍ以上の厚さの複合
基板を用いた比較法２により形成された気相合成ダイヤ
モンド厚膜は結晶粒が粗大化して好ましくないことがわ
かる。Further, the vapor phase synthetic diamond thin film of the composite substrate by the hot filament method or the microwave method has a thickness of 1 μm.
A uniform vapor-phase synthetic diamond thick film cannot be obtained even when formed by a comparative method 1 using a composite substrate of less than 1 mm, and a comparative method 2 using a composite substrate in which the vapor-phase synthetic diamond thin film has a thickness of 20 μm or more. It can be seen that the vapor-phase synthetic diamond thick film formed by is not preferable because the crystal grains become coarse.
【００１７】実施例２ 実施例１で用意したＭｏ基板の表面に下記の条件により
熱フィラメント法またはマイクロ波法により表２に示さ
れる合成時間をかけて表２に示される平均粒径および膜
厚を有する第１層の緻密な気相合成ダイヤモンド薄膜を
形成し、上記気相合成ダイヤモンド薄膜の上に更に下記
の条件の直流アークプラズマ法により表２に示される合
成時間をかけて表２に示される平均粒径および膜厚を有
する第２層の気相合成ダイヤモンド厚膜を形成し、表２
に示すダイヤモンド厚膜を作製した。Example 2 The surface of the Mo substrate prepared in Example 1 was subjected to the synthesis time shown in Table 2 by the hot filament method or the microwave method under the following conditions, and the average particle diameter and film thickness shown in Table 2 were used. A dense vapor-phase synthetic diamond thin film of the first layer is formed on the above-mentioned vapor-phase synthetic diamond thin film, and the results are shown in Table 2 by the direct current arc plasma method under the following conditions for the synthesis time shown in Table 2. A second layer of vapor phase synthetic diamond thick film having an average particle size and film thickness
The thick diamond film shown in was prepared.
【００１８】（ａ） 熱フィラメント法の条件 反応容器：直径が２００mmの石英管、 使用フィラメント：金属タングステン、 フィラメント温度：２０３０℃、 基体温度：８５０℃、 雰囲気：８TorrのＣＨ4＋Ｈ2、 反応ガス割合：ＣＨ4／Ｈ2＝０．０１、 （ｂ） マイクロ波法の条件 反応容器：直径が４０mmの石英管、 周波数：２．４５ＧＨｚ、 マイクロ波出力：６００Ｗ、 雰囲気圧力：３０TorrＨ2＋ＣＨ4、 基体温度：８５０℃、 反応ガス割合：ＣＨ4／Ｈ2＝０．０１、 （ｃ） 直流アークプラズマ法の条件 プラズマガス：Ａｒガス（５ｌ／min ）＋Ｈ2ガス（３
ｌ／min ）、 原料ガス：ＣＨ4ガス（０．１ｌ／min ）、 電力：１０kw、 基板温度：９５０〜１０５０℃内の所定の温度、 上記Ｍｏ基板を溶解除去して得られたダイヤモンド厚膜
の直流アークプラズマ法により形成された気相合成ダイ
ヤモンド厚膜の面を切削工具にろう付けし、本発明ダイ
ヤモンド切削工具１〜７および比較ダイヤモンド切削工
具１〜２を作製した。(A) Conditions of the hot filament method Reaction vessel: quartz tube having a diameter of 200 mm, filament used: metallic tungsten, filament temperature: 2030 ° C., substrate temperature: 850 ° C., atmosphere: CH4 + H2 at 8 Torr, reaction gas Ratio: CH4 / H2 = 0.01, (b) Conditions of microwave method Reaction vessel: Quartz tube with diameter of 40 mm, Frequency: 2.45 GHz, Microwave output: 600 W, Atmospheric pressure: 30 TorrH2 + CH4 , Substrate temperature: 850 ° C., reaction gas ratio: CH4 / H2 = 0.01, (c) Conditions for DC arc plasma method Plasma gas: Ar gas (5 l / min) + H2 gas (3
l / min), raw material gas: CH4 gas (0.1 l / min), electric power: 10 kw, substrate temperature: predetermined temperature within 950 to 1050 ° C., diamond thick film obtained by melting and removing the Mo substrate The surface of the vapor-phase synthetic diamond thick film formed by the direct current arc plasma method of 1. was brazed to a cutting tool to produce the diamond cutting tools 1 to 7 of the present invention and the comparative diamond cutting tools 1 and 2.
【００１９】さらに比較のために、Ｍｏ基板に直接直流
アークプラズマ法により気相合成ダイヤモンド厚膜を形
成し、Ｍｏ基板を溶解除去して得られた気相合成ダイヤ
モンド厚膜を切削工具にろう付けし従来ダイヤモンド切
削工具１を作製した。Further, for comparison, a vapor phase synthetic diamond thick film is directly formed on a Mo substrate by a direct current arc plasma method, and the vapor phase synthetic diamond thick film obtained by melting and removing the Mo substrate is brazed to a cutting tool. Then, a conventional diamond cutting tool 1 was produced.
【００２０】上記本発明ダイヤモンド切削工具１〜７、
比較ダイヤモンド切削工具１〜２および従来ダイヤモン
ド切削工具１について、下記の条件で湿式切削試験を行
なったところ被削面の表面粗さは１μｍ以下といずれも
良好であった。つぎに各ダイヤモンド切削工具の逃げ面
摩耗量を測定し、それらの測定結果を表２に示した。 湿式切削条件 被削材：Ａ３９０−Ｔ６（１８％Ｓｉ−Ａｌ合金） 切削速度：８００ｍ／min 、 切り込み深さ：０．５mm、 送り速度：０．１mm／rev.、 切削時間：６０分、The above diamond cutting tools 1 to 7 of the present invention,
When the wet cutting test was performed on the comparative diamond cutting tools 1-2 and the conventional diamond cutting tool 1 under the following conditions, the surface roughness of the work surface was 1 μm or less, which was good. Next, the flank wear amount of each diamond cutting tool was measured, and the measurement results are shown in Table 2. Wet cutting conditions Work material: A390-T6 (18% Si-Al alloy) Cutting speed: 800 m / min, Depth of cut: 0.5 mm, Feed rate: 0.1 mm / rev., Cutting time: 60 minutes,
【００２１】[0021]
【表２】表２に示される結果から、本発明ダイヤモンド切削工具
１〜７はいすれも従来ダイヤモンド切削工具１および比
較ダイヤモンド切削工具１〜２に比べて優れた切削性能
を有することがわかる。[Table 2] From the results shown in Table 2, it is understood that any of the diamond cutting tools 1 to 7 of the present invention has excellent cutting performance as compared with the conventional diamond cutting tool 1 and the comparative diamond cutting tools 1 and 2.
【００２２】[0022]
【発明の効果】上述のように、この発明によると、厚さ
が均一で微細組織を有するダイヤモンド厚膜を効率よく
得ることができ、このダイヤモンド厚膜をろう付けして
得られたダイヤモンド切削工具は優れた切削性能を示す
ところから、優れた性能を有するダイヤモンド切削工具
を従来よりも安価に供給することができ、産業の発展に
大いに貢献しうるものである。As described above, according to the present invention, a diamond thick film having a uniform thickness and a fine structure can be efficiently obtained, and a diamond cutting tool obtained by brazing the diamond thick film. Since it exhibits excellent cutting performance, it is possible to supply diamond cutting tools having excellent performance at a lower cost than before, and it is possible to greatly contribute to the development of industry.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｐ 15/28 Ａ 7041−3Ｃ Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｐ 9040−4Ｇ 25/18 9040−4Ｇ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl.5 Identification number Office reference number FI technical display location B23P 15/28 A 7041-3C C30B 25/02 P 9040-4G 25/18 9040-4G
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| JP8641792 | 1992-03-10 | ||
| JP5064696AJPH069292A (en) | 1992-03-10 | 1993-03-01 | Production of diamond thick film and diamond cutting tool obtained by brazing diamond thick film |
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|---|---|---|
| KR100212120B1 (en) | Manufacturing method of CVD diamond workpiece | |
| KR940009659B1 (en) | Polycrystalline diamond tool and method of producting polycrystalline diamond tool | |
| US5851658A (en) | Diamond coated article and process for producing thereof | |
| KR940004903B1 (en) | Polycrystalline diamond tool and method of producing same | |
| JPS6152363A (en) | Method for depositing and forming an artificial diamond film on the surface of a cermet member | |
| JP2557560B2 (en) | Polycrystalline diamond cutting tool and manufacturing method thereof | |
| JPH069292A (en) | Production of diamond thick film and diamond cutting tool obtained by brazing diamond thick film | |
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