JPH0646278B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライバ内蔵型液晶表示装置の、画素を構成
するＭＯＳ型スイッチング薄膜トランジスタ（以後ＴＦ
Ｔと記載する。）の欠陥を電気的に検出することが可能
な構造に関する。The present invention relates to a MOS type switching thin film transistor (hereinafter referred to as TF) that constitutes a pixel of a liquid crystal display device with a built-in driver.
Write T. ) Related to a structure capable of electrically detecting defects.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のドライバ内蔵型液晶表示装置のドライバ部の構造
は、第２図のように、Ｘ側はシフトレジスタ部（以後S/
Rと記載する。）２０１，ドライバ部２０２及びＭＯＳ
型アナログスイッチ（以後アナログＳＷと記載する。）
２０３から成り、Ｙ側はS/R部２０４及びドライバ部２
０５から構成される。該Ｘ側のアナログＳＷの一方の電
極はビデオ線に接続され、他方の電極はソース線２０６
に接続される。該Ｙ側のドライバの出力はゲート線２０
７に接続され、ソース線とゲート線の交点にＴＦＴ２０
８及び液晶駆動電極が形成される。As shown in FIG. 2, the structure of the driver part of the conventional liquid crystal display device with a built-in driver is as follows.
Enter R. ) 201, driver unit 202 and MOS
Type analog switch (hereinafter referred to as analog SW)
203, the S / R section 204 and the driver section 2 on the Y side.
It consists of 05. One electrode of the analog SW on the X side is connected to the video line, and the other electrode is connected to the source line 206.
Connected to. The output of the driver on the Y side is the gate line 20.
7 connected to the TFT 20 at the intersection of the source line and the gate line.
8 and liquid crystal drive electrodes are formed.

ドライバ内蔵型液晶表示装置の信号入力端子は静電気破
壊を防止する為に、短絡されており、ドライバ部の動作
確認は半導体プロセス終了時には実施されない。The signal input terminal of the driver-embedded liquid crystal display device is short-circuited to prevent electrostatic breakdown, and the operation of the driver section is not checked at the end of the semiconductor process.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

従来技術では基本的に、ドライバの動作確認を実施しな
い為に、画素を構成するＴＦＴの欠陥（例えばソース線
とゲート線間のショ−ト及びゲート線とドレイン電極の
ショート）を、半導体プロセス終了時に検出することは
大変困難であった。第１の理由はソース線及びゲート線
の両端に形成されているチェックパッドの長さが短か
く、電気的に欠陥を検出する為には、ソース線の本数及
びゲート線の本数と等しいプローブ針を実装したプロー
ブカードが必要となるが、現実的には不可能である。第
２の理由は、ソース線とゲート線間のバイアスに関す
る。信号入力端子を短絡した状態にある液晶表示装置は
第３図に示される等価回路で表わすことができる。従来
は、画素を構成するＴＥＴがＮチャンネルであり、ソー
ス線の両端に接続されるアナログＳＷもＮチャンネルで
あることから、ソース線に負電圧を印加し、ゲート線に
正電圧を印加して、画素を構成するＴＦＴをＯＮ状態に
すると、アナログＳＷはＯＮ状態となり、ゲート側ドラ
イバーのＰチャンネルＴＦＴもＯＮ状態となる為に、短
絡部を介して電流が流れてしまい、測定ができない。し
かるにソース線に正電圧を印加し、ゲート線に負電圧を
印加して、測定しなければならない為に、画素を構成す
るＴＦＴがＯＦＦ状態であることから、ドレイン電極と
ゲート線間の欠陥が検出できなかった。In the prior art, basically, because the operation of the driver is not checked, defects in the TFTs forming the pixel (for example, a short between the source line and the gate line and a short circuit between the gate line and the drain electrode) are not detected, and the semiconductor process ends Sometimes it was very difficult to detect. The first reason is that the check pads formed at both ends of the source line and the gate line have a short length, and in order to electrically detect a defect, the probe needles equal in number to the source line and the gate line are required. A probe card equipped with is required, but it is not possible in reality. The second reason relates to the bias between the source line and the gate line. The liquid crystal display device in which the signal input terminals are short-circuited can be represented by the equivalent circuit shown in FIG. Conventionally, since TET which constitutes a pixel is an N channel and the analog SW connected to both ends of the source line is also an N channel, a negative voltage is applied to the source line and a positive voltage is applied to the gate line. When the TFTs forming the pixels are turned on, the analog SW is turned on, and the P-channel TFT of the gate side driver is also turned on. Therefore, a current flows through the short-circuit portion, and measurement cannot be performed. However, since a positive voltage must be applied to the source line and a negative voltage must be applied to the gate line for measurement, the TFTs forming the pixel are in the OFF state, so that there is a defect between the drain electrode and the gate line. It could not be detected.

そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、ドライバ内蔵型液晶表示装置
の、ソース線及びゲート線の両端に形成するチェックパ
ッドの改良と、画素を構成するＴＦＴをＯＮ状態にして
欠陥を検出する方法を提供するところにある。Therefore, the present invention solves such a problem, and an object of the present invention is to improve a check pad formed at both ends of a source line and a gate line of a liquid crystal display device with a built-in driver and to configure a pixel. An object of the present invention is to provide a method for detecting defects by turning on the TFT.

〔問題点を解決する為の手段〕[Means for solving problems]

本発明の液晶表示装置は、Ｘ側のアナログＳＷの極性と
画素を構成するＴＦＴの極性が反対であり、ソース線の
両端又は一方に、ゲート線間隔の少なくても３倍の長さ
のチェックパッドを具備し、更にゲート線の両端又は一
方に、ソース線間隔の少なくても３倍の長さのチェック
パッドを具備することを特徴とする。In the liquid crystal display device of the present invention, the polarities of the analog SW on the X side and the polarities of the TFTs forming the pixel are opposite to each other, and the length of the source line is checked at least three times as long as at least one gate line interval. It is characterized in that it is provided with a pad, and further provided with a check pad having a length at least three times as long as a source line interval at both ends or one side of the gate line.

〔作用〕[Action]

本発明の上記の構成によれば、画素を構成するＴＦＴが
Ｎチャンネルであれば、Ｘ側のアナログＳＷがＰチャン
ネルとなり、アナログＳＷのソース線側に負電圧を印加
し、他方に正電圧を印加するとアナログＳＷはＯＦＦ状
態となる為、ゲート線に正電圧を印加して、ＴＦＴをＯ
Ｎの状態にして測定が可能となる。更に画素を構成する
ＴＦＴがＰチャンネルであれば、Ｘ側のアナログＳＷが
Ｎチャンネルとなり、アナログＳＷのソース線側に正電
圧を印加し、他方に負電圧を印加するとアナログＳＷは
ＯＦＦ状態となる為、ゲート線に負電圧を印加して、Ｔ
ＦＴをＯＮの状態にして測定が可能となる。According to the above configuration of the present invention, when the TFT configuring the pixel is the N channel, the analog SW on the X side becomes the P channel, a negative voltage is applied to the source line side of the analog SW, and a positive voltage is applied to the other side. When applied, the analog SW is turned off, so a positive voltage is applied to the gate line to turn on the TFT.
Measurement can be performed in the N state. Further, if the TFT configuring the pixel is a P channel, the analog SW on the X side becomes an N channel, and if a positive voltage is applied to the source line side of the analog SW and a negative voltage is applied to the other side, the analog SW is turned off. Therefore, applying a negative voltage to the gate line,
Measurement can be performed with the FT turned on.

また、チェックパッドの長さを、ソース及びゲート線間
隔の３倍以上とすることにより、プローブ針の数をソー
一線本数1/4及びゲート線本数の1/4に減らすことができ
る。つまり、４本に１本の割合でプローブ針を実装した
プローブカードにより測定が可能となる。例えばソース
線が３２０本であり、ゲート線が２２０本であればプロ
ーブカードのプローブ針は１３５本で足りることにな
る。１回のコンタクトで全画素の1/16を測定する為、上
下に４回、左右に４回の合計すると１６回の移動で全画
素を測定することになる。Further, by setting the length of the check pad to be three times or more the distance between the source and gate lines, the number of probe needles can be reduced to 1/4 of the saw line and 1/4 of the gate line. That is, the measurement can be performed by the probe card in which the probe needle is mounted at a ratio of one in four. For example, if the number of source lines is 320 and the number of gate lines is 220, the number of probe needles of the probe card will be 135. Since 1/16 of all pixels are measured by one contact, all pixels are measured by moving 16 times up and down and 4 times left and right for a total of 16 movements.

〔実施例〕〔Example〕

第１図は、本発明の実施例に於ける回路図（ａ）と概略
図（ｂ）であって、次に（ａ）図について説明する。Ｙ
側S/Rは、従来例と同様であるので省略する。画素を構
成するＴＦＴはＮチャンネルとする。S/R１０１の出力
は各ソース線に対応するドライバ１０２を介して、Ｐチ
ャンネルアナログＳＷのゲート信号となる。FIG. 1 is a circuit diagram (a) and a schematic diagram (b) in an embodiment of the present invention. Next, the diagram (a) will be described. Y
The side S / R is the same as that of the conventional example, and therefore omitted. The TFT that constitutes a pixel has N channels. The output of the S / R 101 becomes a gate signal of the P-channel analog SW via the driver 102 corresponding to each source line.

（ｂ）図は、ソース及びゲート線の両端又は他方のチェ
ックパッドを示す。ソース線の端にはＹｌの少なくても
３倍の長さのチェックパッドを形成し、ゲート線の端に
はＸｌの少なくても３倍の長さのチェックパッドを形成
するものである。(B) The figure shows the check pads on both ends of the source and gate lines or on the other side. A check pad having a length of at least three times Y1 is formed at the end of the source line, and a check pad having a length of at least three times the length X1 is formed at the end of the gate line.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上述べたように本発明によれば、第４図のような等価
回路で表わすことができる。画素を構成するＴＦＴがＮ
チャンネルであれば、Ｘ側アナログＳＷをＰチャンネル
で形成されることにより、画素を構成するＴＦＴがＯＮ
状態で測定することが可能となる。更に、チェツクパッ
ドの長さを長くすることにより、プローブカードを使用
して測定が可能となる為、半導体プロセス終了時に画素
欠陥の検出ができ、従来は液晶を封入し表示しなければ
修正できなかった線欠陥，点欠陥が、半導体プロセス終
了時に修正ができるようになる。しかるに、大幅な修正
時間の短縮ができると共に、液晶層にレーザを直接照射
しないことにより、液晶を劣下させないなどのすぐれた
効果を有する。As described above, the present invention can be represented by an equivalent circuit as shown in FIG. The number of TFTs that make up a pixel is N
If it is a channel, by forming the analog switch on the X side by the P channel, the TFTs that make up the pixels are turned on.
It becomes possible to measure in the state. Furthermore, by increasing the length of the check pad, it is possible to use a probe card for measurement, so that pixel defects can be detected at the end of the semiconductor process, and conventionally it cannot be corrected unless liquid crystal is enclosed and displayed. Line defects and point defects can be repaired at the end of the semiconductor process. However, the correction time can be greatly shortened, and the liquid crystal layer is not directly irradiated with the laser, so that the liquid crystal is not deteriorated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第１図は本発明の液晶表示装置の一実施例を示す主要回
路図（ａ）及び概略図（ｂ）。 第２図は従来の液晶表示装置を示す主要回路図。 第３図は従来の液晶表示装置の一部の等価回路図。 第４図は本発明の液晶表示装置の一部の等価回路図。 １０１，１０２……Ｘ側シフトレジスタ １０２，２０２……Ｘ側ドライバ １０３，２０３……Ｘ側アナログスイッチ １０９……ソース線チェックパッド １１０……ゲート線チェックパッド ２０４……Ｙ側シフトレジスタ ２０５……Ｙ側ドライバ ２０６……ソース線 ２０７……ゲート線 ２０８……ＴＦＴ及び液晶駆動電極FIG. 1 is a main circuit diagram (a) and a schematic diagram (b) showing an embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 2 is a main circuit diagram showing a conventional liquid crystal display device. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a part of a conventional liquid crystal display device. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a part of the liquid crystal display device of the present invention. 101, 102 ... X side shift register 102, 202 ... X side driver 103, 203 ... X side analog switch 109 ... Source line check pad 110 ... Gate line check pad 204 ... Y side shift register 205 ... Y-side driver 206 ... Source line 207 ... Gate line 208 ... TFT and liquid crystal drive electrode

Claims (1)

Translated fromJapanese

【特許請求の範囲】[Claims]【請求項１】一対の絶縁基板内に液晶が封入され、該基
板の一方の基板上にはマトリクス状に配列された複数の
画素電極と、該画素電極に接続されてなるＭＯＳ型薄膜
トランジスタと、該ＭＯＳ型薄膜トランジスタのゲート
電極に接続されてなるゲート信号線と、該ＭＯＳ型薄膜
トランジスタのソース電極に接続されてなるソース信号
線と該ゲート信号線にゲート選択信号を供給するゲート
線駆動回路と、該ソース線にソース線選択信号を供給す
るソース線駆動回路とを有する液晶表示装置において、 該ソース線は該ＭＯＳ型薄膜トランジスタと反対の極性
を有するＭＯＳ型スイッチング素子を介してビデオ信号
線に接続され、該ＭＯＳ型スイッチング素子の開閉は該
ソース線駆動回路の出力によって制御されることを特徴
とする液晶表示装置。1. A liquid crystal is sealed in a pair of insulating substrates, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on one substrate of the substrates, and a MOS type thin film transistor connected to the pixel electrodes. A gate signal line connected to the gate electrode of the MOS type thin film transistor, a source signal line connected to the source electrode of the MOS type thin film transistor, and a gate line drive circuit for supplying a gate selection signal to the gate signal line, In a liquid crystal display device having a source line drive circuit for supplying a source line selection signal to the source line, the source line is connected to a video signal line through a MOS switching element having a polarity opposite to that of the MOS thin film transistor. A liquid crystal display device characterized in that opening / closing of the MOS type switching element is controlled by an output of the source line driving circuit. Place