【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行う反射型液晶表示装置およびその作成
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device for displaying by reflecting incident light and a method for producing the same.
【０００２】[0002]
【従来技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ型
パーソナルコンピュータ、ポケットテレビ等への液晶表
示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表示装
置のなかでも外部から入射した光を反射させて表示を行
う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であるた
め消費電力が低く、薄型、軽量化が可能であるので注目
されている。2. Description of the Related Art In recent years, application of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, etc. has been rapidly progressing. Among the liquid crystal display devices, a reflective liquid crystal display device that reflects light incident from the outside to perform display is particularly noteworthy because it does not require a backlight and thus consumes less power and can be thin and lightweight. ing.
【０００３】従来より、反射型液晶表示装置にはＴＮ方
式（ツイステッドネマティック）並びにＳＴＮ（スーパ
ーツイステッドネマティック）方式が用いられている
が、これらの方式では直線偏光子により必然的に自然光
の１／２が表示に利用されないことになり、表示が暗く
なってしまう。Conventionally, a TN method (twisted nematic) and an STN (super twisted nematic) method have been used for a reflection type liquid crystal display device. In these methods, a linear polarizer inevitably results in a half of natural light. Will not be used for display, and the display will be dark.
【０００４】このような問題点に対して、偏光板を用い
ずに自然光のすべての光線を有効に利用しようとする表
示モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる(D.L.Whi
te and G.N.Taylor:J.Appl.Phys.45 4718 1974)。この
表示モードでは、電界によるコレステリック・ネマティ
ック相転移現象が利用されている。To solve such a problem, a display mode has been proposed in which all the natural light rays are effectively used without using a polarizing plate. An example of such a mode is the phase transition type guest-host method (DLWhi
te and GNTaylor: J. Appl. Phys. 45 4718 1974). In this display mode, the cholesteric / nematic phase transition phenomenon due to the electric field is used.
【０００５】また、前述した相転移型ゲスト・ホスト方
式に、さらにマイクロカラーフィルターを組み合わせた
反射型マルチカラーディスプレイも提案されている(Toh
ru Koizumi and Tatsuo Uchida,Proceedins of the SI
D,Vol.29,157,1988)。Further, a reflective multi-color display in which a micro color filter is further combined with the above-mentioned phase transition type guest-host system has been proposed (Toh).
ru Koizumi and Tatsuo Uchida, Proceedins of the SI
D, Vol. 29, 157, 1988).
【０００６】このような偏光板を必要としない表示モー
ドでさらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度か
らの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光
の強度を増加させる必要がある。そのためには、最適な
反射特性を有する反射板を作製することが必要となる。In order to obtain a brighter display in a display mode that does not require such a polarizing plate, it is necessary to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles. is there. For that purpose, it is necessary to manufacture a reflector having optimum reflection characteristics.
【０００７】上述の文献には、ガラス等から成る基板の
表面を研磨剤で粗面化し、フッ化水素酸でエッチングす
る時間を変えることによって表面の凹凸を制御し、その
凹凸上に銀の薄膜を形成した反射板について記載されて
いる。In the above-mentioned document, the surface of a substrate made of glass or the like is roughened with an abrasive and the surface irregularities are controlled by changing the etching time with hydrofluoric acid, and a silver thin film is formed on the irregularities. It describes a reflector formed with.
【０００８】しかしながら、上記文献に記載の反射板に
は、ガラス基板を研磨剤により傷つけることによって凹
凸が形成されるため、均一な形状の凹凸が形成されな
い。また凹凸の形状の再現性が悪いという問題があるた
め、このようなガラス基板を用いると、再現性がよく良
好な反射特性を有する反射型液晶表示装置を提供するこ
とができない。However, since the unevenness is formed on the reflection plate described in the above document by scratching the glass substrate with an abrasive, the unevenness of a uniform shape is not formed. Further, since there is a problem that the reproducibility of the shape of the unevenness is poor, it is not possible to provide a reflective liquid crystal display device having good reproducibility and good reflection characteristics when such a glass substrate is used.
【０００９】図１０は、アクティブマトリクス方式に用
いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと記す）１を有する基板２の平面図であり、
図１１は図１０に示す切断面線Ｘ１−Ｘ１から見た断面
図である。FIG. 10 is a plan view of a substrate 2 having a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 1 which is a switching element used in an active matrix system.
FIG. 11 is a sectional view taken along the section line X1-X1 shown in FIG.
【００１０】ガラス等の絶縁性基板２上に、クロム、タ
ンタル等から成る複数のゲートバス配線３が互いに平行
に設けられ、該ゲートバス配線３からはゲート電極４が
分岐して設けられている。前記ゲートバス配線３は、走
査信号線として機能している。また、前記ゲート電極４
を覆って基板２上の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等から成るゲート絶縁膜５が
形成されている。該ゲート絶縁膜５上には、非晶質シリ
コン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン等から
成る半導体層６が形成されている。該半導体層６の一方
の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム等から
成るソース電極７が重畳形成されており、また、該半導
体層６の他方の端部には、前記ソース電極７と同様にチ
タン、モリブデン、アルミニウム等から成るドレイン電
極８が重畳形成されている。A plurality of gate bus wirings 3 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 2 made of glass or the like, and gate electrodes 4 are branched from the gate bus wirings 3. . The gate bus line 3 functions as a scanning signal line. In addition, the gate electrode 4
Covering the entire surface of the substrate 2 with silicon nitride (SiNx),
A gate insulating film 5 made of silicon oxide (SiOx) or the like is formed. A semiconductor layer 6 made of amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si), polycrystalline silicon, or the like is formed on the gate insulating film 5. A source electrode 7 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is superposed on one end of the semiconductor layer 6, and the other end of the semiconductor layer 6 is similar to the source electrode 7. A drain electrode 8 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is superposed on.
【００１１】図１０に示すように、前記ソース電極７に
は前記ゲート絶縁膜５を挟んで前記ゲートバス配線３と
交差するソースバス配線１０が接続されている。該ソー
スバス配線１０は、表示信号線として機能している。前
記ソースバス配線１０も前記ソース電極７と同様の金属
で形成されている。前述したゲート電極４、ゲート絶縁
膜５、半導体層６、ソース電極７およびドレイン電極８
は、ＴＦＴ１を形成し、該ＴＦＴ１はスイッチング素子
として機能する。As shown in FIG. 10, the source electrode 7 is connected to a source bus line 10 that intersects with the gate bus line 3 with the gate insulating film 5 interposed therebetween. The source bus line 10 functions as a display signal line. The source bus line 10 is also made of the same metal as the source electrode 7. The gate electrode 4, the gate insulating film 5, the semiconductor layer 6, the source electrode 7 and the drain electrode 8 described above.
Form a TFT1, and the TFT1 functions as a switching element.
【００１２】図１０および図１１に示すＴＦＴを有する
前記基板２を反射型液晶表示装置に適用する場合、前記
絵素電極９をアルミニウム、銀等の光反射性を有する金
属で形成し、さらにその反射特性を向上させるために、
前記ゲート絶縁膜５あるいは前記絵素電極９に凹凸を形
成する必要がある。When the substrate 2 having the TFTs shown in FIGS. 10 and 11 is applied to a reflection type liquid crystal display device, the picture element electrode 9 is made of a metal having a light reflecting property such as aluminum or silver, and the In order to improve the reflection characteristics,
It is necessary to form irregularities on the gate insulating film 5 or the pixel electrode 9.
【００１３】一般に、無機物から成る絶縁膜に凹凸を均
一に形成することは困難である。Generally, it is difficult to form unevenness uniformly on an insulating film made of an inorganic material.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】前記半導体層６とされ
る例えばａ−Ｓｉは、光電流が大きいという特性をもっ
ているため、前記ＴＦＴ１に光が入射すると、該光によ
って該ＴＦＴ１が作動してしまい、スイッチング素子と
して正常に機能しなくなり、不所望な表示信号が前記絵
素電極９に印加されてしまう。また、ゲート・ソースバ
ス配線上の液晶がスイッチングに関係なくドメイン等の
表示特性に悪影響を及ぼし、所望な表示特性が得られな
い等、表示品位が低下する等という不都合も生じる。Since the semiconductor layer 6 such as a-Si has a characteristic that the photocurrent is large, when light is incident on the TFT 1, the TFT 1 is activated by the light. The switching element does not function normally, and an undesired display signal is applied to the picture element electrode 9. Further, the liquid crystal on the gate / source bus wiring adversely affects display characteristics such as domains regardless of switching, and desired display characteristics cannot be obtained, and display quality is deteriorated.
【００１５】従って、一般に前記基板２に対向する基板
上の、前記ＴＦＴ１に対向する部分には、遮光手段であ
るブラックマスクが形成されている。しかしながら、ブ
ラックマスクによって光を完全に遮光するためには、位
置合わせ精度が厳しいことや斜め方向からの入射光を遮
光するために実際のゲート・ソースバス配線の線幅より
も大きく作成せねばならず、ＬＣＤとしての開口率が低
下して、光効率の低下をもたらしてしまう。Therefore, a black mask, which is a light-shielding means, is generally formed on a portion of the substrate facing the substrate 2 facing the TFT 1. However, in order to completely block the light with the black mask, the alignment accuracy is strict and the line width of the actual gate / source bus wiring must be made larger to block the incident light from the oblique direction. As a result, the aperture ratio of the LCD is lowered and the light efficiency is lowered.
【００１６】また、図１０および図１１に示されるよう
に、反射板とされる前記絵素電極９と前記ゲートバス配
線３およびソースバス配線１０とは、両者が導通しない
ように間隔９ａをあけて形成されている。さらに前記Ｔ
ＦＴ１上に該絵素電極９を形成すると、該絵素電極９と
該ＴＦＴ１や電極との相互作用によって、前記ソース電
極７と前記ドレイン電極８とが導通する等の問題が生
じ、該ＴＦＴ１がスイッチング素子として機能しなくな
るために、前記ＴＦＴ１上に該絵素電極９を形成するこ
とはできない。そのため該絵素電極９の面積が小さくな
り、輝度が低く、表示品位も低くなる等という問題点も
生じている。Further, as shown in FIGS. 10 and 11, the picture element electrode 9 serving as a reflector and the gate bus wiring 3 and the source bus wiring 10 are spaced apart by a gap 9a so that they are not electrically connected to each other. Is formed. Furthermore, the T
When the picture element electrode 9 is formed on the FT1, a problem such as conduction between the source electrode 7 and the drain electrode 8 occurs due to the interaction between the picture element electrode 9 and the TFT 1 or the electrode, and the TFT 1 is The pixel electrode 9 cannot be formed on the TFT 1 because it does not function as a switching element. Therefore, there are problems that the area of the picture element electrode 9 is small, the luminance is low, and the display quality is low.
【００１７】本発明の目的は、上記問題点を解決し、表
示品位の向上を実現すること及びプロセス技術を容易に
するような反射型液晶表示装置およびその作成方法を提
供することである。An object of the present invention is to provide a reflection type liquid crystal display device which solves the above problems, realizes an improvement in display quality, and facilitates a process technique, and a method for producing the same.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される２枚の基板のうち、一方基板の液晶
層側表面には、他方基板からの入射光を反射する反射板
である絵素電極と、該絵素電極に、表示のための電圧を
印加するスイッチング素子部とが形成され、また、他方
基板は透光性を示す基板であり、該基板の液晶層側表面
には、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極が形
成されている反射型液晶表示装置において、一方基板の
液晶層側表面上のほぼ全面に、滑らかな凹凸面状の絶縁
膜を形成し、前記絵素電極を該絶縁膜の凹凸面上の予め
定められた絵素領域に形成することを特徴とする反射型
液晶表示装置である。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, of two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, one of the substrates is provided with a liquid crystal layer-side surface that reflects incident light from the other substrate. A picture element electrode which is a plate and a switching element portion for applying a voltage for display are formed on the picture element electrode, and the other substrate is a substrate having a light-transmitting property, and the liquid crystal layer side of the substrate. In a reflective liquid crystal display device in which a transparent common electrode is formed on almost the entire surface, a smooth uneven surface-shaped insulating film is formed on almost the entire surface of one substrate on the liquid crystal layer side. In the reflective liquid crystal display device, the pixel electrode is formed in a predetermined pixel region on the uneven surface of the insulating film.
【００１９】また、２枚の基板のうち、一方基板上の表
示領域における前記絵素領域およびスイッチング素子、
ゲートバス配線、ソースバス配線、その他基板領域上の
ほぼ全面を覆うように前記絶縁膜を形成し、該絶縁膜の
全表面を、滑らかな凹凸面に形成するとともに、該凹凸
面上に複数の絵素電極を形成し、前記２枚の基板のう
ち、透光性を有する他方基板の表面のほぼ全面にわたっ
て透光性を有する共通電極を形成し、前記２枚の基板を
電極形成面が対向するように貼付け、該基板間に液晶を
注入することを特徴とする反射型液晶表示装置の作成方
法である。Further, of the two substrates, the picture element region and the switching element in the display region on one substrate,
The insulating film is formed so as to cover almost the entire surface of the gate bus wiring, the source bus wiring, and other substrate regions, and the entire surface of the insulating film is formed into a smooth uneven surface, and a plurality of uneven surfaces are formed on the uneven surface. A pixel electrode is formed, and a common electrode having a light-transmitting property is formed over substantially the entire surface of the other substrate having a light-transmitting property of the two substrates, and the electrode forming surfaces of the two substrates face each other. And a liquid crystal is injected between the substrates so that the reflective liquid crystal display device can be manufactured.
【００２０】さらに、前記絶縁膜が光吸収性あるいは光
散乱性あるいはその両方の特性を有する感光性樹脂であ
ることを特徴とするものである。Further, the insulating film is a photosensitive resin having a light absorbing property and / or a light scattering property.
【００２１】[0021]
【作用】本発明に従えば、反射型液晶表示装置は、対向
する２枚の基板間に液晶層を介在して形成されており、
前記２枚の基板のうちの一方基板の液晶層側表面は複数
の絵素領域に分割され、各絵素領域には、絵素電極とス
イッチング素子部とが形成されている。According to the present invention, the reflection type liquid crystal display device is formed by interposing a liquid crystal layer between two substrates facing each other.
The liquid crystal layer side surface of one of the two substrates is divided into a plurality of picture element areas, and a picture element electrode and a switching element portion are formed in each picture element area.
【００２２】また、前記絵素電極は、反射板も兼ねてお
り、他方基板側からの入射光を反射することによって表
示し、ゲートバス配線、ソースバス配線および薄膜トラ
ンジスタ等から成る前記スイッチング素子部は、前記絵
素電極に表示のための電圧を印加している。また、他方
基板の液晶層側表面には透光性を有する共通電極が、基
板のほぼ全面にわたって形成されている。The pixel electrode also serves as a reflection plate, and displays by reflecting the incident light from the other substrate side, and the switching element portion including the gate bus wiring, the source bus wiring, the thin film transistor, etc. A voltage for display is applied to the pixel electrodes. On the surface of the other substrate on the liquid crystal layer side, a transparent common electrode is formed over almost the entire surface of the substrate.
【００２３】前記絵素電極は、一方基板の液晶層側表面
にあって、かつスイッチング素子部を含む領域上に形成
された絶縁膜上に形成されている。また、該絵素電極は
前記絵素領域内の隣り合う絵素電極間に相互に電気絶縁
状態を保つ範囲の間隔をあけて、かつ前記スイッチング
素子部と絵素電極との間でチャネル（電流通路）を形成
して、相互に導通することのない領域に形成されてい
る。さらに、前記絶縁膜が光散乱性または光吸収性ある
いはその両方の特性をもっているために、前記絵素領域
の予め定められる領域以外の領域には、遮光膜と同じ役
割を果たす絶縁膜が形成されている。The pixel electrode is formed on an insulating film formed on the liquid crystal layer side surface of the one substrate and on the region including the switching element portion. In addition, the pixel electrode is provided with a channel (current) between the switching element portion and the pixel electrode with a space between the adjacent pixel electrodes in the pixel region so as to maintain an electrically insulating state. Passages) and are formed in regions that are not electrically connected to each other. Further, since the insulating film has a light-scattering property, a light-absorbing property, or both, an insulating film that plays the same role as a light-shielding film is formed in a region other than a predetermined region of the pixel region. ing.
【００２４】上述したことにより、スイッチング素子部
に入射する光は前記絶縁膜により遮断されるので、スイ
ッチング素子部が光によって動作してしまい、スイッチ
ング素子部として正常に機能しなくなるということはな
くなる。また、前記絶縁膜は一方基板の液晶層側に形成
されるので、斜め方向からの光も遮断することができ、
かつ基板貼り合わせ時の位置合わせ精度に関係なく、光
を遮断することができるので、スイッチング素子部の特
性が低下して、表示品位が低下すること等もなくなる。As described above, since the light incident on the switching element portion is blocked by the insulating film, the switching element portion is not operated by the light and does not normally function as the switching element portion. Further, since the insulating film is formed on the liquid crystal layer side of the one substrate, it is possible to block light from an oblique direction,
Moreover, since the light can be blocked regardless of the alignment accuracy when the substrates are bonded together, the characteristics of the switching element portion are not deteriorated and the display quality is not deteriorated.
【００２５】また、本発明に従えば、前記絶縁膜が光散
乱性を有する場合、前記絵素領域以外に入射する光が、
前記絶縁膜で遮光されるとともに散乱され、また前記凹
凸によって、その反射強度が増加するので、輝度が向上
して表示品位も向上する。Further, according to the present invention, when the insulating film has a light scattering property, the light incident on other than the picture element region is
The insulating film shields the light and scatters it, and the unevenness increases the reflection intensity, so that the brightness is improved and the display quality is also improved.
【００２６】さらに、他方基板の遮光膜であるブラック
マスクが不要であるために、貼り合わせ時の位置合わせ
精度に関係なく入射光を遮光することができ表示品位が
向上する。Furthermore, since the black mask, which is the light-shielding film on the other substrate, is unnecessary, incident light can be shielded regardless of the alignment accuracy at the time of bonding, and the display quality is improved.
【００２７】[0027]
（実施例１）図１は、本発明の反射型液晶表示装置３０
の構成を示す断面図であり、図２は図１に示される基板
３１上の平面図である。ガラス等から成る絶縁性の基板
３１上に、クロム、タンタル等からなる複数のゲートバ
ス配線３２が互いに平行に設けられ、該ゲートバス配線
３２からはゲート電極３３が分岐している。該ゲートバ
ス配線３２は、走査線として機能している。(Embodiment 1) FIG. 1 shows a reflection type liquid crystal display device 30 of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the configuration of FIG. 2, and FIG. 2 is a plan view on the substrate 31 shown in FIG. A plurality of gate bus wirings 32 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 31 made of glass or the like, and a gate electrode 33 branches from the gate bus wirings 32. The gate bus wiring 32 functions as a scanning line.
【００２８】前記ゲート電極３３を覆って、前記基板３
１上の全面に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコ
ン（ＳｉＯｘ）等から成るゲート絶縁膜３４が形成され
ている。前記ゲート電極３３上方の該ゲート絶縁膜３４
上には、ａ−Ｓｉ等から成る半導体層３５が形成されて
いる。該半導体層３５の両端には、ａ−Ｓｉ等から成る
コンタクト電極４１が形成されている。一方端の該コン
タクト電極４１上には、チタン、モリブデン、アルミニ
ウム等から成るソース電極３６が重畳形成されており、
他方端の該コンタクト電極４１上には、前記ソース電極
３６と同様に、チタン、モリブデン、アルミニウム等か
ら成るドレイン電極３７が重畳形成されている。The substrate 3 is covered with the gate electrode 33.
A gate insulating film 34 made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like is formed on the entire surface of 1. The gate insulating film 34 above the gate electrode 33.
A semiconductor layer 35 made of a-Si or the like is formed on the top. Contact electrodes 41 made of a-Si or the like are formed on both ends of the semiconductor layer 35. A source electrode 36 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is superposed on the contact electrode 41 at one end,
A drain electrode 37 made of titanium, molybdenum, aluminum or the like is formed on the contact electrode 41 at the other end in the same manner as the source electrode 36.
【００２９】図２に示すように、前記ソース電極３６に
は、前記ゲート絶縁膜３４を挟んで前記ゲートバス配線
３２と交差するソースバス配線３９が接続されている。
該ソースバス配線３９は、表示信号線として機能してい
る。該ソースバス配線３９も、ソース電極３６と同様の
金属で形成されている。As shown in FIG. 2, the source electrode 36 is connected with a source bus line 39 which intersects the gate bus line 32 with the gate insulating film 34 interposed therebetween.
The source bus line 39 functions as a display signal line. The source bus line 39 is also made of the same metal as the source electrode 36.
【００３０】前述したゲート電極３３、ゲート絶縁膜３
４、半導体層３５、ソース電極３６およびドレイン電極
３７はＴＦＴ４０を構成しており、該ＴＦＴ４０はスイ
ッチング素子として機能している。The above-mentioned gate electrode 33 and gate insulating film 3
4, the semiconductor layer 35, the source electrode 36, and the drain electrode 37 form a TFT 40, and the TFT 40 functions as a switching element.
【００３１】前記ＴＦＴ４０が形成された前記基板３１
上には、複数の凸部４２ａが後述するコンタクトホール
４３が形成される領域を除いて、不規則な位置に形成さ
れている。あるいは、前記コンタクトホール４３を含む
全面に凸部４２ａを形成した後で、該コンタクトホール
４３の領域上に形成された該凸部４２ａを除去するよう
にしてもよい。前述のようにして形成された該凸部４２
ａを覆って、前記基板３１上全面に有機絶縁膜４２が形
成されている。該有機絶縁膜４２には、前記凸部４２ａ
に応じて滑らかに形成される凸部４２ｂが生じている。
なお、前記ドレイン電極３７部分には、前記有機絶縁膜
４２を形成しないことによって、前記コンタクトホール
４３が形成されている。The substrate 31 on which the TFT 40 is formed
A plurality of convex portions 42a are formed on the upper surface at irregular positions except for a region where a contact hole 43 described later is formed. Alternatively, after forming the convex portion 42a on the entire surface including the contact hole 43, the convex portion 42a formed on the region of the contact hole 43 may be removed. The convex portion 42 formed as described above
An organic insulating film 42 is formed on the entire surface of the substrate 31 so as to cover a. The organic insulating film 42 has the convex portion 42a.
The convex portion 42b is formed smoothly according to the above.
The contact hole 43 is formed in the drain electrode 37 by not forming the organic insulating film 42.
【００３２】上述のように形成された前記有機絶縁膜４
２上には、アルミニウム、銀等からなり絵素電極でもあ
る反射電極３８が形成されており、該反射電極３８は前
記コンタクトホール４３において前記ドレイン電極３７
と接続されている。また、前記有機絶縁膜４２は光吸収
性または光散乱性あるいはその両方の特性を有してお
り、そのため入射光を遮光すると共に、滑らかな前記凸
部４２ａが生じているので、散乱板としても機能してい
る。さらに、その上には、配向膜４４が形成されてい
る。The organic insulating film 4 formed as described above
A reflective electrode 38 made of aluminum, silver or the like, which is also a pixel electrode, is formed on the second electrode 2. The reflective electrode 38 is formed in the contact hole 43 at the drain electrode 37.
Connected with. Further, the organic insulating film 42 has a property of absorbing light and / or a property of scattering light. Therefore, the organic insulating film 42 shields incident light and forms the smooth convex portion 42a. It is functioning. Further, an alignment film 44 is formed on it.
【００３３】前記反射電極３８は、図２に示されるよう
にＴＦＴ４０の半導体層３５との界面のチャネルを形成
しない領域に形成されており、該反射電極３８は、前記
ゲートバス配線３２およびソースバス配線３９の一部に
前記有機絶縁膜４２を介して重畳されるようにして形成
されている。このため、該反射電極３８は、隣り合う反
射電極３８と電気的に絶縁状態を保つ範囲で面積を大き
くすることが可能となっている。As shown in FIG. 2, the reflective electrode 38 is formed in a region which does not form a channel at the interface of the TFT 40 with the semiconductor layer 35, and the reflective electrode 38 is formed in the gate bus line 32 and the source bus. It is formed so as to overlap a part of the wiring 39 with the organic insulating film 42 interposed therebetween. Therefore, the area of the reflective electrode 38 can be increased within a range in which it is electrically insulated from the adjacent reflective electrode 38.
【００３４】一方、前記基板３１に対向して配置される
基板４６上には、カラーフィルター４７が形成されてい
る。該カラーフィルター４７の前記基板３１上の反射電
極３８に対向する位置には、マゼンタまたはグリーンの
フィルター４７ａが形成されている。また、該カラーフ
ィルター４７上の全面には、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)
等から成る透明電極４８が形成され、さらに、その上に
は、配向膜４９が形成されている。On the other hand, a color filter 47 is formed on the substrate 46 arranged so as to face the substrate 31. A magenta or green filter 47a is formed at a position of the color filter 47 facing the reflective electrode 38 on the substrate 31. In addition, ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the entire surface of the color filter 47.
A transparent electrode 48 made of, for example, is formed, and an alignment film 49 is further formed thereon.
【００３５】なお、本発明では、前記基板３１上の前記
絶縁膜４２が光吸収性または光散乱性あるいはその両方
の特性を有しているために、対向する前記基板４６上に
は光を遮光するブラックマスク等を形成する必要はな
い。In the present invention, since the insulating film 42 on the substrate 31 has a light absorbing property and / or a light scattering property, light is shielded on the opposing substrate 46. It is not necessary to form a black mask or the like to be used.
【００３６】上述のように形成された両基板３１、４６
は、前記反射電極３８と前記フィルター４７ａとが一致
するように対向して貼り合わせられ、間に液晶５０が注
入されて反射型液晶表示装置３０が完成する。Both substrates 31, 46 formed as described above
Are bonded to face each other so that the reflective electrode 38 and the filter 47a are aligned with each other, and the liquid crystal 50 is injected therebetween to complete the reflective liquid crystal display device 30.
【００３７】本実施例では、カラーフィルターを用いた
反射型カラー液晶表示装置を記載したが、白黒表示の場
合であっても同様に、前記絶縁膜４２が光吸収性または
光散乱性あるいはその両方の特性を有することによっ
て、対向する基板にはブラックフィルター等を形成する
必要がなく、そのことによって輝度が向上し、明るい表
示も可能となる。In this embodiment, the reflection type color liquid crystal display device using the color filter has been described. However, even in the case of monochrome display, the insulating film 42 has the light absorbing property and / or the light scattering property or both. By having the characteristics of (1) and (2), it is not necessary to form a black filter or the like on the opposing substrate, which improves brightness and enables bright display.
【００３８】図３は図１及び図２に示される凸部を有す
る反射電極３８を基板３１上に形成する作成方法を説明
する工程図であり、図４は、図３に示す形成方法を説明
する断面図であり、図５は図３の工程ａ５で用いられる
マスク５１の平面図である。図４（１）は図３の工程ａ
４を示し、図４（２）は図３の工程ａ５を示し、図４
（３）は図３の工程ａ６を示し、図４（４）は図３の工
程ａ８を示し、図４（５）は図３の工程ａ９を示してい
る。FIGS. 3A to 3C are process drawings for explaining a method of forming the reflective electrode 38 having the convex portions shown in FIGS. 1 and 2 on the substrate 31, and FIGS. 4A to 4C show the method of forming shown in FIGS. 5 is a plan view of the mask 51 used in step a5 of FIG. FIG. 4A shows step a in FIG.
4 and FIG. 4 (2) shows step a5 of FIG.
(3) shows step a6 of FIG. 3, FIG. 4 (4) shows step a8 of FIG. 3, and FIG. 4 (5) shows step a9 of FIG.
【００３９】工程ａ１では、ガラス等から成る絶縁性基
板３１上に、スパッタリング法によって、３０００Åの
厚さのタンタル金属層を形成し、該金属層をフォトリソ
グラフィー法及びエッチングによりパターンニングを行
い、ゲートバス配線３２及びゲート電極３３を形成す
る。In step a1, a tantalum metal layer having a thickness of 3000 Å is formed on the insulating substrate 31 made of glass or the like by a sputtering method, and the metal layer is patterned by a photolithography method and etching to form a gate. The bus wiring 32 and the gate electrode 33 are formed.
【００４０】工程ａ２では、プラズマＣＶＤ法により、
４０００Åの厚さの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）から成る
ゲート絶縁膜３４を形成する。In step a2, the plasma CVD method is used.
A gate insulating film 34 made of silicon nitride (SiNx) having a thickness of 4000 Å is formed.
【００４１】工程ａ３では、半導体層３５となる厚さ１
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、前記順序で連続的に
形成する。In step a3, the thickness of the semiconductor layer 35 is 1
A 000 Å a-Si layer and a 400 Å thick n+ -type a-Si layer to be the contact layer 41 are continuously formed in the above order.
【００４２】工程ａ４では、基板３１上全面に厚さ２０
００Åのモリブデン金属層をスパッタリング法によって
形成し、該モリブデン金属層のパターンニングを行っ
て、ソース電極３６、ドレイン電極３７及びソースバス
配線３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）
は、工程ａ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成され
た基板３１の断面図である。In step a4, a thickness of 20 is formed on the entire surface of the substrate 31.
A 00Å molybdenum metal layer is formed by a sputtering method, and the molybdenum metal layer is patterned to form the source electrode 36, the drain electrode 37, and the source bus wiring 39, and the TFT 40 is completed. Figure 4 (1)
[FIG. 6] is a cross-sectional view of the substrate 31 on which the TFT 40 is formed after the processing up to step a4 is completed.
【００４３】工程ａ５では、前記ＴＦＴ４０を形成した
基板３１上全面に感光性樹脂であるホトレジストを２μ
mの厚さに塗布し、図５に示されるマスク５１を用い
て、図４（２）に示されるように凸部４２ａを形成す
る。該マスク５１には斜線で示す円形の遮光領域５１ａ
の直径の長さＤ１は、遮光領域５１ｂの直径の長さＤ２
よりも大きく形成されている。例えばＤ１は１０μmで
あり、Ｄ２は５μmである。In step a5, a photoresist, which is a photosensitive resin, of 2 μm is formed on the entire surface of the substrate 31 on which the TFT 40 is formed.
It is applied to a thickness of m, and the convex portion 42a is formed as shown in FIG. 4B using the mask 51 shown in FIG. The mask 51 has a circular light-shielding area 51a indicated by diagonal lines.
The diameter length D1 of the light shielding area 51b is equal to the diameter length D2
Is formed larger than. For example, D1 is 10 μm and D2 is 5 μm.
【００４４】また、本実施例では、２種類の遮光領域５
１ａ，５１ｂを有するマスク５１を用いたが、該マスク
５１はこれに限定されるものではない。例えば前記遮光
領域は一種類の円形だけでもよく、また３種類以上の円
形であってもよい。Further, in this embodiment, two kinds of light shielding areas 5 are used.
Although the mask 51 having 1a and 51b is used, the mask 51 is not limited to this. For example, the light-shielding region may be only one type of circle or three or more types of circles.
【００４５】さらに、前記マスク５１の、後述する工程
ａ７でコンタクトホール４３を形成する領域に、前記遮
光領域５１ａ，５１ｂを形成しないようにすれば、該コ
ンタクトホール４３の領域に凸部４２ａを形成すること
が防止できる。または、全面に凸部４２ａを形成した場
合には、特にこの段階で該コンタクトホール４３の領域
の凸部４２ａを除去する必要はなく、その場合は後述す
る工程ａ７の該コンタクトホール４３を形成する際に除
去するようにすればよい。Further, if the light shielding regions 51a and 51b are not formed in the region of the mask 51 where the contact hole 43 is formed in step a7 described later, the convex portion 42a is formed in the region of the contact hole 43. Can be prevented. Alternatively, when the convex portion 42a is formed on the entire surface, it is not particularly necessary to remove the convex portion 42a in the region of the contact hole 43 at this stage, and in that case, the contact hole 43 in step a7 described later is formed. It may be removed at that time.
【００４６】工程ａ６では、基板３１上全面に感光性樹
脂４２を好ましくは２μm以上の厚さに塗布し、図４
（３）に示されるように滑らかな凸部４２ｂを有する該
感光性樹脂４２を形成する。In step a6, the photosensitive resin 42 is applied to the entire surface of the substrate 31 to a thickness of preferably 2 μm or more, and then, as shown in FIG.
As shown in (3), the photosensitive resin 42 having the smooth convex portion 42b is formed.
【００４７】工程ａ７では、フォトリソグラフィー法を
用いて図４（４）に示されるように該感光性樹脂４２に
前記コンタクトホール４３を形成する。In step a7, the contact hole 43 is formed in the photosensitive resin 42 by photolithography as shown in FIG.
【００４８】また、上述してきた前記感光性樹脂４２
は、十分絶縁膜として機能するものであり、該絶縁膜と
しては、光吸収性または光散乱性あるいはその両方の特
性を有するものを用いている。例えば、光吸収性の絶縁
膜としては、カーボンを含む黒色の感光性樹脂（富士ハ
ントエレクトロニクス（株）−ＣＫ）を用い、また光散
乱性の絶縁膜としては、図６に示すように無色の感光性
樹脂７０にビーズ等の粒子を混合することによって入射
光を散乱させるものを用いている。該ビーズ等の粒子の
径としては、０．１〜３μm程度が適している。Further, the photosensitive resin 42 described above is used.
Is a film sufficiently functioning as an insulating film, and the film having a light absorbing property and / or a light scattering property is used as the insulating film. For example, as the light absorbing insulating film, a black photosensitive resin containing carbon (Fuji Hunt Electronics Co., Ltd.-CK) is used, and as the light scattering insulating film, a colorless resin is used as shown in FIG. A material that scatters incident light by mixing particles such as beads into the photosensitive resin 70 is used. The particle diameter of the beads or the like is preferably about 0.1 to 3 μm.
【００４９】さらに光吸収性及び光散乱性の両方の特性
をもつ絶縁膜としては、図７に示すように１層目に前述
したような光吸収性を有する絶縁膜７１を塗布し、さら
にその上の２層目に前述したような光散乱性を有する絶
縁膜７２を配している。これは、上方の層で入射光を散
乱させて、該入射光の漏れ光を下方の層で吸収させるも
のである。Further, as the insulating film having both the light absorbing property and the light scattering property, as shown in FIG. 7, the above-described light absorbing insulating film 71 is applied to the first layer, The insulating film 72 having the light scattering property as described above is arranged in the second upper layer. In this method, incident light is scattered by the upper layer and leakage light of the incident light is absorbed by the lower layer.
【００５０】また、前記感光性樹脂はこれに限定される
ものではなく、光吸収性または光散乱性をもつ材料であ
れば、どれでも適応可能である。The photosensitive resin is not limited to this, and any material having a light absorbing property or a light scattering property can be applied.
【００５１】工程ａ８では、凸部４２ｂを有する感光性
樹脂４２上の全面に図４（４）に示されるようにアルミ
ニウムから成る金属薄膜を形成する。In step a8, a metal thin film made of aluminum is formed on the entire surface of the photosensitive resin 42 having the protrusions 42b as shown in FIG. 4 (4).
【００５２】工程ａ９では、図４（５）に示されるよう
に反射電極３８をパターンニングする。該反射電極３８
とゲートバス配線３３、ソースバス配線３９の間隔は好
ましくは３μm、さらに好ましくは５μmとする。該反射
電極３８は、前記感光性樹脂４２に形成されたコンタク
トホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイン電極３７と
接続されている。該反射電極３８のパターンニング時
に、前記感光性樹脂４２およびホトレジストから成る凸
部４２ａは、露光、現像、アルミニウムのエッチング、
レジスト剥離等の工程を通しても、全く変化することは
ない。In step a9, the reflective electrode 38 is patterned as shown in FIG. The reflective electrode 38
The distance between the gate bus wiring 33 and the source bus wiring 39 is preferably 3 μm, more preferably 5 μm. The reflective electrode 38 is connected to the drain electrode 37 of the TFT 40 through a contact hole 43 formed in the photosensitive resin 42. During patterning of the reflective electrode 38, the photosensitive resin 42 and the convex portion 42a made of photoresist are exposed, developed, and etched with aluminum.
There is no change even during the steps such as resist stripping.
【００５３】さらに前記凸部４２ａの形状は、マスク５
１の形状、凸部４２ａとなるホトレジストの厚さによっ
て制御することができ、該凸部４２ａの角は、該凸部４
２ａを形成後熱処理をすることによって容易に取ること
が可能である。Further, the shape of the convex portion 42a is the mask 5
No. 1 and the thickness of the photoresist to be the convex portion 42a, and the corners of the convex portion 42a are different from those of the convex portion 4a.
2a can be easily removed by heat treatment after formation.
【００５４】図１に示される前記基板３１に対向して設
けられる他方基板４６に形成される透明電極４８は、例
えばＩＴＯ等から成り、厚さは１０００Åである。ま
た、前記反射電極３８、透明電極４８上の配向膜４４，
４９は、ポリイミド等を塗布後焼成することによって形
成されている。The transparent electrode 48 formed on the other substrate 46 facing the substrate 31 shown in FIG. 1 is made of, for example, ITO, and has a thickness of 1000Å. In addition, the reflective electrode 38, the alignment film 44 on the transparent electrode 48,
49 is formed by applying polyimide or the like and baking it.
【００５５】さらに基板３１，４６間には例えば８μm
あるいは１２μmのスペーサーを混入した図示しない接
着性シール剤を、スクリーン印刷することによって液晶
５０を封入する空間が形成され、前記空間を真空脱気す
ることによって該液晶５０が注入される。該液晶５０と
しては、例えば黒色色素を混入したゲストホスト液晶
（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、光学活性
物質（メルク社製、商品名Ｓ８１１）を４．５％混入し
たものを用いる。Further, for example, 8 μm is provided between the substrates 31 and 46.
Alternatively, a space for enclosing the liquid crystal 50 is formed by screen printing an adhesive sealant (not shown) mixed with a 12 μm spacer, and the liquid crystal 50 is injected by degassing the space under vacuum. As the liquid crystal 50, for example, a guest-host liquid crystal mixed with a black dye (Merck, trade name ZLI2327) mixed with 4.5% of an optically active substance (Merck, trade name S811) is used.
【００５６】本実施例の反射型液晶表示装置３０では、
基板３１上の反射電極３８を形成した面が、液晶層側に
配されているので視差がなくなり、良好な表示品位を得
ることが可能となっている。In the reflective liquid crystal display device 30 of this embodiment,
Since the surface of the substrate 31 on which the reflective electrode 38 is formed is disposed on the liquid crystal layer side, parallax is eliminated, and good display quality can be obtained.
【００５７】また、感光性樹脂４２からなる凸部４２ａ
は斜め方向から入射する光をも遮光するとともに、他方
基板４６上のブラックマスクがないため貼り合わせ時の
位置合わせ精度に関係なく光を遮光することが可能とな
っている。Further, the convex portion 42a made of the photosensitive resin 42
In addition to blocking the light incident from the oblique direction, it is possible to block the light regardless of the alignment accuracy at the time of bonding because there is no black mask on the other substrate 46.
【００５８】本実施例では、基板３１上の反射薄膜であ
る反射電極３８が液晶層側、厳密には液晶層にほぼ隣接
する位置に配されている構成と成っているので、凸部４
２ｂの高さはセル厚よりも小さく、また凸部４２ｂの傾
斜角度は液晶５０の配向を乱さない程度に穏やかにする
ことが望ましい。In this embodiment, since the reflective electrode 38, which is a reflective thin film on the substrate 31, is arranged on the liquid crystal layer side, strictly speaking, at a position substantially adjacent to the liquid crystal layer, the convex portion 4 is formed.
It is desirable that the height of 2b be smaller than the cell thickness and that the inclination angle of the convex portion 42b be gentle enough not to disturb the alignment of the liquid crystal 50.
【００５９】さらに、本実施例では光吸収性または光散
乱性あるいはその両方の特性を有する感光性樹脂４２の
パターンニングをフォトリソグラフィー法によって行っ
たが、該感光性樹脂４２がポリイミド樹脂の場合にはア
ルカリ溶液によるウエットエッチング法やドライエッチ
ング法によって行うことも可能である。Further, in the present embodiment, the patterning of the photosensitive resin 42 having the light absorbing property and / or the light scattering property or both is performed by the photolithography method. However, when the photosensitive resin 42 is the polyimide resin, Can also be performed by a wet etching method using an alkaline solution or a dry etching method.
【００６０】また、光吸収性または光散乱性を有する感
光性樹脂４２としてホトレジストを用いたが、これに限
定されるものではなく感光性アクリル樹脂、感光性ポリ
イミド樹脂等を母体とした光吸収性または光散乱性ある
いはその両方を有する感光性のある樹脂であるなら、本
実施例に適応可能であることは言うまでもない。Although a photoresist is used as the photosensitive resin 42 having a light-absorbing property or a light-scattering property, the present invention is not limited to this, and the light-absorbing property using a photosensitive acrylic resin, a photosensitive polyimide resin or the like as a base material. Needless to say, a photosensitive resin having a light scattering property or both is applicable to this embodiment.
【００６１】さらに本実施例では、基板３１としてガラ
ス等から成る透明なものを用いたが、シリコン基板のよ
うな不透明な基板でも、同様な効果を発揮することがで
き、この場合には回路を基板上に集積できる等の利点が
ある。Further, in this embodiment, the transparent substrate 31 made of glass or the like is used as the substrate 31. However, the same effect can be exerted even with an opaque substrate such as a silicon substrate. It has the advantage that it can be integrated on a substrate.
【００６２】また本実施例記載のパネルで反射電極３８
と透明電極４８との間に電圧印加した場合、ある角度θ
＝３０°から入射した光に対するパネル法線方向の反射
率は約２０％で、コントラスト比は５であった。In the panel described in this embodiment, the reflective electrode 38
When a voltage is applied between the transparent electrode 48 and the transparent electrode 48, a certain angle θ
The reflectance in the panel normal direction with respect to the light incident from = 30 ° was about 20%, and the contrast ratio was 5.
【００６３】（実施例２）図８は、本発明の他の実施例
で反射型液晶表示装置のＭＩＭ（Metal-Insulator-Meta
l）６４が形成された基板６５の断面図である。(Embodiment 2) FIG. 8 shows another embodiment of the present invention, which is a MIM (Metal-Insulator-Meta) of a reflective liquid crystal display device.
l) is a cross-sectional view of the substrate 65 on which 64 is formed.
【００６４】ガラス等から成る絶縁性の基板６５上に、
例えばタンタル（Ｔａ）等から成る下部金属電極６１が
設けられている。本実施例では、該下部電極６１として
タンタルを用いたが、陽極酸化可能な金属ならどれでも
用いることができ、例えば、ニオブ（Ｎｂ）等の金属を
用いることも可能である。該下部電極６１の表面には、
例えば酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から成る絶縁膜６２が
形成される。さらに、該絶縁膜６２の表面には、例えば
クロム（Ｃｒ）から成る上部電極６３が形成される。On an insulating substrate 65 made of glass or the like,
For example, a lower metal electrode 61 made of tantalum (Ta) or the like is provided. In the present embodiment, tantalum was used as the lower electrode 61, but any metal that can be anodized can be used, and for example, a metal such as niobium (Nb) can be used. On the surface of the lower electrode 61,
For example, the insulating film 62 made of tantalum oxide (Ta2 O5 ) is formed. Further, an upper electrode 63 made of, for example, chromium (Cr) is formed on the surface of the insulating film 62.
【００６５】本実施例では、該上部電極６３としてクロ
ムを用いたが、これに限定されず、タンタル、チタン、
アルミニウム等の金属を使用することができる。In this embodiment, chromium is used as the upper electrode 63, but it is not limited to this, and tantalum, titanium,
A metal such as aluminum can be used.
【００６６】前述した下部電極６１、絶縁膜６２および
上部電極６３は、ＭＩＭ６４を構成し、該ＭＩＭ６４は
スイッチング素子として機能している。The lower electrode 61, the insulating film 62 and the upper electrode 63 described above constitute the MIM 64, and the MIM 64 functions as a switching element.
【００６７】前記上部電極６３の端部６３ａには、ＩＴ
Ｏ等から成る液晶駆動電極９０が接続される。前記ＭＩ
Ｍ６４と前記駆動電極９０が形成された基板６５上に
は、実施例１で述べた凸部４２ａと同様な複数の凸部６
６ａが後述するコンタクトホール６９が形成される領域
を除いて、不規則に形成される。At the end 63a of the upper electrode 63, IT
A liquid crystal drive electrode 90 made of O or the like is connected. The MI
On the substrate 65 on which the M64 and the drive electrode 90 are formed, a plurality of convex portions 6 similar to the convex portion 42a described in the first embodiment.
6a is irregularly formed except for a region where a contact hole 69 described later is formed.
【００６８】なお、前記コンタクトホール６９が形成さ
れる領域に、該凸部６６ａを形成してもよく、また基板
６５上全面に該凸部６６ａを形成後、該コンタクトホー
ル６９が形成される領域上に形成された該凸部６６ａを
除去するようにしてもよい。該凸部６６ａを覆って、前
記基板６５全面に実施例１で述べた有機絶縁膜４２と同
様な光吸収性または光散乱性あるいはその両方の特性を
有する有機絶縁膜６６が形成される。該有機絶縁膜６６
には該凸部６６ａに応じた滑らかな凸部６６ｂが生じ
る。前記駆動電極９０部分には、前記有機絶縁膜６６を
形成しないことによって前記コンタクトホール６９が形
成されている。The protrusion 66a may be formed in the region where the contact hole 69 is formed, or after the protrusion 66a is formed on the entire surface of the substrate 65, the region where the contact hole 69 is formed. The convex portion 66a formed above may be removed. An organic insulating film 66 having the same light absorbing property and / or light scattering property as the organic insulating film 42 described in the first embodiment is formed on the entire surface of the substrate 65 so as to cover the convex portions 66a. The organic insulating film 66
A smooth convex portion 66b corresponding to the convex portion 66a is formed on the surface. The contact hole 69 is formed in the drive electrode 90 portion by not forming the organic insulating film 66.
【００６９】前記有機絶縁膜６６上の反射電極６７は、
前記ＭＩＭ６４が形成された領域以外の領域に、アルミ
ニウム、銀等から形成されている。また該反射電極６７
には有機絶縁膜６６の凸部６６ｂに応じた滑らかな凸部
が生じる。さらに前記有機絶縁膜６６上には図示しない
配向膜が形成され、前述した実施例１と同様に、カラー
フィルター、透明電極および配向膜が形成された対向基
板と、液晶層を介して貼り合わせられて反射型液晶表示
装置が完成する。The reflective electrode 67 on the organic insulating film 66 is
The region other than the region where the MIM 64 is formed is formed of aluminum, silver, or the like. In addition, the reflective electrode 67
In this case, a smooth convex portion corresponding to the convex portion 66b of the organic insulating film 66 is formed. Further, an alignment film (not shown) is formed on the organic insulating film 66, and is bonded to the counter substrate on which the color filter, the transparent electrode and the alignment film are formed, through the liquid crystal layer, as in the first embodiment. As a result, a reflective liquid crystal display device is completed.
【００７０】図９は、前記ＭＩＭ６４の製造方法を説明
するための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the MIM64.
【００７１】図９（１）に示されるように基板６５上に
下部電極６１とされるＴａ膜をスパッタ法によって形成
する。形成したＴａ膜上に図９（２）に示されるレジス
ト９１を塗布し、露光して現像し、図９（３）に示され
るように該レジスト９１をパターンニングする。露出し
たＴａ膜をエッチングした後、該レジスト９１を剥離
し、下部電極６１を形成する。As shown in FIG. 9A, a Ta film to be the lower electrode 61 is formed on the substrate 65 by the sputtering method. A resist 91 shown in FIG. 9B is applied on the formed Ta film, exposed and developed, and the resist 91 is patterned as shown in FIG. 9C. After etching the exposed Ta film, the resist 91 is peeled off to form the lower electrode 61.
【００７２】続いて、図９（５）に示されるように絶縁
膜６２を形成する。該絶縁膜６２の形成には、一般に陽
極酸化法が用いられる。前記陽極酸化法とは、適当な電
解液中で金属を陽極とし、陰極との間に電流を流すこと
により、陽極表面に金属酸化物を生成する手法であり、
電解液としては、リン酸、ホウ酸、酒石酸等の弱酸やそ
のアンモニウム塩の稀薄水溶液が用いられる。本実施例
では、Ｔａ膜を陽極酸化法を用いてＴａ2Ｏ5とし、絶縁
膜６２を得ている。Subsequently, an insulating film 62 is formed as shown in FIG. 9 (5). To form the insulating film 62, an anodic oxidation method is generally used. The anodizing method is a method of forming a metal oxide on the surface of the anode by passing an electric current between the metal and the cathode in a suitable electrolytic solution and the cathode,
As the electrolytic solution, a dilute aqueous solution of a weak acid such as phosphoric acid, boric acid, tartaric acid or its ammonium salt is used. In this embodiment, the Ta film is made of Ta2 O5 by using the anodic oxidation method to obtain the insulating film 62.
【００７３】形成された該絶縁膜６２上には、図９
（６）に示されるように上部電極６３が形成される。該
上部電極６３はスパッタ法によって形成し、ホトエッチ
法によりパターンニングされる。On the formed insulating film 62, FIG.
The upper electrode 63 is formed as shown in (6). The upper electrode 63 is formed by the sputtering method and patterned by the photoetching method.
【００７４】このようにして下部電極６１、絶縁膜６
２、上部電極６３から成るＭＩＭ６４が形成される。Thus, the lower electrode 61 and the insulating film 6 are formed.
2. The MIM 64 including the upper electrode 63 is formed.
【００７５】上述したようなＭＩＭ６４では、前述した
ＴＦＴ４０のような光電流が大きい材料を使用しないの
で、該ＭＩＭ６４を遮光する必要はないが、本実施例の
ように該ＭＩＭ６４上に光散乱性を有する絶縁膜を形成
することにより反射強度が増加して輝度の向上を図るこ
とができる。In the MIM64 as described above, it is not necessary to shield the MIM64 from light because a material having a large photocurrent such as the above-mentioned TFT40 is not used. However, unlike the present embodiment, the MIM64 has a light scattering property. By forming the insulating film which is provided, the reflection intensity is increased and luminance can be improved.
【００７６】また、光吸収性を示す有機絶縁膜を利用す
ることにより画素間が明確に分離され、表示が切れのよ
いすっきりとしたものとなり、より望ましいものを得る
ことが可能となる。Further, by using the organic insulating film having a light absorbing property, the pixels are clearly separated from each other, and the display becomes sharp and clean, and a more desirable one can be obtained.
【００７７】本実施例での有機絶縁膜６６としての光吸
収性または光散乱性あるいはその両方の特性を有する感
光性樹脂は感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂
等の光吸収性または光散乱性を有する感光性のある樹脂
なら、どれでも本実施例に適用可能である。The photosensitive resin having a light absorbing property and / or a light scattering property as the organic insulating film 66 in this embodiment is a light absorbing property or a light scattering property such as a photosensitive acrylic resin or a photosensitive polyimide resin. Any photosensitive resin having a can be applied to this embodiment.
【００７８】また、基板としてもガラス等から成る透明
な基板を用いたが、シリコン基板のような不透明な基板
であっても同様な効果が発揮され、この場合には回路を
基板上に集積できる利点がある。Although a transparent substrate made of glass or the like is used as the substrate, the same effect can be obtained even if an opaque substrate such as a silicon substrate is used. In this case, the circuit can be integrated on the substrate. There are advantages.
【００７９】なお、前記実施例において表示モードとし
て相転移型ゲスト・ホストモードを取り挙げたが、これ
に限定されるものではなく、例えば２層式ゲスト・ホス
トのような他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤのよ
うな光散乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤで使用される
複屈折表示モード等の反射型に利用できるものであれ
ば、他の液晶表示モードを利用することも可能である。Although the phase transition type guest-host mode is taken as the display mode in the above-mentioned embodiment, it is not limited to this, and other light absorption modes such as a two-layer type guest-host, Other liquid crystal display modes can be used as long as they can be used for a light scattering type display mode such as a polymer dispersed LCD and a reflection type such as a birefringence display mode used for a ferroelectric LCD. is there.
【００８０】また、スイッチング素子としてＴＦＴ，Ｍ
ＩＭ素子を用いた場合について説明したが、他の例えば
ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス
基板にも適用することができ、本発明に係わる反射型ア
クティブマトリクス基板およびそのパネル構成法を適用
することが可能である。Further, TFTs, M are used as switching elements.
Although the case where the IM element is used has been described, the present invention can be applied to other active matrix substrates using, for example, a diode, a varistor, etc., and the reflection type active matrix substrate and the panel construction method thereof according to the present invention can be applied. Is possible.
【００８１】[0081]
【発明の効果】以上にように本発明によれば、絵素領域
内の絶縁膜上の予め定められる領域には反射板である絵
素電極が形成され、それ以外の領域には絶縁膜が全面に
あり、該絶縁膜が光吸収性または光散乱性あるいはその
両方の特性をもっているために、スイッチング素子部に
は光が入射せず、光によって前記スイッチング素子が正
常に機能しなくなるということはなくなる。As described above, according to the present invention, a pixel electrode, which is a reflector, is formed in a predetermined region on the insulating film in the pixel region, and the insulating film is formed in the other regions. Since the insulating film is present on the entire surface and the insulating film has a light absorbing property and / or a light scattering property, light does not enter the switching element portion, and the switching element does not function normally due to light. Disappear.
【００８２】また本発明によれば、前記絶縁膜が光散乱
性を有している場合、他方基板側からの入射光が絵素電
極と絶縁膜とで散乱するので、反射強度が増加して輝度
が向上する。Further, according to the present invention, when the insulating film has a light-scattering property, the incident light from the other substrate side is scattered by the pixel electrode and the insulating film, so that the reflection intensity is increased. The brightness is improved.
【００８３】また、絶縁膜の表面には滑らかな凹凸が形
成されているので、反射板である絵素電極と光散乱性を
有する絶縁膜との表面にも、前記凹凸に応じた凹凸が形
成される。したがって、反射光強度が向上して輝度がさ
らに向上する。Further, since smooth unevenness is formed on the surface of the insulating film, unevenness corresponding to the unevenness is also formed on the surface of the picture element electrode which is the reflection plate and the insulating film having the light scattering property. To be done. Therefore, the intensity of reflected light is improved and the brightness is further improved.
【００８４】さらに本発明によれば、他方基板にブラッ
クマスクが不要であるために、貼り合わせ時の位置合わ
せ精度に関係なく光を遮光することができ、所望の表示
領域を得ることが可能となっている。Further, according to the present invention, since the black mask is not required on the other substrate, light can be shielded regardless of the alignment accuracy at the time of bonding, and a desired display area can be obtained. Has become.
【図１】図１は、本発明の１実施例である反射型液晶表
示装置の構成図を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration diagram of a reflective liquid crystal display device which is an embodiment of the present invention.
【図２】図２は、図１に示される基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the substrate shown in FIG.
【図３】図３は、凸部を有する反射電極を形成する工程
図である。FIG. 3 is a process drawing of forming a reflective electrode having a convex portion.
【図４】図４は、図３に示す工程を具体的に説明する基
板の断面図である。4 is a cross-sectional view of a substrate for specifically explaining the process shown in FIG.
【図５】図５は、図３に示す工程で用いるマスクの平面
図である。5 is a plan view of a mask used in the step shown in FIG.
【図６】図６は、本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置の構成図を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a configuration diagram of a reflective liquid crystal display device which is an embodiment of the present invention.
【図７】図７は、本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置の構成図を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a configuration diagram of a reflective liquid crystal display device which is an embodiment of the present invention.
【図８】図８は、本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置のＭＩＭが形成された基板の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a substrate on which a MIM of a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention is formed.
【図９】図９は、図８に示すＭＩＭの製造工程を具体的
に説明する基板の断面図である。9 is a cross-sectional view of a substrate for specifically explaining the manufacturing process of the MIM shown in FIG.
【図１０】図１０は、薄膜トランジスタを有する従来の
基板を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a conventional substrate having a thin film transistor.
【図１１】図１１は、図１０に示される基板の断面図で
ある。11 is a cross-sectional view of the substrate shown in FIG.
１，４０ ＴＦＴ ２，３１，４６，６５ 基板 ３，３２ ゲートバス配線 ４，３３ ゲート電極 ５，３４，６２ ゲート絶縁膜 ６，３５ 半導体層 ７，３６ ソース電極 ８，３７ ドレイン電極 ９，３８，６７ 反射電極 ９ａ 間隔 １０，３９ ソースバス配線 ３０ 反射型液晶表示装置 ４１ コンタクト電極 ４２，４２ａ，４２ｂ，６６，６６ａ，６６ｂ，７０，
７１，７２，９１有機絶縁膜 ４３，６９ コンタクトホール ４４，４９ 配向膜 ４７，４７ａ カラ−フィルタ− ４８ 透明電極 ５０ 液晶 ５１ マスク ５１ａ，５１ｂ 遮光領域 ６１ 下部電極 ６３，６３ａ 上部電極 ６４ ＭＩＭ ９０ 駆動電極 Ｘ１ 切断面線1,40 TFT 2,31,46,65 Substrate 3,32 Gate bus wiring 4,33 Gate electrode 5,34,62 Gate insulating film 6,35 Semiconductor layer 7,36 Source electrode 8,37 Drain electrode 9,38, 67 Reflective Electrode 9a Interval 10, 39 Source Bus Wiring 30 Reflective Liquid Crystal Display Device 41 Contact Electrode 42, 42a, 42b, 66, 66a, 66b, 70,
71, 72, 91 Organic insulating film 43, 69 Contact hole 44, 49 Alignment film 47, 47a Color filter 48 Transparent electrode 50 Liquid crystal 51 Mask 51a, 51b Light-shielding area 61 Lower electrode 63, 63a Upper electrode 64 MIM 90 Drive electrode X1 cutting plane line
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