【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法、特には誘電体膜として屈折率がｎ＝ 2.2〜3.3 であ
る非晶質SiNx膜をもつ光磁気記録媒体の製造方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magneto-optical recording medium, and more particularly to a method for manufacturing a magneto-optical recording medium having an amorphous SiNx film having a refractive index of n = 2.2 to 3.3 as a dielectric film. It is a thing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報化社会の進展に伴って、高密
度、大容量の記録媒体が要求されているが、なかでも光
磁気ディスクは情報の書き換えができ、かつ、媒体を交
換することができるために注目され、研究開発が続けら
れている。光磁気記録材料にはTbFeCo系に代表される希
土類元素と鉄属元素との合金が広く用いられているが、
この材料は大気中の酸素や水分により容易に腐食されて
しまうために、上記記録材料にはその耐蝕性を改善する
ための保護層を設ける必要がある。さらに光磁気ディス
クの膜構造はディスク基板上に無機化合物の保護膜、光
磁気記録膜、無機化合物の保護膜、金属の反射膜を順次
積層した４層構造とすることがディスク特性的にすぐれ
たものとなるとされている。2. Description of the Related Art In recent years, with the progress of information-oriented society, high-density and large-capacity recording media are required. Among them, magneto-optical disks are capable of rewriting information and exchanging media. Because of the ability to do so, research and development continues. Although alloys of rare earth elements represented by TbFeCo and iron group elements are widely used for magneto-optical recording materials,
Since this material is easily corroded by oxygen and moisture in the atmosphere, it is necessary to provide the recording material with a protective layer for improving its corrosion resistance. Further, the film structure of the magneto-optical disk is a four-layer structure in which an inorganic compound protective film, a magneto-optical recording film, an inorganic compound protective film, and a metal reflective film are sequentially laminated on the disk substrate, which is excellent in terms of disk characteristics. It is supposed to be something.
【０００３】また、この無機化合物の保護膜には記録媒
体の物理的保護に加えて、多重干渉を利用した磁気光学
効果の増幅作用（カー回転角エンハンスメント）も要求
されていることから、この保護膜には１）膜が緻密であ
る、２）光学的に適当な屈折率を有している、３）記録
膜と反応しない、４）ピンホールが少ないなどのことが
要求される。また、耐熱、構造材料として知られている
窒化けい素はその緻密性から薄膜として応用されてお
り、薄膜としての窒化けい素である非晶質SiNx膜は、上
記の保護膜としての要求特性を満たしており、光磁気デ
ィスク用保護膜として広く用いられている。In addition to the physical protection of the recording medium, the protective film of this inorganic compound is required to have a function of amplifying the magneto-optical effect (Kerr rotation angle enhancement) by utilizing multiple interference. The film is required to be 1) dense, 2) have an optically appropriate refractive index, 3) do not react with the recording film, and 4) have few pinholes. Silicon nitride, which is known as a heat-resistant and structural material, has been applied as a thin film due to its denseness, and the amorphous SiNx film, which is silicon nitride as a thin film, has the required characteristics as the protective film described above. And is widely used as a protective film for a magneto-optical disk.
【０００４】なお、この非晶質SiNx膜（以下SiNx膜とす
る）の成膜方法については、ＣＶＤ法、スパッタリング
法、反応性スパッタリング法などが知られているが、こ
れには大面積に均一な膜が比較的容易に低温で得られる
スパッタリング法が広く用いられている。このスパッタ
リング法によりSiNx膜を成膜する場合、１）けい素ター
ゲットをアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガスでスパッ
タリングする方法、２）Si3N4 ターゲットをアルゴンガ
スでスパッタリングする方法が知られている。As a method for forming this amorphous SiNx film (hereinafter referred to as SiNx film), there are known a CVD method, a sputtering method, a reactive sputtering method, etc., which have a large area. A sputtering method is widely used in which a uniform film can be obtained relatively easily at low temperature. When forming a SiNx film by this sputtering method, 1) a method of sputtering a silicon target with a mixed gas of argon gas and nitrogen gas, 2) a method of sputtering a Si3 N4 target with an argon gas are known. ing.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のSiNx膜の成膜方
法において、１）けい素ターゲットをアルゴンガスと窒
素ガスとの混合ガスでスパッタリングする方法では、図
２に示したように窒素ガスの添加量を変えることによっ
てSiNx膜の屈折率を制御することができる。また、図３
に示したようにSiNx膜の屈折率がｎ＝2.2(633nm)以上で
あればSiNx膜の単位面積当りの孔食の数を15以下に抑え
ることができるので、SiNxの屈折率はｎ＝2.2 以上とす
ることが望ましい。さらに屈折率がｎ＝3.3 以上になる
と、SiNx膜すなわち光磁気記録媒体の第一および第二の
誘電体膜の透過率が減少するために、レーザーによる書
き込みの際にレーザー光が誘電体を通して磁性膜に十分
到達しないため、光磁気記録媒体の記録感度が低くなっ
てしまうという欠点がある。In the method of forming a SiNx film described above, 1) in the method of sputtering a silicon target with a mixed gas of argon gas and nitrogen gas, as shown in FIG. The refractive index of the SiNx film can be controlled by changing the addition amount of. Also, FIG.
Since the number of refractive index n = 2.2 (633nm) above value, if pitting per unit area of the SiNx film of the SiNx film can be suppressed to 15 or less as shown in, the refractive index of SiNx is It is desirable that n = 2.2 or more. Further, when the refractive index becomes n = 3.3 or more, the transmittance of the SiNx film, that is, the first and second dielectric films of the magneto-optical recording medium decreases, so that the laser light passes through the dielectric during writing by the laser. Since it does not reach the magnetic film sufficiently, there is a drawback that the recording sensitivity of the magneto-optical recording medium becomes low.
【０００６】したがって、第一および第二の誘電体膜が
SiNx膜で構成される光磁気記録媒体においては、SiNx膜
の屈折率がｎ＝ 2.2〜3.3 の範囲であることが望まし
い。ところが、屈折率がｎ＝ 2.2〜3.3 のSiNx膜を得よ
うとした場合、図２に示したようにスパッタリングガス
中の窒素添加量のわずかな変動で屈折率が変化してしま
い、安定して一定の屈折率のSiNx膜を得ることが困難と
なり、けい素ターゲットをアルゴンガスと窒素ガスの混
合ガスでスパッタリングする方法では、成膜条件の多少
の変動に対しても安定した屈折率のSiNx膜が得られるの
はｎ＝2.0 付近に限られてしまう。さらにスパッタリン
グ装置のガス供給はアルゴンガスと窒素ガスの２種類の
ガスを供給しなければならず、成膜装置が複雑かつ高価
なものになるという欠点がある。Therefore, the first and second dielectric films are
In configured magneto-optical recording medium in the SiNx film, it is desirable refractive index of the SiNx film is in a range of n = from 2.2 to 3.3. However, when trying to obtain a SiNx film with a refractive index of n = 2.2 to 3.3, the refractive index changes due to a slight change in the amount of nitrogen added in the sputtering gas, as shown in FIG. It becomes difficult to obtain a SiNx film with a constant refractive index, and the method of sputtering a silicon target with a mixed gas of argon gas and nitrogen gas has a stable refractive index even if the film forming conditions are slightly changed. The SiNx film can be obtained only near n = 2.0. Further, the gas supply of the sputtering apparatus has to supply two kinds of gases, that is, argon gas and nitrogen gas, which has a drawback that the film forming apparatus becomes complicated and expensive.
【０００７】つぎに、２）Si3N4 ターゲットをアルゴン
ガスでスパッタリングする方法においては、スパッタガ
スがアルゴンガスのみなので１）の成膜法のようなガス
組成の変動による屈折率の変動はなく、安定して一定の
屈折率をもつSiNx膜が得られ、成膜装置も簡単なものと
なる。しかし、Si3N4 ターゲットは絶縁体なのでスパッ
タリング法で成膜する場合には高周波スパッタリングに
よらなければならないことがわかっている。この高周波
スパッタリング法は直流スパッタリング法に比べて成膜
速度が遅く、かつ電源装置が高価になるという欠点があ
るため、SiNx膜の生産性が直流スパッタリングに比べて
劣っている。すなわち、屈折率がｎ＝ 2.2〜3.3 のSiNx
膜を得ようとしても、１）の方法では屈折率の安定した
ものが得られず、２）の方法ではSiNx膜の作製の際に十
分な生産性が得られないという問題点がある。Next, 2) in the method of sputtering a Si3 N4 target with argon gas, since the sputtering gas is only argon gas, there is no change in the refractive index due to the change in gas composition as in the film forming method in 1). A stable SiNx film having a constant refractive index can be obtained, and the film forming apparatus can be simplified. However, since the Si3 N4 target is an insulator, it is known that high frequency sputtering must be used when forming a film by the sputtering method. The high-frequency sputtering method has a disadvantage that the film formation rate is slower than that of the direct-current sputtering method and the power supply device is expensive, and therefore the productivity of the SiNx film is inferior to that of the direct-current sputtering method. That is, SiNx with a refractive index of n = 2.2 to 3.3
Even if an attempt is made to obtain a film, there is a problem that a stable refractive index cannot be obtained by the method 1) and sufficient productivity cannot be obtained when the SiNx film is produced by the method 2).
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関す
るものであり、これは透明基板上に第一の誘電体膜、磁
性膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で構成され、第一お
よび第二の誘電体膜がSiNx膜で構成される光磁気記録媒
体の製造方法において、SiNx膜をスパッタリング法によ
って成膜する際に、窒化けい素にけい素を混合したスパ
ッタリング用ターゲットを使用することを特徴とするも
のである。The present invention relates to a method of manufacturing a magneto-optical recording medium which solves the above disadvantages and problems, and it relates to a first dielectric film, a magnetic film, the second dielectric film is composed in the order of the reflection film, in the manufacturing method of the first and second dielectric film is formed magneto-optical recording medium in the SiNx film, deposited the SiNx film by sputtering In this case, a sputtering target in which silicon nitride is mixed with silicon is used.
【０００９】すなわち、本発明者らは屈折率がｎ＝ 2.2
〜3.3 で、かつSiNx膜を再現性、生産性のすぐれた成膜
法で成膜すべく開発を進めた結果、スパッタリング法に
よるSiNx膜の成膜において、このスパッタリング用ター
ゲットをSi3N4 に抵抗率が室温において 100Ω・cm以下
であるけい素を添加したものとすると、屈折率がｎ＝2.
2〜3.3 のSiNx膜が再現性よく得られることを見出すと
共に、直流スパッタリング法でSiNx膜が作成可能なの
で、高周波スパッタリング法に比べて成膜速度が速く、
かつ電源が簡素化でき、成膜装置が安価に作製できる、
すなわち生産性の高い方法であることを確認して本発明
を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。That is, the present inventors have a refractive index of n = 2.2.
In 3.3, and reproducibly the SiNx film, a result of our developed to film production of good film-forming method, the deposition of the SiNx film by sputtering, the sputtering target Si3 NIf 4 is added with silicon whose resistivity is 100 Ω · cm or less at room temperature, the refractive index is n = 2.
It was found that a SiNx film of 2 to 3.3 can be obtained with good reproducibility, and since the SiNx film can be created by the DC sputtering method, the film formation rate is faster than the high frequency sputtering method.
Moreover, the power supply can be simplified, and the film forming apparatus can be manufactured at low cost.
That is, the present invention has been completed by confirming that the method has high productivity. This will be described in more detail below.
【００１０】[0010]
【作用】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するも
のであり、これは透明基板上に第一の誘電体膜、磁性
膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で構成され、第一及び
第二の誘電体膜がSiNx膜で構成される光磁気記録媒体の
製造方法において、SiNx膜をスパッタリング法によって
成膜する際、Si3N4 に抵抗率が室温において 100Ω・cm
以下であるけい素を添加したスパッタリング用ターゲッ
トを使用することを特徴とするものであるが、これによ
ればSi3N4 にけい素を混合したものをスパッタリング用
ターゲットとして使用するので、直流スパッタリング法
によるSiNx膜の作成が可能となり、高周波スパッタリン
グ法に比べて、１）成膜速度が速い、２）電源を簡素化
でき、成膜装置が安価に作製できるという有利性が与え
られる。The present invention relates to a method of manufacturing a magneto-optical recording medium, which comprises a transparent substrate on which a first dielectric film, a magnetic film, a second dielectric film and a reflective film are formed in this order. in the method of the first and second dielectric film is formed magneto-optical recording medium in the SiNx film, when deposited by sputtering the SiNx film, Si3 N4 100Ω · resistivity at room temperature cm
The following is characterized by using a sputtering target added with silicon, according to which, since a mixture of Si3 N4 and silicon is used as a sputtering target, DC sputtering The SiNx film can be formed by the method, and compared with the high frequency sputtering method, 1) the film forming speed is faster, 2) the power source can be simplified, and the film forming apparatus can be manufactured at low cost.
【００１１】本発明は第一および第二の誘電体膜がSiNx
膜で構成される光磁気記録媒体において、このSiNx膜を
スパッタリング法で成膜するときのスパッタリング用タ
ーゲットに関するものであるが、このスパッタリング用
ターゲットは直流スパッタリング法でこのターゲットを
用いて成膜したSiNx膜の屈折率をｎ＝ 2.2〜3.3 とする
ことから、Si3N4 に抵抗率が室温において 100Ω・cm以
下であるけい素を添加したものを使用するものとされ
る。In the present invention, the first and second dielectric films are SiNx.
Regarding a magneto-optical recording medium composed of a film, the present invention relates to a sputtering target when the SiNx film is formed by the sputtering method. The sputtering target is formed by using the target by the DC sputtering method. Since the refractive index of the SiNx film is set to n = 2.2 to 3.3, Si3 N4 to which silicon having a resistivity of 100 Ω · cm or less at room temperature is added is used.
【００１２】すなわち、本発明で第一および第二の誘電
体膜を直流スパッタリング法で成膜させるスパッタリン
グ用ターゲットはSi3N4 に抵抗率が室温において 100Ω
・cm以下であるけい素を添加したものとされるのである
が、このSi3N4 に含まれるけい素の量は重量比で５％〜
50％とすればよい。これは、スパッタリング用ターゲッ
トをSi3N4 に抵抗率が室温において 100Ω・cm以下であ
るけい素を添加したものとし、これを用いて0.67Ｐａに
保持した室内で、高周波または直流スパッタリング法で
SiNx膜を作製する際の成膜速度を調べたところ図１に示
す様な結果が得られた。これより、けい素の添加量が30
％〜40％に於ては、１）Ｓｉの添加量が比較的多いので
直流スパッタリングに必要な低い抵抗率が得られ、２）
成膜速度が速く十分な生産性が得られることより、けい
素の添加量は30％〜40％のものとすることが好ましいも
のであることがわかった。That is, in the present invention, the sputtering target for forming the first and second dielectric films by the DC sputtering method is Si3 N4 having a resistivity of 100Ω at room temperature.
-Since it is said that silicon of less than cm is added, the amount of silicon contained in Si3 N4 is 5% by weight or more.
It should be 50%. This is a sputtering target with Si3 N4 to which silicon with a resistivity of 100 Ω · cm or less at room temperature is added, and this is used for high frequency or DC sputtering in a room kept at 0.67 Pa.
When the film formation rate at the time of producing the SiNx film was examined, the results shown in FIG. 1 were obtained. From this, the amount of silicon added is 30
% To 40%, 1) the amount of Si added is relatively large, so the low resistivity required for DC sputtering can be obtained. 2)
It was found that it is preferable to add silicon in an amount of 30% to 40% because the film forming rate is high and sufficient productivity can be obtained.
【００１３】また、透明基板上に第一の誘電体膜、磁性
膜、第二の誘電体膜、反射膜の順で構成される光磁気記
録媒体の第一及び第二の誘電体膜であるSiNx膜の屈折率
は、前述したように、孔食の数が少なく、光磁気記録媒
体の記録感度が実用上十分な値が得られる、屈折率ｎ＝
2.2〜3.3 の範囲にあることが望ましい。更に、SiNx膜
の膜厚は、５nm以下では磁性膜の保護膜としての役目を
果たすことができず、40nm以上であると十分な透過率が
得られないので記録感度の悪い光磁気記録媒体しか得ら
れない。以上のことよりSiNx膜の膜厚は５nm〜40nmの範
囲とすることが望ましい。A first dielectric film, a magnetic film, a second dielectric film, and a reflective film are formed in this order on a transparent substrate to form first and second dielectric films of a magneto-optical recording medium. As described above, the SiNx film has a small number of pitting corrosion, and a practically sufficient recording sensitivity of the magneto-optical recording medium can be obtained.
It is desirable to be in the range of 2.2 to 3.3. Further,if the thickness of the SiNx film is 5 nm or less, it cannot serve as a protective film for the magnetic film, and if it is 40 nm or more, a sufficient transmittance cannot be obtained, so that the magneto-optical recording medium with poor recording sensitivity. I can only get it. From the above, it is desirable that the film thickness of the SiNx film be in the range of 5 nm to 40 nm.
【００１４】さらに、抵抗率が室温において 100Ω・cm
以下であるけい素は、けい素にＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｌｉ、Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉのいずれかの元素を意識的
に添加することによって得られるものである。Furthermore, the resistivity is 100 Ω · cm at room temperature.
The following silicon is silicon, B, Al, Ga, In,
It is obtained by intentionally adding any element of Li, Sb, P, As, and Bi.
【００１５】[0015]
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例、比較例 Si3N4 に、ボロンを添加して抵抗率を 0.001〜0.01Ω・
cmとしたけい素を重量比でａ）20％、ｂ）30％、ｃ）40
％添加したもの、また、ｄ）けい素を添加しないものか
ら、直径３”φ、厚さ４mmのSi3N4-けい素混合スパッタ
リング用ターゲットを作製した。そして、ａ）〜ｄ）の
抵抗率を４端子法で測定したところ以下のような結果を
得た。 ａ）Ｓｉ：20％→100.0 〜 150.0Ω・cm ｂ）Ｓｉ：30％→ 10.0 〜 15.0Ω・cm ｃ）Ｓｉ：40％→ 0.3 〜 0.4Ω・cm ｄ）Ｓｉ： 0％→測定不可EXAMPLES Next, examples and comparative examples of the present invention will be described. Examples and Comparative Examples Si3 N4 with boron added to have a resistivity of 0.001 to 0.01Ω
cm) silicon weight ratio a) 20%, b) 30%, c) 40
%, And d) no silicon was added to prepare a target for Si3 N4 -silicon mixed sputtering having a diameter of 3 ″ φ and a thickness of 4 mm. And the resistance of a) to d). The following results were obtained when the rate was measured by the 4-terminal method: a) Si: 20% → 100.0 to 150.0 Ω · cm b) Si: 30% → 10.0 to 15.0 Ω · cm c) Si: 40% → 0.3 to 0.4Ω ・ cm d) Si: 0% → Not measurable
【００１６】次に、この４種類のスパッタリング用ター
ゲットを使用し、それぞれ、パワー100Ｗ、 200Ｗ、 30
0Ｗ；成膜圧力0.67Ｐａという条件でコーニング社製＃7
059ガラス基板上に高周波スパッタリング法にて成膜を
行なった。そして触針法にて膜厚を測定し、ａ）〜ｄ）
のターゲットの成膜速度を得た。またｂ）、ｃ）のター
ゲットを用いて直流スパッタリング法にて、パワー 100
Ｗ、 200Ｗ、 300Ｗ；成膜圧力0.67Ｐａという条件で同
様に成膜速度を求めた。各種条件での成膜速度を図１に
示す。また、ａ）〜ｄ）のターゲットから得られたSiNx
膜の屈折率（及び膜厚）は次のようになった。 ａ）Ｓｉ：20％→ｎ＝ 2.200（633nm 、膜厚39nm） ｂ）Ｓｉ：30％→ｎ＝ 2.675（633nm 、膜厚31nm） ｃ）Ｓｉ：40％→ｎ＝ 2.763（633nm 、膜厚30nm） ｄ）Ｓｉ： 0％→ｎ＝ 2.289（633nm 、膜厚37nm）Next, using these four types of sputtering targets, powers of 100 W, 200 W, and 30 W, respectively.
0W; Corning # 7 under film forming pressure of 0.67Pa
A film was formed on a glass substrate by a high frequency sputtering method. Then, the film thickness is measured by a stylus method, and a) to d)
The target film formation rate was obtained. In addition, a power of 100 was obtained by the DC sputtering method using the targets of b) and c).
W, 200 W, 300 W; film forming rate was similarly obtained under the condition of film forming pressure of 0.67 Pa. The film forming rates under various conditions are shown in FIG. In addition, SiNx obtained from the targets a) to d)
The refractive index (and film thickness) of the film was as follows. a) Si: 20% → n = 2.200 (633 nm, film thickness 39 nm) b) Si: 30% → n = 2.675 (633 nm, film thickness 31 nm) c) Si: 40% → n = 2.763 (633 nm, film thickness 30 nm) ) D) Si: 0% → n = 2.289 (633 nm, film thickness 37 nm)
【００１７】さらに、本発明の実施例である光磁気記録
媒体として、直径3.5"のポリカーボネート基板上に、第
一の誘電体膜としてSiNx膜、この上に厚さ13nmのTbFeCo
磁性膜と、第２の誘電体膜としてのSiNx膜、さらに厚さ
60nmのアルミニウム反射膜を順次スパッタリング法で形
成して、光磁気記録媒体を作製した。なお、第一及び第
二の誘電体膜は、前述したｃ):Si3N4 に、ボロンを添加
して抵抗率を 0.001〜0.01Ω・cmとしたけい素を重量比
で40％添加したものをターゲットとして用い、直流スパ
ッタリング法にて成膜を行なった。ここに、第一の誘電
体の膜厚は19nm、第二の誘電体の膜厚は、19nmである。
また、比較例である光磁気記録媒体として、前述した光
磁気記録媒体の第一及び第二の誘電体膜をＳｉターゲッ
トで Ar:N2＝1:1 の混合ガスをもちいてスパッタリング
法により成膜したものを用意した。ここに、第一の誘電
体の膜厚は32nm、第二の誘電体の膜厚は、32nmである。
次にこのようにして得られた２つの光磁気記録媒体につ
いて、記録における最適記録パワーとＣ／Ｎ値を測定し
たところ次のような結果が得られた。測定条件 波長 780nm 回転数 1800rpm Duty 33.0％ 周波数 3.70ＭＨｚ 測定位置 ｒ＝24mmFurther, as a magneto-optical recording medium according to an embodiment of the present invention, a SiNx film was formed as a first dielectric film on a polycarbonate substrate having a diameter of 3.5 ", and a TbFeCo film having a thickness of 13 nm was formed thereon.
Magnetic film, SiNx film as second dielectric film, and thickness
A 60 nm aluminum reflective film was sequentially formed by a sputtering method to manufacture a magneto-optical recording medium. For the first and second dielectric films, 40% by weight of silicon was added to the above-mentioned c): Si3 N4 with boron added to have a resistivity of 0.001 to 0.01 Ω · cm. The target was used as a target to form a film by the DC sputtering method. Here, the film thickness of the first dielectric is 19 nm, and the film thickness of the second dielectric is 19 nm.
Further, as a magneto-optical recording medium as a comparative example, the first and second dielectric films of the above-mentioned magneto-optical recording medium were formed by a sputtering method using a Si target and a mixed gas of Ar: N2 = 1: 1. The film was prepared. Here, the film thickness of the first dielectric is 32 nm, and the film thickness of the second dielectric is 32 nm.
Next, the optimum recording power and C / N value in recording were measured for the two magneto-optical recording media thus obtained, and the following results were obtained. Measurement conditions Wavelength 780nm Rotation speed 1800rpm Duty 33.0% Frequency 3.70MHz Measurement position r = 24mm
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明は、光磁気記録媒体の製造方法に
関するものであり、これは前記したように透明基板上に
第一の誘電体膜、磁性膜、第二の誘電体膜、反射膜の順
で構成され、第一及び第二の誘電体膜がSiNx膜で構成さ
れる光磁気記録媒体の製造方法において、スパッタリン
グ法によってSiNx膜の成膜する際、Si3N4 に抵抗率が室
温において 100Ω・cm以下であるけい素を添加したター
ゲットを用いて、直流スパッタリング法でSiNx膜を成膜
するものであるが、これによれば屈折率ｎ＝ 2.2〜3.3
のSiNx膜を、１）成膜速度が速く、２）成膜装置が安価
に作製できるという生産性にすぐれた方法で光磁気記録
媒体を製造することができるという有利性が与えられ
る。The present invention relates to a method of manufacturing a magneto-optical recording medium, which has a first dielectric film, a magnetic film, a second dielectric film and a reflective film on a transparent substrate as described above. consists in the forward, in the manufacturing method of the first and second dielectric film is formed magneto-optical recording medium in the SiNx film, when forming the the SiNx film by sputtering, resistance to Si3 N4 A SiNx film is formed by a direct current sputtering method using a target to which silicon is added whose refractive index is 100 Ω · cm or less at room temperature. According to this method, the refractive index n = 2.2 to 3.3.
Of the SiNx film, 1) the deposition rate is high, 2) advantage that the film forming apparatus can be manufactured magneto-optical recording medium with excellent method in productivity that low cost can be produced is provided.
【図１】本発明の実施例のａ）、ｂ）、ｃ）、ｄ）で得
られたSiNx膜の成膜速度と成膜パワーの関係を示したも
のである。FIG. 1 shows the relationship between the film forming speed and the film forming power of the SiNx film obtained in a), b), c), and d) of the example of the present invention.
【図２】けい素ターゲットを用いてSiNx膜を成膜すると
きのＡｒガスとＮ2 ガスの混合比と得られた膜の屈折率
との関係を示したものである。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the mixing ratio of Ar gas and N2 gas when forming a SiNx film using a silicon target and the refractive index of the obtained film.
【図３】ガラス基板上にTbFeCo膜（100 nm）、SiNx膜
（30nm）を順次成膜したサンプルを１Ｎ塩水に一分間浸
した後のSiNx膜の孔食の数と屈折率の関係を示すもので
ある。[Fig. 3] Relationship between the number of pitting corrosion and the refractive index of a SiNx film after immersing a sample in which a TbFeCo film (100 nm) and a SiNx film (30 nm) were sequentially formed on a glass substrate for 1 minute in 1N salt water Is shown.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 俵 好夫 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshio Tawara 3-2-1 Sakado, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Corporate Research Center
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21563493AJPH06274954A (en) | 1993-01-25 | 1993-08-31 | Production of magneto-optical recording medium |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6956980B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-10-18 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide type optical modulator and production method therefor |
| WO2002023261A1 (en)* | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide type optical modulator and production method therefor |
| US7572517B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-08-11 | Target Technology Company, Llc | Reflective or semi-reflective metal alloy coatings |
| US7018696B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7645500B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP2011198920A (en)* | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Sharp Corp | Conductive silicon nitride film, conductive silicon nitride film laminated body, method of manufacturing them, and photoelectric conversion device |
| JP2014055111A (en)* | 2013-12-11 | 2014-03-27 | Sharp Corp | Conductive silicon nitride film, conductive silicon nitride film laminate and photoelectric conversion device |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06274954A (en) | Production of magneto-optical recording medium | |
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