JPH06207169A - Organic electroluminescence element - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

(57)【要約】【目的】 高輝度，高発光効率及び長寿命化を達成した
有機エレクトロルミネッセンス素子の開発。【構成】 一般式（Ｉ）【化１】（式中の記号は明細書に記載の通りである。）で表され
るキノキサリン化合物を含有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。(57) [Summary] [Purpose] Development of an organic electroluminescence device that achieves high brightness, high luminous efficiency, and long life. [Structure] General formula (I) (The symbols in the formula are as described in the specification.) An organic electroluminescent device containing a quinoxaline compound represented by the formula.

Description

Translated fromJapanese

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子に関し、詳しくは、キノキサリン化合物を
有機エレクトロルミネッセンス素子の構成成分として用
いることにより、高輝度，高発光効率及び長寿命化を達
成した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device, and more particularly, to an organic electroluminescence device which achieves high brightness, high luminous efficiency and long life by using a quinoxaline compound as a constituent component of the organic electroluminescence device. It relates to a luminescence element.

【０００２】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素
子と記す。）に電子注入層を設けて発光効率を高める試
みがなされてきた。この場合、エキサイプレックスの形
成が見られたり、高輝度の発光は得られるものの発光寿
命が短いという欠点があった。また、長時間の通電によ
り金属電極と有機層の剥離が発生したり、有機層と電極
が結晶化し白濁化し発光輝度が低下するため、このよう
な現象を防ぐ必要があった。キノキサリン化合物を有機
ＥＬ素子の構成成分として用いた例として、米国特許第
５０７７１４２号（１９９１年）で開示された２，３−
ジフェニルキノキサリンがある。しかし、融点が１２４
〜１２５℃と低いため、有機ＥＬ素子のアモルファス薄
膜層として用いても結晶化がすぐ起こり、殆ど発光しな
いという問題があった。そこで、本発明者らは、上記問
題を解決すべく鋭意研究を重ねた。2. Description of the Related Art Conventionally, the problems to be solved by the invention
Attempts have been made to improve the luminous efficiency by providing an electron injection layer in an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element). In this case, there are drawbacks such as formation of exciplex and high-luminance emission, but short emission life. Further, it is necessary to prevent such a phenomenon because peeling between the metal electrode and the organic layer occurs due to energization for a long time, or the organic layer and the electrode are crystallized and become cloudy to reduce the emission luminance. As an example of using a quinoxaline compound as a constituent component of an organic EL device, 2,3-disclosed in US Pat. No. 5,077,142 (1991).
There is diphenylquinoxaline. However, the melting point is 124
Since it is as low as 125 ° C., crystallization occurs immediately even when it is used as an amorphous thin film layer of an organic EL element, and there is a problem that it hardly emits light. Therefore, the present inventors have conducted extensive research to solve the above problems.

【０００３】[0003]

【課題を解決するための手段】その結果、特定のキノキ
サリン化合物を有機ＥＬ素子の構成成分として用いるこ
とにより、上記問題点を解決できることを見出した。本
発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。As a result, it has been found that the above problems can be solved by using a specific quinoxaline compound as a constituent component of an organic EL device. The present invention has been completed based on such findings.

【０００４】すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）That is, the present invention has the general formula (I)

【０００５】[0005]

【化３】[Chemical 3]

【０００６】（式中、Ｚは単結合，−Ｏ−，−ＳＯ
₂−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−ＣＯ−，−ＮＨ−，
−Ｎ＝Ｎ−，(In the formula, Z is a single bond, -O-, -SO.
_2- , -S-, -CH = CH-, -CO-, -NH-,
-N = N-,

【０００７】[0007]

【化４】[Chemical 4]

【０００８】を示し、ＸおよびＹはそれぞれ水素，炭素
数１〜６のアルキル基，置換または無置換の炭素数６〜
１８のアリール基、あるいは置換または無置換の炭素数
３〜１２の複素環残基を示す。上記置換基は、ニトロ
基、アミノ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、メ
チルチオ基、エチルチオ基、ハロゲン、炭素数１〜６の
アルコキシ基、炭素数１〜６のアルコキシカルボニル
基、炭素数１〜８のジアルキルアミノ基、炭素数２〜１
２のジアルキレンオキシ基、炭素数１〜６のアルキレン
ジオキシ基、炭素数１〜６のアルキレンオキシ基あるい
は炭素数１〜６のアルキル基である。また、ｎは１〜３
の整数を示す。）で表されるキノキサリン化合物を含有
する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するもの
である。X and Y are hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted 6 to 6 carbon atoms.
18 aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic residue having 3 to 12 carbon atoms is shown. The substituents are nitro group, amino group, cyano group, hydroxyl group, carboxyl group, methylthio group, ethylthio group, halogen, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 1 to carbon atoms. 8 dialkylamino groups, 2 to 1 carbon atoms
A dialkyleneoxy group having 2 carbon atoms, an alkylenedioxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyleneoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Also, n is 1 to 3
Indicates an integer. The present invention provides an organic electroluminescent device containing the quinoxaline compound represented by the formula (1).

【０００９】本発明は、上記一般式（Ｉ）で表されるキ
ノキサリン化合物を含有した有機ＥＬ素子である。ここ
で、一般式（Ｉ）のＸおよびＹとしては、水素、メチル
基，エチル基，プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチ
ル基，イソブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｓｅｃ−ブ
チル基，イソペンチル基，ｔｅｒｔ−ペンチル基，ネオ
ペンチル基，ヘキシル基，イソヘキシル基，シクロヘキ
シル基などの炭素数１〜６のアルキル基、置換または無
置換のフェニル基，ビフェニル基，ナフチル基，アント
リル基，ターフェニル基，ピレニル基などの炭素数６〜
１８のアリール基，置換または無置換のフラン基，チオ
フェン基，ピロール基，ピラゾール基，イミダゾール
基，トリアゾール基，イソオキサゾール基，オキサゾー
ル基，フラザン基，イソチアゾール基，チアゾール基，
ピリジン基，ピリミジン基，ピラジン基，オキサジン
基，チアジン基，ベンゾフラン基，チオナフテン基，ベ
ンゾオキサゾール基，ベンゾチアゾール基，キノリン
基，イソキノリン基，キノキサリン基，キナゾリン基，
フタラジン基，アクリジン基，フェナジン基，チアント
レン基などの炭素数３〜１２の複素環残基を示す。この
複素環残基のうち、ＸおよびＹの少なくとも一方がヘテ
ロ原子（Ｎ，Ｓ，Ｏ）を含むものであることが好まし
い。上記置換基としては、ニトロ基、アミノ基、シアノ
基、水酸基、カルボキシル基、メチルチオ基、エチルチ
オ基、ハロゲン（フッ素，塩素，臭素，沃素）、メトキ
シ基，エトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，
ｎ−ブトキシ基，イソブトキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシ
基，ｓｅｃ−ブトキシ基，イソペントキシ基，ｔｅｒｔ
−ペントキシ基，ネオペントキシ基，ヘキシルオキシ
基，イソヘキシルオキシ基などの炭素数１〜６のアルコ
キシ基、フェノキシカルボニル基、メトキシカルボニル
基，エトキシカルボニル基，プロポキシカルボニル基，
ｔ−ブトキシカルボニル基などの炭素数１〜６のアルコ
キシカルボニル基、ジメチルアミノ基，ジエチルアミノ
基，ジプロピルアミノ基，ジイソプロピルアミノ基，ジ
（ｎ−ブチル）アミノ基，ジイソブチルアミノ基，ジ
（ｔｅｒｔ−ブチル）アミノ基，ジ（ｓｅｃ−ブチル）
アミノ基などの炭素数１〜８のジアルキルアミノ基、ジ
メチレンオキシ基，ジエチレンオキシ基，ジプロピレン
オキシ基などの炭素数２〜１２のジアルキレンオキシ
基、メチレンジオキシ基，エチレンジオキシ基，プロピ
レンジオキシ基などの炭素数１〜６のアルキレンジオキ
シ基、メチレンオキシ基，エチレンオキシ基，プロピレ
ンオキシ基などの炭素数１〜６のアルキレンオキシ基、
メチル基，エチル基，プロピル基，イソプロピル基，ｎ
−ブチル基，イソブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｓｅ
ｃ−ブチル基，イソペンチル基，ｔｅｒｔ−ペンチル
基，ネオペンチル基，ヘキシル基，イソヘキシル基など
の炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。上記Ｘ
とＹは、置換基間で結合して飽和または不飽和の４〜７
員環を形成してもよい。さらに、本発明で用いるキノキ
サリン化合物は、ＸとＹが異なる場合、キノキサリン環
の６位と７位の結合位置により６，６’−体，６，７’
−体，７，７’−体の構造異性体を生じるが、単独の異
性体でもそれら異性体の混合物でもよい。本発明で用い
られる上記一般式（Ｉ）で表されるキノキサリン化合物
としては、The present invention is an organic EL device containing a quinoxaline compound represented by the above general formula (I). Here, as X and Y in the general formula (I), hydrogen, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, hexyl group, isohexyl group, cyclohexyl group and other alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, terphenyl group, pyrenyl group Such as 6 carbons
18 aryl groups, substituted or unsubstituted furan groups, thiophene groups, pyrrole groups, pyrazole groups, imidazole groups, triazole groups, isoxazole groups, oxazole groups, furazan groups, isothiazole groups, thiazole groups,
Pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, oxazine group, thiazine group, benzofuran group, thionaphthene group, benzoxazole group, benzothiazole group, quinoline group, isoquinoline group, quinoxaline group, quinazoline group,
A heterocyclic residue having 3 to 12 carbon atoms such as a phthalazine group, an acridine group, a phenazine group, or a thianthrene group is shown. At least one of X and Y in this heterocyclic residue preferably contains a hetero atom (N, S, O). Examples of the substituent include nitro group, amino group, cyano group, hydroxyl group, carboxyl group, methylthio group, ethylthio group, halogen (fluorine, chlorine, bromine, iodine), methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group,
n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, sec-butoxy group, isopentoxy group, tert
-C1-C6 alkoxy groups such as pentoxy group, neopentoxy group, hexyloxy group, isohexyloxy group, phenoxycarbonyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group,
C1-C6 alkoxycarbonyl group such as t-butoxycarbonyl group, dimethylamino group, diethylamino group, dipropylamino group, diisopropylamino group, di (n-butyl) amino group, diisobutylamino group, di (tert- Butyl) amino group, di (sec-butyl)
A dialkylamino group having 1 to 8 carbon atoms such as amino group, dimethyleneoxy group, diethyleneoxy group, dialkyleneoxy group having 2 to 12 carbon atoms such as dipropyleneoxy group, methylenedioxy group, ethylenedioxy group, An alkylenedioxy group having 1 to 6 carbon atoms such as propylenedioxy group, an methyleneoxy group, an ethyleneoxy group, an alkyleneoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as propyleneoxy group,
Methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n
-Butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, se
Examples thereof include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as c-butyl group, isopentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, hexyl group and isohexyl group. X above
And Y are a saturated or unsaturated 4 to 7 bond between the substituents.
You may form a member ring. Furthermore, when X and Y are different, the quinoxaline compound used in the present invention has a 6,6′-form, 6,7 ′ depending on the bonding positions of the 6-position and 7-position of the quinoxaline ring.
The -isomer, 7,7'-isomer is produced, and it may be a single isomer or a mixture of these isomers. Examples of the quinoxaline compound represented by the above general formula (I) used in the present invention include:

【００１０】[0010]

【化５】[Chemical 5]

【００１１】[0011]

【化６】[Chemical 6]

【００１２】[0012]

【化７】[Chemical 7]

【００１３】などが挙げられる。本発明は、上記一般式
（Ｉ）で表される構造を有するキノキサリン化合物を含
有する有機ＥＬ素子であり、その素子構成としては、例
えば陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極，陽
極／発光層／電子注入層／陰極，陽極／正孔注入層／発
光層／陰極，陽極／発光層／陰極型などが挙げられる。
上記一般式（Ｉ）で表される構造を有するキノキサリン
化合物は、好ましくは発光層，電子注入層を構成するも
のである。素子構成においては、正孔注入層や電子注入
層は必要ではないが、これらの層を有する素子は発光性
能が向上する利点がある。また、一対の電極間に上記正
孔注入層，発光層，電子注入層を混合させた形で挟持さ
せてもよい。さらに、各成分を安定に存在させるため、
高分子化合物などのバインダーを用いて混合層を作製し
てもよい。And the like. The present invention is an organic EL device containing a quinoxaline compound having a structure represented by the above general formula (I), and the device configuration thereof is, for example, anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode. , Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode, anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode, anode / light emitting layer / cathode type and the like.
The quinoxaline compound having the structure represented by the general formula (I) preferably constitutes the light emitting layer and the electron injection layer. In the device structure, the hole injection layer and the electron injection layer are not necessary, but the device having these layers has an advantage of improving the light emission performance. The hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer may be sandwiched between a pair of electrodes. Furthermore, in order to make each component stable,
The mixed layer may be prepared using a binder such as a polymer compound.

【００１４】ここで、本発明の有機ＥＬ素子として、陽
極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極型を例にし
て説明する。本発明の素子は、基板に支持されているこ
とが好ましい。この基板については特に制限はなく、従
来の有機ＥＬ素子に慣用されているものであればよく、
例えばガラス，透明プラスチック，石英などからなるも
のを用いることができる。Here, as the organic EL device of the present invention, an anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode type will be described as an example. The device of the present invention is preferably supported on a substrate. This substrate is not particularly limited as long as it is one commonly used in conventional organic EL devices,
For example, glass, transparent plastic, quartz or the like can be used.

【００１５】このＥＬ素子における正極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ₂，ＺｎＯなど
の導電性透明材料が挙げられる。該正極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは１０〜２０
０ｎｍの範囲で選ばれる。As the positive electrode in this EL element, a material having an electrode substance of a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a large work function (4 eV or more) and a mixture thereof is preferably used. Specific examples of such an electrode material include A
Examples thereof include metals such as u and conductive transparent materials such as CuI, ITO, SnO₂ , and ZnO. The positive electrode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. When the emitted light is taken out from this electrode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, the film thickness depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 20.
It is selected in the range of 0 nm.

【００１６】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム／銅混合物，マグネシウム／銀混合物，Ａｌ／Ａｌ
₂Ｏ₃，インジウムなどが挙げられる。該陰極は、これ
らの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によ
り、薄膜を形成させることにより、作製することができ
る。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が
好ましく、膜厚は通常１０〜５００ｎｍ，好ましくは５
０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過さ
せるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方
が、透明又は半透明であれば発光効率が向上し好都合で
ある。On the other hand, the cathode has a small work function.
(4 eV or less) Metals, alloys, electrically conductive compounds and the like
The one using the mixture as the electrode material is used. This
Specific examples of such an electrode material include sodium and sodium.
Mu-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesi
Um / copper mixture, magnesium / silver mixture, Al / Al
₂O₃, Indium and the like. This cathode is
These electrode materials are deposited by a method such as vapor deposition or sputtering.
It can be manufactured by forming a thin film.
It Also, the sheet resistance as an electrode is several hundred Ω / □ or less.
Preferably, the film thickness is usually 10 to 500 nm, preferably 5
It is selected in the range of 0 to 200 nm. It should be noted that
Either the anode or the cathode of the organic EL element
However, if it is transparent or semi-transparent, the luminous efficiency is improved, which is convenient.
is there.

【００１７】本発明の発光層の発光材料としては、上記
一般式（Ｉ）で表される構造を有するキノキサリン化合
物が好ましい。このキノキサリン化合物が発光層以外で
用いられている場合は、発光層の発光材料について特に
制限されることはなく、従来公知の化合物の中から任意
のものを選択して用いることができる。As the light emitting material of the light emitting layer of the present invention, a quinoxaline compound having a structure represented by the above general formula (I) is preferable. When the quinoxaline compound is used in a layer other than the light emitting layer, the light emitting material of the light emitting layer is not particularly limited, and any one of conventionally known compounds can be selected and used.

【００１８】上記キノキサリン化合物以外の発光材料と
しては、例えば、多環縮合芳香族化合物、ベンゾオキサ
ゾール系，ベンゾチアゾール系，ベンゾイミダゾール系
などの蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合
物、ジスチリルベンゼン系化合物など薄膜形成性の良い
化合物を用いることができる。ここで、上記多環縮合芳
香族化合物としては、例えばアントラセン，ナフタレ
ン，フェナントレン，ピレン，クリセン，ペリレン骨格
を含む縮合環発光物質等を挙げることができる。Examples of the light emitting material other than the above quinoxaline compound include polycyclic fused aromatic compounds, fluorescent brightening agents such as benzoxazole-based, benzothiazole-based, benzimidazole-based compounds, metal chelated oxanoide compounds, and distyrylbenzene-based compounds. A compound having a good thin film forming property such as a compound can be used. Here, examples of the above-mentioned polycyclic condensed aromatic compound include condensed ring luminescent substances containing anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, and perylene skeletons.

【００１９】上記ベンゾオキサゾール系，ベンゾチアゾ
ール系，ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤として
は、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に記載され
ているものを用いることができ、その代表例としては、
２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾ
オキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール；４，
４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサ
ゾリル）スチルベン；４，４’−ビス（５，７−ジ−
（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリ
ル）スチルベン；２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペン
チル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−
ビス（５−（α，α，−ジメチルベンジル）−２−ベン
ゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−ビス（５，７−
ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾ
リル）−３，４−ジフェニルチオフェン；２，５−ビス
（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；
４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニ
ル；５−メチル−２−（２−（４−（５−メチル−２−
ベンゾオキサゾリル）フェニル）ビニル）ベンゾオキサ
ゾール；２−（２−（４−クロロフェニル）ビニル）ナ
フト（１，２−ｄ）オキサゾールなどのベンゾオキサゾ
ール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビ
スベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、２−
（２−（４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル）ビ
ニル）ベンゾイミダゾール；２−（２−（４−カルボキ
シフェニル）ビニル）ベンゾイミダゾールなどのベンゾ
イミダゾール系などの蛍光増白剤が挙げられる。As the benzoxazole-based, benzothiazole-based, and benzimidazole-based fluorescent whitening agents, for example, those described in JP-A-59-194393 can be used. ,
2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole; 4,
4'-bis (5,7-t-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene; 4,4'-bis (5,7-di-
(2-Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl) stilbene; 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) thiophene; 2,5-
Bis (5- (α, α, -dimethylbenzyl) -2-benzoxazolyl) thiophene; 2,5-bis (5,7-
Di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl) -3,4-diphenylthiophene; 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thiophene;
4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl; 5-methyl-2- (2- (4- (5-methyl-2-
Benzoxazolyl) phenyl) vinyl) benzoxazole; benzoxazoles such as 2- (2- (4-chlorophenyl) vinyl) naphtho (1,2-d) oxazole, 2,2 ′-(p-phenylenedivinylene) ) -Bisbenzothiazole and other benzothiazoles, 2-
Examples thereof include (2- (4- (2-benzimidazolyl) phenyl) vinyl) benzimidazole; 2- (2- (4-carboxyphenyl) vinyl) benzimidazole, and other fluorescent whitening agents such as benzimidazole compounds.

【００２０】上記金属キレート化オキサノイド化合物と
しては、例えば特開昭６３−２９５６９５号公報に記載
されているものを用いることができる。その代表例とし
ては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ビス
（８−キノリノール）マグネシウム，ビス（ベンゾ
（ｆ）−８−キノリノール）亜鉛，ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）アルミニウムオキシド，トリス
（８−キノリノール）インジウム，トリス（５−メチル
−８−キノリノール）アルミニウム，８−キノリノール
リチウム，トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガ
リウム，ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシ
ウム，ポリ（亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−
キノリノニル）メタン）などの８−ヒドロキシキノリン
系金属鎖体やジリチウムエピンドリジオンなどが挙げら
れる。As the metal chelated oxanoide compound, for example, those described in JP-A-63-295695 can be used. Typical examples are tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo (f) -8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-).
8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis (5-chloro-) 8-quinolinol) calcium, poly (zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-
Examples thereof include 8-hydroxyquinoline-based metal chain bodies such as quinolinonyl) methane) and dilithium epindridione.

【００２１】他には、欧州特許第０３７３５８２号明細
書に記載のジスチリルベンゼン誘導体，同０３８８７６
８号明細書に記載のジメチリデン誘導体、特開平２−１
９１６９４号公報のクマリン誘導体、特開平２−２５２
７９３号公報のジスチリルピラジン誘導体、特開平２−
１９６８８５号公報のペリレン誘導体、特開平２−２５
５７８９号公報のナフタレン誘導体、特開平２−２８９
６７６号公報及び同２−８８６８９号公報のフタロペリ
ノン誘導体、特開平２−２５０２９２号公報のスチリル
アミン誘導体及び同２−２８９６７５号公報のシクロペ
ンタジエン誘導体など、目的とする発光色及び性能など
から適宜選択することができる。上記の有機化合物から
なる発光層は、所望に応じて２層以上の積層構造でもよ
く、米国特許第４，７６９，２９２号明細書に開示され
ているように蛍光物質を加えて形成してもよい。この場
合上記有機化合物は薄膜状の層であり、発光領域の機能
の注入機能及び発光機能の一部を受持ち、一方、蛍光物
質はその有機化合物の層の中に微量（数モル％以下）存
在させ、電子と正孔の再結合に応答して発光するといっ
た発光機能の一部を担っている。さらに、発光領域に用
いる有機化合物は薄膜性を有していない化合物であって
もよく、このような化合物の例としては、１，４−ジフ
ェニル−１，３−ブタジエン；１，１，４，４−テトラ
フェニル−１，３−ブタジエン；テトラフェニルシクロ
ペンタジエンなどが挙げられる。しかし、これらの薄膜
性を有しない材料は、素子の寿命が短い欠点を有する。
この発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上から
なる一層で構成されてもよいし、あるいは、前記発光層
とは別種の化合物からなる発光層を積層したものであっ
てもよい。In addition, the distyrylbenzene derivative described in European Patent No. 0373582, the above-mentioned 038876.
Dimethylidene derivative described in JP-A No. 2-1.
Coumarin derivative of Japanese Patent No. 91694, JP-A-2-252
Distyrylpyrazine derivatives disclosed in Japanese Patent No. 793, JP-A-2-
Perylene derivatives disclosed in 196885, JP-A 2-25
Naphthalene derivatives disclosed in JP-A-5789, JP-A-2-289
The phthaloperinone derivative of JP-A No. 676 and JP-A No. 2-88689, the styrylamine derivative of JP-A No. 2-250292, and the cyclopentadiene derivative of JP-A No. 2-289675 are appropriately selected from the desired emission color and performance. be able to. The light emitting layer made of the above organic compound may have a laminated structure of two or more layers as desired, and may be formed by adding a fluorescent substance as disclosed in US Pat. No. 4,769,292. Good. In this case, the organic compound is a thin film-like layer and has a part of the injection function and the light emitting function of the function of the light emitting region, while the fluorescent substance is present in the layer of the organic compound in a trace amount (several mol% or less). It plays a part of a light emitting function of emitting light in response to recombination of electrons and holes. Further, the organic compound used in the light emitting region may be a compound having no thin film property, and examples of such a compound include 1,4-diphenyl-1,3-butadiene; 4-tetraphenyl-1,3-butadiene; tetraphenylcyclopentadiene and the like. However, these materials that do not have a thin film property have a shortcoming that the life of the device is short.
The light emitting layer may be composed of a single layer made of one or more of these light emitting materials, or may be a laminate of light emitting layers made of a compound different from the light emitting layer.

【００２２】次に、本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層
は、正孔伝達化合物から成るものであって、陽極より注
入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔
注入層を陽極と発光層の間に介在させることにより、よ
り低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、そのう
え、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電子
は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の障壁に
より、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するな
ど発光性能の優れた素子となる。このような正孔注入層
に用いられる正孔伝達化合物は、電界を与えられた２個
の電極間に配置されて陽極から正孔が注入された場合、
正孔を適切に発光層へ伝達しうるものであり、例えば１
０⁴−１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に少なくとも１０^-6
ｃｍ²／Ｖ・秒の正孔移動度を有するものが好適であ
る。この正孔伝達化合物については、前記の好ましい性
質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝
材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用され
ているものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知の
ものの中から任意のものを選択して用いることができ
る。Next, the hole injection layer of the organic EL device of the present invention is made of a hole transfer compound and has a function of transferring the holes injected from the anode to the light emitting layer. By interposing the hole injection layer between the anode and the light emitting layer, many holes are injected into the light emitting layer at a lower electric field, and moreover, the electrons injected from the cathode or the electron injection layer into the light emitting layer are Due to the barrier of electrons existing at the interface between the hole injection layer and the hole injection layer, the device is excellent in light emission performance because it is accumulated at the interface in the light emitting layer and the light emission efficiency is improved. The hole transfer compound used in the hole injection layer is disposed between two electrodes to which an electric field is applied, and when holes are injected from the anode,
A hole can be appropriately transmitted to the light emitting layer, and for example, 1
At least 10^-6 when an electric field of 0⁴ -10⁶ V / cm is applied
Those having a hole mobility of cm² / V · sec are preferable. The hole transfer compound is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties, and it is conventionally used as a charge injection / transport material for holes in an optical transmission material or a hole injection for an EL element. Any known material can be selected from the known materials used for the layer.

【００２３】上記正孔伝達化合物としては、例えば前記
一般式（Ｉ）で表されるキノキサリン化合物，トリアゾ
ール誘導体，オキサジアゾール誘導体（米国特許第３，
１８９，４４７号などに記載のもの），イミダゾール誘
導体，ポリアリールアルカン誘導体，ピラゾリン誘導体
及びピラゾロン誘導体，フェニレンジアミン誘導体，ア
リールアミン誘導体，アミノ置換カルコン誘導体，オキ
サゾール誘導体，スチリルアントラセン誘導体，フルオ
レノン誘導体，ヒドラゾン誘導体，スチルベン誘導体な
どを挙げることができる。また、電荷注入輸送材料とし
ては、シラザン誘導体，ポリシラン系，アニリン系共重
合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェン
オリゴマーなどが挙げられる。Examples of the hole-transporting compound include quinoxaline compounds represented by the general formula (I), triazole derivatives, oxadiazole derivatives (US Pat.
189,447), imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative. , Stilbene derivatives and the like. Examples of the charge injection / transport material include silazane derivatives, polysilane-based and aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers.

【００２４】本発明においては、上記の正孔伝達化合物
または電荷注入輸送材料を正孔注入材料として使用する
ことができるが、次に示すポルフィリン化合物（特開昭
６３−２９５６９６５号公報などに記載のもの）及び芳
香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米
国特許第4,127,412 号明細書，特開昭５３−２７０３３
号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４−１４９６
３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同５５−７９
４５０号公報，同５５−１４４２５０号公報，同５６−
１１９１３２号公報，同６１−２９５５５８号公報，同
６１−９８３５３号公報，同６３−２９５６９５号公報
など参照），特に該芳香族第三級アミン化合物を用いる
ことが好ましい。該ポルフィリン化合物の代表例として
は、ポルフィン，１，１０，１５，２０−テトラフェニ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）；１，１０，
１５，２０−テトラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィ
ン亜銅（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィ
ン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウムフ
タロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金属）；ジ
リチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタロシアニ
ン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニン；亜鉛フ
タロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウムフタロシ
アニンオキシド；マグネシウムフタロシアニン；銅オク
タメチルフタロシアニンなどが挙げられる。In the present invention, the above hole transfer compound or charge injecting / transporting material can be used as the hole injecting material, and the following porphyrin compounds (described in JP-A-63-295965). ) And aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (US Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033).
No. 54-58445 and No. 54-1496.
34, 54-64299, 55-79.
No. 450, No. 55-144250, No. 56-
119132, 61-295558, 61-98353, 63-295695 and the like), and particularly preferably the aromatic tertiary amine compound. Typical examples of the porphyrin compound include porphine, 1,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (II); 1,10,
15,20-Tetraphenyl 21H, 23H-porphine cuprous (II); 5,10,15,20-Tetrakis (pentafluorophenyl) -21H, 23H-porphine; Silicon phthalocyanine oxide; Aluminum phthalocyanine chloride; Phthalocyanine (metal free) ); Dilithium phthalocyanine; copper tetramethyl phthalocyanine; copper phthalocyanine; chromium phthalocyanine; zinc phthalocyanine; lead phthalocyanine; titanium phthalocyanine oxide; magnesium phthalocyanine; copper octamethyl phthalocyanine.

【００２５】また、該芳香族第三級アミン化合物及びス
チリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェ
ニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤＡ）；
２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プ
ロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェ
ニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−
ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−
ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェ
ニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−
メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−
トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−
４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフ
ェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−
（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリ
ルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−
メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン
ゼン；Ｎ−フェニルカルバゾールなどが挙げられる。ま
た、Ｓｉ，ＳｉＣ，ＣｄＳなどの無機物半導体の結晶，
非晶材料も用いることができる。この正孔注入層は、こ
れらの正孔注入材料一種又は二種以上からなる一層で構
成されてもよいし、あるいは、前記正孔注入層とは別種
の化合物からなる正孔注入層を積層したものであっても
よい。Representative examples of the aromatic tertiary amine compound and styrylamine compound include N, N, N ',
N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl;
N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl (TPDA);
2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'-tetra-
p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-
Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-
Methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-
Trilylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl)-
4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-
Tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4-
(Di-p-tolylamino) -4 '-[4 (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-
Methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole and the like. In addition, crystals of inorganic semiconductors such as Si, SiC, CdS,
Amorphous materials can also be used. The hole injection layer may be composed of a single layer made of one or more of these hole injection materials, or a hole injection layer made of a compound different from the hole injection layer is laminated. It may be one.

【００２６】また、本発明で用いる有機ＥＬ素子の電子
注入層は、電子注入材料から成るものであって、陰極よ
り注入された電子を発光層に伝達する機能を有してい
る。本発明の場合は、上記一般式（Ｉ）で表される化合
物が好ましい。このキノキサリン化合物が、電子注入層
以外で用いられている場合は、電子注入材料について特
に制限されることはなく、従来公知の化合物の中から任
意のものを選択して用いることができる。The electron injection layer of the organic EL element used in the present invention is made of an electron injection material and has a function of transmitting the electrons injected from the cathode to the light emitting layer. In the case of the present invention, the compound represented by the above general formula (I) is preferable. When the quinoxaline compound is used in a layer other than the electron injection layer, the electron injection material is not particularly limited, and any one of conventionally known compounds can be selected and used.

【００２７】この電子注入層は、これらの電子注入材料
１種又は２種以上からなる一層で構成されてもよいし、
あるいは、前記層とは別種の化合物からなる電子注入層
を積層したものであってもよい。さらに無機物であるｐ
型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣによる正孔注入材料、ｎ型α−
Ｓｉ，ｎ型α−ＳｉＣによる電子注入材料を電子注入材
料として用いることができる。例えば、国際公開ＷＯ９
０／０５９９８に開示されている無機半導体などが挙げ
られる。The electron injection layer may be composed of one kind or two or more kinds of these electron injection materials, or
Alternatively, an electron injection layer made of a compound different from the above layer may be laminated. Furthermore, it is an inorganic substance, p
-Si, p-SiC hole injection material, n-type α-
An electron injection material made of Si, n-type α-SiC can be used as the electron injection material. For example, international publication WO9
Inorganic semiconductors disclosed in 0/05998 and the like can be mentioned.

【００２８】次に、本発明の方法において、有機ＥＬ素
子を作製する好適な例を説明する。例として、前記の陽
極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極からなるＥ
Ｌ素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材
料である正孔注入層，発光層，電子注入層の材料からな
る薄膜を形成させる。この薄膜化の方法としては、前記
の如くスピンコート法，キャスト法，蒸着法などがある
が、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。この薄膜
化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使
用する化合物の種類，分子堆積膜の目的とする結晶構
造，会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温
度５０〜４００℃，真空度１０^-6〜１０^-3Ｐａ，蒸着速
度0.０１〜５０ｎｍ／秒，基板温度−５０〜３００℃，
膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜
厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方
法により形成させ、陰極を設けることにより、所望のＥ
Ｌ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製において
は、作製順序を逆にして、陰極，電子注入層，発光層，
正孔注入層，陽極の順に作製することも可能である。ま
た、一対の電極間に正孔注入層，発光層，電子注入層を
混合させた形で挟持させた陽極／発光層／陰極からなる
素子の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽
極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入材料，発光材
料，電子注入材料，ポリビニルカルバゾール，ポリカー
ボネート，ポリアリレート，ポリエステル，ポリエーテ
ルなどの結着剤などからなる溶液を塗布するか、又はこ
の溶液から浸漬塗工法により薄膜を形成させ発光層と
し、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させるもの
がある。ここで、作製した発光層上に、さらに発光層ま
たは電子注入層の材料となる素子材料を真空蒸着し、そ
の上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。Next, in the method of the present invention, a suitable example of producing an organic EL device will be described. As an example, E consisting of the above-mentioned anode / hole injection layer / light-emitting layer / electron injection layer / cathode
Explaining the method for manufacturing the L element, first, a thin film made of a desired electrode material, for example, a material for an anode, is vapor-deposited or vapor-deposited on a suitable substrate so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm. An anode is formed by forming it by a method such as sputtering. Next, a thin film made of the material of the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer, which are element materials, is formed on this. As the thinning method, there are the spin coating method, the casting method, the vapor deposition method and the like as described above, but the vacuum vapor deposition method is preferable from the viewpoint that a uniform film is easily obtained and pinholes are hard to be generated. . When this vapor deposition method is adopted for this thinning, the vapor deposition conditions generally vary depending on the type of compound used, the desired crystal structure of the molecular deposited film, the association structure, etc., but generally the boat heating temperature is 50 to 400 ° C. Vacuum degree 10⁻⁶ to 10⁻³ Pa, vapor deposition rate 0.01 to 50 nm / sec, substrate temperature −50 to 300 ° C.,
It is desirable to appropriately select the film thickness in the range of 5 nm to 5 μm.
After forming these layers, a thin film made of a substance for the cathode is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and the cathode is provided. The desired E
An L element is obtained. In the fabrication of this EL element, the fabrication order was reversed and the cathode, electron injection layer, light emitting layer,
It is also possible to fabricate the hole injection layer and the anode in this order. In addition, as a method of manufacturing an element composed of an anode / a light emitting layer / a cathode in which a hole injecting layer, a light emitting layer, and an electron injecting layer are sandwiched between a pair of electrodes, for example, on a suitable substrate, A thin film made of an anode material is formed and a solution made of a hole injecting material, a light emitting material, an electron injecting material, a binder such as polyvinyl carbazole, polycarbonate, polyarylate, polyester or polyether is applied, or There is a method in which a thin film is formed from a solution by a dip coating method to form a light emitting layer, and a thin film made of a substance for a cathode is formed thereon. Here, an element material which is a material for the light emitting layer or the electron injection layer may be further vacuum-deposited on the produced light emitting layer, and a thin film made of a substance for a cathode may be formed thereon.

【００２９】このようにして得られたＥＬ素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測でき
る。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに
発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合
には、正極が＋，負極が−の状態になったときのみ発光
する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。When a DC voltage is applied to the EL element thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 5 to 40 V with the anode having a positive polarity and the cathode having a negative polarity. Moreover, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Furthermore, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the positive electrode is in the + state and the negative electrode is in the − state. The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.

【００３０】ここで、本発明の特徴である一般式（Ｉ）
で表されるキノキサリン化合物の合成方法について簡単
に触れておく。なお、本発明で用いるキノキサリン化合
物の合成方法は、下記方法に限定されるものではない。
一般式（Ｉ）のキノキサリン化合物の合成方法は、下記
合成スキームによる。The general formula (I), which is a feature of the present invention, is as follows.
The synthesis method of the quinoxaline compound represented by is briefly described. The method for synthesizing the quinoxaline compound used in the present invention is not limited to the following method.
The synthetic method of the quinoxaline compound of the general formula (I) is based on the following synthetic scheme.

【００３１】[0031]

【化８】[Chemical 8]

【００３２】具体的には、α−ジケトンおよびｏ−フェ
ニレンジアミン誘導体をクロロホルム，アルコール（メ
タノール，エタノール，プロパノール，ブタノール，ア
ミルアルコールなど）または酢酸などの溶媒中で攪拌ま
たは加熱攪拌するか、無溶媒のまま２００℃前後で加熱
攪拌する。この反応時間は0.１〜２０時間が好ましい。
この反応でＸとＹが異なる場合、キノキサリン環同士の
結合位置により、６，６’−体、６，７’−体、７，
７’−体の構造異性体の混合物を生じる。ここで用いる
ジケトンとしては、Specifically, the α-diketone and o-phenylenediamine derivative are stirred or heated with stirring in a solvent such as chloroform, alcohol (methanol, ethanol, propanol, butanol, amyl alcohol, etc.) or acetic acid, or without solvent. The mixture is heated and stirred as it is at about 200 ° C. The reaction time is preferably 0.1 to 20 hours.
When X and Y are different from each other in this reaction, depending on the bonding position between the quinoxaline rings, 6,6′-form, 6,7′-form, 7,
This results in a mixture of 7'-isomers. As the diketone used here,

【００３３】[0033]

【化９】[Chemical 9]

【００３４】[0034]

【化１０】[Chemical 10]

【００３５】が挙げられる。また、ｏ−フェニレンジア
ミン誘導体としては、And the like. Further, as the o-phenylenediamine derivative,

【００３６】[0036]

【化１１】[Chemical 11]

【００３７】が挙げられる。And the like.

【００３８】[0038]

【実施例】本発明を合成例，実施例及び比較例を用い
て、さらに詳しく説明する。 合成例１EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples, Examples and Comparative Examples. Synthesis example 1

【００３９】[0039]

【化１２】[Chemical 12]

【００４０】２，２’，３，３’−テトラフェニル−
６，６’−ジキノキサリンの合成 ３，３’−ジアミノベンジン2.１４ｇ（0.０１モル）と
ベンジル4.２ｇ（0.０２モル）をクロロホルム中で８時
間還流し、溶媒を濾別して黄土色粉末を得た。さらに、
トルエンより再沈澱させて淡黄色粉末5.０ｇ（収率：８
９％（0.００８９モル）を得た。この淡黄色粉末の融点
は３１２℃であった。得られた淡黄色粉末の質量分析の
結果、ｍ／Ｚ＝５６２（Ｍ⁺）であった。また、プロト
ン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭＲ，基準：テトラメチルシラ
ン（ＴＭＳ），溶媒：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ），測定波長：４００ＭＨｚ）測定の結果、 δ＝7.３５〜7.４４ｐｐｍ（ｍ，１２Ｈ，フェニル基の
３，４位のＨ） δ＝7.５２〜7.５７ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，フェニル基の２
位のＨ） δ＝8.３ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，キノキサリン環の８位の
Ｈ） δ＝8.４５ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，キノキサリン環の７位の
Ｈ） δ＝8.５４ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，キノキサリン環の５位の
Ｈ） であった。以上から、目的のキノキサリン化合物が合成
されていることが確認された。なお、実施例においては
上記淡黄色粉末を塩化メチレンを展開溶媒として用い、
シリカゲルカラムで分離した精製物を用いた。2,2 ', 3,3'-tetraphenyl-
Synthesis of 6,6'-diquinoxaline 3.14 '(0.01 mol) of 3,3'-diaminobenzidine and 4.2 g (0.02 mol) of benzyl were refluxed in chloroform for 8 hours, and the solvent was filtered off to obtain ocher. A colored powder was obtained. further,
Re-precipitation from toluene gave a pale yellow powder 5.0 g (yield: 8
9% (0.0089 mol) was obtained. The melting point of this pale yellow powder was 312 ° C. As a result of mass spectrometry of the obtained pale yellow powder, m / Z = 562 (M⁺ ). In addition, proton nuclear magnetic resonance (¹ H-NMR, reference: tetramethylsilane (TMS), solvent: dimethyl sulfoxide (DMS
O), measurement wavelength: 400 MHz) As a result of measurement, δ = 7.35 to 7.44 ppm (m, 12H, H at the 3 and 4 position of the phenyl group) δ = 7.52 to 7.57 ppm (m, 8H, Phenyl group 2
H) at position δ = 8.3 ppm (d, 2H, H at position 8 of the quinoxaline ring) δ = 8.45 ppm (q, 2H, H at position 7 of the quinoxaline ring) δ = 8.54 ppm (d, 2H, It was H) at the 5-position on the quinoxaline ring. From the above, it was confirmed that the target quinoxaline compound was synthesized. In the examples, methylene chloride was used as a developing solvent for the pale yellow powder,
The purified product separated by a silica gel column was used.

【００４１】合成例２Synthesis Example 2

【００４２】[0042]

【化１３】[Chemical 13]

【００４３】２，２’，３，３’−テトラ（ｐ−トリ
ル）−６，６’−ジキノキサリンの合成 ｎ−ブタノール４０ミリリットルおよび酢酸２０ミリリ
ットルの混合溶液に３，３’−ジアミノベンジン2.１４
ｇ（0.０１モル）を溶かし、次いで酢酸２０ミリリット
ルに４，４’−ジメチルベンジル4.８ｇ（0.０２モル）
を溶かした温溶液を加え４時間，８０℃で攪拌した。放
冷後、生成した黄土色粉末を吸引濾過した。この黄土色
粉末を冷やしたエタノールで洗浄して淡黄色粉末5.０ｇ
（収率：９５％（0.００９５モル）を得た。この黄色粉
末の融点は３３４℃であった。得られた淡黄色粉末の質
量分析の結果、ｍ／Ｚ＝６１８（Ｍ⁺）であった。ま
た、プロトン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭＲ，基準：ＴＭ
Ｓ，溶媒：ＤＭＳＯ，測定波長：４００ＭＨｚ）測定の
結果、 δ＝2.３５ｐｐｍ（ｓ，１２Ｈ，フェニル基の３位の
Ｈ） δ＝6.９２〜6.９８ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，フェニル基の３
位のＨ） δ＝7.４６〜7.５３ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，フェニル基の２
位のＨ） δ＝8.２２ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，キノキサリン環の８位の
Ｈ） δ＝8.３７ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，キノキサリン環の７位の
Ｈ） δ＝8.５５ｐｐｍ（ｄ，２Ｈ，キノキサリン環の５位の
Ｈ） であった。以上から、目的のキノキサリン化合物が合成
されていることが確認された。なお、実施例においては
上記淡黄色粉末を塩化メチレンを展開溶媒として用い、
シリカゲルカラムで分離した精製物を用いた。Synthesis of 2,2 ', 3,3'-tetra (p-tolyl) -6,6'-diquinoxaline 3,3'-diaminobenzidine 2 was added to a mixed solution of 40 ml of n-butanol and 20 ml of acetic acid. .14
g (0.01 mol), then dissolved in 20 ml of acetic acid 4,4'-dimethylbenzyl 4.8 g (0.02 mol)
Was added to the solution, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 4 hours. After cooling, the ocher powder produced was suction filtered. This ocher powder was washed with cold ethanol to give a pale yellow powder 5.0 g.
(Yield: 95% (0.0095 mol) was obtained. The melting point of this yellow powder was 334 ° C. The mass spectrum of the obtained pale yellow powder was m / Z = 618 (M⁺ )). In addition, proton nuclear magnetic resonance (¹ H-NMR, reference: TM
S, solvent: DMSO, measurement wavelength: 400 MHz) As a result of measurement, δ = 2.35 ppm (s, 12H, H at the 3-position of the phenyl group) δ = 6.92 to 6.98 ppm (m, 8H, of the phenyl group) Three
Position H) δ = 7.46 to 7.53 ppm (m, 8H, 2 of phenyl group)
H) at position δ = 8.22 ppm (d, 2H, H at position 8 of the quinoxaline ring) δ = 8.37 ppm (q, 2H, H at position 7 of the quinoxaline ring) δ = 8.55 ppm (d, 2H, It was H) at the 5-position on the quinoxaline ring. From the above, it was confirmed that the target quinoxaline compound was synthesized. In the examples, methylene chloride was used as a developing solvent for the pale yellow powder,
The purified product separated by a silica gel column was used.

【００４４】合成例３〜１７ 第１表に示したジケトンおよびテトラアミノ芳香族化合
物を用いた以外は、合成例１と同様にして反応を行っ
た。得られたキノキサリン化合物を第２表に示す。但
し、合成例７，８，９および１２の化合物は昇華法によ
り精製した。Synthesis Examples 3 to 17 Reactions were performed in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the diketone and the tetraamino aromatic compound shown in Table 1 were used. Table 2 shows the obtained quinoxaline compounds. However, the compounds of Synthesis Examples 7, 8, 9 and 12 were purified by the sublimation method.

【００４５】[0045]

【表１】[Table 1]

【００４６】[0046]

【表２】[Table 2]

【００４７】[0047]

【表３】[Table 3]

【００４８】[0048]

【表４】[Table 4]

【００４９】[0049]

【表５】[Table 5]

【００５０】[0050]

【表６】[Table 6]

【００５１】実施例１ 膜厚１００ｎｍのＩＴＯ透明電極が設けられているガラ
ス基板（２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍ：ＨＯＹＡ社
製）を透明支持基板とし、これをイソプロピルアルコー
ルで３０分間超音波洗浄し、さらに浸漬して洗浄した。
この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市販の真空
蒸着装置の基板ホルダーに固定した。一方、モリブデン
製抵抗加熱ボートに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）（１，１’−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤＡ）２００ｍｇを入
れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに、４，４’−ビ
ス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢ
ｉ）２００ｍｇを入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加
熱ボートに、２，２’，３，３’−テトラフェニル−
６，６’−ジキノキサリン（ＴＰＤＱ）２００ｍｇを入
れ真空蒸着装置に取りつけた。先ず、真空層を４×１０
^-4Ｐａまで減圧した後、ＴＰＤＡの入った前記加熱ボー
トに通電し、２２０℃まで加熱して、蒸着速度0.１〜0.
３ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚６０ｎｍの正
孔注入層を設けた。次いで、ＤＰＶＢｉの入った前記加
熱ボートに通電して２２０℃まで加熱して、蒸着速度0.
１〜0.３ｎｍ／秒で上記正孔注入層上に蒸着し、膜厚４
０ｎｍの発光層を設けた。さらに、ＴＰＤＱの入った前
記加熱ボートに通電して３１４℃まで加熱して、蒸着速
度0.１ｎｍ／秒で上記発光層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍ
の電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温
であった。次に、真空層をあけ電子注入層上にステンレ
ス鋼製のマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートにはマグネシウム３ｇ，タングステン製の蒸着用
バスケットに銀を0.５ｇ入れ、再度真空層を２×１０^-4
Ｐａまで減圧した後、マグネシウム入りのボートに通電
して、蒸着速度1.５〜2.０ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸
着すると共に、同時に銀のバスケットを加熱し蒸着速度
0.１ｎｍ／秒で銀を蒸着し、マグネシウムと銀の混合物
からなる対向電極とすることにより、目的とする有機Ｅ
Ｌ素子を作成した。この素子のＩＴＯ電極を陽極、マグ
ネシウムと銀の混合物からなる対向電極を陰極として、
直流１０ボルトを印加したところ電流密度１４ｍＡ／ｃ
ｍ²の電流が流れ、青色の発光が得られた。この発光の
最大波長は４７４ｎｍ，輝度は２３０ｃｄ／ｍ²，発光
効率0.５２ルーメン／Ｗであった。通電後５０時間経て
も電極表面の剥離や白濁化はなく、依然青色発光が認め
られた。Example 1 A glass substrate (25 mm × 75 mm × 1.1 mm: manufactured by HOYA) provided with an ITO transparent electrode having a film thickness of 100 nm was used as a transparent support substrate, and this was ultrasonically washed with isopropyl alcohol for 30 minutes. , Further immersed and washed.
The transparent supporting substrate was dried with dry nitrogen gas and fixed on a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition device. On the other hand, in a resistance heating boat made of molybdenum, N, N'-diphenyl-N, N '
-Bis (3-methylphenyl) (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (TPDA) (200 mg) was put into another molybdenum resistance heating boat and 4,4'-bis (2,2-). Diphenyl vinyl) biphenyl (DPVB
i) Put 200 mg and put it in another resistance heating boat made of molybdenum, 2,2 ', 3,3'-tetraphenyl-
200 mg of 6,6′-diquinoxaline (TPDQ) was put and attached to a vacuum vapor deposition apparatus. First, vacuum layer 4 × 10
After reducing the pressure to^-4 Pa, the heating boat containing TPDA was energized and heated to 220 ° C, and the deposition rate was 0.1 to 0.1.
It was vapor-deposited on a transparent support substrate at 3 nm / sec to provide a hole injection layer having a film thickness of 60 nm. Then, the heating boat containing DPVBi is energized to heat up to 220 ° C., and the deposition rate is set to 0.
A film thickness of 4 is deposited on the above hole injection layer at a rate of 1 to 0.3 nm / sec.
A 0 nm emission layer was provided. Further, the heating boat containing TPDQ is energized and heated to 314 ° C., and vapor-deposited on the above light-emitting layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to obtain a film thickness of 20 nm.
The electron injection layer of The substrate temperature during vapor deposition was room temperature. Next, a vacuum layer was opened and a stainless steel mask was placed on the electron injection layer. On the other hand, 3 g of magnesium was placed in a resistance heating boat made of molybdenum, and 0.5 g of silver was placed in a vapor deposition basket made of tungsten, and the vacuum layer was placed again. 2 x 10^-4
After reducing the pressure to Pa, a boat containing magnesium is energized to vapor-deposit magnesium at a vapor deposition rate of 1.5 to 2.0 nm / sec. At the same time, a silver basket is heated to vapor-deposit the rate.
By depositing silver at 0.1 nm / sec to form a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver, the target organic E
An L element was created. The ITO electrode of this element is used as an anode, the counter electrode made of a mixture of magnesium and silver is used as a cathode,
Applying 10 V DC current density 14 mA / c
A current of m² flowed, and blue light emission was obtained. The maximum wavelength of this light emission was 474 nm, the luminance was 230 cd / m² , and the light emission efficiency was 0.52 lumen / W. Even after 50 hours from the application of electricity, there was no peeling or clouding of the electrode surface, and blue light emission was still observed.

【００５２】実施例２〜１３ ＴＰＤＱの代わりに第３表に示す化合物を用い、蒸着時
の加熱温度を第３表に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして素子を作製し評価を行った。得られた結
果を第３表に示す。Examples 2 to 13 Devices were prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 3 were used instead of TPDQ and the heating temperature during vapor deposition was changed as shown in Table 3. An evaluation was made. The results obtained are shown in Table 3.

【００５３】[0053]

【表７】[Table 7]

【００５４】[0054]

【表８】[Table 8]

【００５５】実施例１４ ＤＰＶＢｉの代わりにトリス（８−ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウムを用い、蒸着時の加熱ボート温度を２
８０℃に変えた以外は、実施例１と同様にして素子を作
製し評価を行った。この素子のＩＴＯ電極を陽極、マグ
ネシウムと銀の混合物からなる対向電極を陰極として、
直流１０ボルトを印加したところ電流密度４８ｍＡ／ｃ
ｍ²の電流が流れ、緑色の発光が得られた。この発光の
最大波長は５１０ｎｍ，輝度は６７０ｃｄ／ｍ²，発光
効率0.４４ルーメン／Ｗであった。通電後５０時間経て
も電極表面の剥離や白濁化はなく、依然緑色発光が認め
られた。Example 14 Tris (8-hydroxyquinoline) aluminum was used in place of DPVBi, and the heating boat temperature during vapor deposition was set to 2
An element was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the temperature was changed to 80 ° C. The ITO electrode of this element is used as an anode, the counter electrode made of a mixture of magnesium and silver is used as a cathode,
Applying 10 V DC current density 48 mA / c
A current of m² flowed, and green light emission was obtained. The maximum wavelength of this light emission was 510 nm, the luminance was 670 cd / m² , and the light emission efficiency was 0.44 lumen / W. There was no peeling or clouding of the electrode surface even after 50 hours from the application of electricity, and green light emission was still observed.

【００５６】実施例１５ ＤＰＶＢｉの代わりにＴＰＤＱを用い、蒸着時の加熱ボ
ート温度を３１４℃に変えた以外は、実施例１と同様に
して真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後、実
施例１と同様にＴＰＤＡを６０ｎｍ製膜し、さらにＴＰ
ＤＱの入ったボートを３１４℃まで加熱し蒸着速度0.１
ｎｍ／秒で６０ｎｍ積層した。なお、蒸着時の基板温度
は室温であった。次いで、真空槽を開けて、上記蒸着物
の上にマスクを設置してから実施例１と同様の方法でマ
グネシウムと銀の混合物よりなる対向電極を蒸着積層し
て目的の素子を作製し評価を行った。この素子のＩＴＯ
電極を陽極、マグネシウムと銀の混合物からなる対向電
極を陰極として、直流１５ボルトを印加したところ電流
密度１４ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れ、青紫色の発光が得
られた。この発光の最大波長は４５０ｎｍ，輝度は２０
０ｃｄ／ｍ²，発光効率0.３ルーメン／Ｗであった。通
電後５０時間経ても電極表面の剥離や白濁化はなく、依
然青紫色発光が認められた。Example 15 The vacuum chamber was evacuated to 4 × 10^-4 Pa in the same manner as in Example 1 except that TPDQ was used instead of DPVBi and the heating boat temperature during vapor deposition was changed to 314 ° C. Then, as in Example 1, TPDA was formed into a film of 60 nm, and TPDA was further added.
The boat containing DQ is heated to 314 ° C and the deposition rate is 0.1.
60 nm was laminated at nm / sec. The substrate temperature during vapor deposition was room temperature. Next, the vacuum chamber was opened, a mask was placed on the above-mentioned vapor deposition material, and then a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver was vapor-deposited and laminated in the same manner as in Example 1 to fabricate a target device and evaluate it. went. ITO of this element
When an electrode was used as an anode and a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver was used as a cathode and a direct current of 15 V was applied, a current having a current density of 14 mA / cm² was flowed, and blue-violet light emission was obtained. The maximum wavelength of this emission is 450 nm and the brightness is 20.
The emission efficiency was 0 cd / m² and the luminous efficiency was 0.3 lumen / W. There was no peeling or clouding of the electrode surface even after 50 hours from energization, and bluish-violet emission was still observed.

【００５７】実施例１６ 膜厚１００ｎｍのＩＴＯ透明電極が設けられているガラ
ス基板（２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍ：ＨＯＹＡ社
製）を透明支持基板とし、これをイソプロピルアルコー
ルで３０分間超音波洗浄し、さらに浸漬して洗浄した。
この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、市販の真空
蒸着装置の基板ホルダーに固定した。一方、モリブデン
製抵抗加熱ボートに、ＴＰＤＡ２００ｍｇおよびポリ
（Ｎ−ビニルカルバゾール）２００ｍｇをクロロベンゼ
ン４０ミリリットルに溶解して得られる溶液をスピンコ
ーティングして正孔注入層とした。さらに、ＤＰＶＢｉ
２００ｍｇおよび合成例２で得られた２，２’，３，
３’−テトラ（ｐ−トリル）−６，６’−ジキノキサリ
ン２００ｍｇをクロロホルム２０ｇに溶解して得られた
溶液をスピンコーティングして発光層とした。上記スピ
ンコーティングは、７０００回転／分で５０秒間行い、
膜厚は５００±１００Åであった。次に、得られた基板
を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製
抵抗加熱ボートにマグネシウム３ｇを入れ，また別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにインジウムを１ｇ入れ、再
び真空層を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、マグネシウ
ム入りのボートに通電して、蒸着速度２〜３ｎｍ／秒で
マグネシウムを蒸着すると共に、同時に別のモリブデン
製ボートのインジウムを加熱し蒸着速度0.１〜0.２ｎｍ
／秒でインジウムを蒸着し、マグネシウムとインジウム
の混合物からなる対向電極とすることにより、目的とす
る有機ＥＬ素子を作成した。この素子のＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウムとインジウムの混合物からなる対向電
極を陰極として、直流１２ボルトを印加したところ電流
密度５８ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れ、緑青色の発光が得
られた。この発光の最大波長は４８０ｎｍ，輝度は３２
０ｃｄ／ｍ²，発光効率0.１４ルーメン／Ｗであった。
通電後５０時間経ても電極表面の剥離や白濁化はなく、
依然緑青色発光が認められた。Example 16 Glass provided with an ITO transparent electrode having a film thickness of 100 nm
Substrate (25mm × 75mm × 1.1mm: HOYA company)
Made as a transparent support substrate, and the isopropyl alcohol
Ultrasonic cleaning for 30 minutes, and further immersion cleaning.
This transparent support substrate is dried with dry nitrogen gas, and a commercially available vacuum is used.
It was fixed to the substrate holder of the vapor deposition device. Meanwhile, molybdenum
In a resistance heating boat made of TPDA, 200 mg and poly
200 mg of (N-vinylcarbazole) is chlorobenze
The solution obtained by dissolving in 40 ml of
To form a hole injection layer. Furthermore, DPVBi
200 mg and 2,2 ', 3 obtained in Synthesis Example 2
3'-tetra (p-tolyl) -6,6'-diquinoxali
It was obtained by dissolving 200 mg of chloroform in 20 g of chloroform.
The solution was spin-coated to form a light emitting layer. Above
Coating at 7,000 rpm for 50 seconds,
The film thickness was 500 ± 100Å. Then the obtained substrate
Is fixed to the substrate holder of the vacuum evaporation system and made of molybdenum.
Put 3g of magnesium in a resistance heating boat, and
Put 1g of indium into the resistance heating boat made by Libden
And vacuum layer 4 × 10^-FourAfter reducing the pressure to Pa, Magnesium
Energize the boat containing the vapor at a deposition rate of 2-3 nm / sec.
While depositing magnesium, at the same time another molybdenum
Indium in a boat made by heating is vapor-deposited at a rate of 0.1-0.2 nm
/ Second vapor deposition of indium, magnesium and indium
By using a counter electrode composed of a mixture of
An organic EL device was prepared. The ITO electrode of this element
Counter electrode composed of a mixture of magnesium and indium
Current when applying DC 12V with the pole as cathode
Density 58mA / cm²Current flows, and green-blue emission is obtained.
Was given. The maximum wavelength of this emission is 480 nm and the brightness is 32.
0 cd / m²The luminous efficiency was 0.14 lumen / W.
There is no peeling or whitening of the electrode surface even after 50 hours have passed since energization.
Green-blue emission was still observed.

【００５８】実施例１７〜２０ ＴＰＤＱの代わりに第４表に示す化合物を用い、蒸着時
の加熱温度を第４表に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして素子を作製し評価を行った。得られた結
果を第４表に示す。Examples 17 to 20 Devices were prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 4 were used instead of TPDQ and the heating temperature during vapor deposition was changed as shown in Table 4. An evaluation was made. The results obtained are shown in Table 4.

【００５９】[0059]

【表９】[Table 9]

【００６０】[0060]

【表１０】[Table 10]

【００６１】比較例１ ＴＰＤＱの代わりに市販の２，３−ジフェニルキノキサ
リンを塩化メチレンを展開溶媒としてシリカゲルカラム
により精製した試料を用い、蒸着時の加熱ボート温度を
２１５℃に変えた以外は、実施例１と同様にして素子を
作製して評価を行った。この素子のＩＴＯ電極を陽極、
マグネシウムとインジウムの混合物からなる対向電極を
陰極として、直流１４ボルトを印加したところ電流密度
２２ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れ、緑青色の発光が得られ
た。この発光の最大波長は４８４ｎｍ，輝度は５３ｃｄ
／ｍ²，発光効率0.０５ルーメン／Ｗであった。通電
後、電極表面の剥離が認められ、発光減衰が激しく0.５
時間で消光した。Comparative Example 1 Commercially available 2,3-diphenylquinoxax instead of TPDQ
Silica gel column with phosphorus and methylene chloride as developing solvent
Using the sample purified by
An element was prepared in the same manner as in Example 1 except that the temperature was changed to 215 ° C.
It was produced and evaluated. The ITO electrode of this element is the anode,
A counter electrode made of a mixture of magnesium and indium
Applying 14 V DC as the cathode, current density
22 mA / cm²Current flows, and green-blue emission is obtained.
It was The maximum wavelength of this emission is 484 nm and the brightness is 53 cd.
/ M²The luminous efficiency was 0.05 lumen / W. Energization
After that, peeling of the electrode surface was observed, and the luminescence was strongly attenuated to 0.5.
Extinguished in time.

【００６２】[0062]

【発明の効果】以上の如く、本発明の有機ＥＬ素子は、
高輝度，高い発光効率，長寿命を有するものである。し
たがって、本発明の有機ＥＬ素子は、エレクトロニク
ス，表示素子などの化学工業において有効に利用するこ
とができる。As described above, the organic EL device of the present invention is
It has high brightness, high luminous efficiency, and long life. Therefore, the organic EL device of the present invention can be effectively used in the chemical industry such as electronics and display devices.

Claims (5)

Translated fromJapanese

【特許請求の範囲】[Claims]【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】（式中、Ｚは単結合，−Ｏ−，−ＳＯ₂−，−Ｓ−，−
ＣＨ＝ＣＨ−，−ＣＯ−，−ＮＨ−，−Ｎ＝Ｎ−， 【化２】を示し、ＸおよびＹはそれぞれ水素，炭素数１〜６のア
ルキル基，置換または無置換の炭素数６〜１８のアリー
ル基、あるいは置換または無置換の炭素数３〜１２の複
素環残基を示す。上記置換基は、ニトロ基、アミノ基、
シアノ基、水酸基、カルボキシル基、メチルチオ基、エ
チルチオ基、ハロゲン、炭素数１〜６のアルコキシ基、
炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜８
のジアルキルアミノ基、炭素数２〜１２のジアルキレン
オキシ基、炭素数１〜６のアルキレンジオキシ基、炭素
数１〜６のアルキレンオキシ基あるいは炭素数１〜６の
アルキル基である。また、ｎは１〜３の整数を示す。）
で表されるキノキサリン化合物を含有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子。1. A compound represented by the general formula (I): (Wherein, Z is a single_{bond, -O -, - SO 2 -} , - S -, -
CH = CH-, -CO-, -NH-, -N = N-, X and Y are each hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic residue having 3 to 12 carbon atoms. Show. The substituent is a nitro group, an amino group,
Cyano group, hydroxyl group, carboxyl group, methylthio group, ethylthio group, halogen, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms,
Alkoxycarbonyl group having 1 to 6 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms
Is a dialkylamino group having 2 to 12 carbon atoms, a dialkyleneoxy group having 2 to 12 carbon atoms, an alkylenedioxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyleneoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Moreover, n shows the integer of 1-3. )
An organic electroluminescence device containing a quinoxaline compound represented by.【請求項２】 請求項１記載のキノキサリン化合物を含
む層を、一対の電極間に挟持してなる有機エレクトロル
ミネッセンス素子。2. An organic electroluminescence device comprising a layer containing the quinoxaline compound according to claim 1 sandwiched between a pair of electrodes.【請求項３】 電子注入層の少なくとも一層が、請求項
１記載のキノキサリン化合物を含有することを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。3. An organic electroluminescence device, wherein at least one of the electron injection layers contains the quinoxaline compound according to claim 1.【請求項４】 発光層の少なくとも一層が、請求項１記
載のキノキサリン化合物を含有することを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。4. An organic electroluminescence device, wherein at least one of the light emitting layers contains the quinoxaline compound according to claim 1.【請求項５】 正孔注入層の少なくとも一層が、請求項
１記載のキノキサリン化合物を含有することを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。5. An organic electroluminescent device, wherein at least one of the hole injection layers contains the quinoxaline compound according to claim 1.