【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードランプ
用のリードフレームおよび発光ダイオードランプに関す
るものである。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a lead frame for a light emitting diode lamp and a light emitting diode lamp.
【０００２】[0002]
【従来の技術】発光ダイオードランプは、表示用の可視
光発光ダイオードランプ、通信用の赤外光発光ダイオー
ドランプなどが広く用いられている。2. Description of the Related Art As light emitting diode lamps, visible light emitting diode lamps for display and infrared light emitting diode lamps for communication are widely used.
【０００３】可視光発光ダイオードランプの基本的な構
成を図４および図５に示す。図４は発光ダイオードラン
プを上方から見た平面図であり、図５は横から見た正面
図である。１２は発光ダイオードチップであり、発光ダ
イオードランプの発光する部分に相当するチップであ
る。発光ダイオードチップ１２は同図に示すように、通
常は上部から見ると正方形の形状をしている。１１はリ
ードフレームであり、リードフレーム１１ａおよび１１
ｂにより構成されている。一方のリードフレーム１１ａ
は、発光ダイオードチップ１２の下面から電流を導入す
る端子を兼ねている。リードフレーム１１ａには、発光
ダイオードチップ１２を装着するための凹部１１ｄが形
成されている。凹部１１ｄは図４に示すように上面が円
形に形成され、周囲には傾斜面１１ｃが形成されてい
る。発光ダイオードチップ１２は、この円形の凹部１１
ｄと中心が一致するように導電性接着剤１５を用いて装
着されている。The basic structure of a visible light emitting diode lamp is shown in FIGS. FIG. 4 is a plan view of the light emitting diode lamp as seen from above, and FIG. 5 is a front view as seen from the side. Reference numeral 12 denotes a light emitting diode chip, which is a chip corresponding to the light emitting portion of the light emitting diode lamp. As shown in the figure, the light emitting diode chip 12 usually has a square shape when viewed from above. Reference numeral 11 is a lead frame, and the lead frames 11a and 11
b. One lead frame 11a
Also serves as a terminal for introducing a current from the lower surface of the light emitting diode chip 12. The lead frame 11a is formed with a recess 11d for mounting the light emitting diode chip 12. As shown in FIG. 4, the recess 11d has a circular upper surface, and an inclined surface 11c is formed around the recess. The light emitting diode chip 12 has a circular recess 11
It is attached using a conductive adhesive 15 so that the center coincides with d.
【０００４】後述するように発光ダイオードチップ１２
の端面から出た光は、この凹部側面の傾斜面１１ｃによ
り反射され、ランプ上部（図４における紙面手前方向、
図５における上方向）に放出される。As will be described later, the light emitting diode chip 12
The light emitted from the end surface of the lamp is reflected by the inclined surface 11c on the side surface of the concave portion, and the upper portion of the lamp (the front side of the paper surface in FIG.
(Upward in FIG. 5).
【０００５】他方のリードフレーム１１ｂは、発光ダイ
オードチップ１２の上面の電極２４に、ボンディングワ
イヤ１３を通して電流を導入する端子となっている。１
４は発光ダイオードチップ１２の周囲を覆うための丸型
に固化されたエポキシ樹脂であり、リードフレーム１１
ａの凹部底面１１ｄ上に装着される発光ダイオードチッ
プ１２がその中心に位置するようにモールドされてい
る。The other lead frame 11b serves as a terminal for introducing a current through the bonding wire 13 to the electrode 24 on the upper surface of the light emitting diode chip 12. 1
Reference numeral 4 denotes a circular epoxy resin for covering the periphery of the light emitting diode chip 12, and the lead frame 11
The light emitting diode chip 12 mounted on the bottom surface 11d of the concave portion of a is molded so as to be located at the center thereof.
【０００６】動作時には、リードフレーム１１ａおよび
１１ｂを電極として、リードフレーム１１ａからリード
フレーム１１ｂへ、あるいはリードフレーム１１ｂから
リードフレーム１１ａへ所定の大きさの電流を通電させ
ることにより、発光ダイオードチップ１２から発光させ
る。In operation, by using the lead frames 11a and 11b as electrodes, a predetermined amount of current is passed from the lead frame 11a to the lead frame 11b, or from the lead frame 11b to the lead frame 11a, so that the light emitting diode chip 12 is removed. Make it glow.
【０００７】図６および図７には、発光ダイオードチッ
プ１２の構造が示されている。これらの図に示すよう
に、基本的には、基板上に１０μｍオーダあるいはそれ
以下の薄い膜を成長させた積層構造となっている。FIGS. 6 and 7 show the structure of the light emitting diode chip 12. As shown in these figures, it basically has a laminated structure in which a thin film of the order of 10 μm or less is grown on a substrate.
【０００８】図６においては、基板２１の下側に成長膜
２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面
には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２
５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２
３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長
膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型
成長膜という組合せが可能である。In FIG. 6, a growth film 22 and a growth film 23 are sequentially stacked under the substrate 21, an electrode 24 is connected to the upper surface of the substrate 21, and an electrode 2 is connected to the lower surface of the growth film 23.
5 is connected. Substrate 21, growth film 22, growth film 2
The combination of 3 can be a combination of an n-type substrate, an n-type growth film, and a p-type growth film, or a combination of a p-type substrate, a p-type growth film, and an n-type growth film.
【０００９】図７においては、基板２６の上側に成長膜
２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面
に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４
が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２
７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長
膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型
成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。In FIG. 7, the growth film 27 and the growth film 28 are sequentially stacked on the upper side of the substrate 26, the electrode 25 is connected to the lower surface of the substrate 26, and the electrode 24 is formed on the upper surface of the growth film 28.
Are connected. Also in this case, the substrate 26 and the growth film 2
7. The combination of the growth film 28 can be a combination of an n-type substrate, an n-type growth film and a p-type growth film, or a combination of a p-type substrate, a p-type growth film and an n-type growth film.
【００１０】成長膜２２および成長膜２３の接合部、あ
るいは成長膜２７および成長膜２８の接合部は、いわゆ
るｐｎ接合（ｐｎジャンクション）と呼ばれる電流の注
入に必要な構造となっており、その電流注入時に、ｎ型
成長膜、ｐ型成長膜、あるいは接合部において電子と正
孔が再結合して発光し、その光が外部に取り出される。The junction between the growth film 22 and the growth film 23, or the junction between the growth film 27 and the growth film 28 has a structure called a so-called pn junction (pn junction), which is necessary for injecting a current. During the injection, electrons and holes are recombined in the n-type growth film, the p-type growth film, or the junction to emit light, and the light is extracted to the outside.
【００１１】図６に示すものは、成長膜２２、２３のｐ
ｎ接合側を下向きにして、図４および図５のリードフレ
ームの凹部底面１１ｄに装着されるタイプであり、ジャ
ンクションダウン型と呼ばれている。図７に示すもの
は、ｐｎ接合側を上向きにして装着されるタイプでジャ
ンクションアップ型と呼ばれている。FIG. 6 shows the p of the growth films 22 and 23.
This is a type that is mounted on the bottom surface 11d of the recess of the lead frame in FIGS. 4 and 5 with the n-junction side facing downward, and is called a junction down type. The one shown in FIG. 7 is a type that is mounted with the pn junction side facing upward and is called a junction-up type.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】図８および図９に示す
ように、これらの発光ダイオードチップ１２をリードフ
レーム１１の凹部底面１１ｄに導電性接着剤１５を用い
て装着する場合に、導電性接着剤１５を適量滴下するこ
とは極めて難しいため、これらの図に示すように過剰な
導電性接着剤１５が発光ダイオードチップ１２の下面か
らはみ出してしまう。図８に示すようなジャンクション
ダウン型の場合には、はみ出した導電性接着剤１５が盛
り上がって、成長膜２３、２２、さらには基板２１にま
で接触してしまうと、電流のリークを起こし、不良品と
なってしまう問題があった。図９に示すようなジャンク
ションアップ型の場合においても、基板２６の厚みが小
さく、導電性接着剤１５の盛り上がりが大きい場合に
は、導電性接着剤１５が成長膜２７、２８に接触するこ
とにより、同様の不良品の原因となる。As shown in FIGS. 8 and 9, when the light emitting diode chip 12 is mounted on the bottom surface 11d of the recess of the lead frame 11 by using the conductive adhesive 15, a conductive adhesive is used. Since it is extremely difficult to drop an appropriate amount of the agent 15, as shown in these figures, an excessive amount of the conductive adhesive 15 will squeeze out from the lower surface of the light emitting diode chip 12. In the case of the junction down type as shown in FIG. 8, if the protruding conductive adhesive 15 rises and comes into contact with the growth films 23, 22 and even the substrate 21, a current leak occurs, causing a failure. There was a problem that it became a good product. Even in the case of the junction-up type as shown in FIG. 9, when the thickness of the substrate 26 is small and the swelling of the conductive adhesive 15 is large, the conductive adhesive 15 contacts the growth films 27 and 28. , Causes similar defective products.
【００１３】従って、発光ダイオードチップ１２をリー
ドフレーム１１の凹部底面１１ｄに装着する場合には、
はみ出した導電性接着剤１５による問題を解消すること
が必要となるが、これまでのところ、これに関する適切
な報告は見い出せない。Therefore, when mounting the light emitting diode chip 12 on the bottom surface 11d of the recess of the lead frame 11,
It is necessary to eliminate the problem caused by the protruding conductive adhesive 15, but so far no suitable report has been found.
【００１４】本発明は、発光ダイオードチップをリード
フレームの凹部底面に装着する際に、はみ出した導電性
接着剤の盛り上がりによる電流のリークを防止し、製品
の歩留まりを向上させ、生産性を上げることを可能にす
る発光ダイオード用リードフレームおよび発光ダイオー
ドランプを提供することを目的とするものである。According to the present invention, when the light emitting diode chip is mounted on the bottom surface of the concave portion of the lead frame, current leakage due to the protrusion of the conductive adhesive protruding is prevented, the product yield is improved, and the productivity is increased. It is an object of the present invention to provide a lead frame for a light emitting diode and a light emitting diode lamp that enable the above.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、発光ダイオー
ドランプに使用されるリードフレームであって、発光ダ
イオードチップが装着されるリードフレームにおいて、
凸状断面のチップ装着部を有し、その凸状断面のチップ
装着部の上面に発光ダイオードチップが装着されるよう
にしたものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a lead frame used in a light emitting diode lamp, in which a light emitting diode chip is mounted.
The chip mounting portion has a convex cross section, and the light emitting diode chip is mounted on the upper surface of the chip mounting portion having the convex cross section.
【００１６】また、本発明は、このようなリードフレー
ムを用いた発光ダイオードランプである。Further, the present invention is a light emitting diode lamp using such a lead frame.
【００１７】[0017]
【作用】本発明によれば、リードフレームに設けられた
凸状断面のチップ装着部の上面に発光ダイオードチップ
が導電性接着剤により装着されるから、導電性接着剤が
発光ダイオードチップの下面からはみ出した場合にも、
はみ出した導電性接着剤は凸状断面のチップ装着部の周
囲に流れ、凸状断面のチップ装着部の上面に装着された
発光ダイオードチップの接合面には接触しない。したが
って、はみ出した導電性接着剤の盛り上がりによる電流
のリークを防止し、製品の歩留まりを向上させ、生産性
を上げることができる。According to the present invention, since the light emitting diode chip is mounted on the upper surface of the chip mounting portion having the convex cross section provided on the lead frame by the conductive adhesive, the conductive adhesive is mounted on the lower surface of the light emitting diode chip. Even if it protrudes,
The protruding conductive adhesive flows around the chip mounting portion having the convex cross section and does not come into contact with the bonding surface of the light emitting diode chip mounted on the upper surface of the chip mounting portion having the convex cross section. Therefore, it is possible to prevent the leakage of current due to the protrusion of the conductive adhesive that protrudes, improve the yield of products, and increase the productivity.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１９】図１〜図３には、本発明による発光ダイオ
ード用リードフレームおよび発光ダイオードランプの実
施例が示されている。図２には発光ダイオードランプの
全体図が示され、図１および図３には本発明の特徴に係
わる発光ダイオードチップの装着部およびその近傍が拡
大して示されている。1 to 3 show an embodiment of a lead frame for a light emitting diode and a light emitting diode lamp according to the present invention. FIG. 2 shows an overall view of a light emitting diode lamp, and FIGS. 1 and 3 show an enlarged view of a mounting portion of a light emitting diode chip according to the features of the present invention and its vicinity.
【００２０】図１に示す実施例においては、図２に示す
リードフレーム１１の傾斜面１１ｃ、１１ｃに囲まれた
発光ダイオードチップ１の装着部の凹部底面１１ｄの周
囲に、さらに円環状の溝５を設けて、発光ダイオードチ
ップ１の装着部２が相対的に凸状部となるように（凸状
断面を有するように）したものである。In the embodiment shown in FIG. 1, a ring-shaped groove 5 is further formed around the recess bottom surface 11d of the mounting portion of the light emitting diode chip 1 surrounded by the inclined surfaces 11c, 11c of the lead frame 11 shown in FIG. Is provided so that the mounting portion 2 of the light-emitting diode chip 1 is relatively convex (having a convex cross section).
【００２１】また、図３に示す実施例においては、図２
に示すリードフレーム１１の発光ダイオードチップ１の
装着部の凹部底面１１ｄに新たに一体的に或いはリード
フレーム１１とは別部材からなる台座６を設けて、発光
ダイオードチップ１の装着部２が凸状部となるように
（凸状断面を有するように）したものである。Further, in the embodiment shown in FIG.
The mounting portion 2 of the light emitting diode chip 1 is provided with a convex shape by newly providing a pedestal 6 formed integrally or separately from the lead frame 11 on the recessed bottom surface 11d of the mounting portion of the light emitting diode chip 1 of the lead frame 11 shown in FIG. A portion (having a convex cross section).
【００２２】図１および図３のいずれの場合にも、発光
ダイオードチップ１を装着する際には、まずこれらの装
着部２上に導電性接着剤４を滴下し、次に発光ダイオー
ドチップ１を滴下された導電性接着剤４の上に載置して
圧着させる。この圧着の際、過剰な導電性接着剤４が発
光ダイオードチップ１と発光ダイオードチップ装着部２
との間から押し出されるが、装着部２を凸状部としてい
るから、はみ出した導電性接着剤４は、装着部２の周囲
の低い部分に流れ、装着部２上に盛り上がったり、発光
ダイオードチップ１の端面に接触したりするのを防止す
ることができる。In both cases of FIG. 1 and FIG. 3, when mounting the light emitting diode chip 1, first, the conductive adhesive 4 is dropped on these mounting portions 2, and then the light emitting diode chip 1 is mounted. It is placed on the dropped conductive adhesive 4 and pressure-bonded. At the time of this pressure bonding, the excess conductive adhesive 4 is removed by the light emitting diode chip 1 and the light emitting diode chip mounting portion 2
However, since the mounting portion 2 is a convex portion, the protruding conductive adhesive 4 flows to a lower portion around the mounting portion 2 and rises on the mounting portion 2 or a light emitting diode chip. It is possible to prevent the contact with the end face of 1.
【００２３】この効果をより高めるため、装着部２の平
面積（上面の面積）を、発光ダイオードチップ１の平面
積（装着面の面積）よりも小さくすることが望ましい。
但し、ここで平面積とは、上部から見た面積を意味す
る。しかし、装着部２の平面積をあまり小さくしすぎる
と、発光ダイオードチップ１の装着状態が不安定になっ
たり、注入電流が一部分に集中しすぎるなどの問題が生
じるため、この凸状部つまり発光ダイオードチップ装着
部２の平面積は、発光ダイオードチップの平面積（装着
面の面積）の７５〜９５％とすることが望ましい。In order to enhance this effect, it is desirable that the plane area (area of the upper surface) of the mounting portion 2 be smaller than the plane area (area of the mounting surface) of the light emitting diode chip 1.
However, the plane area here means an area viewed from above. However, if the plane area of the mounting portion 2 is made too small, the mounting state of the light emitting diode chip 1 becomes unstable, or the injected current is concentrated too much in a portion. The plane area of the diode chip mounting portion 2 is preferably 75 to 95% of the plane area (mounting surface area) of the light emitting diode chip.
【００２４】また、前記のように、発光ダイオードチッ
プ１の端面から出た光は、リードフレームの凹部の傾斜
面１１ｃで反射されて前面に取り出されるので、リード
フレームの凹部の傾斜面１１ｃと発光ダイオードチップ
１の位置関係を従来型の発光ダイオードランプと同様に
したい場合には、図１の実施例とすることが望ましい。Further, as described above, the light emitted from the end face of the light emitting diode chip 1 is reflected by the inclined surface 11c of the concave portion of the lead frame and is extracted to the front surface, so that light is emitted from the inclined surface 11c of the concave portion of the lead frame. When it is desired to make the positional relationship of the diode chip 1 similar to that of the conventional light emitting diode lamp, it is preferable to adopt the embodiment of FIG.
【００２５】一方、発光ダイオードチップ１の装着位置
を、従来型のものより高くしたい場合には、図１または
図３のいずれの実施例によっても可能である。On the other hand, when the mounting position of the light emitting diode chip 1 is desired to be higher than that of the conventional type, it is possible to use either the embodiment shown in FIG. 1 or FIG.
【００２６】図１〜図３に示す可視光発光ダイオードラ
ンプの基本的な構成は図４および図５に示すものと同様
である。すなわち図４および図５に示す例と同様に、発
光ダイオードチップ１は上面が正方形の形状をしてい
る。リードフレーム１１は発光ダイオードチップ１の両
面に接続される２つの部分１１ａ、１１ｂにより構成さ
れている。一方のリードフレーム１１ａは、発光ダイオ
ードチップ１の下面から電流を導入する端子を兼ねてい
る。このリードフレーム１１ａには、発光ダイオードチ
ップ１を装着するための凹部１１ｄが形成されている。
凹部１１ｄは図４に示すものと同様に上面が円形に形成
され、周囲には角度θをなす傾斜面１１ｃが形成されて
いる。凹部１１ｄの底面には発光ダイオードチップ１の
装着部２が凸状部に形成され、発光ダイオードチップ１
は、この円形の凹部１１ｄ内に形成された装着部２と中
心が一致するように導電性接着剤４を用いて装着され
る。The basic structure of the visible light emitting diode lamp shown in FIGS. 1 to 3 is the same as that shown in FIGS. 4 and 5. That is, similarly to the example shown in FIGS. 4 and 5, the light emitting diode chip 1 has a square upper surface. The lead frame 11 is composed of two parts 11 a and 11 b connected to both surfaces of the light emitting diode chip 1. One lead frame 11a also serves as a terminal for introducing a current from the lower surface of the light emitting diode chip 1. The lead frame 11a has a recess 11d for mounting the light emitting diode chip 1.
Similar to that shown in FIG. 4, the recess 11d has a circular upper surface, and an inclined surface 11c forming an angle θ is formed on the periphery. The mounting portion 2 of the light emitting diode chip 1 is formed in a convex shape on the bottom surface of the recess 11d.
Is attached by using a conductive adhesive 4 so that the center thereof is aligned with the attachment portion 2 formed in the circular recess 11d.
【００２７】発光ダイオードチップ１の端面から出た光
は、凹部の傾斜面１１ｃにより反射され、ランプ上部
（図１〜図３における上方向）に放出される。The light emitted from the end face of the light emitting diode chip 1 is reflected by the inclined surface 11c of the recess and is emitted to the upper part of the lamp (upward in FIGS. 1 to 3).
【００２８】他方のリードフレーム１１ｂは、発光ダイ
オードチップ１の上面の電極に、ボンディングワイヤ１
３を通して電流を導入する端子となっている。１４は発
光ダイオードチップ１の周囲を覆うための丸型に固化さ
れたエポキシ樹脂であり、リードフレームの凹部底面１
１ｄ上に装着される発光ダイオードチップ１がその中心
に位置するようにモールドされている。The other lead frame 11b is bonded to the electrode on the upper surface of the light emitting diode chip 1 by the bonding wire 1
It is a terminal for introducing a current through 3. Reference numeral 14 denotes a circular epoxy resin for covering the periphery of the light emitting diode chip 1, which is the bottom surface 1 of the recess of the lead frame.
The light emitting diode chip 1 mounted on 1d is molded so as to be located at the center thereof.
【００２９】動作時には、リードフレームを電極とし
て、一方のリードフレームから他方のリードフレームへ
所定の大きさの電流を通電させることにより、発光ダイ
オードチップ１から発光させる。In operation, the light emitting diode chip 1 emits light by passing a current of a predetermined magnitude from one lead frame to the other lead frame using the lead frame as an electrode.
【００３０】図６および図７には、図１〜３に示す発光
ダイオードチップ１の構造が示されている。これらの図
に示すように、発光ダイオードチップ１は基本的には、
基板上に１０μｍオーダあるいはそれ以下の薄い膜を成
長させた積層構造となっている。FIGS. 6 and 7 show the structure of the light emitting diode chip 1 shown in FIGS. As shown in these figures, the light emitting diode chip 1 basically has
It has a laminated structure in which a thin film of the order of 10 μm or less is grown on the substrate.
【００３１】図６においては、基板２１の下側に成長膜
２２および成長膜２３が順次積層され、基板２１の上面
には電極２４が接続され、成長膜２３の下面には電極２
５が接続されている。基板２１、成長膜２２、成長膜２
３の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長膜、ｐ型成長
膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型成長膜、ｎ型
成長膜という組合せが可能である。In FIG. 6, the growth film 22 and the growth film 23 are sequentially stacked under the substrate 21, the electrode 24 is connected to the upper surface of the substrate 21, and the electrode 2 is connected to the lower surface of the growth film 23.
5 is connected. Substrate 21, growth film 22, growth film 2
The combination of 3 can be a combination of an n-type substrate, an n-type growth film, and a p-type growth film, or a combination of a p-type substrate, a p-type growth film, and an n-type growth film.
【００３２】図７においては、基板２６の上側に成長膜
２７および成長膜２８が順次積層され、基板２６の下面
に電極２５が接続され、成長膜２８の上面には電極２４
が接続されている。この場合にも、基板２６、成長膜２
７、成長膜２８の組合せとしては、ｎ型基板、ｎ型成長
膜、ｐ型成長膜という組合せ、あるいはｐ型基板、ｐ型
成長膜、ｎ型成長膜という組合せが可能である。In FIG. 7, the growth film 27 and the growth film 28 are sequentially laminated on the upper side of the substrate 26, the electrode 25 is connected to the lower surface of the substrate 26, and the electrode 24 is formed on the upper surface of the growth film 28.
Are connected. Also in this case, the substrate 26 and the growth film 2
7. The combination of the growth film 28 can be a combination of an n-type substrate, an n-type growth film and a p-type growth film, or a combination of a p-type substrate, a p-type growth film and an n-type growth film.
【００３３】成長膜２２および成長膜２３の接合部、あ
るいは成長膜２７および成長膜２８の接合部は、いわゆ
るｐｎ接合（ｐｎジャンクション）と呼ばれる電流の注
入に必要な構造となっており、その電流注入時に、ｎ型
成長膜、ｐ型成長膜、あるいは接合部において電子と正
孔が再結合して発光し、その光が外部に取り出される。The junction between the growth film 22 and the growth film 23 or the junction between the growth film 27 and the growth film 28 has a structure required for current injection called a so-called pn junction (pn junction). During the injection, electrons and holes are recombined in the n-type growth film, the p-type growth film, or the junction to emit light, and the light is extracted to the outside.
【００３４】図６に示すものは、成長膜２２、２３のｐ
ｎ接合側を下向きにして、図１〜３のリードフレーム１
１ａの装着部２に装着されるタイプであり、ジャンクシ
ョンダウン型と呼ばれている。図７に示すものは、ｐｎ
接合側を上向きにして装着されるタイプでジャンクショ
ンアップ型と呼ばれている。FIG. 6 shows the p of the growth films 22 and 23.
Lead frame 1 of FIGS. 1 to 3 with the n-junction side facing downward
This is a type that is mounted on the mounting portion 2 of 1a and is called a junction down type. What is shown in FIG. 7 is pn
It is called the junction-up type, which is the type that is installed with the junction side facing up.
【００３５】次に本発明による発光ダイオード用リード
フレームの製作の具体例を示す。 （具体例１）図２に示すようなリードフレームを製造す
る際に従来用いていた「型」の、発光ダイオードチップ
装着部たる凹部底面１１ｄに相当する部分を改造して、
凹部底面１１ｄに新たに溝５を形成するための構造を設
けた新しい「型」を製作し、これを用いて図１に示すよ
うなリードフレーム１１を製造した。Next, a specific example of manufacturing the lead frame for a light emitting diode according to the present invention will be described. (Specific Example 1) By modifying a part corresponding to the bottom surface 11d of the recess, which is a light emitting diode chip mounting part, of the "mold" conventionally used in manufacturing the lead frame as shown in FIG.
A new "die" having a structure for newly forming the groove 5 on the bottom surface 11d of the recess was manufactured, and using this, a lead frame 11 as shown in FIG. 1 was manufactured.
【００３６】リードフレーム１１ａの凹部底面１１ｄ
（直径０．６２ｍｍ）の中心に、発光ダイオードチップ
装着部２として、０．２９ｍｍ×０．２９ｍｍの正方形
状で、高さ０．１ｍｍの凸状部を設けた。リードフレー
ムの凹部傾斜面１１ｃとの位置関係は前記の改造前後で
変更されていない。新たに形成された溝５は、前記０．
２９ｍｍ×０．２９ｍｍ×０．１ｍｍの発光ダイオード
チップ装着部２を除くリードフレーム凹部底面１１ｄ全
域に円環状に設けられ、深さ、すなわち発光ダイオード
チップ装着部２の高さは０．１ｍｍである。凹部傾斜面
１１ｃの高さは０．２８ｍｍ、凹部底面１１ｄと傾斜面
１１ｃのなす角θは２２５度（凹部内側）とした。Bottom surface 11d of the recess of the lead frame 11a
At the center of (diameter of 0.62 mm), a 0.29 mm × 0.29 mm square convex portion having a height of 0.1 mm was provided as the light emitting diode chip mounting portion 2. The positional relationship between the lead frame and the recessed inclined surface 11c is not changed before and after the modification. The newly formed groove 5 has the above-mentioned 0.
The light emitting diode chip mounting portion 2 of 29 mm × 0.29 mm × 0.1 mm is provided in an annular shape over the entire bottom surface 11 d of the lead frame concave portion, and the depth, that is, the height of the light emitting diode chip mounting portion 2 is 0.1 mm. .. The height of the recessed portion inclined surface 11c was 0.28 mm, and the angle θ between the recessed portion bottom surface 11d and the inclined surface 11c was 225 degrees (inside the recessed portion).
【００３７】このリードフレーム１１ａの発光ダイオー
ドチップ装着部２に導電性接着剤４を滴下した後、０．
３ｍｍ×０．３ｍｍの、炭化珪素製の、ジャンクション
ダウン型青色発光ダイオードチップ１を装着したとこ
ろ、導電性接着剤４のはみ出しは認められたものの、そ
の大半が溝５内に流れ込み、導電性接着剤４による盛り
上がり等は発生せず、電流のリークを防ぐことができ
た。また、不良品の発生がなく、全体として製品の歩留
りが向上した。After dropping the conductive adhesive 4 onto the light emitting diode chip mounting portion 2 of the lead frame 11a,
When a junction down type blue light emitting diode chip 1 of 3 mm × 0.3 mm made of silicon carbide was attached, most of the conductive adhesive 4 flowed into the groove 5 although the conductive adhesive 4 overflowed, but the conductive adhesive The swelling and the like due to the agent 4 did not occur, and the current leakage could be prevented. In addition, there were no defective products, and the overall product yield was improved.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、リ
ードフレームに設けられた凸状断面のチップ装着部の上
面に発光ダイオードチップが装着される構成であるの
で、チップ装着の際に使用される導電性接着剤がチップ
下面からはみだした場合でも、はみ出した導電性接着剤
の盛り上がりによる電流のリークを防ぐことができる。As described above, according to the present invention, the light emitting diode chip is mounted on the upper surface of the chip mounting portion having the convex cross section provided on the lead frame. Even if the conductive adhesive used protrudes from the lower surface of the chip, it is possible to prevent current leakage due to the protrusion of the conductive adhesive protruding.
【００３９】特に、リードフレームの凹部に溝を設ける
ことにより上記凸状断面のチップ装着部を形成するよう
にした場合においては、従来型のリードフレームにおけ
る発光ダイオードチップと凹部傾斜面との位置関係を維
持できるので、発光ダイオードランプの前面に光を取り
出す効率を維持することができる。In particular, in the case where the chip mounting portion having the above-mentioned convex cross section is formed by forming a groove in the recess of the lead frame, the positional relationship between the light emitting diode chip and the sloped surface of the recess in the conventional lead frame. Therefore, the efficiency of extracting light to the front surface of the light emitting diode lamp can be maintained.
【図１】本発明によるリードフレームの要部を示す図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing a main part of a lead frame according to the present invention.
【図２】本発明による発光ダイオードランプの一実施例
を示す図である。FIG. 2 is a view showing an embodiment of a light emitting diode lamp according to the present invention.
【図３】本発明によるリードフレームの要部を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a main part of a lead frame according to the present invention.
【図４】従来の発光ダイオードランプの例を示す平面図
である。FIG. 4 is a plan view showing an example of a conventional light emitting diode lamp.
【図５】従来の発光ダイオードランプの例を示す正面図
である。FIG. 5 is a front view showing an example of a conventional light emitting diode lamp.
【図６】発光ダイオードチップの積層構造を示す図であ
る。FIG. 6 is a view showing a laminated structure of a light emitting diode chip.
【図７】発光ダイオードチップの積層構造を示す図であ
る。FIG. 7 is a view showing a laminated structure of a light emitting diode chip.
【図８】従来のリードフレームによる発光ダイオードチ
ップの装着状態を示す図である。FIG. 8 is a view showing a mounting state of a light emitting diode chip by a conventional lead frame.
【図９】従来のリードフレームによる発光ダイオードチ
ップの装着状態を示す図である。FIG. 9 is a view showing a mounting state of a light emitting diode chip by a conventional lead frame.
１ 発光ダイオードチップ ２ 発光ダイオードチップ装着部 ４ 導電性接着剤 ５ 溝 ６ 台座 １１ リードフレーム １１ａ リードフレーム １１ｂ リードフレーム １１ｃ 凹部傾斜面 １１ｄ 凹部底面 １２ 発光ダイオードチップ １３ ボンディングワイヤ １４ エポキシ樹脂 １５ 導電性接着剤 ２１ 基板 ２２ 成長膜 ２３ 成長膜 ２４ 電極 ２５ 電極 ２６ 基板 ２７ 成長膜 ２８ 成長膜 1 Light-Emitting Diode Chip 2 Light-Emitting Diode Chip Mounting Portion 4 Conductive Adhesive 5 Groove 6 Pedestal 11 Lead Frame 11a Lead Frame 11b Lead Frame 11c Recessed Slope 11d Recessed Bottom 12 Light-Emitting Diode Chip 13 Bonding Wire 14 Epoxy Resin 15 Conductive Adhesive 21 Substrate 22 Growth Film 23 Growth Film 24 Electrode 25 Electrode 26 Substrate 27 Growth Film 28 Growth Film
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