【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、チャンバ内にターゲッ
ト表面を加熱するためのランプヒータを備えたスパッタ
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus having a lamp heater for heating a target surface inside a chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は従来のスパッタ装置の概略を示す
断面図である。この図において、１はスパッタ装置のチ
ャンバ、２はターゲット、３は回転式シャッタ、４はこ
の回転式シャッタ３に形成された開口部、５は基板ホル
ダ、６は成膜される半導体基板である。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a sectional view showing an outline of a conventional sputtering apparatus. In this figure, 1 is a chamber of a sputtering apparatus, 2 is a target, 3 is a rotary shutter, 4 is an opening formed in the rotary shutter 3, 5 is a substrate holder, and 6 is a semiconductor substrate on which a film is formed. ..
【０００３】次に、動作について説明する。ターゲット
２をプラズマでスパッタすることによってターゲット２
の物質を半導体基板６上に成膜する場合、回転式シャッ
タ３を回転させ、その開口部４をターゲット２上に合わ
せることにより行う。しかし、ターゲット物質がＺｎＯ
などの酸化物や混合物である場合、長期間ターゲット２
がスパッタされると、ターゲット２表面の組成が変化
し、多孔質状になってくる。このような状態のターゲッ
ト２は水分を吸着しやすく、スパッタを行うと、成膜物
質中に水分が含まれ、異常な膜が形成される。Next, the operation will be described. Target 2 by sputtering target 2 with plasma
When the substance of 1) is formed on the semiconductor substrate 6, the rotary shutter 3 is rotated and the opening 4 is aligned with the target 2. However, the target material is ZnO
If it is an oxide or mixture of
When is sputtered, the composition of the surface of the target 2 changes and becomes porous. The target 2 in such a state easily adsorbs moisture, and when sputtered, moisture is contained in the film-forming substance and an abnormal film is formed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタ装置
は、以上のように構成されているので、ＺｎＯなどの酸
化物をターゲット２として用いると、ターゲット２表面
に水分が吸着されるため、この水分を取り除く目的でタ
ーゲット２を装置から取り外し、１５０℃程度のベーク
炉に保管するなどの方策を講じる必要があった。このた
め、ターゲット２が汚染され、作業が煩雑になるなどの
問題点があった。Since the conventional sputtering apparatus is configured as described above, if an oxide such as ZnO is used as the target 2, moisture will be adsorbed on the surface of the target 2 and this moisture will be absorbed. It was necessary to take measures such as removing the target 2 from the apparatus and storing it in a baking oven at about 150 ° C. for the purpose of removing. Therefore, there is a problem that the target 2 is contaminated and the work becomes complicated.
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ターゲットを装置内から取り出
さずにターゲットに吸着した水分を取り除くことのでき
るスパッタ装置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a sputtering apparatus capable of removing the water adsorbed on the target without removing the target from the inside of the apparatus. ..
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタ装
置は、スパッタ装置のチャンバ内にターゲットを加熱す
るランプヒータを設置したものである。A sputtering apparatus according to the present invention has a lamp heater for heating a target installed in a chamber of the sputtering apparatus.
【０００７】[0007]
【作用】本発明においては、スパッタ装置のチャンバ内
に取り付けたランプヒータによりターゲット表面を加熱
できるため、ターゲットに吸着した水分を除去できる。In the present invention, since the target surface can be heated by the lamp heater installed in the chamber of the sputtering apparatus, the water adsorbed on the target can be removed.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明のスパッタ装置の一実
施例を示す構成図である。図１において、７は前記回転
式シャッタ３に取り付けられたランプヒータ、８はこの
ランプヒータ７からの光である。その他の符号は、図４
の従来例と同一構成部分を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B are configuration diagrams showing an embodiment of the sputtering apparatus of the present invention. In FIG. 1, 7 is a lamp heater attached to the rotary shutter 3, and 8 is light from the lamp heater 7. Other symbols are shown in FIG.
The same components as those of the conventional example are shown.
【０００９】次に、動作について説明する。スパッタ前
にターゲット２表面の水分を除去する場合、回転式シャ
ッタ３に取り付けたランピヒータ７がターゲット２上に
来るように回動させ（図１（ａ））、ランプヒータ７に
よりターゲット２表面を加熱する。ターゲット２表面の
水分を十分除去した後、回転式シャッタ３の開口部４が
ターゲット２の上に来るように回転式シャッタ３を回動
させ、図１（ｂ）に示すような状態にし、スパッタを行
う。Next, the operation will be described. When removing water on the surface of the target 2 before sputtering, the lamp heater 7 attached to the rotary shutter 3 is rotated so as to come over the target 2 (FIG. 1A), and the surface of the target 2 is heated by the lamp heater 7. To do. After sufficiently removing the water on the surface of the target 2, the rotary shutter 3 is rotated so that the opening 4 of the rotary shutter 3 is located above the target 2, and the state shown in FIG. I do.
【００１０】なお、上記実施例では、回転式シャッタ３
にランプヒータ７を取り付けた構造としたが、図２
（ａ）に示すように、チャンバ１の内壁に可倒式のラン
プヒータ７１を取り付けた構造としてもよい。本例で
は、ターゲット２を加熱する場合は、回転式シャッタ３
の開口部４をターゲット２上に合わせておき、ランプヒ
ータ７１によって加熱を行う。スパッタする場合は、ラ
ンプヒータ７１を図２（ｂ）に示すように支柱を折り畳
み、壁面に密着させて行う。In the above embodiment, the rotary shutter 3 is used.
The lamp heater 7 is attached to the
As shown in (a), a retractable lamp heater 71 may be attached to the inner wall of the chamber 1. In this example, when the target 2 is heated, the rotary shutter 3
The opening 4 of the above is aligned with the target 2, and heating is performed by the lamp heater 71. In the case of spattering, the lamp heater 71 is folded into a column as shown in FIG.
【００１１】また、図３（ａ）は基板ホルダ５と同軸
に、可動式のランプヒータ７２を取り付けたものであ
る。ターゲット２を加熱後は、図３（ｂ）のように、ラ
ンプヒータ７２を回転させ、回転シャッタ３の開口部４
の上から移動して退避させて行う。Further, FIG. 3A shows a movable lamp heater 72 mounted coaxially with the substrate holder 5. After heating the target 2, as shown in FIG. 3B, the lamp heater 72 is rotated to open the opening 4 of the rotary shutter 3.
Move from the top and evacuate.
【００１２】なお、以上の実施例では、回転式シャッタ
３を用いた装置を例にとって説明してきたが、他のシャ
ッタの方式、例えばスライド式シャッタを持つ装置に適
用しても同等の効果が得られる。また、上記の実施例以
外の方法やチャンバ内の異なる場所にランプヒータを設
置してもよいことはいうまでもない。In the above embodiments, the device using the rotary shutter 3 has been described as an example, but the same effect can be obtained even if the device is applied to another shutter system, for example, a device having a slide shutter. Be done. Further, it goes without saying that the lamp heater may be installed in a method other than the above-mentioned embodiment or in a different place in the chamber.
【００１３】[0013]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スパッタ装置のチャンバ内にターゲット加熱用のランプ
ヒータを設置したことにより、ターゲット表面の水分を
除去できるため、作業性および膜の品質が向上する効果
がある。As described above, according to the present invention,
By installing the lamp heater for heating the target in the chamber of the sputtering apparatus, water on the surface of the target can be removed, so that workability and film quality are improved.
【図１】本発明の一実施例を示すスパッタ装置の断面図
である。FIG. 1 is a sectional view of a sputtering apparatus showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例を示すスパッタ装置の断面
図である。FIG. 2 is a sectional view of a sputtering apparatus showing another embodiment of the present invention.
【図３】本発明のさらに他の実施例のスパッタ装置を示
す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a sputtering apparatus according to still another embodiment of the present invention.
【図４】従来のスパッタ装置を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional sputtering device.
１ チャンバ ２ ターゲット ３ 回転式シャッタ ４ 開口部 ５ 基板ホルダ ６ 半導体基板 ７ ランプヒータ ７１ 可倒式のランプヒータ ７２ 可動式のランプヒータ ８ ランプヒータからの光 1 Chamber 2 Target 3 Rotating Shutter 4 Opening 5 Substrate Holder 6 Semiconductor Substrate 7 Lamp Heater 71 Retractable Lamp Heater 72 Movable Lamp Heater 8 Light from Lamp Heater
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21530691AJPH0551734A (en) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Spatter device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21530691AJPH0551734A (en) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Spatter device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551734Atrue JPH0551734A (en) | 1993-03-02 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21530691APendingJPH0551734A (en) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Spatter device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551734A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693199A (en)* | 1995-03-09 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Single chamber sputtering assembly |
| JP2011119720A (en)* | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor element, method of manufacturing semiconductor device, and film-forming apparatus |
| JP2012172217A (en)* | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Taiheiyo Cement Corp | Sputtering target and method for producing the same |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693199A (en)* | 1995-03-09 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Single chamber sputtering assembly |
| JP2011119720A (en)* | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor element, method of manufacturing semiconductor device, and film-forming apparatus |
| JP2012172217A (en)* | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Taiheiyo Cement Corp | Sputtering target and method for producing the same |
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