【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スクリーン上に画像を
拡大投影するための投射型画像表示装置に用いられるア
クティブマトリクス表示素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix display device used in a projection type image display device for enlarging and projecting an image on a screen.
【０００２】[0002]
【従来の技術】アクティブマトリクス表示素子は、一般
に、対向する２つの基板の一方に、絵素と称され表示単
位となる絵素電極がマトリクス状に配列され、これらの
絵素電極には、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略す）
等のスイッチング素子を介して独立した駆動電圧が印加
されるよう構成される。駆動電圧が印加されると、絵素
電極と他方の基板上の対向電極との間に封入された液晶
等の表示媒体の光学的特性が変化し、前記絵素による表
示を行う。これらの複数の絵素によって画像や文字など
が表示される。2. Description of the Related Art Generally, an active matrix display element has pixel electrodes, which are referred to as picture elements and which are display units, arranged in a matrix on one of two substrates facing each other. (Hereinafter abbreviated as TFT)
Independent drive voltages are applied via switching elements such as. When the driving voltage is applied, the optical characteristics of the display medium such as liquid crystal enclosed between the picture element electrode and the counter electrode on the other substrate are changed, and the display by the picture element is performed. Images and characters are displayed by the plurality of picture elements.
【０００３】ところで、アクティブマトリクス方式の表
示素子のＴＦＴには、アモルファスシリコン、多結晶シ
リコン等の半導体が使用されるが、これらの半導体では
一般に光によってキャリアが励起され、スイッチング素
子としてのオフ特性が悪くなるため、これを解決すべく
次のような提案がなされている。By the way, semiconductors such as amorphous silicon and polycrystalline silicon are used for the TFT of the active matrix type display element. In these semiconductors, carriers are generally excited by light, and the off characteristics as a switching element are obtained. The following proposals have been made to solve this problem.
【０００４】その１つとしては、図５に示すように、Ｔ
ＦＴ２１の上を覆って遮光膜２２を設け、この遮光膜２
２で光を遮りＴＦＴ２１に光が照射しない構成とする提
案である（特開昭５６−１４０３２１号）。更には、通
常においてはＴＦＴを駆動するバス配線と絵素電極との
間に浮遊容量の低減化のためにギャップを設けるが、こ
のギャップから光が漏れてコントラストが低下するのを
避けるべく、図６に示すように円形をした絵素電極２３
の上に、絵素電極２３よりも小さな寸法で同一形状の円
形をした開口部２４ａを有する遮光膜２４を設ける構成
が提案されている（特開昭５９−１１６７２１号）。上
記遮光膜２２、２４は、ＴＦＴと光源との間に設けられ
る。As one of them, as shown in FIG.
A light-shielding film 22 is provided so as to cover the top of the FT 21.
It is a proposal that the light is blocked by 2 and the TFT 21 is not irradiated with the light (Japanese Patent Laid-Open No. 56-140321). Furthermore, a gap is usually provided between the bus line that drives the TFT and the pixel electrode to reduce the stray capacitance, but in order to prevent light from leaking from this gap and lowering the contrast, A picture element electrode 23 having a circular shape as shown in FIG.
There has been proposed a structure in which a light-shielding film 24 having a circular opening 24a having the same shape as the pixel electrode 23 but having a size smaller than that of the pixel electrode 23 is provided on the above (Japanese Patent Laid-Open No. 59-116721). The light shielding films 22 and 24 are provided between the TFT and the light source.
【０００５】このようにアクティブマトリクス表示素子
には、スイッチング素子におけるオフ特性の向上を図る
べく遮光膜が形成されるが、その遮光膜としては、表示
に寄与しない遮光膜によって反射した光が目に入るとコ
ントラストが低下するので、例えばパーソナルコンピュ
ータ、ワードプロセッサー、ポケットテレビ等の直視型
の表示装置に対しては、例えばクロム、モリブデン、タ
ンタル等の反射率の低い金属が従来より用いられてい
る。As described above, a light-shielding film is formed on the active matrix display element in order to improve the off characteristics of the switching element. As the light-shielding film, the light reflected by the light-shielding film that does not contribute to the display is seen. Since the contrast decreases when entering, metal having a low reflectance such as chromium, molybdenum, and tantalum has been conventionally used for direct-view display devices such as personal computers, word processors, and pocket televisions.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近用
いられている、画像を投影レンズによってスクリーン上
に拡大投影する投射型画像表示装置においては、輝度を
高めるべく強い光が照射されるため、上述のような反射
率の低い金属からなる遮光膜を設けると、遮光膜が光を
吸収して表示素子の温度が上昇し、表示の不良を起こし
たり、表示素子の信頼性が低下したりすることがある。However, in the projection type image display device which has been used recently and which magnifies and projects the image on the screen by the projection lens, strong light is emitted to increase the brightness, and therefore the above-mentioned problem is encountered. When a light-shielding film made of a metal having such a low reflectance is provided, the light-shielding film absorbs light and the temperature of the display element rises, which may cause display failure or reduce the reliability of the display element. is there.
【０００７】そこで、光の反射率を高めて表示素子の温
度上昇を防止すべく、遮光膜にアルミニウムを使用する
提案がされた（特開平１−１０２４３０号）。しかし、
アルミニウムの薄膜は薬品によるダメージを受け易い上
に、熱的な原子移動によるピンホールが発生しやすいた
め、実際に量産した場合、充分高い良品率が得られない
という問題点があった。Therefore, in order to increase the reflectance of light and prevent the temperature of the display element from rising, it has been proposed to use aluminum for the light-shielding film (JP-A-1-102430). But,
Since the aluminum thin film is easily damaged by chemicals and pinholes are apt to be generated due to thermal atom movement, a sufficiently high yield rate cannot be obtained in actual mass production.
【０００８】本発明はこのような問題点を解決するもの
であり、強い照射光を用いて表示画面の高輝度化が図れ
ると共に温度上昇を小さくでき、しかも高い良品率かつ
低コストで製造できる、投射型画像表示装置用のアクテ
ィブマトリクス表示素子を提供するものである。The present invention solves such a problem, in which a strong irradiation light can be used to increase the brightness of the display screen, reduce the temperature rise, and manufacture at a high yield rate and low cost. The present invention provides an active matrix display device for a projection type image display device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示素子は、光学的表示媒体を挟んで対向配置さ
れた一対の透明絶縁性基板と、該一対の基板のいずれか
一方にマトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電
極に印加される駆動電圧をスイッチングするスイッチン
グ素子とを有するアクティブマトリクス表示素子におい
て、該絵素電極が形成されていない他方の基板の該光学
的表示媒体側に、該絵素電極以外の部分を少なくとも覆
って、アルミニウム膜と高融点金属膜との２層膜から成
る遮光膜が形成されており、そのことによって上記目的
が達成される。An active matrix display device of the present invention is formed in a matrix form on a pair of transparent insulating substrates that are opposed to each other with an optical display medium interposed therebetween. An active matrix display element having a picture element electrode formed thereon and a switching element for switching a drive voltage applied to the picture element electrode, the optical display medium side of the other substrate on which the picture element electrode is not formed. Further, a light-shielding film composed of a two-layer film of an aluminum film and a refractory metal film is formed so as to cover at least a portion other than the pixel electrode, and thereby the above object is achieved.
【００１０】[0010]
【作用】本発明にあっては、絵素電極以外の部分を少な
くとも覆うように設けた遮光膜が、アルミニウム膜と高
融点金属膜との２層膜から成るので、光反射率が高く、
熱的な原子移動によるピンホールの発生が少ないものと
なる。In the present invention, since the light-shielding film provided so as to cover at least the portion other than the pixel electrode is composed of the two-layer film of the aluminum film and the refractory metal film, the light reflectance is high,
The generation of pinholes due to thermal atom movement is reduced.
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の実施例については以下に説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【００１２】図１に本発明のアクティブマトリクス表示
素子を模式的に示す。本実施例のアクティブマトリクス
表示素子１０は、図示しない液晶を挟む一対の透明絶縁
性基板１及び５を備える。これら透明絶縁性基板１及び
５は、それぞれガラス基板が用いられている。一方（下
側）の基板１には絵素電極４がマトリクス状に形成さ
れ、各絵素電極４にはスイッチング素子として機能する
ＴＦＴ２が接続されている。また、各絵素電極４の間に
は、ゲートバス配線３及びソースバス配線９が互いに直
交するように設けられている。FIG. 1 schematically shows an active matrix display device of the present invention. The active matrix display element 10 of this embodiment includes a pair of transparent insulating substrates 1 and 5 sandwiching a liquid crystal (not shown). Glass substrates are used as the transparent insulating substrates 1 and 5, respectively. The pixel electrodes 4 are formed in a matrix on one (lower) substrate 1, and each pixel electrode 4 is connected to a TFT 2 that functions as a switching element. A gate bus line 3 and a source bus line 9 are provided between the picture element electrodes 4 so as to be orthogonal to each other.
【００１３】他方（上側）の基板５の下面には、図２に
示すように前記絵素電極４の周縁部及び絵素電極４以外
の部分を覆う遮光膜（ハッチングで示す）６が形成され
ている。この遮光膜６は、アルミニウム膜と高融点金属
であるチタン膜との２層膜からなる。具体的には、スパ
ッタリング法等の薄膜形成技術によりアルミニウム膜を
形成し、その上にチタン膜を形成し、得られた２層膜を
フォトリソグラフィ技術によって開口部を設けることに
より形成される。なお、アルミニウム膜とチタンからな
る高融点金属膜とは上下逆の配置にしてもよい。On the lower surface of the other (upper) substrate 5, as shown in FIG. 2, a light-shielding film (shown by hatching) 6 for covering the peripheral portion of the picture element electrode 4 and a portion other than the picture element electrode 4 is formed. ing. The light-shielding film 6 is a two-layer film including an aluminum film and a titanium film which is a refractory metal. Specifically, an aluminum film is formed by a thin film forming technique such as a sputtering method, a titanium film is formed thereon, and an opening is formed in the obtained two-layer film by a photolithography technique. The aluminum film and the refractory metal film made of titanium may be arranged upside down.
【００１４】この遮光膜６を覆って基板５の下面全面に
は、スパッタリング法により形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる対向電極７、及
びポリイミド樹脂を焼成してラビング処理を施した配向
膜８が設けられている。この基板５と前記基板１との間
には、液晶層（図示せず）が封入されて、本実施例のア
クティブマトリクス表示素子が作製されている。表示は
ツイスティドネマティックモードで行うようにした。An ITO (Ind) formed by a sputtering method is formed on the entire lower surface of the substrate 5 so as to cover the light shielding film 6.
A counter electrode 7 made of ium-tin oxide) and an alignment film 8 obtained by baking a polyimide resin and performing a rubbing treatment are provided. A liquid crystal layer (not shown) is enclosed between the substrate 5 and the substrate 1 to manufacture the active matrix display element of this embodiment. Display is done in twisted nematic mode.
【００１５】ところで、この表示素子における遮光膜６
は、前述したように基板１上の絵素電極４の周縁部及び
絵素電極４以外の部分を覆って形成され、その寸法は表
示素子の表示画面に対して次のようにした。例えば、表
示素子１０の表示画面の大きさに関しては、対角線が７
５ｍｍ、絵素ピッチが縦１９０μｍ×横１６１μｍであ
り、これに対して遮光膜６を絵素電極４上の開口部が縦
８８μｍ×横１０４μｍとなるように形成した。このと
き、遮光膜６の開口率は３０％である。By the way, the light-shielding film 6 in this display element
Is formed so as to cover the peripheral portion of the picture element electrode 4 on the substrate 1 and a portion other than the picture element electrode 4 as described above, and the dimensions thereof are as follows with respect to the display screen of the display element. For example, regarding the size of the display screen of the display element 10, the diagonal line is 7
The pixel pitch was 5 mm and the pixel pitch was 190 μm in length × 161 μm in width. On the other hand, the light-shielding film 6 was formed so that the openings on the pixel electrodes 4 were 88 μm in length × 104 μm in width. At this time, the aperture ratio of the light shielding film 6 is 30%.
【００１６】したがって、本実施例にあっては、可視光
反射率が約８０％である遮光膜６を使用しているため、
１００％からその反射率、つまり８０％を差し引いた値
で表される光吸収率が、従来の可視光反射率が約６０％
であるクロムからなる遮光膜の光吸収率に対して約半分
となる。Therefore, in this embodiment, since the light-shielding film 6 having a visible light reflectance of about 80% is used,
The light absorptivity, which is the value obtained by subtracting the reflectance, that is, 80% from 100%, is the conventional visible light reflectance of about 60%.
The light absorption rate of the light-shielding film made of chromium is about half.
【００１７】また、本実施例の遮光膜におけるピンホー
ルの発生数は、従来のアルミニウム薄膜からなる遮光膜
のそれとを対比して示す表１より理解されるごとく、従
来の約１０分の１から２０分の１に減少しており、充分
高い良品率で量産が可能である。The number of pinholes generated in the light-shielding film of this embodiment is about one-tenth of that of the conventional one, as can be understood from Table 1 which is shown in comparison with that of the conventional light-shielding film made of an aluminum thin film. It is reduced to 1/20 and mass production is possible with a sufficiently high yield rate.
【００１８】[0018]
【表１】[Table 1]
【００１９】上記実施例ではアルミニウム膜とチタン膜
からなる２層膜を使用しているが、高融点金属としては
チタンに限らず、タンタルやモリブデンなどの他の高融
点金属を用いてもよい。なお、チタン等の高融点金属か
らなる膜をアルミニウム膜の上に形成した場合には、ア
ルミニウムからなる遮光膜に比べて、薬品によるダメー
ジを受けにくい。Although the two-layer film composed of the aluminum film and the titanium film is used in the above embodiment, the refractory metal is not limited to titanium, and other refractory metals such as tantalum and molybdenum may be used. When a film made of a refractory metal such as titanium is formed on the aluminum film, it is less likely to be damaged by chemicals than a light-shielding film made of aluminum.
【００２０】図３に、本実施例のアクティブマトリクス
表示素子を用いた投射型画像表示装置の概略図を示す。
この装置は、放物面反射鏡１２付の光源１１を備え、こ
の光源１１の前方には３原色分解用ダイクロックミラー
（以下分解用ミラーという）１４Ｒと１４Ｂ、アクティ
ブマトリクス表示素子（以下単に表示素子という）１０
Ｇ及び反射ミラー１５Ｍが配設され、光源１１の前方か
ら少し位置をずらせて反射ミラー１４Ｍ、表示素子１０
Ｒ、３原色合成用ダイクロックミラー（合成用ミラーと
いう）１５Ｂと１５Ｇ、投影レンズ１６、及びスクリー
ン１７が配設されており、上記分解用ミラー１４Ｂと合
成用ミラー１５Ｂとの間には、表示素子１０Ｂが設けら
れている。各表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂの光入射
側にはコンデンサレンズ１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが設け
られている。また、表示素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ、
投射レンズ１６、及びスクリーン１７が光軸に対して斜
めに配置されているが、これはツイスティドネマティッ
クモードの最適視覚方向から光を照射しかつ投影画面の
台形歪を無くすためである。FIG. 3 is a schematic view of a projection type image display device using the active matrix display device of this embodiment.
This apparatus includes a light source 11 with a parabolic reflector 12, and in front of the light source 11, dichroic mirrors for separating three primary colors (hereinafter referred to as separation mirrors) 14R and 14B, an active matrix display element (hereinafter referred to simply as "display"). Element) 10
G and the reflection mirror 15M are disposed, and the reflection mirror 14M and the display element 10 are slightly displaced from the front of the light source 11.
A dichroic mirror for synthesizing three primary colors (referred to as a synthesizing mirror) 15B and 15G, a projection lens 16 and a screen 17 are provided, and a display is provided between the disassembling mirror 14B and the synthesizing mirror 15B. The element 10B is provided. Condenser lenses 13R, 13G and 13B are provided on the light incident sides of the respective display elements 10R, 10G and 10B. In addition, the display elements 10R, 10G, 10B,
The projection lens 16 and the screen 17 are arranged obliquely with respect to the optical axis, in order to irradiate light from the optimum viewing direction of the twisted nematic mode and eliminate the trapezoidal distortion of the projection screen.
【００２１】前記光源１１から発せられた白色光は、直
接、または放物面反射鏡１２によって反射されて、分解
用ミラー１４Ｒ、１４Ｂ及び反射ミラー１５Ｍに向か
う。分解用ミラー１４Ｒでは赤色（Ｒ）成分の光のみが
反射される。反射されたＲ成分の光は、反射ミラー１４
Ｍによって反射され、コンデンサレンズ１３Ｒ及び表示
素子１０Ｒに向けられる。表示素子１０ＲはＲ成分の光
の透過を制御し、Ｒ成分の光に画像情報を与える。表示
素子１０Ｒを透過したＲ成分の光は合成用ミラー１５Ｂ
及び１５Ｇを透過し、投影レンズ１６によってスクリー
ン１７上に表示される。The white light emitted from the light source 11 is directed to the disassembling mirrors 14R and 14B and the reflecting mirror 15M either directly or by being reflected by the parabolic reflecting mirror 12. Only the red (R) component light is reflected by the disassembling mirror 14R. The reflected R component light is reflected by the reflection mirror 14
It is reflected by M and is directed to the condenser lens 13R and the display element 10R. The display element 10R controls the transmission of the R component light and gives image information to the R component light. The R component light transmitted through the display element 10R is composed by the combining mirror 15B.
And 15G, and is displayed on the screen 17 by the projection lens 16.
【００２２】一方、分解用ミラー１４Ｒを透過した緑色
（Ｇ）成分及び青色（Ｂ）成分の光のうち、Ｂ成分の光
は、分解用ミラー１４Ｂで反射され、コンデンサレンズ
１３Ｂ及び表示素子１０Ｂに到達する。表示素子１０Ｂ
はＢ成分の光の透過を制御しＢ成分の光に画像情報を与
える。表示素子１０Ｂを透過したＢ成分の光は、合成用
ミラー１５Ｂで反射されて、表示素子１０Ｒを透過して
きたＲ成分の光と合わさり、その後合成用ミラー１５Ｇ
を透過し、投影レンズ１６によってスクリーン１７上に
表示される。On the other hand, of the green (G) and blue (B) component lights that have passed through the disassembling mirror 14R, the B component light is reflected by the disassembling mirror 14B and is reflected by the condenser lens 13B and the display element 10B. To reach. Display element 10B
Controls the transmission of the B component light and gives image information to the B component light. The B component light that has passed through the display element 10B is reflected by the combining mirror 15B and is combined with the R component light that has passed through the display element 10R, and then the combining mirror 15G.
And is displayed on the screen 17 by the projection lens 16.
【００２３】また、上記分解用ミラー１４Ｂを透過した
Ｇ成分の光は、コンデンサレンズ１３Ｇ及び表示素子１
０Ｇに到達する。表示素子１０ＧはＧ成分の光の透過を
制御し、Ｇ成分の光に画像情報を与える。表示素子１０
Ｇを透過したＧ成分の光は、反射ミラー１５Ｍで反射さ
れ、更に合成用ミラー１５ＢからのＲ成分の光及びＢ成
分の光と合わさる。更にＧ成分の光は、Ｒ成分の光及び
Ｂ成分の光と共に、投影レンズ１６によってスクリーン
１７上に表示される。The G component light transmitted through the disassembling mirror 14B is used as the condenser lens 13G and the display element 1.
Reach 0G. The display element 10G controls the transmission of the G component light and gives image information to the G component light. Display element 10
The G component light transmitted through G is reflected by the reflection mirror 15M and further combined with the R component light and the B component light from the combining mirror 15B. Further, the G component light is displayed on the screen 17 by the projection lens 16 together with the R component light and the B component light.
【００２４】図４は、このように構成した投影型画像表
示装置の光源１１に、１５０Ｗのメタルハライドランプ
を用いた場合において、表示素子１０Ｂの表面温度を測
定した結果（白丸）を示す。比較のために従来のクロム
からなる遮光膜を用いた表示素子で同一構成の投影型画
像表示装置を作製し、同一箇所の表示素子について温度
測定した場合の結果（黒丸）も併せて示した。なお、温
度測定には、光源１１からの白色光のうち赤外線をカッ
トした光を用いた。FIG. 4 shows the results (white circles) of the surface temperature of the display element 10B measured when a 150 W metal halide lamp was used as the light source 11 of the projection type image display device constructed as described above. For comparison, the results (black circles) are also shown when a projection type image display device having the same structure was manufactured using a conventional display element using a light-shielding film made of chromium and the temperature of the display element at the same location was measured. In addition, for the temperature measurement, light from which infrared rays were cut out of the white light from the light source 11 was used.
【００２５】この図より理解されるように、白丸で示す
本実施例の場合にはＡｌ−Ｔｉの２層膜からなる遮光膜
６を用いているので、黒丸で示す遮光膜にクロムを用い
た従来の表示素子よりも温度上昇が大幅に小さくなって
いる。また、他の箇所にある表示素子１０Ｒ、１０Ｇに
ついても同様に温度上昇の低減効果が認められた。As can be seen from this figure, since the light-shielding film 6 consisting of a two-layer film of Al--Ti is used in the case of this embodiment shown by white circles, chromium is used for the light-shielding film shown by black circles. The temperature rise is much smaller than that of conventional display elements. Further, the display elements 10R and 10G at the other locations were also found to have the same effect of reducing the temperature rise.
【００２６】従って、本実施例の表示素子を使用する場
合には、表示素子の使用温度が同じとすると、従来の表
示素子に用いられる光源の２倍の明るさの光源を用いる
ことができる。Therefore, when the display element of this embodiment is used, if the operating temperature of the display element is the same, it is possible to use a light source having a brightness twice that of the light source used in the conventional display element.
【００２７】なお、上記実施例においては遮光膜にて覆
う箇所が絵素電極の周縁部及び絵素電極以外の部分とし
ているが、遮光膜にて覆う箇所としては、絵素電極の周
縁部を省略して絵素電極以外の部分だけとしてもよい。In the above embodiment, the portion covered with the light shielding film is the peripheral portion of the pixel electrode and the portion other than the pixel electrode. However, the portion covered with the light shielding film is the peripheral portion of the pixel electrode. It may be omitted and only the portion other than the pixel electrodes may be provided.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示素子
は、遮光膜がアルミニウム膜と高融点金属膜との２層膜
から成るので、光反射率が高く、熱的な原子移動による
ピンホールの発生が少ないものとなっている。このた
め、高い良品率かつ安価に、表示画面の輝度の高い投影
型画像表示装置用のアクティブマトリクス表示素子を供
給することが可能になる。In the active matrix display device of the present invention, the light-shielding film is composed of a two-layer film consisting of an aluminum film and a refractory metal film, so that the light reflectance is high and pinholes are generated due to thermal atom transfer. There are few. Therefore, it becomes possible to supply an active matrix display element for a projection type image display device having a high brightness of a display screen at a high yield rate and at a low cost.
【図１】本実施例のアクティブマトリクス表示素子を示
す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an active matrix display element of this embodiment.
【図２】遮光膜にて絵素電極部分を覆っている状態を示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state where a pixel electrode portion is covered with a light shielding film.
【図３】図１のアクティブマトリクス表示素子を用いた
投射型画像表示装置の概略図である。3 is a schematic view of a projection type image display device using the active matrix display element of FIG.
【図４】その投射型画像表示装置を構成するアクティブ
マトリクス表示素子の時間と表面温度との関係を示す図
である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between time and surface temperature of an active matrix display element constituting the projection type image display device.
【図５】従来のアクティブマトリクス表示素子に形成し
てある遮光膜を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a light-shielding film formed in a conventional active matrix display element.
【図６】従来の他のアクティブマトリクス表示素子に形
成した遮光膜を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a light shielding film formed on another conventional active matrix display element.
１、５ 透明絶縁性基板 ２ ＴＦＴ ３ ゲートバス配線 ４ 絵素電極 ６ 遮光膜 ７ 対向電極 ８ 配向膜 ９ ソースバス配線 １０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ アクティブマトリクス表示
素子 １１ 光源 １２ 放物面反射鏡 １３ コンデンサレンズ １４Ｒ、１４Ｂ ３原色分解用ダイクロックミラー １４Ｍ、１５Ｍ 反射ミラー １５Ｂ、１５Ｇ ３原色合成用ダイクロックミラー １６ 投影レンズ １７ スクリーン1, 5 Transparent Insulating Substrate 2 TFT 3 Gate Bus Wiring 4 Pixel Electrode 6 Light-Shielding Film 7 Counter Electrode 8 Alignment Film 9 Source Bus Wiring 10R, 10G, 10B Active Matrix Display Element 11 Light Source 12 Parabolic Mirror 13 Condenser Lens 14R, 14B 3 primary color separation dichroic mirror 14M, 15M reflective mirror 15B, 15G 3 primary color synthesis dichroic mirror 16 projection lens 17 screen
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大津 久美子 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 野呂 昌司 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 永富 久人 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Kumiko Otsu, 22-22 Nagaike-cho, Nagano-cho, Abeno-ku, Osaka, Japan (72) Masaji Noro 22-22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka (72) Inventor Hisato Nagatomi 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20084291AJPH0545643A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Active matrix display element |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20084291AJPH0545643A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Active matrix display element |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545643Atrue JPH0545643A (en) | 1993-02-26 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20084291APendingJPH0545643A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Active matrix display element |
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0545643A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716334A3 (en)* | 1994-12-08 | 1997-05-14 | At & T Corp | Antiflector black matrix for use in display devices and method for preparation of same |
| JP2001100250A (en)* | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Nec Corp | Transmission liquid crystal panel, image display device and method for manufacturing panel |
| US7323717B2 (en) | 1996-12-30 | 2008-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02132833A (en)* | 1988-11-11 | 1990-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | thin film wiring |
| JPH02306222A (en)* | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
| JPH03256025A (en)* | 1990-03-06 | 1991-11-14 | Toshiba Corp | Liquid crystal panel |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH02306222A (en)* | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
| JPH03256025A (en)* | 1990-03-06 | 1991-11-14 | Toshiba Corp | Liquid crystal panel |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716334A3 (en)* | 1994-12-08 | 1997-05-14 | At & T Corp | Antiflector black matrix for use in display devices and method for preparation of same |
| US7323717B2 (en) | 1996-12-30 | 2008-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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| US8168975B2 (en) | 1996-12-30 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| USRE43782E1 (en) | 1996-12-30 | 2012-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device having wiring layers which are connected over multiple contact parts |
| JP2001100250A (en)* | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Nec Corp | Transmission liquid crystal panel, image display device and method for manufacturing panel |
| US6630972B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-10-07 | Nec Corporation | Transmission liquid crystal panel to block ray of light toward thin film transistors with a light blocking film |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal | Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date:19980209 |