【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いられる有機薄膜発光素子に係り、特に有機薄
膜発光素子の電子注入電極に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic thin film light emitting device used as a light emitting source for various display devices, and more particularly to an electron injection electrode for an organic thin film light emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のブラウン管にかわるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。2. Description of the Related Art With the rapid increase in demand for flat displays replacing conventional cathode ray tubes, various display elements have been vigorously developed and put into practical use. An electroluminescence element (hereinafter referred to as an EL element) is also adapted to such a need, and in particular, as an all solid state spontaneous light emitting element,
It attracts attention due to its high resolution and high visibility that other displays do not have.
【０００３】現在、実用化されているものは、発光層に
ＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素子であ
る。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必要な駆
動電圧が２００Ｖ程度と高いため駆動方法が複雑となり
製造コストが高いといった問題点がある。また、青色発
光の効率が低いため、フルカラ−化が困難である。これ
に対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、発光に必
要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光材料の添
加によりフルカラ−化の可能性を充分に持つことから、
近年研究が活発化している。At present, what has been put into practical use is an EL element made of an inorganic material using a ZnS / Mn system in the light emitting layer. However, this type of inorganic EL element has a problem that the driving method is complicated and the manufacturing cost is high because the driving voltage required for light emission is as high as about 200V. Moreover, since the efficiency of blue light emission is low, it is difficult to achieve full color. On the other hand, a thin film light emitting device using an organic material can drastically reduce the driving voltage required for light emission, and since it has a possibility of becoming a full color by adding various light emitting materials,
Research has become active in recent years.
【０００４】特に、インジウムスズ酸化物（以下ＩＴＯ
と略する）からなる透明電極上に、正孔注入層と発光層
を積層し、この上にＭｇとＡｇの合金（混合比１０：
１）を蒸着した構造において、発光材にトリス（８−ヒ
ドロキシキノリン）アルミニウムを、正孔注入材に１，
１’−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジトリアミノフェニル）シク
ロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の直流電圧
印加で１０００ｃｄ／ｍ2以上の輝度が得られたという
報告がなされて以来開発に拍車がかけられた。（Appl.P
hys.Lett.51,913,(1987))この種の積層構造素子は、駆
動用直流電源のプラス側をＩＴＯ電極に、マイナス側を
Ｍｇ／Ａｇ電極と接続することにより、該ＩＴＯ電極か
ら注入された正孔と該Ｍｇ／Ａｇ電極から注入された電
子が発光層中で輻射再結合により発光するものと考えら
れており、特に正孔注入層の導入により、正孔の発光層
への注入性が向上したため発光効率の大幅な改善がなさ
れたものと推定されている。（以下、駆動電源のプラス
側と接続し正孔の注入を行う電極を正孔注入電極と、マ
イナス側と接続し、電子の注入を行う電極を電子注入電
極と称する。）従来、電子注入電極としてはＭｇ系アロ
イが一般的に用いられ、また、発光層からの発光を取り
出すための透明電極としては、ＩＴＯまたはＳｎＯ2が
用いられている。特に、Ｍｇは、その詳細な理論的根拠
は充分に解明されてはいないが、発光層への電子注入性
が優れていることから電子注入電極に最適である。しか
しＭｇは酸化性が高く不安定であることから単独では電
極としての適用が難しく、Ａｇ、Ｉｎ等とのアロイ系と
している。しかるに、アロイ系としてもなお充分には安
定でなく、成膜後に電気抵抗が増大し、特性劣化をおこ
すことがある。また、該Ｍｇ系アロイを形成する際に、
Ｍｇともう一つの金属との混合比を正確にコントロ−ル
することは困難である。In particular, indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO)
Abbreviated) on a transparent electrode consisting of a hole injection layer and a light emitting layer.
Is laminated, and an alloy of Mg and Ag (mixing ratio 10:
In the structure in which 1) is deposited, tris (8-hi
Droxyquinoline) aluminum as a hole injection material
1'-bis (4-N, N-ditriaminophenyl) sik
DC voltage of 10V or less by using rohexane
1000 cd / m when applied2It is said that the above brightness was obtained
Development has been spurred since the report was made. (Appl.P
hys.Lett.51, 913, (1987)) This type of laminated structure element
The positive side of the dynamic DC power supply is the ITO electrode, and the negative side is
By connecting with the Mg / Ag electrode, the ITO electrode
Holes injected from the Mg / Ag electrode and electrons injected from the Mg / Ag electrode.
It is thought that the child emits light by radiative recombination in the light emitting layer.
In particular, by introducing a hole injection layer, a hole emitting layer
Since the injection property into the
It is estimated that the (Hereafter, drive power source plus
The electrode that is connected to the side and injects holes is the hole injection electrode.
Electron injection electrode connected to the INUS side to inject electrons
Called the pole. ) Conventionally, Mg-based alloys have been used as electron injection electrodes.
B is generally used, and the emission from the emission layer is
As a transparent electrode for emitting, ITO or SnO2But
It is used. In particular, Mg is the detailed theoretical basis
Is not fully understood, but the electron injection property to the light emitting layer
It is most suitable for an electron injection electrode because of its excellent properties. Only
However, since Mg is highly oxidative and unstable, it cannot be used alone.
It is difficult to apply it as a pole, and it can be used as an alloy with Ag, In, etc.
is doing. However, it is still sufficiently cheap as an alloy system.
However, the electrical resistance increases after film formation, resulting in deterioration of characteristics.
There are things to do. Further, when forming the Mg-based alloy,
Accurately control the mixing ratio of Mg and another metal
Is difficult to do.
【０００５】かかる問題を解決するための手段として、
Ａｌを添加した酸化亜鉛膜が電子注入電極として良好な
特性を示すことが見出されている。該Ａｌを添加した酸
化亜鉛膜は、発光層への電子注入性において、上記Ｍｇ
系アロイと同等の能力を有するばかりでなく、安定性に
おいて該Ｍｇ系アロイより優れている。したがって、Ｍ
ｇ系アロイのかわりに、電子注入電極として適用可能で
ある。さらに、該酸化亜鉛膜は膜中に添加するＡｌの含
有量を調整することにより、可視光に対して８０〜９０
％の透過率となるため、発光層からの発光を取り出す透
明電極としても使用できる。As a means for solving such a problem,
It has been found that a zinc oxide film to which Al is added exhibits good characteristics as an electron injection electrode. The zinc oxide film added with Al has the above-mentioned Mg content in terms of electron injecting property to the light emitting layer.
Not only does it have the same ability as the system alloy, but it is superior to the Mg system alloy in stability. Therefore, M
It can be applied as an electron injecting electrode instead of the g-based alloy. Further, the zinc oxide film is adjusted to 80 to 90 with respect to visible light by adjusting the content of Al added to the film.
Since it has a transmittance of%, it can be used also as a transparent electrode for taking out light emitted from the light emitting layer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、かかるＡｌ
を添加した酸化亜鉛膜は、数ｍｍ2サイズの単一素子に
関しては問題はないが、実用的な数１０ｃｍ2以上のサ
イズへの適用においては、問題点が生じる。すなわち、
該Ａｌを添加した酸化亜鉛膜は、ＩＴＯやＳｎＯ2等の
透明導電膜や、Ａｌ、Ｍｇ系アロイ等の金属膜に比べ、
表面の平滑性に劣る。したがって、ガラス等の絶縁性基
板上に、Ａｌ添加酸化亜鉛膜を１０００〜５０００Å形
成し、該Ａｌ添加酸化亜鉛膜単独で電極とする場合に、
電極表面に凹凸が生じる。このため、膜厚１０００〜２
０００Å程度の有機層を該Ａｌ添加酸化亜鉛膜上に成膜
すると、有機層にも凹凸が生じたり、膜厚が不均一とな
るため、時として素子面内の発光ムラや、該有機膜の膜
厚の薄い部分に電界が局所的に集中し、短絡現象をひき
おこすことがある。よって、素子面積の大きい素子にお
いて、表面平滑性の向上をなしうる層構成または成膜法
の開発が、該Ａｌ添加酸化亜鉛膜を用いた有機発光素子
の実用化に際しては重要になる。However, such Al
The zinc oxide film added with is several mm2Into a single element of size
There is no problem with this, but a practical number of 10 cm2More than
A problem arises in application to IS. That is,
The zinc oxide film containing Al is ITO or SnO.2Etc.
Compared to transparent conductive films and metal films such as Al and Mg alloys,
Poor surface smoothness. Therefore, an insulating group such as glass
Al-added zinc oxide film 1000-5000Å shape on the plate
When the Al-added zinc oxide film alone is used as an electrode,
Unevenness occurs on the electrode surface. Therefore, the film thickness 1000-2
An organic layer of about 000Å is formed on the Al-added zinc oxide film
Then, the organic layer may have irregularities or the film thickness may not be uniform.
Therefore, sometimes the light emission unevenness in the device surface or the film of the organic film is caused.
The electric field is locally concentrated on the thin part, which may cause a short circuit phenomenon.
It may happen. Therefore, for an element with a large element area
And layer formation or film formation method capable of improving surface smoothness
Of developing an organic light emitting device using the Al-doped zinc oxide film
Will be important for practical application.
【０００７】電子注入電極は良好な電荷の注入性，長時
間駆動時の安定性が求められるがＡｌ，Ｔｉ等の金属を
単独で用いた場合、長時間駆動に伴い、電極が剥離する
減少がみられ、信頼性の向上のためにはこの剥離現象の
改善が必要であり、発光効率の一層の向上が望まれる。
この発明は上述の点に点に鑑みてなされ、その目的は新
規な電子注入電極を開発することにより、発光効率と信
頼性に優れる有機薄膜発光素子を提供することにある。The electron injecting electrode is required to have a good charge injecting property and stability during long-time driving. However, when a metal such as Al or Ti is used alone, the electrode peels off with a long time driving. However, it is necessary to improve this peeling phenomenon in order to improve reliability, and further improvement in luminous efficiency is desired.
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an organic thin film light emitting device having excellent luminous efficiency and reliability by developing a new electron injection electrode.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一の発明
によれば正孔注入電極および電子注入電極の一対の電極
と、この電極に挟まれた電荷注入層と発光層とを有し、
電荷注入層は電極から電荷の注入を受け継いでこれを発
光層に輸送注入するもので、正孔注入電極から正孔の注
入を受ける正孔注入層と電子注入電極から電子の注入を
受ける電子注入層のうちの少なくとも正孔注入層を含む
ものであり、発光層は正孔と電子の注入を受けて所定の
波長の発光を行うものであり、一対の電極のうち電子注
入電極はスカンジウム金属からなるとすること、また第
二の発明によれば、正孔注入電極および電子注入電極の
一対の電極と、この電極に挟まれた電荷注入層と発光層
とを有し、電荷注入層は電極から電荷の注入を受け継い
でこれを発光層に輸送注入するもので、正孔注入電極か
ら正孔の注入を受ける正孔注入層と電子注入電極から電
子の注入を受ける電子注入層のうちの少なくとも正孔注
入層を含むものであり、発光層は正孔と電子の注入を受
けて所定の波長の発光を行うものであり、一対の電極の
うち電子注入電極はスカンジウム合金からなるとするこ
とにより達成される。According to the first invention, the above-mentioned object has a pair of electrodes of a hole injection electrode and an electron injection electrode, and a charge injection layer and a light emitting layer sandwiched between the electrodes. ,
The charge injection layer inherits charge injection from the electrode and transports and injects it into the light emitting layer. The hole injection layer receives holes from the hole injection electrode and electron injection receives electrons from the electron injection electrode. The layer includes at least a hole injection layer, the light emitting layer receives holes and electrons and emits light of a predetermined wavelength, and the electron injection electrode of the pair of electrodes is made of scandium metal. According to the second aspect of the invention, a pair of electrodes, a hole injecting electrode and an electron injecting electrode, and a charge injecting layer and a light emitting layer sandwiched between the electrodes are provided. Injecting charges and transporting and injecting them into the light-emitting layer, at least the positive hole injection layer receiving holes from the hole injection electrode and the electron injection layer receiving electrons from the electron injection electrode are positive. Including a hole injection layer Ri, the light emitting layer is subjected to injection of holes and electrons is intended for emitting light of a predetermined wavelength, the electron injection electrode of the pair of electrodes is accomplished by a scandium alloy.
【０００９】[0009]
【作用】Ｓｃを電子注入電極として用いると、発光効率
と長時間安定性が向上する。Ｓｃの合金を用いると、発
光効率と長時間安定性がさらに向上する。When Sc is used as the electron injecting electrode, luminous efficiency and long-term stability are improved. When an alloy of Sc is used, luminous efficiency and long-term stability are further improved.
【００１０】[0010]
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。図２はこの発明の異なる実施例に
係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図３はこの
発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図である。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an organic thin film light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing an organic thin film light emitting device according to another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a sectional view showing an organic thin film light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【００１１】１は絶縁性基板、２は正孔注入電極、３は
正孔注入層、４は発光層、５は電子注入層、６は電子注
入電極である。絶縁性基板１は有機薄膜発光素子の支持
体であり、ガラス，樹脂等がもちいられる。正孔注入電
極２は金，ニッケル等の半透膜やインジウムスズ酸化物
（ＩＴＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2）等の透明導電膜から
なり、抵抗加熱蒸着，電子ビーム蒸着，スパッタ法等に
より形成される。膜厚は１００ないし２０００Åの厚さ
が好ましい。Reference numeral 1 is an insulating substrate, 2 is a hole injection electrode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, 5 is an electron injection layer, and 6 is an electron injection electrode. The insulating substrate 1 is a support for the organic thin film light emitting device, and glass, resin or the like is used. The hole injection electrode 2 is made of a semi-permeable film of gold, nickel or the like or a transparent conductive film of indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO2 ) or the like and is formed by resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering method or the like. To be done. The film thickness is preferably 100 to 2000Å.
【００１２】正孔注入層３は発光層に効率良く正孔を輸
送，注入し発光した光の極大値において出来るだけ透明
であることが望ましい。成膜方法としてはスピンコー
ト，キャスティング，ＬＢ法，抵抗加熱蒸着，電子ビー
ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は
２００ないし５０００Åであり、好適には３００ないし
８００Åである。正孔注入物質としてはヒドラゾン化合
物，ピラゾリン化合物，スチルベン化合物，アミン系化
合物，などが用いられる。代表的な正孔注入物質が以下
化学式（４−１）ないし化学式（４−７）に示される。It is desirable that the hole injecting layer 3 be as transparent as possible at the maximum value of light emitted by efficiently injecting and injecting holes into the light emitting layer. The film forming method includes spin coating, casting, LB method, resistance heating evaporation, electron beam evaporation, etc., but resistance heating evaporation is common. The film thickness is 200 to 5000Å, preferably 300 to 800Å. As the hole injecting substance, a hydrazone compound, a pyrazoline compound, a stilbene compound, an amine compound or the like is used. Typical hole injecting substances are shown in the following chemical formulas (4-1) to (4-7).
【００１３】[0013]
【化１】[Chemical 1]
【００１４】発光層は正孔注入層より注入された正孔と
電子注入電極または電子注入層から注入された電子によ
り効率良く発光を行う。成膜方法としてはスピンコー
ト，キャスティング，ＬＢ法，抵抗加熱蒸着，電子ビー
ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は
２００ないし５０００Åであり、好適には３００ないし
８００Åである。The light emitting layer efficiently emits light by the holes injected from the hole injection layer and the electrons injected from the electron injection electrode or the electron injection layer. The film forming method includes spin coating, casting, LB method, resistance heating evaporation, electron beam evaporation, etc., but resistance heating evaporation is common. The film thickness is 200 to 5000Å, preferably 300 to 800Å.
【００１５】発光層としては金属キレート化合物，ペリ
ノン誘導体，ジスチリルベンゼン誘導体，等が用いられ
る。代表的な発光物質が以下化学式（５−１）ないし化
学式（５−５）に示される。A metal chelate compound, a perinone derivative, a distyrylbenzene derivative, or the like is used for the light emitting layer. Typical luminescent substances are shown in chemical formulas (5-1) to (5-5) below.
【００１６】[0016]
【化２】[Chemical 2]
【００１７】電子注入層は電子を発光層に効率良く輸
送，注入することが必要である。成膜方法としてはスピ
ンコート，キャスティング，ＬＢ法，抵抗加熱蒸着，電
子ビーム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。
膜厚は２００ないし５０００Åであり、好適には３００
ないし８００Åである。電子注入物質としてはオキサジ
アゾール誘導体，ペリレン誘導体，などが用いられる。
代表的な電子注入物質が化学式（６−１）ないし化学式
（６−３）に示される。The electron injection layer needs to efficiently transport and inject electrons into the light emitting layer. The film forming method includes spin coating, casting, LB method, resistance heating evaporation, electron beam evaporation, etc., but resistance heating evaporation is common.
The film thickness is 200 to 5000Å, preferably 300
Or 800Å. An oxadiazole derivative, a perylene derivative, etc. are used as an electron injection substance.
Typical electron injecting substances are represented by chemical formulas (6-1) to (6-3).
【００１８】電子注入電極６は抵抗加熱蒸着，電子ビー
ム蒸着，スパッタ法により形成される。 実施例１ 膜厚１０００Åのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を設
けた５０ｍｍ角のガラスを基板とし、この基板を抵抗加
熱蒸着装置内に載置し、正孔注入層、発光層の順に成膜
した。成膜に際して真空槽内は８×１０-4Ｐａまで減圧
した。正孔注入層には化学式（４−１）に示される正孔
注入物質を用い、ボート温度１９０ないし２３０℃の範
囲で加熱し、成膜速度を２Å／ｓとして８００Å形成し
た。発光層には化学式（５−１）で示される発光物質を
用い、ボート温度２３０ないし２７０℃の範囲で加熱
し、成膜速度を２Å／ｓとして６００Å形成した。この
あと基板を抵抗加熱蒸着装置から取り出し、直径５ｍｍ
のドットパターン用ステンレスマスクを取り付け、新た
に抵抗加熱蒸着装置内に載置し、電子注入電極としてＳ
ｃを１０００Å形成した。 実施例２ 実施例１の発光層を化学式（５−２）で示される発光物
質に代え、ボート温度２１０ないし２６０℃の範囲で加
熱し、成膜速度を２Å／ｓとして６００Å形成する他は
実施例１と同様にして有機薄膜発光素子を形成した。 比較例１ 実施例１の電子注入電極をＡｌ １０００Åに代える他
は実施例１と同様にして有機薄膜発光素子を形成した。 比較例２ 実施例２の電子注入電極をＡｌ １０００Åにかえる他
は実施例２と同様にして有機薄膜発光素子を形成した。The electron injection electrode 6 is formed by resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, or sputtering. Example 1 A glass of 50 mm square provided with indium tin oxide (ITO) having a film thickness of 1000 Å was used as a substrate, and this substrate was placed in a resistance heating vapor deposition device to form a hole injection layer and a light emitting layer in this order. .. During film formation, the pressure inside the vacuum chamber was reduced to 8 × 10−4 Pa. For the hole injection layer, the hole injection material represented by the chemical formula (4-1) was used, and heated at a boat temperature of 190 to 230 ° C. to form a film at a rate of 2Å / s to form 800Å. The luminescent material represented by the chemical formula (5-1) was used for the luminescent layer, and the luminescent material was heated at a boat temperature of 230 to 270 ° C. to form 600 Å at a film forming rate of 2 Å / s. After that, the substrate was taken out from the resistance heating vapor deposition device and the diameter was 5 mm.
The dot pattern stainless mask is attached, and it is newly placed in the resistance heating vapor deposition device, and S
c was formed at 1000Å. Example 2 Except that the light emitting layer of Example 1 was replaced with the light emitting material represented by the chemical formula (5-2), the boat temperature was heated in the range of 210 to 260 ° C., and the film formation rate was 2Å / s to form 600Å. An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 1. Comparative Example 1 An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 1 except that the electron injecting electrode of Example 1 was replaced with Al 1000Å. Comparative Example 2 An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 2 except that the electron injection electrode of Example 2 was changed to Al 1000Å.
【００１９】このようにして得られた有機薄膜発光素子
に直流電圧を印加し、発光特性を測定した。測定結果が
表１，表２に示される。A direct current voltage was applied to the organic thin film light emitting device thus obtained, and the light emitting characteristics were measured. The measurement results are shown in Tables 1 and 2.
【００２０】[0020]
【化３】[Chemical 3]
【００２１】[0021]
【表１】[Table 1]
【００２２】[0022]
【表２】表１，表２に見られるように実施例１，２は比較例１、
２に比較して発光開始電圧、発光効率、最高輝度が向上
しており、本発明のＳｃを正孔注入電極として用いるこ
との優位性は明らかである。 実施例３ 実施例１の電子注入電極をＳｃ／Ｍｇ（８：２）の合金
として１０００Å形成しその他は実施例１と同様にして
有機薄膜発光素子を形成した。 実施例４ 実施例２の電子注入電極をＳｃ／Ｍｇ（８：２）の合金
として１０００Å形成しその他は実施例２と同様にして
有機薄膜発光素子を形成した。 実施例５ 実施例１の電子注入電極をＳｃ／Ｉｎ（８：２）の合金
として１０００Å形成しその他は実施例１と同様にして
有機薄膜発光素子を形成した。 実施例６ 実施例２の電子注入電極をＳｃ／Ｉｎ（８：２）の合金
として１０００Å形成しその他は実施例２と同様にして
有機薄膜発光素子を形成した。[Table 2] As can be seen in Table 1 and Table 2, Examples 1 and 2 are Comparative Example 1,
The light emission starting voltage, the light emission efficiency, and the maximum luminance are improved as compared with 2, and the superiority of using Sc of the present invention as a hole injection electrode is clear. Example 3 An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 1 except that the electron injecting electrode of Example 1 was formed as an alloy of Sc / Mg (8: 2) to 1000 Å. Example 4 An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 2 except that the electron injecting electrode of Example 2 was formed as an alloy of Sc / Mg (8: 2) to 1000Å. Example 5 An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 1 except that the electron injection electrode of Example 1 was formed as an alloy of Sc / In (8: 2) to 1000 Å. Example 6 An organic thin film light emitting device was formed in the same manner as in Example 2 except that the electron injection electrode of Example 2 was formed as an alloy of Sc / In (8: 2) to 1000 Å.
【００２３】このようにして得られた有機薄膜発光素子
に直流電圧を印加し、発光特性を測定した。測定結果が
表３，表４に示される。A direct current voltage was applied to the organic thin film light emitting device thus obtained, and the light emitting characteristics were measured. The measurement results are shown in Tables 3 and 4.
【００２４】[0024]
【表３】[Table 3]
【００２５】[0025]
【表４】表３，表４に見られるように実施例３，４，５，６は比
較例１，２に比較して剥離現象が改善されて連続発光時
間が改善され、さらに発光開始電圧，効率，最高輝度に
ついても向上がみられ、Ｓｃ合金を正孔注入電極として
用いることの優位性は明らかである。[Table 4] As can be seen from Tables 3 and 4, Examples 3, 4, 5 and 6 are improved in peeling phenomenon and improved continuous light emission time as compared with Comparative Examples 1 and 2, and further, light emission start voltage, efficiency and maximum The brightness is also improved, and the superiority of using the Sc alloy as the hole injecting electrode is clear.
【００２６】[0026]
【発明の効果】第一の発明によれば正孔注入電極および
電子注入電極の一対の電極と、この電極に挟まれた電荷
注入層と発光層とを有し、電荷注入層は電極から電荷の
注入を受け継いでこれを発光層に輸送注入するもので、
正孔注入電極から正孔の注入を受ける正孔注入層と電子
注入電極から電子の注入を受ける電子注入層のうちの少
なくとも正孔注入層を含むものであり、発光層は正孔と
電子の注入を受けて所定の波長の発光を行うものであ
り、一対の電極のうち電子注入電極はスカンジウム金属
からなるとすること、また第二の発明によれば正孔注入
電極および電子注入電極の一対の電極と、この電極に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、電荷注入層は電極
から電荷の注入を受け継いでこれを発光層に輸送注入す
るもので、正孔注入電極から正孔の注入を受ける正孔注
入層と電子注入電極から電子の注入を受ける電子注入層
のうちの少なくとも正孔注入層を含むものであり、発光
層は正孔と電子の注入を受けて所定の波長の発光を行う
ものであり、一対の電極のうち電子注入電極はスカンジ
ウム合金からなるとするので、発光効率，信頼性に優れ
る有機薄膜発光素子が得られる。According to the first invention, it has a pair of electrodes of a hole injecting electrode and an electron injecting electrode, and a charge injecting layer and a light emitting layer sandwiched between the electrodes, and the charge injecting layer is charged from the electrodes. Injecting and transporting this into the light-emitting layer,
The light emitting layer includes at least a hole injection layer of a hole injection layer that receives holes from the hole injection electrode and an electron injection layer that receives electrons from the electron injection electrode. The electron injection electrode of the pair of electrodes emits light of a predetermined wavelength upon injection, and the electron injection electrode is made of scandium metal. According to the second invention, a pair of a hole injection electrode and an electron injection electrode is formed. It has an electrode, a charge injection layer and a light emitting layer sandwiched between the electrodes, and the charge injection layer takes charge injection from the electrode and transports and injects it to the light emitting layer. Of at least the hole injection layer of the hole injection layer that receives the injection of electrons and the electron injection layer that receives the injection of electrons from the electron injection electrode. Light emission of a pair of Since the electron injection electrode of the electrode and consisting of scandium alloy, luminous efficiency, an organic thin film light-emitting device having excellent reliability can be obtained.
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図FIG. 1 is a cross-sectional view showing an organic thin film light emitting device according to an embodiment of the invention.
【図２】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing an organic thin film light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図３】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing an organic thin film light emitting device according to another embodiment of the present invention.
１ 絶縁性透明基板 ２ 正孔注入電極 ３ 正孔注入層 ４ 発光層 ５ 電子注入層 ６ 電子注入電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating transparent substrate 2 Hole injection electrode 3 Hole injection layer 4 Light emitting layer 5 Electron injection layer 6 Electron injection electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古庄 昇 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Noboru Furusho 1-1, Tanabe Nitta, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fuji Electric Co., Ltd.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068886AJPH05275175A (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Organic thin film light emitting device |
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|---|---|---|---|
| JP4068886AJPH05275175A (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Organic thin film light emitting device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275175Atrue JPH05275175A (en) | 1993-10-22 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4068886APendingJPH05275175A (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Organic thin film light emitting device |
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| JP (1) | JPH05275175A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684753A1 (en)* | 1994-05-17 | 1995-11-29 | Nec Corporation | Organic thin film electroluminescent device |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0684753A1 (en)* | 1994-05-17 | 1995-11-29 | Nec Corporation | Organic thin film electroluminescent device |
| US5747930A (en)* | 1994-05-17 | 1998-05-05 | Nec Corporation | Organic thin film electroluminescent device |
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