【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイ、画像処
理及び並列光演算素子等に用いることのできる光アドレ
ス方式の液晶ライトバルブに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電気アドレス方式の液晶ライトバ
ルブでは、一般に、電気配線により駆動信号を送信する
場合、配線抵抗とキャパシタンスとによって信号波形の
遅延が生じ、大型の表示装置や高密度の表示装置を実現
できないという問題点がある。
【０００３】このような問題点を解決するために、従来
から駆動信号を光によって伝送する、いわゆる光アドレ
ス方式の液晶ライトバルブが開発されている。
【０００４】図６は従来の光アドレス方式の液晶ライト
バルブをアクティブマトリクス駆動型液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）に適用した場合の基本構成を示す平面図である。
図７は図６のＡ−Ａ線断面図である。
【０００５】尚、図６に示す平面図では、図７の断面図
に示すガラス基板81b 、透明電極87、遮光膜88b 、配向
膜89a 及び89b 、液晶層90、並びにスペーサ91は省略さ
れている。又、図７に示す断面図では、図６の平面図に
示す発光素子アレイ83は省略されている。
【０００６】両図に示すように、この従来のアクティブ
マトリクス駆動型ＬＣＤは、ガラス基板81a 及び81b 、
複数の線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、複数の線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘm、光導電体層82、発光
素子アレイ83、絵素電極84、光散乱部85、クラッド層8
6、透明電極87、遮光膜88a 及び88b 、配向膜89a 及び8
9b 、液晶層90、並びにスペーサ91を備えている。
【０００７】一方のガラス基板81a 上には複数の線状導
光路Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向（図６の縦方向）に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向（図６の
横方向）に沿って配列されている。
【０００８】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、光導電体層
から成る光スイッチ素子がそれぞれ設けられている。例
えば、線状導光路Ｙ2と線状電極Ｘ1との交差部分に
は、線状電極Ｘ1と絵素電極84との間に光導電体層82か
ら成る光スイッチ素子が設けられている。
【０００９】この光スイッチ素子は発光素子アレイ83か
ら線状導光路Ｙ2を介して伝送される光信号により制御
される。即ち、光導電体層82は光が照射されると低イン
ピーダンスとなり、線状電極Ｘ1と絵素電極84とは電気
的に接続される。又、光が照射されないときは光導電体
層82は高インピーダンスとなり、線状電極Ｘ1と絵素電
極84とは電気的に絶縁される。
【００１０】このようなアクティブマトリクス駆動型Ｌ
ＣＤは、本願の出願人による特願平3-263947に記載され
ている。
【００１１】又、投射型画像表示装置等に用いられる光
書き込み型の液晶ライトバルブにおいても、線状導光路
を利用した光アドレス方式のものがある（本願の出願人
による特願平3-347205を参照）。
【００１２】このような従来の光アドレス方式の液晶ラ
イトバルブでは、発光素子アレイは発光部のピッチが線
状導光路のピッチと等しくなるように設定されており、
発光素子アレイは、この線状導光路の一方の端部におい
て直接又は光学系を介した状態で液晶ライトバルブに接
続されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光ア
ドレス方式の液晶ライトバルブでは、高解像度なものを
作成しようとする場合、発光素子アレイの発光部のピッ
チ以上に微細なピッチでは線状導光路を設計することが
できないという問題点がある。
【００１４】又、逆に、線状導光路のピッチと同ピッチ
の発光素子アレイを結合しなけらばならないため、この
ままでは高度な光結合技術を必要とするという問題点が
生じる。
【００１５】従って、本発明は、従来技術の上述した問
題点を解消するものであり、高解像度の光アドレス方式
の液晶ライトバルブを提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】それぞれが電極を有する
２つの基板間に設けられている液晶層と、液晶層と２つ
の基板の一方との間に設けられており入射された光によ
りインピーダンスが変化する光導電体層と、２つの基板
の一方の側から光導電体層へ光を導く導光路と、導光路
の両端にそれぞれ設けられており導光路に光を交互に入
力する発光部とを備えている。
【００１７】
【作用】発光部からの光が導光路に沿って導かれて、２
つの基板の一方の側から光導電体層に照射されると、光
導電体層のインピーダンスが変化し走査ラインが選択さ
れる。この導光路に沿って導かれた発光部からの光が照
射された選択部における光導電体層のインピーダンス
は、液晶層のインピーダンスに比べると小さくなる。こ
のため、基板に設けられている電極に印加されるデータ
信号は大部分が液晶層に印加されることになる。一方、
導光路に沿って導かれた発光部からの光が照射されない
非選択部における光導電体層では、その光導電体層のイ
ンピーダンスが液晶層のインピーダンスに比べて大きい
ため、表示状態の制御に関係のないデータ信号は液晶層
に印加されなくなる。
【００１８】この発光部からの光は、各導光路の両端か
ら線順次で交互に各導光路へ入力される。即ち、導光路
の両端に設けられている発光部として、各導光路間のピ
ッチの例えば２倍のピッチのものを用いれば、従来の光
アドレス方式の液晶ライトバルブに比べ、導光路の数を
２倍にした高解像度の光アドレス方式の液晶ライトバル
ブを実現することができる。
【００１９】又、従来に比べて、導光路の両端部におけ
る光結合部の数をそれぞれ１／２に減らすことができる
ため、発光部の設計裕度を確保することができると共
に、高解像化に伴う光結合技術の微細化を避けることが
できる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
【００２１】図１は本発明に係る液晶ライトバルブを用
いた光アドレス方式のアクティブマトリクス駆動型ＬＣ
Ｄの一実施例の構成を示す平面図であり、図２は図１の
ＢＢ線断面図である。
【００２２】尚、図１に示す平面図では、図２の断面図
に示すガラス基板11a 、透明電極17、遮光膜18a 、配向
膜19a 及び19b 、液晶層20並びにスペーサ21は省略され
ている。又、図２に示す断面図では、図１の平面図に示
す発光素子アレイ13a 及び13b は省略されている。
【００２３】両図に示すように、この実施例のアクティ
ブマトリクス駆動型ＬＣＤは、ガラス基板11a 及び11b
、複数の線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn、
複数の線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘm、光導電
体層12、発光素子アレイ13a 及び13b 、絵素電極14、光
散乱部15、クラッド層16、透明電極17、遮光膜18a 及び
18b 、配向膜19a 及び19b 、液晶層20、並びにスペーサ
21を備えている。
【００２４】一方のガラス基板11b 上には複数の線状導
光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、ＹnがＹ方向（図１の縦
方向）に沿って配列されており、これらの上に交差して
複数の線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向
（図１の横方向）に沿って配列されている。
【００２５】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn
は、ガラス基板11b にタリウムイオン（Ｔｌ+）を熱拡
散させた導光路を用いている。この他に火炎体積法や化
学蒸着法（ＣＶＤ法）により作成される二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2）系の導光路、高分子材料から成る導光路
等、導光性能やプロセスの条件を満たすものであればど
れを用いてもよい。
【００２６】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、
Ｙn、例えば線状導光路Ｙ2には、切れ目を施すことに
より光散乱部15を設けておくと、線状導光路Ｙ2から外
部へ放出される光量が増大し、光利用率を高めることが
できる。
【００２７】クラッド層16はスパッタ法により形成され
たＳｉＯ2薄膜から成っている。
【００２８】線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘmは
スパッタ法により作成されるチタン（Ｔｉ）を用いてお
り、これも導電性能やプロセスの条件を満たすものであ
ればどの金属材料を用いてもよい。
【００２９】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn
と線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、光
導電体層から成る光スイッチ素子がそれぞれ設けられて
いる。この光スイッチ素子は線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、
Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素電極14と
の間にそれぞれ設けられている。
【００３０】例えば、線状導光路Ｙ2と線状電極Ｘ2と
の交差部分には、線状電極Ｘ2と絵素電極14との間に光
導電体層12から成る光スイッチ素子が設けられている。
【００３１】この光導電体層12から成る光スイッチ素子
は、次のようにして形成される。
【００３２】先ず、線状導光路Ｙ2とクラッド層16とが
形成されたガラス基板11b 上に、透明な絵素電極14を形
成する。絵素電極14はインジウムと錫との酸化物（ＩＴ
Ｏ）をスパッタ法により作成したものである。
【００３３】次に、光導電体層12として非晶質水素化ケ
イ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）をプラズマ化学蒸着法（Ｐ−ＣＶ
Ｄ法）により形成する。光導電体層12の材料としては、
波長感度特性やプロセスの条件に応じて、非晶質水素化
シリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）及び非晶質水素
化シリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）等、他の
材料を用いてもよい。
【００３４】その後、光導電体層12上に線状電極Ｘ2を
設けることにより、光スイッチ素子が形成される。
【００３５】このようにして形成された光スイッチ素子
は、光が照射されると光導電体層12が低インピーダンス
となり、線状電極Ｘ2と絵素電極14とを電気的に接続
し、又、光が照射されないときは光導電体層12が高イン
ピーダンスとなり、線状電極Ｘ2と絵素電極14とを電気
的に絶縁する。
【００３６】線状導光路Ｙ1、Ｙ3、…、Ｙn-1上に配
設されている光スイッチ素子は、図１の左側に配置され
ている発光素子アレイ13a から線状導光路Ｙ1、Ｙ3、
…、Ｙn-1を介して伝送される光信号により制御され
る。
【００３７】一方、線状導光路Ｙ2、Ｙ4、…、Ｙn上
に配設されている光スイッチ素子は、図１の右側に配置
されている発光素子アレイ13b から線状導光路Ｙ2、Ｙ
4、…、Ｙnを介して伝送される光信号により制御され
る。
【００３８】即ち、制御用の光信号は、線状導光路
Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnの両端部にぞれぞれ設け
られた発光素子アレイ13a 及び13b から線順次で交互に
伝送される。
【００３９】尚、この実施例では発光素子アレイ13a 及
び13b として、発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ若しく
は半導体レーザ（ＬＤ）アレイを用いている。
【００４０】線状電極Ｘ2、絵素電極14及びクラッド層
16等の層の上に配向膜19b を形成する。配向膜19b はポ
リイミド膜をスピンコートにより塗布した後、ラビング
により配向処理することによって形成される。
【００４１】ガラス基板11b の内部には、ガラス基板11
b 上に形成された光導電体層12から成る光スイッチ素子
のパターンに合わせて遮光膜18b が設けられている。
【００４２】遮光膜18b は発光素子アレイ13a 又は13b
から伝送される光走査信号以外の光、例えば素子の下方
からの光（外光）が光スイッチ素子に入射するのを防ぐ
ことが可能な形状を有するように、例えばガラス基板11
b の面に沿った遮光膜18b の幅が光スイッチ素子の幅よ
りも大きくなるように形成する。
【００４３】他方のガラス基板11a 上には、透明電極17
が設けられている。この透明電極１７は、スパッタ法に
よりＩＴＯを蒸着することによって形成される。
【００４４】透明電極１７上に、対向するガラス基板11
b に形成された光導電体層12から成る光スイッチ素子の
パターンに合わせて遮光膜18a を形成する。
【００４５】遮光膜18a は発光素子アレイ13a 又は13b
から伝送される光走査信号以外の光、例えば素子の上方
からの光（外光）が光スイッチ素子に入射するのを防ぐ
ことが可能な形状を有するように、例えばガラス基板11
a の面に沿った遮光膜18a の幅が光スイッチ素子の幅よ
りも大きくなるように形成する。
【００４６】これら透明電極17及び遮光膜18a の上に配
向膜19a を形成する。配向膜19a はポリイミド膜をスピ
ンコートにより塗布した後、ラビングにより配向処理す
ることによって形成される。
【００４７】尚、配向膜19a 及び19b としては、ＳｉＯ
2から成る斜方蒸着膜を用いてもよい。
【００４８】このようにして各層を形成した２つの基板
を液晶層20及びスペーサ21を介して貼り合わせることに
より、液晶ライトバルブを用いた光アドレス方式のアク
ティブマトリクス駆動型ＬＣＤが形成される。
【００４９】ガラス基板11a 及び11b は本発明の２つの
基板の一実施例である。光導電体層12は本発明の光導電
体層の一実施例である。発光素子アレイ13a 及び13b は
本発明の発光部の一実施例である。液晶層20は本発明の
液晶層の一実施例である。線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、
Ｙn-1、Ｙnは本発明の導光路の一実施例である。
【００５０】ところで、一般に発光素子アレイと線状導
光路とを光学的に結合させる場合、その結合方法として
は、線状導光路の端部と発光素子の発光面とを直接貼り
合わせる方法と、マイクロレンズアレイ等の光学系を用
いて結合させる方法とがある。
【００５１】光アドレス方式で高解像度の液晶ライトバ
ルブを作成する場合、走査線となる線状導光路のピッチ
を狭く設計する必要があり、これらの結合方法にかかわ
らず、次のような問題が生じる。
【００５２】即ち、現状の技術で作成することのできる
発光素子アレイのピッチには限界があるため、従来のよ
うに線状導光路の一方の端部のみで発光素子アレイと結
合させる場合には、発光素子アレイのピッチ以上に微細
なピッチで線状導光路を設計することができない。
【００５３】これに対して、上述の実施例の液晶ライト
バルブを用いたアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤで
は、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnの両側端
部に発光素子アレイ13a 及び13b がそれぞれ設けられて
いるので、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnの
ピッチは、発光素子アレイのピッチの１／２で設計する
ことが可能となる。従って、従来よりも高解像度の液晶
ライトバルブを実現することができる。
【００５４】又、従来と同じ線状導光路のピッチの液晶
ライトバルブを作成する場合においても、上述の実施例
のようにピッチの広い（例えばピッチが２倍の）発光素
子アレイを用いることができ、線状導光路との結合を容
易にすることができる。
【００５５】更に、発光素子アレイ13a 及び13b とし
て、ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオー
ド）素子を線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnが
形成された基板11b 上にモノリシック形成した場合で
も、同様の効果を得ることができる。
【００５６】尚、上述の実施例の光アドレス方式のアク
ティブマトリクス駆動型ＬＣＤに用いた光スイッチ素子
の構造は図２に示すように、線状電極Ｘ2と絵素電極14
とが光導電体層12を挟みこんだいわゆるフォトダイオー
ド構造であるが、ショットキー障壁やドーピングされた
光導電体等を利用したバックツーバックフォトダイオー
ド構造とすることも、電気特性を向上させる上で有効で
ある。
【００５７】上述の実施例では、光アドレス方式のアク
ティブマトリクス駆動型ＬＣＤの中でも、特に透過型Ｌ
ＣＤの構造を示しているが、絵素電極に金属膜等の反射
性を有する材料を用いることにより、反射型ＬＣＤとし
ても有効である。又、カラーフィルタをパネル内に付設
することにより、カラー表示も可能である。
【００５８】図３は投射型画像表示装置等に用いられる
本発明に係る液晶ライトバルブの一実施例の概略構成を
示す断面図である。
【００５９】同図に示すように、この実施例の液晶ライ
トバルブ30は線状導光路31、ガラス基板32a 及び32b 、
透明電極33、クラッド層34、金属膜35、光導電体層36、
誘電体ミラー37、データ送信用電極39、配向膜40a 及び
40b 、並びに液晶層41を備えている。
【００６０】線状導光路31は熱及び電界によるイオン交
換法により、ガラス基板32a にストライプ（細線）状に
形成されており、走査用の光信号は線状導光路31に沿っ
て伝送される。
【００６１】この実施例では、ＬＥＤ等の指向性の悪い
光に対しても導光できるように、線状導光路31としてマ
ルチモードのタリウムイオン（Ｔｌ+）交換導光路を用
いているが、銀イオン（Ａｇ+）等を用いてもよい。
【００６２】透明電極33はＩＴＯから形成されており、
クラッド層34を介して線状導光路31及びガラス基板32a
上にスパッタ法により形成されている。透明電極33は線
状導光路31と重なるように、ストライプ状にパターニン
グしておいてもよい。
【００６３】クラッド層34は、ガラス基板32a 及び線状
導光路31と透明電極33との間に、例えば低屈折率誘導体
であるＳｉＯ2をスパッタ法により蒸着することにより
形成されている。
【００６４】クラッド層34は、透明電極33の屈折率が線
状導光路31の屈折率より大きく、線状導光路31からの光
漏れを適度に制御するために設けられており、ＳｉＯ2
の膜厚は500 オングストローム〜5000オングストローム
の範囲が適当である。この実施例では例えば、ＳｉＯ2
の膜厚は3000オングストロームである。
【００６５】ガラス基板32a の裏面、即ち線状導光路31
が形成されている面と反対側の面には、線状導光路31以
外からの光を遮るための金属膜35が設けられている。
【００６６】金属膜35はＡｇ、アルミニウム（Ａｌ）及
びモリブデン（Ｍｏ）等から形成することができる。
又、液晶パネルのカラーフィルタ等に使用されている顔
料分散タイプの遮光膜を金属膜35の代わりに用いること
も可能である。
【００６７】透明電極33上には、線状導光路31からの光
を受ける光導電体層36が形成されており、光導電体層36
は例えば非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成っ
ており、プラズマ化学蒸着法（Ｐ−ＣＶＤ法）により形
成されている。
【００６８】光導電体層36にはａ−Ｓｉ：Ｈの他に、光
の照射量に対応してインピーダンスが変化する特性を有
しているものであれば、ケイ酸ビスマス（Ｂｉ12ＳｉＯ
20）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、非晶質水素化シリコ
ンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）、非晶質水素化酸化ケ
イ素（ａ−ＳｉＯ：Ｈ）、非晶質水素化シリコンゲルマ
ニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）及び非晶質水素化窒化ケイ
素（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）等を用いてもよい。
【００６９】光導電体層36上には、二酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）とＳｉＯ2とを交互に積層した多層膜から成る誘
電体ミラー37が電子ビーム蒸着法により形成されてい
る。
【００７０】尚、誘電体ミラー37を通じて光導電体層36
に読み出し光38が漏れることを防ぐために、誘電体ミラ
ー37と光導電体層36との間に図示していない遮光膜を設
けてもよい。この遮光膜としては、カーボン分散型有機
薄膜や、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）及びＡｇ無電
界メッキを施したＡｌ2Ｏ3等を用いることができる。
【００７１】ガラス基板32a に対向しているガラス基板
32b には、データ送信用電極39が設けられており、デー
タ送信用電極39はスパッタ法により蒸着されたＩＴＯが
線状にパターニングされることにより形成されている。
【００７２】誘電体ミラー37とデータ送信用電極39とに
は、スピンコートによってポリイミド膜を塗布し焼成す
ることにより、配向膜40a 及び40b がそれぞれ形成され
ており、配向膜40a 及び40b の表面はラビングによる分
子配向処理が施されている。
【００７３】配向膜40a 及び40b が形成されたガラス基
板32a 及び32b は、データ送信用電極39と走査用の線状
導光路31とが垂直な位置関係になるように、図示してい
ないスペーサを介して貼り合わされており、配向膜40a
及び40b とスペーサとから成るスペースに液晶を注入し
封止することにより、液晶層41が形成されている。
【００７４】液晶層41を形成する液晶には、そのインピ
ーダンスが光照射により走査ラインとして選択された光
導電体層36のインピーダンスに比べて大きく、且つ選択
されない光導電体層36のインピーダンスに比べて小さく
なるような液晶を選択する。
【００７５】線状導光路31は本発明の導光路の一実施例
である。ガラス基板32a 及び32b は本発明の２つの基板
の一実施例である。光導電体層36は本発明の光導電体層
の一実施例である。液晶層41は本発明の液晶層の一実施
例である。
【００７６】上述の構成を有する液晶ライトバルブで
は、液晶層41のインピーダンスは、光照射により走査ラ
インとして選択された光導電体層36のインピーダンスに
比べてはるかに大きいため、電極間に印加されたデータ
信号はその大部分が液晶層41に印加される。しかしなが
ら、光照射されない光導電体層36のインピーダンスは、
液晶層41のインピーダンスより大きくなるため、データ
信号は液晶層41に印加されない。
【００７７】図４は図３に示す液晶ライトバルブ30の駆
動部の概略構成図である。同図には簡単のため、信号や
タイミング発生部は記述されていない。
【００７８】同図に示すように、図３の液晶ライトバル
ブ30の駆動部は走査信号用の発光素子アレイ51a 及び51
b と、液晶ライトバルブ30に含まれているデータ用透明
電極39を駆動する駆動回路52とを備えている。
【００７９】発光素子アレイ51a 及び51b は図１に示す
発光素子アレイ13a 及び13b にそれぞれ対応しており、
液晶ライトバルブ30の線状導光路31に、その両端で接続
されている。
【００８０】図４では、線状導光路31が線状導光路
Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnとして表示されており、
線状導光路Ｙ1、Ｙ3、…、Ｙn-1は発光素子アレイ51
a によって、線状導光路Ｙ2、Ｙ4、…、Ｙnは発光素
子アレイ51b によって光信号がそれぞれ伝送される。こ
の実施例では、発光素子アレイ51a 及び51b としてはＬ
ＥＤアレイ若しくはＬＤアレイを用いている。データ信
号用電極39には、駆動回路52によって電気信号が伝送さ
れる。
【００８１】発光素子アレイ51a 及び51b は本発明の発
光部の一実施例である。線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙ
n-1、Ｙnは本発明の導光路の一実施例である。
【００８２】図５は図３に示す液晶ライトバルブ30を投
射型画像表示装置に適用する際の装置の一実施例を示す
概略構成図である。
【００８３】同図に示すように、この実施例の投射型画
像表示装置には、液晶ライトバルブ60、ランプ61、レン
ズ62及び64、偏光ビームスプリッタ63並びにスクリーン
65が備えられている。
【００８４】液晶ライトバルブ60は、図３に示す液晶ラ
イトバルブ30に相当している。
【００８５】ランプ61からの光がレンズ62及び偏光ビー
ムスプリッタ63を介して、画像の形成された液晶ライト
バルブ60に入射すると、液晶ライトバルブ60の液晶層の
配向状態が変化している部分を透過する光は電気光学効
果によって偏光方向が変化するので、反射光は偏光ビー
ムスプリッタ63を透過することができる。この反射光は
レンズ64によって拡大され、こうして液晶ライトバルブ
60に形成された画像がスクリーン65に投影される。
【００８６】ところで、一般に発光素子アレイと線状導
光路とを光学的に結合させる場合、その結合方法として
は、線状導光路の端部と発光素子の発光面とを直接貼り
合わせる方法と、マイクロレンズアレイ等の光学系を用
いて結合させる方法とがある。
【００８７】光アドレス方式で高解像度の液晶ライトバ
ルブを作成する場合、走査線となる線状導光路のピッチ
を狭く設計する必要があり、これらの結合方法にかかわ
らず、次のような問題が生じる。
【００８８】即ち、現状の技術で作成することのできる
発光素子アレイのピッチには限界があるため、従来のよ
うに線状導光路の一方の端部のみで発光素子アレイと結
合させる場合には、発光素子アレイのピッチ以上に微細
なピッチで線状導光路を設計することができない。
【００８９】これに対して、上述の実施例の液晶ライト
バルブでは、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn
の両側端部に発光素子アレイ51a 及び51b がそれぞれ設
けられているので、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、
Ｙn-1、Ｙnのピッチは、発光素子アレイのピッチの１
／２で設計することが可能となる。従って、従来よりも
高解像度の液晶ライトバルブを実現することができる。
【００９０】又、従来と同じ線状導光路のピッチの液晶
ライトバルブを作成する場合においても、上述の実施例
のようにピッチの広い（例えばピッチが２倍の）発光素
子アレイを用いることができ、線状導光路との結合を容
易にすることができる。
【００９１】更に、発光素子アレイ51a 及び51b とし
て、ＬＥＤやＬＤ素子を線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙ
n-1、Ｙnが形成された基板32a 上にモノリシック形成
した場合でも、同様の効果を得ることができる。
【００９２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、それぞ
れが電極を有する２つの基板間に設けられている液晶層
と、液晶層と２つの基板の一方との間に設けられており
入射された光によりインピーダンスが変化する光導電体
層と、２つの基板の一方の側から光導電体層へ光を導く
導光路と、導光路の両端にそれぞれ設けられており導光
路に光を交互に入力する発光部とを備えている。従っ
て、高解像度の光アドレス方式の液晶ライトバルブを実
現することができる。
【図面の簡単な説明】【図１】本発明に係る液晶ライトバルブを用いた光アド
レス方式のアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの一実施
例の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＢＢ線断面図である。
【図３】本発明に係る液晶ライトバルブの一実施例の概
略構成を示す断面図である。
【図４】図３に示す液晶ライトバルブの駆動部の概略構
成図である。
【図５】図３に示す液晶ライトバルブを投射型画像表示
装置に適用する際の装置の一実施例を示す概略構成図で
ある。
【図６】従来の光アドレス方式の液晶ライトバルブをア
クティブマトリクス駆動型ＬＣＤに適用した場合の基本
構成を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】 11a 、11b 、32a 、32b ガラス基板 12、36 光導電体層 13a 、13b 、51a 、51b 発光素子アレイ 14 絵素電極 15 光散乱部 16、34 クラッド層 17、33 透明電極 18a 、18b 遮光膜 19a 、19b 、40a 、40b 配向膜 20、41 液晶層 21 スペーサ 30、60 液晶ライトバルブ 31、Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn 線状導光路 35 金属膜 37 誘電体ミラー 39 データ送信用電極 Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘm 線状電極