【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイ、画像処
理及び並列光演算素子等に用いることのできる光アドレ
ス方式の液晶ライトバルブに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photo-addressable liquid crystal light valve which can be used in displays, image processings, parallel optical operation elements and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の電気アドレス方式の液晶ライトバ
ルブでは、一般に、電気配線により駆動信号を送信する
場合、配線抵抗とキャパシタンスとによって信号波形の
遅延が生じ、大型の表示装置や高密度の表示装置を実現
できないという問題点がある。2. Description of the Related Art In a conventional electric addressing type liquid crystal light valve, generally, when a drive signal is transmitted by electric wiring, a signal waveform delay occurs due to wiring resistance and capacitance, so that a large display device or a high-density display device is displayed. There is a problem that the device cannot be realized.
【０００３】このような問題点を解決するために、従来
から駆動信号を光によって伝送する、いわゆる光アドレ
ス方式の液晶ライトバルブが開発されている。In order to solve such a problem, a liquid crystal light valve of the so-called optical address system, which transmits a drive signal by light, has been conventionally developed.
【０００４】図６は従来の光アドレス方式の液晶ライト
バルブをアクティブマトリクス駆動型液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）に適用した場合の基本構成を示す平面図である。
図７は図６のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 6 shows a conventional photo-addressing type liquid crystal light valve as an active matrix drive type liquid crystal display device (L).
It is a top view showing the basic composition when applied to (CD).
FIG. 7 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【０００５】尚、図６に示す平面図では、図７の断面図
に示すガラス基板81b 、透明電極87、遮光膜88b 、配向
膜89a 及び89b 、液晶層90、並びにスペーサ91は省略さ
れている。又、図７に示す断面図では、図６の平面図に
示す発光素子アレイ83は省略されている。In the plan view shown in FIG. 6, the glass substrate 81b, the transparent electrode 87, the light-shielding film 88b, the alignment films 89a and 89b, the liquid crystal layer 90, and the spacer 91 shown in the sectional view of FIG. 7 are omitted. .. Further, in the sectional view shown in FIG. 7, the light emitting element array 83 shown in the plan view of FIG. 6 is omitted.
【０００６】両図に示すように、この従来のアクティブ
マトリクス駆動型ＬＣＤは、ガラス基板81a 及び81b 、
複数の線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、複数の線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘm、光導電体層82、発光
素子アレイ83、絵素電極84、光散乱部85、クラッド層8
6、透明電極87、遮光膜88a 及び88b 、配向膜89a 及び8
9b 、液晶層90、並びにスペーサ91を備えている。As shown in both figures, this conventional active matrix drive type LCD has glass substrates 81a and 81b,
A plurality of linear light guide pathY 1, Y 2, ..., Y n, a plurality of linear electrodesX 1, X 2, ..., X m-1, X m, photoconductive layer 82, the light emitting device array 83, a picture Elementary electrode 84, light scattering part 85, clad layer 8
6, transparent electrode 87, light shielding films 88a and 88b, alignment films 89a and 8
9b, a liquid crystal layer 90, and a spacer 91.
【０００７】一方のガラス基板81a 上には複数の線状導
光路Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向（図６の縦方向）に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向（図６の
横方向）に沿って配列されている。On one glass substrate 81a, a plurality of linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn are arranged along the Y direction (vertical direction in FIG. 6), and intersect on these. Then, a plurality of linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are arranged along the X direction (the horizontal direction in FIG. 6).
【０００８】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、光導電体層
から成る光スイッチ素子がそれぞれ設けられている。例
えば、線状導光路Ｙ2と線状電極Ｘ1との交差部分に
は、線状電極Ｘ1と絵素電極84との間に光導電体層82か
ら成る光スイッチ素子が設けられている。[0008] Linear light guide pathY 1, Y 2, ..., Y n and the linear electrodes X1, X2, ..., to the intersection of the Xm, provided an optical switching element comprising a photoconductive layer, respectively Has been. For example, an optical switch element composed of a photoconductor layer 82 is provided between the linear electrode X1 and the pixel electrode 84 at the intersection of the linear light guide Y2 and the linear electrode X1 . ..
【０００９】この光スイッチ素子は発光素子アレイ83か
ら線状導光路Ｙ2を介して伝送される光信号により制御
される。即ち、光導電体層82は光が照射されると低イン
ピーダンスとなり、線状電極Ｘ1と絵素電極84とは電気
的に接続される。又、光が照射されないときは光導電体
層82は高インピーダンスとなり、線状電極Ｘ1と絵素電
極84とは電気的に絶縁される。This optical switch element is controlled by an optical signal transmitted from the light emitting element array 83 through the linear light guide Y2 . That is, the photoconductor layer 82 has a low impedance when irradiated with light, and the linear electrode X1 and the pixel electrode 84 are electrically connected. Further, when the light is not irradiated, the photoconductor layer 82 has a high impedance and the linear electrode X1 and the pixel electrode 84 are electrically insulated.
【００１０】このようなアクティブマトリクス駆動型Ｌ
ＣＤは、本願の出願人による特願平3-263947に記載され
ている。Such an active matrix drive type L
The CD is described in Japanese Patent Application No. 3-263947 filed by the applicant of the present application.
【００１１】又、投射型画像表示装置等に用いられる光
書き込み型の液晶ライトバルブにおいても、線状導光路
を利用した光アドレス方式のものがある（本願の出願人
による特願平3-347205を参照）。Further, there is also an optical addressing type liquid crystal light valve used in a projection type image display device or the like which uses a linear light guide path (Japanese Patent Application No. 3-347205 by the applicant of the present application). See).
【００１２】このような従来の光アドレス方式の液晶ラ
イトバルブでは、発光素子アレイは発光部のピッチが線
状導光路のピッチと等しくなるように設定されており、
発光素子アレイは、この線状導光路の一方の端部におい
て直接又は光学系を介した状態で液晶ライトバルブに接
続されている。In such a conventional optical addressing type liquid crystal light valve, the light emitting element array is set such that the pitch of the light emitting portions is equal to the pitch of the linear light guide paths.
The light emitting element array is connected to the liquid crystal light valve at one end of the linear light guide path either directly or through an optical system.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光ア
ドレス方式の液晶ライトバルブでは、高解像度なものを
作成しようとする場合、発光素子アレイの発光部のピッ
チ以上に微細なピッチでは線状導光路を設計することが
できないという問題点がある。In order to manufacture a high resolution liquid crystal light valve of the conventional photo-address type as described above, a linear pattern is formed at a finer pitch than the pitch of the light emitting portions of the light emitting element array. There is a problem that the light guide path cannot be designed.
【００１４】又、逆に、線状導光路のピッチと同ピッチ
の発光素子アレイを結合しなけらばならないため、この
ままでは高度な光結合技術を必要とするという問題点が
生じる。On the contrary, since the light emitting element array having the same pitch as the pitch of the linear light guide paths must be coupled, the problem that a high-level optical coupling technique is required is left as it is.
【００１５】従って、本発明は、従来技術の上述した問
題点を解消するものであり、高解像度の光アドレス方式
の液晶ライトバルブを提供するものである。Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and provides a high-resolution optical addressing liquid crystal light valve.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】それぞれが電極を有する
２つの基板間に設けられている液晶層と、液晶層と２つ
の基板の一方との間に設けられており入射された光によ
りインピーダンスが変化する光導電体層と、２つの基板
の一方の側から光導電体層へ光を導く導光路と、導光路
の両端にそれぞれ設けられており導光路に光を交互に入
力する発光部とを備えている。A liquid crystal layer provided between two substrates each having an electrode, and an impedance due to incident light provided between the liquid crystal layer and one of the two substrates. A changing photoconductor layer, a light guide path for guiding light from one side of the two substrates to the photoconductor layer, and a light emitting portion provided at each end of the light guide path for alternately inputting light to the light guide path. Is equipped with.
【００１７】[0017]
【作用】発光部からの光が導光路に沿って導かれて、２
つの基板の一方の側から光導電体層に照射されると、光
導電体層のインピーダンスが変化し走査ラインが選択さ
れる。この導光路に沿って導かれた発光部からの光が照
射された選択部における光導電体層のインピーダンス
は、液晶層のインピーダンスに比べると小さくなる。こ
のため、基板に設けられている電極に印加されるデータ
信号は大部分が液晶層に印加されることになる。一方、
導光路に沿って導かれた発光部からの光が照射されない
非選択部における光導電体層では、その光導電体層のイ
ンピーダンスが液晶層のインピーダンスに比べて大きい
ため、表示状態の制御に関係のないデータ信号は液晶層
に印加されなくなる。[Function] The light from the light emitting portion is guided along the light guide path, and
When the photoconductor layer is illuminated from one side of the two substrates, the impedance of the photoconductor layer changes and the scan line is selected. The impedance of the photoconductor layer in the selection portion irradiated with the light from the light emitting portion guided along the light guide path is smaller than the impedance of the liquid crystal layer. Therefore, most of the data signals applied to the electrodes provided on the substrate are applied to the liquid crystal layer. on the other hand,
In the photoconductor layer in the non-selected portion where the light emitted from the light emitting portion guided along the light guide path is not irradiated, the impedance of the photoconductor layer is larger than the impedance of the liquid crystal layer. No data signal is applied to the liquid crystal layer.
【００１８】この発光部からの光は、各導光路の両端か
ら線順次で交互に各導光路へ入力される。即ち、導光路
の両端に設けられている発光部として、各導光路間のピ
ッチの例えば２倍のピッチのものを用いれば、従来の光
アドレス方式の液晶ライトバルブに比べ、導光路の数を
２倍にした高解像度の光アドレス方式の液晶ライトバル
ブを実現することができる。Light from the light emitting portion is line-sequentially and alternately input to each light guide path from both ends of each light guide path. That is, if the light emitting portions provided at both ends of the light guide path have a pitch that is, for example, twice the pitch between the light guide paths, the number of light guide paths is reduced as compared with the conventional optical address type liquid crystal light valve. It is possible to realize a liquid crystal light valve of a doubled high resolution optical address system.
【００１９】又、従来に比べて、導光路の両端部におけ
る光結合部の数をそれぞれ１／２に減らすことができる
ため、発光部の設計裕度を確保することができると共
に、高解像化に伴う光結合技術の微細化を避けることが
できる。Further, as compared with the prior art, the number of optical coupling portions at both ends of the light guide path can be reduced to 1/2, so that the design margin of the light emitting portion can be secured and high resolution can be ensured. It is possible to avoid miniaturization of the optical coupling technology due to the progress of the technology.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】図１は本発明に係る液晶ライトバルブを用
いた光アドレス方式のアクティブマトリクス駆動型ＬＣ
Ｄの一実施例の構成を示す平面図であり、図２は図１の
ＢＢ線断面図である。FIG. 1 is a photo-addressable active matrix drive type LC using a liquid crystal light valve according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of one embodiment of D, and FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1.
【００２２】尚、図１に示す平面図では、図２の断面図
に示すガラス基板11a 、透明電極17、遮光膜18a 、配向
膜19a 及び19b 、液晶層20並びにスペーサ21は省略され
ている。又、図２に示す断面図では、図１の平面図に示
す発光素子アレイ13a 及び13b は省略されている。In the plan view shown in FIG. 1, the glass substrate 11a, the transparent electrode 17, the light shielding film 18a, the alignment films 19a and 19b, the liquid crystal layer 20 and the spacer 21 shown in the sectional view of FIG. 2 are omitted. In the sectional view shown in FIG. 2, the light emitting element arrays 13a and 13b shown in the plan view of FIG. 1 are omitted.
【００２３】両図に示すように、この実施例のアクティ
ブマトリクス駆動型ＬＣＤは、ガラス基板11a 及び11b
、複数の線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn、
複数の線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘm、光導電
体層12、発光素子アレイ13a 及び13b 、絵素電極14、光
散乱部15、クラッド層16、透明電極17、遮光膜18a 及び
18b 、配向膜19a 及び19b 、液晶層20、並びにスペーサ
21を備えている。As shown in both figures, the active matrix drive type LCD of this embodiment has glass substrates 11a and 11b.
, A plurality of linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn ,
A plurality of linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm , photoconductor layer 12, light emitting element arrays 13a and 13b, picture element electrode 14, light scattering portion 15, cladding layer 16, transparent electrode. 17, light shielding film 18a and
18b, alignment films 19a and 19b, liquid crystal layer 20, and spacer
It has 21.
【００２４】一方のガラス基板11b 上には複数の線状導
光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、ＹnがＹ方向（図１の縦
方向）に沿って配列されており、これらの上に交差して
複数の線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向
（図１の横方向）に沿って配列されている。On one of the glass substrates 11b, a plurality of linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn are arranged along the Y direction (vertical direction in FIG. 1), A plurality of linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are arranged so as to intersect with each other along the X direction (horizontal direction in FIG. 1).
【００２５】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn
は、ガラス基板11b にタリウムイオン（Ｔｌ+）を熱拡
散させた導光路を用いている。この他に火炎体積法や化
学蒸着法（ＣＶＤ法）により作成される二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2）系の導光路、高分子材料から成る導光路
等、導光性能やプロセスの条件を満たすものであればど
れを用いてもよい。Linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn
Uses a light guide path in which thallium ions (Tl+ ) are thermally diffused on a glass substrate 11b. In addition to this, a silicon dioxide (SiO2 ) light guide path created by a flame volume method or a chemical vapor deposition method (CVD method), a light guide path made of a polymer material, or the like may be used as long as they satisfy the conditions of light guiding performance and process. Any one may be used.
【００２６】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、
Ｙn、例えば線状導光路Ｙ2には、切れ目を施すことに
より光散乱部15を設けておくと、線状導光路Ｙ2から外
部へ放出される光量が増大し、光利用率を高めることが
できる。The linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn-1 ,
If the light scattering portion 15 is provided by making a slit in Yn , for example, the linear light guide path Y2 , the amount of light emitted from the linear light guide path Y2 to the outside is increased and the light utilization rate is increased. be able to.
【００２７】クラッド層16はスパッタ法により形成され
たＳｉＯ2薄膜から成っている。The clad layer 16 is composed of a SiO2 thin film formed by a sputtering method.
【００２８】線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘmは
スパッタ法により作成されるチタン（Ｔｉ）を用いてお
り、これも導電性能やプロセスの条件を満たすものであ
ればどの金属材料を用いてもよい。The linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are made of titanium (Ti) formed by a sputtering method, and these may also satisfy the requirements of the conductive performance and the process. Any metal material may be used.
【００２９】線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn
と線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、光
導電体層から成る光スイッチ素子がそれぞれ設けられて
いる。この光スイッチ素子は線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、
Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素電極14と
の間にそれぞれ設けられている。Linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn
, Xm, and the linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are respectively provided with optical switch elements made of a photoconductor layer. This optical switch element has linear electrodes X1 , X2 , ...,
They are provided between Xm and a pixel electrode 14 for driving a display medium such as liquid crystal.
【００３０】例えば、線状導光路Ｙ2と線状電極Ｘ2と
の交差部分には、線状電極Ｘ2と絵素電極14との間に光
導電体層12から成る光スイッチ素子が設けられている。For example, an optical switch element composed of a photoconductor layer 12 is provided between the linear electrode X2 and the pixel electrode 14 at the intersection of the linear light guide Y2 and the linear electrode X2. Has been.
【００３１】この光導電体層12から成る光スイッチ素子
は、次のようにして形成される。The optical switch element composed of the photoconductor layer 12 is formed as follows.
【００３２】先ず、線状導光路Ｙ2とクラッド層16とが
形成されたガラス基板11b 上に、透明な絵素電極14を形
成する。絵素電極14はインジウムと錫との酸化物（ＩＴ
Ｏ）をスパッタ法により作成したものである。First, the transparent pixel electrode 14 is formed on the glass substrate 11b on which the linear light guide Y2 and the cladding layer 16 are formed. The pixel electrode 14 is an oxide of indium and tin (IT
O) was created by the sputtering method.
【００３３】次に、光導電体層12として非晶質水素化ケ
イ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）をプラズマ化学蒸着法（Ｐ−ＣＶ
Ｄ法）により形成する。光導電体層12の材料としては、
波長感度特性やプロセスの条件に応じて、非晶質水素化
シリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）及び非晶質水素
化シリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）等、他の
材料を用いてもよい。Next, amorphous silicon hydride (a-Si: H) is used as the photoconductor layer 12 by plasma chemical vapor deposition (P-CV).
D method). As the material of the photoconductor layer 12,
Other materials such as amorphous hydrogenated silicon carbide (a-SiC: H) and amorphous hydrogenated silicon germanium (a-SiGe: H) may be used depending on wavelength sensitivity characteristics and process conditions. ..
【００３４】その後、光導電体層12上に線状電極Ｘ2を
設けることにより、光スイッチ素子が形成される。Then, by providing the linear electrode X2 on the photoconductor layer 12, the optical switch element is formed.
【００３５】このようにして形成された光スイッチ素子
は、光が照射されると光導電体層12が低インピーダンス
となり、線状電極Ｘ2と絵素電極14とを電気的に接続
し、又、光が照射されないときは光導電体層12が高イン
ピーダンスとなり、線状電極Ｘ2と絵素電極14とを電気
的に絶縁する。In the optical switch element thus formed, the photoconductive layer 12 has a low impedance when irradiated with light to electrically connect the linear electrode X2 and the pixel electrode 14, and When light is not irradiated, the photoconductor layer 12 has a high impedance and electrically insulates the linear electrode X2 and the pixel electrode 14.
【００３６】線状導光路Ｙ1、Ｙ3、…、Ｙn-1上に配
設されている光スイッチ素子は、図１の左側に配置され
ている発光素子アレイ13a から線状導光路Ｙ1、Ｙ3、
…、Ｙn-1を介して伝送される光信号により制御され
る。The optical switch elements arranged on the linear light guides Y1 , Y3 , ..., Yn-1 are arranged from the light emitting element array 13a arranged on the left side of FIG.1 , Y3 ,
..., controlled by an optical signal transmitted via Yn-1 .
【００３７】一方、線状導光路Ｙ2、Ｙ4、…、Ｙn上
に配設されている光スイッチ素子は、図１の右側に配置
されている発光素子アレイ13b から線状導光路Ｙ2、Ｙ
4、…、Ｙnを介して伝送される光信号により制御され
る。On the other hand, the optical switch elements arranged on the linear light guides Y2 , Y4 , ..., Yn are connected to the linear light guide Y from the light emitting element array 13b arranged on the right side of FIG.2 , Y
4 , ..., Yn controlled by the optical signal transmitted.
【００３８】即ち、制御用の光信号は、線状導光路
Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnの両端部にぞれぞれ設け
られた発光素子アレイ13a 及び13b から線順次で交互に
伝送される。That is, the control optical signal is transmitted from the light emitting element arrays 13a and 13b provided at both ends of the linear light guides Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn , respectively. They are transmitted alternately in sequence.
【００３９】尚、この実施例では発光素子アレイ13a 及
び13b として、発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ若しく
は半導体レーザ（ＬＤ）アレイを用いている。In this embodiment, a light emitting diode (LED) array or a semiconductor laser (LD) array is used as the light emitting element arrays 13a and 13b.
【００４０】線状電極Ｘ2、絵素電極14及びクラッド層
16等の層の上に配向膜19b を形成する。配向膜19b はポ
リイミド膜をスピンコートにより塗布した後、ラビング
により配向処理することによって形成される。Linear electrode X2 , pixel electrode 14 and clad layer
An alignment film 19b is formed on a layer such as 16. The alignment film 19b is formed by applying a polyimide film by spin coating and then performing an alignment treatment by rubbing.
【００４１】ガラス基板11b の内部には、ガラス基板11
b 上に形成された光導電体層12から成る光スイッチ素子
のパターンに合わせて遮光膜18b が設けられている。Inside the glass substrate 11b, the glass substrate 11
A light-shielding film 18b is provided in accordance with the pattern of the optical switch element formed of the photoconductor layer 12 formed on b.
【００４２】遮光膜18b は発光素子アレイ13a 又は13b
から伝送される光走査信号以外の光、例えば素子の下方
からの光（外光）が光スイッチ素子に入射するのを防ぐ
ことが可能な形状を有するように、例えばガラス基板11
b の面に沿った遮光膜18b の幅が光スイッチ素子の幅よ
りも大きくなるように形成する。The light shielding film 18b is the light emitting element array 13a or 13b.
The glass substrate 11 has a shape capable of preventing light other than the optical scanning signal transmitted from the device, for example, light from outside the device (external light) from entering the optical switch device.
The width of the light shielding film 18b along the surface of b is formed so as to be larger than the width of the optical switch element.
【００４３】他方のガラス基板11a 上には、透明電極17
が設けられている。この透明電極１７は、スパッタ法に
よりＩＴＯを蒸着することによって形成される。A transparent electrode 17 is formed on the other glass substrate 11a.
Is provided. The transparent electrode 17 is formed by depositing ITO by a sputtering method.
【００４４】透明電極１７上に、対向するガラス基板11
b に形成された光導電体層12から成る光スイッチ素子の
パターンに合わせて遮光膜18a を形成する。A glass substrate 11 facing the transparent electrode 17
The light-shielding film 18a is formed in accordance with the pattern of the optical switch element composed of the photoconductor layer 12 formed in b.
【００４５】遮光膜18a は発光素子アレイ13a 又は13b
から伝送される光走査信号以外の光、例えば素子の上方
からの光（外光）が光スイッチ素子に入射するのを防ぐ
ことが可能な形状を有するように、例えばガラス基板11
a の面に沿った遮光膜18a の幅が光スイッチ素子の幅よ
りも大きくなるように形成する。The light shielding film 18a is the light emitting element array 13a or 13b.
The glass substrate 11 has a shape capable of preventing light other than the optical scanning signal transmitted from the device, for example, light (external light) from above the device from entering the optical switch device.
The width of the light shielding film 18a along the surface of a is formed to be larger than the width of the optical switch element.
【００４６】これら透明電極17及び遮光膜18a の上に配
向膜19a を形成する。配向膜19a はポリイミド膜をスピ
ンコートにより塗布した後、ラビングにより配向処理す
ることによって形成される。An alignment film 19a is formed on the transparent electrode 17 and the light shielding film 18a. The alignment film 19a is formed by applying a polyimide film by spin coating and then performing an alignment treatment by rubbing.
【００４７】尚、配向膜19a 及び19b としては、ＳｉＯ
2から成る斜方蒸着膜を用いてもよい。The alignment films 19a and 19b are made of SiO.
An oblique vapor deposition film composed of2 may be used.
【００４８】このようにして各層を形成した２つの基板
を液晶層20及びスペーサ21を介して貼り合わせることに
より、液晶ライトバルブを用いた光アドレス方式のアク
ティブマトリクス駆動型ＬＣＤが形成される。By laminating the two substrates thus formed with the respective layers with the liquid crystal layer 20 and the spacer 21 interposed therebetween, an optically addressed active matrix drive type LCD using a liquid crystal light valve is formed.
【００４９】ガラス基板11a 及び11b は本発明の２つの
基板の一実施例である。光導電体層12は本発明の光導電
体層の一実施例である。発光素子アレイ13a 及び13b は
本発明の発光部の一実施例である。液晶層20は本発明の
液晶層の一実施例である。線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、
Ｙn-1、Ｙnは本発明の導光路の一実施例である。Glass substrates 11a and 11b are examples of the two substrates of the present invention. Photoconductor layer 12 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The light emitting element arrays 13a and 13b are examples of the light emitting section of the present invention. The liquid crystal layer 20 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. Linear light guide paths Y1 , Y2 , ...,
Yn-1 and Yn are examples of the light guide path of the present invention.
【００５０】ところで、一般に発光素子アレイと線状導
光路とを光学的に結合させる場合、その結合方法として
は、線状導光路の端部と発光素子の発光面とを直接貼り
合わせる方法と、マイクロレンズアレイ等の光学系を用
いて結合させる方法とがある。By the way, generally, when the light emitting element array and the linear light guide path are optically coupled, as a coupling method, a method of directly bonding the end portion of the linear light guide channel and the light emitting surface of the light emitting element, There is a method of coupling using an optical system such as a microlens array.
【００５１】光アドレス方式で高解像度の液晶ライトバ
ルブを作成する場合、走査線となる線状導光路のピッチ
を狭く設計する必要があり、これらの結合方法にかかわ
らず、次のような問題が生じる。When a high-resolution liquid crystal light valve is produced by the optical addressing method, it is necessary to design the pitch of the linear light guide paths serving as the scanning lines to be narrow, and the following problems occur regardless of these coupling methods. Occurs.
【００５２】即ち、現状の技術で作成することのできる
発光素子アレイのピッチには限界があるため、従来のよ
うに線状導光路の一方の端部のみで発光素子アレイと結
合させる場合には、発光素子アレイのピッチ以上に微細
なピッチで線状導光路を設計することができない。That is, since there is a limit to the pitch of the light emitting element array that can be formed by the current technology, when connecting to the light emitting element array only at one end of the linear light guide as in the conventional case. However, it is impossible to design a linear light guide path with a finer pitch than the pitch of the light emitting element array.
【００５３】これに対して、上述の実施例の液晶ライト
バルブを用いたアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤで
は、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnの両側端
部に発光素子アレイ13a 及び13b がそれぞれ設けられて
いるので、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnの
ピッチは、発光素子アレイのピッチの１／２で設計する
ことが可能となる。従って、従来よりも高解像度の液晶
ライトバルブを実現することができる。On the other hand, in the active matrix drive type LCD using the liquid crystal light valve of the above-mentioned embodiment, the linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn are provided at both ends. Since the light emitting element arrays 13a and 13b are provided respectively, the pitch of the linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn should be designed to be 1/2 of the pitch of the light emitting element array. Is possible. Therefore, it is possible to realize a liquid crystal light valve having a higher resolution than ever before.
【００５４】又、従来と同じ線状導光路のピッチの液晶
ライトバルブを作成する場合においても、上述の実施例
のようにピッチの広い（例えばピッチが２倍の）発光素
子アレイを用いることができ、線状導光路との結合を容
易にすることができる。Also, in the case of producing a liquid crystal light valve having the same linear light guide path pitch as in the prior art, it is possible to use a light emitting element array having a wide pitch (for example, the pitch is double) as in the above-described embodiment. It is possible to facilitate the coupling with the linear light guide path.
【００５５】更に、発光素子アレイ13a 及び13b とし
て、ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオー
ド）素子を線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnが
形成された基板11b 上にモノリシック形成した場合で
も、同様の効果を得ることができる。Further, as the light emitting element arrays 13a and 13b, a substrate on which LED (light emitting diode) or LD (laser diode) elements are formed as linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn. The same effect can be obtained even when monolithically formed on 11b.
【００５６】尚、上述の実施例の光アドレス方式のアク
ティブマトリクス駆動型ＬＣＤに用いた光スイッチ素子
の構造は図２に示すように、線状電極Ｘ2と絵素電極14
とが光導電体層12を挟みこんだいわゆるフォトダイオー
ド構造であるが、ショットキー障壁やドーピングされた
光導電体等を利用したバックツーバックフォトダイオー
ド構造とすることも、電気特性を向上させる上で有効で
ある。[0056] The structure of an optical switch device using the active matrix driving type LCD optical address type of the above-described embodiment, as shown in FIG. 2, the linear electrode X2 and the pixel electrode 14
Is a so-called photodiode structure in which the photoconductor layer 12 is sandwiched, but a back-to-back photodiode structure using a Schottky barrier, a doped photoconductor, or the like also improves the electrical characteristics. Is effective in.
【００５７】上述の実施例では、光アドレス方式のアク
ティブマトリクス駆動型ＬＣＤの中でも、特に透過型Ｌ
ＣＤの構造を示しているが、絵素電極に金属膜等の反射
性を有する材料を用いることにより、反射型ＬＣＤとし
ても有効である。又、カラーフィルタをパネル内に付設
することにより、カラー表示も可能である。In the above-mentioned embodiment, among the active matrix drive type LCD of the optical address system, the transmissive type L is particularly used.
Although the structure of the CD is shown, it is also effective as a reflective LCD by using a reflective material such as a metal film for the pixel electrode. Color display is also possible by providing a color filter in the panel.
【００５８】図３は投射型画像表示装置等に用いられる
本発明に係る液晶ライトバルブの一実施例の概略構成を
示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing the schematic construction of an embodiment of the liquid crystal light valve according to the present invention used in a projection type image display device or the like.
【００５９】同図に示すように、この実施例の液晶ライ
トバルブ30は線状導光路31、ガラス基板32a 及び32b 、
透明電極33、クラッド層34、金属膜35、光導電体層36、
誘電体ミラー37、データ送信用電極39、配向膜40a 及び
40b 、並びに液晶層41を備えている。As shown in the figure, the liquid crystal light valve 30 of this embodiment has a linear light guide path 31, glass substrates 32a and 32b,
Transparent electrode 33, clad layer 34, metal film 35, photoconductor layer 36,
Dielectric mirror 37, data transmission electrode 39, alignment film 40a, and
40b and a liquid crystal layer 41.
【００６０】線状導光路31は熱及び電界によるイオン交
換法により、ガラス基板32a にストライプ（細線）状に
形成されており、走査用の光信号は線状導光路31に沿っ
て伝送される。The linear light guide 31 is formed in a stripe (thin line) shape on the glass substrate 32a by an ion exchange method using heat and an electric field, and an optical signal for scanning is transmitted along the linear light guide 31. ..
【００６１】この実施例では、ＬＥＤ等の指向性の悪い
光に対しても導光できるように、線状導光路31としてマ
ルチモードのタリウムイオン（Ｔｌ+）交換導光路を用
いているが、銀イオン（Ａｇ+）等を用いてもよい。In this embodiment, a multimode thallium ion (Tl+ ) exchange light guide path is used as the linear light guide path 31 so that light having bad directivity such as an LED can be guided. You may use silver ion (Ag<+> ) etc.
【００６２】透明電極33はＩＴＯから形成されており、
クラッド層34を介して線状導光路31及びガラス基板32a
上にスパッタ法により形成されている。透明電極33は線
状導光路31と重なるように、ストライプ状にパターニン
グしておいてもよい。The transparent electrode 33 is made of ITO,
The linear light guide path 31 and the glass substrate 32a via the clad layer 34
It is formed on the top by the sputtering method. The transparent electrode 33 may be patterned in a stripe shape so as to overlap the linear light guide path 31.
【００６３】クラッド層34は、ガラス基板32a 及び線状
導光路31と透明電極33との間に、例えば低屈折率誘導体
であるＳｉＯ2をスパッタ法により蒸着することにより
形成されている。The clad layer 34 is formed between the glass substrate 32a and the linear light guide path 31 and the transparent electrode 33 by depositing, for example, SiO2 which is a low refractive index derivative by a sputtering method.
【００６４】クラッド層34は、透明電極33の屈折率が線
状導光路31の屈折率より大きく、線状導光路31からの光
漏れを適度に制御するために設けられており、ＳｉＯ2
の膜厚は500 オングストローム〜5000オングストローム
の範囲が適当である。この実施例では例えば、ＳｉＯ2
の膜厚は3000オングストロームである。The cladding layer 34 has a refractive index of the transparent electrode 33 higher than that of the linear light guide path 31, and is provided to appropriately control light leakage from the linear light guide path 31, and SiO2
The film thickness of is preferably in the range of 500 angstroms to 5000 angstroms. In this embodiment, for example, SiO2
Has a film thickness of 3000 angstroms.
【００６５】ガラス基板32a の裏面、即ち線状導光路31
が形成されている面と反対側の面には、線状導光路31以
外からの光を遮るための金属膜35が設けられている。The back surface of the glass substrate 32a, that is, the linear light guide path 31.
A metal film 35 for blocking light other than the linear light guide path 31 is provided on the surface opposite to the surface on which is formed.
【００６６】金属膜35はＡｇ、アルミニウム（Ａｌ）及
びモリブデン（Ｍｏ）等から形成することができる。
又、液晶パネルのカラーフィルタ等に使用されている顔
料分散タイプの遮光膜を金属膜35の代わりに用いること
も可能である。The metal film 35 can be formed of Ag, aluminum (Al), molybdenum (Mo), or the like.
Further, a pigment dispersion type light-shielding film used for a color filter of a liquid crystal panel or the like can be used instead of the metal film 35.
【００６７】透明電極33上には、線状導光路31からの光
を受ける光導電体層36が形成されており、光導電体層36
は例えば非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成っ
ており、プラズマ化学蒸着法（Ｐ−ＣＶＤ法）により形
成されている。A photoconductor layer 36 for receiving light from the linear light guide path 31 is formed on the transparent electrode 33, and the photoconductor layer 36 is formed.
Is made of, for example, amorphous silicon hydride (a-Si: H), and is formed by a plasma chemical vapor deposition method (P-CVD method).
【００６８】光導電体層36にはａ−Ｓｉ：Ｈの他に、光
の照射量に対応してインピーダンスが変化する特性を有
しているものであれば、ケイ酸ビスマス（Ｂｉ12ＳｉＯ
20）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、非晶質水素化シリコ
ンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）、非晶質水素化酸化ケ
イ素（ａ−ＳｉＯ：Ｈ）、非晶質水素化シリコンゲルマ
ニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）及び非晶質水素化窒化ケイ
素（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）等を用いてもよい。In addition to a-Si: H, the photoconductor layer 36 may be bismuth silicate (Bi12 SiO 2) as long as it has a characteristic that the impedance changes in accordance with the irradiation amount of light.
20 ), cadmium sulfide (CdS), amorphous hydrogenated silicon carbide (a-SiC: H), amorphous hydrogenated silicon oxide (a-SiO: H), amorphous hydrogenated silicon germanium (a-SiGe) : H) and amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiN: H) and the like may be used.
【００６９】光導電体層36上には、二酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）とＳｉＯ2とを交互に積層した多層膜から成る誘
電体ミラー37が電子ビーム蒸着法により形成されてい
る。On the photoconductive layer 36, titanium dioxide (Ti
A dielectric mirror 37 made of a multilayer film in which O2 ) and SiO2 are alternately laminated is formed by an electron beam evaporation method.
【００７０】尚、誘電体ミラー37を通じて光導電体層36
に読み出し光38が漏れることを防ぐために、誘電体ミラ
ー37と光導電体層36との間に図示していない遮光膜を設
けてもよい。この遮光膜としては、カーボン分散型有機
薄膜や、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）及びＡｇ無電
界メッキを施したＡｌ2Ｏ3等を用いることができる。It should be noted that the photoconductive layer 36 is formed through the dielectric mirror 37.
In order to prevent the read light 38 from leaking, a light shielding film (not shown) may be provided between the dielectric mirror 37 and the photoconductor layer 36. As the light-shielding film, a carbon-dispersed organic thin film, cadmium telluride (CdTe), and Ag2 electroless plated Al2 O3 can be used.
【００７１】ガラス基板32a に対向しているガラス基板
32b には、データ送信用電極39が設けられており、デー
タ送信用電極39はスパッタ法により蒸着されたＩＴＯが
線状にパターニングされることにより形成されている。A glass substrate facing the glass substrate 32a
A data transmission electrode 39 is provided at 32b, and the data transmission electrode 39 is formed by linearly patterning ITO deposited by a sputtering method.
【００７２】誘電体ミラー37とデータ送信用電極39とに
は、スピンコートによってポリイミド膜を塗布し焼成す
ることにより、配向膜40a 及び40b がそれぞれ形成され
ており、配向膜40a 及び40b の表面はラビングによる分
子配向処理が施されている。Alignment films 40a and 40b are respectively formed on the dielectric mirror 37 and the data transmission electrode 39 by applying a polyimide film by spin coating and baking, and the surfaces of the alignment films 40a and 40b are A molecular orientation treatment by rubbing is performed.
【００７３】配向膜40a 及び40b が形成されたガラス基
板32a 及び32b は、データ送信用電極39と走査用の線状
導光路31とが垂直な位置関係になるように、図示してい
ないスペーサを介して貼り合わされており、配向膜40a
及び40b とスペーサとから成るスペースに液晶を注入し
封止することにより、液晶層41が形成されている。The glass substrates 32a and 32b on which the alignment films 40a and 40b are formed are provided with spacers (not shown) so that the data transmission electrode 39 and the scanning linear light guide path 31 are in a vertical positional relationship. And the alignment film 40a.
A liquid crystal layer 41 is formed by injecting liquid crystal into the space formed by the spacers 40b and the spacers and sealing the space.
【００７４】液晶層41を形成する液晶には、そのインピ
ーダンスが光照射により走査ラインとして選択された光
導電体層36のインピーダンスに比べて大きく、且つ選択
されない光導電体層36のインピーダンスに比べて小さく
なるような液晶を選択する。The liquid crystal forming the liquid crystal layer 41 has a larger impedance than the impedance of the photoconductor layer 36 selected as a scanning line by light irradiation, and compared with the impedance of the nonselected photoconductor layer 36. Select a liquid crystal that becomes smaller.
【００７５】線状導光路31は本発明の導光路の一実施例
である。ガラス基板32a 及び32b は本発明の２つの基板
の一実施例である。光導電体層36は本発明の光導電体層
の一実施例である。液晶層41は本発明の液晶層の一実施
例である。The linear light guide 31 is an embodiment of the light guide of the present invention. Glass substrates 32a and 32b are examples of the two substrates of the present invention. Photoconductor layer 36 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The liquid crystal layer 41 is an example of the liquid crystal layer of the present invention.
【００７６】上述の構成を有する液晶ライトバルブで
は、液晶層41のインピーダンスは、光照射により走査ラ
インとして選択された光導電体層36のインピーダンスに
比べてはるかに大きいため、電極間に印加されたデータ
信号はその大部分が液晶層41に印加される。しかしなが
ら、光照射されない光導電体層36のインピーダンスは、
液晶層41のインピーダンスより大きくなるため、データ
信号は液晶層41に印加されない。In the liquid crystal light valve having the above-mentioned structure, the impedance of the liquid crystal layer 41 is much larger than the impedance of the photoconductor layer 36 selected as the scanning line by light irradiation, so that the impedance is applied between the electrodes. Most of the data signals are applied to the liquid crystal layer 41. However, the impedance of the photoconductor layer 36 that is not illuminated is
Since the impedance is higher than that of the liquid crystal layer 41, the data signal is not applied to the liquid crystal layer 41.
【００７７】図４は図３に示す液晶ライトバルブ30の駆
動部の概略構成図である。同図には簡単のため、信号や
タイミング発生部は記述されていない。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a drive unit of the liquid crystal light valve 30 shown in FIG. For simplicity, no signal or timing generator is shown in the figure.
【００７８】同図に示すように、図３の液晶ライトバル
ブ30の駆動部は走査信号用の発光素子アレイ51a 及び51
b と、液晶ライトバルブ30に含まれているデータ用透明
電極39を駆動する駆動回路52とを備えている。As shown in the figure, the driving unit of the liquid crystal light valve 30 shown in FIG. 3 includes light emitting element arrays 51a and 51a for scanning signals.
b and a drive circuit 52 for driving the data transparent electrode 39 included in the liquid crystal light valve 30.
【００７９】発光素子アレイ51a 及び51b は図１に示す
発光素子アレイ13a 及び13b にそれぞれ対応しており、
液晶ライトバルブ30の線状導光路31に、その両端で接続
されている。The light emitting element arrays 51a and 51b correspond to the light emitting element arrays 13a and 13b shown in FIG. 1, respectively,
The liquid crystal light valve 30 is connected to the linear light guide path 31 at both ends thereof.
【００８０】図４では、線状導光路31が線状導光路
Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙnとして表示されており、
線状導光路Ｙ1、Ｙ3、…、Ｙn-1は発光素子アレイ51
a によって、線状導光路Ｙ2、Ｙ4、…、Ｙnは発光素
子アレイ51b によって光信号がそれぞれ伝送される。こ
の実施例では、発光素子アレイ51a 及び51b としてはＬ
ＥＤアレイ若しくはＬＤアレイを用いている。データ信
号用電極39には、駆動回路52によって電気信号が伝送さ
れる。In FIG. 4, the linear light guide paths 31 are shown as the linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn ,
The linear light guide paths Y1 , Y3 , ..., Yn-1 are light emitting element arrays 51.
A light signal is transmitted to the linear light guides Y2 , Y4 , ..., Yn by the light emitting element array 51b. In this embodiment, the light emitting element arrays 51a and 51b are L
An ED array or LD array is used. An electric signal is transmitted to the data signal electrode 39 by the drive circuit 52.
【００８１】発光素子アレイ51a 及び51b は本発明の発
光部の一実施例である。線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙ
n-1、Ｙnは本発明の導光路の一実施例である。The light emitting element arrays 51a and 51b are examples of the light emitting section of the present invention. Linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Y
n-1, Yn is an embodiment of a light guide path of the present invention.
【００８２】図５は図３に示す液晶ライトバルブ30を投
射型画像表示装置に適用する際の装置の一実施例を示す
概略構成図である。FIG. 5 is a schematic block diagram showing an embodiment of a device when the liquid crystal light valve 30 shown in FIG. 3 is applied to a projection type image display device.
【００８３】同図に示すように、この実施例の投射型画
像表示装置には、液晶ライトバルブ60、ランプ61、レン
ズ62及び64、偏光ビームスプリッタ63並びにスクリーン
65が備えられている。As shown in the figure, the projection type image display apparatus of this embodiment includes a liquid crystal light valve 60, a lamp 61, lenses 62 and 64, a polarizing beam splitter 63 and a screen.
Equipped with 65.
【００８４】液晶ライトバルブ60は、図３に示す液晶ラ
イトバルブ30に相当している。The liquid crystal light valve 60 corresponds to the liquid crystal light valve 30 shown in FIG.
【００８５】ランプ61からの光がレンズ62及び偏光ビー
ムスプリッタ63を介して、画像の形成された液晶ライト
バルブ60に入射すると、液晶ライトバルブ60の液晶層の
配向状態が変化している部分を透過する光は電気光学効
果によって偏光方向が変化するので、反射光は偏光ビー
ムスプリッタ63を透過することができる。この反射光は
レンズ64によって拡大され、こうして液晶ライトバルブ
60に形成された画像がスクリーン65に投影される。When the light from the lamp 61 enters the liquid crystal light valve 60 on which an image is formed through the lens 62 and the polarization beam splitter 63, the liquid crystal layer of the liquid crystal light valve 60 changes its alignment state. Since the polarization direction of the transmitted light changes due to the electro-optical effect, the reflected light can be transmitted through the polarization beam splitter 63. This reflected light is magnified by the lens 64 and thus the liquid crystal light valve.
The image formed on 60 is projected on the screen 65.
【００８６】ところで、一般に発光素子アレイと線状導
光路とを光学的に結合させる場合、その結合方法として
は、線状導光路の端部と発光素子の発光面とを直接貼り
合わせる方法と、マイクロレンズアレイ等の光学系を用
いて結合させる方法とがある。By the way, in general, when the light emitting element array and the linear light guide path are optically coupled, as a coupling method, a method of directly bonding the end portion of the linear light guide path and the light emitting surface of the light emitting element, There is a method of coupling using an optical system such as a microlens array.
【００８７】光アドレス方式で高解像度の液晶ライトバ
ルブを作成する場合、走査線となる線状導光路のピッチ
を狭く設計する必要があり、これらの結合方法にかかわ
らず、次のような問題が生じる。When a high-resolution liquid crystal light valve is produced by the optical addressing method, it is necessary to design the pitch of the linear light guide paths serving as the scanning lines to be narrow, and the following problems occur regardless of the coupling method. Occurs.
【００８８】即ち、現状の技術で作成することのできる
発光素子アレイのピッチには限界があるため、従来のよ
うに線状導光路の一方の端部のみで発光素子アレイと結
合させる場合には、発光素子アレイのピッチ以上に微細
なピッチで線状導光路を設計することができない。That is, since there is a limit to the pitch of the light emitting element array that can be formed by the current technology, when connecting to the light emitting element array only at one end of the linear light guide path as in the conventional case. However, it is impossible to design a linear light guide path with a finer pitch than the pitch of the light emitting element array.
【００８９】これに対して、上述の実施例の液晶ライト
バルブでは、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn
の両側端部に発光素子アレイ51a 及び51b がそれぞれ設
けられているので、線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、
Ｙn-1、Ｙnのピッチは、発光素子アレイのピッチの１
／２で設計することが可能となる。従って、従来よりも
高解像度の液晶ライトバルブを実現することができる。On the other hand, in the liquid crystal light valve of the above-mentioned embodiment, the linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn.
Since the light emitting element arrays 51a and 51b are respectively provided at both end portions of the linear light guide paths Y1 , Y2 , ...
The pitch of Yn-1 and Yn is1 of the pitch of the light emitting element array.
It becomes possible to design with 1/2. Therefore, it is possible to realize a liquid crystal light valve having a higher resolution than ever before.
【００９０】又、従来と同じ線状導光路のピッチの液晶
ライトバルブを作成する場合においても、上述の実施例
のようにピッチの広い（例えばピッチが２倍の）発光素
子アレイを用いることができ、線状導光路との結合を容
易にすることができる。Also, in the case of producing a liquid crystal light valve having the same linear light guide path pitch as in the prior art, it is possible to use a light emitting element array having a wide pitch (for example, the pitch is double) as in the above-described embodiment. It is possible to facilitate the coupling with the linear light guide path.
【００９１】更に、発光素子アレイ51a 及び51b とし
て、ＬＥＤやＬＤ素子を線状導光路Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙ
n-1、Ｙnが形成された基板32a 上にモノリシック形成
した場合でも、同様の効果を得ることができる。Further, as the light emitting element arrays 51a and 51b, LEDs and LD elements are used as linear light guide paths Y1 , Y2 , ..., Y.
Even when monolithically formed on an-1, Yn are formed substrate 32a, it is possible to obtain the same effect.
【００９２】[0092]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、それぞ
れが電極を有する２つの基板間に設けられている液晶層
と、液晶層と２つの基板の一方との間に設けられており
入射された光によりインピーダンスが変化する光導電体
層と、２つの基板の一方の側から光導電体層へ光を導く
導光路と、導光路の両端にそれぞれ設けられており導光
路に光を交互に入力する発光部とを備えている。従っ
て、高解像度の光アドレス方式の液晶ライトバルブを実
現することができる。As described above, according to the present invention, the liquid crystal layer provided between two substrates each having an electrode and the liquid crystal layer provided between the liquid crystal layer and one of the two substrates are incident. The photoconductor layer whose impedance changes by the reflected light, the light guide paths for guiding the light from one side of the two substrates to the photoconductor layer, and the light guide paths provided at both ends of the light guide paths alternately pass the light to the light guide paths. And a light emitting unit for inputting to. Therefore, it is possible to realize a high-resolution photo-addressing type liquid crystal light valve.
【図１】本発明に係る液晶ライトバルブを用いた光アド
レス方式のアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの一実施
例の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the configuration of an embodiment of an optically addressed active matrix drive type LCD using a liquid crystal light valve according to the present invention.
【図２】図１のＢＢ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図３】本発明に係る液晶ライトバルブの一実施例の概
略構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a liquid crystal light valve according to the present invention.
【図４】図３に示す液晶ライトバルブの駆動部の概略構
成図である。4 is a schematic configuration diagram of a drive unit of the liquid crystal light valve shown in FIG.
【図５】図３に示す液晶ライトバルブを投射型画像表示
装置に適用する際の装置の一実施例を示す概略構成図で
ある。5 is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus when the liquid crystal light valve shown in FIG. 3 is applied to a projection type image display apparatus.
【図６】従来の光アドレス方式の液晶ライトバルブをア
クティブマトリクス駆動型ＬＣＤに適用した場合の基本
構成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a basic configuration when a conventional photo-address type liquid crystal light valve is applied to an active matrix drive type LCD.
【図７】図６のＡ−Ａ線断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
11a 、11b 、32a 、32b ガラス基板 12、36 光導電体層 13a 、13b 、51a 、51b 発光素子アレイ 14 絵素電極 15 光散乱部 16、34 クラッド層 17、33 透明電極 18a 、18b 遮光膜 19a 、19b 、40a 、40b 配向膜 20、41 液晶層 21 スペーサ 30、60 液晶ライトバルブ 31、Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn-1、Ｙn 線状導光路 35 金属膜 37 誘電体ミラー 39 データ送信用電極 Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘm 線状電極11a, 11b, 32a, 32b Glass substrate 12, 36 Photoconductor layer 13a, 13b, 51a, 51b Light emitting element array 14 Picture element electrode 15 Light scattering part 16, 34 Cladding layer 17, 33 Transparent electrode 18a, 18b Light shielding film 19a , 19b, 40a, 40b Alignment film 20, 41 Liquid crystal layer 21 Spacer 30, 60 Liquid crystal light valve 31, Y1 , Y2 , ..., Yn-1 , Yn linear light guide 35 Metal film 37 Dielectric mirror 39 Data transmission electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm linear electrodes
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP271092AJPH05188357A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Liquid crystal light valve |
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|---|---|---|---|
| JP271092AJPH05188357A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Liquid crystal light valve |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188357Atrue JPH05188357A (en) | 1993-07-30 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP271092APendingJPH05188357A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Liquid crystal light valve |
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