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JPH05136218A - 検査装置 - Google Patents

検査装置

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Publication number
JPH05136218A
JPH05136218AJP3024417AJP2441791AJPH05136218AJP H05136218 AJPH05136218 AJP H05136218AJP 3024417 AJP3024417 AJP 3024417AJP 2441791 AJP2441791 AJP 2441791AJP H05136218 AJPH05136218 AJP H05136218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
inspection
carrier
semiconductor
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3024417A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Obikane
正 帯金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Yamanashi LtdfiledCriticalTokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority to JP3024417ApriorityCriticalpatent/JPH05136218A/ja
Priority to US07/836,870prioritypatent/US5278494A/en
Publication of JPH05136218ApublicationCriticalpatent/JPH05136218A/ja
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Abstract

(57)【要約】【目的】 半導体ウエハ等の検査時における汚染を、低
コストでかつ効率よく抑制する。【構成】 半導体ウエハ4に設けられた半導体素子の電
極端子とプローブピン14aとを接触させ、電気的所特
性等の測定を行う検査部10を有している。半導体ウエ
ハ4を収納したウエハキャリア5は、キャリア用エレベ
ータ21、22によってロード・アンロード部用筐体3
内に収容可能とされている。そして、ウエハキャリア5
を上記筐体3内に収容した状態で、半導体ウエハ4を検
査部10に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 [発明の目的]
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、検査装置に関する。
【0003】
【従来の技術】半導体素子の製造工程においては、半導
体ウエハに多数の素子が形成されている段階で、個々の
素子の電極端子に検査端子を接触させ、それぞれの電気
的諸特性を測定する検査装置、いわゆるプロ―バにより
個々の半導体素子の良否を判定している。
【0004】このようなプローバは、多数のプローブピ
ンを所定形状に植設してなるプローブカードを有し、上
記プローブピンに半導体素子の電極端子を接触させるこ
とによって、テスタとの電気的な接続を行い、電気的所
特性等の測定を行う検査部と、この検査部にウエハキャ
リアに収納された半導体ウエハを 1枚づつ供給するロー
ド・アンロード部とから主に構成されたものが多用され
ている。
【0005】上記ロード・アンロード部から検査部への
半導体ウエハの供給は、例えば以下のようにして行われ
ている。ロード・アンロード部は、ウエハキャリアを所
定のピッチで昇降させる機構、例えばウエハエレベータ
を有しており、このウエハエレベータ上に載置されたウ
エハキャリアを順次下降させながら、ウエハキャリア内
に棚積み収納された半導体ウエハをピンセット機構等に
よって取り出すことによって、検査部側に供給してい
る。また、ウエハキャリアの当初の載置位置は、一般的
には取扱い性等の点から装置筐体上となるように設定さ
れている。
【0006】一方、近年、半導体素子の高集積化に伴っ
て、極僅かな塵埃の付着によっても不良が発生する可能
性が高まってきているため、その製造環境にはより一層
の清浄化が求められている。そこで、クリーンルームの
高クリーン度化や装置自体からの発塵の低減化等が進め
られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体素子の高集積化に伴って、半導体ウエハを取り巻く環
境のより一層の清浄化が求められているが、従来のプロ
ーバにおいては、半導体ウエハが収納されたウエハキャ
リアの当初の載置位置が装置上面上で、クリーンルーム
に露出していたため、プローバ自体はクリーンルーム内
に配置されてはいるものの、作業者等から発生する不可
避的な塵埃をも回避することは困難であった。
【0008】一方、クリーンルーム内の気流を改善した
り、またフィルターの性能を向上させる等して、クリー
ンルーム内の清浄度を極めて高くすることも行われてい
るが、このようなクリーンルームは建設コストや維持費
が高いために、一般的には適用し難いという問題があ
る。
【0009】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、半導体ウエハ等の被検査基板の汚染
を、低コストでかつ効率よく抑制することを可能にした
検査装置を提供することを目的としている。
【0010】 [発明の構成]
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の検査装置は、被測定体の電極端子に、検査
端子を接触させて測定を行う検査部と、複数の前記被測
定体が収納された搬送容器から該被測定体を前記検査部
に供給するロード・アンロード部とを具備する検査装置
において、前記ロード・アンロード部は、前記搬送容器
を装置を構成する壁内に収容可能とした昇降機構を有
し、該搬送容器を装置を構成する壁内に収容した状態
で、前記被測定体の供給を行うよう構成したことを特徴
とするものである。
【0012】
【作用】本発明の検査装置においては、被測定体が収納
された搬送容器を、装置を構成する壁内に収容した状態
で被測定体の供給、すなわち被測定体の出し入れを行う
よう構成している。したがって、検査装置周囲の雰囲気
の清浄度が多少低下したような場合においても、搬送容
器内に収納された基板の周囲は、高清浄度を容易に維持
することができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の検査装置をウエハプローバに
適用した実施例について、図面を参照して説明する。
【0014】この実施例のウエハプローバ1は、図1お
よび図2に示すように、一つの筐体2によって構成され
た検査部10と、この検査部10とは別筐体3によって
構成されたロード・アンロード部20とを有している。
【0015】上記検査部10は、被測定体例えば半導体
素子が多数形成された半導体ウエハ4を吸着保持する検
査台11を有している。この検査台11は、検査台ステ
ージ12上に設置されており、この検査台ステ―ジ12
によってX−Y−Z−θ方向に移動自在とされている。
【0016】また、検査台11上方の所定の位置に設置
されたヘッドプレ―ト13の中央部には、検査端子例え
ばプローブピン14aを検査対象となる半導体素子の電
極端子の形状に応じて配置したプローブカード14を保
持すると共に、図示を省略したテストヘッドに電気的に
接続するインサ―トリング15が配設されている。そし
て、検査台ステ―ジ12によって検査台11を上昇させ
ることによって、半導体ウエハ4に多数形成された半導
体素子の電極端子と、プローブピン14aとを接触さ
せ、半導体素子の電気的諸特性等の測定が行われる。
【0017】ロード・アンロード部20は、搬送容器例
えば複数の半導体ウエハ4を棚積み収納したウエハキャ
リヤ5が載置される昇降機構、例えばキャリア用エレベ
―タ21、22を複数例えば 2基を有している。これら
キャリア用エレベ―タ21、22は、図3にも示すよう
に、例えば図示しないボールネジ機構とステッピングモ
ータ等とによって所定のピッチで昇降自在に構成されて
おり、上記ウエハキャリヤ5を所定のピッチで昇降させ
ると共に、半導体ウエハ4の取り出し位置がロード・ア
ンロード部用筐体3内となるように設定されている。キ
ャリア用エレベ―タ21、22の上方には、開閉自在な
蓋体23が設けられており、ウエハキャリア5をロード
・アンロード部用筐体3により形成される壁板容器内に
搬入し収容した後、これらウエハキャリア5を外雰囲
気、すなわちクリーンルーム雰囲気と直接接することを
遮断することを可能としている。
【0018】キャリア用エレベ―タ21、22に載置さ
れたウエハキャリア5の開放された面の前方には、半導
体ウエハ4を例えば吸着保持するウエハ搬送ア―ム24
が配設されている。ウエハ搬送ア―ム24は、伸縮する
ことによってウエハキャリア5から半導体ウエハ4を取
り出すよう構成されており、このウエハ搬送ア―ム24
から見て後方側のウエハキャリア5からの取り出しが可
能なように、伸縮ストロークが設定されている。
【0019】また、上記キャリア用エレベ―タ21、2
2は、一方のキャリア用エレベ―タ21側から半導体ウ
エハ4の取り出しを行う際に、他方のキャリア用エレベ
―タ22が障害とならないように、下方にウエハキャリ
ア5の待機位置を有している。すなわち、ロード・アン
ロード部用筐体3内におけるウエハキャリア5の位置
は、キャリア用エレベ―タ21、22によって、下方の
待機位置(X位置)と取り出し位置(Y位置)とが設定
されている。
【0020】ロード・アンロード部用筐体3内には、半
導体ウエハ4の位置確認センサ例えば発光素子26と受
光素子27とによって構成されたセンサが設置されてい
る。上記発光素子26は、ウエハキャリア5内に収納さ
れた半導体ウエハ3の面と平行な 2本の検出光Aを照射
するように構成されており、これによりウエハキャリア
5内の正規な位置に半導体ウエハ4が収納されているか
どうかを確認する。
【0021】次に、上記構成のウエハプロ―バの動作に
ついて、図4を参照して説明する。まず、ロード・アン
ロード部20のキャリア用エレベータ21、22をそれ
ぞれ上限まで上昇させ、それぞれの上にウエハキャリア
5を載置する。次に、ウエハ搬送ア―ム24側に位置す
るキャリア用エレベータ22(以下、第2のエレベータ
と称する)を、ウエハキャリア5が下方の待機位置に到
達するまで下降させる。次いで、他方のキャリア用エレ
ベータ21(以下、第1のエレベータと称する)を下降
させるが、このウエハキャリア5を下降させる間に、検
出光Aによって、ウエハキャリア5内に収納された全半
導体ウエハ4の位置確認が行われる(図4−a)。
【0022】この半導体ウエハ4の確認は、例えば以下
のようにして行われる。図5に示すように、 2本の平行
な検出光A1、A2が、同時に半導体ウエハ4aによっ
て遮られば、半導体ウエハ4aは所定の位置に収納され
ていることになる。これに対して、半導体ウエハ4bが
正規な位置に収納されていなければ、例えば斜めに配置
されていれば、 2本の平行な検出光A1、A2を遮る時
間にずれが生じるため、正規な位置に収納されていない
ことが判明する。以上の操作を全半導体ウエハ4に対し
て行い、ウエハ搬送ア―ム24による取り出しは、正規
な位置の半導体ウエハ4のみに対して行う。これによっ
て、半導体ウエハ4がウエハキャリア5内の正規な位置
に収納されていないような場合においても、ウエハ搬送
ア―ム24によって半導体ウエハ4を破損することが防
止される。
【0023】以上のようにして、第1のエレベータ21
側のウエハキャリア5に収納された全半導体ウエハ4の
確認を終了した後、このウエハキャリア5を下方の待機
位置まで下降させる(図4−b)。 2つのウエハキャリ
ア5がそれぞれ待機位置に到達したところで蓋体23を
閉じ、以下の工程は密閉されたロード・アンロード部用
筐体3内で行う。次いで、第2のエレベータ22を確認
位置まで上昇させた後、同様に第2のエレベータ22側
のウエハキャリア5内の半導体ウエハ4についても、第
2のエレベータ22を所定のステップで下降させながら
位置確認を行う(図4−c)。この位置確認が終了した
後には、ウエハキャリア5を下方の待機位置まで下降さ
せる。
【0024】次に、第1のエレベータ21を取り出し位
置(Y位置)の初期位置まで上昇させた後、図3に示し
たように、第1のエレベータ21側のウエハキャリア5
から半導体ウエハ4をウエハ搬送アーム24によって取
り出し、ウエハ搬送アーム24を回転させて、受け渡し
位置に待機する検査台11に移載する。この後、検査台
11をプローブカード14下方の検査位置まで移動さ
せ、次いで検査台11を上昇させて半導体ウエハ4に形
成された半導体素子の電極端子と、プローブピン14a
とを接触させて所定の検査を行う。
【0025】1枚の半導体ウエハ4の検査が終了する
と、検査終了後の半導体ウエハ4をウエハキャリヤ5に
収納した後、次の半導体ウエハ4を取り出し、同様にし
て所定の検査を行う。このようにして、順次半導体ウエ
ハ4の検査を行い、第1のエレベータ21側のウエハキ
ャリア5内に収納された全半導体ウエハ4の検査が終了
した後には、ウエハキャリア5を待機位置まで下降させ
る。次に、第2のエレベータ22を取り出し位置(Y位
置)の初期位置まで上昇させ、同様にしてウエハキャリ
ア5内に収納された全半導体ウエハ4の検査を実施す
る。
【0026】以上のようにして、 2つのウエハキャリア
5に対する検査が終了すると、蓋体23を開けると共
に、第1および第2のエレベータ21、22を上昇させ
て、それぞれのウエハキャリア5をロード・アンロード
部用筐体3外に移動し、ウエハキャリア5の交換を行
い、次ロットの検査を実行する。
【0027】このように、上記実施例のウエハプローバ
においては、第1および第2のエレベータ21、22に
よってウエハキャリアをロード・アンロード部用筐体3
内に取り込んだ状態で半導体ウエハ4の取り出しを行う
よう構成しているため、作業者等から発生する塵埃に半
導体ウエハ4が晒されることがない。よって、高清浄雰
囲気の下で検査を実施することが可能となる。また、作
業者等の不注意による破損等も防止できる。さらに、ウ
エハキャリア5の待機位置をそれぞれ下方に設定してい
るため、複数のウエハキャリア5を一括して装置にセッ
トすることが可能となり、検査効率を低下させることも
ない。
【0028】また、 2本の平行な検出光A1、A2によ
って、ウエハキャリア5内の半導体ウエハ4の位置を予
め確認しているため、不正な位置に半導体ウエハ4が収
納されているような場合においても、半導体ウエハ4を
破損することがないばかりでなく、半導体ウエハ4が実
際に収納されている位置のみに、ウエハ搬送アーム24
を操作することが可能となるため、検査効率の向上を図
ることができる。
【0029】なお、上記実施例においては、本発明の検
査装置をウエハプローバに適用した例について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、各種基板
の検査に適用することが可能である。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の検査装置
によれば、半導体ウエハ等の被検査基板の汚染を低コス
トでかつ効率よく抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるウエハプロ―バの構成
を説明するための図である。
【図2】図1に示すウエハプロ―バの正面を一部断面で
示す図である。
【図3】図1に示すウエハプロ―バのロード・アンロー
ド部を示す図である。
【図4】本発明の一実施例によるウエハプロ―バの動作
を説明するための図である。
【図5】本発明の一実施例の半導体ウエハの確認方法を
説明するための図である。
【符号の説明】
1………ウエハプローバ 3………ロード・アンロード部用筐体 10……検査部 11……検査台 12……検査台ステージ 14……プローブカード 14a…プローブピン 20……ロード・アンロード部 21……第1のキャリア用エレベ―タ 22……第2のキャリア用エレベ―タ 24……ウエハ搬送ア―ム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定体の電極端子に、検査端子を接触
    させて測定を行う検査部と、複数の前記被測定体が収納
    された搬送容器から該被測定体を前記検査部に供給する
    ロード・アンロード部とを具備する検査装置において、 前記ロード・アンロード部は、前記搬送容器を装置を構
    成する壁内に収容可能とした昇降機構を有し、該搬送容
    器を装置を構成する壁内に収容した状態で、前記被測定
    体の供給を行うよう構成したことを特徴とする検査装
    置。
JP3024417A1991-02-191991-02-19検査装置WithdrawnJPH05136218A (ja)

Priority Applications (2)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
JP3024417AJPH05136218A (ja)1991-02-191991-02-19検査装置
US07/836,870US5278494A (en)1991-02-191992-02-19Wafer probing test machine

Applications Claiming Priority (1)

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JP3024417AJPH05136218A (ja)1991-02-191991-02-19検査装置

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JPH05136218Atrue JPH05136218A (ja)1993-06-01

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ID=12137583

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JP3024417AWithdrawnJPH05136218A (ja)1991-02-191991-02-19検査装置

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US (1)US5278494A (ja)
JP (1)JPH05136218A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2005227263A (ja)*2004-02-122005-08-25Applied Materials Inc集積基板搬送モジュールを備えた電子ビームテストシステム

Families Citing this family (433)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US5345170A (en)*1992-06-111994-09-06Cascade Microtech, Inc.Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US6380751B2 (en)*1992-06-112002-04-30Cascade Microtech, Inc.Wafer probe station having environment control enclosure
US20020053734A1 (en)*1993-11-162002-05-09Formfactor, Inc.Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5604443A (en)*1994-05-231997-02-18Tokyo Electron LimitedProbe test apparatus
TW312749B (ja)*1994-07-261997-08-11Tokyo Electron Co Ltd
US5528161A (en)*1994-09-151996-06-18Venturedyne LimitedThrough-port load carrier and related test apparatus
DE19544328B4 (de)*1994-11-292014-03-20Ebara Corp.Poliervorrichtung
US5561377A (en)*1995-04-141996-10-01Cascade Microtech, Inc.System for evaluating probing networks
US5760643A (en)*1995-10-311998-06-02Texas Instruments IncorporatedIntegrated circuit die with selective pad-to-pad bypass of internal circuitry
US6046600A (en)*1995-10-312000-04-04Texas Instruments IncorporatedProcess of testing integrated circuit dies on a wafer
US5969538A (en)1996-10-311999-10-19Texas Instruments IncorporatedSemiconductor wafer with interconnect between dies for testing and a process of testing
US5994912A (en)*1995-10-311999-11-30Texas Instruments IncorporatedFault tolerant selection of die on wafer
US6121743A (en)*1996-03-222000-09-19Genmark Automation, Inc.Dual robotic arm end effectors having independent yaw motion
US5789890A (en)*1996-03-221998-08-04Genmark AutomationRobot having multiple degrees of freedom
US6002263A (en)1997-06-061999-12-14Cascade Microtech, Inc.Probe station having inner and outer shielding
DE19744618A1 (de)*1997-10-091999-04-22Wacker Siltronic HalbleitermatVerfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Materialabtrags einer Halbleiterscheibe
US6408413B1 (en)1998-02-182002-06-18Texas Instruments IncorporatedHierarchical access of test access ports in embedded core integrated circuits
US6405335B1 (en)1998-02-252002-06-11Texas Instruments IncorporatedPosition independent testing of circuits
TW412817B (en)1998-06-192000-11-21Matsushita Electric Industrial Co LtdA bump bonding apparatus and method
US6489741B1 (en)1998-08-252002-12-03Genmark Automation, Inc.Robot motion compensation system
US7058862B2 (en)*2000-05-262006-06-06Texas Instruments IncorporatedSelecting different 1149.1 TAP domains from update-IR state
US6445202B1 (en)*1999-06-302002-09-03Cascade Microtech, Inc.Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6728915B2 (en)2000-01-102004-04-27Texas Instruments IncorporatedIC with shared scan cells selectively connected in scan path
US6769080B2 (en)2000-03-092004-07-27Texas Instruments IncorporatedScan circuit low power adapter with counter
US6965226B2 (en)*2000-09-052005-11-15Cascade Microtech, Inc.Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en)*2000-09-052005-07-05Cascade Microtech, Inc.Probe station
WO2003020467A1 (en)*2001-08-312003-03-13Cascade Microtech, Inc.Optical testing device
US6861859B1 (en)*2001-10-222005-03-01Electroglas, Inc.Testing circuits on substrates
US6777964B2 (en)2002-01-252004-08-17Cascade Microtech, Inc.Probe station
US7129694B2 (en)*2002-05-232006-10-31Applied Materials, Inc.Large substrate test system
DE10227332A1 (de)*2002-06-192004-01-15Akt Electron Beam Technology GmbhAnsteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften
US6847219B1 (en)2002-11-082005-01-25Cascade Microtech, Inc.Probe station with low noise characteristics
US7250779B2 (en)2002-11-252007-07-31Cascade Microtech, Inc.Probe station with low inductance path
US6861856B2 (en)2002-12-132005-03-01Cascade Microtech, Inc.Guarded tub enclosure
US7221172B2 (en)*2003-05-062007-05-22Cascade Microtech, Inc.Switched suspended conductor and connection
US7492172B2 (en)*2003-05-232009-02-17Cascade Microtech, Inc.Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en)*2003-10-222007-07-31Cascade Microtech, Inc.Probe testing structure
US7187188B2 (en)2003-12-242007-03-06Cascade Microtech, Inc.Chuck with integrated wafer support
US20060038554A1 (en)*2004-02-122006-02-23Applied Materials, Inc.Electron beam test system stage
US7355418B2 (en)*2004-02-122008-04-08Applied Materials, Inc.Configurable prober for TFT LCD array test
US7319335B2 (en)*2004-02-122008-01-15Applied Materials, Inc.Configurable prober for TFT LCD array testing
WO2005121824A2 (en)2004-06-072005-12-22Cascade Microtech, Inc.Thermal optical chuck
US7330041B2 (en)*2004-06-142008-02-12Cascade Microtech, Inc.Localizing a temperature of a device for testing
US7075323B2 (en)*2004-07-292006-07-11Applied Materials, Inc.Large substrate test system
US7256606B2 (en)*2004-08-032007-08-14Applied Materials, Inc.Method for testing pixels for LCD TFT displays
DE202005021436U1 (de)*2004-11-022008-02-14Cascade Microtech, Inc., BeavertonOptisch verbessertes digitales Abbildungssystem
US7535247B2 (en)*2005-01-312009-05-19Cascade Microtech, Inc.Interface for testing semiconductors
US20060169897A1 (en)*2005-01-312006-08-03Cascade Microtech, Inc.Microscope system for testing semiconductors
US7656172B2 (en)2005-01-312010-02-02Cascade Microtech, Inc.System for testing semiconductors
US20060177160A1 (en)*2005-02-072006-08-10Wagner James CDisposable bag for particularized waste
US7535238B2 (en)*2005-04-292009-05-19Applied Materials, Inc.In-line electron beam test system
US20060273815A1 (en)*2005-06-062006-12-07Applied Materials, Inc.Substrate support with integrated prober drive
CN100449724C (zh)*2006-02-202009-01-07中芯国际集成电路制造(上海)有限公司一种晶片检测装置和晶片检测方法
JP5829376B2 (ja)*2006-03-142015-12-09アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporatedマルチカラム電子ビーム検査システムにおけるクロストークの軽減方法
US7602199B2 (en)*2006-05-312009-10-13Applied Materials, Inc.Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en)*2006-05-312010-08-31Applied Materials, Inc.Prober for electronic device testing on large area substrates
US20080251019A1 (en)*2007-04-122008-10-16Sriram KrishnaswamiSystem and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US8145349B2 (en)*2008-05-142012-03-27Formfactor, Inc.Pre-aligner search
US8336188B2 (en)*2008-07-172012-12-25Formfactor, Inc.Thin wafer chuck
US10378106B2 (en)2008-11-142019-08-13Asm Ip Holding B.V.Method of forming insulation film by modified PEALD
US8319503B2 (en)*2008-11-242012-11-27Cascade Microtech, Inc.Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
US9394608B2 (en)2009-04-062016-07-19Asm America, Inc.Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en)2009-08-142014-08-12Asm America, Inc.Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en)2011-06-062016-04-12Asm Japan K.K.High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en)2011-06-272019-07-30Asm Ip Holding B.V.Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en)2011-07-152020-12-01Asm Ip Holding B.V.Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en)2011-10-282015-04-28Asm America, Inc.Process feed management for semiconductor substrate processing
US9558931B2 (en)2012-07-272017-01-31Asm Ip Holding B.V.System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en)2012-08-282017-05-23Asm Ip Holding B.V.Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en)2012-09-122015-05-05Asm Ip Holdings B.V.Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US9373533B2 (en)*2012-12-312016-06-21Cascade Microtech, Inc.Systems and methods for providing wafer access in a wafer processing system
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en)2013-03-082017-03-07Asm Ip Holding B.V.Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en)2013-03-082016-11-01Asm Ip Holding B.V.Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en)2013-07-122015-03-31Asm Ip Holding B.V.Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9240412B2 (en)2013-09-272016-01-19Asm Ip Holding B.V.Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9605343B2 (en)2013-11-132017-03-28Asm Ip Holding B.V.Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10683571B2 (en)2014-02-252020-06-16Asm Ip Holding B.V.Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en)2014-03-182019-01-01Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en)2014-07-282020-12-08Asm Ip Holding B.V.Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en)*2014-08-012017-01-10Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en)2014-08-212018-02-13Asm Ip Holding B.V.Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en)2014-10-072017-05-23Asm Ip Holding B.V.Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko)2014-11-192021-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko)2014-12-222021-06-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en)2015-03-112020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en)2015-07-072020-03-24Asm Ip Holding B.V.Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en)2015-07-132018-08-07Asm Ip Holding B.V.Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en)2015-07-242018-09-25Asm Ip Holding B.V.Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en)2015-08-042018-10-02Asm Ip Holding B.V.Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en)2015-08-142017-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9960072B2 (en)2015-09-292018-05-01Asm Ip Holding B.V.Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
US10322384B2 (en)2015-11-092019-06-18Asm Ip Holding B.V.Counter flow mixer for process chamber
US9627221B1 (en)2015-12-282017-04-18Asm Ip Holding B.V.Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en)2016-02-192019-11-05Asm Ip Holding B.V.Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en)2016-03-092019-12-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en)2016-03-242018-02-13Asm Ip Holding B.V.Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en)2016-04-212020-12-15Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en)2016-04-212019-01-29Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10087522B2 (en)2016-04-212018-10-02Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10032628B2 (en)2016-05-022018-07-24Asm Ip Holding B.V.Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko)2016-05-172023-10-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en)2016-06-282019-08-20Asm Ip Holding B.V.Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en)2016-07-142017-10-17ASM IP Holding B.VMethod of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en)2016-07-192020-07-14Asm Ip Holding B.V.Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko)2016-07-272022-01-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en)2016-07-282019-08-27Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en)2016-07-282019-01-08Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en)2016-09-012018-10-02Asm Ip Holding B.V.3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en)2016-10-132019-09-10Asm Ip Holding B.V.Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en)2016-10-262020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en)2016-11-012019-03-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en)2016-11-012020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en)2016-11-012019-10-08Asm Ip Holding B.V.Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en)2016-11-072018-11-20Asm Ip Holding B.V.Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en)2016-11-282019-07-02Asm Ip Holding B.V.Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en)2016-12-152018-03-13Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en)2016-12-282020-12-15Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en)2017-02-092020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en)2017-03-292019-05-07Asm Ip Holding B.V.Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en)2017-03-312018-10-16Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en)2017-04-072018-10-16Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko)2017-04-252022-10-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en)2017-05-082021-01-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en)2017-05-082019-10-15Asm Ip Holding B.V.Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en)2017-05-312019-12-10Asm Ip Holding B.V.Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en)2017-06-022021-01-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en)2017-07-052020-06-16Asm Ip Holdings B.V.Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en)2017-07-262020-03-31Asm Ip Holding B.V.Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en)2017-07-262019-06-04Asm Ip Holding B.V.Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh)2017-08-042023-09-21荷蘭商Asm智慧財產控股公司用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US10249524B2 (en)2017-08-092019-04-02Asm Ip Holding B.V.Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en)2017-08-222019-03-19ASM IP Holding B.V..Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en)2017-08-242020-10-27Asm Ip Holding B.V.Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko)2017-08-312022-05-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10607895B2 (en)2017-09-182020-03-31Asm Ip Holdings B.V.Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko)2017-09-212024-01-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en)2017-09-222020-11-24Asm Ip Holding B.V.Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en)2017-10-102019-06-11Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en)2017-11-162021-02-02Asm Ip Holding B.V.Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko)2017-11-162022-09-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
US10290508B1 (en)2017-12-052019-05-14Asm Ip Holding B.V.Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en)2018-01-242020-12-01Asm Ip Holdings B.V.Metal clamp
US11018047B2 (en)2018-01-252021-05-25Asm Ip Holding B.V.Hybrid lift pin
USD880437S1 (en)2018-02-012020-04-07Asm Ip Holding B.V.Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en)2018-02-012020-01-14Asm Ip Holdings B.V.Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN108511357A (zh)*2018-02-082018-09-07上海华岭集成电路技术股份有限公司一种测试加载晶圆盒的方法
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en)2018-02-202020-05-19Asm Ip Holding B.V.Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en)2018-03-292019-12-17Asm Ip Holding B.V.Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko)2018-03-302023-02-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Asm 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko)2018-05-112019-11-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en)2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
TWI873894B (zh)2018-06-272025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko)2018-06-292024-07-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en)2018-07-162020-09-08Asm Ip Holding B.V.Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en)2018-07-262019-11-19Asm Ip Holding B.V.Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en)2018-08-092021-01-05Asm Ip Holding B.V.Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en)2018-08-162020-11-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en)2018-10-112020-11-24Asm Ip Holding B.V.Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en)2018-10-162020-10-20Asm Ip Holding B.V.Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en)2018-10-252019-08-13Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en)2018-11-262020-02-11Asm Ip Holding B.V.Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh)2019-01-172024-12-11荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko)2019-01-222024-11-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
CN111524788B (zh)2019-02-012023-11-24Asm Ip私人控股有限公司氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh)2019-02-202024-04-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI845607B (zh)2019-02-202024-06-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko)2019-02-202024-01-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh)2019-02-202025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh)2019-02-222024-05-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja)2019-03-282020-10-08エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェードアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko)2019-04-012025-05-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko)2019-04-192020-10-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.층 형성 방법 및 장치
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US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130121A (ko)2019-05-072020-11-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
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JP7612342B2 (ja)2019-05-162025-01-14エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja)2019-05-162024-12-11エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko)2019-06-062020-12-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
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USD944946S1 (en)2019-06-142022-03-01Asm Ip Holding B.V.Shower plate
USD931978S1 (en)2019-06-272021-09-28Asm Ip Holding B.V.Showerhead vacuum transport
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JP7499079B2 (ja)2019-07-092024-06-13エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
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US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
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TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh)2019-07-292024-08-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh)2019-08-092021-02-09Asm Ip私人控股有限公司包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en)2019-08-222022-01-11Asm Ip Holding B.V.Electrode
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
USD979506S1 (en)2019-08-222023-02-28Asm Ip Holding B.V.Insulator
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US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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KR102733104B1 (ko)2019-09-052024-11-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
CN112593212B (zh)2019-10-022023-12-22Asm Ip私人控股有限公司通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko)2019-10-082021-04-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
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TW202128273A (zh)2019-10-082021-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh)2019-10-102024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh)2019-10-162024-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko)2019-10-212025-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko)2019-10-252021-05-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko)2019-11-052021-05-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
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USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover
US12337467B2 (en)2022-12-092025-06-24Formfactor, Inc.Wafer-handling end effectors configured to selectively lift a wafer from an upper surface of the wafer, probe systems that include the wafer-handling end effectors, and methods of utilizing the wafer-handling end effectors
CN116148578B (zh)*2023-02-282023-07-21浙江科瑞信电子科技有限公司一种带载板缓冲的探针接触装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JPS6273644A (ja)*1985-09-261987-04-04Tokyo Electron Ltdウエハプロ−バ
US4943767A (en)*1986-08-211990-07-24Tokyo Electron LimitedAutomatic wafer position aligning method for wafer prober
JPS6381941A (ja)*1986-09-261988-04-12Hitachi Ltd検査装置
US4775281A (en)*1986-12-021988-10-04Teradyne, Inc.Apparatus and method for loading and unloading wafers
JPH0687664B2 (ja)*1987-06-221994-11-02株式会社東芝循環電流制御型サイクロコンバ−タの制御装置
JPH07111988B2 (ja)*1987-07-031995-11-29東京エレクトロン株式会社ウエハプロ−バ
US5084671A (en)*1987-09-021992-01-28Tokyo Electron LimitedElectric probing-test machine having a cooling system
JPH0833433B2 (ja)*1987-11-301996-03-29東京エレクトロン株式会社プローブ装置
KR0152260B1 (ko)*1988-07-081998-12-15고다까 토시오프로우브 장치
US5077523A (en)*1989-11-031991-12-31John H. Blanz Company, Inc.Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2005227263A (ja)*2004-02-122005-08-25Applied Materials Inc集積基板搬送モジュールを備えた電子ビームテストシステム

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Publication numberPublication date
US5278494A (en)1994-01-11

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