【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、大容量マトリクス型の
液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a large capacity matrix type liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】マトリクス型の液晶表示装置（ＬＣＤ）
は、近年、ますます大容量化が要求されている。即ち、
表示機器の高解像度化に伴って絵素数を400×600 から1
000×1000以上へと増大することが求められており、表
示画面のサイズも10インチから20インチ以上へと、より
大型化することが求められている。Matrix type liquid crystal display devices (LCD)
In recent years, there has been an increasing demand for larger capacity. That is,
The number of picture elements is increased from 400 × 600 to 1 as the resolution of display devices becomes higher.
It is required to increase to 000 × 1000 or more, and it is also required to increase the size of the display screen from 10 inches to 20 inches or more.
【０００３】このマトリクス型のＬＣＤは、その駆動方
法の違いからアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤと単純
マトリクス駆動型ＬＣＤとに大別され、それぞれについ
て高解像度化及び大画面化が図られている。This matrix type LCD is roughly classified into an active matrix drive type LCD and a simple matrix drive type LCD due to the difference in the driving method, and each has a higher resolution and a larger screen.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
駆動型ＬＣＤ、特にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動型
ＬＣＤにおいては、高解像度化及び大画面化を行う場
合、次のごとき問題がある。Problems to be Solved by the Invention In an active matrix drive type LCD, especially a TFT (thin film transistor) drive type LCD, there are the following problems in achieving high resolution and large screen.
【０００５】走査線数の増大に応じて走査線１本当たり
の書き込み時間が減少してしまうので、ＴＦＴ素子の十
分な駆動を行うために、より大きなオン電流が必要とな
る。オン電流を大きくするためには、ＴＦＴ素子を構成
する半導体材料に大きな移動度を有するものを使用する
か、ＴＦＴ素子のＷ／Ｌ（幅／長さ）比を大きくするこ
とが必要となる。前者の場合には材料の特性に関するも
のであるため、大幅に改善することが難しい。後者の場
合には極めて微細なプロセス制御が要求されるため、歩
留まりを大幅に落とす原因にもつながる。Since the writing time per scanning line decreases as the number of scanning lines increases, a larger on-current is required to sufficiently drive the TFT element. In order to increase the ON current, it is necessary to use a semiconductor material having a large mobility as a semiconductor material forming the TFT element or to increase the W / L (width / length) ratio of the TFT element. In the former case, it is difficult to make a great improvement because it relates to the characteristics of the material. In the latter case, extremely fine process control is required, which leads to a large drop in yield.
【０００６】又、高解像度化が進んで絵素に対するＴＦ
Ｔ素子の面積の比が大きくなると、ＴＦＴ素子のゲート
−ドレイン間のキャパシタンスが液晶キャパシタンスに
比して大きくなる。このため、ゲート信号の絵素に与え
る影響が極めて大きくなってしまう。Further, as the resolution has been increased, the TF for picture elements has been increased.
As the area ratio of the T element increases, the gate-drain capacitance of the TFT element increases compared to the liquid crystal capacitance. Therefore, the influence of the gate signal on the picture element becomes extremely large.
【０００７】従って、本発明は、従来技術の上述した問
題点を解消するものであり、光スイッチング機能を用い
ることにより、絵素駆動電流を容易に増大させることが
でき、駆動電圧比の大幅な低下を招くことなく見掛け上
の走査線数を任意に増大させることができる高解像度の
液晶表示装置を提供するものである。Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and by using the optical switching function, the pixel drive current can be easily increased and the drive voltage ratio can be greatly increased. A high-resolution liquid crystal display device capable of arbitrarily increasing the number of apparent scanning lines without causing a decrease.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】それぞれが電極を有する
２つの基板間に設けた液晶層を含む液晶表示装置であっ
て、一方の基板が、互いに並列に配列された複数の線状
発光源と、複数の線状発光源と交差する方向に互いに並
列に配列された複数の線状電極と、複数の線状発光源及
び複数の線状電極が交差する位置に隣接して複数の線状
電極と同一の面上に形成されている複数の絵素電極と複
数の線状電極との間にそれぞれ設けられ線状発光源から
の光によりスイッチング動作する複数の光導電体層とを
備えており、線状電極及び光導電体層を介して印加され
る信号により液晶層の各絵素が駆動されるよう構成され
ている。A liquid crystal display device including a liquid crystal layer provided between two substrates each having an electrode, wherein one substrate has a plurality of linear light emitting sources arranged in parallel with each other. A plurality of linear electrodes arranged in parallel with each other in a direction intersecting with the plurality of linear light emitting sources, and a plurality of linear electrodes adjacent to a position where the plurality of linear light emitting sources and the plurality of linear electrodes intersect. And a plurality of photoconductor layers which are respectively provided between a plurality of pixel electrodes and a plurality of linear electrodes formed on the same surface and which perform a switching operation by light from a linear light emitting source. , Each pixel of the liquid crystal layer is driven by a signal applied through the linear electrode and the photoconductor layer.
【０００９】[0009]
【作用】線状発光源からの光が印加されると、光導電体
層はそのインピーダンスが低下してオン状態となる。そ
の結果、線状電極からの信号がこの光導電体層を介して
液晶層の絵素に印加される。このように光導電体層がア
クティブ素子のごとくスイッチング動作を行う。従っ
て、光スイッチング機能を用いることにより、絵素駆動
電流を容易に増大させることができ、駆動電圧比の大幅
な低下を招くことなく見掛け上の走査線数を任意に増大
させることができる。When the light from the linear light emitting source is applied, the impedance of the photoconductor layer is lowered and the photoconductor layer is turned on. As a result, the signal from the linear electrode is applied to the picture element of the liquid crystal layer through this photoconductor layer. In this way, the photoconductor layer performs a switching operation like an active element. Therefore, by using the optical switching function, the picture element drive current can be easily increased, and the apparent number of scanning lines can be arbitrarily increased without causing a significant decrease in the drive voltage ratio.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図１は本発明に係る液晶表示装置の第１の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本
的構造を示す断面図であり、図２は本発明に係る液晶表
示装置の第１の実施例であるアクティブマトリクス駆動
型ＬＣＤの基本的構造を示す平面図である。ここで、図
１の断面図は図２のＡＡ線断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the basic structure of an active matrix drive type LCD which is a first embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 2 is a first view of the liquid crystal display device according to the present invention. FIG. 3 is a plan view showing the basic structure of an active matrix drive type LCD that is an embodiment of the present invention. Here, the sectional view of FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【００１２】尚、図２に示す平面図では、図１の断面図
に示すガラス基板15、透明電極16、液晶層17及びシール
材18は省略されている。In the plan view shown in FIG. 2, the glass substrate 15, the transparent electrode 16, the liquid crystal layer 17 and the sealing material 18 shown in the sectional view of FIG. 1 are omitted.
【００１３】両図に示すように、一方のガラス基板10上
には複数の線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向に沿って
配列されている。As shown in both figures, a plurality of linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are arrayed along the Y direction on one glass substrate 10 and intersect on these. Then, a plurality of linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are arranged along the X direction.
【００１４】各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、例え
ば線状発光源Ｙ2は、エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）素子等による発光部11とこの発光部11からの光を伝
える線状の光導波路12とから構成されており、発光部11
を発光させることにより、線状発光源Ｙ2全体からライ
ン状の光が放射される。Each of the linear light-emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn , for example, the linear light-emitting source Y2, is electroluminescent (E).
L) is composed of a light emitting portion 11 such as an element and a linear optical waveguide 12 for transmitting light from the light emitting portion 11, and the light emitting portion 11
By emitting light, linear light is emitted from the entire linear light emitting source Y2 .
【００１５】各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn全体を
発光部とすることも可能である。しかしながら、この実
施例の構成の方が消費電力が少ない点で有利である。It is also possible to use the entire linear light-emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn as the light-emitting section. However, the configuration of this embodiment is advantageous in that it consumes less power.
【００１６】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、
Ｘmとの交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極14とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1、
Ｘ2、…、Ｘmと絵素電極14との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1との交差部分には、線状電極Ｘ1と絵素
電極14との間に光スイッチ素子13が設けられている。The linear light-emitting source Y1, Y2, ..., Yn and the linear electrodes X1, X2, ..., to the intersection of the Xm, i.e. the linear light-emitting source Y1, Y2, ... , Yn and the linear electrodes X1 , X2 , ...,
Optical switch elements each composed of a photoconductor layer are provided adjacent to the intersection with Xm . Linear electrodes X1 , X
2, ..., and the picture element electrodes 14 for driving the display medium such as liquid crystal and Xm are formed on the same plane, the linear electrodes X1,
The above-mentioned optical switch elements are provided between X2 , ..., Xm and the pixel electrode 14, respectively. For example, a linear light source Y2
And the intersection of the linear electrode X1, the optical switch 13 is provided between the linear electrode X1 and the pixel electrode 14.
【００１７】光スイッチ素子13に光が印加されると、即
ち線状発光源Ｙ2が発光すると、光スイッチ素子13はそ
の電気抵抗が低減し、従って、線状電極Ｘ1からの信号
が絵素電極14に印加される。When light is applied to the optical switch element 13, that is, when the linear light emitting source Y2 emits light, the electric resistance of the optical switch element 13 is reduced, and therefore, the signal from the linear electrode X1 is transmitted. It is applied to the elementary electrode 14.
【００１８】他方のガラス基板15上には透明電極16が設
けられており、上述した基板及びシール材18の間に液晶
層17が封止されている。A transparent electrode 16 is provided on the other glass substrate 15, and a liquid crystal layer 17 is sealed between the substrate and the sealing material 18 described above.
【００１９】ガラス基板10及び15は本発明の２つの基板
の一実施例である。光スイッチ素子13は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極14は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層17は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnは本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmは本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。Glass substrates 10 and 15 are examples of the two substrates of the present invention. The optical switch element 13 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The pixel electrode 14 is an example of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 17 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. The linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. Linear electrodes X1 , X
2 , ..., Xm are examples of a plurality of linear electrodes of the present invention.
【００２０】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnをＹ1か
らＹnまで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、Ｘ
mに印加する。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnが発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、
Ｘmからの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加され
る。即ち、ＴＦＴ素子の電気的ゲート信号の代わりに線
状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnからの光信号により光ス
イッチ素子が走査されることとなる。The linear light-emitting source Y1, Y2, ..., a Yn is optically scanned by sequentially emitting from Y1 to Yn, the linear electrodes X1, X2 an electrical signal in response thereto, ..., Xm-1 , X
applied tom . Since the optical switch elements on the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are turned on during the period in which the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are emitting light, the linear electrodes X1 , X2 ,.m-1 ,
The electrical signal from Xm is applied to each pixel electrode. That is, the optical switch element is scanned by the optical signals from the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn instead of the electrical gate signal of the TFT element.
【００２１】このように上述の実施例によれば、走査信
号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合のように走査信号
（ゲート信号）が素子キャパシタンスを通じて流れ込む
ような不都合が生じない。As described above, according to the above-described embodiment, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element.
【００２２】図３は本発明に係る液晶表示装置の第２の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図４はそのＢＢ線断面図である。FIG. 3 is a plan view showing the structure of an active matrix drive type LCD which is a second embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 4 is a sectional view taken along line BB thereof.
【００２３】尚、図３に示す平面図では、図４の断面図
に示す配向層30、ガラス基板31、透明電極32、配向層3
3、シール材34及び液晶層35は省略されている。In the plan view shown in FIG. 3, the alignment layer 30, the glass substrate 31, the transparent electrode 32 and the alignment layer 3 shown in the sectional view of FIG.
3, the sealing material 34 and the liquid crystal layer 35 are omitted.
【００２４】両図に示すように、一方のガラス基板20上
には複数の線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向に沿って
配列されている。As shown in both figures, a plurality of linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are arranged on one glass substrate 20 along the Y direction, and intersect on these. Then, a plurality of linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are arranged along the X direction.
【００２５】各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、例え
ば線状発光源Ｙ2は、ＥＬ素子等による発光部21とこの
発光部21からの光を伝える線状の光導波路22とから構成
されており、発光部21を発光させることにより、線状発
光源Ｙ2全体からライン状の光が放射される。尚、各線
状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn全体を発光部とすること
も可能である。Each of the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn , for example, the linear light emitting source Y2 includes a light emitting portion 21 made of an EL element or the like and a linear optical waveguide 22 for transmitting light from the light emitting portion 21. When the light emitting section 21 is caused to emit light, linear light is emitted from the entire linear light emitting source Y2 . It is also possible to use the entire linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn as the light emitting section.
【００２６】発光部21及び光導波路22は、次のようにし
て形成される。The light emitting portion 21 and the optical waveguide 22 are formed as follows.
【００２７】先ず、ガラス基板20上に、アルミニウム
（Ａｌ）層を電子ビーム（ＥＢ）蒸着によって形成した
後、エッチングプロセスを行うことによって電極23を形
成する。この電極23は、線状発光源Ｙ2の一方の端部に
設けられており、並列に配列された複数の短いストリッ
プ形状となっている。First, an aluminum (Al) layer is formed on the glass substrate 20 by electron beam (EB) vapor deposition, and then an electrode 23 is formed by performing an etching process. The electrode 23 is provided at one end of the linear light source Y2 and has a shape of a plurality of short strips arranged in parallel.
【００２８】次に、ガラス基板20及び電極23の一部の上
に、下方絶縁層24を形成する。この下方絶縁層24は、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）又は三窒化二ケイ素（Ｓｉ2Ｎ
3）等をスパッタにより蒸着することによって形成され
る。そして、下方絶縁層24上に発光層25を積層する。こ
の発光層25は、ＥＢ蒸着によりマンガン（Ｍｎ）を0.5
％添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ）層を形成し、更にこれを
真空熱処理とエッチングによる線状のパターン化とを行
うことにより形成される。Next, a lower insulating layer 24 is formed on the glass substrate 20 and a part of the electrode 23. This lower insulating layer 24 is made of silicon dioxide (SiO2 ) or disilicon trinitride (Si2 N2 ).
3 ) etc. are formed by vapor deposition by sputtering. Then, the light emitting layer 25 is laminated on the lower insulating layer 24. This light emitting layer 25 contains manganese (Mn) of 0.5 by EB vapor deposition.
% Zinc sulfide (ZnS) layer is formed, and this is further subjected to vacuum heat treatment and linear patterning by etching to form the layer.
【００２９】このエッチングを行う際、発光層25に切れ
目25a を設けておくと、発光層25の外部へ放出される光
量が増大し、光利用率を高めることができる。When the light emitting layer 25 is provided with the cuts 25a during this etching, the amount of light emitted to the outside of the light emitting layer 25 increases and the light utilization rate can be increased.
【００３０】次いで、上方絶縁層26を形成する。この上
方絶縁層26は、発光層25上にＳｉ2N3又は酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）等をスパッタにより蒸着すること
によって形成される。その後、上方絶縁層26上の電極23
に対向する位置に電極27を形成する。この電極27は、上
方絶縁層26上の一部にＡｌ層をＥＢ蒸着することによっ
て形成される。Next, the upper insulating layer 26 is formed. The upper insulating layer 26 is formed by depositing Si2 N3 or aluminum oxide (Al2 O3 ) on the light emitting layer 25 by sputtering. After that, the electrode 23 on the upper insulating layer 26
An electrode 27 is formed at a position opposed to. The electrode 27 is formed by EB vapor-depositing an Al layer on a part of the upper insulating layer 26.
【００３１】これら電極23及び27としては、Ａｌの他に
モリブデン（Ｍｏ）、酸化すずドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）等の金属を用いてもよい。下方絶縁層24及び
上方絶縁層26としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ2Ｎ3、Ａｌ2
Ｏ3の他に窒化ケイ素類（ＳｉＮx）、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、タンタル酸バリウム（Ｂａ
Ｔａ2Ｏ6）等を用いてもよい。又、発光層25として
は、ＺｎＳの他にセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）等を用いて
もよい。As the electrodes 23 and 27, a metal such as molybdenum (Mo) or tin oxide-doped indium oxide (ITO) may be used in addition to Al. As the lower insulating layer 24 and the upper insulating layer 26, SiO2 , Si2 N3 , Al2
In addition to O3 , silicon nitrides (SiNx ), strontium titanate (SrTiO3 ), barium tantalate (Ba)
Ta2 O6 ) or the like may be used. Further, as the light emitting layer 25, zinc selenide (ZnSe) or the like may be used instead of ZnS.
【００３２】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、
Ｘmとの交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極29とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1、
Ｘ2、…、Ｘmと絵素電極29との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1との交差部分には、線状電極Ｘ1と絵素
電極29との間に光スイッチ素子28が設けられている。The linear light-emitting source Y1, Y2, ..., Yn and the linear electrodes X1, X2, ..., to the intersection of the Xm, i.e. the linear light-emitting source Y1, Y2, ... , Yn and the linear electrodes X1 , X2 , ...,
Optical switch elements each composed of a photoconductor layer are provided adjacent to the intersection with Xm . Linear electrodes X1 , X
2, ..., the pixel electrode 29 for driving the display medium of Xm and the liquid crystal or the like are formed on the same plane, the linear electrodes X1,
The optical switch elements described above are provided between X2 , ..., Xm and the pixel electrode 29. For example, a linear light source Y2
And the intersection of the linear electrode X1, the optical switch 28 is provided between the linear electrode X1 and the pixel electrode 29.
【００３３】この光導電体層は、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜をプラズマＣＶＤ（ケミカル
ヴェイパ ディポジション）を用いて形成し、パター
ン化を行うことにより形成される。その後、線状電極Ｘ
1、Ｘ2、…、Ｘmとして、Ａｌ等の金属をＥＢ蒸着法
により蒸着しパターン化する。その後、スパッタにより
ＩＴＯを蒸着しパターン化することによって、絵素電極
29を形成する。This photoconductor layer is formed by forming a hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) film by using plasma CVD (chemical vapor deposition) and patterning it. After that, the linear electrode X
As 1 , X2 , ..., Xm , a metal such as Al is vapor-deposited by the EB vapor deposition method and patterned. After that, by depositing ITO by sputtering and patterning it, the pixel electrode
Forming 29.
【００３４】光スイッチ素子28に光が印加されると、光
スイッチ素子28はその電気抵抗が低減し、従って、線状
電極Ｘ1からの信号が絵素電極29に印加される。When light is applied to the optical switch element 28, the electrical resistance of the optical switch element 28 is reduced, so that the signal from the linear electrode X1 is applied to the pixel electrode 29.
【００３５】これらの層の上に、配向層30を形成する。
この配向層30は、スピナにより形成されたポリイミド膜
をラビング処理することによって形成される。An orientation layer 30 is formed on these layers.
The alignment layer 30 is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【００３６】他方のガラス基板31上には、透明電極32が
設けられている。この透明電極32は、スパッタ法により
ＩＴＯを蒸着することによって形成される。この透明電
極32上に配向層33を形成する。この配向層33は、スピナ
により形成されたポリイミド膜をラビング処理すること
によって形成される。A transparent electrode 32 is provided on the other glass substrate 31. The transparent electrode 32 is formed by depositing ITO by a sputtering method. An alignment layer 33 is formed on the transparent electrode 32. The alignment layer 33 is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【００３７】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材34を介して両
基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層35
が構成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this manner, and the two substrates are bonded to each other via the seal material 34. Liquid crystal is injected in the meantime to fill the liquid crystal layer 35.
Is configured.
【００３８】液晶層35の厚さは約5 μｍであり、表示モ
ードはＴＮ（ツイステッドネマチック）のノーマリホワ
イト型である。液晶材料としては、例えばメルク社製の
ＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を用い、これを真空注入するこ
とにより液晶層35が形成される。The thickness of the liquid crystal layer 35 is about 5 μm, and the display mode is TN (twisted nematic) normally white type. As the liquid crystal material, for example, PCH liquid crystal ZLI-1565 manufactured by Merck & Co., Inc. is used, and the liquid crystal layer 35 is formed by vacuum injection.
【００３９】ガラス基板20及び31は本発明の２つの基板
の一実施例である。光スイッチ素子28は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極29は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層35は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnは本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmは本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。Glass substrates 20 and 31 are examples of the two substrates of the present invention. Optical switch element 28 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The pixel electrode 29 is an embodiment of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 35 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. The linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. Linear electrodes X1 , X
2 , ..., Xm are examples of a plurality of linear electrodes of the present invention.
【００４０】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnをＹ1か
らＹnまで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｙm-1、Ｘ
mに印加する。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnが発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｙm-1、
Ｘmからの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。The linear light-emitting source Y1, Y2, ..., a Yn is optically scanned by sequentially emitting from Y1 to Yn, the linear electrodes X1, X2 an electrical signal in response thereto, ..., Ym-1 , X
applied tom . , Yn while the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are emitting light, the optical switching elements on the linear light emitting sources are in the ON state, so that the linear electrodes X1 , X2 ,.m-1 ,
An electric signal from Xm is applied to each picture element electrode to display an image.
【００４１】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。Thus, according to the above-described embodiment, the TFT
Since it has a structure in which a switch is provided for each picture element like the element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. for that reason,
Even if the number of scanning lines is 1000 or more, no inconvenience occurs.
【００４２】図５は本発明に係る液晶表示装置の第３の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing the structure of an active matrix drive type LCD which is a third embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【００４３】この実施例のアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤは、各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、例えば
線状発光源Ｙ2が、両端にＥＬ素子等による発光部21及
び21a をそれぞれ有している。即ち、図５に示すよう
に、線状発光源の電極23及び27と反対側の端部にも電極
23a 及び27a を設けることにより、発光部を基板の両側
にそれぞれ形成している。In the active matrix drive type LCD of this embodiment, each of the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn , for example, the linear light emitting source Y2, has light emitting portions 21 and 21a formed by EL elements or the like at both ends. I have each. That is, as shown in FIG. 5, the electrodes 23 and 27 of the linear light-emitting source also have electrodes on the opposite side.
By providing 23a and 27a, the light emitting portions are formed on both sides of the substrate, respectively.
【００４４】これにより、線状発光源の光強度を大幅に
高めることができる。この実施例のその他の製造プロセ
ス、構成及び動作は図３及び図４に示す第２の実施例の
場合と全く同じである。As a result, the light intensity of the linear light emitting source can be greatly increased. The other manufacturing process, structure and operation of this embodiment are exactly the same as those of the second embodiment shown in FIGS. 3 and 4.
【００４５】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。Therefore, according to this embodiment, since a switch is provided for each picture element similarly to the TFT element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. Therefore, no inconvenience occurs even if the number of scanning lines is 1000 or more.
【００４６】図６は本発明に係る液晶表示装置の第４の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図７はそのＣＣ線断面図である。FIG. 6 is a plan view showing the structure of an active matrix drive type LCD which is a fourth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 7 is a sectional view taken along line CC thereof.
【００４７】尚、図６に示す平面図では、図７の断面図
に示すガラス基板71、透明電極72、配向層73、シール材
74、配向層79及び液晶層80は省略されている。In the plan view shown in FIG. 6, the glass substrate 71, the transparent electrode 72, the alignment layer 73, and the sealing material shown in the sectional view of FIG.
74, the alignment layer 79 and the liquid crystal layer 80 are omitted.
【００４８】両図に示すように、一方のガラス基板75上
には複数の線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向に
沿って配列されており、これらの上に交差して複数の線
状電極Ｘ1、Ｘ2、…、ＸmがＸ方向に沿って配列され
ている。As shown in both figures, a plurality of linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are arrayed along the Y direction on one glass substrate 75, and cross over them. Then, a plurality of linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are arranged along the X direction.
【００４９】各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、例え
ば線状発光源Ｙ1は、発光部としてＬＥＤ（発光ダイオ
ード）アレイ61と光導波路63とから形成されており、こ
の発光部を発光させることにより、線状発光源Ｙ1全体
からライン状の光が放射される。Each of the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn , for example, the linear light emitting source Y1 is formed of an LED (light emitting diode) array 61 and an optical waveguide 63 as a light emitting portion, and this light emission is performed. By making the section emit light, linear light is emitted from the entire linear light emitting source Y1 .
【００５０】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分、即ち線状発光源
Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm
との交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1、Ｘ2、
…、Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素電極
65とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1、
Ｘ2、…、Ｘmと絵素電極65との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ1
と線状電極Ｘ1との交差部分には、線状電極Ｘ1と絵素
電極65との間に光スイッチ素子64が設けられている。The linear light-emitting sourceY 1, Y 2, ..., Y n and the linear electrodes X1, X2, ..., the intersection of the Xm, i.e. the linear light-emitting sourceY 1, Y 2, ..., Yn and linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm
Optical switch elements each composed of a photoconductor layer are provided adjacent to the intersections with and. Linear electrodes X1 , X2 ,
..., pixel electrodes for driving display media such as Xm and liquid crystal
65 is formed on the same surface, and the linear electrode X1 ,
The optical switch elements described above are provided between X2 , ..., Xm and the pixel electrode 65, respectively. For example, a linear light source Y1
And the intersection of the linear electrode X1, the optical switch 64 is provided between the linear electrode X1 and the pixel electrode 65.
【００５１】光スイッチ素子64に光が印加されると、即
ち線状発光源Ｙ1が発光すると、光スイッチ素子64はそ
の電気抵抗が低減し、従って、線状電極Ｘ1からの信号
が絵素電極65に印加される。When light is applied to the optical switch element 64, that is, when the linear light emitting source Y1 emits light, the electrical resistance of the optical switch element 64 is reduced, and therefore the signal from the linear electrode X1 is transmitted. It is applied to the elementary electrode 65.
【００５２】光導波路63は例えば、次のようにして形成
される。The optical waveguide 63 is formed, for example, as follows.
【００５３】先ず、ガラス基板75上にクラッド層76とし
てエポキシ樹脂をコーティングし、その上に光重合性モ
ノマ（アクリレート）を含有するビスフェノールー−Ｚ
−ポリカーボネート（ＰＣＺ）フィルムを溶液キャステ
ィングで形成する。ここで、ライン状のホトマスクを通
して選択的に重合することにより、コア層77としてＰＣ
Ｚ層、クラッド層76としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の
小さいポリアクリレートとの重合部が形成される。更
に、保護層としてエポキシ樹脂をコーティングすること
により、光導波路63が形成される。その後、光導波路63
上に光スイッチ素子64、絵素電極65及び配向層79を前述
の図３及び図４に示す第２の実施例と同様に形成する。First, a glass substrate 75 is coated with an epoxy resin as a cladding layer 76, and a bisphenol-Z containing a photopolymerizable monomer (acrylate) is coated thereon.
Form a polycarbonate (PCZ) film by solution casting. Here, by selectively polymerizing through a line-shaped photomask, a PC is used as the core layer 77.
A polymerized portion of PCZ and polyacrylate having a smaller refractive index than PCZ is formed as the Z layer and the clad layer 76. Furthermore, the optical waveguide 63 is formed by coating an epoxy resin as a protective layer. After that, the optical waveguide 63
An optical switch element 64, a pixel electrode 65, and an alignment layer 79 are formed on the upper surface in the same manner as in the second embodiment shown in FIGS.
【００５４】光導波路としては、この他にイオン交換法
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。又、セルフォックスレンズ等を用
いることもできる。As the optical waveguide, other than this, a glass waveguide formed by an ion exchange method or the like may be used, or another waveguide may be used. Alternatively, a Selfox lens or the like can be used.
【００５５】又、ＬＥＤアレイ61と光導波路63とは、こ
の実施例では光ファイバアレイ62によって接合されてい
る。The LED array 61 and the optical waveguide 63 are joined by the optical fiber array 62 in this embodiment.
【００５６】他方のガラス基板71上には、透明電極72が
設けられている。この透明電極72は、スパッタによりＩ
ＴＯを蒸着することによって形成される。この透明電極
72上に配向層73を形成する。この配向層73は、スピナに
より形成されたポリイミド膜をラビングすることによっ
て形成される。A transparent electrode 72 is provided on the other glass substrate 71. This transparent electrode 72 is formed by sputtering I
It is formed by depositing TO. This transparent electrode
An alignment layer 73 is formed on 72. The alignment layer 73 is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【００５７】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材74を介して両
基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層80
が構成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this way, and the two substrates are bonded to each other via the seal material 74. Liquid crystal is injected in the meantime to fill the liquid crystal layer 80.
Is configured.
【００５８】この実施例のその他の製造プロセス、構成
及び動作は図３及び図４の第２の実施例の場合と全く同
じである。The other manufacturing process, structure and operation of this embodiment are exactly the same as those of the second embodiment of FIGS. 3 and 4.
【００５９】ガラス基板71及び75は本発明の２つの基板
の一実施例である。光スイッチ素子64は本発明の光導電
体層の一実施例である。絵素電極65は本発明の絵素電極
の一実施例である。液晶層80は本発明の液晶層の一実施
例である。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnは本発明の
複数の線状発光源の一実施例である。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmは本発明の複数の線状電極の一実施例であ
る。Glass substrates 71 and 75 are examples of the two substrates of the present invention. The optical switch element 64 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The pixel electrode 65 is an embodiment of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 80 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. The linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. Linear electrodes X1 , X
2 , ..., Xm are examples of a plurality of linear electrodes of the present invention.
【００６０】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。Therefore, according to this embodiment, since the switch is provided for each picture element as in the TFT element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. Therefore, no inconvenience occurs even if the number of scanning lines is 1000 or more.
【００６１】図８は本発明に係る液晶表示装置の第５の
実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成
を示す平面図であり、図９はそのＤＤ線断面図である。FIG. 8 is a plan view showing the structure of an active matrix drive type LCD which is a fifth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 9 is a DD line sectional view thereof.
【００６２】尚、図８に示す平面図では、図９の断面図
に示すファイバプレート基板91b 、配向層100a及び100
b、透明電極101 、遮光層102 、シール材103 及び液晶
層104は省略されている。In the plan view shown in FIG. 8, the fiber plate substrate 91b, the alignment layers 100a and 100 shown in the sectional view of FIG.
b, the transparent electrode 101, the light shielding layer 102, the sealing material 103, and the liquid crystal layer 104 are omitted.
【００６３】両図に示すように、例えばファイバプレー
トから成る一方のファイバプレート基板91a 上には複数
の線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向に沿って配
列されており、これらの上に交差して複数の線状電極Ｘ
1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向に沿って配列され
ている。As shown in both figures, a plurality of linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are arranged along the Y direction on one fiber plate substrate 91a made of, for example, a fiber plate. , A plurality of linear electrodes X intersecting on these
1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are arranged along the X direction.
【００６４】各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、例え
ば線状発光源Ｙ2は、ＥＬ素子等による発光部81とこの
発光部81からの光を伝える線状の光導波路82とから構成
されており、発光部81を発光させることにより、線状発
光源Ｙ2全体からライン状の光が放射される。尚、各線
状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn全体を発光部とすること
も可能である。Each of the linear light-emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn , for example, the linear light-emitting source Y2 includes a light-emitting portion 81 formed of an EL element and a linear optical waveguide 82 for transmitting light from the light-emitting portion 81. When the light emitting section 81 emits light, linear light is emitted from the entire linear light emitting source Y2 . It is also possible to use the entire linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn as the light emitting section.
【００６５】発光部81及び光導波路82は、次のようにし
て形成される。The light emitting portion 81 and the optical waveguide 82 are formed as follows.
【００６６】先ず、ファイバプレート基板91a 上に、Ａ
ｌ層をＥＢ蒸着によって形成した後、エッチングプロセ
スを行うことによって電極92を形成する。この電極92
は、並列に配列された複数の細いストライプ形状をなし
ており、電極としての役割と共に、素子の下方からの光
（外光）が上方に形成される光導電体層に入射するのを
防ぐ役割、即ち遮光層としての役割も兼ねる。First, on the fiber plate substrate 91a, A
After forming the I layer by EB evaporation, an etching process is performed to form the electrode 92. This electrode 92
Has a plurality of thin stripes arranged in parallel, and plays a role as an electrode and a role to prevent light (external light) from the lower side of the device from entering the photoconductor layer formed above. That is, it also serves as a light shielding layer.
【００６７】次に、ファイバプレート基板91a 及び電極
92の一部の上に、下方絶縁層93を形成する。この下方絶
縁層93は、ＳｉＯ2又はＳｉ2Ｎ3等をスパッタにより
蒸着することによって形成される。そして、下方絶縁層
93上に発光層94を積層する。この発光層94は、ＥＢ蒸着
によりＭｎを0.5 ％添加したＺｎＳ層を形成し、更にこ
れを真空熱処理とエッチングによる線状のパターン化と
を行うことにより形成される。Next, the fiber plate substrate 91a and the electrodes
A lower insulating layer 93 is formed on a part of 92. The lower insulating layer 93 is formed by depositing SiO2 or Si2 N3 by sputtering. And the lower insulating layer
A light emitting layer 94 is laminated on 93. The light emitting layer 94 is formed by forming a ZnS layer to which Mn is added by 0.5% by EB vapor deposition and further subjecting this to a vacuum heat treatment and linear patterning by etching.
【００６８】このエッチングを行う際、発光層94に切れ
目94e を設けておくと、発光層94の外部へ放出される光
量が増大し、光利用率を高めることができる。When the etching is performed, if the light emitting layer 94 is provided with a cut 94e, the amount of light emitted to the outside of the light emitting layer 94 increases, and the light utilization rate can be increased.
【００６９】次いで、上方絶縁層95を形成する。この上
方絶縁層95は、発光層94上にＳｉ2Ｎ3又はＡｌ2Ｏ3
等をスパッタにより蒸着することによって形成される。
その後、上方絶縁層95の上に電極92に対向する位置の端
部に電極96を形成する。この電極96は、上方絶縁層95上
の一部にＡｌ層をＥＢ蒸着することによって形成され
る。Next, the upper insulating layer 95 is formed. This upper insulating layer 95 is formed on the light emitting layer 94 by Si2 N3 or Al2 O3
And the like are deposited by sputtering.
After that, the electrode 96 is formed on the upper insulating layer 95 at the end portion of the position facing the electrode 92. This electrode 96 is formed by EB vapor-depositing an Al layer on a part of the upper insulating layer 95.
【００７０】これら電極92及び96としては、Ａｌの他に
Ｍｏ等の金属や、電極96としては、ＩＴＯ等を用いても
よい。下方絶縁層93及び上方絶縁層95としては、ＳｉＯ
2、Ｓｉ2Ｎ3、Ａｌ2Ｏ3の他にＳｉＮx、ＳｒＴｉ
Ｏ3、ＢａＴａ2Ｏ6等を用いてもよい。又、発光層94
としては、ＺｎＳの他にＺｎＳｅ等を用いてもよい。In addition to Al, a metal such as Mo may be used as the electrodes 92 and 96, and ITO or the like may be used as the electrode 96. As the lower insulating layer 93 and the upper insulating layer 95, SiO
2 , Si2 N3 , Al2 O3 as well as SiNx , SrTi
O3, may be used BaTa2 O6 or the like. Also, the light emitting layer 94
As for, ZnSe or the like may be used instead of ZnS.
【００７１】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、
Ｘmとの交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極99とは同一面上に形成されており、線状電極Ｘ1、
Ｘ2、…、Ｘmと絵素電極99との間に上述の光スイッチ
素子がそれぞれ設けられている。例えば線状発光源Ｙ2
と線状電極Ｘ1との交差部分には、線状電極Ｘ1と絵素
電極99との間に光スイッチ素子83が設けられている。[0071] linear light-emitting source Y1, Y2, ..., Yn and the linear electrodes X1, X2, ..., to the intersection of the Xm, i.e. the linear light-emitting source Y1, Y2, ... , Yn and the linear electrodes X1 , X2 , ...,
Optical switch elements each composed of a photoconductor layer are provided adjacent to the intersection with Xm . Linear electrodes X1 , X
2, ..., the pixel electrode 99 for driving a display medium such as liquid crystal and Xm are formed on the same plane, the linear electrodes X1,
The optical switch elements described above are provided between X2 , ..., Xm and the pixel electrode 99. For example, a linear light source Y2
And the intersection of the linear electrode X1, the optical switch 83 is provided between the linear electrode X1 and the pixel electrode 99.
【００７２】この光導電体層は、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜をプラズマＣＶＤを用いて形
成し、パターン化を行うことにより形成される。その
後、線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとして、Ａｌ等の金
属をＥＢ蒸着法により蒸着しパターン化する。その後、
スパッタによりＩＴＯを蒸着しパターン化することによ
って、絵素電極99を形成する。This photoconductor layer is formed by forming a hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) film by plasma CVD and patterning it. After that, as the linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm , a metal such as Al is vapor-deposited by the EB vapor deposition method and patterned. afterwards,
A pixel electrode 99 is formed by depositing ITO by sputtering and patterning it.
【００７３】光スイッチ素子83に光が印加されると、光
スイッチ素子83はその電気抵抗が低減し、従って、線状
電極Ｘ1からの信号が絵素電極99に印加される。When light is applied to the optical switch element 83, the electric resistance of the optical switch element 83 is reduced, so that the signal from the linear electrode X1 is applied to the pixel electrode 99.
【００７４】これらの層の上に、配向層100aを形成す
る。この配向層100aは、スピナにより形成されたポリイ
ミド膜をラビング処理することによって形成される。An orientation layer 100a is formed on these layers. The alignment layer 100a is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【００７５】例えばファイバプレートから成る他方のフ
ァイバプレート基板91b 上には、透明電極101 が設けら
れている。この透明電極101 は、スパッタ法によりＩＴ
Ｏを蒸着することによって形成される。この透明電極10
1 上に、対向するファイバプレート基板91a に形成され
た光導電体層から成る光スイッチ素子83のパタ−ンに合
わせて遮光層102 を形成する。この遮光層102 は、Ａｌ
をＥＢ蒸着法により形成する。A transparent electrode 101 is provided on the other fiber plate substrate 91b made of, for example, a fiber plate. This transparent electrode 101 is made of IT by the sputtering method.
It is formed by depositing O 2. This transparent electrode 10
A light-shielding layer 102 is formed on the substrate 1 so as to match the pattern of the optical switch element 83 formed of a photoconductor layer formed on the opposing fiber plate substrate 91a. This light shielding layer 102 is made of Al
Are formed by the EB vapor deposition method.
【００７６】この遮光層102 としては、Ａｌの他にＭｏ
等の金属や、有機顔料分散型の樹脂、及び無機顔料分散
型の樹脂を用いてもよい。As the light shielding layer 102, Mo is used in addition to Al.
A metal such as the above, an organic pigment dispersion type resin, and an inorganic pigment dispersion type resin may be used.
【００７７】更に、これら透明電極101 及び遮光層102
の上に、配向層100bを形成する。この配向層100bは、ス
ピナにより形成されたポリイミド膜をラビング処理する
ことによって形成される。Further, the transparent electrode 101 and the light shielding layer 102
An alignment layer 100b is formed on top. The alignment layer 100b is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【００７８】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材103 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
104が構成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this manner, and the two substrates are bonded to each other via the sealant 103. Liquid crystal is injected in the meantime and the liquid crystal layer
104 are configured.
【００７９】液晶層104 の厚さは約5 μｍであり、表示
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層104 が形成
される。The liquid crystal layer 104 has a thickness of about 5 μm, and the display mode is a TN normally white type. As the liquid crystal material, for example, PCH liquid crystal ZLI-1565 manufactured by Merck & Co., Inc. is used, and the liquid crystal layer 104 is formed by vacuum injection.
【００８０】ファイバプレート基板91a 及び91b は本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子83は
本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極99は本
発明の絵素電極の一実施例である。液晶層104 は本発明
の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、
…、Ｙnは本発明の複数の線状発光源の一実施例であ
る。線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmは本発明の複数の線
状電極の一実施例である。Fiber plate substrates 91a and 91b are examples of two substrates of the present invention. The optical switch element 83 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The pixel electrode 99 is an example of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 104 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. Linear light sources Y1 , Y2 ,
, Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. The linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are examples of the plurality of linear electrodes of the present invention.
【００８１】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnをＹ1か
らＹnまで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｙm-1、Ｘ
mに印加する。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnが発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｙm-1、
Ｘmからの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。[0081] linear light-emitting source Y1, Y2, ..., a Yn is optically scanned by sequentially emitting from Y1 to Yn, the linear electrodes X1, X2 an electrical signal in response thereto, ..., Ym-1 , X
applied tom . , Yn while the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are emitting light, the optical switching elements on the linear light emitting sources are in the ON state, so that the linear electrodes X1 , X2 ,.m-1 ,
An electric signal from Xm is applied to each picture element electrode to display an image.
【００８２】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。As described above, according to the above-described embodiment, the TFT
Since it has a structure in which a switch is provided for each picture element like the element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. for that reason,
Even if the number of scanning lines is 1000 or more, no inconvenience occurs.
【００８３】更に、上述の実施例では、基板としてファ
イバプレートから成る基板を用いているので、斜め方向
からの光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッ
チ素子の部分のみを遮光すればよい。Further, in the above-mentioned embodiment, since the substrate made of the fiber plate is used as the substrate, it is not necessary to consider the shielding of the light from the oblique direction, and only the portion of the optical switch element should be shielded.
【００８４】図１０は本発明に係る液晶表示装置の第６
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す平面図であり、図１１はそのＥＥ線断面図であ
る。FIG. 10 shows a sixth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 11 is a plan view showing the configuration of an active matrix drive type LCD which is an embodiment of FIG.
【００８５】尚、図１０に示す平面図では、図１１の断
面図に示すファイバプレート基板121b、遮光層122b、配
向層130a及び130b、透明電極131 、シール材132 及び液
晶層133 は省略されている。In the plan view shown in FIG. 10, the fiber plate substrate 121b, the light shielding layer 122b, the alignment layers 130a and 130b, the transparent electrode 131, the sealing material 132 and the liquid crystal layer 133 shown in the sectional view of FIG. 11 are omitted. There is.
【００８６】両図に示すように、例えばファイバプレー
トから成る一方のファイバプレート基板121a上には複数
の線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnがＹ方向に沿って配
列されており、これらの上に交差して複数の線状電極Ｘ
1、Ｘ2、…、Ｘm-1、ＸmがＸ方向に沿って配列され
ている。As shown in both figures, a plurality of linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are arrayed along the Y direction on one fiber plate substrate 121a made of, for example, a fiber plate. , A plurality of linear electrodes X intersecting on these
1 , X2 , ..., Xm-1 , Xm are arranged along the X direction.
【００８７】各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn、例え
ば線状発光源Ｙ2は、ＬＥＤアレイ111 及び光ファイバ
アレイ112 から成る発光部と、この発光部からの光を伝
える線状の光導波路113 とから構成されており、発光部
を発光させることにより、線状発光源Ｙ2全体からライ
ン状の光が放射される。尚、各線状発光源Ｙ1、Ｙ2、
…、Ｙn全体を発光部とすることも可能である。[0087] Each linear light emitting source Y1, Y2, ..., line Yn, for example, the linear light-emitting source Y2 are conveying a light emitting unit composed of LED array 111 and the optical fiber array 112, the light from the light emitting portion The linear light guide 113 is configured to emit linear light from the entire linear light emitting source Y2 by causing the light emitting portion to emit light. In addition, each linear light emitting source Y1 , Y2 ,
It is possible to use the entire Yn as the light emitting portion.
【００８８】光導波路113 は、次のようにして形成され
る。The optical waveguide 113 is formed as follows.
【００８９】先ず、ファイバプレート基板121a上に、Ａ
ｌ層をＥＢ蒸着によって遮光層122aを形成する。この遮
光層122aは素子の下方からの光（外光）が上方に形成さ
れる光導電体層に入射するのを防ぐために設けられてお
り、遮光層122aのパターンは光導電体層のパターンと一
致するように形成されている。First, on the fiber plate substrate 121a, A
The light shielding layer 122a is formed by EB vapor deposition of the 1 layer. The light-shielding layer 122a is provided to prevent light (outside light) from below the element from entering the photoconductor layer formed above, and the pattern of the light-shielding layer 122a is the same as the pattern of the photoconductor layer. It is formed to match.
【００９０】遮光層122aとしては、Ａｌの他にＭｏ等の
金属や、有機顔料分散型の樹脂及び無機顔料分散型の樹
脂を用いてもよい。As the light-shielding layer 122a, in addition to Al, a metal such as Mo, an organic pigment dispersion type resin, or an inorganic pigment dispersion type resin may be used.
【００９１】又、この実施例では、遮光層122aを光導電
体層と同一のパターンで形成しているが、図９に示す第
５の実施例のように、遮光層の役割を果たす電極92のよ
うにストライプ状に形成することもできる。Further, in this embodiment, the light shielding layer 122a is formed in the same pattern as that of the photoconductor layer. However, as in the fifth embodiment shown in FIG. 9, the electrode 92 serving as a light shielding layer is formed. It can also be formed in a striped pattern.
【００９２】次に、ファイバプレート基板121a及び遮光
層122a上に、クラッド層123 としてエポキシ樹脂をスピ
ナで塗布し、その上に光重合性モノマ（アクリレート、
例えばアクリル酸メチル）を含有するＰＣＺフィルムを
溶液キャスティング法で形成する。ここで、ライン状の
ホトマスクを通して選択的に重合することにより、コア
層124 としてＰＣＺ層、クラッド層123 としてＰＣＺと
ＰＣＺより屈折率の小さいポリアクリレートとの混合物
が互いにストライプ状に形成される。更に、表面層126
としてエポキシ樹脂をコーティングすることにより、光
導波路113 が形成される。Next, an epoxy resin is coated as a clad layer 123 on the fiber plate substrate 121a and the light shielding layer 122a by a spinner, and a photopolymerizable monomer (acrylate, acrylate,
A PCZ film containing, for example, methyl acrylate) is formed by the solution casting method. Here, by selectively polymerizing through a line-shaped photomask, a mixture of PCZ layer as the core layer 124 and PCZ and polyacrylate having a smaller refractive index than PCZ as the cladding layer 123 is formed in a stripe shape. Further, the surface layer 126
The optical waveguide 113 is formed by coating with an epoxy resin.
【００９３】光導波路113 の表面には、光スイッチ素子
に光が照射されるように、光スイッチ素子部に合わせて
エッチング等を行うことでわずかな傷をつける。The surface of the optical waveguide 113 is slightly scratched by etching or the like in accordance with the optical switch element portion so that the optical switch element is irradiated with light.
【００９４】光導波路としては、この他にイオン交換法
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。As the optical waveguide, other than this, a glass waveguide formed by an ion exchange method or the like may be used, or another waveguide may be used.
【００９５】又、ＬＥＤアレイ111 と光導波路113 と
は、この実施例では光ファイバアレイ112 によって結合
されている。この光ファイバアレイ112 の代わりに、セ
ルフォックレンズ等を用いてもよい。Further, the LED array 111 and the optical waveguide 113 are coupled by the optical fiber array 112 in this embodiment. Instead of the optical fiber array 112, a SELFOC lens or the like may be used.
【００９６】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmとの交差部分には、即ち線状発
光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnと線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、
Ｘmとの交差部に隣接して、光導電体層から成る光スイ
ッチ素子がそれぞれ設けられている。線状電極Ｘ1、Ｘ
2、…、Ｘmと液晶等の表示媒体を駆動するための絵素
電極129 とは表面層126 の上に形成されており、線状電
極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmと絵素電極129 との間に上述の
光スイッチ素子がそれぞれ設けられている。例えば線状
発光源Ｙ2と線状電極Ｘ1との交差部分には、線状電極
Ｘ1と絵素電極129 との間に光スイッチ素子127 が設け
られている。[0096] linear light-emitting source Y1, Y2, ..., Yn and the linear electrodes X1, X2, ..., to the intersection of the Xm, i.e. the linear light-emitting source Y1, Y2, ... , Yn and the linear electrodes X1 , X2 , ...,
Optical switch elements each composed of a photoconductor layer are provided adjacent to the intersection with Xm . Linear electrodes X1 , X
2, ..., the pixel electrode 129 for driving a display medium such as liquid crystal and Xm are formed on the surface layer 126, the linear electrodes X1, X2, ..., Xm and the pixel The above-mentioned optical switch elements are provided between the electrodes 129 and the electrodes 129, respectively. For example, an optical switch element 127 is provided between the linear electrode X1 and the pixel electrode 129 at the intersection of the linear light emitting source Y2 and the linear electrode X1 .
【００９７】この光導電体層は、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜をプラ
ズマＣＶＤを用いて形成し、パターン化を行うことによ
り形成される。その後、線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm
として、Ａｌ等の金属をＥＢ蒸着法により蒸着しパター
ン化する。その後、スパッタによりＩＴＯを蒸着しパタ
ーン化することによって、絵素電極129 を形成する。This photoconductor layer is formed by forming an a-Si: H film by plasma CVD and patterning it. Then, the linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm
As a metal, a metal such as Al is vapor-deposited by the EB vapor deposition method and patterned. After that, ITO is deposited by sputtering and patterned to form a pixel electrode 129.
【００９８】光スイッチ素子127 に光が印加されると、
光スイッチ素子127 はその電気抵抗が低減し、従って、
線状電極Ｘ1からの信号が絵素電極129 に印加される。When light is applied to the optical switch element 127,
The optical switch element 127 has a reduced electrical resistance, and
The signal from the linear electrode X1 is applied to the pixel electrode 129.
【００９９】これらの層の上に、配向層130aを形成す
る。この配向層130aは、スピナにより形成されたポリイ
ミド膜をラビング処理することによって形成される。An orientation layer 130a is formed on these layers. The alignment layer 130a is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【０１００】例えばファイバプレートから成る他方のフ
ァイバプレート基板121b上には、透明電極131 が設けら
れている。この透明電極131 は、スパッタ法によりＩＴ
Ｏを蒸着することによって形成される。この透明電極13
1 上に、対向するファイバプレート基板121aに形成され
た光導電体層から成る光スイッチ素子127 及び遮光層12
2aのパタ−ンに合わせて遮光層122bを形成する。この遮
光層122bは、ＡｌをＥＢ蒸着法により形成する。A transparent electrode 131 is provided on the other fiber plate substrate 121b made of, for example, a fiber plate. This transparent electrode 131 is
It is formed by depositing O 2. This transparent electrode 13
1. The optical switch element 127 and the light-shielding layer 12 formed of a photoconductor layer formed on the fiber plate substrate 121a facing each other.
A light shielding layer 122b is formed in accordance with the pattern of 2a. The light shielding layer 122b is formed of Al by the EB vapor deposition method.
【０１０１】この遮光層122bとしては、Ａｌの他にＭｏ
等の金属や、有機顔料分散型の樹脂、及び無機顔料分散
型の樹脂を用いてもよい。As the light shielding layer 122b, Mo is used in addition to Al.
A metal such as the above, an organic pigment dispersion type resin, and an inorganic pigment dispersion type resin may be used.
【０１０２】更に、これら透明電極131 及び遮光層122b
の上に、配向層130bを形成する。この配向層130bは、ス
ピナにより形成されたポリイミド膜をラビング処理する
ことによって形成される。Further, the transparent electrode 131 and the light shielding layer 122b
An alignment layer 130b is formed on top. The alignment layer 130b is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【０１０３】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材132 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
133が構成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this way, and the two substrates are bonded to each other via the seal material 132. Liquid crystal is injected in the meantime and the liquid crystal layer
133 are composed.
【０１０４】液晶層133 の厚さは約5 μｍであり、表示
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層133 が形成
される。The liquid crystal layer 133 has a thickness of about 5 μm, and the display mode is a TN normally white type. As the liquid crystal material, for example, PCH liquid crystal ZLI-1565 manufactured by Merck & Co., Inc. is used, and the liquid crystal layer 133 is formed by vacuum injection.
【０１０５】ファイバプレート基板121a及び121bは本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子127
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極129
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層133 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1、
Ｙ2、…、Ｙnは本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmは本発明の複数
の線状電極の一実施例である。Fiber plate substrates 121a and 121b are examples of two substrates of the present invention. Optical switch element 127
Is an embodiment of the photoconductor layer of the present invention. Picture element electrode 129
Is an embodiment of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 133 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. Linear light source Y1 ,
Y2 , ..., Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. The linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are examples of the plurality of linear electrodes of the present invention.
【０１０６】線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、ＹnをＹ1か
らＹnまで順次発光させることにより光走査し、それに
応じて電気信号を線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｙm-1、Ｘ
mに印加する。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙnが発光
している期間、その線状発光源上の光スイッチ素子がオ
ン状態となるため、線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｙm-1、
Ｘmからの電気信号がそれぞれの絵素電極に印加されて
画像表示が行われる。[0106] linear light-emitting source Y1, Y2, ..., a Yn is optically scanned by sequentially emitting from Y1 to Yn, the linear electrodes X1, X2 an electrical signal in response thereto, ..., Ym-1 , X
applied tom . , Yn while the linear light emitting sources Y1 , Y2 , ..., Yn are emitting light, the optical switching elements on the linear light emitting sources are in the ON state, so that the linear electrodes X1 , X2 ,.m-1 ,
An electric signal from Xm is applied to each picture element electrode to display an image.
【０１０７】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。As described above, according to the above-described embodiment, the TFT
Since it has a structure in which a switch is provided for each picture element like the element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. for that reason,
Even if the number of scanning lines is 1000 or more, no inconvenience occurs.
【０１０８】更に、上述の実施例では、基板としてファ
イバプレートから成る基板を用いているので、斜め方向
からの光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッ
チ素子の部分のみを遮光すればよい。Further, in the above-mentioned embodiment, since the substrate made of the fiber plate is used as the substrate, it is not necessary to consider the shielding of the light from the oblique direction, and only the portion of the optical switch element should be shielded.
【０１０９】図１２は本発明に係る液晶表示装置の第７
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図８のＤＤ線断面図である。FIG. 12 shows a seventh embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
9 is a cross-sectional view showing the configuration of the active matrix drive type LCD that is the embodiment of FIG.
【０１１０】この実施例のアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤの製造プロセス、構成及び動作は、図８及び図９
に示す第５の実施例の場合と基本的に同じであり、図１
２において図８及び図９に示す構成要素と同一の構成要
素には、同一の参照符号を付している。The manufacturing process, structure and operation of the active matrix drive type LCD of this embodiment are shown in FIGS.
It is basically the same as the case of the fifth embodiment shown in FIG.
In FIG. 2, the same components as those shown in FIGS. 8 and 9 are designated by the same reference numerals.
【０１１１】両図に示すように、この実施例が図８及び
図９に示す第５の実施例と異なるのは、第５の実施例に
おける遮光層102 の代わりに、遮光層152 が素子の最外
部、即ちファイバプレート基板91b の外側に形成されて
いる点である。As shown in both figures, this embodiment is different from the fifth embodiment shown in FIGS. 8 and 9 in that instead of the light shielding layer 102 in the fifth embodiment, the light shielding layer 152 is an element. This is the point formed on the outermost portion, that is, outside the fiber plate substrate 91b.
【０１１２】第５の実施例と同様にして、ファイバプレ
ート基板91a 上に、電極92から順次配向層100aまでを形
成する。Similar to the fifth embodiment, the electrodes 92 to the alignment layer 100a are sequentially formed on the fiber plate substrate 91a.
【０１１３】その後、ファイバプレート基板91b 上に、
スパッタ法によりＩＴＯを蒸着することによって透明電
極101 を形成する。Then, on the fiber plate substrate 91b,
The transparent electrode 101 is formed by depositing ITO by a sputtering method.
【０１１４】更に、これら透明電極101 の上に、配向層
150bを形成する。この配向層150bは、スピナにより形成
されたポリイミド膜をラビング処理することによって形
成される。Further, an alignment layer is formed on the transparent electrodes 101.
Form 150b. The alignment layer 150b is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【０１１５】ファイバプレート基板91b の透明電極101
及び配向層150bが形成されている側の面と反対側の面
に、ＡｌをＥＢ蒸着することによって遮光層152 を形成
する。この遮光層152 は、対向するファイバプレート基
板91a に形成された光導電体層から成る光スイッチ素子
83のパターンに合わせてエッチングすることにより形成
する。Transparent electrode 101 of fiber plate substrate 91b
The light shielding layer 152 is formed by EB vapor-depositing Al on the surface opposite to the surface on which the alignment layer 150b is formed. The light shielding layer 152 is an optical switch element composed of a photoconductor layer formed on the opposing fiber plate substrate 91a.
It is formed by etching according to the pattern of 83.
【０１１６】この遮光層152 としては、Ａｌの他にＭｏ
等の金属や、有機顔料及び無機顔料を分散させた樹脂を
光重合させてパターン化した膜を用いてもよい。As the light shielding layer 152, Mo is used in addition to Al.
A patterned film obtained by photopolymerizing a resin in which a metal such as the above or an organic pigment and an inorganic pigment are dispersed may be used.
【０１１７】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材103 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
104が構成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this way, and the two substrates are bonded to each other via the sealant 103. Liquid crystal is injected in the meantime and the liquid crystal layer
104 are configured.
【０１１８】ファイバプレート基板91a 及び91b は本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子83は
本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極99は本
発明の絵素電極の一実施例である。液晶層104 は本発明
の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1、Ｙ2、
…、Ｙnは本発明の複数の線状発光源の一実施例であ
る。線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmは本発明の複数の線
状電極の一実施例である。Fiber plate substrates 91a and 91b are examples of two substrates of the present invention. The optical switch element 83 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The pixel electrode 99 is an example of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 104 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. Linear light sources Y1 , Y2 ,
, Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. The linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are examples of the plurality of linear electrodes of the present invention.
【０１１９】このように上述の実施例によれば、ＴＦＴ
素子と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となって
いるため、コントラストの高い画像表示を行うことがで
きる。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合
のように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンス
を通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、
走査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。As described above, according to the above-described embodiment, the TFT
Since it has a structure in which a switch is provided for each picture element like the element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. for that reason,
Even if the number of scanning lines is 1000 or more, no inconvenience occurs.
【０１２０】上述の実施例では、基板としてファイバプ
レートから成る基板を用いているので、斜め方向からの
光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子
の部分のみを遮光すればよい。In the above-mentioned embodiment, since the substrate made of the fiber plate is used as the substrate, it is not necessary to consider the shielding of the light from the oblique direction, and only the portion of the optical switch element should be shielded.
【０１２１】又、遮光層を素子の最外部に形成すること
により、液晶が注入されるセル内部における遮光層の段
差を無くすことができ、製造プロセスを容易にすること
ができる。Further, by forming the light-shielding layer on the outermost part of the device, it is possible to eliminate the step difference of the light-shielding layer inside the cell into which the liquid crystal is injected, and the manufacturing process can be facilitated.
【０１２２】図１３は本発明に係る液晶表示装置の第８
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。FIG. 13 shows an eighth example of the liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing the configuration of the active matrix drive type LCD that is the embodiment of FIG.
【０１２３】この実施例のアクティブマトリクス駆動型
ＬＣＤの製造プロセス、構成及び動作は、図１０及び図
１１に示す第６の実施例の場合と基本的に同じであり、
図１３において図１０及び図１１に示す構成要素と同一
の構成要素には、同一の参照符号を付している。The manufacturing process, structure and operation of the active matrix drive type LCD of this embodiment are basically the same as those of the sixth embodiment shown in FIGS. 10 and 11,
In FIG. 13, the same components as those shown in FIGS. 10 and 11 are designated by the same reference numerals.
【０１２４】図１３に示すように、この実施例が図１０
及び図１１に示す第６の実施例と異なるのは、第６の実
施例における遮光層122a及び122bの代わりに、遮光層16
2a及び162bが素子の最外部、即ちファイバプレート基板
121a及び121bの外側にそれぞれ形成されている点であ
る。As shown in FIG. 13, this embodiment is shown in FIG.
The difference from the sixth embodiment shown in FIG. 11 is that instead of the light shielding layers 122a and 122b in the sixth embodiment, the light shielding layer 16 is used.
2a and 162b are the outermost elements, that is, the fiber plate substrate
This is a point formed on the outside of each of 121a and 121b.
【０１２５】ファイバプレート基板121aのクラッド層12
3 が形成される側の面と反対側の面に、ＡｌをＥＢ蒸着
することによって遮光層121aを形成する。ファイバプレ
ート基板121bの透明電極131 が形成される側の面と反対
側の面に、ＡｌをＥＢ蒸着することによって遮光層121b
を形成する。これらの遮光層121a及び121bは、ファイバ
プレート基板121aに形成される光導電体層から成る光ス
イッチ素子127 のパターンに合わせてエッチングするこ
とにより形成する。Cladding layer 12 of fiber plate substrate 121a
A light shielding layer 121a is formed by EB vapor-depositing Al on the surface opposite to the surface on which 3 is formed. The light shielding layer 121b is formed by EB vapor-depositing Al on the surface of the fiber plate substrate 121b opposite to the surface on which the transparent electrode 131 is formed.
To form. These light shielding layers 121a and 121b are formed by etching in accordance with the pattern of the optical switch element 127 formed of the photoconductor layer formed on the fiber plate substrate 121a.
【０１２６】裏面に遮光層162aが形成されたファイバプ
レート基板121aに、図１０及び図１１に示す第６の実施
例と同様にして、クラッド層123 、コア層124 及び表面
層126 を形成することにより光導波路113 を形成すると
共に、配向層130aまでを形成する。On the fiber plate substrate 121a having the light shielding layer 162a formed on the back surface thereof, the cladding layer 123, the core layer 124 and the surface layer 126 are formed in the same manner as in the sixth embodiment shown in FIGS. Thus, the optical waveguide 113 is formed, and at the same time, the alignment layer 130a is formed.
【０１２７】その後、裏面に遮光層162bが形成されたフ
ァイバプレート基板121bに、スパッタ法によりＩＴＯを
蒸着することによって透明電極131 を形成する。After that, the transparent electrode 131 is formed on the fiber plate substrate 121b having the light shielding layer 162b formed on the back surface by depositing ITO by a sputtering method.
【０１２８】更に、これら透明電極131 の上に、配向層
130bを形成する。この配向層130bは、スピナにより形成
されたポリイミド膜をラビング処理することによって形
成される。Further, an alignment layer is formed on the transparent electrodes 131.
Form 130b. The alignment layer 130b is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【０１２９】この実施例のその他の製造プロセス、構成
及び動作は図１０及び図１１に示す第６の実施例の場合
と全く同じである。The other manufacturing process, structure and operation of this embodiment are exactly the same as those of the sixth embodiment shown in FIGS. 10 and 11.
【０１３０】ファイバプレート基板121a及び121bは本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子127
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極129
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層133 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1、
Ｙ2、…、Ｙnは本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmは本発明の複数
の線状電極の一実施例である。Fiber plate substrates 121a and 121b are examples of two substrates of the present invention. Optical switch element 127
Is an embodiment of the photoconductor layer of the present invention. Picture element electrode 129
Is an embodiment of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 133 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. Linear light source Y1 ,
Y2 , ..., Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. The linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are examples of the plurality of linear electrodes of the present invention.
【０１３１】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。Therefore, according to this embodiment, since a switch is provided for each picture element similarly to the TFT element, an image display with high contrast can be performed. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. Therefore, no inconvenience occurs even if the number of scanning lines is 1000 or more.
【０１３２】上述の実施例では、基板としてファイバプ
レートから成る基板を用いているので、斜め方向からの
光に対する遮光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子
の部分のみを遮光すればよい。In the above-mentioned embodiment, since the substrate made of the fiber plate is used as the substrate, it is not necessary to consider the shielding of the light from the oblique direction, and only the portion of the optical switch element should be shielded.
【０１３３】又、遮光層を素子の最外部に形成したこと
により、クラッド層以下の膜の形成において、段差を小
さくすることができ、製造プロセスを容易にすることが
できる。Further, by forming the light-shielding layer on the outermost part of the device, it is possible to reduce the step difference in the formation of the film below the cladding layer, and to facilitate the manufacturing process.
【０１３４】図１４は本発明に係る液晶表示装置の第９
の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構
成を示す断面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。FIG. 14 shows a ninth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing the configuration of the active matrix drive type LCD that is the embodiment of FIG.
【０１３５】同図に示すように、この実施例が図１０及
び図１１に示す第６の実施例と異なるのは、第６の実施
例における遮光層122a及び122bの代わりに、遮光層187a
及び187bが素子の最外部、即ちファイバプレート基板18
1a及び181bの外側にそれぞれ形成されている点、及び第
６の実施例における光導波路113 の代わりに、光導波路
193 がファイバプレート基板181aの外側に形成されてい
る点である。As shown in the figure, this example is different from the sixth example shown in FIGS. 10 and 11 in that instead of the light shielding layers 122a and 122b in the sixth example, the light shielding layer 187a is used.
And 187b are the outermost parts of the device, that is, the fiber plate substrate 18
Instead of the optical waveguides 113 in the sixth embodiment, the optical waveguides are formed outside the optical waveguides 1a and 181b, respectively.
193 is formed outside the fiber plate substrate 181a.
【０１３６】先ず、ファイバプレート基板181a上に、光
導電体層から成る光スイッチ素子182 を形成する。この
光スイッチ素子182 は、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜をプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて形成し、エッチングすることによりパター
ン化する。First, the optical switch element 182 made of a photoconductor layer is formed on the fiber plate substrate 181a. This optical switching element 182 uses an a-Si: H film for plasma CV.
It is formed by using the D method and patterned by etching.
【０１３７】光スイッチ素子182 上に、線状電極Ｘ1と
してＡｌ等の金属をＥＢ蒸着し、パターン化する。On the optical switch element 182, a metal such as Al is EB vapor-deposited as a linear electrode X1 and patterned.
【０１３８】更に、スパッタ法によりＩＴＯ膜を蒸着、
パターン化することにより、絵素電極184 を形成する。Further, an ITO film is vapor-deposited by the sputtering method,
The pixel electrode 184 is formed by patterning.
【０１３９】これらの層の上に配向層185aを形成する。
この配向層185aは、スピナにより形成されたポリイミド
膜をラビング処理をすることによって形成される。An orientation layer 185a is formed on these layers.
The alignment layer 185a is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【０１４０】ファイバプレート基板181aに対向している
ファイバプレート基板181b上に透明電極186 を形成し、
透明電極186 の上に配向層185bを形成する。A transparent electrode 186 is formed on the fiber plate substrate 181b facing the fiber plate substrate 181a,
An alignment layer 185b is formed on the transparent electrode 186.
【０１４１】透明電極186 はＩＴＯをスパッタ法により
形成し、配向層185bはスピナで成膜したポリイミド膜を
ラビング処理して形成する。The transparent electrode 186 is formed by sputtering ITO, and the alignment layer 185b is formed by rubbing a polyimide film formed by a spinner.
【０１４２】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール剤188 を介して
両基板を貼り合わせる。この間に液晶を注入して液晶層
189が構成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this way, and the two substrates are bonded to each other via a sealant 188. Liquid crystal is injected in the meantime and the liquid crystal layer
189 is constructed.
【０１４３】液晶層189 の厚さは約5 μｍであり、表示
モードはＴＮのノーマリホワイト型である。液晶材料と
しては、例えばメルク社製のＰＣＨ液晶ＺＬＩ−1565を
用い、これを真空注入することにより液晶層189 が形成
される。The thickness of the liquid crystal layer 189 is about 5 μm, and the display mode is TN normally white type. As the liquid crystal material, for example, PCH liquid crystal ZLI-1565 manufactured by Merck & Co., Inc. is used, and the liquid crystal layer 189 is formed by vacuum injection.
【０１４４】次に、ファイバプレート基板181bの外側に
遮光層187bを形成する。この遮光層187bは、ＡｌをＥＢ
蒸着し、エッチングすることによりパターン化する。Next, a light shielding layer 187b is formed outside the fiber plate substrate 181b. This light shielding layer 187b is made of EB made of Al.
It is patterned by vapor deposition and etching.
【０１４５】遮光層187bのパターンは、例えば光スイッ
チ素子182のパターンに合わせて形成する。The pattern of the light shielding layer 187b is formed in accordance with the pattern of the optical switch element 182, for example.
【０１４６】他方のファイバプレート基板181aの外側
に、光導波路193 及び遮光層187aを形成する。The optical waveguide 193 and the light shielding layer 187a are formed on the outer side of the other fiber plate substrate 181a.
【０１４７】即ち、ファイバプレート基板181a上に光重
合性モノマ（アクリレート、例えばアクリル酸メチル）
を含有するＰＣＺフィルムを溶液キャスティング法で形
成する。ここで、ライン状のフォトマスクを通して選択
的に重合することにより、コア層190 としてＰＣＺ層、
クラッド層191 としてＰＣＺとＰＣＺより屈折率の小さ
いポリアクリレートとの混合物が互いにストライプ状に
形成される。更に、表面層192 としてエポキシ樹脂をコ
ーティングすることにより、光導波路193 が形成され
る。That is, a photopolymerizable monomer (acrylate, for example, methyl acrylate) is formed on the fiber plate substrate 181a.
A PCZ film containing is formed by a solution casting method. Here, by selectively polymerizing through a line-shaped photomask, the PCZ layer as the core layer 190,
As the clad layer 191, a mixture of PCZ and polyacrylate having a smaller refractive index than PCZ is formed in a stripe shape. Furthermore, by coating the surface layer 192 with an epoxy resin, the optical waveguide 193 is formed.
【０１４８】光導波路としては、この他にイオン交換法
等により形成したガラス導波路を用いてもよいし、その
他の導波路でもよい。As the optical waveguide, other than this, a glass waveguide formed by an ion exchange method or the like may be used, or another waveguide may be used.
【０１４９】この実施例で用いたファイバプレート基板
181aは、光導波路193 を通る光が光スイッチ素子182 に
入射するよう、その屈折率が光導波路193 のコア層190
の屈折率と同じか、或いはコア層190 より大きいものを
選定している。Fiber plate substrate used in this example
181a has a refractive index of the core layer 190 of the optical waveguide 193 so that light passing through the optical waveguide 193 enters the optical switch element 182.
The refractive index is the same as or is larger than the core layer 190.
【０１５０】遮光層187aは光導波路193 の表面層192 上
に、ＥＢ蒸着したＡｌをパターン化するこにより形成さ
れる。この遮光層187aとしては、Ａｌの他にＭｏ等の金
属や、有機顔料及び無機顔料を分散させた樹脂等を用い
ることもできる。The light shielding layer 187a is formed on the surface layer 192 of the optical waveguide 193 by patterning EB vapor-deposited Al. In addition to Al, a metal such as Mo, a resin in which an organic pigment or an inorganic pigment is dispersed, or the like can be used as the light shielding layer 187a.
【０１５１】ファイバプレート基板181a及び181bは本発
明の２つの基板の一実施例である。光スイッチ素子182
は本発明の光導電体層の一実施例である。絵素電極184
は本発明の絵素電極の一実施例である。液晶層189 は本
発明の液晶層の一実施例である。線状発光源Ｙ1、
Ｙ2、…、Ｙnは本発明の複数の線状発光源の一実施例
である。線状電極Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘmは本発明の複数
の線状電極の一実施例である。Fiber plate substrates 181a and 181b are examples of two substrates of the present invention. Optical switch element 182
Is an embodiment of the photoconductor layer of the present invention. Picture element electrode 184
Is an embodiment of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 189 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. Linear light source Y1 ,
Y2 , ..., Yn are examples of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. The linear electrodes X1 , X2 , ..., Xm are examples of the plurality of linear electrodes of the present invention.
【０１５２】従って、このように光導波路及び遮光層を
ファイバプレート基板の外側に形成することにより、光
導電体層及び各種電極の作成工程（蒸着、エッチング）
において、その条件を大幅に緩めることができる。Therefore, by forming the optical waveguide and the light shielding layer on the outer side of the fiber plate substrate as described above, the steps of forming the photoconductor layer and various electrodes (deposition, etching)
In, the condition can be relaxed significantly.
【０１５３】この実施例の動作は図１０及び図１１に示
す第６の実施例の場合と同じである。The operation of this embodiment is the same as that of the sixth embodiment shown in FIGS. 10 and 11.
【０１５４】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。Therefore, according to this embodiment, since a switch is provided for each picture element similarly to the TFT element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. Therefore, no inconvenience occurs even if the number of scanning lines is 1000 or more.
【０１５５】更に、基板としてファイバプレートから成
る基板を用いているので、斜め方向からの光に対する遮
光を考慮する必要がなく、光スイッチ素子の部分のみを
遮光すればよい。Further, since the substrate made of the fiber plate is used as the substrate, it is not necessary to consider the shielding of the light from the oblique direction, and only the portion of the optical switch element should be shielded.
【０１５６】図１５は本発明に係る液晶表示装置の第１
０の実施例であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの
構成を示す断面図である。FIG. 15 shows a first example of the liquid crystal display device according to the present invention.
It is a sectional view showing the composition of the active matrix drive type LCD which is an example of 0.
【０１５７】同図に示すように、この実施例では、線状
発光源が発光部としてＬＥＤアレイ210 と光導波路203
とから成っている。As shown in the figure, in this embodiment, the linear light-emitting source serves as the light-emitting portion, the LED array 210 and the optical waveguide 203.
And consists of.
【０１５８】ガラス基板201b側からの周囲光が光導電体
層から成る光スイッチ素子212 に影響を及ぼさないよう
に、ガラス基板201b上に遮光層202bを、又、ガラス基板
201a側からの周囲光の影響を除去するために、ガラス基
板201a上に遮光層202aが設けられている。In order to prevent ambient light from the glass substrate 201b side from affecting the optical switch element 212 made of a photoconductor layer, the light shielding layer 202b is provided on the glass substrate 201b and the glass substrate 201b is provided.
A light shielding layer 202a is provided on the glass substrate 201a in order to remove the influence of ambient light from the 201a side.
【０１５９】以下に装置の製造方法を示す。The method of manufacturing the device will be described below.
【０１６０】ガラス基板201b上にＡｌ等の金属をＥＢ蒸
着で蒸着し、パターン化し遮光層202bを形成する。ガラ
ス基板201b及び遮光層202bの上にクラッド層204 として
エポキシ樹脂をコーティングし、クラッド層204 の上に
光重合性モノマ（アクリレート）を含有するＰＣＺフィ
ルムを溶液キャスティングで形成する。ここで、ライン
状のホトマスクを通して選択的に重合することにより、
コア層205 としてＰＣＺ層、クラッド層としてＰＣＺと
ポリアクリレートとの重合部が形成される。更に、表面
層206 としてエポキシ樹脂をコーティングすることによ
り、光導波路203 が形成される。A metal such as Al is vapor-deposited on the glass substrate 201b by EB vapor deposition and patterned to form a light-shielding layer 202b. An epoxy resin is coated as a clad layer 204 on the glass substrate 201b and the light shielding layer 202b, and a PCZ film containing a photopolymerizable monomer (acrylate) is formed on the clad layer 204 by solution casting. Here, by selectively polymerizing through a linear photomask,
A PCZ layer is formed as the core layer 205, and a polymerized portion of PCZ and polyacrylate is formed as the clad layer. Further, by coating an epoxy resin as the surface layer 206, the optical waveguide 203 is formed.
【０１６１】その後、スパッタ法でＩＴＯを蒸着するこ
とにより線状電極211 をパターン化し形成する。その
後、絵素電極213 をＩＴＯを蒸着して形成し、配向層20
7bとしてポリイミド膜を塗布した後ラビング処理する。After that, the linear electrode 211 is patterned and formed by depositing ITO by a sputtering method. After that, the pixel electrode 213 is formed by depositing ITO, and the alignment layer 20 is formed.
After applying a polyimide film as 7b, a rubbing process is performed.
【０１６２】即ち、光導波路203 から成っている線状発
光源と線状電極211 との交差部分には、その交差部に隣
接して、光導電体層から成る光スイッチ素子212 が設け
られている。線状電極211 と液晶等の表示媒体を駆動す
るための絵素電極213 とは表面層206 の上に形成されて
おり、線状電極211 と絵素電極213 との間に光スイッチ
素子212 が設けられている。That is, an optical switch element 212 made of a photoconductor layer is provided at the intersection of the linear light emitting source formed of the optical waveguide 203 and the linear electrode 211, adjacent to the intersection. There is. The linear electrode 211 and the picture element electrode 213 for driving a display medium such as a liquid crystal are formed on the surface layer 206, and the optical switch element 212 is provided between the linear electrode 211 and the picture element electrode 213. It is provided.
【０１６３】光スイッチ素子212 に光が印加されると、
光スイッチ素子212 はその電気抵抗が低減し、従って、
線状電極211 からの信号が絵素電極213 に印加される。When light is applied to the optical switch element 212,
The optical switch element 212 has a reduced electrical resistance and therefore
The signal from the linear electrode 211 is applied to the pixel electrode 213.
【０１６４】次に、ガラス基板201a上に遮光層202aをＡ
ｌ等の金属を蒸着しパターン化するすることにより形成
し、ガラス基板201a及び遮光層202aの上に、透明電極20
8 をスパッタ法によりＩＴＯを蒸着することにより形成
する。透明電極208 の上に、配向層207aとしてポリイミ
ド膜をスピンコートし、ラビング処理することにより形
成する。Next, a light shielding layer 202a is formed on the glass substrate 201a by A
The transparent electrode 20 is formed on the glass substrate 201a and the light shielding layer 202a by vapor-depositing and patterning a metal such as l.
8 is formed by depositing ITO by a sputtering method. A polyimide film is spin-coated as the alignment layer 207a on the transparent electrode 208, and is formed by rubbing treatment.
【０１６５】このようにして各層を形成した基板間に図
示していないスペーサを分散し、シール材215 を介して
貼り合わせる。この間に真空注入で液晶を注入すること
により、液晶層214 が形成される。Spacers (not shown) are dispersed between the substrates on which the respective layers have been formed in this manner, and the substrates are bonded together with the sealant 215 interposed therebetween. Liquid crystal is injected by vacuum injection during this time, whereby the liquid crystal layer 214 is formed.
【０１６６】液晶層214 にはフッ素系液晶を用い、表示
モードはＴＮモードを用いる。又、こうして形成された
基板とＬＥＤアレイ210 とは、この実施例ではセルフォ
ックレンズアレイ209 を用いて結合されている。Fluorine-based liquid crystal is used for the liquid crystal layer 214, and TN mode is used as the display mode. Further, the substrate thus formed and the LED array 210 are connected by using the SELFOC lens array 209 in this embodiment.
【０１６７】ガラス基板201a及び201bは本発明の２つの
基板の一実施例である。光スイッチ素子212 は本発明の
光導電体層の一実施例である。絵素電極213 は本発明の
絵素電極の一実施例である。液晶層214 は本発明の液晶
層の一実施例である。ＬＥＤアレイ210 及び光導波路20
3 は本発明の複数の線状発光源の一実施例である。線状
電極211 は本発明の複数の線状電極の一実施例である。Glass substrates 201a and 201b are examples of the two substrates of the present invention. Optical switch element 212 is an example of the photoconductor layer of the present invention. The pixel electrode 213 is an example of the pixel electrode of the present invention. The liquid crystal layer 214 is an example of the liquid crystal layer of the present invention. LED array 210 and optical waveguide 20
3 is an example of a plurality of linear light emitting sources of the present invention. The linear electrodes 211 are an example of a plurality of linear electrodes of the present invention.
【０１６８】次に、光導波路としてガラス導波路を用い
た場合を説明する。Next, the case where a glass waveguide is used as the optical waveguide will be described.
【０１６９】ガラス導波路としてマルチモードのＴｌイ
オン交換導波路を形成した後、その上に電極及びａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層を同様にして形成する。After forming a multi-mode Tl ion exchange waveguide as a glass waveguide, an electrode and a-S are formed thereon.
The i: H layer is similarly formed.
【０１７０】次に、電極及びａ−Ｓｉ：Ｈ層が形成され
た面と反対側の面を研磨し、ガラス厚を薄層化した後、
図１５の遮光層202bが形成されたガラス基板201bと対向
するガラス基板201aに貼り合わせる。その後のプロセス
は上述の実施例と同様である。Next, after polishing the surface opposite to the surface on which the electrodes and the a-Si: H layer were formed to reduce the glass thickness,
The glass substrate 201b on which the light shielding layer 202b of FIG. 15 is formed is attached to a glass substrate 201a facing the glass substrate 201a. The subsequent process is similar to that of the above-described embodiment.
【０１７１】この実施例によれば、バックライトや周囲
光の光スイッチ素子に及ぼす影響を完全に除去すること
が可能となる。According to this embodiment, it is possible to completely eliminate the influence of the backlight and ambient light on the optical switch element.
【０１７２】この実施例の動作は図３及び図４に示す第
２の実施例の場合と同じである。The operation of this embodiment is the same as that of the second embodiment shown in FIGS.
【０１７３】従って、この実施例によれば、ＴＦＴ素子
と同様に各絵素毎にスイッチを設けた構造となっている
ため、コントラストの高い画像表示を行うことができ
る。又、走査信号が光であるため、ＴＦＴ素子の場合の
ように走査信号（ゲート信号）が素子キャパシタンスを
通じて流れ込むような不都合が生じない。そのため、走
査線数を1000本以上としても不都合が生じることはな
い。Therefore, according to this embodiment, since a switch is provided for each picture element similarly to the TFT element, it is possible to display an image with high contrast. Further, since the scanning signal is light, there is no inconvenience that the scanning signal (gate signal) flows through the element capacitance as in the case of the TFT element. Therefore, no inconvenience occurs even if the number of scanning lines is 1000 or more.
【０１７４】[0174]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、それぞ
れが電極を有する２つの基板間に設けた液晶層を含む液
晶表示装置であって、一方の基板が、互いに並列に配列
された複数の線状発光源と、複数の線状発光源と交差す
る方向に互いに並列に配列された複数の線状電極と、複
数の線状発光源及び複数の線状電極が交差する位置に隣
接して複数の線状電極と同一の面上に形成されている複
数の絵素電極と複数の線状電極との間にそれぞれ設けら
れ線状発光源からの光によりスイッチング動作する複数
の光導電体層とを備えており、線状電極及び光導電体層
を介して印加される信号により液晶層の各絵素が駆動さ
れるよう構成されているので、光スイッチング機能を用
いることにより、絵素駆動電流を容易に増大させること
ができ、駆動電圧比の大幅な低下を招くことなく見掛け
上の走査線数を任意に増大させることができる高解像度
の液晶表示装置を得ることができる。As described above, the present invention is a liquid crystal display device including a liquid crystal layer provided between two substrates each having an electrode, and one of the substrates is a plurality of substrates arranged in parallel with each other. Linear light source, a plurality of linear electrodes arranged in parallel with each other in a direction intersecting the plurality of linear light sources, and adjacent to the position where the plurality of linear light sources and the plurality of linear electrodes intersect. And a plurality of photoconductors which are respectively provided between the plurality of pixel electrodes and the plurality of linear electrodes formed on the same surface as the plurality of linear electrodes and which are switched by the light from the linear light emitting source. Layer, and each pixel of the liquid crystal layer is driven by a signal applied through the linear electrode and the photoconductor layer. Drive current can be increased easily and drive voltage It is possible to obtain a high-resolution liquid crystal display device capable of arbitrarily increasing the number of scanning lines of the apparent without causing a significant reduction in.
【図１】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本的構造を示
す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a basic structure of an active matrix drive type LCD which is a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図２】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの基本的構造を示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a basic structure of an active matrix drive type LCD which is a first embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図３】本発明に係る液晶表示装置の第２の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a second embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図４】図３のＢＢ線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図５】本発明に係る液晶表示装置の第３の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断面
図である。FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a third embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図６】本発明に係る液晶表示装置の第４の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a fourth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図７】図６のＣＣ線断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line CC of FIG.
【図８】本発明に係る液晶表示装置の第５の実施例であ
るアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平面
図である。FIG. 8 is a plan view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a fifth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図９】図８のＤＤ線断面図である。9 is a cross-sectional view taken along line DD in FIG.
【図１０】本発明に係る液晶表示装置の第６の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す平
面図である。FIG. 10 is a plan view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a sixth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図１１】図１０のＥＥ線断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.
【図１２】本発明に係る液晶表示装置の第７の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図８のＤＤ線断面図である。12 is a sectional view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a seventh embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and is a sectional view taken along line DD in FIG.
【図１３】本発明に係る液晶表示装置の第８の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。13 is a sectional view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is an eighth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and a sectional view taken along the line EE of FIG.
【図１４】本発明に係る液晶表示装置の第９の実施例で
あるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す断
面図であり、図１０のＥＥ線断面図である。14 is a cross-sectional view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a ninth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.
【図１５】本発明に係る液晶表示装置の第１０の実施例
であるアクティブマトリクス駆動型ＬＣＤの構成を示す
断面図である。FIG. 15 is a sectional view showing a configuration of an active matrix drive type LCD which is a tenth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【符号の説明】 10、15、20、31、71、75、201a、201b ガラス基板 11、21、21a 、81 発光部 12、22、63、82、113 、193 、203 光導波路 13、28、64、83、127 、182 、212 光スイッチ素子 14、29、65、99、129 、184 、213 絵素電極 16、32、72、101 、131 、186 、208 透明電極 17、35、80、104 、133 、189 、214 液晶層 18、34、74、103 、132 、188 、215 シール材 23、23a 、27、27a 、92、96 電極 24、93 下方絶縁層 25、94 発光層 26、95 上方絶縁層 30、33、73、79、100a、100b、130a、130b、150b、185
a、185b、207a、207b 配向層 61、111 、210 ＬＥＤアレイ 62、112 光ファイバアレイ 76、123 、191 、204 クラッド層 77、124 、190 、205 コア層 91a 、91b 、121a、121b、181a、181b ファイバプレー
ト基板 102 、122a、122b、152 、162a、162b、187a、187b、20
2a、202b 遮光層 126 、192 、206 表面層 211 、Ｘ1、Ｘ2、…、Ｘm 線状電極 Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙn 線状発光源[Explanation of reference numerals] 10, 15, 20, 31, 71, 75, 201a, 201b Glass substrates 11, 21, 21a, 81 Light emitting parts 12, 22, 63, 82, 113, 193, 203 Optical waveguides 13, 28, 64, 83, 127, 182, 212 Optical switch elements 14, 29, 65, 99, 129, 184, 213 Pixel electrodes 16, 32, 72, 101, 131, 186, 208 Transparent electrodes 17, 35, 80, 104 , 133, 189, 214 Liquid crystal layer 18, 34, 74, 103, 132, 188, 215 Sealing material 23, 23a, 27, 27a, 92, 96 Electrode 24, 93 Lower insulating layer 25, 94 Light emitting layer 26, 95 Above Insulation layers 30, 33, 73, 79, 100a, 100b, 130a, 130b, 150b, 185
a, 185b, 207a, 207b Alignment layer 61, 111, 210 LED array 62, 112 Optical fiber array 76, 123, 191, 204 Cladding layer 77, 124, 190, 205 Core layer 91a, 91b, 121a, 121b, 181a, 181b Fiber plate substrate 102, 122a, 122b, 152, 162a, 162b, 187a, 187b, 20
2a, 202b Light-shielding layers 126, 192, 206 Surface layers 211, X1 , X2 , ..., Xm linear electrodes Y1 , Y2 , ..., Yn linear light emitting sources
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 小百合 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 和泉 良弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Sayuri Fujiwara 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Prefecture Sharp Corporation (72) Yoshihiro Izumi 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka, Osaka Within the corporation
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26394791AJP3048705B2 (en) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Liquid crystal display |
| CA002055123ACA2055123C (en) | 1990-11-09 | 1991-11-07 | Display apparatus |
| EP91310363AEP0490484B1 (en) | 1990-11-09 | 1991-11-08 | Display apparatus |
| DE69119210TDE69119210T2 (en) | 1990-11-09 | 1991-11-08 | Display device |
| KR1019910019948AKR950009845B1 (en) | 1990-11-09 | 1991-11-09 | Display device |
| US08/267,556US5535027A (en) | 1990-11-09 | 1994-06-28 | Liquid crystal display device with a photoconductor at each intersection of a linear luminous source and a linear electrode |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26394791AJP3048705B2 (en) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Liquid crystal display |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100246Atrue JPH05100246A (en) | 1993-04-23 |
| JP3048705B2 JP3048705B2 (en) | 2000-06-05 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26394791AExpired - LifetimeJP3048705B2 (en) | 1990-11-09 | 1991-10-11 | Liquid crystal display |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3048705B2 (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0599462A1 (en)* | 1992-11-25 | 1994-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US5541751A (en)* | 1992-12-11 | 1996-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light scan type display device having light waveguides and photo conductive switching elements |
| US6983092B2 (en) | 2002-12-06 | 2006-01-03 | Seiko Epson Corporation | Optical interconnection circuit among wavelength multiplexing chips, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US7228018B2 (en) | 2002-10-01 | 2007-06-05 | Seiko Epson Corporation | Optical interconnection circuit, manufacturing method thereof, electro-optical device and electronic equipment |
| US7448233B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-11-11 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing optical waveguide, optical waveguide device, electro-optical apparatus and electronic apparatus |
| JP2012048072A (en)* | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Wavelength division multiplex optical addressing type display |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0599462A1 (en)* | 1992-11-25 | 1994-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US5541751A (en)* | 1992-12-11 | 1996-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light scan type display device having light waveguides and photo conductive switching elements |
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| JP2012048072A (en)* | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Wavelength division multiplex optical addressing type display |
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3048705B2 (en) | 2000-06-05 |
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|---|---|---|
| US5461400A (en) | Display device | |
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| JP4525007B2 (en) | Display device | |
| JPH05232504A (en) | Liquid crystal display | |
| JP3089819B2 (en) | Optical active matrix | |
| JPH05142564A (en) | Liquid crystal display device |
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20080324 Year of fee payment:8 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20090324 Year of fee payment:9 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment:10 | |
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment:10 | |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20120324 Year of fee payment:12 | |
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) | Free format text:PAYMENT UNTIL: 20120324 Year of fee payment:12 |