【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上への電極形成な
どに用いられるレジストの加熱を行うレジスト加熱装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のレジスト加熱装置１の正
面図である。側板３ａ，３ｂに、先端にころ５ａ，５ｂ
を取付けたシャフト４ａ，４ｂがベアリング６ａ，６ｂ
を介して回転自在に複数個設置されている。側板３ａ，
３ｂ間で、ころ５ａ，５ｂは、基板７を搬送することが
できる間隔をあけて設置されている。ころ５ａ，５ｂ上
に載置されている基板７は、電熱線が内臓されたホット
プレート２ａ，２ｂに図４の上下方向から挟まれている
。
【０００３】基板７は、たとえば液晶表示素子のＩＴＯ
（インジウム錫酸化物）の電極形成工程の途中の状態で
あり、透明な基板上にＩＴＯ膜が形成されて、その上に
レジストが塗布されている。
【０００４】基板７は、シャフト４ａ，４ｂの回転に伴
うころ５ａ，５ｂの回転によってホットプレート２ａ，
２ｂ間を搬送される。この際、基板７は、ホットプレー
ト２ａ，２ｂによって加熱されて基板７のレジストが硬
化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】レジスト加熱装置１を
用いる場合、ホットプレート２ａ，２ｂと基板７とが接
触していないため、ホットプレート２ａ，２ｂは、先ず
ホットプレート２ａ，２ｂと基板７との間の空気を加熱
する。空気が加熱された後に、加熱された空気が基板７
を加熱するため基板７の温度上昇に時間がかかるという
問題がある。また、このためレジストの加熱時間が長く
なり、基板７の搬送経路が長くなり、レジスト加熱装置
１が大形化するという問題がある。
【０００６】また、前述と同様な理由から、ホットプレ
ート２ａ，２ｂと基板７との間隔を５ｍｍより広くする
と基板７の加熱が不十分となるため、ころ５ａ，５ｂを
１本のシャフトに取り付けることができない。したがっ
て、ころ５ａ，５ｂはそれぞれ別個のシャフト４ａ，４
ｂに取付けなければならない。ころ５ａ，５ｂ上に基板
７が乗載すると、基板７の重みでシャフト４ａ，４ｂの
ころ５ａ，５ｂを取付けた端部が、下方に傾く。
【０００７】このため、シャフト４ａ，４ｂの回転を良
好に行うことができず、回転速度の低下や、シャフト４
ａ，４ｂの同期を取ることが困難であるという問題があ
る。またシャフト４ａ，４ｂとベアリング６ａ，６ｂと
に無理な力が掛かり、シャフト４ａ，４ｂおよびベアリ
ング６ａ，６ｂが破損するなど、レジスト加熱装置１の
信頼性が低い。
【０００８】他の従来例として、基板７とホットプレー
トとを接触させる加熱装置がある。この場合、ホットプ
レートが直接基板７を加熱するため、基板７の温度上昇
は速やかに行われる。しかしながら、基板７を搬送する
搬送機構がいわゆるウォーキングタイプとなるため、加
熱装置の構造が複雑になり、また大形化する。また、装
置が複雑なため装置の信頼性が低いという問題がある。さらに、ホットプレート上への基板７の載置やホットプ
レート上からの移送といった基板７の搬送工程に時間が
かかり、装置のサイクル時間が長いという問題がある。
【０００９】本発明の目的は、加熱時間が短縮され、加
熱時間の短縮による基板の搬送経路の短縮および構成の
簡略化によって小形化を実現し、かつ信頼性が向上する
レジスト加熱装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に塗布
されたレジストの加熱を行うレジスト加熱装置において
、基板およびレジストに赤外線を照射してレジストの加
熱を行うことを特徴とするレジスト加熱装置である。
【００１１】
【作用】本発明に従うレジスト加熱装置では、基板およ
びレジストに赤外線を照射する。基板およびレジスト上
で赤外線が熱エネルギーに変換されて基板およびレジス
トの加熱が行われ、レジストが硬化する。たとえば、基
板上に塗布されたレジストを用いて基板上に形成されて
いる導電性材料から電極を形成する際、塗布されたレジ
ストに対してレジスト加熱装置で加熱を行い、レジスト
を硬化させる。レジストは、赤外線の熱エネルギーによ
って直接加熱されるので、熱効率が向上し、加熱時間を
短縮することができる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の一実施例であるレジスト加
熱装置１１の正面図であり、図２は図１に示される切断
面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。一対の側板１３
ａ，１３ｂにわたって複数のシャフト１４がベアリング
１６ａ，１６ｂを介して回転自在に設置されている。シ
ャフト１４には、一対のころ１５ａ，１５ｂが搬送する
基板１７の幅に対応する位置に取付けられている。ころ
１５ａ，１５ｂ上には基板１７が載置され、基板１７の
上下には赤外線照射装置１２ａ，１２ｂが設置されてい
る。基板１７は、複数のシャフト１４の回転に伴うころ
１５ａ，１５ｂの回転に伴って赤外線照射装置１２ａ，
１２ｂ間を搬送される。
【００１３】基板１７は、たとえば液晶表示素子のＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）の電極形成工程の途中の状態
であり、透明な基板上にＩＴＯ膜が形成され、その上に
レジストが塗布されている。
【００１４】赤外線照射装置１２ａ，１２ｂから照射さ
れる赤外線は、基板１７に衝突することによって熱エネ
ルギーに変換される。このため、従来例で説明したホッ
トプレートによる加熱に比べて、基板１７の温度は速や
かに上昇する。
【００１５】従来技術の基板７とホットプレート２ａ，
２ｂとの間隔が５ｍｍに設定されたレジスト加熱装置１
を用いて基板１７を加熱すると、１００℃に達するのに
９０秒要したけれども、本実施例のレジスト加熱装置１
１を用いれば、基板１７と赤外線照射装置１２ａ，１２
ｂとの間隔が５０ｍｍであるにもかかわらず、４０秒で
基板１７が１００℃に達した。
【００１６】ＩＴＯ膜とレジストとの剥がれにくさを表
す密着強度は、後述する電極形成工程で形成される電極
のサイドエッチ量を測定することによって評価すること
ができる。
【００１７】膜厚１１００ÅのＩＴＯ膜を、４７％ＨＢ
ｒ（臭化水素）溶液を基板１７に対する圧力が０．５ｋ
ｇｆ／ｃｍ２となるようなシャワーを用いて４５℃、１
２０秒の条件でエッチングする際、ＩＴＯ膜上のレジス
トに対して、従来技術のレジスト加熱装置１で３分間加
熱したものと、本実施例のレジスト加熱装置１１で２分
間加熱したものとが同じ密着強度を有することが確認さ
れた。
【００１８】以上のように、赤外線照射装置１２ａ，１
２ｂを用いれば、加熱時間を短縮することができる。ま
た、加熱時間の短縮によって基板１７の搬送経路を短縮
することができるため、レジスト加熱装置１１を小形化
することができる。
【００１９】前述のように、基板１７と赤外線照射装置
１２ａ，１２ｂとの間隔を５０ｍｍにも広くとることが
できるため、図１に示すようにシャフト１４を側板１３
ａ，１３ｂにわたって設置することができる。このため
、ころ１５ａ，１５ｂ上に基板１７が乗載することによ
ってシャフトが傾くことがないため、回転速度の低下を
防ぐことができる。また、シャフト１４を側板１３ａ，
１３ｂにわたって設置するため、ころ１５ａ，１５ｂが
同時に回転し、同期をとる必要がなく、また回転駆動手
段の数を半減することができる。
【００２０】図３は、液晶表示素子に用いられる電極形
成の工程を説明する工程図である。工程ａ１では、透明
な基板上にＩＴＯ膜を形成し、工程ａ２ではＩＴＯ膜上
にレジストが塗布される。工程ａ３では、前述のレジス
ト加熱装置１１によってレジストが硬化され、硬化され
たレジストは、工程ａ４で形成する電極に応じた露光が
行われて、工程ａ５で現像される。工程ａ６でＩＴＯ膜
が電極上にエッチングされ、工程ａ７で電極上のレジス
トが剥離され、工程ａ８で洗浄されて電極が完成する。
【００２１】以上のように本実施例によれば、基板１７
の加熱に赤外線照射装置１２ａ，１２ｂを用いるため、
加熱時間を短縮することができる。また加熱時間の短縮
によって、基板１７の搬送経路を短縮することができる
ため、レジスト加熱装置１１を小形化することができる
。また、ころ１５ａ，１５ｂを１本のシャフト１４上に
取付けるため、ころ１５ａ，１５ｂの同期をとる必要が
なく、また、シャフト１４の回転駆動手段を従来例に比
べて半減させることができる。また、シャフト１４を側
板１３ａ，１３ｂにわたって設置するため、ころ１５ａ
，１５ｂ上に基板１７を乗載してもシャフト１４が傾く
ことはなく、回転速度が低下することを防止することが
できる。
【００２２】したがって、加熱時間が短縮され、加熱時
間の短縮による基板の搬送経路の短縮、および搬送機構
の簡略化によって装置の小形化を実現することができ、
レジスト加熱装置の信頼性が向上する。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、基板およびレジストの
加熱を赤外線を照射することによって行う。このため、
短時間で加熱を完了することができ、また赤外線の照射
位置と基板およびレジストとの間隔を広く取ることがで
きる。したがって、加熱時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】【図１】本発明の一実施例であるレジスト加熱装置１１
の正面図である。
【図２】図１に示される切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断
面図である。
【図３】液晶表示素子に用いられる電極形成の工程を説
明する工程図である。
【図４】従来のレジスト加熱装置１の正面図である。
【符号の説明】１１ レジスト加熱装置１２ａ，１２ｂ 赤外線照射装置１７ 基板