【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、恒温装置に係り、特に
、大容量の恒温層の温度を高精度に制御することのでき
る恒温装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a constant temperature apparatus, and more particularly to a constant temperature apparatus capable of controlling the temperature of a large-capacity constant temperature layer with high precision.
【０００２】0002
【従来の技術】例えば、薬液を一般産業用に用いる場合
は、該液温によって反応速度が大幅に変化するため、常
に、液温の制御には綿密な注意を払う必要がある。2. Description of the Related Art For example, when a chemical solution is used for general industrial purposes, the reaction rate changes greatly depending on the temperature of the solution, so careful attention must always be paid to controlling the temperature of the solution.
【０００３】そこで、液温の制御を行うために恒温槽等
のいろいろな温度制御装置が開発されている。[0003] Therefore, various temperature control devices such as a constant temperature bath have been developed to control the liquid temperature.
【０００４】このような温度制御装置は、通常、処理液
の充填された反応槽から、配管を介して、ポンプによっ
て処理液を循環せしめ、熱交換部で熱交換を行い、フィ
ルタを介して温度制御および不純物除去のなされた処理
液を反応槽に戻すように構成されている。[0004] Such a temperature control device normally circulates the processing liquid from a reaction tank filled with the processing liquid via piping with a pump, exchanges heat in a heat exchange section, and adjusts the temperature through a filter. It is configured to return the treated liquid that has been controlled and removed impurities to the reaction tank.
【０００５】このような装置においては、反応槽からパ
イプ等で導出されてくる例えば半導体処理薬液に対し温
度制御を行なうように構成されており、熱交換方式とし
ては冷却の場合にはコンプレッサ冷凍式、加熱の場合は
通常の電気ヒータ式、あるいは両者を組み合わせた方式
が用いられている。[0005] Such an apparatus is configured to control the temperature of, for example, a semiconductor processing chemical solution led out from a reaction tank through a pipe or the like, and a compressor refrigeration type is used as a heat exchange method for cooling. For heating, a conventional electric heater method or a combination of both methods is used.
【０００６】しかしながら、このような方式で大容量の
反応槽の熱交換を行おうとする場合高精度の温度制御は
不可能であるという問題があった。However, when attempting to perform heat exchange in a large-capacity reaction tank using this method, there is a problem in that highly accurate temperature control is impossible.
【０００７】また、Ｐ型半導体とＮ型半導体とを、金属
を介して接合してＰＮ素子対を形成し、この接合部を流
れる電流の方向によって一方の端部が発熱せしめられる
と共に他方の端部が冷却せしめられるいわゆるペルチェ
効果を利用した熱電素子は、小型で構造が簡単なことか
ら、携帯用ク―ラ等いろいろなデバイスに幅広い利用が
期待されている。[0007] Furthermore, a P-type semiconductor and an N-type semiconductor are bonded via metal to form a PN element pair, and depending on the direction of current flowing through this bonded portion, one end is heated and the other end is heated. Thermoelectric elements that utilize the so-called Peltier effect to cool parts of the body are small and have a simple structure, so they are expected to be widely used in various devices such as portable coolers.
【０００８】このような熱電素子を多数個集めて形成し
たサ―モモジュ―ルは、例えば、アルミナセラミックス
基板等の熱伝導性の良好な絶縁性基板からなる第１およ
び第２の熱交換基板間にこれに対して良好な熱接触性を
もつように多数個のＰＮ素子対が挟持せしめられると共
に、各素子対間を夫々第１および第２の電極によって直
列接続せしめられて構成されている。A thermomodule formed by collecting a large number of such thermoelectric elements is, for example, a heat exchanger between a first and a second heat exchanger substrate made of an insulating substrate with good thermal conductivity such as an alumina ceramics substrate. A large number of PN element pairs are sandwiched between them so as to have good thermal contact, and each element pair is connected in series by first and second electrodes, respectively.
【０００９】ところで、このような熱電装置を冷却装置
として用いる場合には、高温部側を放熱構造とし、低温
部側を冷却すべき物体に当接せしめるようにして用いら
れる。 このような冷却装置では、低温部側の温度は
、高温部側の温度からこの熱電装置の性能によって決ま
る温度差Δｔを差し引いた値であるため、高温部側の放
熱性を高めれば高めるほど、低温とすることができ、高
精度の温度制御が可能である。By the way, when such a thermoelectric device is used as a cooling device, the high temperature side is used as a heat radiation structure, and the low temperature side is brought into contact with the object to be cooled. In such a cooling device, the temperature on the low temperature side is the value obtained by subtracting the temperature difference Δt determined by the performance of this thermoelectric device from the temperature on the high temperature side, so the higher the heat dissipation on the high temperature side, the more The temperature can be kept low and highly accurate temperature control is possible.
【００１０】しかしながら、大容量の熱交換をしたい場
合には、サーモモジュールの特性上効率が悪く、構造が
複雑で重量が重くなる等、実用上は不可能であった。However, when a large capacity heat exchange is desired, it is not practical due to the characteristics of thermomodules, such as poor efficiency, complicated structure, and heavy weight.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】このように、サ−モモ
ジュールでは、大容量の熱交換を行うのは実用上不可能
であり、また、従来のコンプレッサ冷凍式、電気ヒータ
式の温度制御装置で大容量の反応槽の熱交換を行おうと
する場合、高精度の温度制御は不可能であるという問題
があった。[Problems to be Solved by the Invention] As described above, it is practically impossible to perform large-capacity heat exchange with thermomodules, and it is difficult to use conventional compressor refrigeration type and electric heater type temperature control devices. When attempting to perform heat exchange in a large-capacity reaction tank, there was a problem in that highly accurate temperature control was impossible.
【００１２】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、大容量の反応槽等を所定の温度に維持するように、
高精度の温度制御を行うことのできる恒温装置を提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and is designed to maintain a large-capacity reaction tank or the like at a predetermined temperature.
The purpose of the present invention is to provide a constant temperature device that can perform highly accurate temperature control.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、コン
プレッサ冷凍式、電気ヒータ式等の従来の熱交換方式に
おいて、これらの熱交換装置の冷却媒体または加熱媒体
の経路に、バイパスまたはフルフロー方式で、サーモモ
ジュールを設置し、このサーモモジュールへの給電電流
を恒温層の温度に応じて制御するようにしている。[Means for Solving the Problems] Therefore, in the present invention, in conventional heat exchange systems such as compressor refrigeration type and electric heater type, bypass or full flow type is provided in the path of the cooling medium or heating medium of these heat exchange devices. , a thermo module is installed, and the power supply current to this thermo module is controlled according to the temperature of the constant temperature layer.
【００１４】[0014]
【作用】上記構成によれば、所定の精度まで通常のコン
プレッサ冷凍式、電気ヒータ式等の従来の熱交換方式を
用いて温度制御を行い、さらに、サーモモジュールへの
給電電流を恒温層の温度に応じて制御するようにしてい
るため、大容量の反応槽に対しても容易に高精度の温度
制御を行うことが可能となる。[Function] According to the above configuration, the temperature is controlled to a predetermined accuracy using a conventional heat exchange method such as a normal compressor refrigeration type or an electric heater type, and furthermore, the power supply current to the thermo module is controlled at the temperature of the constant temperature layer. Since the temperature is controlled according to the temperature, it is possible to easily perform highly accurate temperature control even in a large-capacity reaction tank.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１６】実施例１この恒温装置は冷却用の装置であって、第１図に示すよ
うに、配管Ｐ内の冷却媒体Ｒを冷却するコンプレッサ冷
凍式の冷却装置１０と、循環装置１１を介してこれに熱
的に接続された恒温層２０と、さらにこの恒温層２０内
の温度を検出する温度センサ３１とこの温度センサ３１
の出力に応じて電流を制御する電流コントローラ３２と
、この電流コントローラ３２によって給電電流を制御さ
れるように構成されたサーモモジュール３０とから構成
されている。Embodiment 1 This constant temperature device is a cooling device, and as shown in FIG. A thermostatic layer 20 thermally connected to the thermostatic layer 20, and a temperature sensor 31 for detecting the temperature within the thermostatic layer 20.
The current controller 32 controls the current according to the output of the current controller 32, and the thermo module 30 is configured so that the power supply current is controlled by the current controller 32.
【００１７】そして配管Ｐは、前記冷却装置１０から循
環装置１１を通って、恒温層２０の反応液２１内に浸漬
された冷却蛇管２３にバイパス接続され、さらにサーモ
モジュール３０の低温部側に接触せしめられ、この後冷
却蛇管２３の戻り側と合流し循環装置１１を介して再び
冷却装置１０に戻るように構成されている。The pipe P passes from the cooling device 10 through the circulation device 11, is bypass-connected to the cooling corrugated pipe 23 immersed in the reaction liquid 21 of the constant temperature layer 20, and is further connected to the low-temperature side of the thermomodule 30. After that, it joins the return side of the cooling corrugated pipe 23 and returns to the cooling device 10 again via the circulation device 11.
【００１８】このサーモモジュール３０の熱交換部は、
第２図（ａ） 乃至第２図（ｅ） に拡大図を示すよう
に、冷却媒体の通路を構成する空洞部４０を有する熱交
換板４１と、この板状体の表面に一方の電極が当接する
ように配設された熱電装置とから構成されている。４１
ｉは入り口、４１ｏは出口であり、これに冷却水供給お
よび排出用の配管がそれぞれ接続される。The heat exchange section of this thermo module 30 is as follows:
As shown in enlarged views in FIGS. 2(a) to 2(e), there is a heat exchange plate 41 having a cavity 40 constituting a cooling medium passage, and one electrode on the surface of this plate. and a thermoelectric device disposed in contact with each other. 41
i is an inlet, and 41o is an outlet, to which cooling water supply and discharge piping are respectively connected.
【００１９】この熱電装置は、熱伝導性の良好なカーボ
ン製の板状体４１の表面に、電極パターン４２を形成し
、この電極パターン４２上にＰ型熱電素子４３ａおよび
Ｎ型熱電素子４３ｂが半田層４６を介して交互に固着さ
れ、さらにこれらＰ型熱電素子４３ａおよびＮ型熱電素
子４３ｂの他方の電極は同様に熱伝導性の良好なカーボ
ン製の熱交換基板４５の表面に形成された上部電極パタ
ーン４７に接続されている。This thermoelectric device has an electrode pattern 42 formed on the surface of a carbon plate 41 having good thermal conductivity, and a P-type thermoelectric element 43a and an N-type thermoelectric element 43b on this electrode pattern 42. They were fixed alternately through solder layers 46, and the other electrodes of these P-type thermoelectric elements 43a and N-type thermoelectric elements 43b were similarly formed on the surface of a heat exchange substrate 45 made of carbon having good thermal conductivity. It is connected to the upper electrode pattern 47.
【００２０】また、これら板状体表面に形成される電極
パターンは、膜厚１０オングストロームのチタン蒸着膜
と、膜厚３０オングストロームのニッケル蒸着膜と膜厚
３０オングストロームの金蒸着膜と、膜厚８０００オン
グストロームの銅メッキ層との４層構造の電極パターン
からなり、この電極パターンの上にＰ型熱電素子４３ａ
およびＮ型熱電素子４３ｂが、半田層４６を介して固着
される。Further, the electrode patterns formed on the surfaces of these plate-shaped bodies include a titanium vapor deposited film with a thickness of 10 angstroms, a nickel vapor deposited film with a film thickness of 30 angstroms, a gold vapor deposited film with a film thickness of 30 angstroms, and a film thickness of 8000 angstroms. It consists of a four-layer electrode pattern with a copper plating layer of angstroms, and a P-type thermoelectric element 43a is placed on top of this electrode pattern.
and N-type thermoelectric element 43b are fixed via solder layer 46.
【００２１】なお、要部拡大図は示さないがおよび熱交
換基板４５も、板状体の表面と同様の構造をなしており
、その下面側に同様に４層構造の電極パタ―ン４７が形
成されている。Although an enlarged view of the main parts is not shown, the heat exchange substrate 45 also has the same structure as the surface of the plate-like body, and an electrode pattern 47 having a four-layer structure is similarly provided on the lower surface side. It is formed.
【００２２】このようにして板状体上の電極パタ―ン４
２および熱交換基板上の電極パタ―ンによって隣接する
Ｐ型熱電素子４３ａおよびＮ型熱電素子４３ｂが接続さ
れＰＮ素子対４３が構成されると共にこれらのＰＮ素子
対４３が互いに直列に接続され、回路の両端に位置する
電極パタ―ンに夫々第１の電極リ―ド４８および第２の
電極リ―ド４９が配設される。この第１および第２の電
極リ―ドに通電が行なわれることにより、例えば熱交換
基板の側が低温部となり、板状体の側が高温部となる。In this way, the electrode pattern 4 on the plate-shaped body
2 and the electrode pattern on the heat exchange substrate, adjacent P-type thermoelectric elements 43a and N-type thermoelectric elements 43b are connected to form a PN element pair 43, and these PN element pairs 43 are connected to each other in series, A first electrode lead 48 and a second electrode lead 49 are provided in electrode patterns located at both ends of the circuit, respectively. By energizing the first and second electrode leads, for example, the heat exchange substrate side becomes a low-temperature section, and the plate-like body side becomes a high-temperature section.
【００２３】この恒温装置では、配管Ｐ内の冷却媒体Ｒ
はコンプレッサ冷凍式の冷却装置１０で冷却され、循環
装置１１を介して、恒温槽２０内に浸漬された冷却蛇管
２３と温度センサ３１とにバイパス接続され、恒温槽２
０内の処理液を冷却する。さらにサーモモジュール３０
にむけてバイパスされた配管Ｐ内の冷却媒体Ｒは、この
温度センサ３１から出力されるこの恒温槽２０内の温度
に応じて電流コントローラ３２によって給電電流を制御
されるサーモモジュール３０によって、高精度に制御さ
れるようになっている。In this constant temperature device, the cooling medium R in the pipe P
is cooled by a compressor refrigeration type cooling device 10, and is bypass-connected to a cooling corrugated pipe 23 immersed in a constant temperature bath 20 and a temperature sensor 31 via a circulation device 11.
Cool the processing liquid in 0. Furthermore, thermo module 30
The cooling medium R in the pipe P bypassed towards It is now controlled by.
【００２４】この装置によれば、第３図に曲線ａで示す
ように、恒温槽の温度はＴ℃±０．１℃に維持されてお
り、極めて高精度の温度制御が可能となる。比較のため
に、サーモモジュールを配設せず、従来のコンプレッサ
冷凍式の冷却装置のみを用いた場合の恒温槽の温度曲線
を曲線ｂに示す。これら曲線ａおよび曲線ｂの比較から
も、従来のコンプレッサ冷凍式の冷却装置のみを用いた
場合の恒温槽の温度はＴ℃±１℃であったのに対し、極
めて高精度の温度制御が可能となっていることがわかる
。According to this device, the temperature of the constant temperature bath is maintained at T° C.±0.1° C., as shown by curve a in FIG. 3, and extremely high precision temperature control is possible. For comparison, curve b shows the temperature curve of a thermostatic chamber when only a conventional compressor refrigeration type cooling device is used without providing a thermo module. A comparison of these curves a and b shows that when only a conventional compressor refrigeration type cooling device was used, the temperature of the thermostatic chamber was T°C ± 1°C, whereas extremely high-precision temperature control is possible. It can be seen that
【００２５】なお、前記実施例では恒温槽の温度を温度
センサ３１によって検出し、この検出値に応じてコント
ローラを制御するようにしているが、第４図に変形例を
示すように、恒温槽のかわりに恒温プレート５０の温度
を制御する場合にも適用可能である。この場合は冷却蛇
管２３の一部のまわりに恒温プレート５０を設置し、こ
れに温度センサ３１を配設するようにしてもよく、これ
により、さらに高精度の温度コントロールが可能となる
。In the above embodiment, the temperature of the thermostatic chamber is detected by the temperature sensor 31, and the controller is controlled according to this detected value. However, as shown in a modification shown in FIG. Alternatively, the present invention can also be applied to a case where the temperature of the constant temperature plate 50 is controlled. In this case, a constant temperature plate 50 may be installed around a part of the cooling corrugated pipe 23, and the temperature sensor 31 may be provided on this, thereby making it possible to control the temperature with even higher accuracy.
【００２６】また、前記実施例では配管Ｐは、冷却装置
１０から循環装置１１を通って、恒温層２０の反応液２
１内に浸漬された冷却蛇管２３にバイパス接続され、こ
のバイパス分のみがサーモモジュール３０の低温部側に
接触せしめられ温度制御されるようにしたが、第５図に
変形例を示すように、配管Ｐは、冷却装置１０から循環
装置１１を通って、バイパスされることなくそのままサ
ーモモジュール３０の低温部側に接触せしめられ、温度
制御され、この後冷却蛇管２３の入り口に接続され、さ
らに冷却蛇管２３の出口で戻り側の配管Ｐに接続される
ようにしてもよい。In the above embodiment, the pipe P passes from the cooling device 10 through the circulation device 11 to the reaction liquid 2 in the constant temperature layer 20.
1, and only this bypass portion was brought into contact with the low temperature side of the thermo module 30 to control the temperature. As shown in a modified example in FIG. The pipe P passes from the cooling device 10 through the circulation device 11, is brought into contact with the low temperature side of the thermo module 30 without being bypassed, is temperature controlled, and is then connected to the entrance of the cooling corrugated pipe 23, and is further cooled. The outlet of the flexible pipe 23 may be connected to the return pipe P.
【００２７】さらに、前記実施例ではコンプレッサ冷凍
式の冷却装置を用いた恒温装置について説明したが、加
熱装置を用いた恒温装置にも適用可能である。Further, in the above embodiment, a constant temperature device using a compressor refrigeration type cooling device was explained, but the present invention can also be applied to a constant temperature device using a heating device.
【００２８】本発明の第２の実施例として加熱装置を用
いた恒温装置について説明する。As a second embodiment of the present invention, a constant temperature device using a heating device will be explained.
【００２９】これは第６図に示すように、直接加熱式の
もので恒温槽６０内に充填されている反応液６１は、恒
温槽６０の側部に接続された循環パイプＰＳから、循環
装置１１を介して、ヒータ７０に導かれる一方、サーモ
モジュール８０に向かう配管ＰＳＤとにバイパス接続さ
れ、この配管ＰＳＤはサーモモジュール８０で熱交換を
行った後再び配管ＰＳと合流して、恒温槽６０に戻り、
この内部の反応液６１を加熱する。さらにサーモモジュ
ール８０にむけてバイパスされた配管ＰＳＤ内の反応液
は、温度センサ３１から出力されるこの恒温槽６０内の
温度に応じて電流コントローラ３２によって給電電流を
制御されるサーモモジュール３０によって、高精度に温
度制御されるようになっている。As shown in FIG. 6, this is a direct heating type, and the reaction liquid 61 filled in the constant temperature bath 60 is passed through the circulation system from the circulation pipe PS connected to the side of the constant temperature bath 60. 11, is led to the heater 70, and is bypass-connected to the piping PSD leading to the thermo module 80. After the piping PSD performs heat exchange with the thermo module 80, it joins the piping PS again and connects to the thermostat 60. Return to
The reaction liquid 61 inside is heated. Further, the reaction liquid in the pipe PSD bypassed toward the thermo module 80 is fed by the thermo module 30 whose power supply current is controlled by the current controller 32 according to the temperature in the constant temperature bath 60 output from the temperature sensor 31. The temperature is controlled with high precision.
【００３０】サーモモジュール８０は高温側が配管に接
するようにして用いる点が異なるのみで、前記第１の実
施例で用いたのと同様に構成されている。ただし高温の
反応液が通過するため、配管の材質については、フッ素
樹脂等、耐薬品性薬液に対して不純物汚染のない耐熱性
および耐圧性が高い材料を用いる必要がある。The thermo module 80 has the same structure as that used in the first embodiment, except that the high temperature side is used in contact with the piping. However, since a high-temperature reaction liquid passes through it, it is necessary to use a material such as a fluororesin for the piping that has high heat resistance and pressure resistance and is free from impurity contamination with respect to chemical liquids.
【００３１】この装置によっても、第７図に曲線ａで示
すように、恒温槽の温度は、ｔ℃±０．０１℃に維持さ
れており、前記第１の実施例と同様極めて高精度の温度
制御が可能となる。比較のために、サーモモジュールを
配設せず、従来の電気ヒータ式加熱装置のみを用いた場
合の恒温槽の温度曲線を曲線ｂに示す。これら曲線ａお
よび曲線ｂの比較からも、従来の加熱装置のみを用いた
場合の恒温槽の温度はｔ℃±０．５℃であったのに対し
、極めて高精度の温度制御が可能となっていることがわ
かる。With this device as well, the temperature of the constant temperature chamber is maintained at t°C ±0.01°C, as shown by curve a in FIG. Temperature control becomes possible. For comparison, curve b shows the temperature curve of a constant temperature oven when only a conventional electric heater type heating device is used without providing a thermo module. Comparing these curves a and b, we can see that the temperature of the thermostatic chamber was t℃±0.5℃ when only the conventional heating device was used, but extremely high-precision temperature control is now possible. You can see that
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、通常のコンプレッサ冷凍式、電気ヒータ式等の熱交
換方式において、これらの熱交換装置の冷却媒体または
加熱媒体の経路に、バイパスまたはフルフロー方式で、
サーモモジュールを設置し、このサーモモジュールへの
給電電流を恒温槽の温度に応じて制御するようにしてい
るため、大容量の反応槽に対しても容易に高精度の温度
制御を行うことが可能となる。As explained above, according to the present invention, in the conventional heat exchange systems such as the compressor refrigeration type and the electric heater type, a bypass is provided in the path of the cooling medium or heating medium of these heat exchange devices. Or in full flow method,
A thermo module is installed, and the power supply current to this thermo module is controlled according to the temperature of the thermostatic chamber, making it possible to easily perform highly accurate temperature control even for large-capacity reaction chambers. becomes.
【図１】本発明の第１の実施例の恒温装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a constant temperature device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同装置のサーモモジュールの熱交換部を示す図
。FIG. 2 is a diagram showing the heat exchange section of the thermo module of the device.
【図３】同装置と従来の装置との温度曲線の比較を示す
図。FIG. 3 is a diagram showing a comparison of temperature curves between the same device and a conventional device.
【図４】同装置の温度センサ部分の変形例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a modification of the temperature sensor portion of the device.
【図５】同装置の配管の変形例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a modification of the piping of the device.
【図６】本発明の第２の実施例の恒温装置を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a constant temperature device according to a second embodiment of the present invention.
【図７】同装置と従来の装置との温度曲線の比較を示す
図。FIG. 7 is a diagram showing a comparison of temperature curves between the same device and a conventional device.
１０…冷却装置２０…恒温槽３０…サーモモジュール５０…恒温プレート、６０…恒温槽７０…ヒータ８０…サーモモジュール、４１…熱交換板、４２…電極パターン４３…熱電素子、４５…熱交換基板４６…半田層、４７…上部電極パターン、４８，４９…リード。10...Cooling device20...Thermostatic bath30...Thermo module50... constant temperature plate,60...Thermostat70...Heater80...Thermo module,41...heat exchange plate,42...Electrode pattern43...thermoelectric element,45...Heat exchange board46...Solder layer,47... Upper electrode pattern,48, 49...Lead.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40087790AJPH04213103A (en) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | Thermostatic device |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40087790AJPH04213103A (en) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | Thermostatic device |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04213103Atrue JPH04213103A (en) | 1992-08-04 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40087790APendingJPH04213103A (en) | 1990-12-07 | 1990-12-07 | Thermostatic device |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04213103A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6896404B2 (en)* | 2001-12-26 | 2005-05-24 | Komatsu Ltd. | Method and device for controlling the temperature of an object using heat transfer fluid |
| JP2010096376A (en)* | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tiyoda Electric Co Ltd | Thermostatic bath |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6896404B2 (en)* | 2001-12-26 | 2005-05-24 | Komatsu Ltd. | Method and device for controlling the temperature of an object using heat transfer fluid |
| JP2010096376A (en)* | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tiyoda Electric Co Ltd | Thermostatic bath |
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|---|---|---|
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