【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、例えば半導体素子用実装基板として好適する
非酸化物系セラミックス焼結体からなるセラミックス回
路基板に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a ceramic circuit board made of a non-oxide ceramic sintered body suitable as, for example, a mounting board for semiconductor elements.
（従来の技術）移動無線機やイグナイタ等に用いられる高周波半導体素
子を実装する回路基板や、高出力型の半導体素子を実装
する回路基板として、半導体素子の熱的な保護の点から
放熱性に優れた、すなわち熱伝導率の高いｋｌ Ｎ焼結
体やＳＩＣ焼結体等の非酸化物系焼結体からなるセラミ
ックス基板が多 用されるようになってきている。これ
らセラミックス基板は、その表面に直接Ｍｎ−Ｎｏ法等
の高融点金属を用いたメタライズ法によって導体層を形
成し、回路基板として用いられる。(Prior art) As a circuit board for mounting high-frequency semiconductor elements used in mobile radio equipment, igniters, etc., and a circuit board for mounting high-output semiconductor elements, heat dissipation is required from the viewpoint of thermal protection of semiconductor elements. Ceramic substrates made of non-oxide-based sintered bodies such as klN sintered bodies and SIC sintered bodies, which have excellent thermal conductivity, are increasingly being used. These ceramic substrates are used as circuit boards by directly forming conductive layers on their surfaces by a metallization method using a high melting point metal such as the Mn--No method.
また、上記非酸化物系焼結体からなるセラミックス基板
は、上述した高融点金属を用いたメタライズ法によって
導体層を形成した回路基板に限らず、ＣｕやＡｇ等の低
融点金属導体材料とガラス形成成分、あるいはＲｕ０２
等を含む抵抗形成材料とガラス成分とを含有するペース
トを直接塗布し焼成する、−膜内な厚膜法によってその
表面に導体層や抵抗体層等を形成した回路基板としても
使用されている。Furthermore, the ceramic substrate made of the non-oxide sintered body is not limited to a circuit board in which a conductive layer is formed by the metallization method using the above-mentioned high melting point metal, but also a low melting point metal conductor material such as Cu or Ag and glass. Forming component or Ru02
It is also used as a circuit board with a conductor layer, resistor layer, etc. formed on its surface by the intra-film thick film method, in which a paste containing a resistor forming material and a glass component is directly applied and fired. .
これらメタライズ用ペーストやガラス成分を用いた厚膜
用ペーストを直接塗布・焼成することにより回路形成が
困難な際には、予め非酸化物系セラミックス焼結体の表
面を酸化し、この酸化物層上にペーストを塗布すること
によって回路を形成することも行われている。When it is difficult to form a circuit by directly applying and firing these metallizing pastes or thick film pastes using glass components, the surface of the non-oxide ceramic sintered body is oxidized in advance, and this oxide layer is Circuits have also been formed by applying paste on top.
（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上述した低融点金属導体材料や抵抗形成
材料とガラス成分とを含有する厚膜回路形成用ペースト
の塗布・焼成によって非酸化物系セラミックス基板表面
に回路を形成する場合、回路構成層に発泡現象による脹
れ等の外観不良が生じて導体層や抵抗体層としての機能
を充分に得られなかったり、また回路構成層とセラミッ
クス基板との接合強度が低く、実用強度が得られな−い
等の問題があった。酸化物系セラミックス基板の場合に
は、ガラス成分との濡れ性が良好であるために、比較的
良好な回路構成層を得ることができるが、非酸化物系セ
ラミックス基板はガラス成分との濡れ性が低く、さらに
熱膨張係数が大きく異なるために、例えば０．１〜０．
３ｋｇ／ｍｄ程度の低い接合強度しか得られていない。(Problem to be Solved by the Invention) However, a circuit is formed on the surface of a non-oxide ceramic substrate by applying and baking a thick film circuit forming paste containing the above-mentioned low melting point metal conductor material, resistance forming material, and glass component. When forming a ceramic substrate, the circuit structure layer may suffer from poor appearance such as swelling due to foaming, making it unable to function as a conductor layer or resistor layer, or the bonding strength between the circuit structure layer and the ceramic substrate may be low. There were problems such as not being able to obtain practical strength. In the case of oxide-based ceramic substrates, a relatively good circuit structure layer can be obtained due to good wettability with glass components, but non-oxide ceramic substrates have poor wettability with glass components. is low, and the thermal expansion coefficients differ greatly, for example, from 0.1 to 0.
Only a low bonding strength of about 3 kg/md was obtained.
このような問題に対して、上述したように表面を酸化し
その上に回路構成層を形成する方法も採用されているが
、充分に接合強度を改善するまでには至っておらす、ま
た酸化物層の形成によって非酸化物系セラミックス基板
の放熱性に優れるという特性を低下させてしまうという
問題も生じている。To solve this problem, as described above, methods have been adopted in which the surface is oxidized and a circuit layer is formed thereon, but this method has not yet been able to sufficiently improve the bonding strength. Another problem has arisen in that the formation of the layer deteriorates the excellent heat dissipation properties of the non-oxide ceramic substrate.
また、高融点金属を用いたメタライズ法を利用して非酸
化物系セラミックス基板上に導体層を形成する場合には
、接合強度にバラツキが発生しやすいという問題かあっ
た。非酸化物系セラミックス基板においては、メタライ
ズ層とセラミックス基板との接合にセラミックス基板の
粒界生成物か寄与していると考えられているが、この粒
界生成物の存在は不均一で、その種類や量も一定してい
ないために、接合強度にバラツキが発生しやすいものと
考えられる。このセラミックス基板の品質のバラツキの
問題は、厚膜回路形成用ペーストの塗布焼成による回路
形成の際にも悪影響を及ぼす。Further, when a conductor layer is formed on a non-oxide ceramic substrate using a metallization method using a high-melting point metal, there is a problem that variations in bonding strength tend to occur. In non-oxide ceramic substrates, grain boundary products of the ceramic substrate are thought to contribute to the bonding between the metallized layer and the ceramic substrate, but the presence of these grain boundary products is non-uniform and Since the type and amount are not constant, it is thought that variations in bonding strength are likely to occur. This problem of variations in quality of ceramic substrates also has an adverse effect on circuit formation by applying and firing a paste for forming thick film circuits.
本発明は、このような従来技術の課題に対処するために
なされたもので、非酸化物系セラミックス焼結体に対し
て充分な接合強度をもって接合された厚膜法による回路
構成層を有するセラミ・ンクス回路基板を提供すること
を目的としている。The present invention has been made to address the problems of the prior art, and provides a ceramic having a circuit structure layer formed by a thick film method and bonded to a non-oxide ceramic sintered body with sufficient bonding strength.・The purpose is to provide circuit boards.
［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明のセラミックス回路基板は、非酸化物系セラミッ
クス焼結体からなる基板と、この非酸化物系セラミック
ス基板上に所望とする回路パターン形成位置に対応させ
薄膜法によって形成された中間メタライズ層と、この中
間メタライズ層上に厚膜法によって形成された回路構成
層とを有することを特徴としている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The ceramic circuit board of the present invention includes a substrate made of a non-oxide ceramic sintered body, and a desired circuit pattern formed on the non-oxide ceramic substrate. It is characterized by having an intermediate metallized layer formed by a thin film method in correspondence with the position, and a circuit structure layer formed by a thick film method on this intermediate metallized layer.
本発明における中間メタライズ層は、蒸着法、スパッタ
法、イオンブレーティング法、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 、Ｉ
Ｖ Ｄ法（Ｉ〇−ｎｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法等の薄膜形成方法を利用し、１非酸化物系セラミ
ツクス基板上に所望とする回路パターンに対応させて形
成される。この中間メタライズ層は、非酸化物系セラミ
ックス焼結体に対して強固に接合し、非酸化物系セラミ
ックス焼結体の表面特性や品質のバラツキを改善するも
のであり、この上に形成される回路構成層との接合強度
の向上やセラミックス基板側からの発泡現象によるフク
レの減少に寄与する。上記薄膜形成方法のうち、特にス
パッタ法、イオンブレーティング法、ＩＶＤ法等の飛翔
粒子をイオン化する薄膜形成方法は、セラミックス焼結
体との結合強度が特に大きい中間メタライズ層が得られ
好適である。The intermediate metallized layer in the present invention can be formed using a vapor deposition method, a sputtering method, an ion blasting method, a CVD method (Chemical
al vapor deposition), I
VD method (I〇-nvapour deposition
Using a thin film forming method such as the method (n), it is formed on a non-oxide ceramic substrate in a manner corresponding to a desired circuit pattern. This intermediate metallized layer firmly bonds to the non-oxide ceramic sintered body and improves variations in surface characteristics and quality of the non-oxide ceramic sintered body, and is formed on this intermediate metallized layer. This contributes to improving the bonding strength with the circuit component layer and reducing blisters caused by foaming from the ceramic substrate side. Among the above-mentioned thin film forming methods, thin film forming methods that ionize flying particles, such as sputtering, ion blating, and IVD, are particularly preferred because they yield an intermediate metallized layer that has particularly high bonding strength with the ceramic sintered body. .
この中間メタライズ層に使用する金属としては、ＣｕＳ
Ａｇ５ Ａｕ等の低融点金属やＴＩ、Ｚｒｓ ＨｆのＩ
Ｖａ族活性金属等、用途やこの後に形成される回路構成
層の形成温度等に応じて各種金属を用いることが可能で
ある。例えばＩＶａ族活性金属を用いると、ＡＩＩ Ｎ
焼結体等と反応してＴＩＮのような反応生成物が形成さ
れ、より非酸化物系セラミックス基板との接合強度が向
上゛する。The metal used for this intermediate metallization layer is CuS.
Low melting point metals such as Ag5 Au, TI, I of Zrs Hf
Various metals, such as Va group active metals, can be used depending on the application and the formation temperature of the circuit structure layer to be formed later. For example, using group IVa active metals, AII N
A reaction product such as TIN is formed by reacting with the sintered body, etc., and the bonding strength with the non-oxide ceramic substrate is further improved.
また、本発明における回路構成層は、厚膜法によって上
記中間メタライズ層上に形成されるものである。Further, the circuit structure layer in the present invention is formed on the intermediate metallized layer by a thick film method.
この回路構成層の形成方法としては、ＣｕやＡｇ等の低
融点金属導体材料とガラス形成成分とを含有する厚膜導
体形成ペーストや、ＲｕＯ２等を含む抵抗形成材料とガ
ラス成分とを含有する厚膜抵抗体形成ペースト等の塗布
・焼成によって回路構成層を形成する方法が例示される
。Methods for forming this circuit configuration layer include a thick film conductor forming paste containing a low melting point metal conductor material such as Cu or Ag and a glass forming component, and a thick film conductor forming paste containing a resistance forming material containing RuO2 etc. and a glass component. An example is a method of forming a circuit structure layer by coating and baking a film resistor forming paste or the like.
また、肋やν等の高融点金属を主成分とするメタライズ
用ペーストの塗布・焼成によって回路構成層を形成する
方法も適用できる。なお、このようなメタライズ用ペー
ストを使用する場合には、メタライズ用ペーストの焼成
温度、例えば１５００℃〜１９００℃というような高温
焼成に対して、その機能を維持しうる材質によって中間
メタライズ層を形成する。Further, a method of forming the circuit structure layer by applying and baking a metallizing paste mainly composed of a high melting point metal such as ribs or v can also be applied. In addition, when using such a metallizing paste, the intermediate metallizing layer should be formed of a material that can maintain its function at the firing temperature of the metallizing paste, for example, 1500°C to 1900°C. do.
本発明に使用する非酸化物系セラミックス基板としては
、ＡΩＮ焼結体、ＳｉＣ焼結体、ＢＮ焼結体等からなる
ものが例示され、特にガラス成分との濡れ性が低くかつ
熱膨脹係数の差が大きい、Ａｆｆ Ｎ焼結体を用いる際
に有効である。Examples of non-oxide ceramic substrates used in the present invention include those made of AΩN sintered bodies, SiC sintered bodies, BN sintered bodies, etc., which have particularly low wettability with glass components and differences in thermal expansion coefficients. This is effective when using an Aff N sintered body with a large value.
（作 用）本発明のセラミックス回路基板においては、まず非酸化
物系セラミックス基板の表面に薄膜法による中間メタラ
イズ層か形成されている。この中間メタライズ層は、セ
ラミックス基板に対して原子オーダーで結合しているた
め、セラミックス基板との接合強度に優れたものである
。そして、この中間メタライズ層上に厚膜法による回路
構成層を形成しているため、この中間メタライズ層によ
ってセラミックス基板の表面状態のバラツキが回路構成
層の接合強度や形成状態等に対して悪影響を及はすこと
がなくなる。また、ガラス成分を含有する厚膜回路形成
用ペーストに対する濡れ性も向上し、充分な接合強度を
有する回路構成層か得られる。(Function) In the ceramic circuit board of the present invention, an intermediate metallized layer is first formed on the surface of the non-oxide ceramic substrate by a thin film method. Since this intermediate metallized layer is bonded to the ceramic substrate on an atomic order, it has excellent bonding strength with the ceramic substrate. Since the circuit structure layer is formed on this intermediate metallized layer by the thick film method, variations in the surface condition of the ceramic substrate due to this intermediate metallized layer have an adverse effect on the bonding strength and formation condition of the circuit structure layer. There will be no more influence. Furthermore, the wettability with respect to a thick film circuit forming paste containing a glass component is improved, and a circuit forming layer having sufficient bonding strength can be obtained.
（実施例）次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。(Example) Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
実施例１第１図はこの実施例のセラミックス回路基板の製造工程
を概略的に示す図であり、まず、例えばＡＮ Ｎを主成
分（９７重量％、他に焼結助剤としてＹ２Ｏ３を３重量
％含む）とする非酸化物系のＡ、Ｑ Ｎセラミックス基
板１（熱伝導率： ２００ｗ／ｇ Ｋ）表面に、中間メ
タライズ層として厚さ約０．８μ−のＴｉ薄膜２をＩＶ
Ｄ法によって形成した（同図−ａ）。このＴｉ薄膜２は
、真空容器内にセットされたＡΩＮセラミックス基板１
に対してイオン銃によってＴ１イオンをビーム状として
供給し、ＡＮ Ｎセラミックス基板１表面に１１を着膜
させることによって形成したものである。また、セラミ
ックス基板１のＴｉ薄膜２形成面には、予め表面粗さが
１１００ｎ以下となるように研磨加工を施した。Example 1 FIG. 1 is a diagram schematically showing the manufacturing process of the ceramic circuit board of this example. First, for example, ANN was the main component (97% by weight), and 3% by weight of Y2O3 was added as a sintering aid. A Ti thin film 2 with a thickness of about 0.8μ is IV deposited as an intermediate metallized layer on the surface of a non-oxide type A, Q N ceramic substrate 1 (thermal conductivity: 200 w/g K) (including %).
It was formed by method D (FIG. 1-a). This Ti thin film 2 is attached to an AΩN ceramic substrate 1 set in a vacuum container.
In contrast, T1 ions were supplied in the form of a beam using an ion gun, and a film of 11 was deposited on the surface of the ANN ceramic substrate 1. Further, the surface of the ceramic substrate 1 on which the Ti thin film 2 was formed was previously polished so that the surface roughness was 1100 nm or less.
次いで、このＴ１薄膜２に対してエツチング処理を施し
て導体層形成部位以外のＴＩは除去し、消耗の回路パタ
ーンに対応させてバターニングを行った（同図−ｂ）。Next, this T1 thin film 2 was subjected to an etching process to remove the TI other than the area where the conductive layer was to be formed, and patterning was performed in accordance with the circuit pattern of wear (FIG. 1-b).
次に、Ａｇとｐｔとの混合粉末１００重量部に対して、
ガラス成分を添加し、さらに適量の有機系バインダおよ
び溶剤を加えて混合したＡｇ−Ｐｔ厚膜導体形成用ペー
スト（以下＾ｇ−Ｐｔペーストと記す）を、バターニン
グを行ったＴｉ薄膜２上にスクリーン印刷法によって塗
布し、これを窒素ガス雰囲気中において約９２０℃で加
熱焼成して厚膜導体層３を形成しく同図−〇）、目的と
するセラミックス回路基板を作製した。Next, for 100 parts by weight of mixed powder of Ag and pt,
A paste for forming an Ag-Pt thick film conductor (hereinafter referred to as ^g-Pt paste), which is mixed with a glass component and an appropriate amount of an organic binder and a solvent, is placed on the buttered Ti thin film 2. The film was coated by screen printing, and heated and fired at about 920° C. in a nitrogen gas atmosphere to form a thick film conductor layer 3 (see figure 3), thereby producing the desired ceramic circuit board.
このようにして得たセラミックス回路基板に対して、厚
膜導体層の外観検査（ふくれの有無）、粘着テープによ
る剥離試験および接合強度の測定を行った。その結果、
ふくれの発生はなく良好な表面性を有しており、粘着テ
ープによる剥離試験においてもはがれは発生しなかった
。また、接合強度は０．４〜０．７ｋｇ／ｉｎと良好な
値を示した。The thus obtained ceramic circuit board was subjected to an external appearance inspection (presence or absence of blistering) of the thick film conductor layer, a peel test using an adhesive tape, and a measurement of bonding strength. the result,
It had good surface properties with no blistering, and no peeling occurred in a peel test using an adhesive tape. Moreover, the bonding strength showed a good value of 0.4 to 0.7 kg/in.
なお、接合強度は厚膜導体層３上に厚さ ５〜７μ■の
旧メツキ層を形成し、このメツキ層の２１× ２１の部
分に対して長さ６０ａｖ、直径０，８■の軟銅線製ビン
を半田付けして、このビンに引張り力を加え、ビンが取
れた際の力によって評価した。Note that the bonding strength was determined by forming an old plating layer with a thickness of 5 to 7 μm on the thick film conductor layer 3, and attaching an annealed copper wire with a length of 60 av and a diameter of 0.8 μm to a 21 × 21 area of this plating layer. A manufactured bottle was soldered, a tensile force was applied to the bottle, and the force when the bottle was removed was evaluated.
実施例２〜４実施例１で作製した厚膜導体層を形成する前のへρＮセ
ラミックス基板におけるバターニングされたＴｉ薄膜に
対して、Ａｇ−Ｐｄペースト（ガラス成分含有） 、Ａ
ｕペースト（ガラス成分含有）、Ｃｕペースト（ガラス
成分含有）をそれぞれ実施例１と同様に塗布し、それぞ
れ８５０℃、８５０℃、９３０℃の温度で焼成して厚膜
導体層を形成し、セラミックス回路基板を得た。Examples 2 to 4 Ag-Pd paste (containing glass component), A
U paste (containing a glass component) and Cu paste (containing a glass component) were applied in the same manner as in Example 1, and fired at temperatures of 850°C, 850°C, and 930°C, respectively, to form a thick film conductor layer. I got a circuit board.
これらセラミックス回路基板についても実施例１と同様
に外観検査、粘着テープによる剥離試験および接合強度
の測定を行った。それらの結果を第１表に示す。These ceramic circuit boards were also subjected to visual inspection, peel test using adhesive tape, and measurement of bonding strength in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
比較例１〜３実施例１で使用した表面を研磨加工したのみのＡｆｆ
Ｎセラミックス基板に対し、実施例１〜３と同一条件で
それぞれＡｇ−Ｐｔペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、Ａ
ｕペーストの塗布・焼成を行い、セラミックス回路基板
を作製した。Comparative Examples 1 to 3 Af used in Example 1 with only the surface polished
Ag-Pt paste, Ag-Pd paste, and A
A ceramic circuit board was produced by applying and firing the u-paste.
これらのセラミックス回路基板に対しても、実施例１と
同様に外観検査、粘着テープによる剥離試験および接合
強度の測定を行った。それらの結果を第１表に示す。These ceramic circuit boards were also subjected to an external appearance inspection, a peel test using an adhesive tape, and a measurement of bonding strength in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
比較例４〜６実施例１で使用した表面を研磨加工したのみのＡｌｌ
Ｎセラミックス基板に酸化処理を施して厚さＩＯμ額の
酸化物層を形成し、この酸化層物上に実施例１〜３と同
一条件でそれぞれＡｇ−Ｐｔペースト、Ａｇ−Ｐｄペー
スト、Ａｕペーストの塗布・焼成を行い、セラミックス
回路基板を作製した。Comparative Examples 4 to 6 All used in Example 1 with only the surface polished
An oxide layer having a thickness of IOμ was formed by oxidizing the N ceramic substrate, and Ag-Pt paste, Ag-Pd paste, and Au paste were applied on this oxide layer under the same conditions as in Examples 1 to 3, respectively. A ceramic circuit board was produced by coating and firing.
これらのセラミックス回路基板に対しても、実施例１と
同様に外観検査、粘着テープによる剥離試験および接合
強度の測定を行った。それらの結果を第１表に示す。These ceramic circuit boards were also subjected to an external appearance inspection, a peel test using an adhesive tape, and a measurement of bonding strength in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
（以下余白）第１表の結果からも明らかなように、ＡＮ Ｎセラミッ
クス基板表面に直接厚膜回路形成用ペーストを塗布し、
厚膜導体層を形成した比較例１〜３のセラミックス回路
基板は、それぞれ厚膜導体層にふくれが発生していると
ともに、粘着テープによって容易にはがれてしまい、実
用可能な厚膜導体層は得られなかった。これに対して、
Ａ１１Ｎセラミックス基板表面に酸化物層を形成した後
に厚膜回路形成用ペーストを塗布して形成した比較例４
〜６のセラミックス回路基板は、ある程度ふくれや剥離
性を改善することができたものの、厚膜導体層の接合強
度は充分に実用可能な値には達しなかった。そして、本
発明にしたがって作製した上記各実施例のセラミックス
回路基板は、いずれもＴｉ薄膜からなる中間メタライズ
層の存在によって、Ａｉｌ Ｎセラミックス基板側の影
響を廃除することができ、ふくれもなく接合強度も充分
に大きいものであった。(Left below) As is clear from the results in Table 1, thick film circuit forming paste was applied directly to the surface of the ANN ceramic substrate,
The ceramic circuit boards of Comparative Examples 1 to 3 on which the thick film conductor layer was formed had bulges in the thick film conductor layer and were easily peeled off by the adhesive tape, making it impossible to obtain a practically usable thick film conductor layer. I couldn't. On the contrary,
Comparative example 4 in which a thick film circuit forming paste was applied after forming an oxide layer on the surface of an A11N ceramic substrate.
Although the ceramic circuit boards of Nos. to 6 were able to improve blistering and peelability to some extent, the bonding strength of the thick film conductor layer did not reach a sufficiently practical value. The ceramic circuit boards of the above-mentioned examples produced according to the present invention can eliminate the influence of the Ail N ceramic substrate side due to the presence of the intermediate metallized layer made of a Ti thin film, and have excellent bonding strength without blisters. was also large enough.
［発明の効果コ以上説明したように本発明のセラミックス回路基板は、
非酸化物系セラミックス基板側の影響を中間メタライズ
層によって排除することにより、接合強度が高くかつふ
くれなどの外観不良のない回路構成層を有しており、各
種半導体素子の実装基板などとして極めて実用性に優れ
ている。[Effects of the Invention] As explained above, the ceramic circuit board of the present invention has
By eliminating the influence of the non-oxide ceramic substrate side with the intermediate metallized layer, the circuit structure layer has high bonding strength and no appearance defects such as blistering, making it extremely practical as a mounting board for various semiconductor elements. Excellent in sex.
第１図は本発明の一実施例のセラミックス回路基板の製
造工程を概略的に示す図である。１・・・・・・Ａｌｌ Ｎセラミックス基板、２・・・
・・・Ｔｉ薄膜、３・・・・・・厚膜導体層。出願人 株式会社 東芝代理人 弁理士 須 山 佐 −FIG. 1 is a diagram schematically showing the manufacturing process of a ceramic circuit board according to an embodiment of the present invention. 1...All N ceramics substrate, 2...
...Ti thin film, 3...Thick film conductor layer. Applicant Toshiba Corporation Representative Patent Attorney Sasa Suyama −
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28978090AJPH04162793A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Ceramic circuit board |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28978090AJPH04162793A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Ceramic circuit board |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162793Atrue JPH04162793A (en) | 1992-06-08 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28978090APendingJPH04162793A (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Ceramic circuit board |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162793A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109069A (en)* | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | Wiring board and method for manufacturing the same |
| JP2022178818A (en)* | 2021-05-21 | 2022-12-02 | 日本特殊陶業株式会社 | wiring board |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109069A (en)* | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | Wiring board and method for manufacturing the same |
| JP2022178818A (en)* | 2021-05-21 | 2022-12-02 | 日本特殊陶業株式会社 | wiring board |
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