JPH037943A - Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording method - Google Patents

Abstract

Translated fromJapanese

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

Translated fromJapanese

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、電圧印加時露光方法等により情報を静電的に
記録し、任意時点で情報再生を行うことができる静電情
報記録媒体に関し、特に静電情報保持特性の優れた静電
情報記録媒体及びその静電情報記録方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an electrostatic information recording medium in which information is electrostatically recorded using an exposure method when a voltage is applied, and information can be reproduced at any time. In particular, the present invention relates to an electrostatic information recording medium with excellent electrostatic information retention properties and an electrostatic information recording method thereof.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、電子写真技術等において電極層上に光導電層を蒸
着させ、その光導電層上を全面帯電させた後像露光し、
露光部の電荷をリークさせることにより光導電層上に静
電潜像を光学的に形成させ、その残留電荷と逆極性の電
荷を有するトナーを付着させ、紙等に静電転写して現像
するものが知られている。これは主として複写用に使用
されているが、記録媒体としての光導電層における静電
荷の保持期間を短くし静電潜像形成後は直ちにトナー現
像されるものであり、これを例えば撮影用とすると低感
度のためとても使用できない。Conventionally, in electrophotography, a photoconductive layer is deposited on an electrode layer, the entire surface of the photoconductive layer is charged, and then imagewise exposed.
An electrostatic latent image is optically formed on the photoconductive layer by leaking the charge in the exposed area, and a toner with a polarity opposite to the residual charge is attached, which is then electrostatically transferred to paper, etc., and developed. something is known. This is mainly used for copying, but it shortens the retention period of electrostatic charge in the photoconductive layer as a recording medium, and the toner is developed immediately after the electrostatic latent image is formed. This makes it very unusable due to its low sensitivity.

またＴＶ撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取
り出し、また記録するためには線順次走査が必要となる
。線順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録
では磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存する
ために銀塩写真のような面状アナログ記録に比較して著
しく劣化するという問題がある。Furthermore, TV photographing technology requires line-sequential scanning in order to extract and record electrical image signals obtained by an image pickup tube. Line-sequential scanning is performed using an electron beam in the image pickup tube and a magnetic head for video recording, but because the resolution depends on the number of scanning lines, it is said to be significantly worse than planar analog recording such as silver halide photography. There's a problem.

更に近年発達しつつある固体撮像素子を利用したＴＶ撮
像系も解像性に関しては本質的に同様であり、これらの
技術の内蔵する問題は、画像記録が高品質、高解像度で
あればあるほど処理工程が複雑であり、工程が簡便であ
れば記憶機能の欠如或いは画質の基本的劣化がある。Furthermore, TV imaging systems that use solid-state imaging devices, which have been developing in recent years, are essentially the same in terms of resolution, and the problems inherent in these technologies become worse the higher the quality and resolution of image recording. The processing process is complicated, and if the process is simple, there is a lack of storage function or a basic deterioration of image quality.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

本発明者等は、先に前面に電極を設けた光導電層からな
る感光体と、後面に電極が設けられた電荷保持層からな
る静電情報記録媒体とを対向させて配置し、両電極間に
電圧印加した状態で像露光した後、静電情報記録媒体を
分離し、電荷保持層面に像情報として蓄積される表面電
位を増幅し像再生出力させることにより極めて鮮明に情
報を再生しうることを見出し、その静電情報記録媒体に
ついて出願した（特願昭６３−１２７５５５号）。The present inventors first placed a photoreceptor made of a photoconductive layer with electrodes on the front surface and an electrostatic information recording medium made of a charge retention layer with electrodes on the rear surface facing each other, and After image exposure with a voltage applied between them, the electrostatic information recording medium is separated, and the surface potential accumulated as image information on the surface of the charge retention layer is amplified and the image is reproduced and output, making it possible to reproduce information extremely clearly. They discovered this and filed an application for the electrostatic information recording medium (Japanese Patent Application No. 127555/1983).

本発明は、静電情報記録媒体の静電情報保持特性の改良
を目的とするものであり、静電情報保持特性の優れた静
電情報記録媒体及び静電情報記録方法の提供を課題とす
る。The present invention aims to improve the electrostatic information retention characteristics of an electrostatic information recording medium, and an object of the present invention is to provide an electrostatic information recording medium and an electrostatic information recording method that have excellent electrostatic information retention characteristics. .

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の静電情報記録媒体は、電極層及び電荷保持層を
有する静電情報記録媒体において、該電荷保持層がガラ
ス転移温度の低い樹脂層及び耐熱性絶縁層の積層物から
なることを特徴とする。The electrostatic information recording medium of the present invention is an electrostatic information recording medium having an electrode layer and a charge retention layer, wherein the charge retention layer is made of a laminate of a resin layer with a low glass transition temperature and a heat-resistant insulating layer. shall be.

また本発明の静電情報記録方法は、電極層及び電荷保持
層からからなり、該電荷保持層がガラス転移温度の低い
樹脂層及び耐熱性絶縁層の積層物からなる静電情報記録
媒体に、その状態で静電情報を記録するか、又はガラス
転移温度の低い樹脂におけるガラス転移温度以上に加熱
した状態で静電情報を記録するか、或いは静電情報記録
媒体に静電情報を記録した後に、該静電情報記録媒体を
ガラス転移温度の低い樹脂におけるガラス転移温度以上
に加熱して静電情報を記録させることを特徴とする。The electrostatic information recording method of the present invention also provides an electrostatic information recording medium comprising an electrode layer and a charge retention layer, the charge retention layer comprising a laminate of a resin layer with a low glass transition temperature and a heat-resistant insulating layer. Either record electrostatic information in that state, or record electrostatic information in a state heated above the glass transition temperature of a resin with a low glass transition temperature, or after recording electrostatic information on an electrostatic information recording medium. , the electrostatic information recording medium is heated to a temperature higher than the glass transition temperature of a resin having a low glass transition temperature to record electrostatic information.

以下、本発明の静電情報記録媒体について説明する。The electrostatic information recording medium of the present invention will be explained below.

第１図及び第２図は、本発明の静電情報記録媒体の断面
図であり、図中１０は静電情報記録媒体、１１は電荷保
持層、ｌｌａはガラス転移温度の低い樹脂層、ｌｌｂは
耐熱性絶縁層、１３は電極、１５は支持体である。1 and 2 are cross-sectional views of the electrostatic information recording medium of the present invention, in which 10 is the electrostatic information recording medium, 11 is a charge retention layer, lla is a resin layer with a low glass transition temperature, llb 13 is a heat-resistant insulating layer, 13 is an electrode, and 15 is a support.

本発明の静電情報記録媒体における第１の態様は、第１
図（ａ）に示すように、電極１３上にまず耐熱性樹脂層
１１ｂ１その上にガラス転移温度の低い樹脂層１１ａが
積層された構造を有し、また第２の態様は、第２図（ａ
）に示すように電極１３上にまずガラス転移温度の低い
樹脂層１１ａ１次いでその上に耐熱性絶縁層１１ｂが更
に積層された構造を有するものである。A first aspect of the electrostatic information recording medium of the present invention is a first aspect of the electrostatic information recording medium of the present invention.
As shown in FIG. 2(a), the electrode 13 has a structure in which a heat-resistant resin layer 11b1 and a resin layer 11a having a low glass transition temperature are laminated thereon. a
), it has a structure in which a resin layer 11a1 having a low glass transition temperature is first layered on the electrode 13, and then a heat-resistant insulating layer 11b is further laminated thereon.

この電荷保持層におけるガラス転移温度の低い樹脂層を
形成する樹脂としては、そのガラス転移温度以下では比
抵抗が１０′４０・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要
求される。一般に、樹脂はそのガラス転移温度を境に分
子鎮運動状態の変化に起因してその諸物性が変化するが
、電荷保持層形成材料として使用する場合においてもガ
ラス転移温度以上であると絶縁性が低下し、電荷を蓄積
させてもすぐにリークする。そのため通常の使用環境に
おいては、２０℃以上のガラス転移温度を有するものを
使用することが望ましい。The resin forming the resin layer with a low glass transition temperature in this charge retention layer is required to have an insulating property with a specific resistance of 10'40 cm or more below the glass transition temperature. In general, the physical properties of a resin change due to changes in the state of molecular motion after reaching its glass transition temperature, but even when used as a material for forming a charge retention layer, the insulating properties deteriorate at temperatures above the glass transition temperature. Even if the charge is accumulated, it will leak immediately. Therefore, in a normal usage environment, it is desirable to use a material having a glass transition temperature of 20° C. or higher.

ガラス転移温度の低い樹脂としては、ポリエチレン、エ
チレン−酢と共重合体、エチレン・アクリル酸エチル−
エチレン・アクリル酸メチル共重合体、ポリプロピレン
、ポリブチレン、メチルペンテン樹脂、ポリスチャン、
ポリパラキシリレン、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビ
ニリデン、弗素樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリビニ
ルエーテル、ポリビニルケトン、ポリエーテル、ポリカ
ーボネート、熱可塑性ポリエステル、ポリアミド、ジエ
ン系プラスチック、ポリウレタン系プラスチック、石油
樹脂系、ロジン誘導体、テルペン系樹脂等の熱可塑性樹
脂、更に芳香族ポリアミド、ポリフェニレン、ポリキシ
リレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、芳香
族へテロ環ポリマ等の高分子、シリコーン樹脂、無機系
プラスチック、更に天然ゴム系プラスチック、セルロー
ス系プラスチック、蛋白質系プラスチック、デンプンか
らのプラスチック等を例示することができるが、例えば
アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリテルペン等のガラス
転移温度の比較的低い樹脂を使用するとよい。Examples of resins with a low glass transition temperature include polyethylene, ethylene-vinegar copolymer, and ethylene/ethyl acrylate.
Ethylene/methyl acrylate copolymer, polypropylene, polybutylene, methylpentene resin, polystyrene,
Polyparaxylylene, polyvinyl acetate, polyacrylate, polymethacrylate, vinyl chloride resin, polyvinylidene chloride, fluororesin, polyacrylonitrile, polyvinyl ether, polyvinyl ketone, polyether, polycarbonate, thermoplastic polyester, polyamide, diene plastic, Thermoplastic resins such as polyurethane plastics, petroleum resins, rosin derivatives, and terpene resins, as well as polymers such as aromatic polyamides, polyphenylene, polyxylylene, polyphenylene oxide, polysulfone, and aromatic heterocyclic polymers, silicone resins, and inorganic resins. Examples of plastics include natural rubber-based plastics, cellulose-based plastics, protein-based plastics, and starch-based plastics, but it is preferable to use resins with relatively low glass transition temperatures, such as acrylic resins, polystyrene, and polyterpenes. .

これら樹脂層の形成方法としては、樹脂を適当な溶媒に
溶解し、コーティング、ディッピング等により行われる
。静電情報記録媒体に静電情報を蓄積する際には、この
樹脂層中を静電情報が電界の作用により見掛は上移動し
、又蓄積されるものであるので、この層は蓄積電荷の保
持特性に関係を有し、樹脂の種類、または膜厚により蓄
積電荷の保持電位に相違がみられる。These resin layers are formed by dissolving the resin in a suitable solvent and performing coating, dipping, or the like. When electrostatic information is stored in an electrostatic information recording medium, the electrostatic information apparently moves upward in this resin layer due to the action of the electric field and is also accumulated, so this layer absorbs the accumulated charge. The retention potential of accumulated charges varies depending on the type of resin or film thickness.

次に、耐熱性樹脂としては、例えばフェノール樹脂、フ
ラン樹脂、キシレン・ホルムアルデヒド樹脂、ケトン・
ホルムアルデヒド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニ
リン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エ
ポキシ樹脂、トリアジルシアヌレート樹脂、トリス（２
−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのホルムアルデ
ヒド樹脂、アクロレイン樹脂、ホスホニトリルジハロゲ
ン化物系重合体誘導体、シマレイミドによる硬化樹脂、
シクロペンタジェンからの熱硬化性樹脂、環状尿素樹脂
による架橋反応生成物、トリアジン系樹脂等の熱硬化性
樹脂、またポリエチレン、エチレン−酢ビ共重合体、エ
チレン・アクリル酸エチル−エチレン・アクリル酸メチ
ル共重合体、ポリプロピレン、ポリブチレン、メチルペ
ンテン樹脂、ポリスチレン、ポリパラキシリレン、ポリ
酢酸ビニル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、
塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、弗素樹脂、ポリ
アクリロニトリル、ポリビニルエーテル、ポリビニルケ
トン、ポリエーテル、ポリカーボネート、熱可塑性ポリ
エステル、ポリアミド、ジエン系プラスチック、ポリウ
レタン系プラスチック、石油樹脂系、ロジン誘導体、テ
ルペン系樹脂等の熱可塑性樹脂、更に芳香族ポリアミド
、ポリフェニレン、ポリキシリレン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリスルホン、芳香族へテロ環ポリマ等の耐熱
性高分子、シリコーン樹脂、無機系プラスチック、更に
天然ゴム系プラスチック、セルロース系プラスチック、
蛋白質系プラスチック、デンプンからのプラスチック等
を例示することができ、ガラス転移温度の低い樹脂層と
を比較してガラス転移温度の高いものを使用するとよい
。通常４０℃以上のガラス転移温度を有するものを使用
するとよい。Next, examples of heat-resistant resins include phenol resin, furan resin, xylene/formaldehyde resin, ketone/formaldehyde resin, etc.
Formaldehyde resin, urea resin, melamine resin, aniline resin, alkyd resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, triadyl cyanurate resin, tris(2
- Formaldehyde resin of hydroxyethyl isocyanurate, acrolein resin, phosphonitrile dihalide polymer derivative, simaleimide-cured resin,
Thermosetting resins from cyclopentadiene, crosslinking reaction products with cyclic urea resins, thermosetting resins such as triazine resins, as well as polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene/ethyl acrylate-ethylene/acrylic acid Methyl copolymer, polypropylene, polybutylene, methylpentene resin, polystyrene, polyparaxylylene, polyvinyl acetate, polyacrylate, polymethacrylate,
Vinyl chloride resin, polyvinylidene chloride, fluororesin, polyacrylonitrile, polyvinyl ether, polyvinyl ketone, polyether, polycarbonate, thermoplastic polyester, polyamide, diene plastic, polyurethane plastic, petroleum resin, rosin derivative, terpene resin, etc. thermoplastic resins, heat-resistant polymers such as aromatic polyamides, polyphenylene, polyxylylene, polyphenylene oxide, polysulfone, aromatic heterocyclic polymers, silicone resins, inorganic plastics, natural rubber plastics, cellulose plastics,
Examples include protein-based plastics and starch-based plastics, and it is preferable to use one with a high glass transition temperature compared to a resin layer with a low glass transition temperature. Generally, it is preferable to use a material having a glass transition temperature of 40° C. or higher.

尚、例えばスチレン樹脂の場合、分子量（ＭＷ）が３４
８と５３２００でガラス転移温度が一１４℃と５３℃と
変化するが、このように同一の材料でも分子量の相違に
よりガラス転移温度を相違するものを使用し、ガラス転
移温度の低い層、耐熱絶縁層を積層することができる。For example, in the case of styrene resin, the molecular weight (MW) is 34
8 and 53200, the glass transition temperature changes from 114 degrees Celsius to 53 degrees Celsius, but even if the same material is used, materials with different glass transition temperatures due to differences in molecular weight are used, and layers with low glass transition temperatures and heat-resistant insulation are used. Layers can be stacked.

耐熱性絶縁樹脂として特に好ましいのは弗素樹脂であり
、例えばポリテトラフルオロエチレン、弗素化エチレン
プロピレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロア
ルキルビニルエーテル共重合体、またポリエーテルエー
テルケトン樹脂、ポリバラキシリレンの下記構造式で示
されるものを使用することができる。Particularly preferred as heat-resistant insulating resins are fluororesins, such as polytetrafluoroethylene, fluorinated ethylene propylene, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymers, polyether ether ketone resins, and polyvaraxylylene with the following structure. You can use what is shown in the formula.

（尚上記Ｃタイプは、上記構造のもののみではなく、ベ
ンゼン環における主鎖結合部位以外の部位のうち１つが
塩素で置換されているものを使用するとよく、またＤタ
イプはその２つが塩素で置換されている。）これら耐熱性樹脂層の形成方法としては、樹脂を適当な
溶媒に溶解し、コーティング、ディッピング等により塗
布することにより形成される。(In addition, for the above C type, it is recommended to use not only those with the above structure, but also those in which one of the sites other than the main chain binding site in the benzene ring is substituted with chlorine, and for the D type, two of them are substituted with chlorine.) ) These heat-resistant resin layers are formed by dissolving the resin in a suitable solvent and applying it by coating, dipping, or the like.

また耐熱性絶縁層として無機物質を使用することもでき
、例えば５１０２、＾１２０３　、ＺｒＬ、Ｔ＋０２、
＾５２０３　、ＢＪｓ、Ｂｉ２Ｏ，、ＣｄＳ　１Ｃａｎ
　、Ｃｅ０ｚ、ＣｒｚＬ、　ＣｏＯ、ＧｅＯ２、Ｈｆ　
Ｏ２、Ｆｅｚｅｓ　　、　Ｌａ２０ａ　　、　Ｍｇ口　
、ＭｎＯ２、Ｎｄ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＰｂＯ，５ｂ２
０ｓ　、Ｓａｇｏ、ＴａｚＯｓ　、ＷＯｓ　、Ｖ２Ｏ５
、Ｙ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ５、ＢａＴｉ［］、、Ｂ１２ＴＩ０
５、Ｃａｎ−３ｒＯ、Ｃａｎ−Ｙ、Ｏｓ、Ｃｒ−３ｉ０
２、ＬｉＴａ０−１ＰｂＴ　ｉＯ５、ＰｂＺｒＯｓ、２
ｒＯｚ−Ｃｏ　５ＺｒＯａ−ＳｉＯｚ等の無機酸化物、
また、ＡＩＮ　、　ＢＮＳＮｂＮ　、　５ｉｓＬ　、Ｔ
ａＮ　ＸＴｉＮ、ＶＮ、　ＺｒＮ　、　ＳｉＣ５ＴｉＣ
ＳＷＣ，＾１ａｃｓ等の無機化合物であり、特に好まし
いのは二酸化珪素である。Inorganic materials can also be used as the heat-resistant insulating layer, such as 5102, ^1203, ZrL, T+02,
^5203, BJs, Bi2O,, CdS 1Can
, Ce0z, CrzL, CoO, GeO2, Hf
O2, Fezes, La20a, Mg mouth
, MnO2, Nd2O5, Nb2O5, PbO, 5b2
0s, Sago, TazOs, WOs, V2O5
,Y2O3,Y2O5,BaTi[],,B12TI0
5, Can-3rO, Can-Y, Os, Cr-3i0
2, LiTa0-1PbT iO5, PbZrOs, 2
Inorganic oxides such as rOz-Co 5ZrOa-SiOz,
Also, AIN, BNSNbN, 5isL, T
aN XTiN, VN, ZrN, SiC5TiC
Inorganic compounds such as SWC and ^1acs are preferred, and silicon dioxide is particularly preferred.

これら無機物質層はグロー放電、蒸着、スパッタリング
、或いは金属、半導体を強制的に酸化、又は窒化等する
ことにより形成される。These inorganic material layers are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering, or forced oxidation or nitridation of metals or semiconductors.

また、上述したガラス転移温度の低い樹脂層及び耐熱性
樹脂層には、その電荷保持特性を向上させることを目的
として光導電性微粒子や導電性微粒子を存在させてもよ
い。光導電性微粒子材料としてはアモルファスシリコン
、結晶シリコン、アモルファスセレン、結晶セレン、硫
化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系光導電材料、またポ
リビニルカルバゾール、フタロシアニン、アゾ系顔料等
の有機系光導電材料が使用される。また導電性材料とし
ては、周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族（
銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類金属）、同ＩｒＢ族
（亜鉛族）、同ｍＡ族（アルミニウム族）、同１１１Ｂ
族（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族（バナ
ジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族（マン
ガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶＡ族（
炭素族）としては炭素、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同ＶＡ族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同
ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。Further, photoconductive fine particles or conductive fine particles may be present in the above-mentioned resin layer having a low glass transition temperature and heat-resistant resin layer for the purpose of improving the charge retention characteristics thereof. As photoconductive fine particle materials, inorganic photoconductive materials such as amorphous silicon, crystalline silicon, amorphous selenium, crystalline selenium, cadmium sulfide, and zinc oxide, and organic photoconductive materials such as polyvinyl carbazole, phthalocyanine, and azo pigments are used. be done. In addition, as conductive materials, Group 1A (alkali metals) of the periodic table, Group IB (
Copper group), IIA group (alkaline earth metals), IrB group (zinc group), mA group (aluminum group), 111B
Group (rare earths), Group B (titanium group), Group VB (vanadium group), Group VIB (chromium group), Group Group B (manganese group), Group II (iron group, platinum group), Also, the IVA group (
Carbon group) includes carbon, silicon, germanium, tin, lead,
As the VA group (nitrogen group), antimony and bismuth are used, and as the VIA group (oxygen group), sulfur, selenium, and tellurium are used in fine powder form. Further, among the above elements, metals can be used in the form of metal ions, fine powder alloys, organic metals, and complexes.

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。特に炭素、金
、銅、アルミニウム等が好ましく使用される。Furthermore, the above elements can be used in the form of oxides, phosphorus oxides, sulfides, and halides. In particular, carbon, gold, copper, aluminum, etc. are preferably used.

これら光導電性、導電性物質は、加熱した樹脂層上に低
圧蒸着装置を使用し、１０Ｔｏｒｒ〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
程度の低圧下で蒸発させると凝集し、１０〜０．１μｍ
径程鹿の超微粒子状態となり、樹脂層内部に存在させる
ことができ、またコーティングする際に、樹脂溶液中に
微粒子を分散させて形成してもよい。These photoconductive and conductive substances are deposited on a heated resin layer using a low-pressure evaporation device at 10 Torr to 1 O-3 Torr.
When evaporated under moderately low pressure, it aggregates and becomes 10 to 0.1 μm.
As the diameter increases, it becomes ultrafine particles and can be present inside the resin layer, or may be formed by dispersing the fine particles in a resin solution when coating.

第１図に示す耐熱性絶縁層１１ｂの膜厚は、０゜１μｍ
以上とするとよく、０．１μｍ未満であると蓄積された
情報電荷とは逆極性の電荷がトンネリング現象等により
注入されるためにリークが生じる。またガラス転移温度
の低い樹脂層１１ａは、特に膜厚の制限がないが、１０
０μｍを越えると情報電荷を再生するにあたって電位読
み取りが困難となり、更に情報電荷の再生の際に解像度
が要求される場合には薄い方が好ましく、膜厚が厚いと
電気力線の乱れが生じる。但し０．　１μｍ未満である
とピンホール等の影響が顕著となり、充分な性能が得ら
れない。The film thickness of the heat-resistant insulating layer 11b shown in FIG. 1 is 0°1 μm.
If the thickness is less than 0.1 .mu.m, leakage occurs because charges having the opposite polarity to the accumulated information charges are injected by tunneling or the like. Further, the resin layer 11a having a low glass transition temperature has no particular thickness limit;
If it exceeds 0 μm, it becomes difficult to read the potential when reproducing information charges, and if resolution is required when reproducing information charges, the thinner the film is, the better; if the film is thick, the electric lines of force will be disturbed. However, 0. If it is less than 1 μm, the effects of pinholes etc. will be significant and sufficient performance will not be obtained.

また、第２図に示すガラス転移温度の低い樹脂層１１ａ
の膜厚には特に制限はないが、耐熱性絶縁層１１ｂは、
０．１μｍ以上の膜厚に積層するとよく、膜厚が０．１
μｍ未満であると蓄積された情報電荷のリークが生じる
。Further, a resin layer 11a having a low glass transition temperature shown in FIG.
There is no particular restriction on the thickness of the heat-resistant insulating layer 11b, but the thickness of the heat-resistant insulating layer 11b is
It is best to laminate the film to a thickness of 0.1 μm or more, and the film thickness is 0.1 μm or more.
If it is less than μm, leakage of accumulated information charges will occur.

静電情報記録媒体における電極は、比抵抗値が１０６Ω
・ｃｍ以下であれば限定されなく、無機金属導電膜、無
機金属酸化物導電膜、或いは四級アンモニウム塩等の有
機導電膜等である。このような電極は、蒸着、スパッタ
リング、ＣＶＤ、コーティング、メツキ、ディッピング
、電解重合等の方法により形成される。The electrodes in the electrostatic information recording medium have a specific resistance value of 106Ω.
- There is no limitation as long as it is less than cm, and the film may be an inorganic metal conductive film, an inorganic metal oxide conductive film, or an organic conductive film such as a quaternary ammonium salt. Such electrodes are formed by methods such as vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, and electrolytic polymerization.

またその膜厚は、電極を構成する材料の電気特性、およ
び情報記録の際の印加電圧により変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば１００〜３０００人程
度であり、支持体と電荷保持層との間の全面、或いは電
荷保持層の形成パターンに合わせて形成される。また電
荷保持層としてそれ自体強度を有するフィルム状のもの
を使用する場合には、フィルム上に上記同様電極材料を
蒸着等の方法により形成してもよい。In addition, the film thickness needs to be changed depending on the electrical properties of the material constituting the electrode and the applied voltage during information recording, but for example, in the case of aluminum, it is about 100 to 3000, and the thickness of the support and charge retention layer It is formed on the entire surface between the charge retention layer or in accordance with the formation pattern of the charge retention layer. Further, when a film-like material having strength itself is used as the charge retention layer, an electrode material may be formed on the film by a method such as vapor deposition as described above.

本発明の静電情報記録媒体は、支持体を有していてもよ
い。The electrostatic information recording medium of the present invention may have a support.

支持体を有する場合について第１図（ｂ）、第２図（ｂ
）に示す。支持体１５は、静電情報記録媒体を強度的に
支持することができるある程度の強度を有していれば、
その材質、厚みは特に制限がなく、例えば可撓性のある
プラスチックフィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラ
スチックシート、金属板（電極を兼ねることもできる）
等の剛体を使用でき、また静電情報記録媒体がフレキシ
ブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合には
、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用さ
れ、強度が要求される場合には産性のあるシート、ガラ
ス等の無機材料等が使用される。尚、電荷保持層がそれ
自体強度を有するフィルム状のものを使用する場合には
不用である。Fig. 1(b) and Fig. 2(b) for the case with a support body.
). If the support 15 has a certain level of strength that can strongly support the electrostatic information recording medium,
There are no particular restrictions on its material or thickness, such as flexible plastic film, metal foil, paper, glass, plastic sheet, or metal plate (which can also serve as an electrode).
When the electrostatic information recording medium takes the form of a flexible film, tape, or disk, a flexible plastic film is used, and when strength is required, a flexible plastic film is used. Inorganic materials such as sheets and glass are used. Note that this is not necessary when the charge retention layer itself is in the form of a film that has strength.

また、本発明の静電情報記録媒体は、情報記録、情報再
生の際に光透過性が要求される場合がある。Further, the electrostatic information recording medium of the present invention may be required to have optical transparency during information recording and information reproduction.

光透過性が要求される場合には、反射防止膜を設けるか
、また電極層或いは電荷保持層のそれぞれの膜厚を調製
するか、その両者を組み合わせることにより、反射防止
効果を持たせるとよい。If light transparency is required, it is recommended to provide an antireflection effect by providing an antireflection film, adjusting the thickness of each electrode layer or charge retention layer, or by combining the two. .

静電情報記録媒体は、記録される情報、あるいは記録の
方法により種々の形状をとることができる。例えば静電
カメラ（同一出願人による特願昭６３−１２１５９１号
）に用いられる場合には、一般のフィルム（単コマ、連
続コマ用）形状、あるいはディスク状となり、レーザー
等によりデジタル情報、またはアナログ情報を記録する
場合には、テープ形状、ディスク形状、あるいはカード
形状となる。Electrostatic information recording media can take various shapes depending on the information to be recorded or the recording method. For example, when used in an electrostatic camera (Japanese Patent Application No. 63-121591 filed by the same applicant), it is in the form of a general film (single frame or continuous frame) or a disk, and digital information or analog When recording information, it takes the form of a tape, disk, or card.

次ぎに本発明の静電情報記録方法について、第３図によ
り説明する。Next, the electrostatic information recording method of the present invention will be explained with reference to FIG.

図中１は感光体、５は支持体、７は電極、９は光導電層
、１０は静電情報記録媒体、１１は電荷保持層、１３は
電極、１５は支持体、１７は電源、１８は情報光である
。In the figure, 1 is a photoreceptor, 5 is a support, 7 is an electrode, 9 is a photoconductive layer, 10 is an electrostatic information recording medium, 11 is a charge retention layer, 13 is an electrode, 15 is a support, 17 is a power source, 18 is information light.

本発明の静電情報記録媒体に情報を記録するには、例え
ばａ−セレン層、有機光導電層等の光導電性層を電極上
に積層した感光体を使用して行われる。Information is recorded on the electrostatic information recording medium of the present invention by using a photoreceptor in which a photoconductive layer such as an a-selenium layer or an organic photoconductive layer is laminated on an electrode.

第３図（ａ）に示すように、１ｍｍ厚のガラス支持体５
上に１０００人の膜厚の酸化インジウム−酸化錫（ＩＴ
Ｏ）電極７を積層し、更に１０μｍ程度の光導電層９を
積層して形成された感光体１と、１０μｍ程度の空隙を
介して静電情報記録媒体１０とを対向させて配置する。As shown in FIG. 3(a), a 1 mm thick glass support 5
Indium oxide-tin oxide (IT
O) A photoreceptor 1 formed by laminating electrodes 7 and further laminating a photoconductive layer 9 of about 10 μm and an electrostatic information recording medium 10 are placed facing each other with a gap of about 10 μm interposed therebetween.

次いで同図（ｂ）に示すように、電源１７により電極７
．１３間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は
高抵抗体であるため、空隙に加わる電圧がパッシェンの
法則に従う放電開始電圧以下であれば、電極間には何の
変化も生じない。Next, as shown in FIG. 2(b), the electrode 7 is
．． A voltage is applied between 13. In the dark, the photoconductive layer 9 is a high-resistance material, so if the voltage applied to the gap is equal to or lower than the discharge start voltage according to Paschen's law, no change occurs between the electrodes.

感光体ｌ側より情報光１８が入射すると、情報光が入射
した部分の光導電層９は導電性を示し、放電が生じ、電
荷保持層に情報光に応じた情報電荷が蓄積される。When information light 18 is incident on the photoreceptor l side, the photoconductive layer 9 in the portion where the information light has entered exhibits conductivity, a discharge occurs, and information charges corresponding to the information light are accumulated in the charge retention layer.

そして同図（Ｃ）に示すように、電源１７を○ＦＦとし
、静電情報記録媒体３を感光体１から引き離して（同図
（ｄ））、静電情報記録媒体表面に情報電荷が蓄積され
る。Then, as shown in the same figure (C), the power supply 17 is set to FF, the electrostatic information recording medium 3 is separated from the photoreceptor 1 (the same figure (d)), and information charges are accumulated on the surface of the electrostatic information recording medium. be done.

しかしながら表面電位の形態での情報電荷は、空気中の
湿気等によりその保持性は不十分であり、本発明の静電
情報記録媒体においては、情報電荷を表面電荷として記
録後にガラス転移温度の低い樹脂層のガラス転移温度以
上、耐熱性絶縁層における電荷リーク温度以下の温度に
静電情報記録媒体を加熱することにより、静電情報を安
定化させることができるものである。この加熱による静
電情報の安定化する機構は、第４図（ａ）に第１図に示
す静電情報記録媒体の場合を、第４図（ｂ）に第２図に
示す静電情報記録媒体の場合について模式的に示すよう
に、恐らく情報電荷、又は情報電荷により誘起される電
荷が加熱により導電化したガラス転移温度の低い樹脂層
中を電界の作用で見掛は上移動し、冷却により絶縁性化
した樹脂層中に蓄積されるためと考えられる。However, the retention of information charges in the form of surface potential is insufficient due to moisture in the air, etc., and in the electrostatic information recording medium of the present invention, after recording information charges as surface charges, the glass transition temperature is low. Electrostatic information can be stabilized by heating the electrostatic information recording medium to a temperature that is higher than the glass transition temperature of the resin layer and lower than the charge leakage temperature of the heat-resistant insulating layer. This mechanism for stabilizing electrostatic information by heating is shown in FIG. 4(a) for the electrostatic information recording medium shown in FIG. 1, and in FIG. 4(b) for the electrostatic information recording medium shown in FIG. As shown schematically in the case of a medium, information charges, or charges induced by information charges, apparently move upwards due to the action of an electric field in a resin layer with a low glass transition temperature that has been made conductive by heating, and are then cooled. This is thought to be due to accumulation in the resin layer, which has become insulating.

次に、本発明の静電情報記録方法における情報光の入力
方法としては、高解像度静電カメラによる方法、またレ
ーザーによる記録方法がある。Next, as methods for inputting information light in the electrostatic information recording method of the present invention, there are a method using a high-resolution electrostatic camera and a recording method using a laser.

まず高解像度静電カメラは通常のカメラに使用されてい
る写真フィルムの代わりに、感光体と、静電情報記録媒
体とにより記録部材を構成し、入射光量に応じて静電潜
像を電荷保持層に形成するもので、機械的なシャッタも
使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうるちの
である。First, instead of the photographic film used in regular cameras, high-resolution electrostatic cameras consist of a recording member consisting of a photoreceptor and an electrostatic information recording medium, and the electrostatic latent image is charged and retained depending on the amount of incident light. It is formed in layers, and either a mechanical shutter or an electrical shutter can be used.

またプリズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離
し、平行光として取り出すカラーフィルターを使用し、
Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した静電情報記録媒体３セツトで１コマ
を形成するか、または１平面上にＲ，ＧＳＢ像を並べて
１セツトで１コマとすることにより、カラー撮影するこ
ともできる。In addition, a color filter is used to separate the optical information into R, G, and B light components using a prism and extract it as parallel light.
Color photography can also be performed by forming one frame with three sets of electrostatic information recording media separated into R, G, and B, or by arranging R and GSB images on one plane and making one frame with one set.

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と静電情報記
録媒体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔
をおいて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキ
ャリアの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよ
い。For recording methods using lasers, the light sources include argon laser (514,488 nm), helium-neon laser (633 nm), and semiconductor laser (780 nm).
(nm, 810 nm, etc.), and a voltage is applied to the photoreceptor and the electrostatic information recording medium with their surfaces brought into close contact with each other or facing each other at a fixed interval. In this case, it is preferable to set the photoreceptor electrode to the same polarity as the carrier of the photoreceptor.

この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である。画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御によ
り行う。また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をか
けて形成するものである。尚、感光体における光導電層
の分光特性は、パンクロマティックである必要はなく、
レーザー光源の波長に感度を有していればよい。In this state, laser exposure corresponding to image signals, character signals, code signals, and line drawing signals is performed by scanning. Analog recording such as images is performed by modulating the light intensity of the laser, and digital recording such as characters, codes, and line drawings is performed by ON-OFF control of the laser light. Further, halftone dots in an image are formed by applying dot generator ON-OFF control to laser light. Note that the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor do not need to be panchromatic;
It only needs to be sensitive to the wavelength of the laser light source.

以上、感光体を使用して静電情報を記録する場合につい
て記載したが、本発明の静電情報記録媒体への静電情報
記録方法は、他にも例えば電極針ヘッド或いはイオン流
ヘッドを用いた静電記録、或いはレーザープリンター等
の光プリンター等による記録方法としてもよい。Although the case where electrostatic information is recorded using a photoconductor has been described above, the method for recording electrostatic information on an electrostatic information recording medium of the present invention can also be performed using, for example, an electrode needle head or an ion flow head. The recording method may be electrostatic recording, or a recording method using an optical printer such as a laser printer.

次ぎに、記録された静電情報の再生方法について説明す
る。Next, a method for reproducing the recorded electrostatic information will be explained.

第５図は静電情報再生方法における電位読み取り方法の
例を示す図で、第１図と同一番号は同一内容を示してい
る。なお、図中、１０は静電情報記録媒体、２１は電位
読み取り部、２３は検出電極、２５はガード電極、２７
はコンデンサ、２９は電圧計である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a potential reading method in the electrostatic information reproducing method, and the same numbers as in FIG. 1 indicate the same contents. In addition, in the figure, 10 is an electrostatic information recording medium, 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode, and 27
is a capacitor, and 29 is a voltmeter.

情報電荷を蓄積した静電情報記録媒体から情報を再生す
るには、まず電位読み取り部２１を電荷保持層表面に対
向させると、検出電極２３に電荷保持層内部に蓄積され
た電荷によって生じる電界が作用し、検出電極面上に静
電情報記録媒体上の電荷と等量の誘導電荷が生ずる。こ
の誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデンサ２７が充
電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電荷に応じた
電位差が生じ、この値を電圧計２９で読むことによって
情報電荷の電位を求めることができる。そして、電位読
み取り部２１で電荷保持層面上を走査することにより、
静電潜像を電気信号として出力することができる。なお
、検出電極２３だけでは静電情報記録媒体の検出電極対
向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電気力線）が
作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲に接地し
たガード電極２５を配置するようにしてもよい。これに
よって、電気力線は面に対して垂直方向を向くようにな
るので、検出電極２３に対向した部位のみの電気力線が
作用するようになり、検出電極面積に略等しい部位の電
位を読み取ることができる。電位読み取りの精度、分解
能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び静電情
報記録媒体との間隔によって大きく変わるため、要求さ
れる性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要があ
る。To reproduce information from an electrostatic information recording medium in which information charges have been accumulated, first, the potential reading unit 21 is placed opposite the surface of the charge retention layer, and an electric field generated by the charges accumulated inside the charge retention layer is applied to the detection electrode 23. As a result, an induced charge equivalent to the charge on the electrostatic information recording medium is generated on the surface of the detection electrode. Since the capacitor 27 is charged with an equal amount of charge of opposite polarity to this induced charge, a potential difference corresponding to the accumulated charge is generated between the electrodes of the capacitor, and by reading this value with a voltmeter 29, the potential of the information charge is determined. be able to. Then, by scanning the surface of the charge retention layer with the potential reading section 21,
The electrostatic latent image can be output as an electrical signal. Note that if only the detection electrode 23 is used, the electric field (electric line of force) due to charges in a wider range than the area facing the detection electrode of the electrostatic information recording medium will act, reducing the resolution, so a guard electrode 25 grounded around the detection electrode is used. You may also arrange it. As a result, the lines of electric force are oriented perpendicularly to the surface, so that the lines of electric force only act on the area facing the detection electrode 23, and the potential of the area approximately equal to the area of the detection electrode 23 is read. be able to. The accuracy and resolution of potential reading vary greatly depending on the shape and size of the detection electrode and guard electrode, as well as the distance from the electrostatic information recording medium, so it is necessary to find and design optimal conditions according to the required performance.

第６図は静電情報再生方法の概略構成を示す図で、図中
、３１は電位読み取り装置、３３は増幅器、３５はＣＲ
Ｔｌ　３７はプリンタである。FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of an electrostatic information reproducing method, in which 31 is a potential reading device, 33 is an amplifier, and 35 is a CR
Tl 37 is a printer.

図において、電位読み取り装置３１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器３３で増幅してＣＲＴ３５で表示し
、またプリンタ３７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。In the figure, a potential reading device 31 detects the charge potential, and an amplifier 33 amplifies the detected output, which can be displayed on a CRT 35 and printed out using a printer 37. In this case, it is possible to arbitrarily select and output the part to be read at any time, and it is also possible to reproduce it repeatedly.

また電界により光学的性質の変化する材料、例えば電気
光学結晶等を用いて光学的に読み取ることもできる。更
に静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応じ
て他の記録媒体への記録等に利用することも可能である
。It is also possible to read optically using a material whose optical properties change depending on an electric field, such as an electro-optic crystal. Furthermore, since the electrostatic latent image is obtained as an electric signal, it can also be used for recording on other recording media, etc., if necessary.

〔作用及び発明の効果〕[Action and effect of invention]

一般に高分子材料は、特有のガラス転移温度を有してお
り、ガラス転移点以下では熱エネルギーが小さいために
分子鎮の一つのセグメントが全体として運動できない領
域と考えられ、一方ガラス転移点以上であると熱エネル
ギーは増加し、分子鎖を構成する数個またはそれ以上の
原子が全体として運動することが可能となり、導電性を
生じるものと考えられる。In general, polymeric materials have a unique glass transition temperature. Below the glass transition point, one segment of the molecular chain cannot move as a whole due to the small thermal energy; on the other hand, above the glass transition point, It is thought that this increases the thermal energy, allowing several or more atoms making up the molecular chain to move as a whole, resulting in electrical conductivity.

本発明の静電情報記録媒体は、電極上にガラス転移温度
の低い樹脂層及び耐熱性絶縁層を積層した構造とし、静
電情報記録媒体表面に情報電荷を記録した後、静電情報
記録媒体をガラス転移温度の低い樹脂のガラス転移温度
以上に静電情報記録媒体を加熱することにより、ガラス
転移温度の低い樹脂層中を情報電荷の移動が生じ、静電
情報記録媒体内部において情報電荷が安定して保持され
ることを見出したものである。The electrostatic information recording medium of the present invention has a structure in which a resin layer with a low glass transition temperature and a heat-resistant insulating layer are laminated on an electrode, and after recording information charges on the surface of the electrostatic information recording medium, By heating the electrostatic information recording medium to a temperature higher than the glass transition temperature of the resin with a low glass transition temperature, information charges move in the resin layer with a low glass transition temperature, and the information charges are transferred inside the electrostatic information recording medium. It has been found that it is stably maintained.

その安定化の詳細な理由は不明であるが、表面電荷とそ
の表面電荷により電極に誘起される電荷とにより形成さ
れる電界の作用で、第１図に示す静電情報記録媒体の場
合には、第４図（ａ）に模式的に示すように表面電荷が
、加熱されて見掛は上ガラス転移温度の低い樹脂層中に
誘引され、測定表面電位の低下が観測され、又、第２図
に示す静電情報記録媒体の場合には、第４図（ｂ）に模
式的に示すように、表面電荷により誘起される電極にお
ける反対電荷が、同じくガラス転移温度の低い樹脂層中
に誘引され、耐熱性樹脂層近辺で保持されるに到るもの
と推測される。The detailed reason for this stabilization is unknown, but in the case of the electrostatic information recording medium shown in Figure 1, it is due to the action of the electric field formed by the surface charge and the charge induced on the electrode by the surface charge. As schematically shown in FIG. 4(a), surface charges are attracted into the resin layer which is heated and has an apparent low upper glass transition temperature, and a decrease in the measured surface potential is observed. In the case of the electrostatic information recording medium shown in the figure, as schematically shown in Figure 4(b), opposite charges on the electrodes induced by surface charges are induced in the resin layer, which also has a low glass transition temperature. It is presumed that the particles are retained in the vicinity of the heat-resistant resin layer.

加熱による実電荷量の変化及び存在場所等については不
明な点が多いが、加熱により測定される表面電位の低下
する原因として実電荷の見掛は上の移動による容量変化
のためと推測される。よって、耐熱性絶縁層は加熱温度
或いは通常使用される温度において電荷の注入が起こら
ないものである必要がある。またこのようにして静電情
報記録媒体中に誘引された情報電荷は、静電情報記録媒
体が冷却されることにより、絶縁性の回復したガラス転
移温度の低い樹脂層中に保護され、安定して蓄積され、
空気中の湿気等により影響を受けないものと推測するこ
とができる。Although there are many unknowns regarding the change in the amount of actual charge due to heating and its location, it is assumed that the cause of the decrease in the surface potential measured by heating is a change in capacitance due to the upward movement of the apparent actual charge. . Therefore, the heat-resistant insulating layer needs to be one that does not cause charge injection at the heating temperature or the temperature at which it is normally used. Furthermore, as the electrostatic information recording medium is cooled, the information charges attracted into the electrostatic information recording medium in this way are protected and stabilized in the resin layer with a low glass transition temperature that has recovered its insulating properties. is accumulated,
It can be assumed that it is not affected by humidity in the air.

尚、本発明の静電情報記録媒体は加熱しない状態で放置
しても静電情報を安定して保持できるものであり、本発
明の静電情報記録方法においては、蓄積された静電情報
を静電情報記録媒体を更に強制的に加熱することにより
瞬時に安定化した状態に到達させることができることを
見出したものであり、加熱しない状態で放置して徐々に
安定化状態に達する保持方法に比較し、安定化途中に乱
れを生じる可能性を少なくなくでき、また加熱後冷却す
ることにより蓄積電荷を安定化した状態で保持すること
ができるものである。The electrostatic information recording medium of the present invention can stably retain electrostatic information even if it is left unheated, and in the electrostatic information recording method of the present invention, the electrostatic information that has been stored can be retained. It was discovered that it was possible to instantly reach a stable state by further forcibly heating the electrostatic information recording medium, and a holding method that gradually reached a stable state by leaving it in an unheated state was developed. In comparison, the possibility of disturbance occurring during stabilization can be reduced, and the accumulated charges can be maintained in a stabilized state by cooling after heating.

本発明の静電情報記録媒体に蓄積された静電情報は、電
荷保持層中に蓄積されるために極めて安定であり、また
情報再生に際しては電極と表面電位との電位差を計測す
ることにより容易にその電位差を検出することができ、
高品質、高解像度の情報として容易に再生できるもので
ある。The electrostatic information stored in the electrostatic information recording medium of the present invention is extremely stable because it is stored in the charge retention layer, and information can be easily reproduced by measuring the potential difference between the electrode and the surface potential. can detect that potential difference,
It can be easily reproduced as high-quality, high-resolution information.

以下、実施例を説明する。Examples will be described below.

〔実施例１〕耐熱性絶縁層としてガラス転移温度１３０℃、比抵抗１
０１＠Ω’Ｃｍ以上、吸水率０．０１％、膜厚１２．５
μｍのテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体（ＦＥＰ）フィルム（デコポン社製）に、
真空蒸着（１０−’Ｔａｒｒ）法で＾ｌ電極を１０００
人の膜厚で積層し、次いでその反対面のＦＥＰフィルム
上に、ガラス転移温度の低い樹脂層としてガラス転移温
度−７０℃、比抵抗１０１ｓΩ・ｃｍｓｔ水率０．２５
％のスチレン−ブタジェンゴムの１０％トルエン溶液を
、スピンナーコート法（１０００ｒｐｍ　ｘ３０Ｓ　）
で、１゜０μｍの乾燥後膜厚に塗布し、第１図に示す静
電情報記録媒体を作製した。[Example 1] As a heat-resistant insulating layer, a glass transition temperature of 130°C and a specific resistance of 1 were used.
01@Ω'Cm or more, water absorption rate 0.01%, film thickness 12.5
μm tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP) film (manufactured by Dekopon),
1000 ^l electrodes are made by vacuum evaporation (10-'Tarr) method.
A resin layer with a low glass transition temperature, a glass transition temperature of -70°C, a specific resistance of 101 sΩ/cmst, and a water content of 0.25 are laminated to the same thickness as the original film, and then on the FEP film on the opposite side, a resin layer with a low glass transition temperature is applied.
A 10% toluene solution of styrene-butadiene rubber was coated with a spinner coating method (1000 rpm x 30S).
The film was coated to a dry film thickness of 1°0 μm to produce the electrostatic information recording medium shown in FIG. 1.

次に、この静電情報記録媒体におけるガラス転移温度の
低い樹脂層上に、コロナ帯電により＋１００ｖ又は−１
００Ｖの表面電位になるように帯電させた後、オーブン
中で４０℃、６０秒間加熱した。その結果、表面電位は
＋９０Ｖ、−９０Ｖに変化し静電情報記録媒体に保持さ
れた。Next, the resin layer with a low glass transition temperature in this electrostatic information recording medium is charged with +100V or -1V by corona charging.
After being charged to a surface potential of 00V, it was heated in an oven at 40°C for 60 seconds. As a result, the surface potential changed to +90V and -90V and was maintained in the electrostatic information recording medium.

その後、この静電情報記録媒体を常温常湿で３０日放置
し、その表面電位を測定したところ、＋、−共に９０Ｖ
維持し、また加速試験として６０℃、２０％Ｒ，Ｈ，３
０日間放置の環境下でも＋８０Ｖの表面電位を保持して
おり、更に４０℃、９５％Ｒ１Ｈ０３０日間放置の多湿
条件下でも、表面電位として＋７０Ｖｆｃ維持していた
。Thereafter, this electrostatic information recording medium was left at room temperature and humidity for 30 days, and its surface potential was measured and found to be 90V for both + and -.
60℃, 20% R, H, 3 as an accelerated test.
It maintained a surface potential of +80 V even when left for 0 days, and also maintained a surface potential of +70 Vfc even under humid conditions of 40° C. and 95% R1H0 for 30 days.

〔実施例２〕１ｍｍ厚のガラス基板上に、真空蒸着（１０−’Ｔ。[Example 2]Vacuum deposition (10-'T) was performed on a 1 mm thick glass substrate.

ｒｒ）法で＾β電極を１０００人の膜厚で積層し、その
へβ電極上に、フッ素樹脂（商品名；サイトツブ、旭硝
子製、ガラス転移温度１００℃、吸水率０゜０１％、比
抵抗１×１０′８０・Ｃｍ、）の５％弗素系溶剤溶液を
ブレードコータ８ｍ１ｌにより塗布し、室温で３時間乾
燥後、膜厚約７μｍの耐熱性樹脂層を積層した。A β electrode was laminated to a thickness of 1000 μm using the rr) method, and a fluororesin (trade name: Cytotubu, manufactured by Asahi Glass, glass transition temperature 100°C, water absorption rate 0°01%, specific resistance) was placed on the β electrode. A 5% fluorine-based solvent solution of 1×10'80·Cm) was applied using an 8 ml blade coater, and after drying at room temperature for 3 hours, a heat-resistant resin layer with a thickness of about 7 μm was laminated.

次いでこの耐熱性樹脂層上に、アクリル酸エステル（商
品名；ダイヤナール、三菱レーヨン製、ガラス転移温度
４０℃、吸水率０．０３％、比抵抗ｌＸｌ０”Ω・ｃｍ
、）の５％トルエン−ＭＥＫｌ：１混合溶媒溶液をプレ
ードコータにより塗布し、乾燥後膜７約３μｍのガラス
転移温度の低い樹脂層を積層し、第１図に示す本発明の
静電情報記録媒体を得た。Next, on this heat-resistant resin layer, an acrylic ester (trade name: Dianal, manufactured by Mitsubishi Rayon, glass transition temperature 40°C, water absorption rate 0.03%, specific resistance 1X10''Ω・cm) was applied.
A 5% toluene-MEKl:1 mixed solvent solution of . Got the medium.

この静電情報記録媒体上に、コロナ帯電により＋　１０
０Ｖ１また一１００ｖの表面電位になるように帯電させ
、次いでオーブン中で４５℃に１分加熱後、その表面電
位を測定した。その結果、８０Ｖ１８０Ｖに表面電位が
変化し静電情報が保持された。+10 on this electrostatic information recording medium due to corona charging
It was charged to a surface potential of 0 V1 or -100 V, and then heated in an oven at 45° C. for 1 minute, and then the surface potential was measured. As a result, the surface potential changed to 80V180V and electrostatic information was retained.

その後、この静電情報記録媒体を常温常湿で３０日放置
した後、表面電位を測定したところ、＋、−共に８０Ｖ
であり、全（減衰していなかった。After this electrostatic information recording medium was left at room temperature and humidity for 30 days, the surface potential was measured and found to be 80V for both + and -.
, total (not attenuated).

次に加速試験として６０℃、２０％Ｒ，Ｈ，の条件下で
３０日間放置後でも＋７０Ｖの表面電位を保持してあり
、４０℃、９５％Ｒ，Ｈ，３０日間放置の多湿条件下で
も＋６０Ｖを維持していることがわかった。Next, as an accelerated test, the surface potential of +70V was maintained even after being left for 30 days at 60°C, 20% R, H, and even under humid conditions of 40°C, 95% R, H, and being left for 30 days. It was found that +60V was maintained.

〔実施例３〕実施例２にふける耐熱絶縁層とガラス転移温度の低い樹
脂層との積層順序を逆にして、実施例２同様にして、第
２図に示す静電情報記録媒体を作製した。[Example 3] The electrostatic information recording medium shown in FIG. 2 was produced in the same manner as in Example 2 by reversing the lamination order of the heat-resistant insulating layer and the resin layer with a low glass transition temperature as in Example 2. .

この静電情報記録媒体上に、コロナ帯電により＋１００
Ｖ、また−１００Ｖの表面電位になるように帯電させ、
次いでオーブン中で４５℃に１分加熱後、その電荷保持
性能を測定した結果、８０ｖ、−ａｏｖに表面電位が変
化し静電情報が保持された。+100 on this electrostatic information recording medium due to corona charging.
V, also charged to a surface potential of -100V,
Then, after heating it for 1 minute at 45° C. in an oven, its charge retention performance was measured. As a result, the surface potential changed to 80 V, -aov, and electrostatic information was retained.

常温常湿で３０日放置した後、表面電位を測定したとこ
ろ、十、−共に８０Ｖ保持されており、表面電位の減衰
は認められなかった。次に加速試験として６０℃、２０
％Ｒ，Ｉｔ、の条件下で３０日間放置した後でも＋７０
Ｖの表面電位を保持しており、更に４０℃、９５℃Ｒ，
Ｈ，の条件下で３０日間放置の多湿条件下でも＋６０Ｖ
の表面電位を維持していた。When the surface potential was measured after being left at room temperature and humidity for 30 days, it was found that 80V was maintained for both 10 and -, and no attenuation of the surface potential was observed. Next, as an accelerated test, 60℃, 20
+70 even after being left for 30 days under the conditions of %R,It.
It maintains a surface potential of V, and is further heated to 40℃, 95℃
+60V even under humid conditions when left for 30 days under H.
maintained a surface potential of

〔実施例４〕耐熱性絶縁絶縁材料としてシリコンウェハーの熱酸化に
より形成される膜厚１，７μｍのシリコン熱酸化膜（三
菱金属社製）上に、ガラス転移温度の低い樹脂として、
ガラス転移温度６４℃のポリ　（α−ピネン）　（商品
名：ピコライトＡ１１５、理化バーキュレスａ　ｌｌり
のモノクロルベンゼン４０％溶液をスピンナーコート法
（３０００ｒｐｍｘ　２０ｓａＣ）で２．５μｍの乾燥
後膜厚に塗布し、第１図に示す静電情報記録媒体を作成
した。[Example 4] On a silicon thermal oxide film (manufactured by Mitsubishi Metals) with a thickness of 1.7 μm formed by thermal oxidation of a silicon wafer as a heat-resistant insulating material, a resin with a low glass transition temperature was
A 40% solution of poly(α-pinene) (trade name: Picolite A115, Rika Vercules) with a glass transition temperature of 64°C was coated to a dry film thickness of 2.5 μm using a spinner coating method (3000 rpm x 20 saC). An electrostatic information recording medium shown in FIG. 1 was prepared.

次に、この静電情報記録媒体におけるガラス転移温度の
低い樹脂層上に、シリコンウェハーを電極として用い、
コロナ帯電により＋１７０Ｖ又は−１７０Ｖの表面電位
になるように帯電させた後、ホットプレートで１００℃
、１時間加熱した。その結果、表面電位は＋１５０Ｖ、
−１２０Ｖに変化し、静電情報記録媒体に保持された。Next, using a silicon wafer as an electrode on the resin layer with a low glass transition temperature in this electrostatic information recording medium,
After being charged to a surface potential of +170V or -170V by corona charging, it was heated at 100°C on a hot plate.
, heated for 1 hour. As a result, the surface potential was +150V,
The voltage was changed to -120V and held in the electrostatic information recording medium.

その後、この静電情報記録媒体を常温常湿で３０日放置
し、その表面電位を測定したところ、＋１５０Ｖ、−１
２０Ｖを維持し、また加速試験として６０℃、２０％Ｒ
，Ｈ，，３０日間放置の環境下でも＋１４０Ｖ、−１１
０Ｖの表面電位を保持しており、更に４０℃、９５％Ｒ
，Ｈ９，３０日間放置の多湿条件下でも表面電位として
＋１４０Ｖ。Thereafter, this electrostatic information recording medium was left at room temperature and humidity for 30 days, and its surface potential was measured; +150V, -1
Maintaining 20V, and 60℃, 20%R as an accelerated test.
,H,, +140V, -11 even in an environment where it is left for 30 days
It maintains a surface potential of 0V and is further heated at 40℃ and 95%R.
, H9, surface potential of +140V even under humid conditions after being left for 30 days.

１００Ｖを維持していた。The voltage was maintained at 100V.

〔実施例５〕耐熱性絶縁絶縁材料としてシリコンウェハーの熱酸化に
より形成される膜厚１．７μｍのシリコン熱酸化膜（三
菱金属社製）上に、ガラス転移温度の低い樹脂として、
ガラス転移温度６３．５℃のポリ　（β−ピネン）　（
商品名二ピコライト５１１５、理化バーキュレス社製）
のモノクロルベンゼン４０％溶液をスピンナーコート法
（２０００ｒｐｍＸ２０ｓｅｃ　）で４．４μｍの乾燥
後膜厚に塗布し、第１図に示す静電情報記録媒体を作成
した。[Example 5] A resin with a low glass transition temperature was applied on a 1.7 μm thick silicon thermal oxide film (manufactured by Mitsubishi Metals) formed by thermal oxidation of a silicon wafer as a heat-resistant insulating material.
Poly (β-pinene) with a glass transition temperature of 63.5℃ (
Product name Nipicolite 5115, manufactured by Rika Vercules)
A 40% solution of monochlorobenzene was coated using a spinner coating method (2000 rpm x 20 sec) to a dried film thickness of 4.4 μm to produce an electrostatic information recording medium as shown in FIG.

次に、この静電情報記録媒体におけるガラス転移温度の
低い樹脂層上に、シリコンウェハーを電極として用い、
コロナ帯電により＋２５０Ｖ又は−２５０Ｖの表面電位
になるように帯電させた後、ホットプレートで１００℃
、１時間加熱した。その結果、表面電位は＋ｌｌ０Ｖ、
−１１０Ｖに変化し、静電情報記録媒体に保持された。Next, using a silicon wafer as an electrode on the resin layer with a low glass transition temperature in this electrostatic information recording medium,
After being charged to a surface potential of +250V or -250V by corona charging, it was heated at 100°C on a hot plate.
, heated for 1 hour. As a result, the surface potential is +ll0V,
The voltage changed to -110V and was held in the electrostatic information recording medium.

その後、この静電情報記録媒体を常温常湿で３０日放置
し、その表面電位を測定したところ、＋１１０Ｖ、−１
１０Ｖを維持し、また加速試験として６０℃、２０％Ｒ
，Ｈ６，３０日間放置の環境下でも＋１００Ｖ、−１０
０Ｖの表面電位を保持しており、更に４０℃、９５％Ｒ
，Ｉｌ、、３０日間放置の多湿条件下でも表面電位とし
て＋１０５Ｖ。Thereafter, this electrostatic information recording medium was left at room temperature and humidity for 30 days, and its surface potential was measured; +110V, -1
Maintaining 10V, and 60℃, 20%R as an accelerated test.
, H6, +100V, -10 even in an environment where it is left for 30 days
It maintains a surface potential of 0V and is further heated at 40℃ and 95%R.
, Il, surface potential of +105V even under humid conditions after being left for 30 days.

１０５Ｖを維持していた。The voltage was maintained at 105V.

〔実施例６〕耐熱性絶縁絶縁材料としてシリコンウェハーの熱酸化に
より形成される膜厚１．７μｍのシリコン熱酸化膜（三
菱金属社製）上に、ガラス転移温度の低い樹脂として、
ガラス転移温度６４℃のポリ　（α−ピネン）　（商品
名：ピコライトＡ１１５、理化ハーキコレス社製）のモ
ノクロルベンゼン４０％溶液をスピンナーコート法（３
０００ｒｐｍＸ２０ｓｅｃ）で２．５μｍの乾燥後膜厚
に塗布し、第９図に示す静電情報記録媒体を作成した。[Example 6] A resin with a low glass transition temperature was applied on a 1.7 μm thick silicon thermal oxide film (manufactured by Mitsubishi Metals) formed by thermal oxidation of a silicon wafer as a heat-resistant insulating material.
A 40% monochlorobenzene solution of poly (α-pinene) (trade name: Picolite A115, manufactured by Rika Herkikolles) with a glass transition temperature of 64°C was coated with a spinner coating method (3
The electrostatic information recording medium shown in FIG. 9 was prepared by coating the film at a drying speed of 2.5 μm at a speed of 000 rpm×20 sec).

次に、この静電情報記録媒体におけるガラス転移温度の
低い樹脂層上に、シリコンウェハーを電極として用い、
コロナ帯電により＋１７０Ｖ又は−１７０Ｖの表面電位
になるように帯電させた。Next, using a silicon wafer as an electrode on the resin layer with a low glass transition temperature in this electrostatic information recording medium,
It was charged to a surface potential of +170V or -170V by corona charging.

その後、この静電情報記録媒体を常温常温で３０日放置
し、その表面電位を測定したところ、＋１７０Ｖ、−１
７０Ｖを維持し、また加速試験として６０℃、２０％Ｒ
，Ｈ，，３０日間放置の環境下でも＋１５０Ｖ、−１２
０Ｖの表面電位を保持してふり、更に４０℃、９５％Ｒ
，Ｈ，，３０日間放置の多湿条件下でも表面電位として
＋１６０Ｖ、−１３５Ｖを維持していた。Thereafter, this electrostatic information recording medium was left at room temperature for 30 days, and its surface potential was measured; +170V, -1
Maintaining 70V, and 60℃, 20%R as an accelerated test.
,H,, +150V, -12 even in an environment where it is left for 30 days
Hold the surface potential at 0V, and further heat at 40℃, 95%R.
,H,, Even under humid conditions when left for 30 days, surface potentials of +160V and -135V were maintained.

〔実施例７〕（感光体の作製）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（亜南！−料（株
）製）、２．４．７−）リニトロフルオレノン１０ｇ１
ポリエステル樹脂２ｇ（バインダー二バイロン２００東
洋紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０
ｇの組成を有する混合液を暗所で作製し、ＩＴＯ電極を
約１０００人の膜厚でスパッターして形成したガラス基
板（１關厚）の電極上に、ドクターブレードを用いて塗
布し、６０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍの
光導電層を有する感光体を得た。又完全に乾燥を行うた
めに、更に１日自然乾燥を行った。[Example 7] (Preparation of photoreceptor) 10 g of poly-N-vinylcarbazole (manufactured by Anan!-Ryo Co., Ltd.), 10 g of 2.4.7-)linitrofluorenone
2 g of polyester resin (Binder Nibyron 200 manufactured by Toyobo Co., Ltd.), 90% tetrahydrofuran (THF)
A mixed solution having a composition of 60 g was prepared in a dark place, and applied using a doctor blade onto an electrode of a glass substrate (1 thick) formed by sputtering an ITO electrode to a film thickness of about 60 g. The mixture was dried with ventilation for about 1 hour at .degree. C. to obtain a photoreceptor having a photoconductive layer with a thickness of about 10 .mu.m. Further, in order to completely dry it, it was naturally dried for another day.

（静電情報記録方法）上記で作製した感光体と実施例１で作製した静電情報記
録媒体とを、！３図に示す静電情報記録方法により電圧
印加時露光し、線幅２０μｍのパターンで、−１５０Ｖ
の電荷像を得た後、４０℃、６０秒間加熱した。(Electrostatic information recording method) The photoreceptor produced above and the electrostatic information recording medium produced in Example 1,! Exposure was performed when voltage was applied using the electrostatic information recording method shown in Figure 3, and a pattern with a line width of 20 μm was recorded at -150 V.
After obtaining a charge image, it was heated at 40° C. for 60 seconds.

一方、比較として、電極上にＦＥＰ層のみを有する静電
情報記録媒体を、実施例１同様に作製し、同様の静電情
報記録を行った。On the other hand, as a comparison, an electrostatic information recording medium having only an FEP layer on an electrode was prepared in the same manner as in Example 1, and electrostatic information recording was performed in the same manner.

本発明の静電情報記録媒体と比較媒体とを、その後４０
℃、９５％、３０日の条件で加速試験後、その各表面電
位と、またトナー現像による再生を行った。The electrostatic information recording medium of the present invention and the comparative medium were then heated for 40 minutes.
After an accelerated test under the conditions of 30 days at 95% °C, each surface potential was checked and regeneration was performed by toner development.

本発明の静電情報記録媒体は加熱により一１４０ｖの表
面電位に変化した状態で安定し、トナー現像でも２０μ
ｍのパターンを解像できた。The electrostatic information recording medium of the present invention is stable when the surface potential is changed to -140V by heating, and even when developed with toner, it is stable at 20μ
We were able to resolve the m pattern.

他方、ガラス転移温度の低い樹脂層を積層していない比
較媒体においては、−表面電位は変化せず−１５０Ｖの
ままであったが、トナー現像による再生では２０μｍの
パターンを解像できなかった。On the other hand, in a comparative medium not laminated with a resin layer having a low glass transition temperature, the surface potential did not change and remained at -150V, but a 20 μm pattern could not be resolved by reproduction by toner development.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図、第２図は、本発明の静電情報記録媒体の断面図
、第３図は、本発明の静電情報記録方法を説明するため
の図、第４図は、本発明の静電情報記録媒体における静
電情報安定化を説明する模式図、第５図は、直流増幅型
の電位読み取り方法の例を示す図、第６図は、静電情報
記録再生方法の概略構成を示す図である。図中１は感光体、５は支持体、７は電極、９は光導電層
、１０は静電情報記録媒体、１１は電、荷保持層、ｌｌ
ａはガラス転移温度の低い樹脂層、１１ｂは耐熱性絶縁
層、１３は電極、１５は支持体、１７は電源、１８は情
報光、２１は電位読み取り部、２３は検出電極、２５は
ガード電極、２７はコンデンサ、３１は電位読み取り装
置、３３は増幅器、３５はＣＲＴ、３７はプリンタを示
す。1 and 2 are cross-sectional views of the electrostatic information recording medium of the present invention, FIG. 3 is a diagram for explaining the electrostatic information recording method of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the electrostatic information recording medium of the present invention. A schematic diagram explaining electrostatic information stabilization in an electrical information recording medium, FIG. 5 is a diagram showing an example of a DC amplification type potential reading method, and FIG. 6 shows a schematic configuration of an electrostatic information recording and reproducing method. It is a diagram. In the figure, 1 is a photoreceptor, 5 is a support, 7 is an electrode, 9 is a photoconductive layer, 10 is an electrostatic information recording medium, 11 is a charge retention layer, ll
a is a resin layer with a low glass transition temperature, 11b is a heat-resistant insulating layer, 13 is an electrode, 15 is a support, 17 is a power source, 18 is an information light, 21 is a potential reading section, 23 is a detection electrode, 25 is a guard electrode , 27 is a capacitor, 31 is a potential reader, 33 is an amplifier, 35 is a CRT, and 37 is a printer.

Claims (2)

Translated fromJapanese

【特許請求の範囲】[Claims]（１）電極層及び電荷保持層を有する静電情報記録媒体
において、該電荷保持層がガラス転移温度の低い樹脂層
及び耐熱性絶縁層の積層物からなることを特徴とする静
電情報記録媒体。(1) An electrostatic information recording medium having an electrode layer and a charge retention layer, wherein the charge retention layer is composed of a laminate of a resin layer with a low glass transition temperature and a heat-resistant insulating layer. .（２）電極層及び電荷保持層からからなり、該電荷保持
層がガラス転移温度の低い樹脂層及び耐熱性絶縁層の積
層物からなる静電情報記録媒体に、その状態で静電情報
を記録するか、又はガラス転移温度の低い樹脂における
ガラス転移温度以上に加熱した状態で静電情報を記録す
るか、或いは静電情報記録媒体に静電情報を記録した後
に、該静電情報記録媒体をガラス転移温度の低い樹脂に
おけるガラス転移温度以上に加熱して静電情報を記録さ
せることを特徴とする静電情報記録方法。(2) Recording electrostatic information in an electrostatic information recording medium consisting of an electrode layer and a charge retention layer, where the charge retention layer is a laminate of a resin layer with a low glass transition temperature and a heat-resistant insulating layer. Alternatively, electrostatic information is recorded in a state where the resin is heated to a temperature higher than the glass transition temperature of a resin with a low glass transition temperature, or after electrostatic information is recorded on an electrostatic information recording medium, the electrostatic information recording medium is An electrostatic information recording method characterized by recording electrostatic information by heating a resin having a low glass transition temperature to a temperature higher than the glass transition temperature.