【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、圧電素子を積層してなるピエゾアクチュエー
タの駆動装置に関し、特にビニシアクチユニークの伸縮
に応じて減衰力が変化する車両用ショックアブソーバの
制御装置に用いて好適なものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a drive device for a piezo actuator formed by laminating piezoelectric elements, and in particular to a vehicle shock whose damping force changes according to the expansion and contraction of a vinyl actuator. This is suitable for use in an absorber control device.
従来より、例えば特開昭６１−８５２１０号公報に記載
の減衰力可変ショックアブソーバのように、応答性の高
い優れた制御を可能にするため、アクチュエータとして
作動の俊敏な圧電素子を積層してなるピエゾアクチュエ
ータを利用することが考えられている。Conventionally, as in the variable damping force shock absorber described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-85210, piezoelectric elements with quick operation are laminated as actuators to enable excellent control with high responsiveness. The use of piezo actuators is being considered.
ところでこの種のピエゾアクチブ−エータを駆動して数
＋μｍの変位量を得るには、ピエゾアクチュエータに数
百■の高電圧を印加しなければならない。このため上記
のようにアクチュエータとしてビニシアクチユニークを
使用する装置では、その安全性、信頼性を充分確保する
必要がある。つまり、ビニシアクチユニークの駆動装置
において、例えばピエゾアクチュエータに高電圧を印加
する指令信号や、ピエゾアクチュエータに蓄えられた電
荷を放電させる指令信号がホールドされるといった異常
が発生ずると、ピエゾアクチュエータを正規に駆動でき
なかったり、駆動装置の機能に障害が生じたり、あるい
は、駆動装置より常時高電圧が出力されたりする可能性
がある。このため、ピエゾアクチュエータの駆動装置と
しては、上記のような異常が生じた場合でも、駆動装置
の機能の保護や高電圧の外部への出力の防止が確実にな
される安全性、信頼性の高いものが要求される。By the way, in order to drive this type of piezo actuator and obtain a displacement of several + .mu.m, it is necessary to apply a high voltage of several hundred μm to the piezo actuator. Therefore, it is necessary to ensure sufficient safety and reliability in a device that uses a vinyl actuator as an actuator as described above. In other words, if an abnormality occurs in Vinicia Acti Unique's drive device, such as when a command signal to apply a high voltage to the piezo actuator or a command signal to discharge the charge stored in the piezo actuator is held, the piezo actuator will be activated. There is a possibility that the drive device cannot be driven normally, that the function of the drive device is impaired, or that the drive device constantly outputs a high voltage. For this reason, piezo actuator drive devices are highly safe and reliable, ensuring that even if the above-mentioned abnormality occurs, the function of the drive device is protected and high voltage is prevented from being output to the outside. things are required.
ところが、こうしたピエゾアクチュエータの利用技術は
現在実用化されつつある段階で、従来では装置の安全性
、信頼性については考慮されていなかった。However, the technology for using such piezo actuators is currently in the stage of being put into practical use, and the safety and reliability of the devices have not been considered in the past.
そこで本発明では、ピエゾアクチュエータの駆動装置内
部における指令経路や指令信号自体に異常が生じた場合
でも、ピエゾアクチュエータを駆動する高電圧が駆動装
置から外部に常時出力されることを確実に防止すること
ができるピエゾアクチュエータの駆動回路を提供するこ
とを目的とするものである。Therefore, in the present invention, even if an abnormality occurs in the command path or command signal itself inside the drive device of the piezo actuator, it is possible to reliably prevent the high voltage that drives the piezo actuator from being constantly outputted to the outside from the drive device. The purpose of this invention is to provide a drive circuit for a piezo actuator that can perform the following steps.
」１記目的を達成するために、本発明によるピエゾアク
チュエータの駆動装置は、第１図に示すように圧電素子
を積層してなるピエゾアクチュエータを駆動するための
高電圧を発生ずる高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が発生する高電圧を前記ピエゾアク
チュエータに印加させる第１の指令信号を出力するとと
もに、パルス信号を発生させる第２の指令信号を出力す
る指令信号出力手段と、前記第２の指令信号に従って、
所定周波数で発振するパルス信号を発生するパルス信号
発生手段と、前記第１の指令信号と前記パルス信号とを入力し、これ
らの信号の論理積に相当する論理積パルス信号を出力す
る論理積手段と、前記論理積パルス信号が入力されるとともに、パルス信
号によってのみ前記ピエゾアクチュエータに高電圧を印
加する駆動手段とを備える。In order to achieve the above object, the piezo actuator driving device according to the present invention includes a high voltage generating means for generating a high voltage for driving a piezo actuator formed by stacking piezoelectric elements as shown in FIG. and command signal output means for outputting a first command signal for applying the high voltage generated by the high voltage generation means to the piezo actuator and a second command signal for generating a pulse signal; According to the command signal of 2,
pulse signal generation means for generating a pulse signal that oscillates at a predetermined frequency; and AND means for inputting the first command signal and the pulse signal and outputting an AND pulse signal corresponding to the AND of these signals. and a drive means to which the AND pulse signal is input and which applies a high voltage to the piezo actuator only by the pulse signal.
上記のように構成されたピエゾアクチュエータの駆動装
置においては、ピエゾアクチュエータに高電圧を印加さ
せる第１の指令信号と所定周波数で発振するパルス信号
との論理積に相当する論理積パルス信号が出力される。In the piezo actuator drive device configured as described above, an AND pulse signal corresponding to the AND of the first command signal for applying a high voltage to the piezo actuator and a pulse signal that oscillates at a predetermined frequency is output. Ru.
駆動手段は、この論理積パルス信号に従って、ピエゾア
クチュエータに高電圧を印加し、ピエゾアクチュエータ
を駆動するように構成されている。ここで、万一駆動装
置内部の指令経路が断線したり、電源やアースと短絡し
て指令信号がボールドされたりすると、論理積手段から
は所定レベルを維持する信号が出力される。しかしなが
ら、駆動手段は、パルス信号によってのみ駆動されて、
ピエゾアクチュエータに高電圧を印加するように構成さ
れている。このため、上記のような異常が生じた場合は
、駆動手段によってピエゾアクチュエータに高電圧が印
加されることはなく、外部に常時高電圧を出力すること
を防止できる。The driving means is configured to drive the piezo actuator by applying a high voltage to the piezo actuator according to the AND pulse signal. Here, in the event that the command path inside the drive device is disconnected or the command signal is bolded due to a short circuit with the power source or ground, the AND means outputs a signal that maintains a predetermined level. However, the driving means are driven only by pulse signals,
The piezo actuator is configured to apply a high voltage to the piezo actuator. Therefore, when the above-mentioned abnormality occurs, high voltage is not applied to the piezo actuator by the driving means, and it is possible to prevent high voltage from being constantly output to the outside.
〔実施例〕次に、本発明の実施例を図面と共に説明する。〔Example〕Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
尚、本発明はこれらに限られるものではなく、その要旨
を逸脱しない範囲の種々の態様のものが含まれる。Note that the present invention is not limited to these, but includes various embodiments without departing from the scope of the invention.
第２図は本発明の一実施例であるピエゾアクチュエータ
の駆動装置を使用した車両用ショックアブソーバ制御装
置のシステム構成図である。FIG. 2 is a system configuration diagram of a vehicle shock absorber control device using a piezo actuator drive device according to an embodiment of the present invention.
図に示す如く、左右前後輪１，３，５．７のザスペンシ
ジンアーム１１，１３，１５．１７と車体２１との間に
は、コイルスプリング３１３３３５．３７と該コイルス
プリング３］、、３３．３５．３７に並設されたショッ
クアブソーバ４１゜４３．４５．４７とを有するサスペ
ンションが備えられている。As shown in the figure, between the suspension arms 11, 13, 15.17 of the left and right front and rear wheels 1, 3, 5.7 and the vehicle body 21, there are coil springs 313335.37 and the coil springs 3], 33. A suspension is provided with shock absorbers 41, 43, 45, 47 arranged in parallel.
上記ショックアブソーバ４１，４３．４５．４７の上部
には第３図に示す如くサスペンションアッパサポート５
１，５３，５５．５７が設けられ、上記ショックアブソ
ーバ４１，４３，４５，４７、コイルスプリング３１，
３３，３５．３７およびバウンドストッパ６１，６３，
６５．６７と車体２１との間の３つの荷重を受けている
。Above the shock absorbers 41, 43, 45, 47, there is a suspension upper support 5 as shown in FIG.
1, 53, 55, 57 are provided, the shock absorbers 41, 43, 45, 47, coil springs 31,
33, 35, 37 and bound stoppers 61, 63,
It is receiving three loads between 65 and 67 and the vehicle body 21.
ショックアブソーバ４１，４３，４５．４７と車体２１
との間の荷重の伝達は、シャフト４１ａ４３ａ、４５ａ
、４７ａを介してなされる。このシャフト４１ａ、４３
ａ、４５ａ、４７ａとサスペンションアッパサポート５
１，５３，５５．５７との間にはＰＺＴ等の圧電セラミ
ックスからなるピエゾ荷重センサ４１ｂ、４３ｂ、４５
ｂ、４７ｂが設けられている。従って、ショックアブソ
ーバ４１，４３，４５．４７にかかる荷重は、」１記ピ
エゾ荷重センサ４１ｂ、４３ｂ、４５ｂ、４７ｂの出力
により検出することができる。Shock absorbers 41, 43, 45, 47 and car body 21
The transmission of load between the shafts 41a, 43a, 45a
, 47a. These shafts 41a, 43
a, 45a, 47a and suspension upper support 5
Piezo load sensors 41b, 43b, 45 made of piezoelectric ceramics such as PZT are connected between 1, 53, 55, and 57.
b, 47b are provided. Therefore, the loads applied to the shock absorbers 41, 43, 45, and 47 can be detected by the outputs of the piezo load sensors 41b, 43b, 45b, and 47b.
更に、上記ショックアブソーバ４１，４３，４５．４７
は、その減衰力が可変となるよう構成されている。即ち
、第４図に示すごとく、ショックアブソーバ４１，４３
，４５．４７のシリンダ７１内にはアブソーバピストン
７３がその軸方向に摺動自在に設けられており、シリン
ダ７１の内部がピストン７３によって第１油圧室７５及
び第２油圧室７７に隔離されている。ピストン７３はビ
０ストンロッド７９の一端に設けられている。このピスト
ンロッド７９の他端はシャツＩ・８１の一端に固定され
ており、シャフト８１の他端はシリンダ７１の上端から
外方へ突出している。Furthermore, the above-mentioned shock absorbers 41, 43, 45.47
is constructed such that its damping force is variable. That is, as shown in FIG. 4, shock absorbers 41, 43
, 45.47, an absorber piston 73 is provided in the cylinder 71 so as to be slidable in its axial direction, and the inside of the cylinder 71 is separated by the piston 73 into a first hydraulic chamber 75 and a second hydraulic chamber 77. There is. The piston 73 is provided at one end of the piston rod 79. The other end of the piston rod 79 is fixed to one end of the shirt I-81, and the other end of the shaft 81 projects outward from the upper end of the cylinder 71.
ピストン７３には両袖圧室７５．７７を連通ずる伸び側
固定オリフィス８３及び縮み側固定オリフィス８５が設
けられ、これらの両オリフィス８３．８５にはその流通
方向を決めるためのバルブ８７．８９が係合している。The piston 73 is provided with a fixed orifice 83 on the extension side and a fixed orifice 85 on the contraction side that communicate the pressure chambers 75.77 on both sides, and valves 87.89 for determining the direction of flow are provided in both orifices 83.85. engaged.
従って、ピストン７３がシリンダ７１に対して、上下方
向に移動する時、第１及び第２油圧室７５．７７の圧力
油は固定オリフィス８３．８５を通って交互に移動する
ので、第５図に示す減衰力大の特性の減衰力を持つこと
になる。Therefore, when the piston 73 moves vertically with respect to the cylinder 71, the pressure oil in the first and second hydraulic chambers 75.77 moves alternately through the fixed orifices 83.85, so that as shown in FIG. It will have a damping force with a characteristic of large damping force as shown.
ピストンロッド７９内には軸方向に設けられた孔を有し
ており、その孔内に複数の圧電素子を積層してなるピエ
ゾアクチュエータ９１と可変オリフィス９３を構成する
センタロッド９５が設けられている。このピエゾアクチ
ュエータ９１はロッド７９内に設けられた円筒状の孔７
９ａ内に配設されており、その下端面にはピストン９７
が設けられている。ピストン９７はロット７９に対し軸
方向に摺動自在となっており、ビニシアクチユニ−ク９
１に数百ボルトを印加することにより図中下方に数十μ
ｍ移動される。ビニシアクチユニーク９１に印加されて
いる電圧を解除すればピエゾアクチュエータ９１は縮小
して元の長さに戻る。The piston rod 79 has a hole provided in the axial direction, and a piezo actuator 91 formed by stacking a plurality of piezoelectric elements and a center rod 95 that constitutes a variable orifice 93 are provided in the hole. . This piezo actuator 91 has a cylindrical hole 7 provided in a rod 79.
9a, and a piston 97 is disposed on its lower end surface.
is provided. The piston 97 is slidable in the axial direction relative to the rod 79, and the vinyl actuator unique 9
By applying several hundred volts to
m is moved. When the voltage applied to the vinyl actuator 91 is released, the piezo actuator 91 contracts and returns to its original length.
尚、ピエゾアクチュエータ９１はシャフト８１に軸方向
に設けられた孔８１ａに配設されるリード線（図示せず
）によって電圧が印加される。Note that a voltage is applied to the piezo actuator 91 through a lead wire (not shown) disposed in a hole 81a provided in the shaft 81 in the axial direction.
ピストン９７の下端面は０リング９９と圧接しており、
０リング９９はポンプ室１０１内の油を密封しており、
またピストン９７の移動により変形する。The lower end surface of the piston 97 is in pressure contact with the O-ring 99,
The O-ring 99 seals the oil in the pump chamber 101.
It is also deformed by the movement of the piston 97.
ピストンロッド７９の軸方向に沿って設けられる孔内に
は、可変オリフィス部９３の流路面積を調節するセンタ
ロット９５が摺動自在に挿入されて可変オリフィス９３
を構成している。センタロッド９５はその径方向の孔９
５ａと軸方向の孔９５ｂを有しており、可変オリフィス
９３のセンタ１２０ツド９５が図中下方へ移動すると可変オリフィス部９
３の流路面積が増大し、第１油圧室７５から第２油圧室
７７への流路９３，９５ａ、９５ｂ。A center rod 95 that adjusts the flow path area of the variable orifice portion 93 is slidably inserted into a hole provided along the axial direction of the piston rod 79 .
It consists of The center rod 95 has its radial hole 9
5a and an axial hole 95b, and when the center 120 head 95 of the variable orifice 93 moves downward in the figure, the variable orifice part 9
The flow path area of No. 3 is increased, and the flow paths 93, 95a, 95b from the first hydraulic chamber 75 to the second hydraulic chamber 77.
１０２を通る油量を増大させる。この結果、第５図の減
衰カルの特性の減衰力を持つことになる。Increase the amount of oil passing through 102. As a result, it has a damping force having the characteristics of the damping cull shown in FIG.
逆にロッド９５が上方へ移動すると、流路面積は減少す
る。ロッド９５の一端はスプリング１０３によって上方
に付勢され通常は流路面積小となるように設定しである
。Conversely, when the rod 95 moves upward, the flow path area decreases. One end of the rod 95 is urged upward by a spring 103 and is normally set to have a small flow path area.
上記センタロッド９５の」一端部は径が縮小されたロン
ド部９５ｃを持ち、上端が油密室１０１に面している。One end of the center rod 95 has a rounded portion 95c with a reduced diameter, and the upper end faces the oil-tight chamber 101.
０リング１０５は油密室１０１と第２油圧室７７とをシ
ールしている。即ち、ピエゾアクチュエータ９１に電圧
を印加して伸長させると、油密室１０１の油によりセン
タロッド９５がピストン９７とロッド９５ｃの面積比倍
のストロークでセンタロット９５を下方に移動させ、流
路を増大させる構成である。The O-ring 105 seals the oil-tight chamber 101 and the second hydraulic chamber 77. That is, when a voltage is applied to the piezo actuator 91 to cause it to expand, the oil in the oil-tight chamber 101 causes the center rod 95 to move downward with a stroke that is twice the area ratio of the piston 97 and the rod 95c, thereby increasing the flow path. This is a configuration that allows
上記ピエゾ荷重センサ４１ｂ、４３ｂ、４５ｂ。The piezo load sensors 41b, 43b, 45b.
４７ｂの出力信号は、前記第２図に示したごとく電子制
御回路１２０に入力される。また電子制御回路１２０に
は、ステアリングセンサ１２１、車速センサ１２２、ブ
レーキスイッチ１２４等からの出力信号も入力される。The output signal of 47b is input to the electronic control circuit 120 as shown in FIG. 2 above. The electronic control circuit 120 also receives output signals from a steering sensor 121, a vehicle speed sensor 122, a brake switch 124, and the like.
これらの信号を入力すると、電子制御回路１２０はその
内容に基づいて、ショックアブソーバ４１，４３，４５
．４７のピエゾアクチュエータ９１への電圧印加を調節
することにより、ショックアブソーバ４１，４３，４５
．４７の減衰力を制御する。When these signals are input, the electronic control circuit 120 controls the shock absorbers 41, 43, 45 based on the contents.
．． By adjusting the voltage application to the piezo actuator 91 of 47, the shock absorbers 41, 43, 45
．． 47 damping force is controlled.
次に上記電子制御回路１２０の構成を第６図に基づいて
説明する。Next, the configuration of the electronic control circuit 120 will be explained based on FIG. 6.
既述したピエゾ荷重センサ４１ｂ、４３ｂ、４５ｂ、４
７ｂからの出力信号は、各々ノ＼・ノファ１２０ｉ、１
２０ｊ、１２０に、１２０ｍに一時的に記憶され、マル
チプレクサ１２０ｎによって順次選択されてＡ／Ｄ変換
器１２０ｐにてＡ／Ｄ変換処理された後、マイクロコン
ピユータ（以下、ＭＣＵという）１２０ａに入力される
。The piezo load sensors 41b, 43b, 45b, 4 described above
The output signals from 7b are 120i and 120i, respectively.
20j, 120, and 120m, are sequentially selected by a multiplexer 120n and subjected to A/D conversion processing by an A/D converter 120p, and then input to a microcomputer (hereinafter referred to as MCU) 120a. .
また、ステアリングセンサ１２１、車速センサ１２２、
プレーキスインチ１２４等からの出力信３４−号は、波形整形回路１２０ｑを介して各々ＭＣＵ１２０
ａの入力ボートに入力される。In addition, a steering sensor 121, a vehicle speed sensor 122,
The output signals 3 4- from the playback inch 124 and the like are sent to the MCU 120 via the waveform shaping circuit 120q.
is input to the input port of a.
又、本実施例の特徴をなす、上記各ショックアブソーバ
４１，４３，４５．４７内のピエゾアクチュエータ９１
への印加電圧の制御は、以下の構成にてなされる。まず
、ＭＣＵ１２０ａによりピエゾアクチュエータ駆動指令
が２系統に分かれて出力され、一方は直接充放電駆動回
路１２０ｄに、他方はパルス発生回路１２０ｂに出力さ
れる。パルス発生回路１２０ｂは、ＭＣＵ１２０ａから
の指令を受けて、充放電駆動回路１２０ｄにパルス信号
を出力する。ピエゾアクチュエータ９１に印加する高電
圧ば、高電圧発生回路１２０ｃにて発生される。実際に
ピエゾアクチュエータ９１に高電圧を充電したり放電し
たりする切替えは、充放電駆動回路１２０ｄにて行われ
、ＭＣＵ１２０ａ及びパルス発生回路１２０ｂからの信
号の論理積であるパルス信号にて実行される。Moreover, the piezo actuator 91 in each of the above-mentioned shock absorbers 41, 43, 45, 47, which is a feature of this embodiment.
Control of the voltage applied to is performed by the following configuration. First, the MCU 120a outputs piezo actuator drive commands in two ways, one directly to the charge/discharge drive circuit 120d and the other to the pulse generation circuit 120b. The pulse generation circuit 120b receives a command from the MCU 120a and outputs a pulse signal to the charge/discharge drive circuit 120d. The high voltage applied to the piezo actuator 91 is generated by the high voltage generation circuit 120c. The switching between actually charging and discharging the piezo actuator 91 with a high voltage is performed by the charging/discharging drive circuit 120d, and is executed using a pulse signal that is the AND of the signals from the MCU 120a and the pulse generation circuit 120b. .
電源回路１２６は、通電ライン１２８と接続されており
、通電ライン１２８はキースイッチ１３０を介してパン
テリ１３２に接続されている。The power supply circuit 126 is connected to an energizing line 128, and the energizing line 128 is connected to a pantry 132 via a key switch 130.
以上のように構成された電子制御回路１２０が実行する
制御のフローヂャートを第７図に示す。FIG. 7 shows a flowchart of control executed by the electronic control circuit 120 configured as described above.
第７図において、ステップ５１０では必要なフラグ、変
数等の初期化が実行され、ステップ５２０に進む。ステ
ップ５２０では、マルチプレクサ１２Ｏｎ、Ａ／Ｄ変換
器１２０Ｐに対して制御信号が出力され、各ショックア
ブソーバ４１〜４７に配設された荷重センサ４１ｂ〜４
７ｂの検出信号が順次Ａ／Ｄ変換されて、ＭＣＵ１２０
ａに取り込まれる。ステップ５３０ては、ステアリング
センサ１２１、車速センサ１２２、ブレーキスイッチ１
２４からそれぞれ出力され、波形整形回路１２０ｇによ
って波形整形された検出信号が取り込まれる。ステップ
５４０では、車速センサ１２２から出力された検出信号
に基づき演算された車速値■、が零であるか、すなわち
車両が停止した状態であるか判別される。このとき、車
速値■８が零であれば、その後の処理は行われずステッ
プ５２０に戻る。車速値■、が零でなければステップ５
５０に進み、パルス発生許可信号をパルス発生回路１２
０ｂに対して出力する。ステップ５６０では、ショック
アブソーバ４１〜４７に対する減衰力制御が実行される
。すなわち、ステアリングセンサ１２１、車速センサ１
２２、ブレーキスイッチ１２４からの検出信号に基づき
、車両の運転状態を検出し、この運転状態に応じて各シ
ョックアブソーバ４１〜４７毎に減衰力変化率の上下限
値を設定するとともに、ピエゾ荷重センサ４１ｂ〜４７
ｂからの検出信号により、各ショックアブソーバ４１〜
４７の減衰力変化率を算出する。In FIG. 7, in step 510, necessary flags, variables, etc. are initialized, and the process proceeds to step 520. In step 520, a control signal is output to the multiplexer 12On and the A/D converter 120P, and the load sensors 41b to 4 disposed in each shock absorber 41 to 47
The detection signals of 7b are sequentially A/D converted and sent to the MCU 120.
taken into a. Step 530 includes the steering sensor 121, vehicle speed sensor 122, and brake switch 1.
24, and the detection signals whose waveforms have been shaped by the waveform shaping circuit 120g are taken in. In step 540, it is determined whether the vehicle speed value (2) calculated based on the detection signal output from the vehicle speed sensor 122 is zero, that is, whether the vehicle is in a stopped state. At this time, if the vehicle speed value 8 is zero, the process returns to step 520 without performing any subsequent processing. If the vehicle speed value ■ is not zero, step 5
50, the pulse generation permission signal is sent to the pulse generation circuit 12.
Output for 0b. In step 560, damping force control for the shock absorbers 41 to 47 is performed. That is, the steering sensor 121, the vehicle speed sensor 1
22. Based on the detection signal from the brake switch 124, the driving state of the vehicle is detected, and according to this driving state, the upper and lower limits of the damping force change rate are set for each shock absorber 41 to 47, and the piezo load sensor 41b-47
The detection signal from b causes each shock absorber 41 to
Calculate the damping force change rate of 47.
この算出された減衰力変化率が、設定された減衰力変化
率の上下限値から外れたとき、各ショックアブソーバ４
１〜４７の減衰力を小に切り換えるように制御する。つ
まり、減衰力の変化率が上下限値を外れたときに路面の
凹凸を検出し、このような場合には各ショックアブソー
バ４１〜４７の減衰力を小にすることで、路面の凹凸に
よる車体振動を抑え、車両の乗心地を改善するものであ
る。When this calculated rate of change in damping force deviates from the upper and lower limits of the set rate of change in damping force, each shock absorber 4
The damping force of 1 to 47 is controlled to be switched to a small value. In other words, the unevenness of the road surface is detected when the rate of change of the damping force is outside the upper and lower limits, and in such a case, the damping force of each shock absorber 41 to 47 is reduced to prevent the vehicle body from being affected by the unevenness of the road surface. This suppresses vibration and improves vehicle ride comfort.
また、上記ステップ５４０では車両が走行中であるか停
止中であるかを判別し、車両が走行中であるときのみス
テップ５５０にてパルス発生許可信号を発生するように
している。つまり、車両の走行中には運転者等がショッ
クアブソーバ４１〜４７付近に手を触れる可能性が非常
に低いため、ピエゾアクチュエータ９１への高電圧の印
加を許可している。また、逆に車両停止時には、万一に
備えてパルス発生許可信号の出力を禁止し、高電圧が駆
動回路１２０ｄから外部に出力されないようにしている
のである。Further, in step 540, it is determined whether the vehicle is running or stopped, and the pulse generation permission signal is generated in step 550 only when the vehicle is running. In other words, since there is a very low possibility that the driver or the like will touch the vicinity of the shock absorbers 41 to 47 while the vehicle is running, application of high voltage to the piezo actuator 91 is permitted. Conversely, when the vehicle is stopped, the output of the pulse generation permission signal is prohibited just in case, so that high voltage is not output from the drive circuit 120d to the outside.
次に、本実施例の特徴をなすパルス発生回路１２０ｂ、
高電圧発生回路１２０Ｃ１充放電駆動回路１２０ｄにつ
いて、第８図〜第１２図を用いて詳しく説明する。Next, a pulse generation circuit 120b, which is a feature of this embodiment,
The high voltage generation circuit 120C1 charging/discharging drive circuit 120d will be explained in detail using FIGS. 8 to 12.
まず、第８図に高電圧発生回路１２０Ｃの詳細を示す。First, FIG. 8 shows details of the high voltage generation circuit 120C.
第８図では、スイッチングレギュレータＩＣ（日本電気
製品番ｕｐｃ４９４）２０１をシングルモードで使用し
ており、フライバックトランス２００の１次側コイルＬ
、に流れる電流をＦＥＴ２０２にてスイッチングするこ
とにより、バフッテリ電圧十Ｂにより高電圧を発生させる。１次側電流
のスイッチングにより、フライバックトランス２００の
２次側に誘起された電流は、整流ダイオード２０４及び
２０５にて整流され、その電荷は静電エネルギーの形で
コンデンサ２０６及び２０７に蓄えられる。ここで、２
次側十ＨＶは、抵抗２０８と２０９にて分圧された２Ｖ
〜３Ｖの信号が、レギュレータＩＣ２０１にフィードバ
ックされることにより、−１−５００Ｖに保たれる。又
、２次側−ＨＶは、２次側→−ＨＶを発生させるコイル
Ｌ２と−ＨＶを発生させるコイルＬ３の巻数比をＬ２＝
Ｌ３＝５ ： １とすることにより、−１００Ｖの高電
圧を得ることができる。この＋ＨＶ＝５００ｖは、ビニ
シアクチ１エータ９１を伸長させる時に印加する第１の
高電圧であり、−ＨＶ−−１００■は、ピエゾアクチュ
エータ９１を伸縮させる時に印加する第２の高電圧であ
る。この高電圧発生回路１２０Ｃにて発生した＋５００
Ｖ、 −１００■の高電圧は、後述する充放電駆動回路
１２０ｄに供給される。In FIG. 8, the switching regulator IC (Nippon Electric Product No. UPC494) 201 is used in single mode, and the primary coil L of the flyback transformer 200
By switching the current flowing through the FET 202, a high voltage is generated with a buffer voltage of 1 B. A current induced on the secondary side of the flyback transformer 200 by switching the primary current is rectified by the rectifier diodes 204 and 205, and the electric charge is stored in the capacitors 206 and 207 in the form of electrostatic energy. Here, 2
The next 1HV is 2V divided by resistors 208 and 209.
The ~3V signal is kept at -1-500V by being fed back to the regulator IC201. In addition, for the secondary side -HV, the turns ratio of the coil L2 that generates -HV and the coil L3 that generates -HV is L2 =
By setting L3=5:1, a high voltage of -100V can be obtained. The +HV=500v is the first high voltage applied when the vinyl actuator 91 is extended, and -HV--100v is the second high voltage applied when the piezo actuator 91 is extended or contracted. +500 generated by this high voltage generation circuit 120C
The high voltage of -100V is supplied to a charge/discharge drive circuit 120d, which will be described later.
次に、パルス発生回路１２０ｂについて、第９図、第１
０図を用いて説明する。Next, regarding the pulse generation circuit 120b, FIG.
This will be explained using Figure 0.
パルス発生回路１２０ｂは、ＭＣＵ１２０ａから出力さ
れたパルス発生許可信号に基づき、充放電駆動回路１２
０ｄにパルス信号を出力したり、中止したりする機能を
有している。パルス発生回路１２０ｂは、主として発振
回路３００と異常検出回路３５０とから構成されている
。発振回路３００は日本電気製ＩＣ（品番ｕｐｃ１５５
５）を用いて構成され、図中Ｂ点の出力信号は、ＭＣＵ
１２０ａからのＬｏｗレベルのパルス発生許可信号とＯ
Ｒゲート３０１にてＯＲされて（図中Ｃ点）、異常検出
回路３５０の初段トランジスタ３０２のベースに接続さ
れている。異常検出回路３５０では、初段のトランジス
タ３０２が発振回路３００の出力信号に基づいてオン／
オフ駆動されている時は、図中Ｃ点のパルス波形のレベ
ル反転したパルス信号が図中Ｅ点より出力され、後述す
る充放電駆動回路１２０ｄに入力される。また、初段の
トランジスタ３０２がオン／オフ駆動されている９０時には、初段トランジスタ３ｏ２がコンデンサ３０４に
蓄えられた電荷を抵抗３０７、ダイオード３０９を介し
て放電している。なお、ＭＣＵ１２０ａからのパルス発
生許可信号をＨｉｇｈレヘルの信号とするときには、Ｏ
Ｒゲート３０１に代えてＡＮＤゲートを用いれば良い。The pulse generation circuit 120b controls the charging/discharging drive circuit 12 based on the pulse generation permission signal output from the MCU 120a.
It has a function to output or stop a pulse signal at 0d. The pulse generation circuit 120b mainly includes an oscillation circuit 300 and an abnormality detection circuit 350. The oscillation circuit 300 is an IC made by NEC (product number UPC155)
5), and the output signal at point B in the figure is the MCU
The low level pulse generation permission signal from 120a and O
It is ORed by an R gate 301 (point C in the figure) and connected to the base of the first stage transistor 302 of the abnormality detection circuit 350. In the abnormality detection circuit 350, the first stage transistor 302 is turned on/off based on the output signal of the oscillation circuit 300.
When the device is off-driven, a pulse signal obtained by inverting the level of the pulse waveform at point C in the figure is output from point E in the figure and input to a charge/discharge drive circuit 120d, which will be described later. Furthermore, when the first-stage transistor 302 is turned on/off (90), the first-stage transistor 3o2 discharges the charge stored in the capacitor 304 via the resistor 307 and the diode 309. Note that when the pulse generation permission signal from the MCU 120a is set to a High level signal, the O
An AND gate may be used instead of the R gate 301.
そして、例えば初段トランジスタ３０２がオフの状態で
ホールドされる異常が発生した場合、コンデンサ３０４
の電荷を放電する経路が絶たれ、抵抗３０６を介してコ
ンデンサ３０４に電荷が徐々に蓄えられる。このコンデ
ンサ３０４の端子電圧が、ツェナーダイオード３０５の
降伏電圧を越えると、トランジスタ３０３がオンとなり
、パルス発生回路１２０ｂの出力（図中Ｅ点）はＬ ｏ
ｗ状態にホールドされる構成となっている。For example, if an abnormality occurs in which the first stage transistor 302 is held in an off state, the capacitor 304
The path for discharging the charge is cut off, and the charge is gradually stored in the capacitor 304 via the resistor 306. When the terminal voltage of this capacitor 304 exceeds the breakdown voltage of the Zener diode 305, the transistor 303 is turned on and the output of the pulse generating circuit 120b (point E in the figure) becomes Lo
It is configured to be held in the w state.
第９図に示したパルス発生回路１２０ｂの作動を第１０
図を用いて説明する。The operation of the pulse generating circuit 120b shown in FIG.
This will be explained using figures.
通常、発振回路３００は図中（ｂ）に示す如く、所定周
波数で発振するパルス信号を発生（例えば、１０ ＫＨ
ｚ−１００Ｋｌｆｚ程度）しているが、ＭＣＵ１２０ａ
からのパルス発生許可信号（図中（ａ））がＨｒ ｇ
ｈレベルの時は、発振回路３００の出力に関係なく第９
図中Ｃ点のレベルはＨ４ｇｈとなり（図中（Ｃ）Ｌパル
ス発生回路出力点であるＥ点は、レベルＬｏｗとなる（
図中（ｅ））。ここで、ＭＣＵ１２０ａよりパルス信号
を発生してもよいというＬｏｗレベルのパルス発生許可
信号を受けると、ＯＲゲート３０１は発振回路３００の
出力パルス信号を優先して出力する。その結果、パルス
発生回路Ｅ点より充放電駆動回路１２０ｄヘパルス信号
が出力される。第１０図中、時刻ｔ。で例えば発振回路
３００に異常が発生して、出力がＬｏｗ状態でホールド
されると、異常検出回路３５０の初段トランジスタ３０
２がオフ状態となるため、コンデンサ３０４の放電経路
は絶たれ、第９図中り点の電圧が徐々に上昇する（図中
（ｄ））。このＤ点の電圧がツェナーダイオード３０５
の降伏電圧に達すると、トランジスタ３０３がオンする
というタイマ回路が作動し、パルス発生回路１２０ｂの
出力点Ｅ点はＬｏｗレヘルにホールドされる。Normally, the oscillation circuit 300 generates a pulse signal that oscillates at a predetermined frequency (for example, 10 KH), as shown in (b) in the figure.
z-100Klfz), but MCU120a
The pulse generation permission signal ((a) in the figure) from Hr g
At the h level, regardless of the output of the oscillation circuit 300, the 9th
The level at point C in the figure becomes H4gh ((C) in the figure) The level E, which is the output point of the L pulse generation circuit, becomes low (
(e) in the figure). Here, upon receiving a low-level pulse generation permission signal indicating that a pulse signal may be generated from the MCU 120a, the OR gate 301 outputs the output pulse signal of the oscillation circuit 300 with priority. As a result, a pulse signal is output from point E of the pulse generation circuit to the charge/discharge drive circuit 120d. In FIG. 10, time t. For example, if an abnormality occurs in the oscillation circuit 300 and the output is held in a low state, the first stage transistor 30 of the abnormality detection circuit 350
2 is turned off, the discharge path of the capacitor 304 is cut off, and the voltage at the middle point in FIG. 9 gradually increases ((d) in the figure). This voltage at point D is the Zener diode 305
When the breakdown voltage of 1 is reached, a timer circuit is activated in which the transistor 303 is turned on, and the output point E of the pulse generating circuit 120b is held at the Low level.
１２本実施例では、ＭＣＵ１２０ａからのパルス発生許可信
号のレベルがＬ ｏ ｗの時、パルス発生回路１２０ｂ
はアクティブ状態となり、Ｅ点より後述する充放電駆動
回路１２０ｄにパルス信号を出力する。又、Ｅ点より出
力されるパルス信号のレベルがＨｉ ｇ ｈの時、後述
する充放電駆動回路１２０ｄがアクティブ状態になるよ
う構成されているため、ＭＣＵ１２０ａからのパルス発
生許可信号レベルがＨｉ ｇ ｈの時や、発振回路３０
０に異常が発生して出力パルスが停止した場合、Ｅ点ば
Ｌｏｗレベルに保持され、後述される充放電駆動回路１
２０ｄの作動を停止することができる。1 2 In this embodiment, when the level of the pulse generation permission signal from the MCU 120a is Low, the pulse generation circuit 120b
becomes active and outputs a pulse signal from point E to a charging/discharging drive circuit 120d, which will be described later. Furthermore, when the level of the pulse signal output from point E is High, the charging/discharging drive circuit 120d, which will be described later, is configured to be in an active state, so that the level of the pulse generation permission signal from the MCU 120a is High. When the oscillation circuit 30
If an abnormality occurs at point E and the output pulse stops, point E is held at a low level, and the charging/discharging drive circuit 1 described later
20d can be deactivated.
次に、充放電駆動回路１２０ｄの構成及び作動について
、第１１図及び第１２図を用いて詳しく説明する。Next, the configuration and operation of the charge/discharge drive circuit 120d will be explained in detail using FIG. 11 and FIG. 12.
ピエゾアクチュエータ９１に＋５００Ｖを印加（充電）
する作動は、ＭＣＵ１２０ａからの充電指令信号（第１
２図でａ））とパルス発生回路１２０Ｃからのパルス信
号（第１２図（Ｃ））をＡＮＤゲー１−４００で受けて
（第１２図（ｄ））、ドライブトランス４０４の１次側
電流をスイッチングするトランジスタ４０６をオン／オ
フ駆動することにより、ドライブトランス４０４の２次
側にエネルギーを誘起させ、充電用トランジスタ４１７
をオンさせることによりなされる（第１２図（ｆ））。Apply +500V to piezo actuator 91 (charge)
This operation is performed by a charging command signal (first
In Fig. 2, a)) and a pulse signal from the pulse generation circuit 120C (Fig. 12 (C)) are received by the AND gate 1-400 (Fig. 12 (d)), and the primary current of the drive transformer 404 is By turning on/off the switching transistor 406, energy is induced on the secondary side of the drive transformer 404, and the charging transistor 417
This is done by turning on (FIG. 12(f)).
充電用トランジスタ４１７の駆動は、ドライブトランス
４０４の１次側の電流を繰り返しスイッチングして得ら
れたエネルギーを一旦平滑用コンデンサ４１０に静電エ
ネルギーの形で蓄え、該エネルギーを抵抗４１２を介し
て充電用トランジスタのベースに供給することによりな
される。充電用トランジスタ４１７がオンすると、高電
圧発生回路１２０Ｃの第１の高電圧である＋５００Ｖが
抵抗４１９、充電用トランジスタ４１７、抵抗４２０を
介してピエゾアクチュエータ９１に印加（充電）される
。The charging transistor 417 is driven by repeatedly switching the primary current of the drive transformer 404, storing the energy obtained in the form of electrostatic energy in the smoothing capacitor 410, and charging the energy through the resistor 412. This is done by supplying the base of the transistor. When the charging transistor 417 is turned on, +500V, which is the first high voltage of the high voltage generating circuit 120C, is applied (charged) to the piezo actuator 91 via the resistor 419, the charging transistor 417, and the resistor 420.
抵抗４１９，４２０は、充電時の充電電流を制限するた
めのものであり、ピエゾアクチュエータの静電容量との
積で表現される定数が０．１ ｍ５ｅｃ〜１０ ｍ５ｅ
ｃとなるような抵抗値が望ましい。The resistors 419 and 420 are for limiting the charging current during charging, and the constant expressed by the product with the capacitance of the piezo actuator is 0.1 m5ec to 10 m5e.
It is desirable to have a resistance value of c.
ドライブトランス４０４の１次側のプルアップ抵抗４０
２ば、ドライブトランス４０４の１次側電流のピーク値
を制限するものであり、ドライブ１−ランス４０４の１
次側コイルの両端に接続されたコンデンサ４３０は、ト
ランジスタ４０６のオフ時に発生するサージを吸収し、
トランジスタ４０６の耐電圧を越えないよう保護してい
る。Pull-up resistor 40 on the primary side of the drive transformer 404
2, it limits the peak value of the primary current of the drive transformer 404, and
A capacitor 430 connected to both ends of the next coil absorbs the surge that occurs when the transistor 406 is turned off.
This protects the transistor 406 from exceeding its withstand voltage.
以上のように、ピエゾアクチュエータ９１への高電圧印
加は、トランジスタ４０６を繰り返しスイッチングする
ことによりなされる構成としている。このため、ＭＣＵ
１２０ａからの充電指令信号がＬｏｗレヘレベホールド
される異常や、パルス発生回路１２０ｂからの出力信号
がＬｏｗレベルにホールドされる異常が発生ずると、充
電用１〜ランジスタ４１７がオンされず、高電圧を外部
に出力するようなことはない。As described above, high voltage is applied to the piezo actuator 91 by repeatedly switching the transistor 406. For this reason, MCU
If an abnormality occurs in which the charging command signal from the pulse generation circuit 120a is held at a low level or an abnormality in which the output signal from the pulse generation circuit 120b is held at a low level, charging 1 to transistor 417 will not be turned on and the high voltage will not be turned on externally. There is no output to .
又、本実施例では、ＭＣＵ１２０ａからの充電指令信号
が、直接ＭＣＵ１２０ａからＡＮＤゲート４００に入力
される系統と、前述のパルス発生回路１２０ｂにてパル
ス信号に変換されてＡＮＤゲート４００に入力される系
統の２系統を設け、それぞれの信号の論理積にてトラン
ジスタ４０６がオンするように構成されている。このた
め、いずれかの指令系統に異常が発生しても、トランジ
スタ４０６がオンしない。更に、前述した如く、パルス
発生回路１２０ｂはトランジスタ３０２がオンするモー
トで故障した場合、自らトランジスタ４０６がオフする
Ｌｏｗレベル信号を出力する異常検出回路３５０を備え
ているため、トランジスタ４０６がオン状態ではホール
トされることはない。この結果、ドライブトランス４０
４の巻線径をむやみに太くしたり、プルアップ抵抗４０
２を大型のものを採用したりする必要がなく、回路をコ
ンパクトにできる。Furthermore, in this embodiment, there are two systems in which the charging command signal from the MCU 120a is input directly from the MCU 120a to the AND gate 400, and another system in which the charge command signal is converted into a pulse signal by the pulse generation circuit 120b and input to the AND gate 400. Two systems are provided, and the transistor 406 is turned on by the logical product of the respective signals. Therefore, even if an abnormality occurs in any command system, the transistor 406 will not be turned on. Furthermore, as described above, the pulse generation circuit 120b includes an abnormality detection circuit 350 that outputs a low level signal that turns off the transistor 406 when the transistor 302 is turned on and the transistor 406 turns off. It will not be halted. As a result, drive transformer 40
4. Make the winding diameter unnecessarily thick or use a pull-up resistor of 40 mm.
There is no need to adopt a large size 2, and the circuit can be made compact.
一方、ピエゾアクチュエータを一１００■に充電する作
動は、＋５００Ｖの充電時の作動と全く同じように、Ｍ
ＣＵ１２０ａからの放電指令信号（第１２図（ｂ））と
パルス発生回路１２０ｂからのパルス信号（第１２図（
Ｃ））の論理積信号（第１２図（ｅ））にてトランジス
タ４０７をスイッチングして、放電用トランジスタ４１
８をオンさせること５６によりなされる。この場合、ピエゾアクチュエータ９１
は、抵抗４２０、ダイオード４１４、放電用トランジス
タ４１８、抵抗４２１を介して、高電圧発生回路１２０
Ｃの第２の高電圧であるーＨＶ＝−１００■に充電され
る（第１２図（ｆ））。On the other hand, the operation to charge the piezo actuator to -100V is exactly the same as the operation when charging +500V.
The discharge command signal from the CU 120a (FIG. 12(b)) and the pulse signal from the pulse generation circuit 120b (FIG. 12(b))
C)) The transistor 407 is switched by the AND signal (FIG. 12(e)), and the discharging transistor 41
This is done by turning on 8 5 6 . In this case, the piezo actuator 91
is connected to the high voltage generation circuit 120 via a resistor 420, a diode 414, a discharge transistor 418, and a resistor 421.
The battery is charged to the second high voltage of C (-HV=-100) (FIG. 12(f)).
ここで、抵抗４２４、ダイオード４２３、ダイオード４
２５の素子で構成される過電圧保護回路４２２は、ピエ
ゾアクチュエータ９１に＋５００Ｖの電圧が印加されて
いる時に、走行路面の変動等の外力により、ピエゾアク
チュエータ９工に更に大きな電圧が発生する事による充
電トランジスタ４１７の破損を防いだり、電子制御回路
１２０に電源が供給されていない時に温度変化等によっ
てピエゾアクチュエータ９１端子に負の電圧が長時間発
生することに起因する圧電素子の分極劣化を防ぐ等の役
割を有している。又、ダイオード４２３、抵抗４２４は
、−旦ピエヅアクチュエータ９１を一１００■に放電し
た後（例えば３０ｍ５ｅｃ間）、充電用トランジスタ４
１７と放電用トランジスタ４１８とを共にオフさせるこ
とにより、ピエゾアクチュエータ９１を０■に保持（第
１２図げ））するためのＯ■保持電流の経路としても機
能している。従って、減衰力を切替える必要のない通常
時は、充放電駆動回路１２０ｄからは高電圧は出力され
ず、ピエゾアクチュエータ９１の端子電圧はＯ■に保持
されている。Here, resistor 424, diode 423, diode 4
The overvoltage protection circuit 422, which is composed of 25 elements, prevents charging when a larger voltage is generated in the piezo actuator 9 due to an external force such as a change in the running road surface when a voltage of +500V is applied to the piezo actuator 91. To prevent damage to the transistor 417 and to prevent polarization deterioration of the piezoelectric element caused by negative voltage being generated at the piezo actuator 91 terminal for a long time due to temperature changes when power is not supplied to the electronic control circuit 120, etc. It has a role. In addition, the diode 423 and the resistor 424 are connected to the charging transistor 4 after discharging the piezo actuator 91 to -100 cm (for example, for 30 m5ec).
By turning off both the transistor 17 and the discharge transistor 418, it also functions as a path for the O2 holding current to hold the piezo actuator 91 at 0 (see Figure 12). Therefore, in normal times when there is no need to switch the damping force, no high voltage is output from the charge/discharge drive circuit 120d, and the terminal voltage of the piezo actuator 91 is maintained at O■.
また、本実施例では、ピエゾアクチュエータ９１を＋５
００Ｖに充電する電流を制限する抵抗を第１１図に示す
如く、抵抗４１９と抵抗４２０の２ケ所に分けて配設し
、又、ピエゾアクチュエータ９１を一１００■に放電す
る電流を制限する抵抗を、抵抗４２０、抵抗４２１の２
ケ所に分けて配設するよう構成している。これにより、
通常は充電用トランジスタ４１７と放電用トランジスタ
４１８は、いずれか一方のみがオン、又は共にオフとい
う状態になるが、充放電用トランジスタ４１７．４１８
両方ともに同時にオンするような異常が発生した場合に
おいても、＋５００Ｖ高電圧と一１００Ｖ高電圧を直接
ショートさせることもなく、充・放電トランジスタ４］
、７，４１８や高電圧発生回路１２０Ｃを破損させるこ
とはない。In addition, in this embodiment, the piezo actuator 91 is +5
As shown in FIG. 11, a resistor that limits the current charging to 00V is placed in two places, a resistor 419 and a resistor 420, and a resistor that limits the current that discharges the piezo actuator 91 to -100V is installed. , resistor 420, resistor 421 2
It is structured so that it is divided into several locations. This results in
Normally, only one of the charging transistor 417 and the discharging transistor 418 is turned on, or both are turned off, but the charging and discharging transistors 417 and 418
Even if an abnormality occurs in which both are turned on at the same time, there will be no direct short-circuit between the +500V high voltage and the -100V high voltage, and the charging/discharging transistor 4]
, 7,418 or the high voltage generating circuit 120C.
すなわち、放電用トランジスタ４１８のコレクタを、充
電用トランジスタ４１７のベースに接続して、ピエゾア
クチュエータ９１の放電経路を抵抗４２０→充電用トラ
ンジスタ４１７のエミッターダイオード４１４→充電用
トランジスタ４１８のベース→放電用トランジスタ４１
８のコレクタという経路として構成しているため、放電
用トランジスタ４１８がオン状態では、充電用トランジ
スタ４１７のベース電位はエミッタ電位よりダイオード
４１４のＶＦ分低くなり、充電用トランジスタ４１７を
強制的にオフさせている。このため、充電用トランジス
タ４１７と放電用トランジスタ４１８が共に同時にオン
することを防止できる。That is, the collector of the discharging transistor 418 is connected to the base of the charging transistor 417, and the discharging path of the piezo actuator 91 is connected to the resistor 420 → the emitter diode 414 of the charging transistor 417 → the base of the charging transistor 418 → the discharging transistor. 41
When the discharging transistor 418 is on, the base potential of the charging transistor 417 becomes lower than the emitter potential by the VF of the diode 414, forcing the charging transistor 417 to turn off. ing. Therefore, it is possible to prevent both the charging transistor 417 and the discharging transistor 418 from turning on at the same time.
なお、充電用トランジスタ４１７及び放電用トランジス
タ４１８のベース・エミッタ間に接続されたコンデンサ
４１５やコンデンサ４１６は、ピエゾアクチュエータ９
１を充電・放電させる際、充・放電電流の立上りをなま
すために挿入されたコンデンサであり、ピエゾアクチュ
エータ９１が伸縮する時の作動音の低減や自動車に搭載
されているラジオへのノイズ重畳を防止するためのもの
である。Note that the capacitor 415 and capacitor 416 connected between the base and emitter of the charging transistor 417 and the discharging transistor 418 are connected to the piezo actuator 9.
This is a capacitor inserted to smooth the rise of the charging/discharging current when charging/discharging the piezo actuator 91.It reduces the operating noise when the piezo actuator 91 expands and contracts, and prevents noise from being superimposed on the radio installed in the car. This is to prevent
以上説明したように本発明によれば、ピエゾアクチュエ
ータの駆動装置内部における指令経路や指令信号自体に
異常が生した場合でも、ピエゾアクチュエータを駆動す
る高電圧が駆動装置から外部に常時出力されることを確
実に防止することができ、駆動装置の安全性、信軌性を
向上させることができる。As explained above, according to the present invention, even if an abnormality occurs in the command path or the command signal itself inside the piezo actuator drive device, the high voltage that drives the piezo actuator is always output from the drive device to the outside. can be reliably prevented, and the safety and reliability of the drive device can be improved.
第１図は本発明の構成を示すブロック図、第２図は本発
明の１実施例を減衰力制御装置に用いた場合における減
衰力制御装置の全体の構成を示す構成図、第３図は第２
図に示したショックアブソーバに配設されたピエゾ荷重
センサの位置を示すショックアブソーバの一部断面図、
第４図は第２９−０図に示したショックアブソーバの要部断面図、第５図は
減衰力とピストン速度との関係を表す特性図、第６図は
電子制御回路のブロック図、第７図は第６図に示す電子
制御回路の制御手順を示すフローチャー１・、第８図は
第６図に示した高電圧発生回路の回路構成図、第９図は
第６図に示したパルス発生回路の回路構成図、第１０図
（ａ）、 （ｂｌ （Ｃ）（ｄ）、 （ｅ）はパルス発
生回路の作動を説明するタイムチャート、第１１図は第
６図に示した充放電駆動回路の回路構成図、第１２図は
充放電駆動回路の作動を説明するタイムチャートである
。４１〜４７・・・ショックアブソーバ、９１・・・ピエ
ゾアクチュエータ、１２０ａ・・・駆動指令出力回路。１２０ｂ・・・パルス発生回路、１２０ｃ・・・高電圧
発生回路、１２０ｄ・・・充放電駆動回路、１２２・・
・車速センサ。FIG. 1 is a block diagram showing the structure of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the overall structure of a damping force control device when one embodiment of the present invention is used in the damping force control device, and FIG. Second
A partial cross-sectional view of the shock absorber showing the position of the piezo load sensor installed in the shock absorber shown in the figure.
Figure 4 is a sectional view of the main parts of the shock absorber shown in Figure 29-0, Figure 5 is a characteristic diagram showing the relationship between damping force and piston speed, Figure 6 is a block diagram of the electronic control circuit, and Figure 7 is a diagram showing the relationship between damping force and piston speed. The figure shows a flowchart 1 showing the control procedure of the electronic control circuit shown in Fig. 6, Fig. 8 is a circuit configuration diagram of the high voltage generation circuit shown in Fig. 6, and Fig. 9 shows the pulse pulse shown in Fig. 6. The circuit configuration diagram of the pulse generation circuit, Figures 10 (a), (C), (d), and (e) are time charts explaining the operation of the pulse generation circuit, and Figure 11 shows the charging and discharging shown in Figure 6. A circuit configuration diagram of the drive circuit, and FIG. 12 is a time chart explaining the operation of the charge/discharge drive circuit. 41 to 47... shock absorber, 91... piezo actuator, 120a... drive command output circuit. 120b...Pulse generation circuit, 120c...High voltage generation circuit, 120d...Charge/discharge drive circuit, 122...
・Vehicle speed sensor.
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262659AJPH03124274A (en) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | Driving device for piezo actuator |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262659AJPH03124274A (en) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | Driving device for piezo actuator |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124274Atrue JPH03124274A (en) | 1991-05-27 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1262659APendingJPH03124274A (en) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | Driving device for piezo actuator |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124274A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002136158A (en)* | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Nippon Soken Inc | Anomaly detector for piezoelectric actuator |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002136158A (en)* | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Nippon Soken Inc | Anomaly detector for piezoelectric actuator |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
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