【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、リードフレームとその製造方法に関する。[Detailed description of the invention][Industrial application field]The present invention relates to a lead frame and a method for manufacturing the same.
［従来の技術とその課題］リードフレームにＩＣチップを実装する場合、ワイヤー
ボンディング精度及びインナーリードのボンダビリティ
−の問題から、インナーリードには所定面積を確保する
必要がある。また、高密度実装及び高密度配線のために
、薄く、ピン数が多く、放熱性が高く、かつ、実装がし
やすい等の要求を満足する半導体素子が望まれている。[Prior Art and its Problems] When mounting an IC chip on a lead frame, it is necessary to ensure a predetermined area for the inner leads due to wire bonding accuracy and bondability of the inner leads. Furthermore, for high-density packaging and high-density wiring, there is a demand for semiconductor elements that are thin, have a large number of pins, have high heat dissipation, and are easy to mount.
このような要求に対し、素子厚みに関しては、ＩＣチッ
プを削らずに樹脂封止した場合の最小の薄さであるｌ１
１Ｂに近づけようとする努力がなされている。In response to these demands, the element thickness is 11, which is the minimum thickness when the IC chip is sealed with resin without being shaved.
Efforts are being made to bring it closer to 1B.
このためには、各部品の厚みを個々に薄くする必要があ
る。例えば、半導体素子全体の厚みを１１１１１１以下
にするには、ＩＣチップの厚みが４００μｍである時、
封止樹脂の厚さを樹脂の封止時の粘度をできるだけ下げ
ることにより約４５０μｍとしたとしても、リードフレ
ームの厚みを１５０μｍ以下にしなくてはならない。リ
ードフレームの厚みを１５０μｍ以下にするためには、
厚みが８０ないし１２０μｍのリードフレーム材を使用
しなければならない。For this purpose, it is necessary to individually reduce the thickness of each component. For example, in order to reduce the thickness of the entire semiconductor element to 111111 or less, when the thickness of the IC chip is 400 μm,
Even if the thickness of the sealing resin is reduced to about 450 μm by lowering the viscosity of the resin as much as possible during sealing, the thickness of the lead frame must be 150 μm or less. In order to reduce the thickness of the lead frame to 150 μm or less,
Lead frame material with a thickness of 80 to 120 μm must be used.
しかしながら、このように薄いリードフレーム材を用い
ることにより、エツチング加工における寸法精度は上が
り、多ピン化が実現できるが、アウターリードの曲げ強
度が現行のＥＩＡＪ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｄｕ
ｓｔｒｉｅｓ Ａｓ５ｏｃ１ａｔ１ｏｎ ｏｆ’ Ｊａ
ｐａｎ）等の規格を満足できない欠点を持つ。したがっ
て、アウターリードの曲げ強度等を満足するためには、
リードフレーム材の板厚を１２５ないし１５０μｍにし
なければならず、半導体素子の薄型化の要望に沿うこと
ができなかった。However, by using such a thin lead frame material, the dimensional accuracy in etching processing can be improved and a large number of pins can be realized, but the bending strength of the outer lead is lower than that of the current EIAJ (Electronic Industrial Manufacturing System).
stries As5oc1at1on of'Ja
It has the disadvantage that it cannot meet the standards such as PAN). Therefore, in order to satisfy the bending strength etc. of the outer lead,
The thickness of the lead frame material had to be 125 to 150 μm, which made it impossible to meet the demand for thinner semiconductor devices.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、板厚
の薄いリードフレーム材を使用しても充分なアウターリ
ードの曲げ強度等が得られるり−ドフレーム及びその製
造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and provides a lead frame and a method for manufacturing the same, in which sufficient bending strength of the outer lead can be obtained even when a thin lead frame material is used. With the goal.
［課題を解決するための手段］本発明は、半導体を搭載するためのマウント部と、該マ
ウント部の周囲に位置し、前記マウント部上の半導体素
子とワイヤボンディングによって電気的に接続されるイ
ンナーリード部と、該インナーリード部と一体的に形成
され、前記インナーリード部を支持するアウターリード
部とを具備するリードフレームにおいて、前記アウター
リード部上に金属被着層を設けたことを特徴とするリー
ドフレームを提供する。[Means for Solving the Problems] The present invention includes a mount portion for mounting a semiconductor, and an inner layer located around the mount portion and electrically connected to a semiconductor element on the mount portion by wire bonding. A lead frame comprising a lead part and an outer lead part integrally formed with the inner lead part and supporting the inner lead part, characterized in that a metal adhesion layer is provided on the outer lead part. We provide lead frames for
また、本発明は、リードフレーム材にマスクパターンを
形成する工程と、マスクパターンが形成された該リード
フレーム材にエツチング、を施してリードフレーム本体
を形成する工程と、該リードフレーム本体のマウント部
及びインナーリード部にボンディング用の金属被着層を
施す工程と、前記リードフレーム本体のアウターリード
部のみに強度向上用の金属被着層を施す工程とを具備す
るリードフレームの製造方法を提供する。The present invention also provides a step of forming a mask pattern on a lead frame material, a step of etching the lead frame material on which the mask pattern is formed to form a lead frame body, and a mount portion of the lead frame body. and providing a method for manufacturing a lead frame, comprising the steps of applying a metal adhesion layer for bonding to the inner lead part, and applying a metal adhesion layer for strength improvement only to the outer lead part of the lead frame main body. .
ここで、アウターリードに被着させる金属としては、ア
ウターリードの曲げ加工に対して一定の機械的強度を持
ち、且つ耐食性を持つものを選ぶのがよい。このような
ものとして、Ａ ｕ ｓ Ａ ｇ ｓＮｉ、Ｓｎ、半田
等が挙げられる。また、これらの金属の被着には、電気
メツキ、無電解メツキ、蒸着、スパッタリング等の通常
の金属被着方法を使用することができる。この場合、リ
ードフレームの片面に個々に被着させてもよいし、両面
に一度に被着させてもよい。Here, as the metal to be adhered to the outer lead, it is preferable to select a metal that has a certain mechanical strength against bending of the outer lead and has corrosion resistance. Examples of such materials include AusAgsNi, Sn, and solder. Further, for depositing these metals, ordinary metal deposition methods such as electroplating, electroless plating, vapor deposition, and sputtering can be used. In this case, it may be applied individually to one side of the lead frame, or it may be applied to both sides at once.
また、金属被着層は、曲げ加工等が行われるアウターリ
ード部に施す。したがって、ダイボンディング及びワイ
ヤボンディング用のメツキが施されているアイランド部
及びインナーリード部先端には施さない。アウターリー
ド部に被着する金属被着層の厚さは、リードフレーム材
の板厚と金属被着層厚との合計が約１５０μｍになるよ
うに設定する。これは、前述したように、アウターリー
ドの厚みが約１５０μｍあれば、充分に曲げ加工に対し
て耐えることができるためである。Further, the metal adhesion layer is applied to the outer lead portion to be subjected to bending and the like. Therefore, plating for die bonding and wire bonding is not applied to the island portion and the tip of the inner lead portion. The thickness of the metal adhesion layer applied to the outer lead portion is set so that the total thickness of the lead frame material and the metal adhesion layer is approximately 150 μm. This is because, as described above, if the outer lead has a thickness of about 150 μm, it can sufficiently withstand bending.
［作用］本発明のリードフレーム及びその製造方法によれば、リ
ードフレームのアウターリード部に金属被着層を設けて
いるので、アウターリード部の機械的強度が増して、後
工程における曲げ等の加工を行うことができる。しかも
、板厚が薄い状態でリードフレーム材の加工を行うこと
ができるため、エツチング工程における寸法精度が高く
、多ピン化に対応することができる。[Function] According to the lead frame and the manufacturing method thereof of the present invention, since the metal adhesion layer is provided on the outer lead portion of the lead frame, the mechanical strength of the outer lead portion is increased and bending etc. in the subsequent process is prevented. Can be processed. Moreover, since the lead frame material can be processed with a thin plate, the dimensional accuracy in the etching process is high and it is possible to accommodate a large number of pins.
［実施例］以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。[Example]Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明のリードフレームの一実施例を示す正
面図である。FIG. 1 is a front view showing an embodiment of the lead frame of the present invention.
図中１は、リードフレーム本体である。リードフレーム
本体１の中央部には、ＩＣチップを搭載するためのマウ
ント部１１がある。マウント部１１の周囲に、マウント
部１１上に搭載されたＩＣチップとリードフレーム本体
１との導通を取るためのインナーリード１２が配列され
ている。1 in the figure is a lead frame main body. At the center of the lead frame body 1, there is a mount section 11 for mounting an IC chip. Inner leads 12 are arranged around the mount part 11 to establish electrical continuity between the IC chip mounted on the mount part 11 and the lead frame body 1.
このインナーリード１２の各々の先端と、ＩＣチップの
各々のパッド（図示せず）とをワイヤボンディングによ
って電気的に接続している。したがって、インナーリー
ド１２のそれぞれは、短絡しないように一定の間隔を持
って位置している。また、マウント部１１及びインナー
リード部１２には、ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングのボンダビリティ−を向上させるために、４ない
し６μｍの厚みのＡｕ、Ａｇ等のメツキが施されている
。インナーリード１２の外側には、インナーリード１２
を支持するようにアウターリード１３がインナーリード
１２と一体的に形成されている。The tip of each inner lead 12 and each pad (not shown) of the IC chip are electrically connected by wire bonding. Therefore, the inner leads 12 are located at regular intervals to prevent short circuits. Further, the mount portion 11 and the inner lead portion 12 are plated with Au, Ag, etc. with a thickness of 4 to 6 μm in order to improve bondability in die bonding and wire bonding. The inner lead 12 is provided on the outside of the inner lead 12.
An outer lead 13 is formed integrally with the inner lead 12 so as to support the inner lead 12.
このアウターリード１３には、後工程における曲げ加工
等が行えるように機械的強度を向上させるために金属被
着層が設けられている。このとき、アウターリード１３
部の板厚は１５０μｍ程度である。This outer lead 13 is provided with a metal adhesion layer in order to improve its mechanical strength so that bending processing and the like can be performed in a subsequent process. At this time, the outer lead 13
The plate thickness of the part is approximately 150 μm.
次に、本発明のリードフレームの製造方法を説明する。Next, a method for manufacturing a lead frame according to the present invention will be explained.
まず、板厚８０μｍの４２合金製のリードフレーム材の
表面に所定のマスクパターンを形成し、その後、エツチ
ングして、リードフレームを作成した。ここで、マスク
パターンの形成は、フォトリソグラフィー法、及びエツ
チングは、湿式エツチング法の通常行われている方法で
行った。First, a predetermined mask pattern was formed on the surface of a lead frame material made of alloy 42 having a thickness of 80 μm, and then etched to create a lead frame. Here, the mask pattern was formed by a photolithography method, and the etching was performed by a commonly used wet etching method.
次に、得られたリードフレームの一方の面のマウント部
及びインナーリード部に厚さおよそ４μｍのＡｕメツキ
を施した。なお、このＡｕメツキ工程は、前処理、Ｃｕ
下地メツキ、置換防止処理、部分Ａｕメツキ、マスク剥
離、及び水洗をこの順序で行った。Next, the mount portion and inner lead portion on one side of the obtained lead frame were plated with Au to a thickness of about 4 μm. Note that this Au plating process includes pretreatment, Cu
Base plating, substitution prevention treatment, partial Au plating, mask peeling, and water washing were performed in this order.
次に、インナーリード部及びマウント部にＡｕメツキを
施したリードフレームのアウターリード部に強度向上の
ために厚さ５０μｍの銀メツキを施した。なお、この工
程は、前処理、銀メツキ、回収、及び水洗をこの順序で
行った。また、このメツキは、マウント部及びインナー
リード部には施さないため、第２図に示すようなマスク
２を使用した。Next, the outer lead portion of the lead frame, in which the inner lead portion and the mount portion were plated with Au, was plated with silver to a thickness of 50 μm to improve strength. In this step, pretreatment, silver plating, recovery, and water washing were performed in this order. Furthermore, since this plating was not applied to the mount part and the inner lead part, a mask 2 as shown in FIG. 2 was used.
このようにして得られたリードフレームは、板厚の薄い
リードフレーム材から加工しているので、インナーリー
ド部におけるエツチングによる寸法誤差が小さく９、ま
た、アウターリード部は、金属被着層が設けられている
ため曲げ加工に対して充分な強度を持つものであった。Since the lead frame obtained in this way is processed from a thin lead frame material, the dimensional error due to etching in the inner lead part is small9, and the outer lead part is provided with a metal adhesion layer. Because of this, it had sufficient strength to withstand bending.
［発明の効果］本発明によれば、高い寸法精度のインナーリード部と、
充分な強度を有するアウターリードを併せ持つリードフ
レームを得ることができるものである。[Effects of the Invention] According to the present invention, an inner lead portion with high dimensional accuracy;
It is possible to obtain a lead frame which also has an outer lead having sufficient strength.
【図面の簡単な説明】第１図は、本発明の一実施例を示す平面図、第２図は、
本発明のメツキ工程において使用されるマスクの平面図
である。１・・・リードフレーム本体、２・・・マスク、１１・
・・マウント部、１２・・・インナーリード部、１３・
・・アウターリード部。第１図第２図出願人代理人 弁理士 鈴江武彦[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view of a mask used in the plating process of the present invention. 1... Lead frame body, 2... Mask, 11.
...Mount part, 12...Inner lead part, 13.
...Outer lead part. Figure 1 Figure 2 Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071450AJPH02250364A (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Lead frame and its manufacturing method |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071450AJPH02250364A (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Lead frame and its manufacturing method |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250364Atrue JPH02250364A (en) | 1990-10-08 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1071450APendingJPH02250364A (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Lead frame and its manufacturing method |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250364A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994011902A1 (en)* | 1992-11-17 | 1994-05-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor device using same |
| US5656855A (en)* | 1992-12-23 | 1997-08-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US5859471A (en)* | 1992-11-17 | 1999-01-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994011902A1 (en)* | 1992-11-17 | 1994-05-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor device using same |
| US5859471A (en)* | 1992-11-17 | 1999-01-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads |
| US5656855A (en)* | 1992-12-23 | 1997-08-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US5909053A (en)* | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6194777B1 (en) | Leadframes with selective palladium plating | |
| US5859471A (en) | Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads | |
| US7368328B2 (en) | Semiconductor device having post-mold nickel/palladium/gold plated leads | |
| KR101026586B1 (en) | Semiconductor device comprising leadframe for improved moisture reliability and improved solderability of semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3760075B2 (en) | Lead frame for semiconductor packages | |
| US5597470A (en) | Method for making a flexible lead for a microelectronic device | |
| JP3150926B2 (en) | Lead frame for integrated circuit package and method of manufacturing the same | |
| US6706561B2 (en) | Method for fabricating preplated nickel/palladium and tin leadframes | |
| JP2000277672A (en) | Lead frame, manufacture thereof, and semiconductor device | |
| JPH0846116A (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP2000195984A (en) | Carrier substrate for semiconductor device, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2000269398A (en) | Aluminum lead frame for semiconductor device and manufacture thereof | |
| JP3036498B2 (en) | Semiconductor package | |
| JPH02250364A (en) | Lead frame and its manufacturing method | |
| US5935719A (en) | Lead-free, nickel-free and cyanide-free plating finish for semiconductor leadframes | |
| JP3349166B2 (en) | Circuit board | |
| JPS61183950A (en) | Manufacture of lead frame for semiconductor | |
| JP3757539B2 (en) | Stem for semiconductor device | |
| KR102623540B1 (en) | Semiconductor package substrate, Semiconductor package including the same, and Method for manufacturing the semiconductor package substrate | |
| KR100203334B1 (en) | Multi-layer plateded lead frame | |
| KR100205331B1 (en) | Lead frame and its plating method | |
| JP2503595B2 (en) | Semiconductor lead frame | |
| JPS62154658A (en) | Method for manufacturing lead frames for semiconductor devices | |
| JPH09331009A (en) | Lead frame, lead frame member, and resin-sealed semiconductor device using these | |
| JP3005841B2 (en) | Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing the same |