【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は固体撮像素子、特にその光電変換部の構造に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a solid-state image sensor, and particularly to the structure of a photoelectric conversion section thereof.
（従来の技術）従来、固体撮像装置は光電変換部、電荷転送部及び増幅
部より成り、電荷の転送方式によりＣＣＤ （Ｃｈａｒ
ｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ：電荷結合素子
）型及びＸ−Ｙアドレス型に分類されている。また、光
電変換部にも様々な方式があり、例えばＭＯＳ型やＰ、
／Ｎ接合型等がある。(Prior Art) Conventionally, a solid-state imaging device consists of a photoelectric conversion section, a charge transfer section, and an amplification section.
ge Coupled Device (charge coupled device) type and XY address type. In addition, there are various types of photoelectric conversion units, such as MOS type, P type,
/N junction type, etc.
前記ＣＣＤ型固体撮慮装置の撮像素子に関する技術とし
ては、「テレビジョン学会技術報告」ＴＥＢＳ１０９−
２ ＥＤ９３７（昭６ｌ−２−２４）Ｐ、７−１２に
示されるようなものがある。The technology related to the image sensor of the CCD type solid-state imaging device is described in "Television Society Technical Report" TEBS109-
2 ED937 (Sho 6l-2-24) P, 7-12.
以下、その構成を図を用いて説明する。The configuration will be explained below using figures.
第２図は従来のＣＣＤ型固体撮像装置における光電変換
部をＰ／Ｎ接合型とした固体撮像素子の１画素の平面図
、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 2 is a plan view of one pixel of a conventional CCD type solid-state imaging device in which the photoelectric conversion section is of a P/N junction type, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A--A in FIG.
この固体撮像素子は第２図に示すように能動領域１とそ
れぞれのＣＣＤを形成するためのポリシリコン膜２，３
を有しており、その−船釣なものは第３図のような断面
構造を有している。As shown in FIG. 2, this solid-state image sensor has an active region 1 and polysilicon films 2 and 3 for forming each CCD.
The one for boat fishing has a cross-sectional structure as shown in FIG.
第３図において、Ｎ型基板４の上部にはＰ型層であるＰ
ウェル５が形成されている。このＰウェル５は、深さと
濃度の異なる２つの領域５−１゜５−２を有するもので
ある。Ｐウェル５上部の前記能動領域１には、光電変換
部を構成するためのＮ“型拡散層６と、電荷転送部を構
成するためのＮ−型拡散層７が形成されている。また、
Ｎ＋型型数散層６びＮ−型拡散層７のそれぞれの外側に
は、Ｐ＋型のチャネルストップ層８及び素子分離のため
のＬＯＣＯ８（ＬｏｃａｌｉｚｅｄＯｘｉｄａｔｉｏｎ
ｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ＞酸化膜９が形成されている。In FIG. 3, on the top of the N-type substrate 4 is a P-type layer P.
A well 5 is formed. This P-well 5 has two regions 5-1 and 5-2 having different depths and concentrations. In the active region 1 above the P-well 5, an N" type diffusion layer 6 for forming a photoelectric conversion section and an N- type diffusion layer 7 for forming a charge transfer section are formed.
On the outside of each of the N+ type scattering layer 6 and the N− type diffusion layer 7, a P+ type channel stop layer 8 and a LOCO8 (Localized Oxidation layer) for element isolation are provided.
of 5ilicon>An oxide film 9 is formed.
前記Ｎ−型拡散層７上にはトランスファゲートを兼ねた
ＣＣＤのゲート１０が形成され、このゲート１０を含む
全面には中間絶縁層１１が形成されている。さらに、電
荷転送部上の中間絶縁層１１上にはアルミニウム等から
成る導電性の遮光層１２が形成されており、これを含む
全面には保護層１３が形成されている。A CCD gate 10 which also serves as a transfer gate is formed on the N- type diffusion layer 7, and an intermediate insulating layer 11 is formed on the entire surface including this gate 10. Furthermore, a conductive light shielding layer 12 made of aluminum or the like is formed on the intermediate insulating layer 11 on the charge transfer section, and a protective layer 13 is formed on the entire surface including this.
以上が一般的なＰ／Ｎ接合型固体撮像素子であるが、こ
の構造では残像、電荷蓄積容量及び暗電流に関する特性
上、必ずしも満足できるものとはなっていない。したが
って、前記特性上滑れた固体撮像素子とするために、第
４図（ａ）、（ｂ）の如く光電変換部の構造をＰ／′Ｎ
／Ｐ／Ｎ構造とした固体撮像素子が提案されている。The above is a general P/N junction type solid-state imaging device, but this structure is not necessarily satisfactory in terms of characteristics regarding afterimage, charge storage capacity, and dark current. Therefore, in order to obtain a solid-state image sensor with smooth characteristics, the structure of the photoelectric conversion section is changed to P/'N as shown in FIGS. 4(a) and (b).
A solid-state image sensor having a /P/N structure has been proposed.
第４図（ａ）、（ｂ）は従来のＰ ／’ Ｎ ｙ” ｐ
、７ Ｎ構造を有する固体撮像素子の断面図を示すも
ので、同図（ａ＞は第２図のＡ−Ａ線に相当する箇所の
断面図、及び同図（ｂ）は第２図のＢ−Ｂ線に相当する
箇所の断面図である。Figures 4(a) and (b) show the conventional P/'N y''p
, 7 shows a cross-sectional view of a solid-state image sensor having an N structure. It is a sectional view of a place corresponding to the BB line.
この固体撮像素子が第２図の固体撮像素子と異なる点は
、Ｎ＋型型数散層６上チャネルストップ層８に接続され
た表面Ｐ 型層８ａを有することとである。表面Ｐ＋型
層８ａはＮ 型拡散層６を被うように形成されたおり、
これによってＰ 、、” Ｎ／ Ｐ ／ Ｎ構造が構成
されている。This solid-state imaging device differs from the solid-state imaging device shown in FIG. 2 in that it has a surface P-type layer 8a connected to a channel stop layer 8 on an N+-type scattering layer 6. The surface P+ type layer 8a is formed to cover the N type diffusion layer 6.
This constitutes a P,...''N/P/N structure.
このような構造を有する固体撮像素子においては、表面
Ｐ 型層８ａとＰウェル５と同電位としてＮ 型拡散層
６を完全空乏化し、光電変換部を完全転送モードで駆動
することにより、電荷の取り残しによる残像を防止する
ことができる。また、光電変換部の電荷蓄積容量を大幅
に増やせると共に、Ｓ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ□界面がホ
ールで満たされることにより、暗電流の影響を抑えられ
るという利点も有している。In a solid-state imaging device having such a structure, the N-type diffusion layer 6 is completely depleted by setting the surface P-type layer 8a and the P-well 5 at the same potential, and the photoelectric conversion section is driven in a complete transfer mode, thereby reducing charge. It is possible to prevent afterimages caused by leftover images. It also has the advantage that the charge storage capacity of the photoelectric conversion section can be significantly increased, and that the influence of dark current can be suppressed by filling the Si/SiO□ interface with holes.
なお、上記の光電変換部がＰ ／’ Ｎ ／ Ｐ ／
Ｎ構造を有する固体撮像素子の他に、Ｐ型基板を用いて
ウェル構造を形成しない固体撮像素子もある。この場合
には、光電変換部はＰ／Ｎ、／Ｐ槽構造有することにな
る。In addition, the above photoelectric conversion part is P/'N/P/
In addition to solid-state imaging devices having an N structure, there are also solid-state imaging devices that use a P-type substrate and do not form a well structure. In this case, the photoelectric conversion section will have a P/N, /P tank structure.
（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、第４図（ａ＞、（ｂ）に示す構成の固体
撮像素子においては、次のような問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, the solid-state imaging device having the configuration shown in FIGS. 4(a> and 4(b)) has the following problems.
即ち、固体撮像素子を製造する場合、光電変換部のＮ＋
型型数散層６び表面Ｐ型層８ａの双方を自己整合で形成
すると、横方向の拡散の大きさは接合深さの深いに型拡
散層６が大きいため、表面Ｐ型層８ａとチャネルストッ
プ層８かに型拡散層６によって分離され、表面Ｐｆ型層
８ａの電位をＰウェル５と同じにすることができない９
前記表面Ｐ 型層８ａとチャネルストップ層８を確実に
接続するためには、Ｎ 型拡散層６の領域を予めマスク
を用いて予定する光電変換領域より小さめに形成する方
法が考えられる。また、炉型拡散層６及び表面Ｐ＋型層
８ａの形成前後に表面ピ型Ｎ８ａとＰウェル５を接続す
るためのイオン注入を施す等の方法も考えられる。しか
し、いずれの方法を用いても工程を増やさねばならない
。これに加えて、前者の方法を採用した場合には、接続
部分の抵抗が大きくなると共に、光電変換領域の有効面
積が減少し、感度が低下するおそれがあった。That is, when manufacturing a solid-state image sensor, N+ of the photoelectric conversion section
When both the type scattering layer 6 and the surface P-type layer 8a are formed in a self-aligned manner, the size of lateral diffusion is large in the type diffusion layer 6 due to the deep junction depth, so that the surface P-type layer 8a and the channel The stop layer 8 is separated by the crab-type diffusion layer 6, and the potential of the surface Pf-type layer 8a cannot be made the same as that of the P-well 59.
In order to reliably connect the surface P type layer 8a and the channel stop layer 8, a method can be considered in which the N type diffusion layer 6 is formed in advance using a mask to be smaller than the planned photoelectric conversion area. Further, a method such as performing ion implantation to connect the surface P-type N8a and the P-well 5 before and after forming the furnace-type diffusion layer 6 and the surface P+ type layer 8a is also considered. However, no matter which method is used, the number of steps must be increased. In addition, when the former method is adopted, there is a risk that the resistance of the connection portion increases, the effective area of the photoelectric conversion region decreases, and the sensitivity decreases.
本発明は、前記従来技術がもっていた問題点として、表
面Ｐ型層とチャネルストップ層を接続するためには工程
を増やさねばならない点、及び光電変換領域の有効面積
の減少により感度が低下する点について解決した固体撮
像素子を提供するものである。The present invention addresses the problems that the prior art had, such as the need to increase the number of steps to connect the surface P-type layer and the channel stop layer, and the reduction in sensitivity due to the reduction in the effective area of the photoelectric conversion region. The object of the present invention is to provide a solid-state imaging device that solves the above problems.
（問題点を解決するための手段）本発明は、前記問題点を解決するために、半導体基板の
Ｐ型層の上部に順次形成されたＮ−型拡散層及び表面ビ
型層から成る光電変換部と、前記Ｐ型層の上部に順次形
成されたＮ−型拡散層及びゲートから成る電荷転送部と
、前記光電変換部上及び前記電荷転送部上に形成された
中間絶縁層と、前記中間絶縁層上の前記電荷転送部位置
に形成された導電性の遮光層とを備えた固体撮像索子に
おいて、前記中間絶縁層に前記表面Ｐ 型層と前記遮光
層とを接続するコンタクトホールを形成し、該遮光層に
前記Ｐ型層と同一の電位を与えるようにしたものである
。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a photoelectric conversion system comprising an N-type diffusion layer and a surface V-type layer sequentially formed on top of a P-type layer of a semiconductor substrate. a charge transfer section consisting of an N-type diffusion layer and a gate sequentially formed on top of the P-type layer; an intermediate insulating layer formed on the photoelectric conversion section and the charge transfer section; In a solid-state imaging probe including a conductive light-shielding layer formed at a position of the charge transfer portion on an insulating layer, a contact hole connecting the surface P-type layer and the light-shielding layer is formed in the intermediate insulating layer. However, the same potential as that of the P-type layer is applied to the light-shielding layer.
（作用）本発明によれば、以上のように固体撮像素子を構成した
ので、中間絶縁層に形成されたコンタクトホールは、導
電性の遮光層と表面Ｐ 型層とを電気的に接続し、前記
遮光層とＰ型層を同一電位にすることによって表面Ｐ＋
型層にＰ型層と同一の電位を与える働きをする。(Function) According to the present invention, since the solid-state imaging device is configured as described above, the contact hole formed in the intermediate insulating layer electrically connects the conductive light-shielding layer and the surface P-type layer. By setting the light shielding layer and the P-type layer to the same potential, the surface P+
It functions to give the type layer the same potential as the P type layer.
また、前記コンタクトホールの形成、及びコンタクトホ
ールを使用した遮光層と表面Ｐ 型層の接続は、従来の
製造工程をそのまま利用して行なわれ、そのために新た
な工程を追加する必要はない。Further, the formation of the contact hole and the connection between the light shielding layer and the surface P-type layer using the contact hole are performed using the conventional manufacturing process as is, and there is no need to add a new process for this purpose.
これらの働きにより、表面Ｐ“型層とに型層を自己整合
によって形成し、しかも工程を増やすことなく表面Ｐ“
型層とＰ型層を確実に同一電位とすることができる。し
たがって、前記間ｚ点を除去することができる。Through these functions, a mold layer can be formed on the surface P" type layer by self-alignment, and the surface P" type layer can be formed without increasing the number of steps.
It is possible to ensure that the type layer and the P type layer have the same potential. Therefore, the intermediate z point can be removed.
（実施例）第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の実施例を示す固体撮像
素子の断面図であり、同図（ａ）は第２図のＡ−Ａ線に
相当する箇所の断面図、及び同図（ｂ）は第２図のＢ−
Ｂ線に相当する箇所の断面図である。(Example) FIGS. 1(a) and 1(b) are cross-sectional views of a solid-state image sensor showing an example of the present invention, and FIG. The cross-sectional view and the same figure (b) are B- in Fig. 2.
It is a sectional view of a place corresponding to line B.
この固体撮像索子はＰ 、／′Ｎ ／ Ｐ ／ Ｎ構造
を有するもので、Ｎ型基板２１の上部にＰ型層から成る
Ｐウェル２２を有している。Ｐウェル２２の上部には、
光電変換部を構成する＼ 型拡散層２３と電荷転送部を
構成するＮ−型拡散層２４が形成されており、それぞれ
の外側にはチャネルストップ層２５及びＬＯＣＯ８酸化
膜２６が形成されている。This solid-state imaging probe has a P,/'N/P/N structure, and has a P-well 22 made of a P-type layer above an N-type substrate 21. At the top of the P-well 22,
A \ type diffusion layer 23 constituting a photoelectric conversion section and an N- type diffusion layer 24 constituting a charge transfer section are formed, and a channel stop layer 25 and a LOCO8 oxide film 26 are formed on the outside of each.
前記Ｎ“型拡散層２３の上部には表面■〕 型層２７が
形成されている。この表面ピ型層２７は自己整合によっ
て形成されたもので、表面Ｐ“型層２７とチャネルスト
ップ層２５はＮ＋型型数散層２３よって分離され、接続
されていない。A surface P type layer 27 is formed on the top of the N" type diffusion layer 23. This surface P type layer 27 is formed by self-alignment, and the surface P" type layer 27 and the channel stop layer 25 are formed by self-alignment. are separated by the N+ type scattering layer 23 and are not connected.
前記表面ピ型層２７、及びＮ−型拡散層２４上に形成さ
れたＣＣＤのゲー↑・２８を含む全面には、中間絶縁層
２９が形成されている。この中間絶縁層２９には、第１
図（ｂ）に示すように表面Ｐ“型層２７の端部に達する
コンタクトホール３０が開けられている。コンタクトホ
ール３０の大きさは、光電変換部の有効面積を阻害しな
い程度の寸法に設定されている。An intermediate insulating layer 29 is formed on the entire surface including the gate ↑.28 of the CCD formed on the surface pi type layer 27 and the N- type diffusion layer 24. This intermediate insulating layer 29 includes a first
As shown in Figure (b), a contact hole 30 is opened that reaches the end of the surface P" type layer 27. The size of the contact hole 30 is set to a size that does not obstruct the effective area of the photoelectric conversion section. has been done.
前記中間絶縁層２９上の電荷転送部位置には、アルミニ
ウム層等から成る導電性の遮光層３１が形成されている
。遮光［３１を形成するアルミニウム層は、固体撮像素
子の周辺部では電極の配線に用いられているが、電荷転
送部では遮光を目的とした遮光層３１として使用される
もので、配線には用いられていない。この遮光層３１の
アルミニウムは、遮光層３１の形成と共にコンタクトホ
ール３０内にも充填され、表面Ｐ＋型＠２７との接続部
３２を形成している。A conductive light shielding layer 31 made of an aluminum layer or the like is formed on the intermediate insulating layer 29 at the position of the charge transfer portion. The aluminum layer forming the light shielding layer 31 is used for electrode wiring in the peripheral area of the solid-state image sensor, but it is used as the light shielding layer 31 for the purpose of shielding light in the charge transfer area, and is not used for wiring. It has not been done. The aluminum of this light-shielding layer 31 is also filled in the contact hole 30 at the same time as the light-shielding layer 31 is formed, and forms a connection portion 32 with the surface P+ type @27.
このように接続部３２によって表面Ｐ＋型層２７に接続
された遮光層３１から電極をとり、これにＰウェル２２
と同一電位を与えることにより、表面Ｐ 型層２７とＰ
ウェル２２の電位が同一の固体撮像素子が得られる。な
お、前記中間絶縁層２９及び遮光層３１上には、保護層
３３が形成されている。An electrode is taken from the light-shielding layer 31 connected to the surface P+ type layer 27 by the connection part 32, and the P well 22 is connected to the electrode.
By applying the same potential as the surface P type layer 27 and P
A solid-state imaging device having the same potential in the well 22 is obtained. Note that a protective layer 33 is formed on the intermediate insulating layer 29 and the light shielding layer 31.
以上のように構成される固体撮像索子の製造は、次のよ
うにして行なわれる。The solid-state imaging cord constructed as described above is manufactured as follows.
先ず、従来と同様の方法によりＰウェル２２上にＮ 型
拡散層２３及びＮ−型拡散層２４等を形成する。次いで
、Ｎ＋型抵拡散層２３上自己整合により表面Ｐ＋型層２
７を形成した後、中間絶縁層２９を形成する。First, an N type diffusion layer 23, an N- type diffusion layer 24, etc. are formed on the P well 22 by a method similar to the conventional method. Next, the surface P+ type layer 2 is formed by self-alignment on the N+ type resistive diffusion layer 23.
After forming 7, an intermediate insulating layer 29 is formed.
次に、図示しない素子周辺部に従来通りのコンタクトホ
ールを開けるが、これと同時に表面Ｐ 型層２７の端部
に達するコンタクトホール３０も形成する。その後、中
間絶縁ＦＰ！２９上の素子周辺部に、図示しない配線層
及び遮光層３１を同時に形成する。配線層及び遮光層３
１の形成は、アルミニウムの蒸着等によってなされるが
、その際コンタクトホール３０内にもアルミニウムが堆
積され、接続部３２が形成される。Next, a conventional contact hole is opened in the periphery of the device (not shown), and at the same time, a contact hole 30 reaching the end of the surface P-type layer 27 is also formed. After that, intermediate insulation FP! A wiring layer and a light-shielding layer 31 (not shown) are formed at the same time on the device periphery 29. Wiring layer and light shielding layer 3
1 is formed by vapor deposition of aluminum, and at this time, aluminum is also deposited inside the contact hole 30 to form the connection portion 32.
その後、従来とほぼ同様の工程を経ることにより、所望
の固体撮像素子が得られる。Thereafter, a desired solid-state image sensor can be obtained by going through substantially the same steps as conventional ones.
本実施例においては、次のような利点を有する。This embodiment has the following advantages.
（１） 新たな工程を追加することなく、表面Ｐ 型層
２７とＰウェル２２の電位を容易に同一とすることがで
きる。それ故、完全転送モードで固体撮像素子を使用す
る際にも、表面の電位が変動しない。(1) The potentials of the surface P-type layer 27 and the P-well 22 can be easily made the same without adding any new process. Therefore, even when the solid-state imaging device is used in complete transfer mode, the surface potential does not change.
（２） 表面Ｐ＋型層２７とチャネルストップ層２５を
接続するためにマスクを用いてＮ＋型型数散層２３小さ
く形成する従来の方法に比べ、本実施例の方法はＮ＋型
型数散層２３表面Ｐ＋型層２７を自己整合で形成するの
で、Ｎ“型拡散層２３の面積を広くすることができる。(2) Compared to the conventional method in which the N+ type scattered layer 23 is formed small using a mask to connect the surface P+ type layer 27 and the channel stop layer 25, the method of this embodiment makes the N+ type scattered layer 23 smaller. Since the surface P+ type layer 27 is formed in a self-aligned manner, the area of the N" type diffusion layer 23 can be increased.
それ故、感度低下が防止できる。Therefore, a decrease in sensitivity can be prevented.
（３） に型拡散層２３と表面Ｐ型層２７を自己整合で
形成し、イオン注入を施す従来の方法に比べ、工程の簡
略化を図ることができる。(3) The process can be simplified compared to the conventional method of forming the type diffusion layer 23 and the surface P-type layer 27 in a self-aligned manner and performing ion implantation.
なお、本発明は図示の実施例に限定されず種々の変形が
可能であり、例えば次のような変形例が挙げられる。Note that the present invention is not limited to the illustrated embodiment and can be modified in various ways, such as the following modifications.
（ｉ） 第１図（ｂ）のコンタクトホール３０は、表
面Ｐ＋型層２７の周辺を取り囲むように壁状に形成して
もよい。このようにすることによって遮光がより確実と
なり、スメアを防止することができる。(i) The contact hole 30 shown in FIG. 1(b) may be formed in the shape of a wall so as to surround the periphery of the surface P+ type layer 27. By doing so, light shielding becomes more reliable and smear can be prevented.
（ｉｉ） 第１図（ａ＞、 （ｂ）はＰ／Ｎ／Ｐ／Ｎ
構造の固体撮像素子について示したが、これに限定され
ない。例えばＰ型基板を用いてＰウェル２２を形成しな
いＰ／Ｎ／Ｐ構造の固体撮像素子に対しても、本発明を
適用することができる。(ii) Figure 1 (a>, (b) is P/N/P/N
Although the structure of the solid-state image sensor has been described, the present invention is not limited thereto. For example, the present invention can be applied to a P/N/P structure solid-state imaging device that uses a P-type substrate and does not form the P-well 22.
（発明の効果）以上詳細に説明したように、本発明によれば、中間絶縁
層に表面Ｐ型層と遮光層を接続するためのコンタクトホ
ールを形成し、その遮光層にＰ型層と同一の電位を与え
るようにしたので、新たな工程を追加することなく容易
に表面Ｐ 型層とＰウェルの電位を同一にすることがで
きる。しかも、表面Ｐ型層、に型拡散層を自己整合で形
成できるので、光電変換部の面積の減少が抑えられ、感
度低下を防止することができる。また、コンタクトホー
ルをＮ＋型抵拡散層周辺を囲むように形成すれば、スメ
アの発生が効果的に防止されるという効果も期待できる
。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, a contact hole for connecting the surface P-type layer and the light-shielding layer is formed in the intermediate insulating layer, and the light-shielding layer is identical to the P-type layer. Therefore, the surface P-type layer and the P-well can be easily made to have the same potential without adding any new process. Moreover, since the type diffusion layer can be formed in the surface P-type layer in a self-aligned manner, the reduction in the area of the photoelectric conversion section can be suppressed, and a decrease in sensitivity can be prevented. Furthermore, if the contact hole is formed to surround the N+ type resistive diffusion layer, it can be expected that the occurrence of smear can be effectively prevented.
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例を示す固体撮像
素子の断面図であり、同図（ａ＞は第２図のＡ−Ａ線に
相当する箇所の断面図及び同図（ｂ）は第２図のＢ−Ｂ
線に相当する箇所の断面図、第２図は従来の固体撮像素
子の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図
（ａ）。（ｂ）は従来の他の固体撮像素子の断面図で、同図（ａ
）は第２図のＡ−Ａ線に相当する箇所の断面図及び同図
（ｂ）は第２図のＢ−Ｂ線に相当する箇所の断面図であ
る。２１・・・・・・Ｎ型基板、２２・・・・・・Ｐウェル
、２３・・・・・・Ｎ＋型抵拡散層２４・・・・・・Ｎ
−型拡散層、２７・・・・・・表面Ｐ型層、２８・・・
・・・ゲート、２９・・・・・・中間絶縁層、３０・・
・・・・コンタクトホール、３１・・・・・・遮光層。出願人代理人 柿 本 恭 成第２図第２図のＡ−Ａ線断面図第３図第２図のＡ−Ａ線０相当する断面図第２図のＢ−Ｂ線に相当する断冗（ｂ）従来の他の固体撮像素子第４図FIGS. 1(a) and 1(b) are cross-sectional views of a solid-state imaging device showing an embodiment of the present invention, and FIG. Figure (b) is B-B in Figure 2.
2 is a plan view of a conventional solid-state image sensor, FIG. 3 is a sectional view taken along line A-A in FIG. 2, and FIG. 4(a). (b) is a cross-sectional view of another conventional solid-state image sensor;
) is a cross-sectional view of a portion corresponding to line A-A in FIG. 2, and FIG. 2(b) is a cross-sectional view of a portion corresponding to line B-B of FIG. 2. 21...N type substrate, 22...P well, 23...N+ type resistive diffusion layer 24...N
- type diffusion layer, 27...Surface P type layer, 28...
...Gate, 29...Intermediate insulating layer, 30...
... Contact hole, 31 ... Light shielding layer. Applicant's agent Yasushi Kakimoto Figure 2 A sectional view taken along the line A-A in Figure 2 Figure 3 A cross-sectional view corresponding to the A-A line 0 in Figure 2 (b) Other conventional solid-state image sensor Fig. 4
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311415AJPH01152663A (en) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Solid-state image sensor |
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311415AJPH01152663A (en) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Solid-state image sensor |
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152663Atrue JPH01152663A (en) | 1989-06-15 |
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311415APendingJPH01152663A (en) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Solid-state image sensor |
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152663A (en) |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529600A (en)* | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Nec Kyushu Ltd | Solid-state image sensor |
| KR100358862B1 (en)* | 1997-09-26 | 2002-10-31 | 인텔 코오퍼레이션 | Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity |
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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