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JP7545858B2 - Thermal printhead and method for manufacturing the same - Google Patents

Thermal printhead and method for manufacturing the same
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JP7545858B2JP2020171779AJP2020171779AJP7545858B2JP 7545858 B2JP7545858 B2JP 7545858B2JP 2020171779 AJP2020171779 AJP 2020171779AJP 2020171779 AJP2020171779 AJP 2020171779AJP 7545858 B2JP7545858 B2JP 7545858B2
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本開示は、サーマルプリントヘッド、および、サーマルプリントヘッドの製造方法に関する。This disclosure relates to a thermal printhead and a method for manufacturing a thermal printhead.

特許文献1には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般に、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、蓄熱層を介してヘッド基板に形成された抵抗体層上に、抵抗体層の一部を露出させるように上流側導電層および下流側導電層を積層することで形成されている。上流側電極層と下流側電極層との間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部(発熱部)がジュール熱により発熱する。蓄熱層は、発熱部が発する熱を蓄えるために形成され、高速印字を可能にしている。Patent Document 1 discloses an example of a conventional thermal printhead. A thermal printhead generally has a number of heat generating parts arranged in the main scanning direction on a head substrate. Each heat generating part is formed by laminating an upstream conductive layer and a downstream conductive layer on a resistor layer formed on the head substrate via a heat storage layer so as to expose a part of the resistor layer. By passing electricity between the upstream electrode layer and the downstream electrode layer, the exposed part (heat generating part) of the resistor layer generates heat by Joule heat. The heat storage layer is formed to store the heat generated by the heat generating parts, enabling high-speed printing.

特許文献1に開示されたサーマルプリントヘッドは、基材としてSi(シリコン)が用いられ、半導体プロセスにより、抵抗体層を含む各構成部が形成されている。この場合、蓄熱層は、SiO2(二酸化ケイ素)を用いたスパッタリングまたはCVD法により形成
される。スパッタリングなどの工程は、蓄熱層の必要な厚みに応じて、繰り返し行う必要がある。したがって、さらなる高速印字に必要な厚みの蓄熱層を形成するには相当な時間を要し、サーマルプリントヘッドの製造効率が悪化するという問題がある。加えて、サーマルプリントヘッドに対して消費電力の低減が要請されている。
The thermal printhead disclosed inPatent Document 1 uses Si (silicon) as a base material, and each component including the resistor layer is formed by a semiconductor process. In this case, the heat storage layer is formed by sputtering or CVD usingSiO2 (silicon dioxide). The sputtering process and other processes must be repeated depending on the required thickness of the heat storage layer. Therefore, it takes a considerable amount of time to form a heat storage layer with a thickness required for higher speed printing, which causes a problem of deteriorating the manufacturing efficiency of the thermal printhead. In addition, there is a demand for reducing the power consumption of the thermal printhead.

特開2017-7203号公報JP 2017-7203 A

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、基材と発熱部との間に、十分な厚みの蓄熱層を簡易に形成することができるサーマルプリントヘッドを提供すること、また、そのサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することをその課題とする。The present disclosure was conceived in light of the above circumstances, and aims to provide a thermal printhead that can easily form a heat storage layer of sufficient thickness between the substrate and the heat generating portion, and to provide a method for manufacturing the thermal printhead.

本開示の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、前記主面の上に形成され且つ主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、前記基材と前記複数の発熱部との間に形成された蓄熱層とを備えており、前記蓄熱層は、ガラス材料からなるグレーズであり、前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、0.05以上0.2以下である。The thermal printhead provided by the first aspect of the present disclosure comprises a substrate having a main surface facing in one direction in the thickness direction and made of a single crystal semiconductor, a resistor layer formed on the main surface and including a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction, an insulating layer formed between the substrate and the resistor layer, and a heat storage layer formed between the substrate and the plurality of heat generating portions, the heat storage layer being a glaze made of a glass material, and the ratio of the thickness direction dimension of the heat storage layer to the sub-scanning direction dimension is 0.05 or more and 0.2 or less.

本開示の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、前記基材の上に、第1ガラスペーストを配置する第1印刷工程と、前記第1ガラスペーストを焼成することで、第1グレーズを形成する第1グレーズ形成工程と、前記第1グレーズの上に、主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程とを備えている。The method for manufacturing a thermal printhead provided by the second aspect of the present disclosure includes a preparation step of preparing a substrate made of a single crystal semiconductor, a first printing step of placing a first glass paste on the substrate, a first glaze forming step of forming a first glaze by firing the first glass paste, and a heating part forming step of forming a plurality of heating parts arranged in the main scanning direction on the first glaze.

本開示によれば、十分な厚みの蓄熱層を簡易に形成することができる。According to the present disclosure, it is possible to easily form a heat storage layer of sufficient thickness.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a thermal printhead according to a first embodiment of the present disclosure.図1に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main portion of the thermal printhead shown in FIG.図1に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main portion of the thermal printhead shown in FIG.図1のIV-IV線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.図1に示すサーマルプリントヘッドの要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of the thermal printhead shown in FIG.図1に示すサーマルプリントヘッドの要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main portion of the thermal printhead shown in FIG. 1 .図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.図1に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 1.本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main portion of a thermal printhead according to a second embodiment of the present disclosure.図18に示すサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。19 is a cross-sectional view showing a step of a method for manufacturing the thermal printhead shown in FIG. 18.本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドの変形例を示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main portion showing a modified example of a thermal printhead according to a second embodiment of the present disclosure.本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main portion of a thermal printhead according to a third embodiment of the present disclosure.本開示の第4実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main portion of a thermal printhead according to a fourth embodiment of the present disclosure.本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。13A to 13C are cross-sectional views showing a step of a method for manufacturing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure.本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。13A to 13C are cross-sectional views showing a step of a method for manufacturing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure.本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。13A to 13C are cross-sectional views showing a step of a method for manufacturing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure.本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。13A to 13C are cross-sectional views showing a step of a method for manufacturing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure.本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す断面図である。13A to 13C are cross-sectional views showing a step of a method for manufacturing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure.

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。The preferred embodiment of this disclosure will be described in detail below with reference to the drawings.

本開示において、「ある物Aがある物Bに形成されている」および「ある物Aがある物B上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bに直接形成されていること」、および、「ある物Aとある物Bとの間に他の物を介在させつつ、ある物Aがある物Bに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Aがある物Bに配置されている」および「ある物Aがある物B上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bに直接配置されていること」、および、「ある物Aとある物Bとの間に他の物を介在させつつ、ある物Aがある物Bに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Aがある物B上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bに接して、ある物Aがある物B上に位置していること」、および、「ある物Aとある物Bとの間に他の物が介在しつつ、ある物Aがある物B上に位置していること」を含む。また、「ある物Aがある物Bにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bのすべてに重なること」、および、「ある物Aがある物Bの一部に重なること」を含む。In this disclosure, "a certain object A is formed on a certain object B" and "a certain object A is formed on a certain object B" include "a certain object A is formed directly on a certain object B" and "a certain object A is formed on a certain object B with another object interposed between the certain object A and the certain object B" unless otherwise specified. Similarly, "a certain object A is disposed on a certain object B" and "a certain object A is disposed on a certain object B" include "a certain object A is disposed directly on a certain object B" and "a certain object A is disposed on a certain object B with another object interposed between the certain object A and the certain object B" unless otherwise specified. Similarly, "a certain object A is located on a certain object B" includes "a certain object A is located on a certain object B in contact with a certain object B" and "a certain object A is located on a certain object B with another object interposed between the certain object A and the certain object B". Additionally, unless otherwise specified, "an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction" includes "an object A overlaps the entirety of an object B" and "an object A overlaps a part of an object B."

<第1実施形態>
図1~図6は、本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA1は、ヘッド基板1、接続基板5、複数のワイヤ61,62、複数のドライバIC7、保護樹脂78および放熱部材8を備えている。サーマルプリントヘッドA1は、プラテンローラ99(図4参照)によって搬送される印刷媒体(図示略)に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。印刷媒体としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。
First Embodiment
1 to 6 show a thermal printhead according to a first embodiment of the present disclosure. The thermal printhead A1 of this embodiment comprises ahead substrate 1, aconnection substrate 5, a plurality ofwires 61, 62, a plurality ofdriver ICs 7, aprotective resin 78, and aheat dissipation member 8. The thermal printhead A1 is incorporated into a printer that prints on a print medium (not shown) transported by a platen roller 99 (see FIG. 4). Examples of print media include thermal paper for producing barcode sheets and receipts.

図1は、サーマルプリントヘッドA1を示す平面図である。図2は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図3は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図4は、図1のIV-IV線に沿う断面図である。図5は、サーマルプリントヘッドA1の要部断面図であり、図4の一部を拡大した断面図である。図6は、サーマルプリントヘッドA1の要部拡大断面図であり、図5の一部を拡大した断面図である。図1~図3においては、理解の便宜上、後述する保護層2を省略している。図1および図2においては、理解の便宜上、保護樹脂78を省略している。また、図2においては、理解の便宜上、ワイヤ61を省略している。また、これらの図において、ヘッド基板1の長手方向(主走査方向)をx方向とし、短手方向(副走査方向)をy方向とし、厚さ方向をz方向として説明する。また、y方向については、図1~図3の下方(図4~図6の右方)を印刷媒体が送られてくる「上流」とし、図1~図3の上方(図4~図6の左方)を印刷媒体が排出される「下流」とする。また、z方向については、図4~図6の上方(z方向を示す矢印が指す方向)を「上方」とし、その反対方向を「下方」とする。以下の図においても同様である。Figure 1 is a plan view of the thermal printhead A1. Figure 2 is an enlarged plan view of the thermal printhead A1. Figure 3 is an enlarged plan view of the thermal printhead A1. Figure 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in Figure 1. Figure 5 is a cross-sectional view of the thermal printhead A1, which is an enlarged cross-sectional view of a portion of Figure 4. Figure 6 is a cross-sectional view of the thermal printhead A1, which is an enlarged cross-sectional view of a portion of Figure 5. For ease of understanding, theprotective layer 2 described below is omitted in Figures 1 to 3. For ease of understanding, theprotective resin 78 is omitted in Figures 1 and 2. For ease of understanding, thewires 61 are omitted in Figure 2. In these figures, the longitudinal direction (main scanning direction) of thehead substrate 1 is the x-direction, the lateral direction (sub-scanning direction) is the y-direction, and the thickness direction is the z-direction. In addition, with regard to the y direction, the lower side in Figures 1 to 3 (the right side in Figures 4 to 6) is the "upstream" side where the print medium is fed, and the upper side in Figures 1 to 3 (the left side in Figures 4 to 6) is the "downstream" side where the print medium is discharged. In addition, with regard to the z direction, the upper side in Figures 4 to 6 (the direction indicated by the arrow showing the z direction) is the "upper side," and the opposite direction is the "lower side." The same applies to the following figures.

図4に示すように、サーマルプリントヘッドA1において、ヘッド基板1および接続基板5は、放熱部材8上で、y方向に隣接して搭載されている。ヘッド基板1には、後に詳説する構成により、x方向に配列される複数の発熱部41が形成されている。この発熱部41は、接続基板5に搭載されたドライバIC7により選択的に発熱駆動され、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ99によって発熱部41に押圧される印刷媒体に印字を行う。As shown in FIG. 4, in the thermal printhead A1, thehead substrate 1 and theconnection substrate 5 are mounted adjacent to each other in the y direction on theheat dissipation member 8. Thehead substrate 1 has a plurality ofheat generating portions 41 arranged in the x direction, as described in detail later. Theheat generating portions 41 are selectively driven to generate heat by adriver IC 7 mounted on theconnection substrate 5, and print on the print medium pressed against theheat generating portions 41 by theplaten roller 99 in accordance with a print signal transmitted from the outside via theconnector 59.

ヘッド基板1は、図1~図6に示すように、基材10、蓄熱層15、絶縁層19、保護層2、電極層3、および、抵抗体層4を備えている。As shown in Figures 1 to 6, thehead substrate 1 includes abase material 10, aheat storage layer 15, an insulatinglayer 19, aprotective layer 2, anelectrode layer 3, and aresistor layer 4.

基材10は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Siが好適である。基材10は、図1に示すように、z方向視において、x方向を長手方向とし、y方向を短手方向とする細長矩形状である。基材10の大きさは限定されないが、一例を挙げると、x方向の寸法は、たとえば20mm以上300mm以下、y方向の寸法は、たとえば1.0mm以上5.0mm以下、z方向の寸法は、たとえば725μmである。基材10において、y方向のドライバIC7に近い側が上流側であり、ドライバIC7から遠い側が下流側である。印刷媒体は、プラテンローラ99によって、y方向の上流側から下流側に搬送される。Thesubstrate 10 is made of a single crystal semiconductor. As a single crystal semiconductor, Si is suitable. As shown in FIG. 1, thesubstrate 10 is an elongated rectangle with the x direction as the longitudinal direction and the y direction as the transverse direction when viewed in the z direction. The size of thesubstrate 10 is not limited, but as an example, the dimension in the x direction is, for example, 20 mm to 300 mm, the dimension in the y direction is, for example, 1.0 mm to 5.0 mm, and the dimension in the z direction is, for example, 725 μm. In thesubstrate 10, the side closer to thedriver IC 7 in the y direction is the upstream side, and the side farther from thedriver IC 7 is the downstream side. The print medium is transported from the upstream side to the downstream side in the y direction by theplaten roller 99.

基材10は、図1、図2、図5および図6に示すように、主面11および凸部12を有している。主面11は、z方向の上方を向く。本開示では、主面11は、x-y平面(x方向とy方向で規定される平面、他の平面も同様)に沿って広がっており、x-y平面に略平行な平面である。主面11は、(100)面である。凸部12は、主面11からz方向に突出しており、x方向に延びている。凸部12は、主面11の下流側寄りに形成されている。凸部12は、y-z平面に沿う断面の形状が、x方向に一様である。以下では、y-z平面に沿う断面を「y-z断面」という。凸部12は、z方向下方側の端部におけるy方向の寸法W1が、たとえば500μmであり、z方向上方側の端部におけるy方向の寸法W2が、たとえば200μmである。また、凸部12のz方向の寸法H1は、たとえば150μmである。凸部12は、図6に示すように、頂部13および一対の傾斜部14を含んでいる。As shown in Figures 1, 2, 5 and 6, thesubstrate 10 has amain surface 11 and aconvex portion 12. Themain surface 11 faces upward in the z direction. In this disclosure, themain surface 11 extends along the x-y plane (a plane defined by the x and y directions, other planes are similar) and is a plane that is approximately parallel to the x-y plane. Themain surface 11 is a (100) plane. Theconvex portion 12 protrudes from themain surface 11 in the z direction and extends in the x direction. Theconvex portion 12 is formed toward the downstream side of themain surface 11. The shape of the cross section of theconvex portion 12 along the y-z plane is uniform in the x direction. Hereinafter, the cross section along the y-z plane is referred to as the "y-z cross section". Theconvex portion 12 has a y-direction dimension W1 at the end on the lower side in the z direction of, for example, 500 μm, and a y-direction dimension W2 at the end on the upper side in the z direction of, for example, 200 μm. The dimension H1 of theprotrusion 12 in the z direction is, for example, 150 μm. As shown in FIG. 6, theprotrusion 12 includes a top 13 and a pair ofinclined portions 14.

頂部13は、図5および図6に示すように、凸部12のうち、主面11からのz方向の距離が相対的に大きい部分である。頂部13は、主面11と平行な頂面131を有する。頂面131は、略平面である。頂面131は、z方向視において、x方向に長く延びる細長矩形状である。上記寸法H1は、頂面131と主面11とのz方向における離間距離である。As shown in Figures 5 and 6, the top 13 is a portion of theprotrusion 12 that is relatively far from themain surface 11 in the z direction. The top 13 has atop surface 131 that is parallel to themain surface 11. Thetop surface 131 is a substantially flat surface. When viewed in the z direction, thetop surface 131 has an elongated rectangular shape that extends long in the x direction. The dimension H1 is the distance in the z direction between thetop surface 131 and themain surface 11.

一対の傾斜部14は、図5および図6に示すように、凸部12のうち、頂部13からy方向に離れるほど低位となるように主面11および頂面131に対して傾斜する部分である。一対の傾斜部14はそれぞれ、主面11と頂部13とに繋がり、y方向においてこれらに挟まれている。一対の傾斜部14には、頂部13に対して上流側の傾斜部14と下流側の傾斜部14とがある。一対の傾斜部14はそれぞれ、主面11および頂面131に対して傾斜した傾斜面141を有する。各傾斜面141は、略平面である。主面11に対する各傾斜面141の傾斜角α1は、たとえば54.7度である。各傾斜面141は、(111)面である。As shown in Figs. 5 and 6, the pair ofinclined portions 14 are portions of theconvex portion 12 that are inclined with respect to themain surface 11 and thetop surface 131 so that the further away from the top 13 in the y direction the lower the position. Each of the pair ofinclined portions 14 is connected to themain surface 11 and the top 13, and is sandwiched between them in the y direction. The pair ofinclined portions 14 includes aninclined portion 14 on the upstream side and aninclined portion 14 on the downstream side with respect to the top 13. Each of the pair ofinclined portions 14 has aninclined surface 141 inclined with respect to themain surface 11 and thetop surface 131. Eachinclined surface 141 is substantially flat. The inclination angle α1 of eachinclined surface 141 with respect to themain surface 11 is, for example, 54.7 degrees. Eachinclined surface 141 is a (111) surface.

蓄熱層15は、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなるグレーズである。当該グレーズ(蓄熱層15)は、たとえばガラスペーストを焼成することにより形成される。本実施形態では、蓄熱層15の熱膨張係数は、基材10の材料であるSiと同程度である。なお、蓄熱層15のガラス材料の特性は限定されない。図5および図6に示すように、蓄熱層15は、凸部12の頂部13の上に配置されている。蓄熱層15は、頂面131に接しており、本実施形態では、蓄熱層15は、傾斜面141には接していない。蓄熱層15は、x方向に延びており、頂面131のy方向の全幅にわたって形成されている。Theheat storage layer 15 is a glaze made of a glass material such as amorphous glass. The glaze (heat storage layer 15) is formed, for example, by firing a glass paste. In this embodiment, the thermal expansion coefficient of theheat storage layer 15 is approximately the same as that of Si, which is the material of thebase material 10. The characteristics of the glass material of theheat storage layer 15 are not limited. As shown in Figures 5 and 6, theheat storage layer 15 is disposed on the top 13 of theconvex portion 12. Theheat storage layer 15 is in contact with thetop surface 131, and in this embodiment, theheat storage layer 15 is not in contact with theinclined surface 141. Theheat storage layer 15 extends in the x direction and is formed over the entire width of thetop surface 131 in the y direction.

本実施形態では、後述する製造方法に示すように、蓄熱層15は、孔版印刷(たとえばスクリーン印刷)によってガラスペーストを配置して焼成する工程を2回繰り返すことで形成される。具体的には、1回目の孔版印刷および焼成により、凸部12の頂部13の上にグレーズを形成する。そして、当該グレーズの上に、2回目の孔版印刷によってガラスペーストを配置する。2回目の孔版印刷では、グレーズの上にガラスペーストを配置するので、1回目の孔版印刷の場合よりz方向の寸法が大きくなるように(たとえば3倍程度)、ガラスペーストを配置できる。つまり、本実施形態では、蓄熱層15は、1回の孔版印刷および焼成によって形成される場合より、圧倒的に厚く(たとえば4倍程度)形成される。本実施形態では、2回目の孔版印刷で配置されるガラスペーストは、1回目の孔版印刷で配置されるガラスペーストと同じ組成のものである。したがって、蓄熱層15は、境界がなく一体となったグレーズになっている。なお、製造方法の詳細については後述する。In this embodiment, as shown in the manufacturing method described later, theheat storage layer 15 is formed by repeating the process of placing glass paste by stencil printing (e.g., screen printing) and firing twice. Specifically, a glaze is formed on the top 13 of theprotrusion 12 by the first stencil printing and firing. Then, glass paste is placed on the glaze by the second stencil printing. In the second stencil printing, the glass paste is placed on the glaze, so that the dimension in the z direction is larger (e.g., about three times) than in the first stencil printing. In other words, in this embodiment, theheat storage layer 15 is formed overwhelmingly thicker (e.g., about four times) than when it is formed by one stencil printing and firing. In this embodiment, the glass paste placed by the second stencil printing has the same composition as the glass paste placed by the first stencil printing. Therefore, theheat storage layer 15 is a glaze that is integrated without boundaries. The manufacturing method will be described later in detail.

本実施形態では、蓄熱層15の厚さ(z方向の寸法H2)は、たとえば30μm以上200μm以下(好ましくは50μm以上60μm以下)である。また、蓄熱層15の幅(y方向の寸法W2)に対するz方向の寸法H2の比率(いわゆるアスペクト比)は、0.05以上0.2以下である。本実施形態では、蓄熱層15が頂面131のy方向の全幅にわたって形成されているので、蓄熱層15の幅は、頂面131の幅(y方向の寸法)、すなわち、凸部12のz方向上方側の端部におけるy方向の寸法W2と同じになっている。なお、蓄熱層15の各寸法は限定されない。蓄熱層15は、充分に蓄熱が可能であり、かつ、不必要に蓄熱し過ぎないように、厚さ(寸法H2)および幅(寸法W2)が設計される。蓄熱層15は、必要な厚さ(またはアスペクト比)が小さい場合は、1回の孔版印刷および焼成により形成されてもよい。また、蓄熱層15は、必要な厚さ(またはアスペクト比率)が形成できるのであれば、孔版印刷以外の方法(たとえばディスペンサーによるガラスペーストの塗布など)を用いてもよい。In this embodiment, the thickness (z-direction dimension H2) of theheat storage layer 15 is, for example, 30 μm or more and 200 μm or less (preferably 50 μm or more and 60 μm or less). In addition, the ratio of the z-direction dimension H2 to the width (y-direction dimension W2) of the heat storage layer 15 (so-called aspect ratio) is 0.05 or more and 0.2 or less. In this embodiment, since theheat storage layer 15 is formed over the entire width of thetop surface 131 in the y direction, the width of theheat storage layer 15 is the same as the width (y-direction dimension) of thetop surface 131, that is, the y-direction dimension W2 at the end of the upper side of theconvex portion 12 in the z direction. Note that each dimension of theheat storage layer 15 is not limited. The thickness (dimension H2) and width (dimension W2) of theheat storage layer 15 are designed so that theheat storage layer 15 can store heat sufficiently and does not store too much heat unnecessarily. If the required thickness (or aspect ratio) is small, theheat storage layer 15 may be formed by one-time stencil printing and firing. Also, if the required thickness (or aspect ratio) can be formed, theheat storage layer 15 may be formed by a method other than stencil printing (such as applying glass paste with a dispenser).

図6に示すように、蓄熱層15には、その上面において、y方向両端に一対のラウンド部151が形成されている。一対のラウンド部151はそれぞれ、盛り上がるように湾曲した部分である。一対のラウンド部151により、蓄熱層15の表面が、一対の傾斜部14(凸部12)の各傾斜面141にかけて滑らかに連続させられている。各ラウンド部151は、蓄熱層15を形成する際にガラスペーストを焼成することにより形成される。図6の例示においては、蓄熱層15の上面は、y方向において一対のラウンド部151の間に略平坦な面が介在した形状になっている。なお、蓄熱層15の上面は、この略平坦な面がなく、一対のラウンド部151同士が繋がった形状であってもよい。この場合、蓄熱層15の上面は、z方向上方に湾曲した凸面になる。As shown in FIG. 6, theheat storage layer 15 has a pair ofrounded portions 151 formed on both ends in the y direction on its upper surface. Each of the pair ofrounded portions 151 is a curved portion that rises up. The pair ofrounded portions 151 smoothly connect the surface of theheat storage layer 15 to each of theinclined surfaces 141 of the pair of inclined portions 14 (convex portions 12). Eachrounded portion 151 is formed by firing a glass paste when forming theheat storage layer 15. In the example shown in FIG. 6, the upper surface of theheat storage layer 15 has a shape in which a substantially flat surface is interposed between the pair ofrounded portions 151 in the y direction. Note that the upper surface of theheat storage layer 15 may not have this substantially flat surface, and the pair ofrounded portions 151 may be connected to each other. In this case, the upper surface of theheat storage layer 15 becomes a convex surface that is curved upward in the z direction.

絶縁層19は、図5および図6に示すように、基材10の主面11上に形成され、基材10および蓄熱層15を覆う。絶縁層19は、主面11、凸部12の一対の傾斜面141および蓄熱層15の上面に接する。絶縁層19は、基材10を、抵抗体層4および電極層3に対してより確実に絶縁するためのものである。絶縁層19は、基材10の、抵抗体層4または電極層3が形成される領域に形成されていればよい。絶縁層19は、絶縁性材料からなり、たとえばSiO2、SiN(窒化ケイ素)からなる。SiO2からなる絶縁層19の形成手法としては、たとえばTEOS(オルトケイ酸テトラエチル;テトラエトキシシランともいう)を原料ガスとした成膜が挙げられる。絶縁層19の厚さは特に限定されず、たとえば1μm以上10μm以下である。 As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the insulatinglayer 19 is formed on themain surface 11 of thesubstrate 10 and covers thesubstrate 10 and theheat storage layer 15. The insulatinglayer 19 contacts themain surface 11, the pair ofinclined surfaces 141 of theprotrusion 12, and the upper surface of theheat storage layer 15. The insulatinglayer 19 is for more reliably insulating thesubstrate 10 from theresistor layer 4 and theelectrode layer 3. The insulatinglayer 19 may be formed in the region of thesubstrate 10 where theresistor layer 4 or theelectrode layer 3 is formed. The insulatinglayer 19 is made of an insulating material, such as SiO2 or SiN (silicon nitride). For example, the insulatinglayer 19 made of SiO2 may be formed by film formation using TEOS (tetraethyl orthosilicate; also called tetraethoxysilane) as a raw material gas. The thickness of the insulatinglayer 19 is not particularly limited, and is, for example, 1 μm or more and 10 μm or less.

抵抗体層4は、図5および図6に示すように、絶縁層19上に形成され、絶縁層19を覆う。抵抗体層4は、絶縁層19を挟んで、主面11および凸部12にわたって形成されている。抵抗体層4は、たとえばTaN(窒化タンタル)からなる。抵抗体層4の厚さは特に限定されず、たとえば0.02μm以上0.1μm以下(好ましくは0.08μm程度)である。As shown in Figs. 5 and 6, theresistor layer 4 is formed on the insulatinglayer 19 and covers the insulatinglayer 19. Theresistor layer 4 is formed across themain surface 11 and theprotrusions 12, sandwiching the insulatinglayer 19. Theresistor layer 4 is made of, for example, TaN (tantalum nitride). There are no particular limitations on the thickness of theresistor layer 4, and it is, for example, 0.02 µm or more and 0.1 µm or less (preferably about 0.08 µm).

抵抗体層4は、図3、図5および図6に示すように、複数の発熱部41を含む。複数の発熱部41は、抵抗体層4のうち後述する電極層3に覆われずに露出する部分である。複数の発熱部41は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。複数の発熱部41は、x方向に配列され、x方向において互いに離間している。複数の発熱部41のy方向における形成領域は、凸部12の頂部13(頂面131)のy方向の一部または全部を含んだ領域とされる。したがって、各発熱部41は、z方向視において、蓄熱層15に重なっている。Theresistor layer 4 includes a plurality ofheat generating portions 41, as shown in Figs. 3, 5, and 6. Theheat generating portions 41 are exposed portions of theresistor layer 4 that are not covered by theelectrode layer 3 described below. Theheat generating portions 41 are selectively energized to locally heat the print medium. Theheat generating portions 41 are arranged in the x direction and spaced apart from one another in the x direction. The formation area of theheat generating portions 41 in the y direction is an area that includes part or all of the apex 13 (top surface 131) of theconvex portion 12 in the y direction. Therefore, eachheat generating portion 41 overlaps theheat storage layer 15 when viewed in the z direction.

電極層3は、複数の発熱部41に通電するための導通経路を構成する。電極層3は、抵抗体層4に積層され、基材10に支持されている。電極層3は、抵抗体層4よりも抵抗値が小さい金属材料からなり、たとえばCu(銅)からなる。電極層3の厚さは特に限定されず、たとえば0.3μm以上2.0μm以下である。なお、電極層3は、Cu層と、Ti(チタン)層とが積層された構成であってもよい。この場合、Ti層は、Cu層と抵抗体層4との間に介在し、たとえば厚さ800nm程度である。Theelectrode layer 3 constitutes a conductive path for passing electricity through the multipleheat generating portions 41. Theelectrode layer 3 is laminated on theresistor layer 4 and supported by thesubstrate 10. Theelectrode layer 3 is made of a metal material having a smaller resistance value than theresistor layer 4, for example, Cu (copper). The thickness of theelectrode layer 3 is not particularly limited, and is, for example, 0.3 μm or more and 2.0 μm or less. Theelectrode layer 3 may be configured by laminating a Cu layer and a Ti (titanium) layer. In this case, the Ti layer is interposed between the Cu layer and theresistor layer 4, and has a thickness of, for example, about 800 nm.

電極層3は、図1~図3、図5および図6に示すように、複数の個別電極31および共通電極32を含んでいる。抵抗体層4のうち、複数の個別電極31と共通電極32との間において電極層3から露出した部分が、複数の発熱部41となっている。z方向視における各個別電極31および共通電極32の各形状、すなわち、各個別電極31および共通電極32の形成領域は、図1および図2の例示に限定されない。As shown in Figures 1 to 3, 5 and 6, theelectrode layer 3 includes a plurality ofindividual electrodes 31 and acommon electrode 32. The portions of theresistor layer 4 that are exposed from theelectrode layer 3 between the plurality ofindividual electrodes 31 and thecommon electrode 32 form a plurality ofheat generating portions 41. The shapes of each of theindividual electrodes 31 and thecommon electrode 32 as viewed in the z direction, i.e., the formation areas of each of theindividual electrodes 31 and thecommon electrode 32, are not limited to the examples shown in Figures 1 and 2.

複数の個別電極31はそれぞれ、概ねy方向に延びる帯状である。各個別電極31は、各発熱部41よりもy方向上流側に配置されている。図3および図6に表れているように、本実施形態では、各個別電極31のy方向下流側の先端は、y方向上流側の傾斜部14まで延びている。各個別電極31のy方向上流側の先端には、電極パッド部311が形成されている。電極パッド部311は、接続基板5に搭載されるドライバIC7とワイヤ61により接続される部分である。各個別電極31が、本開示の「上流側導電層」に相当する。Each of the multipleindividual electrodes 31 is in the shape of a band extending generally in the y direction. Eachindividual electrode 31 is disposed upstream of eachheat generating portion 41 in the y direction. As shown in FIG. 3 and FIG. 6, in this embodiment, the downstream end of eachindividual electrode 31 in the y direction extends to theinclined portion 14 on the upstream side of the y direction. Anelectrode pad portion 311 is formed on the upstream end of eachindividual electrode 31 in the y direction. Theelectrode pad portion 311 is a portion that is connected by awire 61 to thedriver IC 7 mounted on theconnection board 5. Eachindividual electrode 31 corresponds to the "upstream conductive layer" of this disclosure.

共通電極32は、図2および図3に示すように、共通部323および複数の櫛歯部324を含んでいる。共通部323は、複数の櫛歯部324を共通に繋げる。共通部323は、x方向に延びている。共通部323は、複数の櫛歯部324のy方向下流側に位置する。各櫛歯部324は、共通部323の上流側の端縁からy方向に延びる帯状である。複数の櫛歯部324は、互いに離間し、x方向に並んでいる。各櫛歯部324のy方向上流側の先端は、各個別電極31の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。よって、各櫛歯部324のy方向上流側の先端と、各個別電極31のy方向下流側の先端との間において、抵抗体層4が電極層3から露出する。図3および図6に表れているように、各櫛歯部324のy方向上流側の先端は、y方向下流側の傾斜部14まで延びている。各櫛歯部324のy方向下流側部分と共通部323とは、図2に示すように、主面11上に形成されている。共通電極32が、本開示の「下流側導電層」に相当する。2 and 3, thecommon electrode 32 includes acommon portion 323 and a plurality ofcomb tooth portions 324. Thecommon portion 323 connects the plurality ofcomb tooth portions 324 together. Thecommon portion 323 extends in the x direction. Thecommon portion 323 is located downstream in the y direction of the plurality ofcomb tooth portions 324. Eachcomb tooth portion 324 is a strip extending in the y direction from the upstream edge of thecommon portion 323. The plurality ofcomb tooth portions 324 are spaced apart from each other and arranged in the x direction. The upstream end of eachcomb tooth portion 324 in the y direction faces the end of eachindividual electrode 31 at a predetermined interval. Therefore, theresistor layer 4 is exposed from theelectrode layer 3 between the upstream end of eachcomb tooth portion 324 in the y direction and the downstream end of eachindividual electrode 31 in the y direction. As shown in Figures 3 and 6, the tip of eachcomb tooth portion 324 on the upstream side in the y direction extends to theinclined portion 14 on the downstream side in the y direction. The downstream portion of eachcomb tooth portion 324 in the y direction and thecommon portion 323 are formed on themain surface 11 as shown in Figure 2. Thecommon electrode 32 corresponds to the "downstream conductive layer" of this disclosure.

保護層2は、図5および図6に示すように、電極層3および抵抗体層4を覆っている。保護層2は、絶縁性の材料からなり、たとえばSiO2、SiN、SiC(炭化ケイ素)
、AlN(窒化アルミニウム)のいずれかあるいはそれら2つ以上の積層体からなる。保護層2の厚さは特に限定されず、たとえば1.0μm以上10μm以下である。
5 and 6, theprotective layer 2 covers theelectrode layer 3 and theresistor layer 4. Theprotective layer 2 is made of an insulating material, such asSiO2 , SiN, or SiC (silicon carbide).
, AlN (aluminum nitride), or a laminate of two or more of these. The thickness ofprotective layer 2 is not particularly limited, and is, for example, 1.0 μm or more and 10 μm or less.

保護層2は、図5に示すように、z方向に貫通するパッド用開口21を有する。パッド用開口21は、複数の個別電極31に設けた電極パッド部311をそれぞれ露出させている。As shown in FIG. 5, theprotective layer 2 haspad openings 21 that penetrate in the z direction. Thepad openings 21 expose theelectrode pad portions 311 provided on theindividual electrodes 31.

接続基板5は、図1および図4に示すように、ヘッド基板1に対してy方向上流側に隣接して配置されている。接続基板5は、たとえばPCB基板である。接続基板5は、たとえば、図1に示すように、z方向視において、x方向を長手方向とする細長矩形状である。接続基板5は、図4に示すように、ドライバIC7およびコネクタ59が搭載されている。As shown in Figs. 1 and 4, theconnection board 5 is disposed adjacent to thehead board 1 on the upstream side in the y direction. Theconnection board 5 is, for example, a PCB board. As shown in Fig. 1, theconnection board 5 is, for example, an elongated rectangle with the x direction as the longitudinal direction when viewed in the z direction. As shown in Fig. 4, theconnection board 5 is equipped with adriver IC 7 and aconnector 59.

コネクタ59は、サーマルプリントヘッドA1をプリンタ(図示略)に接続するために用いられる。コネクタ59は、図4に示すように、接続基板5に取り付けられており、接続基板5の配線パターン(図示略)に接続されている。Theconnector 59 is used to connect the thermal print head A1 to a printer (not shown). As shown in FIG. 4, theconnector 59 is attached to theconnection board 5 and is connected to the wiring pattern (not shown) of theconnection board 5.

ドライバIC7は、図1および図4に示すように、接続基板5上に搭載されており、複数の発熱部41を個別に通電させる。ドライバIC7は、図4および図5に示すように、複数のワイヤ61によって、各個別電極31の各電極パッド部311にそれぞれ接続されている。また、ドライバIC7は、複数のワイヤ62によって、接続基板5上に形成された配線パターンに接続されている。ドライバIC7にはコネクタ59を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部41は、印字信号にしたがって個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。As shown in Figs. 1 and 4, thedriver IC 7 is mounted on theconnection board 5 and energizes the multipleheat generating parts 41 individually. As shown in Figs. 4 and 5, thedriver IC 7 is connected to eachelectrode pad part 311 of eachindividual electrode 31 bymultiple wires 61. Thedriver IC 7 is also connected to a wiring pattern formed on theconnection board 5 bymultiple wires 62. A print signal transmitted from the outside is input to thedriver IC 7 via theconnector 59. The multipleheat generating parts 41 are selectively heated by being individually energized in accordance with the print signal.

ドライバIC7および複数のワイヤ61,62は、図4および図5に示すように、ヘッド基板1と接続基板5とに跨るように形成された保護樹脂78で覆われている。保護樹脂78は、エポキシ樹脂などの黒色の絶縁性材料が用いられている。Thedriver IC 7 and themultiple wires 61, 62 are covered with aprotective resin 78 formed to straddle thehead substrate 1 and theconnection substrate 5, as shown in Figures 4 and 5. Theprotective resin 78 is made of a black insulating material such as epoxy resin.

放熱部材8は、図4に示すように、ヘッド基板1および接続基板5を支持しており、複数の発熱部41により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材8はたとえばアルミ等の金属製である。As shown in FIG. 4, theheat dissipation member 8 supports thehead substrate 1 and theconnection substrate 5, and is provided to dissipate some of the heat generated by the multipleheat generating parts 41 to the outside. Theheat dissipation member 8 is made of a metal such as aluminum.

次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図7~図17を参照しつつ、以下に説明する。図7~図17はそれぞれ、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一工程を示す断面図であって、図6に示す断面に対応する。Next, an example of a method for manufacturing the thermal printhead A1 will be described below with reference to Figures 7 to 17. Each of Figures 7 to 17 is a cross-sectional view showing one step of the method for manufacturing the thermal printhead A1, and corresponds to the cross section shown in Figure 6.

まず、図7に示すように、基材10Aを準備する。基材10Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。基材10Aは、主面11Aを有する。主面11Aは、略平坦であり、z方向の上方を向く。主面11Aは(100)面である。この工程が、本開示の「準備工程」に相当する。First, as shown in FIG. 7, asubstrate 10A is prepared. Thesubstrate 10A is made of a single crystal semiconductor, for example a Si wafer. Thesubstrate 10A has amain surface 11A. Themain surface 11A is substantially flat and faces upward in the z direction. Themain surface 11A is a (100) plane. This step corresponds to the "preparation step" of this disclosure.

次いで、図8に示すように、凸部12を形成する。凸部12を形成する工程(凸部形成工程)では、主面11Aの一部に所定のマスク層(図7および図8において想像線で示す)を形成する。そして、たとえばアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングを行う。このアルカリ水溶液としては、たとえばKOH(水酸化カリウム)やTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)などが挙げられる。これにより、図8に示すように、主面11および凸部12を有する基材10が形成される。主面11は、主面11Aと同じく(100)面である。凸部12は、頂面131を有する頂部13、および、各々が傾斜面141を有する一対の傾斜部14を含んでいる。一対の傾斜面141はそれぞれ、(111)面であり、主面11および頂面131に対して傾斜している。各傾斜面141の傾斜角α1は、たとえば54.7度である。その後、マスク層を除去する。当該凸部形成工程が、本開示の「エッチング工程」に相当する。Next, as shown in FIG. 8, theconvex portion 12 is formed. In the step of forming the convex portion 12 (convex portion forming step), a predetermined mask layer (shown by imaginary lines in FIG. 7 and FIG. 8) is formed on a part of themain surface 11A. Then, anisotropic etching is performed using, for example, an alkaline aqueous solution. Examples of the alkaline aqueous solution include KOH (potassium hydroxide) and TMAH (tetramethylammonium hydroxide). As a result, as shown in FIG. 8, asubstrate 10 having themain surface 11 and theconvex portion 12 is formed. Themain surface 11 is a (100) plane like themain surface 11A. Theconvex portion 12 includes atop portion 13 having atop surface 131, and a pair ofinclined portions 14 each having aninclined surface 141. Each of the pair ofinclined surfaces 141 is a (111) plane and is inclined with respect to themain surface 11 and thetop surface 131. The inclination angle α1 of eachinclined surface 141 is, for example, 54.7 degrees. The mask layer is then removed. This convex portion forming process corresponds to the "etching process" of this disclosure.

次いで、図9~図13に示すように、蓄熱層15を形成する。Next, theheat storage layer 15 is formed as shown in Figures 9 to 13.

蓄熱層15を形成する工程(蓄熱層形成工程)では、まず、図9に示すように、基材10の主面11側に、孔版91を配置する。孔版91は、z方向に貫通するスリット91aが形成された金属板である。スリット91aは、z方向視において、基材10に形成された頂面131に合わせて形成されている。頂面131はz方向視において、x方向に長く延びる細長矩形状なので、スリット91aもx方向に長く延びる細長矩形状に形成されている。スリット91aの幅(y方向の寸法)S1は、頂面131の幅(y方向の寸法)と同程度である。本実施形態では、孔版91は、基材10に対向する面に、スペーサ92が取り付けられている。スペーサ92は、たとえば樹脂製であり、孔版91が基材10に配置されたときに、基材10の主面11との間に位置する。なお、スペーサ92は取り付けられなくてもよい。In the process of forming the heat storage layer 15 (heat storage layer forming process), first, as shown in FIG. 9, aperforated plate 91 is placed on themain surface 11 side of thesubstrate 10. Theperforated plate 91 is a metal plate withslits 91a penetrating in the z direction. Theslits 91a are formed to match thetop surface 131 formed on thesubstrate 10 when viewed in the z direction. Since thetop surface 131 is an elongated rectangular shape extending long in the x direction when viewed in the z direction, theslits 91a are also formed to be elongated rectangular shapes extending long in the x direction. The width (y-direction dimension) S1 of theslits 91a is approximately the same as the width (y-direction dimension) of thetop surface 131. In this embodiment, aspacer 92 is attached to the surface of theperforated plate 91 facing thesubstrate 10. Thespacer 92 is made of, for example, resin, and is located between theperforated plate 91 and themain surface 11 of thesubstrate 10 when theperforated plate 91 is placed on thesubstrate 10. Thespacer 92 does not have to be attached.

次に、基材10に、孔版印刷の技法により、ガラスペーストを印刷する。これにより、基材10の、スリット91aによりガラスペーストが通過した位置、つまり、凸部12の頂面131にだけ、ガラスペーストが配置される。その後、孔版91(およびスペーサ92)を取り除く。当該孔版印刷の工程が、本開示の「第1印刷工程」に相当する。また、本工程で配置されるガラスペーストが、本開示の「第1ガラスペースト」に相当する。この時点では、ガラスペーストは、x方向視において、厚さが略均等であり、y-z断面が矩形状である。Next, glass paste is printed on thesubstrate 10 using stencil printing techniques. As a result, the glass paste is placed only at the positions on thesubstrate 10 where the glass paste has passed through theslits 91a, that is, only on thetop surfaces 131 of theprotrusions 12. The stencil 91 (and spacers 92) are then removed. This stencil printing process corresponds to the "first printing process" of this disclosure. The glass paste placed in this process corresponds to the "first glass paste" of this disclosure. At this point, the glass paste has a substantially uniform thickness when viewed in the x direction, and its y-z cross section is rectangular.

なお、孔版91に代えて、ガラスペーストを通過させる部分をメッシュにしたスクリーンマスク(単に「スクリーン」とも呼ばれる)を利用して、スクリーン印刷を行ってもよい。しかし、この場合、ガラスペーストの粘度が高いと、基材10に配置されたガラスペーストの表面に、凹凸が形成される場合がある。本実施形態では、頂面131の幅が小さく、スリット91aの幅S1が小さいので、ガラスペーストの通過によるスリット91aの変形が抑制されることから、ガラスペーストの表面を平坦にすることを優先させて、スリット91aを設けた孔版91を採用している。Instead of theaperture stencil 91, screen printing may be performed using a screen mask (also simply called a "screen") in which the portion through which the glass paste passes is meshed. In this case, however, if the viscosity of the glass paste is high, unevenness may be formed on the surface of the glass paste placed on thesubstrate 10. In this embodiment, the width of thetop surface 131 is small and the width S1 of theslit 91a is small, so deformation of theslit 91a due to the passage of the glass paste is suppressed. Therefore, aaperture stencil 91 withslits 91a is used, prioritizing flattening the surface of the glass paste.

その後、ガラスペーストを焼成することによって、図10に示すように、グレーズ15Aが形成される。グレーズ15Aは、その表面のy方向両端部分にラウンド部が形成されている。当該焼成工程が、本開示の「第1グレーズ形成工程」に相当する。また、グレーズ15Aが、本開示の「第1グレーズ」に相当する。本実施形態では、ガラスペーストは、焼成後のグレーズ15Aの熱膨張係数が基材10の材料であるSiと同程度になるように調整されている。なお、ガラスペーストの組成は限定されない。Then, the glass paste is fired to formglaze 15A as shown in FIG. 10.Glaze 15A has rounded portions formed on both ends of its surface in the y direction. This firing process corresponds to the "first glaze formation process" of the present disclosure. Also,glaze 15A corresponds to the "first glaze" of the present disclosure. In this embodiment, the glass paste is adjusted so that the thermal expansion coefficient ofglaze 15A after firing is approximately the same as that of Si, which is the material ofsubstrate 10. The composition of the glass paste is not limited.

次いで、図11に示すように、基材10の主面11側に、孔版93を配置する。孔版93は、z方向に貫通するスリット93aが形成された金属板である。スリット93aは、基材10の頂面131に合わせて形成されており、z方向視において、x方向に長く延びる細長矩形状に形成されている。スリット93aの幅(y方向の寸法)S2は、頂面131の幅より少し小さく、本実施形態では、孔版91のスリット91aの幅S1の8割以上9割以下である。なお、スリット91aの幅S1とスリット93aの幅S2との関係は、これに限定されない。本実施形態では、孔版93は、基材10に対向する面に、スペーサ94が取り付けられている。スペーサ94は、たとえば樹脂製であり、孔版93が基材10に配置されたときに、基材10の主面11との間に位置する。なお、スペーサ94は取り付けられなくてもよい。Next, as shown in FIG. 11, aperforated plate 93 is placed on themain surface 11 side of thesubstrate 10. Theperforated plate 93 is a metal plate in which aslit 93a is formed penetrating in the z direction. Theslit 93a is formed to match thetop surface 131 of thesubstrate 10, and is formed in an elongated rectangular shape extending long in the x direction when viewed in the z direction. The width S2 of theslit 93a (dimension in the y direction) is slightly smaller than the width of thetop surface 131, and in this embodiment, is 80% to 90% of the width S1 of theslit 91a of theperforated plate 91. Note that the relationship between the width S1 of theslit 91a and the width S2 of theslit 93a is not limited to this. In this embodiment, aspacer 94 is attached to the surface of theperforated plate 93 facing thesubstrate 10. Thespacer 94 is made of, for example, resin, and is located between theperforated plate 93 and themain surface 11 of thesubstrate 10 when theperforated plate 93 is placed on thesubstrate 10. Note that thespacer 94 does not have to be attached.

次に、基材10に、孔版印刷の技法により、ガラスペーストを印刷する。これにより、図12に示すように、基材10の頂面131に形成されたグレーズ15Aの上に、ガラスペースト15Bが配置される。当該印刷では、グレーズ15Aの上にガラスペーストを配置するので、基材10の頂面131の上にガラスペーストを配置する1回目の印刷の場合より、z方向の寸法が大きくなるように(たとえば3倍程度)、ガラスペーストを配置できる。つまり、本実施形態では、1回の孔版印刷および焼成によって形成する場合より、圧倒的に厚く(たとえば4倍程度)、蓄熱層15を形成できる。その後、孔版93(およびスペーサ94)を取り除く。当該孔版印刷の工程が、本開示の「第2印刷工程」に相当する。また、本工程で配置されるガラスペースト15Bが、本開示の「第2ガラスペースト」に相当する。この時点では、ガラスペースト15Bは、x方向視において、厚さが略均等であり、y-z断面が矩形状である。Next, the glass paste is printed on thesubstrate 10 by a stencil printing technique. As a result, as shown in FIG. 12, theglass paste 15B is placed on theglaze 15A formed on thetop surface 131 of thesubstrate 10. In this printing, the glass paste is placed on theglaze 15A, so that the glass paste can be placed so that the dimension in the z direction is larger (for example, about three times) than in the first printing in which the glass paste is placed on thetop surface 131 of thesubstrate 10. In other words, in this embodiment, theheat storage layer 15 can be formed to be overwhelmingly thicker (for example, about four times) than when it is formed by one stencil printing and firing. Thereafter, the stencil 93 (and the spacer 94) is removed. This stencil printing process corresponds to the "second printing process" of this disclosure. Also, theglass paste 15B placed in this process corresponds to the "second glass paste" of this disclosure. At this point, theglass paste 15B has a substantially uniform thickness when viewed in the x direction, and the y-z cross section is rectangular.

なお、第2印刷工程でも、孔版93に代えて、ガラスペーストを通過させる部分をメッシュにしたスクリーンマスクを利用して、スクリーン印刷を行ってもよい。本実施形態では、ガラスペーストの表面を平坦にすることを優先させて、スリット93aを設けた孔版93を採用している。In the second printing process, screen printing may also be performed using a screen mask with a meshed portion through which the glass paste passes, instead of theperforated mask 93. In this embodiment, aperforated mask 93 withslits 93a is used, with the priority being given to making the surface of the glass paste flat.

その後、ガラスペースト15Bを焼成することによって、図13に示すように、グレーズ15Cが形成される。当該グレーズ15Cが、本開示の「第2グレーズ」に相当する。当該焼成によりグレーズ15Aは軟化し、ガラスペースト15Bが焼成されて形成されたグレーズ15Cと一体となって、グレーズ(蓄熱層15)が形成される。本実施形態では、2回目の孔版印刷で配置されるガラスペーストは、1回目の孔版印刷で配置されるガラスペーストと同じ組成のものである。したがって、2回目の焼成で形成されたグレーズ(蓄熱層15)は、境界がなく一体となっている。なお、図13では、便宜上、グレーズ15Aとグレーズ15Cとの境界を破線で示しているが、実際には境界は識別できない。なお、2回目の孔版印刷で配置されるガラスペーストは、1回目の孔版印刷で配置されるガラスペーストと異なる組成のものであってもよい。グレーズ(蓄熱層15)は、その表面のy方向両端部分にラウンド部151が形成されている。当該焼成工程が、本開示の「第2グレーズ形成工程」に相当する。Then, theglass paste 15B is fired to form aglaze 15C as shown in FIG. 13. Theglaze 15C corresponds to the "second glaze" of the present disclosure. The firing softens theglaze 15A, and the glaze (heat storage layer 15) is formed by integrating theglaze 15C formed by firing theglass paste 15B. In this embodiment, the glass paste placed in the second screen printing has the same composition as the glass paste placed in the first screen printing. Therefore, the glaze (heat storage layer 15) formed in the second firing is integrated without a boundary. Note that in FIG. 13, the boundary between theglaze 15A and theglaze 15C is shown by a dashed line for convenience, but in reality the boundary cannot be identified. Note that the glass paste placed in the second screen printing may have a different composition from the glass paste placed in the first screen printing. The glaze (heat storage layer 15) has roundedportions 151 formed at both ends of the surface in the y direction. This firing process corresponds to the "second glaze formation process" of this disclosure.

以上のように、印刷によりガラスペーストを配置して焼成する工程を2回繰り返すことで、蓄熱層15が形成される。As described above, the process of applying the glass paste by printing and firing is repeated twice to form theheat storage layer 15.

次いで、図14に示すように、絶縁層19を形成する。絶縁層19の形成は、たとえば材料としてTEOSを用いた成膜によりSiO2を堆積させることにより行う。絶縁層19は、主面11、凸部12の一対の傾斜部14(傾斜面141)および蓄熱層15を覆う。当該工程が、本開示の「絶縁層形成工程」に相当する。 14, an insulatinglayer 19 is formed. The insulatinglayer 19 is formed, for example, by depositingSiO2 by film formation using TEOS as a material. The insulatinglayer 19 covers themain surface 11, the pair of inclined portions 14 (inclined surfaces 141) of theprotrusion 12, and theheat storage layer 15. This process corresponds to the "insulating layer forming process" of the present disclosure.

次いで、図15に示すように、抵抗体膜4Aを形成する。抵抗体膜4Aの形成は、たとえばスパッタリングにより絶縁層19上にTaNの薄膜を形成することによって行う。抵抗体膜4Aは、絶縁層19の全面を覆う。Next, as shown in FIG. 15, theresistor film 4A is formed. Theresistor film 4A is formed, for example, by forming a thin film of TaN on the insulatinglayer 19 by sputtering. Theresistor film 4A covers the entire surface of the insulatinglayer 19.

次いで、図16に示すように、導電膜3Aを形成する。導電膜3Aの形成は、たとえばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。導電膜3Aは、抵抗体膜4Aの全面を覆う。なお、導電膜3Aの形成では、絶縁層19上にTi層を形成した後、Cu層を形成した構成でもよい。Next, as shown in FIG. 16, theconductive film 3A is formed. Theconductive film 3A is formed by forming a layer made of Cu, for example, by plating or sputtering. Theconductive film 3A covers the entire surface of theresistor film 4A. Note that theconductive film 3A may be formed by forming a Ti layer on the insulatinglayer 19 and then forming a Cu layer.

次いで、図17に示すように、導電膜3Aおよび抵抗体膜4A(図16参照)に選択的なエッチングを施すことにより、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aを部分的に除去する。詳細に説明すれば、まず、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aに選択的なエッチングを施すことにより、抵抗体パターンと配線構造とを形成する。次に、配線構造に選択的なエッチングを施すことにより不要な導電膜3Aを除去して、それぞれx方向に分離された抵抗体層4および複数の発熱部41と、配線パターンとを形成する。これにより、x方向に分離された抵抗体層4と、複数の発熱部41を露出させて抵抗体層4を覆う複数の個別電極31および共通電極32とが形成される。抵抗体膜4Aの形成、導電膜3Aの形成、および、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aの部分除去をあわせた工程が、本開示の「発熱部形成工程」に相当する。Next, as shown in FIG. 17, theconductive film 3A and theresistor film 4A (see FIG. 16) are selectively etched to partially remove theconductive film 3A and theresistor film 4A. In more detail, first, theconductive film 3A and theresistor film 4A are selectively etched to form a resistor pattern and a wiring structure. Next, the wiring structure is selectively etched to remove unnecessaryconductive film 3A, thereby forming aresistor layer 4 separated in the x direction, a plurality ofheating parts 41, and a wiring pattern. This forms aresistor layer 4 separated in the x direction, and a plurality ofindividual electrodes 31 and acommon electrode 32 that cover theresistor layer 4 while exposing a plurality ofheating parts 41. The process of forming theresistor film 4A, forming theconductive film 3A, and partially removing theconductive film 3A and theresistor film 4A corresponds to the "heating part forming process" of this disclosure.

次いで、保護層2を形成する。保護層2の形成は、たとえばCVDを用いて、絶縁層19、電極層3および抵抗体層4のそれぞれの上にたとえばSiNを堆積させることにより行われる。その後、パッド用開口21を形成するために、保護層2をエッチング等により部分的に除去する。Next, theprotective layer 2 is formed. Theprotective layer 2 is formed, for example, by depositing SiN on each of the insulatinglayer 19, theelectrode layer 3, and theresistor layer 4, for example, using CVD. Thereafter, theprotective layer 2 is partially removed by etching or the like to form thepad opening 21.

次いで、基材10をx方向およびy方向に沿って切断し、個片に分割する。以上により、ヘッド基板1が得られる。そして、放熱部材8上へのヘッド基板1および接続基板5の組付け、接続基板5へのドライバIC7の搭載、複数のワイヤ61,62のボンディング、保護樹脂78の形成等を行うことにより、図1~図6に示したサーマルプリントヘッドA1が製造される。Then, thesubstrate 10 is cut in the x and y directions and divided into individual pieces. This gives thehead substrate 1. The thermal printhead A1 shown in Figures 1 to 6 is manufactured by assembling thehead substrate 1 and theconnection substrate 5 onto theheat dissipation member 8, mounting thedriver IC 7 on theconnection substrate 5, bonding themultiple wires 61 and 62, forming theprotective resin 78, etc.

上記した製造方法は一例であり、これに限定されない。たとえば、蓄熱層15の必要な厚さ(またはアスペクト比)が小さい場合は、上記製造方法において、「第2印刷工程」および「第2グレーズ形成工程」を省略して、1回の印刷および焼成により蓄熱層15を形成してもよい。また、蓄熱層15の必要な厚さ(またはアスペクト比)が大きい場合は、印刷および焼成を3回以上繰り返すことで、蓄熱層15を形成してもよい。また、ガラスペーストの配置は、孔版印刷以外の方法で行われてもよい。すなわち、上記製造方法において、「第1印刷工程」および「第2印刷工程」は、上記と異なる方法(たとえばディスペンサーによるガラスペーストの塗布など)で行われてもよい。この場合でも、蓄熱層15を必要な厚さ(またはアスペクト比率)に形成できるのであれば、「第2印刷工程」および「第2グレーズ形成工程」を省略してもよい。The above-mentioned manufacturing method is an example, and is not limited thereto. For example, if the required thickness (or aspect ratio) of theheat storage layer 15 is small, the "second printing step" and the "second glaze forming step" may be omitted in the above-mentioned manufacturing method, and theheat storage layer 15 may be formed by one printing and firing. If the required thickness (or aspect ratio) of theheat storage layer 15 is large, theheat storage layer 15 may be formed by repeating printing and firing three or more times. The glass paste may be placed by a method other than stencil printing. That is, in the above-mentioned manufacturing method, the "first printing step" and the "second printing step" may be performed by a method different from the above (for example, applying the glass paste by a dispenser). Even in this case, if theheat storage layer 15 can be formed to the required thickness (or aspect ratio), the "second printing step" and the "second glaze forming step" may be omitted.

次に、サーマルプリントヘッドA1の作用について説明する。Next, we will explain the function of thermal print head A1.

本実施形態によると、サーマルプリントヘッドA1は、基材10と抵抗体層4との間に形成された蓄熱層15を備えている。抵抗体層4の各発熱部41は、z方向視において、蓄熱層15に重なっている。したがって、各発熱部41が発する熱は、蓄熱層15に蓄えられる。蓄熱層15は、ガラス材料からなるグレーズであり、当該グレーズは、孔版印刷によってガラスペーストを配置して焼成することで形成される。そのため、たとえば蓄熱層としてのSiO2をスパッタリングで付着させて形成する場合と比較して、蓄熱層15
は、圧倒的な厚みで、かつ圧倒的に短時間で形成される。このことは、サーマルプリントヘッドA1の製造効率の向上およびコスト低減に大いに寄与する。
According to this embodiment, the thermal printhead A1 includes aheat storage layer 15 formed between thesubstrate 10 and theresistor layer 4. When viewed in the z direction, eachheat generating portion 41 of theresistor layer 4 overlaps with theheat storage layer 15. Therefore, heat generated by eachheat generating portion 41 is stored in theheat storage layer 15. Theheat storage layer 15 is a glaze made of a glass material, and the glaze is formed by depositing a glass paste by stencil printing and then firing it. Therefore, theheat storage layer 15 is thinner than when, for example, a heat storage layer formed by depositingSiO2 by sputtering is formed.
This contributes greatly to improving the manufacturing efficiency and reducing the cost of the thermal printhead A1.

また、本実施形態によると、蓄熱層15は、孔版印刷によってガラスペーストを配置して焼成する工程を2回繰り返すことで形成される。2回目の孔版印刷では、グレーズの上にガラスペーストを配置するので、1回目の孔版印刷の場合よりz方向の寸法が大きくなるように、ガラスペーストを配置できる。したがって、蓄熱層15は、1回の孔版印刷および焼成によって形成される場合より、圧倒的に厚く形成される。In addition, according to this embodiment, theheat storage layer 15 is formed by repeating the process of placing glass paste by stencil printing and firing twice. In the second stencil printing, the glass paste is placed on top of the glaze, so the glass paste can be placed so that its dimension in the z direction is larger than in the first stencil printing. Therefore, theheat storage layer 15 is formed to be overwhelmingly thicker than when it is formed by a single stencil printing and firing.

また、本実施形態によると、蓄熱層15の幅(y方向の寸法W2)に対するz方向の寸法H2の比率は、0.05以上0.2以下である。したがって、蓄熱層15は、各発熱部41が発する熱を適切に蓄えることができる。これにより、印字効率が向上するので、消費電力を低減できるサーマルプリントヘッドA1が得られる。In addition, according to this embodiment, the ratio of the z-direction dimension H2 to the width (y-direction dimension W2) of theheat storage layer 15 is 0.05 or more and 0.2 or less. Therefore, theheat storage layer 15 can appropriately store the heat generated by eachheat generating portion 41. This improves the printing efficiency, resulting in a thermal printhead A1 that can reduce power consumption.

また、本実施形態によると、基材10が凸部12を有しており、複数の発熱部41は、凸部12の頂部13(頂面131)上に形成されている。これにより、印刷媒体は、プラテンローラ99を介して確実に発熱部41に押圧される。また、凸部12は、単結晶半導体に対して異方性エッチングを施すことにより形成されるため、そのy-z断面はx方向について一様となる。つまり、印刷媒体の発熱部41に対する押圧接触状態は、x方向各所において一定となる。このことは、ヘッド基板1の製造ロットが異なっても変わらないので、印字品質のバラツキを抑制できる。In addition, according to this embodiment, thesubstrate 10 has aconvex portion 12, and the multipleheat generating portions 41 are formed on the tops 13 (top surfaces 131) of theconvex portions 12. This ensures that the print medium is pressed against theheat generating portions 41 via theplaten roller 99. In addition, because theconvex portions 12 are formed by performing anisotropic etching on a single crystal semiconductor, their y-z cross sections are uniform in the x direction. In other words, the pressing contact state of the print medium against theheat generating portions 41 is constant at each point in the x direction. This does not change even if the production lot of thehead substrate 1 is different, so variation in print quality can be suppressed.

また、本実施形態によると、蓄熱層形成工程の孔版印刷で用いられる孔版91(92)は、スリット91a(91b)が形成された金属板であり、スリット91aを通過したガラスペーストが基材10に配置される。したがって、スクリーンマスクを利用したスクリーン印刷によって配置される場合と比較して、配置されたガラスペーストの表面を平坦にできる。これにより、蓄熱層15の表面を平坦にできる。In addition, according to this embodiment, the stencil 91 (92) used in the stencil printing in the heat storage layer formation process is a metal plate withslits 91a (91b) formed therein, and the glass paste that passes through theslits 91a is placed on thesubstrate 10. Therefore, the surface of the placed glass paste can be made flatter than when it is placed by screen printing using a screen mask. This allows the surface of theheat storage layer 15 to be made flat.

図18~図22は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。Figures 18 to 22 show other embodiments of the present disclosure. In these figures, elements that are the same as or similar to those in the above embodiment are given the same reference numerals as those in the above embodiment.

<第2実施形態>
図18は、本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA2は、凸部12における一対の傾斜部14がそれぞれ2段階に傾斜している点で、上述した実施形態と異なっている。
Second Embodiment
Fig. 18 is an enlarged cross-sectional view of a main portion of a thermal printhead according to a second embodiment of the present disclosure, and corresponds to Fig. 6. A thermal printhead A2 of this embodiment differs from the above-described embodiment in that each of a pair ofinclined portions 14 in aconvex portion 12 is inclined in two stages.

本実施形態に係る一対の傾斜部14はそれぞれ、図18に示すように、第1傾斜面142および第2傾斜面143を有する。第1傾斜面142と第2傾斜面143とは、y方向に並んでいる。第1傾斜面142および第2傾斜面143は、互いに主面11に対する傾斜角が異なる。第1傾斜面142は、主面11に対する傾斜角α1がたとえば54.7度である。一方、第2傾斜面143は、主面11に対する傾斜角α2がたとえば30.1度である。第1傾斜面142は、主面11と第2傾斜面143とに繋がり、これらに挟まれている。第2傾斜面143は、第1傾斜面142と頂面131(頂部13)とに繋がり、これらに挟まれている。第1傾斜面142は、(111)面である。As shown in FIG. 18, each of the pair ofinclined portions 14 according to this embodiment has a firstinclined surface 142 and a secondinclined surface 143. The firstinclined surface 142 and the secondinclined surface 143 are aligned in the y direction. The firstinclined surface 142 and the secondinclined surface 143 have different inclination angles with respect to themain surface 11. The firstinclined surface 142 has an inclination angle α1 with respect to themain surface 11 of, for example, 54.7 degrees. On the other hand, the secondinclined surface 143 has an inclination angle α2 with respect to themain surface 11 of, for example, 30.1 degrees. The firstinclined surface 142 is connected to themain surface 11 and the secondinclined surface 143 and is sandwiched between them. The secondinclined surface 143 is connected to the firstinclined surface 142 and the top surface 131 (top portion 13) and is sandwiched between them. The firstinclined surface 142 is a (111) plane.

サーマルプリントヘッドA2における凸部12は、たとえばサーマルプリントヘッドA1の製造方法における凸部形成工程(図8参照)後において、さらに、もう一度アルカリ水溶液によるエッチングを施すことで形成される。当該アルカリ水溶液は、KOHあるいはTMAHが用いられる。具体的には、図8に示すように凸部12を形成した後、図19に示すように、頂面131の一部にマスク層139を形成する。そして、アルカリ水溶液による異方性エッチングを施す。図19に示す例では、マスク層139は、頂面131のy方向中央付近に配置されている。これにより、図19で点描を付した部分の基材10が除去され、各々が第1傾斜面142および第2傾斜面143を有する一対の傾斜部14が形成される。本実施形態では、図8に示す1回目の異方性エッチングを施す工程と、上記した2回目の異方性エッチングを施す工程とをあわせた工程が、本開示の「エッチング工程」に相当する。その他の工程は、サーマルプリントヘッドA1の製造方法と同様である。Theconvex portion 12 in the thermal printhead A2 is formed, for example, by performing etching again with an alkaline aqueous solution after the convex portion forming step (see FIG. 8) in the manufacturing method of the thermal printhead A1. The alkaline aqueous solution is KOH or TMAH. Specifically, after forming theconvex portion 12 as shown in FIG. 8, amask layer 139 is formed on a part of thetop surface 131 as shown in FIG. 19. Then, anisotropic etching is performed with an alkaline aqueous solution. In the example shown in FIG. 19, themask layer 139 is disposed near the center of thetop surface 131 in the y direction. As a result, thebase material 10 in the dotted portion in FIG. 19 is removed, and a pair ofinclined portions 14, each having a firstinclined surface 142 and a secondinclined surface 143, is formed. In this embodiment, the process of performing the first anisotropic etching shown in FIG. 8 and the process of performing the second anisotropic etching described above correspond to the "etching process" of the present disclosure. The other processes are the same as those in the manufacturing method of the thermal printhead A1.

本実施形態においても、第1実施形態と同様に、基材10と抵抗体層4との間に蓄熱層15が形成され、各発熱部41が発する熱が蓄熱層15に蓄えられる。また、蓄熱層15は、ガラス材料からなるグレーズであり、当該グレーズは、孔版印刷によってガラスペーストを配置して焼成することで形成される。したがって、本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。In this embodiment, as in the first embodiment, aheat storage layer 15 is formed between thesubstrate 10 and theresistor layer 4, and heat generated by eachheat generating portion 41 is stored in theheat storage layer 15. Theheat storage layer 15 is a glaze made of a glass material, and the glaze is formed by placing a glass paste by stencil printing and firing it. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be achieved in this embodiment.

さらに、本実施形態によると、凸部12において、一対の傾斜部14はそれぞれ、2段階に傾斜している。つまり、各傾斜部14は、主面11に対する傾斜角が異なる第1傾斜面142および第2傾斜面143を有している。主面11に対する第2傾斜面143の傾斜角α2は、主面11に対する第1傾斜面142の傾斜角α1よりも小さい。このため、サーマルプリントヘッドA2の凸部12は、頂面131に繋がる傾斜面の傾斜角を、サーマルプリントヘッドA1の凸部12よりも小さくできる。この傾斜面は、サーマルプリントヘッドA2においては、第2傾斜面143であり、サーマルプリントヘッドA1においては、傾斜面141である。この構成によると、プラテンローラ99によって印刷媒体が搬送されたとき、凸部12への当たりを抑制できる。これにより、紙カスなどの付着防止、保護層2の摩耗防止、および、印字品質の向上などに寄与する。Furthermore, according to this embodiment, in theconvex portion 12, each of the pair ofinclined portions 14 is inclined in two stages. That is, eachinclined portion 14 has a firstinclined surface 142 and a secondinclined surface 143 with different inclination angles relative to themain surface 11. The inclination angle α2 of the secondinclined surface 143 relative to themain surface 11 is smaller than the inclination angle α1 of the firstinclined surface 142 relative to themain surface 11. Therefore, the inclination angle of the inclined surface connecting to thetop surface 131 of theconvex portion 12 of the thermal print head A2 can be made smaller than that of theconvex portion 12 of the thermal print head A1. This inclined surface is the secondinclined surface 143 in the thermal print head A2, and is theinclined surface 141 in the thermal print head A1. With this configuration, when the printing medium is transported by theplaten roller 99, it is possible to suppress the contact with theconvex portion 12. This contributes to preventing adhesion of paper residue, preventing wear of theprotective layer 2, and improving printing quality.

第2実施形態においては、蓄熱層15が頂部13の上に形成された場合を示したが、これに限定されない。蓄熱層15は、たとえば、傾斜部14の一対の第2傾斜面143の一方あるいは両方の上にも形成されていてもよい。図20は、このような変形例に係るサーマルプリントヘッドの一例を示す要部拡大断面図であり、たとえば蓄熱層15が頂部13の上からy方向下流側の第2傾斜面143の上に跨って形成された場合を示している。本変形例によると、各発熱部41による発熱中心をy方向下流側にずらして、ストレートパスに対応させることも可能である。In the second embodiment, theheat storage layer 15 is formed on the top 13, but this is not limited to the above. Theheat storage layer 15 may also be formed on one or both of the pair of secondinclined surfaces 143 of theinclined portion 14. FIG. 20 is an enlarged cross-sectional view of a main part of an example of a thermal printhead according to such a modified example, and shows a case in which theheat storage layer 15 is formed across from the top 13 to the secondinclined surface 143 downstream in the y direction. According to this modified example, it is also possible to shift the heat generation center of eachheat generating portion 41 downstream in the y direction to correspond to a straight path.

<第3実施形態>
図21は、本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA3は、基材10が凸部12を備えていない点で、上述した実施形態と異なっている。
Third Embodiment
Fig. 21 is an enlarged cross-sectional view of a main portion of a thermal printhead according to a third embodiment of the present disclosure, and corresponds to Fig. 6. A thermal printhead A3 of this embodiment differs from the above-described embodiments in that thesubstrate 10 does not include aprotrusion 12.

図21に示すように、本実施形態に係る基材10は凸部12を備えておらず、蓄熱層15は基材10の主面11に形成されている。As shown in FIG. 21, thesubstrate 10 according to this embodiment does not have aprotrusion 12, and theheat storage layer 15 is formed on themain surface 11 of thesubstrate 10.

サーマルプリントヘッドA3は、たとえばサーマルプリントヘッドA1の製造方法における凸部形成工程(図8参照)を省略して、準備した基材10Aを基材10として、蓄熱層形成工程を行うことで製造される。なお、蓄熱層形成工程で用いられる孔版91(93)は、スペーサ92(94)を必要としない。その後の工程は、サーマルプリントヘッドA1の製造方法と同様である。Thermal printhead A3 is manufactured by, for example, omitting the convex portion forming process (see FIG. 8) in the manufacturing method of thermal printhead A1, and instead using theprepared substrate 10A assubstrate 10 and carrying out the heat storage layer forming process. Note that the perforated plate 91 (93) used in the heat storage layer forming process does not require the spacer 92 (94). The subsequent processes are the same as those in the manufacturing method of thermal printhead A1.

本実施形態においても、第1実施形態と同様に、基材10と抵抗体層4との間に蓄熱層15が形成され、各発熱部41が発する熱が蓄熱層15に蓄えられる。また、蓄熱層15は、ガラス材料からなるグレーズであり、当該グレーズは、孔版印刷によってガラスペーストを配置して焼成することで形成される。したがって、本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。In this embodiment, as in the first embodiment, aheat storage layer 15 is formed between thesubstrate 10 and theresistor layer 4, and heat generated by eachheat generating portion 41 is stored in theheat storage layer 15. Theheat storage layer 15 is a glaze made of a glass material, and the glaze is formed by placing a glass paste by stencil printing and firing it. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be achieved in this embodiment.

さらに、本実施形態によると、基材10は凸部12を備えていない。したがって、凸部形成工程を必要とせず、製造工程を簡略化できる。Furthermore, in this embodiment, thesubstrate 10 does not have aprotrusion 12. Therefore, a protrusion formation process is not required, and the manufacturing process can be simplified.

<第4実施形態>
図22は、本開示の第4実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図であり、図6に対応する図である。本実施形態のサーマルプリントヘッドA4は、蓄熱層15が絶縁層19と抵抗体層4との間に形成されていている点で、上述した実施形態と異なっている。
Fourth Embodiment
Fig. 22 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a thermal printhead according to a fourth embodiment of the present disclosure, and corresponds to Fig. 6. A thermal printhead A4 of this embodiment differs from the above-described embodiments in that aheat storage layer 15 is formed between an insulatinglayer 19 and aresistor layer 4.

図22に示すように、本実施形態に係る蓄熱層15は、第1~3実施形態のように、基材10と絶縁層19との間に形成されるのではなく、絶縁層19と抵抗体層4との間に形成されている。つまり、サーマルプリントヘッドA4は、基材10上に、絶縁層19、蓄熱層15、抵抗体層4の順で積層されている。As shown in FIG. 22, theheat storage layer 15 according to this embodiment is not formed between thesubstrate 10 and the insulatinglayer 19 as in the first to third embodiments, but is formed between the insulatinglayer 19 and theresistor layer 4. In other words, the thermal print head A4 is formed by stacking the insulatinglayer 19, theheat storage layer 15, and theresistor layer 4 on thesubstrate 10 in this order.

サーマルプリントヘッドA4は、たとえばサーマルプリントヘッドA1の製造方法における凸部形成工程(図8参照)の後、蓄熱層形成工程を行う前に、絶縁層19を形成することで製造される。なお、本実施形態では、絶縁層19は、基材10を熱酸化させることで得られるSiO2膜で構成されてもよい。その他の工程は、サーマルプリントヘッドA1の製造方法と同様である。 The thermal printhead A4 is manufactured, for example, by forming an insulatinglayer 19 after the convex portion forming step (see FIG. 8) in the manufacturing method of the thermal printhead A1 and before the heat storage layer forming step. In this embodiment, the insulatinglayer 19 may be made of aSiO2 film obtained by thermally oxidizing thebase material 10. The other steps are the same as those in the manufacturing method of the thermal printhead A1.

本実施形態においても、第1実施形態と同様に、基材10と抵抗体層4との間に蓄熱層15が形成され、各発熱部41が発する熱が蓄熱層15に蓄えられる。また、蓄熱層15は、ガラス材料からなるグレーズであり、当該グレーズは、孔版印刷によってガラスペーストを配置して焼成することで形成される。したがって、本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。In this embodiment, as in the first embodiment, aheat storage layer 15 is formed between thesubstrate 10 and theresistor layer 4, and heat generated by eachheat generating portion 41 is stored in theheat storage layer 15. Theheat storage layer 15 is a glaze made of a glass material, and the glaze is formed by placing a glass paste by stencil printing and firing it. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be achieved in this embodiment.

さらに、本実施形態によると、絶縁層19は、基材10を熱酸化させることで得られるSiO2膜で構成できる。したがって、蓄熱層15を形成した後に、たとえばCVDを用
いて材料としてTEOSを用いた成膜によりSiO2を堆積させることにより絶縁層19を形成する場合と比較して、製造工程を簡略化できる。
Furthermore, according to this embodiment, the insulatinglayer 19 can be composed of a SiO2 film obtained by thermally oxidizing thebase material 10. Therefore, the manufacturing process can be simplified compared to the case where the insulatinglayer 19 is formed by depositing SiO2 by film formation using TEOS as a material using, for example, CVD after theheat storage layer 15 is formed.

<第5実施形態>
図23~図27は、本開示の第5実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示している。本実施形態においては、まず、図23に示すように、第1印刷工程を行う。この第1印刷工程は、たとえばディスペンサーを用いてガラスペースト150Aを凸部12の頂面131上に塗布する。ガラスペースト150Aは、本開示の「第1ガラスペースト」に相当する。ガラスペースト150Aの幅S1は、頂面131の寸法W2よりも小さい。なお、第1印刷工程は、ディスペンサーを用いた方法に限定されず、たとえば図9を参照して説明した孔版印刷を用いて行ってもよい。ガラスペースト150Aの材質等は特に限定されず、たとえば上述のガラスペースト15Bと同様の材質を用いればよい。
Fifth Embodiment
23 to 27 show a method for manufacturing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure. In this embodiment, first, as shown in FIG. 23, a first printing step is performed. In this first printing step, for example, a dispenser is used to applyglass paste 150A onto thetop surface 131 of theprotrusion 12. Theglass paste 150A corresponds to the "first glass paste" of the present disclosure. The width S1 of theglass paste 150A is smaller than the dimension W2 of thetop surface 131. Note that the first printing step is not limited to the method using a dispenser, and may be performed, for example, by using stencil printing as described with reference to FIG. 9. The material of theglass paste 150A is not particularly limited, and for example, the same material as the above-mentionedglass paste 15B may be used.

次に、第1乾燥工程を行う。この第1乾燥工程では、第1印刷工程によって印刷されたガラスペースト150Aを、乾燥させる。これにより、ガラスペースト150Aが、図24に示すように乾燥ガラスペースト155Aとなる。乾燥ガラスペースト155Aは、本開示の「第1ガラスペースト」の一態様である。乾燥ガラスペースト155Aは、乾燥により、ガラスペースト150Aよりも硬い性状となっており、その形状をより維持しやすいものとなっている。Next, a first drying process is performed. In this first drying process, theglass paste 150A printed in the first printing process is dried. As a result, theglass paste 150A becomes a driedglass paste 155A as shown in FIG. 24. The driedglass paste 155A is one aspect of the "first glass paste" of the present disclosure. The driedglass paste 155A becomes harder than theglass paste 150A due to drying, and is more likely to maintain its shape.

次に、第2印刷工程を行う。この第2印刷工程は、図25に示すように、乾燥ガラスペースト155A上に、たとえばディスペンサーを用いてガラスペースト150Bを塗布する。ガラスペースト150Bは、本開示の「第2ガラスペースト」に相当する。ガラスペースト150Bの幅S2は、ガラスペースト150Aの幅S1よりも小さい。なお、第2印刷工程は、ディスペンサーを用いた方法に限定されず、たとえば図9を参照して説明した孔版印刷を用いて行ってもよい。ガラスペースト150Bの材質等は特に限定されず、たとえば上述のガラスペースト15Bと同様の材質を用いればよい。Next, the second printing step is performed. In this second printing step, as shown in FIG. 25,glass paste 150B is applied onto driedglass paste 155A using, for example, a dispenser.Glass paste 150B corresponds to the "second glass paste" of the present disclosure. The width S2 ofglass paste 150B is smaller than the width S1 ofglass paste 150A. Note that the second printing step is not limited to the method using a dispenser, and may be performed using, for example, stencil printing as described with reference to FIG. 9. The material ofglass paste 150B is not particularly limited, and may be the same material asglass paste 15B described above.

次に、第2乾燥工程を行う。この第2乾燥工程では、第2印刷工程によって印刷されたガラスペースト150Bを、乾燥させる。これにより、ガラスペースト150Bが、図26に示すように乾燥ガラスペースト155Bとなる。乾燥ガラスペースト155Bは、本開示の「第2ガラスペースト」の一態様である。乾燥ガラスペースト155Bは、乾燥により、ガラスペースト150Bよりも硬い性状となっており、その形状をより維持しやすいものとなっている。Next, a second drying process is performed. In this second drying process, theglass paste 150B printed in the second printing process is dried. As a result, theglass paste 150B becomes driedglass paste 155B as shown in FIG. 26. The driedglass paste 155B is one aspect of the "second glass paste" of the present disclosure. The driedglass paste 155B becomes harder than theglass paste 150B due to drying, and is more likely to maintain its shape.

次に、焼成工程を行う。この焼成工程では、乾燥ガラスペースト155Aおよび乾燥ガラスペースト155Bを焼成する。これにより、図27に示す蓄熱層15が得られる。なお、焼成工程においては、乾燥ガラスペースト155Aと乾燥ガラスペースト155Bとの双方が軟化し、互いに一体化する挙動を示す。このため、本実施形態の蓄熱層15には、乾燥ガラスペースト155Aと乾燥ガラスペースト155Bとの境界面は、判別できない状態となっている。Next, a firing process is performed. In this firing process, the driedglass paste 155A and the driedglass paste 155B are fired. As a result, theheat storage layer 15 shown in FIG. 27 is obtained. In the firing process, both the driedglass paste 155A and the driedglass paste 155B soften and behave in such a way that they become integrated with each other. Therefore, in theheat storage layer 15 of this embodiment, the boundary surface between the driedglass paste 155A and the driedglass paste 155B is in a state in which it is not possible to distinguish them.

焼成工程において、乾燥ガラスペースト155Aおよび乾燥ガラスペースト155Bを焼成することによって、蓄熱層15を形成する。ガラスペーストの種類によっては、蓄熱層15が形成される過程において、乾燥ガラスペースト155Aおよび乾燥ガラスペースト155Bが収縮する場合がある。これにより、図27に示す凸部12の頂面131の両縁からわずかに内側に後退して、蓄熱層15が形成される。頂面131の両縁から内側に後退する長さを、後退距離dとする。後退距離dは、たとえば0μmを超えて30μm以下であり、0μmを超えて15μm以下であることが好ましい。以上の内容は、他の実施形態においても適用される。In the firing process, theheat storage layer 15 is formed by firing the driedglass paste 155A and the driedglass paste 155B. Depending on the type of glass paste, the driedglass paste 155A and the driedglass paste 155B may shrink in the process of forming theheat storage layer 15. As a result, theheat storage layer 15 is formed slightly recessed inward from both edges of thetop surface 131 of theprotrusion 12 shown in FIG. 27. The length recessed inward from both edges of thetop surface 131 is set as the recession distance d. The recession distance d is, for example, more than 0 μm and not more than 30 μm, and preferably more than 0 μm and not more than 15 μm. The above content is also applicable to other embodiments.

この後は、第1実施形態において説明した発熱部形成工程を含む諸工程を経ることにより、サーマルプリントヘッドが得られる。After this, the thermal printhead is obtained by going through various processes including the heating portion formation process described in the first embodiment.

本実施形態の製造方法によって得られるサーマルプリントヘッドの蓄熱層15は、寸法W2に対する寸法H2の比を、0.1~0.25とすることが可能である。発明者によって形成された寸法W2と寸法H2を例示すると、実施例1では、寸法W2が400μm、寸法H2が60μm(比率:0.15)、実施例2では、寸法W2が300μm、寸法H2が65μm(比率:0.217)、実施例3では、寸法W2が400μm、寸法H2が90μm(比率:0.225)であった。ただし、本実施形態の製造方法によって得られるサーマルプリントヘッドの蓄熱層15の上述の比は、これに限定されるものではない。Theheat storage layer 15 of the thermal printhead obtained by the manufacturing method of this embodiment can have a ratio of dimension H2 to dimension W2 of 0.1 to 0.25. Examples of dimensions W2 and H2 formed by the inventors are as follows: in Example 1, dimension W2 was 400 μm, dimension H2 was 60 μm (ratio: 0.15); in Example 2, dimension W2 was 300 μm, dimension H2 was 65 μm (ratio: 0.217); and in Example 3, dimension W2 was 400 μm, dimension H2 was 90 μm (ratio: 0.225). However, the above-mentioned ratios of theheat storage layer 15 of the thermal printhead obtained by the manufacturing method of this embodiment are not limited to these.

本実施形態によっても、十分な厚みの蓄熱層15を簡易に形成することができる。特に、第1乾燥工程によってガラスペースト150Aよりも硬い性状となった乾燥ガラスペースト155A上に、第2印刷工程においてガラスペースト150Bを塗布する。これにより、ガラスペースト150Bを塗布しても、乾燥ガラスペースト155Aが扁平な形状に薄くなってしまうことを抑制することが可能である。したがって、蓄熱層15の寸法H2をより大きくすることができる。This embodiment also makes it possible to easily form aheat storage layer 15 of sufficient thickness. In particular, in the second printing process,glass paste 150B is applied onto driedglass paste 155A, which has become harder thanglass paste 150A through the first drying process. This makes it possible to prevent the driedglass paste 155A from becoming thin and flat, even whenglass paste 150B is applied. Therefore, the dimension H2 of theheat storage layer 15 can be made larger.

また、乾燥ガラスペースト155Aは、いまだ焼成されていないため、焼成工程において乾燥ガラスペースト155Aと乾燥ガラスペースト155Bとが軟化し、互いに一体的なガラス体となって蓄熱層15を構成する。これは、より均質な蓄熱層15を形成するのに好ましい。In addition, since the driedglass paste 155A has not yet been fired, the driedglass paste 155A and the driedglass paste 155B soften during the firing process and become an integrated glass body to form theheat storage layer 15. This is preferable for forming a more homogeneousheat storage layer 15.

なお、上述の例においては、第2乾燥工程を行った後に、焼成工程を行った。これと異なり、たとえば図25に示すように、第2印刷工程によって乾燥ガラスペースト155A上にガラスペースト150Bを塗布した後に、第2乾燥工程を経ること無く焼成工程を行ってもよい。この場合、焼成工程においてガラスペースト150Bが不当に垂れてしまうことを抑制することが好ましく、たとえばガラスペースト150Bとして、塗布された形状をより維持しやすい材質を用いる等の方策を適宜講じてもよい。In the above example, the firing step was performed after the second drying step. Alternatively, as shown in FIG. 25, for example,glass paste 150B may be applied onto driedglass paste 155A in the second printing step, and then the firing step may be performed without going through the second drying step. In this case, it is preferable to preventglass paste 150B from dripping unduly during the firing step, and appropriate measures may be taken, such as using a material forglass paste 150B that is more likely to maintain the applied shape.

本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成、および、本開示に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。The thermal printhead and the method for manufacturing a thermal printhead according to the present disclosure are not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the thermal printhead according to the present disclosure and the specific processing of each step of the method for manufacturing a thermal printhead according to the present disclosure can be freely designed in various ways.

たとえば、図3および図17などに示された複数の発熱部41に代えて、スクリーン印刷とレーザー加工とによって複数の発熱部41を形成してもよい。この場合には、まず、導電膜3Aを形成する。次に、導電膜3Aに選択的なエッチングを施すことにより、配線パターンを形成する。次に、配線パターン対してスクリーン印刷によって抵抗体ペーストを塗布することにより、抵抗体ペースト層を形成する。厚さ方向に沿って視て、抵抗体ペースト層が、複数の個別電極31の下流側のy方向先端と、複数の個別電極31に対して所定間隔を隔てて対向する各櫛歯部324のy方向上流側の先端とを含み、かつ、上述した所定間隔を含むようにして、抵抗体ペースト層を形成する。次に、抵抗体ペースト層を乾燥して焼成することによって固化し、抵抗体層4を形成。次に、焼成された抵抗体層4のうち、隣接する各櫛歯部324の間隙と隣接する各個別電極31の間隙とにy方向に沿って挟まれる部分を、レーザー加工によって除去する。除去された部分は、図3において、隣接する2個の発熱部41に挟まれた白い部分に相当する。ここまでの工程によって、図3に示された配線パターンと、複数の発熱部41とが得られる。レーザー加工に代えて、薄い円板状のダイシングブレード(回転刃)を使用して抵抗体層4を部分的に切削することによって、抵抗体層4を部分的に除去してもよい。For example, instead of themultiple heating parts 41 shown in FIG. 3 and FIG. 17,multiple heating parts 41 may be formed by screen printing and laser processing. In this case, first, aconductive film 3A is formed. Next, a wiring pattern is formed by selectively etching theconductive film 3A. Next, a resistor paste is applied to the wiring pattern by screen printing to form a resistor paste layer. When viewed along the thickness direction, the resistor paste layer includes the downstream y-direction tips of the multipleindividual electrodes 31 and the upstream y-direction tips of eachcomb tooth portion 324 that faces the multipleindividual electrodes 31 at a predetermined interval, and includes the above-mentioned predetermined interval, so that the resistor paste layer is formed. Next, the resistor paste layer is solidified by drying and firing to form theresistor layer 4. Next, the firedresistor layer 4 has a portion sandwiched in the y-direction between the gaps between the adjacentcomb tooth portions 324 and the gaps between the adjacentindividual electrodes 31 by laser processing. The removed portion corresponds to the white portion sandwiched between twoadjacent heating portions 41 in FIG. 3. Through the steps up to this point, the wiring pattern andmultiple heating portions 41 shown in FIG. 3 are obtained. Instead of laser processing, theresistor layer 4 may be partially removed by partially cutting theresistor layer 4 using a thin, disk-shaped dicing blade (rotary blade).

〔付記1〕
厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、
前記主面の上に形成され且つ主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、
前記基材と前記複数の発熱部との間に形成された蓄熱層と、
を備えており、
前記蓄熱層は、ガラス材料からなるグレーズであり、
前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、0.05以上0.2以下である、
サーマルプリントヘッド。
〔付記2〕
前記基材は、前記主面から突出し、かつ、前記主走査方向に延びる凸部をさらに有し、
前記蓄熱層は、前記凸部の頂部に形成されている、
付記1に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記3〕
前記頂部は、前記主面と平行な頂面を有する、
付記2に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記4〕
前記蓄熱層は、前記頂部の前記副走査方向の全幅にわたって形成されている、
付記2または3に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記5〕
前記凸部は、前記頂部と前記主面とに繋がり、かつ、前記主面に対して傾斜した傾斜部を有する、
付記2ないし4のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記6〕
前記傾斜部は、互いに繋がる第1傾斜面および第2傾斜面を有し、
前記第1傾斜面は、前記主面に繋がり、かつ、前記主面と前記第2傾斜面とに挟まれており、
前記第2傾斜面は、前記頂部に繋がり、かつ、前記第1傾斜面と前記頂部とに挟まれており、
前記主面に対する前記第2傾斜面の傾斜角は、前記主面に対する前記第1傾斜面の傾斜角よりも小さい、
付記5に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記7〕
前記蓄熱層は、当該蓄熱層の上面において、前記副走査方向の両端が盛り上がるように湾曲している、
付記1ないし6のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記8〕
前記抵抗体層を介して相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層をさらに備えており、
前記抵抗体層は、前記主面および前記蓄熱層に跨って形成され、
前記上流側導電層および前記下流側導電層は、前記抵抗体層の一部を露出させて前記抵抗体層上に積層されており、
前記複数の発熱部はそれぞれ、前記抵抗体層のうち前記上流側導電層および前記下流側導電層から露出する部分である、
付記1ないし7のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記9〕
前記絶縁層は、前記蓄熱層を覆っている、
付記1ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記10〕
前記単結晶半導体は、Siからなり、
前記主面は、(100)面である、
付記1ないし9のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記11〕
前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、30μm以上200μm以下である、
付記1ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記12〕
前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、50μm以上60μm以下である、
付記11に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記13〕
単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、
前記基材の上に、第1ガラスペーストを配置する第1印刷工程と、
前記第1ガラスペーストを焼成することで、第1グレーズを形成する第1グレーズ形成工程と、
前記第1グレーズの上に、主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記14〕
前記第1グレーズ形成工程で形成された前記第1グレーズの上に、第2ガラスペーストを配置する第2印刷工程と、
前記第2ガラスペーストを焼成することで、前記第1グレーズよりも厚さが厚い第2グレーズを形成する第2グレーズ形成工程と、
をさらに備えている、
付記13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記15〕
前記第1印刷工程および前記第2印刷工程のうち少なくともいずれか一方では、金属板にスリットが形成された孔版を用いて印刷を行う、
付記14に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記16〕
前記第2印刷工程で用いられる孔版のスリットの副走査方向の寸法は、前記第1印刷工程で用いられる孔版のスリットの前記副走査方向の寸法の8割以上9割以下である、
付記15に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記17〕
前記第1印刷工程および前記第2印刷工程のうち少なくともいずれか一方では、メッシュを有するスクリーンマスクを用いて印刷を行う、
付記14に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記18〕
前記第1印刷工程より前に行われ、前記基材に異方性エッチングを施すエッチング工程をさらに備え、
前記エッチング工程では、異方性エッチングにより、前記基材に、厚さ方向の一方を向く主面と、当該主面から突出した凸部とを形成し、
前記第1グレーズ形成工程では、前記凸部の頂部に前記第1グレーズを形成する、
付記13ないし17のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記19〕
前記第1グレーズ形成工程と前記発熱部形成工程との間に行われ、前記第1グレーズおよび前記基材を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程をさらに備えている、
付記13ないし18のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記20〕
単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、
前記基材の上に、第1ガラスペーストを配置する第1印刷工程と、
前記第1ガラスペーストを乾燥する第1乾燥工程と、
乾燥後の前記第1ガラスペースト上に第2ガラスペーストを配置する第2印刷工程と、
前記第1ガラスペーストおよび前記第2ガラスペーストを焼成することで、蓄熱層を形成する焼成工程と、
前記蓄熱層の上に、主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記21〕
前記第2印刷工程の後、前記焼成工程の前に、前記第2ガラスペーストを乾燥する第2乾燥工程をさらに備える、
付記20に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記22〕
厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、
前記主面の上に形成され且つ主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、
前記基材と前記複数の発熱部との間に形成された蓄熱層と、
を備えており、
前記蓄熱層は、ガラス材料からなるグレーズであり、
前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、0.10以上0.25以下である、
サーマルプリントヘッド。
[Appendix 1]
a substrate having a main surface facing in one direction of a thickness and made of a single crystal semiconductor;
a resistor layer including a plurality of heat generating portions formed on the main surface and arranged in a main scanning direction;
an insulating layer formed between the substrate and the resistor layer;
A heat storage layer formed between the base material and the plurality of heat generating portions;
Equipped with
The heat storage layer is a glaze made of a glass material,
a ratio of the thickness direction dimension of the heat storage layer to the sub-scanning direction dimension is 0.05 or more and 0.2 or less;
Thermal print head.
[Appendix 2]
the base material further has a protrusion protruding from the main surface and extending in the main scanning direction,
The heat storage layer is formed on the top of the protrusion.
2. The thermal printhead ofclaim 1.
[Appendix 3]
The top portion has a top surface parallel to the main surface.
3. The thermal printhead ofclaim 2.
[Appendix 4]
The heat storage layer is formed over the entire width of the top portion in the sub-scanning direction.
4. The thermal printhead according toclaim 2 or 3.
[Appendix 5]
the protrusion has an inclined portion that is connected to the top and the main surface and is inclined with respect to the main surface;
5. A thermal printhead according to any one ofclaims 2 to 4.
[Appendix 6]
the inclined portion has a first inclined surface and a second inclined surface that are connected to each other,
the first inclined surface is connected to the main surface and is sandwiched between the main surface and the second inclined surface,
the second inclined surface is connected to the apex and is sandwiched between the first inclined surface and the apex,
an inclination angle of the second inclined surface with respect to the main surface is smaller than an inclination angle of the first inclined surface with respect to the main surface;
6. The thermal printhead ofclaim 5.
[Appendix 7]
The heat storage layer is curved such that both ends in the sub-scanning direction rise on the upper surface of the heat storage layer.
7. A thermal printhead according to any one ofclaims 1 to 6.
[Appendix 8]
The resistor layer may further include an upstream conductive layer and a downstream conductive layer that are capable of conducting electricity between each other through the resistor layer,
the resistor layer is formed across the main surface and the heat storage layer,
the upstream conductive layer and the downstream conductive layer are laminated on the resistor layer with a portion of the resistor layer exposed,
each of the plurality of heat generating portions is a portion of the resistor layer that is exposed from the upstream conductive layer and the downstream conductive layer;
8. A thermal printhead according to any one ofclaims 1 to 7.
[Appendix 9]
The insulating layer covers the heat storage layer.
9. A thermal printhead according to any one ofclaims 1 to 8.
[Appendix 10]
the single crystal semiconductor is made of Si,
The main surface is a (100) surface.
10. A thermal printhead according to any one ofclaims 1 to 9.
[Appendix 11]
The dimension of the heat storage layer in the thickness direction is 30 μm or more and 200 μm or less.
11. A thermal printhead according to any one ofclaims 1 to 10.
[Appendix 12]
The dimension of the heat storage layer in the thickness direction is 50 μm or more and 60 μm or less.
12. The thermal printhead ofclaim 11.
[Appendix 13]
A preparation step of preparing a substrate made of a single crystal semiconductor;
a first printing step of disposing a first glass paste on the substrate;
a first glaze forming step of forming a first glaze by firing the first glass paste;
a heat generating portion forming step of forming a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction on the first glaze;
Equipped with
A method for manufacturing a thermal printhead.
[Appendix 14]
a second printing step of disposing a second glass paste on the first glaze formed in the first glaze forming step;
A second glaze forming step of forming a second glaze having a thickness greater than that of the first glaze by firing the second glass paste;
Further comprising:
14. A method for manufacturing the thermal printhead according toclaim 13.
[Appendix 15]
In at least one of the first printing step and the second printing step, printing is performed using a stencil having slits formed in a metal plate.
15. A method for manufacturing a thermal printhead according toclaim 14.
[Appendix 16]
The dimension of the slit in the sub-scanning direction of the stencil used in the second printing step is 80% or more and 90% or less of the dimension of the slit in the sub-scanning direction of the stencil used in the first printing step.
A method for manufacturing a thermal printhead according toclaim 15.
[Appendix 17]
In at least one of the first printing step and the second printing step, printing is performed using a screen mask having a mesh.
15. A method for manufacturing a thermal printhead according toclaim 14.
[Appendix 18]
The method further includes an etching step, which is performed before the first printing step, and which performs anisotropic etching on the base material;
In the etching step, a main surface facing one side in a thickness direction and a convex portion protruding from the main surface are formed in the base material by anisotropic etching;
In the first glaze forming step, the first glaze is formed on the top of the convex portion.
A method for manufacturing a thermal printhead according to any one ofclaims 13 to 17.
[Appendix 19]
The method further includes an insulating layer forming step, which is performed between the first glaze forming step and the heat generating portion forming step, and forms an insulating layer that covers the first glaze and the base material.
A method for manufacturing a thermal printhead according to any one ofclaims 13 to 18.
[Appendix 20]
A preparation step of preparing a substrate made of a single crystal semiconductor;
a first printing step of disposing a first glass paste on the substrate;
a first drying step of drying the first glass paste;
a second printing step of disposing a second glass paste on the first glass paste after drying;
a firing step of firing the first glass paste and the second glass paste to form a heat storage layer;
a heat generating portion forming step of forming a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction on the heat storage layer;
Equipped with
A method for manufacturing a thermal printhead.
[Appendix 21]
The method further includes a second drying step of drying the second glass paste after the second printing step and before the firing step.
21. A method for manufacturing a thermal printhead according to claim 20.
[Appendix 22]
a substrate having a main surface facing in one direction of a thickness and made of a single crystal semiconductor;
a resistor layer including a plurality of heat generating portions formed on the main surface and arranged in a main scanning direction;
an insulating layer formed between the substrate and the resistor layer;
A heat storage layer formed between the base material and the plurality of heat generating portions;
Equipped with
The heat storage layer is a glaze made of a glass material,
a ratio of the thickness direction dimension of the heat storage layer to the sub-scanning direction dimension is 0.10 or more and 0.25 or less;
Thermal print head.

A1~A4:サーマルプリントヘッド
1 :ヘッド基板
10 :基材
11 :主面
12 :凸部
13 :頂部
131 :頂面
14 :傾斜部
141 :傾斜面
142 :第1傾斜面
143 :第2傾斜面
15 :蓄熱層
151 :ラウンド部
19 :絶縁層
2 :保護層
21 :パッド用開口
3 :電極層
31 :個別電極
311 :電極パッド部
32 :共通電極
323 :共通部
324 :櫛歯部
4 :抵抗体層
41 :発熱部
5 :接続基板
59 :コネクタ
61 :ワイヤ
62 :ワイヤ
7 :ドライバIC
78 :保護樹脂
8 :放熱部材
99 :プラテンローラ
10A :基材
11A :主面
15A :グレーズ
15B :ガラスペースト
15C :グレーズ
150A,150B:ガラスペースト
155A,155B:乾燥ガラスペースト
3A :導電膜
4A :抵抗体膜
91,93:孔版
91a,93a:スリット
92 :スペーサ
139 :マスク層
A1 to A4: Thermal print head 1: Head substrate 10: Base material 11: Main surface 12: Convex portion 13: Top portion 131: Top surface 14: Inclined portion 141: Inclined surface 142: First inclined surface 143: Second inclined surface 15: Heat storage layer 151: Rounded portion 19: Insulating layer 2: Protective layer 21: Pad opening 3: Electrode layer 31: Individual electrode 311: Electrode pad portion 32: Common electrode 323: Common portion 324: Comb-tooth portion 4: Resistor layer 41: Heat generating portion 5: Connection substrate 59: Connector 61: Wire 62: Wire 7: Driver IC
78: Protective resin 8: Heat dissipation member 99:Platen roller 10A:Base material 11A:Main surface 15A:Glaze 15B:Glass paste 15C:Glaze 150A, 150B:Glass paste 155A, 155B: Driedglass paste 3A:Conductive film 4A:Resistor film 91, 93:Peripheral mask 91a, 93a: Slit 92: Spacer 139: Mask layer

Claims (20)

Translated fromJapanese
厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、
前記主面の上に形成され且つ主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、
前記基材と前記複数の発熱部との間に形成された蓄熱層と、
を備えており、
前記蓄熱層は、ガラス材料からなるグレーズであり、
前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、0.05以上0.2以下であり、
前記基材は、前記主面から突出し、かつ、前記主走査方向に延びる凸部をさらに有し、
前記蓄熱層は、前記凸部の頂部に形成されており、
前記蓄熱層は、前記頂部の前記副走査方向の全幅にわたって形成されている、
サーマルプリントヘッド。
a substrate having a main surface facing in one direction of a thickness and made of a single crystal semiconductor;
a resistor layer including a plurality of heat generating portions formed on the main surface and arranged in a main scanning direction;
an insulating layer formed between the substrate and the resistor layer;
A heat storage layer formed between the base material and the plurality of heat generating portions;
Equipped with
The heat storage layer is a glaze made of a glass material,
a ratio of a dimension of the heat storage layer in the thickness direction to a dimension in the sub-scanning directionis 0.05 or more and 0.2 or less;
the base material further has a protrusion protruding from the main surface and extending in the main scanning direction,
The heat storage layer is formed on the top of the protrusion,
The heat storage layer is formed over the entire width of the top portion in the sub-scanning direction.
Thermal print head.
前記頂部は、前記主面と平行な頂面を有する、
請求項に記載のサーマルプリントヘッド。
The top portion has a top surface parallel to the main surface.
2. The thermal printhead of claim1 .
前記凸部は、前記頂部と前記主面とに繋がり、かつ、前記主面に対して傾斜した傾斜部を有する、
請求項1または2に記載のサーマルプリントヘッド。
the protrusion has an inclined portion that is connected to the top and the main surface and is inclined with respect to the main surface;
3. The thermal printhead according to claim1 or 2 .
前記傾斜部は、互いに繋がる第1傾斜面および第2傾斜面を有し、
前記第1傾斜面は、前記主面に繋がり、かつ、前記主面と前記第2傾斜面とに挟まれており、
前記第2傾斜面は、前記頂部に繋がり、かつ、前記第1傾斜面と前記頂部とに挟まれており、
前記主面に対する前記第2傾斜面の傾斜角は、前記主面に対する前記第1傾斜面の傾斜角よりも小さい、
請求項に記載のサーマルプリントヘッド。
the inclined portion has a first inclined surface and a second inclined surface that are connected to each other,
the first inclined surface is connected to the main surface and is sandwiched between the main surface and the second inclined surface,
the second inclined surface is connected to the apex and is sandwiched between the first inclined surface and the apex,
an inclination angle of the second inclined surface with respect to the main surface is smaller than an inclination angle of the first inclined surface with respect to the main surface;
4. The thermal printhead according to claim3 .
前記蓄熱層は、当該蓄熱層の上面において、前記副走査方向の両端が盛り上がるように湾曲している、
請求項1ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The heat storage layer is curved such that both ends in the sub-scanning direction rise on the upper surface of the heat storage layer.
5. A thermal printhead according to claim 1.
厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、a substrate having a main surface facing in one direction of a thickness and made of a single crystal semiconductor;
前記主面の上に形成され且つ主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、a resistor layer including a plurality of heat generating portions formed on the main surface and arranged in a main scanning direction;
前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、an insulating layer formed between the substrate and the resistor layer;
前記基材と前記複数の発熱部との間に形成された蓄熱層と、A heat storage layer formed between the base material and the plurality of heat generating portions;
を備えており、Equipped with
前記蓄熱層は、ガラス材料からなるグレーズであり、The heat storage layer is a glaze made of a glass material,
前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、0.05以上0.2以下であり、a ratio of a dimension of the heat storage layer in the thickness direction to a dimension in the sub-scanning direction is 0.05 or more and 0.2 or less;
前記蓄熱層は、当該蓄熱層の上面において、前記副走査方向の両端が盛り上がるように湾曲している、The heat storage layer is curved such that both ends in the sub-scanning direction rise on the upper surface of the heat storage layer.
サーマルプリントヘッド。Thermal print head.
前記抵抗体層を介して相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層をさらに備えており、
前記抵抗体層は、前記主面および前記蓄熱層に跨って形成され、
前記上流側導電層および前記下流側導電層は、前記抵抗体層の一部を露出させて前記抵抗体層上に積層されており、
前記複数の発熱部はそれぞれ、前記抵抗体層のうち前記上流側導電層および前記下流側導電層から露出する部分である、
請求項1ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The resistor layer may further include an upstream conductive layer and a downstream conductive layer that are capable of conducting electricity between each other through the resistor layer,
the resistor layer is formed across the main surface and the heat storage layer,
the upstream conductive layer and the downstream conductive layer are laminated on the resistor layer with a portion of the resistor layer exposed,
each of the plurality of heat generating portions is a portion of the resistor layer that is exposed from the upstream conductive layer and the downstream conductive layer;
7. A thermal printhead according to claim 1.
前記絶縁層は、前記蓄熱層を覆っている、
請求項1ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The insulating layer covers the heat storage layer.
8. A thermal printhead according to claim 1.
前記単結晶半導体は、Siからなり、
前記主面は、(100)面である、
請求項1ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
the single crystal semiconductor is made of Si,
The main surface is a (100) surface.
9. A thermal printhead according to claim 1.
前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、30μm以上200μm以下である、
請求項1ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The dimension of the heat storage layer in the thickness direction is 30 μm or more and 200 μm or less.
10. A thermal printhead according to claim 1.
厚さ方向の一方を向く主面を有し、単結晶半導体からなる基材と、a substrate having a main surface facing in one direction of a thickness and made of a single crystal semiconductor;
前記主面の上に形成され且つ主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、a resistor layer including a plurality of heat generating portions formed on the main surface and arranged in a main scanning direction;
前記基材と前記抵抗体層との間に形成された絶縁層と、an insulating layer formed between the substrate and the resistor layer;
前記基材と前記複数の発熱部との間に形成された蓄熱層と、A heat storage layer formed between the base material and the plurality of heat generating portions;
を備えており、Equipped with
前記蓄熱層は、ガラス材料からなるグレーズであり、The heat storage layer is a glaze made of a glass material,
前記蓄熱層の副走査方向の寸法に対する前記厚さ方向の寸法の比率は、0.05以上0.2以下であり、a ratio of a dimension of the heat storage layer in the thickness direction to a dimension in the sub-scanning direction is 0.05 or more and 0.2 or less;
前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、30μm以上200μm以下である、The dimension of the heat storage layer in the thickness direction is 30 μm or more and 200 μm or less.
サーマルプリントヘッド。Thermal print head.
前記蓄熱層の前記厚さ方向の寸法は、50μm以上60μm以下である、
請求項10または11に記載のサーマルプリントヘッド。
The dimension of the heat storage layer in the thickness direction is 50 μm or more and 60 μm or less.
12. The thermal printhead according to claim10 or 11.
単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、
前記基材の上に、第1ガラスペーストを配置する第1印刷工程と、
前記第1ガラスペーストを焼成することで、第1グレーズを形成する第1グレーズ形成工程と、
前記第1グレーズの上に、主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程と、
を備えており、
前記第1グレーズ形成工程で形成された前記第1グレーズの上に、第2ガラスペーストを配置する第2印刷工程と、
前記第2ガラスペーストを焼成することで、前記第1グレーズよりも厚さが厚い第2グレーズを形成する第2グレーズ形成工程と、
をさらに備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
A preparation step of preparing a substrate made of a single crystal semiconductor;
a first printing step of disposing a first glass paste on the substrate;
a first glaze forming step of forming a first glaze by firing the first glass paste;
a heat generating portion forming step of forming a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction on the first glaze;
Equippedwith
a second printing step of disposing a second glass paste on the first glaze formed in the first glaze forming step;
A second glaze forming step of forming a second glaze having a thickness greater than that of the first glaze by firing the second glass paste;
Further comprising:
A method for manufacturing a thermal printhead.
前記第1印刷工程および前記第2印刷工程のうち少なくともいずれか一方では、金属板にスリットが形成された孔版を用いて印刷を行う、
請求項13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
In at least one of the first printing step and the second printing step, printing is performed using a stencil having slits formed in a metal plate.
The method for manufacturing the thermal printhead according to claim13 .
前記第2印刷工程で用いられる孔版のスリットの副走査方向の寸法は、前記第1印刷工程で用いられる孔版のスリットの前記副走査方向の寸法の8割以上9割以下である、
請求項14に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The dimension of the slit in the sub-scanning direction of the stencil used in the second printing step is 80% or more and 90% or less of the dimension of the slit in the sub-scanning direction of the stencil used in the first printing step.
The method for manufacturing the thermal printhead according to claim14 .
前記第1印刷工程および前記第2印刷工程のうち少なくともいずれか一方では、メッシュを有するスクリーンマスクを用いて印刷を行う、
請求項13に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
In at least one of the first printing step and the second printing step, printing is performed using a screen mask having a mesh.
The method for manufacturing the thermal printhead according to claim13 .
前記第1印刷工程より前に行われ、前記基材に異方性エッチングを施すエッチング工程をさらに備え、
前記エッチング工程では、異方性エッチングにより、前記基材に、厚さ方向の一方を向く主面と、当該主面から突出した凸部とを形成し、
前記第1グレーズ形成工程では、前記凸部の頂部に前記第1グレーズを形成する、
請求項13ないし16のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The method further includes an etching step, which is performed before the first printing step, and which performs anisotropic etching on the base material;
In the etching step, a main surface facing one side in a thickness direction and a convex portion protruding from the main surface are formed in the base material by anisotropic etching;
In the first glaze forming step, the first glaze is formed on the top of the convex portion.
A method for manufacturing a thermal printhead according to any one of claims 13 to16 .
前記第1グレーズ形成工程と前記発熱部形成工程との間に行われ、前記第1グレーズおよび前記基材を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程をさらに備えている、
請求項13ないし17のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The method further includes an insulating layer forming step, which is performed between the first glaze forming step and the heat generating portion forming step, and forms an insulating layer that covers the first glaze and the base material.
A method for manufacturing a thermal printhead according to any one of claims 13 to17 .
単結晶半導体からなる基材を準備する準備工程と、
前記基材の上に、第1ガラスペーストを配置する第1印刷工程と、
前記第1ガラスペーストを乾燥する第1乾燥工程と、
乾燥後の前記第1ガラスペースト上に第2ガラスペーストを配置する第2印刷工程と、
前記第1ガラスペーストおよび前記第2ガラスペーストを焼成することで、蓄熱層を形成する焼成工程と、
前記蓄熱層の上に、主走査方向に配列された複数の発熱部を形成する発熱部形成工程と、
を備えている、
サーマルプリントヘッドの製造方法。
A preparation step of preparing a substrate made of a single crystal semiconductor;
a first printing step of disposing a first glass paste on the substrate;
a first drying step of drying the first glass paste;
a second printing step of disposing a second glass paste on the first glass paste after drying;
a firing step of firing the first glass paste and the second glass paste to form a heat storage layer;
a heat generating portion forming step of forming a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction on the heat storage layer;
Equipped with
A method for manufacturing a thermal printhead.
前記第2印刷工程の後、前記焼成工程の前に、前記第2ガラスペーストを乾燥する第2乾燥工程をさらに備える、
請求項19に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The method further includes a second drying step of drying the second glass paste after the second printing step and before the firing step.
The method for manufacturing the thermal printhead according to claim19 .
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