JP7529533B2 - Sensor Device - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本明細書が開示する技術は、センサ装置に関する。The technology disclosed in this specification relates to a sensor device.

特許文献１にセンサ装置が開示されている。特許文献１のセンサ装置は、容器内の流体の圧力を検出することができる。特許文献１における容器は、流体が収容される空間を画定する外壁部と、外壁部の一部に設けられている開口部とを備えている。特許文献１のセンサ装置は、容器内において容器の開口部に面する位置に配置されており容器の外壁部の内面に固定されているセンサ部を備えている。センサ部は、容器内の流体の圧力を受圧する受圧面を備えるダイヤフラム部を備えている。Patent document 1 discloses a sensor device. The sensor device of Patent document 1 can detect the pressure of a fluid in a container. The container in Patent document 1 has an outer wall portion that defines a space in which the fluid is accommodated, and an opening portion provided in a part of the outer wall portion. The sensor device of Patent document 1 has a sensor portion that is disposed in the container at a position facing the opening portion of the container and is fixed to the inner surface of the outer wall portion of the container. The sensor portion has a diaphragm portion that has a pressure-receiving surface that receives the pressure of the fluid in the container.

特開平９－７９９２８号公報Japanese Patent Application Publication No. 9-79928

特許文献１のセンサ装置では、ダイヤフラム部が露出しているので外部の余分な力がダイヤフラム部に作用することがある。これにより圧力の検出精度が低下することがある。また、特許文献１のセンサ装置では、水蒸気やガスが容器の開口部を通過することがある。これにより、水蒸気やガスの影響で圧力の検出精度が低下することがある。そこで本明細書では、流体の圧力を精度良く検出することができる技術を提供する。In the sensor device of Patent Document 1, the diaphragm portion is exposed, so excess external forces may act on the diaphragm portion. This may result in a decrease in the accuracy of pressure detection. In addition, in the sensor device of Patent Document 1, water vapor or gas may pass through the opening of the container. This may result in a decrease in the accuracy of pressure detection due to the influence of water vapor or gas. Therefore, this specification provides a technology that can detect the pressure of a fluid with high accuracy.

本明細書に開示するセンサ装置は、容器内又は管内の流体の圧力を検出するセンサ装置であって、前記容器又は前記管は、流体を収容する空間を画定する外壁部と、前記外壁部の一部に設けられている開口部と、を備えている。前記センサ装置は、前記容器内又は前記管内において前記開口部と向かい合う位置に配置されており前記外壁部の内面に固定されているセンサ部と、前記センサ部を覆うように前記開口部を封止しているシール部と、を備えている。前記センサ部は、前記容器内又は前記管内の流体の圧力を受圧する受圧面を備えるダイヤフラム部を備えている。The sensor device disclosed in this specification is a sensor device that detects the pressure of a fluid in a container or a pipe, and the container or the pipe has an outer wall portion that defines a space for accommodating the fluid, and an opening portion provided in a part of the outer wall portion. The sensor device has a sensor portion that is disposed in the container or the pipe at a position facing the opening portion and fixed to the inner surface of the outer wall portion, and a seal portion that seals the opening portion so as to cover the sensor portion. The sensor portion has a diaphragm portion that has a pressure receiving surface that receives the pressure of the fluid in the container or the pipe.

この構成によれば、容器内又は管内の流体の圧力がダイヤフラム部に作用するときに、センサ部が容器又は管の外壁部の内面に押し付けられる。これにより、センサ部が容器又は管に強固に固定される。また、容器又は管の内外の間で開口部を通じて水蒸気やガスが通過することをシール部により抑制することができる。これにより、流体の圧力を検出するときに水蒸気やガスの影響を抑制することができる。以上より、上記のセンサ装置によれば、容器内又は管内の流体の圧力を精度良く検出することができる。According to this configuration, when the pressure of the fluid in the container or tube acts on the diaphragm portion, the sensor portion is pressed against the inner surface of the outer wall portion of the container or tube. This firmly fixes the sensor portion to the container or tube. In addition, the seal portion can prevent water vapor or gas from passing through the opening between the inside and outside of the container or tube. This makes it possible to suppress the influence of water vapor or gas when detecting the pressure of the fluid. As a result, the above sensor device can accurately detect the pressure of the fluid in the container or tube.

前記センサ部は、前記ダイヤフラム部の前記受圧面と反対側の面と向かい合う空間を画定するカバー部を更に備えていてもよい。The sensor unit may further include a cover portion that defines a space facing the surface of the diaphragm portion opposite the pressure-receiving surface.

この構成によれば、ダイヤフラム部の受圧面と反対側においてカバー部により空間が画定されるので、流体の圧力が受圧面に作用するときに、受圧面と反対側の面に余分な力が作用しない。これにより流体の圧力を精度良く検出することができる。With this configuration, a space is defined by the cover on the side opposite the pressure-receiving surface of the diaphragm, so when the pressure of the fluid acts on the pressure-receiving surface, no extra force acts on the surface opposite the pressure-receiving surface. This allows the pressure of the fluid to be detected with high accuracy.

前記シール部は、前記センサ部を覆う第１シール部と、前記第１シール部を覆う第２シール部であって前記第１シール部よりも硬い材料から構成されている前記第２シール部とを備えていてもよい。The sealing portion may include a first sealing portion that covers the sensor portion, and a second sealing portion that covers the first sealing portion and is made of a material harder than the first sealing portion.

この構成によれば、例えば第１シール部により主に水や水蒸気が透過することを抑制して液体のシールを行うことができる。また、第２シール部により主にガスが透過することを抑制することができる。シール部において相対的に軟らかい第１シール部と硬い第２シール部を用いることにより水蒸気やガスが透過することを抑制でき、流体の圧力を検出するときの水蒸気やガスの影響を抑制することができる。また、外部の力がシール部を介してセンサ部に作用するとしても、比較的軟らかい第１シール部により、センサ部に作用する力を緩和することができる。According to this configuration, for example, the first seal portion can suppress the passage of mainly water and water vapor, thereby sealing the liquid. Also, the second seal portion can suppress the passage of mainly gas. By using a relatively soft first seal portion and a hard second seal portion in the seal portion, the passage of water vapor and gas can be suppressed, and the influence of water vapor and gas when detecting the pressure of the fluid can be suppressed. Also, even if an external force acts on the sensor portion through the seal portion, the force acting on the sensor portion can be mitigated by the relatively soft first seal portion.

前記第１シール部と前記第２シール部の界面が前記開口部の内面に接していてもよい。The interface between the first seal portion and the second seal portion may be in contact with the inner surface of the opening.

第２シール部が容器又は管の外壁部の内面よりも内側に配置されていると、外部の力が比較的硬い第２シール部を介してセンサ部に作用することが考えられる。そうすると、外部の力が緩和されずにセンサ部に作用することになる。上記の構成によれば、第２シール部が容器又は管の外壁部の内面よりも外側に配置され、外壁部の内面よりも内側に第１シール部が配置されるので、センサ部に作用する力を第１シール部により緩和することができる。If the second seal portion is positioned inside the inner surface of the outer wall portion of the container or pipe, it is conceivable that an external force will act on the sensor portion via the relatively hard second seal portion. In that case, the external force will act on the sensor portion without being alleviated. With the above configuration, the second seal portion is positioned outside the inner surface of the outer wall portion of the container or pipe, and the first seal portion is positioned inside the inner surface of the outer wall portion, so that the force acting on the sensor portion can be alleviated by the first seal portion.

前記第１シール部と前記第２シール部の界面が前記開口部よりも前記容器内側又は前記管内側に位置していてもよい。The interface between the first seal portion and the second seal portion may be located on the inside of the container or the inside of the tube relative to the opening.

上記の構成によれば第２シール部が容器又は管の外壁部の内面よりも内側に配置される。第２シール部が容器又は管の外壁部の内面よりも内側に配置されているとしてもセンサ部が第１シール部により覆われていれば外部の力が比較的硬い第２シール部を介してセンサ部に作用することを抑制することができる。また、第２シール部が容器又は管の外壁部の内面よりも内側に配置されることによりガスが透過することを更に抑制することができる。According to the above configuration, the second seal portion is positioned inside the inner surface of the outer wall portion of the container or pipe. Even if the second seal portion is positioned inside the inner surface of the outer wall portion of the container or pipe, if the sensor portion is covered by the first seal portion, it is possible to prevent external forces from acting on the sensor portion via the relatively hard second seal portion. In addition, by positioning the second seal portion inside the inner surface of the outer wall portion of the container or pipe, it is possible to further prevent gas from passing through.

前記第１シール部と前記第２シール部の界面が前記開口部よりも前記容器外側又は前記管外側に位置していてもよい。The interface between the first seal portion and the second seal portion may be located outside the container or outside the tube relative to the opening.

上記の構成によれば第１シール部が容器又は管の外壁部の外面よりも外側に配置される。これにより外部の力を第１シール部により更に緩和することができる。With the above configuration, the first seal portion is positioned outside the outer surface of the outer wall portion of the container or pipe. This allows the first seal portion to further mitigate external forces.

実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a sensor device according to an embodiment.図１のII－II断面図である。This is a cross-sectional view of FIG.図１の部分IIIの拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion III in FIG.図１の部分IVの拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a portion IV of FIG.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.他の実施例に係るセンサ装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor device according to another embodiment.

実施例に係るセンサ装置１について図面を参照して説明する。図１は、実施例に係るセンサ装置１の断面図である。図１に示すように、センサ装置１は、液体ｗ（流体の一例）が収容される容器２００に取り付けられて使用される。センサ装置１は、センサ部２０と、センサ部２０を覆うシール部６０とを備えている。センサ装置１は、容器２００内の液体ｗの圧力を検出する装置である。圧力検出対象の液体ｗは例えば水である。A sensor device 1 according to an embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of the sensor device 1 according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the sensor device 1 is attached to acontainer 200 that contains a liquid w (an example of a fluid) and is used. The sensor device 1 includes asensor unit 20 and aseal unit 60 that covers thesensor unit 20. The sensor device 1 is a device that detects the pressure of the liquid w in thecontainer 200. The liquid w whose pressure is to be detected is, for example, water.

容器２００は、液体ｗが流れる管２５０に固定されている。管２５０内を流れる液体ｗの一部が容器２００内に流入し、容器２００内に充填される。容器２００は、外壁部２０２と、外壁部２０２の一部に設けられている開口部２０３とを備えている。Thecontainer 200 is fixed to atube 250 through which a liquid w flows. A portion of the liquid w flowing in thetube 250 flows into thecontainer 200, filling thecontainer 200. Thecontainer 200 has anouter wall portion 202 and anopening 203 provided in a portion of theouter wall portion 202.

外壁部２０２は、液体ｗを収容する空間２０１を画定する。外壁部２０２は、センサ部２０を囲むように配置されている。外壁部２０２の内面２０４にセンサ部２０が取り付けられている。容器２００の開口部２０３は、外壁部２０２の上部の中央部に設けられている。開口部２０３は、容器２００の内外を連通させるように開口している。開口部２０３は外壁部２０２を貫通している。Theouter wall portion 202 defines aspace 201 that contains the liquid w. Theouter wall portion 202 is arranged to surround thesensor portion 20. Thesensor portion 20 is attached to theinner surface 204 of theouter wall portion 202. Theopening portion 203 of thecontainer 200 is provided in the center of the upper portion of theouter wall portion 202. Theopening portion 203 is open so as to communicate between the inside and outside of thecontainer 200. Theopening portion 203 penetrates theouter wall portion 202.

センサ部２０は、容器２００内（外壁部２０２の内面２０４よりも内側）に配置されている。センサ部２０は、容器２００の開口部２０３と向かい合う位置に配置されている。センサ部２０は、開口部２０３の周囲の外壁部２０２に固定されている。センサ部２０は、接合材料５０を介して外壁部２０２に固定されている。Thesensor unit 20 is disposed inside the container 200 (inside theinner surface 204 of the outer wall portion 202). Thesensor unit 20 is disposed in a position facing theopening 203 of thecontainer 200. Thesensor unit 20 is fixed to theouter wall portion 202 around theopening 203. Thesensor unit 20 is fixed to theouter wall portion 202 via thebonding material 50.

センサ部２０は、センサチップ２１と、センサチップ２１を支持する支持部材４０とを備えている。センサチップ２１は、例えば、半導体であるＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板から作製されている。センサチップ２１は、ダイヤフラム部２２と、ダイヤフラム部２２を支持する支持部２４と、絶縁膜２５とを備えている。センサチップ２１は、ダイヤフラム部２２が容器２００の開口部２０３と向かい合うように配置されている。Thesensor unit 20 includes asensor chip 21 and asupport member 40 that supports thesensor chip 21. Thesensor chip 21 is made, for example, from a semiconductor SOI (Silicon on Insulator) substrate. Thesensor chip 21 includes adiaphragm portion 22, asupport portion 24 that supports thediaphragm portion 22, and an insulatingfilm 25. Thesensor chip 21 is arranged so that thediaphragm portion 22 faces theopening 203 of thecontainer 200.

ダイヤフラム部２２は、半導体（例えば、Ｓｉ）からなる薄い膜状の構成である。ダイヤフラム部２２は、センサチップ２１の上部の中央部に設けられている。ダイヤフラム部２２は、例えば、ＳＯＩ基板を下面から絶縁膜２５までエッチングすることにより作製される。ダイヤフラム部２２は、容器２００の内の液体ｗの圧力を受圧する受圧面２７を備えている。受圧面２７は、ダイヤフラム部２２の下面に設けられている。受圧面２７は、容器２００内を向くように構成されている。容器２００内の液体ｗの圧力が受圧面２７に作用する。ダイヤフラム部２２は、受圧面２７と直交する方向から視たときに略円形状に形成されている。他の実施例では、ダイヤフラム部２２が略四角形状に形成されていてもよい。ダイヤフラム部２２の形状は限定されるものではない。Thediaphragm portion 22 is a thin film-like structure made of a semiconductor (e.g., Si). Thediaphragm portion 22 is provided in the center of the upper part of thesensor chip 21. Thediaphragm portion 22 is fabricated, for example, by etching an SOI substrate from the lower surface to the insulatingfilm 25. Thediaphragm portion 22 has a pressure-receivingsurface 27 that receives the pressure of the liquid w in thecontainer 200. The pressure-receivingsurface 27 is provided on the lower surface of thediaphragm portion 22. The pressure-receivingsurface 27 is configured to face the inside of thecontainer 200. The pressure of the liquid w in thecontainer 200 acts on the pressure-receivingsurface 27. Thediaphragm portion 22 is formed in an approximately circular shape when viewed from a direction perpendicular to the pressure-receivingsurface 27. In other embodiments, thediaphragm portion 22 may be formed in an approximately rectangular shape. The shape of thediaphragm portion 22 is not limited.

ダイヤフラム部２２には複数（本実施例では４個）のピエゾ抵抗部２３が設けられている。複数のピエゾ抵抗部２３は、ダイヤフラム部２２の上部に配置されている。複数のピエゾ抵抗部２３は、互いに間隔をあけて配置されている。各ピエゾ抵抗部２３は、ダイヤフラム部２２を構成する半導体（例えば、Ｓｉ）にイオン注入をすることにより形成される。ダイヤフラム部２２は、容器２００内の液体ｗの圧力を受圧面２７が受圧すると上側に撓むように変形する。各ピエゾ抵抗部２３は、液体ｗの圧力によってダイヤフラム部２２が変形したときに、それに応じて歪む。各ピエゾ抵抗部２３に歪みが生じると、各ピエゾ抵抗部２３の抵抗値が変化する。図２に示すように、複数のピエゾ抵抗部２３は、それぞれ、複数の配線部２８に接続されている。Thediaphragm portion 22 is provided with a plurality of piezoresistance portions 23 (four in this embodiment). The plurality ofpiezoresistance portions 23 are arranged on the upper portion of thediaphragm portion 22. The plurality ofpiezoresistance portions 23 are arranged at intervals from each other. Eachpiezoresistance portion 23 is formed by ion implantation into a semiconductor (e.g., Si) constituting thediaphragm portion 22. When thepressure receiving surface 27 receives the pressure of the liquid w in thecontainer 200, thediaphragm portion 22 deforms so as to bend upward. When thediaphragm portion 22 is deformed by the pressure of the liquid w, eachpiezoresistance portion 23 is distorted accordingly. When eachpiezoresistance portion 23 is distorted, the resistance value of eachpiezoresistance portion 23 changes. As shown in FIG. 2, the plurality ofpiezoresistance portions 23 are connected to a plurality ofwiring portions 28, respectively.

複数のピエゾ抵抗部２３は、ダイヤフラム部２２の応力を検出するためのブリッジ回路（不図示）の一部を構成している。各ピエゾ抵抗部２３は、ブリッジ回路における各抵抗要素に相当する。ブリッジ回路に基づいてダイヤフラム部２２の応力を検出することによって、ダイヤフラム部２２の受圧面２７に作用する液体ｗ（容器２００内の液体ｗ）の圧力を検出することができる。ブリッジ回路に基づいて応力を検出する方法についてはよく知られているので詳細な説明を省略する。Themultiple piezoresistance elements 23 form part of a bridge circuit (not shown) for detecting the stress of thediaphragm portion 22. Eachpiezoresistance element 23 corresponds to a resistance element in the bridge circuit. By detecting the stress of thediaphragm portion 22 based on the bridge circuit, it is possible to detect the pressure of the liquid w (liquid w in the container 200) acting on the pressure-receivingsurface 27 of thediaphragm portion 22. The method of detecting stress based on a bridge circuit is well known, so a detailed explanation will be omitted.

図１に示す絶縁膜２５は、例えばＳｉＯ_２膜である。絶縁膜２５は、ダイヤフラム部２２の下に配置されている。絶縁膜２５は、ダイヤフラム部２２に配置されている複数のピエゾ抵抗部２３よりも受圧面２７側（下側）に配置されている。絶縁膜２５は、ダイヤフラム部２２の受圧面２７の全体を覆っている。絶縁膜２５は、ダイヤフラム部２２から支持部２４にわたって延びている。絶縁膜２５は、複数のピエゾ抵抗部２３と容器２００内の液体ｗとの間に位置している。 The insulatingfilm 25 shown in Fig. 1 is, for example, a_SiO2 film. The insulatingfilm 25 is disposed under thediaphragm portion 22. The insulatingfilm 25 is disposed on the pressure-receivingsurface 27 side (lower side) than themultiple piezoresistance portions 23 disposed in thediaphragm portion 22. The insulatingfilm 25 covers the entire pressure-receivingsurface 27 of thediaphragm portion 22. The insulatingfilm 25 extends from thediaphragm portion 22 to thesupport portion 24. The insulatingfilm 25 is located between themultiple piezoresistance portions 23 and the liquid w in thecontainer 200.

支持部２４は、ダイヤフラム部２２の周囲に位置している。支持部２４よりも内側にダイヤフラム部２２が配置されている。支持部２４は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２に固定されている。支持部２４は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２を支持している。支持部２４は、ダイヤフラム部２２と一体的に構成されている。支持部２４は、半導体（例えば、Ｓｉ）から構成されている。上下方向における支持部２４の厚みは、ダイヤフラム部２２の厚みよりも厚い。支持部２４は、厚いブロック状の構成である。支持部２４は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２の全周を囲んでいる。支持部２４は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２に沿って一周している。Thesupport portion 24 is located around thediaphragm portion 22. Thediaphragm portion 22 is disposed inside thesupport portion 24. Thesupport portion 24 is fixed to the outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22. Thesupport portion 24 supports the outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22. Thesupport portion 24 is configured integrally with thediaphragm portion 22. Thesupport portion 24 is configured from a semiconductor (e.g., Si). The thickness of thesupport portion 24 in the vertical direction is thicker than the thickness of thediaphragm portion 22. Thesupport portion 24 is configured in a thick block shape. Thesupport portion 24 surrounds the entire outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22. Thesupport portion 24 goes around the outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22.

支持部２４には、溝部２６が設けられている。溝部２６は、支持部２４の上面から絶縁膜２５に達する位置まで連続して延びている。溝部２６は、例えば、ＳＯＩ基板を絶縁膜２５までエッチングすることによって形成される。溝部２６は、複数のピエゾ抵抗部２３の周りに設けられており、複数のピエゾ抵抗部２３の全てを囲んでいる。溝部２６は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２よりも外側に設けられている。溝部２６は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２の全周を囲んでいる。溝部２６は、ダイヤフラム部２２の外周端部１２２に沿って一周している。溝部２６は、外周端部１２２に沿って連続して延びている。溝部２６は、ダイヤフラム部２２の受圧面２７と直交する方向から視たときに略円形状に形成されている。Thesupport portion 24 is provided with agroove portion 26. Thegroove portion 26 extends continuously from the upper surface of thesupport portion 24 to a position where it reaches the insulatingfilm 25. Thegroove portion 26 is formed, for example, by etching the SOI substrate down to the insulatingfilm 25. Thegroove portion 26 is provided around themultiple piezoresistance portions 23 and surrounds all of themultiple piezoresistance portions 23. Thegroove portion 26 is provided outside the outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22. Thegroove portion 26 surrounds the entire circumference of the outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22. Thegroove portion 26 goes around the outerperipheral end portion 122 of thediaphragm portion 22. Thegroove portion 26 extends continuously along the outerperipheral end portion 122. Thegroove portion 26 is formed in an approximately circular shape when viewed from a direction perpendicular to thepressure receiving surface 27 of thediaphragm portion 22.

図２及び図３に示すように、ダイヤフラム部２２と支持部２４には複数（本実施例では４個）の配線部２８が設けられている。複数の配線部２８は、ダイヤフラム部２２と支持部２４の上部に配置されている。複数の配線部２８は、ダイヤフラム部２２に設けられている複数のピエゾ抵抗部２３に対応する位置に設けられている。各配線部２８は、ダイヤフラム部２２と支持部２４を構成する半導体（例えば、Ｓｉ）にイオン注入をすることにより形成される。各配線部２８の内側の端部２８１は、各ピエゾ抵抗部２３に接続されている。各配線部２８は、各ピエゾ抵抗部２３からダイヤフラム部２２の径方向に延びており、ダイヤフラム部２２から支持部２４にわたって延びている。各配線部２８の外側の端部２８２は、後述する配線７０に電気的に接続されている。外側の端部２８２は、後述する支持部材４０の各開口部４３と向かい合っている。2 and 3, thediaphragm portion 22 and thesupport portion 24 are provided with a plurality of wiring portions 28 (four in this embodiment). The plurality ofwiring portions 28 are disposed on the upper portion of thediaphragm portion 22 and thesupport portion 24. The plurality ofwiring portions 28 are disposed at positions corresponding to the plurality ofpiezoresistance portions 23 provided on thediaphragm portion 22. Eachwiring portion 28 is formed by ion implantation into a semiconductor (e.g., Si) that constitutes thediaphragm portion 22 and thesupport portion 24. Theinner end portion 281 of eachwiring portion 28 is connected to eachpiezoresistance portion 23. Eachwiring portion 28 extends from eachpiezoresistance portion 23 in the radial direction of thediaphragm portion 22, and extends from thediaphragm portion 22 to thesupport portion 24. Theouter end portion 282 of eachwiring portion 28 is electrically connected to thewiring 70 described later. Theouter end portion 282 faces each opening 43 of thesupport member 40 described later.

次に、支持部材４０について説明する。図１に示すように、支持部材４０は、容器２００とセンサチップ２１に固定されている。支持部材４０は、接合材料５０を介して容器２００に接着されている。支持部材４０の上面が容器２００の外壁部２０２の内面２０４に固定されている。支持部材４０と容器２００を接着している接合材料５０は、例えばシリコーンである。Next, thesupport member 40 will be described. As shown in FIG. 1, thesupport member 40 is fixed to thecontainer 200 and thesensor chip 21. Thesupport member 40 is adhered to thecontainer 200 via abonding material 50. The upper surface of thesupport member 40 is fixed to theinner surface 204 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200. Thebonding material 50 that bonds thesupport member 40 to thecontainer 200 is, for example, silicone.

支持部材４０は、例えばガラスから構成されている。支持部材４０は、例えば陽極接合によりセンサチップ２１の上面に接合されている。陽極接合は、ガラスと半導体を接触させた状態で両者の間に電圧を印加することにより両者を接合する方法である。陽極接合については良く知られているので詳細な説明を省略する。Thesupport member 40 is made of, for example, glass. Thesupport member 40 is bonded to the top surface of thesensor chip 21 by, for example, anodic bonding. Anodic bonding is a method of bonding glass and a semiconductor by applying a voltage between them while they are in contact with each other. Anodic bonding is well known, so a detailed explanation will be omitted.

支持部材４０は、支持部４１とカバー部４２を備えている。支持部４１は、カバー部４２の周囲に設けられている。支持部４１は、容器２００の外壁部２０２とセンサチップ２１との間に配置されている。支持部４１は、外壁部２０２とセンサチップ２１に固定されている。Thesupport member 40 includes asupport portion 41 and acover portion 42. Thesupport portion 41 is provided around thecover portion 42. Thesupport portion 41 is disposed between theouter wall portion 202 of thecontainer 200 and thesensor chip 21. Thesupport portion 41 is fixed to theouter wall portion 202 and thesensor chip 21.

図２に示すように、支持部４１には複数（本実施例では４個）の開口部４３が設けられている。複数の開口部４３は、センサチップ２１のダイヤフラム部２２を囲むように設けられている。複数の開口部４３は、ダイヤフラム部２２に設けられている複数のピエゾ抵抗部２３に対応する位置に設けられている。各開口部４３は、支持部４１を上下方向に貫通している。各開口部４３は、センサチップ２１に設けられている各配線部２８の外側の端部２８２に面する位置に開口している。As shown in FIG. 2, thesupport portion 41 has a plurality of openings 43 (four in this embodiment). The plurality ofopenings 43 are provided so as to surround thediaphragm portion 22 of thesensor chip 21. The plurality ofopenings 43 are provided at positions corresponding to the plurality ofpiezoresistance portions 23 provided in thediaphragm portion 22. Eachopening 43 penetrates thesupport portion 41 in the vertical direction. Eachopening 43 opens at a position facing theouter end portion 282 of eachwiring portion 28 provided in thesensor chip 21.

図１に示すように、カバー部４２は、支持部４１の内側に設けられている。カバー部４２は、容器２００の開口部２０３に面する位置に配置されている。カバー部４２は、容器２００の開口部２０３とセンサチップ２１との間に配置されている。カバー部４２は、センサチップ２１に設けられているダイヤフラム部２２を覆っている。カバー部４２は、ダイヤフラム部２２の上面（受圧面２７と反対側の面）を覆っている。カバー部４２は、ダイヤフラム部２２の上面を覆うことにより空間４４を画定している。カバー部４２とセンサチップ２１との間に空間４４が設けられている。カバー部４２の下端部は、センサチップ２１の上面に例えば陽極接合により固定されている。空間４４は、ダイヤフラム部２２の上面（受圧面２７と反対側の面）に面している。空間４４は気密状態にされている。空間４４は真空状態であってもよい。As shown in FIG. 1, thecover part 42 is provided on the inside of thesupport part 41. Thecover part 42 is disposed at a position facing theopening 203 of thecontainer 200. Thecover part 42 is disposed between the opening 203 of thecontainer 200 and thesensor chip 21. Thecover part 42 covers thediaphragm part 22 provided on thesensor chip 21. Thecover part 42 covers the upper surface of the diaphragm part 22 (the surface opposite to the pressure receiving surface 27). Thecover part 42 defines aspace 44 by covering the upper surface of thediaphragm part 22. Aspace 44 is provided between thecover part 42 and thesensor chip 21. The lower end of thecover part 42 is fixed to the upper surface of thesensor chip 21 by, for example, anodic bonding. Thespace 44 faces the upper surface of the diaphragm part 22 (the surface opposite to the pressure receiving surface 27). Thespace 44 is in an airtight state. Thespace 44 may be in a vacuum state.

次に、配線７０について説明する。図３及び図４に示すように、配線７０は、第１配線膜７１と、第２配線膜７２と、第１配線膜７１と第２配線膜７２を接続するワイヤ７３とを備えている。第１配線膜７１、第２配線膜７２及びワイヤ７３は、金属から構成されている。第１配線膜７１は、センサチップ２１の支持部２４の上面と、支持部材４０の開口部４３の内面と、カバー部４２の上面とに設けられている。支持部２４の上面に設けられている第１配線膜７１は、配線部２８の外側の端部２８２に接続されている。カバー部４２の上面に設けられている第１配線膜７１にはワイヤ７３の一端部が接続されている。第２配線膜７２は、容器２００の外壁部２０２の上面に設けられている。第２配線膜７２にはワイヤ７３の他端部が接続されている。配線７０を通じてピエゾ抵抗部２３から信号を取り出すことができる。Next, thewiring 70 will be described. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, thewiring 70 includes afirst wiring film 71, asecond wiring film 72, and awire 73 that connects thefirst wiring film 71 and thesecond wiring film 72. Thefirst wiring film 71, thesecond wiring film 72, and thewire 73 are made of metal. Thefirst wiring film 71 is provided on the upper surface of thesupport portion 24 of thesensor chip 21, the inner surface of theopening 43 of thesupport member 40, and the upper surface of thecover portion 42. Thefirst wiring film 71 provided on the upper surface of thesupport portion 24 is connected to theouter end 282 of thewiring portion 28. One end of thewire 73 is connected to thefirst wiring film 71 provided on the upper surface of thecover portion 42. Thesecond wiring film 72 is provided on the upper surface of theouter wall portion 202 of thecontainer 200. The other end of thewire 73 is connected to thesecond wiring film 72. A signal can be taken out from thepiezoresistance portion 23 through thewiring 70.

次に、センサ部２０を覆うシール部６０について説明する。図１に示すように、シール部６０は、支持部材４０のカバー部４２を覆っている。シール部６０は、容器２００の開口部２０３を封止している。シール部６０は、第１シール部６１と、第１シール部６１を覆う第２シール部６２とを備えている。Next, the sealingportion 60 that covers thesensor portion 20 will be described. As shown in FIG. 1, the sealingportion 60 covers thecover portion 42 of thesupport member 40. The sealingportion 60 seals theopening 203 of thecontainer 200. The sealingportion 60 includes afirst sealing portion 61 and asecond sealing portion 62 that covers thefirst sealing portion 61.

第１シール部６１は、支持部材４０とセンサチップ２１を覆っている。第１シール部６１は、支持部材４０に設けられている開口部４３に充填されている。第１シール部６１は、支持部材４０のカバー部４２の上面と、開口部４３の内面とを覆っている。第１シール部６１は、第１配線膜７１を覆っている（図３参照）。第１シール部６１は、例えばシリコーン、変性シリコーン、ウレタン等から構成されている。Thefirst seal portion 61 covers thesupport member 40 and thesensor chip 21. Thefirst seal portion 61 is filled in theopening 43 provided in thesupport member 40. Thefirst seal portion 61 covers the upper surface of thecover portion 42 of thesupport member 40 and the inner surface of theopening 43. Thefirst seal portion 61 covers the first wiring film 71 (see FIG. 3). Thefirst seal portion 61 is made of, for example, silicone, modified silicone, urethane, etc.

第２シール部６２は、第１シール部６１と、容器２００の外壁部２０２の上面の一部を覆っている。第２シール部６２は、第２配線膜７２の一部を覆っている（図４参照）。第２シール部６２は、第１シール部６１よりも硬い材料から構成されている。第２シール部６２は、例えばエポキシ、ＰＶＤＣ等から構成されている。Thesecond seal portion 62 covers thefirst seal portion 61 and a portion of the upper surface of theouter wall portion 202 of thecontainer 200. Thesecond seal portion 62 covers a portion of the second wiring film 72 (see FIG. 4). Thesecond seal portion 62 is made of a material harder than thefirst seal portion 61. Thesecond seal portion 62 is made of, for example, epoxy, PVDC, etc.

第１シール部６１と第２シール部６２は、容器２００の開口部２０３に充填されており、開口部２０３の内面を覆っている。第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３は、開口部２０３の内面に接している。第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３は、容器２００の外壁部２０２の内面２０４と外面２０６の間に位置している。Thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 are filled into theopening 203 of thecontainer 200 and cover the inner surface of theopening 203. Theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is in contact with the inner surface of theopening 203. Theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is located between theinner surface 204 and theouter surface 206 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200.

以上、実施例に係るセンサ装置１について説明した。上記の説明から明らかなように、センサ装置１は、容器２００の外壁部２０２の内面に固定されているセンサ部２０と、センサ部２０を覆うように容器２００の開口部２０３を封止しているシール部６０とを備えている。センサ部２０は、容器２００内の液体ｗの圧力を受圧する受圧面２７を備えるダイヤフラム部２２と、ダイヤフラム部２２の受圧面２７と反対側の面と向かい合う空間４４を画定するカバー部４２とを備えている。The above describes the sensor device 1 according to the embodiment. As is clear from the above description, the sensor device 1 includes asensor unit 20 fixed to the inner surface of theouter wall portion 202 of thecontainer 200, and aseal portion 60 that seals theopening 203 of thecontainer 200 so as to cover thesensor unit 20. Thesensor unit 20 includes adiaphragm portion 22 that includes a pressure-receivingsurface 27 that receives the pressure of the liquid w in thecontainer 200, and acover portion 42 that defines aspace 44 facing the surface of thediaphragm portion 22 opposite the pressure-receivingsurface 27.

この構成によれば、液体ｗの圧力が受圧面２７に作用するときにセンサ部２０が容器２００の外壁部２０２の内面に押し付けられる。これにより、センサ部２０が容器２００に強固に固定される。また、容器２００の開口部２０３を通じて水蒸気やガスが通過することをシール部６０により抑制することができる。これにより、液体ｗの圧力を検出するときに水蒸気やガスの影響を抑制することができる。更に、ダイヤフラム部２２の受圧面２７と反対側においてカバー部４２により空間４４が画定されるので、液体ｗの圧力が受圧面２７に作用するときに、受圧面２７と反対側の面に余分な力が作用しない。以上より、センサ装置１によれば、容器２００内の液体ｗの圧力を精度良く検出することができる。According to this configuration, when the pressure of the liquid w acts on thepressure receiving surface 27, thesensor unit 20 is pressed against the inner surface of theouter wall portion 202 of thecontainer 200. This allows thesensor unit 20 to be firmly fixed to thecontainer 200. In addition, theseal portion 60 can prevent water vapor and gas from passing through theopening 203 of thecontainer 200. This allows the influence of water vapor and gas to be suppressed when detecting the pressure of the liquid w. Furthermore, since thecover portion 42 defines thespace 44 on the side opposite thepressure receiving surface 27 of thediaphragm portion 22, when the pressure of the liquid w acts on thepressure receiving surface 27, no extra force is applied to the surface opposite thepressure receiving surface 27. As described above, the sensor device 1 allows the pressure of the liquid w in thecontainer 200 to be detected with high accuracy.

シール部６０は、センサ部２０を覆う第１シール部６１と、第１シール部６１を覆う第２シール部６２とを備えている。第２シール部６２は、第１シール部６１よりも硬い材料から構成されている。この構成によれば、第１シール部６１により主にセンサチップ２１の固定と液体ｗのシールを行うことができる。第２シール部６２により主にガスが透過することを抑制することができる。また、外部の力がシール部６０を介してセンサ部２０に作用するとしても、比較的軟らかい第１シール部６１により、センサ部２０に作用する力を緩和することができる。Theseal unit 60 includes afirst seal unit 61 that covers thesensor unit 20, and asecond seal unit 62 that covers thefirst seal unit 61. Thesecond seal unit 62 is made of a material harder than thefirst seal unit 61. With this configuration, thefirst seal unit 61 can mainly fix thesensor chip 21 and seal the liquid w. Thesecond seal unit 62 can mainly suppress gas permeation. In addition, even if an external force acts on thesensor unit 20 through theseal unit 60, the relatively softfirst seal unit 61 can mitigate the force acting on thesensor unit 20.

第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３は、容器２００の開口部２０３の内面に接している。第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が仮に外壁部２０２の内面２０４よりも内側に位置していると、外部の力が比較的硬い第２シール部６２を介してセンサ部２０に作用することが考えられる。そうすると、外部の力が緩和されずにセンサ部２０に作用することになる。上記の構成によれば、第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が容器２００の開口部２０３の内面に接することにより、外壁部２０２の内面２０４よりも内側に第２シール部６２が配置されず、第１シール部６１のみが配置される。これにより、センサ部２０に作用する力を第１シール部６１により緩和することができる。Theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is in contact with the inner surface of theopening 203 of thecontainer 200. If theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is located inside theinner surface 204 of theouter wall portion 202, it is considered that an external force acts on thesensor portion 20 through the relatively hardsecond seal portion 62. In that case, the external force acts on thesensor portion 20 without being alleviated. According to the above configuration, theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is in contact with the inner surface of theopening 203 of thecontainer 200, so that thesecond seal portion 62 is not positioned inside theinner surface 204 of theouter wall portion 202, and only thefirst seal portion 61 is positioned. As a result, the force acting on thesensor portion 20 can be alleviated by thefirst seal portion 61.

以上、一実施例について説明したが、具体的な態様は上記実施例に限定されるものではない。以下の説明において、上記の説明における構成と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。Although one embodiment has been described above, the specific aspect is not limited to the above embodiment. In the following description, the same components as those described above will be denoted by the same reference numerals and the description will be omitted.

（１）上記の実施例では、センサ部２０が容器２００内に配置されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、図５に示すように、センサ部２０が管２５０内に配置されていてもよい。管２５０の外壁部２５２の内面にセンサ部２０が固定されていてもよい。センサ部２０は、管２５０の外壁部２５２に設けられている開口部２５３と向か合う位置に配置されている。(1) In the above embodiment, thesensor unit 20 is disposed inside thecontainer 200, but this configuration is not limited to this. In other embodiments, as shown in FIG. 5, thesensor unit 20 may be disposed inside thetube 250. Thesensor unit 20 may be fixed to the inner surface of theouter wall portion 252 of thetube 250. Thesensor unit 20 is disposed in a position facing theopening 253 provided in theouter wall portion 252 of thetube 250.

（２）上記の実施例では、シール部６０が第１シール部６１と第２シール部６２を備えていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、図６に示すように、シール部６０が第２シール部６２を備えずに、第１シール部６１のみを備えている構成であってもよい。更に他の実施例では、シール部６０が第１シール部６１を備えずに、第２シール部６２のみを備えている構成であってもよい（図示省略）。(2) In the above embodiment, the sealingportion 60 includes thefirst sealing portion 61 and thesecond sealing portion 62, but is not limited to this configuration. In another embodiment, as shown in FIG. 6, the sealingportion 60 may include only thefirst sealing portion 61 without including thesecond sealing portion 62. In yet another embodiment, the sealingportion 60 may include only thesecond sealing portion 62 without including the first sealing portion 61 (not shown).

（３）他の実施例では、図７に示すように、支持部２４に複数の溝部２６が設けられていてもよい。溝部２６の数は特に限定されるものではない。また、溝部２６が絶縁膜２５を貫通して絶縁膜２５の下側まで延びていてもよい。(3) In another embodiment, as shown in FIG. 7, a plurality ofgrooves 26 may be provided in thesupport portion 24. The number ofgrooves 26 is not particularly limited. In addition, thegrooves 26 may extend through the insulatingfilm 25 to the underside of the insulatingfilm 25.

（４）上記の実施例では、絶縁膜２５がダイヤフラム部２２の受圧面２７を覆っている構成であったが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、図８に示すように、ダイヤフラム部２２の内部に絶縁膜２５が形成されていてもよい。ダイヤフラム部２２の受圧面２７よりも上側に絶縁膜２５が配置されていてもよい。この構成では、絶縁膜２５よりも下側に受圧面２７が位置している。受圧面２７が容器２００の内部の液体ｗに接触している。また、上記の実施例では、支持部２４に溝部２６が形成されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、図８に示すように、ダイヤフラム部２２に溝部２６が形成されていてもよい。図８に示す構成によっても、複数のピエゾ抵抗部２３を周囲から絶縁すると共にダイヤフラム部２２における応力を精度良く検出することができる。(4) In the above embodiment, the insulatingfilm 25 covers the pressure-receivingsurface 27 of thediaphragm portion 22, but this is not limited to this configuration. In another embodiment, as shown in FIG. 8, the insulatingfilm 25 may be formed inside thediaphragm portion 22. The insulatingfilm 25 may be disposed above the pressure-receivingsurface 27 of thediaphragm portion 22. In this configuration, the pressure-receivingsurface 27 is located below the insulatingfilm 25. The pressure-receivingsurface 27 is in contact with the liquid w inside thecontainer 200. In the above embodiment, thegroove portion 26 is formed in thesupport portion 24, but this is not limited to this configuration. In another embodiment, as shown in FIG. 8, thegroove portion 26 may be formed in thediaphragm portion 22. With the configuration shown in FIG. 8, themultiple piezoresistance portions 23 can be insulated from the surroundings and the stress in thediaphragm portion 22 can be detected with high accuracy.

（５）上記の実施例では、ダイヤフラム部２２に４個のピエゾ抵抗部２３が配置されている構成であったが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、ダイヤフラム部２２に例えば２個のピエゾ抵抗部２３が配置されている構成であってもよい。(5) In the above embodiment, fourpiezoresistance parts 23 are arranged on thediaphragm part 22, but this is not limited to the configuration. In other embodiments, for example, twopiezoresistance parts 23 may be arranged on thediaphragm part 22.

（６）上記の実施例では、流体の一例として液体ｗを用いていたが、この構成に限定されるものではなく、他の実施例では流体が気体であってもよい。(6) In the above embodiment, liquid w is used as an example of a fluid, but this is not limited to the configuration, and in other embodiments, the fluid may be a gas.

（７）上記の実施例では、支持部材４０が接合材料５０によって容器２００に固定されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、接合材料５０に代えて、はんだや低融点ガラスが用いられてもよい。(7) In the above embodiment, thesupport member 40 is fixed to thecontainer 200 by thebonding material 50, but this is not limited to the configuration. In other embodiments, solder or low-melting-point glass may be used instead of thebonding material 50.

（８）他の実施例では、図９に示すように、シール部６０の第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が容器２００の開口部２０３よりも容器２００内側に位置していてもよい。即ち、第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が、容器２００の外壁部２０２の内面２０４よりも内側に位置していてもよい。第１シール部６１は、カバー部４２及び第１配線膜７１（図３参照）を覆っている。第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３は、カバー部４２の上面に設けられている第１配線膜７１よりも上側に位置している。(8) In another embodiment, as shown in FIG. 9, theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 of theseal portion 60 may be located inside thecontainer 200 relative to theopening 203 of thecontainer 200. That is, theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 may be located inside theinner surface 204 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200. Thefirst seal portion 61 covers thecover portion 42 and the first wiring film 71 (see FIG. 3). Theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is located above thefirst wiring film 71 provided on the upper surface of thecover portion 42.

この構成によれば、第２シール部６２が容器２００の外壁部２０２の内面２０４よりも内側に位置することによりガスの透過を更に抑制することができる。また、第２シール部６２が容器２００の外壁部２０２の内面２０４よりも内側に位置したとしてもセンサ部２０が比較的軟らかい第１シール部６１により覆われているので、外部の力が比較的硬い第２シール部６２を介してセンサ部２０に作用することを抑制することができる。With this configuration, thesecond seal portion 62 is positioned inside theinner surface 204 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200, thereby further suppressing gas permeation. Even if thesecond seal portion 62 is positioned inside theinner surface 204 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200, thesensor portion 20 is covered by the relatively softfirst seal portion 61, so that it is possible to suppress external forces from acting on thesensor portion 20 via the relatively hardsecond seal portion 62.

なお、センサ部２０が管２５０内に配置されている場合も同様である。即ち、第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が管２５０の開口部２５３よりも管２５０内側に位置していてもよい。The same applies when thesensor unit 20 is disposed inside thepipe 250. That is, theinterface 63 between thefirst seal unit 61 and thesecond seal unit 62 may be located inside thepipe 250 relative to theopening 253 of thepipe 250.

（９）他の実施例では、図１０に示すように、シール部６０の第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が容器２００の開口部２０３よりも容器２００外側に位置していてもよい。即ち、第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が、容器２００の外壁部２０２の外面２０６よりも外側に位置していてもよい。第１シール部６１は第２シール部６２により覆われている。第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３は、第２シール部６２の外面よりも内側に位置している。(9) In another embodiment, as shown in FIG. 10, theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 of theseal portion 60 may be located outside thecontainer 200 relative to theopening 203 of thecontainer 200. That is, theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 may be located outside theouter surface 206 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200. Thefirst seal portion 61 is covered by thesecond seal portion 62. Theinterface 63 between thefirst seal portion 61 and thesecond seal portion 62 is located inside the outer surface of thesecond seal portion 62.

この構成によれば、第１シール部６１が容器２００の外壁部２０２の外面２０６よりも外側に位置することにより、外部の力が第１シール部６１により更に緩和される。With this configuration, thefirst seal portion 61 is positioned outside theouter surface 206 of theouter wall portion 202 of thecontainer 200, so that external forces are further mitigated by thefirst seal portion 61.

なお、センサ部２０が管２５０内に配置されている場合も同様である。即ち、第１シール部６１と第２シール部６２の界面６３が管２５０の開口部２５３よりも管２５０外側に位置していてもよい。The same applies when thesensor unit 20 is disposed inside thepipe 250. That is, theinterface 63 between thefirst seal unit 61 and thesecond seal unit 62 may be located outside thepipe 250 relative to theopening 253 of thepipe 250.

（１０）シール部６０の第２シール部６２の構成は上記の構成に限定されない。他の実施例では、図１１に示すように、シール部６０の第２シール部６２が、カバー部６５と、カバー部６５を支持する支持部６６とを備えていてもよい。第２シール部６２のカバー部６５は第１シール部６１を覆っている。カバー部６５は、容器２００の外壁部２０２に設けられている開口部２０３と挿入口部２０７を覆っている。挿入口部２０７は、開口部２０３の周囲に設けられている。挿入口部２０７は、平面視において例えば円形状に構成されている（図示省略）。挿入口部２０７は、容器２００の内外を連通させるように開口している。挿入口部２０７は外壁部２０２を貫通している。(10) The configuration of thesecond seal portion 62 of theseal portion 60 is not limited to the above configuration. In another embodiment, as shown in FIG. 11, thesecond seal portion 62 of theseal portion 60 may include acover portion 65 and asupport portion 66 that supports thecover portion 65. Thecover portion 65 of thesecond seal portion 62 covers thefirst seal portion 61. Thecover portion 65 covers theopening portion 203 and theinsertion port portion 207 provided in theouter wall portion 202 of thecontainer 200. Theinsertion port portion 207 is provided around theopening portion 203. Theinsertion port portion 207 is configured to be, for example, circular in a plan view (not shown). Theinsertion port portion 207 is open so as to communicate the inside and outside of thecontainer 200. Theinsertion port portion 207 penetrates theouter wall portion 202.

第２シール部６２の支持部６６は、カバー部６５の下面（内面）から容器２００内に向けて延びている。支持部６６は挿入口部２０７に挿入されている。支持部６６は、容器２００内に配置されているセンサ部２０の周囲に配置されている。支持部６６は、センサ部２０を囲むように一周している。支持部６６は、センサ部２０と容器２００の外壁部２０２との間に配置されている。支持部６６と外壁部２０２との間にはシール部材６９が配置されている。シール部材６９は、容器２００内の液体ｗが外部に漏れないように支持部６６と外壁部２０２との間を封止している。Thesupport portion 66 of thesecond seal portion 62 extends from the lower surface (inner surface) of thecover portion 65 toward the inside of thecontainer 200. Thesupport portion 66 is inserted into theinsertion opening portion 207. Thesupport portion 66 is disposed around thesensor portion 20 disposed in thecontainer 200. Thesupport portion 66 goes all the way around thesensor portion 20. Thesupport portion 66 is disposed between thesensor portion 20 and theouter wall portion 202 of thecontainer 200. Aseal member 69 is disposed between thesupport portion 66 and theouter wall portion 202. Theseal member 69 seals the gap between thesupport portion 66 and theouter wall portion 202 so that the liquid w in thecontainer 200 does not leak to the outside.

（１１）他の実施例では、図１２に示すように、センサ部２０の支持部材４０がカバー部４２を備えていなくてもよい。(11) In another embodiment, as shown in FIG. 12, thesupport member 40 of thesensor unit 20 does not have to include acover unit 42.

本明細書または図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。The technical elements described in this specification or drawings have technical utility either alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technologies illustrated in this specification or drawings can achieve multiple objectives simultaneously, and achieving one of those objectives is itself technically useful.

１：センサ装置、２０：センサ部、２１：センサチップ、２２：ダイヤフラム部、２３：ピエゾ抵抗部、２４：支持部、２５：絶縁膜、２６：溝部、２７：受圧面、２８：配線部、４０：支持部材、４１：支持部、４２：カバー部、４３：開口部、４４：空間、６０：シール部、６１：第１シール部、６２：第２シール部、６３：界面、７０：配線、７１：第１配線膜、７２：第２配線膜、７３：ワイヤ、２００：容器、２０１：空間、２０２：外壁部、２０３：開口部、２０４：内面、２０６：外面、２５０：管
1: sensor device, 20: sensor portion, 21: sensor chip, 22: diaphragm portion, 23: piezoresistance portion, 24: support portion, 25: insulating film, 26: groove portion, 27: pressure receiving surface, 28: wiring portion, 40: support member, 41: support portion, 42: cover portion, 43: opening, 44: space, 60: seal portion, 61: first seal portion, 62: second seal portion, 63: interface, 70: wiring, 71: first wiring film, 72: second wiring film, 73: wire, 200: container, 201: space, 202: outer wall portion, 203: opening, 204: inner surface, 206: outer surface, 250: tube

Claims (5)

Translated fromJapanese

容器内又は管内の流体の圧力を検出するセンサ装置であって、
前記容器又は前記管は、流体を収容する空間を画定する外壁部と、前記外壁部の一部に設けられている開口部と、を備えており、
前記センサ装置は、前記容器内又は前記管内において前記開口部と向かい合う位置に配置されており前記外壁部の内面に固定されているセンサ部と、前記センサ部を覆うように前記開口部を封止しているシール部と、を備えており、
前記センサ部は、前記容器内又は前記管内の流体の圧力を受圧する受圧面を備えるダイヤフラム部を備えており、
前記シール部は、前記センサ部を覆う第１シール部と、前記第１シール部を覆う第２シール部であって前記第１シール部よりも硬い材料から構成されている前記第２シール部とを備えている、センサ装置。 A sensor device for detecting a pressure of a fluid in a container or a pipe,
The container or the pipe includes an outer wall portion defining a space for containing a fluid, and an opening portion provided in a part of the outer wall portion,
The sensor device includes a sensor unit disposed in the container or the pipe at a position facing the opening and fixed to an inner surface of the outer wall portion, and a seal unit that seals the opening so as to cover the sensor unit,
the sensor unit includes a diaphragm unit having a pressure-receiving surface that receives the pressure of the fluid in the container or the pipe,
A sensor device, wherein the sealing portion comprises a first sealing portion that covers the sensor portion, and a second sealing portion that covers the first sealing portion, the second sealing portion being made of a material harder than the first sealing portion. 前記センサ部は、前記ダイヤフラム部の前記受圧面と反対側の面と向かい合う空間を画定するカバー部を更に備えている、請求項１に記載のセンサ装置。The sensor device according to claim 1, wherein the sensor unit further includes a cover portion that defines a space facing the surface of the diaphragm portion opposite the pressure-receiving surface. 前記第１シール部と前記第２シール部の界面が前記開口部の内面に接している、請求項１又は２に記載のセンサ装置。 The sensor device according to claim1 , wherein an interface between the first seal portion and the second seal portion is in contact with an inner surface of the opening portion. 前記第１シール部と前記第２シール部の界面が前記開口部よりも前記容器内側又は前記管内側に位置している、請求項１又は２に記載のセンサ装置。 The sensor device according to claim1 , wherein an interface between the first seal portion and the second seal portion is located on an inner side of the container or on an inner side of the pipe relative to the opening. 前記第１シール部と前記第２シール部の界面が前記開口部よりも前記容器外側又は前記管外側に位置している、請求項１又は２に記載のセンサ装置。
The sensor device according to claim1 , wherein an interface between the first seal portion and the second seal portion is located on an outer side of the container or the tube than the opening portion.

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