JP7374662B2 - Vapor deposition equipment - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明は、複数の蒸着源を備えた蒸着装置に関する。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus equipped with a plurality of vapor deposition sources.

近年、有機発光素子は、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。このような発光素子を構成する有機材料には、高分子と低分子がある。低分子材料を用いた発光素子は、通常、真空蒸着法により形成する。有機発光素子は複数の機能層からできており、機能層としては、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などがあり、これらが陽極と陰極の間に順次蒸着により形成される。
一般的に用いられる蒸着装置には、インライン型とクラスター型がある。インライン型は、大判基板の成膜に適しており、一方でクラスター型は、小型から大型基板まで、用途に合わせた対応が可能である。また、発光素子の層構成変更に対しても、蒸着室の追加が容易であり、柔軟に対応が可能である。クラスター型の蒸着装置においては、クロスコンタミネーション、タクト等を考慮した場合、各層ごとにチャンバーを設けることが基本的には望ましい。しかしながら、装置コストを抑え、且つ装置の小型化のために蒸着室の数を減らしたり、或いは複数の材料を同時蒸着したりするために、同一チャンバー内で異なる複数の材料を蒸着する場合がある。
特許文献１には、複数の蒸着源を備えたクラスター型の蒸着装置が開示されており、係る蒸着装置においては、個々の蒸着源にシャッターが配置され、該シャッターの開閉により、蒸着・非蒸着を制御している。In recent years, organic light-emitting devices have attracted attention as light-emitting devices that can emit high-intensity light by driving at low voltages. Organic materials constituting such light-emitting elements include polymers and low molecules. Light-emitting elements using low-molecular materials are usually formed by vacuum evaporation. Organic light-emitting devices are made of multiple functional layers, and the functional layers include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, which are successively deposited between an anode and a cathode. formed by
There are two types of commonly used vapor deposition equipment: in-line type and cluster type. The in-line type is suitable for forming films on large-sized substrates, while the cluster type can be used to suit the application, from small to large substrates. Further, it is easy to add a deposition chamber to change the layer structure of a light emitting element, and this can be flexibly handled. In a cluster-type vapor deposition apparatus, it is basically desirable to provide a chamber for each layer in consideration of cross-contamination, tact, etc. However, in order to reduce equipment costs and reduce the number of deposition chambers to make the equipment more compact, or to deposit multiple materials simultaneously, there are cases in which multiple different materials are deposited within the same chamber. .
Patent Document 1 discloses a cluster-type vapor deposition apparatus equipped with a plurality of vapor deposition sources, and in such a vapor deposition apparatus, a shutter is arranged at each vapor deposition source, and by opening and closing the shutter, it is possible to switch between vapor deposition and non-evaporation. is under control.

特開２０１５－１２４４４０号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-124440

特許文献１に開示されているように、複数の蒸着源を有するインライン型の蒸着装置においては、蒸着源の選択をシャッターの開閉で制御している。
一方、一つの蒸着室内で複数層を順次形成する場合には、タクト短縮のため、各蒸着源の蒸着レートが変動しないよう常にモニターで蒸着レートを測定し、制御しておくことが望ましい。しかしながら、シャッターが蒸着源に近い場合、シャッターが閉じている状態では、シャッターが邪魔をして蒸着レートを膜厚センサーでモニターすることができない。従って、シャッターが閉じている時でも蒸着レートをモニターするためには、シャッターを蒸着源からある程度離す必要がある。そして、シャッターを蒸着源から離した状態で、シャッターが閉じている時に被蒸着基板に蒸着源からの蒸発物の付着を防止するためには、シャッターのサイズを大きくする必要がある。
シャッターのサイズを大きくすると、複数のシャッターを同時に開いた場合にシャッター同士が干渉しないように、隣り合う蒸着源の間隔を広げる必要があり、蒸着室のサイズの大型化を招くという問題があった。
本発明の課題は、複数の蒸着源と、個々の蒸着源に対応するシャッターと、を有するクラスター型の蒸着装置において、装置の大型化を招くことなく、常時蒸着レートをモニターすることができる構成を提供することにある。As disclosed inPatent Document 1, in an in-line vapor deposition apparatus having a plurality of vapor deposition sources, selection of the vapor deposition sources is controlled by opening and closing a shutter.
On the other hand, when a plurality of layers are sequentially formed in one deposition chamber, it is desirable to constantly measure and control the deposition rate with a monitor so that the deposition rate of each deposition source does not fluctuate in order to shorten the takt time. However, when the shutter is close to the deposition source, the deposition rate cannot be monitored with the film thickness sensor because the shutter interferes with the closed state. Therefore, in order to monitor the deposition rate even when the shutter is closed, it is necessary to keep the shutter some distance from the deposition source. In order to prevent evaporated matter from the deposition source from adhering to the substrate to be deposited when the shutter is closed and the shutter is separated from the deposition source, it is necessary to increase the size of the shutter.
When increasing the size of the shutter, it was necessary to increase the distance between adjacent deposition sources to prevent interference between shutters when multiple shutters were opened at the same time, which caused the problem of increasing the size of the deposition chamber. .
An object of the present invention is to configure a cluster-type evaporation apparatus that has a plurality of evaporation sources and shutters corresponding to each evaporation source so that the evaporation rate can be constantly monitored without increasing the size of the apparatus. Our goal is to provide the following.

本発明は、水平方向に並んで配置した第一の蒸着源と第二の蒸着源と、前記第一の蒸着源の開口部の上方に配置された第一のシャッターと、前記第二の蒸着源の開口部の上方に配置された第二のシャッターと、を蒸着室内に有する蒸着装置であって、
前記第一のシャッターと前記第二のシャッターとは互いに高さが異なり、且つ、それぞれ独立に水平方向に移動することにより開閉し、垂直方向からの平面視において前記第一のシャッターと前記第二のシャッターとが共に開状態で互いに重なる領域を有し、
前記重なる領域において、前記第一のシャッターと前記第二のシャッターの間を隔てる隔壁を有し、前記隔壁は前記蒸着室に固定されていることを特徴とする。The present invention includesa first vapor deposition sourceand a second vapor deposition source arranged side by side in the horizontal direction,a first shutter arranged above anopening of thefirst vapor deposition source, anda second vapor deposition source. A vapor deposition apparatushaving a second shutter disposed above an opening of a vapor deposition sourcein a vapor deposition chamber ,
The first shutterand the second shutter have different heights, and are opened and closed by movingindependently in the horizontal direction, andthe first shutter and the second shutter are different in height from each other when viewed from the vertical direction. have a regionwhere the shutters overlap each other in the open state,
In the overlapping region, a partition wall is provided to separatethe first shutterand the second shutter, and the partition wall is fixed to the vapor deposition chamber .

本発明によれば、二つのシャッターを互いに異なる高さに設けることで、両シャッターが開いた状態でも互いに干渉することがない。よって、シャッターを蒸着源から離し、且つシャッター自体を大型化しても、二つの蒸着源同士の間隔を広げる必要がなく、装置を大型化するおそれがない。また、二つのシャッターの間に隔壁を設けたことにより、シャッターの高さを異ならせたことによるクロスコンタミネーションなどの不都合も抑制される。 According to the present invention, by providing the two shutters at different heights, they do not interfere with each other even when both shutters are open. Therefore, even if the shutter is separated from the vapor deposition source and the shutter itself is increased in size, there is no need to widen the distance between the two vapor deposition sources, and there is no risk of increasing the size of the apparatus. Further, by providing a partition wall between the two shutters, inconveniences such as cross contamination caused by different heights of the shutters can be suppressed.

本発明の蒸着装置の一実施形態の構成を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an embodiment of a vapor deposition apparatus of the present invention.本発明の蒸着装置の他の実施形態の構成を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of another embodiment of the vapor deposition apparatus of the present invention.（ａ）は図１の蒸着装置を上方から見た平面概略図であり、（ｂ）は図２の蒸着装置を上方から見た平面概略図である。(a) is a schematic plan view of the vapor deposition apparatus of FIG. 1 viewed from above, and (b) is a schematic plan view of the vapor deposition apparatus of FIG. 2 viewed from above.従来の蒸着装置の構成を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional vapor deposition apparatus.第一及び第二のシャッターを互いに異なる高さとした蒸着装置の構成を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a vapor deposition apparatus in which first and second shutters have different heights.図５の蒸着装置におけるコンタミネーションの発生過程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the process of occurrence of contamination in the vapor deposition apparatus of FIG. 5;

本発明の蒸着装置は、複数の蒸着源と、個々の蒸着源に対応するシャッターと、を有するクラスター型の蒸着装置である。本発明においては、２個の蒸着源に対応する二つのシャッターの高さを互いに異なるように構成し、さらに、これらシャッターの重なる領域において、二つのシャッター間に隔壁を設けたことに特徴を有する。 The vapor deposition apparatus of the present invention is a cluster type vapor deposition apparatus having a plurality of vapor deposition sources and a shutter corresponding to each vapor deposition source. The present invention is characterized in that the heights of the two shutters corresponding to the two evaporation sources are configured to be different from each other, and a partition wall is provided between the two shutters in the area where these shutters overlap. .

先ず、複数の蒸着源と、シャッターとを有する従来の蒸着装置について図４を用いて説明する。図４は、従来のクラスター型の蒸着装置の蒸着室１００の構成を模式的に示す断面図であり、主要な構成部材のみを図示している。図中、１，２は蒸着源であり、水平方向に所定の距離を置いて配置され、それぞれ上方に開口を有する坩堝１ａ，２ａを有している。坩堝１ａ，２ａの外周にはヒーター１ｂ，２ｂが配置され、該ヒーター１ｂ，２ｂによって坩堝１ａ，２ａを加熱することにより、坩堝１ａ，２ａ内に収納された蒸着材料１ｃ，２ｃを蒸発させて上方に向けて飛散させることができる。尚、蒸着源１，２は、図示した部材以外にも、不図示のリフレクターや熱電対などの部材を有している。 First, a conventional vapor deposition apparatus having a plurality of vapor deposition sources and a shutter will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of avapor deposition chamber 100 of a conventional cluster-type vapor deposition apparatus, and only main constituent members are shown. In the figure, 1 and 2 are vapor deposition sources, which are arranged at a predetermined distance in the horizontal direction and havecrucibles 1a and 2a each having an opening at the top.Heaters 1b and 2b are arranged around the outer periphery of thecrucibles 1a and 2a, and by heating thecrucibles 1a and 2a with theheaters 1b and 2b, thevapor deposition materials 1c and 2c stored in thecrucibles 1a and 2a are evaporated. It can be scattered upwards. Incidentally, thevapor deposition sources 1 and 2 include members such as reflectors and thermocouples (not shown) in addition to the members shown.

蒸着室１００の天井には基板ホルダー２０が回転軸２０ａによって回転可能に取り付けられ、該基板ホルダー２０の下面に被蒸着基板９が取り付けられ、さらに、被蒸着面（下面）側にマスク１０が取り付けられている。蒸着時には、被蒸着基板９は被蒸着面内で回転し、マスク１０の開口部に蒸着源１，２からの蒸発物が蒸着する。 Asubstrate holder 20 is rotatably attached to the ceiling of thevapor deposition chamber 100 by a rotatingshaft 20a, a substrate 9 to be vaporized is attached to the lower surface of thesubstrate holder 20, and amask 10 is attached to the surface to be vaporized (lower surface). It is being During vapor deposition, the substrate 9 to be vapor-deposited rotates within the surface to be vapor-deposited, and the evaporated material from the vapor-deposition sources 1 and 2 is vapor-deposited into the opening of themask 10.

蒸着源１，２に対しては、それぞれからの蒸発物の被蒸着基板９への蒸着を妨げるシャッター５，６が配置されている。シャッター５，６はそれぞれ、支持材５ａ，６ａによって回転し、図４に実線で示される位置は開状態、破線５ｂ，６ｂで示される位置は閉状態である。シャッター５，６は、閉状態５ｂ、６ｂでは、それぞれ、蒸着源１，２の開口部と被蒸着基板９との間を遮って、被蒸着基板９への蒸発物の飛散を妨げる。よって、図４に示される蒸着装置においては、シャッター５，６の開閉によって、被蒸着基板９への蒸着を制御することができる。例えば、蒸着材料１ｃ，２ｃの一方のみを蒸着する場合には、係る一方の側のシャッターを開状態とし、他方のシャッターを閉状態とする。また、シャッター５，６を両方開状態として蒸着を行えば、蒸着材料１ｃ、２ｃの共蒸着を行うこともできる。Shutters 5 and 6 are arranged for theevaporation sources 1 and 2 to prevent evaporated substances from each from being evaporated onto the substrate 9 to be evaporated. Theshutters 5 and 6 are rotated by supportingmembers 5a and 6a, respectively, and the positions shown by solid lines in FIG. 4 are in the open state, and the positions shown bybroken lines 5b and 6b are in the closed state. In the closedstates 5b and 6b, theshutters 5 and 6 block the spaces between the openings of theevaporation sources 1 and 2 and the substrate 9 to be evaporated, and prevent the evaporated material from scattering to the substrate 9 to be evaporated. Therefore, in the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, vapor deposition on the substrate 9 to be vapor deposited can be controlled by opening and closing theshutters 5 and 6. For example, when depositing only one of thedeposition materials 1c and 2c, the shutter on one side is opened and the other shutter is closed. Further, if vapor deposition is performed with bothshutters 5 and 6 open, thevapor deposition materials 1c and 2c can be co-evaporated.

図４中、１１は水平方向において蒸着源１，２を互いに仕切る仕切り板である。また、７，８はそれぞれ、蒸着源１，２の蒸着レートを測定するモニターである。ここで、閉状態の際にシャッター５，６が蒸着源１，２の開口部に近い場合、閉状態ではシャッター５，６に遮られてモニター７，８が蒸着源１，２の蒸着レートを測定することができない。シャッター５，６を蒸着源１，２の開口部から上方に離して配置すれば、モニター７，８はシャッター５，６と蒸着源１，２の開口部との隙間から蒸着レートを測定することができる。しかしながら、図４に一点鎖線で示すように、蒸着源１，２の開口部から被蒸着基板９に向かって、蒸発物の飛散領域が広がるため、シャッター５，６を蒸着源１，２から離すほど、シャッター５，６を大きくする必要がある。シャッター５，６は、開状態では互いに接近するため、シャッター５，６を大きくすれば、蒸着源１，２の間隙を広くする必要があり、蒸着室１００を大型化する必要があった。 In FIG. 4, 11 is a partition plate that partitions thevapor deposition sources 1 and 2 from each other in the horizontal direction. Further, 7 and 8 are monitors that measure the evaporation rates of theevaporation sources 1 and 2, respectively. Here, if theshutters 5 and 6 are close to the openings of theevaporation sources 1 and 2 in the closed state, themonitors 7 and 8 are blocked by theshutters 5 and 6 and monitor the evaporation rates of theevaporation sources 1 and 2 in the closed state. cannot be measured. If theshutters 5 and 6 are placed apart from the openings of thedeposition sources 1 and 2 above, themonitors 7 and 8 can measure the deposition rate from the gap between theshutters 5 and 6 and the openings of thedeposition sources 1 and 2. I can do it. However, as shown by the dashed line in FIG. 4, the scattering area of the evaporated material expands from the openings of theevaporation sources 1 and 2 toward the substrate 9 to be evaporated, so theshutters 5 and 6 are moved away from theevaporation sources 1 and 2. The larger the distance, the larger theshutters 5 and 6 need to be. Since theshutters 5 and 6 approach each other in the open state, if theshutters 5 and 6 are made larger, it is necessary to widen the gap between thedeposition sources 1 and 2, and thedeposition chamber 100 needs to be enlarged.

本発明においては、第一の特徴として、シャッター５，６が閉状態の時もモニター７，８が蒸着レートを測定できるように、シャッター５，６を蒸着源１，２から上方に離して配置する。当然、シャッター５，６を大きくする必要があるが、ここで、図５に示すように、シャッター５，６の高さを互いに異ならせ、開状態で互いに重なるように配置することで、蒸着源１，２の間隔を広げる必要がなくなる。 The first feature of the present invention is that theshutters 5 and 6 are placed upwardly away from thedeposition sources 1 and 2 so that themonitors 7 and 8 can measure the deposition rate even when theshutters 5 and 6 are closed. do. Naturally, it is necessary to make theshutters 5 and 6 larger, but as shown in FIG. There is no need to widen the interval between 1 and 2.

しかしながら、シャッター５，６の高さを互いに異ならせた場合、蒸着源１，２間でクロスコンタミネーションを生じ易くなることがわかった。図６を用いて図５の蒸着装置におけるクロスコンタミネーションについて説明する。尚、図６は図５と同じ構成の蒸着装置の説明に必要な部材のみを図示する。 However, it has been found that when the heights of theshutters 5 and 6 are made different from each other, cross-contamination is likely to occur between thevapor deposition sources 1 and 2. Cross contamination in the vapor deposition apparatus of FIG. 5 will be explained using FIG. 6. Note that FIG. 6 shows only the members necessary for explaining the vapor deposition apparatus having the same configuration as FIG. 5.

シャッター５，６の裏面（蒸着源１，２側）には、閉状態の際に蒸着源１，２からの蒸発物が付着する。図６（ａ）に示すように、シャッター５，６を同時に開状態とした場合、高さが高い方のシャッター６の裏面に付着した蒸発物３１が剥離して、高さが低い方のシャッター５の表面に落下する場合がある。この状態で、図６（ｂ）に示すようにシャッター５を閉状態に向けて回転させると、シャッター５上の蒸発物３１ａが、図６（ｃ）に示すように蒸着源１上に落下するおそれがある。蒸着源１上に落下した蒸発物３１ａは、蒸着源１の開口部を塞いだり、ヒーター１ｂによって加熱されて蒸着材料１ｃと共に飛散して被蒸着基板９に蒸着（クロスコンタミネーション）してしまうおそれがある。 Evaporated substances from thevapor deposition sources 1 and 2 adhere to the back surfaces of theshutters 5 and 6 (on thevapor deposition sources 1 and 2 side) when the shutters are in the closed state. As shown in FIG. 6(a), when theshutters 5 and 6 are opened at the same time, the evaporatedmatter 31 attached to the back surface of thehigher shutter 6 is peeled off and theshutter 6 is opened. It may fall on the surface of 5. In this state, when theshutter 5 is rotated toward the closed state as shown in FIG. 6(b), the evaporatedmatter 31a on theshutter 5 falls onto thedeposition source 1 as shown in FIG. 6(c). There is a risk. The evaporatedmaterial 31a that has fallen onto theevaporation source 1 may block the opening of theevaporation source 1, or be heated by theheater 1b and be scattered together with theevaporation material 1c, causing evaporation onto the substrate 9 to be evaporated (cross contamination). There is.

本発明においては、第二の特徴として、シャッター５，６間に隔壁を設けることで、図６に示したようなシャッター６の裏面に付着した蒸発物の蒸着源１への落下を防止する。図１を用いて説明する。 The second feature of the present invention is that by providing a partition between theshutters 5 and 6, evaporated matter adhering to the back surface of theshutter 6 as shown in FIG. 6 is prevented from falling to theevaporation source 1. This will be explained using FIG.

図１は、本発明の蒸着装置の好ましい実施形態の蒸着室の主要な構成を概略的に示す垂直方向の断面図である。本実施形態の構成は、基本的に図５に示した従来の蒸着装置と同様の構成を備え、さらに、隔壁１２を備えている。 FIG. 1 is a vertical sectional view schematically showing the main structure of a vapor deposition chamber of a preferred embodiment of the vapor deposition apparatus of the present invention. The configuration of this embodiment is basically the same as the conventional vapor deposition apparatus shown in FIG. 5, and further includespartition walls 12.

本実施形態においては、図５の蒸着装置と同様に、二つの蒸着源１，２と、これらの蒸着源１，２の蒸着レートを測定する二つのモニター７，８を備えている。蒸着源１，２に対しては、蒸発物の被蒸着基板９への飛散を妨げるシャッター５，６が配置されている。シャッター５，６は、閉状態においてもモニター７，８が蒸着レートを測定し得るように、蒸着源１，２から上方に離れた位置において支持材５ａ，６ａにより回転可能に配置されている。シャッター５，６は、垂直方向からの平面視において、開状態で互いに重なる領域を有しており、本実施形態においては、該重なる領域において、シャッター５，６間を遮る隔壁１２が設けられている。 In this embodiment, like the vapor deposition apparatus of FIG. 5, twovapor deposition sources 1 and 2 and twomonitors 7 and 8 for measuring the vapor deposition rates of thesevapor deposition sources 1 and 2 are provided.Shutters 5 and 6 are arranged for theevaporation sources 1 and 2 to prevent evaporated materials from scattering onto the substrate 9 to be evaporated. Theshutters 5 and 6 are rotatably arranged by supportingmembers 5a and 6a at positions upwardly away from thevapor deposition sources 1 and 2 so that themonitors 7 and 8 can measure the vapor deposition rate even in the closed state. Theshutters 5 and 6 have regions that overlap each other in the open state when viewed in plan from the vertical direction, and in this embodiment, apartition wall 12 that blocks the space between theshutters 5 and 6 is provided in the overlap region. There is.

シャッター５，６と隔壁１２、仕切り板１１の垂直方向からの平面視を図３（ａ）に示す。図３（ａ）中、破線で示す５ｃ，６ｃはそれぞれ、回転によってシャッター５，６の占める領域の外周である。よって、領域５ｃと６ｃとが重なる領域２１（斜線のハッチングで示される領域）が、シャッター５，６が開状態で互いに重なる領域である。隔壁１２は該領域２１に重なるように、シャッター５，６の間の高さに配置されており、シャッター５，６がいずれも開状態の時、シャッター５，６間を隔てる。係る隔壁１２により、シャッター６の裏面に付着した蒸発物が剥離して落下した場合でも、剥離した蒸発物は隔壁１２上に落下し、シャッター５の表面には落下しない。よって、シャッター６の裏面に付着した蒸発物が蒸着源１に落下して蒸着源１の開口部を塞いだり、クロスコンタミネーションを生じるといった不都合が抑制される。 A vertical plan view of theshutters 5 and 6, thepartition wall 12, and thepartition plate 11 is shown in FIG. 3(a). In FIG. 3A, 5c and 6c indicated by broken lines are the outer peripheries of the regions occupied by theshutters 5 and 6 due to rotation, respectively. Therefore, the region 21 (indicated by diagonal hatching) where theregions 5c and 6c overlap is the region where theshutters 5 and 6 overlap each other in the open state. Thepartition wall 12 is placed at a height between theshutters 5 and 6 so as to overlap thearea 21, and separates theshutters 5 and 6 when both are in the open state. Due to thepartition wall 12, even if the evaporated matter adhering to the back surface of theshutter 6 is peeled off and falls, the separated evaporated material falls onto thepartition wall 12 and does not fall onto the surface of theshutter 5. Therefore, inconveniences such as evaporated matter adhering to the back surface of theshutter 6 falling into thevapor deposition source 1 and blocking the opening of thevapor deposition source 1 or causing cross contamination can be suppressed.

本実施形態においては、隔壁１２は、長手方向（紙面上下方向）の両端において支持材２２で支持されている。また、本実施形態では、蒸着源１，２間を遮る仕切り板１１の上端に、蒸着源２に向かって第二の隔壁１３が取り付けられている。これにより、シャッター５の裏面に付着した蒸発物が剥離して蒸着源２側に落下するのを抑制し、該蒸発物によって、蒸着源２の開口部が塞がれたり、クロスコンタミネーションが生じるのが抑制される。 In this embodiment, thepartition wall 12 is supported by supportingmembers 22 at both ends in the longitudinal direction (vertical direction in the drawing). Further, in this embodiment, asecond partition wall 13 is attached to the upper end of thepartition plate 11 that blocks the gap between thevapor deposition sources 1 and 2, facing toward thevapor deposition source 2. This suppresses the evaporated matter adhering to the back surface of theshutter 5 from peeling off and falling to thedeposition source 2 side, and the evaporated matter blocks the opening of theevaporation source 2 and causes cross contamination. is suppressed.

さらに、図２に本発明の蒸着装置の他の実施形態の蒸着室の主要な構成を概略的に示す垂直方向の断面図を示し、図３（ｂ）に図２の蒸着装置を上方から見た平面概略図を示す。本実施形態では、図１の蒸着装置に加えて、隔壁（以下、第一の隔壁と記す）１２と第二の隔壁１３とをつなぐ第一の側壁１４と、第一の隔壁１２の蒸着源１側の端部より上方に向かって突出する第二の側壁１５と、を有している。このように、側壁１４，１５を設けることで、シャッター５，６の裏面に付着した蒸発物が剥離して、それぞれ蒸着源２，１側に落下するのをより効果的に抑制することができる。また、本実施形態のように、仕切り板１１、第二の隔壁１３、第一の側壁１４、第一の隔壁１２、第二の側壁１５が順次連結されているため、一体で取り扱うことができ、付着した蒸発物の除去など、メンテナンスが容易である。Furthermore, FIG. 2shows a vertical cross-sectional view schematically showing the main structure of the vapor deposition chamber of another embodiment of the vapor deposition apparatus of the present invention, and FIG. 3(b) shows the vapor deposition apparatus of FIG. 2 from above. A schematic plan view is shown . In this embodiment, in addition to the vapor deposition apparatus of FIG. It has asecond side wall 15 that projects upward from the first end. By providing theside walls 14 and 15 in this way, it is possible to more effectively prevent the evaporated matter adhering to the back surfaces of theshutters 5 and 6 from peeling off and falling toward thevapor deposition sources 2 and 1, respectively. . Furthermore, as in this embodiment, thepartition plate 11, thesecond partition wall 13, thefirst side wall 14, thefirst partition wall 12, and thesecond side wall 15 are connected in sequence, so they cannot be handled as one unit. Maintenance, such as removing attached evaporated matter, is easy.

図１、図２に示した実施形態では、蒸着源が２個の場合を示したが、蒸着源が３個以上の場合でも、そのうちの２個の蒸着源について、本発明を適用すればよい。また、蒸着源が４個の場合には、２個一組として、それぞれの組に本発明を適用すればよい。いずれの場合も、隣り合う組の蒸着源同士は仕切り板で仕切ることが好ましい。また、図１、図２には、被蒸着基板を回転させて蒸着を行う形態を示したが、被蒸着基板を固定して、蒸着源を回転テーブルに載せて回転させる形態であってもよい。また、シャッター５，６は回転させて開状態と閉状態とする構成を示したが、水平移動する形態であれば、移動形態は特に限定されない。 In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the case where there are two evaporation sources is shown, but even if there are three or more evaporation sources, the present invention may be applied to two of them. . Furthermore, when there are four evaporation sources, the present invention may be applied to each set of two. In either case, it is preferable that adjacent sets of vapor deposition sources be separated from each other by a partition plate. Furthermore, although FIGS. 1 and 2 show a configuration in which the deposition target substrate is rotated to perform the deposition, it is also possible to use a configuration in which the deposition target substrate is fixed and the deposition source is placed on a rotating table and rotated. . Moreover, although theshutters 5 and 6 are rotated to open and close, the movement form is not particularly limited as long as theshutters 5 and 6 are moved horizontally.

図１、図５に示す構成で、４個の蒸着源を備えた蒸着装置において、蒸着源を２個一組として、異なる４種の蒸着材料を用いて共蒸着を行った。一方の組のシャッターは同時に開状態、他方の組のシャッターは同時に閉状態とする工程を、５分ずつ、開状態と閉状態とを入れ替えて繰り返し、各蒸着源の蒸着レートを１．０ｎｍ／ｓで一定とし、連続１２０時間行った。また、図２の蒸着装置において、蒸着レートを１．０ｎｍ／ｓで一定とし、２個のシャッターを同時に５分間隔で開状態と閉状態とを繰り返して連続１２０時間、異なる蒸着材料の共蒸着を行った。蒸着終了後、蒸着源の加熱を停止し、蒸着室を大気状態に戻した後、各蒸着源の周辺をワイパーでふき取り、ワイパーに付着した物質をＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフ）分析にかけた。その結果、図１、図２の蒸着装置では、いずれの蒸着源においても、他の蒸着源からの蒸発物は観察されなかったが、図５の蒸着装置では、同じ組の一方の蒸着源に他方の蒸着源からの蒸発物の付着が認められた。 In a vapor deposition apparatus having the configuration shown in FIGS. 1 and 5 and equipped with four vapor deposition sources, co-evaporation was performed using four different vapor deposition materials using a set of two vapor deposition sources. The process of opening one set of shutters at the same time and closing the other set of shutters at the same time is repeated for 5 minutes, alternating between the open and closed states, and the evaporation rate of each evaporation source is set to 1.0 nm/ The test was carried out continuously for 120 hours at a constant temperature of 120 s. In addition, in the evaporation apparatus shown in Fig. 2, the evaporation rate was kept constant at 1.0 nm/s, and the two shutters were simultaneously opened and closed at 5-minute intervals to perform co-evaporation of different evaporation materials for 120 consecutive hours. I did it. After the vapor deposition was completed, the heating of the vapor deposition sources was stopped and the vapor deposition chamber was returned to atmospheric conditions. The area around each vapor deposition source was wiped with a wiper, and the substances adhering to the wipers were subjected to HPLC (high performance liquid chromatography) analysis. As a result, in the evaporation apparatus of FIGS. 1 and 2, no evaporated matter from other evaporation sources was observed in any of the evaporation sources, but in the evaporation apparatus of FIG. Adhesion of evaporated matter from the other evaporation source was observed.

１，２：蒸着源、５，６：シャッター、７，８：モニター、１１：仕切り板、１２，１３：隔壁、１４，１５：側壁 1, 2: Vapor deposition source, 5, 6: Shutter, 7, 8: Monitor, 11: Partition plate, 12, 13: Partition wall, 14, 15: Side wall

Claims (7)

Translated fromJapanese

水平方向に並んで配置した第一の蒸着源と第二の蒸着源と、前記第一の蒸着源の開口部の上方に配置された第一のシャッターと、前記第二の蒸着源の開口部の上方に配置された第二のシャッターと、を蒸着室内に有する蒸着装置であって、
前記第一のシャッターと前記第二のシャッターとは互いに高さが異なり、且つ、それぞれ独立に水平方向に移動することにより開閉し、垂直方向からの平面視において前記第一のシャッターと前記第二のシャッターとが共に開状態で互いに重なる領域を有し、
前記重なる領域において、前記第一のシャッターと前記第二のシャッターの間を隔てる隔壁を有し、前記隔壁は前記蒸着室に固定されていることを特徴とする蒸着装置。A first vapor deposition sourceand a second vapor deposition source arranged side by side in the horizontal direction,a first shutter arranged above theopening ofthe first vapor deposition source, andan opening of the second vapor deposition source. A vapor deposition apparatushaving a second shutter disposed above thevapor deposition chamber in the vapor deposition chamber ,
The first shutterand the second shutter have different heights, and are opened and closed by movingindependently in the horizontal direction, andthe first shutter and the second shutter are different in height from each other when viewed from the vertical direction. have a regionwhere the shutters overlap each other in the open state,
A vapor deposition apparatus comprising a partition wall separatingthe first shutterand the second shutter in the overlapping region, and the partition wall is fixed to the vapor deposition chamber . 前記第一のシャッターと前記第二のシャッターのうち、高さの低いシャッターの開状態に重なる領域において、前記高さの低いシャッターの下方に第二の隔壁を有することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。2.A second partition wall is provided below the shutter with a lower height in a region ofthe first shutter and the second shutter that overlaps with the open state of the shutterwith a lower height . The vapor deposition apparatus described in . 前記第一のシャッターと前記第二のシャッターの間を隔てる隔壁と、前記第二の隔壁とが、高さの高い側のシャッターに対応する蒸着源の側に配置された側壁で連結されていることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。A partition wall separatingthe first shutterand the second shutter and the second partition wall are connected by a side wall disposed on the side of the vapor deposition source corresponding to the shutter on the higher side. The vapor deposition apparatus according to claim 2, characterized in that: 前記第一のシャッターと前記第二のシャッターの間を隔てる隔壁の、高さの低い側のシャッターに対応する蒸着源の側の端部に、前記端部より上方に突出する側壁が配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着装置。A side wall protruding upward from the end of the partition wall separating thefirst shutterand the second shutter is disposed at the end of the evaporation source side corresponding to the shutter on the lower side of the height. The vapor deposition apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that: 前記第一の蒸着源と第二の蒸着源の間に、仕切り板を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着装置。The vapor deposition apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a partition plate between thefirst vapor deposition sourceand the second vapor deposition source . 前記第一の蒸着源と第二の蒸着源のそれぞれに対して、蒸発物の量を測定するモニターを有し、前記モニターは、前記第一のシャッターと前記第二のシャッターの開閉に関わらず、前記蒸発物の量を測定できる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蒸着装置。A monitor is provided for each ofthe first vapor deposition sourceand the second vapor deposition source , and the monitor measures the amount of evaporated material regardless of whetherthe first shutteror the second shutter is opened or closed. The vapor deposition apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the vapor deposition apparatus is provided at a position where the amount of the evaporated material can be measured. 前記第一の蒸着源と第二の蒸着源からの蒸発物が互いに異なることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着装置。The vapor deposition apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the evaporated substances from thefirst vapor deposition sourceand the second vapor deposition source are different from each other.

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