JP7112383B2 - Display panel manufacturing method - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明の一態様は、表示パネル、情報処理装置または表示パネルの作製方法に関する。One embodiment of the present invention relates to a display panel, an information processing device, or a method for manufacturing a display panel.

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、作製方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの作製方法、を一例として挙げることができる。Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. A technical field of one embodiment of the invention disclosed in this specification and the like relates to a product, a method, or a manufacturing method. Alternatively, one aspect of the invention relates to a process, machine, manufacture, or composition of matter. Therefore, the technical fields of one embodiment of the present invention disclosed in this specification more specifically include semiconductor devices, display devices, light-emitting devices, power storage devices, memory devices, driving methods thereof, and manufacturing methods thereof; can be mentioned as an example.

ディスプレイ技術の発展に伴って、要求される性能は日々高度化している。あるディスプレイが再現可能な色域を示す規格には、従来から広く指標とされているｓＲＧＢ規格やＮＴＳＣ規格などがあるが、最近ではより広い色域をカバーするＢＴ．２０２０規格が提唱されている。With the development of display technology, the required performance is becoming more sophisticated day by day. Standards that indicate the color gamut that a certain display can reproduce include the sRGB standard and the NTSC standard, which have been widely used in the past, but recently BT. 2020 standards have been proposed.

ほぼ全ての物体色を表現できるＢＴ．２０２０規格ではあるが、有機化合物の発するブロードな発光スペクトルをそのまま用いるのでは現状実現が難しいため、キャビティ構造等を用いることによって色純度を高めることで、当該規格を実現する試みがなされている。BT. Although it is the 2020 standard, it is currently difficult to achieve it by using the broad emission spectrum emitted by organic compounds as it is, so attempts are being made to realize the standard by increasing the color purity by using a cavity structure.

表示パネルにおいて、より広い色域をカバーする、キャビティ長の異なる領域を設ける構造などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。In a display panel, a structure in which regions with different cavity lengths are provided to cover a wider color gamut has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開２００６－０３２３２７号公報JP 2006-032327 A

マイクロキャビティ方式を利用する発光素子は、フルカラー化を実現する上で有利である。特に、広い色再現性を達成するためには、最適な発光スペクトルピーク波長と、シャープなスペクトルを得ることが必要である。A light-emitting element using the microcavity method is advantageous in realizing full-color display. In particular, in order to achieve wide color reproducibility, it is necessary to obtain an optimum emission spectrum peak wavelength and a sharp spectrum.

しかしながら、マイクロキャビティ方式を利用するフルカラー化の発光素子の場合において、発光色の異なる画素毎に一対の電極間の距離を調節する必要があるが、画素によっては、複数の波長が存在し、色純度の低下が問題となっている。さらに、一対の電極間の距離を調節する上でのマスク枚数や工程の増加も問題になっている。However, in the case of a full-color light-emitting element using a microcavity method, it is necessary to adjust the distance between a pair of electrodes for each pixel emitting light of different colors. A decrease in purity has become a problem. Furthermore, the increase in the number of masks and processes involved in adjusting the distance between the pair of electrodes is also a problem.

そこで、本発明の一態様では、異なる波長の光を呈する発光素子を複数有するマイクロキャビティ方式を利用した発光装置において、各発光素子から所望の波長の光のみが射出される素子構造とすることにより、色純度が良く、光取り出し効率の良い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することを目的とする。さらに、工程数およびコストの削減を図ることを目的とする。Therefore, in one aspect of the present invention, in a light-emitting device using a microcavity method having a plurality of light-emitting elements emitting light of different wavelengths, an element structure in which only light of a desired wavelength is emitted from each light-emitting element is provided. An object of the present invention is to provide a light-emitting device and a lighting device having light-emitting elements with high color purity and high light extraction efficiency. A further object is to reduce the number of steps and the cost.

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。An object of one embodiment of the present invention is to provide a novel display panel that is highly convenient and reliable. Another object is to provide a novel display device that is highly convenient and reliable. Another object is to provide a new input/output device that is highly convenient and reliable. Another object is to provide a new information processing device that is highly convenient or reliable. Another object is to provide a novel display panel, a novel display device, a novel input/output device, a novel information processing device, or a novel semiconductor device.

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。The description of these problems does not preclude the existence of other problems. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily solve all of these problems. Problems other than these are self-evident from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract problems other than these from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. is.

本発明の一態様の表示パネルは、第１の画素と、第２の画素と、を有する。第１の画素及び第２の画素はそれぞれ、発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とを有する。第１の導電膜は、半光透過性および半光反射性を備え、第２の導電膜は、光反射性を備える。または、第１の導電膜は光反射性を備え、第２の導電膜は半光透過性および半光反射性を備える。A display panel of one embodiment of the present invention includes a first pixel and a second pixel. Each of the first pixel and the second pixel has a light-emitting layer, a first conductive film, a second conductive film, and a third conductive film. The first conductive film is semi-light transmissive and semi-light reflective, and the second conductive film is light reflective. Alternatively, the first conductive film is light reflective and the second conductive film is semi-light transmissive and semi-light reflective.

第３の導電膜は、光透過性を備え、第１の導電膜は、第２の導電膜との間に、第３の導電膜を挟むように形成され、発光層は、第２の導電膜と、第３の導電膜との間に挟まれるように形成され、第１の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、第１の距離を備え、第２の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、第２の距離を備え、第２の距離は、第１の距離と等しく、第１の画素は、発光極大波長を波長６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出し、第２の画素は、発光極大波長を波長４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域に有するスペクトルを備える光を射出する。The third conductive film has a light-transmitting property, the first conductive film is formed so as to sandwich the third conductive film between the first conductive film and the second conductive film, and the light-emitting layer has the second conductive film. The first pixel is formed sandwiched between the film and the third conductive film, the first pixel includes a first distance between the first conductive film and the second conductive film, and the second pixel has a first distance between the first conductive film and the second conductive film. comprises a second distance between the first conductive film and the second conductive film, the second distance being equal to the first distance, and the first pixel having an emission maximum wavelength of Light having a spectrum in a wavelength region of 630 nm or more and 670 nm or less is emitted, and the second pixel emits light having a spectrum having an emission maximum wavelength in a wavelength region of 430 nm or more and 460 nm or less.

上記構成において、さらに第３の画素を有し、第３の画素は発光層と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とを有し、第３の画素は、第１の導電膜と第２の導電膜との間に、第３の距離を備え、第３の距離は、第１の距離と異なり、第３の画素は、緑色の光を射出すると好ましい。The above structure further includes a third pixel, the third pixel includes a light-emitting layer, a first conductive film, a second conductive film, and a third conductive film, and the third pixel has a third distance between the first conductive film and the second conductive film, the third distance is different from the first distance, and the third pixel emits green light. preferable.

上記各構成において、さらに第４の導電膜を有し、第４の導電膜は、光透過性を備えると好ましい。また、第１の画素において、第４の導電膜は、発光層と、第３の導電膜との間に挟まれるように配置され、第２の画素において、第４の導電膜は、発光層と、第３の導電膜との間に挟まれるように配置されると好ましい。また、第１の画素において、第３の導電膜は、第１の膜厚を備え、第２の画素において、第３の導電膜は、第２の膜厚を備え、第１の画素において、第４の導電膜は、第３の膜厚を備え、第２の画素において、第４の導電膜は、第４の膜厚を備え、第１の膜厚は第２の膜厚と等しく、第３の膜厚は第４の膜厚と等しいと好ましい。Each of the above structures preferably further includes a fourth conductive film, and the fourth conductive film has a light-transmitting property. In the first pixel, the fourth conductive film is sandwiched between the light-emitting layer and the third conductive film, and in the second pixel, the fourth conductive film is provided between the light-emitting layer and the third conductive film. and the third conductive film. Further, in the first pixel, the third conductive film has a first film thickness, in the second pixel, the third conductive film has a second film thickness, and in the first pixel, the fourth conductive film has a third thickness; in the second pixel, the fourth conductive film has a fourth thickness, the first thickness being equal to the second thickness; The third film thickness is preferably equal to the fourth film thickness.

上記各構成において、第３の導電膜は、第４の導電膜より、一のエッチング雰囲気におけるエッチングレートが小さいと好ましい。または、第３の導電膜は、第４の導電膜より、一の溶液を用いた場合のエッチングレートが小さいと好ましい。In each of the above structures, the third conductive film preferably has a lower etching rate in one etching atmosphere than the fourth conductive film. Alternatively, it is preferable that the etching rate of the third conductive film using one solution is lower than that of the fourth conductive film.

本発明の一態様の情報処理装置は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記記載の表示パネルと、を含む。An information processing device of one embodiment of the present invention includes at least one of a keyboard, hardware buttons, a pointing device, a touch sensor, an illuminance sensor, an imaging device, a voice input device, a line-of-sight input device, and an orientation detection device, and the above-described a display panel;

本発明の一態様の表示パネルの作製方法は、第１の導電膜を形成する工程と、第１の導電膜の上方に第２の導電膜を形成する工程と、第２の導電膜の上方に第３の導電膜を形成する工程と、第３の導電膜の上方に、第１の領域と、第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有するマスクを形成する工程と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、のマスクと重ならない部分を除去する第１の工程と、第１の工程の後、マスクを後退させることにより第２の領域のマスクを除去する第２の工程と、第２の工程の後、第３の導電膜の第２の領域と重なる部分を除去する第３の工程と、第３の工程の後、マスクを除去する工程と、第２の導電膜、または第３の導電膜の上方に、発光層を形成する工程と、発光層の上に、第４の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。A method for manufacturing a display panel of one embodiment of the present invention includes steps of forming a first conductive film, forming a second conductive film over the first conductive film, and forming a second conductive film over the second conductive film. forming a third conductive film on the third conductive film; and forming a mask having a first region and a second region having a thickness smaller than the thickness of the first region above the third conductive film. a first step of removing portions of the first conductive film, the second conductive film, and the third conductive film that do not overlap with the mask; after the first step, the mask is removed; a second step of removing the mask in the second region by retreating; a third step of removing a portion of the third conductive film overlapping the second region after the second step; After the step of, removing the mask, forming a light-emitting layer over the second conductive film or the third conductive film, and forming a fourth conductive film over the light-emitting layer and a step.

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。In the drawings attached to this specification, constituent elements are classified according to function and block diagrams are shown as mutually independent blocks. may be involved in multiple functions.

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。In this specification, the terms "source" and "drain" of a transistor interchange with each other depending on the polarity of the transistor and the level of the potential applied to each terminal. Generally, in an n-channel transistor, a terminal to which a low potential is applied is called a source, and a terminal to which a high potential is applied is called a drain. In a p-channel transistor, a terminal to which a low potential is applied is called a drain, and a terminal to which a high potential is applied is called a source. In this specification, for the sake of convenience, the connection relationship of transistors may be described on the assumption that the source and the drain are fixed. .

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。In this specification, the source of a transistor means a source region which is part of a semiconductor film that functions as an active layer, or a source electrode connected to the semiconductor film. Similarly, the drain of a transistor means a drain region that is part of the semiconductor film or a drain electrode connected to the semiconductor film. Also, a gate means a gate electrode.

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。In this specification, a state in which transistors are connected in series means, for example, a state in which only one of the source and drain of the first transistor is connected to only one of the source and drain of the second transistor. do. In addition, a state in which transistors are connected in parallel means that one of the source and drain of the first transistor is connected to one of the source and drain of the second transistor, and the other of the source and drain of the first transistor is connected to It means the state of being connected to the other of the source and the drain of the second transistor.

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。In this specification, connection means electrical connection, and corresponds to a state in which current, voltage or potential can be supplied or transmitted. Therefore, the state of being connected does not necessarily refer to the state of being directly connected, but rather the state of wiring, resistors, diodes, transistors, etc., so that current, voltage or potential can be supplied or transmitted. A state of being indirectly connected via a circuit element is also included in this category.

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。In this specification, even when components that are independent on the circuit diagram are connected to each other, in practice, for example, when a part of the wiring functions as an electrode, one conductive film is connected to a plurality of may also have the functions of the constituent elements of In this specification, "connection" includes such a case where one conductive film has the functions of a plurality of constituent elements.

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。Also, in this specification, one of the first electrode and the second electrode of the transistor refers to the source electrode, and the other refers to the drain electrode.

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。According to one embodiment of the present invention, a novel display panel with excellent convenience and reliability can be provided. Alternatively, a novel display device with excellent convenience or reliability can be provided. Alternatively, it is possible to provide a novel input/output device with excellent convenience or reliability. Alternatively, it is possible to provide a novel information processing apparatus that is superior in convenience or reliability. Alternatively, a new display panel, a new display device, a new input/output device, a new information processing device, or a new semiconductor device can be provided.

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。Note that the description of these effects does not preclude the existence of other effects. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily have all of these effects. Effects other than these are self-evident from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract effects other than these from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. is.

実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。1A and 1B are a top view and a cross-sectional view illustrating pixels and subpixels of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。1A and 1B are a top view and a cross-sectional view illustrating pixels and subpixels of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図および模式図。1A and 1B are a top view and a schematic diagram illustrating a structure of a display panel according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。1A and 1B are top views each illustrating a pixel structure of a display panel according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。1 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit of a display panel according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る多階調マスクを説明する図。4A and 4B are diagrams for explaining a multi-tone mask according to the embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図。1A and 1B are a top view and a cross-sectional view illustrating pixels and subpixels of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する模式図および断面図。1A and 1B are a schematic diagram and a cross-sectional view illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示装置の構成を説明するブロック図。1 is a block diagram illustrating a structure of a display device according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図およびその外観を説明する図。1A and 1B are a block diagram illustrating a structure of a display panel according to an embodiment and a diagram illustrating the appearance thereof; FIG.実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。1 is a block diagram illustrating a configuration of an input/output device according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する上面図および投影図。1A and 1B are a top view and a projection view illustrating a configuration of an input/output device according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図。1A and 1B illustrate a structure of an input/output device according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図。1 is a block diagram illustrating the structure of a display panel of a display device according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図。1 is a block diagram illustrating the structure of a display panel of a display device according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。1A and 1B are top views each illustrating a pixel structure of a display panel according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a structure of a display panel according to an embodiment;実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。1A and 1B are top views each illustrating a pixel structure of a display panel according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。1 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit of a display panel according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る表示パネルの光反射膜の形状を説明する模式図。4A and 4B are schematic diagrams for explaining the shape of the light reflecting film of the display panel according to the embodiment;実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図と模式図。1A and 1B are a block diagram and a schematic diagram illustrating a configuration of an information processing apparatus according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。FIG. 4 is a flow diagram for explaining a method of driving the information processing apparatus according to the embodiment;実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図およびタイミングチャート。4A and 4B are a flowchart and timing charts for explaining a method for driving an information processing apparatus according to an embodiment;実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。1 illustrates a configuration of an information processing apparatus according to an embodiment; FIG.実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。1 illustrates a configuration of an information processing apparatus according to an embodiment; FIG.実施例に係る屈折率を説明する図。FIG. 5 is a diagram for explaining refractive indices according to Examples;実施例に係るサンプルと光強度を説明する図。FIG. 4 is a diagram for explaining a sample and light intensity according to an example;

本発明の一態様の表示パネルは、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する自発光型の表示素子を備える。当該複数の画素は、微小光共振器（マイクロキャビティともいう）を備える。A display panel of one embodiment of the present invention includes a plurality of pixels. The plurality of pixels includes self-luminous display elements that display colors with different hues. The plurality of pixels includes a micro optical resonator (also referred to as microcavity).

これにより、色純度が良い発光素子を備えた発光装置および照明装置を提供することができる。さらに、色相が互いに異なる２の画素の、微少共振器構造の作製工程の一部を同一とすることにより、工程数およびコストの削減を図ることができる。Accordingly, it is possible to provide a light-emitting device and a lighting device having a light-emitting element with high color purity. Furthermore, by using the same part of the microcavity structure manufacturing process for two pixels having different hues, the number of processes and the cost can be reduced.

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and those skilled in the art will easily understand that various changes can be made in form and detail without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the descriptions of the embodiments shown below. In the configuration of the invention to be described below, the same reference numerals are used in common for the same parts or parts having similar functions in different drawings, and repeated description thereof will be omitted.

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について説明する。(Embodiment 1)
In this embodiment, a structure of a display panel of one embodiment of the present invention will be described.

図１（Ａ）および図１（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｙ３－Ｙ４における断面図である。FIGS. 1A and 1B are a top view and a cross-sectional view, respectively, illustrating a pixel and a subpixel of a display panel of one embodiment of the present invention. FIG. 1A is a top view of a pixel of a display panel of one embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line Y3-Y4 in FIG. 1A.

図２（Ａ）および図２（Ｂ）はそれぞれ、本発明の一態様の表示パネルの画素と副画素を説明する上面図および断面図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｙ３－Ｙ４における断面図である。2A and 2B are a top view and a cross-sectional view, respectively, illustrating a pixel and a subpixel of a display panel of one embodiment of the present invention. FIG. 2A is a top view of a pixel of a display panel of one embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line Y3-Y4 in FIG. 2A.

図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図３（Ｃ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの断面の構成を説明する模式図である。FIG. 3 illustrates a structure of a display panel of one embodiment of the present invention. FIG. 3A is a top view of a display panel, and FIG. 3B is a top view illustrating part of a pixel of the display panel shown in FIG. 3A. FIG. 3C is a schematic diagram illustrating a cross-sectional structure of the display panel shown in FIG. 3A.

図６は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の構成を説明する上面図である。FIG. 6 is a top view illustrating the structure of a pixel of the display panel shown in FIG. 3A.

図４および図５は表示パネルの構成を説明する断面図である。図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、図６の切断線Ｘ５－Ｘ６における断面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）はいずれも図４（Ａ）の一部を説明する図である。4 and 5 are sectional views for explaining the configuration of the display panel. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along section lines X1-X2, X3-X4, and X5-X6 in FIG. 3A, and FIGS. All of them are diagrams for explaining a part of FIG. 4(A).

図５は図６の切断線Ｘ７－Ｘ８、図３（Ａ）の切断線Ｘ９－Ｘ１０における断面図である。5 is a cross-sectional view taken along line X7-X8 in FIG. 6 and line X9-X10 in FIG. 3A.

図７は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram illustrating the structure of a pixel circuit included in the display panel of one embodiment of the present invention.

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。In this specification, a variable whose value is an integer of 1 or more may be used as a code. For example, (p), which includes a variable p that takes an integer value of 1 or more, may be used as part of the code specifying one of the maximum p components. Also, for example, (m, n) including variable m and variable n, which take integer values of 1 or more, may be used as part of the code specifying one of the maximum m×n components.

＜表示パネルの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。<Configuration example 1 of display panel>
Thedisplay panel 700 described in this embodiment includes a plurality of pixels. The plurality of pixels has a function of displaying colors with different hues.

当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。By using the plurality of pixels, colors of hues that cannot be displayed by the pixels can be displayed by additive color mixture.

なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。Note that when a plurality of pixels capable of displaying colors with different hues are used for color mixture, each pixel can be called a sub-pixel. Also, a set of sub-pixels can be called a pixel.

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、いずれも副画素とみなし、これらを一組にして画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ａ）参照）。For example, pixel 702(i,j), pixel 702(i,j+1), and pixel 702(i,j+2) are all considered sub-pixels and grouped together as pixel 703(i,k). (See FIG. 1(A)).

具体的には、赤色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および青色を表示する画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を副画素とみなし、一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。Specifically, a pixel 702 (i, j) displaying red, a pixel 702 (i, j+1) displaying green, and a pixel 702 (i, j+2) displaying blue are regarded as sub-pixels, and , can be used for pixel 703(i,k).

また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。Further, for example, a sub-pixel or the like that displays white can be added to the above set and used as a pixel.

＜表示素子の構成例１＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ｂ）参照）。表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ）は発光層５５３、電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２を備える。例えば、電極５５１（ｉ，ｊ）は光透過性を有する材料、電極５５２は光反射性を有する材料を用いる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）についても同様である。発光層５５３は、発光性の材料を含む層である。<Configuration example 1 of display element>
A pixel 702(i,j) has a display element 550(i,j) (see FIG. 1B). The display element 550(i, j) has a function of emitting light. For example, an organic EL element can be used for the display element 550(i,j). A display element 550 (i, j) includes a light-emittinglayer 553 , an electrode 551 (i, j), and anelectrode 552 . For example, the electrode 551 (i, j) uses a light-transmitting material, and theelectrode 552 uses a light-reflecting material. The same is true for pixel 702(i,j+1) and pixel 702(i,j+2). The light-emittinglayer 553 is a layer containing a light-emitting material.

また後述の部分で説明するが、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ１（Ｇ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の着色膜ＣＦ１（Ｂ）を備える。As will be described later, the pixel 702(i, j) has a red colored film CF1(R), the pixel 702(i, j+1) has a green colored film CF1(G), and the pixel 702( i, j+2) is provided with a blue colored film CF1(B).

表示素子５５０（ｉ，ｊ）において、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）とを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。In the display element 550 (i, j), a semi-transmissive/semi-reflective conductive film 551_0 (i, j) and a light-transmitting conductive film 551_1 (i, j) are connected to electrodes 551 (i, j). i, j). The same applies to display element 550 (i, j+1) and display element 550 (i, j+2).

光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。The light-transmitting conductive film 551_1(i, j) includes a region sandwiched between the semi-light-transmitting/semi-reflecting conductive film 551_0(i, j) and the light-emittinglayer 553 .

この場合において、発光層５５３と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）との積層膜を、光透過性を有する膜とみなすことができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。In this case, a stacked film of the light-emittinglayer 553 and the light-transmitting conductive film 551_1(i, j) can be regarded as a light-transmitting film. The same applies to display element 550 (i, j+1) and display element 550 (i, j+2).

画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は微少共振器構造を備える。微小光共振器構造とは、光透過性を有し、厚さ方向において所定の光学距離を有する膜を、半光透過性・半光反射性を備える膜と、光反射膜との間に挟む積層構造を指す。光透過性を有する導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、光透過率の異なる２種以上の積層構造としても良い。Pixel 702(i,j), pixel 702(i,j+1), and pixel 702(i,j+2) have a microresonator structure. An optical microresonator structure is one in which a film having optical transparency and a predetermined optical distance in the thickness direction is sandwiched between a semi-optical transmissive/semi-reflective film and a light-reflecting film. Refers to a laminated structure. The light-transmitting conductive film 551_1(i, j) may have a layered structure of two or more layers with different light transmittances.

図１（Ｂ）には、赤色の光Ｒ０１及びＲ０２、緑色の光Ｇ０１及びＧ０２、青色の光Ｂ０１及びＢ０２が示されている。いずれの光も発光層５５３から射出される。また、ｄ０、ｄ１が示されている。ｄ０、ｄ１はいずれも、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と電極５５２との間の、導電膜５５１＿０の膜厚方向に沿った距離である。FIG. 1B shows red lights R01 and R02, green lights G01 and G02, and blue lights B01 and B02. Both lights are emitted from thelight emitting layer 553 . Also shown are d0 and d1. Both d0 and d1 are distances between the conductive film 551_0(i, j) and theelectrode 552 along the thickness direction of the conductive film 551_0.

光Ｒ０２、光Ｇ０２、光Ｂ０２、は半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）との界面で反射する。また光Ｒ０２、光Ｇ０２、光Ｂ０２、は発光層５５３と、光反射性を有する電極５５２との界面で反射する。Light R02, light G02, and light B02 are reflected at the interface between the conductive film 551_0 (i, j) having semi-light transmissive/semi-light reflective properties and the conductive film 551_1 (i, j) having light transmissive property. . Further, the light R02, the light G02, and the light B02 are reflected at the interface between the light emittinglayer 553 and theelectrode 552 having light reflectivity.

画素７０２（ｉ，ｊ）において光Ｒ０１と光Ｒ０２とは干渉して強めあう。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において光Ｇ０１と光Ｇ０２とは干渉して強めあう。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において光Ｂ０１と光Ｂ０２とは干渉して強めあう。At pixel 702(i,j), light R01 and light R02 interfere and strengthen each other. At pixel 702 (i, j+1), light G01 and light G02 interfere and strengthen each other. At pixel 702 (i, j+2), light B01 and light B02 interfere and strengthen each other.

本発明の一態様の表示パネル７００において、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）と、は距離ｄ０を有する。また、画素７０２（ｉ，ｊ）における距離ｄ０と、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）における距離ｄ１とは異なる。換言すると、画素７０２（ｉ，ｊ）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との距離と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）との距離とは、概略等しい。また、画素７０２（ｉ，ｊ）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との距離と、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）における電極５５２と導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）との距離とは、異なる。なお、本明細書等において、２つの距離が概略等しいとは、２つの距離のうちの一方の、他方に対する比が０．８以上１．２以下であることを示す。In thedisplay panel 700 of one embodiment of the present invention, the pixel 702(i,j) and the pixel 702(i,j+2) have a distance d0. Also, the distance d0 at pixel 702(i,j) is different from the distance d1 at pixel 702(i,j+1). In other words, the distance between theelectrode 552 and the conductive film 551_0(i,j) in the pixel 702(i,j) and the distance between theelectrode 552 and the conductive film 551_0(i,j+2) in the pixel 702(i,j+2) are approximately equal. Also, the distance between theelectrode 552 and the conductive film 551_0(i,j) in the pixel 702(i,j) and the distance between theelectrode 552 and the conductive film 551_0(i,j+1) in the pixel 702(i,j+1) are ,different. In this specification and the like, two distances being approximately equal means that the ratio of one of the two distances to the other is 0.8 or more and 1.2 or less.

光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）の屈折率に波長依存性があり、赤色の光と青色の光とで互いに屈折率が異なるのであれば、画素７０２（ｉ，ｊ）における距離ｄ０と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）における距離ｄ０とにおいて、光学距離は異なる。表示パネル７００において、上記屈折率を考慮して、距離ｄ０を決定することで、有効な微小光共振器構造が形成される。If the refractive index of the conductive film 551_1 (i, j) having optical transparency has wavelength dependence, and red light and blue light have different refractive indices, then the distance in the pixel 702 (i, j) is The optical distance is different between d0 and the distance d0 at pixel 702(i,j+2). In thedisplay panel 700, an effective micro-optical resonator structure is formed by determining the distance d0 in consideration of the refractive index.

なお、半光透過性・半光反射性を備える膜は、可視光の一部を透過する機能および他の一部を反射する機能を備える。具体的には、光が透過する程度に薄い金属膜を半光透過性・半光反射性を備える膜に用いることができる。A semi-transmissive/semi-reflective film has a function of transmitting a part of visible light and a function of reflecting the other part. Specifically, a metal film thin enough to transmit light can be used as a semi-light-transmitting/semi-reflecting film.

これにより、微小光共振器構造を画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に設けることができる。画素７０２（ｉ，ｊ）は、赤色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。また画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、緑色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。また画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、青色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。Thereby, a micro optical resonator structure can be provided in pixel 702(i,j), pixel 702(i,j+1), and pixel 702(i,j+2). Pixel 702(i,j) can increase the color purity of red and make the display more vivid. Also, the pixel 702 (i, j+1) can increase the color purity of green and make the display vivid. In addition, the pixel 702 (i, j+2) can increase the color purity of blue to make the display more vivid.

または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。Alternatively, light with a predetermined wavelength can be extracted more efficiently than other light. Alternatively, light with a narrow half width of the spectrum can be extracted. Or you can take out bright colors of light.

また表示パネル７００＿１のように、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）に接して導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）を設ける積層構造としてもよい（図２（Ｂ）参照）。ここで、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）とは異なる材料であると好ましい。なお、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は同じ材料としてもよい。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。Alternatively, a stacked structure in which a conductive film 551_2(i, j) is provided in contact with the conductive film 551_1(i, j) may be employed like the display panel 700_1 (see FIG. 2B). Here, it is preferable that the conductive films 551_1(i, j) and the conductive films 551_2(i, j) are made of different materials. Note that the conductive film 551_1(i, j) and the conductive film 551_2(i, j) may be made of the same material. The same applies to the conductive film 551_1(i, j+2).

表示素子５５０（ｉ，ｊ）において、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、光透過性を備える導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）とを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。In the display element 550(i, j), a conductive film 551_0(i, j) having semi-transmissive/semi-light reflective properties, a conductive film 551_1(i, j) having light-transmitting properties, and a conductive film 551_1(i, j) having light-transmitting properties The conductive film 551_2(i,j) provided can be used for the electrode 551(i,j). The same applies to display element 550 (i, j+2).

光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。また、光透過性を備える導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。この場合において、発光層５５３、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）および光透過性を備える導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）の積層膜を光透過性を有する膜とみなすことができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。The light-transmitting conductive film 551_1(i, j) has a region sandwiched between the semi-light-transmitting/semi-reflecting conductive film 551_0(i, j) and the light-emittinglayer 553 . In addition, the light-transmitting conductive film 551_2(i, j) includes a region sandwiched between the light-transmitting conductive film 551_1(i, j) and the light-emittinglayer 553 . In this case, a stacked film of the light-emittinglayer 553, the light-transmitting conductive film 551_1(i, j), and the light-transmitting conductive film 551_2(i, j) can be regarded as a light-transmitting film. . The same applies to display element 550 (i, j+2).

表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）において、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）とを、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）に用いることができる。In the display element 550 (i, j+1), a semi-transmissive/semi-reflective conductive film 551_0 (i, j+1) and a light-transmitting conductive film 551_1 (i, j+1) are connected to the electrode 551 ( i, j+1).

光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）は、半光透過性・半光反射性を備える導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）および発光層５５３の間に挟まれる領域を備える。この場合において、発光層５５３および光透過性を備える導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）の積層膜を光透過性を有する膜とみなすことができる。The light-transmitting conductive film 551_1 (i, j+1) has a region sandwiched between the semi-light-transmitting/semi-light-reflecting conductive film 551_0 (i, j+1) and the light-emittinglayer 553 . In this case, the stacked film of the light-emittinglayer 553 and the light-transmitting conductive film 551_1(i, j+1) can be regarded as a light-transmitting film.

実施の形態２で説明するが、電極５５１（ｉ，ｊ）が、表示パネル７００＿１のような、積層構造を有する場合、電極５５１（ｉ，ｊ）の作製工程の簡略化に有効である。As described inEmbodiment 2, the electrode 551(i, j) having a layered structure like the display panel 700_1 is effective in simplifying the manufacturing process of the electrode 551(i, j).

＜画素の構成例１＞
例えば、白色の光を発する発光層を発光層５５３に用いることができる（図２（Ｂ）参照）。<Pixel configuration example 1>
For example, a light-emitting layer that emits white light can be used for the light-emitting layer 553 (see FIG. 2B).

画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の着色膜ＣＦ１（Ｒ）を備え、赤色の光を射出する機能を備える（図２（Ｂ）参照）。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の着色膜ＣＦ１（Ｇ）を備え、緑色の光を射出する機能を備える。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は青色の着色膜ＣＦ１（Ｂ）を備え、青色の光を射出する機能を備える。副画素は、互いに絶縁膜５２８で区切られている。発光層５５３は、画素７０２（ｉ，ｊ）において配設される領域、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において配設される領域、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）において配設される領域、を有する。A pixel 702(i, j) includes a red colored film CF1(R) and has a function of emitting red light (see FIG. 2B). The pixel 702(i, j+1) has a green colored film CF1(G) and has a function of emitting green light. A pixel 702 (i, j+2) includes a blue colored film CF1 (B) and has a function of emitting blue light. Sub-pixels are separated from each other by an insulatingfilm 528 . The light-emittinglayer 553 has a region provided in the pixel 702(i,j), a region provided in the pixel 702(i,j+1), and a region provided in the pixel 702(i,j+2).

画素７０２（ｉ，ｊ）において、発光層５５３は、例えば１８８ｎｍの膜厚とすることができる。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）は、例えば膜厚５０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は、例えば膜厚６２ｎｍの、インジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜を用いることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。In pixel 702(i,j), light-emittinglayer 553 may have a thickness of, for example, 188 nm. As the conductive film 551_1(i,j), a 50-nm-thick oxide conductive film containing indium, tin, and silicon can be used, for example. As the conductive film 551_2(i,j), a 62-nm-thick oxide conductive film containing indium and zinc can be used, for example. The same is true for pixel 702 (i, j+2).

画素７０２（ｉ，ｊ＋１）において、発光層５５３は、例えば１８８ｎｍの膜厚とすることができる。導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）は、例えば膜厚５０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を用いることができる。In pixel 702(i,j+1), the light-emittinglayer 553 can have a thickness of, for example, 188 nm. As the conductive film 551_1(i, j+1), a 50-nm-thick oxide conductive film containing indium, tin, and silicon can be used, for example.

上記膜厚による各副画素の構成により、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は青色の色純度を高め、いずれの表示も鮮やかにすることができる。By configuring each sub-pixel with the above film thickness, the pixel 702(i,j) enhances the color purity of red, the pixel 702(i,j+1) enhances the color purity of green, and the pixel 702(i,j+1) enhances the color purity of blue. The color purity of the display can be increased, and any display can be made vivid.

＜表示パネルの構成例２＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図３（Ａ）または図１７参照）。<Configuration example 2 of the display panel>
Adisplay panel 700 described in this embodiment includes a pixel 702 (i, j) (see FIG. 3A or FIG. 17).

＜画素の構成例２＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図３（Ｃ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。<Example 2 of Pixel Configuration>
A pixel 702(i,j) includes a display element 550(i,j) (see FIG. 3C). Pixel 702(i,j) also includes pixel circuit 530(i,j).

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は導電膜を備える。当該導電膜は可視光を透過する領域を備えてもよい。例えば、可視光を透過する導電膜を導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４に用いることができる（図４（Ａ）参照）。The pixel circuit 530(i,j) comprises a conductive film. The conductive film may have a region that transmits visible light. For example, a conductive film that transmits visible light can be used for theconductive films 512A, 512B, and 504 (see FIG. 4A).

なお、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４は、いずれもトランジスタＭの電極の機能を備える。または、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４は、いずれも画素回路５３０（ｉ，ｊ）の配線の機能を備える（図４（Ａ）または図４（Ｂ）参照）。Note that theconductive film 512A, theconductive film 512B, and theconductive film 504 all function as electrodes of the transistor M. Alternatively, theconductive film 512A, theconductive film 512B, and theconductive film 504 all have the wiring function of the pixel circuit 530(i,j) (see FIG. 4A or 4B).

＜表示素子の構成例２＞
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図３（Ｃ）参照）。例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、接続部５２２Ａにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭの導電膜５１２Ａと電気的に接続される。<Configuration Example 2 of Display Element>
The display element 550(i, j) is electrically connected to the pixel circuit 530(i, j) (see FIG. 3C). For example, display element 550(i,j) is electrically connected to pixel circuit 530(i,j) atconnection 522A. Specifically, the electrode 551 (i, j) of the display element 550 (i, j) is electrically connected to theconductive film 512A of the transistor M.

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、基板７７０に向かって可視光を射出する機能を備える（図３（Ｃ）、図４（Ａ）参照）。このとき光Ｌ１の射出する経路に、着色膜ＣＦ１（Ｒ）を設けることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）も同様とする。The display element 550(i, j) has a function of emitting visible light toward the substrate 770 (see FIGS. 3C and 4A). At this time, a colored film CF1(R) can be provided on the path through which the light L1 is emitted. The same applies to display element 550 (i, j+1) and display element 550 (i, j+2).

＜画素回路の構成例１＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭを備え、トランジスタＭは、半導体膜５０８、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよびゲート電極として機能する導電膜５０４を備える。<Configuration Example 1 of Pixel Circuit>
The pixel circuit 530(i,j) includes a transistor M, which includes asemiconductor film 508, aconductive film 512A, aconductive film 512B, and aconductive film 504 functioning as a gate electrode.

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える（図４（Ｂ）参照）。Thesemiconductor film 508 includes aregion 508A electrically connected to theconductive film 512A and aregion 508B electrically connected to theconductive film 512B (see FIG. 4B).

半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間にゲート電極として機能する導電膜５０４と重なる領域５０８Ｃを備える。Thesemiconductor film 508 has aregion 508C overlapping with theconductive film 504 functioning as a gate electrode between theregions 508A and 508B.

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図７参照）。The pixel circuit 530(i,j) has a function of driving the display element 550(i,j) (see FIG. 7).

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。A switch, a transistor, a diode, a resistive element, an inductor, a capacitive element, or the like can be used for the pixel circuit 530(i,j).

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。For example, one or more transistors can be used for the switches. Alternatively, a plurality of transistors connected in parallel, a plurality of transistors connected in series, or a plurality of transistors connected in series and in parallel can be used for one switch.

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）および導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図７参照）。なお、導電膜５１２Ｂは、接続部５２２Ｂにおいて導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図４（Ａ）および図７参照）。For example, the pixel circuit 530(i,j) is electrically connected to the signal line S2(j), the scanning line G2(i) and the conductive film ANO (see FIG. 7). Note that theconductive film 512B is electrically connected to the conductive film ANO at theconnection portion 522B (see FIGS. 4A and 7).

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む（図７参照）。The pixel circuit 530(i,j) includes a switch SW2, a transistor M and a capacitive element C21 (see FIG. 7).

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。For example, a transistor having a gate electrode electrically connected to the scan line G2(i) and a first electrode electrically connected to the signal line S2(j) can be used for the switch SW2. .

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。The transistor M has a gate electrode electrically connected to the second electrode of the transistor used for the switch SW2, and a first electrode electrically connected to the conductive film ANO.

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。Note that a transistor including a conductive film in which a semiconductor film is interposed with a gate electrode can be used as the transistor M. For example, a conductive film that is electrically connected to a wiring capable of supplying the same potential as that of the gate electrode of the transistor M can be used as the conductive film.

容量素子Ｃ２１は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。The capacitive element C21 has a first electrode electrically connected to the second electrode of the transistor used for the switch SW2 and a second electrode electrically connected to the first electrode of the transistor M. .

また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５２を導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。Further, the electrode 551(i,j) of the display element 550(i,j) is electrically connected to the second electrode of the transistor M, and theelectrode 552 of the display element 550(i,j) is electrically connected to the conductive film VCOM2. connected to each other. Thereby, the display element 550 (i, j) can be driven.

＜画素の構成例３＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は絶縁膜５７３を備える（図５参照）。例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。<Example 3 of Pixel Configuration>
The pixel 702(i,j) has an insulating film 573 (see FIG. 5). For example, a single film or a stacked film in which a plurality of films are stacked can be used as the insulatingfilm 573 . Specifically, a stacked film in which an insulatingfilm 573A and an insulatingfilm 573B are stacked can be used as the insulatingfilm 573 .

画素７０２（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５１８を備える。なお、絶縁膜５７３は、例えば、表示領域２３１の外側で絶縁膜５１８と接する領域を備える。The pixel 702 (i,j) comprises an insulatingfilm 518 . Note that the insulatingfilm 573 has, for example, a region in contact with the insulatingfilm 518 outside thedisplay region 231 .

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は絶縁膜５７３および絶縁膜５１８に挟まれる領域を備える。The display element 550 (i, j) has a region sandwiched between the insulatingfilm 573 and the insulatingfilm 518 .

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は電極５５１（ｉ，ｊ）、発光層５５３、および電極５５２を備える。発光層５５３は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間に挟まれる領域を備える。発光層５５３は、有機化合物を含む。The display element 550(i,j) comprises an electrode 551(i,j), alight emitting layer 553 and anelectrode 552. FIG.Emissive layer 553 comprises a region sandwiched between electrodes 551 (i, j) andelectrodes 552 . Thelight emitting layer 553 contains an organic compound.

これにより、表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。This can suppress the diffusion of impurities into the display element. As a result, it is possible to provide a novel display device with excellent convenience or reliability.

＜表示パネルの構成例３＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図１７参照）。<Configuration example 3 of the display panel>
Further, thedisplay panel 700 described in this embodiment has a display area 231 (see FIG. 17).

＜表示領域の構成例＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ２（ｉ）と、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する（図１７参照）。また、導電膜ＶＣＯＭ２と、導電膜ＡＮＯと、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。<Configuration example of display area>
Thedisplay area 231 includes a group of pixels 702(i,1) through 702(i,n), another group of pixels 702(1,j) through 702(m,j), and a scan. It has a line G2(i) and a signal line S2(j) (see FIG. 17). It also has a conductive film VCOM2 and a conductive film ANO. Note that i is an integer of 1 or more and m or less, j is an integer of 1 or more and n or less, and m and n are integers of 1 or more.

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。The group of pixels 702(i,1) through 702(i,n) includes pixel 702(i,j), and the group of pixels 702(i,1) through 702(i,n) includes They are arranged in the row direction (the direction indicated by arrow R1 in the figure).

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。Another group of pixels 702(1,j) through 702(m,j) includes pixel 702(i,j), and another group of pixels 702(1,j) through 702(m) includes pixel 702(i,j). , j) are arranged in the column direction (the direction indicated by arrow C1 in the figure) intersecting the row direction.

走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。The scanning line G2(i) is electrically connected to a group of pixels 702(i,1) to 702(i,n) arranged in the row direction.

信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。The signal line S2(j) is electrically connected to another group of pixels 702(1,j) to 702(m,j) arranged in the column direction.

＜表示パネルの構成例４＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図３（Ａ）および図１７参照）。<Display panel configuration example 4>
Further, thedisplay panel 700 described in this embodiment can include the driver circuit GD or the driver circuit SD (see FIGS. 3A and 17).

＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。<Drive circuit GD>
The drive circuit GD has a function of supplying a selection signal based on control information.

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。For example, it has a function of supplying a selection signal to one scanning line at a frequency of 30 Hz or more, preferably 60 Hz or more, based on control information. As a result, moving images can be displayed smoothly.

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。For example, based on the control information, it provides a selection signal to one scan line at a frequency of less than 30 Hz, preferably less than 1 Hz, and more preferably less than once per minute. As a result, a still image can be displayed with flicker suppressed.

また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１８参照）。Also, the display panel can have a plurality of drive circuits. For example, thedisplay panel 700B has a driving circuit GDA and a driving circuit GDB (see FIG. 18).

また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。Further, for example, when a plurality of driving circuits are provided, the frequency of supplying the selection signal by the driving circuit GDA and the frequency of supplying the selection signal by the driving circuit GDB can be made different. Specifically, the selection signal can be supplied to the other area displaying the moving image at a frequency higher than the frequency of supplying the selection signal to one area displaying the still image. As a result, a still image can be displayed in one area with flicker suppressed, and a moving image can be smoothly displayed in another area.

＜駆動回路ＳＤ＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図２２または図２３参照）。<Drive circuit SD>
The drive circuit SD has a drive circuit SD1 and a drive circuit SD2. The drive circuit SD1 has a function of supplying an image signal based on the information V11, and the drive circuit SD2 has a function of supplying an image signal based on the information V12 (see FIG. 22 or 23).

駆動回路ＳＤ１または駆動回路ＳＤ２は、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。The drive circuit SD1 or the drive circuit SD2 has a function of generating an image signal and a function of supplying the image signal to a pixel circuit electrically connected to one display element. Specifically, it has a function of generating a signal whose polarity is inverted. Thereby, for example, a liquid crystal display element can be driven.

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。For example, various sequential circuits such as shift registers can be used for the drive circuit SD.

例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。For example, an integrated circuit in which the drive circuit SD1 and the drive circuit SD2 are integrated can be used as the drive circuit SD. Specifically, an integrated circuit formed on a silicon substrate can be used for the drive circuit SD.

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。For example, the COG (Chip on glass) method or the COF (Chip on Film) method can be used to mount the integrated circuit on the terminals. Specifically, an anisotropic conductive film can be used to mount an integrated circuit on the terminals.

＜表示パネルの構成例５＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、機能膜７７０Ｐ等を備える（図４（Ａ）または図５参照）。<Display panel configuration example 5>
In addition, thedisplay panel 700 described in this embodiment mode includes a terminal 519B, asubstrate 570, asubstrate 770, abonding layer 505, afunctional film 770P, and the like (see FIG. 4A or FIG. 5).

＜端子５１９Ｂ＞
端子５１９Ｂは、例えば、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続することができる。<Terminal 519B>
The terminal 519B includes, for example, aconductive film 511B. The terminal 519B can be electrically connected to the signal line S2(j), for example.

＜基板５７０、基板７７０＞
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に表示素子５５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。<Substrate 570,Substrate 770>
Substrate 770 includes a region that overlapssubstrate 570 . Thesubstrate 770 has a region that sandwiches the display element 550 (i, j) between itself and thesubstrate 570 .

基板７７０の、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域において、例えば、複屈折が抑制された材料を用いることができる。A material with reduced birefringence, for example, can be used in a region of thesubstrate 770 that overlaps with the display element 550(i, j).

＜接合層５０５＞
接合層５０５は、基板７７０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。<Joininglayer 505>
Thebonding layer 505 has a function of bonding thesubstrates 770 and 570 together.

＜機能膜７７０Ｐ等＞
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。<Functional film 770P etc.>
Thefunctional film 770P has a region that overlaps the display element 550(i,j).

＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０または接合層５０５を有する。<Examples of components>
Thedisplay panel 700 has asubstrate 570 , asubstrate 770 or abonding layer 505 .

また、表示パネル７００は、絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ、絶縁膜５２８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０３または絶縁膜５０６を有する。Thedisplay panel 700 also has an insulatingfilm 521A, an insulatingfilm 521B, an insulatingfilm 528, an insulatingfilm 516, an insulatingfilm 503, or an insulatingfilm 506. FIG.

また、表示パネル７００は、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）または導電膜ＡＮＯを有する。Thedisplay panel 700 also has signal lines S2(j), scanning lines G2(i), or conductive films ANO.

また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂを有する。Thedisplay panel 700 also has a terminal 519B or aconductive film 511B.

また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはトランジスタＭを有する。Thedisplay panel 700 also has pixel circuits 530 (i, j) or transistors M. FIG.

また、表示パネル７００は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２または発光層５５３（ｊ）を有する。Thedisplay panel 700 also includes display elements 550(i, j), electrodes 551(i, j),electrodes 552, or light-emitting layers 553(j).

また、表示パネル７００は、絶縁膜５７３を有する。Thedisplay panel 700 also has an insulatingfilm 573 .

また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。In addition, thedisplay panel 700 has a driver circuit GD or a driver circuit SD.

＜基板５７０＞
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０に用いることができる。<Substrate 570>
A material having heat resistance enough to withstand heat treatment during the manufacturing process can be used for thesubstrate 570 .

例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨又はエッチングした材料を用いることができる。For example, a material having a thickness of 0.7 mm or less and 0.1 mm or more can be used for thesubstrate 570 . Specifically, a material polished or etched to a thickness of about 0.1 mm can be used.

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。For example, the area of the 6th generation (1500mm x 1850mm), the 7th generation (1870mm x 2200mm), the 8th generation (2200mm x 2400mm), the 9th generation (2400mm x 2800mm), the 10th generation (2950mm x 3400mm), etc. A large glass substrate can be used forsubstrate 570 . Accordingly, a large display device can be manufactured.

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０に用いることができる。An organic material, an inorganic material, a composite material of an organic material and an inorganic material, or the like can be used for thesubstrate 570 . For example, an inorganic material such as glass, ceramics, or metal can be used for thesubstrate 570 .

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０に用いることができる。Specifically, alkali-free glass, soda lime glass, potash glass, crystal glass, aluminosilicate glass, tempered glass, chemically tempered glass, quartz, sapphire, or the like can be used for thesubstrate 570 . Specifically, an inorganic oxide film, an inorganic nitride film, an inorganic oxynitride film, or the like can be used for thesubstrate 570 . For example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or the like can be used for thesubstrate 570 . Stainless steel, aluminum, or the like can be used forsubstrate 570 .

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０に形成することができる。For example, a single crystal semiconductor substrate made of silicon or silicon carbide, a polycrystalline semiconductor substrate, a compound semiconductor substrate made of silicon germanium or the like, an SOI substrate, or the like can be used as thesubstrate 570 . Thereby, a semiconductor element can be formed on thesubstrate 570 .

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０に用いることができる。For example, an organic material such as resin, resin film, or plastic can be used forsubstrate 570 . Specifically, a resin film or resin plate made of polyester, polyolefin, polyamide, polyimide, polycarbonate, acrylic resin, or the like can be used for thesubstrate 570 .

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。For example, thesubstrate 570 can be a metal plate, a thin glass plate, or a composite material in which a film of an inorganic material or the like is attached to a resin film or the like. For example, a composite material in which fibrous or particulate metal, glass, inorganic material, or the like is dispersed in a resin film can be used for thesubstrate 570 . For example, a composite material in which a fibrous or particulate resin, an organic material, or the like is dispersed in an inorganic material can be used for thesubstrate 570 .

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。Also, a single-layer material or a laminated material of multiple layers can be used for thesubstrate 570 . For example, a material in which a base material and an insulating film or the like for preventing diffusion of impurities contained in the base material are laminated can be used for thesubstrate 570 . Specifically, a material in which glass and one or more films selected from a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, or the like for preventing diffusion of impurities contained in the glass are stacked is used for thesubstrate 570 . can be done. Alternatively, a material in which a resin and a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like which prevent diffusion of impurities permeating the resin are stacked can be used for thesubstrate 570 .

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０に用いることができる。Specifically, thesubstrate 570 can be made of resin film, resin plate, laminated material, or the like, such as polyester, polyolefin, polyamide, polyimide, polycarbonate, or acrylic resin.

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０に用いることができる。Specifically, a material containing a resin having a siloxane bond such as polyester, polyolefin, polyamide (nylon, aramid, etc.), polyimide, polycarbonate, polyurethane, acrylic resin, epoxy resin, or silicone can be used for thesubstrate 570 .

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル樹脂等を基板５７０に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。Specifically, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), acrylic resin, or the like can be used for thesubstrate 570 . Alternatively, cycloolefin polymer (COP), cycloolefin copolymer (COC), etc. can be used.

また、紙または木材などを基板５７０に用いることができる。Alternatively, paper, wood, or the like can be used for thesubstrate 570 .

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０に用いることができる。For example, a flexible substrate can be used for thesubstrate 570 .

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。Note that a method of directly forming a transistor, a capacitor, or the like over a substrate can be used. Alternatively, for example, a method can be used in which a transistor, a capacitor, or the like is formed over a process substrate that is resistant to heat applied during a manufacturing process, and the formed transistor, capacitor, or the like is transferred to thesubstrate 570 . Accordingly, for example, a transistor, a capacitor, or the like can be formed over a flexible substrate.

＜基板７７０＞
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された光透過性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。<Substrate 770>
For example, any material that can be used forsubstrate 570 can be used forsubstrate 770 . For example, a light-transmitting material selected from materials that can be used for thesubstrate 570 can be used for thesubstrate 770 . Alternatively, thesubstrate 770 can be made of a material having an antireflection film of, for example, 1 μm or less formed on one surface. Specifically, thesubstrate 770 can be a laminated film in which three or more dielectric layers, preferably five or more layers, more preferably fifteen or more layers are stacked. Thereby, the reflectance can be suppressed to 0.5% or less, preferably 0.08% or less.

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。For example, aluminosilicate glass, tempered glass, chemically tempered glass, sapphire, or the like can be suitably used for thesubstrate 770 arranged on the side of the display panel closer to the user. This can prevent the display panel from being damaged or scratched during use.

例えば、樹脂フィルムを基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。For example, a resin film can be suitably used for thesubstrate 770 . This makes it possible to reduce the weight. Alternatively, for example, it is possible to reduce the frequency of occurrence of damage due to dropping.

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。Further, for example, a material having a thickness of 0.7 mm or less and 0.1 mm or more can be used for thesubstrate 770 . Specifically, a polished substrate can be used to reduce the thickness. This makes it possible to reduce the weight.

＜絶縁膜５２１Ａ、絶縁膜５２１Ｂ＞
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。<InsulatingFilm 521A, InsulatingFilm 521B>
For example, an insulating inorganic material, an insulating organic material, or an insulating composite material containing an inorganic material and an organic material can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B.

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。Specifically, an inorganic oxide film, an inorganic nitride film, an inorganic oxynitride film, or the like, or a laminated material obtained by laminating a plurality of films selected from these can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B.

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。For example, a film containing a laminated material in which a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or a plurality of films selected from these are laminated can be used as the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B. Note that the silicon nitride film is a dense film and has an excellent function of suppressing the diffusion of impurities.

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂは、例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂと重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。For example, the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be made of polyester, polyolefin, polyamide, polyimide, polycarbonate, polysiloxane, acrylic resin, or the like, or a laminated material or composite material of a plurality of resins selected from these. Alternatively, it may be formed using a photosensitive material. Thereby, the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can planarize, for example, steps resulting from various structures overlapping with the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B.

なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂ等に好適に用いることができる。In addition, polyimide is superior to other organic materials in properties such as thermal stability, insulation, toughness, low dielectric constant, low coefficient of thermal expansion, and chemical resistance. Thereby, polyimide can be suitably used for the insulatingfilm 521A, the insulatingfilm 521B, or the like.

例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。For example, a film formed using a photosensitive material can be used as the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B. Specifically, a film formed using photosensitive polyimide, photosensitive acrylic resin, or the like can be used as the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B.

例えば、光透過性を有する材料を絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。具体的には、窒化シリコンを絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる。For example, a light-transmitting material can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B. Specifically, silicon nitride can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B.

＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、ポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。<Insulatingfilm 528>
For example, a material that can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be used for the insulatingfilm 528 . Specifically, a film containing polyimide can be used for the insulatingfilm 528 .

＜絶縁膜５１８＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。<Insulatingfilm 518>
For example, a material that can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be used for the insulatingfilm 518 .

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜からトランジスタの外部への酸素の拡散を抑制することができる。または、トランジスタの外部から酸化物半導体膜への水素または水等の拡散を抑制することができる。For example, a material having a function of suppressing diffusion of oxygen, hydrogen, water, alkali metal, alkaline earth metal, or the like can be used for the insulatingfilm 518 . Specifically, a nitride insulating film can be used for the insulatingfilm 518 . For example, silicon nitride, silicon nitride oxide, aluminum nitride, aluminum nitride oxide, or the like can be used for the insulatingfilm 518 . As a result, diffusion of impurities into the semiconductor film of the transistor can be suppressed. For example, diffusion of oxygen from an oxide semiconductor film used for a semiconductor film of a transistor to the outside of the transistor can be suppressed. Alternatively, diffusion of hydrogen, water, or the like from the outside of the transistor into the oxide semiconductor film can be suppressed.

例えば、水素または窒素を供給する機能を有する材料を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、絶縁膜５１８に接する膜に水素または窒素を供給することができる。例えば、酸化物半導体膜に接するように絶縁膜５１８を形成し、当該酸化物半導体膜に水素または窒素を供給することができる。または、当該酸化物半導体膜に導電性を付与することができる。または、当該酸化物半導体膜を第２のゲート電極に用いることができる。For example, a material having a function of supplying hydrogen or nitrogen can be used for the insulatingfilm 518 . Accordingly, hydrogen or nitrogen can be supplied to the film in contact with the insulatingfilm 518 . For example, the insulatingfilm 518 can be formed so as to be in contact with the oxide semiconductor film, and hydrogen or nitrogen can be supplied to the oxide semiconductor film. Alternatively, conductivity can be imparted to the oxide semiconductor film. Alternatively, the oxide semiconductor film can be used for the second gate electrode.

＜絶縁膜５１６＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、作製方法が異なる膜を積層した積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。<Insulatingfilm 516>
For example, a material that can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be used for the insulatingfilm 516 . Specifically, a stacked film in which films manufactured by different manufacturing methods are stacked can be used for the insulatingfilm 516 .

例えば、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第１の膜と、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５１６に用いることができる。For example, a first film containing silicon oxide or silicon oxynitride having a thickness of 5 nm to 150 nm, preferably 5 nm to 50 nm, and silicon oxide having a thickness of 30 nm to 500 nm, preferably 50 nm to 400 nm Alternatively, a stacked film in which a second film containing silicon oxynitride or the like is stacked can be used for the insulatingfilm 516 .

具体的には、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下である膜を第１の膜に用いると好ましい。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜を、絶縁膜の形成にともなう損傷から、保護することができる。または、シリコンの欠陥に捉えられる酸素を低減することができる。または、酸素の透過または移動を容易にすることができる。Specifically, a film in which the spin density of a signal appearing at g=2.001 derived from a dangling bond of silicon that can be observed by ESR measurement is 3×10¹⁷ spins/cm³ or less is used as the first film. It is preferable to use Accordingly, for example, an oxide semiconductor film used as a semiconductor film of a transistor can be protected from damage caused by formation of an insulating film. Alternatively, oxygen trapped in silicon defects can be reduced. Alternatively, oxygen permeation or migration can be facilitated.

また、例えば、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３未満、さらには１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下である材料を第２の膜に用いると好ましい。Further, for example, the spin density of a signal appearing at g=2.001 derived from a silicon dangling bond that can be observed by ESR measurement is less than 1.5×10¹⁸ spins/cm³ , or even 1×10¹⁸ A material with spins/cm³ or less is preferably used for the second film.

＜絶縁膜５０３＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５０３に用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を絶縁膜５０３に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。<Insulatingfilm 503>
For example, a material that can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be used for the insulatingfilm 503 . Specifically, silicon nitride, silicon nitride oxide, aluminum nitride, aluminum nitride oxide, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like can be used for the insulatingfilm 503 . As a result, for example, diffusion of impurities into the semiconductor film of the transistor can be suppressed.

＜絶縁膜５０６＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。具体的には、酸素の透過を抑制する機能を備える第１の膜と、酸素を供給する機能を備える第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜に酸素を拡散することができる。<Insulatingfilm 506>
For example, a material that can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be used for the insulatingfilm 506 . Specifically, a stacked film in which a first film having a function of suppressing permeation of oxygen and a second film having a function of supplying oxygen are stacked can be used for the insulatingfilm 506 . Accordingly, oxygen can be diffused into an oxide semiconductor film used for a semiconductor film of a transistor, for example.

具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。Specifically, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride oxide film, a silicon nitride film, an aluminum oxide film, a hafnium oxide film, an yttrium oxide film, a zirconium oxide film, a gallium oxide film, a tantalum oxide film, and a magnesium oxide film. , a lanthanum oxide film, a cerium oxide film, or a neodymium oxide film can be used as the insulatingfilm 506 .

例えば、酸素雰囲気下において形成された膜を第２の膜に用いることができる。または、成膜後に酸素を導入した膜を第２の膜に用いることができる。具体的には、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いて成膜後に酸素を導入することができる。For example, a film formed in an oxygen atmosphere can be used as the second film. Alternatively, a film into which oxygen is introduced after deposition can be used as the second film. Specifically, oxygen can be introduced after film formation by using an ion implantation method, an ion doping method, a plasma immersion ion implantation method, plasma treatment, or the like.

＜絶縁膜５７３＞
例えば、絶縁膜５２１Ａまたは絶縁膜５２１Ｂに用いることができる材料を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。<Insulatingfilm 573>
For example, a material that can be used for the insulatingfilm 521A or the insulatingfilm 521B can be used for the insulatingfilm 573 . Specifically, a stacked film in which an insulatingfilm 573A and an insulatingfilm 573B are stacked can be used as the insulatingfilm 573 .

例えば、酸化物または窒化物を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化シリコンまたは窒化アルミニウム等を絶縁膜５７３に用いることができる。For example, oxide or nitride can be used for the insulatingfilm 573 . Specifically, aluminum oxide, gallium oxide, germanium oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, neodymium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, or the like can be used for the insulatingfilm 573 .

具体的には、１×１０^－２ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）未満、好ましくは、５×１０^－３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^－４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^－５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^－６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える膜を、絶縁膜５７３に用いる。Specifically, less than 1×10⁻² g/(m² ·day), preferably 5×10⁻³ g/(m² ·day) or less, preferably 1×10⁻⁴ g/(m² · day) or less, preferably 1 × 10^-5 g/(m² ·day) or less, preferably 1 × 10^-6 g/(m² ·day) or less, the insulatingfilm 573 used for

例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。また、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＡＬＤ法）を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。これにより、例えば、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる密度が低い領域を、原子層堆積法を用いて形成される緻密な絶縁膜で覆うことができる。または、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる不純物が拡散しやすい領域を、原子層堆積法を用いて形成される不純物の拡散しにくい膜で覆うことができる。または、外部から表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。For example, a film that can be formed by a sputtering method can be used as the insulatingfilm 573B. Alternatively, a film that can be formed by an atomic layer deposition method (ALD method) can be used for the insulatingfilm 573A. As a result, for example, a low-density region generated in an insulating film formed using a sputtering method can be covered with a dense insulating film formed using an atomic layer deposition method. Alternatively, a region in which impurities are likely to diffuse, which is formed in an insulating film formed by sputtering, can be covered with a film in which impurities are difficult to diffuse, which is formed by atomic layer deposition. Alternatively, diffusion of impurities from the outside into the display element can be suppressed.

具体的には、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。また、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ａに用いることができる。Specifically, a film containing aluminum oxide with a thickness of 50 nm to 1000 nm, preferably 100 nm to 300 nm can be used as the insulatingfilm 573B. A film containing aluminum oxide with a thickness of 1 nm to 100 nm, preferably 5 nm to 50 nm inclusive can be used as the insulatingfilm 573A.

＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂまたは導電膜５１１Ｂ等に用いることができる。<Wiring, terminal, conductive film>
A material having conductivity can be used for wiring or the like. Specifically, a material having conductivity can be used for the signal line S2(j), the scanning line G2(i), the conductive film ANO, the terminal 519B, theconductive film 511B, or the like.

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。For example, inorganic conductive materials, organic conductive materials, metals, conductive ceramics, or the like can be used for wiring or the like.

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。Specifically, a metal element selected from aluminum, gold, platinum, silver, copper, chromium, tantalum, titanium, molybdenum, tungsten, nickel, iron, cobalt, palladium, or manganese can be used for wiring or the like. . Alternatively, an alloy or the like containing any of the metal elements described above can be used for wiring or the like. In particular, an alloy of copper and manganese is suitable for fine processing using a wet etching method.

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。Specifically, a two-layer structure in which a titanium film is stacked over an aluminum film, a two-layer structure in which a titanium film is stacked over a titanium nitride film, a two-layer structure in which a tungsten film is stacked over a titanium nitride film, a tantalum nitride film, or a A two-layer structure in which a tungsten film is laminated on a tungsten nitride film, a three-layer structure in which a titanium film is laminated on the titanium film, an aluminum film is laminated on the titanium film, and a titanium film is further formed thereon can be used for wiring or the like. .

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。Specifically, a conductive oxide such as indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, or gallium-added zinc oxide can be used for wiring or the like.

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。Specifically, a film containing graphene or graphite can be used for wiring or the like.

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。For example, a graphene-containing film can be formed by forming a graphene oxide-containing film and reducing the graphene oxide-containing film. Examples of the reduction method include a method of applying heat and a method of using a reducing agent.

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。For example, a film containing metal nanowires can be used for wiring or the like. Specifically, nanowires containing silver can be used.

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。Specifically, a conductive polymer can be used for wiring and the like.

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。具体的には、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を導電材料ＣＰを用いて電気的に接続することができる。For example, the terminal 519B and the flexible printed circuit board FPC1 can be electrically connected using the conductive material ACF1. Specifically, the terminal 519B and the flexible printed circuit board FPC1 can be electrically connected using the conductive material CP.

＜機能膜７７０Ｐ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルムまたは位相差フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。<Functional film 770P>
For example, an antireflection film, a polarizing film, a retardation film, or the like can be used for thefunctional film 770P.

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。Specifically, a circularly polarizing film can be used for thefunctional film 770P.

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。In addition, antistatic film that suppresses adhesion of dust, water-repellent film that prevents adhesion of dirt, anti-reflection film (anti-reflection film), non-gloss treatment film (anti-glare film), and scratches due to use A hard coat film or the like that suppresses the heat can be used for thefunctional film 770P.

＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。<Display element 550 (i, j)>
For example, a display element having a function of emitting light can be used as the display element 550(i,j). Specifically, an organic electroluminescence element, an inorganic electroluminescence element, a light-emitting diode, a QDLED (Quantum Dot LED), or the like can be used for the display element 550 (i, j).

例えば、発光性の有機化合物を発光層５５３（ｊ）に用いることができる。For example, a light-emitting organic compound can be used for the light-emitting layer 553(j).

例えば、量子ドットを発光層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。For example, quantum dots can be used in emissive layer 553(j). This makes it possible to emit brightly colored light with a narrow half width.

＜発光層＞
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。<Light emitting layer>
For example, a laminated material or the like which is laminated so as to emit white light can be used for the light-emitting layer 553(j).

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。For example, a strip-shaped lamination material long in the column direction along the signal line S2(j) can be used for the light emitting layer 553(j).

例えば、副画素毎に異なる発光層を形成しても良い。このとき、赤色の光を射出するように積層された積層材料を発光層５５３（ｊ）に、緑色の光を射出するように積層された積層材料を発光層５５３（ｊ＋１）に、青色の光を射出するように積層された積層材料等を発光層５５３（ｊ＋２）に、用いることができる。For example, different light-emitting layers may be formed for each sub-pixel. At this time, the laminated material laminated to emit red light is used as the light-emitting layer 553(j), the laminated material laminated to emit green light is used as the light-emitting layer 553(j+1), and blue light is used. A lamination material or the like which is laminated so as to emit can be used for the light-emitting layer 553 (j+2).

このとき、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）、発光層５５３（ｊ＋１）、発光層５５３（ｊ＋２）に用いることができる。At this time, strip-shaped laminated materials that are long in the column direction along the signal line S2(j) can be used for the light-emitting layers 553(j), 553(j+1), and 553(j+2).

＜電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２＞
例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。<Electrode 551 (i, j),Electrode 552>
For example, a material having a property of transmitting visible light, which is selected from materials that can be used for wiring or the like, can be used for the electrodes 551 (i, j).

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小光共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。Specifically, a conductive oxide or a conductive oxide containing indium, indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, gallium-added zinc oxide, or the like is used as the electrode 551 (i, j). can be used for Alternatively, a metal film thin enough to transmit light can be used for the electrodes 551 (i, j). Alternatively, a metal film that transmits part of the light and reflects the other part of the light can be used for the electrodes 551(i,j). Thereby, a micro-optical resonator structure can be provided in the display element 550(i,j). As a result, light with a predetermined wavelength can be extracted more efficiently than other light.

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有する材料、を電極５５２に用いることができる。For example, a material that can be used for wiring or the like can be used for theelectrode 552 . Specifically, a light-reflective material, in other words, a material that reflects visible light can be used for theelectrode 552 .

＜駆動回路ＧＤ＞
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ２に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。<Drive circuit GD>
Various sequential circuits such as shift registers can be used for the drive circuit GD. For example, a transistor MD, a capacitor, or the like can be used for the driver circuit GD. Specifically, a transistor that can be used for the switch SW2 or a transistor including a semiconductor film that can be formed in the same process as the transistor M can be used.

例えば、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。For example, the same configuration as the transistor M can be used for the transistor MD.

例えば、トランジスタＭに用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、金属膜を導電膜５１２Ｃ、導電膜５１２Ｄおよび導電膜５０４Ｅに用いることができる（図４（Ｃ）参照）。これにより、配線としての機能を兼ねる導電膜の電気抵抗を低減することができる。または、領域５０８Ｃに向かって進行する外光を遮光することができる。または、外光に起因するトランジスタの電気特性の異常を防ぐことができる。または、トランジスタの信頼性を向上することができる。For example, a structure different from that of the transistor M can be used for the transistor MD. Specifically, a metal film can be used for theconductive films 512C, 512D, and 504E (see FIG. 4C). Accordingly, the electrical resistance of the conductive film that also functions as wiring can be reduced. Alternatively, external light traveling toward theregion 508C can be blocked. Alternatively, abnormal electrical characteristics of the transistor due to external light can be prevented. Alternatively, reliability of the transistor can be improved.

＜トランジスタ＞
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。<transistor>
For example, semiconductor films that can be formed in the same process can be used for the transistors of the driver circuit and the pixel circuit.

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。For example, a bottom-gate transistor, a top-gate transistor, or the like can be used as the driver circuit transistor or the pixel circuit transistor.

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。By the way, for example, a manufacturing line for bottom-gate transistors using amorphous silicon as a semiconductor can be easily modified to a manufacturing line for bottom-gate transistors using an oxide semiconductor as a semiconductor. Also, for example, a top-gate type manufacturing line using polysilicon as a semiconductor can be easily modified into a manufacturing line for top-gate type transistors using an oxide semiconductor as a semiconductor. Any modification can effectively utilize the existing production line.

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。For example, a transistor including an oxide semiconductor for a semiconductor film can be used. Specifically, an oxide semiconductor containing indium or an oxide semiconductor containing indium, gallium, and zinc can be used for the semiconductor film.

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。For example, a transistor whose off-state leakage current is smaller than that of a transistor using amorphous silicon for a semiconductor film can be used. Specifically, a transistor including an oxide semiconductor for a semiconductor film can be used.

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。As a result, the pixel circuit can hold an image signal for a longer time than a pixel circuit using a transistor whose semiconductor film is made of amorphous silicon. Specifically, the selection signal can be provided at a frequency of less than 30 Hz, preferably less than 1 Hz, and more preferably less than once per minute, while reducing flicker. As a result, fatigue accumulated in the user of the information processing apparatus can be reduced. In addition, power consumption associated with driving can be reduced.

例えば、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備えるトランジスタをトランジスタＭに用いることができる（図４（Ｂ）参照）。なお、絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。For example, a transistor including asemiconductor film 508, aconductive film 504, aconductive film 512A, and aconductive film 512B can be used as the transistor M (see FIG. 4B). Note that the insulatingfilm 506 has a region sandwiched between thesemiconductor film 508 and theconductive film 504 .

導電膜５０４は、半導体膜５０８と重なる領域を備える。導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。Theconductive film 504 has a region that overlaps with thesemiconductor film 508 . Theconductive film 504 has a function of a gate electrode. The insulatingfilm 506 has a function of a gate insulating film.

導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂは、半導体膜５０８と電気的に接続される。導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。Theconductive films 512 A and 512 B are electrically connected to thesemiconductor film 508 . Theconductive film 512A has one of the function of the source electrode and the function of the drain electrode, and theconductive film 512B has the other of the function of the source electrode and the function of the drain electrode.

また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図４（Ｂ）または図４（Ｃ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。Further, the transistor including theconductive film 524 can be used as a transistor in the driver circuit or the pixel circuit (see FIG. 4B or 4C). Theconductive film 524 has a region that sandwiches thesemiconductor film 508 with theconductive film 504 . Note that the insulatingfilm 516 has a region sandwiched between theconductive film 524 and thesemiconductor film 508 . Further, for example, theconductive film 524 can be electrically connected to a wiring that supplies the same potential as theconductive film 504 .

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を、トランジスタＭＤの導電膜５０４Ｅに用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。For example, a conductive film in which a 10-nm-thick film containing tantalum and nitrogen and a 300-nm-thick film containing copper are stacked can be used for theconductive film 504E of the transistor MD. Note that the film containing copper has a region in which a film containing tantalum and nitrogen is sandwiched between itself and the insulatingfilm 506 .

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。For example, a stacked film in which a 400-nm-thick film containing silicon and nitrogen and a 200-nm-thick film containing silicon, oxygen, and nitrogen are stacked can be used as the insulatingfilm 506 . Note that the film containing silicon and nitrogen has a region sandwiching the film containing silicon, oxygen, and nitrogen with thesemiconductor film 508 .

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。For example, a 25 nm thick film containing indium, gallium and zinc can be used forsemiconductor film 508 .

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、トランジスタＭＤの導電膜５１２Ｃまたは導電膜５１２Ｄに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。For example, a conductive film in which a 50-nm-thick film containing tungsten, a 400-nm-thick film containing aluminum, and a 100-nm-thick film containing titanium are stacked in this order is theconductive film 512C of the transistor MD or a conductive film. It can be used formembrane 512D. Note that the film containing tungsten has a region in contact with thesemiconductor film 508 .

＜表示パネルの構成例６＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図８および図９を参照しながら説明する。<Configuration example 6 of the display panel>
A structure of a display panel of one embodiment of the present invention is described with reference to FIGS.

図８および図９は表示パネルの構成を説明する断面図である。図８（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、図６の切断線Ｘ５－Ｘ６に相当する位置における断面図であり、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）はいずれも図８（Ａ）の一部を説明する図である。8 and 9 are sectional views for explaining the configuration of the display panel. 8A is a cross-sectional view at a position corresponding to the cutting line X1-X2, the cutting line X3-X4 in FIG. 3A, and the cutting line X5-X6 in FIG. 8(C) is a diagram for explaining a part of FIG. 8(A).

図９は図６の切断線Ｘ７－Ｘ８、図３（Ａ）の切断線Ｘ９－Ｘ１０に相当する位置における断面図である。9 is a sectional view at a position corresponding to the section line X7-X8 in FIG. 6 and the section line X9-X10 in FIG. 3A.

本実施の形態で説明する表示パネルは、トップゲート型のトランジスタを備える点が、図４および図５を用いて説明する表示パネルと異なる。The display panel described in this embodiment is different from the display panel described with reference to FIGS. 4 and 5 in that top-gate transistors are included.

＜表示パネルの構成例７＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１０を参照しながら説明する。<Display panel configuration example 7>
A structure of a display panel of one embodiment of the present invention is described with reference to FIGS.

図１０は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１０（Ａ１）および図１０（Ａ２）は、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図である。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ２）の切断線Ａ－Ｂにおける断面図である。FIG. 10 illustrates a structure of a display panel of one embodiment of the present invention. FIGS. 10A1 and 10A2 are schematic top views of thepixel 900 when viewed from the display surface side. FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line AB in FIG. 10A2.

＜画素の構成例４＞
図１０（Ａ１）に、画素９００を表示面側から見たときの上面概略図を示す。図１０（Ａ１）に示す画素９００は、３つの副画素を有する。各副画素には、発光素子９３０ＥＬ（図１０（Ａ１）および図１０（Ａ２）には図示しない）、トランジスタ９１０、及びトランジスタ９１２が設けられている。また、図１０（Ａ１）に示す各副画素では、発光素子９３０ＥＬの発光領域（発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、または発光領域９１６Ｂ）を示している。なお、発光素子９３０ＥＬは、トランジスタ９１０及びトランジスタ９１２側に光を射出する、所謂ボトムエミッション型の発光素子とする。<Example 4 of Pixel Configuration>
FIG. 10A1 shows a schematic top view of thepixel 900 when viewed from the display surface side. Apixel 900 illustrated in FIG. 10A1 has three subpixels. A light-emitting element 930EL (not shown in FIGS. 10A1 and 10A2), atransistor 910, and atransistor 912 are provided in each subpixel. Each subpixel in FIG. 10A1 shows a light-emitting region (a light-emittingregion 916R, a light-emittingregion 916G, or a light-emittingregion 916B) of the light-emitting element 930EL. Note that the light-emitting element 930EL is a so-called bottom-emission light-emitting element that emits light to thetransistor 910 and thetransistor 912 sides.

また、画素９００は、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６等を有する。配線９０２は、例えば走査線として機能する。配線９０４は、例えば信号線として機能する。配線９０６は、例えば発光素子に電位を供給する電源線として機能する。また、配線９０２と配線９０４とは、互いに交差する部分を有する。また、配線９０２と配線９０６とは、互いに交差する部分を有する。なお、ここでは、配線９０２と配線９０４、及び配線９０２と配線９０６とが交差する構成について例示したが、これに限定されず、配線９０４と配線９０６とが交差する構成としてもよい。Thepixel 900 also includes awiring 902, awiring 904, awiring 906, and the like. Thewiring 902 functions, for example, as scanning lines. Thewiring 904 functions, for example, as a signal line. Thewiring 906 functions, for example, as a power supply line that supplies a potential to the light emitting element. In addition, thewiring 902 and thewiring 904 have portions that cross each other. In addition, thewiring 902 and thewiring 906 have portions that cross each other. Note that although the structure in which thewirings 902 and 904 and thewirings 902 and 906 intersect is illustrated here, the structure is not limited to this, and a structure in which thewirings 904 and 906 intersect may be employed.

トランジスタ９１０は、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ９１０のゲートは、配線９０２と電気的に接続されている。トランジスタ９１０のソースまたはドレインの一方は、配線９０４と電気的に接続されている。Transistor 910 functions as a select transistor. A gate of thetransistor 910 is electrically connected to thewiring 902 . One of the source and drain of thetransistor 910 is electrically connected to thewiring 904 .

トランジスタ９１２は、発光素子に流れる電流を制御するトランジスタである。トランジスタ９１２のゲートは、トランジスタ９１０のソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている。トランジスタ９１２のソースまたはドレインの一方は配線９０６と電気的に接続され、他方は発光素子９３０ＥＬの一対の電極の一方と電気的に接続されている。Atransistor 912 is a transistor that controls current flowing to a light emitting element. The gate oftransistor 912 is electrically connected to the other of the source and drain oftransistor 910 . One of the source and drain of thetransistor 912 is electrically connected to thewiring 906, and the other is electrically connected to one of the pair of electrodes of the light emitting element 930EL.

図１０（Ａ１）では、発光領域９１６Ｒ、発光領域９１６Ｇ、及び発光領域９１６Ｂが、それぞれ縦方向に長い短冊状の形状を有し、横方向にストライプ状に配列している。In FIG. 10A1, the light-emittingregion 916R, the light-emittingregion 916G, and the light-emittingregion 916B each have a long strip shape in the vertical direction and are arranged in stripes in the horizontal direction.

ここで、配線９０２、配線９０４、及び配線９０６は遮光性を有する。またこれ以外の層、すなわち、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量等を構成する各層には、光透過性を有する膜を用いると好適である。図１０（Ａ２）は、図１０（Ａ１）に示す画素９００を、可視光を透過する透過領域９００ｔと、可視光を遮る遮光領域９００ｓと、に分けて明示した例である。このように、光透過性を有する膜を用いてトランジスタを作製することで、各配線が設けられる部分以外を透過領域９００ｔとすることができる。また、発光素子の発光領域を、トランジスタ、トランジスタに接続する配線、コンタクト、容量などと重ねることができるため、画素の開口率を高めることができる。Here, thewiring 902, thewiring 904, and thewiring 906 have light blocking properties. In addition, it is preferable to use a light-transmitting film for layers other than these, that is, layers forming thetransistors 910 and 912, wirings connected to the transistors, contacts, capacitors, and the like. FIG. 10A2 illustrates an example in which thepixel 900 illustrated in FIG. 10A1 is divided into atransmissive region 900t that transmits visible light and alight shielding region 900s that blocks visible light. By manufacturing a transistor using a light-transmitting film in this manner, thetransmissive region 900t can be formed in a portion other than a portion where each wiring is provided. In addition, since the light-emitting region of the light-emitting element can be overlapped with a transistor, a wiring connected to the transistor, a contact, a capacitor, or the like, the aperture ratio of the pixel can be increased.

なお、画素の面積に対する透過領域の面積の割合が高いほど、発光素子の光取り出し効率を高めることができる。例えば、画素の面積に対する、透過領域の面積の割合は、１％以上９５％以下、好ましくは１０％以上９０％以下、より好ましくは２０％以上８０％以下とすることができる。特に４０％以上または５０％以上とすることが好ましく、６０％以上８０％以下であるとより好ましい。Note that the higher the ratio of the area of the transmissive region to the area of the pixel, the higher the light extraction efficiency of the light emitting element. For example, the ratio of the area of the transmissive region to the area of the pixel can be 1% or more and 95% or less, preferably 10% or more and 90% or less, and more preferably 20% or more and 80% or less. In particular, it is preferably 40% or more or 50% or more, more preferably 60% or more and 80% or less.

また、図１０（Ａ２）に示す一点鎖線Ａ－Ｂの切断面に相当する断面図を図１０（Ｂ）に示す。なお、図１０（Ｂ）では、上面図において図示していない、発光素子９３０ＥＬ、容量素子９１３、及び駆動回路部９０１などの断面も合わせて図示している。駆動回路部９０１としては、走査線駆動回路部または信号線駆動回路部として用いることができる。また、駆動回路部９０１は、トランジスタ９１１を有する。FIG. 10B shows a cross-sectional view corresponding to a cross-sectional view taken along the dashed-dotted line AB shown in FIG. 10A2. Note that FIG. 10B also shows cross sections of the light emitting element 930EL, thecapacitor 913, thedriver circuit portion 901, and the like, which are not shown in the top view. Thedriver circuit portion 901 can be used as a scanning line driver circuit portion or a signal line driver circuit portion. Thedriver circuit portion 901 also includes atransistor 911 .

図１０（Ｂ）に示すように、発光素子９３０ＥＬからの光は、破線の矢印に示す方向に射出される。発光素子９３０ＥＬの光は、トランジスタ９１０、トランジスタ９１２、及び容量素子９１３等を介して外部に取り出される。したがって、容量素子９１３を構成する膜などについても、光透過性を有すると好ましい。容量素子９１３が有する光透過性の領域の面積が広いほど、発光素子９３０ＥＬから射出される光の減衰を抑制することができる。As shown in FIG. 10B, light from the light emitting element 930EL is emitted in the direction indicated by the dashed arrow. Light from the light-emitting element 930EL is extracted to the outside through thetransistor 910, thetransistor 912, thecapacitor 913, and the like. Therefore, it is preferable that the film and the like forming thecapacitor 913 also have a light-transmitting property. Attenuation of light emitted from the light-emitting element 930EL can be suppressed as the area of the light-transmitting region of thecapacitor 913 is increased.

なお、駆動回路部９０１においては、トランジスタ９１１については、遮光性であってもよい。駆動回路部９０１のトランジスタ９１１などを遮光性とすることで、駆動回路部の信頼性や、駆動能力を高めることができる。すなわち、トランジスタ９１１を構成するゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。またこれらに接続される配線も同様に、遮光性を有する導電膜を用いることが好ましい。Note that in thedriver circuit portion 901, thetransistor 911 may be light-blocking. By making thetransistor 911 and the like of thedriver circuit portion 901 light-shielding, reliability and driving capability of the driver circuit portion can be improved. That is, it is preferable to use a light-blocking conductive film for the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of thetransistor 911 . In addition, it is preferable to use a conductive film having a light-shielding property for the wiring connected to them as well.

また、図１０に示すトランジスタ、配線、容量素子等には、以下に示す材料を用いることができる。Materials described below can be used for the transistor, the wiring, the capacitor, and the like illustrated in FIG.

トランジスタが有する半導体膜は、光透過性を有する半導体材料を用いて形成することができる。光透過性を有する半導体材料としては、金属酸化物、または酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等が挙げられる。酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。A semiconductor film included in the transistor can be formed using a light-transmitting semiconductor material. Semiconductor materials having optical transparency include metal oxides, oxide semiconductors, and the like. The oxide semiconductor preferably contains at least indium. In particular, it preferably contains indium and zinc. Also, in addition to them, aluminum, gallium, yttrium, copper, vanadium, beryllium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, or magnesium, etc. may contain one or more selected from

トランジスタが有する導電膜は、光透過性を有する導電性材料を用いて形成することができる。光透過性を有する導電性材料は、インジウム、亜鉛、錫の中から選ばれた一種、または複数種を含むことが好ましい。具体的には、Ｉｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｔｉ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物などが挙げられる。A conductive film included in the transistor can be formed using a light-transmitting conductive material. The light-transmitting conductive material preferably contains one or more selected from indium, zinc, and tin. Specifically, In oxide, In—Sn oxide (ITO: also referred to as Indium Tin Oxide), In—Zn oxide, In—W oxide, In—W—Zn oxide, In—Ti oxide, In--Sn--Ti oxide, In--Sn--Si oxide, Zn oxide, Ga--Zn oxide and the like.

また、トランジスタが有する導電膜に、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた酸化物半導体を用いてもよい。当該低抵抗化させた酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ということができる。Alternatively, an oxide semiconductor whose resistance is reduced by, for example, containing an impurity element may be used for the conductive film included in the transistor. The oxide semiconductor whose resistance is reduced can be called an oxide conductor (OC).

例えば、酸化物導電体は、酸化物半導体に酸素欠損を形成し、当該酸素欠損に水素を添加することで、伝導帯近傍にドナー準位が形成される。酸化物半導体にドナー準位が形成されることで、酸化物半導体は、導電性が高くなり導電体化する。For example, in an oxide conductor, a donor level is formed near the conduction band by forming oxygen vacancies in an oxide semiconductor and adding hydrogen to the oxygen vacancies. By formation of a donor level in the oxide semiconductor, the oxide semiconductor has high conductivity and becomes a conductor.

なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが大きい（例えば、エネルギーギャップが２．５ｅＶ以上である）ため、可視光に対して光透過性を有する。また、上述したように酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、酸化物導電体は、ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の光透過性を有する。Note that an oxide semiconductor has a large energy gap (for example, an energy gap of 2.5 eV or more) and thus has a property of transmitting visible light. Further, as described above, the oxide conductor is an oxide semiconductor having a donor level near the conduction band. Therefore, the oxide conductor is less affected by absorption due to the donor level and has the same level of optical transparency as that of the oxide semiconductor with respect to visible light.

また、酸化物導電体は、トランジスタが有する半導体膜に含まれる金属元素を一種類以上有することが好ましい。同一の金属元素を有する酸化物半導体を、トランジスタを構成する層のうち２層以上に用いることで、製造装置（例えば、成膜装置、加工装置等）を２以上の工程で共通で用いることが可能となるため、製造コストを抑制することができる。Further, the oxide conductor preferably contains one or more metal elements contained in the semiconductor film included in the transistor. By using an oxide semiconductor containing the same metal element for two or more layers of a transistor, a manufacturing apparatus (eg, a film formation apparatus, a processing apparatus, or the like) can be used in common for two or more steps. Since it becomes possible, the manufacturing cost can be suppressed.

本実施の形態に示す表示装置が有する画素の構成とすることで、発光素子から射出される光を効率よく使用することができる。したがって、消費電力が抑制された、優れた表示装置を提供することができる。With the structure of the pixel included in the display device described in this embodiment mode, light emitted from the light-emitting element can be used efficiently. Therefore, an excellent display device with reduced power consumption can be provided.

また、本発明の一態様の表示装置は、さまざまな規格の色域を再現することができる。例えば、テレビ放送で使われるＰＡＬ（Ｐｈａｓｅ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｌｉｎｅ）規格およびＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）規格、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、プリンタなどの電子機器に用いる表示装置で広く使われているｓＲＧＢ（ｓｔａｎｄａｒｄ ＲＧＢ）規格およびＡｄｏｂｅ ＲＧＢ規格、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、ハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ－Ｒ ＢＴ．７０９（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｕｎｉｏｎ Ｒａｄｉｏｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｃｔｏｒ Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ Ｓｅｒｖｉｃｅ（Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ） ７０９）規格、デジタルシネマ映写で使われるＤＣＩ－Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｉｎｅｍａ Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅｓ Ｐ３）規格、ＵＨＤＴＶ（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、スーパーハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ－Ｒ ＢＴ．２０２０（ＲＥＣ．２０２０（Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ２０２０））規格などの色域を再現することができる。Further, the display device of one embodiment of the present invention can reproduce color gamuts of various standards. For example, PAL (Phase Alternating Line) standard and NTSC (National Television System Committee) standard used in television broadcasting, and sRGB (standard RGB) widely used in display devices used in electronic devices such as personal computers, digital cameras, and printers. standards and Adobe RGB standards, ITU-R BT. ７０９（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｕｎｉｏｎ Ｒａｄｉｏｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｃｔｏｒ Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ Ｓｅｒｖｉｃｅ（Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ） ７０９）規格、デジタルシネマ映写で使われるＤＣＩ－Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｉｎｅｍａ Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅｓ Ｐ３）規格、ＵＨＤＴＶ（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、スーパーハイビジョンともいう）で使われるＩＴＵ－ RBT. 2020 (REC.2020 (Recommendation 2020)) standard color gamut can be reproduced.

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.

（実施の形態２）
＜画素の作製方法例１＞
本実施の形態では、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）の作製方法について説明する。特に多階調（高階調）マスクを用いる作製方法について説明する。(Embodiment 2)
<Example 1 of manufacturing method of pixel>
In this embodiment mode, a method for manufacturing the display element 550(i, j), the display element 550(i, j+1), and the display element 550(i, j+2) is described. In particular, a manufacturing method using a multi-tone (high-tone) mask will be described.

図１１は表示パネル７００＿１の構成を説明する断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the display panel 700_1.

図１１の画素７０２（ｉ，ｊ）と示される部分は、図６に示される画素７０２（ｉ，ｊ）の切断線Ｘ５－Ｘ５Ｍの断面図である。図６に示される画素７０２（ｉ，ｊ）と同様に、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）に切断線Ｘ５－Ｘ５Ｍを設けたとき、それらの各断面を図１１に並べて示している。ただし機能膜７７０Ｐは図１１中には示していない。The portion labeled pixel 702(i,j) in FIG. 11 is a cross-sectional view of pixel 702(i,j) shown in FIG. 6 taken along section line X5-X5M. Similar to the pixel 702 (i, j) shown in FIG. 6, when the pixel 702 (i, j+1) and the pixel 702 (i, j+2) are provided with the cutting line X5-X5M, their cross sections are shown in FIG. are shown side by side. However, thefunctional film 770P is not shown in FIG.

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）を有する。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）は、電極５５１（ｉ，ｊ＋１）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋１）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋１）を有する。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）は、電極５５１（ｉ，ｊ＋２）として、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ＋２）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋２）を有する。A display element 550(i, j) includes a conductive film 551_0(i, j), a conductive film 551_1(i, j), and a conductive film 551_2(i, j) as electrodes 551(i, j). A display element 550 (i, j+1) has a conductive film 551_0 (i, j+1) and a conductive film 551_1 (i, j+1) as an electrode 551 (i, j+1). The display element 550 (i, j+2) has a conductive film 551_0 (i, j+2), a conductive film 551_1 (i, j+2), and a conductive film 551_2 (i, j+2) as the electrode 551 (i, j+2).

図１２（Ａ）、（Ｂ）、図１４（Ａ）、（Ｂ）、は表示パネルの作製方法を説明する断面図である。12A, 12B, 14A, and 14B are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing a display panel.

図１２（Ａ）は、絶縁膜５２１Ｂ上に、導電膜５５１＿０と、その上方に導電膜５５１＿１と、その上方に導電膜５５１＿２と、が成膜された状態である。各材料は、例えば実施の形態１にて導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）として示された材料を用いることができる。FIG. 12A shows a state in which a conductive film 551_0, a conductive film 551_1, and a conductive film 551_2 are formed over the insulatingfilm 521B. For each material, for example, the materials shown for the conductive film 551_0(i, j), the conductive film 551_1(i, j), and the conductive film 551_2(i, j) inEmbodiment 1 can be used.

導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２の各膜厚については、例えば実施の形態１や、実施例にて示される例と同様に設定することができる。The thickness of each of the conductive film 551_1 and the conductive film 551_2 can be set, for example, in the same manner as inEmbodiment Mode 1 and the examples described in Examples.

導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２とを、ウエットエッチングに用いる所定の溶液にて同一条件にてエッチングしたとき、導電膜５５１＿１のエッチングレートは、導電膜５５１＿２のエッチングレートより小さい材料を用いると好ましい。または、導電膜５５１＿１は導電膜５５１＿２より、一の溶液を用いた場合のエッチングレートが小さいと好ましい。When the conductive films 551_1 and 551_2 are etched with a predetermined solution used for wet etching under the same conditions, the etching rate of the conductive film 551_1 is preferably lower than that of the conductive film 551_2. Alternatively, the conductive film 551_1 preferably has a lower etching rate with one solution than the conductive film 551_2.

例えば導電膜５５１＿１は、例えば重量比にて、Ｉｎ_２Ｏ_３を８５％、ＳｎＯ_２を１０％、ＳｉＯ_２を５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、膜厚５０ｎｍで形成することができる。また導電膜５５１＿２は、例えば組成にてＩｎ_２Ｏ_３を２５％、ＺｎＯを７５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて、膜厚６２ｎｍで形成することができる。For example, the conductive film 551_1 is formed by a sputtering method using argon gas and oxygen gas using a target having 85% In₂ O₃ , 10% SnO₂ and 5% SiO₂ in terms of weight ratio. It can be formed with a film thickness of 50 nm. Further, the conductive film 551_2 can be formed with a thickness of 62 nm by a sputtering method using an argon gas and an oxygen gas using a target having a composition of 25% In₂ O₃ and 75% ZnO, for example. .

このとき室温のシュウ酸（５重量％以下のシュウ酸、９５重量％以上の水を含有する混合溶液）を用いた場合のエッチングレートは、導電膜５５１＿１においては２２７ｎｍ／ｍｉｎであり、導電膜５５１＿２においては４００ｎｍ／ｍｉｎより大きい。At this time, the etching rate when room temperature oxalic acid (a mixed solution containing 5% by weight or less of oxalic acid and 95% by weight or more of water) is used is 227 nm/min for the conductive film 551_1 and 227 nm/min for the conductive film 551_2. is greater than 400 nm/min.

また室温の混酸アルミ液（８０重量％未満のリン酸、１０重量％未満の酢酸、及び５重量％未満の硝酸、５重量％以上の水を含有する混合溶液）を用いた場合のエッチングレートは、導電膜５５１＿１においては５ｎｍ／ｍｉｎであり、導電膜５５１＿２においては３５０ｎｍ／ｍｉｎより大きい。The etching rate when using a room temperature aluminum mixed acid solution (mixed solution containing less than 80% by weight of phosphoric acid, less than 10% by weight of acetic acid, less than 5% by weight of nitric acid, and 5% by weight or more of water) is , the conductive film 551_1 is 5 nm/min, and the conductive film 551_2 is greater than 350 nm/min.

また８５％リン酸を水で１／１００に希釈した室温の０．８５％リン酸を用いた場合のエッチングレートは、導電膜５５１＿１においては１ｎｍ／ｍｉｎであり、導電膜５５１＿２においては６６．９ｎｍ／ｍｉｎである。When 0.85% phosphoric acid at room temperature, which is obtained by diluting 85% phosphoric acid with water to 1/100, is used, the etching rate is 1 nm/min for the conductive film 551_1 and 66.9 nm for the conductive film 551_2. /min.

例えば導電膜５５１＿１を、Ｉｎ_２Ｏ_３と、ＳｎＯ_２とを含む結晶性の導電膜で形成し、導電膜５５１＿２をＩｎ_２Ｏ_３と、ＳｎＯ_２と、ＳｉＯ_２と、を含む非結晶性の導電膜で形成しても良い。For example, the conductive film 551_1 is formed using a crystalline conductive film containing In₂ O₃ and SnO₂ , and the conductive film 551_2 is formed using an amorphous conductive film containing In₂ O₃ , SnO₂ and SiO₂ . A conductive film may be used.

例えば導電膜５５１＿１をＩｎ_２Ｏ_３とＺｎＯを含む導電膜で形成し、導電膜５５１＿２を導電膜５５１＿１よりＺｎＯ含有量が小さい、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯを含む導電膜で形成してもよい。For example, the conductive film 551_1 may be formed using a conductive film containing In₂ O₃ and ZnO, and the conductive film 551_2 may be formed using a conductive film containing In₂ O₃ and ZnO whose ZnO content is lower than that of the conductive film 551_1.

なお、ここでの導電膜５５１＿１、及び導電膜５５１＿２のエッチングは、ウエットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。但し導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２とを、同一条件にてドライエッチングしたとき、導電膜５５１＿１のエッチングレートは、導電膜５５１＿２のエッチングレートより小さい材料を用いると好ましい。または、導電膜５５１＿１は導電膜５５１＿２より、一のエッチング雰囲気におけるエッチングレートが小さいと好ましい。Note that the etching of the conductive films 551_1 and 551_2 here is not limited to wet etching and may be dry etching. However, when the conductive films 551_1 and 551_2 are dry-etched under the same conditions, it is preferable to use a material in which the etching rate of the conductive film 551_1 is lower than that of the conductive film 551_2. Alternatively, the conductive film 551_1 preferably has a lower etching rate in one etching atmosphere than the conductive film 551_2.

ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ_２）、三塩化硼素（ＢＣｌ_３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ_４）、四塩化炭素（ＣＣｌ_４）など）が好ましい。Etching gases used for dry etching include gases containing chlorine (chlorine-based gases such as chlorine (Cl₂ ), boron trichloride (BCl₃ ), silicon tetrachloride (SiCl₄ ), carbon tetrachloride (CCl₄ ), etc.). is preferred.

また、ドライエッチングに用いるその他のエッチングガスとして、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ_４）、六弗化硫黄（ＳＦ_６）、三弗化窒素（ＮＦ_３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）など）、臭化水素（ＨＢｒ）、酸素（Ｏ_２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。Other etching gases used for dry etching include gases containing fluorine (fluorine-based gases such as carbon tetrafluoride (CF₄ ), sulfur hexafluoride (SF₆ ), nitrogen trifluoride (NF₃ ), trifluoride methane (CHF₃ ), hydrogen bromide (HBr), oxygen (O₂ ), and gases obtained by adding rare gases such as helium (He) and argon (Ar) to these gases.

次いで、レジストマスク５４１を、導電膜５５１＿２上に形成する（図１２（Ｂ）参照）。Next, a resistmask 541 is formed over the conductive film 551_2 (see FIG. 12B).

レジストマスク５４１は、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域にレジストの膜厚が薄い領域を有する。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域は凹部ともいえる。本実施の形態では、レジストマスク５４１の形成に、多階調（高階調）マスクを用いた露光を用いる。このとき、レジストの厚さが異なるレジストマスク５４１を形成できる。The resistmask 541 has a region where the resist film is thin in a region overlapping with the pixel 702 (i, j+1). A region that overlaps with the pixel 702 (i, j+1) can also be said to be a recess. In this embodiment mode, exposure using a multi-tone (high-tone) mask is used to form the resistmask 541 . At this time, resistmasks 541 having different resist thicknesses can be formed.

多階調（高階調）マスクを用いる露光について、説明する。Exposure using a multi-tone (high-tone) mask will be described.

まず、レジストマスクを形成するためレジストを形成する。レジストは、ポジ型レジスト又はネガ型レジストを用いることができる。ここでは、ポジ型レジストを用いて示す。レジストはスピンコート法で形成してもよいし、インクジェット法で選択的に形成してもよい。レジストをインクジェット法で選択的に形成すると、不要箇所へのレジスト形成を削減することができるので、材料の無駄を軽減することができる。First, a resist is formed to form a resist mask. A positive resist or a negative resist can be used as the resist. Here, it is shown using a positive resist. The resist may be formed by a spin coating method, or may be selectively formed by an inkjet method. If the resist is selectively formed by the ink jet method, it is possible to reduce the formation of the resist on unnecessary portions, so that the waste of materials can be reduced.

次に、露光マスクとして多階調マスクを用いて、レジストに光を照射して、レジストを露光する。Next, using a multi-tone mask as an exposure mask, the resist is exposed to light by irradiating it with light.

多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に３つの露光レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクである。一度の露光及び現像工程により、複数の厚さの領域を有するレジストマスクを形成することが可能である。よって、多階調マスクを用いることで、リソグラフィ工程の回数を削減でき、工程を簡略化できる。A multi-tone mask is a mask that allows three exposure levels to be applied to an exposed portion, an intermediately exposed portion, and an unexposed portion, and is an exposure mask in which transmitted light has a plurality of intensities. A single exposure and development step can form a resist mask having regions of multiple thicknesses. Therefore, by using a multi-tone mask, the number of lithography steps can be reduced and the steps can be simplified.

多階調マスクの代表例としては、図１３（Ａ）に示すようなグレートーンマスク１０ａ、図１３（Ｃ）に示すようなハーフトーンマスク１０ｂがある。Representative examples of multi-tone masks include a gray-tone mask 10a as shown in FIG. 13(A) and a half-tone mask 10b as shown in FIG. 13(C).

図１３（Ａ）に示すように、グレートーンマスク１０ａは、光透過性基板１３及び光透過性基板１３の上に形成される遮光膜１５を備える。また、グレートーンマスク１０ａは、遮光膜が設けられた遮光部１７、遮光膜のパターンにより設けられた回折格子部１８及び遮光膜が設けられない透過部１９を有する。As shown in FIG. 13A, the gray-tone mask 10a includes a light-transmissive substrate 13 and alight shielding film 15 formed on the light-transmissive substrate 13. As shown in FIG. The gray-tone mask 10a also has a light-shieldingportion 17 provided with a light-shielding film, a diffractiongrating portion 18 provided by a pattern of the light-shielding film, and atransmissive portion 19 not provided with a light-shielding film.

光透過性基板１３は、石英等の光透過性基板を用いることができる。遮光膜１５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いて形成することができる。A light-transmissive substrate such as quartz can be used for the light-transmissive substrate 13 . Thelight shielding film 15 can be formed using a light shielding material such as chromium or chromium oxide that absorbs light.

グレートーンマスク１０ａに露光光を照射した場合の、光の透過率ＴＲを図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ｂ）に示すように、遮光部１７では光の透過率２１は０％である。透過部１９では光の透過率２１は略１００％である。また、回折格子部１８では光の透過率２１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。回折格子部１８においては、スリット、ドット、メッシュ等の光透過部の間隔を露光に用いる光の解像度限界以下の間隔にしている。そして、回折格子部１８は、スリット、ドット又はメッシュの間隔及びピッチを調整することで、光の透過率を制御できる。なお、回折格子部１８は、周期的なスリット、ドット、メッシュ、または非周期的なスリット、ドット、メッシュのどちらも用いることができる。FIG. 13B shows the light transmittance TR when the gray-tone mask 10a is irradiated with the exposure light. As shown in FIG. 13B, thelight transmittance 21 of thelight shielding portion 17 is 0%. Thelight transmittance 21 of thetransmissive portion 19 is approximately 100%. In addition, thelight transmittance 21 of thediffraction grating section 18 can be adjusted within a range of 10% or more and 70% or less. In the diffractiongrating portion 18, the intervals between the light transmitting portions such as slits, dots, meshes, etc. are set to intervals equal to or less than the resolution limit of the light used for exposure. Thediffraction grating section 18 can control the light transmittance by adjusting the intervals and pitches of the slits, dots or meshes. Thediffraction grating section 18 can use either periodic slits, dots, or meshes, or non-periodic slits, dots, or meshes.

図１３（Ｃ）に示すように、ハーフトーンマスク１０ｂは、光透過性基板１３及び光透過性基板１３の上に形成される遮光膜２５及び半光透過膜２３を備える。また、ハーフトーンマスク１０ｂは、遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられた遮光部２７、遮光膜２５が設けられずかつ半光透過膜２３が設けられた半光透過部２８、及び遮光膜２５及び半光透過膜２３が設けられない透過部２９を有する。As shown in FIG. 13C, thehalftone mask 10b includes a light-transmissive substrate 13 and a light-shieldingfilm 25 and a semi-light-transmissive film 23 formed on the light-transmissive substrate 13. As shown in FIG. Thehalftone mask 10b also includes alight shielding portion 27 provided with thelight shielding film 25 and thesemilight transmissive film 23, asemilight transmissive portion 28 not provided with thelight shielding film 25 but provided with thesemilight transmissive film 23, and alight shielding portion 28 provided with thesemilight transmissive film 23. It has atransmissive portion 29 where thefilm 25 and thesemi-transmissive film 23 are not provided.

ハーフトーンマスク１０ｂに露光光を照射した場合の、光の透過率を図１３（Ｄ）に示す。
図１３（Ｄ）に示すように、遮光部２７では光の透過率３１は０％であり、透過部２９では光の透過率３１は略１００％である。また、半光透過部２８では光の透過率３１は１０％以上７０％以下の範囲で調整可能である。半光透過部２８においては、半光透過膜２３の材料により、光の透過率を制御できる。FIG. 13D shows the light transmittance when thehalftone mask 10b is irradiated with the exposure light.
As shown in FIG. 13D, thelight transmittance 31 of thelight blocking portion 27 is 0%, and thelight transmittance 31 of the transmittingportion 29 is approximately 100%. Further, thelight transmittance 31 of thesemi-light transmitting portion 28 can be adjusted within a range of 10% or more and 70% or less. In thesemi-transmissive portion 28 , the light transmittance can be controlled by the material of thesemi-transmissive film 23 .

半光透過膜２３は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＳｉなどを用いることができる。遮光膜２５は、クロムや酸化クロム等の光を吸収する遮光材料を用いることができる。MoSiN, MoSi, MoSiO, MoSiON, CrSi, or the like can be used for thetranslucent film 23 . The light-shieldingfilm 25 can use a light-shielding material such as chromium or chromium oxide that absorbs light.

多階調マスクを用いて露光した後、現像することで、図１２（Ｂ）に示すように膜厚の異なる領域を有するレジストマスクを形成することができる。A resist mask having regions with different film thicknesses as shown in FIG. 12B can be formed by developing after exposure using a multi-tone mask.

なお、多階調マスクとして、レジストの膜厚が２種類の例を示したが、本発明の形態はこれに限られない。複数の光の透過率を有する回折格子部１８又は半光透過膜２３を用いることにより、３種類以上の膜厚を有するレジストを形成できる。Although two types of resist film thicknesses are shown as examples of the multi-tone mask, the embodiment of the present invention is not limited to this. By using the diffractiongrating portion 18 or thesemi-transmissive film 23 having a plurality of light transmittances, a resist having three or more types of film thickness can be formed.

次に、レジストマスク５４１をマスクに、導電膜５５１＿０と、導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２と、の一部を除去し、画素７０２（ｉ，ｊ）においては導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）と、を形成する。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）においても同様である。但し、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）においては導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）が形成されており、以下の工程で導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）の除去を行う。Next, part of the conductive films 551_0, 551_1, and 551_2 is removed using the resistmask 541 as a mask, and the conductive film 551_0(i, j) and the conductive film 551_0(i, j) are removed in the pixel 702(i, j). , a conductive film 551_1(i, j) and a conductive film 551_2(i, j) are formed. The same is true for pixel 702 (i, j+1) and pixel 702 (i, j+2). However, the conductive film 551_2(i, j+1) is formed in the pixel 702(i, j+1), and the conductive film 551_2(i, j+1) is removed in the following steps.

導電膜５５１＿０と、導電膜５５１＿１と、導電膜５５１＿２の加工には、ウエットエッチングを用いることができる。ただし、加工方法としてはこれに限定されず、例えば、ドライエッチングを用いてもよい。Wet etching can be used for processing the conductive films 551_0, 551_1, and 551_2. However, the processing method is not limited to this, and dry etching may be used, for example.

次に、レジストマスク５４１を後退させることで一部を除去し、レジストマスクの面積を縮小する。ここでいう後退とは、膜厚を減らすことである。上記除去により、レジストマスク５４２が形成される（図１４（Ａ）参照）。Next, the resistmask 541 is partially removed by retreating to reduce the area of the resist mask. Retreating here means reducing the film thickness. By the above removal, a resistmask 542 is formed (see FIG. 14A).

レジストマスクの一部の除去にはアッシング装置を用いることができる。アッシングにより、レジストマスクの面積が縮小するとともに、レジストマスクの厚さが薄くなる場合がある。An ashing apparatus can be used to partially remove the resist mask. Ashing may reduce the area of the resist mask and reduce the thickness of the resist mask.

例えば、アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスに紫外線などの光を照射し、ガスと有機物を化学反応させて有機物を除去する光励起アッシングを用いてもよい。アッシングとして、酸素、オゾンなどのガスを高周波などでプラズマ化し、そのプラズマを利用して有機物を除去するプラズマアッシングを用いてもよい。For example, as ashing, photoexcited ashing may be used in which a gas such as oxygen or ozone is irradiated with light such as ultraviolet rays to cause a chemical reaction between the gas and an organic substance to remove the organic substance. Plasma ashing may be used as the ashing, in which a gas such as oxygen or ozone is turned into plasma by a high frequency or the like, and the plasma is used to remove organic matter.

レジストマスク５４１のレジストマスクが薄い領域は、該アッシングによりレジストが除去され、図１４（Ａ）に示すようにレジストマスクが分離する。これにより、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と重なる領域のレジストマスクが除去され、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）が露出する。A region where the resist mask of the resistmask 541 is thin is removed by the ashing, and the resist mask is separated as shown in FIG. 14(A). As a result, the resist mask in a region overlapping with the pixel 702(i, j+1) is removed to expose the conductive film 551_2(i, j+1) of the pixel 702(i, j+1).

次に、レジストマスク５４２をマスクに、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）をエッチングする。Next, the conductive film 551_2 (i, j+1) is etched using the resistmask 542 as a mask.

エッチングは、例えば室温のシュウ酸、または室温の混酸アルミ、または８５％リン酸を１％に希釈した室温の溶液、を用いることができる。このとき、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）より、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ＋１）の方がエッチングレートは大きいため、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）を消失させることなく、好適に加工ができる。Etching can be performed using, for example, room temperature oxalic acid, or room temperature mixed aluminum acid, or a room temperature solution of 85% phosphoric acid diluted to 1%. At this time, since the conductive film 551_2(i, j+1) has a higher etching rate than the conductive film 551_2(i, j), the conductive film 551_2(i, j) can be preferably processed without disappearing.

次にレジストマスク５４２を除去する（図１４（Ｂ）参照）。Next, the resistmask 542 is removed (see FIG. 14B).

次に、発光層５５３、電極５５２、を形成する。さらに、接合層５０５を用いて基板５７０を、基板７７０と接合する。さらに、機能膜７７０Ｐを形成する。このような工程により、表示パネル７００＿１を作製することができる。Next, a light-emittinglayer 553 and anelectrode 552 are formed. Further,substrate 570 is bonded tosubstrate 770 usingbonding layer 505 . Furthermore, afunctional film 770P is formed. Through such steps, the display panel 700_1 can be manufactured.

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる表示パネルについて説明する。(Embodiment 3)
In this embodiment mode, a display panel different from that inEmbodiment Mode 1 will be described.

＜画素の構成例５＞
本発明の一態様の表示パネル７００＿２には、赤色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ）に、緑色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ＋１）に、青色の光を射出するように積層された材料を発光層５５３（ｊ＋２）に、用いることができる（図１５（Ａ）、（Ｂ）参照）。<Pixel configuration example 5>
In the display panel 700_2 of one embodiment of the present invention, a material stacked so as to emit red light is used in the light-emitting layer 553(j), and a material stacked so as to emit green light is used in the light-emitting layer 553 (j). j+1), a material stacked so as to emit blue light can be used for the light-emitting layer 553 (j+2) (see FIGS. 15A and 15B).

画素７０２（ｉ，ｊ）は発光層５５３（ｊ）を、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は発光層５５３（ｊ＋１）を、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は発光層５５３（ｊ）を備える。Pixel 702(i,j) comprises an emissive layer 553(j), pixel 702(i,j+1) comprises an emissive layer 553(j+1), and pixel 702(i,j+2) comprises an emissive layer 553(j).

これにより、画素７０２（ｉ，ｊ）を用いて赤色の表示をすることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いて緑色の表示をすることができる。画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を用いて青色の表示をすることができる。Accordingly, the pixel 702 (i, j) can be used to display red. Pixel 702 (i, j+1) can be used to display green. Blue can be displayed using pixel 702 (i, j+2).

このとき、発光層５５３（ｊ）、発光層５５３（ｊ＋１）、発光層５５３（ｊ＋２）、の膜厚方向における各光学距離を、画素の構成例１と同等にする。At this time, each optical distance in the film thickness direction of the light-emitting layer 553(j), the light-emitting layer 553(j+1), and the light-emitting layer 553(j+2) is set to be the same as that of the pixel configuration example 1. FIG.

図１５（Ｂ）に示すように、着色膜ＣＦ１（Ｒ）、着色膜ＣＦ１（Ｇ）及び着色膜ＣＦ１（Ｂ）を設けない構成としてもよい。また、表示素子５５０における、他の構成については、表示パネル７００と同じ構成とする。As shown in FIG. 15B, the configuration may be such that the colored film CF1(R), the colored film CF1(G), and the colored film CF1(B) are not provided. Other configurations of thedisplay element 550 are the same as those of thedisplay panel 700 .

上記膜厚による各副画素の構成により、画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色の色純度を高め、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は青色の色純度を高め、いずれの表示も鮮やかにすることができる。By configuring each sub-pixel with the above film thickness, the pixel 702(i,j) enhances the color purity of red, the pixel 702(i,j+1) enhances the color purity of green, and the pixel 702(i,j+1) enhances the color purity of blue. The color purity of the display can be increased, and any display can be made vivid.

＜画素の構成例６＞
また、表示パネル７００＿４（図１６（Ａ）参照）のように、表示素子５５０（ｉ，ｊ）から光Ｌ２が、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が配設される方向とは逆の方向に、射出される構造としてもよい。このとき画素回路５３０（ｉ，ｊ）を、電極５５１（ｉ，ｊ）との間に光反射性を有する電極５５２を挟むように設ける。このとき光Ｌ２の射出する経路に、着色膜ＣＦ１（Ｒ）を設けることができる。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）も同様とする。<Pixel Configuration Example 6>
Further, as in the display panel 700_4 (see FIG. 16A), the light L2 from the display element 550(i,j) is directed in the direction opposite to the direction in which the pixel circuit 530(i,j) is arranged. , may be an injection structure. At this time, the pixel circuit 530 (i, j) is provided so that theelectrode 552 having light reflectivity is sandwiched between the pixel circuit 530 (i, j) and the electrode 551 (i, j). At this time, a colored film CF1(R) can be provided on the path through which the light L2 is emitted. The same applies to display element 550 (i, j+1) and display element 550 (i, j+2).

このとき表示素子５５０（ｉ，ｊ）には、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）と、導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）との間に、発光層５５３を配設させると好適である（図１６（Ｂ）参照）。表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）についても同様である。At this time, in the display element 550 (i, j), a light-emittinglayer 553 is preferably provided between the conductive film 551_1 (i, j) and the conductive film 551_0 (i, j) (FIG. 16). (B)). The same applies to display element 550 (i, j+1) and display element 550 (i, j+2).

表示パネル７００＿４は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が、射出光を遮らない個所に配置されるため、表示パネル７００に比べて開口率を向上させることができる。In the display panel 700_4, the pixel circuits 530(i, j) are arranged in a position that does not block the emitted light, so the aperture ratio can be improved compared to thedisplay panel 700. FIG.

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層に用いることができる金属酸化物について説明する。なお、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と読み替えてもよい。(Embodiment 4)
In this embodiment, a metal oxide that can be used for a semiconductor layer of a transistor disclosed in one embodiment of the present invention will be described. Note that in the case where a metal oxide is used for a semiconductor layer of a transistor, the metal oxide may be read as an oxide semiconductor.

酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及び非晶質酸化物半導体などがある。Oxide semiconductors are classified into single-crystal oxide semiconductors and non-single-crystal oxide semiconductors. Examples of non-single-crystal oxide semiconductors include CAAC-OS (c-axis-aligned crystalline oxide semiconductor), polycrystalline oxide semiconductor, nc-OS (nanocrystalline oxide semiconductor), and pseudo-amorphous oxide semiconductor (a-like OS). : amorphous-like oxide semiconductor), amorphous oxide semiconductors, and the like.

また、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層には、ＣＡＣ－ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）を用いてもよい。A CAC-OS (cloud-aligned composite) may be used for the semiconductor layer of the transistor disclosed in one embodiment of the present invention.

なお、本発明の一態様で開示されるトランジスタの半導体層は、上述した非単結晶酸化物半導体またはＣＡＣ－ＯＳを好適に用いることができる。また、非単結晶酸化物半導体としては、ｎｃ－ＯＳまたはＣＡＡＣ－ＯＳを好適に用いることができる。Note that the above non-single-crystal oxide semiconductor or CAC-OS can be preferably used for a semiconductor layer of the transistor disclosed in one embodiment of the present invention. As a non-single-crystal oxide semiconductor, an nc-OS or a CAAC-OS can be preferably used.

なお、本発明の一態様では、トランジスタの半導体層として、ＣＡＣ－ＯＳを用いると好ましい。ＣＡＣ－ＯＳを用いることで、トランジスタに高い電気特性または高い信頼性を付与することができる。Note that in one embodiment of the present invention, a CAC-OS is preferably used for the semiconductor layer of the transistor. By using a CAC-OS, a transistor can have high electrical characteristics or high reliability.

以下では、ＣＡＣ－ＯＳの詳細について説明する。Details of the CAC-OS are described below.

ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。CAC-OS or CAC-metal oxide has a conductive function in a part of the material, an insulating function in a part of the material, and a semiconductor function in the whole material. Note that when CAC-OS or CAC-metal oxide is used for a channel formation region of a transistor, the function of conductivity is to flow electrons (or holes) that serve as carriers, and the function of insulation is to serve as carriers. It is a function that does not flow electrons. A switching function (on/off function) can be imparted to the CAC-OS or CAC-metal oxide by causing the conductive function and the insulating function to act complementarily. By separating each function in CAC-OS or CAC-metal oxide, both functions can be maximized.

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。Also, CAC-OS or CAC-metal oxide has a conductive region and an insulating region. The conductive regions have the above-described conductive function, and the insulating regions have the above-described insulating function. In some materials, the conductive region and the insulating region are separated at the nanoparticle level. Also, the conductive region and the insulating region may be unevenly distributed in the material. In addition, the conductive region may be observed to be connected like a cloud with its periphery blurred.

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。In CAC-OS or CAC-metal oxide, the conductive region and the insulating region are each dispersed in the material with a size of 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 0.5 nm or more and 3 nm or less. There is

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。Also, CAC-OS or CAC-metal oxide is composed of components having different bandgaps. For example, CAC-OS or CAC-metal oxide is composed of a component having a wide gap resulting from an insulating region and a component having a narrow gap resulting from a conductive region. In the case of this configuration, when the carriers flow, the carriers mainly flow in the component having the narrow gap. In addition, the component having a narrow gap acts complementarily on the component having a wide gap, and carriers also flow into the component having a wide gap in conjunction with the component having a narrow gap. Therefore, when the above CAC-OS or CAC-metal oxide is used for a channel formation region of a transistor, high current drivability, that is, large on-current and high field-effect mobility can be obtained in the on-state of the transistor.

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。That is, CAC-OS or CAC-metal oxide can also be called a matrix composite or a metal matrix composite.

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状またはパッチ状ともいう。CAC-OS is, for example, one structure of a material in which elements constituting a metal oxide are unevenly distributed with a size of 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 1 nm or more and 2 nm or less, or in the vicinity thereof. In the following description, one or more metal elements are unevenly distributed in the metal oxide, and the region containing the metal element has a size of 0.5 nm or more and 10 nm or less, preferably 1 nm or more and 2 nm or less, or in the vicinity thereof. The mixed state is also called mosaic or patch.

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種または複数種が含まれていてもよい。Note that the metal oxide preferably contains at least indium. In particular, it preferably contains indium and zinc. Also, in addition to them, aluminum, gallium, yttrium, copper, vanadium, beryllium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, or magnesium, etc. One or more selected from may be included.

例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。For example, CAC-OS in In—Ga—Zn oxide (In—Ga—Zn oxide among CAC-OS may be particularly referred to as CAC-IGZO) is indium oxide (hereinafter, InO_X1 (X1 is a real number greater than 0), or indium zinc oxide (hereinafter referred to as In_X2 Zn_Y2 O_Z2 (X2, Y2, and Z2 are real numbers greater than 0)), and gallium oxide (hereinafter referred to as GaO_X3 (X3 is a real number greater than 0)) or gallium zinc oxide (hereinafter Ga_X4 Zn_Y4 O_Z4 (X4, Y4, and Z4 are real numbers greater than 0); ) and the like, and the material is separated into a mosaic shape, and the mosaic InO_X1 or In_X2 Zn_Y2 O_Z2 is uniformly distributed in the film (hereinafter also referred to as a cloud shape). be.

つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。That is, CAC-OS is a composite metal oxide having a structure in which aregion containing GaO 2_X3 as a main component and a region containing In_{2 X2} Zn_Y2 O_Z2 orInO 2_X1 as a main component are mixed. In this specification, for example, the first region means that the atomic ratio of In to the element M in the first region is greater than the atomic ratio of In to the element M in the second region. Assume that the concentration of In is higher than that of the region No. 2.

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１－ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。Note that IGZO is a common name and may refer to one compound of In, Ga, Zn, and O. Representative examples are represented by InGaO₃ (ZnO)_m1 (m1 is a natural number) or In_(1+x0) Ga_(1−x0) O₃ (ZnO)_m0 (−1≦x0≦1, m0 is an arbitrary number). Crystalline compounds are mentioned.

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。The crystalline compound has a single crystal structure, a polycrystalline structure, or a CAAC (c-axis aligned crystal) structure. The CAAC structure is a crystal structure in which a plurality of IGZO nanocrystals have c-axis orientation and are connected without being oriented in the ab plane.

一方、ＣＡＣ－ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。CAC-OS, on the other hand, relates to the material composition of metal oxides. CAC-OS is a material composition containing In, Ga, Zn, and O, in which a region that is observed in the form of nanoparticles containing Ga as the main component in part and nanoparticles containing In as the main component in part. The regions observed in a pattern refer to a configuration in which the regions are randomly dispersed in a mosaic pattern. Therefore, in CAC-OS the crystal structure is a secondary factor.

なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。Note that CAC-OS does not include a stacked structure of two or more films with different compositions. For example, it does not include a structure consisting of two layers, a film containing In as a main component and a film containing Ga as a main component.

なお、ＧａＯＸ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。In some cases, a clear boundary cannot be observed between a region_{containingGaOX3} as a main component and a region containing_InX2ZnY2OZ2 or_InO2X1 as a main component.

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。Instead of gallium, aluminum, yttrium, copper, vanadium, beryllium, boron, silicon, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, etc. CAC-OS contains one or more of the above metal elements, part of which is observed in the form of nanoparticles containing the metal element as the main component, and part of which contains nanoparticles containing In as the main component. The regions observed as particles refer to a configuration in which the regions are randomly dispersed in a mosaic pattern.

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。A CAC-OS can be formed by a sputtering method, for example, under the condition that the substrate is not heated. Further, when the CAC-OS is formed by a sputtering method, any one or more selected from inert gas (typically argon), oxygen gas, and nitrogen gas may be used as the film forming gas. good. Further, the flow rate ratio of oxygen gas to the total flow rate of film formation gas during film formation is preferably as low as possible. .

ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ－ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。CAC-OS has the characteristic that no clear peak is observed when measured using θ/2θ scanning by the Out-of-plane method, which is one of X-ray diffraction (XRD) measurement methods. have. That is, it can be seen from the X-ray diffraction that no orientations in the ab plane direction and the c-axis direction of the measurement region are observed.

またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。In addition, CAC-OS has an electron beam diffraction pattern obtained by irradiating an electron beam with a probe diameter of 1 nm (also referred to as a nanobeam electron beam). A point is observed. Therefore, it can be seen from the electron beam diffraction pattern that the crystal structure of CAC-OS has an nc (nano-crystal) structure with no orientation in the planar direction and the cross-sectional direction.

また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。Further, for example, in CAC-OS in In-Ga-Zn oxide, a region in which GaO_X3 is the main component is obtained by EDX mapping obtained using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). , and a region containing In_X2 Zn_Y2 O_Z2 or InO_X1 as a main component are unevenly distributed and mixed.

ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。CAC-OS has a structure different from IGZO compounds in which metal elements are uniformly distributed, and has properties different from those of IGZO compounds. That is, the CAC-OS is phase-separated into aregion containing GaO 2_X3 or the like as a main component and a region containing In_X2 Zn_Y2 O_Z2 orInO 2_X1 as a main component, and a region containing each element as a main component. has a mosaic structure.

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。Here, the region containing In_X2 Zn_Y2 O_Z2 or InO_X1 as the main component has higher conductivity than the region containing GaO_X3 or the like as the main component. That is, when carriers flow through a region containing In_X2 Zn_Y2 O_Z2 or InO_X1 as a main component, conductivity as an oxide semiconductor is exhibited. Therefore, a region containing In_X2 Zn_Y2 O_Z2 or InO_X1 as a main component is distributed in a cloud shape in the oxide semiconductor, whereby high field-effect mobility (μ) can be realized.

一方、ＧａＯＸ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯＸ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。On the other hand, a region containing_GaOX3 or the like as a main component has higher insulating properties than a region_{containingInX2ZnY2OZ2} or_InOx1 as a main component. In other words, by distributing a region containing GaOX3 or the like as a main component in the oxide semiconductor, leakage current can be suppressed and good switching operation can be realized.

従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。Therefore, when CAC-OS is used for a semiconductor element, the insulation properties caused by GaO_X3 and the like and the conductivity caused by In_X2 Zn_Y2 O_Z2 or InO_X1 act in a complementary manner. On-current (Ion) and high field effect mobility (μ) can be achieved.

また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。In addition, a semiconductor element using CAC-OS has high reliability. Therefore, CAC-OS is most suitable for various semiconductor devices including displays.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。This embodiment can be appropriately combined with other embodiments.

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１７および図１８を参照しながら説明する。(Embodiment 5)
In this embodiment, a structure of a display device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１７は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。FIG. 17 is a block diagram illustrating the structure of a display device of one embodiment of the present invention.

図１８（Ａ）は図１７に示す表示パネルの構成とは異なる構成を説明するブロック図である。図１８（Ｂ－１）乃至図１８（Ｂ－３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する図である。FIG. 18A is a block diagram illustrating a structure different from the structure of the display panel shown in FIG. 18B-1 to 18B-3 are diagrams illustrating the appearance of a display device of one embodiment of the present invention.

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００と、を有する（図１７参照）。<Configuration example of display device>
The display device described in this embodiment includes acontrol portion 238 and a display panel 700 (see FIG. 17).

＜制御部２３８＞
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。<control unit 238>
Thecontrol unit 238 has a function to be supplied with the image information V1 and the control information SS.

制御部２３８は、画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１２を生成する機能を備える。制御部２３８は、情報Ｖ１２を供給する機能を備える。Thecontrol unit 238 has a function of generating information V12 based on the image information V1. Thecontrol unit 238 has a function of supplying the information V12.

例えば、制御部２３８は、伸張回路２３４および画像処理回路２３５Ｍを備える。For example, thecontrol unit 238 includes adecompression circuit 234 and animage processing circuit 235M.

＜表示パネル７００＞
表示パネル７００は、情報Ｖ１２を供給される機能を備える。また、表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。<Display panel 700>
Thedisplay panel 700 has a function to be supplied with the information V12. Thedisplay panel 700 also includes pixels 702 (i, j).

画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。Pixel 702(i,j) comprises display element 550(i,j).

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１２に基づいて表示する機能を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は発光素子である。The display element 550(i,j) has a function of displaying based on the information V12, and the display element 550(i,j) is a light-emitting element.

例えば、実施の形態１で説明する表示パネルを表示パネル７００に用いることができる。または、表示パネル７００Ｂに用いることができる。例えば、テレビジョン受像システム（図１８（Ｂ－１）参照）、映像モニター（図１８（Ｂ－２）参照）またはノートブックコンピュータ（図１８（Ｂ－３）参照）などを提供することができる。For example, the display panel described inEmbodiment 1 can be used for thedisplay panel 700 . Alternatively, it can be used for thedisplay panel 700B. For example, a television receiving system (see FIG. 18B-1), a video monitor (see FIG. 18B-2), a notebook computer (see FIG. 18B-3), or the like can be provided. .

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。Accordingly, image information can be displayed using the display element. As a result, it is possible to provide a novel display device with excellent convenience or reliability.

＜伸張回路２３４＞
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。<Expansion circuit 234>
Thedecompression circuit 234 has a function of decompressing the image information V1 supplied in a compressed state. Thedecompression circuit 234 has a storage unit. The storage unit has a function of storing decompressed image information, for example.

＜画像処理回路２３５Ｍ＞
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、領域を備える。<Image processing circuit 235M>
Theimage processing circuit 235M has, for example, regions.

領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。The area has, for example, a function of storing information included in the image information V1.

画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１２を生成する機能と、情報Ｖ１２を供給する機能と、を備える。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１２を生成する機能を備える。Theimage processing circuit 235M has, for example, a function of correcting the image information V1 based on a predetermined characteristic curve to generate the information V12 and a function of supplying the information V12. Specifically, it has a function of generating the information V12 so that the display element 550(i, j) displays a good image.

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１９を参照しながら説明する。(Embodiment 6)
In this embodiment, a structure of an input/output device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１９は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。FIG. 19 is a block diagram illustrating the configuration of an input/output device of one embodiment of the present invention.

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図１９参照）。例えば、実施の形態１に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。<Configuration example of input/output device>
The input/output device described in this embodiment has aninput unit 240 and a display unit 230 (see FIG. 19). For example, thedisplay panel 700 described inEmbodiment 1 can be used for thedisplay portion 230 .

入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。Theinput section 240 has asensing area 241 . Theinput unit 240 has a function of detecting an object approaching thedetection area 241 .

検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。Sensing region 241 comprises a region that overlaps pixel 702(i,j).

＜入力部２４０＞
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備えることができる（図１９参照）。<Input unit 240>
Theinput section 240 has asensing area 241 .Input section 240 may comprise an oscillator circuit OSC and a detector circuit DC (see FIG. 19).

＜検知領域２４１＞
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備えることができる。<Detection area 241>
Sensing region 241 may comprise, for example, one or more sensing elements.

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１９参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。Thesensing region 241 includes a group of sensing elements 775(g,1) through 775(g,q) and another group of sensing elements 775(1,h) through 775(p,h). (see FIG. 19). In addition, g is an integer of 1 or more and p or less, h is an integer of 1 or more and q or less, and p and q are integers of 1 or more.

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１９に矢印Ｒ２で示す方向は、図１９に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。A group of sensing elements 775(g,1) to sensing elements 775(g,q), including sensing element 775(g,h), are arranged in the row direction (direction indicated by arrow R2 in the figure). The direction indicated by arrow R2 in FIG. 19 may be the same as or different from the direction indicated by arrow R1 in FIG.

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。Another group of sensing elements 775 (1, h) to sensing elements 775 (p, h) includes sensing element 775 (g, h) and is arranged in the column direction (arrow C2 in the drawing) intersecting the row direction. direction shown).

＜検知素子＞
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。<Detection element>
The sensing element has the function of sensing an approaching pointer. For example, a finger, a stylus pen, or the like can be used as a pointer. For example, a metal strip, coil, or the like can be used in the stylus pen.

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。Specifically, a capacitance type proximity sensor, an electromagnetic induction type proximity sensor, an optical type proximity sensor, a resistive film type proximity sensor, or the like can be used as the sensing element.

また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。In addition, detection elements of a plurality of methods can be used together. For example, a sensing element that senses a finger and a sensing element that senses a stylus pen can be used together. This makes it possible to determine the type of pointer. Alternatively, different instructions can be associated with the sensing information based on the type of pointer determined. Specifically, when it is determined that a finger is used as a pointer, the detection information can be associated with the gesture. Alternatively, when it is determined that a stylus pen is used as a pointer, detection information can be associated with drawing processing.

具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。Specifically, a finger can be detected using a capacitive or optical proximity sensor. Alternatively, the stylus pen can be detected using an electromagnetic induction type or optical type proximity sensor.

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図２０乃至図２１を参照しながら説明する。(Embodiment 7)
In this embodiment, a structure of an input/output panel of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図２０は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図２０（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図２０（Ｂ）および図２０（Ｃ）は図２０（Ａ）の一部を説明する投影図である。FIG. 20 illustrates a structure of an input/output panel that can be used for an input/output device of one embodiment of the present invention. FIG. 20A is a top view of the input/output panel. 20(B) and 20(C) are projection views explaining a part of FIG. 20(A).

図２１は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入出力パネルの構成を説明する図である。図２１（Ａ）は制御線および検知信号線の隣接部の上面図である。図２１（Ｂ）は隣接部に生じる電界を模式的に説明する投影図である。FIG. 21 illustrates a structure of an input/output panel that can be used for an input/output device of one embodiment of the present invention. FIG. 21A is a top view of adjacent portions of the control line and the detection signal line. FIG. 21B is a projection diagram for schematically explaining the electric field generated in the adjacent portion.

＜入出力パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する入出力パネルは、検知領域２４１を有する点が、例えば、実施の形態１において説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。<Configuration example of input/output panel>
The input/output panel described in this embodiment differs from, for example, thedisplay panel 700 described inEmbodiment 1 in that it has adetection area 241 . Here, different parts will be described in detail, and the above description will be used for parts that can use the same configuration.

＜検知領域２４１＞
検知領域２４１は、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜を備える。導電膜は検知素子７７５（ｇ，ｈ）を備える（図１９および図２０（Ａ）参照）。<Detection area 241>
Thesensing region 241 includes control lines CL(g), sensing signal lines ML(h), and conductive films. The conductive film comprises sensing elements 775(g,h) (see FIGS. 19 and 20(A)).

例えば、複数の領域に分割された導電膜を検知領域２４１に用いることができる（図１９または図２０参照）。これにより、複数の領域のそれぞれに異なる電位を供給することができる。For example, a conductive film divided into a plurality of regions can be used for the sensing region 241 (see FIG. 19 or 20). Thereby, different potentials can be supplied to each of the plurality of regions.

具体的には、制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜を検知領域２４１に用いることができる。また、複数の領域に分割された導電膜のそれぞれに、例えば、矩形の導電膜を用いることができる（図２１および図４（Ａ）、図５参照）。これにより、分割された導電膜を検知素子の電極に用いることができる。または、異なる電位を制御線に供給することができる。または、インセル型の入出力パネルを提供することができる。または、入出力パネルを構成する部材を削減することができる。Specifically, a conductive film that is divided into a conductive film that can be used for the control line CL(g) and a conductive film that can be used for the detection signal line ML(h) can be used for thedetection region 241. can. Further, for example, a rectangular conductive film can be used for each of the conductive films divided into a plurality of regions (see FIGS. 21, 4A, and 5). Thereby, the divided conductive film can be used as the electrode of the sensing element. Alternatively, different potentials can be supplied to the control lines. Alternatively, an in-cell type input/output panel can be provided. Alternatively, the members constituting the input/output panel can be reduced.

例えば、制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる導電膜と、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる導電膜と、検知信号線ＭＬ（ｈ＋１）に用いることができる導電膜と、に分割された導電膜は、隣接部Ｘ０において互いに隣接する（図２０（Ａ）、図２０（Ｃ）または図２１参照）。For example, a conductive film that can be used for the control line CL(g), a conductive film that can be used for the detection signal line ML(h), and a conductive film that can be used for the detection signal line ML(h+1). The divided conductive films are adjacent to each other at the adjacent portion X0 (see FIG. 20(A), FIG. 20(C) or FIG. 21).

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される（図２０（Ａ）参照）。The sensing element 775 (g, h) is electrically connected to the control line CL(g) and the sensing signal line ML(h) (see FIG. 20A).

なお、制御線ＣＬ（ｇ）は制御信号を供給する機能を備え、検知信号線ＭＬ（ｈ）は、検知信号を供給される機能を備える。The control line CL(g) has a function of supplying a control signal, and the detection signal line ML(h) has a function of receiving a detection signal.

＜検知素子７７５（ｇ，ｈ）＞
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御信号および画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。また、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える（図２１（Ｂ）参照）。<Detection element 775 (g, h)>
Sensing element 775(g,h) functions to provide a sensing signal that varies based on the control signal and the distance to the proximity of the region overlapping pixel 702(i,j). Also, the sensing element 775(g,h) includes an electrode C(g) and an electrode M(h) (see FIG. 21(B)).

電極Ｃ（ｇ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に光透過性を有する領域を備え、電極Ｃ（ｇ）は制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。なお、電極Ｃ（ｇ）を制御電極ということができる。また、制御線ＣＬ（ｇ）に用いる導電膜と同一の導電膜を電極Ｃ（ｇ）に用いて、制御線ＣＬ（ｇ）と電極Ｃ（ｇ）を一体にすることができる。The electrode C(g) has a light-transmitting region in a region overlapping with the pixel 702(i, j), and the electrode C(g) is electrically connected to the control line CL(g). Note that the electrode C(g) can be called a control electrode. Further, the same conductive film as the conductive film used for the control line CL(g) can be used for the electrode C(g) to integrate the control line CL(g) and the electrode C(g).

電極Ｍ（ｈ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に光透過性を有する領域を備える（図４（Ａ）および図５参照）。また、電極Ｍ（ｈ）は検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。また、電極Ｍ（ｈ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される（図２１（Ｂ）参照）。なお、電極Ｍ（ｈ）を検知電極ということができる。また、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いる導電膜と同一の導電膜を電極Ｍ（ｈ）に用いて、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電極Ｍ（ｈ）を一体にすることができる。The electrode M(h) has a light-transmitting region in a region overlapping with the pixel 702(i,j) (see FIGS. 4A and 5). Also, the electrode M(h) is electrically connected to the detection signal line ML(h). Further, the electrode M(h) is arranged so as to form an electric field between the electrode C(g) and a part of the electric field which is blocked by an object adjacent to the region overlapping the pixel 702(i,j) (FIG. 21). (B)). Note that the electrode M(h) can be called a detection electrode. Further, the same conductive film as the conductive film used for the detection signal line ML(h) can be used for the electrode M(h) to integrate the detection signal line ML(h) and the electrode M(h).

例えば、制御線ＣＬ（ｇ）に制御信号を供給すると、電極Ｃ（ｇ）と電極Ｍ（ｈ）の間または電極Ｃ（ｇ）と電極Ｍ（ｈ＋１）の間に電界が形成される（図２１（Ｂ）参照）。また、例えば、電極Ｃ（ｇ）と電極Ｍ（ｈ）の間に形成される電界の一部は、近接する指等によって遮られる。For example, when a control signal is supplied to the control line CL(g), an electric field is formed between the electrode C(g) and the electrode M(h) or between the electrode C(g) and the electrode M(h+1) (Fig. 21(B)). Also, for example, a part of the electric field formed between the electrode C(g) and the electrode M(h) is blocked by a finger or the like in close proximity.

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。Accordingly, while displaying image information using the display unit, it is possible to detect an object approaching the area overlapping the display unit. Alternatively, position information can be input using a finger or the like brought close to the display portion as a pointer. Alternatively, position information can be associated with image information displayed on the display unit. As a result, it is possible to provide a novel input/output device with excellent convenience or reliability.

＜発振回路ＯＳＣ＞
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。<Oscillator circuit OSC>
The oscillator circuit OSC is electrically connected to the control line CL(g) and has a function of supplying a control signal. For example, a square wave, a sawtooth wave, a triangular wave, or the like can be used as the control signal.

＜検知回路ＤＣ＞
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。<Detection circuit DC>
The detection circuit DC is electrically connected to the detection signal line ML(h) and has a function of supplying a detection signal based on a change in potential of the detection signal line ML(h). Note that the detection signal includes, for example, the position information P1.

＜表示部２３０＞
例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部２３０に用いることができる。または、実施の形態５において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。<Display unit 230>
For example, the display panel described inEmbodiment 1 can be used for thedisplay portion 230 . Alternatively, the display device described in Embodiment 5 can be used for thedisplay portion 230 .

＜検知素子７７５（ｇ，ｈ）＞
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）を備える。<Detection element 775 (g, h)>
The sensing element 775(g,h) comprises an electrode C(g) and a sensing signal line ML(h).

例えば、光透過性を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。または、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、表示パネルと重なる領域に近接するものを検知することができる。For example, a light-transmitting conductive film can be used for the electrode C(g) and the detection signal line ML(h). Alternatively, a conductive film having an opening in a region overlapping with the pixel 702(i, j) can be used for the electrode C(g) and the detection signal line ML(h). This makes it possible to detect an object approaching the area overlapping the display panel without blocking the display on the display panel.

なお、検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１９参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。Note that thesensing region 241 includes a group of sensing elements 775(g, 1) to 775(g, q) and another group of sensing elements 775(1, h) to 775(p, h). , (see FIG. 19). In addition, g is an integer of 1 or more and p or less, h is an integer of 1 or more and q or less, and p and q are integers of 1 or more.

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１９に矢印Ｒ２で示す方向は、図１９に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。A group of sensing elements 775(g,1) to sensing elements 775(g,q), including sensing element 775(g,h), are arranged in the row direction (direction indicated by arrow R2 in the figure). The direction indicated by arrow R2 in FIG. 19 may be the same as or different from the direction indicated by arrow R1 in FIG.

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。Another group of sensing elements 775 (1, h) to sensing elements 775 (p, h) includes sensing element 775 (g, h) and is arranged in the column direction (arrow C2 in the drawing) intersecting the row direction. direction shown).

行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される電極Ｃ（ｇ）を含む（図２０（Ｂ）または図２０（Ｃ）参照）。例えば、同一の工程で形成することができる導電膜を、制御線ＣＬ（ｇ）および電極Ｃ（ｇ）に用いることができる。A group of sensing elements 775(g, 1) to 775(g, q) arranged in the row direction includes an electrode C(g) electrically connected to the control line CL(g) (see FIG. 20(B) or FIG. 20(C)). For example, a conductive film that can be formed in the same process can be used for the control line CL(g) and the electrode C(g).

列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される電極Ｍ（ｈ）を含む。例えば、同一の工程で形成することができる導電膜を、検知信号線ＭＬ（ｈ）および電極Ｍ（ｈ）に用いることができる。Another group of sensing elements 775(1,h) to 775(p,h) arranged in the column direction has an electrode M(h) electrically connected to the sensing signal line ML(h). include. For example, a conductive film that can be formed in the same process can be used for the detection signal line ML(h) and the electrode M(h).

検知信号線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図２０（Ｂ）および図６参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。The detection signal line ML(h) includes a conductive film BR(g,h) (see FIGS. 20B and 6). The conductive film BR(g,h) has a region overlapping with the control line CL(g).

なお、検知素子７７５（ｇ，ｈ）は絶縁膜を備える。絶縁膜は、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、検知信号線ＭＬ（ｈ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる。Note that the sensing element 775 (g, h) includes an insulating film. The insulating film has a region sandwiched between the detection signal line ML(h) and the conductive film BR(g,h). This can prevent a short circuit between the detection signal line ML(h) and the conductive film BR(g,h).

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.

（実施の形態８）
本発明の一態様の表示パネルについては、実施の形態１乃至実施の形態７と異なる構成としても良い。(Embodiment 8)
The display panel of one embodiment of the present invention may have a structure different from that of any ofEmbodiments 1 to 7. FIG.

本実施の形態では、液晶材料を含む層を用いた反射型の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、光を射出する機能を備える表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、の双方を有する表示パネル７００＿３の構成について、図２２乃至図２９を参照しながら説明する。In this embodiment mode, a display panel includes both a reflective display element 750 (i, j) using a layer containing a liquid crystal material and a display element 550 (i, j) having a function of emitting light. 700_3 will be described with reference to FIGS. 22 to 29. FIG.

表示パネル７００＿３は、演算装置等から、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を取得する機能を備える。上記演算装置は、表示パネル７００＿３が映像等を所望の表示方法で表示できるように、情報Ｖ１１および情報Ｖ１２を生成することができる。例えば、映像のうち動画情報を情報Ｖ１１に含ませ、静止画情報を情報Ｖ１２に含ませる、等である。The display panel 700_3 has a function of acquiring information V11 and information V12 from an arithmetic device or the like. The computing device can generate the information V11 and the information V12 so that the display panel 700_3 can display an image or the like in a desired display method. For example, the moving image information of the video is included in the information V11, and the still image information is included in the information V12.

表示パネル７００＿３は、情報Ｖ１１に基づいて、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示し、情報Ｖ１２に基づいて、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示する。The display panel 700_3 displays the display element 750(i, j) based on the information V11, and displays the display element 550(i, j) based on the information V12.

図２２は本発明の一態様の表示装置の構成を説明するブロック図である。表示装置は表示パネルを有する。FIG. 22 is a block diagram illustrating the structure of a display device of one embodiment of the present invention. The display device has a display panel.

図２３は本発明の一態様の表示装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。図２３は図２２に示す構成とは異なる構成を説明するブロック図である。FIG. 23 is a block diagram illustrating a structure of a display panel of a display device of one embodiment of the present invention. FIG. 23 is a block diagram illustrating a configuration different from that shown in FIG. 22. In FIG.

図２４は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を説明する図である。図２４（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図２４（Ｃ）は図２４（Ｂ）に示す画素の構成を説明する模式図である。24A and 24B are diagrams illustrating structures of display panels that can be used in the display device of one embodiment of the present invention. FIG. 24A is a top view of a display panel, and FIG. 24B is a top view illustrating part of a pixel of the display panel shown in FIG. 24A. FIG. 24C is a schematic diagram illustrating the configuration of the pixel shown in FIG. 24B.

図２５および図２６は表示パネルの構成を説明する断面図である。図２５（Ａ）は図２４（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ５－Ｘ６における断面図であり、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）の一部を説明する図である。25 and 26 are cross-sectional views illustrating the structure of the display panel. FIG. 25(A) is a cross-sectional view taken along section lines X1-X2, X3-X4, and X5-X6 of FIG. 24(A), and FIG. 25(B) is a part of FIG. It is a figure explaining.

図２６（Ａ）は図２４（Ａ）の切断線Ｘ７－Ｘ８、切断線Ｘ９－Ｘ１０における断面図であり、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）の一部を説明する図である。FIG. 26A is a cross-sectional view taken along section lines X7-X8 and X9-X10 in FIG. 24A, and FIG. 26B is a diagram for explaining part of FIG. 26A.

図２７（Ａ）は図２４（Ｂ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する下面図であり、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）に示す構成の一部を省略して説明する下面図である。FIG. 27A is a bottom view illustrating part of a pixel of the display panel illustrated in FIG. 24B, and FIG. 27B omits part of the structure illustrated in FIG. It is a bottom view of.

図２８は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。FIG. 28 is a circuit diagram illustrating the structure of a pixel circuit included in the display panel of one embodiment of the present invention.

図２９は表示パネルの画素に用いることができる光反射膜の形状を説明する模式図である。FIG. 29 is a schematic diagram illustrating the shape of a light reflecting film that can be used for pixels of a display panel.

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。In this specification, a variable whose value is an integer of 1 or more may be used as a code. For example, (p), which includes a variable p that takes an integer value of 1 or more, may be used as part of the code specifying one of the maximum p components. Also, for example, (m, n) including variable m and variable n, which take integer values of 1 or more, may be used as part of the code specifying one of the maximum m×n components.

＜表示パネルの構成例８＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００＿３は、表示領域２３１を有する（図２２参照）。また、表示パネル７００＿３は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる。<Configuration example 8 of the display panel>
The display panel 700_3 described in this embodiment has a display area 231 (see FIG. 22). Also, the display panel 700_3 can include a driving circuit GD or a driving circuit SD.

また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００＿３Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図２３参照）。Also, the display panel can have a plurality of drive circuits. For example, the display panel 700_3B has a drive circuit GDA and a drive circuit GDB (see FIG. 23).

＜表示領域２３１＞
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図２２、図２７または図２８参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、第３の導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。<Display area 231>
Thedisplay area 231 includes a group of pixels 702(i,1) through 702(i,n), another group of pixels 702(1,j) through 702(m,j), and a scan. (see FIG. 22, 27 or 28). It also has a scan line G2(i), a wiring CSCOM, a third conductive film ANO, and a signal line S2(j). Note that i is an integer of 1 or more and m or less, j is an integer of 1 or more and n or less, and m and n are integers of 1 or more.

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。The group of pixels 702(i,1) through 702(i,n) includes pixel 702(i,j), and the group of pixels 702(i,1) through 702(i,n) includes They are arranged in the row direction (the direction indicated by arrow R1 in the figure).

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。Another group of pixels 702(1,j) through 702(m,j) includes pixel 702(i,j), and another group of pixels 702(1,j) through 702(m) includes pixel 702(i,j). , j) are arranged in the column direction (the direction indicated by arrow C1 in the figure) intersecting the row direction.

走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。The scanning line G1(i) and the scanning line G2(i) are electrically connected to a group of pixels 702(i,1) to 702(i,n) arranged in the row direction.

列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される。Another group of pixels 702(1,j) to 702(m,j) arranged in the column direction are electrically connected to the signal line S1(j) and the signal line S2(j). .

＜駆動回路ＧＤ＞
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。<Drive circuit GD>
The drive circuit GD has a function of supplying a selection signal based on control information.

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。For example, it has a function of supplying a selection signal to one scanning line at a frequency of 30 Hz or more, preferably 60 Hz or more, based on control information. As a result, moving images can be displayed smoothly.

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。For example, based on the control information, it provides a selection signal to one scan line at a frequency of less than 30 Hz, preferably less than 1 Hz, and more preferably less than once per minute. As a result, a still image can be displayed with flicker suppressed.

また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度を、異ならせることができる。具体的には、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示する領域より高い頻度で、動画像を滑らかに表示する領域に選択信号を供給することができる。Further, for example, when a plurality of driving circuits are provided, the frequency of supplying the selection signal by the driving circuit GDA and the frequency of supplying the selection signal by the driving circuit GDB can be made different. Specifically, it is possible to supply the selection signal to an area in which a moving image is smoothly displayed at a higher frequency than in an area in which a still image is displayed with flicker suppressed.

＜駆動回路ＳＤ、駆動回路ＳＤ１、駆動回路ＳＤ２＞
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図２２参照）。<Drive Circuit SD, Drive Circuit SD1, Drive Circuit SD2>
The drive circuit SD has a drive circuit SD1 and a drive circuit SD2. The drive circuit SD1 has a function of supplying an image signal based on the information V11, and the drive circuit SD2 has a function of supplying an image signal based on the information V12 (see FIG. 22).

駆動回路ＳＤ１は、一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。The driver circuit SD1 has a function of generating an image signal to be supplied to a pixel circuit electrically connected to one display element. Specifically, it has a function of generating a signal whose polarity is inverted. Thereby, for example, a liquid crystal display element can be driven.

駆動回路ＳＤ２は、一の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする他の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する画像信号を生成する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を駆動することができる。The drive circuit SD2 has a function of generating an image signal to be supplied to a pixel circuit electrically connected to another display element that displays using a method different from that of one display element. For example, an organic EL element can be driven.

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。For example, various sequential circuits such as shift registers can be used for the drive circuit SD.

例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。For example, an integrated circuit in which the drive circuit SD1 and the drive circuit SD2 are integrated can be used as the drive circuit SD. Specifically, an integrated circuit formed on a silicon substrate can be used for the drive circuit SD.

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子にすることが実装できる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。For example, the COG (Chip on glass) method or the COF (Chip on Film) method can be used to implement the terminals of the integrated circuit. Specifically, an anisotropic conductive film can be used to mount an integrated circuit on the terminals.

＜画素の構成例＞
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および機能層５２０の一部を備える（図２４（Ｃ）、図２５（Ａ）および図２６（Ａ）参照）。<Example of pixel configuration>
Pixel 702(i,j) comprises display element 750(i,j), display element 550(i,j) and a portion of functional layer 520 (FIGS. 24C, 25A and 26). (A)).

＜機能層＞
機能層５２０は、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、を含む（図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）参照）。また、機能層５２０は、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。<Function layer>
Thefunctional layer 520 includes a first conductive film, a second conductive film, an insulatingfilm 501C, and pixel circuits 530 (i, j) (see FIGS. 25A and 25B). . Thefunctional layer 520 also includes an insulating film 521 , an insulatingfilm 528 , an insulatingfilm 518 and an insulatingfilm 516 .

なお、機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に挟まれる領域を備える。Note thatfunctional layer 520 includes a region sandwiched betweensubstrate 570 andsubstrate 770 .

＜絶縁膜５０１Ｃ＞
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図２６（Ａ）参照）。<Insulatingfilm 501C>
The insulatingfilm 501C has a region sandwiched between the first conductive film and the second conductive film, and the insulatingfilm 501C has anopening 591A (see FIG. 26A).

＜第１の導電膜＞
例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。第１の導電膜は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。<First Conductive Film>
For example, the first electrode 751(i,j) of the display element 750(i,j) can be used as the first conductive film. The first conductive film is electrically connected to the first electrode 751(i, j).

＜第２の導電膜＞
例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。<Second Conductive Film>
For example, theconductive film 512B can be used as the second conductive film. The second conductive film has a region that overlaps the first conductive film. The second conductive film is electrically connected to the first conductive film at opening 591A. By the way, the first conductive film electrically connected to the second conductive film in theopening 591A provided in the insulatingfilm 501C can be called a through electrode.

第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜を、第２の導電膜に用いることができる。The second conductive film is electrically connected to the pixel circuit 530(i,j). For example, a conductive film functioning as a source electrode or a drain electrode of a transistor used for the switch SW1 of the pixel circuit 530(i, j) can be used as the second conductive film.

＜画素回路＞
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図２８参照）。<Pixel circuit>
The pixel circuit 530(i,j) has a function of driving the display element 750(i,j) and the display element 550(i,j) (see FIG. 28).

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。A switch, a transistor, a diode, a resistive element, an inductor, a capacitive element, or the like can be used for the pixel circuit 530(i,j).

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。For example, one or more transistors can be used for the switches. Alternatively, a plurality of transistors connected in parallel, a plurality of transistors connected in series, or a plurality of transistors connected in series and in parallel can be used for one switch.

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図２８参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図２６（Ａ）および図２８参照）。For example, the pixel circuit 530(i, j) includes a signal line S1(j), a signal line S2(j), a scanning line G1(i), a scanning line G2(i), a wiring CSCOM, and a third conductive film ANO. They are electrically connected (see FIG. 28). Note that theconductive film 512A is electrically connected to the signal line S1(j) (see FIGS. 26A and 28).

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１１を含む（図２８参照）。The pixel circuit 530 (i, j) includes a switch SW1 and a capacitive element C11 (see FIG. 28).

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ１２を含む。The pixel circuit 530(i,j) includes a switch SW2, a transistor M and a capacitive element C12.

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。For example, a transistor having a gate electrode electrically connected to the scan line G1(i) and a first electrode electrically connected to the signal line S1(j) can be used as the switch SW1. .

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。The capacitor C11 has a first electrode electrically connected to the second electrode of the transistor used for the switch SW1 and a second electrode electrically connected to the wiring CSCOM.

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。For example, a transistor having a gate electrode electrically connected to the scan line G2(i) and a first electrode electrically connected to the signal line S2(j) can be used for the switch SW2. .

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。The transistor M has a gate electrode electrically connected to the second electrode of the transistor used for the switch SW2, and a first electrode electrically connected to the third conductive film ANO.

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。Note that a transistor including a conductive film in which a semiconductor film is interposed with a gate electrode can be used as the transistor M. For example, a conductive film that is electrically connected to a wiring capable of supplying the same potential as that of the gate electrode of the transistor M can be used as the conductive film.

容量素子Ｃ１２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。The capacitive element C12 has a first electrode electrically connected to the second electrode of the transistor used for the switch SW2 and a second electrode electrically connected to the first electrode of the transistor M. .

なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第２の電極を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。Note that the first electrode of the display element 750(i,j) is electrically connected to the second electrode of the transistor used for the switch SW1. In addition, the second electrode of the display element 750(i,j) is electrically connected to the wiring VCOM1. Thus, the display element 750(i,j) can be driven.

また、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第３の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の第４の電極５５２を第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。In addition, the third electrode 551 (i, j) of the display element 550 (i, j) is electrically connected to the second electrode of the transistor M, and thefourth electrode 552 of the display element 550 (i, j) is connected. is electrically connected to the fourth conductive film VCOM2. Thereby, the display element 550 (i, j) can be driven.

＜表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。<Display element 750 (i, j)>
For example, a display element capable of controlling reflection or transmission of light can be used for display element 750(i,j). Specifically, a reflective liquid crystal display element can be used for the display element 750(i, j). Alternatively, a shutter type MEMS display element or the like can be used. By using a reflective display element, power consumption of the display panel can be reduced.

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極７５２および液晶材料を含む層７５３を備える。第２の電極７５２は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される（図２５（Ａ）および図２６（Ａ）参照）。The display element 750(i,j) comprises a first electrode 751(i,j), asecond electrode 752 and alayer 753 comprising liquid crystal material. Thesecond electrode 752 is arranged such that an electric field is formed between it and the first electrode 751(i,j) to control the orientation of the liquid crystal material (FIGS. 25A and 26A). reference).

なお、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟む領域を備える。Note that the display element 750(i, j) includes an alignment film AF1 and an alignment film AF2. The alignment film AF2 has a region that sandwiches alayer 753 containing a liquid crystal material between the alignment film AF1 and the alignment film AF1.

＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機ＥＬ素子等を用いることができる。<Display element 550 (i, j)>
For example, a display element having a function of emitting light can be used as the display element 550(i,j). Specifically, an organic EL element or the like can be used.

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える（図２５（Ａ）参照）。The display element 550(i, j) has a function of emitting light toward the insulatingfilm 501C (see FIG. 25A).

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、当該表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印で図中に示す（図２６（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印で図中に示す（図２５（Ａ）参照）。The display element 550(i, j) is arranged so that display using the display element 550(i, j) can be seen in part of the range in which display using the display element 750(i, j) can be seen. is set. For example, the direction in which external light is incident on and reflected by the display element 750 (i, j) that displays image information by controlling the intensity of reflection of external light is indicated by a dashed arrow in the drawing (FIG. 26A). reference). In addition, the direction in which the display element 550 (i, j) emits light to a part of the range in which the display using the display element 750 (i, j) can be viewed is indicated by a solid arrow in FIG. A)).

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光層５５３（ｊ）と、を備える（図２５（Ａ）参照）。A display element 550(i,j) includes a third electrode 551(i,j), afourth electrode 552, and a light-emitting layer 553(j) (see FIG. 25A).

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。Thefourth electrode 552 has a region that overlaps the third electrode 551(i,j).

発光層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の間に挟まれる領域を備える。Emissive layer 553 ( j ) comprises a region sandwiched between third electrode 551 ( i, j ) andfourth electrode 552 .

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、第３の導電膜ＡＮＯと電気的に接続され、第４の電極５５２は、第４の導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図２８参照）。The third electrode 551 (i, j) is electrically connected to the pixel circuit 530 (i, j) at theconnection portion 522 . Note that the third electrode 551 (i, j) is electrically connected to the third conductive film ANO, and thefourth electrode 552 is electrically connected to the fourth conductive film VCOM2 (see FIG. 28). reference).

＜中間膜＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、中間膜７５４Ａと、中間膜７５４Ｂと、中間膜７５４Ｃと、を有する。<Interlayer film>
Further, the display panel described in this embodiment mode includes anintermediate film 754A, anintermediate film 754B, and anintermediate film 754C.

中間膜７５４Ａは、絶縁膜５０１Ｃとの間に第１の導電膜を挟む領域を備え、中間膜７５４Ａは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と接する領域を備える。中間膜７５４Ｂは導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。中間膜７５４Ｃは導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。Theintermediate film 754A has a region sandwiching the first conductive film with the insulatingfilm 501C, and theintermediate film 754A has a region in contact with the first electrode 751(i, j). Theintermediate film 754B has a region in contact with theconductive film 511B. Theintermediate film 754C has a region in contact with the conductive film 511C.

＜絶縁膜５０１Ａ＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜５０１Ａを有する（図２５（Ａ）参照）。<Insulatingfilm 501A>
In addition, the display panel described in this embodiment includes an insulatingfilm 501A (see FIG. 25A).

絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａ、第２の開口部５９２Ｂおよび開口部５９２Ｃを備える（図２５（Ａ）または図２６（Ａ）参照）。The insulatingfilm 501A has afirst opening 592A, asecond opening 592B, and an opening 592C (see FIG. 25A or FIG. 26A).

第１の開口部５９２Ａは、中間膜７５４Ａおよび第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域または中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃと重なる領域を備える。Thefirst opening 592A has a region overlapping theintermediate film 754A and the first electrode 751(i,j) or a region overlapping theintermediate film 754A and the insulatingfilm 501C.

第２の開口部５９２Ｂは、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂと重なる領域を備える。Thesecond opening 592B has a region overlapping with theintermediate film 754B and theconductive film 511B.

また、開口部５９２Ｃは、中間膜７５４Ｃおよび導電膜５１１Ｃと重なる領域を備える。Also, the opening 592C has a region overlapping with theintermediate film 754C and the conductive film 511C.

また、絶縁膜５０１Ａは、導電膜５１１Ｂとの間に絶縁膜５０１Ｃを挟む領域を備える。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと接する。絶縁膜５０１Ａは、絶縁膜５０１Ｃの開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと接する。Further, the insulatingfilm 501A has a region sandwiching the insulatingfilm 501C with theconductive film 511B. The insulatingfilm 501A is in contact with theconductive film 511B at theopening 591B of the insulatingfilm 501C. The insulatingfilm 501A is in contact with the conductive film 511C at theopening 591C of the insulatingfilm 501C.

絶縁膜５０１Ａは、第１の開口部５９２Ａの周縁に沿って、中間膜７５４Ａおよび絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ａは、第２の開口部５９２Ｂの周縁に沿って、中間膜７５４Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。The insulatingfilm 501A has a region sandwiched between theintermediate film 754A and the insulatingfilm 501C along the periphery of thefirst opening 592A. A region sandwiched between theintermediate film 754B and theconductive film 511B is provided.

＜絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６等＞
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。<Insulating Film 521, InsulatingFilm 528, InsulatingFilm 518, InsulatingFilm 516, etc.>
The insulating film 521 comprises a region sandwiched between the pixel circuit 530(i,j) and the display element 550(i,j).

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。The insulatingfilm 528 is arranged between the insulating film 521 and thesubstrate 570 and has an opening in a region overlapping with the display element 550(i,j).

第３の電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）および第４の電極５５２の短絡を防止する。The insulatingfilm 528 formed along the periphery of the third electrode 551(i,j) prevents the third electrode 551(i,j) and thefourth electrode 552 from being short-circuited.

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。The insulatingfilm 518 comprises a region sandwiched between the insulating film 521 and the pixel circuit 530(i,j).

絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。Insulatingfilm 516 comprises a region sandwiched between insulatingfilm 518 and pixel circuit 530(i,j).

＜端子等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂおよび端子５１９Ｃを有する。<Terminals, etc.>
In addition, the display panel described in this embodiment has a terminal 519B and a terminal 519C.

端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、中間膜７５４Ｂと、を備え、中間膜７５４Ｂは、導電膜５１１Ｂと接する領域を備える。端子５１９Ｂは、例えば信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。The terminal 519B includes aconductive film 511B and anintermediate film 754B, and theintermediate film 754B has a region in contact with theconductive film 511B. The terminal 519B is electrically connected to the signal line S1(j), for example.

端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜７５４Ｃと、を備え、中間膜７５４Ｃは、導電膜５１１Ｃと接する領域を備える。導電膜５１１Ｃは、例えば配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。The terminal 519C includes a conductive film 511C and anintermediate film 754C, and theintermediate film 754C has a region in contact with the conductive film 511C. The conductive film 511C is electrically connected to the wiring VCOM1, for example.

導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと第２の電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと第２の電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。The conductive material CP is sandwiched between the terminal 519C and thesecond electrode 752 and has a function of electrically connecting the terminal 519C and thesecond electrode 752 . For example, conductive particles can be used for the conductive material CP.

＜基板等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、を有する。<Substrate, etc.>
Further, the display panel described in this embodiment includes asubstrate 570 and asubstrate 770 .

基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。Substrate 770 includes a region that overlapssubstrate 570 . Thesubstrate 770 has a region that sandwiches thefunctional layer 520 between itself and thesubstrate 570 .

＜接合層、封止材、構造体等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する。<Joining layer, sealing material, structure, etc.>
Further, the display panel described in this embodiment includes thebonding layer 505, the sealingmaterial 705, and the structure KB1.

接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。Thebonding layer 505 has a region sandwiched between thefunctional layer 520 and thesubstrate 570 and has a function of bonding thefunctional layer 520 and thesubstrate 570 together.

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。The sealingmaterial 705 has a region sandwiched between thefunctional layer 520 and thesubstrate 770 and has a function of bonding thefunctional layer 520 and thesubstrate 770 together.

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。Structure KB1 has the function of providing a predetermined gap betweenfunctional layer 520 andsubstrate 770 .

＜機能膜等＞
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、機能膜７７０Ｄと、を有する。また、着色膜ＣＦ１および着色膜ＣＦ２を有する。<Functional film, etc.>
Further, the display panel described in this embodiment has a light shielding film BM, an insulatingfilm 771, afunctional film 770P, and afunctional film 770D. It also has a colored film CF1 and a colored film CF2.

遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。着色膜ＣＦ２は、絶縁膜５０１Ｃおよび表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設され、開口部７５１Ｈと重なる領域を備える（図２５（Ａ）参照）。The light shielding film BM has an opening in a region overlapping with the display element 750 (i, j). The colored film CF2 is provided between the insulatingfilm 501C and the display element 550(i, j) and has a region overlapping with theopening 751H (see FIG. 25A).

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。The insulatingfilm 771 has a region sandwiched between the colored film CF1 and thelayer 753 containing the liquid crystal material or between the light shielding film BM and thelayer 753 containing the liquid crystal material. Thereby, unevenness based on the thickness of the colored film CF1 can be flattened. Alternatively, diffusion of impurities from the light shielding film BM, the coloring film CF1, or the like to thelayer 753 containing the liquid crystal material can be suppressed.

機能膜７７０Ｐは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。Thefunctional film 770P has a region that overlaps the display element 750(i,j).

機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。Thefunctional film 770D has a region that overlaps the display element 750(i,j). Thefunctional film 770D is arranged so as to sandwich thesubstrate 770 between it and the display element 750(i, j). Thereby, for example, the light reflected by the display element 750(i,j) can be diffused.

＜構成要素の例＞
表示パネル７００＿３は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。<Examples of components>
The display panel 700_3 includes asubstrate 570, asubstrate 770, a structure KB1, a sealingmaterial 705, or abonding layer 505. FIG.

また、表示パネル７００＿３は、機能層５２０、絶縁膜５２１または絶縁膜５２８を有する。In addition, the display panel 700_3 has afunctional layer 520 and an insulating film 521 or an insulatingfilm 528 .

また、表示パネル７００＿３は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは第３の導電膜ＡＮＯを有する。The display panel 700_3 also has a signal line S1(j), a signal line S2(j), a scanning line G1(i), a scanning line G2(i), a wiring CSCOM or a third conductive film ANO.

また、表示パネル７００＿３は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。In addition, the display panel 700_3 has a first conductive film or a second conductive film.

また、表示パネル７００＿３は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。In addition, the display panel 700_3 has a terminal 519B, a terminal 519C, and aconductive film 511B or 511C.

また、表示パネル７００＿３は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。The display panel 700_3 also has a pixel circuit 530(i,j) or a switch SW1.

また、表示パネル７００＿３は、表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、光反射膜、開口部、液晶材料を含む層７５３または第２の電極７５２を有する。In addition, the display panel 700_3 includes a display element 750 (i, j), a first electrode 751 (i, j), a light reflecting film, an opening, alayer 753 containing a liquid crystal material, or asecond electrode 752 .

また、表示パネル７００＿３は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。The display panel 700_3 also has an alignment film AF1, an alignment film AF2, a colored film CF1, a colored film CF2, a light shielding film BM, an insulatingfilm 771, afunctional film 770P, or afunctional film 770D.

また、表示パネル７００＿３は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、第３の電極５５１（ｉ，ｉ）、第４の電極５５２または発光層５５３（ｊ）を有する。The display panel 700_3 also includes a display element 550(i,j), a third electrode 551(i,i), afourth electrode 552, or a light-emitting layer 553(j).

また、表示パネル７００＿３は、絶縁膜５０１Ａおよび絶縁膜５０１Ｃを有する。Further, the display panel 700_3 has an insulatingfilm 501A and an insulatingfilm 501C.

また、表示パネル７００＿３は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。In addition, the display panel 700_3 has a driver circuit GD or a driver circuit SD.

＜構造体ＫＢ１＞
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。<Structure KB1>
For example, an organic material, an inorganic material, or a composite material of an organic material and an inorganic material can be used for the structure KB1 or the like. Thereby, a predetermined interval can be provided between the structures sandwiching the structure KB1 and the like.

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。Specifically, polyester, polyolefin, polyamide, polyimide, polycarbonate, polysiloxane, acrylic resin, or the like, or a composite material of a plurality of resins selected from these, can be used for the structure KB1. Alternatively, it may be formed using a photosensitive material.

＜封止材７０５＞
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。<Sealant 705>
An inorganic material, an organic material, a composite material of an inorganic material and an organic material, or the like can be used for the sealingmaterial 705 or the like.

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。For example, an organic material such as a hot-melt resin or a curable resin can be used for the sealingmaterial 705 or the like.

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。For example, an organic material such as a reaction-curable adhesive, a photocurable adhesive, a thermosetting adhesive, and/or an anaerobic adhesive can be used for the sealingmaterial 705 or the like.

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。Specifically, adhesives containing epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, polyimide resin, imide resin, PVC (polyvinyl chloride) resin, PVB (polyvinyl butyral) resin, EVA (ethylene vinyl acetate) resin, etc. can be used for the sealingmaterial 705 or the like.

＜接合層５０５＞
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。<Joininglayer 505>
For example, a material that can be used for the sealingmaterial 705 can be used for thebonding layer 505 .

＜絶縁膜５２１＞
例えば、絶縁膜５２１Ａ，Ｂに用いる材料を、用いることができる。<Insulating film 521>
For example, materials used for the insulatingfilms 521A and 521B can be used.

＜絶縁膜５２８＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。<Insulatingfilm 528>
For example, a material that can be used for the insulating film 521 can be used for the insulatingfilm 528 and the like. Specifically, a film containing polyimide with a thickness of 1 μm can be used as the insulatingfilm 528 .

＜絶縁膜５０１Ａ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。<Insulatingfilm 501A>
For example, a material that can be used for the insulating film 521 can be used for the insulatingfilm 501A. Further, for example, a material having a function of supplying hydrogen can be used for the insulatingfilm 501A.

具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料と、シリコンおよび窒素を含む材料と、を積層した材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。例えば、加熱等により水素を放出し、放出した水素を他の構成に供給する機能を備える材料を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、作製工程中に取り込まれた水素を加熱等により放出し、他の構成に供給する機能を備える材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。Specifically, a material obtained by stacking a material containing silicon and oxygen and a material containing silicon and nitrogen can be used for the insulatingfilm 501A. For example, a material having a function of releasing hydrogen by heating and supplying the released hydrogen to another structure can be used for the insulatingfilm 501A. Specifically, the insulatingfilm 501A can be made of a material that has a function of releasing hydrogen taken in during the manufacturing process by heating or the like and supplying the hydrogen to another structure.

例えば、原料ガスにシラン等を用いる化学気相成長法により形成されたシリコンおよび酸素を含む膜を、絶縁膜５０１Ａに用いることができる。For example, a film containing silicon and oxygen formed by chemical vapor deposition using silane or the like as a source gas can be used as the insulatingfilm 501A.

具体的には、シリコンおよび酸素を含む厚さ２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の材料と、シリコンおよび窒素を含む厚さ２００ｎｍ程度の材料と、を積層した材料を絶縁膜５０１Ａに用いることができる。Specifically, a material in which a material containing silicon and oxygen and having a thickness of 200 nm or more and 600 nm or less and a material containing silicon and nitrogen and having a thickness of about 200 nm are laminated can be used for the insulatingfilm 501A.

＜絶縁膜５０１Ｃ＞
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子５５０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。<Insulatingfilm 501C>
For example, a material that can be used for the insulating film 521 can be used for the insulatingfilm 501C. Specifically, a material containing silicon and oxygen can be used for the insulatingfilm 501C. Accordingly, diffusion of impurities into the pixel circuit or the display element 550(i, j) or the like can be suppressed.

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。For example, a 200 nm thick film containing silicon, oxygen and nitrogen can be used as the insulatingfilm 501C.

＜中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂ、中間膜７５４Ｃ＞
例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有する膜を、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃに用いることができる。なお、本明細書において、中間膜７５４Ａ、中間膜７５４Ｂまたは中間膜７５４Ｃを中間膜という。<Intermediate Film 754A,Intermediate Film 754B,Intermediate Film 754C>
For example, a film having a thickness of 10 nm to 500 nm, preferably 10 nm to 100 nm, can be used forintermediate film 754A,intermediate film 754B, orintermediate film 754C. In this specification, theintermediate film 754A, theintermediate film 754B, or theintermediate film 754C is referred to as an intermediate film.

例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜に用いることができる。For example, a material having a function of permeating or supplying hydrogen can be used for the intermediate film.

例えば、導電性を備える材料を中間膜に用いることができる。For example, a conductive material can be used for the intermediate film.

例えば、光透過性を備える材料を中間膜に用いることができる。For example, a material having optical transparency can be used for the intermediate film.

具体的には、インジウムおよび酸素を含む材料、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む材料またはインジウム、スズおよび酸素を含む材料等を中間膜に用いることができる。なお、これらの材料は水素を透過する機能を備える。Specifically, a material containing indium and oxygen, a material containing indium, gallium, zinc and oxygen, a material containing indium, tin and oxygen, or the like can be used for the intermediate film. Note that these materials have a function of permeating hydrogen.

具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜または厚さ１００ｎｍの膜を中間膜に用いることができる。Specifically, a 50-nm-thick film or a 100-nm-thick film containing indium, gallium, zinc, and oxygen can be used as the intermediate film.

なお、エッチングストッパーとして機能する膜が積層された材料を中間膜に用いることができる。具体的には、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む厚さ５０ｎｍの膜と、インジウム、スズおよび酸素を含む厚さ２０ｎｍの膜と、をこの順で積層した積層材料を中間膜に用いることができる。Note that a material in which a film functioning as an etching stopper is laminated can be used for the intermediate film. Specifically, a layered material in which a 50-nm-thick film containing indium, gallium, zinc, and oxygen and a 20-nm-thick film containing indium, tin, and oxygen are stacked in this order can be used for the intermediate film. can.

＜配線、端子、導電膜＞
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、第３の導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。<Wiring, terminal, conductive film>
A material having conductivity can be used for wiring or the like. Specifically, materials having conductivity are used for the signal line S1(j), the signal line S2(j), the scanning line G1(i), the scanning line G2(i), the wiring CSCOM, the third conductive film ANO, It can be used for the terminal 519B, the terminal 519C, theconductive film 511B, the conductive film 511C, or the like.

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。For example, inorganic conductive materials, organic conductive materials, metals, conductive ceramics, or the like can be used for wiring or the like.

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。Specifically, a metal element selected from aluminum, gold, platinum, silver, copper, chromium, tantalum, titanium, molybdenum, tungsten, nickel, iron, cobalt, palladium, or manganese can be used for wiring or the like. . Alternatively, an alloy or the like containing any of the metal elements described above can be used for wiring or the like. In particular, an alloy of copper and manganese is suitable for fine processing using a wet etching method.

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。Specifically, a two-layer structure in which a titanium film is stacked over an aluminum film, a two-layer structure in which a titanium film is stacked over a titanium nitride film, a two-layer structure in which a tungsten film is stacked over a titanium nitride film, a tantalum nitride film, or a A two-layer structure in which a tungsten film is laminated on a tungsten nitride film, a three-layer structure in which a titanium film is laminated on the titanium film, an aluminum film is laminated on the titanium film, and a titanium film is further formed thereon can be used for wiring or the like. .

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。Specifically, a conductive oxide such as indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, or gallium-added zinc oxide can be used for wiring or the like.

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。Specifically, a film containing graphene or graphite can be used for wiring or the like.

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。For example, a graphene-containing film can be formed by forming a graphene oxide-containing film and reducing the graphene oxide-containing film. Examples of the reduction method include a method of applying heat and a method of using a reducing agent.

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。For example, a film containing metal nanowires can be used for wiring or the like. Specifically, nanowires containing silver can be used.

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。Specifically, a conductive polymer can be used for wiring and the like.

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。For example, the terminal 519B and the flexible printed circuit board FPC1 can be electrically connected using the conductive material ACF1.

＜第１の導電膜、第２の導電膜＞
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。<First Conductive Film, Second Conductive Film>
For example, a material that can be used for wiring or the like can be used for the first conductive film or the second conductive film.

また、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。Alternatively, the first electrode 751 (i, j), a wiring, or the like can be used for the first conductive film.

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。Further, theconductive film 512B functioning as a source electrode or a drain electrode of a transistor which can be used for the switch SW1, a wiring, or the like can be used as the second conductive film.

＜表示素子７５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。<Display element 750 (i, j)>
For example, a display element capable of controlling reflection or transmission of light can be used for display element 750(i,j). For example, a structure in which a liquid crystal element and a polarizing plate are combined, or a shutter-type MEMS display element or the like can be used. Specifically, a reflective liquid crystal display element can be used for the display element 750(i, j). By using a reflective display element, power consumption of the display panel can be reduced.

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。For example, IPS (In-Plane-Switching) mode, TN (Twisted Nematic) mode, FFS (Fringe Field Switching) mode, ASM (Axially Symmetrically aligned Micro-cell) mode, OCB (Optically Compensated Birefringence) mode, FLC A liquid crystal element that can be driven using a driving method such as an AFLC (Anti-Ferroelectric Liquid Crystal) mode or an AFLC (Anti-Ferroelectric Liquid Crystal) mode can be used.

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。Further, for example, vertical alignment (VA) mode, specifically, MVA (Multi-Domain Vertical Alignment) mode, PVA (Patterned Vertical Alignment) mode, ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, CPA (Continuous Pinwheel Alignment) mode, AS A liquid crystal element that can be driven by a driving method such as an (advanced super-view) mode can be used.

表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２の電極７５２と、液晶材料を含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５２の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層７５３の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。The display element 750(i,j) has a first electrode 751(i,j), asecond electrode 752, and alayer 753 containing a liquid crystal material. Alayer 753 containing liquid crystal material contains liquid crystal material whose orientation can be controlled using a voltage between the first electrode 751 (i,j) and thesecond electrode 752 . For example, an electric field in a thickness direction (also referred to as a vertical direction) of thelayer 753 containing a liquid crystal material and a direction crossing the vertical direction (also referred to as a horizontal direction or an oblique direction) can be used as an electric field for controlling the alignment of the liquid crystal material. can.

＜液晶材料を含む層７５３＞
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。<Layer 753 containing liquid crystal material>
For example, thermotropic liquid crystals, low-molecular-weight liquid crystals, polymer liquid crystals, polymer-dispersed liquid crystals, ferroelectric liquid crystals, anti-ferroelectric liquid crystals, and the like can be used for the layer containing the liquid crystal material. Alternatively, a liquid crystal material exhibiting a cholesteric phase, a smectic phase, a cubic phase, a chiral nematic phase, an isotropic phase, or the like can be used. Alternatively, a liquid crystal material exhibiting a blue phase can be used.

＜第１の電極７５１（ｉ，ｊ）＞
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、光反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、光透過性を備える導電膜と、開口部を備える光反射膜と、を積層した材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。<First electrode 751 (i, j)>
For example, a material used for wiring or the like can be used for the first electrodes 751(i,j). Specifically, a light reflecting film can be used for the first electrodes 751(i, j). For example, a material in which a light-transmitting conductive film and a light-reflecting film having openings are stacked can be used for the first electrode 751(i, j).

＜光反射膜＞
例えば、可視光を反射する材料を光反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を光反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を光反射膜に用いることができる。<Light reflecting film>
For example, a material that reflects visible light can be used for the light reflecting film. Specifically, a material containing silver can be used for the light reflecting film. For example, a material containing silver and palladium or the like or a material containing silver and copper can be used for the light reflecting film.

光反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、光反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。The light reflecting film reflects light transmitted through thelayer 753 containing liquid crystal material, for example. Thus, the display element 750(i, j) can be a reflective liquid crystal element. Further, for example, a material having an uneven surface can be used for the light reflecting film. As a result, incident light can be reflected in various directions to display white.

例えば、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）等を光反射膜に用いることができる。For example, the first conductive film, the first electrode 751(i, j), or the like can be used as the light reflecting film.

例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える膜を、光反射膜に用いることができる。または、液晶材料を含む層７５３との間に光透過性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える膜を、光反射膜を用いることができる。For example, a film including a region sandwiched between thelayer 753 containing a liquid crystal material and the first electrode 751(i,j) can be used as the light-reflecting film. Alternatively, a film including a region between thelayer 753 containing a liquid crystal material and the light-transmitting first electrode 751 (i, j) can be used as a light-reflecting film.

光反射膜は、例えば表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域が形成される形状を備える。The light reflecting film has a shape in which a region that does not block the light emitted by the display element 550(i, j) is formed, for example.

例えば、単数または複数の開口部を備える形状を光反射膜に用いることができる。For example, a shape with single or multiple openings can be used for the light reflecting film.

多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈに用いることができる。Shapes such as polygons, squares, ovals, circles or crosses can be used for the openings. In addition, elongated stripes, slits, and checkered patterns can be used for theopenings 751H.

非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。If the ratio of the total area of theopenings 751H to the total area of the non-openings is too large, the display using the display element 750(i,j) will be dark.

また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を損なう場合がある。Also, if the ratio of the total area of theopenings 751H to the total area of the non-openings is too small, the display using the display element 550(i,j) will be dark. Alternatively, the reliability of the display element 550(i,j) may be impaired.

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２９（Ａ）参照）。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に延びる直線上に配設されない（図２９（Ｂ）参照）。For example, theopening 751H of the pixel 702(i,j+1) adjacent to the pixel 702(i,j) is in the row direction (the direction indicated by the arrow R1 in the figure) passing through theopening 751H of the pixel 702(i,j). is not arranged on a straight line extending in the direction of the arrow (see FIG. 29(A)). Alternatively, for example, theopening 751H of the pixel 702(i+1,j) adjacent to the pixel 702(i,j) is the column direction (indicated by the arrow C1 in the figure) passing through theopening 751H of the pixel 702(i,j). 29(B)).

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、行方向に延びる直線上に配設される（図２９（Ａ）参照）。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。For example, theopening 751H of the pixel 702(i, j+2) is arranged on a straight line extending in the row direction passing through theopening 751H of the pixel 702(i, j) (see FIG. 29A). In addition, theopening 751H of the pixel 702(i, j+1) is arranged on a straight line orthogonal to the straight line between theopening 751H of the pixel 702(i, j) and theopening 751H of the pixel 702(i, j+2). is set.

または、例えば、画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈを通る、列方向に延びる直線上に配設される（図２９（Ｂ）参照）。また、例えば、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）の開口部７５１Ｈは、画素７０２（ｉ，ｊ）の開口部７５１Ｈおよび画素７０２（ｉ＋２，ｊ）の開口部７５１Ｈの間において当該直線と直交する直線上に配設される。Alternatively, for example, theopening 751H of the pixel 702(i+2,j) is arranged on a straight line extending in the column direction passing through theopening 751H of the pixel 702(i,j) (see FIG. 29B). . Also, for example, theopening 751H of the pixel 702(i+1,j) is located on a straight line perpendicular to the straight line between theopening 751H of the pixel 702(i,j) and theopening 751H of the pixel 702(i+2,j). is placed in

なお、例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域７５１Ｅが形成されるように、端部が切除されたような形状を備える材料を、光反射膜に用いることができる（図２９（Ｃ）参照）。具体的には、列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）が短くなるように端部が切除された第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を光反射膜に用いることができる。Note that, for example, a material having a shape in which the ends are cut off so as to form aregion 751E that does not block the light emitted by the display element 550(i,j) can be used for the light reflecting film. (See FIG. 29(C)). Specifically, the first electrodes 751 (i, j) whose ends are cut so as to be shorter in the column direction (the direction indicated by arrow C1 in the figure) can be used as the light reflecting film.

＜第２の電極７５２＞
例えば、導電性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。可視光について光透過性を備える材料を、第２の電極７５２に用いることができる。<Second electrode 752>
For example, a conductive material can be used for thesecond electrode 752 . A material that is optically transparent to visible light can be used for thesecond electrode 752 .

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。For example, a conductive oxide, a metal film thin enough to transmit light, or a metal nanowire can be used for thesecond electrode 752 .

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５２に用いることができる。Specifically, a conductive oxide containing indium can be used for thesecond electrode 752 . Alternatively, a metal thin film with a thickness of 1 nm or more and 10 nm or less can be used for thesecond electrode 752 . Alternatively, metal nanowires containing silver can be used for thesecond electrode 752 .

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５２に用いることができる。Specifically, indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, gallium-added zinc oxide, aluminum-added zinc oxide, or the like can be used for thesecond electrode 752 .

＜配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２＞
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。<Alignment Film AF1, Alignment Film AF2>
For example, a material containing polyimide or the like can be used for the alignment film AF1 or the alignment film AF2. Specifically, a material formed by using a rubbing treatment or a photo-alignment technique can be used so that the liquid crystal material is aligned in a predetermined direction.

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。For example, a film containing soluble polyimide can be used as the alignment film AF1 or the alignment film AF2. Thereby, the temperature required for forming the alignment film AF1 or the alignment film AF2 can be lowered. As a result, it is possible to reduce damage to other components when forming the alignment film AF1 or the alignment film AF2.

＜着色膜ＣＦ１、着色膜ＣＦ２＞
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜ＣＦ１または着色膜ＣＦ２に用いることができる。<Colored film CF1, colored film CF2>
A material that transmits light of a predetermined color can be used for the colored film CF1 or the colored film CF2. Accordingly, the colored film CF1 or the colored film CF2 can be used as a color filter, for example. For example, a material that transmits blue, green, or red light can be used for the colored film CF1 or the colored film CF2. Also, a material that transmits yellow light, white light, or the like can be used for the colored film CF1 or the colored film CF2.

なお、照射された光を所定の色の光に変換する機能を備える材料を着色膜ＣＦ２に用いることができる。具体的には、量子ドットを着色膜ＣＦ２に用いることができる。これにより、色純度の高い表示をすることができる。A material having a function of converting irradiated light into light of a predetermined color can be used for the colored film CF2. Specifically, quantum dots can be used for the colored film CF2. This enables display with high color purity.

＜遮光膜ＢＭ＞
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。<Light shielding film BM>
A material that blocks the transmission of light can be used for the light shielding film BM. Thereby, the light shielding film BM can be used as a black matrix, for example.

＜絶縁膜７７１＞
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。<Insulatingfilm 771>
For example, polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or the like can be used for the insulatingfilm 771 .

＜機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ＞
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。<Functional Film 770P,Functional Film 770D>
For example, an antireflection film, a polarizing film, a retardation film, a light diffusion film, a light collecting film, or the like can be used for thefunctional film 770P or thefunctional film 770D.

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。Specifically, a film containing a dichroic dye can be used for thefunctional film 770P or thefunctional film 770D. Alternatively, a material having a columnar structure with an axis extending in a direction intersecting the surface of the substrate can be used for thefunctional film 770P or 770D. As a result, light can be easily transmitted in the direction along the axis and easily scattered in other directions.

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。In addition, an antistatic film that suppresses adhesion of dust, a water-repellent film that prevents adhesion of dirt, a hard coat film that suppresses scratches due to use, and the like can be used for thefunctional film 770P.

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。Specifically, a circularly polarizing film can be used for thefunctional film 770P. Also, a light diffusion film can be used for thefunctional film 770D.

＜表示素子５５０（ｉ，ｊ）＞
例えば、発光素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。<Display element 550 (i, j)>
For example, a light-emitting element can be used for the display element 550(i,j). Specifically, an organic electroluminescence element, an inorganic electroluminescence element, a light-emitting diode, or the like can be used for the display element 550(i, j).

例えば、発光性の有機化合物を発光層５５３（ｊ）に用いることができる。For example, a light-emitting organic compound can be used for the light-emitting layer 553(j).

例えば、量子ドットを発光層５５３（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。For example, quantum dots can be used in emissive layer 553(j). This makes it possible to emit brightly colored light with a narrow half width.

例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。For example, a laminated material laminated to emit blue light, a laminated material laminated to emit green light, a laminated material laminated to emit red light, or the like is used as the light emitting layer 553 ( j).

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。For example, a strip-shaped lamination material long in the column direction along the signal line S2(j) can be used for the light emitting layer 553(j).

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光層５５３（ｊ）に用いることができる。Further, for example, a laminated material that is laminated so as to emit white light can be used for the light-emitting layer 553(j). Specifically, a light-emitting layer containing a fluorescent material that emits blue light, a layer containing a material other than a fluorescent material that emits green and red light, or a layer containing a material other than a fluorescent material that emits yellow light and can be used for the light-emitting layer 553(j).

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。For example, a material that can be used for wiring or the like can be used for the third electrode 551 (i, j).

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について光透過性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。For example, a material that transmits visible light, which is selected from materials that can be used for wiring or the like, can be used for the third electrode 551 (i, j).

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。Specifically, a conductive oxide or a conductive oxide containing indium, indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, gallium-added zinc oxide, or the like is used as the third electrode 551 (i , j). Alternatively, a metal film thin enough to transmit light can be used for the third electrode 551(i,j). Alternatively, a metal film that transmits part of the light and reflects the other part of the light can be used for the third electrode 551(i,j). This allows a microresonator structure to be provided in the display element 550(i,j). As a result, light with a predetermined wavelength can be extracted more efficiently than other light.

例えば、配線等に用いることができる材料を第４の電極５５２に用いることができる。具体的には、光反射性の材料、換言すれば可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。For example, a material that can be used for wiring or the like can be used for thefourth electrode 552 . Specifically, a light-reflective material, in other words, a material that reflects visible light can be used for thefourth electrode 552 .

＜駆動回路ＧＤ＞
例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図２５（Ｂ）参照）。<Drive circuit GD>
For example, a configuration different from that of the transistor that can be used for the switch SW1 can be used for the transistor MD. Specifically, a transistor including theconductive film 524 can be used as the transistor MD (see FIG. 25B).

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。Note that the same structure as the transistor M can be used for the transistor MD.

表示パネル７００＿３の構造（図２５（Ａ）、図２６（Ａ）参照）は、表示パネル７００の構造（図４（Ａ）、図５参照）に比べて、表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する分、工程に要するマスク枚数が増える。実施の形態１乃至実施の形態３に示すような構造を表示パネルに有することで、微小光共振器を形成しても工程を増えることはなく、製造コストの低減に有効である。The structure of the display panel 700_3 (see FIGS. 25A and 26A) has more display elements 750 (i, j) than the structure of the display panel 700 (see FIGS. 4A and 5). The number of masks required for the process increases accordingly. By providing the display panel with the structure described inEmbodiments 1 to 3, the number of steps is not increased even when the micro optical resonator is formed, which is effective in reducing the manufacturing cost.

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図３０乃至図３２を参照しながら説明する。(Embodiment 9)
In this embodiment, a structure of an information processing device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図３０（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図３０（Ｂ）および図３０（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図である。FIG. 30A is a block diagram illustrating the structure of an information processing device of one embodiment of the present invention. 30B and 30C are projection diagrams illustrating an example of the appearance of theinformation processing apparatus 200. FIG.

図３１は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図３１（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図３１（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。FIG. 31 is a flowchart describing a program in one aspect of the invention. FIG. 31A is a flowchart illustrating main processing of a program of one embodiment of the present invention, and FIG. 31B is a flowchart illustrating interrupt processing.

図３２は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図３２（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートであり、図３２（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。FIG. 32 is a diagram explaining a program of one embodiment of the present invention. FIG. 32A is a flowchart illustrating interrupt processing of a program of one embodiment of the present invention, and FIG. 32B is a timing chart illustrating operation of an information processing device of one embodiment of the present invention.

＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図３０（Ａ）参照）。入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図３０（Ｂ）または図３０（Ｃ）参照）。<Configuration Example 1 of Information Processing Device>
Theinformation processing device 200 described in this embodiment includes an input/output device 220 and an arithmetic device 210 (see FIG. 30A). The input/output device is electrically connected to thearithmetic device 210 . Theinformation processing device 200 can also include a housing (see FIG. 30B or 30C).

入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図３０（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。The input/output device 220 includes adisplay section 230 and an input section 240 (see FIG. 30A). The input/output device 220 has adetection unit 250 . Also, the input/output device 220 can include acommunication unit 290 .

入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報Ｐ１または検知情報ＳＥ１を供給する機能を備える。The input/output device 220 has a function of receiving image information V1 or control information SS, and a function of supplying position information P1 or detection information SE1.

演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報ＳＥ１を供給される機能を備える。演算装置２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ１または検知情報ＳＥ１に基づいて動作する機能を備える。Thecomputing device 210 has a function to be supplied with the position information P1 or the sensing information SE1. Thecomputing device 210 has the function of supplying the image information V1. Thecomputing device 210 has a function of operating based on, for example, the position information P1 or the sensing information SE1.

なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。Note that the housing has a function of housing the input/output device 220 or thearithmetic device 210 . Alternatively, the housing has a function of supporting thedisplay unit 230 or thecomputing device 210 .

表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。Thedisplay unit 230 has a function of displaying an image based on the image information V1. Thedisplay unit 230 has a function of displaying an image based on the control information SS.

入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。Theinput unit 240 has a function of supplying position information P1.

検知部２５０は検知情報ＳＥ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。Thedetection unit 250 has a function of supplying detection information SE1. Thedetection unit 250 has, for example, a function of detecting the illuminance of the environment in which theinformation processing device 200 is used, and a function of supplying illuminance information.

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。Accordingly, the information processing device can operate while grasping the intensity of light received by the housing of the information processing device in the environment in which the information processing device is used. Alternatively, the user of the information processing device can select the display method. As a result, it is possible to provide a novel information processing apparatus that is highly convenient or reliable.

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。The individual elements constituting the information processing apparatus will be described below. Note that these configurations cannot be clearly separated, and one configuration may serve as another configuration or include a part of another configuration. For example, a touch panel in which a touch sensor is superimposed on a display panel serves as both a display section and an input section.

＜構成例＞
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体または演算装置２１０を有する。<Configuration example>
Aninformation processing device 200 of one embodiment of the present invention has a housing or acomputing device 210 .

演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェース２１５を備える。Thecomputing device 210 includes acomputing section 211 , astorage section 212 , atransmission path 214 and an input/output interface 215 .

また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。The information processing device of one embodiment of the present invention also includes an input/output device 220 .

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を備える。The input/output device 220 includes adisplay section 230 , aninput section 240 , adetection section 250 and acommunication section 290 .

＜情報処理装置＞
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。<Information processing device>
An information processing device according to one embodiment of the present invention includesarithmetic device 210 or input/output device 220 .

＜演算装置２１０＞
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。<Arithmetic device 210>
Thecomputing device 210 includes acomputing section 211 and astorage section 212 . It also has atransmission line 214 and an input/output interface 215 .

＜演算部２１１＞
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。<Calculation unit 211>
Thecomputing unit 211 has, for example, a function of executing a program.

＜記憶部２１２＞
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。<Storage unit 212>
Thestorage unit 212 has a function of storing, for example, programs executed by thecalculation unit 211, initial information, setting information, images, and the like.

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。Specifically, a hard disk, a flash memory, a memory including a transistor including an oxide semiconductor, or the like can be used.

＜入出力インターフェース２１５、伝送路２１４＞
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。<Input/output interface 215,transmission line 214>
The input/output interface 215 has terminals or wires and has the function of supplying information and being supplied with information. For example, it can be electrically connected to thetransmission line 214 . Also, it can be electrically connected to the input/output device 220 .

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１または記憶部２１２と電気的に接続することができる。Thetransmission line 214 has wiring and functions to supply information and to be supplied with information. For example, it can be electrically connected to the input/output interface 215 . Further, it can be electrically connected to thecalculation unit 211 or thestorage unit 212 .

＜入出力装置２２０＞
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。例えば、実施の形態６において説明する入出力装置を用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。<Input/output device 220>
The input/output device 220 includes adisplay section 230 , aninput section 240 , adetection section 250 or acommunication section 290 . For example, the input/output device described in Embodiment 6 can be used. Thereby, power consumption can be reduced.

＜表示部２３０＞
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図１７参照）。例えば、実施の形態５で説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。<Display unit 230>
Thedisplay unit 230 has acontrol unit 238, a drive circuit GD, a drive circuit SD, and a display panel 700 (see FIG. 17). For example, the display device described in Embodiment 5 can be used for thedisplay portion 230 .

＜入力部２４０＞
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図３０参照）。<Input unit 240>
Various human interfaces and the like can be used for the input section 240 (see FIG. 30).

例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。For example, a keyboard, mouse, touch sensor, microphone, camera, or the like can be used for theinput unit 240 . Note that a touch sensor including a region overlapping thedisplay portion 230 can be used. An input/output device that includes thedisplay unit 230 and a touch sensor that includes an area that overlaps thedisplay unit 230 can be referred to as a touch panel or a touch screen.

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。For example, the user can make various gestures (tap, drag, swipe, pinch-in, etc.) using the finger touching the touch panel as a pointer.

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。For example, thearithmetic device 210 can analyze information such as the position or trajectory of a finger touching the touch panel, and assume that a specific gesture has been supplied when the analysis result satisfies a predetermined condition. Thereby, the user can use the gesture to supply a predetermined operation instruction associated in advance with the predetermined gesture.

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。For example, the user can supply a "scroll command" for changing the display position of image information by using a gesture of moving a finger in contact with the touch panel along the touch panel.

＜検知部２５０＞
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。<Detector 250>
Thedetection unit 250 has a function of detecting a surrounding state and supplying detection information. Specifically, illuminance information, attitude information, pressure information, position information, and the like can be supplied.

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。For example, a photodetector, an orientation detector, an acceleration sensor, an orientation sensor, a GPS (Global Positioning System) signal receiving circuit, a pressure sensor, a temperature sensor, a humidity sensor, a camera, or the like can be used for thedetection unit 250 .

＜通信部２９０＞
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。<Communication unit 290>
Thecommunication unit 290 has a function of supplying information to the network and acquiring information from the network.

＜プログラム＞
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図３１（Ａ）参照）。<Program>
A program of one embodiment of the present invention has the following steps (see FIG. 31(A)).

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図３１（Ａ）（Ｓ１）参照）。[First step]
In the first step, settings are initialized (see FIG. 31(A) (S1)).

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。For example, it acquires from thestorage unit 212 the predetermined image information to be displayed at startup, the predetermined mode for displaying the image information, and the information specifying the predetermined display method for displaying the image information. Specifically, one piece of still image information or other moving image information can be used as predetermined image information. Also, the first mode or the second mode can be used for a given mode.

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図３１（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。[Second step]
In the second step, interrupt processing is permitted (see FIG. 31(A) (S2)). Note that an arithmetic device permitted to perform interrupt processing can perform interrupt processing in parallel with the main processing. An arithmetic device that has returned to the main process from the interrupt process can reflect the result obtained by the interrupt process in the main process.

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。Note that when the value of the counter is the initial value, the arithmetic unit may be caused to perform interrupt processing, and when returning from the interrupt processing, the counter may be set to a value other than the initial value. As a result, interrupt processing can always be performed after the program is started.

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図３１（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは画像情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１または情報Ｖ１２を表示する情報に用いることができる。[Third step]
In the third step, the image information is displayed using the predetermined mode or display method selected in the first step or interrupt process (see FIG. 31(A) (S3)). The predetermined mode specifies the mode for displaying the image information, and the predetermined display method specifies the method for displaying the image information. Further, for example, it can be used for information for displaying the image information V1 or the information V12.

例えば、画像情報Ｖ１を表示するーの方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。For example, the method of displaying the image information V1 can be associated with the first mode. Alternatively, other methods of displaying image information V1 can be associated with the second mode. Thereby, the display method can be selected based on the selected mode.

＜第１のモード＞
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。<First Mode>
Specifically, a method of supplying a selection signal to one scanning line at a frequency of 30 Hz or more, preferably 60 Hz or more, and displaying based on the selection signal can be associated with the first mode.

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。For example, if the selection signal is supplied at a frequency of 30 Hz or more, preferably 60 Hz or more, the movement of moving images can be displayed smoothly.

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。For example, if the image is updated at a frequency of 30 Hz or more, preferably 60 Hz or more, an image that smoothly follows the user's operation can be displayed on theinformation processing device 200 being operated by the user.

＜第２のモード＞
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。<Second mode>
Specifically, a selection signal is supplied to one scanning line at a frequency of less than 30 Hz, preferably less than 1 Hz, more preferably less than once per minute, and a method of displaying based on the selection signal is referred to as a second mode. can be associated with

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。Providing a selection signal at a frequency of less than 30 Hz, preferably less than 1 Hz, and more preferably less than once per minute can provide a flicker or flicker suppressed display. Moreover, power consumption can be reduced.

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。For example, when theinformation processing device 200 is used as a clock, the display can be updated once per second or once per minute.

ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。By the way, for example, when a light-emitting element is used as a display element, image information can be displayed by causing the light-emitting element to emit light in pulses. Specifically, the organic EL element can be caused to emit light in a pulsed manner, and the afterglow can be used for display. Since the organic EL element has excellent frequency characteristics, it may be possible to shorten the time for driving the light emitting element and reduce power consumption. Alternatively, since heat generation is suppressed, deterioration of the light-emitting element can be reduced in some cases.

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図３１（Ａ）（Ｓ４）参照）。[Fourth step]
In the fourth step, if the end command is supplied, proceed to the fifth step, and if the end command is not supplied, select to proceed to the third step (see FIG. 31(A) (S4)). ).

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。For example, an end instruction supplied in interrupt processing may be used for determination.

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図３１（Ａ）（Ｓ５）参照）。[Fifth step]
In the fifth step, the process ends (see FIG. 31(A) (S5)).

＜割り込み処理＞
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図３１（Ｂ）参照）。<Interrupt processing>
The interrupt processing includes the following sixth to eighth steps (see FIG. 31(B)).

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図３１（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。[Sixth step]
In the sixth step, for example, thedetector 250 is used to detect the illuminance of the environment in which theinformation processing device 200 is used (see FIG. 31(B) (S6)). Note that the color temperature or chromaticity of ambient light may be detected instead of the illuminance of the environment.

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図３１（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。[Seventh step]
In the seventh step, a display method is determined based on the detected illuminance information (see FIG. 31(B) (S7)). For example, determine the brightness of the display so that it is neither too dark nor too bright.

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。Note that if the color temperature of the ambient light or the chromaticity of the ambient light is detected in the sixth step, the color tone of the display may be adjusted.

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図３１（Ｂ）（Ｓ８）参照）。[Eighth step]
In the eighth step, the interrupt processing is terminated (see FIG. 31(B) (S8)).

＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図３２を参照しながら説明する。<Configuration Example 2 of Information Processing Device>
Another structure of the information processing device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図３２（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図３２（Ａ）は、図３１（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。FIG. 32A is a flowchart explaining a program of one embodiment of the present invention. FIG. 32(A) is a flowchart for explaining interrupt processing different from the interrupt processing shown in FIG. 31(B).

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図３１（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。Note that configuration example 3 of the information processing apparatus differs from the interrupt processing described with reference to FIG. . Here, different parts will be described in detail, and the above description will be used for parts that can use the same configuration.

＜割り込み処理＞
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図３２（Ａ）参照）。<Interrupt processing>
Interrupt processing includes the following sixth to eighth steps (see FIG. 32(A)).

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図３２（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。[Sixth step]
If the predetermined event is supplied in the sixth step, proceed to the seventh step, and if the predetermined event is not supplied, proceed to the eighth step (see FIG. 32(A) (U6)). ). For example, whether or not a predetermined event is supplied in a predetermined period can be used as a condition. Specifically, the predetermined period can be 5 seconds or less, 1 second or less, or 0.5 seconds or less, preferably 0.1 seconds or less and longer than 0 seconds.

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図３２（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。[Seventh step]
In the seventh step, the mode is changed (see FIG. 32(A) (U7)). Specifically, if the first mode has been selected, the second mode is selected, and if the second mode has been selected, the first mode is selected.

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ、駆動回路ＧＤＣおよび駆動回路ＧＤＤを備える表示部２３０の駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図３２（Ｂ）参照）。For example, the display mode can be changed for a partial area of thedisplay unit 230 . Specifically, the display mode can be changed for the region to which the selection signal is supplied by the drive circuit GDB of thedisplay unit 230 including the drive circuit GDA, the drive circuit GDB, the drive circuit GDC, and the drive circuit GDD (see FIG. 32 ( B)).

例えば、所定のイベントが、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の入力部２４０に供給された場合に、当該領域の表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。これにより、例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＣおよび駆動回路ＧＤＤを動作することなく更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。For example, when a predetermined event is supplied to theinput section 240 of the area to which the drive circuit GDB supplies the selection signal, the display mode of the area can be changed. Specifically, the frequency of selection signals supplied by the drive circuit GDB can be changed. Thereby, for example, the display of the area to which the drive circuit GDB supplies the selection signal can be updated without operating the drive circuit GDA, the drive circuit GDC, and the drive circuit GDD. Alternatively, power consumed by the driver circuit can be suppressed.

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図３２（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。[Eighth step]
In the eighth step, the interrupt processing ends (see FIG. 32(A) (U8)). Note that the interrupt process may be repeatedly executed while the main process is being executed.

＜所定のイベント＞
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。<predetermined event>
For example, events such as "click" or "drag" supplied using a pointing device such as a mouse, or events such as "tap", "drag" or "swipe" supplied to a touch panel using a finger or the like as a pointer can be used.

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。Also, for example, the position of the slide bar indicated by the pointer, the speed of swiping, the speed of dragging, etc. can be used to give arguments of commands associated with predetermined events.

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。For example, the information detected by thedetection unit 250 can be compared with a preset threshold, and the comparison result can be used for the event.

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。Specifically, a pressure-sensitive detector or the like that contacts a button or the like arranged so as to be pushed into the housing can be used as thedetection unit 250 .

＜所定のイベントに関連付ける命令＞
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。<Instruction Associated with Predetermined Event>
For example, a termination instruction can be associated with a particular event.

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。For example, it is possible to associate a "page-turning command" for switching the display from one piece of displayed image information to another image information with a predetermined event. Arguments that determine the page-turning speed used when executing the "page-turning command" can be given using a predetermined event.

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示位置を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。For example, it is possible to associate a predetermined event with a "scroll command" for moving the display position of a displayed portion of one piece of image information to display another portion following the portion. Arguments that determine the speed of moving the display position used when executing the "scroll command" can be given using a predetermined event.

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。For example, an instruction to set a display method or an instruction to generate image information can be associated with a given event. An argument that determines the brightness of the image to be generated can be associated with a predetermined event. Also, the argument for determining the brightness of the image to be generated may be determined based on the brightness of the environment detected by thedetection unit 250 .

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。For example, an instruction to acquire information distributed using a push-type service using thecommunication unit 290 can be associated with a predetermined event.

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、ユーザーが特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図３０（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。It should be noted that whether or not a person is qualified to acquire information may be determined using position information detected by thedetection unit 250 . Specifically, it may be determined that a user is eligible to obtain information if he or she is within or in a particular classroom, school, conference room, business, building, or the like. Thereby, for example, teaching materials distributed in a classroom at a school or university can be received and theinformation processing apparatus 200 can be used as a textbook (see FIG. 30C). Alternatively, it is possible to receive materials distributed in a conference room of a company or the like and use them as conference materials.

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図３３および図３４を参照しながら説明する。(Embodiment 10)
In this embodiment, a structure of an information processing device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図３３および図３４は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図３３（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図３３（Ｂ）乃至図３３（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図３４（Ａ）乃至図３４（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。33 and 34 are diagrams illustrating the configuration of an information processing device according to one embodiment of the present invention. FIG. 33A is a block diagram of an information processing device, and FIGS. 33B to 33E are perspective views illustrating the configuration of the information processing device. 34A to 34E are perspective views for explaining the configuration of the information processing apparatus.

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図３３（Ａ）参照）。<Information processing device>
Aninformation processing device 5200B described in this embodiment includes anarithmetic device 5210 and an input/output device 5220 (see FIG. 33A).

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。Thecomputing device 5210 has a function of being supplied with operation information and a function of supplying image information based on the operation information.

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。The input/output device 5220 includes adisplay unit 5230, aninput unit 5240, adetection unit 5250, acommunication unit 5290, a function of supplying operation information, and a function of receiving image information. Also, the input/output device 5220 has a function of supplying detection information, a function of supplying communication information, and a function of being supplied with communication information.

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。Theinput unit 5240 has a function of supplying operation information. For example, theinput unit 5240 supplies operation information based on the user's operation of theinformation processing device 5200B.

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。Specifically, a keyboard, hardware buttons, pointing device, touch sensor, voice input device, line-of-sight input device, or the like can be used for theinput unit 5240 .

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。Adisplay portion 5230 has a display panel and a function of displaying image information. For example, the display panel described inEmbodiment 1 can be used for thedisplay portion 5230 .

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。Thedetection unit 5250 has a function of supplying detection information. For example, it has a function of detecting the surrounding environment where the information processing device is used and supplying it as detection information.

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。Specifically, an illuminance sensor, an imaging device, a posture detection device, a pressure sensor, a motion sensor, or the like can be used for thedetection portion 5250 .

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。Thecommunication unit 5290 has a function of receiving and supplying communication information. For example, it has a function of connecting to other electronic equipment or a communication network through wireless communication or wired communication. Specifically, it has functions such as wireless local communication, telephone communication, and short-range wireless communication.

＜情報処理装置の構成例１＞
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図３３（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。<Configuration Example 1 of Information Processing Device>
For example, an outer shape along a cylindrical column or the like can be applied to the display portion 5230 (see FIG. 33B). It also has a function to change the display method according to the illuminance of the usage environment. It also has a function to detect the presence of people and change the display content. This allows it to be installed, for example, on a building pillar. Alternatively, advertisements, guidance, or the like can be displayed. Alternatively, it can be used for digital signage or the like.

＜情報処理装置の構成例２＞
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図３３（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。<Configuration Example 2 of Information Processing Device>
For example, it has a function of generating image information based on the trajectory of the pointer used by the user (see FIG. 33(C)). Specifically, a display panel with a diagonal length of 20 inches or more, preferably 40 inches or more, more preferably 55 inches or more can be used. Alternatively, a plurality of display panels can be arranged and used as one display area. Alternatively, a plurality of display panels can be arranged and used for a multi-screen. As a result, it can be used for electronic blackboards, electronic bulletin boards, electronic signboards, and the like.

＜情報処理装置の構成例３＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３３（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。<Configuration Example 3 of Information Processing Device>
For example, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment (see FIG. 33(D)). Thereby, for example, the power consumption of the smartwatch can be reduced. Alternatively, for example, the image can be displayed on the smart watch so that it can be suitably used even in an environment with strong external light, such as outdoors on a sunny day.

＜情報処理装置の構成例４＞
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図３３（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。<Configuration Example 4 of Information Processing Device>
Thedisplay portion 5230 has, for example, a curved surface gently curved along the side surface of the housing (see FIG. 33E). Alternatively, thedisplay unit 5230 includes a display panel, and the display panel has a function of displaying on the front, side, and top, for example. Thereby, for example, image information can be displayed not only on the front of the mobile phone, but also on the sides and top.

＜情報処理装置の構成例５＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。<Configuration Example 5 of Information Processing Device>
For example, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment (see FIG. 34A). As a result, power consumption of the smartphone can be reduced. Alternatively, for example, the image can be displayed on the smartphone so that it can be suitably used even in an environment with strong external light, such as outdoors on a sunny day.

＜情報処理装置の構成例６＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。<Configuration Example 6 of Information Processing Device>
For example, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment (see FIG. 34B). As a result, images can be displayed on the television system so that it can be suitably used even when the strong external light that shines indoors on a sunny day strikes.

＜情報処理装置の構成例７＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。<Configuration Example 7 of Information Processing Device>
For example, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment (see FIG. 34(C)). As a result, images can be displayed on the tablet computer so that the tablet computer can be suitably used even in an environment with strong external light, such as outdoors on a sunny day.

＜情報処理装置の構成例８＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。<Configuration Example 8 of Information Processing Device>
For example, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment (see FIG. 34(D)). As a result, the subject can be displayed on the digital camera so that it can be conveniently viewed even in an environment with strong external light, such as outdoors on a sunny day.

＜情報処理装置の構成例９＞
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図３４（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。<Configuration Example 9 of Information Processing Device>
For example, it has a function of changing the display method according to the illuminance of the usage environment (see FIG. 34(E)). As a result, images can be displayed on a personal computer so that it can be suitably used even in an environment with strong external light, such as outdoors on a sunny day.

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments described in this specification as appropriate.

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。For example, in this specification and the like, when it is explicitly described that X and Y are connected, X and Y function This specification and the like disclose the case where X and Y are directly connected and the case where X and Y are directly connected. Therefore, it is assumed that the connection relationships other than the connection relationships shown in the drawings or the text are not limited to the predetermined connection relationships, for example, the connection relationships shown in the drawings or the text.

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。Here, X and Y are objects (for example, devices, elements, circuits, wiring, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.).

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。An example of a case where X and Y are directly connected is an element (for example, switch, transistor, capacitive element, inductor, resistive element, diode, display element) that enables electrical connection between X and Y. element, light-emitting element, load, etc.) is not connected between X and Y, and an element that enables electrical connection between X and Y (e.g., switch, transistor, capacitive element, inductor , resistance element, diode, display element, light emitting element, load, etc.).

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。An example of the case where X and Y are electrically connected is an element that enables electrical connection between X and Y (for example, switch, transistor, capacitive element, inductor, resistive element, diode, display elements, light emitting elements, loads, etc.) can be connected between X and Y. Note that the switch has a function of being controlled to be turned on and off. In other words, the switch has a function of controlling whether it is in a conducting state (on state) or a non-conducting state (off state) to allow current to flow. Alternatively, the switch has a function of selecting and switching a path through which current flows. Note that the case where X and Y are electrically connected includes the case where X and Y are directly connected.

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。As an example of the case where X and Y are functionally connected, a circuit that enables functional connection between X and Y (eg, a logic circuit (inverter, NAND circuit, NOR circuit, etc.), a signal conversion Circuits (DA conversion circuit, AD conversion circuit, gamma correction circuit, etc.), potential level conversion circuit (power supply circuit (booster circuit, step-down circuit, etc.), level shifter circuit that changes the potential level of a signal, etc.), voltage source, current source, switching Circuits, amplifier circuits (circuits that can increase signal amplitude or current amount, operational amplifiers, differential amplifier circuits, source follower circuits, buffer circuits, etc.), signal generation circuits, memory circuits, control circuits, etc.) One or more connections can be made between them. As an example, even if another circuit is interposed between X and Y, when a signal output from X is transmitted to Y, X and Y are considered to be functionally connected. do. Note that the case where X and Y are functionally connected includes the case where X and Y are directly connected and the case where X and Y are electrically connected.

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。In addition, when it is explicitly described that X and Y are electrically connected, it means that X and Y are electrically connected (that is, if X and Y are electrically connected and when X and Y are functionally connected (that is, when X and Y are functionally connected with another circuit interposed between them) ) and the case where X and Y are directly connected (that is, the case where X and Y are connected without another element or another circuit between them). shall be disclosed in a document, etc. In other words, when it is explicitly stated that it is electrically connected, the same content as when it is explicitly stated that it is simply connected is disclosed in this specification, etc. It shall be

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。Note that, for example, the source (or the first terminal, etc.) of the transistor is electrically connected to X through (or not through) Z1, and the drain (or the second terminal, etc.) of the transistor is connected to Z2. through (or not through) Y, or the source (or first terminal, etc.) of the transistor is directly connected to a part of Z1 and another part of Z1. is directly connected to X, the drain (or second terminal, etc.) of the transistor is directly connected to part of Z2, and another part of Z2 is directly connected to Y Then, it can be expressed as follows.

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。For example, "X and Y and the source (or first terminal, etc.) and drain (or second terminal, etc.) of the transistor are electrically connected together, and X, the source (or first terminal, etc.) of the transistor terminal, etc.), the drain of the transistor (or the second terminal, etc.), and are electrically connected in the order of Y.". Or, "the source (or first terminal, etc.) of the transistor is electrically connected to X, the drain (or second terminal, etc.) of the transistor is electrically connected to Y, and X is the source of the transistor ( or the first terminal, etc.), the drain of the transistor (or the second terminal, etc.), and Y are electrically connected in this order. Or, "X is electrically connected to Y through the source (or first terminal, etc.) and drain (or second terminal, etc.) of the transistor, and X is the source (or first terminal, etc.) of the transistor; terminal, etc.), the drain of the transistor (or the second terminal, etc.), and Y are provided in this connection order. Using the same expression method as these examples, the source (or the first terminal, etc.) and the drain (or the second terminal, etc.) of the transistor can be distinguished by defining the order of connection in the circuit configuration. Alternatively, the technical scope can be determined.

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。Alternatively, as another expression method, for example, "the source (or first terminal, etc.) of the transistor is electrically connected to X through at least a first connection path, and the first connection path is It does not have a second connection path, and the second connection path is between the source of the transistor (or the first terminal, etc.) and the drain of the transistor (or the second terminal, etc.) through the transistor. the first connection path is the path through Z1, and the drain (or second terminal, etc.) of the transistor is electrically connected to Y through at least the third connection path. are connected, the third connection path does not have the second connection path, and the third connection path is a path via Z2." or "the source (or first terminal, etc.) of a transistor is electrically connected to X, via Z1, by at least a first connection path, said first connection path being connected to a second connection path and the second connection path has a connection path through a transistor, and the drain (or second terminal, etc.) of the transistor is connected at least by a third connection path through Z2 , Y, and the third connection path does not have the second connection path.". or "the source (or first terminal, etc.) of a transistor is electrically connected to X, via Z1, by at least a first electrical path, said first electrical path being connected to a second having no electrical path, the second electrical path being an electrical path from the source of the transistor (or the first terminal, etc.) to the drain of the transistor (or the second terminal, etc.); The drain (or second terminal, etc.) of the transistor is electrically connected to Y via Z2 by at least a third electrical path, said third electrical path being a fourth electrical path. and the fourth electrical path is an electrical path from the drain (or second terminal, etc.) of the transistor to the source (or first terminal, etc.) of the transistor." can do. Using the same expression method as these examples, the source (or the first terminal, etc.) and the drain (or the second terminal, etc.) of the transistor can be distinguished by defining the connection path in the circuit configuration. , can determine the technical scope.

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。In addition, these expression methods are examples, and are not limited to these expression methods. Here, X, Y, Z1, and Z2 are objects (for example, devices, elements, circuits, wiring, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.).

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。Even if the circuit diagram shows independent components electrically connected to each other, if one component has the functions of multiple components There is also For example, when a part of the wiring also functions as an electrode, one conductive film has both the function of the wiring and the function of the electrode. Therefore, the term "electrically connected" in this specification includes cases where one conductive film functions as a plurality of constituent elements.

本実施例においては、本発明の一態様である表示パネル７００＿１（図２（Ｂ）参照）の有する、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）、の構成の微小光共振器構造の効果について評価した結果を示す。In this embodiment, the display element 550 (i, j), the display element 550 (i, j+1), and the display element 550 (i) included in the display panel 700_1 (see FIG. 2B) which is one embodiment of the present invention. , j+2).

表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を構成する要素として、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）としてインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を想定した。また導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）は、インジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜を想定した。As elements constituting the display element 550(i, j), the display element 550(i, j+1), and the display element 550(i, j+2), an oxidation film containing indium, tin, and silicon as the conductive film 551_1(i, j) A material conductive film was assumed. An oxide conductive film containing indium and zinc is assumed as the conductive film 551_2(i,j).

図３５に、光透過性基板上にインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜を膜厚１００ｎｍにて成膜し、得られた透過率より算出した屈折率特性Ｎ１を示す。また光透過性基板上にインジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜を膜厚１００ｎｍにて成膜し、得られた透過率より算出した屈折率特性Ｎ２を示す。図３５の横軸は光の波長（ｎｍ）であり、縦軸は屈折率である。光透過性基板として、石英基板を用いた。FIG. 35 shows refractive index characteristics N1 calculated from the obtained transmittance when an oxide conductive film containing indium, tin, and silicon is formed over a light-transmitting substrate to a thickness of 100 nm. Further, a refractive index characteristic N2 calculated from the obtained transmittance when an oxide conductive film containing indium and zinc was formed over a light-transmitting substrate to a thickness of 100 nm is shown. The horizontal axis of FIG. 35 is the wavelength (nm) of light, and the vertical axis is the refractive index. A quartz substrate was used as the light transmissive substrate.

インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜は、重量比にて、Ｉｎ_２Ｏ_３を８５％、ＳｎＯ_２を１０％、ＳｉＯ_２を５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて形成した。またインジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜は、組成にて、Ｉｎ_２Ｏ_３を２５％、ＺｎＯを７５％有するターゲットを用いて、アルゴンガスと酸素ガスを用いたスパッタ法にて形成した。An oxide conductive film containing indium, tin, and silicon is formed by using a target containing 85% In₂ O₃ , 10% SnO₂ , and 5% SiO₂ by weight, and argon gas and oxygen gas. It was formed by the sputtering method used. The oxide conductive film containing indium and zinc was formed by a sputtering method using an argon gas and an oxygen gas using a target containing 25% In₂ O₃ and 75% ZnO.

図３５に示されるように、屈折率特性Ｎ１、屈折率特性Ｎ２には、波長分散がある。As shown in FIG. 35, the refractive index characteristics N1 and the refractive index characteristics N2 have wavelength dispersion.

本実施例の計算で用いた微小光共振器構造の構成と、微小光共振器構造の効果について、構造ＭＳ１と、構造ＭＳ２との比較による説明を行う。The configuration of the optical microresonator structure used in the calculations of this embodiment and the effects of the optical microresonator structure will be described by comparing the structure MS1 and the structure MS2.

構造ＭＳ１は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を想定し（図２（Ｂ）参照）、膜厚１８８ｎｍの発光層５５３と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）として膜厚５０ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜と、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）として膜厚６２ｎｍのインジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜とが積層された構造である（図３６（Ａ）参照）。The structure MS1 assumes a display element 550 (i, j) and a display element 550 (i, j+2) (see FIG. 2B), and includes a light-emittinglayer 553 with a thickness of 188 nm and a conductive film 551_1 (i, j). and a 62-nm-thick oxide conductive film containing indium and zinc as the conductive film 551_2(i,j). (See FIG. 36(A)).

構造ＭＳ２は、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を想定し（図２（Ｂ）参照）、膜厚１８８ｎｍの膜厚の発光層５５３と、導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）として膜厚５０ｎｍのインジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜と、が積層された構造である（図３６（Ｂ）参照）。In the structure MS2, a display element 550 (i, j+1) is assumed (see FIG. 2B), and alight emitting layer 553 with a thickness of 188 nm and an indium conductive film 551_1 (i, j) with a thickness of 50 nm are used. and an oxide conductive film containing tin and silicon are stacked (see FIG. 36B).

電極５５２は膜厚２００ｎｍの銀からなる膜とした。導電膜５５１＿０（ｉ，ｊ）は、膜厚２５ｎｍの、銀を含む膜とした。屈折率は銀の物性値を用いた。その上に、導電層５５４として、膜厚７０ｎｍの、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜が積層された構造を想定した。屈折率は、図３５に示すとおりとした。また、その上に、絶縁膜５５５として、屈折率１．５の膜が積層された構造を想定した（図３６（Ａ）、（Ｂ）参照）。Theelectrode 552 was a film made of silver with a film thickness of 200 nm. The conductive film 551_0(i, j) was a 25-nm-thick film containing silver. The physical properties of silver were used for the refractive index. A structure in which a 70-nm-thick oxide conductive film containing indium, tin, and silicon is stacked thereover as theconductive layer 554 was assumed. The refractive index was as shown in FIG. A structure in which a film having a refractive index of 1.5 is stacked thereon as an insulatingfilm 555 is assumed (see FIGS. 36A and 36B).

上記膜厚は、下記に示すような、各色における各材料の屈折率を想定して設定されたものである。The above film thickness is set assuming the refractive index of each material for each color as shown below.

赤色を表す波長λとしてλ＝６１０ｎｍが通常評価されるが、ＢＴ２０２０規格の色域を実現するためには、赤色は長波長側であるλ＝６４０ｎｍで評価することが望ましい。同様に青色を表す波長λとしてλ＝４６０ｎｍが通常評価されるが、短波長側であるλ＝４５０ｎｍで評価することが望ましい。Although λ=610 nm is usually evaluated as the wavelength λ representing red, it is desirable to evaluate red at λ=640 nm, which is on the long wavelength side, in order to realize the color gamut of the BT2020 standard. Similarly, λ=460 nm is usually evaluated as the wavelength λ representing blue, but it is desirable to evaluate at λ=450 nm, which is on the short wavelength side.

図３５に示すように、インジウムと錫と珪素とを有する酸化物導電膜の屈折率は、およそ赤色であるλ＝６４０ｎｍの光において屈折率が１．９５、およそ緑色であるλ＝５３０ｎｍの光において屈折率が２．０１、およそ青色であるλ＝４５０ｎｍの光において屈折率が２．０７であった。As shown in FIG. 35, the refractive index of the oxide conductive film containing indium, tin, and silicon is 1.95 for approximately red light of λ=640 nm and approximately green light of λ=530 nm. The refractive index was 2.01 at λ and 2.07 at λ=450 nm light, which is approximately blue.

図３５に示すように、インジウムと亜鉛とを有する酸化物導電膜の屈折率は、およそ赤色であるλ＝６４０ｎｍの光において屈折率が２．０４、およそ緑色であるλ＝５３０ｎｍの光において屈折率が２．１０、およそ青色であるλ＝４５０ｎｍの光において屈折率が２．１９であった。As shown in FIG. 35, the refractive index of the oxide conductive film containing indium and zinc is 2.04 for approximately red light of λ = 640 nm, and approximately green for λ = 530 nm light. It had an index of 2.10 and a refractive index of 2.19 at λ=450 nm light, which is approximately blue.

発光層は、いずれの上記波長においても、およそ屈折率１．８である。The emissive layer has a refractive index of approximately 1.8 at any of the above wavelengths.

導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）及び導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）の膜厚において、それぞれ０ｎｍ以上５ｎｍ以下の誤差があっても、各副画素の色に対して微小光共振器構造を構成するには有効である。Even if there is an error of 0 nm or more and 5 nm or less in the film thicknesses of the conductive films 551_1(i, j) and 551_2(i, j), a micro optical resonator structure is formed for each sub-pixel color. is effective for

構造ＭＳ１、構造ＭＳ２において、絶縁膜５５５中に到達する光の強度（光強度）を計算した。図３６（Ｃ）に光強度の計算結果を示す。図３６（Ｃ）において、横軸が発光層５５３から射出される光の波長（ｎｍ）を、縦軸が絶縁膜５５５に到達する光強度を、それぞれ表している。In the structure MS1 and the structure MS2, the intensity of light reaching the insulating film 555 (light intensity) was calculated. FIG. 36(C) shows the calculation result of the light intensity. In FIG. 36C, the horizontal axis represents the wavelength (nm) of light emitted from thelight emitting layer 553, and the vertical axis represents the light intensity reaching the insulatingfilm 555. In FIG.

発光層５５３は、白色光を射出するものとした。図３６（Ｃ）において光強度は、発光層５５３から射出される光のスペクトルにより変化する。そのため図３６（Ｃ）の縦軸は定性的な値を意味し、発光極大波長の正確な位置は、光のスペクトルにより異なる場合がある。なお、図３６（Ｃ）はサイバネットシステム社製のＳＥＴＦＯＳという計算ソフトを用いて計算を行った結果である。The light-emittinglayer 553 is assumed to emit white light. The light intensity in FIG. 36C changes depending on the spectrum of light emitted from thelight emitting layer 553 . Therefore, the vertical axis of FIG. 36(C) means a qualitative value, and the exact position of the emission maximum wavelength may vary depending on the light spectrum. FIG. 36(C) shows the result of calculation using calculation software called SETFOS manufactured by Cybernet Systems.

図３６（Ｃ）に示す発光スペクトルピークの計算結果は上記誤差を含んではいるが、構造ＭＳ１において、赤色を示す４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長領域の波長の強度と、青色を示す６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長領域の波長の強度が大きいことがわかる。すなわち、構造ＭＳ１を有する画素は、発光極大波長を上記波長領域のいずれかに有するスペクトルを備える光を射出することができる。Although the calculation result of the emission spectrum peak shown in FIG. It can be seen that the intensity of wavelengths in the wavelength region is large. That is, a pixel having structure MS1 can emit light with a spectrum having an emission maximum wavelength in any of the above wavelength ranges.

導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）、発光層５５３、の膜厚を上記値より大きく設定すると、可視光領域に幾つも強まる波長ができる。換言すれば、反射電極と半透過電極間との間の、半透過電極の膜厚方向に沿った、距離ｄ０または距離ｄ１を大きくすると、表示素子の発光強度において青色と赤色を共に大きくできるものの、青色と赤色の間にも、発光強度が大きくなる光が出てくる。When the film thicknesses of the conductive film 551_1(i, j), the conductive film 551_2(i, j), and the light-emittinglayer 553 are set larger than the above values, several intensified wavelengths are generated in the visible light region. In other words, if the distance d0 or the distance d1 between the reflective electrode and the semi-transmissive electrode along the film thickness direction of the semi-transmissive electrode is increased, the light emission intensity of the display element can be increased for both blue and red. , and between blue and red, light with increased emission intensity emerges.

そのため、上記構造ＭＳ１、構造ＭＳ２の材料および膜厚の設定は、微小光共振器構造が純度の高い色を発光するためには有効である。Therefore, the setting of the materials and film thicknesses of the structure MS1 and the structure MS2 is effective for the micro optical resonator structure to emit light with high purity.

微小光共振器構造は、反射電極と、半透過導電膜との間の、表示する光の各波長における光学距離を所定の値とすることにより、例えば赤色の光であれば、光Ｒ０１と光Ｒ０２とを共振させることができる。In the micro optical resonator structure, the optical distance between the reflective electrode and the semi-transmissive conductive film for each wavelength of the light to be displayed is set to a predetermined value. R02 can be resonated.

例えば、構造ＭＳ１において、赤色である波長６４０ｎｍでの光学距離は、５５６．１８ｎｍであった。構造ＭＳ２において、緑色である波長５３０ｎｍでの光学距離は、４３８．９ｎｍであった。構造ＭＳ１において、青色である波長４５０ｎｍでの光学距離は５７７．６８ｎｍであった。For example, in structure MS1, the optical distance at wavelength 640 nm, which is red, was 556.18 nm. In structure MS2, the optical distance at a wavelength of 530 nm, which is green, was 438.9 nm. In structure MS1, the optical distance at a wavelength of 450 nm, which is blue, was 577.68 nm.

導電膜５５１＿１（ｉ，ｊ）、導電膜５５１＿２（ｉ，ｊ）、発光層５５３、の材料を変える場合、各膜の屈折率及び膜厚は、上記の規格化された光学距離が変化しないように設定することで、同じ微小光共振器構造の効果を得ることができる。When changing the materials of the conductive film 551_1(i, j), the conductive film 551_2(i, j), and the light-emittinglayer 553, the refractive index and film thickness of each film should be adjusted so that the normalized optical distance does not change. , the same micro optical resonator structure effect can be obtained.

本実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。The structure described in this embodiment can be used in appropriate combination with the structures described in other embodiments.

ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
ＡＮＯ 導電膜
Ｂ０１ 光
Ｂ０２ 光
ＢＭ 遮光膜
ＢＲ 導電膜
Ｃ 電極
Ｃ１ 矢印
Ｃ２ 矢印
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ１２ 容量素子
Ｃ２１ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
ＣＦ２ 着色膜
ＣＰ 導電材料
ＣＳＣＯＭ 配線
ｄ０ 距離
ｄ１ 距離
フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１
Ｇ０１ 光
Ｇ１ 走査線
Ｇ０２ 光
Ｇ２ 走査線
ＧＤ 駆動回路
ＧＤＡ 駆動回路
ＧＤＢ 駆動回路
ＧＤＣ 駆動回路
ＧＤＤ 駆動回路
ＫＢ１ 構造体
Ｌ１ 光
Ｌ２ 光
Ｍ トランジスタ
Ｍ（ｈ） 電極
ＭＤ トランジスタ
ＭＬ 検知信号線
ＭＳ１ 構造
ＭＳ２ 構造
Ｎ１ 屈折率特性
Ｎ２ 屈折率特性
Ｐ１ 位置情報
Ｒ０１ 光
Ｒ１ 矢印
Ｒ０２ 光
Ｒ２ 矢印
Ｓ１ 信号線
Ｓ２ 信号線
ＳＤ 駆動回路
ＳＤ１ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＥ１ 検知情報
ＳＳ 制御情報
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｖ１ 画像情報
Ｖ１１ 情報
Ｖ１２ 情報
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 導電膜
Ｘ０ 隣接部
１０ａ グレートーンマスク
１０ｂ ハーフトーンマスク
１３ 光透過性基板
１５ 遮光膜
１７ 遮光部
１８ 回折格子部
１９ 透過部
２３ 半光透過膜
２５ 遮光膜
２７ 遮光部
２８ 半光透過部
２９ 透過部
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 表示領域
２３４ 伸張回路
２３５Ｍ 画像処理回路
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｂ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０３ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０４Ｅ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１２Ｃ 導電膜
５１２Ｄ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２１Ａ 絶縁膜
５２１Ｂ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２２Ａ 接続部
５２２Ｂ 接続部
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５３０ 画素回路
５４１ レジストマスク
５４２ レジストマスク
５５０ 表示素子
５５１ 電極
５５１＿０ 導電膜
５５１＿１ 導電膜
５５１＿２ 導電膜
５５２ 電極
５５３ 層
５５３Ｍ 中心部
５５４ 導電層
５５５ 絶縁膜
５７０ 基板
５７３ 絶縁膜
５７３Ａ 絶縁膜
５７３Ｂ 絶縁膜
５９１Ａ 開口部
５９１Ｂ 開口部
５９１Ｃ 開口部
５９２Ａ 開口部
５９２Ｂ 開口部
５９２Ｃ 開口部
７００ 表示パネル
７００＿１ 表示パネル
７００＿２ 表示パネル
７００＿３ 表示パネル
７００＿３Ｂ 表示パネル
７００＿４ 表示パネル
７００Ｂ 表示パネル
７０２ 画素
７０３ 画素
７０５ 封止材
７１９ 端子
７５０ 表示素子
７５１ 電極
７５１Ｅ 領域
７５１Ｈ 開口部
７５２ 電極
７５３ 層
７５４Ａ 中間膜
７５４Ｂ 中間膜
７５４Ｃ 中間膜
７７０ 基板
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５ 検知素子
９００ 画素
９００ｓ 遮光領域
９００ｔ 透過領域
９０１ 駆動回路部
９０２ 配線
９０４ 配線
９０６ 配線
９１０ トランジスタ
９１１ トランジスタ
９１２ トランジスタ
９１３ 容量素子
９１６Ｂ 発光領域
９１６Ｇ 発光領域
９１６Ｒ 発光領域
９３０ＥＬ 発光素子
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部ACF1 conductive material AF1 alignment film AF2 alignment film ANO conductive film B01 light B02 light BM light shielding film BR conductive film C electrode C1 arrow C2 arrow C11 capacitive element C12 capacitive element C21 capacitive element CF1 colored film CF2 colored film CP conductive material CSCOM wire d0 distance d1 distance flexible printed circuit board FPC1
G01 light G1 scanning line G02 light G2 scanning line GD drive circuit GDA drive circuit GDB drive circuit GDC drive circuit GDD drive circuit KB1 structure L1 light L2 light M transistor M(h) electrode MD transistor ML detection signal line MS1 structure MS2 structure N1 Refractive index characteristic N2 Refractive index characteristic P1 Position information R01 Light R1 Arrow R02 Light R2 Arrow S1 Signal line S2 Signal line SD Drive circuit SD1 Drive circuit SD2 Drive circuit SE1 Detection information SS Control information SW1 Switch SW2 Switch V1 Image information V11 Information V12 Information VCOM1 Wiring VCOM2 Conductive film X0 Adjacent portion 10a Gray tone mask 10b Halftone mask 13 Light transmissive substrate 15 Light shielding film 17 Light shielding portion 18 Diffraction grating portion 19 Transmission portion 23 Semi-light transmission film 25 Light shielding film 27 Light shielding portion 28 Semi-light transmission portion 29 transmission unit 200 information processing device 210 arithmetic unit 211 arithmetic unit 212 storage unit 214 transmission path 215 input/output interface 220 input/output device 230 display unit 231 display area 234 decompression circuit 235M image processing circuit 238 control unit 240 input unit 241 detection area 250 Detection unit 290 Communication unit 501A Insulating film 501B Insulating film 501C Insulating film 503 Insulating film 504 Conductive film 504E Conductive film 505 Bonding layer 506 Insulating film 508 Semiconductor film 508A Region 508B Region 508C Region 511B Conductive film 511C Conductive film 512A Conductive film 512B Conductive film 512C conductive film 512D conductive film 516 insulating film 518 insulating film 519B terminal 519C terminal 520 functional layer 521 insulating film 521A insulating film 521B insulating film 522 connecting portion 522A connecting portion 522B connecting portion 524 conductive film 528 insulating film 530 pixel circuit 541 resist mask 542 Resist mask 550 Display element 551 Electrode 551_0 Conductive film 551_1 Conductive film 551_2 Conductive film 552 Electrode 553 Layer 553M Central portion 554 Conductive layer 555 Insulating film 570 Substrate 573 Insulating film 573A Insulating film 573B Insulating film 591A Opening 591B Opening 591C Opening 592A Opening 592B Opening 592C Opening 700 Display panel 700_1 Display panel 700_2 Display panel 700_3 Display panel 700_3B Display panel 700_4 Display panel 700B Display panel 702 Pixel 703 Pixel 7 05 Sealing material 719 Terminal 750 Display element 751 Electrode 751E Region 751H Opening 752 Electrode 753 Layer 754A Intermediate film 754B Intermediate film 754C Intermediate film 770 Substrate 770D Functional film 770P Functional film 771 Insulating film 775 Sensing element 900 Pixel 900s Light blocking region 900t Transmission Region 901 Driver circuit portion 902 Wiring 904 Wiring 906 Wiring 910 Transistor 911 Transistor 912 Transistor 913 Capacitive element 916B Light-emitting region 916G Light-emitting region 916R Light-emitting region 930EL Light-emitting element 5200B Information processing device 5210 Arithmetic device 5220 Input/output device 5230 Display portion 5240 Input portion 5250 Detection unit 5290 Communication unit

Claims (1)

Translated fromJapanese

第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜の上方に第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜の上方に第３の導電膜を形成する工程と、
前記第３の導電膜の上方に、第１の領域と、前記第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有するマスクを形成する工程と、
前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜と、前記第３の導電膜と、の前記マスクと重ならない部分を除去する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記マスクを後退させることにより前記第２の領域の前記マスクを除去する第２の工程と、
前記第２の工程の後、前記第３の導電膜の前記第２の領域と重なる部分を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の後、前記マスクを除去する工程と、
前記第２の導電膜、または前記第３の導電膜の上方に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、第４の導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示パネルの作製方法。forming a first conductive film;
forming a second conductive film over the first conductive film;
forming a third conductive film above the second conductive film;
forming a mask over the third conductive film having a first region and a second region having a thickness less than that of the first region;
a first step of removing portions of the first conductive film, the second conductive film, and the third conductive film that do not overlap with the mask;
a second step of removing the mask in the second region by retracting the mask after the first step;
a third step of removing a portion of the third conductive film overlapping the second region after the second step;
After the third step, removing the mask;
forming a light-emitting layer above the second conductive film or the third conductive film;
and forming a fourth conductive film on the light emitting layer.

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