JP6900261B2 - Processing equipment, substrate inspection equipment, processing method and substrate inspection method - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明は、基板に設けられている検査用のプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する処理装置その処理装着を備えた基板検査装置、基板に設けられている検査用のプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する実座標を特定する処理方法、およびその処理方法を用いる基板検査方法に関するものである。 The present invention is a processing device that corrects the design coordinates of the inspection probing point provided on the substrate and specifies the correction coordinates. The substrate inspection device provided with the processing mounting, and the inspection probing point provided on the substrate. The present invention relates to a processing method for specifying the actual coordinates for correcting the design coordinates of the above and specifying the correction coordinates, and a substrate inspection method using the processing method.

この種の基板検査装置として、下記特許文献１に開示されたインサーキットテスタが知られている。このインサーキットテスタは、ＸＹテーブル、画像計測カメラ、位置制御手段および補正手段等を備えて構成されている。このインサーキットテスタでは、ＸＹテーブルに載置した基板の表面に予め設けられている位置補正マークの座標（実座標）を画像計測カメラで計測し、位置補正マークの既知の座標（設計上の座標）と計測した実座標とを比較して、基板の位置ずれ等に起因するプロービングポイントの位置ずれ量を算出し、プロービングポイントの設計上の座標を、算出した位置ずれ量に基づいて補正してプロービングポイントの実際の座標（実座標）を特定している。 As a substrate inspection device of this type, an in-circuit tester disclosed in Patent Document 1 below is known. This in-circuit tester is configured to include an XY table, an image measurement camera, position control means, correction means, and the like. In this in-circuit tester, the coordinates (actual coordinates) of the position correction mark provided in advance on the surface of the substrate placed on the XY table are measured by an image measurement camera, and the known coordinates (design coordinates) of the position correction mark are measured. ) And the measured actual coordinates are compared to calculate the amount of misalignment of the probing point due to the misalignment of the substrate, etc., and the design coordinates of the probing point are corrected based on the calculated amount of misalignment. The actual coordinates (actual coordinates) of the probing point are specified.

特開平６−２５８３９４号公報（第３−４頁、第１図）Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-258394 (Page 3-4, Fig. 1)

ところが、従来のインサーキットテスタには、以下の問題点がある。具体的には、従来のインサーキットテスタでは、基板の位置補正マークを画像計測カメラで計測し、位置補正マークの設計上の座標と計測した実座標とを比較してプロービングポイントの位置ずれ量を算出している。この場合、画像計測カメラの光軸が載置面に対して垂直であるときには、載置面から基板の表面までの距離に拘わらず、表面に設けられている位置補正マークの実座標を画像計測カメラによって正しく計測することができる。一方、画像計測カメラの光軸が載置面に対して傾斜しているときには、画像計測カメラによって計測される位置補正マークの座標（画像上の見かけの座標）が載置面から基板の表面までの距離に応じて異なることとなる。このため、従来のインサーキットテスタには、画像計測カメラの光軸が載置面に対して傾斜している場合において、例えば、基板が湾曲して位置補正マークが載置面よりも上方に位置しているときには、位置補正マークの実座標を正しく計測することができず、プロービングポイントの設計座標を正確に補正することが困難となるという問題点が存在する。 However, the conventional in-circuit tester has the following problems. Specifically, in a conventional in-circuit tester, the position correction mark on the board is measured by an image measurement camera, and the design coordinates of the position correction mark are compared with the measured actual coordinates to determine the amount of misalignment of the probing point. I'm calculating. In this case, when the optical axis of the image measurement camera is perpendicular to the mounting surface, the actual coordinates of the position correction mark provided on the surface are measured regardless of the distance from the mounting surface to the surface of the substrate. It can be measured correctly by the camera. On the other hand, when the optical axis of the image measurement camera is tilted with respect to the mounting surface, the coordinates of the position correction mark measured by the image measurement camera (apparent coordinates on the image) are from the mounting surface to the surface of the substrate. It will be different depending on the distance of. Therefore, in the conventional in-circuit tester, when the optical axis of the image measurement camera is tilted with respect to the mounting surface, for example, the substrate is curved and the position correction mark is positioned above the mounting surface. At this time, there is a problem that the actual coordinates of the position correction mark cannot be measured correctly, and it becomes difficult to accurately correct the design coordinates of the probing point.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、プロービングポイントの設計座標を正確に補正し得る処理装置、基板検査装置、処理方法および基板検査方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus, a substrate inspection apparatus, a processing method, and a substrate inspection method capable of accurately correcting the design coordinates of a probing point.

上記目的を達成すべく請求項１記載の処理装置は、載置面に載置された基板の表面に設けられている標識を撮像する撮像部と、当該撮像部によって撮像された前記標識の画像に基づいて前記載置面に平行な座標平面上の当該標識の実座標を特定して当該実座標と当該標識の当該座標平面上の設計座標との第１の誤差を特定すると共に当該第１の誤差に基づいて前記表面に設けられているプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する特定処理を実行する処理部とを備えた処理装置であって、前記載置面に対向する対向位置に配置されて当該載置面に垂直な垂直方向に沿った当該対向位置から前記表面に規定されている規定点までの第１の距離を検出する検出部を備え、前記処理部は、前記特定処理において、前記第１の距離に基づいて前記載置面から前記標識までの前記垂直方向に沿った第２の距離を特定する工程と、前記垂直方向に対して前記撮像部の光軸が傾斜しているときの前記第２の距離の長短に応じて生じる前記座標平面上の第２の誤差で前記標識の前記実座標を修正する工程とを実行し、修正後の前記実座標を用いて前記第１の誤差を特定する。 In order to achieve the above object, the processing apparatus according to claim 1 has an imaging unit that images a marker provided on the surface of a substrate mounted on a mounting surface, and an image of the label imaged by the imaging unit. The actual coordinates of the sign on the coordinate plane parallel to the above-mentioned mounting surface are specified based on the above, and the first error between the actual coordinates and the design coordinates of the sign on the coordinate plane is specified and the first It is a processing device provided with a processing unit that corrects the design coordinates of the probing point provided on the surface based on the error of the above and executes a specific process for specifying the corrected coordinates, and faces the above-mentioned mounting surface. The processing unit includes a detection unit that is arranged at the opposite position and detects a first distance from the opposite position along the vertical direction perpendicular to the mounting surface to a specified point defined on the surface. In the specific process, a step of specifying a second distance along the vertical direction from the above-mentioned mounting surface to the label based on the first distance, and an optical axis of the imaging unit with respect to the vertical direction. The step of correcting the actual coordinates of the marker with the second error on the coordinate plane generated according to the length of the second distance when is tilted is executed, and the corrected actual coordinates are obtained. It is used to identify the first error.

また、請求項２記載の処理装置は、請求項１記載の処理装置において、前記処理部は、互いに異なる位置に規定されている前記標識および前記規定点を用いて前記特定処理を実行する。 Further, in the processing apparatus according toclaim 2, in the processing apparatus according to claim 1, the processing unit executes the specific processing by using the signs and the specified points defined at different positions from each other.

また、請求項３記載の処理装置は、請求項１または２記載の処理装置において、前記処理部は、前記第１の距離に基づいて前記載置面から前記プロービングポイントまでの前記垂直方向に沿った第３の距離を特定する。 Further, the processing apparatus according toclaim 3 is the processing apparatus according toclaim 1 or 2, wherein the processing unit is along the vertical direction from the pre-described surface to the probing point based on the first distance. Also identify the third distance.

また、請求項４記載の基板検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の処理装置と、検査用のプローブを移動させてプロービングを行うプロービング機構と、当該プロービング機構を制御して前記処理装置によって特定された前記プロービングポイントの補正座標に前記プローブをプロービングさせる制御部と、前記プローブを介して入出力する電気信号に基づいて前記基板を検査する検査部とを備えている。 The substrate inspection apparatus according to claim 4 controls the processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, a probing mechanism for moving an inspection probe to perform probing, and the probing mechanism. It includes a control unit for probing the probe to the correction coordinates of the probing point specified by the processing device, and an inspection unit for inspecting the substrate based on an electric signal input / output via the probe.

また、請求項５記載の処理方法は、載置面に載置された基板の表面に設けられている標識を撮像した当該標識の画像に基づいて当該載置面に平行な座標平面上の当該標識の実座標を特定して当該実座標と当該標識の当該座標平面上の設計座標との第１の誤差を特定すると共に当該第１の誤差に基づいて前記表面に設けられているプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する特定処理を実行する処理方法であって、前記載置面に対向する対向位置から前記表面に規定されている規定点までの当該載置面に垂直な垂直方向に沿った第１の距離を検出し、前記特定処理において、前記第１の距離に基づいて前記載置面から前記標識までの前記垂直方向に沿った第２の距離を特定する工程と、前記標識を撮像した撮像部の光軸が前記垂直方向に対して傾斜しているときの前記第２の距離の長短に応じて生じる前記座標平面上の第２の誤差で前記標識の前記実座標を修正する工程とを実行し、修正後の前記実座標を用いて前記第１の誤差を特定する。Further, the processing method according toclaim 5 is based on an image of the sign provided on the surface of the substrate mounted on the mounting surface, and the coordinate plane parallel to the mounting surface. The actual coordinates of the marker are specified to specify the first error between the actual coordinates and the design coordinates of the marker on the coordinate plane, and the probing point provided on the surface is based on the first error. It is a processing method that executes a specific process of correcting the design coordinates and specifying the correction coordinates, and is perpendicular to the mounting surface from the position facing the above-mentioned mounting surface to the specified point defined on the surface. A step of detecting a first distance along the vertical direction and specifying a second distance along the vertical direction from the above-mentioned mounting surface to the sign based on the first distance in the specific process. the said labeled with a second error on the coordinate plane that occurs in response to the length of the second distance whenthe optical axis of the imaging unit that captures the label isinclined obliquelywith respect to the vertical direction The step of correcting the real coordinates is executed, and the first error is specified by using the corrected real coordinates.

また、請求項６記載の基板検査方法は、請求項５記載の処理方法によって特定した前記プロービングポイントの実座標に検査用のプローブをプロービングさせ、前記プローブを介して入出力する電気信号に基づいて前記基板を検査する。 Further, the substrate inspection method according toclaim 6 is based on an electric signal input / output via the probe by probing a probe for inspection at the actual coordinates of the probing point specified by the processing method according toclaim 5. Inspect the substrate.

請求項１記載の処理装置、請求項４記載の基板検査装置、請求項５記載の処理方法、および請求項６記載の基板検査方法では、基板の規定点までの第１の距離を検出し、第１の距離に基づいて載置面から標識までの第２の距離を特定し、撮像部の光軸が傾斜しているときの第２の距離の長短に応じて生じる第２の誤差で標識の実座標を修正し、修正後の実座標を用いて特定した第１の誤差に基づいて基板のプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する。このため、この構成および方法によれば、撮像部の光軸が載置面に対して傾斜し、基板の変形（湾曲）等に起因して標識の第２の距離が、基板が変形していないときの標識の第２の距離と異なる場合においても、標識の正確な実座標を特定することができるため、標識の設計座標と実座標との第１の誤差を正確に特定することができる結果、プロービングポイントの設計座標を正確に補正した補正座標を特定することができる。したがって、この構成および方法によれば、プロービングポイントにプローブを確実にプロービングさせて、基板を正確に検査することができる。 In the processing apparatus according to claim 1, the substrate inspection apparatus according to claim 4, the processing method according toclaim 5, and the substrate inspection method according toclaim 6, the first distance to the specified point of the substrate is detected. The second distance from the mounting surface to the label is specified based on the first distance, and the label is labeled with a second error that occurs depending on the length of the second distance when the optical axis of the imaging unit is tilted. The actual coordinates of the substrate are corrected, and the design coordinates of the probing point of the substrate are corrected based on the first error specified by using the corrected real coordinates to specify the corrected coordinates. Therefore, according to this configuration and method, the optical axis of the imaging unit is tilted with respect to the mounting surface, and the substrate is deformed at a second distance of the label due to deformation (curvature) of the substrate or the like. Since the exact actual coordinates of the sign can be specified even when the distance is different from the second distance of the sign when there is no sign, the first error between the design coordinates of the sign and the actual coordinates can be specified accurately. As a result, it is possible to specify the correction coordinates obtained by accurately correcting the design coordinates of the probing point. Therefore, according to this configuration and method, the probe can be reliably probed at the probing point to accurately inspect the substrate.

また、請求項２記載の処理装置、および請求項４記載の基板検査装置では、互いに異なる位置に規定されている標識および規定点を用いて特定処理を実行する。つまり、この構成および方法によれば、基板の表面に形成されている互いに異なる導体パターン等を標識および規定点として用いることができる。このため、この構成および方法によれば、例えば、撮像画像において輪郭が明瞭となる形状の導体パターン等を標識として用い、検出部によって第１の距離を正確に検出が可能な部位として、基板の表面におけるレーザー光が反射し易い部位を規定点として用いることで、プロービングポイントの設計座標をより正確に補正することができる。また、この構成および方法では、互いに異なる位置に規定されている標識および規定点を用いるため、第１の距離を検出する際の検出部の位置と、標識を撮像する際の撮像部の位置とが異ならせることができる。したがって、この構成および方法によれば、第１の距離を検出する工程と標識を撮像する工程とを並行して行うことができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。 Further, in the processing apparatus according toclaim 2 and the substrate inspection apparatus according to claim 4, specific processing is executed by using signs and specified points defined at different positions from each other. That is, according to this configuration and method, different conductor patterns and the like formed on the surface of the substrate can be used as markings and defining points. Therefore, according to this configuration and method, for example, a conductor pattern having a shape that makes the outline clear in the captured image is used as a marker, and the first distance can be accurately detected by the detection unit as a portion of the substrate. By using a portion of the surface where the laser beam is easily reflected as a predetermined point, the design coordinates of the probing point can be corrected more accurately. Further, in this configuration and method, since the markers and the defined points defined at different positions are used, the position of the detection unit when detecting the first distance and the position of the imaging unit when imaging the label Can be different. Therefore, according to this configuration and method, the step of detecting the first distance and the step of imaging the sign can be performed in parallel, and as a result, the inspection efficiency can be sufficiently improved.

また、請求項３記載の処理装置、および請求項４記載の基板検査装置によれば、載置面からプロービングポイントまでの垂直方向に沿った第３の距離を第１の距離に基づいて特定することにより、プロービングの際の垂直方向のプローブの移動量を第３の距離に基づいて調整することで、プローブをプロービングポイントに適正な押圧力でプロービングさせることができる。 Further, according to the processing apparatus according toclaim 3 and the substrate inspection apparatus according to claim 4, a third distance along the vertical direction from the mounting surface to the probing point is specified based on the first distance. Thereby, by adjusting the amount of movement of the probe in the vertical direction during probing based on the third distance, the probe can be probing at the probing point with an appropriate pressing force.

基板検査装置１の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the substrate inspection apparatus 1.基板１００の平面図である。It is a top view of thesubstrate 100.基板検査方法を説明する第１の説明図である。It is 1st explanatory drawing explaining the substrate inspection method.基板検査方法を説明する第２の説明図である。It is a 2nd explanatory drawing explaining the substrate inspection method.特定処理７０のフローチャートである。It is a flowchart of aspecific process 70.

以下、本発明に係る処理装置、基板検査装置、処理方法および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the processing apparatus, the substrate inspection apparatus, the processing method, and the substrate inspection method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、図１に示す基板検査装置１の構成について説明する。基板検査装置１は、基板検査装置の一例であって、後述する基板検査方法に従い、例えば、図２に示す基板１００を検査可能に構成されている。 First, the configuration of the substrate inspection device 1 shown in FIG. 1 will be described. The substrate inspection device 1 is an example of a substrate inspection device, and is configured to be capable of inspecting, for example, thesubstrate 100 shown in FIG. 2 according to a substrate inspection method described later.

ここで、基板１００は、一例として、電気部品が搭載されていないベアボードであって、基板本体と、基板本体に形成された図外の導体パターンとを備えて構成されている。また、図２に示すように、基板１００の表面１０１には、検査の際の基板１００全体の位置ずれ、基板本体に対する導体パターンの位置ずれ、および基板１００の設計上の形状に対する拡縮の状態等を特定するための複数のマーク（標識）Ｍ１〜Ｍ４（以下、区別しないときには「マークＭ」ともいう）が設けられている。また、同図に示すように、基板１００の表面１０１には、後述する特定処理７０において用いる検出ポイント（規定点）Ｐｃ１〜Ｐｃ５（以下、区別しないときには「検出ポイントＰｃ」ともいう）が規定されている。この場合、この基板１００では、マークＭの位置と検出ポイントＰｃの位置とが互いに異なる位置に規定されている。さらに、同図に示すように、基板１００の表面１０１に形成されている図外の導体パターン上には、基板１００を検査する際に検査用のプローブをプロービングさせるプロービングポイントＰｐ１，Ｐｐ２（以下、区別しないときには「プロービングポイントＰｐ」ともいう）が規定されている。 Here, as an example, thesubstrate 100 is a bare board on which no electric component is mounted, and is configured to include a substrate main body and a conductor pattern (not shown) formed on the substrate main body. Further, as shown in FIG. 2, on thesurface 101 of thesubstrate 100, the positional deviation of theentire substrate 100 during inspection, the positional deviation of the conductor pattern with respect to the substrate main body, the state of expansion / contraction with respect to the design shape of thesubstrate 100, and the like. A plurality of marks (markers) M1 to M4 (hereinafter, also referred to as "mark M" when not distinguished) are provided to specify. Further, as shown in the figure, detection points (specified points) Pc1 to Pc5 (hereinafter, also referred to as “detection points Pc” when not distinguished) used in thespecific processing 70 described later are defined on thesurface 101 of thesubstrate 100. ing. In this case, in thissubstrate 100, the position of the mark M and the position of the detection point Pc are defined at different positions. Further, as shown in the figure, probing points Pp1 and Pp2 (hereinafter referred to as Pp2) for probing an inspection probe when inspecting thesubstrate 100 on a conductor pattern (not shown) formed on thesurface 101 of thesubstrate 100. When no distinction is made, it is also referred to as "probing point Pp").

また、基板検査装置１は、図１に示すように、載置台２、レーザー変位計３、第１移動機構４、カメラ５、第２移動機構６、プロービング機構７、記憶部８および処理部９を備えて構成されている。なお、レーザー変位計３、第１移動機構４、カメラ５、第２移動機構６、記憶部８および処理部９によって処理装置が構成される。また、この処理装置によって後述する特定処理７０（本発明における処理方法に沿った処理：図４参照）が実行される。 Further, as shown in FIG. 1, the substrate inspection device 1 includes a mounting table 2, alaser displacement meter 3, a first moving mechanism 4, acamera 5, asecond moving mechanism 6, a probing mechanism 7, a storage unit 8, and a processing unit 9. It is configured with. The processing device is composed of thelaser displacement meter 3, the first moving mechanism 4, thecamera 5, thesecond moving mechanism 6, the storage unit 8, and the processing unit 9. Further, thespecific process 70 described later (process according to the process method in the present invention: see FIG. 4) is executed by this processing apparatus.

載置台２は、図３，４に示すように、載置面２ａに載置された基板１００を図外のクランプ等で固定して保持可能に構成されている。 As shown in FIGS. 3 and 4, the mounting table 2 is configured so that thesubstrate 100 mounted on the mountingsurface 2a can be fixed and held by a clamp or the like (not shown).

レーザー変位計３は、検出部に相当し、処理部９の制御に従い、図３に示すように、載置面２ａに載置されている基板１００の表面１０１に規定されている検出ポイントＰｃに対向する対向位置（載置台２の上方の位置）から検出ポイントＰｃまでの、載置面２ａに垂直な垂直方向Ｄｖに沿った距離Ｌ１（第１の距離）を検出する。 Thelaser displacement meter 3 corresponds to the detection unit, and is controlled by the processing unit 9 at a detection point Pc defined on thesurface 101 of thesubstrate 100 mounted on the mountingsurface 2a as shown in FIG. The distance L1 (first distance) along the vertical direction Dv perpendicular to the mountingsurface 2a from the facing position (the position above the mounting table 2) to the detection point Pc is detected.

第１移動機構４は、処理部９の制御に従い、載置台２の上方において、載置台２の載置面２ａに平行な方向に沿ってレーザー変位計３を移動させる。 The first moving mechanism 4 moves thelaser displacement meter 3 above the mounting table 2 in a direction parallel to the mountingsurface 2a of the mounting table 2 under the control of the processing unit 9.

カメラ５は、撮像部に相当し、処理部９の制御に従い、図４に示すように、載置面２ａに載置されている基板１００に設けられているマークＭに対向する対向位置（載置台２の上方の位置）からマークＭを撮像して、撮像データＤｇを出力する。 Thecamera 5 corresponds to an imaging unit, and is positioned (mounted) facing the mark M provided on thesubstrate 100 mounted on the mountingsurface 2a as shown in FIG. 4 under the control of the processing unit 9. The mark M is imaged from the position above the stand 2), and the imaged data Dg is output.

第２移動機構６は、処理部９の制御に従い、載置台２の上方において、載置台２の載置面２ａに平行な方向に沿ってカメラ５を移動させる。 Thesecond moving mechanism 6 moves thecamera 5 above the mounting table 2 in a direction parallel to the mountingsurface 2a of the mounting table 2 under the control of the processing unit 9.

プロービング機構７は、処理部９の制御に従い、載置台２の載置面２ａに平行な方向、および載置台２の載置面２ａに垂直な垂直方向Ｄｖに図外のプローブを移動させて、基板１００の導体パターン上に規定されているプロービングポイントＰｐにプローブをプロービングさせる。 The probing mechanism 7 moves the probe (not shown) in the direction parallel to the mountingsurface 2a of the mounting table 2 and the vertical direction Dv perpendicular to the mountingsurface 2a of the mounting table 2 under the control of the processing unit 9. The probe is probed at the probing point Pp defined on the conductor pattern of thesubstrate 100.

記憶部８は、基板１００におけるマークＭの設計上（理論上）の座標である設計座標Ｃｄｍを示すデータ、基板１００における検出ポイントＰｃの設計上（理論上）の座標である設計座標Ｃｄｃ、基板１００におけるプロービングポイントＰｐの設計上の座標である設計座標Ｃｄｐを示すデータを含む基板データＤｂを記憶する。また、記憶部８は、処理部９によって実行される特定処理７０において特定される後述する実座標Ｃｒｍ、誤差Ｇ１，Ｇ２、および補正座標Ｃｒｐを示す各データを記憶する。この場合、各座標Ｃｄｍ，Ｃｄｃ，Ｃｒｍ，Ｃｒｐは、載置台２の載置面２ａに平行な座標平面Ｃｐ上の座標であるものとする。 The storage unit 8 contains data indicating design coordinates Cdm, which are the design (theoretical) coordinates of the mark M on thesubstrate 100, design coordinates Cdc, which are the design (theoretical) coordinates of the detection point Pc on thesubstrate 100, and the substrate. The substrate data Db including the data indicating the design coordinates Cdp, which is the design coordinates of the probing point Pp at 100, is stored. Further, the storage unit 8 stores each data indicating the actual coordinates Crm, the errors G1 and G2, and the correction coordinates Crp, which will be described later, specified in thespecific processing 70 executed by the processing unit 9. In this case, it is assumed that the coordinates Cdm, Cdc, Crm, and Crp are the coordinates on the coordinate plane Cp parallel to the mountingsurface 2a of the mounting table 2.

処理部９は、各種の処理を実行すると共に、制御部として機能して、基板検査装置１を構成する各部を制御する。具体的には、処理部９は、第１移動機構４を制御して基板１００の検出ポイントＰｃに対向する対向位置にレーザー変位計３を移動させる。また、処理部９は、レーザー変位計３を制御して検出ポイントＰｃの対向位置から検出ポイントＰｃまでの距離Ｌ１を検出させる。また、処理部９は、第２移動機構６を制御して基板１００の各マークＭに対向する対向位置にカメラ５を移動させる。また、処理部９は、カメラ５を制御してマークＭの対向位置からマークＭを撮像させる。さらに、処理部９は、図５に示す特定処理７０を実行してプロービングポイントＰｐの設計座標Ｃｄｐを補正した補正座標Ｃｒｐを特定する。また、処理部９は、プロービング機構７を制御して、特定処理７０で特定したプロービングポイントＰｐの補正座標Ｃｒｐにプローブをプロービングさせる。また、処理部９は、検査部として機能し、プローブを介して入出力する電気信号に基づいて基板１００を検査する。 The processing unit 9 executes various processes and functions as a control unit to control each unit constituting the substrate inspection device 1. Specifically, the processing unit 9 controls the first moving mechanism 4 to move thelaser displacement meter 3 to a position facing the detection point Pc of thesubstrate 100. Further, the processing unit 9 controls thelaser displacement meter 3 to detect the distance L1 from the position facing the detection point Pc to the detection point Pc. Further, the processing unit 9 controls thesecond moving mechanism 6 to move thecamera 5 to a position facing each mark M of thesubstrate 100. Further, the processing unit 9 controls thecamera 5 to take an image of the mark M from a position facing the mark M. Further, the processing unit 9 executes thespecific processing 70 shown in FIG. 5 to specify the correction coordinate Crp obtained by correcting the design coordinate Cdp of the probing point Pp. Further, the processing unit 9 controls the probing mechanism 7 to prob the probe to the correction coordinate Crp of the probing point Pp specified in thespecific processing 70. Further, the processing unit 9 functions as an inspection unit and inspects thesubstrate 100 based on the electric signals input / output via the probe.

次に、基板検査装置１を用いて基板１００を検査する基板検査方法、およびその際の各部の動作（処理部９の処理内容）について、図面を参照して説明する。なお、この基板検査装置１では、後述する特定処理７０において用いるカメラ５の光軸Ａｏの傾斜角度θ（垂直方向Ｄｖに対する角度：図４参照）が予め測定されて、既知の値となっているものとする。 Next, a substrate inspection method for inspecting thesubstrate 100 using the substrate inspection apparatus 1 and operations of each part at that time (processing contents of the processing unit 9) will be described with reference to the drawings. In this substrate inspection device 1, the inclination angle θ (angle with respect to vertical Dv: see FIG. 4) of the optical axis Ao of thecamera 5 used in thespecific process 70 described later is measured in advance and becomes a known value. It shall be.

まず、載置台２の載置面２ａにおける予め決められた基準位置に基板１００が位置するように載置面２ａに基板１００を載置し、次いで、図外のクランプで固定して載置台２に保持させる。 First, thesubstrate 100 is placed on the mountingsurface 2a so that thesubstrate 100 is positioned at a predetermined reference position on the mountingsurface 2a of the mounting table 2, and then thesubstrate 100 is fixed by a clamp (not shown) to be fixed on the mounting table 2a. To hold.

続いて、基板検査装置１に対して検査の開始を指示する。これに応じて、処理部９が、プロービングポイントＰｐの補正座標Ｃｒｐを特定する特定処理７０（図５参照）を実行する。この特定処理７０では、処理部９は、まず、記憶部８から基板データＤｂを読み出す（ステップ７１）。次いで、処理部９は、基板１００に設けられている各検出ポイントＰｃの設計上（理論上）の座標である設計座標Ｃｄｃを基板データＤｂに基づいて特定する（ステップ７２）。 Subsequently, the substrate inspection device 1 is instructed to start the inspection. In response to this, the processing unit 9 executes the specific processing 70 (see FIG. 5) for specifying the correction coordinate Crp of the probing point Pp. In thespecific process 70, the process unit 9 first reads the board data Db from the storage unit 8 (step 71). Next, the processing unit 9 specifies the design coordinates Cdc, which are the design (theoretical) coordinates of each detection point Pc provided on thesubstrate 100, based on the substrate data Db (step 72).

続いて、処理部９は、距離Ｌ１の検出を行う（ステップ７３）。具体的には、処理部９は、ステップ７２で特定した各検出ポイントＰｃの中から１つの検出ポイントＰｃ（例えば、検出ポイントＰｃ５）を選択し、次いで、第１移動機構４を制御して、図３に示すように、検出ポイントＰｃ５の設計座標Ｃｄｃに対向する対向位置（載置台２の上方の位置）にレーザー変位計３を移動させる。続いて、処理部９は、レーザー変位計３を制御して、設計座標Ｃｄｃの対向位置（レーザー変位計３の位置）から検出ポイントＰｃまでの垂直方向Ｄｖに沿った距離Ｌ１を検出させる。また、処理部９は、レーザー変位計３によって検出された距離Ｌ１を示すデータを記憶部８に記憶させる。 Subsequently, the processing unit 9 detects the distance L1 (step 73). Specifically, the processing unit 9 selects one detection point Pc (for example, detection point Pc5) from each detection point Pc identified instep 72, and then controls the first movement mechanism 4. As shown in FIG. 3, thelaser displacement meter 3 is moved to a position facing the design coordinate Cdc of the detection point Pc5 (a position above the mounting table 2). Subsequently, the processing unit 9 controls thelaser displacement meter 3 to detect the distance L1 along the vertical direction Dv from the opposite position of the design coordinates Cdc (the position of the laser displacement meter 3) to the detection point Pc. Further, the processing unit 9 stores the data indicating the distance L1 detected by thelaser displacement meter 3 in the storage unit 8.

次いで、処理部９は、全ての検出ポイントＰｃについての距離Ｌ１の検出が終了したか否かを判別する（ステップ７４）。この時点では、全ての検出ポイントＰｃについての距離Ｌ１の検出が終了していないため、処理部９は、ステップ７４においてその旨を判別し、続いて、上記したステップ７３を実行して、新たな１つの検出ポイントＰｃ（例えば、検出ポイントＰｃ１）を選択し、検出ポイントＰｃ１についての距離Ｌ１を検出させる。以下同様にして、処理部９は、全ての検出ポイントＰｃについての距離Ｌ１を検出させ、全ての検出ポイントＰｃについての距離Ｌ１の検出が終了したときには、ステップ７４において、その旨を判別する。 Next, the processing unit 9 determines whether or not the detection of the distance L1 for all the detection points Pc is completed (step 74). At this point, since the detection of the distance L1 for all the detection points Pc has not been completed, the processing unit 9 determines that fact instep 74, and subsequently executes the above-mentionedstep 73 to perform anew step 73. One detection point Pc (for example, detection point Pc1) is selected to detect the distance L1 with respect to the detection point Pc1. In the same manner below, the processing unit 9 detects the distance L1 for all the detection points Pc, and when the detection of the distance L1 for all the detection points Pc is completed, determines that fact instep 74.

次いで、処理部９は、基板１００に設けられている各マークＭの設計上の座標である設計座標Ｃｄｍを基板データＤｂに基づいて特定する（ステップ７５）。続いて、処理部９は、距離Ｌ２（第２の距離）の特定を行う（ステップ７６）。具体的には、処理部９は、各検出ポイントＰｃについての各距離Ｌ１を示すデータを記憶部８から読み出し、次いで、各距離Ｌ１に基づいて基板１００の表面１０１の形状（図３参照）を特定する。続いて、処理部９は、載置台２の載置面２ａから基板１００の表面１０１における設計座標Ｃｄｍまでの距離Ｌ２（図４参照）を表面１０１の形状に基づいて（つまり各距離Ｌ１に基づいて）特定し、特定した距離Ｌ２を示すデータを記憶部８に記憶させる。 Next, the processing unit 9 specifies the design coordinates Cdm, which are the design coordinates of each mark M provided on thesubstrate 100, based on the substrate data Db (step 75). Subsequently, the processing unit 9 specifies the distance L2 (second distance) (step 76). Specifically, the processing unit 9 reads data indicating each distance L1 for each detection point Pc from the storage unit 8, and then calculates the shape of thesurface 101 of the substrate 100 (see FIG. 3) based on each distance L1. Identify. Subsequently, the processing unit 9 determines the distance L2 (see FIG. 4) from the mountingsurface 2a of the mounting table 2 to the design coordinates Cdm on thesurface 101 of thesubstrate 100 based on the shape of the surface 101 (that is, based on each distance L1). The data indicating the specified distance L2 is stored in the storage unit 8.

次いで、処理部９は、実座標Ｃｒｍの特定を行う（ステップ７７）。具体的には、処理部９は、各マークＭの中から１つのマークＭ（例えば、マークＭ１）を選択し、続いて、第２移動機構６を制御して、図４に示すように、マークＭ１の設計座標Ｃｄｍに対向する対向位置（載置台２の上方の位置）にカメラ５を移動させ、次いで、カメラ５を制御して、設計座標Ｃｄｍの対向位置からマークＭを撮像させる。この際に、カメラ５は、マークＭ１の撮像画像についての撮像データＤｇを出力する。続いて、処理部９は、カメラ５によって撮像されたマークＭ１の撮像画像（撮像データＤｇ）に基づいてマークＭ１が実際に位置する座標である実座標Ｃｒｍを特定する。この場合、処理部９は、例えば、撮像画像内のマークＭの中心にカメラ５の光軸Ａｏが位置したときのカメラ５の位置から実座標Ｃｒｍを特定する。また、処理部９は、特定した実座標Ｃｒｍを示すデータを記憶部８に記憶させる。 Next, the processing unit 9 specifies the actual coordinates Crm (step 77). Specifically, the processing unit 9 selects one mark M (for example, the mark M1) from each mark M, and subsequently controls thesecond moving mechanism 6, as shown in FIG. Thecamera 5 is moved to a position facing the design coordinate Cdm of the mark M1 (a position above the mounting table 2), and then thecamera 5 is controlled to image the mark M from the position facing the design coordinate Cdm. At this time, thecamera 5 outputs the image capture data Dg for the image captured by the mark M1. Subsequently, the processing unit 9 specifies the actual coordinate Crm, which is the coordinate at which the mark M1 is actually located, based on the captured image (imaging data Dg) of the mark M1 captured by thecamera 5. In this case, the processing unit 9 specifies the actual coordinates Crm from the position of thecamera 5 when the optical axis Ao of thecamera 5 is located at the center of the mark M in the captured image, for example. Further, the processing unit 9 stores the data indicating the specified real coordinate Crm in the storage unit 8.

次いで、処理部９は、全てのマークＭについての実座標Ｃｒｍの特定が終了したか否かを判別する（ステップ７８）。この時点では、全てのマークＭについての実座標Ｃｒｍの特定が終了していないため、処理部９は、ステップ７８においてその旨を判別し、続いて、上記したステップ７７を実行して、新たな１つのマークＭ（例えば、マークＭ２）を選択し、マークＭ２についての実座標Ｃｒｍを特定する。以下、同様にして、処理部９は、全てのマークＭについての実座標Ｃｒｍを特定し、全てのマークＭについての実座標Ｃｒｍの特定が終了したときには、ステップ７８において、その旨を判別する。 Next, the processing unit 9 determines whether or not the identification of the actual coordinates Crm for all the marks M has been completed (step 78). At this point, since the identification of the actual coordinates Crm for all the marks M has not been completed, the processing unit 9 determines that fact instep 78, and subsequently executes the above-mentionedstep 77 to perform anew step 77. One mark M (eg, mark M2) is selected and the real coordinate Crm for mark M2 is specified. Hereinafter, in the same manner, the processing unit 9 specifies the actual coordinate Crm for all the marks M, and when the identification of the actual coordinate Crm for all the mark M is completed, determines that fact instep 78.

次いで、処理部９は、実座標Ｃｒｍの修正を行う（ステップ７９）。ここで、カメラ５の光軸Ａｏが載置台２の載置面２ａに対して垂直である（光軸Ａｏの方向が垂直方向Ｄｖと一致している）ときには、カメラ５の光軸ＡｏがマークＭの中心に位置したときの座標平面Ｃｐにおけるカメラ５の座標が、載置面２ａからマークＭまでの距離Ｌ２に拘わらず変化しないため、距離Ｌ２に拘わらずカメラ５によって撮像された撮像画像に基づいてマークＭの実座標Ｃｒｍを正しく特定することができる。 Next, the processing unit 9 corrects the real coordinate Crm (step 79). Here, when the optical axis Ao of thecamera 5 is perpendicular to the mountingsurface 2a of the mounting table 2 (the direction of the optical axis Ao coincides with the vertical direction Dv), the optical axis Ao of thecamera 5 is marked. Since the coordinates of thecamera 5 in the coordinate plane Cp when it is located at the center of M do not change regardless of the distance L2 from the mountingsurface 2a to the mark M, the captured image captured by thecamera 5 regardless of the distance L2. Based on this, the actual coordinates Crm of the mark M can be correctly specified.

一方、図４に示すように、カメラ５の光軸Ａｏが載置面２ａに対して傾斜している（光軸Ａｏの方向が垂直方向Ｄｖと一致していない）ときには、撮像画像に基づいて特定したマークＭの実座標Ｃｒｍに、距離Ｌ２の長短に応じた誤差が生じることがある。具体的には、同図に示すように、検査対象の基板１００が変形（湾曲）していて、検査対象の基板１００におけるマークＭの距離Ｌ２と、変形していない基板１００（同図に破線で示す基板１００：以下、「比較用の基板１００」ともいう）におけるマークＭの距離Ｌ２（以下、この距離Ｌ２を「基準の距離Ｌ２」ともいう）とが異なる場合を想定する。この場合には、同図に示すように、光軸Ａｏ（同図に破線で示す光軸Ａｏ）が比較用の基板１００のマークＭの中心に位置したときのカメラ５（同図に破線で示すカメラ５）の位置と、光軸Ａｏ（同図に実線で示す光軸Ａｏ）が検査対象の基板１００のマークＭの中心に位置したときのカメラ５（同図に実線で示すカメラ５）の位置との間に誤差Ｇ２（第２の誤差）が生じ、この誤差Ｇ２は、マークＭの距離Ｌ２の長短に応じて異なることとなる。したがって、実座標Ｃｒｍを正確なものとするためには、マークＭの距離Ｌ２の長短に応じた誤差Ｇ２で実座標Ｃｒｍを修正する必要がある。処理部９は、この実座標Ｃｒｍの修正を行う際には、ステップ７９で特定したマークＭの距離Ｌ２と基準の距離Ｌ２との差分値、およびカメラ５の光軸Ａｏの傾斜角度θに基づいて誤差Ｇ２を算出し、この誤差Ｇ２をステップ７７で特定した実座標Ｃｒｍに加算、または実座標Ｃｒｍから減算することによって実座標Ｃｒｍを修正する。また、処理部９は、修正した実座標Ｃｒｍを示すデータを記憶部８に記憶（上書き）させる。 On the other hand, as shown in FIG. 4, when the optical axis Ao of thecamera 5 is tilted with respect to the mountingsurface 2a (the direction of the optical axis Ao does not match the vertical direction Dv), it is based on the captured image. The actual coordinates Crm of the specified mark M may have an error depending on the length of the distance L2. Specifically, as shown in the figure, thesubstrate 100 to be inspected is deformed (curved), and the distance L2 of the mark M on thesubstrate 100 to be inspected and the undeformed substrate 100 (broken line in the figure). It is assumed that the distance L2 of the mark M (hereinafter, this distance L2 is also referred to as “reference distance L2”) in thesubstrate 100 represented by (hereinafter, also referred to as “comparison substrate 100”) is different. In this case, as shown in the figure, the camera 5 (shown by the broken line in the figure) when the optical axis Ao (the optical axis Ao shown by the broken line in the figure) is located at the center of the mark M of thecomparative substrate 100. The position of the camera 5) shown and thecamera 5 when the optical axis Ao (the optical axis Ao shown by the solid line in the figure) is located at the center of the mark M of thesubstrate 100 to be inspected (thecamera 5 shown by the solid line in the figure). An error G2 (second error) occurs between the position and the position of the mark M, and the error G2 differs depending on the length of the distance L2 of the mark M. Therefore, in order to make the real coordinate Crm accurate, it is necessary to correct the real coordinate Crm with an error G2 according to the length of the distance L2 of the mark M. When correcting the actual coordinates Crm, the processing unit 9 is based on the difference value between the distance L2 of the mark M specified instep 79 and the reference distance L2, and the inclination angle θ of the optical axis Ao of thecamera 5. The error G2 is calculated, and the actual coordinate Crm is corrected by adding or subtracting the error G2 to the actual coordinate Crm specified instep 77 or from the actual coordinate Crm. Further, the processing unit 9 stores (overwrites) the data indicating the corrected real coordinate Crm in the storage unit 8.

続いて、処理部９は、各マークＭの設計座標Ｃｄｍと実座標Ｃｒｍとの誤差Ｇ１（第１の誤差）を特定して、誤差Ｇ１を示すデータを記憶部８に記憶させる（ステップ８０）。次いで、処理部９は、プロービングポイントＰｐの設計座標Ｃｄｐを基板データＤｂに基づいて特定する（ステップ８１）。 Subsequently, the processing unit 9 identifies an error G1 (first error) between the design coordinate Cdm of each mark M and the actual coordinate Crm, and stores the data indicating the error G1 in the storage unit 8 (step 80). .. Next, the processing unit 9 specifies the design coordinates Cdp of the probing point Pp based on the substrate data Db (step 81).

続いて、処理部９は、補正座標Ｃｒｐの特定を行う（ステップ８２）。具体的には、処理部９は、任意の座標における誤差を求める数式（関数）を、ステップ８０で特定した各マークＭについての誤差Ｇ１を用いて作成する。この場合、処理部９は、一例として、平行移動量および線形変換のパラメータ（拡大縮小、剪断、回転）を含む座標変換式、具体的には、アフィン変換式やヘルマート変換式を誤差を求める数式として作成する。なお、アフィン変換式やヘルマート変換式の作成方法については公知の技術のため、詳細な説明を省略する。次いで、処理部９は、作成した数式にプロービングポイントＰｐの設計座標Ｃｄｐを代入して、そのプロービングポイントＰｐにおける誤差を算出する。続いて、その誤差を設計座標Ｃｄｐに加算、または設計座標Ｃｄｐから減算することによって補正した座標を補正座標Ｃｒｐとして特定する。次いで、処理部９は、補正座標Ｃｒｐを示すデータを記憶部８に記憶させる。 Subsequently, the processing unit 9 specifies the correction coordinate Crp (step 82). Specifically, the processing unit 9 creates a mathematical formula (function) for obtaining an error at arbitrary coordinates using the error G1 for each mark M specified instep 80. In this case, as an example, the processing unit 9 uses a coordinate transformation formula including translation amount and linear transformation parameters (enlargement / reduction, shearing, rotation), specifically, an affine transformation formula or a Helmart transformation formula to obtain an error. Create as. Since the method for creating the affine transformation formula and the Helmart transformation formula is a known technique, detailed description thereof will be omitted. Next, the processing unit 9 substitutes the design coordinates Cdp of the probing point Pp into the created mathematical expression, and calculates the error at the probing point Pp. Subsequently, the coordinate corrected by adding the error to the design coordinate Cdp or subtracting it from the design coordinate Cdp is specified as the correction coordinate Crp. Next, the processing unit 9 stores the data indicating the correction coordinates Crp in the storage unit 8.

続いて、処理部９は、距離Ｌ３（第３の距離）の特定を行う（ステップ８３）。具体的には、処理部９は、上記したステップ７６で実行した処理と同様にして、各検出ポイントＰｃについての各距離Ｌ１に基づいて形状を特定した基板１００の表面１０１におけるプロービングポイントＰｐまでの載置面２ａからの垂直方向Ｄｖに沿った距離Ｌ３（図４参照）を特定する。次いで、処理部９は、距離Ｌ３を示すデータを記憶部８に記憶させて、特定処理７０を終了する。 Subsequently, the processing unit 9 specifies the distance L3 (third distance) (step 83). Specifically, the processing unit 9 reaches the probing point Pp on thesurface 101 of thesubstrate 100 whose shape is specified based on each distance L1 for each detection point Pc in the same manner as the processing executed instep 76 described above. The distance L3 (see FIG. 4) along the vertical direction Dv from the mountingsurface 2a is specified. Next, the processing unit 9 stores the data indicating the distance L3 in the storage unit 8 and ends thespecific processing 70.

続いて、処理部９は、検査処理を実行する。この検査処理では、処理部９は、基板１００におけるプロービングポイントＰｐの補正座標Ｃｒｐを示すデータ、およびプロービングポイントＰｐの距離Ｌ３を示すデータを記憶部８から読み出す。次いで、処理部９は、プロービング機構７を制御して、補正座標Ｃｒｐの対向位置（載置台２の上方）にプローブを移動させ、続いて、距離Ｌ３に対応する位置にプローブを移動（降下）させる（つまり、距離Ｌ３に応じて調整した移動量でプローブを移動させる）ことによってプロービングポイントＰｐにプローブをプロービングさせる。この場合、設計座標Ｃｄｐを補正座標Ｃｒｐに補正することで、プロービングポイントＰｐにプローブを確実にプロービングさせることが可能となっている。また、載置台２の載置面２ａからプロービングポイントＰｐまでの垂直方向Ｄｖに沿った距離Ｌ３を特定することで、適正な押圧力でプローブをプロービングポイントＰｐにプロービングさせることが可能となっている。 Subsequently, the processing unit 9 executes the inspection process. In this inspection process, the processing unit 9 reads data indicating the correction coordinate Crp of the probing point Pp on thesubstrate 100 and data indicating the distance L3 of the probing point Pp from the storage unit 8. Next, the processing unit 9 controls the probing mechanism 7 to move the probe to the opposite position (above the mounting table 2) of the correction coordinate Crp, and then moves (descends) the probe to the position corresponding to the distance L3. Probing the probe to the probing point Pp by causing (that is, moving the probe with a movement amount adjusted according to the distance L3). In this case, by correcting the design coordinate Cdp to the correction coordinate Crp, it is possible to reliably probe the probe at the probing point Pp. Further, by specifying the distance L3 along the vertical direction Dv from the mountingsurface 2a of the mounting table 2 to the probing point Pp, it is possible to probing the probe to the probing point Pp with an appropriate pressing force. ..

次いで、処理部９は、プローブを介して入出力する電気信号に基づいて基板１００についての電気的な検査を行う。続いて、処理部９は、同様にして、他のプロービングポイントＰｐにプローブをプロービングさせて検査を行い、全てのプロービングポイントＰｐにプローブをプロービングさせての検査が終了したときに、検査処理を終了する。 Next, the processing unit 9 performs an electrical inspection on thesubstrate 100 based on the electrical signals input and output via the probe. Subsequently, the processing unit 9 similarly proposes the probe to another probing point Pp to perform the inspection, and ends the inspection process when the inspection is completed by probing the probe to all the probing points Pp. To do.

このように、この処理装置、基板検査装置１、処理方法および基板検査方法では、基板１００の検出ポイントＰｃまでの距離Ｌ１を検出し、距離Ｌ１に基づいて載置面２ａからマークＭまでの距離Ｌ２を特定し、カメラ５の光軸Ａｏが傾斜しているときの距離Ｌ２の長短に応じて生じる誤差Ｇ２でマークＭの実座標Ｃｒｍを修正し、修正後の実座標Ｃｒｍを用いて特定した誤差Ｇ１に基づいて基板１００のプロービングポイントＰｐの設計座標Ｃｄｐを補正して補正座標Ｃｒｐを特定する。このため、この構成および方法によれば、カメラ５の光軸Ａｏが載置面２ａに対して傾斜し、基板１００の変形（湾曲）等に起因してマークＭの距離Ｌ２が、基板１００が変形していないときのマークＭの距離Ｌ２と異なる場合においても、正確な実座標Ｃｒｍを特定することができるため、設計座標Ｃｄｍと実座標Ｃｒｍとの誤差Ｇ１を正確に特定することができる結果、プロービングポイントＰｐの設計座標Ｃｄｐを正確に補正した補正座標Ｃｒｐを特定することができる。したがって、この構成および方法によれば、プロービングポイントＰｐにプローブを確実にプロービングさせて、基板１００を正確に検査することができる。 As described above, in this processing device, the substrate inspection device 1, the processing method, and the substrate inspection method, the distance L1 to the detection point Pc of thesubstrate 100 is detected, and the distance from the mountingsurface 2a to the mark M based on the distance L1. L2 was specified, the actual coordinate Crm of the mark M was corrected by the error G2 generated according to the length of the distance L2 when the optical axis Ao of thecamera 5 was tilted, and the actual coordinate Crm after the correction was used for identification. The design coordinate Cdp of the probing point Pp of thesubstrate 100 is corrected based on the error G1 to specify the correction coordinate Crp. Therefore, according to this configuration and method, the optical axis Ao of thecamera 5 is tilted with respect to the mountingsurface 2a, and the distance L2 of the mark M due to the deformation (curvature) of thesubstrate 100 is set by thesubstrate 100. Since the accurate real coordinate Crm can be specified even when the distance L2 of the mark M is different from that when it is not deformed, the error G1 between the design coordinate Cdm and the real coordinate Crm can be accurately specified. , The correction coordinate Crp that accurately corrects the design coordinate Cdp of the probing point Pp can be specified. Therefore, according to this configuration and method, the probe can be reliably probed at the probing point Pp to accurately inspect thesubstrate 100.

また、この処理装置、基板検査装置１、処理方法および基板検査方法では、互いに異なる位置に規定されているマークＭおよび検出ポイントＰｃを用いて特定処理を実行する。つまり、この構成および方法によれば、基板１００の表面１０１に形成されている互いに異なる導体パターン等をマークＭおよび検出ポイントＰｃとして用いることができる。このため、この構成および方法によれば、例えば、撮像画像において輪郭が明瞭となる形状の導体パターン等をマークＭとして用い、レーザー変位計３によって距離Ｌ１を正確に検出が可能な部位として、基板１００の表面１０１におけるレーザー光が反射し易い部位を検出ポイントＰｃとして用いることで、プロービングポイントＰｐの設計座標Ｃｄｐをより正確に補正することができる。また、この構成および方法では、互いに異なる位置に規定されているマークＭおよび検出ポイントＰｃを用いるため、距離Ｌ１を検出する際のレーザー変位計３の位置と、マークＭを撮像する際のカメラ５の位置とが異ならせることができる。したがって、この構成および方法によれば、距離Ｌ１を検出する工程とマークＭを撮像する工程とを並行して行うことができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。 Further, in the processing device, the substrate inspection device 1, the processing method, and the substrate inspection method, the specific processing is executed by using the marks M and the detection points Pc defined at different positions from each other. That is, according to this configuration and method, different conductor patterns and the like formed on thesurface 101 of thesubstrate 100 can be used as the mark M and the detection point Pc. Therefore, according to this configuration and method, for example, a conductor pattern having a shape whose outline is clear in the captured image is used as the mark M, and the distance L1 can be accurately detected by thelaser displacement meter 3 as a substrate. By using the portion of thesurface 101 of 100 where the laser beam is easily reflected as the detection point Pc, the design coordinate Cdp of the probing point Pp can be corrected more accurately. Further, in this configuration and method, since the mark M and the detection point Pc defined at different positions are used, the position of thelaser displacement meter 3 when detecting the distance L1 and thecamera 5 when capturing the mark M are used. Can be different from the position of. Therefore, according to this configuration and method, the step of detecting the distance L1 and the step of imaging the mark M can be performed in parallel, and as a result, the inspection efficiency can be sufficiently improved.

また、この処理装置、基板検査装置１、処理方法および基板検査方法によれば、載置台２の載置面２ａからプロービングポイントＰｐまでの垂直方向Ｄｖに沿った距離Ｌ３を距離Ｌ１に基づいて特定することにより、プロービングの際の垂直方向Ｄｖのプローブの移動量を距離Ｌ３に基づいて調整することで、プローブをプロービングポイントＰｐに適正な押圧力でプロービングさせることができる。 Further, according to the processing device, the substrate inspection device 1, the processing method, and the substrate inspection method, the distance L3 along the vertical direction Dv from the mountingsurface 2a of the mounting table 2 to the probing point Pp is specified based on the distance L1. By adjusting the movement amount of the probe in the vertical direction Dv during probing based on the distance L3, the probe can be probing at the probing point Pp with an appropriate pressing force.

なお、処理装置、基板検査装置１、処理方法および基板検査方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、互いに異なる位置に規定されているマークＭおよび検出ポイントＰｃを用いて特定処理を実行する例について上記したが、マークＭの位置を検出ポイントＰｃに規定する、つまりマークＭと検出ポイントＰｃとを兼用する構成および方法を採用することもできる。 The processing device, the substrate inspection device 1, the processing method, and the substrate inspection method are not limited to the above configurations and methods. For example, the example of executing the specific process using the mark M and the detection point Pc defined at different positions has been described above, but the position of the mark M is defined as the detection point Pc, that is, the mark M and the detection point Pc It is also possible to adopt a configuration and a method that also serve as.

また、特定処理７０において特定した距離Ｌ３に応じて調整した移動量でプローブを移動（下降）させる例について上記したが、距離Ｌ３を特定する処理を省略して、距離Ｌ３に応じて移動量を調整することなく、予め決められた移動量でプローブを移動（下降）させる構成および方法を採用することもできる。 Further, although the example of moving (descending) the probe with the movement amount adjusted according to the distance L3 specified in thespecific process 70 has been described above, the process of specifying the distance L3 is omitted and the movement amount is increased according to the distance L3. It is also possible to adopt a configuration and method in which the probe is moved (lowered) by a predetermined movement amount without adjustment.

また、レーザー変位計３を検出部として用いる例について上記したが、距離計や測長計などのレーザー変位計３以外の機器を検出部として用いて、距離Ｌ１を検出する構成を採用することもできる。この場合、距離Ｌ１を検出する検出方式は、レーザー光を用いるレーザー式に限らず、ＬＥＤ光を用いるＬＥＤ式でもよいし、超音波を用いる超音波式でもよい。 Further, although the example of using thelaser displacement meter 3 as the detection unit has been described above, it is also possible to adopt a configuration in which the distance L1 is detected by using a device other than thelaser displacement meter 3 such as a range finder or a length measuring meter as the detection unit. .. In this case, the detection method for detecting the distance L1 is not limited to the laser type using the laser light, but may be the LED type using the LED light or the ultrasonic type using the ultrasonic wave.

１ 基板検査装置
２ 載置台
２ａ 載置面
３ レーザー変位計
５ カメラ
７ プロービング機構
９ 処理部
７０ 特定処理
１００ 基板
１０１ 表面
Ａｏ 光軸
Ｃｄｍ 設計座標
Ｃｄｐ 設計座標
Ｃｐ 座標平面
Ｃｒｍ 実座標
Ｃｒｐ 補正座標
Ｄｇ 撮像データ
Ｄｖ 垂直方向
Ｇ１ 誤差
Ｇ２ 誤差
Ｌ１ 距離
Ｌ２ 距離
Ｌ３ 距離
Ｍ１〜Ｍ４ マーク
Ｐｐ１，Ｐｐ２ プロービングポイント1Board inspection device 2 Mounting table2a Mounting surface 3Laser displacement meter 5 Camera 7 Probing mechanism 9Processing unit 70Specific processing 100Board 101 Surface Ao Optical axis Cdm Design coordinates Cdp Design coordinates Cp Coordinate plane Crm Real coordinates Crp Correction coordinates Dg Imaging Data Dv Vertical G1 Error G2 Error L1 Distance L2 Distance L3 Distance M1-M4 Mark Pp1, Pp2 Probing Point

Claims (6)

Translated fromJapanese

載置面に載置された基板の表面に設けられている標識を撮像する撮像部と、当該撮像部によって撮像された前記標識の画像に基づいて前記載置面に平行な座標平面上の当該標識の実座標を特定して当該実座標と当該標識の当該座標平面上の設計座標との第１の誤差を特定すると共に当該第１の誤差に基づいて前記表面に設けられているプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する特定処理を実行する処理部とを備えた処理装置であって、
前記載置面に対向する対向位置に配置されて当該載置面に垂直な垂直方向に沿った当該対向位置から前記表面に規定されている規定点までの第１の距離を検出する検出部を備え、
前記処理部は、前記特定処理において、前記第１の距離に基づいて前記載置面から前記標識までの前記垂直方向に沿った第２の距離を特定する工程と、前記垂直方向に対して前記撮像部の光軸が傾斜しているときの前記第２の距離の長短に応じて生じる前記座標平面上の第２の誤差で前記標識の前記実座標を修正する工程とを実行し、修正後の前記実座標を用いて前記第１の誤差を特定する処理装置。An imaging unit that images a marker provided on the surface of a substrate mounted on the mounting surface, and a coordinate plane parallel to the above-mentioned mounting surface based on the image of the label imaged by the imaging unit. The actual coordinates of the marker are specified to specify the first error between the actual coordinates and the design coordinates of the marker on the coordinate plane, and the probing point provided on the surface is based on the first error. It is a processing device provided with a processing unit that executes a specific process of correcting the design coordinates and specifying the corrected coordinates.
A detection unit that is arranged at a position facing the mounting surface and detects a first distance from the facing position along the vertical direction perpendicular to the mounting surface to a specified point defined on the surface. Prepare,
In the specific process, the processing unit specifies a second distance along the vertical direction from the above-mentioned mounting surface to the label based on the first distance, and the processing unit is said to have a relative distance to the vertical direction. The step of correcting the actual coordinates of the marker with the second error on the coordinate plane generated according to the length of the second distance when the optical axis of the imaging unit is tilted is executed, and after the correction. A processing device that identifies the first error using the actual coordinates of the above. 前記処理部は、互いに異なる位置に規定されている前記標識および前記規定点を用いて前記特定処理を実行する請求項１記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit executes the specific processing by using the sign and the specified point defined at different positions from each other. 前記処理部は、前記第１の距離に基づいて前記載置面から前記プロービングポイントまでの前記垂直方向に沿った第３の距離を特定する請求項１または２記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the processing unit specifies a third distance along the vertical direction from the above-mentioned mounting surface to the probing point based on the first distance. 請求項１から３のいずれかに記載の処理装置と、検査用のプローブを移動させてプロービングを行うプロービング機構と、当該プロービング機構を制御して前記処理装置によって特定された前記プロービングポイントの補正座標に前記プローブをプロービングさせる制御部と、前記プローブを介して入出力する電気信号に基づいて前記基板を検査する検査部とを備えている基板検査装置。 The processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, a probing mechanism that moves an inspection probe to perform probing, and correction coordinates of the probing point specified by the processing apparatus by controlling the probing mechanism. A substrate inspection device including a control unit for probing the probe and an inspection unit for inspecting the substrate based on an electric signal input / output via the probe. 載置面に載置された基板の表面に設けられている標識を撮像した当該標識の画像に基づいて当該載置面に平行な座標平面上の当該標識の実座標を特定して当該実座標と当該標識の当該座標平面上の設計座標との第１の誤差を特定すると共に当該第１の誤差に基づいて前記表面に設けられているプロービングポイントの設計座標を補正して補正座標を特定する特定処理を実行する処理方法であって、
前記載置面に対向する対向位置から前記表面に規定されている規定点までの当該載置面に垂直な垂直方向に沿った第１の距離を検出し、
前記特定処理において、前記第１の距離に基づいて前記載置面から前記標識までの前記垂直方向に沿った第２の距離を特定する工程と、前記標識を撮像した撮像部の光軸が前記垂直方向に対して傾斜しているときの前記第２の距離の長短に応じて生じる前記座標平面上の第２の誤差で前記標識の前記実座標を修正する工程とを実行し、修正後の前記実座標を用いて前記第１の誤差を特定する処理方法。The actual coordinates of the sign on the coordinate plane parallel to the mounting surface are specified based on the image of the sign obtained by imaging the sign provided on the surface of the substrate mounted on the mounting surface, and the actual coordinates are specified. And the first error between the sign and the design coordinate on the coordinate plane are specified, and the design coordinate of the probing point provided on the surface is corrected based on the first error to specify the correction coordinate. It is a processing method that executes a specific process.
The first distance along the vertical direction perpendicular to the mounting surface from the position facing the mounting surface to the specified point defined on the surface is detected.
In the specific process, the step of specifying the second distance along the vertical direction from the above-mentioned mounting surface to the sign based on the first distance, andthe optical axis of the imaging unit that imaged the sign are described above. perform the step of modifying the second of the real coordinates of said label with an error on the coordinate plane that occurs in response to the length of the second distance whileinclined obliquelywith respect to the vertical direction, corrected A processing method for identifying the first error using the actual coordinates of the above. 請求項５記載の処理方法によって特定した前記プロービングポイントの実座標に検査用のプローブをプロービングさせ、前記プローブを介して入出力する電気信号に基づいて前記基板を検査する基板検査方法。 A substrate inspection method in which a probe for inspection is probed to the actual coordinates of the probing point specified by the processing method according to claim 5, and the substrate is inspected based on an electric signal input / output via the probe.

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