JP6126775B2 - Display device - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

技術分野は、表示装置及びその駆動方法に関する。また、表示装置の作製方法に関する。  The technical field relates to a display device and a driving method thereof. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a display device.

近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子データとして提供できるようになっている。この種の電子データは、一般に、テレビ、パーソナルコンピュータ、または携帯型電子端末などが備える表示装置に表示されることで、その内容が閲覧される。  In recent years, with the advance of digitization technology, character information and image information such as newspapers and magazines can be provided as electronic data. This type of electronic data is generally viewed by being displayed on a display device provided in a television, personal computer, portable electronic terminal, or the like.

そして、紙面と同等の高い視認性を有する表示装置として、電気泳動素子などの電子インクを用いたものが開発されている。電子インクを用いた表示装置としては、例えば、画素電極と対向電極との間にマイクロカプセルを有するものが挙げられる。２つの電極間に電圧を印加し、マイクロカプセル中に存在する着色された粒子を電界方向に移動させることで、表示を行うものである（特許文献１参照）。  As a display device having high visibility equivalent to that of the paper surface, a display device using electronic ink such as an electrophoretic element has been developed. As a display device using electronic ink, for example, a display device having a microcapsule between a pixel electrode and a counter electrode can be given. Display is performed by applying a voltage between the two electrodes and moving the colored particles present in the microcapsule in the direction of the electric field (see Patent Document 1).

特開２００８−２７６１５３JP2008-276153

上記特許文献１では、表示画像を切り替える際に、残像が生じるという問題があった。  In the above-mentioned Patent Document 1, there is a problem that an afterimage is generated when a display image is switched.

その原因の一つとして、図１３（Ａ）に示すように、画素電極５００１の端部５００３が直線形状であることが挙げられる。端部５００３が直線形状であると、表示を行った際に、図１３（Ｂ）に示すように、画素電極間の隙間５００５において電界が正しく印加されない可能性があるため、残像が生じてしまう。なお、残像を消すために初期化処理を行う場合、表示速度が遅くなってしまう。  One of the causes is that theend portion 5003 of thepixel electrode 5001 is linear as shown in FIG. When theend portion 5003 has a linear shape, an afterimage is generated when display is performed because an electric field may not be correctly applied in thegap 5005 between the pixel electrodes as shown in FIG. 13B. . Note that when the initialization process is performed in order to erase the afterimage, the display speed becomes slow.

上記問題に鑑み、残像の低減をはじめとする表示装置の諸性能を向上することを課題の一とする。  In view of the above problems, an object is to improve various performances of a display device including reduction of afterimages.

本明細書で開示する表示装置は、帯電物質に電界を印加することで表示を行う装置である。複数の画素電極を有し、隣接する２つの画素電極の端部の一部又は全部を直線形状としないことで、画素電極間の隙間において、帯電物質に正しく電界を印加するものである。  The display device disclosed in this specification is a device that performs display by applying an electric field to a charged substance. By having a plurality of pixel electrodes and not forming a part or all of the ends of two adjacent pixel electrodes in a straight line shape, an electric field is correctly applied to the charged substance in the gap between the pixel electrodes.

本発明の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層（帯電物質を有する層とも呼ぶ）とを有し、複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の端部は、端面方向に屈曲している部分（屈曲部ともいう）を有する表示装置である。本明細書において、端面方向とは、画素電極の上面に対して平行な方向を指す。また、屈曲している部分は、頂点を有する形状（折れている形状ともいう）でもよく、頂点を有さない形状（曲がっている形状ともいう）でもよい。そして、２つの画素電極における屈曲している部分が、互いに噛み合っていることが好ましい。  One embodiment of the present invention includes a plurality of pixel electrodes and a charged layer (also referred to as a layer having a charged substance) provided over the pixel electrodes, and the ends of two adjacent pixel electrodes among the plurality of pixel electrodes. The portion is a display device having a portion bent also in the end face direction (also referred to as a bent portion). In this specification, the end surface direction refers to a direction parallel to the upper surface of the pixel electrode. Further, the bent portion may be a shape having a vertex (also referred to as a bent shape) or a shape not having a vertex (also referred to as a bent shape). The bent portions of the two pixel electrodes are preferably engaged with each other.

本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部は端面方向に凹部（又は凹凸部）を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部（又は凹凸部）を有し、一方の画素電極の凹部（又は凹凸部）と、他方の画素電極の凸部（又は凹凸部）とが対になることで、２つの画素電極の間に隙間が形成されている表示装置である。本明細書において、凹部と凸部が対（又は凹凸部が対）になるとは、凹部に対し、凸部が入り込んでいる状態を指す。また、この状態を、凹部と凸部が互いに噛み合っていると表現してもよい。  Another embodiment of the present invention includes a plurality of pixel electrodes and a charging layer provided on the pixel electrode, and one pixel electrode is disposed between two adjacent pixel electrodes among the plurality of pixel electrodes. The end portion has a concave portion (or uneven portion) in the end face direction, the end portion of the other pixel electrode has a convex portion (or uneven portion) in the end face direction, and the concave portion (or uneven portion) of one pixel electrode In the display device, a gap is formed between two pixel electrodes by forming a pair with a convex portion (or an uneven portion) of the other pixel electrode. In this specification, the phrase “a concave portion and a convex portion are paired (or a concave and convex portion is a pair)” refers to a state in which the convex portion enters the concave portion. Moreover, you may express this state as a recessed part and a convex part mutually meshing | engaged.

本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間に隙間が形成されており、隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有し、三カ所以上の部分において、各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つ以上の頂点を有する表示装置である。  Another embodiment of the present invention includes a plurality of pixel electrodes and a charging layer provided on the pixel electrode, and a gap is formed between two adjacent pixel electrodes among the plurality of pixel electrodes. The gap has a portion having equal intervals at three or more places, and the three or more portions are display devices having one or more vertices when the midpoints of the intervals are connected by line segments.

本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間において、２つの画素電極の端部はともに屈曲し、且つ、隙間を形成しており、隙間は、三カ所以上の間隔が等しい部分を有する表示装置である。  Another embodiment of the present invention includes a plurality of pixel electrodes and a charging layer provided on the pixel electrode, and the two pixel electrodes are disposed between two adjacent pixel electrodes among the plurality of pixel electrodes. Both end portions are bent and a gap is formed, and the gap is a display device having a portion having three or more equal intervals.

本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、複数の画素電極のうち一の画素電極の右辺の端部と、一の画素電極の右辺において隣接する画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、一の画素電極の上辺の端部と、一の画素電極の上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、前記一の画素電極の右辺における隙間と、前記一の画素電極の上辺における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有する表示装置である。  Another embodiment of the present invention includes a plurality of pixel electrodes and a charging layer provided on the pixel electrode, and an end portion on the right side of one pixel electrode of the plurality of pixel electrodes and one pixel electrode The edge of the left side of the adjacent pixel electrode is bent and forms a gap, and the edge of the upper side of one pixel electrode and the lower side of the adjacent pixel electrode on the upper side of the one pixel electrode Are bent and form a gap, and the gap on the right side of the one pixel electrode and the gap on the upper side of the one pixel electrode have two or more equal portions. It is a display device.

残像の低減など表示装置の性能を向上させることができる。  The performance of the display device can be improved such as reduction of afterimages.

表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.表示装置の一例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device.電子機器の一例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device.従来の表示装置の一例を示す図。The figure which shows an example of the conventional display apparatus.

以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。  Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the following embodiments can be implemented in many different modes, and it is easy for those skilled in the art to change the modes and details in various ways without departing from the spirit and scope thereof. Understood. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置の構造の一例について説明する。(Embodiment 1)
In this embodiment, an example of a structure of a display device is described.

図１は、表示装置の画素部の上面図である。なお、図１では画素部の一部を示している。  FIG. 1 is a top view of a pixel portion of a display device. FIG. 1 shows a part of the pixel portion.

画素部は、複数の画素を有し、該複数の画素は、それぞれ画素電極１０１を有している。本発明の一態様は、画素電極１０１の端部の一部又は全部が直線形状ではないことを特徴としている。すなわち、画素電極１０１の端部が、端面方向に屈曲している部分１０３を有している。なお、直線形状である部分１０５を有していてもよい。そして、隣接する２つの画素電極１０１における屈曲している部分１０３と部分１０４とが、互いに噛み合っていることが好ましい。  The pixel portion includes a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes apixel electrode 101. One embodiment of the present invention is characterized in that part or all of the end portion of thepixel electrode 101 is not linear. That is, the end portion of thepixel electrode 101 has aportion 103 bent in the end surface direction. In addition, you may have thepart 105 which is a linear shape. Thebent portion 103 and theportion 104 of the twoadjacent pixel electrodes 101 are preferably engaged with each other.

ここで、画素電極１０１の構造の詳細な条件について、図１の拡大図である図２乃至図５を用いて説明する。  Here, detailed conditions of the structure of thepixel electrode 101 will be described with reference to FIGS. 2 to 5 which are enlarged views of FIG.

まず条件１を説明する。隣接する２つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部は端面方向に凹部を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部を有している。そして、一方の画素電極の凹部と他方の画素電極の凸部とが対になり、２つの画素電極の間に隙間が形成されている。また、２つの画素電極の端部に凹凸部（凹部及び凸部とも呼ぶ）を有し、一方の画素電極の凹凸部と他方の画素電極の凹凸部が対になっていてもよい。  First, condition 1 will be described. Between two adjacent pixel electrodes, an end portion of one pixel electrode has a concave portion in the end surface direction, and an end portion of the other pixel electrode has a convex portion in the end surface direction. Then, the concave portion of one pixel electrode and the convex portion of the other pixel electrode are paired to form a gap between the two pixel electrodes. In addition, an uneven portion (also referred to as a concave portion and a convex portion) may be provided at the end portions of the two pixel electrodes, and the uneven portion of one pixel electrode and the uneven portion of the other pixel electrode may be paired.

条件１の具体例を、図２に示す。画素電極２０１は凹部２１１及び凸部２１３を有し、画素電極２０３は凹部２１５及び凸部２１７を有している。そして、画素電極２０１の凹部２１１と画素電極２０３の凸部２１７とが対になり、画素電極２０１の凸部２１３と画素電極２０３の凹部２１５とが対になっている。すなわち、画素電極２０１の凹凸部と画素電極２０３の凹凸部とが対になり、２つの画素電極２０１、２０３の間に隙間２１９が形成されている。条件１を適用することで、図１における画素電極の突出する部分１０３が形成される。  A specific example of condition 1 is shown in FIG. Thepixel electrode 201 has aconcave portion 211 and aconvex portion 213, and thepixel electrode 203 has aconcave portion 215 and aconvex portion 217. Theconcave portion 211 of thepixel electrode 201 and theconvex portion 217 of thepixel electrode 203 are paired, and theconvex portion 213 of thepixel electrode 201 and theconcave portion 215 of thepixel electrode 203 are paired. That is, the uneven portion of thepixel electrode 201 and the uneven portion of thepixel electrode 203 are paired, and agap 219 is formed between the twopixel electrodes 201 and 203. By applying the condition 1, the protrudingportion 103 of the pixel electrode in FIG. 1 is formed.

また、別の条件２を説明する。隣接する２つの画素電極の間に隙間が形成されており、該隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有する。そして、該三カ所以上の部分において、各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つ以上の頂点を有する。すなわち、該三カ所以上の部分における各々の間隔の中点が、一直線上に並ばないことを意味している。  Another condition 2 will be described. A gap is formed between two adjacent pixel electrodes, and the gap has three or more equal portions. And in these three or more parts, when the midpoint of each space | interval is connected with a line segment, it has one or more vertexes. That is, it means that the midpoints of the intervals in the three or more portions are not aligned on a straight line.

条件２の具体例を、図３に示す。隣接する２つの画素電極２０１、２０３の間に隙間２１９が形成されており、隙間２１９は三カ所の間隔が等しい部分３０１、３０３、３０５を有する。そして、三カ所における各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つの頂点３０７を有する。条件２を適用することで、図１における画素電極の突出する部分１０３が形成される。  A specific example of condition 2 is shown in FIG. Agap 219 is formed between twoadjacent pixel electrodes 201 and 203, and thegap 219 has threeportions 301, 303, and 305 having the same interval. And if the midpoint of each space | interval in three places is connected with a line segment, it has onevertex 307. By applying the condition 2, the protrudingportion 103 of the pixel electrode in FIG. 1 is formed.

また、別の条件３を説明する。隣接する２つの画素電極の間において、２つの画素電極の端部はともに屈曲しており、且つ、隙間を形成している。そして、該隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有している。特に、２つの画素電極の一辺の半分以上の部分で間隔が等しいことが好ましい。  Another condition 3 will be described. Between two adjacent pixel electrodes, both ends of the two pixel electrodes are bent and a gap is formed. And this clearance gap has the part where the space | interval of three or more places is equal. In particular, it is preferable that the interval is equal in a part of one side or more of two pixel electrodes.

条件３の具体例を、図４に示す。画素電極２０１、２０３の端部４０１と端部４０３とはともに屈曲しており、隙間２１９が形成されている。そして、画素電極の一辺に渡り、隙間２１９の間隔が等しい。条件３を適用することで、図１における画素電極の突出する部分１０３が形成される。  A specific example of condition 3 is shown in FIG. Theend portions 401 and theend portions 403 of thepixel electrodes 201 and 203 are both bent, and agap 219 is formed. Then, thegap 219 has the same interval over one side of the pixel electrode. By applying the condition 3, the protrudingportion 103 of the pixel electrode in FIG. 1 is formed.

また、別の条件４を説明する。一の画素電極の右辺の端部と、該右辺において隣接する画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、両端部の間に隙間を形成している。そして、該一の画素電極の上辺の端部と、該上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し、且つ、両端部の間に隙間を形成している。更に、該一の画素電極の右辺における隙間と上辺における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有している。  Another condition 4 will be described. The end of the right side of one pixel electrode and the end of the left side of the adjacent pixel electrode on the right side are bent, and a gap is formed between both ends. The end of the upper side of the one pixel electrode and the end of the lower side of the pixel electrode adjacent to the upper side are bent, and a gap is formed between both ends. Furthermore, the gap on the right side of the one pixel electrode and the gap on the upper side have a portion where the distance between two or more is equal.

条件４の具体例を、図５に示す。画素電極２０１の右辺の端部５０１及び画素電極２０３の左辺の端部５０２がともに屈曲しており、隙間２１９が形成されている。そして、画素電極２０１の上辺の端部５０３及び画素電極２０５の下辺の端部５０４がともに屈曲しており、隙間２２１が形成されている。そして、隙間２１９と隙間２２１とは、二カ所の間隔が等しい部分５０５、５０７を有している。条件４を適用することで、図１における画素電極の突出する部分１０３が形成される。  A specific example of condition 4 is shown in FIG. Theend 501 on the right side of thepixel electrode 201 and theend 502 on the left side of thepixel electrode 203 are both bent, and agap 219 is formed. Theupper end 503 of thepixel electrode 201 and thelower end 504 of thepixel electrode 205 are both bent to form agap 221. Thegap 219 and thegap 221 haveportions 505 and 507 having the same distance between the two places. By applying condition 4, the protrudingportion 103 of the pixel electrode in FIG. 1 is formed.

なお、上記において間隔が等しいとは、誤差を考慮し、間隔が概ね等しい場合も含むものとする。  In the above description, the same interval includes the case where the intervals are substantially equal in consideration of errors.

上記のような画素電極の構造を適用することで奏する効果について、以下に説明する。  The effects obtained by applying the pixel electrode structure as described above will be described below.

図６は、図１に示した画素部の断面図であり、３画素分を示している。また、表示素子として、マイクロカプセル型電気泳動方式を用いる例を示している。  FIG. 6 is a cross-sectional view of the pixel portion shown in FIG. 1 and shows three pixels. In addition, an example in which a microcapsule electrophoresis method is used as a display element is shown.

一の画素は、画素電極６０３、対向電極６０５、画素電極６０３と対向電極６０５との間に設けられた帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を有する表示素子６０１を有している。また、一の画素に隣接する画素は、画素電極６０３に隣接する画素電極６０９、対向電極６０５、及び帯電層６０６を有する表示素子６０１を有している。  One pixel includes adisplay element 601 including apixel electrode 603, acounter electrode 605, and a charging layer 606 (also referred to as a layer having a charged substance) provided between thepixel electrode 603 and thecounter electrode 605. A pixel adjacent to one pixel includes adisplay element 601 including apixel electrode 609 adjacent to thepixel electrode 603, acounter electrode 605, and acharging layer 606.

帯電層６０６は、複数のマイクロカプセル６０７を有する。そして、マイクロカプセル６０７は、着色された粒子６２３、６２５を有している。粒子６２３、６２５は帯電物質として機能する。  Thecharging layer 606 includes a plurality ofmicrocapsules 607. Themicrocapsule 607 includes coloredparticles 623 and 625. Theparticles 623 and 625 function as a charged substance.

そして、画素電極６０３と画素電極６０９との間には、隙間６１１が形成されている。  Agap 611 is formed between thepixel electrode 603 and thepixel electrode 609.

画素電極６０３、６０９では、図１乃至図５のような画素電極の構造を用いている。そのため、図６の隙間６１１において紙面の奥行き方向を見ると、画素電極６０３が突出した部分６１３を有している。この突出した部分６１３は、図１の部分１０３又は図２の凸部２１３等に該当する。  Thepixel electrodes 603 and 609 use the pixel electrode structure as shown in FIGS. Therefore, when the depth direction of the paper surface is viewed in thegap 611 in FIG. 6, thepixel electrode 603 has a protrudingportion 613. The protrudingportion 613 corresponds to theportion 103 in FIG. 1 or theconvex portion 213 in FIG.

この状態で画素電極６０３、６０９と対向電極６０５との間に電圧を印加すると、矢印６１５のように電界が発生する。  When a voltage is applied between thepixel electrodes 603 and 609 and thecounter electrode 605 in this state, an electric field is generated as indicated by anarrow 615.

そして、画素電極６０３における突出した部分６１３にも電界が発生するため、隙間６１１の一部または全部においても、粒子６２３、６２５に正しく電界を印加することができる。そのため、図１３のような従来例において、隙間５００５で生じていた残像を低減することができる。  Since an electric field is generated also in the protrudingportion 613 of thepixel electrode 603, the electric field can be correctly applied to theparticles 623 and 625 even in part or all of thegap 611. For this reason, in the conventional example as shown in FIG. 13, the afterimage generated in thegap 5005 can be reduced.

なお、上記の隙間６１１の間隔は、画素電極６０３と対向電極６０５との隙間（セルギャップとも呼ぶ）より狭いことが好ましい。  Note that thegap 611 is preferably narrower than a gap (also referred to as a cell gap) between thepixel electrode 603 and thecounter electrode 605.

以下に、帯電層６０６の一例について詳細に説明する。  Hereinafter, an example of thecharging layer 606 will be described in detail.

帯電層６０６は、複数のマイクロカプセル６０７と、樹脂６１７とを有する。マイクロカプセル６０７は、樹脂６１７中で分散して固定されている。樹脂６１７は、バインダとしての機能を有する。  Thecharging layer 606 includes a plurality ofmicrocapsules 607 and aresin 617. Themicrocapsules 607 are dispersed and fixed in theresin 617. Theresin 617 has a function as a binder.

樹脂６１７は、透光性を有するとよい。樹脂６１７の代わりに、空気又は不活性ガスなどの気体を充填してもよい。その場合、画素電極６０３と対向電極６０５との一方又は両方に、粘着剤又は接着剤等を含む層を形成して、マイクロカプセル６０７を固定するとよい。  Theresin 617 may have a light-transmitting property. Instead of theresin 617, a gas such as air or an inert gas may be filled. In that case, amicrocapsule 607 may be fixed by forming a layer containing an adhesive or an adhesive on one or both of thepixel electrode 603 and thecounter electrode 605.

マイクロカプセル６０７は、膜６１９と、液体６２１と、粒子６２３と、粒子６２５とを有する。液体６２１、粒子６２３と、粒子６２５とは、膜６１９の中に封入されている。膜６１９は、透光性を有する。なお、マイクロカプセル６０７の断面形状は、円形に限定されず、楕円形や、凹凸を有する形状であってもよい。  Themicrocapsule 607 includes afilm 619, a liquid 621,particles 623, andparticles 625. The liquid 621, theparticles 623, and theparticles 625 are enclosed in afilm 619. Thefilm 619 has a light-transmitting property. Note that the cross-sectional shape of themicrocapsule 607 is not limited to a circular shape, and may be an elliptical shape or an uneven shape.

液体６２１は、分散液としての機能を有する。液体６２１により、粒子６２３及び粒子６２５を膜６１９内に分散させることができる。なお、液体６２１は、透光性を有し、無着色であることが好ましい。  The liquid 621 has a function as a dispersion. With the liquid 621, theparticles 623 and 625 can be dispersed in thefilm 619. Note that the liquid 621 preferably has a light-transmitting property and is not colored.

粒子６２３と粒子６２５とは、互いに異なる色とする。例えば、一方は黒色であり、他方は白色であるとよい。なお、粒子６２３と粒子６２５とは、互いの電荷密度が異なるように帯電されており、帯電物質として機能する。例えば、一方は正に帯電され、他方は負に帯電されるとよい。これにより、画素電極６０３と対向電極６０５との間に電位差が生じると、粒子６２３と粒子６２５とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子６０１の反射率が変化することにより、階調を制御することができる。  Theparticles 623 and 625 have different colors. For example, one may be black and the other white. Note that theparticles 623 and 625 are charged so that their charge densities are different from each other, and function as a charged substance. For example, one may be positively charged and the other negatively charged. Accordingly, when a potential difference is generated between thepixel electrode 603 and thecounter electrode 605, theparticles 623 and theparticles 625 move according to the electric field direction. Thus, the gradation can be controlled by changing the reflectance of thedisplay element 601.

なお、マイクロカプセル６０７の構造は、上記に限定されない。例えば、液体６２１は、着色されていてもよい。また、粒子の色は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンタ、イエロー、エメラルドグリーン、朱色などの中から選択することが可能である。また、粒子の色の種類は、１種類であっても、３種類以上であってもよい。  Note that the structure of themicrocapsule 607 is not limited to the above. For example, the liquid 621 may be colored. The color of the particles can be selected from not only white and black but also red, green, blue, cyan, magenta, yellow, emerald green, vermilion, and the like. Further, the type of particle color may be one type or three or more types.

また、表示素子６０１は、マイクロカプセル型に限定されず、マイクロカップ型、水平移動型、垂直移動型、ツイストボール型（球状又は円筒状等）、粉体移動型、電子粉流体（登録商標）型、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方式、又はエレクトロデポジション方式などを適用することができる。帯電層６０６が有する粒子等の帯電物質の移動により、表示を行うことが可能な素子全般を指す。  Further, thedisplay element 601 is not limited to the microcapsule type, and is a microcup type, a horizontal movement type, a vertical movement type, a twist ball type (spherical or cylindrical shape, etc.), a powder movement type, and an electronic powder fluid (registered trademark). A mold, a charged toner, an electrowetting method, an electrochromism method, an electrodeposition method, or the like can be applied. It refers to all elements that can perform display by movement of charged substances such as particles of the chargedlayer 606.

なお、対向電極６０５側から表示画面を閲覧する場合、対向電極６０５は透光性を有する材料で形成する。透光性を有する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。Note that when the display screen is viewed from thecounter electrode 605 side, thecounter electrode 605 is formed using a light-transmitting material. Examples of the light-transmitting material include indium tin oxide (ITO), indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO), organic indium, organic tin, zinc oxide (ZnO), and indium zinc oxide (IZO). Zinc oxide containing gallium, tin oxide (SnO₂ ), indium oxide containing tungsten oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing titanium oxide, or the like is used. be able to.

この場合、画素電極６０３は、上記の透光性を有する材料、又は、金属材料を用いることができる。特に、可視光に対して反射率が低い金属材料、又は可視光に対して吸収率が高い金属材料を用いて形成することが好ましい。そうすることで、画素電極６０３での反射が生じにくくなるため、表示画面に対する視認度が向上する。反射率が低い金属としては、例えばクロム等を用いることができる。  In this case, thepixel electrode 603 can be formed using the light-transmitting material or the metal material. In particular, it is preferable to use a metal material having a low reflectance for visible light or a metal material having a high absorption rate for visible light. By doing so, since reflection at thepixel electrode 603 is less likely to occur, the visibility with respect to the display screen is improved. As the metal having a low reflectance, for example, chromium can be used.

また、画素電極６０３側から表示画面を閲覧してもよく、その場合、画素電極６０３は上記の透光性を有する材料で形成する。  Further, the display screen may be viewed from thepixel electrode 603 side. In that case, thepixel electrode 603 is formed using the above-described light-transmitting material.

この場合、対向電極６０５は、画素電極６０３より反射率が低い金属を用いて形成することが好ましい。上記の反射率の低い金属を用いることができる。  In this case, thecounter electrode 605 is preferably formed using a metal having a lower reflectance than thepixel electrode 603. A metal having a low reflectance can be used.

また、対向電極６０５側及び画素電極６０３側の両方から表示画面を閲覧してもよく、その場合、対向電極６０５及び画素電極６０３はともに、上記の透光性を有する材料で形成する。そして、反対側への光の透過を防止するため、対向電極６０５側及び画素電極６０３側に偏光板をクロスニコルに配置することが好ましい。  Further, the display screen may be viewed from both thecounter electrode 605 side and thepixel electrode 603 side. In that case, both thecounter electrode 605 and thepixel electrode 603 are formed using the above light-transmitting material. In order to prevent transmission of light to the opposite side, it is preferable to dispose polarizing plates in crossed Nicols on thecounter electrode 605 side and thepixel electrode 603 side.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

（実施の形態２）
本実施の形態では、画素電極の構造として、図１と異なる一例を示す。(Embodiment 2)
In this embodiment, an example different from that in FIG. 1 is shown as the structure of the pixel electrode.

図７（Ａ）乃至（Ｄ）は、表示装置の画素部の上面図である。なお、図７（Ａ）乃至（Ｄ）では画素部の一部を示している。  7A to 7D are top views of the pixel portion of the display device. 7A to 7D illustrate part of the pixel portion.

図７（Ａ）では、画素部は画素電極７０１を有している。画素電極７０１の端部は、端面方向に、長方形状の突出した部分を有している。  In FIG. 7A, the pixel portion includes apixel electrode 701. The end portion of thepixel electrode 701 has a rectangular protruding portion in the end surface direction.

図７（Ｂ）では、画素部は画素電極７０３を有している。画素電極７０３の端部は、端面方向に、台形状の突出した部分を有している。  In FIG. 7B, the pixel portion includes apixel electrode 703. The end portion of thepixel electrode 703 has a trapezoidal protruding portion in the end surface direction.

図７（Ｃ）では、画素部は画素電極７０５を有している。画素電極７０５の端部は、端面方向に、三角形状の突出した部分を有している。  In FIG. 7C, the pixel portion includes apixel electrode 705. The end portion of thepixel electrode 705 has a triangular protruding portion in the end surface direction.

図７（Ｄ）では、画素部は画素電極７０７を有している。画素電極７０７の右辺の端部は、端面方向に、三角形状の突出した部分を有している。更に画素電極７０７の上辺の端部は端面方向に、突出した部分を有している。  In FIG. 7D, the pixel portion includes apixel electrode 707. The end of the right side of thepixel electrode 707 has a triangular protruding portion in the end face direction. Furthermore, the end of the upper side of thepixel electrode 707 has a protruding portion in the end face direction.

そして、図７（Ａ）乃至図７（Ｄ）の構造とした場合においても、実施の形態１で示した条件１乃至条件４のいずれかを満たすことで、図１乃至図６と同様に、隣接する２つの画素電極間の隙間において電界を印加することができる。そのため、隙間における残像を低減することができる。  Even in the case of the structure shown in FIGS. 7A to 7D, by satisfying any one of the conditions 1 to 4 shown in Embodiment Mode 1, as in FIGS. An electric field can be applied in a gap between two adjacent pixel electrodes. Therefore, the afterimage in the gap can be reduced.

また、図１、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、及び図７（Ｄ）の構造のうち複数を組み合わせてもよい。  In addition, a plurality of the structures shown in FIGS. 1, 7A, 7B, 7C, and 7D may be combined.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置の構造の一例を説明する。(Embodiment 3)
In this embodiment, an example of a structure of a display device is described.

図８は、画素回路及び駆動回路の一例である。図８（Ａ）にパッシブマトリクス型の表示装置、図８（Ｂ）にアクティブマトリクス型の表示装置を示す。それぞれマトリクス状に配置された複数の画素８０１に表示素子６０１を有する。  FIG. 8 illustrates an example of a pixel circuit and a driver circuit. FIG. 8A illustrates a passive matrix display device, and FIG. 8B illustrates an active matrix display device. Each of the plurality ofpixels 801 arranged in a matrix has adisplay element 601.

表示素子の構造及び駆動方法は、上記実施の形態で示した表示素子の構成を適用することができる。  As the structure and driving method of the display element, the structure of the display element described in any of the above embodiments can be applied.

図８（Ａ）に示すパッシブマトリクス型では、画素８０１は、複数の交差する配線８０３、８０５と、該交差する配線８０３、８０５に電気的に接続される表示素子６０１とを有する。また、配線８０３は、駆動回路８１１に電気的に接続され、配線８０５は、駆動回路８１３に電気的に接続されている。そして、表示素子６０１は、駆動回路８１１及び駆動回路８１３から入力される電位に応じて、階調表示を行う。  In the passive matrix type illustrated in FIG. 8A, thepixel 801 includes a plurality of intersectingwirings 803 and 805 and adisplay element 601 electrically connected to the intersectingwirings 803 and 805. Thewiring 803 is electrically connected to thedrive circuit 811, and thewiring 805 is electrically connected to thedrive circuit 813. Thedisplay element 601 performs gradation display in accordance with the potentials input from thedriver circuit 811 and thedriver circuit 813.

また、図８（Ｂ）に示すアクティブマトリクス型では、画素８０１は、複数の交差する配線８０３、８０５と、トランジスタ８０７と、表示素子６０１と、容量素子８０９とを有する。そして、トランジスタ８０７のゲートが配線８０５に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が配線８０３に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が表示素子６０１及び容量素子８０９に電気的に接続されている。また、配線８０３は、駆動回路８１１に電気的に接続され、配線８０５は駆動回路８１３に電気的に接続されている。トランジスタ８０７は、駆動回路８１３から入力される電位に応じて導通又は非導通が制御される。そして、表示素子６０１は、トランジスタ８０７が導通している際に駆動回路８１１から入力される電位に応じて、階調表示を行う。なお、容量素子８０９は、表示素子６０１に印加される電圧を保持する機能を有している。  In the active matrix type illustrated in FIG. 8B, thepixel 801 includes a plurality of intersectingwirings 803 and 805, atransistor 807, adisplay element 601, and acapacitor 809. The gate of thetransistor 807 is electrically connected to thewiring 805, one of the source and the drain is electrically connected to thewiring 803, and the other of the source and the drain is electrically connected to thedisplay element 601 and thecapacitor 809. ing. Thewiring 803 is electrically connected to thedrive circuit 811, and thewiring 805 is electrically connected to thedrive circuit 813. Thetransistor 807 is controlled to be on or off in accordance with the potential input from thedriver circuit 813. Thedisplay element 601 performs gradation display in accordance with the potential input from thedriver circuit 811 when thetransistor 807 is conductive. Note that thecapacitor 809 has a function of holding a voltage applied to thedisplay element 601.

次に、画素部の断面構造を示す。  Next, a cross-sectional structure of the pixel portion is shown.

図９（Ａ）はパッシブマトリクス型の断面構造である。基板９０１と対向基板９０３との間に表示素子６０１を有する。そして、基板９０１側に、画素電極６０３、６０９を紙面と垂直方向に延伸して設けることで、図８（Ａ）に示す複数の配線８０３が形成されている。そのため、画素電極６０３、６０９となる複数の配線８０３の端部において、上記条件１乃至条件３のいずれかを満たしていればよい。一方、対向基板９０３側には、対向電極６０５を紙面と平行方向に延伸して設けることで、図８（Ａ）に示す複数の配線８０５が形成されている。なお、図９（Ａ）では対向電極６０５は１つしか示していないが、複数の対向電極６０５が紙面に平行して存在している。すなわち、複数の配線８０３と複数の配線８０５が交差する部分に表示素子６０１が形成されている。  FIG. 9A illustrates a passive matrix cross-sectional structure. Adisplay element 601 is provided between thesubstrate 901 and thecounter substrate 903. A plurality ofwirings 803 shown in FIG. 8A are formed by providingpixel electrodes 603 and 609 extending in the direction perpendicular to the paper surface on thesubstrate 901 side. Therefore, any one of the above conditions 1 to 3 may be satisfied at the end portions of the plurality ofwirings 803 to be thepixel electrodes 603 and 609. On the other hand, a plurality ofwirings 805 illustrated in FIG. 8A are formed on thecounter substrate 903 side by providing thecounter electrode 605 extending in a direction parallel to the paper surface. Note that although only onecounter electrode 605 is shown in FIG. 9A, a plurality ofcounter electrodes 605 exist in parallel to the paper surface. That is, thedisplay element 601 is formed in a portion where the plurality ofwirings 803 and the plurality ofwirings 805 intersect.

図９（Ｂ）はアクティブマトリクス型の断面構造である。基板９０１と対向基板９０３との間に、トランジスタ８０７及び容量素子８０９を含む層と、該層上に表示素子６０１とを有する。そして、トランジスタ８０７及び容量素子８０９は、画素電極６０３と電気的に接続されている。なお、図９（Ｂ）では省略しているが、画素電極６０９にもトランジスタ及び容量素子が電気的に接続されている。  FIG. 9B illustrates an active matrix cross-sectional structure. Between thesubstrate 901 and thecounter substrate 903, a layer including thetransistor 807 and thecapacitor 809 and adisplay element 601 are provided over the layer. Thetransistor 807 and thecapacitor 809 are electrically connected to thepixel electrode 603. Note that although omitted in FIG. 9B, a transistor and a capacitor are also electrically connected to thepixel electrode 609.

基板９０１及び対向基板９０３は、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板、金属基板、又は、それらに窒化膜又は酸化膜等の絶縁膜を設けたものを適宜用いることができる。  As thesubstrate 901 and thecounter substrate 903, a glass substrate, a resin substrate, a semiconductor substrate, a metal substrate, or a substrate provided with an insulating film such as a nitride film or an oxide film can be used as appropriate.

トランジスタ８０７は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタであり、電極９１１、絶縁膜９１３、電極９１５、電極９１７、及び半導体層９１９を有している。ここで、電極９１１はゲート電極である。また、絶縁膜９１３はゲート絶縁膜である。そして、電極９１５又は電極９１７は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極として機能する。  Thetransistor 807 is a thin film transistor having a bottom-gate structure, and includes anelectrode 911, an insulatingfilm 913, anelectrode 915, anelectrode 917, and asemiconductor layer 919. Here, theelectrode 911 is a gate electrode. The insulatingfilm 913 is a gate insulating film. One of theelectrode 915 and theelectrode 917 functions as a source electrode, and the other functions as a drain electrode.

容量素子８０９は、電極９２１、電極９１７、及び絶縁膜９１３を有している。ここで、電極９２１は、容量素子８０９の下部電極であり、電極９１１（上記ゲート電極）と同層に形成された導電層である。また、絶縁膜９１３は、上記ゲート絶縁膜と容量素子８０９の誘電体とを兼ねている。そして、電極９１７は、絶縁膜９１３上に延伸して形成された導電層であり、上記ソース電極又はドレイン電極の一方と容量素子８０９の上部電極とを兼ねている。  Thecapacitor 809 includes anelectrode 921, anelectrode 917, and an insulatingfilm 913. Here, theelectrode 921 is a lower electrode of thecapacitor 809 and is a conductive layer formed in the same layer as the electrode 911 (the gate electrode). The insulatingfilm 913 serves as both the gate insulating film and the dielectric of thecapacitor 809. Theelectrode 917 is a conductive layer formed on the insulatingfilm 913 and serves as one of the source electrode or the drain electrode and the upper electrode of thecapacitor 809.

電極９１１、電極９２１、電極９１５、及び電極９１７は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、導電層の単層又は積層により形成されている。  Theelectrode 911, theelectrode 921, theelectrode 915, and theelectrode 917 are formed using a metal material such as molybdenum, titanium, tantalum, tungsten, aluminum, copper, neodymium, or scandium, or an alloy material containing any of these as a main component. It is formed by a layer or a laminate.

絶縁膜９１３は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成されている。  The insulatingfilm 913 is formed as a single layer or a stacked layer using a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like.

半導体層９１９は、非晶質半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は微結晶半導体を用いて形成することができる。また、半導体の材料としては、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体、又は酸化物半導体等を用いることができる。また、ｐ型トランジスタとしてもよく、ｎ型トランジスタとしてもよい。なお、チャネルエッチ型又はチャネルストップ型としてもよく、トップゲート構造としてもよい。また、薄膜トランジスタとせずに、半導体基板を用いたトランジスタ（バルクトランジスタとも呼ぶ）としてもよい。  Thesemiconductor layer 919 can be formed using an amorphous semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a microcrystalline semiconductor. As a semiconductor material, silicon, germanium, an organic semiconductor, an oxide semiconductor, or the like can be used. Further, it may be a p-type transistor or an n-type transistor. Note that a channel etch type, a channel stop type, or a top gate structure may be used. Alternatively, a transistor using a semiconductor substrate (also referred to as a bulk transistor) may be used instead of a thin film transistor.

また、トランジスタ８０７は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。  Thetransistor 807 can employ various structures such as a single drain structure, an LDD (low concentration drain) structure, and a gate overlap drain structure.

そして、トランジスタ８０７及び容量素子８０９と、画素電極６０３との間には絶縁膜９２３が形成されている。  An insulatingfilm 923 is formed between thetransistor 807 and thecapacitor 809 and thepixel electrode 603.

絶縁膜９２３は、酸化珪素若しくは窒化珪素等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、若しくはエポキシ等の有機材料、又はシロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成されている。  The insulatingfilm 923 is formed as a single layer or a stacked layer using an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, an organic material such as polyimide, polyamide, benzocyclobutene, acrylic, or epoxy, or a siloxane material.

また、基板９０１側又は対向基板９０３側に、カラーフィルタ（ＣＦ）を設ける構成や、ブラックマトリクス（ＢＭ）を設ける構成等を適宜採用してもよい。なお、基板９０１側及び対向基板９０３側の両方に、ＣＦやＢＭを設けてもよい。  Further, a structure in which a color filter (CF) is provided on thesubstrate 901 side or thecounter substrate 903 side, a structure in which a black matrix (BM) is provided, or the like may be employed as appropriate. Note that CF and BM may be provided on both thesubstrate 901 side and thecounter substrate 903 side.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置の作製方法の一例を説明する。なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。(Embodiment 4)
In this embodiment, an example of a method for manufacturing a display device will be described. Note that the structures described in the above embodiments can be used as appropriate for materials, structures, and the like.

まず、図９（Ａ）を用いてパッシブマトリクス型の表示装置の作製方法を説明する。  First, a method for manufacturing a passive matrix display device is described with reference to FIG.

基板９０１上に、紙面と垂直方向に延伸するように、画素電極６０３、６０９となる配線を形成する。ここで、画素電極６０３、６０９は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件１乃至条件３のいずれかを満たすように加工する。  Wirings to bepixel electrodes 603 and 609 are formed on thesubstrate 901 so as to extend in a direction perpendicular to the paper surface. Here, thepixel electrodes 603 and 609 are processed to satisfy any one of the above conditions 1 to 3 by performing etching or the like after forming a conductive film to be the pixel electrodes.

次に、画素電極６０３、６０９上に、帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を形成する。例えば、画素電極６０３、６０９上に、マイクロカプセル６０７が分散されて固定された樹脂６１７を設ける。  Next, a charged layer 606 (also referred to as a layer having a charged substance) is formed over thepixel electrodes 603 and 609. For example, aresin 617 in whichmicrocapsules 607 are dispersed and fixed is provided over thepixel electrodes 603 and 609.

続いて、樹脂６１７上（帯電層６０６上）に、紙面と平行方向に延伸するように、対向電極６０５となる配線を形成する。なお、予め対向電極６０５が形成された樹脂６１７を、画素電極６０３、６０９上に設けてもよい。  Subsequently, a wiring to be thecounter electrode 605 is formed on the resin 617 (on the charging layer 606) so as to extend in a direction parallel to the paper surface. Note that aresin 617 in which thecounter electrode 605 is formed in advance may be provided over thepixel electrodes 603 and 609.

次に、対向電極６０５上に、対向基板９０３を設ける。対向基板９０３は、シール材を用いて基板９０１と貼り合わせる。  Next, acounter substrate 903 is provided over thecounter electrode 605. Thecounter substrate 903 is attached to thesubstrate 901 with a sealant.

なお、対向電極６０５が形成された対向基板９０３を、シール材を用いて基板９０１と貼り合わせてもよい。  Note that thecounter substrate 903 over which thecounter electrode 605 is formed may be attached to thesubstrate 901 with a sealant.

また、マイクロカプセル型の代わりに電子粉流体型とする場合、正に帯電したある色の高分子ポリマー微粒子と、負に帯電した異なる色の高分子ポリマー微粒子を画素電極６０３と対向電極６０５の間に設ける構成とすればよい。このように、上述した他の方式を用いて表示素子を構成することもできる。  Further, when an electropowder fluid type is used instead of the microcapsule type, a positively charged polymer polymer fine particle of a certain color and a negatively charged polymer polymer fine particle of a different color are placed between thepixel electrode 603 and thecounter electrode 605. The configuration provided in the above may be used. In this manner, the display element can also be configured using the other methods described above.

以上のようにして、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することができる。  As described above, a passive matrix display device can be manufactured.

次に、図９（Ｂ）を用いて、アクティブマトリクス型の作製方法の一例を説明する。パッシブマトリクス型と同様の工程については省略する。  Next, an example of a manufacturing method of an active matrix type will be described with reference to FIG. Steps similar to those of the passive matrix type are omitted.

基板９０１上に、トランジスタ８０７及び容量素子８０９を形成する。  Atransistor 807 and acapacitor 809 are formed over thesubstrate 901.

トランジスタ８０７及び容量素子８０９上に絶縁膜９２３を形成する。  An insulatingfilm 923 is formed over thetransistor 807 and thecapacitor 809.

絶縁膜９２３上に画素電極６０３、６０９を形成する。ここで、画素電極６０３、６０９は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件１乃至条件４のいずれかを満たすように加工する。  Pixel electrodes 603 and 609 are formed over the insulatingfilm 923. Here, thepixel electrodes 603 and 609 are processed so as to satisfy any one of the above conditions 1 to 4 by performing etching or the like after forming a conductive film to be the pixel electrodes.

次に、画素電極６０３、６０９上に、帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を形成する。例えば、画素電極６０３、６０９上に、マイクロカプセル６０７が分散されて固定された樹脂６１７を設ける。  Next, a charged layer 606 (also referred to as a layer having a charged substance) is formed over thepixel electrodes 603 and 609. For example, aresin 617 in whichmicrocapsules 607 are dispersed and fixed is provided over thepixel electrodes 603 and 609.

続いて、樹脂６１７上（帯電層６０６上）に、対向電極６０５を形成する。なお、予め対向電極６０５が形成された樹脂６１７を、画素電極６０３、６０９上に設けてもよい。  Subsequently, acounter electrode 605 is formed on the resin 617 (on the charging layer 606). Note that aresin 617 in which thecounter electrode 605 is formed in advance may be provided over thepixel electrodes 603 and 609.

次に、対向電極６０５上に、対向基板９０３を設ける。対向基板９０３は、シール材を用いて基板９０１と貼り合わせる。  Next, acounter substrate 903 is provided over thecounter electrode 605. Thecounter substrate 903 is attached to thesubstrate 901 with a sealant.

なお、対向電極６０５が形成された対向基板９０３を、シール材を用いて基板９０１と貼り合わせてもよい。  Note that thecounter substrate 903 over which thecounter electrode 605 is formed may be attached to thesubstrate 901 with a sealant.

以上のようにして、アクティブマトリックス型の表示装置を作製することができる。  As described above, an active matrix display device can be manufactured.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

（実施の形態５）
本実施の形態では、表示装置の作製方法について、実施の形態４と異なる一例を示す。なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。(Embodiment 5)
In this embodiment, an example of a method for manufacturing a display device, which is different from that in Embodiment 4, is described. Note that the structures described in the above embodiments can be used as appropriate for materials, structures, and the like.

まず、基板９０１上に剥離層９３１を形成する（図１０（Ａ）参照）。  First, theseparation layer 931 is formed over the substrate 901 (see FIG. 10A).

剥離層９３１は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、珪素等の材料を用いて、単層又は積層させて形成することができる。又は、これらの元素を主成分とする合金材料を用いて形成してもよいし、これらの元素を主成分とする化合物材料を用いて形成してもよい。これらの材料を用いて、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍで剥離層９３１を形成することができる。  Theseparation layer 931 is formed as a single layer or a stack using materials such as tungsten, molybdenum, titanium, tantalum, niobium, nickel, cobalt, zirconium, zinc, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and silicon. Can do. Or you may form using the alloy material which has these elements as a main component, and you may form using the compound material which has these elements as a main component. By using these materials, thepeeling layer 931 can be formed with a thickness of 30 nm to 200 nm by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like.

また、剥離層９３１上にバッファ層として機能する絶縁膜（窒化珪素膜又は酸化珪素膜等）を形成してもよい。該絶縁膜を設けることで、後の剥離工程で剥離層９３１の表面での剥離が容易になる。  Further, an insulating film (such as a silicon nitride film or a silicon oxide film) functioning as a buffer layer may be formed over theseparation layer 931. By providing the insulating film, peeling on the surface of thepeeling layer 931 is facilitated in a later peeling step.

次に、剥離層９３１上に画素電極６０３、６０９を形成する。ここで、画素電極６０３、６０９は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件１乃至条件４のいずれかを満たすように加工する。  Next,pixel electrodes 603 and 609 are formed over thepeeling layer 931. Here, thepixel electrodes 603 and 609 are processed so as to satisfy any one of the above conditions 1 to 4 by performing etching or the like after forming a conductive film to be the pixel electrodes.

画素電極６０３、６０９上に絶縁膜９３３を形成する。絶縁膜９３３としては、酸化珪素又は窒化珪素等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、又はエポキシ等の有機材料、シロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成する。これらの材料を用いて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により絶縁膜９３３を形成することができる。  An insulatingfilm 933 is formed over thepixel electrodes 603 and 609. The insulatingfilm 933 is formed as a single layer or a stacked layer using an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, an organic material such as polyimide, polyamide, benzocyclobutene, acrylic, or epoxy, or a siloxane material. With these materials, the insulatingfilm 933 can be formed by a CVD method, a sputtering method, an SOG method, a droplet discharge method, a screen printing method, or the like.

そして、絶縁膜９３３上にトランジスタ８０７及び容量素子８０９を形成する。また、トランジスタ８０７及び容量素子８０９と、画素電極６０３とを電気的に接続する。なお、図１０（Ａ）では、画素電極６０９に電気的に接続されるトランジスタ及び容量素子は省略している。  Then, atransistor 807 and acapacitor 809 are formed over the insulatingfilm 933. In addition, thetransistor 807 and thecapacitor 809 are electrically connected to thepixel electrode 603. Note that in FIG. 10A, a transistor and a capacitor which are electrically connected to thepixel electrode 609 are omitted.

次に、基板９０１の端部に設けられた絶縁膜９３３の一部をエッチング等により除去した後、トランジスタ８０７及び容量素子８０９を覆って絶縁膜９３５を形成する。絶縁膜９３５は、バリア層として機能し、窒素含有層（窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を含む層）を用いて形成することができる。  Next, after part of the insulatingfilm 933 provided on the end portion of thesubstrate 901 is removed by etching or the like, an insulatingfilm 935 is formed to cover thetransistor 807 and thecapacitor 809. The insulatingfilm 935 functions as a barrier layer and can be formed using a nitrogen-containing layer (a layer containing silicon nitride, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, or the like).

次に、絶縁膜９３５にレーザー光を照射して溝９３７を形成する（図１０（Ｂ）参照）。そして、少なくとも溝９３７を覆うように、セパレートフィルム９３９を設ける（図１０（Ｃ）参照）。  Next, the insulatingfilm 935 is irradiated with laser light to form a groove 937 (see FIG. 10B). Then, aseparate film 939 is provided so as to cover at least the groove 937 (see FIG. 10C).

次に、絶縁膜９３５上に、第１の有機樹脂９４１を形成する。セパレートフィルム９３９を設けることで、第１の有機樹脂９４１が溝９３７に侵入して剥離層９３１と接着することを防止できる。なお、第１の有機樹脂９４１は、基板（支持基板とも呼ぶ）として機能する。  Next, a firstorganic resin 941 is formed over the insulatingfilm 935. By providing theseparate film 939, the firstorganic resin 941 can be prevented from entering thegroove 937 and adhering to thepeeling layer 931. Note that the firstorganic resin 941 functions as a substrate (also referred to as a support substrate).

続いて、溝９３７をきっかけとして、剥離層９３１の表面において、素子層９４３を基板９０１から剥離する（図１０（Ｄ）参照）。そして、剥離後にセパレートフィルム９３９を取り除く。  Subsequently, theelement layer 943 is peeled from thesubstrate 901 on the surface of thepeeling layer 931 using thegroove 937 as a trigger (see FIG. 10D). Then, after separation, theseparate film 939 is removed.

次に、画素電極６０３、６０９上に、他の実施の形態で示したように、帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を形成する（図１０（Ｅ）参照）。なお、剥離した素子層９４３の上下を反転させて用いている。  Next, a charged layer 606 (also referred to as a layer having a charged substance) is formed over thepixel electrodes 603 and 609 as shown in other embodiments (see FIG. 10E). Note that the peeledelement layer 943 is used upside down.

そして、帯電層６０６上に、対向電極６０５が形成された第２の有機樹脂９４５を設ける。そして、加熱処理を行い、第１の有機樹脂９４１と第２の有機樹脂９４５とを接着させる。第２の有機樹脂９４５は、対向基板として機能する。  Then, a secondorganic resin 945 provided with acounter electrode 605 is provided over thecharging layer 606. Then, heat treatment is performed to bond the firstorganic resin 941 and the secondorganic resin 945 together. The secondorganic resin 945 functions as a counter substrate.

なお、帯電層６０６、対向電極６０５、及び対向基板の形成順序は、上記実施の形態と同様に行ってもよい。  Note that thecharging layer 606, thecounter electrode 605, and the counter substrate may be formed in the same order as in the above embodiment mode.

上記第１の有機樹脂９４１及び第２の有機樹脂９４５は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。他にも、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。有機樹脂を用いることで、可撓性を有する表示装置を作製することができる。  As the firstorganic resin 941 and the secondorganic resin 945, a thermosetting resin such as an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a polyimide resin, a bismaleimide triazine resin, or a cyanate resin can be used. In addition, a thermoplastic resin such as a polyphenylene oxide resin, a polyetherimide resin, or a fluororesin may be used. By using an organic resin, a flexible display device can be manufactured.

なお、以上の作製方法を応用して、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することもできる。  Note that a passive matrix display device can be manufactured by applying the above manufacturing method.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

（実施の形態６）
本実施の形態では、画素電極と他の配線との位置関係について説明する。(Embodiment 6)
In this embodiment mode, a positional relationship between the pixel electrode and another wiring is described.

図１１は、図１乃至図６で示した画素電極と、図８（Ｂ）で示した配線８０３、８０５との位置関係の一例である。  FIG. 11 illustrates an example of a positional relationship between the pixel electrode illustrated in FIGS. 1 to 6 and thewirings 803 and 805 illustrated in FIG. 8B.

図１１では、画素電極２０１と配線８０３、８０５とが重なっている。すなわち、配線８０３は隙間９５０と重ならず、配線８０５は隙間９６０と重ならない位置関係にある。  In FIG. 11, thepixel electrode 201 andwirings 803 and 805 overlap. That is, thewiring 803 does not overlap thegap 950 and thewiring 805 does not overlap thegap 960.

このような位置関係にすることで、隙間９５０において、配線８０３の電位に起因する電界が帯電物質に加わることを防止できる。そのため、隙間９５０において残像を低減できる。  With this positional relationship, an electric field due to the potential of thewiring 803 can be prevented from being applied to the charged substance in thegap 950. Therefore, afterimages can be reduced in thegap 950.

同様に、隙間９６０において、配線８０５の電位に起因する電界が帯電物質に加わることを防止できる。そのため、隙間９６０において残像を低減できる。  Similarly, in thegap 960, an electric field due to the potential of thewiring 805 can be prevented from being applied to the charged substance. Therefore, the afterimage can be reduced in thegap 960.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

（実施の形態７）
本実施の形態では、電子機器の一例を説明する。(Embodiment 7)
In this embodiment, an example of an electronic device is described.

図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、電子ペーパー（電子書籍、電子ブック等ともいう）である。それぞれ本体４００１の表示部４１０１及び本体４００２の表示部４１０２に、本明細書で開示した表示装置を適用することができる。  12A and 12B illustrate electronic paper (also referred to as an electronic book, an electronic book, or the like). The display device disclosed in this specification can be applied to thedisplay portion 4101 of themain body 4001 and the display portion 4102 of themain body 4002, respectively.

また、電子ペーパーに限らず、図１２（Ｃ）のテレビ、図１２（Ｄ）の携帯電話、図１２（Ｅ）のパーナルコンピュータ、又は図１２（Ｆ）のゲーム機器等の電子機器において、本体４００３〜４００６の表示部４１０３〜４１０６に、本明細書で開示した表示装置を適用することができる。  In addition to electronic paper, electronic devices such as the television in FIG. 12C, the mobile phone in FIG. 12D, the personal computer in FIG. 12E, or the game device in FIG. The display device disclosed in this specification can be applied to thedisplay portions 4103 to 4106 of themain bodies 4003 to 4006.

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。  This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments.

１０１ 画素電極
１０３ 部分
１０４ 部分
１０５ 部分
２１１ 凹部
２１５ 凹部
２１３ 凸部
２１７ 凸部
２０１ 画素電極
２０３ 画素電極
２０５ 画素電極
２１９ 隙間
２２１ 隙間
３０１ 部分
３０３ 部分
３０５ 部分
３０７ 頂点
４０１ 端部
４０３ 端部
５０１ 端部
５０２ 端部
５０３ 端部
５０４ 端部
５０５ 部分
５０７ 部分
６０１ 表示素子
６０３ 画素電極
６０５ 対向電極
６０６ 帯電層
６０７ マイクロカプセル
６０９ 画素電極
６１１ 隙間
６１３ 部分
６１５ 矢印
６１７ 樹脂
６１９ 膜
６２１ 液体
６２３ 粒子
６２５ 粒子
７０１ 画素電極
７０３ 画素電極
７０５ 画素電極
７０７ 画素電極
８０１ 画素
８０３ 配線
８０５ 配線
８０７ トランジスタ
８０９ 容量素子
８１１ 駆動回路
８１３ 駆動回路
９０１ 基板
９０３ 対向基板
９１１ 電極
９１５ 電極
９１７ 電極
９２１ 電極
９１３ 絶縁膜
９２３ 絶縁膜
９１９ 半導体層
９３１ 剥離層
９３３ 絶縁膜
９３５ 絶縁膜
９３７ 溝
９３９ セパレートフィルム
９４１ 第１の有機樹脂
９４３ 素子層
９４５ 第２の有機樹脂
９５０ 隙間
９６０ 隙間
４００１〜４００６ 本体
４１０１〜４１０６ 表示部
５００１ 画素電極
５００３ 端部
５００５ 隙間101pixel electrode 103part 104part 105part 211concave part 215concave part 213convex part 217convex part 201pixel electrode 203pixel electrode 205pixel electrode 219gap 221gap 301part 303part 305part 307vertex 401edge part 403edge part 501edge part 502End 503End 504End 505Part 507Part 601Display element 603Pixel electrode 605Counter electrode 606Charge layer 607 Microcapsule 609Pixel electrode 611Gap 613Part 615Arrow 617Resin 619Film 621Liquid 623Particle 625Particle 701Pixel electrode 703Pixel electrode 705Pixel electrode 707Pixel electrode 801Pixel 803Wiring 805Wiring 807Transistor 809Capacitance element 811Driving circuit 813Driving circuit 901Substrate 903Counter substrate 911Electrode 915Electrode 917Electrode 921Electrode 913Insulating film 923Insulating film 919Semiconductor layer 931Release layer 933Insulating film 935Insulating film 937Groove 939Separate film 941 Firstorganic resin 943Element layer 945 Secondorganic resin 950Gap 960Gap 4001 to 4006 Main body 4101 -4106display unit 5001pixel electrode 5003end 5005 gap

Claims (1)

Translated fromJapanese

複数の画素電極と、前記画素電極の上方の帯電層とを有し、
前記複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間には、隙間が形成されており、
前記隙間は、前記画素電極の一辺に渡り間隔が等しくなるように設けられており、
前記隣接する２つの画素電極のうちの一方は、端面方向に台形状に突出する部分を有し、
前記帯電層に電界を印加して表示を行う機能を有することを特徴とする表示装置。A plurality of pixel electrodes and a charged layer above the pixel electrodes;
A gap is formed between two adjacent pixel electrodes among the plurality of pixel electrodes,
The gap is provided so that the interval is equal across one side of the pixel electrode,
One of the two adjacent pixel electrodes has a portion protruding in a trapezoidal shape in the end surface direction,
A display device having a function of performing display by applying an electric field to the charging layer.

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