JP5924116B2 - Semiconductor integrated circuit and signal amplifier - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明は、テスト信号を外部負荷に供給してインピーダンスを測定する技術に関する。  The present invention relates to a technique for measuring impedance by supplying a test signal to an external load.

入力信号を増幅して外部負荷に出力する信号増幅回路において、テスト信号を外部負荷に供給し、外部負荷がステレオプラグであるか、モノラルプラグであるかを判別する技術が知られている（特許文献１）。この技術では、テスト信号の周波数を可聴帯域外の高周波数に設定することによって、テスト信号が利用者に聞こえないようにしている。  In a signal amplifying circuit that amplifies an input signal and outputs it to an external load, a technique for supplying a test signal to an external load and determining whether the external load is a stereo plug or a monaural plug is known (patent Reference 1). In this technique, the test signal is set so as not to be heard by the user by setting the frequency of the test signal to a high frequency outside the audible band.

特許４１８２８０２号公報Japanese Patent No. 4182802

ところで、外部負荷として接続されるスピーカやヘッドホンは、リアクタンス成分を含んでおり、周波数によってインピーダンスが変化する。従って、テスト信号を可聴帯域外の高周波に設定すると、高周波数のインピーダンスが可聴帯域におけるインピーダンスとずれてしまう可能性がある。従って、必要な可聴帯域におけるインピーダンスを正確に求めることができない。また、高周波数では、外部負荷においてテスト信号が減衰してしまい、高いＳＮ比でインピーダンスを測定することが困難になるおそれがある。さらに、テスト信号を生成する回路の周波数特性を可聴帯域外の高周波数まで伸ばす必要があり、信号増幅回路を構成するトランジスタなどの部品を高周波数に対応させる必要があった。
また、外部負荷を保護する観点から、信号増幅装置では、出力信号を保護抵抗などの内部負荷を介して外部負荷に供給するのが一般的である。この場合、テスト信号を内部負荷を介して外部負荷に供給すると、内部負荷と外部負荷の合計のインピーダンスを計測することになり、外部負荷のインピーダンスを正確に計測できないといった問題があった。
本発明は、外部負荷のインピーダンスの計測精度を向上することを解決課題とする。
By the way, a speaker or headphones connected as an external load includes a reactance component, and the impedance changes depending on the frequency. Therefore, if the test signal is set to a high frequency outside the audible band, the high frequency impedance may shift from the impedance in the audible band. Therefore, the impedance in the required audible band cannot be obtained accurately. In addition, at a high frequency, the test signal is attenuated in an external load, and it may be difficult to measure impedance with a high S / N ratio. Furthermore, it is necessary to extend the frequency characteristics of the circuit that generates the test signal to a high frequency outside the audible band, and it is necessary to make components such as transistors constituting the signal amplifier circuit correspond to the high frequency.
Further, from the viewpoint of protecting an external load, in a signal amplifying apparatus, an output signal is generally supplied to the external load via an internal load such as a protective resistor. In this case, when the test signal is supplied to the external load via the internal load, the total impedance of the internal load and the external load is measured, and there is a problem that the impedance of the external load cannot be measured accurately.
An object of the present invention is to improve the measurement accuracy of the impedance of an external load.

以上の課題を解決するために本発明に係る半導体集積回路は、第１外部端子、所定の電位が供給される第２外部端子、及び一端が前記第１外部端子に接続された内部負荷を備えた信号増幅装置に用いられるものであって、前記内部負荷の他端に接続される第１端子と、
前記第１外部端子に接続される第２端子と、入力信号を増幅して出力信号を前記第１端子に出力する増幅部と、一端が前記第２端子に接続された抵抗と、テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、を備える。
この発明によれば、半導体集積回路において、出力信号を出力する第１端子とテスト信号を出力する第２端子とが独立して設けられており、第２端子は第１外部端子に接続されている。従って、出力信号は、第１端子→内部負荷→第１外部端子→外部負荷といった経路で外部負荷に供給される一方、テスト信号は、第２端子→第１外部端子→外部負荷といった経路で外部負荷に供給される。この結果、テスト信号は内部負荷には供給されないので、外部負荷のインピーダンスの計測精度が向上する。
上述した半導体集積回路において、前記第２端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部と、を備えることが好ましい。
また、上述した半導体集積回路において、前記制御部は、前記検出部の検出結果に基づいて、前記増幅部のゲインを制御することが好ましい。この結果、テスト信号は内部負荷に供給されないので、正確な外部負荷のインピーダンスに応じて増幅部のゲインを調整することができる。
また、上述した半導体集積回路において、前記制御部は、テスト期間において、前記テスト信号を出力するように前記テスト信号生成部を制御するとともに、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記増幅部を制御し、前記テスト期間以外の期間において、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記テスト信号生成部を制御するとともに、前記出力信号を出力するように前記増幅部を制御する、ことが好ましい。
また、上述した半導体集積回路において、前記所定の電位は接地電位であり、前記検出部は、前記第２端子における前記テスト信号の振幅と、前記抵抗の他端における前記テスト信号の振幅とを検出することが好ましい。
また、上述した半導体集積回路において、前記テスト信号生成部は、前記余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成することが好ましい。
この発明によれば、テスト信号として余弦波の１波長の波形を採用するので、短時間で外部負荷のインピーダンスの測定が終了する。従って、利用者にテスト信号が異音として感知されないようにできる。
In order to solve the above problems, a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes afirst external terminal, asecond external terminal to which a predetermined potential is supplied, and an internal load having one end connected tothe first external terminal. Afirst terminal connected to the other end of the internal load;
Wherein a second terminal connected to the first external terminal, an amplification unit for outputting an amplified output signal an input signal tothe first terminal, and a resistor having one end connected tothe secondterminal,test signal It generatesand anda test signal generator supplies to the other end of the resistor.
According to the present invention, in the semiconductor integrated circuit, the first terminal that outputs the output signal and the second terminal that outputs the test signal are provided independently, and the second terminal is connected to the first external terminal. Yes. Therefore, the output signal is supplied to the external load through the path of the first terminal → the internal load → the first external terminal → the external load, while the test signal is externally transmitted through the path of the second terminal → the first external terminal → the external load. Supplied to the load. As a result, since the test signal is not supplied to the internal load, the impedance measurement accuracy of the external load is improved.
The semiconductor integrated circuit described above preferably includes a detection unit that detects the amplitude of the test signal at the second terminal, and a control unit that controls the outputs of the amplification unit and the test signal generation unit.
In the semiconductor integrated circuit described above, it is preferable that the control unit controls a gain of the amplification unit based on a detection result of the detection unit. As a result, since the test signal is not supplied to the internal load, the gain of the amplifying unit can be adjusted according to the accurate impedance of the external load.
In the above-described semiconductor integrated circuit, the control unit controls the test signal generation unit so as to output the test signal in a test period, and sets the amplification unit so that the output impedance is in a high impedance state. Preferably, the test signal generator is controlled so that the output impedance is in a high impedance state during a period other than the test period, and the amplifier is controlled so as to output the output signal.
In the semiconductor integrated circuit described above, the predetermined potential is a ground potential, and the detection unit detects the amplitude of the test signal at the second terminal and the amplitude of the test signal at the other end of the resistor. It is preferable to do.
In the semiconductor integrated circuit described above, it is preferable that the test signal generation unit generates a waveform of one wavelength of the cosine wave as the test signal.
According to the present invention, since the waveform of one wavelength of the cosine wave is adopted as the test signal, the measurement of the impedance of the external load is completed in a short time. Therefore, it is possible to prevent the test signal from being perceived as abnormal noise by the user.

ここで、余弦波の１波長の波形は、前記余弦波の上側ピークから次の上側ピークまでの波形であることが好ましい。この場合には、テスト信号の肩の部分をなだらかに変化させることができるので、高調波成分の発生を抑制することができる。  Here, the waveform of one wavelength of the cosine wave is preferably a waveform from the upper peak of the cosine wave to the next upper peak. In this case, since the shoulder portion of the test signal can be gently changed, generation of harmonic components can be suppressed.

また、前記入力信号は音声信号であり、前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最高周波数よりも低いことが好ましい。テスト信号の周波数が可聴帯域内にある場合は、外部負荷がヘッドホンやスピーカとして動作する周波数でインピーダンスを測定できるので、正確に外部負荷のインピーダンスを計測することが可能となる。また、テスト信号の周波数が可聴帯域の最低周波数よりも低い場合は、テスト信号が浮遊容量、浮遊インダクタンスあるいは配線抵抗などによって殆ど減衰しないので、正確に外部負荷のインピーダンスを計測することが可能となる。  The input signal is an audio signal, and the frequency of the test signal is preferably lower than the highest frequency in the audible band. When the frequency of the test signal is within the audible band, the impedance can be measured at a frequency at which the external load operates as a headphone or a speaker, so that the impedance of the external load can be accurately measured. In addition, when the frequency of the test signal is lower than the lowest frequency of the audible band, the test signal is hardly attenuated by stray capacitance, stray inductance, wiring resistance, etc., so that it is possible to accurately measure the impedance of the external load. .

また、本発明に係る信号増幅装置は、上述した半導体集積回路と、前記第１外部端子と、前記第２外部端子と、前記内部負荷と、を備えることを特徴とする。The signal amplifying apparatus according to the present inventionis a semiconductor integrated circuitabovementioned, and the first external terminal, and the second external terminal, comprising:a, and the internalload.

本発明の実施形態に係る信号増幅装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the signal amplification apparatus which concerns on embodiment of this invention.アンプの出力段の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the output stage of amplifier.テスト信号の波形を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the waveform of a test signal.テスト信号の比較例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the comparative example of a test signal.テスト信号の比較例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the comparative example of a test signal.テスト信号の比較例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the comparative example of a test signal.テスト信号のスぺクラムを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the spectrum of a test signal.テスト期間以外の期間において出力信号が供給される経路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the path | route through which an output signal is supplied in periods other than a test period.テスト期間においてテスト信号が供給される経路を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the path | route through which a test signal is supplied in a test period.変形例に係るテスト信号の波形を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the waveform of the test signal which concerns on a modification.変形例に係る信号増幅装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the signal amplifier which concerns on a modification.変形例に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit which concerns on a modification.

＜１．実施形態＞
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る信号増幅装置１の主要構成を示すブロック図である。信号増幅装置１は、ＩＣ又はＩＣモジュールなどで構成される半導体集積回路１０と、第１外部端子ＴＡ、第２外部端子ＴＢ、及び内部負荷７１を備える。
第１外部端子ＴＡ及び第２外部端子ＴＢは、例えば、ヘッドホンのジャックとプラグの接続点に相当する。第１外部端子ＴＡ及び第２外部端子ＴＢには外部負荷２が接続される。外部負荷２としては、インピーダンスが相違するヘッドホンやスピーカなどが該当する。この例では、第１外部端子ＴＡからテスト信号ＴＳ又は出力信号Ｓoutが出力され、第２外部端子ＴＢには接地電位（所定の電位）が供給される。半導体集積回路１０は、テスト期間においてテスト信号ＴＳを外部負荷２に供給し、外部負荷２のインピーダンスに応じてテスト期間以外の期間において出力信号Ｓoutの振幅を調整するようになっている。<1. Embodiment>
Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of asignal amplifying apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The signal amplifyingdevice 1 includes a semiconductor integratedcircuit 10 configured by an IC or an IC module, a first external terminal TA, a second external terminal TB, and aninternal load 71.
The first external terminal TA and the second external terminal TB correspond to a connection point between a headphone jack and a plug, for example. Anexternal load 2 is connected to the first external terminal TA and the second external terminal TB. Theexternal load 2 corresponds to headphones or speakers having different impedances. In this example, the test signal TS or the output signal Sout is output from the first external terminal TA, and the ground potential (predetermined potential) is supplied to the second external terminal TB. The semiconductorintegrated circuit 10 supplies the test signal TS to theexternal load 2 in the test period, and adjusts the amplitude of the output signal Sout in a period other than the test period according to the impedance of theexternal load 2.

内部負荷７１は、第１外部端子ＴＡと半導体集積回路１０との間に設けられており、高域周波数のノイズを除去するフェライトビーズや、大振幅の信号からスピーカやヘッドホンなどの外部負荷２を保護するための保護抵抗などを含んで構成してもよい。  Theinternal load 71 is provided between the first external terminal TA and the semiconductor integratedcircuit 10, and theexternal load 2 such as a speaker or a headphone from a ferrite bead for removing high frequency noise or a large amplitude signal. You may comprise including the protection resistance for protecting.

半導体集積回路１０は、内部負荷７１と接続される第１端子Ｔ１と、第1外部端子ＴＡに接続される第２端子Ｔ２とを備える。
また、半導体集積回路１０は、差動形式の入力信号Ｓinを増幅してシングルエンド形式の出力信号Ｓoutを生成し、第１端子Ｔ１に供給する増幅部２０を備える。より具体的には、増幅部２０は、第１制御信号ＣＴＬ１に基づいて、入力信号Ｓinの振幅を調整する信号調整部２１とアンプ２２とを備える。この例では、アンプ２２のゲインは固定であり、増幅部２０のゲインは、信号調整部２１によって制御される。なお、この例では、入力信号Ｓinを差動形式としたが、シングルエンド形式であってもよいことは勿論である。この場合、信号調整部２１及びアンプ２２はシングルエンド形式で構成される。The semiconductor integratedcircuit 10 includes a first terminal T1 connected to theinternal load 71 and a second terminal T2 connected to the first external terminal TA.
The semiconductor integratedcircuit 10 further includes an amplifyingunit 20 that amplifies the differential input signal Sin to generate a single-ended output signal Sout and supplies the output signal Sout to the first terminal T1. More specifically, theamplification unit 20 includes asignal adjustment unit 21 and anamplifier 22 that adjust the amplitude of the input signal Sin based on the first control signal CTL1. In this example, the gain of theamplifier 22 is fixed, and the gain of theamplification unit 20 is controlled by thesignal adjustment unit 21. In this example, the input signal Sin is in the differential format, but it is needless to say that it may be in a single-ended format. In this case, thesignal adjustment unit 21 and theamplifier 22 are configured in a single-ended format.

また、アンプ２２には、テスト期間においてハイレベルとなり、テスト期間以外の期間においてローレベルとなる第２制御信号ＣＴＬ２が供給される。アンプ２２の出力段は、例えば、図２に示すようにＰチャネルトランジスタ２２１とＮチャネルトランジスタ２２２とが直列に接続されており、テスト期間ではＰチャネルトランジスタ２２１のゲート電位が電源電圧Ｖｄｄにプルアップされ、Ｎチャネルトランジスタ２２２のゲート電位が接地電位にプルダウンされる。一方、テスト期間以外の期間では、Ｐチャネルトランジスタ２２１及びＮチャネルトランジスタ２２２のゲートは適切にバイアスされ、出力信号Ｓoutが低インピーダンスで出力される。これにより、テスト期間では、増幅部２０の出力インピーダンスがハイインピーダンス状態となり、テスト期間以外の期間では、増幅部２０から出力信号Ｓoutが第１外部端子ＴＡに出力され、内部負荷７１を介してヘッドホンなどの外部負荷２に供給される。  Theamplifier 22 is supplied with a second control signal CTL2 that is at a high level during the test period and is at a low level during periods other than the test period. In the output stage of theamplifier 22, for example, as shown in FIG. 2, a P-channel transistor 221 and an N-channel transistor 222 are connected in series. During the test period, the gate potential of the P-channel transistor 221 is pulled up to the power supply voltage Vdd. Then, the gate potential of the N-channel transistor 222 is pulled down to the ground potential. On the other hand, in periods other than the test period, the gates of the P-channel transistor 221 and the N-channel transistor 222 are appropriately biased, and the output signal Sout is output with low impedance. Thereby, in the test period, the output impedance of the amplifyingunit 20 is in a high impedance state, and in a period other than the test period, the output signal Sout is output from the amplifyingunit 20 to the first external terminal TA, and the headphones are connected via theinternal load 71. Or the like to theexternal load 2.

さらに、半導体集積回路１０は、テスト信号生成部３０、抵抗４０、ＡＤ変換部５０、及び制御部６０を備える。テスト信号生成部３０は、差動形式のテスト信号ＴＳを発生する信号発生器３１とアンプ３２を備える。
ここで、テスト信号ＴＳについて図３を参照して説明する。テスト信号ＴＳは、連続する余弦波Ｆから１波長の波形Ｆ１を切り出した部分を含むものとなっている。より具体的には、テスト信号ＴＳは、余弦波Ｆの上側ピークＰ１（以下、第１の上側ピークＰ１と称する）から次の上側ピークＰ２（以下、第２の上側ピークと称する）までの１波長の波形Ｆ１を切り出して、第１の上側ピークＰ１と第２の上側ピークＰ２を、出力信号Ｓoutの振幅中心電位Ｖｃとなるようにレベルシフトさせたものである。なお、この例では、信号発生器３１で発生するテスト信号ＴＳを差動形式としたが、シングルエンド形式であってもよいことは勿論である。この場合、信号発生器３１及びアンプ３２はシングルエンド形式で構成される。また、振幅中心電位Ｖｃは、例えば、第２外部端子ＴＢに所定の電位として供給される接地電位ＧＮＤである。Furthermore, the semiconductor integratedcircuit 10 includes a testsignal generation unit 30, aresistor 40, anAD conversion unit 50, and acontrol unit 60. Thetest signal generator 30 includes asignal generator 31 that generates a differential test signal TS and anamplifier 32.
Here, the test signal TS will be described with reference to FIG. The test signal TS includes a portion obtained by cutting out a waveform F1 of one wavelength from a continuous cosine wave F. More specifically, the test signal TS is 1 from the upper peak P1 of the cosine wave F (hereinafter referred to as the first upper peak P1) to the next upper peak P2 (hereinafter referred to as the second upper peak). The waveform F1 of the wavelength is cut out, and the first upper peak P1 and the second upper peak P2 are level-shifted so as to become the amplitude center potential Vc of the output signal Sout. In this example, the test signal TS generated by thesignal generator 31 is in a differential format, but it is needless to say that it may be in a single end format. In this case, thesignal generator 31 and theamplifier 32 are configured in a single-ended format. The amplitude center potential Vc is, for example, the ground potential GND supplied as a predetermined potential to the second external terminal TB.

このようにテスト信号ＴＳを生成したのは、利用者に異音を感じさせないためである。ヘッドホンやスピーカで再生しても利用者が気づかないようにするためには、１）テスト信号ＴＳの周波数成分を可聴帯域において人の聴覚で感じられない程度に小さくすること、
２）テスト信号ＴＳの発生時間を人の聴覚で感じられない程度に短くすることが必要である。The reason why the test signal TS is generated in this way is to prevent the user from feeling abnormal noise. In order to prevent the user from noticing even when playing back with headphones or speakers, 1) reducing the frequency component of the test signal TS to such an extent that it cannot be felt by human hearing in the audible band,
2) It is necessary to shorten the generation time of the test signal TS to such an extent that it cannot be felt by human hearing.

例えば、図４に示すようにテスト信号ＴＳの波形を連続した余弦波とすると、その周波数成分は基本周波数ｆにおいて大きなエネルギーを持つため、人の聴覚で感じられ易くなる。基本周波数ｆのエネルギーを低くするためには、テスト信号ＴＳの振幅を小さくすればよい。しかしながら、人の聴覚で感じられない程度にテスト信号ＴＳの振幅を小さくすると、外部負荷２のインピーダンスを計測する際に、ＳＮ比が低下し、測定されたインピーダンスが不正確になる。
また、例えば、図５に示すようにテスト信号ＴＳの波形を方形波にすると、テスト信号ＴＳの周波数成分は基本周波数ｆ及びその高調波において大きなエネルギーを持つため、人の聴覚で感じられ易くなる。For example, if the waveform of the test signal TS is a continuous cosine wave as shown in FIG. 4, the frequency component has a large energy at the fundamental frequency f, so that it is easily felt by human hearing. In order to reduce the energy of the fundamental frequency f, the amplitude of the test signal TS may be reduced. However, if the amplitude of the test signal TS is reduced to such an extent that it cannot be perceived by human hearing, when the impedance of theexternal load 2 is measured, the S / N ratio decreases and the measured impedance becomes inaccurate.
Further, for example, when the waveform of the test signal TS is a square wave as shown in FIG. 5, the frequency component of the test signal TS has a large energy at the fundamental frequency f and its harmonics, so that it is easily perceived by human hearing. .

そこで、本実施形態では、テスト信号ＴＳを余弦波から切り出した１波長Ｆ１とすることで、テスト信号ＴＳの発生時間を短くし、且つ、高調波成分を殆ど発生しないようにしたのである。例えば、図６に示すように余弦波の半波長を切り出した波形Ｗと、テスト信号ＴＳとを比較すると、肩の部分ＳＤにおいて波形Ｗの方が急峻に変化していることが分かる。従って、余弦波の半波長を切り出した波形Ｗは高調波成分が発生するが、テスト信号ＴＳはなだらかに変化するため、高調波成分が殆ど発生しない。
この結果、テスト信号ＴＳのスぺクトラムは図７に示すものとなり、図４に示す余弦波が連続する場合と比較すると、大幅に基本波周波数ｆのエネルギーを低減することができる。しかも、発生時間が短いのでテスト信号ＴＳの振幅Ｖｘ（図３参照）を大きく設定することができ、高いＳＮ比で外部負荷２のインピーダンスを測定することが可能となる。
本実施形態ではテスト信号ＴＳの基本周波数ｆは３Ｈｚである。可聴帯域は２０Ｈｚ〜２０ＫＨｚであるので、テスト信号ＴＳの基本周波数ｆは可聴帯域の最低周波数よりも低い。一般にテスト信号ＴＳの周波数が高くなるほど、浮遊容量、浮遊インダクタンスあるいは配線抵抗の影響を受けてテスト信号ＴＳのレベルが減衰してしまうため、外部負荷２のインピーダンスの測定誤差が大きくなる。一方、可聴帯域の最低周波数よりも低い周波数では、浮遊容量、浮遊インダクタンスあるいは配線抵抗の影響を受けてテスト信号ＴＳが減衰することが殆どない。しかも、テスト信号ＴＳは高調波成分が極めて小さいので、可聴帯域において異音として人が感じる高調波が発生しない。これにより、利用者が気にならないテスト信号ＴＳを用いて、正確に外部負荷２のインピーダンスを測定することが可能となる。Therefore, in this embodiment, the test signal TS is set to one wavelength F1 cut out from the cosine wave, so that the generation time of the test signal TS is shortened and almost no harmonic component is generated. For example, as shown in FIG. 6, when the waveform W obtained by cutting out the half wavelength of the cosine wave is compared with the test signal TS, it can be seen that the waveform W changes more rapidly in the shoulder portion SD. Therefore, the waveform W obtained by cutting out the half wavelength of the cosine wave generates a harmonic component, but the test signal TS changes gently, so that almost no harmonic component is generated.
As a result, the spectrum of the test signal TS is as shown in FIG. 7, and the energy of the fundamental frequency f can be greatly reduced as compared with the case where the cosine wave shown in FIG. 4 continues. Moreover, since the generation time is short, the amplitude Vx (see FIG. 3) of the test signal TS can be set large, and the impedance of theexternal load 2 can be measured with a high S / N ratio.
In the present embodiment, the basic frequency f of the test signal TS is 3 Hz. Since the audible band is 20 Hz to 20 KHz, the basic frequency f of the test signal TS is lower than the lowest frequency of the audible band. Generally, the higher the frequency of the test signal TS, the more the measurement error of the impedance of theexternal load 2 increases because the level of the test signal TS is attenuated due to the influence of stray capacitance, stray inductance or wiring resistance. On the other hand, at a frequency lower than the lowest frequency of the audible band, the test signal TS is hardly attenuated due to the influence of stray capacitance, stray inductance, or wiring resistance. Moreover, since the harmonic component of the test signal TS is extremely small, no harmonics that humans feel as abnormal sounds in the audible band are generated. As a result, it is possible to accurately measure the impedance of theexternal load 2 using the test signal TS that the user does not care about.

説明を図１に戻す。次に、アンプ３２は、所定のゲインでテスト信号ＴＳを増幅して、抵抗４０に供給する。また、アンプ３２の出力段は、アンプ２２と同様に、例えば、図２に示すように構成されている。そして、第２制御信号ＣＴＬ２がハイレベルとなるテスト期間において、Ｐチャネルトランジスタ２２１及びＮチャネルトランジスタ２２２のゲートは適切にバイアスされ、第２制御信号ＣＴＬ２がローレベルとなるテスト期間以外の期間においてオフ状態となるように構成されている。これにより、テスト期間ではテスト信号生成部３０からテスト信号ＴＳが、抵抗４０を介してヘッドホンなどの外部負荷２に供給され、テスト期間以外の期間では、テスト信号生成部３０の出力側がハイインピーダンス状態になることに伴って第２端子Ｔ２がハイインピーダンス状態となる。  Returning to FIG. Next, theamplifier 32 amplifies the test signal TS with a predetermined gain and supplies it to theresistor 40. Further, the output stage of theamplifier 32 is configured as shown in FIG. In the test period in which the second control signal CTL2 is at a high level, the gates of the P-channel transistor 221 and the N-channel transistor 222 are appropriately biased and turned off in periods other than the test period in which the second control signal CTL2 is at a low level. It is comprised so that it may be in a state. As a result, the test signal TS is supplied from thetest signal generator 30 to theexternal load 2 such as the headphones via theresistor 40 in the test period, and the output side of thetest signal generator 30 is in the high impedance state in the period other than the test period. As a result, the second terminal T2 enters a high impedance state.

次に、ＡＤ変換部５０は、第２端子Ｔ２の電位をＡＤ変換して得た検出データＤを制御部６０に出力する。即ち、ＡＤ変換部５０は、テスト期間において第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅を検出する検出部として機能する。  Next, theAD conversion unit 50 outputs detection data D obtained by AD converting the potential of the second terminal T <b> 2 to thecontrol unit 60. That is, theAD conversion unit 50 functions as a detection unit that detects the amplitude of the test signal TS at the second terminal T2 during the test period.

次に、制御部６０には、外部装置から第１外部端子ＴＡ及び第２外部端子ＴＢにヘッドホンなどの外部負荷２が接続されるとアクティブになる検知信号ＣＴＬが供給される。制御部６０は、検知信号ＣＴＬがアクティブになった後、所定時間だけ第２制御信号ＣＴＬ２をハイレベルとする。第２制御信号ＣＴＬ２がハイレベルの期間がテスト期間となる。
そして、テスト期間における検出データＤに基づいて、外部負荷２のインピーダンスを測定し、外部負荷２のインピーダンスに応じて第１制御信号ＣＴＬ１を生成する。より具体的は、図３に示すようにテスト信号ＴＳの振幅が最大（信号レベルが最小）となる時刻Ｔｘにおける検出データＤに基づいて、インピーダンスを算出すればよい。Next, a detection signal CTL that is activated when anexternal load 2 such as headphones is connected to the first external terminal TA and the second external terminal TB from the external device is supplied to thecontrol unit 60. Thecontrol unit 60 sets the second control signal CTL2 to the high level for a predetermined time after the detection signal CTL becomes active. A period during which the second control signal CTL2 is at a high level is a test period.
Then, based on the detection data D in the test period, the impedance of theexternal load 2 is measured, and the first control signal CTL1 is generated according to the impedance of theexternal load 2. More specifically, the impedance may be calculated based on the detection data D at time Tx when the amplitude of the test signal TS is maximum (signal level is minimum) as shown in FIG.

信号発生器３１で生成するテスト信号ＴＳの振幅は既知であり、アンプ３２のゲインも既知である。従って、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅も既知である。ここで、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅をＶ２、第２端子におけるテスト信号ＴＳの振幅をＶ１、抵抗４０のインピーダンスをＺｙ、外部負荷２のインピーダンスをＺｘとすれば、外部負荷２のインピーダンスＺｘは、以下に示す式（１）で与えられる。
Ｚｘ＝ＺｙＶ１／（Ｖ２−Ｖ１）…（１）The amplitude of the test signal TS generated by thesignal generator 31 is known, and the gain of theamplifier 32 is also known. Therefore, the amplitude of the test signal TS output from thetest signal generator 30 is also known. Here, if the amplitude of the test signal TS output from thetest signal generator 30 is V2, the amplitude of the test signal TS at the second terminal is V1, the impedance of theresistor 40 is Zy, and the impedance of theexternal load 2 is Zx, The impedance Zx of theexternal load 2 is given by the following formula (1).
Zx = ZyV1 / (V2-V1) (1)

制御部６０は、式（１）に従ってインピーダンスＺｘを算出し、インピーダンスＺｘに応じた第１制御信号ＣＴＬ１を生成し、増幅部２０のゲインを調整する。この結果、異なる種類の外部負荷２が接続されても、適切な音量を出力することができる。  Thecontrol unit 60 calculates the impedance Zx according to the equation (1), generates the first control signal CTL1 corresponding to the impedance Zx, and adjusts the gain of theamplification unit 20. As a result, even if different types ofexternal loads 2 are connected, an appropriate sound volume can be output.

本実施形態によれば、テスト期間以外の期間では、図８に示すように第１端子Ｔ１から出力される出力信号Ｓoutが内部負荷７１を介して外部負荷２に供給される一方、第２端子Ｔ２はハイインピーダンス状態となる。従って、テスト信号ＴＳと独立して出力信号Ｓoutを外部負荷２に供給することができる。また、内部負荷７１を介して出力信号Ｓoutを供給するので、外部負荷２が故障などの理由で短絡したとしても、半導体集積回路１０を保護することができ、更に、大振幅の出力信号Ｓoutが半導体集積回路１０から出力されても外部負荷２を保護することができる。  According to the present embodiment, in a period other than the test period, the output signal Sout output from the first terminal T1 is supplied to theexternal load 2 via theinternal load 71 as shown in FIG. T2 is in a high impedance state. Therefore, the output signal Sout can be supplied to theexternal load 2 independently of the test signal TS. In addition, since the output signal Sout is supplied via theinternal load 71, the semiconductor integratedcircuit 10 can be protected even if theexternal load 2 is short-circuited due to a failure or the like. Further, the output signal Sout having a large amplitude is output. Theexternal load 2 can be protected even if output from the semiconductor integratedcircuit 10.

次に、テスト期間では、図９に示すように第１端子Ｔ１はハイインピーダンス状態となる一方、第２端子Ｔ２から出力されるテスト信号ＴＳは内部負荷７１を通らずに、外部負荷２に直接供給される。この結果、内部負荷７１の影響を受けることなく、外部負荷２のインピーダンスを正確に特定することができ、異なる種類の外部負荷２が接続されても、適切な音量を出力することが可能となる。  Next, in the test period, as shown in FIG. 9, the first terminal T1 is in a high impedance state, while the test signal TS output from the second terminal T2 does not pass through theinternal load 71 but directly to theexternal load 2. Supplied. As a result, the impedance of theexternal load 2 can be accurately specified without being affected by theinternal load 71, and an appropriate volume can be output even when different types ofexternal loads 2 are connected. .

＜２．変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる各種の変形が可能である。また、上述した実施形態と各変形例は適宜組み合わせてもよいことは勿論である。<2. Modification>
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and for example, various modifications described below are possible. Of course, the above-described embodiment and each modification may be appropriately combined.

（１）上述した実施形態では、振幅中心電位Ｖｃを基準として負側にピークを有するテスト信号ＴＳを一例として説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、テスト信号ＴＳは、余弦波の１波長を切り出した波形であれば、どのタイミングで切り出してもよい。例えば、テスト信号ＴＳを、図１０に示すように余弦波Ｆの下側ピークＰ３（以下、第１の下側ピークＰ３と称する）から次の下側ピークＰ４（以下、第２の下側ピークＰ４と称する）までの１波長の波形Ｆ１を切り出して、第１の下側ピークＰ３と第２の下側ピークＰ４を、出力信号Ｓoutの振幅中心電位Ｖｃとなるようにレベルシフトさせた波形としてもよい。
また、上述した実施形態においては、テスト信号ＴＳの基本周波数ｆを可聴帯域の最低周波数である２０Ｈｚよりも小さく設定したが、本発明はこれに限定されるものではなく、利用者に気づかれないのであれば、テスト信号ＴＳの周波数をどのように設定してもよい。但し、テスト信号ＴＳの減衰を考慮して、可聴帯域の最高周波数である２０ＫＨｚよりも低いことが好ましい。
加えて、上述した実施形態では可聴帯域を２０Ｈｚ〜２０ＫＨｚとしたが、信号増幅回路１の使用目的によって可聴帯域は相違する。例えば、電話においては、可聴帯域が３００Ｈｚ〜３．５ＫＨｚあるいは、１００Ｈｚ〜７ＫＨｚとなる。(1) In the above-described embodiment, the test signal TS having a peak on the negative side with respect to the amplitude center potential Vc has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the test signal TS is As long as the waveform is obtained by cutting out one wavelength of the cosine wave, it may be cut out at any timing. For example, the test signal TS is changed from the lower peak P3 of the cosine wave F (hereinafter referred to as the first lower peak P3) to the next lower peak P4 (hereinafter referred to as the second lower peak) as shown in FIG. A waveform F1 of one wavelength up to P4) is cut out, and the first lower peak P3 and the second lower peak P4 are level-shifted so as to be the amplitude center potential Vc of the output signal Sout. Also good.
In the above-described embodiment, the basic frequency f of the test signal TS is set to be lower than 20 Hz, which is the lowest frequency of the audible band. However, the present invention is not limited to this and is not noticed by the user. In this case, the frequency of the test signal TS may be set in any way. However, in consideration of the attenuation of the test signal TS, it is preferably lower than 20 KHz which is the highest frequency of the audible band.
In addition, although the audible band is 20 Hz to 20 KHz in the above-described embodiment, the audible band is different depending on the purpose of use of thesignal amplifier circuit 1. For example, in a telephone, the audible band is 300 Hz to 3.5 KHz or 100 Hz to 7 KHz.

（２）上述した実施形態では、半導体集積回路１０に第２端子Ｔ２が設けられており、第２端子Ｔ２と第１外部端子ＴＡと接続して、内部負荷７１を迂回してテスト信号ＴＳを外部負荷２に供給したが、本発明はこれに限定されるものではなく、テスト期間において外部負荷２にテスト信号ＴＳを供給し、テスト期間以外の期間において外部負荷２に出力信号Ｓoutを供給するのであれば、どのような構成であってもよい。
例えば、図１１に示す信号増幅回路１Ｚのように、半導体集積回路１０Ｚには第２端子Ｔ２が設けられておらず、抵抗４０が第１端子Ｔ１に接続されているものであってもよい。この場合には、テスト信号ＴＳが内部負荷７１を介して外部負荷２に供給される。内部負荷７１の大きさが小さい場合には、この変形例においても、外部負荷２のインピーダンスを必要な精度で測定することが可能である。また、内部負荷７１の大きさが既知であれば、これを考慮して、外部負荷２のインピーダンスを計測してもよい。
この場合にもテスト信号ＴＳとして余弦波の１波長Ｆ１を切り出したものを用いるので、テスト信号ＴＳをヘッドホンやスピーカなどに供給しても、利用者に気づかれないようにできる。(2) In the above-described embodiment, the semiconductor integratedcircuit 10 is provided with the second terminal T2, and is connected to the second terminal T2 and the first external terminal TA to bypass theinternal load 71 and to output the test signal TS. Although supplied to theexternal load 2, the present invention is not limited to this. The test signal TS is supplied to theexternal load 2 in the test period, and the output signal Sout is supplied to theexternal load 2 in a period other than the test period. As long as it is, any configuration may be used.
For example, like thesignal amplifier circuit 1Z shown in FIG. 11, the semiconductor integrated circuit 10Z may not be provided with the second terminal T2, and theresistor 40 may be connected to the first terminal T1. In this case, the test signal TS is supplied to theexternal load 2 via theinternal load 71. When the size of theinternal load 71 is small, it is possible to measure the impedance of theexternal load 2 with necessary accuracy even in this modification. If the size of theinternal load 71 is known, the impedance of theexternal load 2 may be measured in consideration of this.
Also in this case, since the test signal TS obtained by cutting out one wavelength F1 of the cosine wave is used, even if the test signal TS is supplied to headphones, a speaker, etc., it is possible to prevent the user from being noticed.

（３）上述した実施形態では、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２は既知であるとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２を測定して外部負荷２のインピーダンスを特定してもよい。(3) In the above-described embodiment, the amplitude V2 of the test signal TS output from the testsignal generation unit 30 is known. However, the present invention is not limited to this, and the testsignal generation unit 30 The impedance of theexternal load 2 may be specified by measuring the amplitude V2 of the output test signal TS.

例えば、図１２に示す半導体集積回路１０Ａを用いて、信号増幅装置１を構成してもよい。この場合、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２をＡＤ変換して検出データＤａを出力するＡＤ変換部５０Ａと、第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１をＡＤ変換して検出データＤｂを出力するＡＤ変換部５０Ｂを設け、制御部６０は、検出データＤａ及び検出データＤｂに基づいて、外部負荷２のインピーダンスを特定すればよい。  For example, thesignal amplifying apparatus 1 may be configured using the semiconductor integratedcircuit 10A shown in FIG. In this case, theAD converter 50A that AD converts the amplitude V2 of the test signal TS output from thetest signal generator 30 and outputs the detection data Da, and AD converts the amplitude V1 of the test signal TS at the second terminal T2. TheAD conversion unit 50B that outputs the detection data Db is provided, and thecontrol unit 60 may specify the impedance of theexternal load 2 based on the detection data Da and the detection data Db.

このように、テスト信号ＴＳの振幅Ｖ２を測定すると、テスト信号生成部３０の製造ばらつき、温度特性、あるいは経時変化によってテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２が変化しても、これを実測するので、より正確に外部負荷２のインピーダンスを測定することができる。  As described above, when the amplitude V2 of the test signal TS is measured, even if the amplitude V2 of the test signal TS changes due to manufacturing variations, temperature characteristics, or changes over time of the testsignal generation unit 30, this is actually measured, so that it is more accurate. The impedance of theexternal load 2 can be measured.

（４）上述した実施形態及び変形例では、制御部６０は、式（１）に基づいて外部負荷２のインピーダンスを算出することとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１に基づいて、第１制御信号ＣＴＬ１を生成してもよい。テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２は固定であるので、外部負荷２のインピーダンスと第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１とは、１対１に対応する。そして、外部負荷２のインピーダンスに応じて増幅部２０のゲインを決定するので、予めテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１と増幅部２０のゲインの関係を定めておけば、インピーダンスを算出しなくても、第１制御信号ＣＴＬ１を直接生成することができる。具体的には、テスト信号ＴＳの振幅Ｖ１と第１制御信号ＣＴＬ１の大きさとをテーブルに記憶しておき、テーブルを参照して第１制御信号ＣＴＬ１を生成すればよい。(4) In the embodiment and the modification described above, thecontrol unit 60 calculates the impedance of theexternal load 2 based on the equation (1), but the present invention is not limited to this, The first control signal CTL1 may be generated based on the amplitude V1 of the test signal TS at the two terminals T2. Since the amplitude V2 of the test signal TS output from thetest signal generator 30 is fixed, the impedance of theexternal load 2 corresponds to the amplitude V1 of the test signal TS at the second terminal T2. Since the gain of the amplifyingunit 20 is determined in accordance with the impedance of theexternal load 2, if the relationship between the amplitude V1 of the test signal TS and the gain of the amplifyingunit 20 is determined in advance, the impedance can be calculated without calculating the impedance. One control signal CTL1 can be directly generated. Specifically, the amplitude V1 of the test signal TS and the magnitude of the first control signal CTL1 may be stored in a table, and the first control signal CTL1 may be generated with reference to the table.

（５）上述した実施形態では、２極タイプのプラグについて説明したが、３極又は４極タイプのプラグに適用してもよいことは勿論である。ところで、４極タイプのプラグは、先端から、Ｌｃｈ、Ｒｃｈ、ＧＮＤ、ＭＩＣが配置される第１態様と、先端からＬｃｈ、Ｒｃｈ、ＭＩＣ、ＧＮＤが配置される第２態様が存在する。この場合、先端から３番目の電極に、第１態様ではＧＮＤが接続される一方、第２態様ではＭＩＣが接続される。上述した実施形態を４極タイプのプラグに適用した場合には、先端から３番目の電極のインピーダンスを算出することによって、第１態様と第２態様とを判別することができる。第１態様ではＧＮＤと接続されるためインピーダンスはゼロとなるが、第２態様ではマイクが接続されるため、マイクのインピーダンスが算出される。したがって、インピーダンスに基づいてプラグの種類を判別することが可能となる。(5) Although the two-pole type plug has been described in the above-described embodiment, it is needless to say that the present invention may be applied to a three-pole or four-pole type plug. By the way, the 4-pole type plug has a first mode in which Lch, Rch, GND, and MIC are arranged from the tip, and a second mode in which Lch, Rch, MIC, and GND are arranged from the tip. In this case, the GND is connected to the third electrode from the tip in the first mode, while the MIC is connected in the second mode. When the above-described embodiment is applied to a four-pole type plug, the first mode and the second mode can be determined by calculating the impedance of the third electrode from the tip. In the first mode, the impedance is zero because it is connected to GND, but in the second mode, a microphone is connected, so the impedance of the microphone is calculated. Therefore, the type of plug can be determined based on the impedance.

１，１Ｚ……信号増幅装置、２……外部負荷、１０，１０Ａ，１０Ｚ……半導体集積回路、２０……増幅部、２１……信号調整部、２２……アンプ、３０……テスト信号生成部、３１……信号発生器、３２……アンプ、４０……抵抗、５０……ＡＤ変換部、６０……制御部、７１……内部負荷、ＴＡ……第１外部端子、ＴＢ……第２外部端子、Ｔ１……第１端子、Ｔ２……第２端子、Ｓin……入力信号、Ｓout……出力信号、ＣＴＬ１……第１制御信号、ＣＴＬ２……第２制御信号。
DESCRIPTION OFSYMBOLS 1,1Z ...... Signal amplification device, 2 ... External load, 10,10A, 10Z ... Semiconductor integrated circuit, 20 ... Amplification part, 21 ... Signal adjustment part, 22 ... Amplifier, 30 ... Test signal generation , 31... Signal generator, 32... Amplifier, 40... Resistor, 50... AD converter, 60. 2 external terminals, T1... 1st terminal, T2... 2nd terminal, Sin... Input signal, Sout ... output signal, CTL1... First control signal, CTL2.

Claims (8)

Translated fromJapanese

入力信号を増幅して出力信号を第１端子に出力する増幅部と、
一端が第２端子に接続された抵抗と、
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、
前記第２端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、
ことを特徴とする半導体集積回路。An amplifying section for outputtingan output signal by amplifying theinput signal to thefirst terminal,
A resistor having one end connected tothe second terminal;
A test signal generation unit that generates a test signal and supplies the test signal to the other end of the resistor;
A detector for detecting the amplitude of the test signal at the second terminal;
A control unit for controlling the output of the amplification unit and the test signal generation unit,
The test signal generation unit generates a waveform of one wavelength of a cosine wave as the test signal,
The frequency of the test signal is lower than the lowest frequency of the audible band;
A semiconductor integrated circuit.入力信号を増幅して出力信号を第１端子に出力する増幅部と、An amplifier for amplifying the input signal and outputting the output signal to the first terminal;
一端が前記第１端子に接続された抵抗と、A resistor having one end connected to the first terminal;
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、A test signal generation unit that generates a test signal and supplies the test signal to the other end of the resistor;
前記第１端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、A detector for detecting the amplitude of the test signal at the first terminal;
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、A control unit for controlling the output of the amplification unit and the test signal generation unit,
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、The test signal generation unit generates a waveform of one wavelength of a cosine wave as the test signal,
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、The frequency of the test signal is lower than the lowest frequency of the audible band;
ことを特徴とする半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit. 前記制御部は、前記検出部の検出結果に基づいて、前記増幅部のゲインを制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路。Wherein, based on a detection result of the detecting unit, the semiconductor integrated circuit according to claim1 or 2, characterized in that to control the gain of the amplifying section. 前記制御部は、
テスト期間において、前記テスト信号を出力するように前記テスト信号生成部を制御するとともに、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記増幅部を制御し、
前記テスト期間以外の期間において、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記テスト信号生成部を制御するとともに、前記出力信号を出力するように前記増幅部を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか1項に記載の半導体集積回路。The controller is
In the test period, the test signal generator is controlled to output the test signal, and the amplifier is controlled so that the output impedance is in a high impedance state.
In a period other than the test period, the test signal generation unit is controlled to set the output impedance to a high impedance state, and the amplification unit is controlled to output the output signal.
The semiconductor integrated circuit accordingto any one of claims 1 to 3 .前記検出部は、前記第２端子における前記テスト信号の振幅と、前記抵抗の他端における前記テスト信号の振幅とを検出することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。Prior Symbol detector, the semiconductor integrated circuit according to claim1, wherein the detecting the amplitude of the test signal at the second terminal, the amplitude of the test signal at the other end of the resistor. 前記余弦波の１波長の波形は、前記余弦波の上側ピークから次の上側ピークまでの波形であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか1項に記載の半導体集積回路。6. The semiconductor integrated circuit according toclaim 1 , wherein the one-wavelength waveform of the cosine wave is a waveform from an upper peak of the cosine wave to a next upper peak.第１外部端子と、A first external terminal;
所定の電位が供給される第２外部端子と、A second external terminal to which a predetermined potential is supplied;
一端が前記第１外部端子に接続された内部負荷と、An internal load having one end connected to the first external terminal;
入力信号を増幅して出力信号を前記内部負荷の他端に出力する増幅部と、An amplifier for amplifying an input signal and outputting an output signal to the other end of the internal load;
一端が前記第１外部端子に接続された抵抗と、A resistor having one end connected to the first external terminal;
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、A test signal generation unit that generates a test signal and supplies the test signal to the other end of the resistor;
前記第１外部端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、A detection unit for detecting the amplitude of the test signal at the first external terminal;
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、A control unit for controlling the output of the amplification unit and the test signal generation unit,
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、The test signal generation unit generates a waveform of one wavelength of a cosine wave as the test signal,
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、The frequency of the test signal is lower than the lowest frequency of the audible band;
ことを特徴とする信号増幅装置。A signal amplifying device.第１外部端子と、A first external terminal;
所定の電位が供給される第２外部端子と、A second external terminal to which a predetermined potential is supplied;
一端が前記第１外部端子に接続された内部負荷と、An internal load having one end connected to the first external terminal;
入力信号を増幅して出力信号を前記内部負荷の他端に出力する増幅部と、An amplifier for amplifying an input signal and outputting an output signal to the other end of the internal load;
一端が前記内部負荷の他端に接続された抵抗と、A resistor having one end connected to the other end of the internal load;
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、A test signal generation unit that generates a test signal and supplies the test signal to the other end of the resistor;
前記内部負荷の他端における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、A detector for detecting the amplitude of the test signal at the other end of the internal load;
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、A control unit for controlling the output of the amplification unit and the test signal generation unit,
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、The test signal generation unit generates a waveform of one wavelength of a cosine wave as the test signal,
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、The frequency of the test signal is lower than the lowest frequency of the audible band;
ことを特徴とする信号増幅装置。A signal amplifying device.

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