JP5907472B2 - Adhesive tape for semiconductor wafer processing - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明は、半導体ウエハ加工用粘着テープに関する。  The present invention relates to an adhesive tape for processing a semiconductor wafer.

従前から、半導体ウエハのダイシング加工に用いられる半導体ウエハの加工用粘着テープ（以下、「ダイシングテープ」という）が種々提案されている（例えば、特開２００９−２４５９８９号公報など）。  Conventionally, various pressure-sensitive adhesive tapes for processing semiconductor wafers (hereinafter referred to as “dicing tapes”) used for dicing processing of semiconductor wafers have been proposed (for example, JP 2009-245989 A).

一般に、ダイシングテープではフィルム基材上に粘着層が形成されており、この粘着層により半導体ウエハが固定される。また、半導体ウエハのダイシング加工後に半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層には通常、光硬化型樹脂、光重合開始剤、および架橋剤などが添加されている。つまり、ダイシング加工後、粘着層に光が照射されると、これらの成分が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体チップのピックアップが容易となるようになっている。  In general, in a dicing tape, an adhesive layer is formed on a film substrate, and a semiconductor wafer is fixed by the adhesive layer. In addition, a photocurable resin, a photopolymerization initiator, a crosslinking agent, and the like are usually added to the adhesive layer so that the semiconductor chip can be easily picked up after the dicing of the semiconductor wafer. That is, when light is irradiated to the adhesive layer after dicing, these components are cured, the adhesiveness of the adhesive layer is lowered, and the semiconductor chip can be easily picked up.

特開２００９−２４５９８９号公報JP 2009-245989 A

ところで、光照射される前の状態でダイシングテープに固定された半導体ウエハまたは半導体チップが保管される場合がある。ダイシングテープの粘着力は、時間の経過に従って増大する傾向がある。そのため、半導体ウエハをダイシングテープに貼り付けた後に長期間、例えば１４日間、ダイシングテープを保管すると、粘着層に光が照射されても、粘着層の粘着力が低下しにくくなる傾向がある。そのため、半導体ウエハをピックアップするときに、半導体ウエハがダイシングテープから外れなかったり、半導体ウエハが割れたりすることがある。  By the way, a semiconductor wafer or a semiconductor chip fixed to a dicing tape may be stored before being irradiated with light. The adhesive strength of the dicing tape tends to increase with time. Therefore, if the dicing tape is stored for a long period of time, for example, 14 days, after the semiconductor wafer has been attached to the dicing tape, the adhesive strength of the adhesive layer tends not to decrease even when the adhesive layer is irradiated with light. Therefore, when picking up a semiconductor wafer, the semiconductor wafer may not come off the dicing tape or the semiconductor wafer may be broken.

本発明の目的は、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することである。  An object of the present invention is to provide an adhesive tape for processing a semiconductor wafer, which can pick up the semiconductor wafer satisfactorily even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

（１）
本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが、バックグラインド後１分以内に、バックグラインドされた面で貼り付けられた後１４日間放置されてから光が照射されたときの粘着力が、２０ｃＮ／２５ｍｍ未満である。なお、１４日間の放置は、温度が２３℃、湿度が５０％ＲＨの条件で行われる。(1)
In the adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention, the adhesive strength when the semiconductor wafer is irradiated with light after being left on the back-ground surface for 14 days after being attached within 1 minute after the back-grinding. Is less than 20 cN / 25 mm. Note that the 14-day standing is performed under conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% RH.

この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが、バックグラインドされた面で貼り付けられた後１４日間放置されてから光が照射されたときの粘着力が、所定の値である。そのため、半導体ウエハ加工用粘着テープは、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。  In this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the adhesive strength when the semiconductor wafer is left on the back-grinded surface and left for 14 days and then irradiated with light is a predetermined value. Therefore, the semiconductor wafer processing adhesive tape can satisfactorily pick up the semiconductor wafer even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

（２）
上述（１）の半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが、バックグラインド後１分以内に、バックグラインドされた面で貼り付けられた後２０分間放置されたときの粘着力が、２００ｃＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。なお、２０分間の放置は、温度が２３℃、湿度が５０％ＲＨの条件で行われる。(2)
In the adhesive tape for processing a semiconductor wafer described in (1) above, the adhesive strength when the semiconductor wafer is left on the back-grinded surface within 20 minutes after being back-ground is 200 cN / 25 mm. The above is preferable. Note that the standing for 20 minutes is performed under conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% RH.

この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが、バックグラインドされた面で貼り付けられた後の粘着力が、所定の値である。そのため、この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、ダイシングのときに、チップ飛びが発生しにくい。  In this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the adhesive force after the semiconductor wafer is attached on the back-ground surface has a predetermined value. Therefore, in this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, chip skipping hardly occurs during dicing.

（３）
上述（１）または（２）の半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが、鏡面で貼り付けられた後２０分間放置したときの粘着力が、９０ｃＮ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。なお、「鏡面」とは、表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ０６０１に準じて測定）が、１０ｎｍ以下の面をいう。また、２０分間の放置は、温度が２３℃、湿度が５０％ＲＨの条件で行われる。(3)
In the above-mentioned adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to (1) or (2), the adhesive strength when the semiconductor wafer is left for 20 minutes after being attached on a mirror surface is preferably 90 cN / 25 mm or more. The “mirror surface” refers to a surface having a surface roughness Rz (measured according to JIS B0601) of 10 nm or less. Further, the standing for 20 minutes is performed under conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% RH.

この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが鏡面で貼り付けられた後の粘着力が、所定の値である。そのため、この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、ダイシングのときに、チップ飛びが発生しにくい。  In this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the adhesive force after the semiconductor wafer is attached with a mirror surface has a predetermined value. Therefore, in this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, chip skipping hardly occurs during dicing.

（４）
上述（１）〜（３）のいずれかの半導体ウエハ加工用粘着テープでは、基層と、粘着層とを備えることが好ましい。粘着層は、基層上に形成される。また、粘着層は、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーを含む。(4)
The adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to any one of the above (1) to (3) preferably includes a base layer and an adhesive layer. The adhesive layer is formed on the base layer. Moreover, the adhesion layer contains an oligomer having 15 or more functional groups.

この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。  With this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the semiconductor wafer can be well picked up even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

（５）
上述（４）の半導体ウエハ加工用粘着テープでは、オリゴマーは、ウレタンアクリレートであることが好ましい。(5)
In the adhesive tape for processing a semiconductor wafer described in (4) above, the oligomer is preferably urethane acrylate.

この半導体ウエハ加工用粘着テープでは、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。  With this adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the semiconductor wafer can be well picked up even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着テープは、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。  The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to the present invention can satisfactorily pick up a semiconductor wafer even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

本発明の一実施形態に係るダイシングテープの断面図である。It is sectional drawing of the dicing tape which concerns on one Embodiment of this invention.

図１に示されるように、本発明の一実施形態に係る半導体ウエハ加工用粘着テープ（以下、「ダイシングテープ」という）１００は、主に、基層２００および粘着層３００から構成される。以下、基層２００および粘着層３００について、それぞれ詳しく説明する。  As shown in FIG. 1, a semiconductor wafer processing pressure-sensitive adhesive tape (hereinafter referred to as “dicing tape”) 100 according to an embodiment of the present invention mainly includes abase layer 200 and a pressure-sensitiveadhesive layer 300. Hereinafter, thebase layer 200 and theadhesive layer 300 will be described in detail.

＜基層＞
基層２００は、主に、材料樹脂から成り、粘着層３００を支持する役目を担っている。材料樹脂は、通常のフィルム成形方法によってフィルムに成形される。この材料樹脂として、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線などを透過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。<Base layer>
Thebase layer 200 is mainly made of a material resin and plays a role of supporting theadhesive layer 300. The material resin is formed into a film by a normal film forming method. The material resin is not particularly limited as long as it transmits light (visible light, near infrared light, ultraviolet light), X-ray, electron beam, etc. For example, polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethyl Polyolefin resins such as pentene, ethylene / vinyl acetate copolymers, ionomers, olefin copolymers such as ethylene / (meth) acrylic acid copolymers, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymers, polyethylene terephthalate, Polyalkylene terephthalate resins such as polybutylene terephthalate, styrene thermoplastic elastomers, olefin thermoplastic elastomers, thermoplastic resins such as polyvinyl isoprene and polycarbonate, and mixtures of these thermoplastic resins are used.

特に、材料樹脂として、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物が用いられることが好ましい。また、このエラストマーとして、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体が好ましい。  In particular, it is preferable to use a mixture of polypropylene and an elastomer or a mixture of polyethylene and an elastomer as the material resin. The elastomer is preferably a block copolymer comprising a polystyrene segment represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene segment represented by the general formula (2).

（式（１）中、ｎは２以上の整数）

(In formula (1), n is an integer of 2 or more)

（式（２）中、ｎは２以上の整数）

(In formula (2), n is an integer of 2 or more)

基層２００の厚みは、特に限定されないが、５０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましい。基層２００の厚みがこの範囲内であると、ダイシング工程における作業性に優れるからである。  The thickness of thebase layer 200 is not particularly limited, but is preferably 50 μm or more and 300 μm or less, and more preferably 80 μm or more and 200 μm or less. It is because the workability | operativity in a dicing process is excellent in the thickness of thebase layer 200 in this range.

基層２００の製法として、特に限定されないが、カレンダー法、押出成形法などの一般的な成形方法が用いられる。基層２００の表面には、粘着層３００を構成する材料と反応する官能基、例えば、ヒドロキシル基またはアミノ基などが露出していることが好ましい。また、基層２００と粘着層３００との密着性を向上するために、基層２００の表面をコロナ処理またはアンカーコート等で表面処理しておくのが好ましい。  Although it does not specifically limit as a manufacturing method of thebase layer 200, General shaping | molding methods, such as a calendar method and an extrusion molding method, are used. The surface of thebase layer 200 is preferably exposed with a functional group that reacts with the material constituting theadhesive layer 300, such as a hydroxyl group or an amino group. In order to improve the adhesion between thebase layer 200 and theadhesive layer 300, the surface of thebase layer 200 is preferably surface-treated with a corona treatment or an anchor coat.

＜粘着層＞
粘着層３００は、ダイシング工程において半導体ウエハ等を粘着して支持する役目を担っている。この粘着層３００は、ダイシング工程後、光が照射されると、半導体ウエハ等の切断片を容易に剥離させることができる状態となる。なお、使用前のダイシングテープ１００では、通常、粘着層３００が離型フィルムで保護されている。<Adhesive layer>
Theadhesive layer 300 serves to adhere and support a semiconductor wafer or the like in the dicing process. When theadhesive layer 300 is irradiated with light after the dicing process, theadhesive layer 300 can easily peel off a cut piece such as a semiconductor wafer. In addition, in thedicing tape 100 before use, theadhesive layer 300 is usually protected with a release film.

粘着層３００は、基層２００の片側の面上に形成されている（図１参照）。なお、粘着層３００の材料である樹脂溶液は、通常、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコート、またはリップコート等の塗布方法により基層２００に塗布される。乾燥後の粘着層３００の厚みは、特に限定されないが、５μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であるのがより好ましい。乾燥後の粘着層３００の厚みは５μｍ以上３０μｍ以下であるとき、粘着層３００は、良好な粘着力を有し、かつ、紫外線または電子線などを照射された後では、良好な剥離性を有する。  Theadhesive layer 300 is formed on one surface of the base layer 200 (see FIG. 1). The resin solution that is the material of theadhesive layer 300 is usually applied to thebase layer 200 by an application method such as die coating, curtain die coating, gravure coating, comma coating, bar coating, or lip coating. Although the thickness of theadhesion layer 300 after drying is not specifically limited, It is preferable that they are 5 micrometers or more and 30 micrometers or less, and it is more preferable that they are 10 micrometers or more and 20 micrometers or less. When the thickness of the pressure-sensitiveadhesive layer 300 after drying is 5 μm or more and 30 μm or less, the pressure-sensitiveadhesive layer 300 has a good pressure-sensitive adhesive force and has a good peelability after being irradiated with ultraviolet rays or an electron beam. .

粘着層３００は、主に、ベース樹脂、および粘着層３００を硬化させる硬化成分から構成されている。なお、この粘着層３００には、任意成分として、帯電防止剤、および粘着付与剤などが含まれていてもよい。以下、各成分についてそれぞれ詳述する。  Theadhesive layer 300 is mainly composed of a base resin and a curing component that cures theadhesive layer 300. Theadhesive layer 300 may contain an antistatic agent and a tackifier as optional components. Hereinafter, each component will be described in detail.

（１）ベース樹脂
ベース樹脂としては、アクリル系樹脂、シリコン系樹脂またはウレタン系樹脂等の粘着層成分として用いられる公知のものを用いることができるが、耐熱性およびコストの観点からアクリル系樹脂を用いることが好ましい。(1) Base resin As the base resin, a known resin used as an adhesive layer component such as an acrylic resin, a silicon resin, or a urethane resin can be used. From the viewpoint of heat resistance and cost, an acrylic resin is used. It is preferable to use it.

（２）硬化成分
硬化成分は、例えば、光が照射されると硬化する。この硬化によってベース樹脂が硬化成分の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層３００の粘着力が低下する。このような硬化成分として、例えば、紫外線、電子線などのエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。この硬化成分として、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましい。(2) Curing component The curing component cures when irradiated with light, for example. As a result of this curing, the base resin is incorporated into the crosslinked structure of the curing component, and as a result, the adhesive strength of theadhesive layer 300 is reduced. As such a curing component, for example, a low molecular weight compound having at least two polymerizable carbon-carbon double bonds that can be three-dimensionally cross-linked by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams is used. As the curing component, an oligomer having 15 or more functional groups is preferably included.

具体的に、硬化成分として、特に限定されないが、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート等、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が用いられる。なお、これらの中でもウレタンアクリレートが好ましい。  Specifically, the curing component is not particularly limited. For example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate. 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate and the like, and aromatic and aliphatic urethane acrylates are used. Of these, urethane acrylate is preferred.

また、硬化成分には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化成分が混合されているのが好ましい。このような硬化成分を利用すれば、光照射による樹脂の架橋度を制御し、ピックアップ性を向上させることができるからである。また、このような硬化成分として、例えば、第１の硬化成分と、第１の硬化成分よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化成分との混合物などが用いられてもよい。  Moreover, although it does not specifically limit to a hardening component, It is preferable that 2 or more hardening components from which a weight average molecular weight differs are mixed. This is because if such a curing component is used, the degree of cross-linking of the resin by light irradiation can be controlled to improve the pickup property. In addition, as such a curing component, for example, a mixture of a first curing component and a second curing component having a weight average molecular weight larger than that of the first curing component may be used.

さらに、硬化成分には、光重合開始剤、架橋剤などが含まれていてもよい。光重合開始剤は、硬化成分の重合開始を容易とするために添加される。光重合開始剤として、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。  Furthermore, the curing component may contain a photopolymerization initiator, a crosslinking agent, and the like. The photopolymerization initiator is added to facilitate the initiation of polymerization of the curing component. Examples of photopolymerization initiators include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, and tetramethylthiuram. Examples thereof include monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like.

硬化成分は、ベース樹脂１００重量部に対して２０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましい。上記のように硬化成分の配合量を調整することによって、ダイシングテープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。  The curing component is preferably blended in an amount of 20 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin. By adjusting the compounding amount of the curing component as described above, the pick-up property of the dicingtape 100 becomes suitable.

架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤などが挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。  Examples of the crosslinking agent include epoxy crosslinking agents, isocyanate crosslinking agents, methylol crosslinking agents, chelating crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, melamine crosslinking agents, and polyvalent metal chelating crosslinking agents. Among these, an isocyanate type crosslinking agent is preferable.

イソシアネート系架橋剤として、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物などが挙げられる。  Although it does not specifically limit as an isocyanate type crosslinking agent, For example, the trimer of the terminal isocyanate compound obtained by making the polyisocyanate compound of polyisocyanate, the trimer of a polyisocyanate compound, the polyisocyanate compound and a polyol compound react, or Examples thereof include blocked polyisocyanate compounds in which a terminal isocyanate urethane prepolymer is blocked with phenol, oximes and the like.

多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート等が用いられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。  Examples of the polyvalent isocyanate include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, diphenylmethane-2 4,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate and the like. Among these, at least one polyisocyanate selected from the group consisting of 2,4-tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate and hexamethylene diisocyanate is preferable.

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、ダイシングテープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。  The crosslinking agent is preferably blended in an amount of 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin. By adjusting the blending amount of the crosslinking agent as described above, the pick-up property of the dicingtape 100 becomes suitable.

（３）帯電防止剤
帯電防止剤として、特に限定されないが、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤などの界面活性剤が用いられる。また、温度依存性を示さない帯電防止剤として、例えば、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。(3) Antistatic agent Although it does not specifically limit as an antistatic agent, Surfactants, such as anionic surfactant, a cationic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, are used, for example. It is done. In addition, as an antistatic agent that does not exhibit temperature dependence, for example, powders such as carbon black, silver, nickel, antimony-doped tin oxide, and tin-doped indium oxide are used.

（４）粘着付与剤
粘着付与剤として、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂などが用いられる。(4) Tackifier The tackifier is not particularly limited. For example, rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic copolymer Polymerized petroleum resin or the like is used.

＜ダイシングテープの使用方法＞
ダイシングテープ１００の使用方法は、公知の方法を用いることができる。例えばダイシングテープ１００を半導体ウエハのバックグラインドされた面または鏡面に貼り付ける。なお、「鏡面」とは、表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ０６０１に準じて測定）が、１０ｎｍ以下の面をいう。<How to use dicing tape>
A known method can be used as a method of using thedicing tape 100. For example, the dicingtape 100 is attached to the back-grinded surface or mirror surface of the semiconductor wafer. The “mirror surface” refers to a surface having a surface roughness Rz (measured according to JIS B0601) of 10 nm or less.

半導体ウエハは、ダイシングテープ１００で固定され、この状態で保管される。保管後、回転丸刃で半導体デバイスを素子小片に切断する。切断後、ダイシングテープ１００の基層２００側から紫外線または電子線などを照射する。紫外線または電子線などを照射後、専用治具を用いてダイシングテープ１００を放射状に拡張してチップ間を一定間隔に広げた後、半導体デバイスをニードル等で突き上げる。突き上げられた半導体デバイスは、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着などでピックアップされた後、マウンティングされるか、またはトレイに収納される。  The semiconductor wafer is fixed with a dicingtape 100 and stored in this state. After storage, the semiconductor device is cut into element pieces with a rotating round blade. After cutting, ultraviolet light or an electron beam is irradiated from thebase layer 200 side of the dicingtape 100. After irradiating ultraviolet rays or an electron beam, the dicingtape 100 is radially expanded using a dedicated jig to widen the distance between chips, and then the semiconductor device is pushed up with a needle or the like. The semiconductor device thus pushed up is picked up by suction by a vacuum collet or air tweezers, and then mounted or stored in a tray.

＜本実施形態における効果＞
このダイシングテープ１００では、半導体ウエハが、バックグラインドされた面で貼り付けられた後１４日間放置されてから光が照射されたときの粘着力が、２０ｃＮ／２５ｍｍ未満である。そのため、ダイシングテープ１００は、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。<Effect in this embodiment>
In thisdicing tape 100, the adhesive strength when irradiated with light after the semiconductor wafer is pasted on the back-ground surface and left for 14 days is less than 20 cN / 25 mm. Therefore, the dicingtape 100 can satisfactorily pick up the semiconductor wafer even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

このダイシングテープ１００では、半導体ウエハが、バックグラインドされた面で貼り付けられた後の粘着力が、２００ｃＮ／２５ｍｍ以上である。そのため、このダイシングテープ１００では、ダイシングのときに、チップ飛びが発生しにくい。  In the dicingtape 100, the adhesive strength after the semiconductor wafer is bonded on the back-ground surface is 200 cN / 25 mm or more. Therefore, with this dicingtape 100, chip jumping is less likely to occur during dicing.

このダイシングテープ１００では、半導体ウエハが、鏡面で貼り付けられた後の粘着力が、９０ｃＮ／２５ｍｍ以上である。そのため、このダイシングテープ１００では、ダイシングのときに、チップ飛びが発生しにくい。  In the dicingtape 100, the adhesive strength after the semiconductor wafer is bonded with a mirror surface is 90 cN / 25 mm or more. Therefore, with this dicingtape 100, chip jumping is less likely to occur during dicing.

このダイシングテープ１００では、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。  With this dicingtape 100, the semiconductor wafer can be picked up satisfactorily even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

このダイシングテープ１００では、半導体ウエハが貼り付けられた後に長期間保管しても、半導体ウエハを良好にピックアップすることができる。  With this dicingtape 100, the semiconductor wafer can be picked up satisfactorily even if it is stored for a long time after the semiconductor wafer is attached.

次に、本発明のダイシングテープ１００に係る実施例と、比較例とについて説明する。なお、実施例によって本発明は何ら限定されるものではない。  Next, an example according to the dicingtape 100 of the present invention and a comparative example will be described. In addition, this invention is not limited at all by the Example.

（実施例１）
＜ダイシングテープの作製＞
基層２００を構成する材料樹脂として、ポリプロピレン６０重量部と、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部とを準備した。(Example 1)
<Production of dicing tape>
As a material resin constituting thebase layer 200, 60 parts by weight of polypropylene and 40 parts by weight of a block copolymer composed of a polystyrene segment represented by the general formula (1) and a vinyl polyisoprene segment represented by the general formula (2) Got ready.

（式（１）中、ｎは２以上の整数）

(In formula (1), n is an integer of 2 or more)

（式（２）中、ｎは２以上の整数）

(In formula (2), n is an integer of 2 or more)

上記の基層２００を構成する材料を２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚み１００μｍの基層２００を作製した。  After the materials constituting thebase layer 200 were kneaded with a biaxial kneader, the kneaded material was extruded with an extruder to produce abase layer 200 with a thickness of 100 μm.

粘着層３００のベース樹脂として、第１の共重合体を１０重量部と、第２の共重合体を９０重量部とからなる樹脂（以下、「ベース樹脂Ａ」という）を準備した。第１の共重合体として、アクリル酸ブチル７０重量部と、アクリル酸２−エチルヘキシル２５重量部と、酢酸ビニル５重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が５０００００の共重合体を用いた。第２の共重合体として、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部と、アクリル酸ブチル１０重量部と、酢酸ビニル３７重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が３０００００の共重合体を用いた。  As the base resin of theadhesive layer 300, a resin (hereinafter referred to as “base resin A”) comprising 10 parts by weight of the first copolymer and 90 parts by weight of the second copolymer was prepared. As a first copolymer, a copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 70 parts by weight of butyl acrylate, 25 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, and 5 parts by weight of vinyl acetate is obtained. Using. The second copolymer is obtained by copolymerizing 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. A copolymer having a weight average molecular weight of 300,000 was used.

粘着層３００の硬化成分として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を、ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部準備した。粘着層３００の架橋剤として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、品番：コロネートＬ）を、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部準備した。粘着層３００の光重合開始剤として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア６５１）を、ベース樹脂１００重量部に対して３重量部準備した。  As a curing component of theadhesive layer 300, 15 functional oligomer urethane acrylate (manufactured by Miwon Specialty Chemical, product number: Miramer SC2152) was prepared in an amount of 140 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. As a crosslinking agent for theadhesive layer 300, 5 parts by weight of polyisocyanate (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., product number: Coronate L) was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin. As a photopolymerization initiator for theadhesive layer 300, 3 parts by weight of benzyldimethyl ketal (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, product number: Irgacure 651) was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

上記の粘着層３００のベース樹脂、硬化成分、架橋剤、および光重合開始剤が配合された樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層３００の厚みが１０μｍになるようにして基層２００にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望のダイシングテープ１００を得た。  A resin solution in which the base resin, the curing component, the crosslinking agent, and the photopolymerization initiator of theadhesive layer 300 were blended was prepared. This resin solution was bar-coated on thebase layer 200 so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 300 after drying was 10 μm, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes to obtain a desireddicing tape 100.

＜粘着力の測定および評価＞
ダイシングテープ１００を、半導体ウエハの鏡面に貼り付けた。半導体ウエハを貼着後、常温で２０分間放置したダイシングテープ１００の半導体ウエハに対する粘着力（以下、「粘着力Ａ」という）を１８０°剥離試験により測定した。<Measurement and evaluation of adhesive strength>
Dicing tape 100 was affixed to the mirror surface of the semiconductor wafer. After adhering the semiconductor wafer, the adhesive strength (hereinafter referred to as “adhesive strength A”) of the dicingtape 100 left for 20 minutes at room temperature was measured by a 180 ° peel test.

さらに、ダイシングテープ１００を、バックグラインド後１分以内の半導体ウエハのバックグラインドされた面に貼り付けた。半導体ウエハを貼着後、１４日間放置されてから光が照射されたときのダイシングテープ１００の半導体ウエハに対する粘着力（以下、「粘着力Ｂ」という）を１８０°剥離試験により測定した。また、半導体ウエハを貼着後、常温で２０分間放置したダイシングテープ１００の半導体ウエハに対する粘着力（以下、「粘着力Ｃ」という）を１８０°剥離試験により測定した。なお、粘着力Ａ、粘着力Ｂ、粘着力Ｃに係る２０分間および１４日間の放置は、温度が２３℃、湿度が５０％ＲＨの条件で行った。  Further, the dicingtape 100 was attached to the back-ground surface of the semiconductor wafer within 1 minute after the back-grinding. After the semiconductor wafer was attached, the adhesive strength of the dicingtape 100 to the semiconductor wafer (hereinafter referred to as “adhesive strength B”) when irradiated with light after being left for 14 days was measured by a 180 ° peel test. Further, the adhesive strength of the dicingtape 100 left to stand at room temperature for 20 minutes after the semiconductor wafer was adhered (hereinafter referred to as “adhesive strength C”) was measured by a 180 ° peel test. Note that the standing for 20 minutes and 14 days relating to adhesive strength A, adhesive strength B, and adhesive strength C was performed under conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% RH.

１８０°剥離試験は、万能試験機（株式会社エー・アンド・デイ製、品名：テンシロン）を用いて、環境温度：２３℃、環境圧力：常圧、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で行われた。そして、得られた粘着力チャートの平均値を粘着層３００の粘着力（ｃＮ／２５ｍｍ）とした。  The 180 ° peel test is performed using a universal testing machine (manufactured by A & D Co., Ltd., product name: Tensilon) under the conditions of environmental temperature: 23 ° C., environmental pressure: normal pressure, and tensile speed: 300 mm / min. It was broken. And the average value of the obtained adhesive force chart was made into the adhesive force (cN / 25mm) of theadhesion layer 300. FIG.

粘着力Ａについては、９０ｃＮ／２５ｍｍ以上のものを○、９０ｃＮ／２５ｍｍ未満のものを×で評価した。粘着力Ｂについては、２０ｃＮ／２５ｍｍ未満のものを○、２０ｃＮ／２５ｍｍ以上のものを×で評価した。粘着力Ｃについては、２００ｃＮ／２５ｍｍ以上のものを○、２００ｃＮ／２５ｍｍ未満のものを×で評価した。  As for the adhesive strength A, those having 90 cN / 25 mm or more were evaluated as “◯”, and those having less than 90 cN / 25 mm were evaluated as “X”. Regarding the adhesive strength B, those with less than 20 cN / 25 mm were evaluated as ◯, and those with 20 cN / 25 mm or more were evaluated with ×. Regarding the adhesive strength C, those having 200 cN / 25 mm or more were evaluated as “◯”, and those having less than 200 cN / 25 mm were evaluated as “×”.

上記の測定および評価を行った結果、粘着力Ａは１００ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｂは１４ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｃは２２０ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった（下記表１参照）。  As a result of performing said measurement and evaluation, adhesive force A was 100 cN / 25mm and was evaluation of (circle). The adhesive strength B was 14 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The adhesive strength C was 220 cN / 25 mm, and the evaluation was good (see Table 1 below).

＜チップ飛び試験＞
ダイシングテープ１００を、直径５インチで厚み６００μｍの円型の半導体ウエハの鏡面に貼り付けた。ダイシングテープ１００を半導体ウエハに貼着後、常温で２０分間放置し、半導体ウエハを、ブレード回転数４００００ｒｐｍ、カット速度７０ｍｍ／ｓｅｃ、ブレードハイト９０μｍの条件で、２ｍｍ×２ｍｍのサイズにダイシングし、チップを作製した。ダイシング後、チップ飛びしたチップの個数を数えた。<Chip skip test>
The dicingtape 100 was affixed to the mirror surface of a circular semiconductor wafer having a diameter of 5 inches and a thickness of 600 μm. After thedicing tape 100 is attached to the semiconductor wafer, it is allowed to stand at room temperature for 20 minutes, and the semiconductor wafer is diced into a size of 2 mm × 2 mm under the conditions of a blade rotation speed of 40000 rpm, a cutting speed of 70 mm / sec, and a blade height of 90 μm. Was made. After dicing, the number of chips skipped was counted.

チップ飛びした正方形のチップの個数が０個のものを○、チップ飛びした正方形のチップの個数が１個以上のものを×で評価した。なお、円型の半導体ウエハの端部をダイシングしたときに三角形のチップが作製されるが、この三角形のチップについてはカウントしないものとした。  The evaluation was evaluated with ◯ when the number of square chips with 0 chip jumps was 0, and with x when the number of square chips with chip jumps was 1 or more. A triangular chip is produced when the end of the circular semiconductor wafer is diced, but the triangular chip is not counted.

上記の試験を行った結果、チップ飛びしたチップの個数が０個であり、○の評価であった（下記表１参照）。  As a result of the above test, the number of chips skipped was 0, which was evaluated as “Good” (see Table 1 below).

＜ピックアップ試験＞
ダイシングテープ１００を、バックグラインド後１分以内の半導体ウエハのバックグラインドされた面に貼り付けた。ダイシングテープ１００を半導体ウエハに貼着後、常温で２０分間放置し、半導体ウエハを、ブレード回転数４００００ｒｐｍ、カット速度７０ｍｍ／ｓｅｃ、ブレードハイト９０μｍの条件で、１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにダイシングし、チップを作製した。ダイシング後、ニードル本数４本、ニードル間隔８ｍｍの条件でチップのピックアップを行い、ピックアップ成功率を測定した。<Pickup test>
The dicingtape 100 was affixed to the back-ground surface of the semiconductor wafer within 1 minute after the back-grinding. After thedicing tape 100 is attached to the semiconductor wafer, it is allowed to stand at room temperature for 20 minutes, and the semiconductor wafer is diced to a size of 10 mm × 10 mm under the conditions of a blade rotation speed of 40000 rpm, a cutting speed of 70 mm / sec, and a blade height of 90 μm. Was made. After dicing, chips were picked up under the conditions of 4 needles and a needle interval of 8 mm, and the success rate of picking up was measured.

ピックアップ成功率が９８％以上のものを○、ピックアップ成功率が９８％未満のものを×で評価した。  A case where the pickup success rate was 98% or more was evaluated as ◯, and a case where the pickup success rate was less than 98% was evaluated as ×.

上記の試験を行った結果、ピックアップ成功率が１００％であり、○の評価であった（下記表１参照）。  As a result of the above test, the pickup success rate was 100%, and the evaluation was good (see Table 1 below).

（実施例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープ１００を得た。粘着層３００のベース樹脂として、アミド基を含有するガラス転移温度−１５℃のアクリル系樹脂（以下、「ベース樹脂Ｂ」という）を準備した。粘着層３００の硬化成分として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（新中村化学工業株式会社製、品番：ＵＡ−５３Ｈ）を、ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部準備した。粘着層３００の架橋剤を、ベース樹脂１００重量部に対して８重量部準備した。(Example 2)
A dicingtape 100 was obtained in the same manner as in Example 1 except for the following. As the base resin of theadhesive layer 300, an acrylic resin (hereinafter referred to as “base resin B”) containing an amide group and having a glass transition temperature of −15 ° C. was prepared. As a curing component of theadhesive layer 300, 15 functional oligomer urethane acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product number: UA-53H) was prepared in an amount of 140 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. 8 parts by weight of the crosslinking agent for theadhesive layer 300 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

このダイシングテープ１００について、実施例１と同様にして、粘着力の測定および評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験を行った。  About this dicingtape 100, it carried out similarly to Example 1, and performed the measurement and evaluation of adhesive force, the chip | tip jump test, and the pick-up test.

その結果、粘着力Ａは１２５ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｂは１５ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｃは２４０ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。チップ飛びしたチップの個数が０個であり、○の評価であった。ピックアップ成功率が９９％であり、○の評価であった（下記表１参照）。  As a result, the adhesive strength A was 125 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The adhesive strength B was 15 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The adhesive strength C was 240 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The number of chips skipped was 0, which was evaluated as “Good”. The pickup success rate was 99%, which was evaluated as “Good” (see Table 1 below).

（比較例１）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。粘着層３００の硬化成分として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートと、重量平均分子量が５００の５官能アクリレートモノマーとを、ベース樹脂１００重量部に対して各３０重量部準備した。粘着層３００の架橋剤を、ベース樹脂１００重量部に対して７重量部準備した。(Comparative Example 1)
A dicing tape was obtained in the same manner as Example 1 except for the following. 30 parts by weight of a bifunctional urethane acrylate having a weight average molecular weight of 11,000 and a pentafunctional acrylate monomer having a weight average molecular weight of 500 were prepared as a curing component of theadhesive layer 300 with respect to 100 parts by weight of the base resin. 7 parts by weight of the crosslinking agent for theadhesive layer 300 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、粘着力の測定および評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験を行った。  About this dicing tape, it carried out similarly to Example 1, and measured and evaluated adhesive force, the chip | tip jump test, and the pick-up test.

その結果、粘着力Ａは３００ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｂは２７３ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｃは５８０ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。チップ飛びしたチップの個数が０個であり、○の評価であった。ピックアップ成功率が０％であり、×の評価であった（下記表１参照）。  As a result, the adhesive strength A was 300 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The adhesive strength B was 273 cN / 25 mm, and was evaluated as x. The adhesive strength C was 580 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The number of chips skipped was 0, which was evaluated as “Good”. The pickup success rate was 0%, which was evaluated as x (see Table 1 below).

（比較例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。粘着層３００の硬化成分として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートを、ベース樹脂１００重量部に対して１２０重量部準備した。粘着層３００の架橋剤を、ベース樹脂１００重量部に対して２２重量部準備した。(Comparative Example 2)
A dicing tape was obtained in the same manner as Example 1 except for the following. As a curing component of theadhesive layer 300, 120 parts by weight of bifunctional urethane acrylate having a weight average molecular weight of 11000 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin. 22 parts by weight of the crosslinking agent for theadhesive layer 300 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、粘着力の測定および評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験を行った。  About this dicing tape, it carried out similarly to Example 1, and measured and evaluated adhesive force, the chip | tip jump test, and the pick-up test.

その結果、粘着力Ａは１５０ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｂは１０７ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｃは２７５ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。チップ飛びしたチップの個数が０個であり、○の評価であった。ピックアップ成功率が４％であり、×の評価であった（下記表１参照）。  As a result, the adhesive strength A was 150 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The adhesive strength B was 107 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The adhesive strength C was 275 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The number of chips skipped was 0, which was evaluated as “Good”. The pickup success rate was 4%, which was evaluated as x (see Table 1 below).

（比較例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。粘着層３００の硬化成分として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートを、ベース樹脂１００重量部に対して１２０重量部準備した。粘着層３００の架橋剤を、ベース樹脂１００重量部に対して４５重量部準備した。(Comparative Example 3)
A dicing tape was obtained in the same manner as Example 1 except for the following. As a curing component of theadhesive layer 300, 120 parts by weight of bifunctional urethane acrylate having a weight average molecular weight of 11000 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin. 45 parts by weight of the crosslinking agent for theadhesive layer 300 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、粘着力の測定および評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験を行った。  About this dicing tape, it carried out similarly to Example 1, and measured and evaluated adhesive force, the chip | tip jump test, and the pick-up test.

その結果、粘着力Ａは４０ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｂは２０ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｃは６５ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。チップ飛びしたチップの個数が７２個であり、×の評価であった。ピックアップ成功率が９８％であり、○の評価であった（下記表１参照）。  As a result, the adhesive strength A was 40 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The adhesive strength B was 20 cN / 25 mm, and was evaluated as x. The adhesive strength C was 65 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The number of chips skipped was 72, which was evaluated as x. The pickup success rate was 98%, which was evaluated as “Good” (see Table 1 below).

（比較例４）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。粘着層３００のベース樹脂として、ベース樹脂Ｂを準備した。粘着層３００の硬化成分として、９官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（新中村化学工業株式会社製、品番：ＵＡ−３２Ｐ）を、ベース樹脂１００重量部に対して１１５重量部準備した。粘着層３００の架橋剤として、イソシアネート系アクリロイル基含有モノマーを、ベース樹脂１００重量部に対して１３重量部準備した。(Comparative Example 4)
A dicing tape was obtained in the same manner as Example 1 except for the following. Base resin B was prepared as a base resin for theadhesive layer 300. As a curing component of theadhesive layer 300, 115 parts by weight of 9-functional oligomer urethane acrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product number: UA-32P) was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin. As a crosslinking agent for theadhesive layer 300, 13 parts by weight of an isocyanate-based acryloyl group-containing monomer was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、粘着力の測定および評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験を行った。  About this dicing tape, it carried out similarly to Example 1, and measured and evaluated adhesive force, the chip | tip jump test, and the pick-up test.

その結果、粘着力Ａは３００ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。粘着力Ｂは８５ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｃは６３０ｃＮ／２５ｍｍであり、○の評価であった。チップ飛びしたチップの個数が０個であり、○の評価であった。ピックアップ成功率が７％であり、×の評価であった（下記表１参照）。  As a result, the adhesive strength A was 300 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The adhesive strength B was 85 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The adhesive strength C was 630 cN / 25 mm, and the evaluation was good. The number of chips skipped was 0, which was evaluated as “Good”. The pickup success rate was 7%, which was evaluated as x (see Table 1 below).

（比較例５）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングテープを得た。基層２００を構成する材料として、塩化ビニル樹脂７０重量部と、可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）３０重量部とを準備した。粘着層３００の硬化成分として、重量平均分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートを、ベース樹脂１００重量部に対して９５重量部準備した。粘着層３００の架橋剤を、ベース樹脂１００重量部に対して１１重量部準備した。(Comparative Example 5)
A dicing tape was obtained in the same manner as Example 1 except for the following. As a material constituting thebase layer 200, 70 parts by weight of a vinyl chloride resin and 30 parts by weight of dioctyl phthalate (DOP) as a plasticizer were prepared. As a curing component of theadhesive layer 300, 95 parts by weight of bifunctional urethane acrylate having a weight average molecular weight of 11000 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin. 11 parts by weight of the crosslinking agent for theadhesive layer 300 was prepared with respect to 100 parts by weight of the base resin.

このダイシングテープについて、実施例１と同様にして、粘着力の測定および評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験を行った。  About this dicing tape, it carried out similarly to Example 1, and measured and evaluated adhesive force, the chip | tip jump test, and the pick-up test.

その結果、粘着力Ａは８５ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｂは８６ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。粘着力Ｃは１５５ｃＮ／２５ｍｍであり、×の評価であった。チップ飛びしたチップの個数が６個であり、×の評価であった。ピックアップ成功率が９％であり、×の評価であった（下記表１参照）。  As a result, the adhesive strength A was 85 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The adhesive strength B was 86 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The adhesive strength C was 155 cN / 25 mm, which was evaluated as x. The number of chips skipped was 6 and was evaluated as x. The pickup success rate was 9%, which was evaluated as x (see Table 1 below).

実施例１、２に係るダイシングテープ１００では、粘着力の評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験の全ての評価が○であった。これに対して、比較例１〜５に係るダイシングテープでは、粘着力の評価、チップ飛び試験、ピックアップ試験のうちの少なくとも２つの評価が×であった。  In the dicingtape 100 according to Examples 1 and 2, all evaluations of the adhesive strength evaluation, the chip jump test, and the pickup test were “good”. On the other hand, in the dicing tapes according to Comparative Examples 1 to 5, at least two evaluations among the evaluation of adhesive strength, the chip jump test, and the pickup test were x.

１００ 半導体ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）
２００ 基層
３００ 粘着層100 Adhesive tape for semiconductor wafer processing (dicing tape)
200base layer 300 adhesive layer

Claims (4)

Translated fromJapanese

基層と、前記基層上に形成された粘着層とを含み、
前記粘着層が、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシルおよび酢酸ビニルの共重合体と、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、酢酸ビニルおよびメタクリル酸２−ヒドロキシエチルの共重合体との混合樹脂、または、アミド基を含有するアクリル樹脂であるベース樹脂１００重量部に、架橋剤５重量部以上８重量部以下と、硬化成分として官能基数が１５官能以上であるウレタンアクリレートオリゴマー１４０重量部以上２００重量部以下と、を含み、
半導体ウエハが、バックグラインド後１分以内に、バックグラインドされた面で前記粘着層に貼り付けられた後１４日間放置されてから光が照射されたときの前記粘着層の粘着力が、２０ｃＮ／２５ｍｍ未満である半導体ウエハ加工用粘着テープ。Including a base layer and an adhesive layer formed on the base layer,
The adhesive layer is a mixed resin of a copolymer of butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate and vinyl acetate and a copolymer of butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, vinyl acetate and 2-hydroxyethyl methacrylate. Or100 parts byweight of a base resin, which is an acrylic resin containing an amide group,5 parts by weight or more and 8 parts by weight or less ofa crosslinking agent, and140 parts by weight or more of a urethane acrylate oligomer having 15 or more functional groups asa curing component.Parts by weight or less ,
Within 1 minute after back grinding, the adhesive strength of the adhesive layer when irradiated with light after being left for 14 days after being attached to the adhesive layer on the back-ground surface is 20 cN / A semiconductor wafer processing adhesive tape that is less than 25 mm. 半導体ウエハが、バックグラインド後１分以内に、バックグラインドされた面で貼り付けられた後２０分間放置されたときの粘着力が、２００ｃＮ／２５ｍｍ以上である請求項１に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。  2. The semiconductor wafer processing according to claim 1, wherein the adhesive strength when the semiconductor wafer is left for 20 minutes after being attached on the back-ground surface within 1 minute after the back-grinding is 200 cN / 25 mm or more. Adhesive tape. 半導体ウエハが鏡面で貼り付けられた後２０分間放置されたときの粘着力が、９０ｃＮ／２５ｍｍ以上である請求項１または２に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。  The pressure-sensitive adhesive tape for processing a semiconductor wafer according to claim 1 or 2, wherein the pressure-sensitive adhesive force when the semiconductor wafer is left on the mirror surface for 20 minutes is 90 cN / 25 mm or more. ２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンからなる群から選ばれる光重合開始剤を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyro The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing according to anyone of claims1 to 3 , comprising a photopolymerization initiator selected from the group consisting of nitrile, dibenzyl, diacetyl, and β-chloranthraquinone.

Images