JP5830458B2 - Electronic control unit - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明は、異常検出回路を備えた電子制御装置に関する。  The present invention relates to an electronic control device including an abnormality detection circuit.

例えば自動車用の電子制御装置は、故障発生時の誤動作を防止するために内部に多数の異常検出回路を有している。この異常検出回路の１つが電圧異常検出回路である。電圧異常検出回路は、監視対象である回路の端子電圧を測定し、電圧値が正常範囲から外れている場合には電圧異常検出信号を出力する。電圧異常検出信号が出力された場合、電子制御装置は内部に異常が発生していると判断し、動作停止などの処理を行うことで、誤動作を防止している。  For example, an electronic control device for an automobile has a large number of abnormality detection circuits therein in order to prevent malfunction when a failure occurs. One of the abnormality detection circuits is a voltage abnormality detection circuit. The voltage abnormality detection circuit measures the terminal voltage of the circuit to be monitored, and outputs a voltage abnormality detection signal when the voltage value is out of the normal range. When the voltage abnormality detection signal is output, the electronic control unit determines that an abnormality has occurred inside and performs processing such as operation stop to prevent malfunction.

ところが、電圧異常検出回路が故障した場合、端子電圧の電圧異常を正確に判定することができず、電子制御装置の誤動作を招いてしまう可能性がある。この状態を防止するため、電圧異常検出回路の故障検出方法がいくつか提案されている。  However, when the voltage abnormality detection circuit fails, it is not possible to accurately determine the voltage abnormality of the terminal voltage, which may cause malfunction of the electronic control device. In order to prevent this state, several fault detection methods for the voltage abnormality detection circuit have been proposed.

この故障検出方法の背景技術として、例えば特許文献１、２がある。特許文献１では、「電圧異常検出手段（電圧センサ及び電圧異常判断部）と二次電池との電気的接続を切断すると共に、電圧異常検出手段を二次電池とは異なる定電圧発生手段（変換装置）に接続し、定電圧発生手段により、正常電圧範囲から外れた一定電圧値を有する直流定電圧を電圧異常検出手段（電圧センサ）に印加して、電圧異常検出手段により電圧異常であると判断されなかった場合、電圧異常検出手段が故障していると判断する」ことが記載されている。  As background art of this failure detection method, there are, for example,Patent Documents 1 and 2. InPatent Document 1, “the voltage abnormality detecting means (voltage sensor and voltage abnormality determining unit) is disconnected from the secondary battery and the voltage abnormality detecting means is a constant voltage generating means (conversion) different from the secondary battery. A constant DC voltage having a constant voltage value out of the normal voltage range is applied to the voltage abnormality detection means (voltage sensor) by the constant voltage generation means, and the voltage abnormality detection means has a voltage abnormality. If it is not determined, it is determined that the voltage abnormality detecting means has failed. "

また特許文献２では、「テスト信号、例えば過充電テスト信号をテスト信号入力端子に入力し、過充電状態が発生したと同様の状態となるように異常状態検出手段を差動させ、これによって、電池が授受する電気エネルギーを導く回路を遮断する保護手段を作動させる」ことが記載されている。  Further, in Patent Document 2, “a test signal, for example, an overcharge test signal is input to the test signal input terminal, and the abnormal state detection means is differentiated so that an overcharge state occurs, "Activate a protective means that shuts off the circuit that conducts the electrical energy delivered and received by the battery".

特許４７１５８７５号公報Japanese Patent No. 4715875特開平１１−９８７０１号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-98701

特許文献１では、定電圧発生手段により電圧変動の無い安定した直流定電圧を発生させ、この直流定電圧を電圧異常検出手段に印加することで、電圧異常検出手段の故障を精度良く診断している。しかし、定電圧発生手段と電圧異常検出手段を１つの集積回路内に納めた場合、定電圧発生手段は集積回路の製造ばらつきや温度の影響を受けるため、直流定電圧の電圧変動を小さく抑えようとすると回路規模が大きくなり、コスト増につながることになる。逆に直流定電圧の電圧変動が大きいことを許容すると、電圧異常検出手段の故障診断精度が低下するという問題がある。  InPatent Document 1, a stable DC constant voltage without voltage fluctuation is generated by a constant voltage generating means, and a failure of the voltage abnormality detecting means is accurately diagnosed by applying this DC constant voltage to the voltage abnormality detecting means. Yes. However, when the constant voltage generating means and the voltage abnormality detecting means are accommodated in one integrated circuit, the constant voltage generating means is affected by manufacturing variations of the integrated circuit and temperature, so that voltage fluctuation of the DC constant voltage should be kept small. If this is the case, the circuit scale will increase, leading to increased costs. On the contrary, if the voltage fluctuation of the DC constant voltage is allowed to be large, there is a problem that the failure diagnosis accuracy of the voltage abnormality detecting means is lowered.

また特許文献２では、前記過充電テスト信号が変動した場合、異常状態検出手段を精度良く故障診断することができないという問題がある。  Moreover, in patent document 2, when the said overcharge test signal fluctuates, there exists a problem that failure diagnosis cannot be carried out with an abnormal condition detection means accurately.

上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。  In order to solve the above problems, for example, the configuration described in the claims is adopted.

本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、「１チップで構成される集積回路に設けられた、監視対象回路と、前記監視対象回路の端子電圧と予め設定された閾値電圧を比較して監視対象回路の異常を検出する電圧異常検出回路と、前記電圧異常検出回路の故障を検出するために予め設定され、前記電圧異常検出回路の閾値電圧と比較されるテスト電圧を生成するテスト電圧生成回路とを備え、前記テスト電圧の温度係数と前記閾値電圧の温度係数を等しくなるように設定したこと」を特徴とする。  The present application includes a plurality of means for solving the above-mentioned problems. To give an example, “a monitoring target circuit provided in an integrated circuit composed of one chip, a terminal voltage of the monitoring target circuit, and A voltage abnormality detection circuit that detects an abnormality of the monitoring target circuit by comparing the set threshold voltage, and is set in advance to detect a failure of the voltage abnormality detection circuit, and is compared with the threshold voltage of the voltage abnormality detection circuit. A test voltage generation circuit for generating a test voltage to be set, and the temperature coefficient of the test voltage and the temperature coefficient of the threshold voltage are set to be equal.

本発明によれば、テスト電圧の電圧変動が大きい状況下でも電圧異常検出回路の故障診断を精度良く実施することができる。  According to the present invention, failure diagnosis of the voltage abnormality detection circuit can be performed with high accuracy even under conditions where the voltage fluctuation of the test voltage is large.

上記以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。  Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of embodiments.

本発明の実施例１における電子制御装置の構成図である。It is a block diagram of the electronic controller in Example 1 of this invention.本発明の実施例１における電圧異常検出回路の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of the voltage abnormality detection circuit in Example 1 of this invention.本発明の実施例１におけるテスト電圧生成回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the test voltage generation circuit in Example 1 of this invention.本発明の電圧異常検出回路の故障診断処理を表すフローチャートである。It is a flowchart showing the failure diagnosis process of the voltage abnormality detection circuit of this invention.テスト電圧の温度係数と閾値電圧の温度係数の関係を表した特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the temperature coefficient of a test voltage and the temperature coefficient of a threshold voltage.本実施形態例におけるコモンセントロイド配置図である。It is a common centroid arrangement | positioning figure in the example of this embodiment.本発明の実施例２における電子制御装置の構成図である。It is a block diagram of the electronic controller in Example 2 of this invention.本発明の実施例２におけるテスト電圧生成回路の構成を示す回路図である。である。It is a circuit diagram which shows the structure of the test voltage generation circuit in Example 2 of this invention. It is.本発明の実施例３における電子制御装置の構成図である。It is a block diagram of the electronic controller in Example 3 of this invention.本発明の実施例３における電圧異常検出回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the voltage abnormality detection circuit in Example 3 of this invention.本発明の実施例４における電子制御装置の構成図である。It is a block diagram of the electronic controller in Example 4 of this invention.本発明の故障情報の例を表した図である。It is a figure showing the example of the failure information of this invention.

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。以下の実施例では、本発明を自動車用の電子制御装置に適用した例を説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。  Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, an example in which the present invention is applied to an automobile electronic control device will be described, but the present invention is not limited to the following embodiments.

本実施例では、テスト電圧の変動量が大きい場合でも電圧異常検出回路の故障診断を精度良く実施することができる電子制御装置の例を説明する。  In the present embodiment, an example of an electronic control device that can perform failure diagnosis of the voltage abnormality detection circuit with high accuracy even when the variation amount of the test voltage is large will be described.

図１は、本実施例における電子制御装置の構成図である。  FIG. 1 is a configuration diagram of an electronic control device according to this embodiment.

電子制御装置１は、制御コントローラ１０と集積回路２０を備えている。このうち、制御コントローラ１０は、内部にＣＰＵ（不図示）やＲＡＭ（不図示）、通信機能（不図示）を備え、集積回路２０に対して処理の指示を行う他に、故障通知装置１００に対する故障検出信号の出力や他の電子制御装置との通信を実施する。なお、図１において制御コントローラ１０は集積回路２０の外部に記されているが、集積回路２０の内部にあってもよい。  Theelectronic control device 1 includes acontrol controller 10 and an integratedcircuit 20. Among these, thecontroller 10 includes a CPU (not shown), a RAM (not shown), and a communication function (not shown) inside, and in addition to instructing the integratedcircuit 20 to perform processing, Outputs failure detection signals and communicates with other electronic control devices. In FIG. 1, thecontroller 10 is shown outside theintegrated circuit 20, but may be inside the integratedcircuit 20.

集積回路２０は、１チップ内に、監視対象回路３０、電圧異常検出回路４０、テスト電圧生成回路５０、スイッチ２１およびスイッチ２２を備えている。スイッチ２１およびスイッチ２２は、制御コントローラ１０からの信号により開閉制御される。  Theintegrated circuit 20 includes amonitoring target circuit 30, a voltageabnormality detection circuit 40, a test voltage generation circuit 50, aswitch 21, and aswitch 22 in one chip. Theswitches 21 and 22 are controlled to open and close by a signal from thecontroller 10.

監視対象回路３０は、電圧異常検出回路４０が電圧異常を測定する対象となる回路である。監視対象回路３０は任意のアナログ回路であり、例えば、電圧昇圧回路や電圧降圧回路、電子制御装置１外部のセンサ電圧を取得する回路などが具体例として挙げられる。  Themonitoring target circuit 30 is a circuit that is a target for which the voltageabnormality detection circuit 40 measures a voltage abnormality. Themonitoring target circuit 30 is an arbitrary analog circuit, and examples thereof include a voltage boosting circuit, a voltage stepping down circuit, and a circuit for acquiring a sensor voltage outside theelectronic control device 1.

電圧異常検出回路４０は、入力側の配線４１およびスイッチ２１を介してテスト電圧生成回路５０と接続されており、配線４１およびスイッチ２２を介して監視対象回路３０と接続されている。そのため、電圧異常検出回路４０には、テスト電圧生成回路５０が出力するテスト電圧５５か監視対象回路３０の端子電圧３１のどちらかが入力される。  The voltageabnormality detection circuit 40 is connected to the test voltage generation circuit 50 via theinput side wiring 41 and theswitch 21, and is connected to themonitoring target circuit 30 via thewiring 41 and theswitch 22. Therefore, either thetest voltage 55 output from the test voltage generation circuit 50 or theterminal voltage 31 of themonitoring target circuit 30 is input to the voltageabnormality detection circuit 40.

そして電圧異常検出回路４０は、配線４１から入力された入力電圧と予め設定した閾値電圧を比較し、入力電圧が正常範囲内であるかを判断する。入力電圧が正常範囲内から逸脱した場合には、制御コントローラ１０に対して電圧異常検出信号４６を出力する。  The voltageabnormality detection circuit 40 compares the input voltage input from thewiring 41 with a preset threshold voltage, and determines whether the input voltage is within the normal range. When the input voltage deviates from the normal range, a voltageabnormality detection signal 46 is output to thecontroller 10.

テスト電圧生成回路５０は、電圧異常検出回路４０の故障診断を実施するためのテスト電圧５５を生成する。  The test voltage generation circuit 50 generates atest voltage 55 for performing failure diagnosis of the voltageabnormality detection circuit 40.

故障通知装置１００は、制御コントローラ１０からの故障検出信号を受け付け、例えば自動車の搭乗者に故障の発生を通知する。故障の通知方法としては、例えば、ランプを点灯させる、警告音を発生させる、音声で通知するなどの方法が挙げられる。  Thefailure notification device 100 receives a failure detection signal from thecontrol controller 10 and notifies, for example, the occurrence of the failure to the passenger of the automobile. Examples of the failure notification method include a method of lighting a lamp, generating a warning sound, and notifying by voice.

図２は、電圧異常検出回路４０の回路構成を表した図である。電圧異常検出回路４０は、配線４１の入力電圧が閾値電圧より高い場合に電圧異常検出信号４６を出力するか、閾値電圧より低い場合に電圧異常検出信号４６を出力するかによって回路構成が異なる。なお、本実施例において、電圧異常検出回路４０から電圧異常検出信号４６が出力された状態とは、電圧異常検出信号４６の電圧値がＣＭＯＳレベルにおけるＨｉｇｈの範囲内にある状態を指す。  FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of the voltageabnormality detection circuit 40. The voltageabnormality detection circuit 40 has a different circuit configuration depending on whether the voltageabnormality detection signal 46 is output when the input voltage of thewiring 41 is higher than the threshold voltage or the voltageabnormality detection signal 46 is output when the input voltage is lower than the threshold voltage. In the present embodiment, the state in which the voltageabnormality detection signal 46 is output from the voltageabnormality detection circuit 40 indicates a state in which the voltage value of the voltageabnormality detection signal 46 is within the High range at the CMOS level.

図２（ａ）は、配線４１の入力電圧が閾値電圧より高い場合に電圧異常検出信号４６を出力する電圧異常検出回路４０を示している。図２（ａ）では、配線４１の入力電圧を抵抗４２ａおよび抵抗４３ａによって分圧し、分圧した入力電圧をコンパレータ４４ａの非反転入力端子（＋側）に入力し、基準電圧４５ａをコンパレータ４４ａの反転入力端子（−側）に入力している。これにより、分圧した入力電圧が基準電圧４５ａより大きい場合には、コンパレータ４４ａの出力電圧は電源電圧となり、電圧異常検出信号４６が出力されている状態となる。逆に、分圧した入力電圧が基準電圧４５ａより小さい場合には、コンパレータ４４ａの出力電圧は０Ｖとなり、電圧異常検出信号４６が出力されていない状態となる。この回路の場合、閾値電圧は抵抗４２ａ、抵抗４３ａ、基準電圧４５ａの値によって決まる。  FIG. 2A shows a voltageabnormality detection circuit 40 that outputs a voltageabnormality detection signal 46 when the input voltage of thewiring 41 is higher than the threshold voltage. In FIG. 2A, the input voltage of thewiring 41 is divided by theresistors 42a and 43a, the divided input voltage is input to the non-inverting input terminal (+ side) of thecomparator 44a, and thereference voltage 45a is input to thecomparator 44a. Input to the inverting input terminal (-side). Thereby, when the divided input voltage is larger than thereference voltage 45a, the output voltage of thecomparator 44a becomes the power supply voltage, and the voltageabnormality detection signal 46 is output. On the other hand, when the divided input voltage is smaller than thereference voltage 45a, the output voltage of thecomparator 44a is 0V, and the voltageabnormality detection signal 46 is not output. In the case of this circuit, the threshold voltage is determined by the values of theresistor 42a, theresistor 43a, and thereference voltage 45a.

図２（ｂ）は、配線４１の入力電圧が閾値電圧より低い場合に電圧異常検出信号４６を出力する電圧異常検出回路４０である。図２（ｂ）では、配線４１の入力電圧を抵抗４２ｂおよび抵抗４３ｂによって分圧し、分圧した入力電圧をコンパレータ４４ｂの反転入力端子（−側）に入力し、基準電圧４５ｂをコンパレータ４４ｂの非反転入力端子（＋側）に入力している。これにより、分圧した入力電圧が基準電圧４５ｂより小さい場合には、コンパレータ４４ｂの出力電圧は電源電圧となり、電圧異常検出信号４６が出力された状態となる。逆に、分圧した入力電圧が基準電圧４５ｂより大きい場合には、コンパレータ４４ｂの出力は０Ｖとなり、電圧異常検出信号４６は出力されていない状態となる。この回路の場合、閾値電圧は抵抗４２ｂ、抵抗４３ｂ、基準電圧４５ｂの値によって決まる。  FIG. 2B shows a voltageabnormality detection circuit 40 that outputs a voltageabnormality detection signal 46 when the input voltage of thewiring 41 is lower than the threshold voltage. In FIG. 2B, the input voltage of thewiring 41 is divided by theresistors 42b and 43b, the divided input voltage is input to the inverting input terminal (− side) of thecomparator 44b, and thereference voltage 45b is not connected to thecomparator 44b. The signal is input to the inverting input terminal (+ side). Thereby, when the divided input voltage is smaller than thereference voltage 45b, the output voltage of thecomparator 44b becomes the power supply voltage, and the voltageabnormality detection signal 46 is output. On the contrary, when the divided input voltage is larger than thereference voltage 45b, the output of thecomparator 44b is 0V, and the voltageabnormality detection signal 46 is not output. In the case of this circuit, the threshold voltage is determined by the values of theresistor 42b, theresistor 43b, and thereference voltage 45b.

図３は、テスト電圧生成回路５０の回路構成を表した図である。テスト電圧５５は、電源線５３の電圧をＭＯＳＦＥＴ５４、抵抗５６、抵抗５７で分圧して作られ、ＭＯＳＦＥＴ５４および抵抗５６の共通接続点から出力される。オペアンプ５２は、非反転入力端子（＋側）の基準電圧５１と、反転入力端子（−側）の抵抗５６および５７の共通接続点電圧５８が等しくなるようにＭＯＳＦＥＴ５４の抵抗値を調整する役割があり、これによりＭＯＳＦＥＴ５４および抵抗５６の共通接続点から出力されるテスト電圧５５の電圧値が安定する仕組みとなっている。  FIG. 3 is a diagram illustrating a circuit configuration of the test voltage generation circuit 50. Thetest voltage 55 is generated by dividing the voltage of thepower supply line 53 by theMOSFET 54, theresistor 56, and theresistor 57, and is output from the common connection point of theMOSFET 54 and theresistor 56. Theoperational amplifier 52 has a role of adjusting the resistance value of theMOSFET 54 so that thereference voltage 51 of the non-inverting input terminal (+ side) and the commonconnection point voltage 58 of theresistors 56 and 57 of the inverting input terminal (− side) become equal. Thus, the voltage value of thetest voltage 55 output from the common connection point of theMOSFET 54 and theresistor 56 is stabilized.

図４は、本実施例における故障診断方法のフローチャートである。  FIG. 4 is a flowchart of the failure diagnosis method in this embodiment.

ステップＳ１において、制御コントローラ１０はスイッチ２２が開路（ＯＦＦ）となるようにＯＦＦ制御信号を出力する。これにより、電圧異常検出回路４０と監視対象回路３０との接続が切断されることになる。次いでステップＳ２において、制御コントローラ１０はスイッチ２１が閉路（ＯＮ）となるようにＯＮ制御信号を出力する。これにより、テスト電圧生成回路５０から出力されるテスト電圧５５が電圧異常検出回路４０に入力されることになる。  In step S1, thecontroller 10 outputs an OFF control signal so that theswitch 22 is opened (OFF). As a result, the connection between the voltageabnormality detection circuit 40 and themonitoring target circuit 30 is disconnected. Next, in step S2, thecontroller 10 outputs an ON control signal so that theswitch 21 is closed (ON). As a result, thetest voltage 55 output from the test voltage generation circuit 50 is input to the voltageabnormality detection circuit 40.

次のステップＳ３において、制御コントローラ１０は電圧異常検出回路４０から電圧異常検出信号４６が出力されるかを確認する。制御コントローラ１０が電圧異常検出信号４６を受け取った場合（Ｙｅｓ）は、電圧異常検出回路４０は正常であると判断し、ステップＳ４の処理に移る。電圧異常検出信号４６を受け取らなかった場合（Ｎｏ）は、電圧異常検出回路４０が故障していると判断し、ステップＳ６の処理に移る。  In the next step S <b> 3, thecontroller 10 confirms whether the voltageabnormality detection signal 46 is output from the voltageabnormality detection circuit 40. When thecontroller 10 receives the voltage abnormality detection signal 46 (Yes), it is determined that the voltageabnormality detection circuit 40 is normal, and the process proceeds to step S4. If the voltageabnormality detection signal 46 has not been received (No), it is determined that the voltageabnormality detection circuit 40 has failed, and the process proceeds to step S6.

ステップＳ４では、制御コントローラ１０はスイッチ２１が開路（ＯＦＦ）となるようにＯＦＦ制御信号を出力する。これにより、テスト電圧生成回路５０と電圧異常検出回路４０の接続が切断される。次のステップＳ５では、制御コントローラ１０はスイッチ２２が閉路（ＯＮ）となるようにＯＮ制御信号を出力する。これにより、故障診断前と同様に、監視対象回路３０の端子電圧３１が電圧異常検出回路４０に入力されることになる。ステップＳ５の処理が完了すると、電圧異常検出回路４０の故障診断処理は終了となる。  In step S4, thecontroller 10 outputs an OFF control signal so that theswitch 21 is opened (OFF). As a result, the connection between the test voltage generation circuit 50 and the voltageabnormality detection circuit 40 is disconnected. In the next step S5, thecontroller 10 outputs an ON control signal so that theswitch 22 is closed (ON). As a result, theterminal voltage 31 of themonitoring target circuit 30 is input to the voltageabnormality detection circuit 40 as before the failure diagnosis. When the process of step S5 is completed, the fault diagnosis process of the voltageabnormality detection circuit 40 ends.

ステップＳ６では、制御コントローラ１０は故障通知装置１００に対して故障検出信号を出力する。これを受けて、故障通知装置１００が動作し、搭乗者に故障を通知する。  In step S <b> 6, thecontroller 10 outputs a failure detection signal to thefailure notification device 100. In response to this, thefailure notification device 100 operates and notifies the passenger of the failure.

これによって、電圧異常検出回路４０の故障を電子制御装置の外部へ通知することができる。  Thereby, the failure of the voltageabnormality detection circuit 40 can be notified to the outside of the electronic control unit.

ステップＳ６の処理が完了すると、電圧異常検出回路４０の故障診断処理は終了となる。  When the process of step S6 is completed, the fault diagnosis process of the voltageabnormality detection circuit 40 ends.

なお、電圧異常検出回路４０の故障診断を開始するタイミングについては任意であり、例えば、電子制御装置１に電源が供給された際に診断を行っても良いし、電子制御装置１が一定時間動作する毎に診断を行っても良い。  The timing for starting the failure diagnosis of the voltageabnormality detection circuit 40 is arbitrary. For example, the diagnosis may be performed when power is supplied to theelectronic control device 1, or theelectronic control device 1 operates for a certain period of time. Diagnosis may be performed every time.

図５は、テスト電圧５５の温度係数と電圧異常検出回路４０が持つ閾値電圧の温度係数の関係を表した図である。なお、図５は電圧異常検出回路４０として図２（ａ）の回路を用いた場合の図である。  FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the temperature coefficient of thetest voltage 55 and the temperature coefficient of the threshold voltage of the voltageabnormality detection circuit 40. FIG. 5 is a diagram in the case where the circuit of FIG. 2A is used as the voltageabnormality detection circuit 40.

電圧異常検出回路４０として図２（ａ）の回路を用いた場合、全温度領域においてテスト電圧５５は閾値電圧よりも大きい必要がある。これは、テスト電圧５５が閾値電圧を下回ると、故障診断時に電圧異常検出回路４０から電圧異常検出信号４６が出力されず、電圧異常検出回路４０が故障していると誤検出されてしまうためである。  When the circuit of FIG. 2A is used as the voltageabnormality detection circuit 40, thetest voltage 55 needs to be larger than the threshold voltage in the entire temperature region. This is because if thetest voltage 55 falls below the threshold voltage, the voltageabnormality detection signal 46 is not output from the voltageabnormality detection circuit 40 at the time of failure diagnosis, and it is erroneously detected that the voltageabnormality detection circuit 40 has failed. is there.

この誤検出の問題は、図５（ａ）のようにテスト電圧５５の変動範囲と閾値電圧の変動範囲が重ならないようにすることで、確実に避けることができる。しかし、変動範囲が重ならないようにする場合、テスト電圧５５の変動量が大きいと、図５（ｂ）のようにテスト電圧５５と閾値電圧の電位差が大きくなる。テスト電圧５５と閾値電圧の電位差が大きいほど、電圧異常検出回路４０の閾値電圧が上昇するような故障を検出することは困難となる。  This problem of erroneous detection can be reliably avoided by preventing the fluctuation range of thetest voltage 55 and the fluctuation range of the threshold voltage from overlapping as shown in FIG. However, when the variation ranges do not overlap, if the variation amount of thetest voltage 55 is large, the potential difference between thetest voltage 55 and the threshold voltage is large as shown in FIG. The greater the potential difference between thetest voltage 55 and the threshold voltage, the more difficult it is to detect a failure in which the threshold voltage of the voltageabnormality detection circuit 40 increases.

これに対し、図５（ｃ）のようにテスト電圧５５の温度係数と閾値電圧の温度係数をできる限り等しくすることで上記の問題を解決できる。テスト電圧５５の温度係数と閾値電圧の温度係数が等しい場合、温度が変化してもテスト電圧５５と閾値電圧の電位差は変動しない。そのため、テスト電圧５５を閾値電圧の付近に設定しても故障の誤検出が起こることはなく、誤検出を防止しつつ故障検出精度を向上させることができる。テスト電圧５５の温度係数と閾値電圧の温度係数の差が小さいほど、この効果は大きくなる。  On the other hand, the above problem can be solved by making the temperature coefficient of thetest voltage 55 and the temperature coefficient of the threshold voltage as equal as possible as shown in FIG. When the temperature coefficient of thetest voltage 55 is equal to the temperature coefficient of the threshold voltage, the potential difference between thetest voltage 55 and the threshold voltage does not change even if the temperature changes. Therefore, even if thetest voltage 55 is set in the vicinity of the threshold voltage, erroneous detection of a failure does not occur, and the accuracy of failure detection can be improved while preventing erroneous detection. This effect increases as the difference between the temperature coefficient of thetest voltage 55 and the temperature coefficient of the threshold voltage decreases.

また、電圧異常検知回路４０が図２（ｂ）の回路の場合でも、テスト電圧５５と閾値電圧の大小関係が逆転する以外は図２（ａ）の回路と同じであるため、テスト電圧５５の温度係数と閾値電圧の温度係数の差が小さいほど、同じように故障検知精度は向上する。  2B is the same as the circuit of FIG. 2A except that the magnitude relationship between thetest voltage 55 and the threshold voltage is reversed. The smaller the difference between the temperature coefficient and the temperature coefficient of the threshold voltage, the better the failure detection accuracy.

テスト電圧５５と閾値電圧の温度係数を合わせる方法としては、温度係数が合うように電圧異常検出回路４０とテスト電圧生成回路５０を設計することと、電圧異常検出回路４０とテスト電圧生成回路５０にコモンセントロイド配置を適用することが挙げられる。  As a method of matching the temperature coefficient of thetest voltage 55 and the threshold voltage, the voltageabnormality detection circuit 40 and the test voltage generation circuit 50 are designed so that the temperature coefficients match, and the voltageabnormality detection circuit 40 and the test voltage generation circuit 50 are combined. Applying a common centroid arrangement.

前記設計により温度係数を合わせる方法は、例えば電圧異常検出回路を構成する図２（ａ）又は図２（ｂ）の抵抗、コンパレータの温度係数と、テスト電圧生成回路を構成する図３の抵抗、コンパレータ、ＭＯＳＦＥＴの温度係数とをシミュレーションして両者が等しくなるように設計するものである。  The method of adjusting the temperature coefficient according to the design includes, for example, the resistance of FIG. 2A or 2B configuring the voltage abnormality detection circuit, the temperature coefficient of the comparator, and the resistance of FIG. 3 configuring the test voltage generation circuit, The temperature coefficients of the comparator and MOSFET are simulated and designed to be equal.

図６はコモンセントロイド配置図の例を示している。コモンセントロイド配置とは、中央に重心が来るように素子を配置する方法である。図６の場合、抵抗１を抵抗１ａと抵抗１ｂの２つに分割し、分割した抵抗１ａと抵抗１ｂを対角に配置している。同様に、抵抗２も抵抗２ａと抵抗２ｂに分割した後に、対角に配置している。これにより、抵抗１ａ、抵抗１ｂ、抵抗２ａ、抵抗２ｂの抵抗値がそれぞれ同じ場合には、重心が中央に来ることになる。コモンセントロイド配置を用いた場合、素子を単純に並べた場合と比べて、集積回路２０製造時に重心がばらついて特定の素子に偏ることを防止でき、テスト電圧５５の温度係数と閾値電圧の温度係数とのずれを小さくすることができる。  FIG. 6 shows an example of a common centroid layout diagram. The common centroid arrangement is a method of arranging elements so that the center of gravity comes to the center. In the case of FIG. 6, theresistor 1 is divided into two, a resistor 1a and a resistor 1b, and the divided resistors 1a and 1b are arranged diagonally. Similarly, the resistor 2 is also arranged diagonally after being divided into a resistor 2a and a resistor 2b. Accordingly, when the resistance values of the resistor 1a, the resistor 1b, the resistor 2a, and the resistor 2b are the same, the center of gravity comes to the center. When the common centroid arrangement is used, it is possible to prevent the center of gravity from being scattered and biased to a specific element when theintegrated circuit 20 is manufactured, compared to the case where the elements are simply arranged, and the temperature coefficient of thetest voltage 55 and the temperature of the threshold voltage Deviation from the coefficient can be reduced.

例えば電圧異常検出回路４０であれば、図２（ａ）の各抵抗４２ａ，４３ａを各々２つに分割した後に図６のように対角配置する。尚、抵抗に限らずコンパレータ４４ａについても２つに分割した後に対角配置してもよい。また図２（ｂ）の回路の場合も同様である。  For example, in the case of the voltageabnormality detection circuit 40, each of theresistors 42a and 43a in FIG. 2A is divided into two and then diagonally arranged as shown in FIG. Not only the resistor but also thecomparator 44a may be diagonally arranged after being divided into two. The same applies to the circuit of FIG.

また、テスト電圧生成回路５０であれば、図３の各抵抗５６、５７を各々２つに分割した後に図６のように対角配置する。尚、抵抗に限らずオペアンプ５２、ＭＯＳＦＥＴ５４についても２つに分割した後に対角配置してもよい。  Further, in the case of the test voltage generation circuit 50, each of theresistors 56 and 57 in FIG. 3 is divided into two and then diagonally arranged as shown in FIG. Not only the resistor but also theoperational amplifier 52 and theMOSFET 54 may be diagonally arranged after being divided into two.

以上で説明した実施例１では次のような効果がある。  The first embodiment described above has the following effects.

テスト電圧５５の温度係数を電圧異常検出回路４０が持つ閾値電圧の温度係数に近づけることで、テスト電圧５５を閾値電圧付近に設定することが可能となり、テスト電圧５５の電圧変動が大きい場合でも電圧異常検出回路４０の故障を精度良く診断することができる。  By bringing the temperature coefficient of thetest voltage 55 closer to the temperature coefficient of the threshold voltage of the voltageabnormality detection circuit 40, thetest voltage 55 can be set near the threshold voltage, and even if the voltage fluctuation of thetest voltage 55 is large, the voltage A failure of theabnormality detection circuit 40 can be diagnosed with high accuracy.

本実施例では、集積回路の外部からテスト電圧の温度係数調整を可能とする電子制御装置の例を示す。  In the present embodiment, an example of an electronic control device capable of adjusting the temperature coefficient of the test voltage from the outside of the integrated circuit is shown.

図７は、実施例２における電子制御装置１Ａの構成図である。ここで、実施例１における電子制御装置１の構成図と同一の要素には同一の記号を付与しており、これら同一の要素に対する説明は省略する。  FIG. 7 is a configuration diagram of theelectronic control unit 1A according to the second embodiment. Here, the same symbols are given to the same elements as those in the configuration diagram of theelectronic control device 1 in the first embodiment, and the description for these same elements is omitted.

実施例２における電子制御装置１Ａは、実施例１における集積回路２０とは異なる集積回路２０Ａを有している。それ以外は、実施例１の電子制御装置１と同様の構成となっている。  Theelectronic control apparatus 1A according to the second embodiment includes anintegrated circuit 20A that is different from the integratedcircuit 20 according to the first embodiment. Other than that, the configuration is the same as that of theelectronic control unit 1 of the first embodiment.

実施例２における集積回路２０Ａは、端子２３、端子２４を有していることと、実施例１におけるテスト電圧生成回路５０とは異なるテスト電圧生成回路５０Ａを有していること以外は、実施例１における集積回路２０と同様の構成となっている。ここで端子２３は、テスト電圧生成回路５０Ａから出力されるテスト電圧５５が印加されるように接続されており、これにより、端子２３を用いて集積回路２０Ａの外部からテスト電圧５５の温度係数を測定することができる。端子２４は、テスト電圧５５の温度係数調整用としてテスト電圧生成回路５０Ａの内部に接続されている。  Theintegrated circuit 20A according to the second embodiment is different from the first embodiment except that theintegrated circuit 20A includes theterminals 23 and 24 and the test voltage generation circuit 50A different from the test voltage generation circuit 50 according to the first embodiment. 1 has the same configuration as theintegrated circuit 20 in FIG. Here, the terminal 23 is connected so that thetest voltage 55 output from the test voltage generation circuit 50A is applied, so that the temperature coefficient of thetest voltage 55 is increased from the outside of theintegrated circuit 20A using theterminal 23. Can be measured. The terminal 24 is connected to the inside of the test voltage generation circuit 50A for adjusting the temperature coefficient of thetest voltage 55.

図８は、実施例２におけるテスト電圧生成回路５０Ａの構成図である。実施例２におけるテスト電圧生成回路５０Ａは、実施例１におけるテスト電圧生成回路５０に加えて、抵抗５７に並列接続される、調整抵抗５９およびツェナーダイオード６０の直列回路を有している。また、調整抵抗５９およびツェナーダイオード６０の共通接続点が端子２４と接続されている点も異なる。  FIG. 8 is a configuration diagram of the test voltage generation circuit 50A in the second embodiment. In addition to the test voltage generation circuit 50 in the first embodiment, the test voltage generation circuit 50A in the second embodiment includes a series circuit of anadjustment resistor 59 and aZener diode 60 that are connected in parallel to theresistor 57. Another difference is that the common connection point of theadjustment resistor 59 and theZener diode 60 is connected to the terminal 24.

この端子２４は、テスト電圧５５の温度係数を調整する際に使用する。端子２４に高電圧を印加すると、ツェナーダイオード６０のアノード、カソード間がショート状態となる。これにより、抵抗５７と調整抵抗５９が並列接続され、テスト電圧５５の温度係数を変化させることができる。  This terminal 24 is used when adjusting the temperature coefficient of thetest voltage 55. When a high voltage is applied to the terminal 24, the anode and cathode of theZener diode 60 are short-circuited. Thereby, theresistor 57 and theadjustment resistor 59 are connected in parallel, and the temperature coefficient of thetest voltage 55 can be changed.

この際、テスト電圧を変更させない場合には、抵抗５７に並列接続される調整抵抗５９の抵抗値は、抵抗５７の抵抗値よりも十分に小さいものとする。  At this time, when the test voltage is not changed, the resistance value of theadjustment resistor 59 connected in parallel to theresistor 57 is sufficiently smaller than the resistance value of theresistor 57.

なお、実施例２では、温度係数を調整するための端子２４、調整抵抗５９、ツェナーダイオード６０（本発明のテスト電圧の温度係数を調整する手段）を１つずつしか用いていないが、実際には複数の端子と調整抵抗を用いても良い。また、別の方法、例えば、テスト電圧生成回路５０Ａ内の抵抗にレーザーで切れ目を入れて抵抗値を変化させ、テスト電圧５５の温度係数を調整しても良い。  In the second embodiment, the terminal 24 for adjusting the temperature coefficient, theadjustment resistor 59, and the Zener diode 60 (means for adjusting the temperature coefficient of the test voltage of the present invention) are used only one by one. May use a plurality of terminals and adjusting resistors. Alternatively, the temperature coefficient of thetest voltage 55 may be adjusted by changing the resistance value by cutting the resistance in the test voltage generation circuit 50A with a laser.

以上で説明した実施例２では次のような効果がある。  The second embodiment described above has the following effects.

電子制御装置１Ａにおける集積回路２０Ａは、テスト電圧５５を出力可能な端子２３を有することで、集積回路２０Ａの外部からテスト電圧５５の電圧値を検出し、その温度係数を測定することができる。テスト電圧５５を測定した結果、温度係数にずれが生じている場合には、端子２４を利用してテスト電圧５５の温度係数を調整することができる。  Theintegrated circuit 20A in theelectronic control apparatus 1A has the terminal 23 that can output thetest voltage 55, so that the voltage value of thetest voltage 55 can be detected from the outside of theintegrated circuit 20A and the temperature coefficient thereof can be measured. As a result of measuring thetest voltage 55, if the temperature coefficient is shifted, the temperature coefficient of thetest voltage 55 can be adjusted using theterminal 24.

また、他の実施形態としては、前記テスト電圧の温度係数を測定するための端子２３と、テスト電圧の温度係数を調整する手段（端子２４、調整抵抗５９、ツェナーダイオード６０）は、どちらか一方のみを設ける構成にしてもよい。  In another embodiment, one of the terminal 23 for measuring the temperature coefficient of the test voltage and the means for adjusting the temperature coefficient of the test voltage (terminal 24,adjustment resistor 59, Zener diode 60) are provided. It is also possible to provide only the above.

本実施例では、電圧異常検出回路の閾値電圧が集積回路の電源電圧よりも高い場合でも、電圧昇圧回路なしに電圧異常検出回路の故障診断を実施できる電子制御装置の例を示す。  In the present embodiment, an example of an electronic control device capable of performing failure diagnosis of the voltage abnormality detection circuit without the voltage booster circuit even when the threshold voltage of the voltage abnormality detection circuit is higher than the power supply voltage of the integrated circuit is shown.

図９は、実施例３における電子制御装置の構成図である。ここで、実施例１における電子制御装置の構成図と同一の要素には同一の記号を付与しており、これら同一の要素に対する説明は省略する。  FIG. 9 is a configuration diagram of an electronic control device according to the third embodiment. Here, the same symbols are assigned to the same elements as those in the configuration diagram of the electronic control device according to the first embodiment, and the description for these same elements is omitted.

実施例３における電子制御装置１Ｂは、実施例１における集積回路２０とは異なる集積回路２０Ｂを有している。それ以外は、実施例１の電子制御装置１と同様の構成となっている。  Theelectronic control device 1B according to the third embodiment includes anintegrated circuit 20B that is different from the integratedcircuit 20 according to the first embodiment. Other than that, the configuration is the same as that of theelectronic control unit 1 of the first embodiment.

実施例３における集積回路２０Ｂは、実施例１における電圧異常検出回路４０とは異なる電圧異常検出回路４０Ｂを有していることが異なる。また、実施例３では、実施例１とは異なり、監視対象回路３０の端子電圧３１はスイッチ２２および配線４１を介して電圧異常検出回路４０Ｂに入力され、テスト電圧生成回路５０から出力されたテスト電圧５５は、スイッチ２１、および配線４１とは別の配線４７を介して電圧異常検出回路４０Ｂに入力される構成となっている。  Theintegrated circuit 20B according to the third embodiment is different from the voltageabnormality detection circuit 40 according to the first embodiment in having a voltageabnormality detection circuit 40B. Also, in the third embodiment, unlike the first embodiment, theterminal voltage 31 of themonitoring target circuit 30 is input to the voltageabnormality detection circuit 40B via theswitch 22 and thewiring 41, and the test output from the test voltage generation circuit 50 is performed. Thevoltage 55 is input to the voltageabnormality detection circuit 40 </ b> B via theswitch 21 and awiring 47 different from thewiring 41.

図１０は、実施例３における電圧異常検出回路４０Ｂの構成図である。電圧異常検出回路４０Ｂでは、テスト電圧生成回路５０からのテスト電圧５５が、図１０（ａ）のように配線４７を通して抵抗４２ａと抵抗４３ａの間に入力されるか、又は図１０（ｂ）のように配線４７を通して抵抗４２ｂと抵抗４３ｂの間に入力される以外は、実施例１における電圧異常検出回路４０と同様である。  FIG. 10 is a configuration diagram of the voltageabnormality detection circuit 40B in the third embodiment. In the voltageabnormality detection circuit 40B, thetest voltage 55 from the test voltage generation circuit 50 is input between theresistor 42a and theresistor 43a through thewiring 47 as shown in FIG. 10A, or as shown in FIG. As described above, the circuit is the same as the voltageabnormality detection circuit 40 in the first embodiment except that the signal is input between theresistors 42 b and 43 b through thewiring 47.

図１０（ａ）は、抵抗４２ａおよび４３ａの共通接続点電圧が閾値電圧より高い場合に電圧異常検出信号４６を出力する電圧異常検出回路４０Ｂを示している。図１０（ａ）では、監視対象回路３０から配線４１を通して導入される入力電圧を抵抗４２ａおよび抵抗４３ａによって分圧し、抵抗４２ａおよび４３ａの共通接続点（分圧点）を、テスト電圧生成回路５０から配線４７を通して導入されるテスト電圧の入力端子とし、前記分圧点の電圧をコンパレータ４４ａの非反転入力端子（＋側）に入力し、基準電圧４５ａをコンパレータ４４ａの反転入力端子（−側）に入力している。これにより、配線４７を通して導入されるテスト電圧か、又は配線４１を通して導入され抵抗４２ａ，４３ａにより分圧された入力電圧が基準電圧４５ａより大きい場合には、コンパレータ４４ａの出力電圧は電源電圧となり、電圧異常検出信号４６が出力されている状態となる。逆に、配線４７を通して導入されるテスト電圧か、又は配線４１を通して導入され抵抗４２ａ，４３ａにより分圧された入力電圧が基準電圧４５ａより小さい場合には、コンパレータ４４ａの出力電圧は０Ｖとなり、電圧異常検出信号４６が出力されていない状態となる。  FIG. 10A shows a voltageabnormality detection circuit 40B that outputs a voltageabnormality detection signal 46 when the common connection point voltage of theresistors 42a and 43a is higher than the threshold voltage. In FIG. 10A, the input voltage introduced from the monitoredcircuit 30 through thewiring 41 is divided by theresistors 42a and 43a, and the common connection point (voltage dividing point) of theresistors 42a and 43a is divided into the test voltage generation circuit 50. The voltage at the voltage dividing point is input to the non-inverting input terminal (+ side) of thecomparator 44a, and thereference voltage 45a is input to the inverting input terminal (− side) of thecomparator 44a. Is entered. Thereby, when the test voltage introduced through thewiring 47 or the input voltage introduced through thewiring 41 and divided by theresistors 42a and 43a is larger than thereference voltage 45a, the output voltage of thecomparator 44a becomes the power supply voltage, The voltageabnormality detection signal 46 is being output. On the contrary, when the test voltage introduced through thewiring 47 or the input voltage introduced through thewiring 41 and divided by theresistors 42a and 43a is smaller than thereference voltage 45a, the output voltage of thecomparator 44a becomes 0V. Theabnormality detection signal 46 is not output.

図１０（ｂ）は、抵抗４２ｂおよび４３ｂの共通接続点電圧が閾値電圧より低い場合に電圧異常検出信号４６を出力する電圧異常検出回路４０Ｂである。図１０（ｂ）では、監視対象回路３０から配線４１を通して導入される入力電圧を抵抗４２ｂおよび抵抗４３ｂによって分圧し、抵抗４２ｂおよび４３ｂの共通接続点（分圧点）を、テスト電圧生成回路５０から配線４７を通して導入されるテスト電圧の入力端子とし、前記分圧点の電圧をコンパレータ４４ｂの反転入力端子（−側）に入力し、基準電圧４５ｂをコンパレータ４４ｂの非反転入力端子（＋側）に入力している。これにより、配線４７を通して導入されるテスト電圧か、又は配線４１を通して導入され抵抗４２ｂ，４３ｂにより分圧された入力電圧が基準電圧４５ｂより小さい場合には、コンパレータ４４ｂの出力電圧は電源電圧となり、電圧異常検出信号４６が出力された状態となる。逆に、配線４７を通して導入されるテスト電圧か、又は配線４１を通して導入され抵抗４２ｂ，４３ｂにより分圧された入力電圧が基準電圧４５ｂより大きい場合には、コンパレータ４４ｂの出力は０Ｖとなり、電圧異常検出信号４６は出力されていない状態となる。  FIG. 10B shows a voltageabnormality detection circuit 40B that outputs a voltageabnormality detection signal 46 when the common connection point voltage of theresistors 42b and 43b is lower than the threshold voltage. In FIG. 10B, the input voltage introduced from the monitoredcircuit 30 through thewiring 41 is divided by theresistors 42b and 43b, and the common connection point (voltage dividing point) of theresistors 42b and 43b is divided into the test voltage generation circuit 50. The voltage at the voltage dividing point is input to the inverting input terminal (− side) of thecomparator 44b, and thereference voltage 45b is the non-inverting input terminal (+ side) of thecomparator 44b. Is entered. Thus, when the test voltage introduced through thewiring 47 or the input voltage introduced through thewiring 41 and divided by theresistors 42b and 43b is smaller than thereference voltage 45b, the output voltage of thecomparator 44b becomes the power supply voltage. The voltageabnormality detection signal 46 is output. On the contrary, when the test voltage introduced through thewiring 47 or the input voltage introduced through thewiring 41 and divided by theresistors 42b and 43b is larger than thereference voltage 45b, the output of thecomparator 44b becomes 0V, and the voltage is abnormal. Thedetection signal 46 is not output.

実施例１で説明したテスト電圧生成回路５０では、電源電圧を分圧してテスト電圧を生成している。そのため、電圧異常検出回路４０の閾値電圧が電源電圧よりも高い場合には、電源電圧よりも高いテスト電圧を生成するために、テスト電圧生成回路５０内に電圧昇圧回路を加える必要がある。しかし、電圧昇圧回路を追加すると、集積回路２０の回路面積が増加し、コスト増につながる。  In the test voltage generation circuit 50 described in the first embodiment, the test voltage is generated by dividing the power supply voltage. Therefore, when the threshold voltage of the voltageabnormality detection circuit 40 is higher than the power supply voltage, it is necessary to add a voltage booster circuit in the test voltage generation circuit 50 in order to generate a test voltage higher than the power supply voltage. However, when a voltage booster circuit is added, the circuit area of theintegrated circuit 20 increases, leading to an increase in cost.

この問題を解決するため、実施例３における電圧異常検出回路４０Ｂでは、分圧用抵抗の間（抵抗４２ａおよび４３ａの共通接続点（図１０（ａ））、又は抵抗４２ｂおよび４３ｂの共通接続点（図１０（ｂ）））に、配線４７を介してテスト電圧を入力する構成としている。この構成の場合、抵抗４２ａおよび４３ａの共通接続点（又は抵抗４２ｂおよび４３ｂの共通接続点）に導入されたテスト電圧が閾値電圧と比較されるため、配線４１を介して入力する場合よりもテスト電圧を低くすることができ、前記電圧昇圧回路を不要にすることができる。以上が実施例３における効果である。  In order to solve this problem, in the voltageabnormality detection circuit 40B according to the third embodiment, the voltage dividing resistor (the common connection point of theresistors 42a and 43a (FIG. 10A)) or the common connection point of theresistors 42b and 43b ( In FIG. 10 (b)), a test voltage is input via thewiring 47. In this configuration, since the test voltage introduced at the common connection point of theresistors 42a and 43a (or the common connection point of theresistors 42b and 43b) is compared with the threshold voltage, the test is performed more than when input via thewiring 41. The voltage can be lowered, and the voltage booster circuit can be dispensed with. The above is the effect in the third embodiment.

本実施例では、監視対象回路もしくは電圧異常検出回路の故障が検出された際に、故障部分の特定を容易にすることができる電子制御装置の例を示す。  In the present embodiment, an example of an electronic control device capable of facilitating identification of a faulty part when a fault of a monitoring target circuit or a voltage abnormality detection circuit is detected will be described.

図１１は、実施例４における電子制御装置の構成図である。ここで、実施例１における電子制御装置の構成図と同一の要素には同一の記号を付与おり、これら同一の要素に対する説明は省略する。  FIG. 11 is a configuration diagram of an electronic control device according to the fourth embodiment. Here, the same symbols are assigned to the same elements as those in the configuration diagram of the electronic control device according to the first embodiment, and descriptions of these same elements are omitted.

実施例４における電子制御装置１Ｃは、実施例１における制御コントローラ１０とは異なる制御コントローラ１０Ｃを有している。それ以外は、実施例１の電子制御装置１と同様の構成となっている。  Theelectronic control apparatus 1C according to the fourth embodiment includes acontrol controller 10C that is different from thecontrol controller 10 according to the first embodiment. Other than that, the configuration is the same as that of theelectronic control unit 1 of the first embodiment.

実施例４における制御コントローラ１０Ｃは、実施例１における制御コントローラ１０に加えて、故障情報１１を有している。  Thecontroller 10C according to the fourth embodiment includesfailure information 11 in addition to thecontroller 10 according to the first embodiment.

図１２は、故障情報１１の例を表した図である。故障情報１１は、故障番号１１ａ、日付１１ｂ、時間１１ｃ、故障コード１１ｄを有している。故障番号１１ａは、故障の登録番号であり、図１２の場合には最大Ｎ個の情報を保持できる。 日付１１ｂおよび時間１１ｃは、故障が発生した日時を示している。故障コード１１ｄの部分には、検出された故障内容によって異なるコードが保存される。例えば、監視対象回路３０の端子電圧が異常となった場合にはＣ００、電圧異常検出回路４０の故障診断時に異常が検出された場合にはＣ０１のコードが保存される。  FIG. 12 is a diagram illustrating an example of thefailure information 11. Thefailure information 11 includes afailure number 11a, adate 11b, atime 11c, and afailure code 11d. Thefailure number 11a is a failure registration number. In the case of FIG. 12, a maximum of N pieces of information can be held.Date 11b andtime 11c indicate the date and time when the failure occurred. In the part of thefault code 11d, different codes are stored depending on the detected fault contents. For example, the code of C00 is stored when the terminal voltage of themonitoring target circuit 30 becomes abnormal, and the code of C01 is stored when an abnormality is detected during failure diagnosis of the voltageabnormality detection circuit 40.

この故障情報１１は、制御コントローラ１０Ｃにより電子制御装置１Ｃ外部から読み出しおよび消去の操作が可能である。  Thefailure information 11 can be read and deleted from the outside of theelectronic control unit 1C by thecontroller 10C.

以上で説明した実施例４では次のような効果がある。  The fourth embodiment described above has the following effects.

電子制御装置１Ｃにおける制御コントローラ１０Ｃは、故障検出時の故障内容を故障情報１１として保持する。故障発生時には、この故障情報１１を電子制御装置１Ｃ外部から読み出すことで、故障発生の時間や故障部分の特定が容易となる。  Thecontroller 10 </ b> C in theelectronic control apparatus 1 </ b> C holds the failure content at the time of failure detection asfailure information 11. When a failure occurs, thefailure information 11 is read out from the outside of theelectronic control unit 1C, so that it is easy to specify the failure occurrence time and the failure portion.

なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、さまざまな変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。  In addition, this invention is not limited to said Example, Various modifications are included. For example, the above-described embodiments have been described in detail for easy understanding of the present invention, and are not necessarily limited to those having all the configurations described.

また、上記の各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部または全部を、例えば集積回路で設計する等によるハードウェアで実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによるソフトウェアで実現してもよい。  Each of the above-described configurations, functions, processing units, processing means, and the like may be realized by hardware by designing a part or all of them with, for example, an integrated circuit. In addition, each of the above-described configurations, functions, and the like may be realized by software obtained by the processor interpreting and executing a program that realizes each function.

また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には、殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えて良い。  Further, the control lines and information lines indicate what is considered necessary for the explanation, and not all the control lines and information lines on the product are necessarily shown. In practice, it can be considered that almost all the components are connected to each other.

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…電子制御装置
１０，１０Ｃ…制御コントローラ
２０，２０Ａ，２０Ｂ…集積回路
３０…監視対象回路
４０，４０Ｂ…電圧異常検出回路
４１，４７…配線
４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ，５６，５７…抵抗
４４ａ，４４ｂ…コンパレータ
５０，５０Ａ…テスト電圧生成回路
５２…オペアンプ
５４…ＭＯＳＦＥＴ
５９…調整抵抗
１００…故障通知装置DESCRIPTION OFSYMBOLS 1,1A, 1B, 1C ...Electronic control device 10, 10C ...Control controller 20, 20A, 20B ... Integratedcircuit 30 ...Monitored circuit 40, 40B ... Voltageabnormality detection circuit 41, 47 ...Wiring 42a, 42b, 43a, 43b , 56, 57...Resistors 44a, 44b... Comparator 50, 50A... Testvoltage generation circuit 52.
59 ...Adjustment resistor 100 ... Failure notification device

Claims (7)

Translated fromJapanese

１チップで構成される集積回路に設けられた、監視対象回路と、前記監視対象回路の端子電圧と予め設定された閾値電圧を比較して監視対象回路の異常を検出する電圧異常検出回路と、前記電圧異常検出回路の故障を検出するために予め設定され、前記電圧異常検出回路の閾値電圧と比較されるテスト電圧を生成するテスト電圧生成回路とを備え、
前記テスト電圧の温度係数と前記閾値電圧の温度係数を等しくなるように設定したことを特徴とする電子制御装置。A monitoring target circuit provided in an integrated circuit composed of one chip, a voltage abnormality detection circuit that detects an abnormality of the monitoring target circuit by comparing a terminal voltage of the monitoring target circuit with a preset threshold voltage; A test voltage generation circuit that generates a test voltage that is preset to detect a failure of the voltage abnormality detection circuit and is compared with a threshold voltage of the voltage abnormality detection circuit;
An electronic control device, wherein the temperature coefficient of the test voltage and the temperature coefficient of the threshold voltage are set to be equal.請求項１に記載の電子制御装置において、
前記集積回路との間で信号の授受を行う制御コントローラを有し、該制御コントローラは、前記電圧異常検出回路の故障が検出されたときに故障検出信号を外部に出力することを特徴とする電子制御装置。The electronic control device according to claim 1.
An electronic device comprising: a controller that exchanges signals with the integrated circuit, wherein the controller outputs a failure detection signal to the outside when a failure of the voltage abnormality detection circuit is detected. Control device.請求項１または２に記載の電子制御装置において、
前記テスト電圧生成回路と電圧異常検出回路をコモンセントロイド配置して、前記テスト電圧の温度係数と前記閾値電圧の温度係数を等しくなるように設定したことを特徴とする電子制御装置。The electronic control device according to claim 1 or 2,
An electronic control device, wherein the test voltage generation circuit and the voltage abnormality detection circuit are arranged in a common centroid and the temperature coefficient of the test voltage and the temperature coefficient of the threshold voltage are set to be equal.請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子制御装置において、
前記集積回路は、前記テスト電圧を集積回路の外部に出力する端子を有することを特徴とする電子制御装置。The electronic control device according to any one of claims 1 to 3,
The electronic control device, wherein the integrated circuit has a terminal for outputting the test voltage to the outside of the integrated circuit.請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子制御装置において、
前記集積回路は、前記テスト電圧の温度係数を調整する手段を有することを特徴とする電子制御装置。The electronic control device according to any one of claims 1 to 4,
The electronic control device, wherein the integrated circuit has means for adjusting a temperature coefficient of the test voltage.請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子制御装置において、
前記電圧異常検出回路は、前記テスト電圧の入力端子を分圧抵抗の分圧点に有することを特徴とする電子制御装置。The electronic control device according to any one of claims 1 to 5,
The electronic controller according to claim 1, wherein the voltage abnormality detection circuit has an input terminal for the test voltage at a voltage dividing point of a voltage dividing resistor.請求項２ないし６のいずれか１項に記載の電子制御装置において、
前記制御コントローラは、前記電圧異常検出回路からの故障情報を保持する機能を有していることを特徴とする電子制御装置。The electronic control device according to any one of claims 2 to 6,
The electronic controller according to claim 1, wherein the controller has a function of holding failure information from the voltage abnormality detection circuit.

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