Movatterモバイル変換


[0]ホーム

URL:


JP5216632B2 - 流体制御装置 - Google Patents

流体制御装置
Download PDF

Info

Publication number
JP5216632B2
JP5216632B2JP2009049045AJP2009049045AJP5216632B2JP 5216632 B2JP5216632 B2JP 5216632B2JP 2009049045 AJP2009049045 AJP 2009049045AJP 2009049045 AJP2009049045 AJP 2009049045AJP 5216632 B2JP5216632 B2JP 5216632B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluid control
fluid
valves
flow rate
inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009049045A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010204899A (ja
Inventor
潤 廣瀬
一幸 手塚
陽平 内田
睦典 小艾
隆博 松田
亮介 土肥
功二 西野
信一 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Fujikin Inc
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Fujikin Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Fujikin IncfiledCriticalTokyo Electron Ltd
Priority to JP2009049045ApriorityCriticalpatent/JP5216632B2/ja
Priority to KR1020117020923Aprioritypatent/KR101661003B1/ko
Priority to US13/203,866prioritypatent/US9169558B2/en
Priority to CN200980157836XAprioritypatent/CN102341760B/zh
Priority to PCT/JP2009/068982prioritypatent/WO2010100792A1/ja
Priority to TW099105894Aprioritypatent/TWI483089B/zh
Publication of JP2010204899ApublicationCriticalpatent/JP2010204899A/ja
Application grantedgrantedCritical
Publication of JP5216632B2publicationCriticalpatent/JP5216632B2/ja
Activelegal-statusCriticalCurrent
Anticipated expirationlegal-statusCritical

Links

Images

Classifications

Landscapes

Description

この発明は、半導体製造装置等に使用される流体制御装置に関し、特に、複数の流体制御機器が集積化されて形成される流体制御装置に関する。
半導体製造装置で使用される流体制御装置においては、複数の流体制御機器が直列状に配されてパイプや継手を介さずに接続されることによって形成された複数のラインをベース部材上に並列状に設置するという集積化が進んでいる(特許文献1および特許文献2)。
特許文献1の流体制御装置においては、図7に示すように、1つの流量制御器(21)を基本構成要素として1列のプロセスガス制御ライン(流体制御ライン)が構成され、複数(流量制御器(21)の数と同じ)のプロセスガス制御ラインL1〜L16が並列に配置されることで、流体制御装置が構成されている。流体制御ラインL1〜L16にさらに並列に追加されているラインPは、パージガスラインである。
図7において、各プロセスガス制御ラインL1〜L16は、入口側から、フィルタ(24)、入口側の2つの開閉弁(23)、流量制御器(マスフローコントローラ)(21)および出口側の開閉弁(25)を有しており、各プロセスガス制御ラインL1〜L16に共通の出口部分にも、開閉弁(26)が設けられている。
このような流体制御装置においては、全てのプロセスガス制御ラインL1〜L16に常に流体(ガス)が流されているわけではなく、2〜3ラインを使用して、異なる種類や異なる流量のガスが順次切り換えられ、流量調整器(21)によってその流量が調整されて、下流側のチャンバーへと送られる。流量調整器(21)として使用されるマスフローコントローラは、流量センサおよびコントロール弁などを内蔵したもので、高価でかつ頻繁なメンテナンスが必要であり、全体のコストを増加させる要因となっている。一方、半導体製造装置で使用される流体制御装置では、流体種類が増加する傾向にあり、それに伴って、スペースおよびコストが増加するという問題がある。
また、特許文献2の流体制御装置においては、1つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を1つずつ有する1列の流体制御ラインがM列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がN(>M)で出口数がMとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のM個の出口と流体制御部のM個の入口とがそれぞれ1:1で接続されている。
この特許文献2のものを図7に示した従来の流体制御装置に対応させると、図6に示すように、M個(図示は8個)の流量制御器(21)を基本構成要素とする流体制御ラインL1〜L8がM列配置された流体制御部(2)と、複数の開閉弁(23)によって入口数がN(図示は16個)で出口数がMとなるように構成された流体導入部(3)とを有しているものとなる。
同図において、各流体制御ラインL1〜L8は、プロセスガスを制御するラインであり、これらに並列となるように、1列のパージガスラインPが設けられている。
流量制御器(21)としては、マスフローコントローラが使用されている。マスフローコントローラ(21)は、流量調整可能範囲が比較的狭いため、同じ種類の流体であってもその流量調整範囲が異なる場合には別のマスフローコントローラ(21)が使用されており、M列の流体制御ラインL1〜L8によって、M種類のプロセスガス(同じプロセスガスで流量が異なるものを含む)の流量を調整することができる。
流体導入部(3)は、N×M個の開閉弁(23)からなり、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とは、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
流体導入部(3)のN個の各入口には、フィルタ(24)および手動弁(27)がそれぞれ設けられている。M列の各流体制御ラインL1〜L8には、それぞれ2つの出口側開閉弁(25)が設けられている。また、流体制御部(2)の出口側には、各流体制御ラインL1〜L8に共通の圧力スイッチ(28)、フィルタ(24)および開閉弁(26)が設けられている。
なお、流量制御器としては、マスフローコントローラの他に、圧力式のものも知られている(特許文献3参照)。
特開2002−206700号公報特開2000−323464号公報特許第3387849号公報
上記の図6に示す流体制御装置によると、図7に示す流体制御装置に比べて、相対的にコストが高くメンテナンスが面倒な流量制御器(21)を含む流体制御ラインが16列(N列)から8列(M列)に減らされるという利点があるが、開閉弁(23)の数が大幅に増加するため、入口の数を多くしたい場合には、利点が十分に生かされないという問題がある。
この発明の目的は、コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供することにある。
この発明による流体制御装置は、1つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を1つずつ有する1列の流体制御ラインがM列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がN(>M)で出口数がMとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のM個の出口と流体制御部のM個の入口とがそれぞれ1:1で接続されている流体制御装置において、流体導入部は、複数の開閉弁からなり入口側に配置されて入口の総数がN個で出口の総数がK個である入口側遮断開放部と、複数の開閉弁からなり入口側遮断開放部と流体制御部との間に配置されて入口の総数がK個で出口の総数がM個である流体制御部側遮断開放部とに分けられるとともに、入口側遮断開放部は、それぞれ2以上の所要数の開閉弁を有する複数のグループに分けられていることを特徴とするものである。
この流体制御装置は、入口数がN個、出口数がM個であり、M列の流体制御ライン(例えばL1〜L8)を使用してN種類の流体の流量を調整することができる。
1列の流体制御ラインは、流量制御器単独または流量制御器に所要の流体制御機器が接続されることで形成される。ここで、流体制御機器は、流量制御器(マスフローコントローラまたは流体可変型流量制御装置)以外の流体制御装置構成要素を意味し、流体制御機器としては、開閉弁(流体通路の遮断・開放を行う弁)、減圧弁、圧力表示機、フィルタ、圧力スイッチなどが適宜使用される。流体制御装置に必要な流体制御機器は、流体導入部のN個の入口にそれぞれ設けられるものと、M列の流体制御ラインのそれぞれに設けられるものと、流体制御部の出口にM列の流体制御ラインに共通のものとして設けられるものとに分けられて、適宜な箇所に配置される。
1つの流体制御ラインは、例えば、下段層となる複数のブロック状継手部材がおねじ部材によって可動レールに取り付けられ、隣り合う継手部材にまたがるように上段層となる複数の流体制御機器および流量制御器が上方からのねじ部材によって継手部材に取り付けられたものとされる。
一般的には、入口の総数がN個で出口の総数がK個である入口側遮断開放部は、N×K個の開閉弁からなるものとされ、K個で出口の総数がM個である流体制御部側遮断開放部は、K×M個の開閉弁からなるものとされるが、入口側遮断開放部がそれぞれ2以上の所要数の開閉弁を有する複数(例えば2つまたは4つ)のグループに分けられていることで、入口側遮断開放部の開閉弁の総数が、2つのグループに分けられている場合には、N×K/2個に、4つのグループに分けられている場合には、N×K/4個に減少する。
例えば、流体導入部は、それぞれN1×2個および(N−N1)×2個の開閉弁からなる第1および第2の入口側遮断開放部と、4×M個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなることがある。N1は、例えばN/2とされる。Nは入口数で、Mは出口数であり、この場合には、第1および第2入口側遮断開放部によって、入口数N個に対して出口数が4個(流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に2種類ずつ計4種類に限定)とされ、流体制御部側遮断開放部によって4種類の流体がM個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数を減少することができる。
また、流体導入部は、N=N1+N2+N3+N4として、それぞれN1,N2,N3およびN4個の開閉弁からなる第1から第4までの入口側遮断開放部と、4×M個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなることがある。例えば、N1=N2=N3=N4=N/4とされる。Nは入口数で、Mは出口数であり、この場合には、第1から第4までの入口側遮断開放部によって、入口数N個に対して出口数が4個(流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に1種類ずつ計4種類に限定)とされ、流体制御部側遮断開放部によって4種類の流体がM個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数をより一層減少することができる。
また、流体導入部は、それぞれN/4個の開閉弁からなる第1から第4までの入口側遮断開放部と、それぞれ2×M/2個の開閉弁からなる第1および第2の流体制御部側遮断開放部とからなることがある。Nは入口数で、Mは出口数であり、この場合には、第1から第4までの入口側遮断開放部によって、入口数N個に対して出口数が4個(流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に1種類ずつ計4種類に限定)とされ、第1および第2の流体制御部側遮断開放部によって4種類の流体がM個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体制御部側遮断開放部の開閉弁を減らすことができ、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数をより一層減少することができる。
流量制御器としては、例えば、マスフローコントローラを使用することができ、マスフローコントローラは、入口通路および出口通路が形成された本体と、本体に取り付けられた流量センサおよびピエゾ圧電素子式コントロール弁とからなるものとされることがあり、また、開閉制御弁、圧力センサ、絞り部、流量センサおよび制御部からなるものとされることがある。
流量制御器としては、圧力式のもの(圧力式流量制御装置)とされることがあり、このような流量制御器としては、例えば、オリフィスの上流側圧力を下流側圧力の約2倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行なう圧力式のものであって、金属薄板に微小な孔を穿設して形成されかつ所要の流量特性を具備したオリフィスと、オリフィスの上流側に設けたコントロール弁と,コントロール弁とオリフィス間に設けた圧力検出器と、圧力検出器の検出圧力Pから流量QcをQc=K×P(但しKは定数)として演算するとともに、流量指令信号Qsと前記演算した流量信号Qcとの差を制御信号Qyとしてコントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装置とから構成され、コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力を調整し、オリフィス下流側流量を制御するものがある。
この圧力式流量制御器によると、1台の圧力式流量制御器によって複数種類の流体の流量を調整することが可能であり、したがって、M個の流量制御器を有するM列の流体制御ラインがm(<M)個の該圧力式流量制御器を有するM列の流体制御ラインで置き換え可能となる。このようにすることで、入口数および出口数を同じに保って、流体制御部で使用される流量制御器の数を減少することができる。
この発明の流体制御装置によると、N個の入口数に対応して、M(<N)列の流体制御ラインが対応させられているので、コスト増加要因となる流量制御器を減少することができ、全体のコストを下げることができる。また、複数の開閉弁からなる流体導入部の開閉弁の数の増加が抑えられているので、より一層のコスト低減ができるとともに、全体としての設置スペースも減少する。
図1は、この発明による流体制御装置の第1実施形態を示すフロー図である。図2は、この発明による流体制御装置の第2実施形態を示すフロー図である。図3は、この発明による流体制御装置の第3実施形態を示すフロー図である。図4は、この発明による流体制御装置の第4実施形態を示すフロー図である。図5は、この発明による流体制御装置の第4実施形態で使用されている流量制御器を示すブロック図である。図6は、この発明による流体制御装置の比較例となる従来の流体制御装置を示すフロー図である。図7は、従来の流体制御装置の他の例を示すフロー図である。
この発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。以下の説明において、図6に示したものと同じ構成には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図1は、この発明の流体制御装置の第1実施形態を示している。
この実施形態の流体導入部(3)は、3つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ2×N/2個の開閉弁(23)からなる第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)と、4×M個の開閉弁(23)からなり、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)と流体制御部(2)との間に配置された流体制御部側遮断開放部(7)とからなる。
第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)は、N個の入口を2つの入口側遮断開放部に分けるもので、それぞれN/2個の入口と2個の出口とを有している。これにより、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)を合わせた出口数(流体制御部側遮断開放部(7)にとっては入口数)は、(2+2)個となり、この計4個の出口数に対応して、流体制御部側遮断開放部(7)を4×M個の開閉弁(23)によって構成することで、流体導入部(3)全体としては、M個の出口が得られ、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とが、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
図6に示したものでは、流体制御部(2)へは最大でM種類(8種類)の流体を同時に導入することができる。しかしながら、実用的には、流体制御部(2)へは最大で4種類の流体を同時に導入することができればよく、この条件下では、第1実施形態のようにすることで、開閉弁(23)の数の減少が可能となる。なお、この実施形態では、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)ともに出口数は2つであり、4種類の流体を同時に導入するに際しては、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)のいずれか一方に4種類とも導入することはできないので、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)にそれぞれ2種類ずつの流体が導入されることになる。
こうして、第1実施形態のものによると、図6のものに比べて、開閉弁(23)の数がN×M個から(2N+4×M)個に減らされている。
図2は、この発明の流体制御装置の第2実施形態を示している。
この実施形態の流体導入部(3)は、5つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれN/4個の開閉弁(23)からなる第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と、4×M個の開閉弁(23)からなり、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と流体制御部(2)との間に配置された流体制御部側遮断開放部(7)とからなる。
流体制御部側遮断開放部(7)は、第1実施形態のものと同じ構成とされている。第1実施形態との相違点は、第1実施形態における第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)がそれぞれさらに分割されて4つの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)に分けられている点にある。第2実施形態のものによると、第1から第4までの各入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)にそれぞれ1種類ずつの流体が導入されることで、第1実施形態と同様に、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)の総出口数(流体制御部側遮断開放部(7)にとっては入口数)は、(1+1+1+1)の4個となり、この計4個の出口数を4×M個の開閉弁(23)からなる流体制御部側遮断開放部(7)の各入口に対応させることで、流体導入部(3)全体としては、M個の出口が得られ、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とが、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
こうして、第2実施形態のものによると、第1実施形態のものに比べて、開閉弁(23)の数がN個さらに減らされている。
図3は、この発明の流体制御装置の第3実施形態を示している。
この実施形態の流体導入部(3)は、6つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれN/4個の開閉弁(23)からなる第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と、それぞれ2×M/2個の開閉弁(23)からなり、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と流体制御部(2)との間に配置された第1および第2の流体制御部側遮断開放部(12)(13)とからなる。
第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)は、第2実施形態のものと同じ構成とされている。第3実施形態の第2実施形態との相違点は、第2実施形態における流体制御部側遮断開放部(7)がそれぞれ分割されて2つの流体制御部側遮断開放部(12)(13)とされている点にある。第1および第2の流体制御部側遮断開放部(12)(13)は、全体として、入口数が4個、出口数がM個であり、これは、第2実施形態と同じである。
したがって、第3実施形態のものによると、第1から第4までの各入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)にそれぞれ1種類ずつの流体が導入されることで、第3実施形態と同様に、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)の総出口数(流体制御部側遮断開放部(12)(13)にとっては入口数)は、(1+1+1+1)の4個となり、この計4個の出口数を第1流体制御部側遮断開放部(12)の2個の入口および第2流体制御部側遮断開放部(13)の2個の入口にそれぞれ対応させることで、流体制御部側遮断開放部(12)(13)全体(流体導入部(3)全体)としては、M個の出口が得られ、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とが、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
こうして、第3実施形態のものによると、第2実施形態のものに比べて、流体制御部側遮断開放部(12)(13)の開閉弁(23)の数が半分(M/2個)に減らされている。
図4は、この発明の流体制御装置の第4実施形態を示している。第4実施形態のものは、第3実施形態のものと流体制御部(2)(4)の構成が相違している。
第4実施形態のものでは、流量制御器(22)が、マスフローコントローラ(21)に代えて、圧力式のものとされている。
この流量制御器(21)は、図5に示すように、コントロール弁(31)、その駆動部(32)、圧力検出器(33)、オリフィス(34)、流体取出用継手(35)、流量演算回路(36)、流体種類選択回路(37)、流量設定回路(38)、比FF記憶部(39)、流量演算部(40)、流量表示部(41)および演算制御回路(42)からなる。
流量演算回路(36)は、温度検出器(44)、増幅回路(43)(45)、A/D変換器(46)(47)、温度補正回路(48)および演算回路(49)からなる。また、演算制御回路(42)は比較回路(50)および増幅回路(51)からなる。
コントロール弁(31)には、所謂ダイレクトタッチ型のメタルダイヤフラム弁が使用されており、また、その駆動部(32)には圧電素子型駆動装置が使用されている。なお、これらの駆動部としてはこの他に、磁歪素子型駆動装置やソレノイド型駆動装置、モータ型駆動装置、空気圧型駆動装置、熱膨張型駆動装置が用いられる。
圧力検出器(33)には半導体歪型圧力センサーが使用されているが、圧力検出器としてはこの他に、金属箔歪型圧力センサーや静電容量型圧力センサー、磁気抵抗型圧力センサー等の使用も可能である。温度検出器(44)には熱電対型温度センサーが使用されているが、測温抵抗型温度センサー等の公知の各種温度センサーが使用できる。
オリフィス(34)は、所要の流量特性を具備するように、金属薄板製ガスケットに切削加工によって微小な孔を穿設して形成されている。オリフィスとしてはこの他に、エッチング及び放電加工により金属膜に孔を形成したオリフィスを使用することができる。
流体種類選択回路(37)は、流体を選択するもので、流量設定回路(38)はその流量設定信号Qe を演算制御回路(42)に指令する。比FF記憶部(39)はNガスに対する比FFを記憶したメモリーである。流量演算部(40)では比FFのデータを用いて、流通している流体種類の流量QをQ=比FF×Q(Q は相当Nガス流量)で演算し、この値を流量表示部(41)に表示する。
この流量制御器(22)では、上流側圧力を下流側圧力の約2倍以上に保持しながら特定の流体に関し下流側の流量QcをQc=K×P(K:定数)で演算できるように設定し、この演算流量Qcと設定流量Qsとの差信号によりコントロール弁(31)が開閉制御される。
ここで、流体種類毎にフローファクターFFは、次式で計算される。
FF=(k/γ){2/(κ+1)}1/(κ−1)[κ/{(κ+1)R}1/2
γ:流体の標準状態に於ける密度、κ:流体の比熱比、R:流体定数、k:流体種類に依存しない比例定数。
そして、比FF記憶部(39)に記憶された流体種類Bの流体種類Aに対する比フローファクターを使用して、流量演算部(40)において、基準となる流体種類Aの演算流量がQaの場合に、同一オリフィス、同一上流側圧力および同一上流側温度の条件下で流体種類Bを流通させたとき、その演算流量QbがQb=比フローファクター×Qaとして算出される。
これにより、1台の流量制御器(22)を複数の流体種類に対応させることができ、第4実施形態のものでは、これを使用することで、第3実施形態のものに比べて、M個の流量制御器(21)をm個(例えば半分)の流量制御器(22)とすることが可能となる。減らされる流量制御器(22)の数は、流体の種類や流量範囲によって適宜変更される。
この第4実施形態の流体制御部(4)は、第1から第3までの実施形態の流体制御装置(1)にも適用可能であり、これにより、各実施形態から流量制御器(21)の数を減らすことができる。
(1) 流体制御装置
(2)(4) 流体制御部
(3) 流体導入部
(5)(6) 第1および第2入口側遮断開放部
(7) 流体制御部側遮断開放部
(8)(9)(10)(11)第1〜第4入口側遮断開放部
(12)(13) 第1および第2流体制御部側遮断開放部
(21)(22) 流量制御器
(23) 開閉弁
(31) コントロール弁
(32) 駆動部
(33) 圧力検出器
(34) オリフィス
(42) 演算制御回路(演算制御装置)
L1〜L8 流体制御ライン

Claims (5)

  1. 1つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を1つずつ有する1列の流体制御ラインがM列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がN(>M)で出口数がMとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のM個の出口と流体制御部のM個の入口とがそれぞれ1:1で接続されている流体制御装置において、
    流体導入部は、複数の開閉弁からなり入口側に配置されて入口の総数がN個で出口の総数がK個である入口側遮断開放部と、複数の開閉弁からなり入口側遮断開放部と流体制御部との間に配置されて入口の総数がK個で出口の総数がM個である流体制御部側遮断開放部とに分けられるとともに、入口側遮断開放部は、それぞれ2以上の所要数の開閉弁を有する複数のグループに分けられていることを特徴とする流体制御装置。
  2. 流量制御器は、オリフィスの上流側圧力を下流側圧力の約2倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行なう圧力式のものであって、金属薄板に微小な孔を穿設して形成されかつ所要の流量特性を具備したオリフィスと、オリフィスの上流側に設けたコントロール弁と,コントロール弁とオリフィス間に設けた圧力検出器と、圧力検出器の検出圧力Pから流量QcをQc=K×P(但しKは定数)として演算するとともに、流量指令信号Qsと前記演算した流量信号Qcとの差を制御信号Qyとしてコントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装置とから構成され、コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力を調整し、オリフィス下流側流量を制御するものとされており、M個の流量制御器を有するM列の流体制御ラインがm(<M)個の該圧力式流量制御器を有するM列の流体制御ラインで置き換えられていることを特徴とする請求項1から4までのいずれかの流体制御装置。
JP2009049045A2009-03-032009-03-03流体制御装置ActiveJP5216632B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
JP2009049045AJP5216632B2 (ja)2009-03-032009-03-03流体制御装置
KR1020117020923AKR101661003B1 (ko)2009-03-032009-11-06유체 제어 장치
US13/203,866US9169558B2 (en)2009-03-032009-11-06Fluid control apparatus
CN200980157836XACN102341760B (zh)2009-03-032009-11-06流体控制装置
PCT/JP2009/068982WO2010100792A1 (ja)2009-03-032009-11-06流体制御装置
TW099105894ATWI483089B (zh)2009-03-032010-03-02流體控制裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application NumberPriority DateFiling DateTitle
JP2009049045AJP5216632B2 (ja)2009-03-032009-03-03流体制御装置

Publications (2)

Publication NumberPublication Date
JP2010204899A JP2010204899A (ja)2010-09-16
JP5216632B2true JP5216632B2 (ja)2013-06-19

Family

ID=42709367

Family Applications (1)

Application NumberTitlePriority DateFiling Date
JP2009049045AActiveJP5216632B2 (ja)2009-03-032009-03-03流体制御装置

Country Status (6)

CountryLink
US (1)US9169558B2 (ja)
JP (1)JP5216632B2 (ja)
KR (1)KR101661003B1 (ja)
CN (1)CN102341760B (ja)
TW (1)TWI483089B (ja)
WO (1)WO2010100792A1 (ja)

Families Citing this family (318)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
US9394608B2 (en)2009-04-062016-07-19Asm America, Inc.Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en)2009-08-142014-08-12Asm America, Inc.Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5562712B2 (ja)*2010-04-302014-07-30東京エレクトロン株式会社半導体製造装置用のガス供給装置
US20130023129A1 (en)2011-07-202013-01-24Asm America, Inc.Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9188990B2 (en)2011-10-052015-11-17Horiba Stec, Co., Ltd.Fluid mechanism, support member constituting fluid mechanism and fluid control system
JP5803552B2 (ja)*2011-10-142015-11-04東京エレクトロン株式会社処理装置
US9017481B1 (en)2011-10-282015-04-28Asm America, Inc.Process feed management for semiconductor substrate processing
TW201335725A (zh)*2012-02-162013-09-01jun-xian Li一種安全保護裝置及其控制方法
US10714315B2 (en)2012-10-122020-07-14Asm Ip Holdings B.V.Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en)2013-02-012016-12-29Asm Ip Holding B.V.System for treatment of deposition reactor
US9454158B2 (en)2013-03-152016-09-27Bhushan SomaniReal time diagnostics for flow controller systems and methods
US11015245B2 (en)2014-03-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en)2014-07-282020-12-08Asm Ip Holding B.V.Showerhead assembly and components thereof
JP6346849B2 (ja)*2014-08-202018-06-20東京エレクトロン株式会社ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
US9890456B2 (en)2014-08-212018-02-13Asm Ip Holding B.V.Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en)2014-10-072021-03-09Asm Ip Holding B.V.Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10658222B2 (en)2015-01-162020-05-19Lam Research CorporationMoveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10276355B2 (en)2015-03-122019-04-30Asm Ip Holding B.V.Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en)2015-06-262019-10-29Asm Ip Holding B.V.Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en)*2015-07-302021-03-23Lam Research CorporationGas delivery system
US10192751B2 (en)2015-10-152019-01-29Lam Research CorporationSystems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en)2015-10-212019-02-19Asm Ip Holding B.V.NbMC layers
US11139308B2 (en)2015-12-292021-10-05Asm Ip Holding B.V.Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en)2016-01-072020-11-03Lam Research CorporationSubstrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10147588B2 (en)2016-02-122018-12-04Lam Research CorporationSystem and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10699878B2 (en)2016-02-122020-06-30Lam Research CorporationChamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en)2016-02-122020-05-12Lam Research CorporationVariable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en)2016-02-162019-10-08Lam Research CorporationWafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en)2016-02-192020-01-07Asm Ip Holding B.V.Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6573559B2 (ja)*2016-03-032019-09-11東京エレクトロン株式会社気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
US10343920B2 (en)2016-03-182019-07-09Asm Ip Holding B.V.Aligned carbon nanotubes
US10190213B2 (en)2016-04-212019-01-29Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides
US10865475B2 (en)2016-04-212020-12-15Asm Ip Holding B.V.Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en)2016-05-022019-07-30Asm Ip Holding B.V.Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en)2016-05-252022-09-27Asm Ip Holding B.V.Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en)2016-07-082018-01-02Asm Ip Holding B.V.Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en)2016-07-082020-04-07Asm Ip Holdings B.V.Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en)2016-07-282017-11-07Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en)2016-07-282018-02-06Asm Ip Holding B.V.Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko)2016-07-282023-05-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410832B2 (en)2016-08-192019-09-10Lam Research CorporationControl of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10643826B2 (en)2016-10-262020-05-05Asm Ip Holdings B.V.Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en)2016-10-272022-12-20Asm Ip Holding B.V.Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en)2016-11-012020-07-14ASM IP Holdings, B.V.Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en)2016-11-012019-03-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko)2016-11-152023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko)2016-12-142025-02-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11581186B2 (en)2016-12-152023-02-14Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en)2016-12-152022-09-20Asm Ip Holding B.V.Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko)2016-12-192024-08-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US10269558B2 (en)2016-12-222019-04-23Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en)2016-12-282020-12-15Asm Ip Holding B.V.Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en)2017-01-102022-07-19Asm Ip Holding B.V.Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en)2017-02-152019-11-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983538B2 (en)2017-02-272021-04-20Flow Devices And Systems Inc.Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
US10529563B2 (en)2017-03-292020-01-07Asm Ip Holdings B.V.Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko)2017-04-252022-10-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en)2017-05-082021-01-12Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en)2017-05-082020-09-08Asm Ip Holdings B.V.Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en)2017-06-022021-01-05Asm Ip Holding B.V.Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en)2017-06-202024-07-16Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en)2017-06-282022-04-19Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko)2017-07-182019-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en)2017-07-192021-05-25Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en)2017-07-192020-01-21Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en)2017-07-192022-06-28Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en)2017-07-262020-03-17Asm Ip Holdings B.V.Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh)2017-08-042023-09-21荷蘭商Asm智慧財產控股公司用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en)2017-08-082020-09-08Asm Ip Holding B.V.Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en)2017-08-082020-06-23Asm Ip Holdings B.V.Radiation shield
US11139191B2 (en)2017-08-092021-10-05Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en)2017-08-092023-09-26Asm Ip Holding B.V.Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en)2017-08-292023-11-28Asm Ip Holding B.V.Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko)2017-08-302023-01-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11056344B2 (en)2017-08-302021-07-06Asm Ip Holding B.V.Layer forming method
US11295980B2 (en)2017-08-302022-04-05Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko)2017-08-312022-05-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko)2017-09-212024-01-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en)2017-09-222020-11-24Asm Ip Holding B.V.Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en)2017-09-282020-05-19Asm Ip Holdings B.V.Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en)2017-10-052019-09-03Asm Ip Holding B.V.Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en)2017-10-302021-02-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US20190072987A1 (en)*2017-11-022019-03-07Nri R&D Patent Licensing, LlcValve configurations facilitating clearing, cleaning, drying, and burst formation for microfluidic devices, fluidic arrangements, and other systems
US10910262B2 (en)2017-11-162021-02-02Asm Ip Holding B.V.Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
CN118380371A (zh)2017-11-212024-07-23朗姆研究公司底部边缘环和中部边缘环
US11022879B2 (en)2017-11-242021-06-01Asm Ip Holding B.V.Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh)2017-11-272022-04-12阿斯莫Ip控股公司包括洁净迷你环境的装置
WO2019103613A1 (en)2017-11-272019-05-31Asm Ip Holding B.V.A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en)2018-01-162020-12-22Asm Ip Holding B. V.Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko)2018-01-192024-08-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh)2018-01-192023-04-21荷蘭商Asm 智慧財產控股公司沈積方法
US11018047B2 (en)2018-01-252021-05-25Asm Ip Holding B.V.Hybrid lift pin
USD880437S1 (en)2018-02-012020-04-07Asm Ip Holding B.V.Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en)2018-02-062021-08-03Asm Ip Holding B.V.Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en)2018-02-142019-08-22Asm Ip Holding B.V.A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en)2018-02-142021-01-19Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en)2018-02-152020-08-04Asm Ip Holding B.V.Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko)2018-02-202024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en)2018-02-232021-04-13Asm Ip Holding B.V.Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en)2018-03-012022-10-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en)2018-03-092023-04-18Asm Ip Holding B.V.Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en)2018-03-162021-09-07Asm Ip Holding B.V.Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko)2018-03-272024-03-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en)2018-03-292021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en)2018-03-292022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko)2018-03-302023-02-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko)2018-04-092023-11-10에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en)2018-05-082024-07-02Asm Ip Holding B.V.Thin film forming method
TWI811348B (zh)2018-05-082023-08-11荷蘭商Asm 智慧財產控股公司藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en)2018-05-092025-04-08Asm Ip Holding B.V.Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko)2018-05-112019-11-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko)2018-05-282023-10-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en)*2018-06-042023-08-08Asm Ip Holding B.V.Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh)2018-06-042024-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en)2018-06-082022-03-29Asm Ip Holding B.V.Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en)2018-06-212020-10-06Asm Ip Holding B.V.Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko)2018-06-212023-08-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 시스템
KR102854019B1 (ko)2018-06-272025-09-02에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
TWI873894B (zh)2018-06-272025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko)2018-06-292024-07-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en)2018-06-292020-04-07ASM IP Holding, B.V.Temperature-controlled flange and reactor system including same
JP7296699B2 (ja)*2018-07-022023-06-23東京エレクトロン株式会社ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
US10388513B1 (en)2018-07-032019-08-20Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en)2018-07-032020-08-25Asm Ip Holding B.V.Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en)2018-07-162020-09-08Asm Ip Holding B.V.Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en)2018-08-062021-07-06Asm Ip Holding B.V.Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en)2018-08-092021-01-05Asm Ip Holding B.V.Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en)2018-08-162020-11-10Asm Ip Holding B.V.Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en)2018-08-222022-08-30Asm Ip Holding B.V.Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en)2018-09-112021-06-01Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko)2018-09-112024-09-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 증착 방법
US11049751B2 (en)2018-09-142021-06-29Asm Ip Holding B.V.Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh)2018-10-012024-10-25Asmip控股有限公司衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en)2018-10-032022-01-25Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko)2018-10-082023-10-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko)2018-10-192023-06-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko)2018-10-192023-11-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en)2018-10-242022-04-12Asm Ip Holding B.V.Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en)2018-10-262025-08-05Asm Ip Holding B.V.High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en)2018-10-312021-08-10Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko)2018-11-022024-12-31에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en)2018-11-062023-02-07Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en)2018-11-072021-06-08Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en)2018-11-162020-10-27Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en)2018-11-162020-11-24Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en)2018-11-282024-07-16Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en)2018-11-302022-01-04Asm Ip Holding B.V.Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko)2018-12-042024-02-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en)2018-12-132021-10-26Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh)2018-12-142025-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh)2019-01-172024-12-11荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko)2019-01-222024-11-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
CN111524788B (zh)2019-02-012023-11-24Asm Ip私人控股有限公司氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh)2019-02-202024-06-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko)2019-02-202024-01-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh)2019-02-202025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI838458B (zh)2019-02-202024-04-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh)2019-02-222024-05-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko)2019-03-082025-09-09에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko)2019-03-082025-03-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en)2019-03-082023-08-29Asm Ip Holding B.V.Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja)2019-03-282020-10-08エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェードアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko)2019-04-012025-05-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko)2019-04-192020-10-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko)2019-04-242020-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
US12259739B2 (en)*2019-04-302025-03-25Illinois Tool Works Inc.Advanced pressure based mass flow controllers and diagnostics
KR20200130121A (ko)2019-05-072020-11-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11289326B2 (en)2019-05-072022-03-29Asm Ip Holding B.V.Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130652A (ko)2019-05-102020-11-19에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja)2019-05-162025-01-14エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja)2019-05-162024-12-11エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en)2019-05-172023-01-17Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD947913S1 (en)2019-05-172022-04-05Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD935572S1 (en)2019-05-242021-11-09Asm Ip Holding B.V.Gas channel plate
USD922229S1 (en)2019-06-052021-06-15Asm Ip Holding B.V.Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko)2019-06-062020-12-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko)2019-06-102020-12-21에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko)2019-06-112020-12-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en)2019-06-142022-03-01Asm Ip Holding B.V.Shower plate
USD931978S1 (en)2019-06-272021-09-28Asm Ip Holding B.V.Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko)2019-07-032021-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja)2019-07-092024-06-13エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh)2019-07-102021-01-12Asm Ip私人控股有限公司基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko)2019-07-162021-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210010816A (ko)2019-07-172021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko)2019-07-172025-09-16에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en)2019-07-182023-05-09Asm Ip Holding B.V.Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh)2019-07-192024-04-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko)2019-07-192021-01-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh)2019-07-292024-08-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US12169361B2 (en)2019-07-302024-12-17Asm Ip Holding B.V.Substrate processing apparatus and method
CN112309899A (zh)2019-07-302021-02-02Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
US11587815B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en)2019-07-312023-02-21Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en)2019-07-312022-01-18Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh)2019-08-052024-02-09Asm Ip私人控股有限公司用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh)2019-08-092021-02-09Asm Ip私人控股有限公司包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en)2019-08-192022-09-27Asm Ip Holding B.V.Susceptor shaft
USD965524S1 (en)2019-08-192022-10-04Asm Ip Holding B.V.Susceptor support
JP2021031769A (ja)2019-08-212021-03-01エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko)2019-08-222021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en)2019-08-222023-02-28Asm Ip Holding B.V.Insulator
USD949319S1 (en)2019-08-222022-04-19Asm Ip Holding B.V.Exhaust duct
USD940837S1 (en)2019-08-222022-01-11Asm Ip Holding B.V.Electrode
USD930782S1 (en)2019-08-222021-09-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor
US11286558B2 (en)2019-08-232022-03-29Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko)2019-08-232021-03-05에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko)2019-09-042025-05-12에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko)2019-09-052024-11-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
US11562901B2 (en)2019-09-252023-01-24Asm Ip Holding B.V.Substrate processing method
CN112593212B (zh)2019-10-022023-12-22Asm Ip私人控股有限公司通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh)2019-10-082021-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh)2019-10-082024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理裝置
KR20210042810A (ko)2019-10-082021-04-20에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh)2019-10-102024-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en)2019-10-142024-06-11Asm Ip Holding B.V.Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh)2019-10-162024-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en)2019-10-172023-04-25Asm Ip Holding B.V.Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko)2019-10-212025-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko)2019-10-252021-05-07에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en)2019-10-292023-05-09Asm Ip Holding B.V.Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko)2019-11-052021-05-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en)2019-11-152022-11-15Asm Ip Holding B.V.Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko)2019-11-202025-09-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en)2019-11-262022-09-20Asm Ip Holding B.V.Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697B (zh)2019-11-262025-07-29Asmip私人控股有限公司基板处理设备
CN112885692B (zh)2019-11-292025-08-15Asmip私人控股有限公司基板处理设备
CN120432376A (zh)2019-11-292025-08-05Asm Ip私人控股有限公司基板处理设备
JP7527928B2 (ja)2019-12-022024-08-05エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko)2019-12-042021-06-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR20210078405A (ko)2019-12-172021-06-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko)2019-12-192021-06-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7636892B2 (ja)2020-01-062025-02-27エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーチャネル付きリフトピン
JP7730637B2 (ja)2020-01-062025-08-28エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェーガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en)2020-01-082024-05-28Asm Ip Holding B.V.Injector
KR20210093163A (ko)2020-01-162021-07-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko)2020-01-202024-06-17에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh)2020-01-292025-07-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh)2020-02-032025-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko)2020-02-042021-08-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en)2020-02-072023-10-03Asm Ip Holding B.V.Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh)2020-02-132021-12-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR20210103956A (ko)2020-02-132021-08-24에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh)2020-02-172024-09-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於生長磷摻雜矽層之方法
CN113410160A (zh)2020-02-282021-09-17Asm Ip私人控股有限公司专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko)2020-03-042021-09-15에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko)2020-03-112021-09-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en)2020-03-112024-01-16Asm Ip Holding B.V.Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko)2020-03-122025-02-28에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en)2020-03-172024-12-24Asm Ip Holding B.V.Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko)2020-04-022025-01-14에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.박막 형성 방법
TWI887376B (zh)2020-04-032025-06-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh)2020-04-082025-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en)2020-04-152023-11-21Asm Ip Holding B.V.Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko)2020-04-152021-10-26에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en)2020-04-162024-05-28Asm Ip Holding B.V.Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko)2020-04-212021-11-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 방법
TW202208671A (zh)2020-04-242022-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko)2020-04-242025-09-30에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132612A (ko)2020-04-242021-11-04에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
CN113555279A (zh)2020-04-242021-10-26Asm Ip私人控股有限公司形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102783898B1 (ko)2020-04-292025-03-18에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko)2020-05-012021-11-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja)2020-05-042025-08-20エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko)2020-05-132025-03-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh)2020-05-152021-12-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko)2020-05-192021-11-29에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko)2020-05-212025-04-11에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko)2020-05-212021-12-01에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh)2020-05-222025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko)2020-05-262021-12-06에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh)2020-05-292025-03-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
TW202212620A (zh)2020-06-022022-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh)2020-06-162022-03-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積含硼之矽鍺層的方法
TW202218133A (zh)2020-06-242022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成含矽層之方法
TWI873359B (zh)2020-06-302025-02-21荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
US12431354B2 (en)2020-07-012025-09-30Asm Ip Holding B.V.Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh)2020-07-082022-01-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
KR20220010438A (ko)2020-07-172022-01-25에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh)2020-07-202025-04-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko)2020-07-202022-01-27에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en)2020-07-272025-06-03Asm Ip Holding B.V.Thin film deposition process
KR20220021863A (ko)2020-08-142022-02-22에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.기판 처리 방법
US12040177B2 (en)2020-08-182024-07-16Asm Ip Holding B.V.Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh)2020-08-252022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en)2020-08-262023-08-15Asm Ip Holding B.V.Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh)2020-08-272022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh)2020-09-102022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en)2020-09-112023-06-27Asm Ip Holding B.V.Weighted lift pin
KR20220036866A (ko)2020-09-162022-03-23에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en)2020-09-242024-01-30Asm Ip Holding B.V.Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh)2020-09-252025-07-11荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司基板處理方法
US12009224B2 (en)2020-09-292024-06-11Asm Ip Holding B.V.Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko)2020-10-062022-04-13에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh)2020-10-072022-04-08Asm Ip私人控股有限公司气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh)2020-10-142022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh)2020-10-152022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
TW202217037A (zh)2020-10-222022-05-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh)2020-10-282022-06-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh)2020-11-122022-08-01特文特大學沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh)2020-11-232022-08-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh)2020-11-242022-09-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh)2020-11-302022-09-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en)2020-12-102025-03-18Asm Ip Holding B.V.Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh)2020-12-142022-09-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en)2020-12-162024-04-02Asm Ip Holding B.V.Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh)2020-12-182022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh)2020-12-222022-11-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh)2020-12-222022-07-01荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh)2020-12-222022-08-16荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en)2021-05-112024-04-23Asm Ip Holding B.V.Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en)2021-05-112023-03-28Asm Ip Holding B.V.Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en)2021-05-112023-03-14Asm Ip Holding B.V.Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en)2021-09-072023-06-27Asm Ip Holding B.V.Gas flow control plate
USD1060598S1 (en)2021-12-032025-02-04Asm Ip Holding B.V.Split showerhead cover

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication numberPriority datePublication dateAssigneeTitle
JP2692770B2 (ja)*1992-09-301997-12-17シーケーディ株式会社マスフローコントローラ流量検定システム
US5862986A (en)1996-07-161999-01-26Illinois Tool Works, Inc.Hot melt adhesive applicator with metering gear-driven head
JP3586075B2 (ja)*1997-08-152004-11-10忠弘 大見圧力式流量制御装置
DE69832956T2 (de)*1997-08-152006-08-17Fujikin Inc.Düse eines durchflussreglers mit einer druckregelung und deren herstellungsverfahren
JP3522544B2 (ja)*1998-08-242004-04-26忠弘 大見流体可変型流量制御装置
JP3387849B2 (ja)1999-05-102003-03-17株式会社フジキンフローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置
US6210482B1 (en)1999-04-222001-04-03Fujikin IncorporatedApparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
JP3554509B2 (ja)*1999-08-102004-08-18忠弘 大見圧力式流量制御装置における流量異常検知方法
JP3482601B2 (ja)2000-06-302003-12-22東京エレクトロン株式会社流体制御装置
JP4554853B2 (ja)*2001-09-172010-09-29シーケーディ株式会社ガス供給集積弁
CN100407373C (zh)*2003-02-072008-07-30东京毅力科创株式会社流体控制装置和热处理装置
JP4677805B2 (ja)*2005-03-222011-04-27株式会社フジキン流体制御装置
JP4856905B2 (ja)*2005-06-272012-01-18国立大学法人東北大学流量レンジ可変型流量制御装置
EP1895214A1 (en)*2005-08-102008-03-05Fujikin IncorporatedFluid control device
US8074677B2 (en)*2007-02-262011-12-13Applied Materials, Inc.Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en)*2007-02-262010-08-17Applied Materials, Inc.Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8769733B2 (en)*2007-06-182014-07-08E. Taylor GalyeanComputer-controlled hydrotherapy system
US8731727B2 (en)*2009-05-292014-05-20Valmet Technologies, Inc.Method for controlling a digital hydraulic controller

Also Published As

Publication numberPublication date
TW201040683A (en)2010-11-16
US9169558B2 (en)2015-10-27
CN102341760B (zh)2013-10-09
KR101661003B1 (ko)2016-09-28
US20120031500A1 (en)2012-02-09
KR20110123258A (ko)2011-11-14
CN102341760A (zh)2012-02-01
TWI483089B (zh)2015-05-01
JP2010204899A (ja)2010-09-16
WO2010100792A1 (ja)2010-09-10

Similar Documents

PublicationPublication DateTitle
JP5216632B2 (ja)流体制御装置
KR101162546B1 (ko)압력식 유량 제어 장치를 이용한 유체의 비연속식 유량 스위칭 제어 방법
JP4856905B2 (ja)流量レンジ可変型流量制御装置
US6422264B2 (en)Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus
US8944095B2 (en)Gas supply apparatus for semiconductor manufacturing apparatus
JP5616416B2 (ja)集積型ガス供給装置
JP5430621B2 (ja)ガス流量検定システム及びガス流量検定ユニット
US10534376B2 (en)Gas divided flow supplying apparatus for semiconductor manufacturing equipment
TW455751B (en)Fluid-switchable flow rate controller
JP7054207B2 (ja)流体制御装置
JP5175965B2 (ja)流量レンジ可変型流量制御装置
CN105940357A (zh)压力式流量控制装置及其流量控制开始时的超量防止方法
JP2022069394A (ja)流量比率制御装置、流量比率制御装置用制御プログラム、及び、流量比率制御装置の制御方法
KR102127647B1 (ko)압력식 유량 제어 장치, 그 유량 산출 방법 및 유량 제어 방법
JP2024170836A (ja)流体制御装置
WO2010019759A2 (en)System and method for monitoring control status of an exhaust apparatus pressure control system

Legal Events

DateCodeTitleDescription
A621Written request for application examination

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date:20120227

TRDDDecision of grant or rejection written
A01Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date:20130205

A61First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date:20130304

R150Certificate of patent or registration of utility model

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number:5216632

Country of ref document:JP

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAYRenewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text:PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment:3

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250Receipt of annual fees

Free format text:JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250


[8]ページ先頭

©2009-2025 Movatter.jp