JP5058032B2 - Contact probe manufacturing method - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

本発明は、コンタクトプローブの製造方法に係り、さらに詳しくは、片持ち梁構造のコンタクトプローブの屈曲部における応力集中を低減することができるコンタクトプローブを製造する方法に関する。  The present invention relates to a method for manufacturing a contact probe, and more particularly to a method for manufacturing a contact probe that can reduce stress concentration at a bent portion of a contact probe having a cantilever structure.

プローブカードは、半導体集積回路の電極パッドなどの検査対象物の電気的特性を検査するために用いられ、複数のコンタクトプローブ（接触探針）を備えている。複数のコンタクトプローブは、電極パッドの数およびピッチに対応して基板上に固定され、これらコンタクトプローブを電極パッドに接触させることにより、電気信号を取出すことができる。  The probe card is used for inspecting electrical characteristics of an inspection object such as an electrode pad of a semiconductor integrated circuit, and includes a plurality of contact probes (contact probes). The plurality of contact probes are fixed on the substrate corresponding to the number and pitch of the electrode pads, and electrical signals can be taken out by bringing these contact probes into contact with the electrode pads.

半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する時は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上の電極パッドに接触させた後、コンタクトプローブを更に半導体ウエハ側に押し付ける動作であるオーバードライブを行って、すべてのコンタクトプローブをそれぞれ電極パッドに確実に接触させる。  When inspecting the electrical characteristics of the device on the semiconductor wafer, the contact probe is brought into contact with the electrode pad on the semiconductor wafer, and then the overdrive is performed to further press the contact probe toward the semiconductor wafer. Each contact probe is securely brought into contact with the electrode pad.

上記コンタクトプローブとしては、一端が基板に固定され、他端が自由端となる弾性変形可能な片持ち梁構造のビーム部と、このビーム部の自由端側に形成されたコンタクト部とを有するものがある（例えば特許文献１参照）。そして、この種のコンタクトプローブは、コンタクト部を半導体ウエハ側に押し付けて、ビーム部を弾性変形させる。  The contact probe has a beam part of an elastically deformable cantilever structure in which one end is fixed to the substrate and the other end is a free end, and a contact part formed on the free end side of the beam part. (See, for example, Patent Document 1). And this kind of contact probe presses a contact part on the semiconductor wafer side, and elastically deforms a beam part.

ところで、半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術などの進歩による微細加工精度の著しい向上によって高集積化されてきた。その結果、半導体デバイスは、そのチップ面積に対する電極パッド数が飛躍的に増大し、最近では、千個を越える電極パッドが数ミリ角の半導体チップ上に狭ピッチで配置されるようになってきた。このような半導体チップについて電気的特性試験を行うためには、電極パッドと同様のピッチでコンタクトプローブを配置させたプローブカードが必要となる。そこで、上記した特許文献１にも開示されているように、半導体デバイスと同様のフォトリソグラフィ技術を利用して、コンタクトプローブを製造する技術が種々提案されている。  By the way, semiconductor devices have been highly integrated due to a significant improvement in microfabrication accuracy due to advances in photolithography technology and the like. As a result, the number of electrode pads with respect to the chip area of a semiconductor device has increased dramatically. Recently, more than 1,000 electrode pads have been arranged on a semiconductor chip of several millimeters square at a narrow pitch. . In order to perform an electrical characteristic test on such a semiconductor chip, a probe card in which contact probes are arranged at the same pitch as the electrode pads is required. Therefore, as disclosed inPatent Document 1 described above, various techniques for manufacturing a contact probe using a photolithography technique similar to that of a semiconductor device have been proposed.

特許文献１には、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された積層体からなるコンタクトプローブが開示されている。このコンタクトプローブは、プローブ基板に垂直な方向、すなわち、コンタクトプローブの高さ方向に積層された複数のめっき層によって構成される。各めっき層は、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされており、２次元形状の異なるめっき層を順に積層していくことによって、３次元形状のコンタクトプローブを形成することができる。このようにして形成された片持ち梁構造のコンタクトプローブは、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させた形状となる。
特開２００１−９１５３９号公報の図７（Ａ）〜図１０（Ｏ）Patent Document 1 discloses a contact probe made of a laminate formed using a so-called MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique. This contact probe is constituted by a plurality of plating layers stacked in the direction perpendicular to the probe substrate, that is, in the height direction of the contact probe. Each plating layer is patterned using a photolithography technique, and a three-dimensional contact probe can be formed by sequentially stacking plating layers having different two-dimensional shapes. The contact probe having a cantilever structure formed as described above has a shape in which the fixed end side of the beam portion is bent at a substantially right angle.
7 (A) to 10 (O) of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-91539.

従来のコンタクトプローブは、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させた形状を有しており、弾性変形時には、この屈曲部付近に応力の集中が発生する。このため、コンタクトプローブの針圧を増大させることが容易ではないという問題があった。そこで、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させるのではなく、滑らかに湾曲させた形状にすることができれば、上述したような応力集中を緩和することができると考えられる。  The conventional contact probe has a shape in which the fixed end side of the beam portion is bent at a substantially right angle, and stress concentration occurs near the bent portion during elastic deformation. For this reason, there is a problem that it is not easy to increase the needle pressure of the contact probe. Therefore, it is considered that the stress concentration as described above can be reduced if the fixed end side of the beam portion is not bent at a substantially right angle but can be smoothly curved.

しかしながら、コンタクトプローブの高さ方向にめっき層を積層する場合、高さ方向に滑らかに湾曲するコンタクトプローブを形成するためには、２次元形状の異なる多数のめっき層を積層する必要があり、製造コストを増大させてしまう。  However, when the plating layer is laminated in the height direction of the contact probe, in order to form a contact probe that curves smoothly in the height direction, it is necessary to laminate a large number of plating layers having different two-dimensional shapes. Increases costs.

そこで、コンタクトプローブの幅方向にめっき層を積層する製造方法を採用することも考えられる。この場合、めっき層の数を増大させることなく、高さ方向に滑らかに湾曲するコンタクトプローブを形成することができるが、多数のプローブをプローブ基板上に配列される位置関係のままで同時に形成することができない。つまり、犠牲層を介在させて配列させた複数のコンタクトプローブを製造してプローブ基板上に配置したり、あるいは、プローブ基板に対して電気めっきを行ってコンタクトプローブを形成することができず、コンタクトプローブを一つずつプローブ基板に取付けていく煩雑な作業が必要となる。  Therefore, it is conceivable to employ a manufacturing method in which a plating layer is laminated in the width direction of the contact probe. In this case, it is possible to form a contact probe that is smoothly curved in the height direction without increasing the number of plating layers. However, a large number of probes are simultaneously formed while maintaining the positional relationship arranged on the probe substrate. I can't. In other words, it is impossible to manufacture a plurality of contact probes arranged with a sacrificial layer and arrange them on the probe substrate, or to perform electroplating on the probe substrate to form a contact probe. The troublesome work of attaching the probes to the probe substrate one by one is required.

そこで、本発明者は、コンタクトプローブの高さ方向へ積層してコンタクトプローブを形成する製造方法において、ビーム部に湾曲部を形成することができるコンタクトプローブの製造方法を見出した。その製造方法は、曲面を有するプローブ形成用台座をレジストで基板上に形成し、このプローブ形成用台座にビーム部を形成していくものである。この場合、曲面を有するプローブ形成用台座をレジストで形成するために、まず、角部を有するブロック状の台座を形成し、その後、このブロック状の台座を高温で加熱して角部を収縮させて丸みを形成することにより、曲面を形成する。  Therefore, the present inventor has found a method for manufacturing a contact probe that can form a curved portion in a beam portion in a manufacturing method in which a contact probe is formed by stacking in the height direction of the contact probe. In the manufacturing method, a probe forming pedestal having a curved surface is formed on a substrate with a resist, and a beam portion is formed on the probe forming pedestal. In this case, in order to form a probe forming pedestal having a curved surface with a resist, first, a block-shaped pedestal having corners is formed, and then the block-shaped pedestal is heated at a high temperature to shrink the corners. By forming a round shape, a curved surface is formed.

しかしながら、レジストで形成する台座は、高温で熱処理をするためレジストの材料中の物質が揮発したり熱収縮したりして、台座に所望の高さを出すことができない問題があった。そこで、さらなる研究の結果、この熱処理後のレジストの台座の上にコンタクトプローブを形成する導電性材料とは異なる導電性材料で薄膜を形成し、この薄膜上に薄膜と同じ導電性材料で電気めっきすることにより、所望の高さのめっき台座が得られた。  However, since the pedestal formed of the resist is heat-treated at a high temperature, there is a problem in that a substance in the resist material is volatilized or thermally contracted, and the desired height cannot be obtained on the pedestal. Therefore, as a result of further research, a thin film was formed on the resist pedestal after the heat treatment using a conductive material different from the conductive material forming the contact probe, and electroplating was performed on the thin film using the same conductive material as the thin film. As a result, a plating base having a desired height was obtained.

ところが、このめっき台座は、内部にレジストの台座が形成されているため、プローブ製造中の温度上昇により、このレジストの台座が熱収縮を起こし、このレジストの台座上に形成した金属薄膜が割れて、めっき台座が破損する問題が生じた。さらに、このレジストの台座は、通常のレジストの処理を行う場合の温度よりも高温で熱処理を行って曲面を出すようにしているため、コンタクトプローブを形成した後にレジスト層を除去しようとしても硬化しすぎて除去することが難しいという問題もあった。  However, since the resist pedestal is formed inside this plating pedestal, the resist pedestal heat shrinks due to the temperature rise during probe manufacturing, and the metal thin film formed on the resist pedestal cracks. There was a problem that the plating base was damaged. Furthermore, since this resist pedestal is subjected to heat treatment at a temperature higher than the temperature used in normal resist processing to produce a curved surface, it is cured even if the resist layer is removed after the contact probe is formed. There was also a problem that it was too difficult to remove.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高さ方向に積層してコンタクトプローブを形成する方法において、台座が熱で破損することなく、所望の形状及び大きさの湾曲部を有するコンタクトプローブを簡単に形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。  The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a method of stacking in the height direction to form a contact probe, a curved portion having a desired shape and size can be obtained without causing damage to the pedestal due to heat. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a contact probe that can easily form a contact probe having the same.

第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、絶縁性基板上に第１導電性材料からなる電極膜を形成することにより、絶縁性領域と隣接する電極領域を上記絶縁性基板上に形成する電極膜形成工程と、上記電極膜上に第１導電性材料を電気めっきすることにより、上記絶縁性領域から立ち上がり、上記電極領域に向かって曲がる曲面を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、コンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えている。  In the method for manufacturing a contact probe according to the first aspect of the present invention, an electrode film made of a first conductive material is formed on an insulating substrate, thereby forming an electrode region adjacent to the insulating region on the insulating substrate. An electrode film forming step, and a sacrificial layer forming step of forming a sacrificial layer having a curved surface rising from the insulating region and bending toward the electrode region by electroplating a first conductive material on the electrode film; A probe forming step of forming a contact probe by electroplating a second conductive material on the sacrificial layer and a sacrificial layer removing step of removing the sacrificial layer are provided.

このような製造方法により、熱で破損せず、上記コンタクトプローブの湾曲部を形成するための上記曲面を有する上記犠牲層を簡単に形成することができ、当該犠牲層に電気めっきすることにより、応力集中が起こらない湾曲部を有する上記コンタクトプローブを簡単に形成することができる。従って、片持ち梁構造のコンタクトプローブを基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で所望の形状、大きさの湾曲部を形成することができる。  By such a manufacturing method, the sacrificial layer having the curved surface for forming the curved portion of the contact probe can be easily formed without being damaged by heat, and by electroplating the sacrificial layer, The contact probe having a curved portion where stress concentration does not occur can be easily formed. Therefore, even when the contact probe having the cantilever structure is laminated by electroplating in a direction perpendicular to the substrate, a curved portion having a desired shape and size can be formed by a simple method.

第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、互いに隣接する上記電極領域及び上記絶縁性領域を露出させる開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、上記犠牲層形成工程は、上記レジスト層の開口部内に犠牲層を形成する。  The contact probe manufacturing method according to the second aspect of the present invention includes a resist formation step of forming a resist layer having an opening exposing the electrode region and the insulating region adjacent to each other, in addition to the above step, and the sacrificial layer. In the forming step, a sacrificial layer is formed in the opening of the resist layer.

このように上記開口部内に上記犠牲層を形成することにより、上記開口部の壁面を用いて形成される上記絶縁性基板に垂直な側面と上記曲面とで囲まれた形状の上記犠牲層や断面形状が半楕円状の上記犠牲層を上記絶縁性基板上の所望の位置に形成することができる。その結果、複数の上記犠牲層を上記絶縁性基板上に形成する場合、上記コンタクトプローブのプローブ基板への固定位置と検査対象物への接触位置に合せて、所望の形状の上記犠牲層を形成することができる。また、１つの上記犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成する場合には、複数のコンタクトプローブを上記犠牲層と共に上記絶縁性基板から剥離して、別途用意したプローブ基板上に上記犠牲層ごと配置させることができる。このようにしてコンタクトプローブをプローブ基板に配置させることにより、間隔を維持させたまま複数のコンタクトプローブをプローブ基板の所定の位置に同時に固定させることができる。  By forming the sacrificial layer in the opening as described above, the sacrificial layer or the cross section having a shape surrounded by the side surface perpendicular to the insulating substrate formed by using the wall surface of the opening and the curved surface. The sacrificial layer having a semi-elliptical shape can be formed at a desired position on the insulating substrate. As a result, when a plurality of the sacrificial layers are formed on the insulating substrate, the sacrificial layer having a desired shape is formed in accordance with the position of the contact probe fixed to the probe substrate and the position of contact with the inspection object. can do. When a plurality of contact probes are formed on one sacrificial layer, the plurality of contact probes are separated from the insulating substrate together with the sacrificial layer, and the sacrificial layers are arranged on a separately prepared probe substrate. Can be made. By arranging the contact probes on the probe substrate in this manner, a plurality of contact probes can be simultaneously fixed at predetermined positions on the probe substrate while maintaining the interval.

第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、互いに隣接する上記犠牲層の上記曲面及び上記絶縁性領域を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、上記プローブ形成工程は、上記曲面が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成する。  According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contact probe, wherein in addition to the above steps, a probe forming resist layer having a long and narrow opening exposing the curved surface and the insulating region of the sacrificial layer adjacent to each other is formed. A probe resist forming step, wherein the probe forming step forms a contact probe in the opening where the curved surface is exposed;

このような製造工程により、長細い上記開口部内に上記曲面及び上記絶縁領域を露出させるので、上記開口部の大きさを自由に設定することにより、湾曲部を有する上記コンタクトプローブを所望の長さ、幅及び厚みに形成できる。特に、複数の上記コンタクトプローブが形成可能な大きさの上記犠牲層を形成し、この犠牲層の上記曲面上に複数の長細い上記開口部が配置されるようにプローブ形成用の上記レジスト層を形成することにより、湾曲部を有する複数のプローブを同時に形成できる。しかも、１つの上記犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成する場合、複数の上記開口部の位置をプローブ基板に設ける電極の位置と検査対象物への接触位置とに合わせて上記開口部を形成して複数のコンタクトプローブを同時に形成することができる。このように上記開口部を形成することにより、複数のコンタクトプローブを上記犠牲層と共に上記絶縁性基板から剥離して、別途用意したプローブ基板上に上記犠牲層ごと配置させることができる。従って、上記犠牲層で複数のコンタクトプローブを所定の間隔で保持したままプローブ基板の複数の電極の位置に複数のコンタクトプローブを同時に配置させることができる。  By such a manufacturing process, the curved surface and the insulating region are exposed in the long and narrow opening, so that the contact probe having a curved portion can be formed to a desired length by freely setting the size of the opening. , Width and thickness. In particular, the sacrificial layer having a size capable of forming a plurality of contact probes is formed, and the resist layer for forming the probes is arranged so that the plurality of long and narrow openings are disposed on the curved surface of the sacrificial layer. By forming, a plurality of probes having curved portions can be formed simultaneously. In addition, when a plurality of contact probes are formed on one sacrificial layer, the openings are formed by matching the positions of the plurality of openings with the positions of the electrodes provided on the probe substrate and the positions of contact with the inspection object. Thus, a plurality of contact probes can be formed simultaneously. By forming the opening in this manner, a plurality of contact probes can be peeled off from the insulating substrate together with the sacrificial layer, and can be arranged together with the sacrificial layer on a separately prepared probe substrate. Therefore, a plurality of contact probes can be simultaneously arranged at the positions of the plurality of electrodes on the probe substrate while the plurality of contact probes are held at predetermined intervals by the sacrificial layer.

第４の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程において、上記電極膜形成工程は、導電性のプローブ下地膜を形成することにより、上記絶縁性基板の主面上に上記絶縁性領域を介して上記電極領域と隔てられるプローブ下地領域を形成し、上記プローブ形成工程は、上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第２導電性材料を堆積させると共に、堆積した金属層を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第２導電性材料を堆積させることにより上記コンタクトプローブを形成する。  In the contact probe manufacturing method according to a fourth aspect of the present invention, in the above step, the electrode film forming step forms the conductive region on the main surface of the insulating substrate by forming a conductive probe base film. And forming a probe base region separated from the electrode region, and in the probe forming step, the second conductive material is deposited on the sacrificial layer by electroplating the second conductive material on the sacrificial layer. At the same time, the contact probe is formed by conducting the sacrificial layer and the probe base film through the deposited metal layer and depositing the second conductive material on the probe base film.

本発明の製造方法では、上記電極膜とは別に、当該電極膜と絶縁された状態で上記プローブ下地膜を形成し、上記犠牲層上に上記コンタクトプローブを形成していく途中で上記プローブ下地膜上にも上記コンタクトプローブを形成していくことができる。従って、本発明の製造方法によれば、上記コンタクトプローブの湾曲する部分と上記絶縁性基板に固定される部分とを同時に連続して形成していくことができる。  In the manufacturing method of the present invention, apart from the electrode film, the probe base film is formed in a state of being insulated from the electrode film, and the probe base film is formed while the contact probe is formed on the sacrificial layer. The contact probe can also be formed on the top. Therefore, according to the manufacturing method of the present invention, the curved part of the contact probe and the part fixed to the insulating substrate can be formed simultaneously and continuously.

従来では、片持ち梁構造の上記コンタクトプローブは、２次元形状の異なる複数のめっき層を高さ方向に順に積層して形成している。そのためレジスト層の形成、露光及び除去を複数回繰り返し、露光する度に形状の異なるマスクを用いる必要がある。本発明の製造方法では、上記コンタクトプローブの上記基板固定部分の形成とこれに連続する部分の形成を１つのレジスト層、１つのマスクを用いて形成できるので、レジスト層の形成工程及びレジスト除去工程を減らすことができ、マスクも減らすことができるので、製造コストの低廉化が図れる。  Conventionally, the contact probe having a cantilever structure is formed by sequentially laminating a plurality of plating layers having different two-dimensional shapes in the height direction. Therefore, it is necessary to use a mask having a different shape each time the resist layer is formed, exposed and removed a plurality of times and exposed. In the manufacturing method of the present invention, the formation of the substrate fixing portion of the contact probe and the formation of the continuous portion thereof can be formed using one resist layer and one mask. Therefore, the resist layer forming step and the resist removing step Can be reduced and the mask can also be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced.

また、本発明の製造方法によれば、上記コンタクトプローブを形成すると同時に上記プローブ下地膜を介して上記コンタクトプローブを上記絶縁性基板に固定することができる。従って、上記絶縁性基板をプローブ基板とする場合には、このプローブ基板に上記コンタクトプローブを形成すると同時に固定することができるので、上記コンタクトプローブを１本ずつわざわざ上記プローブ基板に固定する作業を不要にでき、製造コストをさらに低廉にすることができる。  According to the manufacturing method of the present invention, the contact probe can be fixed to the insulating substrate through the probe base film simultaneously with the formation of the contact probe. Therefore, when the insulating substrate is used as a probe substrate, the contact probe can be fixed to the probe substrate at the same time, so that it is unnecessary to fix the contact probes to the probe substrate one by one. The manufacturing cost can be further reduced.

第５の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記電極領域及び上記プローブ下地領域を露出させる細長い開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、上記電極膜形成工程は、上記犠牲層を形成する導電性材料の電気めっき液及びエッチング液に溶けない導電性材料で上記プローブ下地膜を形成し、上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に上記曲面を有する犠牲層を形成し、上記プローブ形成工程は、上記犠牲層が形成された上記開口部内にコンタクトプローブを形成する。  According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a contact probe, wherein in addition to the above steps, a resist layer is formed to form a resist layer having an elongated opening that exposes the electrode region and the probe base region provided across the insulating region. The electrode film forming step includes forming the probe base film with a conductive material that is insoluble in an electroplating solution and an etching solution of the conductive material that forms the sacrificial layer, and the sacrificial layer forming step includes: A sacrificial layer having the curved surface is formed in the opening where the electrode region is exposed, and the probe forming step forms a contact probe in the opening in which the sacrificial layer is formed.

このような製造方法により、上記開口部内で、上記犠牲層を形成した後に、当該犠牲層及び上記プローブ下地膜上に湾曲部と上記絶縁性基板への固定部とを有する上記コンタクトプローブを形成することができる。従って、上記電極領域及び上記プローブ下地領域が露出する上記開口部を有する１つのレジスト層を形成するだけで、上記犠牲層と湾曲部を有する上記コンタクトプローブとを形成することができる。その結果、上記犠牲層を形成するためのレジスト層と上記コンタクトプローブを形成するためのレジスト層を共通させることができるし、上記犠牲層を形成するための導電性材料の使用量も減らすことができ、製造コストの低廉化が図れる。  By such a manufacturing method, after forming the sacrificial layer in the opening, the contact probe having a curved portion and a fixed portion to the insulating substrate is formed on the sacrificial layer and the probe base film. be able to. Therefore, the contact probe having the sacrificial layer and the curved portion can be formed only by forming one resist layer having the opening from which the electrode region and the probe base region are exposed. As a result, the resist layer for forming the sacrificial layer and the resist layer for forming the contact probe can be made common, and the amount of conductive material used for forming the sacrificial layer can be reduced. The manufacturing cost can be reduced.

第６の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記犠牲層の上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、上記プローブ形成工程は、上記曲面及びプローブ下地膜が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成する。  A contact probe manufacturing method according to a sixth aspect of the present invention is a probe forming method comprising: the curved surface of the sacrificial layer provided across the insulating region; and a long and narrow opening that exposes the probe base film in addition to the above steps. A probe resist forming step for forming a resist layer, wherein the probe forming step forms a contact probe in the opening where the curved surface and the probe base film are exposed.

このような製造方法により、長細い上記開口部内に上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させて上記コンタクトプローブを形成するので、上記コンタクトプローブは、湾曲部と上記絶縁性基板への固定部とを同じレジスト層の上記開口部を用いて同時に形成でき、製造コストの低廉化が図れる。特に、複数の上記コンタクトプローブが形成可能な大きさの上記犠牲層を形成し、この犠牲層の上記曲面上に複数の長細い上記開口部が配置されるようにプローブ形成用の上記レジスト層を形成することにより、湾曲部を有する複数のプローブを同時に形成できるとともに、上記絶縁性基板に同時に固定することができる。  By such a manufacturing method, the curved surface and the probe base film are exposed in the long and narrow opening to form the contact probe. Therefore, the contact probe has a curved portion and a fixing portion to the insulating substrate. The openings can be simultaneously formed using the openings of the same resist layer, and the manufacturing cost can be reduced. In particular, the sacrificial layer having a size capable of forming a plurality of contact probes is formed, and the resist layer for forming the probes is arranged so that the plurality of long and narrow openings are disposed on the curved surface of the sacrificial layer. By forming, a plurality of probes having curved portions can be formed at the same time and can be simultaneously fixed to the insulating substrate.

第７の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記犠牲層除去工程は、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離する。  In the contact probe manufacturing method according to the seventh aspect of the present invention, in addition to the above steps, the sacrificial layer removing step may include removing each of the contact probes by partially removing the probe base film that makes the plurality of contact probes conductive. Each time, the probe base film formed under the contact probe is separated.

このような製造方法により、上記プローブ下地膜を複数の上記コンタクトプローブを導通させ、かつ、上記絶縁性基板に設ける複数の電極を導通させるように形成しておいて、最終的に上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各コンタクトプローブの導通を遮断することが可能となる。その結果、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合に比べて上記プローブ下地膜の位置合わせを容易に行うことができる。  By such a manufacturing method, the probe base film is formed so as to conduct the plurality of contact probes and the plurality of electrodes provided on the insulating substrate, and finally the probe base film is formed. It is possible to cut off the conduction of each contact probe by partially removing. As a result, the probe base film can be easily aligned as compared with the case where the probe base film is individually formed in accordance with the position of each electrode.

また、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合には、これらプローブ下地膜の位置に合わせて、上記レジスト層の上記細長い開口部を形成しなければならないので、上記細長い開口部の位置合わせも困難となる。本発明の製造方法によれば、広い面積の上記プローブ下地膜に合わせて上記細長い開口部を複数形成することが可能となるので、上記細長い開口部の位置合わせを簡単に行うことができ、しかも、上記コンタクトプローブを上記プローブ下地膜を介して上記絶縁性基板の電極に確実に導通させることができる。  Further, when the probe base film is individually formed in accordance with the position of each electrode, the elongated opening of the resist layer must be formed in accordance with the position of the probe base film. It becomes difficult to align the elongated openings. According to the manufacturing method of the present invention, a plurality of the elongated openings can be formed in accordance with the probe base film having a large area, so that the alignment of the elongated openings can be easily performed. The contact probe can be reliably conducted to the electrode of the insulating substrate through the probe base film.

さらに、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合、何れかの上記細長い開口部において、上記犠牲層と上記プローブ下地膜との間の絶縁性領域の長さが他の上記細長い開口部内での長さよりも長くなってしまう場合がある。そのような場合には、上記犠牲層上に形成された上記金属層が上記プローブ下地膜と導通するまでに時間を要し、均一な厚みのコンタクトプローブが形成できない。本発明によれば、何れかの上記細長い開口部内において、上記金属層が上記プローブ下地膜に導通することにより、この導通した上記プローブ下地膜が露出している全ての上記細長い開口部内において、当該プローブ下地膜上に導電性材料が同時に堆積していくので、各上記コンタクトプローブの厚みをほぼ均一に形成することができる。  Further, when the probe base film is individually formed in accordance with the position of each electrode, the length of the insulating region between the sacrificial layer and the probe base film in any of the elongated openings is different. May be longer than the length in the elongated opening. In such a case, it takes time until the metal layer formed on the sacrificial layer is electrically connected to the probe base film, and a contact probe with a uniform thickness cannot be formed. According to the present invention, in any one of the elongated openings, the metal layer is electrically connected to the probe base film, so that the conductive probe base film is exposed in all of the elongated openings. Since the conductive material is deposited simultaneously on the probe base film, the thickness of each contact probe can be formed substantially uniformly.

本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、片持ち梁構造のコンタクトプローブを高さ方向である基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、熱で破損せず、上記コンタクトプローブの湾曲部を形成するための上記曲面を有する上記犠牲層を簡単に形成することができ、当該犠牲層に電気めっきすることにより、応力集中が起こらない湾曲部を有する上記コンタクトプローブを簡単に形成することができる。  According to the method for manufacturing a contact probe according to the present invention, even when a contact probe having a cantilever structure is formed by laminating by electroplating in a direction perpendicular to a substrate which is a height direction, it is not damaged by heat, The sacrificial layer having the curved surface for forming the curved portion of the contact probe can be easily formed, and the contact probe having the curved portion where stress concentration does not occur by electroplating the sacrificial layer. It can be easily formed.

実施の形態１.
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法の実施の形態１について図面に基づいて説明する。Embodiment 1.
Hereinafter, a first embodiment of a contact probe manufacturing method according to the present invention will be described with reference to the drawings.

〔プローブ装置〕
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５とにより構成される。[Probe device]
FIG. 1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of aprobe apparatus 100 including aprobe card 110 according to an embodiment of the present invention, and shows an internal state of theprobe apparatus 100. Theprobe device 100 includes aprobe card 110, amovable stage 103 on which aninspection object 102 is placed, adriving device 104 that raises and lowers themovable stage 103, and ahousing 105 that houses themovable stage 103 and thedriving device 104. It consists of.

検査対象物１０２は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。  Theinspection object 102 includes a semiconductor device such as a semiconductor wafer, and a plurality of electronic circuits (not shown) are formed. Themovable stage 103 is a mounting table having a horizontal mounting surface. When thedriving device 104 is driven, themovable stage 103 is raised or lowered in the vertical direction in a state where theinspection object 102 is mounted on the mounting surface. ing. Thehousing 105 has an opening at the upper center portion, and theprobe card 110 is attached so as to seal the opening. Themovable stage 103 is disposed below the opening.

〔プローブカード〕
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。[Probe card]
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a configuration example of theprobe card 110 in theprobe apparatus 100 of FIG. 1, and FIG. 2A shows theinspection object 102 side (the lower side of FIG. 1). (B) in the figure is a side view.

プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備えている。  Theprobe card 110 includes amain board 106 attached to the opening of thehousing 105, arectangular probe board 107 held on themain board 106, and a plurality ofcontact probes 1 fixed on theprobe board 107. ing.

メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。  Themain board 106 is a disk-shaped printed board, and has anexternal terminal 161 for performing signal input / output with the tester device. For example, a multilayer printed circuit board mainly composed of glass epoxy is used as themain board 106. The peripheral portion of themain substrate 106 is held at the periphery of the opening of thehousing 105 and is supported horizontally.

プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するようになっている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンで形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウエハからなる場合には、シリコンなどの単結晶基板でプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７をシリコン基板で構成することにより、プローブ基板１０７と検査対象物１０２との熱膨張の状態を近づけることができる。  Theprobe substrate 107 is disposed below themain substrate 106 and supported by themain substrate 106. Further, theprobe board 107 is electrically connected to the connectingmember 108, and the connectingmember 108 is connected to theconnector 162 of themain board 106. Theprobe substrate 107 has a rectangular shape smaller than themain substrate 106, and a wiring pattern is formed on the substrate. The wiring pattern is formed by wiring patterns of a power supply line, a ground line, and a signal line. When theinspection object 102 is made of a silicon wafer, theprobe substrate 107 is preferably composed of a single crystal substrate such as silicon. In this way, by configuring theprobe substrate 107 with a silicon substrate, the thermal expansion state between theprobe substrate 107 and theinspection object 102 can be made closer.

連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６とプローブ基板１０７とにそれぞれ形成されている配線間を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。  The connectingmember 108 connects themain board 106 and theprobe board 107 and conducts the wiring formed on themain board 106 and theprobe board 107 as conductive lines. Here, a flexible printed circuit board (FPC) in which a wiring pattern is printed on a flexible film containing polyimide as a main component is used as the connectingmember 108. One end of the flexible substrate is fixed to the peripheral portion of theprobe substrate 107, and the other end is connected to themain substrate 106 via adetachable connector 162.

本実施形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドにコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われる。  In the present embodiment, a large number of electrode pads are formed on theprobe substrate 107, and the contact probes 1 are bonded to the respective electrode pads, whereby a large number ofcontact probes 1 are formed on theprobe substrate 107. As described above, theprobe board 107 is electrically connected to themain board 106 connected to the tester device via the connectingmember 108 and constitutes a probe card together with themain board 106. At the time of inspection, themovable stage 103 is raised by the drivingdevice 104 and thecontact probe 1 is brought into contact with the semiconductor wafer, so that signals are input / output between the tester device and the semiconductor wafer via eachcontact probe 1, An inspection of the electrical characteristics of the semiconductor wafer is performed.

〔コンタクトプローブ〕
コンタクトプローブ１は、図１及び図２に示すように、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、各コンタクトプローブ１が固着されたプローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向させている。〔Contact probe〕
As shown in FIGS. 1 and 2, thecontact probe 1 is a probe (probe) that is elastically brought into contact with afine electrode pad 121 formed on theinspection object 102. Eachcontact probe 1 is aligned and fixed on one main surface of theprobe substrate 107. Eachcontact probe 1 is opposed to theinspection object 102 arranged on themovable stage 103 by arranging the main surface of theprobe substrate 107 to which eachcontact probe 1 is fixed facing downward in the vertical direction. .

図３は、コンタクトプローブ１の側面図である。コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。  FIG. 3 is a side view of thecontact probe 1. Thecontact probe 1 includes a contact portion 2 that makes contact with theelectrode pad 121 on theinspection object 102, and abeam portion 3 that has one end fixed to theprobe substrate 107 and the other end protruding from the contact portion 2. The

ビーム部３は、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁（カンチレバー）からなる。即ち、このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して延びる弾性変形部３２とから構成される。さらに、基板固定部３１は、プローブ基板１０７との対向面側の一部が後記するプローブ下地膜５で形成されている。  Thebeam portion 3 is formed of a cantilever (cantilever) whose one end is fixed to theprobe substrate 107. That is, thebeam portion 3 is fixed to theprobe substrate 107 and asubstrate fixing portion 31, and anelastic deformation portion 32 that rises from thesubstrate fixing portion 31 while being curved with respect to theprobe substrate 107 and extends parallel to theprobe substrate 107. It consists of. Further, thesubstrate fixing portion 31 is formed of aprobe base film 5 to be described later at a part on the side facing theprobe substrate 107.

このビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２を弾性変形させる。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部を検査対象物１０２で押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２を弾性変形させることができる。  Thebeam portion 3 has asubstrate fixing portion 31 as a fixed end, and the other end side of theelastic deformation portion 32 with respect to the fixed end is a free end. A load is applied to the free end of theelastic deformation portion 32 from theinspection object 102 side. As a result, theelastic deformation portion 32 is elastically deformed. In the present embodiment, themovable stage 103 is raised toward theprobe card 110 and the free end portion of thebeam portion 3 is pressed by theinspection object 102 to elastically deform theelastic deformation portion 32 of thebeam portion 3. Can do.

コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における検査対象物１０２に対向する面上に突出させて形成されたコンタクトチップにより構成されている。このコンタクトチップは端面が五角形の柱状体からなる。このコンタクト部２の検査対象物１０２と対向する面をこの検査対象物１０２の電極パッド１２１と当接する当接面としている。  The contact portion 2 is configured by a contact chip formed so as to protrude on the surface of the free end portion of thebeam portion 3 that faces theinspection object 102. This contact chip is formed of a columnar body having a pentagonal end surface. A surface of the contact portion 2 facing theinspection object 102 is a contact surface that contacts theelectrode pad 121 of theinspection object 102.

本実施形態のプローブカード１１０では、複数のコンタクトプローブ１がプローブ基板１０７上にビーム幅方向に所定のピッチで配置されると共に、このようなピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム先端が対向するように２列形成されている。本実施形態では、矩形のプローブ基板１０７の何れか１辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ１の列が形成されている。なお、各コンタクトプローブ１の間隔は、検査対象物１０２上に形成されている電極パッド１２１間のピッチに応じて定められる。  In theprobe card 110 of the present embodiment, a plurality ofcontact probes 1 are arranged on theprobe substrate 107 at a predetermined pitch in the beam width direction, and a row ofcontact probes 1 arranged at such a pitch is a beam tip. Are formed in two rows so as to face each other. In the present embodiment, a row ofcontact probes 1 is formed with a direction parallel to any one side of therectangular probe substrate 107 as an arrangement direction. The interval between the contact probes 1 is determined according to the pitch between theelectrode pads 121 formed on theinspection object 102.

そして、各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７、連結部材１０８、メイン基板１０６に形成される各配線を介してメイン基板１０６の外部端子１６１と導通しており、コンタクトプローブ１のコンタクト部２を検査対象物１０２の微小な電極パッド１２１に当接させることによって、この検査対象物１０２をテスター装置と導通させることができる。  Eachcontact probe 1 is electrically connected to theexternal terminal 161 of themain substrate 106 via each wiring formed on theprobe substrate 107, the connectingmember 108, and themain substrate 106, and the contact portion 2 of thecontact probe 1 is inspected. By bringing theobject 102 into contact with theminute electrode pad 121, theobject 102 to be inspected can be electrically connected to the tester device.

〔コンタクトプローブの構成材料〕
次に、コンタクトプローブ１の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ１は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料で構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金銅合金（Ａｕ−Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウムニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）などがある。[Component materials of contact probe]
Next, the material of each component of thecontact probe 1 will be described. Since thecontact probe 1 is preferably as low as possible, each component of the contact probe needs to be made of a material having high conductivity. Examples of such highly conductive materials include silver (Ag), copper (Cu), gold-copper alloy (Au—Cu), nickel (Ni), palladium nickel alloy (Pd—Ni), nickel cobalt alloy (Ni—). Co), nickel tungsten (Ni-W), platinum (Pt), gold (Au), rhodium (Rh), and the like.

また、コンタクトプローブ１のコンタクト部２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため高い耐磨耗性が要求され、しかも当接させるたびに、電極パッド１２１の表面を引掻いて表面のゴミや酸化膜等を除去することが求められる。そこで、コンタクト部を形成するために用いられる導電性材料としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウムコバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）などの高耐磨耗性の導電性材料が挙げられる。なお、本実施形態では、コンタクト部２をロジウム（Ｒｈ）を用いて形成している。  Further, since the contact portion 2 of thecontact probe 1 is repeatedly brought into contact with theelectrode pad 121 of theinspection object 102, high wear resistance is required, and each time the contact portion 2 is brought into contact, the surface of theelectrode pad 121 is scratched. It is required to remove dust and oxide films on the surface. Therefore, examples of the conductive material used for forming the contact portion include a highly wear-resistant conductive material such as rhodium (Rh) and palladium cobalt alloy (Pd—Co). In the present embodiment, the contact portion 2 is formed using rhodium (Rh).

〔コンタクトプローブの製造プロセス〕
図４から図６は、図３に示したコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。[Contact probe manufacturing process]
4 to 6 are views showing an example of a manufacturing process of thecontact probe 1 shown in FIG. Thecontact probe 1 is manufactured using a so-called MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique. The MEMS technique is a technique for creating a fine three-dimensional structure using a photolithography technique and a sacrificial layer etching technique. The photolithography technique is a fine pattern processing technique using a photosensitive resist used in a semiconductor manufacturing process or the like. The sacrificial layer etching technique is a technique for forming a three-dimensional structure by forming a lower layer called a sacrificial layer, further forming a layer constituting the structure thereon, and then etching only the sacrificial layer. is there.

このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このような電気めっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。  A well-known plating technique can be used for forming each layer including the sacrificial layer. For example, by immersing a substrate as a cathode and a metal piece as an anode in an electrolytic solution and applying a voltage between both electrodes, the metal ions in the electrolytic solution can be attached to the substrate surface. Such a process is called an electroplating process. Since such an electroplating process is a wet process in which the substrate is immersed in an electrolytic solution, a drying process is performed after the plating process. Further, after drying, a flattening process for flattening the laminated surface by a polishing process or the like is performed as necessary.

図４（ａ）〜（ｆ）は、絶縁性基板であるプローブ基板１０７上に電極膜６を形成する電極膜形成工程を示している。なお、この電極膜形成工程には、絶縁膜４を形成する工程、プローブ下地膜５を形成する工程、第１レジスト形成工程及び第２レジスト形成工程を含んでいる。  FIGS. 4A to 4F show an electrode film forming process for forming theelectrode film 6 on theprobe substrate 107 which is an insulating substrate. The electrode film forming step includes a step of forming the insulatingfilm 4, a step of forming theprobe base film 5, a first resist forming step, and a second resist forming step.

まず、図４（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に、二酸化珪素（ＳｉＯ₂）からなる絶縁膜４を形成する。さらに、この絶縁膜４の上に銅（Ｃｕ）以外の導電性材料で、かつ、銅のめっき液及び銅をエッチングする液に溶けない導電性材料でプローブ下地膜５を形成する。絶縁膜４及びプローブ下地膜５は、スパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。First, as shown in FIG. 4A, the insulatingfilm 4 made of silicon dioxide (SiO₂ ) is formed on theprobe substrate 107. Further, aprobe base film 5 is formed on the insulatingfilm 4 with a conductive material other than copper (Cu) and with a conductive material that does not dissolve in a copper plating solution and a copper etching solution. The insulatingfilm 4 and theprobe base film 5 are preferably formed by vacuum deposition such as sputtering.

このプローブ下地膜５を形成する導電性材料としては、例えば、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましい。特に、コンタクトプローブ１のビーム部３を構成する材料と同じ材料を用いることにより、電気めっきにより形成されたプローブの金属層と一体となり、このプローブ下地膜５をコンタクトプローブ１の一部とすることができる。  Examples of the conductive material for forming theprobe base film 5 include nickel cobalt alloy (Ni—Co), palladium (Pd), platinum (Pt), rhodium (Rh), gold (Au), nickel (Ni), and the like. Is preferred. In particular, by using the same material as the material constituting thebeam portion 3 of thecontact probe 1, it is integrated with the metal layer of the probe formed by electroplating, and thisprobe base film 5 is made a part of thecontact probe 1. Can do.

そして、図４（ｂ）に示すように、さらにプローブ下地膜５上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。この第１レジスト層７１を形成する工程が上記第１レジスト形成工程となる。  Then, as shown in FIG. 4B, a photoresist made of a photosensitive organic material is further applied on theprobe base film 5 to form a first resistlayer 71. Thereafter, the first resistlayer 71 is partially removed by selectively exposing the surface of the first resistlayer 71. The step of forming the first resistlayer 71 is the first resist forming step.

このようにして第１レジスト層７１が除去された部分に対して、図４（ｃ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第１レジスト層７１が残っている部分を除いたプローブ下地膜５を除去する。そして、第１レジスト層７１を除去することにより、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ下地膜５が形成された状態になる。このプローブ下地膜５は、図７のプローブ基板１０７の平面図に示すように、長尺な方形状に形成されている。なお、図示していないが、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に固定する場合には、このプローブ基板１０７上に形成される複数の電極を覆うように形成することが好ましい。  As shown in FIG. 4C, the portion where the first resistlayer 71 is removed is dry-etched with argon ions to remove the portion where the first resistlayer 71 remains. Theprobe base film 5 is removed. Then, by removing the first resistlayer 71, theprobe base film 5 is partially formed on theprobe substrate 107. Theprobe base film 5 is formed in a long rectangular shape as shown in the plan view of theprobe substrate 107 in FIG. Although not shown, when thecontact probe 1 is fixed to theprobe substrate 107, it is preferable to form thecontact probe 1 so as to cover a plurality of electrodes formed on theprobe substrate 107.

次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜４及びプローブ下地膜５上に銅（Ｃｕ）で電極膜６を形成する。この電極膜６もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。  Next, as shown in FIG. 4D, anelectrode film 6 is formed of copper (Cu) on the insulatingfilm 4 and theprobe base film 5. Theelectrode film 6 is also preferably formed by vacuum deposition such as sputtering.

そして、図４（ｅ）に示すように、電極膜６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第２レジスト層７２を形成する。その後、この第２レジスト層７２の表面を選択的に露光することにより、第２レジスト層７２を部分的に除去する。この第２レジスト層７２を形成する工程が上記第２レジスト形成工程となる。  Then, as shown in FIG. 4E, a second resistlayer 72 is formed on theelectrode film 6 by applying a photoresist made of a photosensitive organic material. Thereafter, the surface of the second resistlayer 72 is selectively exposed to partially remove the second resistlayer 72. The step of forming the second resistlayer 72 is the second resist forming step.

このようにして第２レジスト層７２が除去された部分に対して、図４（ｆ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第２レジスト層７２が残っている部分を除いた電極膜６を除去する。そして、第２レジスト層７２を除去することにより、プローブ基板１０７上には、図７のプローブ基板１０７の平面図に示すように、電極膜６で構成される電極領域６１と、プローブ下地膜５で構成されるプローブ下地領域５１と、露出する絶縁膜４で構成される絶縁性領域４１とが形成される。本実施形態では、プローブ下地領域５１の周りに絶縁性領域４１を挟んで電極領域６１が形成され、この電極領域６１は絶縁性領域４１によりプローブ下地領域５１と絶縁された状態になっている。  As shown in FIG. 4F, the portion where the second resistlayer 72 is removed is dry-etched with argon ions to remove the portion where the second resistlayer 72 remains. Theelectrode film 6 is removed. Then, by removing the second resistlayer 72, on theprobe substrate 107, as shown in the plan view of theprobe substrate 107 in FIG. And aninsulating region 41 composed of the exposed insulatingfilm 4 are formed. In the present embodiment, anelectrode region 61 is formed around theprobe base region 51 with the insulatingregion 41 interposed therebetween, and theelectrode region 61 is insulated from theprobe base region 51 by the insulatingregion 41.

図５（ａ）は、互いに隣接する電極領域６１及び絶縁性領域４１を露出させる第１開口部７３ａを有する第３レジスト層７３を形成する第３レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第３レジスト層７３を形成する。その後、この第３レジスト層７３の表面を選択的に露光することにより、第３レジスト層７３を部分的に除去する。残った第３レジスト層７３は、図８のプローブ基板１０７の平面図に示すように、プローブ下地膜５の全てと、絶縁膜４及び電極膜６の一部を覆った状態になる。  FIG. 5A shows a third resist forming step of forming a third resistlayer 73 having afirst opening 73a exposing theelectrode region 61 and the insulatingregion 41 adjacent to each other. First, a photoresist made of a photosensitive organic material is applied to the entire surface of theprobe substrate 107 to form a third resistlayer 73. Thereafter, the surface of the third resistlayer 73 is selectively exposed to partially remove the third resistlayer 73. As shown in the plan view of theprobe substrate 107 in FIG. 8, the remaining third resistlayer 73 covers the entireprobe base film 5 and a part of the insulatingfilm 4 and theelectrode film 6.

第３レジスト層７３を部分的に除去することにより、第１開口部７３ａが形成される。この第１開口部７３ａ内には、電極膜６と絶縁膜４とが隣接した状態で露出される。図８では、電極領域６１と絶縁性領域４１との境界線が第１開口部７３ａ内に直線上に現れている。  By removing the third resistlayer 73 partially, afirst opening 73a is formed. Theelectrode film 6 and the insulatingfilm 4 are exposed in thefirst opening 73a in an adjacent state. In FIG. 8, the boundary line between theelectrode region 61 and the insulatingregion 41 appears on a straight line in thefirst opening 73a.

図５（ｂ）〜（ｃ）は、電極膜６上に導電性材料を電気めっきすることにより、絶縁性領域４１から立ち上がり、電極領域６１に向かって曲がる曲面を有する犠牲層８を形成する犠牲層形成工程を示している。  FIGS. 5B to 5C show a sacrifice in which asacrificial layer 8 having a curved surface rising from the insulatingregion 41 and bending toward theelectrode region 61 is formed by electroplating a conductive material on theelectrode film 6. The layer formation process is shown.

上記した図５（ａ）及び図８の状態から、電極膜６に電圧を印加することにより、図５（ｂ）に示すように、電極膜６の上面に銅（Ｃｕ）を電気めっきしていく。このとき、電極膜６の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが電極膜６の上面からオーバーフローし、電極膜６の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ｂ）に示すような曲面を有する犠牲層８が形成される。  By applying a voltage to theelectrode film 6 from the state of FIG. 5A and FIG. 8 described above, copper (Cu) is electroplated on the upper surface of theelectrode film 6 as shown in FIG. 5B. Go. At this time, copper is plated and deposited not only on the upper surface of theelectrode film 6 but also on the end surface which is an etching surface, and the copper plating overflows from the upper surface of theelectrode film 6 and only covers the upper surface and the end surface of theelectrode film 6. Instead, it is also formed on a part of the insulatingfilm 4. Thus, thesacrificial layer 8 which has a curved surface as shown in FIG.5 (b) is formed by electroplating copper.

具体的には、この犠牲層８は、絶縁膜４から立ち上がって、電極膜６に向かって曲がる曲面を有するように形成される。犠牲層８は、プローブ下地膜５に接触しないように、プローブ下地膜５との間に僅かに絶縁膜４が露出するように形成される。犠牲層８が形成された後、図５（ｃ）に示すように、第３レジスト層７３を除去する。  Specifically, thesacrificial layer 8 is formed to have a curved surface that rises from the insulatingfilm 4 and bends toward theelectrode film 6. Thesacrificial layer 8 is formed so that the insulatingfilm 4 is slightly exposed between thesacrificial layer 8 and theprobe base film 5 so as not to contact theprobe base film 5. After thesacrificial layer 8 is formed, the third resistlayer 73 is removed as shown in FIG.

本実施の形態では、犠牲層８は、図８に示すように、平面視が矩形状になるように形成し、その一辺に曲面を形成し、他の三辺に垂直な側面を形成したが、対向する二辺に曲面を形成し、他の二辺に垂直な側面を形成して、断面形状が半楕円状になるように犠牲層８を形成するようにしてもよい。この場合、第１開口部７３ａ内において電極膜６が絶縁性領域４１で挟まれるように電極膜６を形成し、さらに、その絶縁性領域４１の外側にプローブ下地領域５１を形成する。このように犠牲層８に曲面を２箇所形成する場合には、ビーム部３のコンタクト部２が形成される自由端が、犠牲層８の中央部で対向するようにコンタクトプローブ１を形成する。  In the present embodiment, as shown in FIG. 8, thesacrificial layer 8 is formed to have a rectangular shape in plan view, a curved surface is formed on one side thereof, and a side surface perpendicular to the other three sides is formed. Alternatively, thesacrificial layer 8 may be formed such that a curved surface is formed on two opposite sides and a side surface perpendicular to the other two sides is formed, so that the cross-sectional shape is a semi-elliptical shape. In this case, theelectrode film 6 is formed so that theelectrode film 6 is sandwiched between the insulatingregions 41 in thefirst opening 73 a, and further, theprobe base region 51 is formed outside the insulatingregion 41. When two curved surfaces are formed in thesacrificial layer 8 in this way, thecontact probe 1 is formed so that the free end where the contact portion 2 of thebeam portion 3 is formed is opposed to the central portion of thesacrificial layer 8.

図５（ｄ）は、互いに隣接する犠牲層８及び絶縁性領域４１を露出させる長細い第２開口部７４ａを複数有するプローブ形成用の第４レジスト層７４を形成するプローブ用レジスト形成工程である。プローブ基板１０７上に、再びフォトレジストが塗布されることにより第４レジスト層７４が形成され、その第４レジスト層７４の表面が選択的に露光されることにより、第４レジスト層７４の一部が除去され、長細い第２開口部７４ａが複数形成される。  FIG. 5D shows a probe resist forming step of forming a fourth resistlayer 74 for forming a probe having a plurality of long and thinsecond openings 74a exposing thesacrificial layer 8 and the insulatingregion 41 adjacent to each other. . A fourth resistlayer 74 is formed on theprobe substrate 107 by applying a photoresist again, and the surface of the fourth resistlayer 74 is selectively exposed, whereby a part of the fourth resistlayer 74 is formed. Is removed, and a plurality of long thinsecond openings 74a are formed.

残った第４レジスト層７４により、図９のプローブ基板１０７の平面図に示すように、プローブ下地膜５、絶縁膜４及び電極膜６の一部が覆われると共に、コンタクトプローブ１のビーム部３の形状に合わせた細長い第２開口部７４ａが所定の間隔をおいて複数形成される。これら第２開口部７４ａ内には、犠牲層８とプローブ下地膜５とが絶縁性領域４１を挟んだ状態で露出される。  The remaining fourth resistlayer 74 covers part of theprobe base film 5, the insulatingfilm 4 and theelectrode film 6 as shown in the plan view of theprobe substrate 107 in FIG. A plurality of elongatedsecond openings 74a matching the shape are formed at a predetermined interval. In thesesecond openings 74a, thesacrificial layer 8 and theprobe base film 5 are exposed with the insulatingregion 41 interposed therebetween.

本実施の形態では、図９に示すように、犠牲層８が第２開口部７４ａの長手方向の一方側で露出し、プローブ下地膜５が長手方向他方側で露出し、犠牲層８とプローブ下地膜５との間に僅かに絶縁膜４が露出して、上記犠牲層８の曲面が絶縁膜４から立ち上がって第２開口部７４ａの長手方向他方側から長手方向一方側に向かって曲がるように第２開口部７４ａを形成している。さらに、本実施の形態では、図９に示すように、１つの犠牲層８及びプローブ下地膜５上に複数の第２開口部７４ａが形成されている。  In the present embodiment, as shown in FIG. 9, thesacrificial layer 8 is exposed on one side in the longitudinal direction of thesecond opening 74a, theprobe base film 5 is exposed on the other side in the longitudinal direction, and thesacrificial layer 8 and the probe are exposed. The insulatingfilm 4 is slightly exposed between thebase film 5 and the curved surface of thesacrificial layer 8 rises from the insulatingfilm 4 and bends from the other longitudinal side of thesecond opening 74a toward the longitudinal side. Asecond opening 74a is formed in the upper part. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, a plurality ofsecond openings 74 a are formed on onesacrificial layer 8 and theprobe base film 5.

図５（ｅ）及び図６（ａ）〜（ｄ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図５（ｅ）に示すように、犠牲層８に電圧を印加することにより、各第２開口部７４ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を犠牲層８上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、犠牲層８上にニッケルコバルト合金が堆積されてプローブ金属層９１が形成されていく。  FIGS. 5E and 6A to 6D show a probe formation process for forming thecontact probe 1. As shown in FIG. 5E, by applying a voltage to thesacrificial layer 8, a nickel cobalt alloy (Ni—Co) is electroplated on thesacrificial layer 8 in eachsecond opening 74a. By this electroplating, a nickel cobalt alloy is deposited on thesacrificial layer 8 to form theprobe metal layer 91.

そして、このプローブ金属層９１が、プローブ下地膜５に接触するまで成長すると、プローブ金属層９１とプローブ下地膜５とが導通し、このプローブ下地膜５上にもニッケルコバルト合金が堆積されてプローブ金属層９１が犠牲層８からプローブ下地膜５に亘って連続して形成される。このプローブ金属層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２に相当するプローブ金属層９１が形成される。  Then, when theprobe metal layer 91 is grown until it contacts theprobe base film 5, theprobe metal layer 91 and theprobe base film 5 are electrically connected, and a nickel cobalt alloy is deposited on theprobe base film 5 as well. Ametal layer 91 is continuously formed from thesacrificial layer 8 to theprobe base film 5. By forming theprobe metal layer 91, theprobe metal layer 91 corresponding to thesubstrate fixing portion 31 and theelastic deformation portion 32 of thebeam portion 3 is formed.

本実施の形態では、第４レジスト層７４に形成した第２開口部７４ａ内に、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを同時に形成することができるので、基板固定部３１を形成するためのレジスト層と弾性変形部３２を形成するためのレジスト層を形成する必要がなくなる。その結果、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストを低廉にできる。  In the present embodiment, since thesubstrate fixing portion 31 and theelastic deformation portion 32 of thebeam portion 3 can be simultaneously formed in thesecond opening 74a formed in the fourth resistlayer 74, thesubstrate fixing portion 31 is There is no need to form a resist layer for forming and a resist layer for forming the elasticallydeformable portion 32. As a result, the number of steps for forming the resist layer and the step for removing the resist can be reduced, and the number of masks for exposing the resist can be reduced, so that the manufacturing cost can be reduced.

プローブ金属層９１が形成された後は、図６（ａ）に示すように、第４レジスト層７４を除去する。次に、図６（ｂ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることにより第５レジスト層７５が形成され、その第５レジスト層７５の表面が選択的に露光されることにより、第５レジスト層７５の一部が除去される。図６（ｂ）では、コンタクト部２に相当する領域についてレジストの除去行い、第３開口部７５ａが形成される。  After theprobe metal layer 91 is formed, the fourth resistlayer 74 is removed as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 6B, a photoresist is applied again to form a fifth resistlayer 75, and the surface of the fifth resistlayer 75 is selectively exposed, so that 5 Part of the resistlayer 75 is removed. In FIG. 6B, the resist is removed from the region corresponding to the contact portion 2 to form thethird opening 75a.

次に、図６（ｃ）に示すように、第３開口部７５ａ内に、ロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、コンタクトチップ層９２が形成される。このコンタクトチップ層９２の上面は、平滑な面にする必要があるので、図６（ｄ）に示すように、第５レジスト層７５とともに、コンタクトチップ層９２を研磨して、コンタクトチップ層９２の上面を平坦にする。このコンタクトチップ層９２がコンタクト部２を構成する。  Next, as shown in FIG. 6C, thecontact chip layer 92 is formed in thethird opening 75a by electroplating rhodium (Rh). Since the upper surface of thecontact chip layer 92 needs to be a smooth surface, thecontact chip layer 92 is polished together with the fifth resistlayer 75 as shown in FIG. Flatten the top surface. Thecontact chip layer 92 constitutes the contact portion 2.

そして、図６（ｅ）に示すように、プローブ基板１０７の第５レジスト層７５を除去し、その後、犠牲層８と電極膜６とを除去する。さらに、その後、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ下地膜５をドライエッチングにより除去して、コンタクトプローブ１毎に、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ下地膜５を分離する。プローブ金属層９１で覆われているプローブ下地膜５は残された状態になっている。このようにプローブ下地膜５が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。この工程が、犠牲層除去工程となる。  Then, as shown in FIG. 6E, the fifth resistlayer 75 of theprobe substrate 107 is removed, and then thesacrificial layer 8 and theelectrode film 6 are removed. Further, after that, theprobe base film 5 exposed on theprobe substrate 107 is removed by dry etching, and theprobe base film 5 formed under thecontact probe 1 is separated for eachcontact probe 1. Theprobe base film 5 covered with theprobe metal layer 91 is left. By separating theprobe base film 5 in this way, thecontact probe 1 fixed on theprobe substrate 107 is obtained so that eachcontact probe 1 does not conduct. This step is a sacrificial layer removal step.

本実施の形態では、電極膜６を絶縁性領域４１と隣接するように形成し、この電極膜６に電気めっきすることにより、電極膜６の上面から絶縁性領域４１に銅めっきがオーバーフローした状態になって、犠牲層８に上記した曲面を簡単に形成することができる。しかも、犠牲層８の高さや曲面の大きさも自由に設定することができる。さらに、犠牲層８は全て同じ導電性材料で形成されるので、製造工程中の温度上昇により犠牲層８が破損することはなくなる。  In the present embodiment, theelectrode film 6 is formed so as to be adjacent to the insulatingregion 41, and the electroplating is performed on theelectrode film 6, so that the copper plating overflows from the upper surface of theelectrode film 6 to the insulatingregion 41. Thus, the curved surface described above can be easily formed in thesacrificial layer 8. In addition, the height of thesacrificial layer 8 and the size of the curved surface can be set freely. Furthermore, since all thesacrificial layers 8 are formed of the same conductive material, thesacrificial layers 8 are not damaged by the temperature rise during the manufacturing process.

そして、犠牲層８に電気めっきすることにより、湾曲部を有するコンタクトプローブ１を簡単に形成することができる。このように、片持ち梁構造のコンタクトプローブ１を基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で所望の形状、大きさの湾曲部を形成することができる。  Thecontact probe 1 having a curved portion can be easily formed by electroplating thesacrificial layer 8. As described above, even when the cantilever-structuredcontact probe 1 is formed by electroplating in a direction perpendicular to the substrate, a curved portion having a desired shape and size can be formed by a simple method. it can.

以上の構成を有するプローブ装置１００を用いて、検査対象物１０２の電気的特性試験を行う際には、まず、筐体１０５内の可動ステージ１０３上に検査対象物１０２を取り付け、各コンタクトプローブ１がプローブ基板１０７の下面に配置された状態で、プローブカード１１０を筐体１０５に取り付ける。  When performing an electrical characteristic test of theinspection object 102 using theprobe device 100 having the above-described configuration, first, theinspection object 102 is attached on themovable stage 103 in thehousing 105, and eachcontact probe 1. Is placed on the lower surface of theprobe substrate 107, and theprobe card 110 is attached to thehousing 105.

そして、各コンタクトプローブ１がそれぞれ検査対象物１０２上の電極パッド１２１と対向するように、検査対象物１０２に対するプローブカード１１０のプローブ基板１０７の位置合わせを行う。検査対象物１０２及びプローブカード１１０が適切に位置合わせされた状態で可動ステージ１０３を上昇させることにより、プローブ基板１０７に検査対象物１０２が接近し、コンタクトプローブ１のコンタクト部２の当接面に当該検査対象物１０２上の電極パッド１２１が当接する(このとき面接触状態となる。)。  Then, theprobe substrate 107 of theprobe card 110 is aligned with theinspection object 102 so that eachcontact probe 1 faces theelectrode pad 121 on theinspection object 102. By moving themovable stage 103 in a state where theinspection object 102 and theprobe card 110 are properly aligned, theinspection object 102 approaches theprobe substrate 107 and contacts the contact surface of the contact portion 2 of thecontact probe 1. Theelectrode pad 121 on theinspection object 102 comes into contact (at this time, a surface contact state occurs).

そして、さらに可動ステージ１０３を上昇させることにより、コンタクト部２に荷重がかかり、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形する。このとき、ビーム部３には屈曲部が形成されず湾曲した形状となっているので、ビーム部３の変形箇所の一部に応力が集中することがなくなる。  Then, by further raising themovable stage 103, a load is applied to the contact portion 2, and theelastic deformation portion 32 of thebeam portion 3 is elastically deformed. At this time, since the bent portion is not formed in thebeam portion 3 and has a curved shape, the stress is not concentrated on a part of the deformed portion of thebeam portion 3.

実施の形態２．
上記した実施の形態１では、単に、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固着した状態で形成する場合について説明した。本実施の形態２では、図１０〜図１２に示すように、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７上に形成することにより、プローブ基板１０７に形成する配線１７２にプローブ下地膜５を介してコンタクトプローブ１を接続させた状態にできるコンタクトプローブの製造方法について説明する。Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment described above, the case where thecontact probe 1 is simply formed on theprobe substrate 107 is described. In the second embodiment, as shown in FIGS. 10 to 12, thecontact probe 1 is formed on theprobe substrate 107, whereby thecontact probe 1 is formed on thewiring 172 formed on theprobe substrate 107 via theprobe base film 5. A method of manufacturing a contact probe that can be connected to each other will be described.

本実施の形態のコンタクトプローブ１は、上記した実施の形態１と同じ材料で形成されとともに、プローブ下地膜５、電極膜６及び犠牲層８も上記した実施の形態１と同じ材料を用いる。しかも、本実施の形態のコンタクトプローブ１は、上記した実施の形態１と同じ製造工程で製造する。上記した実施の形態１と異なる点は、プローブ基板１０７の構成と、プローブ下地膜５の形状と、コンタクトプローブ１の基板固定部３１の形状とが異なるだけである。同じ構成部分については同じ符号を付し、同じ符合及び同じ製造工程については説明を省略する。  Thecontact probe 1 of the present embodiment is formed of the same material as that of the first embodiment, and theprobe base film 5, theelectrode film 6, and thesacrificial layer 8 are also made of the same material as that of the first embodiment. Moreover, thecontact probe 1 of the present embodiment is manufactured by the same manufacturing process as that of the first embodiment. The difference from the first embodiment described above is only that the configuration of theprobe substrate 107, the shape of theprobe base film 5, and the shape of thesubstrate fixing portion 31 of thecontact probe 1 are different. The same components are denoted by the same reference numerals, and description of the same reference numerals and the same manufacturing steps is omitted.

プローブ基板１０７は、基板本体１７１と、この基板本体１７１の主面上に形成される配線１７２と、基板本体１７１の主面を配線１７２と共に覆う樹脂絶縁層１７３で構成される。配線１７２は、本実施の形態２では、金（Ａｕ）を用いた配線で構成されている。さらに、樹脂絶縁層１７３は、本実施の形態２では、ポリイミドにより形成されている。なお、プローブ基板１０７は、基板本体１７１と樹脂絶縁層１７３とを順次積層させたものであってもよい。この場合、プローブ基板１０７は、各樹脂絶縁層１７３に配線１７２が設けられた状態になっている。  Theprobe substrate 107 includes asubstrate body 171, wiring 172 formed on the main surface of thesubstrate body 171, and aresin insulating layer 173 that covers the main surface of thesubstrate body 171 together with thewiring 172. In the second embodiment, thewiring 172 is composed of a wiring using gold (Au). Furthermore, theresin insulating layer 173 is formed of polyimide in the second embodiment. Theprobe substrate 107 may be a substrate in which asubstrate body 171 and aresin insulating layer 173 are sequentially stacked. In this case, theprobe substrate 107 is in a state in which thewiring 172 is provided in eachresin insulating layer 173.

このように構成されたプローブ基板１０７に対して、図１０（ａ）に示すように、樹脂絶縁層１７３上に二酸化珪素（ＳｉＯ₂）からなる絶縁膜４を形成する。そして、配線１７２の一部が露出するように、樹脂絶縁層１７３と絶縁膜４とを貫通する穴１７４をドライエッチングにより形成している。このドライエッチングは、絶縁膜４上にレジスト層を形成し、穴を形成する箇所だけレジストを除去した後に行う。As shown in FIG. 10A, the insulatingfilm 4 made of silicon dioxide (SiO₂ ) is formed on theresin insulating layer 173 on theprobe substrate 107 configured as described above. Ahole 174 passing through theresin insulating layer 173 and the insulatingfilm 4 is formed by dry etching so that a part of thewiring 172 is exposed. This dry etching is performed after a resist layer is formed on the insulatingfilm 4 and the resist is removed only at the locations where holes are to be formed.

そして、レジスト層を全て除去した後、図１０（ａ）に示すように、プローブ下地膜５を形成する。そして、図１０（ｂ）に示すように、さらにプローブ下地膜５上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。  Then, after removing all the resist layers, aprobe base film 5 is formed as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 10B, a photoresist made of a photosensitive organic material is further applied on theprobe base film 5 to form a first resistlayer 71. Thereafter, the first resistlayer 71 is partially removed by selectively exposing the surface of the first resistlayer 71.

このようにして第１レジスト層７１が除去された部分に対して、図１０（ｃ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第１レジスト層７１が残っている部分を除いたプローブ下地膜５を除去する。そして、第１レジスト層７１を除去することにより、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ下地膜５が形成された状態になる。このプローブ下地膜５は、プローブ基板１０７の穴１７４に対応した位置に形成され、穴１７４の内面及び配線１７２の露出面も覆うように形成されている。そして、プローブ下地膜５は、この穴１７４の形状に沿って凹んだ状態になっている。  As shown in FIG. 10C, the portion where the first resistlayer 71 has been removed is dry-etched with argon ions to remove the portion where the first resistlayer 71 remains. Theprobe base film 5 is removed. Then, by removing the first resistlayer 71, theprobe base film 5 is partially formed on theprobe substrate 107. Theprobe base film 5 is formed at a position corresponding to thehole 174 of theprobe substrate 107 and is formed so as to cover the inner surface of thehole 174 and the exposed surface of thewiring 172. Theprobe base film 5 is in a state of being recessed along the shape of thehole 174.

その後の製造工程は、図１０（ｄ）〜図１２（ｄ）に示す製造工程を行う。図１０（ｄ）〜図１２（ｄ）に示す製造工程は、上記した実施の形態１の図４（ｄ）〜図６（ｄ）に対応しており、図１０（ｄ）は、上記した実施の形態１の図４（ｄ）に対応し、順次、図１０（ｅ）が図４（ｅ）に、図１０（ｆ）が図４（ｆ）にと対応する。  Subsequent manufacturing steps are performed as shown in FIGS. 10 (d) to 12 (d). The manufacturing steps shown in FIGS. 10 (d) to 12 (d) correspond to FIGS. 4 (d) to 6 (d) of the first embodiment described above, and FIG. 10 (d) is described above. Corresponding to FIG. 4D of the first embodiment, FIG. 10E sequentially corresponds to FIG. 4E, and FIG. 10F corresponds to FIG.

そして、図１２（ｅ）に示すように、プローブ基板１０７の第５レジスト層７５を除去し、その後、犠牲層８と電極膜６とを除去する。さらに、その後、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ下地膜５をドライエッチングにより除去して、コンタクトプローブ１毎に、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ下地膜５を分離する。プローブ金属層９１で覆われているプローブ下地膜５は残された状態になっている。  Then, as shown in FIG. 12E, the fifth resistlayer 75 of theprobe substrate 107 is removed, and then thesacrificial layer 8 and theelectrode film 6 are removed. Further, after that, theprobe base film 5 exposed on theprobe substrate 107 is removed by dry etching, and theprobe base film 5 formed under thecontact probe 1 is separated for eachcontact probe 1. Theprobe base film 5 covered with theprobe metal layer 91 is left.

このようにプローブ下地膜５が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。プローブ金属層９１は、プローブ下地膜５を介してプローブ基板１０７の配線１７２と接続された状態になっている。  By separating theprobe base film 5 in this way, thecontact probe 1 fixed on theprobe substrate 107 is obtained so that eachcontact probe 1 does not conduct. Theprobe metal layer 91 is connected to thewiring 172 of theprobe substrate 107 via theprobe base film 5.

本実施の形態２では、コンタクトプローブ１を形成することにより、同時に、コンタクトプローブ１がプローブ基板１０７の配線１７２に接続された状態で、このプローブ基板１０７に固定された状態にすることができる。その結果、コンタクトプローブ１を個別にプローブ基板１０７の電極に固着していく作業を行う必要がなくなり、製造工程の短縮化が図れるし、コンタクトプローブ１のビーム部３における基板固定部３１が穴１７４の内面及び配線１７２に接触して凹んだ形状になるため、基板固定部３１をプローブ基板１０７へ強固に固定することができる。  In the second embodiment, by forming thecontact probe 1, thecontact probe 1 can be simultaneously fixed to theprobe substrate 107 while being connected to thewiring 172 of theprobe substrate 107. As a result, it is not necessary to individually fix thecontact probe 1 to the electrode of theprobe substrate 107, the manufacturing process can be shortened, and thesubstrate fixing portion 31 in thebeam portion 3 of thecontact probe 1 is formed in thehole 174. Therefore, thesubstrate fixing portion 31 can be firmly fixed to theprobe substrate 107.

実施の形態３．
上記した各実施の形態では、第３レジスト層７３の第１開口部７３ａ内で犠牲層８を形成し、第４レジスト層７４に形成した第２開口部７４ａ内でコンタクトプローブ１を形成するようにした。一方、本実施の形態３では、上記した実施の形態１における電極膜６の形成工程（図４（ｆ））の後に、図１３の製造工程図に示すレジスト形成工程と、犠牲層形成工程と、プローブ形成工程とを順次行うようにしている。Embodiment 3 FIG.
In each of the above-described embodiments, thesacrificial layer 8 is formed in thefirst opening 73 a of the third resistlayer 73, and thecontact probe 1 is formed in thesecond opening 74 a formed in the fourth resistlayer 74. I made it. On the other hand, in the third embodiment, after the step of forming theelectrode film 6 in the first embodiment (FIG. 4 (f)), the resist forming step and the sacrificial layer forming step shown in the manufacturing process diagram of FIG. The probe formation step is sequentially performed.

本実施の形態では、上記した各実施の形態の第３レジスト層７３の形成及びレジスト除去の工程を省き、パターニングされた電極膜６の上に、図１３（ａ）に示すように、第４レジスト層７４を形成した後、電極膜６とプローブ下地膜５とを絶縁膜４を挟んで露出させるようにレジスト除去を行って第２開口部７４ａを形成する。  In the present embodiment, the steps of forming the third resistlayer 73 and removing the resist in the above-described embodiments are omitted, and afourth electrode film 6 is formed on the patternedelectrode film 6 as shown in FIG. After the resistlayer 74 is formed, the resist is removed so as to expose theelectrode film 6 and theprobe base film 5 with the insulatingfilm 4 interposed therebetween, thereby forming thesecond opening 74a.

そして、図１３（ｂ）に示すように、この第２開口部７４ａ内で、犠牲層８をプローブ下地膜５に接触しないように上記実施の形態１と同様の方法で形成する。なお、犠牲層８を形成するために銅の電気めっきを行うが、プローブ下地膜５は、銅のめっき液に溶けない導電性材料で形成しているので、めっき液中にさらされても変化は生じない。  Then, as shown in FIG. 13B, thesacrificial layer 8 is formed in thesecond opening 74 a by the same method as in the first embodiment so as not to contact theprobe base film 5. In addition, although copper electroplating is performed to form thesacrificial layer 8, theprobe base film 5 is formed of a conductive material that is not soluble in the copper plating solution, and therefore changes even when exposed to the plating solution. Does not occur.

犠牲層８を形成した後は、図１３（ｃ）に示すように、この犠牲層８とプローブ下地膜５との上にプローブ金属層９１を上記実施の形態１と同様の方法で形成する。そして、プローブ金属層９１を形成した後は、上記した実施の形態１の図６（ａ）〜（ｅ）までの工程である第４レジスト層７４の除去、第５レジスト層７５の形成、第３開口部７５ａの形成、コンタクトチップ層９２の形成、研磨、そして、犠牲層８及び電極膜６の除去の工程を行う。  After thesacrificial layer 8 is formed, as shown in FIG. 13C, aprobe metal layer 91 is formed on thesacrificial layer 8 and theprobe base film 5 by the same method as in the first embodiment. After the formation of theprobe metal layer 91, the removal of the fourth resistlayer 74, the formation of the fifth resistlayer 75, the steps of FIGS. 6A to 6E of the first embodiment described above, The steps of forming the threeopenings 75a, forming thecontact chip layer 92, polishing, and removing thesacrificial layer 8 and theelectrode film 6 are performed.

本実施の形態では、犠牲層８とプローブ金属層９１とを同じ第２開口部７４ａ内で形成するので、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を、上記実施の形態１よりも減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストをさらに低廉にすることができる。  In this embodiment, since thesacrificial layer 8 and theprobe metal layer 91 are formed in the samesecond opening 74a, the steps of forming the resist layer and removing the resist are reduced as compared with the first embodiment. In addition, since the mask for exposing the resist can be reduced, the manufacturing cost can be further reduced.

なお、上記した各実施の形態では、コンタクトプローブ１を形成しながら、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固定する場合の例について説明したが、本発明の湾曲部を有するコンタクトプローブの製造方法は、これらの実施の形態に限らず、別途用意した絶縁性基板上にコンタクトプローブ１を形成して、このコンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合にも適用できる。コンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合には、例えば、１つの犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成しておくとよい。この場合には、犠牲層と共に複数のコンタクトプローブを絶縁性基板から剥離して、犠牲層と共にコンタクトプローブをプローブ基板に配置させる。そして、コンタクトプローブをプローブ基板に固定した後、犠牲層を除去することにより、コンタクトプローブをプローブ基板へ簡単に固定することができる。  In each of the above-described embodiments, the example in which thecontact probe 1 is directly fixed on theprobe substrate 107 while thecontact probe 1 is formed has been described. However, the method for manufacturing a contact probe having a curved portion according to the present invention is described. The present invention is not limited to these embodiments, and can also be applied to the case where thecontact probe 1 is formed on a separately prepared insulating substrate and the contact probe is finally peeled off from the insulating substrate. When the contact probe is finally peeled from the insulating substrate, for example, a plurality of contact probes may be formed on one sacrificial layer. In this case, the plurality of contact probes together with the sacrificial layer are peeled from the insulating substrate, and the contact probes are arranged on the probe substrate together with the sacrificial layer. And after fixing a contact probe to a probe board | substrate, a contact probe can be easily fixed to a probe board | substrate by removing a sacrifice layer.

本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。It is the figure which showed an example of schematic structure of theprobe apparatus 100 containing theprobe card 110 by embodiment of this invention, and the mode inside theprobe apparatus 100 is shown.図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。It is the figure which showed the structural example of theprobe card 110 in theprobe apparatus 100 of FIG.本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した側面図である。It is the side view which showed an example of the contact probe byEmbodiment 1 of this invention.実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。6 is a diagram showing an example of a process for forming a contact probe according toEmbodiment 1. FIG.実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図４（ｆ）の続きを示している。FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a process for forming a contact probe according to the first embodiment, and illustrates a continuation of FIG.実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図５（ｅ）の続きを示している。FIG. 6 is a diagram showing an example of a process for forming a contact probe according to the first embodiment, and shows a continuation of FIG.実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図４（ｆ）の工程により、電極領域６１と絶縁性領域４１とが形成された状態を示した平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a state in which anelectrode region 61 and aninsulating region 41 are formed by the step of FIG. 4F during the step of forming the contact probe according to the first embodiment.実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図５（ａ）の工程により、第３レジスト層７３に第１開口部７３ａが形成された状態を示した平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a state in which afirst opening 73a is formed in a third resistlayer 73 by the process of FIG. 5A during the process of forming the contact probe according to the first embodiment.実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図５（ｂ）の工程により、第３レジスト層７３の第１開口部７３ａ内に犠牲層８が形成された状態を示した平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a state in which asacrificial layer 8 is formed in thefirst opening 73a of the third resistlayer 73 by the step of FIG. 5B during the step of forming the contact probe according to the first embodiment. is there.実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。6 is a diagram showing an example of a process for forming a contact probe according to Embodiment 2. FIG.実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図１０（ｆ）の続きを示している。FIG. 10 is a diagram showing an example of a process for forming a contact probe according to Embodiment 2, and shows a continuation of FIG.実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図１１（ｅ）の続きを示している。FIG. 11 is a diagram showing an example of a process for forming a contact probe according to Embodiment 2, and shows a continuation of FIG.実施の形態３に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a process for forming a contact probe according to a third embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ コンタクトプローブ
２ コンタクト部
３ ビーム部
３１ 基板固定部
３２ 弾性変形部
４ 絶縁膜
４１ 絶縁性領域
５ プローブ下地膜
５１ プローブ下地領域
６ 電極膜
６１ 電極領域
７１ 第１レジスト層
７２ 第２レジスト層
７３ 第３レジスト層
７３ａ 第１開口部
７４ 第４レジスト層
７４ａ 第２開口部
７５ 第５レジスト層
７５ａ 第３開口部
８ 犠牲層
９１ プローブ金属層
９２ コンタクトチップ層
１００ プローブ装置
１０２ 検査対象物
１２１ 電極パッド
１０３ 可動ステージ
１０４ 駆動装置
１０５ 筐体
１０６ メイン基板
１６１ 外部端子
１６２ コネクタ
１０７ プローブ基板
１７１ 基板本体
１７２ 配線
１７３ 樹脂絶縁層
１７４ 穴
１０８ 連結部材
１１０ プローブカードDESCRIPTION OFSYMBOLS 1 Contact probe 2Contact part 3Beam part 31 Substrate fixing | fixedpart 32Elastic deformation part 4 Insulatingfilm 41 Insulating area |region 5Probe base film 51Probe base area 6Electrode film 61Electrode area 71 1st resistlayer 72 2nd resistlayer 731st 3 resistlayer 73a1st opening part 74 4th resistlayer 74a2nd opening part 75 5th resistlayer 75a3rd opening part 8sacrificial layer 91probe metal layer 92contact chip layer 100probe apparatus 102test object 121electrode pad 103Movable stage 104Drive device 105Housing 106Main board 161External terminal 162Connector 107Probe board 171Board body 172Wiring 173Resin insulating layer 174Hole 108 Connectingmember 110 Probe card

Claims (7)

Translated fromJapanese

絶縁性基板上に第１導電性材料からなる電極膜を形成することにより、絶縁性領域と隣接する電極領域を上記絶縁性基板上に形成する電極膜形成工程と、
上記電極膜上に第１導電性材料を電気めっきすることにより、上記絶縁性領域から立ち上がり、上記電極領域に向かって曲がる曲面を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、コンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、
上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。An electrode film forming step of forming an electrode region adjacent to the insulating region on the insulating substrate by forming an electrode film made of the first conductive material on the insulating substrate;
A sacrificial layer forming step of forming a sacrificial layer having a curved surface rising from the insulating region and bending toward the electrode region by electroplating a first conductive material on the electrode film;
A probe forming step of forming a contact probe by electroplating a second conductive material on the sacrificial layer;
A method for manufacturing a contact probe, comprising: a sacrificial layer removing step for removing the sacrificial layer. 互いに隣接する上記電極領域及び上記絶縁性領域を露出させる開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、
上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に犠牲層を形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。Comprising a resist forming step of forming a resist layer having an opening exposing the electrode region and the insulating region adjacent to each other;
The method for manufacturing a contact probe according to claim 1, wherein the sacrificial layer forming step forms a sacrificial layer in the opening from which the electrode region is exposed. 互いに隣接する上記犠牲層の上記曲面及び上記絶縁性領域を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、
上記プローブ形成工程は、上記曲面が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。A probe resist forming step of forming a probe forming resist layer having a long thin opening that exposes the curved surface and the insulating region of the sacrificial layer adjacent to each other;
The contact probe manufacturing method according to claim 1, wherein the probe forming step forms a contact probe in the opening where the curved surface is exposed. 上記電極膜形成工程は、導電性のプローブ下地膜を形成することにより、上記絶縁性基板の主面上に上記絶縁性領域を介して上記電極領域と隔てられたプローブ下地領域を形成し、
上記プローブ形成工程は、上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第２導電性材料を堆積させると共に、堆積した金属層を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第２導電性材料を堆積させることにより上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法。The electrode film forming step forms a probe base region separated from the electrode region via the insulating region on the main surface of the insulating substrate by forming a conductive probe base film.
The probe forming step includes depositing the second conductive material on the sacrificial layer by electroplating the second conductive material on the sacrificial layer, and the sacrificial layer and the 3. The contact probe according to claim 1, wherein the contact probe is formed by conducting a probe base film and depositing a second conductive material on the probe base film. Method. 上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記電極領域及び上記プローブ下地領域を露出させる細長い開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、
上記電極膜形成工程は、上記犠牲層を形成する導電性材料の電気めっき液及びエッチング液に溶けない導電性材料で上記プローブ下地膜を形成し、
上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に上記曲面を有する犠牲層を形成し、
上記プローブ形成工程は、上記犠牲層が形成された上記開口部内にコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブの製造方法。A resist forming step of forming a resist layer having an elongated opening exposing the electrode region and the probe base region provided across the insulating region;
In the electrode film forming step, the probe base film is formed of a conductive material that is insoluble in an electroplating solution and an etching solution of a conductive material that forms the sacrificial layer,
The sacrificial layer forming step forms a sacrificial layer having the curved surface in the opening where the electrode region is exposed,
The contact probe manufacturing method according to claim 4, wherein the probe forming step forms a contact probe in the opening in which the sacrificial layer is formed. 上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記犠牲層の上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、
上記プローブ形成工程は、上記曲面及び上記プローブ下地膜が露出する上記開口部内に上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブの製造方法。A probe resist forming step of forming a probe forming resist layer having the curved surface of the sacrificial layer provided across the insulating region and a long and narrow opening exposing the probe base film;
5. The method of manufacturing a contact probe according to claim 4, wherein the probe forming step forms the contact probe in the opening where the curved surface and the probe base film are exposed. 上記犠牲層除去工程は、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離することを特徴とする請求項６に記載のコンタクトプローブの製造方法。  In the sacrificial layer removing step, the probe base film formed under the contact probe is separated for each contact probe by partially removing the probe base film for conducting a plurality of the contact probes. The method of manufacturing a contact probe according to claim 6.

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