JP4759917B2

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Publication number: JP4759917B2
Application number: JP2003417458A
Authority: JP
Inventors: 智豊木下; 明彦浅野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-12-16
Filing date: 2003-12-16
Publication date: 2011-08-31
Anticipated expiration: 2023-12-16
Also published as: JP2005183414A

Description

本発明は、耐熱性の高い製造基板上に作製した後に実使用基板上に転写することが容易な薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、およびその薄膜デバイスを用いた液晶表示装置に関するものである。The present invention relates a method of manufacturing a easy thin film device to be transferred practically substrate after forming the high manufacturing heat-resistant substrate, a thin film device, andthe liquid crystal displayequipment using the thin film device is there.

近年、薄膜デバイスは、使用機器の小型化の影響を受けて、薄型化、軽量化、堅牢化に対する要求を受けている。しかしながら、薄膜デバイスは、高温、真空という環境で作製されるために、製造に使われる基板に制限がある。例えば、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置では、１０００℃の温度に耐える石英基板、５００℃の温度に耐えるガラス基板が使われている。これらの基板の薄型化も検討されているが、石英基板、ガラス基板を用いる限り、基板の剛性が低下することを考慮して基板サイズを縮小せざるを得ず、それによって生産性が低下する。また、基板が薄くなれば堅牢さも急激に低下するため、実用上の問題点となる。このように、製造基板に要求されている性能と実際に使用する際に求められている性能とが異なる。また、薄型、軽量、堅牢化が可能なプラスチック基板上に直接、薄膜トランジスタを作製しようという試みもあるが、耐熱温度の点から困難さが高い。 In recent years, thin film devices have been required to be thinner, lighter, and more robust due to the downsizing of equipment used. However, since a thin film device is manufactured in an environment of high temperature and vacuum, there are limitations on the substrate used for manufacturing. For example, in a liquid crystal display device using a thin film transistor, a quartz substrate that can withstand a temperature of 1000 ° C. and a glass substrate that can withstand a temperature of 500 ° C. are used. Although thinning of these substrates is also under consideration, as long as quartz substrates and glass substrates are used, the substrate size must be reduced in consideration of the decrease in substrate rigidity, thereby reducing productivity. . In addition, as the substrate becomes thinner, the robustness rapidly decreases, which is a practical problem. As described above, the performance required for the manufacturing substrate is different from the performance required for actual use. In addition, there is an attempt to manufacture a thin film transistor directly on a thin, lightweight, and robust plastic substrate, but the difficulty is high in terms of heat-resistant temperature.

そこで、耐熱温度の高い製造基板上に形成した薄膜デバイスを実使用基板に転写する技術が検討されている。転写する方法としては、剥離層を設けてデバイス作製後に剥離層から剥離する方法（例えば、特許文献１参照。）や、エッチングによりガラス基板を除去してしまう方法（例えば、特許文献２参照。）などが検討されている。 Therefore, a technique for transferring a thin film device formed on a production substrate having a high heat-resistant temperature to an actual use substrate has been studied. As a transfer method, a peeling layer is provided and a device is peeled off after the device is manufactured (for example, see Patent Document 1), or a glass substrate is removed by etching (for example, see Patent Document 2). Etc. are being considered.

特開平１０−１２５９３０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-125930特開２００３−６８９９５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-68995

膨張係数の高い通常のプラスチック基板に転写を行うと、薄膜層もしくは部分的に残っているガラスと、プラスチック基板の膨張係数が違うため、転写後に加熱すると、反ってしまうという問題がある。また、反った状態でさらに温度を上げると、薄膜層もしくは部分的に残っているガラスにクラックが入って破壊してしまうこともある。膨張係数の低いプラスチックには、２軸延伸ポリエチレンテレフタレートのように、延伸させて前後膨張係数を下げているものがあるが、その場合複屈折を持っている。液晶表示装置に使用する場合、偏光板により偏光された光が複屈折を持つ基板を通ると、直線偏光が楕円偏光または円偏光となり、液晶表示装置として正しく機能しなくなる。そのため、膨張係数が小さくても複屈折を持つプラスチック基板は、液晶表示装置には使用できないという問題点がある。 When transfer is performed on a normal plastic substrate having a high expansion coefficient, the expansion coefficient of the plastic substrate is different from that of the thin film layer or partially remaining glass, so that there is a problem that the film is warped when heated after transfer. Further, if the temperature is further raised in a warped state, the thin film layer or partially remaining glass may crack and break. Some plastics having a low expansion coefficient, such as biaxially stretched polyethylene terephthalate, are drawn to lower the expansion coefficient in the front-rear direction. In this case, the plastic has birefringence. When used in a liquid crystal display device, when the light polarized by the polarizing plate passes through a substrate having birefringence, the linearly polarized light becomes elliptically polarized light or circularly polarized light and does not function correctly as a liquid crystal display device. Therefore, there is a problem that a plastic substrate having birefringence even if the expansion coefficient is small cannot be used for a liquid crystal display device.

本発明の薄膜デバイスの製造方法は、第１基板上にトランジスタを含む薄膜デバイス層を形成した後に薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板に、第２接着層を介して偏光板としての第３基板を接着する工程と、第２基板を分離または除去する工程とを備えた薄膜デバイスの製造方法において、第３基板として、薄膜デバイス層側から順に、偏光子と、線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であると共に複屈折を有する支持体とを有するものを用いるものである。Method of manufacturing a thin film device of the present invention, via the after formingthe thin film device layerincluding a transistor on the first substrate through a first adhesive layer onthe thin film device layer or coating layer and the first adhesive layer Te and bonding a second substrate, a chemical treatment and mechanical polishing treatment and the step of completely or partially separated or removedfirst substrateRi by the step of including at least one processing of the ultraviolet irradiationtreatment, a thin filmthe first substrate leaving the device layer first substrate side or partially has been formed, the separation or removal and bondinga thirdsubstrate as a polarizing plate through a second adhesivelayer, asecond substrate In the thin film device manufacturing method comprising the steps of: athird substrate having, in order from the thin film device layer side, a polarizer and a support having a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less and birefringence The It is those who are.

本発明の薄膜デバイスは、第１基板上にトランジスタを含む薄膜デバイス層を形成した後に薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板に、第２接着層を介して偏光板としての第３基板を接着する工程と、第２基板を分離または除去する工程とにより製造される薄膜デバイスにおいて、第３基板が、薄膜デバイス層側から順に、偏光子と、線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であると共に複屈折を有する支持体とを有するものである。Thin film device of the present invention, the via after formingthe thin film device layerincluding a transistor on the first substrate through a first adhesive layer onthe thin film device layer or the covering layer and the first adhesive layer 2 a step of bonding the substrate, the chemical treatment and mechanical polishing treatment and the step of completely or partially separated or removedfirst substrateRi by the step of including at least one processing of the ultraviolet irradiationtreatment, thethin film device layerthe first substrate leaving first the substrate side or in part been formed, a step of bondingthe thirdsubstrate as a polarizing plate through a second adhesivelayer, and separating or removing thesecond substrate In the thin film device manufactured by the above,the third substrate has, in order from the thin film device layer side, a polarizer and a support having a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less and birefringence.

本発明の液晶表示装置は、第１基板上にトランジスタを含む薄膜デバイス層を形成した後に薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板に、第２接着層を介して偏光板としての第３基板を接着する工程と、第２基板を分離または除去する工程とにより製造される薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、第３基板が、薄膜デバイス層側から順に、偏光子と、線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であると共に複屈折を有する支持体とを有するものである。The liquid crystal display device of the present invention, first through the first afterthe formation of the thin film device layerincluding a transistor over a substrate through a first adhesive layer onthe thin film device layer or the covering layer and the first adhesive layer and bonding a second substrate, a chemical treatment and mechanical polishing treatment and the step of completely or partially separated or removedfirst substrateRi by the step of including at least one processing of the ultraviolet irradiationtreatment, the thin film device layerthe first first substrate in which the substrate is left at the side or in part been formed, and bondinga thirdsubstrate as a polarizing plate through a second adhesivelayer, separating or removing thesecond substrate In the liquid crystal display device using the thin film device manufactured by the above,the third substrate includes, in order from the thin film device layer side, a polarizer and a support having a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less and birefringence. Have too It is.

本発明の薄膜デバイスの製造方法は、第３基板の線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるため、転写後の耐熱性をあげることができる。また、複屈折を持つ基板であっても、偏光子を薄膜デバイス側に設けることによって、液晶表示装置にも使用できるようになる。よって、安価な複屈折を持つ基板を用いることができるようになるため、製造コストの低減が可能となるという利点がある。 In the method for producing a thin film device of the present invention, since the linear expansion coefficient of the third substrate is 20 ppm / K or less, the heat resistance after transfer can be increased. Further, even a substrate having birefringence can be used for a liquid crystal display device by providing a polarizer on the thin film device side. Therefore, an inexpensive substrate having birefringence can be used, and there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

本発明の薄膜デバイスは、本発明の薄膜デバイスの製造方法により製造された薄膜デバイスであるため、安価な複屈折を持つ基板を用いることができるようになるため、製造コストの低減が可能となるという利点がある。 Since the thin film device of the present invention is a thin film device manufactured by the method of manufacturing a thin film device of the present invention, an inexpensive substrate having birefringence can be used, so that the manufacturing cost can be reduced. There is an advantage.

本発明の液晶表示装置は、本発明の薄膜デバイスを用いるため、上記薄膜デバイスの作用効果を得ることができるという利点がある。Liquid crystal displayequipment of the presentinvention, since a thin film device of the present invention is advantageous in that it has the advantages of the thin film device.

安価な複屈折を持つ基板を用いることができるようにして、製造コストの低減を可能にするという目的を、線膨張係数が低い第３基板を用いることで実現した。 The purpose of making it possible to use an inexpensive substrate having birefringence and reducing the manufacturing cost is realized by using a third substrate having a low linear expansion coefficient.

すなわち、図１に示すように、第１基板（図示せず）上に薄膜デバイス層１２１を形成した後に薄膜デバイス層１２１上に第１接着層（図示せず）を介して第２基板（図示せず）を接着する。その後、第１基板を分離または除去した後、薄膜デバイス層１２１の第１基板が形成されていた側を、第２接着層１２６を介して第３基板１２７に接着し、第２基板を分離または除去する。このような薄膜デバイスの製造工程において、薄膜デバイス層１２１が転写される第３基板１２７の構成体である支持体１２９として、線膨張係数の低い、例えば線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるプラスチック基板（もしくは金属基板）を使用する。そして、複屈折を持つようなプラスチック基板を液晶表示装置に使用する場合には、図示したように、第３基板１２７に偏光子１２８と複屈折を持つプラスチックからなる支持体１２９とを一体化させたものを使用し、偏光子１２８を薄膜デバイス層１２１側に貼り付ける。このことによって、複屈折を持つ支持体１２９は、偏光子１２８よりも外側にあるため、光が偏光子１２８を通過した後には影響を与えない。 That is, as shown in FIG. 1, after forming a thinfilm device layer 121 on a first substrate (not shown), a second substrate (shown) is formed on the thinfilm device layer 121 via a first adhesive layer (not shown). Adhere (not shown). Thereafter, after separating or removing the first substrate, the side on which the first substrate of the thinfilm device layer 121 is formed is adhered to thethird substrate 127 via the secondadhesive layer 126, and the second substrate is separated or separated. Remove. In such a thin film device manufacturing process, thesupport 129 that is a constituent of thethird substrate 127 onto which the thinfilm device layer 121 is transferred has a low linear expansion coefficient, for example, a plastic having a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less Use a substrate (or metal substrate). When a plastic substrate having birefringence is used for the liquid crystal display device, as shown in the drawing, thepolarizer 128 and thesupport 129 made of plastic having birefringence are integrated with thethird substrate 127. Apolarizer 128 is attached to the thinfilm device layer 121 side. As a result, thesupport 129 having birefringence is outside thepolarizer 128, and therefore has no effect after the light passes through thepolarizer 128.

本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を、図２〜図５の製造工程断面図によって説明する。本実施例では、プラスチック基板を用いた液晶用のアクティブ基板を作製した。 A thin film device manufacturing method, a thin film device and a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to manufacturing process cross-sectional views of FIGS. In this example, an active substrate for liquid crystal using a plastic substrate was produced.

まず、薄膜デバイス層の形成方法を図２によって説明する。図２に示すように、第１基板１０１上に、後に行うフッ酸によるエッチングにおける第１基板１０１の保護層１０２を形成する。上記第１基板１０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層１０２は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えばモリブデン（Ｍｏ）層を用い、例えば５００ｎｍの厚さに形成した。今回、モリブデン層の膜厚を５００ｎｍとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。この保護層１０２は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層１０３を形成する。この絶縁層１０３は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ₂）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。この絶縁層１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。First, a method for forming a thin film device layer will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, aprotective layer 102 of thefirst substrate 101 is formed on thefirst substrate 101 in a subsequent etching with hydrofluoric acid. As thefirst substrate 101, a glass substrate having a thickness of about 0.4 mm to 1.1 mm, for example, 0.7 mm is used. A quartz substrate may be used instead of the glass substrate. Theprotective layer 102 is formed using a material that can withstand hydrofluoric acid. For example, a molybdenum (Mo) layer is used, and theprotective layer 102 is formed to a thickness of, for example, 500 nm. Although the thickness of the molybdenum layer is 500 nm this time, there is no problem even if the thickness is appropriately changed as long as it can withstand hydrofluoric acid. Theprotective layer 102 can be formed by sputtering, for example. Thereafter, theinsulating layer 103 is formed. Theinsulating layer 103 is formed, for example, by forming a silicon oxide (SiO₂ ) film to a thickness of 500 nm. Theinsulating layer 103 can be formed by, for example, a plasma CVD method.

その後は、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。 Thereafter, general low-temperature polysilicon technology, for example, “2003 FPD Technology Encyclopedia” (published on March 25, 2003, p.166-183 and p.198-201), “'99 latest liquid crystal process technology” (Press Journal 1998, p. 53-59), “Flat Panel Display 1999” (Nikkei Business Publications, 1998, p. 132-139), etc. A thin film device layer including a TFT was formed by a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) process. An example of a method for forming the thin film device layer will be described below.

まず、第１基板１０１上に保護層１０２を介して形成された絶縁層１０３上にゲート電極１０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極１０４に形成した。このゲート電極１０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極１０４上を被覆するようにゲート絶縁膜１０５を形成した。ゲート絶縁膜１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、または酸化珪素（ＳｉＯ₂）層と窒化珪素（ＳｉＮ_x）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。First, a conductive film for forming thegate electrode 104 was formed over the insulatinglayer 103 formed over thefirst substrate 101 with theprotective layer 102 interposed therebetween. For example, a molybdenum (Mo) film having a thickness of 100 nm was used as the conductive film. As a method for forming the molybdenum film, for example, a sputtering method was used. Then, the conductive film was formed on thegate electrode 104. Thegate electrode 104 was formed by patterning using a general photolithography technique and etching technique. Next, agate insulating film 105 was formed so as to cover thegate electrode 104. Thegate insulating film 105 is formed of, for example, a silicon oxide (SiO₂ ) layer or a stacked body of a silicon oxide (SiO₂ ) layer and a silicon nitride (SiN_x ) layer by a plasma CVD method. Further, an amorphous silicon layer (thickness 30 nm to 100 nm) was continuously formed.

この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層１０６を形成し、その両側にｎ^-型ドープ領域からなるポリシリコン層１０７、ｎ⁺型ドープ領域からなるポリシリコン層１０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層１０６上にはｎ^-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層１０９を形成した。このストッパー層１０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ₂）層で形成した。This amorphous silicon layer was irradiated with a XeCl excimer laser pulse having a wavelength of 308 nm and melted and recrystallized to produce a crystalline silicon layer (polysilicon layer). Using this polysilicon layer, apolysilicon layer 106 serving as a channel formation region was formed, and apolysilicon layer 107 consisting of an n⁻ type doped region and apolysilicon layer 108 consisting of an n⁺ type doped region were formed on both sides thereof. . Thus, the active region has an LDD (Lightly Doped Drain) structure for achieving both a high on-current and a low off-current. Astopper layer 109 was formed on thepolysilicon layer 106 to protect the channel when n⁻ -type phosphorus ions were implanted. Thestopper layer 109 is formed of, for example, a silicon oxide (SiO₂ ) layer.

さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、または酸化珪素（ＳｉＯ₂）層と窒化珪素（ＳｉＮ_x）層との積層体からなるパッシベーション膜１１０を形成した。このパッシベーション膜１１０上に、各ポリシリコン層１０８に接続するソース電極１１１およびドレイン電極１１２を形成した。各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。Further, apassivation film 110 made of a silicon oxide (SiO₂ ) layer or a laminate of a silicon oxide (SiO₂ ) layer and a silicon nitride (SiN_x ) layer was formed by plasma CVD. Asource electrode 111 and adrain electrode 112 connected to eachpolysilicon layer 108 were formed on thepassivation film 110. Each of thesource electrode 111 and thedrain electrode 112 is formed of a conductive material such as aluminum, an aluminum alloy, or a refractory metal.

各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２形成した後、カラーフィルター１１３を形成した。カラーフィルター１１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター１１３には、ソース電極１１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール１１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜１１４を形成した。保護膜１１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜１１４には、ソース電極１１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール１１４Ｃを形成した。その後、ソース電極１１１に接続する画素電極１１５を形成した。この画素電極１１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。 After forming eachsource electrode 111 anddrain electrode 112, acolor filter 113 was formed. Thecolor filter 113 was formed by applying a color resist on the entire surface and then patterning with a lithography technique. Acontact hole 113C is formed in thecolor filter 113 so that thesource electrode 111 and a liquid crystal driving electrode to be formed later are connected. This color filter forming step was performed three times to form three colors of RGB (red, green, and blue). Next, aprotective film 114 was formed for planarization. Theprotective film 114 is made of, for example, a polymethylmethacrylic acid resin. Acontact hole 114C is formed in theprotective film 114 so that thesource electrode 111 and the liquid crystal driving electrode are connected. Thereafter, apixel electrode 115 connected to thesource electrode 111 was formed. Thepixel electrode 115 is formed of a transparent electrode, for example. The transparent electrode is formed of indium tin oxide (ITO), for example, and a sputtering method is used as the formation method.

以上の工程により、第１基板１０１上に透過型のアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。 Through the above steps, a transmissive active matrix substrate was fabricated on thefirst substrate 101. In addition, a bottom gate type polysilicon TFT is manufactured this time, but the same can be applied to a top gate type polysilicon TFT or an amorphous TFT.

次に、第１基板１０１上の薄膜デバイス層１２１をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。 Next, a process of transferring the thinfilm device layer 121 on thefirst substrate 101 onto the plastic substrate will be described.

図３（１）に示すように、第１基板１０１上に保護層１０２、絶縁層１０３、薄膜デバイス層１２１を形成したものをホットプレート１２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤１２３を厚さ１ｍｍ程度に塗布し、第２基板１２４を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板１２４には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板１２４にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板１２４上に第１接着剤１２３を塗布して、その上に保護層１０２から薄膜デバイス層１２１が形成された第１基板１０１の薄膜デバイス層１２１側を載せてもよい。上記第１接着剤１２３には、例えばホットメルト接着剤を用いた。 As shown in FIG. 3 (1), the first bonding is performed while heating theprotective layer 102, the insulatinglayer 103, and the thinfilm device layer 121 on thefirst substrate 101 to 80 ° C. to 140 ° C. with ahot plate 122. Theagent 123 was applied to a thickness of about 1 mm, thesecond substrate 124 was placed on top, and cooled to room temperature while being pressurized. As thesecond substrate 124, for example, a molybdenum substrate having a thickness of 1 mm was used. Alternatively, a glass substrate may be used for thesecond substrate 124. Alternatively, thefirst adhesive 123 may be applied on thesecond substrate 124 and the thinfilm device layer 121 side of thefirst substrate 101 on which the thinfilm device layer 121 is formed from theprotective layer 102 may be placed thereon. As thefirst adhesive 123, for example, a hot melt adhesive was used.

次に、図３（２）に示すように、第２基板１２４を貼り付けた第１基板１０１をフッ酸（ＨＦ）１２５に浸漬して、第１基板１０１のエッチングを行った。このエッチングは、保護層１０２である酸化アルミニウム層がフッ酸１２５にエッチングされないため、このエッチングは保護層１０２で自動的に停止する。ここで用いたフッ酸１２５は、一例として、重量濃度が５０％のもので、このエッチング時間は３．５時間とした。フッ酸１２５の濃度とエッチング時間は、第１基板１０１のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。 Next, as shown in FIG. 3B, thefirst substrate 101 to which thesecond substrate 124 was attached was immersed in hydrofluoric acid (HF) 125, and thefirst substrate 101 was etched. This etching is automatically stopped at theprotective layer 102 because the aluminum oxide layer which is theprotective layer 102 is not etched by thehydrofluoric acid 125. As an example, thehydrofluoric acid 125 used here has a weight concentration of 50%, and this etching time was 3.5 hours. The concentration and etching time of thehydrofluoric acid 125 can be changed as long as the glass of thefirst substrate 101 can be completely etched.

上記フッ化水素酸１２５によるエッチングの結果、図４（３）に示すように、第１基板１０１〔前記図３（２）参照〕が完全にエッチングされ、保護層１０２が露出される。 As a result of the etching withhydrofluoric acid 125, as shown in FIG. 4C, the first substrate 101 [see FIG. 3B] is completely etched, and theprotective layer 102 is exposed.

次に、混酸〔例えば、リン酸（Ｈ₃ＰＯ₄）７２wt％と硝酸（ＨＮＯ₃）３wt％と酢酸（ＣＨ₃ＣＯＯＨ）１０wt％〕により、保護層１０２〔前記図４（３）参照〕であるモリブデン層（厚さ：５００ｎｍ）をエッチングした。これは、透過型の液晶パネルを作製するために、不透明なモリブデン層があると問題となるためである。上記混酸で５００ｎｍの厚さのモリブデン層をエッチングするのに必要な時間は約１分である。このエッチングの結果、図４（４）に示すように、この混酸は第１絶縁層１０３である酸化珪素をエッチングしないため、第１絶縁層１０３で自動的にエッチングが停止する。Next, a mixed layer (for example, 72 wt% phosphoric acid (H₃ PO₄ ),₃ wt% nitric acid (HNO₃ ), and 10 wt% acetic acid (CH₃ COOH)) is used to form the protective layer 102 (see FIG. 4 (3)). A molybdenum layer (thickness: 500 nm) was etched. This is because there is a problem if there is an opaque molybdenum layer in order to manufacture a transmissive liquid crystal panel. The time required to etch a 500 nm thick molybdenum layer with the mixed acid is about 1 minute. As a result of this etching, as shown in FIG. 4 (4), this mixed acid does not etch the silicon oxide that is the first insulatinglayer 103, so that the etching automatically stops at the first insulatinglayer 103.

次に、図４（５）に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層１２１の裏面側、すなわち絶縁層１０３表面に、第２接着層１２６を形成した。第２接着層１２６には例えば紫外線硬化型接着剤を用いた。 Next, as shown in FIG. 4 (5), after the etching, a secondadhesive layer 126 was formed on the back side of the thinfilm device layer 121, that is, on the surface of the insulatinglayer 103. For the secondadhesive layer 126, for example, an ultraviolet curable adhesive was used.

続けて、上記第２接着層１２６に第３基板１２７となる偏光板を貼り付けた。上記偏光板は、ヨウ素をＰＶＡ（ポリビニアルアルコール）フィルム（例えば、厚さが１５μｍ）に吸収させた後、このフィルムを一軸延伸させ偏光子１２８とし、偏光子１２８の片側に支持体１２９が張り合わされている。この支持体１２９は、例えば２軸延伸ポリエチレンナフレート（ＰＥＮ）フィルム１２８（例えば、厚さが０．２ｍｍ）を使用した。このＰＥＮフィルムの線膨張係数は１３ｐｐｍ／Ｋである。このように、第３基板１２７は、薄膜デバイス層１２１側に設けられた偏光子１２８と、薄膜デバイス層１２１の外側に偏光子１２８を介して外側に設けられた支持体１２９とからなる。 Subsequently, a polarizing plate to be thethird substrate 127 was attached to the secondadhesive layer 126. In the polarizing plate, iodine is absorbed in a PVA (polyvinyl alcohol) film (for example, 15 μm in thickness), and then the film is uniaxially stretched to form apolarizer 128. Asupport 129 is provided on one side of thepolarizer 128. It is stuck together. As thissupport 129, for example, a biaxially stretched polyethylene naphthalate (PEN) film 128 (for example, a thickness of 0.2 mm) was used. The linear expansion coefficient of this PEN film is 13 ppm / K. As described above, thethird substrate 127 includes thepolarizer 128 provided on the thinfilm device layer 121 side, and thesupport 129 provided outside the thinfilm device layer 121 via thepolarizer 128.

次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層１２３〔前記図３（１）参照〕を溶かして第２基板１２４〔前記図３（１）参照〕を外した。その結果、図５（６）に示すように、支持体１２９と偏光子１２８とからなる第３基板１２７上に第２接着層１２６、絶縁層１０３を介して薄膜デバイス層１２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）１００を得た。 Next, the substrate is dipped in alcohol (not shown), and the first adhesive layer 123 (see FIG. 3 (1)) made of a hot-melt adhesive is melted to form the second substrate 124 (see FIG. 3 (1)). ))] Was removed. As a result, as shown in FIG. 5 (6), a thin film device in which a thinfilm device layer 121 is placed on athird substrate 127 composed of asupport 129 and apolarizer 128 via a secondadhesive layer 126 and an insulatinglayer 103. (Active substrate) 100 was obtained.

次に、対向基板の製造例を、図６の概略構成断面図によって説明する。 Next, an example of manufacturing the counter substrate will be described with reference to a schematic cross-sectional view of FIG.

図６に示すように、対向基板１３０として、上記第３基板１２７（偏光板）と同様なる構造の偏光板を用いた。すなわち、対向基板１３０は、０．２ｍｍ厚の２軸延伸ＰＥＮフィルムからなる支持体１３２上に偏光子１３３を貼り合わせた偏光板を用いるもので、さらに上記偏光子１３３側の全面に透明電極１３４を形成したものである。この透明電極１３４には、例えばＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）を用いた。このＩＴＯ膜は、例えばスパッタ法により成膜した。 As shown in FIG. 6, a polarizing plate having a structure similar to that of the third substrate 127 (polarizing plate) was used as thecounter substrate 130. That is, thecounter substrate 130 uses a polarizing plate in which apolarizer 133 is bonded to asupport body 132 made of a biaxially stretched PEN film having a thickness of 0.2 mm. Further, atransparent electrode 134 is formed on the entire surface on thepolarizer 133 side. Is formed. For example, ITO (indium tin oxide) was used for thetransparent electrode 134. This ITO film was formed by sputtering, for example.

次に、図示はしないが、上記対向基板１３０とアクティブ基板１００とに配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布し、ラビング処理を行う配向処理を行った。 Next, although not shown, an alignment film (for example, a polyimide film) is applied to thecounter substrate 130 and theactive substrate 100, and an alignment process is performed to perform a rubbing process.

次に、図７に示すように、アクティブ基板１００にはシール剤（図示せず）を塗布し、対向基板１３０には多数のスペーサー１３５を散布した。 Next, as shown in FIG. 7, a sealant (not shown) was applied to theactive substrate 100, and a number ofspacers 135 were dispersed on thecounter substrate 130.

そして、アクティブ基板１００と対向基板１３０とを張り合わせた後、例えば１ｋｇ／ｃｍ²で加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次に、レーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネルを作製した。Then, after theactive substrate 100 and thecounter substrate 130 were bonded together, the sealing agent was cured by irradiating with ultraviolet rays while being pressurized at, for example, 1 kg / cm² . Next, after cutting into the size of the panel by laser processing, liquid crystal was injected from the injection port, the injection port was covered with a mold resin, and the mold resin was cured to produce a liquid crystal display panel.

上記工程により作製した液晶表示パネルは、基板となる支持体１２９、１３２の線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下と低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。比較のため、異なる線膨張係数のプラスチック基板に転写した薄膜デバイスの耐熱性を図８に示す。図８は、縦軸に耐熱温度を示し、横軸に線膨張係数を示す。また、耐熱温度は、基板を反らないように固定したまま昇温した場合に、クラックの入らない温度の上限を示している。 In the liquid crystal display panel manufactured by the above process, since the linear expansion coefficient of thesupports 129 and 132 serving as the substrates is as low as 20 ppm / K or less, cracks and the like do not occur even when the temperature is increased. For comparison, the heat resistance of a thin film device transferred to a plastic substrate having a different linear expansion coefficient is shown in FIG. In FIG. 8, the vertical axis represents the heat resistant temperature, and the horizontal axis represents the linear expansion coefficient. The heat-resistant temperature indicates the upper limit of the temperature at which cracks do not occur when the temperature is raised while fixing the substrate so as not to warp.

図８から分かるように、液晶用基板としては、通常耐熱温度として１００℃以上が必要であるため、基板の線膨張係数としては２０ｐｐｍ／Ｋが必要となることがわかる。また、２軸延伸させたＰＥＮフィルムは複屈折を持っているが、偏光子１２８、１３３がＰＥＮフィルムからなる支持体１２９、１３２よりも内部側にあるため、複屈折を漏っていることは問題とならない。なお、上記構造を第３基板１２７上に直接形成しようとした場合には、偏光子の耐熱温度が低いため、ＴＦＴを形成することは難しい。 As can be seen from FIG. 8, the liquid crystal substrate usually needs to have a heat resistant temperature of 100 ° C. or higher, and thus the substrate needs a linear expansion coefficient of 20 ppm / K. Moreover, although the biaxially stretched PEN film has birefringence, since thepolarizers 128 and 133 are on the inner side of thesupports 129 and 132 made of the PEN film, the birefringence is leaked. It doesn't matter. Note that in the case where the above structure is directly formed on thethird substrate 127, it is difficult to form a TFT because the heat-resistant temperature of the polarizer is low.

上記第１実施例では、第３基板１２７を構成する支持体１２９の線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるため、薄膜デバイス層１２１をプラスチック基板である第３基板１２７に転写した後の耐熱性を高めることができる。また、複屈折を持つプラスチックの第３基板１２７（実質は支持体１２９）であっても、偏光子１２８を薄膜デバイス層１２１側に設けることによって、液晶表示装置にも使用できるようになる。よって、安価な複屈折を持つ基板を用いることができるようになるため、製造コストの低減が可能となるという利点がある。 In the first embodiment, since the linear expansion coefficient of thesupport 129 constituting thethird substrate 127 is 20 ppm / K or less, the heat resistance after the thinfilm device layer 121 is transferred to thethird substrate 127 which is a plastic substrate. Can be increased. Further, even when the plastic third substrate 127 (substantially the support 129) having birefringence is provided on the thinfilm device layer 121 side, thepolarizer 128 can be used for a liquid crystal display device. Therefore, an inexpensive substrate having birefringence can be used, and there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第２実施例を、図９〜図１３の製造工程断面図によって説明する。第２実施例では、金属基板上に反射型液晶用のアクティブ基板を作製した。 A manufacturing method of a thin film device and a second embodiment of the thin film device and liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to manufacturing process sectional views of FIGS. In the second example, an active substrate for reflective liquid crystal was produced on a metal substrate.

まず、薄膜デバイス層の形成方法を図９によって説明する。図９に示すように、第１基板２０１上に、第１基板２０１のアモルファスシリコン層２０２を形成する。上記第１基板１０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。また上記アモルファスシリコン層２０２の膜厚は、例えば１００ｎｍとした。この膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍが望ましい。アモルファスシリコン層２０２の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法を用いた。プラズマＣＶＤ法では、アモルファスシリコン層２０２中に、水素を多く含むように、また製造途中で薄膜デバイス層が剥がれない限りの低温が望ましい。今回は１５０℃にて成膜を行った。また、低圧ＣＶＤ法、大気圧ＣＶＤ法、ＥＣＲ法、スパッタ法によりアモルファスシリコン層２０２を成膜しても問題はない。 First, a method for forming a thin film device layer will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 9, anamorphous silicon layer 202 of thefirst substrate 201 is formed on thefirst substrate 201. As thefirst substrate 101, a glass substrate having a thickness of about 0.4 mm to 1.1 mm, for example, 0.7 mm is used. A quartz substrate may be used instead of the glass substrate. The film thickness of theamorphous silicon layer 202 is, for example, 100 nm. This film thickness is desirably 10 nm to 500 nm. A plasma CVD method was used as a method for forming theamorphous silicon layer 202. In the plasma CVD method, a low temperature is desirable so that theamorphous silicon layer 202 contains a large amount of hydrogen and as long as the thin film device layer is not peeled off during manufacturing. This time, the film was formed at 150 ° C. There is no problem even if theamorphous silicon layer 202 is formed by low pressure CVD, atmospheric pressure CVD, ECR, or sputtering.

次いで、上記アモルファスシリコン層２０２上に保護絶縁層２０３を成膜する。この保護絶縁層２０３は、例えば１００ｎｍの厚さに形成した。この保護絶縁層２０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。 Next, a protectiveinsulating layer 203 is formed over theamorphous silicon layer 202. The protectiveinsulating layer 203 is formed with a thickness of 100 nm, for example. The protectiveinsulating layer 203 can be formed by a plasma CVD method, for example.

まず、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２を介して形成された保護絶縁層２０３上にゲート電極２０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極２０４に形成した。このゲート電極２０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極２０４上を被覆するようにゲート絶縁膜２０５を形成した。ゲート絶縁膜２０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、または酸化珪素（ＳｉＯ₂）層と窒化珪素（ＳｉＮ_x）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。First, a conductive film for forming thegate electrode 204 was formed over the protective insulatinglayer 203 formed over thefirst substrate 201 with theamorphous silicon layer 202 interposed therebetween. For example, a molybdenum (Mo) film having a thickness of 100 nm was used as the conductive film. As a method for forming the molybdenum film, for example, a sputtering method was used. Then, the conductive film was formed on thegate electrode 204. Thegate electrode 204 was formed by patterning using a general photolithography technique and etching technique. Next, agate insulating film 205 was formed so as to cover thegate electrode 204. Thegate insulating film 205 is formed of a silicon oxide (SiO₂ ) layer or a stacked body of a silicon oxide (SiO₂ ) layer and a silicon nitride (SiN_x ) layer, for example, by plasma CVD. Further, an amorphous silicon layer (thickness 30 nm to 100 nm) was continuously formed.

この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層２０６を形成し、その両側にｎ^-型ドープ領域からなるポリシリコン層２０７、ｎ⁺型ドープ領域からなるポリシリコン層２０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層２０６上にはｎ^-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層２０９を形成した。このストッパー層２０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ₂）層で形成した。This amorphous silicon layer was irradiated with a XeCl excimer laser pulse having a wavelength of 308 nm and melted and recrystallized to produce a crystalline silicon layer (polysilicon layer). Using this polysilicon layer, apolysilicon layer 206 serving as a channel formation region was formed, and apolysilicon layer 207 composed of an n⁻ type doped region and apolysilicon layer 208 composed of an n⁺ type doped region were formed on both sides thereof. . Thus, the active region has an LDD (Lightly Doped Drain) structure for achieving both a high on-current and a low off-current. Astopper layer 209 is formed on thepolysilicon layer 206 to protect the channel when n⁻ type phosphorus ions are implanted. Thestopper layer 209 is formed of a silicon oxide (SiO₂ ) layer, for example.

さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、または酸化珪素（ＳｉＯ₂）層と窒化珪素（ＳｉＮ_x）層との積層体からなるパッシベーション膜２１０を形成した。このパッシベーション膜２１０上に、各ポリシリコン層２０８に接続するソース電極２１１およびドレイン電極２１２を形成した。各ソース電極２１１およびドレイン電極２１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。Further, apassivation film 210 made of a silicon oxide (SiO₂ ) layer or a laminate of a silicon oxide (SiO₂ ) layer and a silicon nitride (SiN_x ) layer was formed by plasma CVD. Asource electrode 211 and adrain electrode 212 connected to eachpolysilicon layer 208 were formed on thepassivation film 210. Each of thesource electrode 211 and thedrain electrode 212 is formed of a conductive material such as aluminum, an aluminum alloy, or a refractory metal.

ソース電極２１１およびドレイン電極２１２形成した後、素子を保護するためと平坦化を行うために保護層２１３を形成した。保護層２１３は、例えばポリメチルメタクリル樹脂系の材料で形成される。そして、保護層２１３は、次工程で保護層２１３上に形成される反射層表面に凹凸が形成されるように、上記保護層２１３表面が凹凸となるように形成される。次いで、通常のコンタクトホールの形成技術によって、保護膜２１３に、ソース電極２１１と後に形成される液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール２１３Ｃを形成した。その後、上記保護層２１３表面およびコンタクトホール２１３Ｃ内面に、反射層２１４を形成した。この反射層２１４は、例えばスパッタリングによって銀（Ａｇ）を堆積して形成した。 After forming thesource electrode 211 and thedrain electrode 212, aprotective layer 213 was formed to protect the element and to perform planarization. Theprotective layer 213 is formed of, for example, a polymethyl methacrylic resin material. Theprotective layer 213 is formed so that the surface of theprotective layer 213 is uneven so that the surface of the reflective layer formed on theprotective layer 213 is uneven in the next step. Next, acontact hole 213C was formed by a normal contact hole forming technique so that thesource electrode 211 and a liquid crystal driving electrode formed later were connected to theprotective film 213. Thereafter, areflective layer 214 was formed on the surface of theprotective layer 213 and the inner surface of thecontact hole 213C. Thereflective layer 214 was formed by depositing silver (Ag) by sputtering, for example.

上記反射層２１４を形成後、カラーフィルター２１５を形成した。これは、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。次いで、カラーフィルター２１５に、ソース電極２１１と後に形成される液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール２１５Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。 After forming thereflective layer 214, acolor filter 215 was formed. This was formed by applying a color resist on the entire surface and then patterning with a lithography technique. Next, acontact hole 215 </ b> C was formed so that thesource electrode 211 and a liquid crystal driving electrode to be formed later were connected to thecolor filter 215. This color filter forming step was performed three times to form three colors of RGB (red, green, and blue).

その後、上記カラーフィルター２１５表面およびコンタクトホール２１５Ｃ内面に画素電極２１６を形成した。この画素電極２１６は、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）を、例えばスパッタリングによって堆積して形成した。したがって、画素電極２１６はソース電極２１１に接続して形成される。 Thereafter,pixel electrodes 216 were formed on the surface of thecolor filter 215 and the inner surface of thecontact hole 215C. Thepixel electrode 216 is formed by depositing, for example, indium tin oxide (ITO) by sputtering, for example. Accordingly, thepixel electrode 216 is formed to be connected to thesource electrode 211.

以上の工程により、ガラス基板からなる第１基板２０１上にアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。 Through the above steps, an active matrix substrate was produced on thefirst substrate 201 made of a glass substrate. In addition, a bottom gate type polysilicon TFT is manufactured this time, but the same can be applied to a top gate type polysilicon TFT or an amorphous TFT.

次に、第１基板２０１上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。 Next, a process of transferring the thin film device layer on thefirst substrate 201 onto the plastic substrate will be described.

図１０（１）に示すように、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２、保護絶縁層２０３、薄膜デバイス層２２１を形成したものをホットプレート（図示せず）で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤２２２を塗布し、第２基板２２３を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板２２３には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板２２３にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板２２３上に第１接着剤２２２を塗布して、その上にアモルファスシリコン層２０２から薄膜デバイス層２２１までが形成された第１基板２０１の薄膜デバイス層２２１側を載せてもよい。上記第１接着剤２２２には、例えばホットメルト接着剤を用いた。 As shown in FIG. 10A, theamorphous silicon layer 202, the protective insulatinglayer 203, and the thinfilm device layer 221 formed on thefirst substrate 201 are heated to 80 ° C. to 140 ° C. with a hot plate (not shown). Then, thefirst adhesive 222 was applied, thesecond substrate 223 was placed on top, and cooled to room temperature while being pressurized. As thesecond substrate 223, for example, a molybdenum substrate having a thickness of 1 mm was used. Alternatively, a glass substrate may be used for thesecond substrate 223. Alternatively, thefirst adhesive 222 may be applied on thesecond substrate 223, and the thinfilm device layer 221 side of thefirst substrate 201 on which theamorphous silicon layer 202 to the thinfilm device layer 221 are formed may be placed thereon. . For thefirst adhesive 222, for example, a hot melt adhesive was used.

次に、ガラス基板からなる第１基板２０１側から紫外線レーザー光を照射した。ガラスは紫外線レーザーを透過させるため、レーザー光は、アモルファスシリコン層２０２で吸収される。アモルファスシリコン層２０２に紫外線が吸収されると水素が発生し、アモルファスシリコン層２０２を境として薄膜デバイス層２２１と第１基板２０１との分離が起きる。この技術の詳細は、特開平１０−１２５９３０号公報に開示されている。その結果、図１０（２）に示すように、保護絶縁層２０３が露出された。 Next, ultraviolet laser light was irradiated from thefirst substrate 201 side made of a glass substrate. Since glass transmits an ultraviolet laser, the laser light is absorbed by theamorphous silicon layer 202. When theamorphous silicon layer 202 absorbs ultraviolet rays, hydrogen is generated, and the thinfilm device layer 221 and thefirst substrate 201 are separated from each other with theamorphous silicon layer 202 as a boundary. Details of this technique are disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-125930. As a result, as shown in FIG. 10B, the protective insulatinglayer 203 was exposed.

次に、図１０（３）に示すように、保護絶縁層２０３に第２接着層２２４を形成した。この第２接着層２２４は、例えばエポキシ系の２液硬化型接着を塗布により形成される。塗布方法は、スプレーコーティング、ディップコーティングもしくはスピンコーティングを用いることができる。 Next, as illustrated in FIG. 10C, the secondadhesive layer 224 was formed on the protective insulatinglayer 203. The secondadhesive layer 224 is formed by applying, for example, an epoxy-based two-component curable adhesive. As a coating method, spray coating, dip coating or spin coating can be used.

続けて図１１（４）に示すように、上記第２接着層２２４に第３基板２２５を貼り付けた。この第３基板２２５は、例えば厚さが０．２ｍｍのステンレス基板からなる。ステンレス基板は線膨張係数が１６ｐｐｍ／Ｋである。本第２実施例の液晶表示装置は、反射型であるため、第３基板２２５が不透明であってもよい。第３基板２２５を貼りつけた後、０．５ｋｇ／ｃｍ²の圧力を加えて保持し、上記第２接着層２２４を硬化させた。Subsequently, as shown in FIG. 11 (4), thethird substrate 225 was attached to the secondadhesive layer 224. Thethird substrate 225 is made of, for example, a stainless steel substrate having a thickness of 0.2 mm. The stainless steel substrate has a linear expansion coefficient of 16 ppm / K. Since the liquid crystal display device of the second embodiment is of a reflective type, thethird substrate 225 may be opaque. After thethird substrate 225 was attached, a pressure of 0.5 kg / cm² was applied and held to cure the secondadhesive layer 224.

次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層２２２〔前記図１０（１）参照〕を溶かして第２基板２２３〔前記図１０（１）参照〕を外した。その結果、図１１（５）に示すように、薄膜デバイス層２２１が露出され、第３基板２２５上に第２接着層２２４、保護絶縁層２０３を介して薄膜デバイス層２２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）２００を得た。 Next, the substrate is dipped in alcohol (not shown), and the first adhesive layer 222 (see FIG. 10 (1)) made of hot melt adhesive is melted to form the second substrate 223 (see FIG. 10 (1)). ))] Was removed. As a result, as shown in FIG. 11 (5), the thinfilm device layer 221 is exposed and the thinfilm device layer 221 is placed on thethird substrate 225 with the secondadhesive layer 224 and the protective insulatinglayer 203 interposed therebetween ( Active substrate) 200 was obtained.

次に、対向基板の製造例を、図１２の概略構成断面図によって説明する。 Next, an example of manufacturing the counter substrate will be described with reference to the schematic sectional view of FIG.

図１２に示すように、対向基板２３０として、０．２ｍｍ厚の２軸延伸ＰＥＮフィルムからなる支持体２３１上に偏光子２３２とλ/４板２３３とを張り合わせたものを使用した。さらに上記λ/４板２３３側の全面に透明電極２３４を形成したものである。この透明電極２３４には、例えばＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）を用いた。このＩＴＯ膜は、例えばスパッタ法により成膜した。 As shown in FIG. 12, acounter substrate 230 in which a polarizer 232 and a λ / 4 plate 233 are laminated on a support 231 made of a biaxially stretched PEN film having a thickness of 0.2 mm was used. Further, a transparent electrode 234 is formed on the entire surface on the λ / 4 plate 233 side. For the transparent electrode 234, for example, ITO (indium tin oxide) was used. This ITO film was formed by sputtering, for example.

次に、図示はしないが、上記対向基板２３０とアクティブ基板２００とに配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布し、ラビング処理を行う配向処理を行った。 Next, although not shown in the drawing, an alignment film (for example, a polyimide film) is applied to thecounter substrate 230 and theactive substrate 200, and an alignment process for performing a rubbing process is performed.

次に、図１３に示すように、アクティブ基板２００にはシール剤（図示せず）を塗布し、対向基板２３０には多数のスペーサー２３５を散布した。 Next, as shown in FIG. 13, a sealant (not shown) was applied to theactive substrate 200, and a number ofspacers 235 were dispersed on thecounter substrate 230.

そして、アクティブ基板２００と対向基板２３０とを張り合わせた後、例えば１ｋｇ／ｃｍ²で加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次にレーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口から液晶を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネルを作製した。Then, after theactive substrate 200 and thecounter substrate 230 were bonded together, the sealing agent was cured by irradiating with ultraviolet rays while being pressurized at, for example, 1 kg / cm² . Next, after cutting into the size of the panel by laser processing, liquid crystal was injected from the injection port, the injection port was covered with a mold resin, and the mold resin was cured to produce a liquid crystal display panel.

上記工程により作製した液晶表示パネルは、第３基板２２５の線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下と低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。 In the liquid crystal display panel manufactured by the above process, since the linear expansion coefficient of thethird substrate 225 is as low as 20 ppm / K or less, cracks and the like do not occur even when the temperature is increased.

上記第２実施例では、第３基板２２５の線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるため、薄膜デバイス層２２１を金属基板である第３基板２２５に転写した後の耐熱性を高めることができる。よって、安価な金属基板を用いることができるようになるため、製造コストの低減が可能となるという利点がある。 In the said 2nd Example, since the linear expansion coefficient of the 3rd board |substrate 225 is 20 ppm / K or less, the heat resistance after transferring the thinfilm device layer 221 to the 3rd board |substrate 225 which is a metal substrate can be improved. Therefore, since an inexpensive metal substrate can be used, there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

本発明の薄膜デバイスの製造方法および薄膜デバイスおよびエレクトロルミネッセンス表示装置に係る一実施例を、図１４〜図１７の製造工程断面図によって説明する。この実施例では、転写方式によりプラスチック基板にアクティブマトリックス基板を作製しアクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記する）ディスプレイを作製した。 One embodiment of the method for manufacturing a thin film device, the thin film device, and the electroluminescence display device of the present invention will be described with reference to the manufacturing process sectional views of FIGS. In this example, an active matrix substrate was produced on a plastic substrate by a transfer method to produce an active matrix organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) display.

図１４（１）に示すように、製造基板となる第１基板３０１に厚さ０．４〜１．１ｍｍ程度のガラス基板もしくは石英基板を用いる。そして、例えばスパッタリング法により、第１基板（例えば厚さが０．７ｍｍのガラス基板）３０１上に薄膜デバイス層を形成する。 As shown in FIG. 14A, a glass substrate or a quartz substrate having a thickness of about 0.4 to 1.1 mm is used for thefirst substrate 301 serving as a manufacturing substrate. Then, a thin film device layer is formed on the first substrate (for example, a glass substrate having a thickness of 0.7 mm) 301 by, for example, a sputtering method.

すなわち、薄膜デバイス層として、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。 That is, as a thin film device layer, a general low-temperature polysilicon technology, for example, “2003 FPD Technology Encyclopedia” (published on March 25, 2003, p.166-183 and p.198-201), “'99 latest "Liquid crystal process technology" (Press Journal 1998, p. 53-59), "Flat Panel Display 1999" (Nikkei Business Publications, 1998, p. 132-139), etc. A thin film device layer including a TFT was formed by a silicon bottom gate type thin film transistor (hereinafter referred to as a thin film transistor). An example of a method for forming the thin film device layer will be described below.

まず、第１基板３０１上にゲート電極３０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜を加工してゲート電極３０４を形成した。このゲート電極３０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極３０４上を被覆するようにゲート絶縁膜３０５を形成した。ゲート絶縁膜３０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、または酸化珪素（ＳｉＯ₂）層と窒化珪素（ＳｉＮ_x）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。First, a conductive film for forming thegate electrode 304 was formed over thefirst substrate 301. For example, a molybdenum (Mo) film having a thickness of 100 nm was used as the conductive film. As a method for forming the molybdenum film, for example, a sputtering method was used. Then, the conductive film was processed to form agate electrode 304. Thegate electrode 304 was formed by patterning using a general photolithography technique and etching technique. Next, agate insulating film 305 was formed so as to cover thegate electrode 304. Thegate insulating film 305 is formed of a silicon oxide (SiO₂ ) layer or a stacked body of a silicon oxide (SiO₂ ) layer and a silicon nitride (SiN_x ) layer, for example, by plasma CVD. Further, an amorphous silicon layer (thickness 30 nm to 100 nm) was continuously formed.

この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層３０６を形成し、その両側にｎ^-型ドープ領域からなるポリシリコン層３０７、ｎ⁺型ドープ領域からなるポリシリコン層３０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層３０６上にはｎ^-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層３０９を形成した。このストッパー層３０９は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）層で形成した。This amorphous silicon layer was irradiated with a XeCl excimer laser pulse having a wavelength of 308 nm, melted and recrystallized to produce a crystalline silicon layer. Using this polysilicon layer, apolysilicon layer 306 serving as a channel formation region was formed, and apolysilicon layer 307 composed of an n⁻ type doped region and apolysilicon layer 308 composed of an n⁺ type doped region were formed on both sides thereof. . Thus, the active region has an LDD (Lightly Doped Drain) structure for achieving both a high on-current and a low off-current. Astopper layer 309 is formed on thepolysilicon layer 306 to protect the channel when n⁻ type phosphorus ions are implanted. Thestopper layer 309 is formed of, for example, a silicon oxide (SiO₂ ) layer.

さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、または酸化珪素（ＳｉＯ₂）層と窒化珪素（ＳｉＮ_x）層との積層体からなるパッシベーション膜３１０を形成した。このパッシベーション膜３１０上に、各ポリシリコン層３０８に接続するソース電極３１１およびドレイン電極３１２を形成した。各ソース電極３１１およびドレイン電極３１２は例えばアルミニウムで形成した。Further, apassivation film 310 made of a silicon oxide (SiO₂ ) layer or a laminate of a silicon oxide (SiO₂ ) layer and a silicon nitride (SiN_x ) layer was formed by plasma CVD. Asource electrode 311 and adrain electrode 312 connected to eachpolysilicon layer 308 were formed on thepassivation film 310. Eachsource electrode 311 anddrain electrode 312 is made of, for example, aluminum.

このようにして、低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）プロセスで薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した。 In this way, a thin film transistor (TFT) was formed by a low temperature polysilicon bottom gate type thin film transistor (TFT) process.

次に、例えばスピンコート法によって、ソース電極３１１、ドレイン電極３１２等を覆うように、パッシベーション膜３１０上に保護絶縁層３１３を例えばメタクリル酸メチル樹脂系樹脂で形成した後、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、ソース電極３１１と後に形成する有機ＥＬ素子のアノード電極とを接続できるように、その部分の保護絶縁層３１３を取り除いた。 Next, after forming a protectiveinsulating layer 313 with, for example, a methyl methacrylate resin-based resin on thepassivation film 310 so as to cover thesource electrode 311, thedrain electrode 312, and the like by, for example, spin coating, a general photolithography technique is used. Then, the protective insulatinglayer 313 was removed so that thesource electrode 311 and the anode electrode of the organic EL element to be formed later could be connected by etching technique.

次に、保護絶縁層３１３上に、有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子は、アノード電極３１４と有機層とカソード電極３１７とで構成されている。アノード電極３１４は、例えばスパッタリング法でクロム（Ｃｒ）を堆積して形成し、各ＴＦＴのソース電極３１１に接続され、個別に電流を流せるようになっている。 Next, an organic EL element was formed over the protective insulatinglayer 313. The organic EL element includes ananode electrode 314, an organic layer, and acathode electrode 317. Theanode electrode 314 is formed, for example, by depositing chromium (Cr) by sputtering, and is connected to thesource electrode 311 of each TFT so that an electric current can flow individually.

有機層は、有機正孔輸送層３１５と有機発光層３１６を積層させた構造とした。有機正孔輸送層３１５としては、例えば銅フタロシアニンを蒸着により３０ｎｍの厚さに形成した。有機発光層３１６は、緑色として、Ａｌｑ３[tris(8-quinolinolato)aluminium(III)]を５０ｎｍの厚さに、青色として、バソクプロイン（Bathocuproine：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline）を１４ｎｍの厚さに、赤色としてＢＳＢ−ＢＣＮ[2,5-bis{4-(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl}benzene-1,4-dicarbonitrile]を３０ｎｍの厚さにそれぞれ蒸着した。 The organic layer has a structure in which an organichole transport layer 315 and an organiclight emitting layer 316 are laminated. As the organichole transport layer 315, for example, copper phthalocyanine was formed to a thickness of 30 nm by vapor deposition. The organiclight emitting layer 316 is green, Alq3 [tris (8-quinolinolato) aluminum (III)] is 50 nm thick, and blue is bathocuproine (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1, 10phenanthroline) to a thickness of 14 nm and red as BSB-BCN [2,5-bis {4- (N-methoxyphenyl-N-phenylamino) styryl} benzene-1,4-dicarbonitrile] to a thickness of 30 nm. did.

カソード電極３１７としては、酸化インジウム錫（Ｉｎ₂Ｏ₃＋ＳｎＯ₂：ＩＴＯ）を使用した。As thecathode electrode 317, indium tin oxide (In₂ O₃ + SnO₂ : ITO) was used.

今回は、有機ＥＬ素子として、上記構造を用いたが、電極に、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、発光層を組み合わせた公知の構造を用いてもよい。 This time, the above structure was used as an organic EL element, but an electrode was combined with an electron transport layer, a hole transport layer, an electron injection layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, and a light emitting layer. A known structure may be used.

さらに、カソード電極３１７を覆う形で、パッシベーション膜３１８を形成した。今回、パッシベーション膜３１８は、スパッタリング法により窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜を例えば２００ｎｍの厚さに形成した。このパッシベーション膜３１８は、その他、ＣＶＤ法、蒸着法などで形成してもよい。Further, apassivation film 318 was formed so as to cover thecathode electrode 317. This time, as thepassivation film 318, a silicon nitride (SiN_x ) film having a thickness of, for example, 200 nm is formed by sputtering. Alternatively, thepassivation film 318 may be formed by a CVD method, a vapor deposition method, or the like.

以下、ＴＦＴ層から有機ＥＬ層までを薄膜デバイス層と呼ぶこととする。次に、第１基板３０１上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を示す。 Hereinafter, the TFT layer to the organic EL layer are referred to as a thin film device layer. Next, a process of transferring the thin film device layer on thefirst substrate 301 onto the plastic substrate is shown.

図１５（１）に示すように第１基板３０１上に薄膜デバイス層３２１を形成したものをホットプレート３２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着層３２３を、例えばホットメルト接着剤を例えば１ｍｍ程度の厚さに塗布して形成した。次に、上記第１接着層３２３上に第２基板３２４を載せ、第２基板３２４を第１基板３０１方向に加圧しながら、室温まで冷却した。上記第２基板３２４には、例えば厚さが１ｍｍのモリブデン（Ｍｏ）基板を用いた。または、第２基板３２４上にホットメルト接着剤を塗布して、その上に薄膜デバイス層３２１が形成された第１基板３０１の薄膜デバイス層３２１側を載せてもよい。 As shown in FIG. 15 (1), the firstadhesive layer 323 is heated with ahot plate 322 at 80 ° C. to 140 ° C. while the thinfilm device layer 321 is formed on thefirst substrate 301. For example, applied to a thickness of about 1 mm. Next, thesecond substrate 324 was placed on the firstadhesive layer 323, and thesecond substrate 324 was cooled to room temperature while being pressed toward thefirst substrate 301. As thesecond substrate 324, for example, a molybdenum (Mo) substrate having a thickness of 1 mm was used. Alternatively, a hot melt adhesive may be applied on thesecond substrate 324, and the thinfilm device layer 321 side of thefirst substrate 301 on which the thinfilm device layer 321 is formed may be placed.

次に、図１５（２）に示すように、第２基板３２４を貼り付けた基板をフッ化水素酸３２５に浸漬して、第１基板３０１のエッチングを行った。このエッチングでは、第１基板３０１を、例えばおよそ３０μｍの厚さになるように残すように行うため、エッチング終点は例えばエッチング時間により制御する。一例として、ここで用いたフッ化水素酸３２５は重量濃度１５％〜２５％のもので、このエッチング時間はエアーブローによるバブリングによって弗化水素酸溶液を攪拌しながら室温で約３時間とした。フッ化水素酸３２５の濃度とエッチング時間は、適宜変更しても問題はない。上記エッチングの代わりに、例えば機械的な研磨、化学的機械研磨等の研磨によって、第１基板３０１を薄くしても良い。 Next, as illustrated in FIG. 15B, thefirst substrate 301 was etched by immersing the substrate to which thesecond substrate 324 was attached inhydrofluoric acid 325. In this etching, since thefirst substrate 301 is left so as to have a thickness of about 30 μm, for example, the etching end point is controlled by the etching time, for example. As an example, thehydrofluoric acid 325 used here has a weight concentration of 15% to 25%, and the etching time was about 3 hours at room temperature while stirring the hydrofluoric acid solution by bubbling by air blow. There is no problem even if the concentration ofhydrofluoric acid 325 and the etching time are appropriately changed. Instead of the etching, thefirst substrate 301 may be thinned by polishing such as mechanical polishing and chemical mechanical polishing.

上記フッ化水素酸３２５によるエッチングの結果、図１６（３）に示すように、第１基板３０１上に薄膜デバイス層３２１が形成され、さらに薄膜デバイス層３２１上に第１接着層３２３を介して第２基板３２４が形成されたものが得られる。 As a result of the etching withhydrofluoric acid 325, as shown in FIG. 16 (3), a thinfilm device layer 321 is formed on thefirst substrate 301, and further on the thinfilm device layer 321 via the firstadhesive layer 323. A substrate on which thesecond substrate 324 is formed is obtained.

その後、図１６（４）に示すように、上記第１基板３０１の上記薄膜デバイス層３２１が形成されている面とは反対側の面に第２接着層３２６を形成する。上記第２接着層３２６は、一例として、回転塗布技術により例えばアクリル系の紫外線硬化接着剤を塗布して形成した。回転塗布技術による膜形成では、膜厚を約１０μｍとした。 Thereafter, as shown in FIG. 16D, a secondadhesive layer 326 is formed on the surface of thefirst substrate 301 opposite to the surface on which the thinfilm device layer 321 is formed. For example, the secondadhesive layer 326 is formed by applying, for example, an acrylic ultraviolet curing adhesive by a spin coating technique. In film formation by spin coating technique, the film thickness was about 10 μm.

続けて、図１７（５）に示すように、上記第２接着層３２６に第３基板（プラスチック基板）３２７を貼り付けた。第３基板（プラスチック基板）３２７にはポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムを用い、このＰＥＴフィルムには例えば０．２ｍｍの厚さのものを用いた。このＰＥＴフィルムの線膨張係数は１６ｐｐｍ／Ｋである。 Subsequently, as shown in FIG. 17 (5), a third substrate (plastic substrate) 327 was attached to the secondadhesive layer 326. For the third substrate (plastic substrate) 327, a polyethylene terephthalate (PET) film was used, and for this PET film, for example, a film having a thickness of 0.2 mm was used. The linear expansion coefficient of this PET film is 16 ppm / K.

次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層３２２〔前記図１５（１）参照〕を溶かして第２基板３２３〔前記図１５（１）参照〕を外し、図１７（６）に示すように、第３基板３２７上に第２接着層３２６、第１基板３０１を介して薄膜デバイス層３２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）３００を得た。 Next, the substrate is immersed in alcohol (not shown), and the first adhesive layer 322 (see FIG. 15 (1)) made of a hot-melt adhesive is melted to form the second substrate 323 [see FIG. 15 (1). 17), and a thin film device (active substrate) 300 in which the thinfilm device layer 321 is placed on thethird substrate 327 with the secondadhesive layer 326 and thefirst substrate 301 interposed therebetween as shown in FIG. Obtained.

その後の工程は、一般的に行われている有機ＥＬの組立工程を行えばよい。
上記工程により作製した薄膜デバイスは、ＴＦＴ基板の線膨張係数が低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。Subsequent steps may be assembling the organic EL that is generally performed.
Since the thin film device manufactured by the above process has a low coefficient of linear expansion of the TFT substrate, cracks and the like do not occur even when the temperature is increased.

この後は、図示はしないが、一般的に行われている有機エレクトロルミネッセンス表示装置の組立工程で行えばよい。 Thereafter, although not shown in the drawing, it may be carried out in a generally assembled process of an organic electroluminescence display device.

上記実施例では、第３基板３２７の線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であるため、転写後の耐熱性を上げることができる。よって、安価なプラスチック基板を用いることができるようになるため、製造コストの低減が可能となるという利点がある。 In the above embodiment, since thethird substrate 327 has a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less, the heat resistance after transfer can be improved. Therefore, since an inexpensive plastic substrate can be used, there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置は、各種表示装置の用途に適用できる。 The thin film device manufacturing method, thin film device, liquid crystal display device and electroluminescence display device of the present invention can be applied to various display devices.

本発明の薄膜デバイスの製造方法を説明する概略構成断面図である。It is schematic structure sectional drawing explaining the manufacturing method of the thin film device of this invention.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 1st Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 1st Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 1st Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 1st Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 1st Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第１実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 1st Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.耐熱温度と線膨張係数との関係図である。It is a related figure of heat-resistant temperature and a linear expansion coefficient.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 2nd Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 2nd Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 2nd Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 2nd Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置に係る第２実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows 2nd Example which concerns on the manufacturing method of a thin film device of this invention, a thin film device, and a liquid crystal display device.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよびエレクトロルミネッセンス表示装置に係る一実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows one Example which concerns on the manufacturing method of the thin film device of this invention, a thin film device, and an electroluminescent display apparatus.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよびエレクトロルミネッセンス表示装置に係る一実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows one Example which concerns on the manufacturing method of the thin film device of this invention, a thin film device, and an electroluminescent display apparatus.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよびエレクトロルミネッセンス表示装置に係る一実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows one Example which concerns on the manufacturing method of the thin film device of this invention, a thin film device, and an electroluminescent display apparatus.本発明の薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよびエレクトロルミネッセンス表示装置に係る一実施例を示す製造工程断面図である。It is manufacturing process sectional drawing which shows one Example which concerns on the manufacturing method of the thin film device of this invention, a thin film device, and an electroluminescent display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１２１…薄膜デバイス層、１２３…第１接着層、１２４…第２基板、１２６…第２接着層、１２７…第３基板 121 ... Thin film device layer, 123 ... First adhesive layer, 124 ... Second substrate, 126 ... Second adhesive layer, 127 ... Third substrate

Claims

Translated fromJapanese

第１基板上に、トランジスタを含む薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板に、第２接着層を介して、偏光板としての第３基板を接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
を備えた薄膜デバイスの製造方法において、
前記第３基板として、前記薄膜デバイス層側から順に、偏光子と、線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であると共に複屈折を有する支持体とを有するものを用いる
薄膜デバイスの製造方法。Forminga thin film device layerincluding a transistor on the first substrate and then bonding the second substrate on the thin film device layer via the first adhesive layer or the covering layer and the first adhesive layer;
Separating or removing the first substrate completely or partially by a process including at least one of chemical treatment, mechanical polishing treatment, and ultraviolet irradiation treatment;
The first substrate leaving a the thin film device layer first side or partial substrate were formed of a step via a second adhesivelayer, bondingthe thirdsubstrate as a polarizing plate,
A method of manufacturing a thin film device comprising: separating or removing the second substrate;
The manufacturing method of the thin film deviceusing what has a polarizer and a support body which has a linear expansion coefficient below 20 ppm / K and has birefringence in order from the said thin film device layer side as said 3rd board| substrate .

前記偏光子は１軸延伸して形成されたプラスチックフィルムよりなり、The polarizer comprises a plastic film formed by uniaxial stretching,
前記支持体は２軸延伸して形成されたプラスチックフィルムよりなる The support is made of a plastic film formed by biaxial stretching.
請求項１に記載の薄膜デバイスの製造方法。 The method for manufacturing a thin film device according to claim 1.

第１基板上に、トランジスタを含む薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板に、第２接着層を介して、偏光板としての第３基板を接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
により製造される薄膜デバイスにおいて、
前記第３基板が、前記薄膜デバイス層側から順に、偏光子と、線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であると共に複屈折を有する支持体とを有する
薄膜デバイス。Forminga thin film device layerincluding a transistor on the first substrate and then bonding the second substrate on the thin film device layer via the first adhesive layer or the covering layer and the first adhesive layer;
Separating or removing the first substrate completely or partially by a process including at least one of chemical treatment, mechanical polishing treatment, and ultraviolet irradiation treatment;
The first substrate leaving a the thin film device layer first side or partial substrate were formed of a step via a second adhesivelayer, bondingthe thirdsubstrate as a polarizing plate,
In the thin film device manufactured by separating or removing the second substrate,
Thethin film device in which the third substrateincludes, in order from the thin film device layer side, a polarizer and a support having a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less and birefringence .

第１基板上に、トランジスタを含む薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板に、第２接着層を介して、偏光板としての第３基板を接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程と
により製造される薄膜デバイスを用いた液晶表示装置において、
前記第３基板が、前記薄膜デバイス層側から順に、偏光子と、線膨張係数が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であると共に複屈折を有する支持体とを有する
液晶表示装置。Forminga thin film device layerincluding a transistor on the first substrate and then bonding the second substrate on the thin film device layer via the first adhesive layer or the covering layer and the first adhesive layer;
Separating or removing the first substrate completely or partially by a process including at least one of chemical treatment, mechanical polishing treatment, and ultraviolet irradiation treatment;
The first substrate leaving a the thin film device layer first side or partial substrate were formed of a step via a second adhesivelayer, bondingthe thirdsubstrate as a polarizing plate,
In a liquid crystal display device using a thin film device manufactured by separating or removing the second substrate,
The liquid crystal display device inwhich the third substrateincludes, in order from the thin film device layer side, a polarizer and a support having a linear expansion coefficient of 20 ppm / K or less and birefringence .