JP4360716B2 - Copper thin film manufacturing method and sputtering apparatus used in the method - Google Patents

Description

Translated fromJapanese

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタ成膜の技術分野にかかり、特に、銅または銅を主成分とするターゲットをスパッタし、銅薄膜を形成する技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、アルミニウム薄膜に代わり、比抵抗の小さい銅薄膜が半導体デバイスの配線材料として注目されている。
【０００３】
図４(ａ)の符号１０１は、半導体デバイスを構成するシリコン基板であり、その表面にはシリコン酸化膜１０２が形成されている。
【０００４】
このシリコン基板１０１をスパッタ装置内に搬入し、アルゴンガスのプラズマを生成し、銅から成るターゲットをスパッタし、シリコン酸化膜１０２上に銅薄膜を形成し、パターニングして銅配線１０５を形成する(図４(ｂ))。
【０００５】
このようにスパッタ成膜法で形成された銅配線１０５の比抵抗は、おおよそ２．２μΩｃｍであり、バルク状態の銅の比抵抗１．７μΩｃｍに比べて大きくなってしまう。
【０００６】
スパッタ装置で銅薄膜を形成した場合、銅薄膜を水素中でアニール処理すれば、形成直後の銅薄膜に比抵抗を小さくできることが知られているが、１．９μΩｃｍ程度までしか小さくならず、不十分である。
【０００７】
また、アニール処理をするためには、スパッタ装置とは別に、そのアニール処理のための装置を必要とし、コスト高になるという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、低抵抗の銅薄膜を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者等は、スパッタリングガスのプラズマを発生させ、銅または銅を主成分とするターゲットをスパッタし、成膜対象物表面に銅薄膜を形成する場合に、スパッタ雰囲気中に大気を微少量導入すると、形成された銅薄膜の比抵抗が成膜後の時間の経過とともに低下することを見いだした。
【００１０】
特に、添加ガスを５×１０^-7Torr(６．６５×１０^-5Ｐａ)の分圧にしてスパッタした銅薄膜では、成膜後１０数時間後にはバルク状態の銅とほぼ等しい値まで比抵抗が低下することを見いだした。
【００１１】
本発明は上記知見に基づいて創作されたものであり、請求項１記載の発明は、真空雰囲気中にスパッタガスを導入し、銅または銅を主成分とするターゲットをスパッタし、前記真空雰囲気中に置かれた成膜対象物表面に銅薄膜または銅を主成分とする薄膜を形成する銅薄膜製造方法であって、前記ターゲットをスパッタする際に、添加ガスとして大気を、分圧が１．３３×１０^-4Ｐａ以下となるように、前記真空雰囲気中に導入することを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の銅薄膜製造方法であって、前記添加ガスを間欠的に導入することを特徴とする。
【００１２】
本発明は上記のように構成されており、アルゴンガス等のスパッタガス中に、化学構造中に窒素原子、酸素原子、又はその両方の原子を含む添加ガスを所定の分圧で含有させ、スパッタガス及び添加ガスのプラズマを発生させ、銅を主成分とするターゲットをスパッタしている。
【００１３】
上記のような添加ガスの導入量は、ガス添加用配管に設けた流量制御バルブを用いて制御し、分圧を６．６５×１０^-4Ｐａ以下にするのが望ましい。
【００１４】
流量制御バルブで制御する場合、その最小制御流量に相当する分圧よりも小さくすることは困難である。従って、添加ガスを流量制御バルブを介して導入する場合に、導入とその停止とを繰り返し、間欠的に導入するようにすると、添加ガスの実効分圧値(時間平均値)を、流量制御バルブで制御できる値よりも小さくすることができる。また、間欠的に導入するタイミングにより、膜界面の組成制御も可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のスパッタ装置を、本発明の銅薄膜製造方法と共に説明する。
図１を参照し、符号１は本発明のスパッタ装置の一例であり、真空槽１０を有している。真空槽１０の底壁側にはカソード装置１２が配置されており、天井側には基板ホルダ１３が配置されている。
【００１６】
カソード装置１２はカソード電極２２を有しており、その表面(真空槽１０の内部側)には銅から成るターゲット２１が水平に設けられている。このターゲット２１は、基板ホルダ１３と対向する位置に配置されている。
【００１７】
また、カソード電極２２の裏面(真空槽１０の外部側)には、ターゲット２１表面に磁場を形成するマグネトロン磁石２３が配置されている。ターゲット２１と基板１５の間の距離(Ｔ／Ｓ)は２７５ｍｍのいわゆるロングスロースパッタリング(ＬＴＳ)となっている。
【００１８】
真空槽１０底壁には、回転軸１６が気密に挿通されており、その先端部分には、シャッタ１７が取り付けられている。
基板ホルダ１３には爪１４が設けられており、基板ホルダ１３のターゲット２１側の面には、爪１４によってシリコン基板１５が保持されている。
【００１９】
真空槽１０には、真空排気系１８が接続されており、このスパッタ装置１で銅薄膜を形成する際には、真空排気系１８によって真空槽１０内を真空排気する。真空槽１０には、ガス添加用配管３１と、スパッタガス導入用配管３３とを有するガス導入系３が接続されている。
【００２０】
ガス添加用配管３１には、流量制御バルブ３２が設けられており、端部が大気中に開放されている。スパッタガス導入用配管３３は、マスフローコントローラ３６を介して、スパッタガスボンベ３７に接続されており、真空槽１０内にスパッタガスボンベ中３７に充填されたスパッタガス(ここではアルゴンガス)を導入できるように構成されている。
【００２１】
真空排気系１８により、真空槽１０内が４×１０^-6Torr〜２×１０^-7Torrの圧力まで真空排気された後、流量制御バルブ３２を操作し、真空槽１０内に大気(空気)を添加ガスとして導入する。
【００２２】
このときはスパッタガスを導入せず、導入された添加ガスにより、真空槽１０内の圧力が上昇し、所定分圧(例えば５×１０^-7Torrの分圧)で安定したところで、スパッタガスを導入する。
【００２３】
スパッタガスはマスフローコントローラ３６によって流量制御しながら導入する(ここでは２０ｓｃｃｍの流量で導入した)。このとき、添加ガスの導入量は変えないでおく。
【００２４】
スパッタガスの導入により、真空槽１０内の圧力が上昇し、５×１０^-4Torrの圧力で安定したところで、カソード電極２２に負電圧を印加し、ターゲット２１表面近傍にプラズマを発生させる。
【００２５】
この状態では、シャッタ１７はシリコン基板１５とターゲット２１の間に配置されており、３．７ｋＷ(約５１８Ｖ×７．１８Ａ)の電力で５分間×２回(２回の間に２分間の放電休止状態を設定する)のプレスパッタを行い、ターゲット２１表面をクリーニングし、次いで、回転軸１６を回転させ、シリコン基板１５とターゲット２１の間からシャッタ１７を退け、２分後にスパッタを開始すると、シリコン基板１５表面に銅薄膜が形成され始める(スパッタ電力は３．１７ｋＷ)。
【００２６】
スパッタを８０秒間行い、シリコン基板１５表面に約２０００Åの銅薄膜を形成した後、カソード電極２１への電圧印加を停止すると共に、添加ガス(大気)の導入とスパッタガスの導入を停止し、スパッタを終了させる。基板ホルダ１３の温度は、プリスパッタ開始前では３０℃であったが、スパッタ終了時には５０℃程度に昇温していた。
【００２７】
スパッタ終了後、シリコン基板１５を取り出し、形成した銅薄膜の比抵抗を測定した。その比抵抗の値は、時間経過に従い小さくなった。
【００２８】
図２のグラフに、真空槽１０内に導入した添加ガス(ここでは大気)のスパッタガス中の分圧Ｐと、形成された銅薄膜の比抵抗の経時変化を示す。導入したスパッタガスの流量は２０ｓｃｃｍであり、スパッタ雰囲気の圧力は５×１０^-4Torrである。添加ガスの分圧Ｐは、添加ガス導入前の真空槽１０の到達圧力Ｐ₀と、添加ガス導入後の圧力Ｐ₁との差(Ｐ₁−Ｐ₀)で表される。
グラフ中のバルク銅は、銅塊の場合の比抵抗の値である。
【００２９】
このグラフから、スパッタ雰囲気中に含まれる添加ガス(大気)の分圧Ｐを、６．６５×１０^-4Ｐａ(５×１０^-6Torr)以下の大きさにすると効果的であることが分かる。特に、２．６６×１０^-5Ｐａ(２×１０^-7Torr)以下の微小な大きさにすると、形成される銅薄膜の比抵抗は１．７〜１．８μΩｃｍとなり、バルク銅の値(１．７μΩｃｍ)にほぼ等しくなることがわかる。なお、シリコン表面に熱酸化膜が形成されている基板を用いても同様の結果が得られた。
【００３０】
以上は、流量制御バルブ３２により、真空槽１０内に添加ガスを連続的に導入したが、添加ガスの真空槽１０内での分圧Ｐを一層微小な値にするために、間欠的に導入することができる。
【００３１】
例えば、所定の時間間隔で、真空槽１０内に間欠的に添加ガス(この添加ガスは化学構造中に酸素原子を有するガス、窒素原子を有するガス、酸素原子と窒素原子を有するガス及び水のいずれか一種以上のガスである。)を微少量導入すると、その分圧を一層小さくすることができる。
【００３２】
図３のグラフは、２．５秒間の添加ガス導入を１４秒間隔で繰り返し行った場合の真空槽１０内の圧力変化を示している。添加ガスの導入により、真空槽１０内の圧力はパルス的に２．６６×１０^-5Ｐａ(２×１０^-7Torr)だけ上昇する。
【００３３】
このグラフを平均すると、真空槽１０内には、１×１０^-8〜１×１０^-9Torr程度の分圧で添加ガスが含まれていることになる。微小分圧の添加ガスを精度よく導入することは困難であるが、上記のように、間欠的に添加ガスを導入することで達成できる。
【００３４】
また、真空槽１０内に連続的に添加ガスを導入する配管と、パルス状に添加ガスを導入する配管とを別々に設け、連続的に添加ガスを導入すると共に、そのパルス状の導入を重畳させてもよい。
【００３５】
なお、以上は、直流電源を印加してターゲットをスパッタする場合について説明したが、本発明は、交流電圧を印加するＲＦスパッタ法や、直流電圧に交流電圧を重畳するスパッタ法、直流電圧の大きさを変化させるスパッタ法等、種々のスパッタ法に適用することができる。また、基板ホルダ１３に電圧を印加し、シリコン基板１５にバイアスを印加したり、フローティングにしてもよい。
【００３６】
また、上記の添加ガスには大気(空気)を使用したが、酸素ガス、窒素ガス、又は水分を含有するアルゴンガスであってもよい。酸素ガスと窒素ガスの混合ガスであってもよい。また、酸素ガス、窒素ガス、その混合ガスに水分が含有されるガスであってもよい。
その場合には、ガス添加用配管の端部を流量制御バルブを介して、添加ガスを充填したガスボンベに接続しておくとよい。
【００３７】
また、上記はシリコン基板１５上に銅薄膜を形成したが、成膜対象物はシリコン基板に限定されるものではない。
【００３８】
更にまた、本発明に用いる銅ターゲットは銅から成るターゲット、または銅を主成分とするターゲットであり、銅を主成分とするターゲットは他の金属を含有していてもよい。
【００３９】
また、低抵抗化を促進するためにアニールを併用してもよい。ターゲット・基板間の距離は２７５ｍｍの例を示したが、より短距離のスパッタ装置を用いてもよい。
【００４０】
【発明の効果】
銅薄膜の比抵抗を小さくできるので、ＬＳＩ配線に適している。
添加ガスを間欠的に導入する場合、流量制御バルブで制御可能な値よりも小さい分圧値にすることができる。
銅薄膜形成後、アニール処理をしなくても比抵抗を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例のスパッタ装置を示す図
【図２】銅薄膜の比抵抗の経時変化を示すグラフ
【図３】添加ガスを間欠的に導入した場合の圧力変化を示すグラフ
【図４】(ａ)、(ｂ)：銅薄膜の形成方法を説明するための図
【符号の説明】
１……スパッタ装置 １０……真空槽 ２１……ターゲット ３１……ガス添加用配管[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to the technical field of sputter deposition, and more particularly to the technical field of sputtering a copper or copper-based target to form a copper thin film.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a copper thin film having a small specific resistance has attracted attention as a wiring material for semiconductor devices in place of an aluminum thin film.
[0003]
Reference numeral 101 in FIG. 4A denotes a silicon substrate constituting a semiconductor device, and asilicon oxide film 102 is formed on the surface thereof.
[0004]
Thissilicon substrate 101 is carried into a sputtering apparatus, an argon gas plasma is generated, a target made of copper is sputtered, a copper thin film is formed on thesilicon oxide film 102, and patterned to form a copper wiring 105 ( FIG. 4 (b)).
[0005]
Thus, the specific resistance of thecopper wiring 105 formed by the sputtering film forming method is about 2.2 μΩcm, which is larger than the specific resistance of 1.7 μΩcm in the bulk state of copper.
[0006]
When a copper thin film is formed by a sputtering apparatus, it is known that if the copper thin film is annealed in hydrogen, the specific resistance can be reduced to that of the copper thin film immediately after formation, but it is only reduced to about 1.9 μΩcm. It is enough.
[0007]
In addition, in order to perform the annealing process, an apparatus for the annealing process is required in addition to the sputtering apparatus, and there is a problem that the cost is increased.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention was created in order to solve the above-described disadvantages of the prior art, and an object thereof is to provide a low-resistance copper thin film.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The inventors of the present invention generate a sputtering gas plasma, sputter a copper or copper-based target, and form a copper thin film on the surface of the film formation object. It has been found that when a small amount is introduced, the specific resistance of the formed copper thin film decreases with the passage of time after film formation.
[0010]
In particular, in the case of a copper thin film sputtered with an additive gas having a partial pressure of 5 × 10⁻⁷ Torr (6.65 ×10⁻⁵Pa ), the ratio is almost equal to that of copper in the bulk state after 10 hours after film formation. I found the resistance to drop.
[0011]
The present invention was created based on the above knowledge, and the invention according toclaim 1 introduces a sputtering gas into a vacuum atmosphere, sputters copper or a copper-based target, A copper thin film manufacturing method for forming a copper thin film or a thin film containing copper as a main component on the surface of a film formation target placed on the substrate, wherein when sputtering the target,air is used as anadditive gas with a partial pressure of 1. It introduce | transducesin the said vacuum atmosphereso that it may become33 * 10 <^-4>Pa or less .
A second aspect of the present invention is the copper thin film manufacturing method according to the first aspect, wherein the additive gas is introduced intermittently.
[0012]
The present invention is configured as described above, and an sputtering gas such as an argon gas contains an additive gas containing nitrogen atoms, oxygen atoms, or both atoms in the chemical structure at a predetermined partial pressure. Plasma of gas and additive gas is generated to sputter a target mainly composed of copper.
[0013]
The introduction amount of the additive gas as described above is preferably controlled using a flow control valve provided in the gas addition pipe, and the partial pressure is preferably 6.65 × 10⁻⁴ Pa or less.
[0014]
When controlling with a flow control valve, it is difficult to make it smaller than the partial pressure corresponding to the minimum control flow. Therefore, when the additive gas is introduced via the flow control valve, the introduction and the stop thereof are repeated and introduced intermittently, so that the effective partial pressure value (time average value) of the additive gas is calculated as the flow control valve. The value can be made smaller than the value that can be controlled with. Moreover, the composition of the film interface can be controlled by the timing of intermittent introduction.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The sputtering apparatus of this invention is demonstrated with the copper thin film manufacturing method of this invention.
Referring to FIG. 1,reference numeral 1 is an example of the sputtering apparatus of the present invention, and has avacuum chamber 10. Acathode device 12 is disposed on the bottom wall side of thevacuum chamber 10, and asubstrate holder 13 is disposed on the ceiling side.
[0016]
Thecathode device 12 has acathode electrode 22, and atarget 21 made of copper is horizontally provided on the surface (inside of the vacuum chamber 10). Thetarget 21 is disposed at a position facing thesubstrate holder 13.
[0017]
Amagnetron magnet 23 that forms a magnetic field on the surface of thetarget 21 is disposed on the back surface of the cathode electrode 22 (outside of the vacuum chamber 10). The distance (T / S) between thetarget 21 and thesubstrate 15 is so-called long throw sputtering (LTS) of 275 mm.
[0018]
A rotatingshaft 16 is inserted in the bottom wall of thevacuum chamber 10 in an airtight manner, and ashutter 17 is attached to a tip portion thereof.
Aclaw 14 is provided on thesubstrate holder 13, and asilicon substrate 15 is held by theclaw 14 on the surface of thesubstrate holder 13 on thetarget 21 side.
[0019]
Avacuum exhaust system 18 is connected to thevacuum chamber 10, and when the copper thin film is formed by thesputtering apparatus 1, thevacuum chamber 10 is evacuated by thevacuum exhaust system 18. A gas introduction system 3 having agas addition pipe 31 and a sputter gas introduction pipe 33 is connected to thevacuum chamber 10.
[0020]
Thegas addition pipe 31 is provided with a flowrate control valve 32, and an end thereof is open to the atmosphere. The sputter gas introduction pipe 33 is connected to thesputter gas cylinder 37 via the mass flow controller 36 so that the sputter gas (in this case, argon gas) filled in thesputter gas cylinder 37 can be introduced into thevacuum chamber 10. It is configured.
[0021]
After the inside of thevacuum chamber 10 is evacuated to a pressure of 4 × 10⁻⁶ Torr to 2 × 10⁻⁷ Torr by thevacuum exhaust system 18, the flowrate control valve 32 is operated, and the atmosphere (air) in thevacuum chamber 10 is operated. Is introduced as an additive gas.
[0022]
At this time, without introducing the sputtering gas, the pressure in thevacuum chamber 10 is increased by the introduced additive gas, and when the sputtering gas is stabilized at a predetermined partial pressure (for example, a partial pressure of 5 × 10⁻⁷ Torr), Introduce.
[0023]
The sputtering gas is introduced while controlling the flow rate by the mass flow controller 36 (in this case, it is introduced at a flow rate of 20 sccm). At this time, the introduction amount of the additive gas is not changed.
[0024]
When the sputtering gas is introduced, the pressure in thevacuum chamber 10 rises, and when the pressure is stabilized at a pressure of 5 × 10⁻⁴ Torr, a negative voltage is applied to thecathode electrode 22 to generate plasma near the surface of thetarget 21.
[0025]
In this state, theshutter 17 is disposed between thesilicon substrate 15 and thetarget 21 and is discharged for 5 minutes × 2 times (2 minutes of discharge for 2 minutes between 3.7 kW (about 518 V × 7.18 A)). Pre-sputtering (setting a resting state), cleaning the surface of thetarget 21, and then rotating therotating shaft 16, withdrawing theshutter 17 from between thesilicon substrate 15 and thetarget 21, and starting sputtering after 2 minutes, A copper thin film begins to be formed on the surface of the silicon substrate 15 (sputtering power is 3.17 kW).
[0026]
Sputtering was performed for 80 seconds, and after forming a copper thin film of about 2000 mm on the surface of thesilicon substrate 15, the voltage application to thecathode electrode 21 was stopped, the introduction of the additive gas (atmosphere) and the introduction of the sputtering gas were stopped. End. The temperature of thesubstrate holder 13 was 30 ° C. before the start of pre-sputtering, but was raised to about 50 ° C. at the end of sputtering.
[0027]
After the completion of sputtering, thesilicon substrate 15 was taken out and the specific resistance of the formed copper thin film was measured. The value of the specific resistance decreased with time.
[0028]
The graph of FIG. 2 shows the change over time in the partial pressure P in the sputtering gas of the additive gas (in this case, the atmosphere) introduced into thevacuum chamber 10 and the specific resistance of the formed copper thin film. The flow rate of the introduced sputtering gas is 20 sccm, and the pressure in the sputtering atmosphere is 5 × 10⁻⁴ Torr. The partial pressure P of the additive gas is represented by the difference (P₁ −P₀ ) between the ultimate pressure P₀ of thevacuum chamber 10 before the additive gas is introduced and the pressure P₁ after the additive gas is introduced.
The bulk copper in the graph is a specific resistance value in the case of a copper lump.
[0029]
From this graph, it can be seen that it is effective if the partial pressure P of the additive gas (atmosphere) contained in the sputtering atmosphere is set to 6.65 × 10⁻⁴ Pa (5 × 10⁻⁶ Torr) or less. . In particular, when the microscopic size is 2.66 × 10⁻⁵ Pa (2 × 10⁻⁷ Torr) or less, the specific resistance of the formed copper thin film is 1.7 to 1.8 μΩcm, which is the value of bulk copper ( It can be seen that it is approximately equal to 1.7 μΩcm). Similar results were obtained even when a substrate having a thermal oxide film formed on the silicon surface was used.
[0030]
As described above, the additive gas is continuously introduced into thevacuum chamber 10 by the flowrate control valve 32. However, in order to make the partial pressure P of the additive gas in thevacuum chamber 10 smaller, it is intermittently introduced. can do.
[0031]
For example, the additive gas is intermittently added into thevacuum chamber 10 at predetermined time intervals (this additive gas is a gas having an oxygen atom in its chemical structure, a gas having a nitrogen atom, a gas having an oxygen atom and a nitrogen atom, and water). When a very small amount of any one or more gases is introduced, the partial pressure can be further reduced.
[0032]
The graph of FIG. 3 shows the pressure change in thevacuum chamber 10 when the additive gas introduction for 2.5 seconds is repeated at intervals of 14 seconds. By introducing the additive gas, the pressure in thevacuum chamber 10 is increased by 2.66 × 10⁻⁵ Pa (2 × 10⁻⁷ Torr) in a pulse manner.
[0033]
When this graph is averaged, thevacuum chamber 10 contains the additive gas at a partial pressure of about 1 × 10⁻⁸ to 1 × 10⁻⁹ Torr. Although it is difficult to accurately introduce the additive gas having a minute partial pressure, it can be achieved by intermittently introducing the additive gas as described above.
[0034]
In addition, a pipe for continuously introducing the additive gas into thevacuum chamber 10 and a pipe for introducing the additive gas in a pulsed manner are separately provided to continuously introduce the additive gas and superimpose the pulsed introduction. You may let them.
[0035]
In the above, the case where the target is sputtered by applying a DC power source has been described. However, the present invention can be applied to an RF sputtering method in which an AC voltage is applied, a sputtering method in which an AC voltage is superimposed on a DC voltage, The present invention can be applied to various sputtering methods such as a sputtering method for changing the thickness. Alternatively, a voltage may be applied to thesubstrate holder 13 to apply a bias to thesilicon substrate 15 or to float.
[0036]
In addition, air (air) is used as the additive gas, but oxygen gas, nitrogen gas, or argon gas containing moisture may be used. It may be a mixed gas of oxygen gas and nitrogen gas. Further, oxygen gas, nitrogen gas, or a gas containing water in the mixed gas may be used.
In that case, the end of the gas addition pipe may be connected to a gas cylinder filled with the additive gas via a flow rate control valve.
[0037]
Moreover, although the above described formed the copper thin film on thesilicon substrate 15, the film-forming target object is not limited to a silicon substrate.
[0038]
Furthermore, the copper target used in the present invention is a target made of copper or a target mainly composed of copper, and the target mainly composed of copper may contain other metals.
[0039]
Further, annealing may be used in combination in order to promote resistance reduction. Although an example in which the distance between the target and the substrate is 275 mm is shown, a shorter-distance sputtering apparatus may be used.
[0040]
【The invention's effect】
Since the specific resistance of the copper thin film can be reduced, it is suitable for LSI wiring.
When the additive gas is introduced intermittently, the partial pressure value can be made smaller than the value controllable by the flow control valve.
After the copper thin film is formed, the specific resistance can be reduced without annealing.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a sputtering apparatus according to an example of the present invention. FIG. 2 is a graph showing a change in specific resistance of a copper thin film with time. FIG. 3 is a graph showing a pressure change when an additive gas is intermittently introduced. 4) (a), (b): Diagrams for explaining a method of forming a copper thin film [Explanation of symbols]
1 …… Sputteringequipment 10 ……Vacuum chamber 21 ……Target 31 …… Pipe for gas addition

Claims (2)

Translated fromJapanese

真空雰囲気中にスパッタガスを導入し、銅または銅を主成分とするターゲットをスパッタし、前記真空雰囲気中に置かれた成膜対象物表面に銅薄膜または銅を主成分とする薄膜を形成する銅薄膜製造方法であって、
前記ターゲットをスパッタする際に、添加ガスとして大気を、分圧が１．３３×１０^-4Ｐａ以下となるように、前記真空雰囲気中に導入することを特徴とする銅薄膜製造方法。A sputtering gas is introduced into a vacuum atmosphere, a copper or copper-based target is sputtered, and a copper thin film or a copper-based thin film is formed on the surface of the film formation target placed in the vacuum atmosphere. A copper thin film manufacturing method,
A method for producing a copper thin film, wherein, when sputtering the target,air is introducedas anadditive gas into the vacuum atmosphereso that apartial pressure is 1.33 × 10⁻⁴Pa or less . 前記添加ガスを間欠的に導入することを特徴とする請求項１記載の銅薄膜製造方法。  The copper thin film manufacturing method according to claim 1, wherein the additive gas is intermittently introduced.

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